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TWI787147B - 用於提供陶瓷磷光板至發光裝置（ｌｅｄ）晶粒之方法、用於切割或傳送陶瓷磷光板之帶、放置陶瓷磷光板於帶上之方法、及使用帶之方法 - Google Patents

用於提供陶瓷磷光板至發光裝置（ｌｅｄ）晶粒之方法、用於切割或傳送陶瓷磷光板之帶、放置陶瓷磷光板於帶上之方法、及使用帶之方法 Download PDF

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TWI787147B
TWI787147B TW105106830A TW105106830A TWI787147B TW I787147 B TWI787147 B TW I787147B TW 105106830 A TW105106830 A TW 105106830A TW 105106830 A TW105106830 A TW 105106830A TW I787147 B TWI787147 B TW I787147B
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ceramic phosphor
tape
free
adhesive
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阿波羅 史契克
李斯特 尼克 凡
丹尼爾 洛伊特曼
Original Assignee
荷蘭商露明控股公司
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Abstract

本發明揭示一種方法，其包含：將一陶瓷磷光體安裝於一切割帶之無丙烯酸且無含有金屬之觸媒之一膠黏層上；將來自該切割帶之該陶瓷磷光體切割成陶瓷磷光板；自該切割帶移除該等陶瓷磷光板；及將該等陶瓷磷光板附接在發光裝置(LED)晶粒上。

Description

用於提供陶瓷磷光板至發光裝置(LED)晶粒之方法、用於切割或傳送陶瓷磷光板之帶、放置陶瓷磷光板於帶上之方法、及使用帶之方法
本發明係關於半導體發光二極體或裝置(LED)，且更特定言之用於LED之陶瓷磷光板。
在一覆晶發光二極體或裝置(LED)中，接觸件定位在LED之底部上且自LED之頂部發射光。將LED磊晶層生長在一圖案化藍寶石生長基板上，該基板附接至磊晶層以增大光輸出。將磊晶層及生長基板單一化為晶粒且直接附接至一陶瓷磚基板。分開地，形成且切割一陶瓷磷光體以形成陶瓷磷光板。對於各晶粒，將基於聚矽氧之一膠施配至其藍寶石上且將一陶瓷磷光板拾取且放置在藍寶石上。將一白色氧化鈦聚矽氧複合物(TiO-聚矽氧)施配在陶瓷磚基板上之晶粒上及之間。藉由濕珠處理而自陶瓷磷光板之頂部移除多餘TiO-聚矽氧且接著使個別晶粒單一化。
在本發明之一或多項實例中，一種方法包含：將一陶瓷磷光體安裝在一切割帶之一無丙烯酸膠黏層上；將來自該切割帶之該陶瓷磷光體切割成陶瓷磷光板；自該切割帶移除該等陶瓷磷光板；及將該等陶瓷磷光板附接在發光裝置(LED)晶粒上。
100:橫截面視圖
102:陶瓷磷光體
104:切割帶
106:帶框
108:膠黏層
110:支撐薄膜
112:陶瓷磷光板
200:橫截面視圖
202:膠黏層
300:橫截面視圖
301:切割帶
400:方法
402:方塊
404:方塊
406:方塊
500:方法
502:方塊
504:方塊
506:方塊
600:方法
602:方塊
606:方塊
700:方法
702:方塊
704:方塊
706:方塊
708:方塊
802:第一釋放帶
804:第二釋放帶
806:滾輪
808:滾輪
在圖式中：
圖1圖解說明藉由安裝至一帶框之一切割帶固持之一陶瓷磷光體之一橫截面視圖。
圖2圖解說明本發明之實例中之具有一支撐薄膜及支撐薄膜上方之一無丙烯酸膠黏層之一切割帶之一橫截面視圖。
圖3圖解說明本發明之實例中之具有另一切割帶及另一切割帶上之一無丙烯酸膠黏層之一切割帶之一橫截面視圖。
圖4係本發明之實例中之提供陶瓷磷光板至LED晶粒之一方法之一流程圖。
圖5係本發明之實例中之藉由圖4之方法中之刮塗或覆模鑄造(over-mold casting)提供膠黏層之一方法之一流程圖。
圖6係本發明之實例中之藉由圖4之方法中之擠壓提供膠黏層之一方法之一流程圖。
圖7係本發明之實例中之藉由貼合提供膠黏層之一方法之一流程圖。
圖8展示本發明之實例中之藉由圖7之方法實施一貼合程序之橫截面視圖。
在不同圖式中使用相同元件符號指示類似或相同元件。
圖1圖解說明藉由安裝至一帶框106之一切割帶104固持之一陶瓷磷光體102之一橫截面視圖100。切割帶104可為在一支撐薄膜110上具有一膠黏層108之一膠黏帶。自框架安裝切割帶104切割陶瓷磷光體102以形成陶瓷磷光板112(展示為被虛切割線分離)。切割帶104可經拉伸以橫向分離陶瓷磷光板112。切割帶104在可藉由UV曝光調變膠黏層108之黏著力時可為一UV帶，從而允許黏著力在切割期間變強且在移除陶瓷磷光板112期間變弱。
膠黏層108包含丙烯酸且在自切割帶104移除丙烯酸之後將丙烯酸殘留物留在陶瓷磷光板112上。陶瓷磷光板112可在切割隨後經受額外帶傳送，藉此將板之兩側曝露至丙烯酸帶。已判定來自用於切割及其他帶傳送中之丙烯酸帶之丙烯酸殘留物導致陶瓷磷光板中之褐變及光應力(歸因於高劑量光子通量之應力)，從而導致LED晶粒之過早故障。甚至在使用電漿清潔陶瓷磷光板112以移除有機分子且在清潔之後使用一「翻轉傳送(flip transfer)」最小化帶接觸時，所得LED晶粒仍經歷一5%至6%通量下降。
據信，陷於一陶瓷磷光板與一LED晶粒之間的間隙(膠)中之殘留分子經受光及熱化學降解(光-熱解)以導致吸收光之物種。此在由於膠合面積相對於黏合線(膠厚度)十分大而缺乏氧以使吸收光之物種光致褪色時尤其普遍，因此跨窄間隙存在填充有膠之一長路徑以限制氣體交換。
本發明之實例藉由使用具有一無丙烯酸膠黏層之切割帶來防止丙烯酸污染。膠黏層可形成於切割帶之一支撐薄膜上方，或膠黏層可為貼合於切割帶之支撐薄膜上方之一膠黏薄膜或薄片。
圖2圖解說明本發明之實例中之具有一支撐薄膜110及支撐薄膜110上方之一無丙烯酸膠黏層202之一切割帶201之一橫截面視圖200。經由膠黏層202將切割帶201安裝在帶框106上。
可自框架安裝切割帶201切割陶瓷磷光體102。陶瓷磷光體可為來自Lumileds(San Jose,California)之Lumiramics。膠黏層202可為無丙烯酸之一聚矽氧熱成型樹脂。膠黏層202亦可為無任何含有金屬之觸媒，包含鉑(Pt)、錫(Sn)或鋅(Z)。含有金屬之一觸媒可為包含使用若干有機配位體協調或形成鹽之一金屬之一化合物。在美國專利第5,561,231中找到含有金屬之觸媒之實例。舉例而言，鉑基觸媒係非所要的，因為其朝向交聯過程之端部形成吸收光的膠態奈米粒子，例 如，由H.Bai在Ind.Eng.Chem.Res.2014,53,1588-1597中所論述。鉑亦為用於特定有機反應之一觸媒，包含導致含有伸苯基之聚矽氧中之褐變的反應。此外，聚矽氧通常在鉑催化系統中摻有抑制劑以延長罐壽命(工作時間)，且此等添加劑可在其等抑制附接晶粒之膠的催化時褐變，或抑制膠的聚合作用。
膠黏層202可包含一光潛或光起始胺觸媒(亦稱為一「光鹼產生劑」或「光陰離子起始劑」)，因此可藉由使膠黏層202光顯影來調變膠黏層202之黏著力。此允許膠黏層202之黏著力在陶瓷磷光體切割期間變強，且在陶瓷磷光板移除期間變弱。胺觸媒形成一鹼與一酸之間之一中性鹽。鹼可為DBU(1,8-二吖雙環[5.4.0]十一-7-烯)、DBN(1,5-二吖雙環4.3.0]壬-5-烯)等等，且酸可為酸洛芬((RS)2-(3-苯甲酰苯)-丙酸)(Ketoprofen((RS)2-(3-benzoylphenyl)-propionic acid))或苯乙醇酸。在UV照射之後，酸之苯乙醇酸或苯甲酰苯組分吸收光且經受一脫羧反應(產生CO2)，且鹼(DBN、DBU等等)變得自由。接著，鹼能夠催化冷凝及開環聚合反應。
膠黏層202可為可自密西根州密德蘭(Midland,Michigan)之Dow Corning購得之LF-1010、LF-1011或LF-1012(亦稱為「熱熔膠」)黏合劑或可自弗羅里達州根茲維(Gainesville,Florida)之SiVance LLC(其係南卡羅來納州斯巴坦堡(Spartanburg,South Carolina)之Milliken Chemical之一子公司)購得之HT-8200、HT-8800或HT-8660(亦稱為「XLED」)囊封劑。
圖3圖解說明本發明之實例中之具有切割帶104及切割帶104上之一無丙烯酸膠黏層202之一切割帶301之一橫截面視圖300。經由膠黏層202，將切割帶301安裝在帶框106上。可自框架安裝切割帶301切割陶瓷磷光體102。
在圖3中，將膠黏層202定位在切割帶104之膠黏層108側上。膠 黏層202防止陶瓷磷光體102與切割帶104之膠黏層108相互作用。在一些實例中，將膠黏層202定位在切割帶104之支撐薄膜110側上。在此等實例中，切割帶104可不具有膠黏層108，因此具有陶瓷磷光體102之最終框架安裝帶104的厚度被減小。減小框架安裝帶104的厚度可改良在切割陶瓷磷光體102之後自帶拾取陶瓷磷光板112。
圖4係本發明之實例中之提供陶瓷磷光板至LED晶粒之一方法400之一流程圖。方法400可開始於方塊402。
在方塊402中，將陶瓷磷光體102安裝在切割帶201或301(圖2或圖3)之膠黏層202(圖2或圖3)上。可將切割帶201或301安裝在帶框106上。在圖3中展示之實例中，膠黏層202可在陶瓷磷光體102與切割帶104之膠黏層108或支撐薄膜110側之間。方塊402可後續接著方塊404。
在方塊404中，自切割帶201或301將陶瓷磷光體102切割成陶瓷磷光板112(圖2或圖3)。方塊404可後續接著方塊406。
在方塊406中，將陶瓷磷光板112自切割帶201或301移除，且附接在LED晶粒(未展示)上。在移除之前，可使膠黏層202光顯影以降低其黏著力。對於各晶粒，將高折射率(HRI)之基於聚矽氧之一膠施配至其藍寶石上，且拾取一陶瓷磷光板112且將其放置在藍寶石上。矽基膠可為可自弗羅里達根茲維之SiVance LLC(其係南卡羅來納州斯巴坦堡之Milliken Chemical之一子公司)購得之XLED囊封劑。
圖5係本發明之實例中之實施方塊402之一方法500之一流程圖。方法500藉由刮塗或覆模鑄造在支撐薄膜110上方形成膠黏層202。方法500可開始於方塊502。
在方塊502中，將用於膠黏層202之一液體材料沈積在支撐薄膜110上或支撐薄膜110上之膠黏層108上。方塊502可後續接著方塊504。
在方塊504中，將液體材料刮塗或覆模在支撐薄膜110或膠黏層108上以形成膠黏層202。對於刮塗，在液體材料上方拖動一刀緣以形成具有一均勻厚度之膠黏層202。對於覆模，應用一模具以形成具有一均勻厚度之膠黏層202。方塊504可後續接著方塊506。
在方塊506中，將陶瓷磷光體102放置在膠黏層202上且黏合至膠黏層202。可預加熱陶瓷磷光體102或膠黏層202以有助於黏合程序。
圖6係本發明之實例中之實施方塊402之一方法600之一流程圖。方法600藉由擠壓而在支撐薄膜110上方形成膠黏層202。方法600可開始於方塊602。
在方塊602中，使用一捲輪式薄膜輸送(roll-to-roll)程序將膠黏層202擠壓在支撐薄膜110或支撐薄膜110上的膠黏層108上。方塊602可後續接著方塊606。
在方塊606中，將陶瓷磷光體102放置在膠黏層202上且黏合至膠黏層202。
圖7係本發明之實例中之實施方塊402之一方法700之一流程圖。方法700藉由貼合在支撐薄膜110上方形成膠黏層202。方法700可在將切割帶201或301(圖2或圖3)安裝在帶框106上之後發生。圖8展示本發明之實例中之此貼合程序之橫截面視圖。返回參考圖7，方法700可開始於方塊702。
在方塊702中，提供一膠黏薄片或薄膜801(圖8)。可藉由刮塗、覆模鑄造或使用一捲輪式薄膜輸送程序之擠壓來形成膠黏薄膜801。方塊702可後續接著方塊704。
在方塊704中，將膠黏薄膜801放置在支撐薄膜110或支撐薄膜110上之膠黏層108上。可在將薄膜貼合於支撐薄膜110上方之前，預加熱膠黏薄膜801。舉例而言，可在攝氏80度至攝氏170度之間之一溫度下，加熱膠黏薄膜801達1分鐘至20分鐘。若陶瓷磷光體102在相同程 序中貼合，則可將其放置在膠黏薄膜801上。可將一第一釋放帶802(圖8)放置在陶瓷磷光體102之頂表面上，且可將一第二釋放帶804(圖8)放置在支撐薄膜110之底表面上。方塊704可後續接著方塊706。
在方塊706中，將膠黏薄膜801貼合於支撐薄膜110上方以形成膠黏層202。對置的壓機或滾輪806、808(圖8)施加適當壓力及溫度以將層貼合在一起。儘管未展示，可使用一真空泵擠出層之間的氣泡。將膠黏薄膜801貼合在支撐薄膜110上方可在不同時間、溫度或壓力的多個階段發生。舉例而言，貼合可在攝氏80度至攝氏170度之間之一溫度下且在1巴至30巴之一壓力之間發生達0.5秒至若干分鐘的時間。當陶瓷磷光體102在相同程序中貼合時，可歸因於其脆性性質而減小壓力。若使用釋放帶802及804(圖8)，則其等在貼合之後被移除。方塊706可後續接著方塊708。
在方塊708中，若陶瓷磷光體102未在方塊704中放置且在方塊706中貼合，則可將陶瓷磷光體102放置在膠黏層202上，且使用另一貼合程序將陶瓷磷光體102貼合在膠黏層202上。
所揭示實施例之特徵的各種其他改編及組合係在本發明之範疇內。藉由隨附申請專利範圍來涵蓋數種實施例。
100:橫截面視圖
102:陶瓷磷光體
104:切割帶
106:帶框
108:膠黏層
110:支撐薄膜
112:陶瓷磷光板

Claims (23)

  1. 一種用於提供陶瓷磷光板至發光裝置(LED)晶粒之方法，其包括：施配(dispensing)一液體材料於一切割帶之一支撐薄膜或另一膠黏層上以形成無丙烯酸(acrylic-free)且無含有金屬之觸媒之一膠黏層(tacky layer)；將一陶瓷磷光體(ceramic phosphor)放置在該切割帶(dicing tape)之無丙烯酸(acrylic-free)且無含有金屬之觸媒之該膠黏層上；將於該切割帶上之該陶瓷磷光體切割成該等陶瓷磷光板；自該切割帶移除該等陶瓷磷光板；及將該等陶瓷磷光板附接在該等發光裝置(LED)晶粒上。
  2. 如請求項1之方法，其中無丙烯酸且無含有金屬之觸媒之該膠黏層包括無丙烯酸及鉑之一聚矽氧熱成型樹脂及無包括鉑、錫或鋅之含有金屬之一觸媒。
  3. 如請求項1之方法，其中將該切割帶安裝在一帶框上。
  4. 如請求項1之方法，其中：無丙烯酸且無含有金屬之觸媒之該膠黏層包括一光潛或光起始胺觸媒；且移除該等陶瓷磷光板包括使無丙烯酸且無含有金屬之觸媒之該膠黏層光顯影以降低其對該等陶瓷磷光板之黏著力。
  5. 如請求項1之方法，其中將該等陶瓷磷光板附接在該等發光裝置(LED)晶粒上包含將高折射率(HRI)之基於聚矽氧之一膠施加在該等發光裝置(LED)晶粒上。
  6. 如請求項1之方法，其中該另一膠黏層包括丙烯酸。
  7. 如請求項1之方法，進一步包括藉由以下方法來形成該切割帶：將該液體材料刮塗在該支撐薄膜或該另一膠黏層上，以形成該膠黏層。
  8. 如請求項1之方法，進一步包括藉由以下方法來形成該切割帶：將該液體材料覆模在該支撐薄膜或該另一膠黏層上，以形成該膠黏層。
  9. 如請求項1之方法，進一步包括藉由以下方法來形成該切割帶：透過一捲輪式薄膜輸送程序，將該膠黏層擠壓在該切割帶之一支撐薄膜或該支撐薄膜上之另一膠黏層上。
  10. 如請求項1之方法，其中將該陶瓷磷光體安裝在該切割帶之該無丙烯酸膠黏層上包括：將一膠黏薄膜貼合於該切割帶之一支撐薄膜或該支撐薄膜上之另一膠黏層上，以形成該膠黏層，且將該陶瓷磷光體放置在該膠黏層上；或在該相同程序中，將該陶瓷磷光體及該膠黏薄膜貼合於該支撐薄膜或該另一膠黏層上。
  11. 一種用於切割或傳送(transfer)陶瓷磷光板之帶，其包括：一支撐薄膜；及安置在該支撐薄膜上之一膠黏層，其為無丙烯酸及為無含有金屬之觸媒，該膠黏層經組態以形成與一陶瓷磷光板之一黏著力(adhesive bond)。
  12. 如請求項11之帶，其中該膠黏層無包括鉑、錫或鋅之含有金屬之一觸媒。
  13. 如請求項11之帶，其中與該陶瓷磷光板之該黏著力可被調變。
  14. 如請求項13之帶，其中與該陶瓷磷光板之該黏著力係藉由光顯影該膠黏層調變。
  15. 如請求項13之帶，其中該膠黏層包括一光潛或光起始胺觸媒，其經組態以當該膠黏層光顯影時，降低至該陶瓷磷光板的該黏著力。
  16. 如請求項11之帶，其中該膠黏層係安置在該支撐薄膜之一第二膠黏層上，該第二膠黏層包括丙烯酸。
  17. 一種包括放置一陶瓷磷光板於請求項11所述之該帶上之方法，以致一黏著力形成在該陶瓷磷光板及該膠黏層之間。
  18. 如請求項17之方法，其包括自該帶移除該陶瓷磷光板。
  19. 一種使用一帶之方法，其包括：提供具有安置於一支撐薄膜上之一膠黏層之該帶，該膠黏層為無丙烯酸及為無含有金屬之觸媒；及放置一陶瓷磷光板於該帶之該膠黏層上，使得該膠黏層形成與該陶瓷磷光板之一黏著力。
  20. 如請求項19之方法，其包括自該帶移除該陶瓷磷光板。
  21. 如請求項19之方法，其中該膠黏層無包括鉑、錫或鋅之含有金屬之一觸媒。
  22. 如請求項20之方法，其包括在移除該陶瓷磷光板之前，調變與該陶瓷磷光板之該黏著力。
  23. 如請求項22之方法，其包括光顯影該膠黏層以調變與該陶瓷磷光板之該黏著力。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016144732A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-15 Koninklijke Philips N.V. Method for attaching ceramic phosphor plates on light-emitting device (led) dies using a dicing tape, method to form a dicing tape, and dicing tape
US10522728B2 (en) 2017-01-26 2019-12-31 Maven Optronics Co., Ltd. Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same
JP6876499B2 (ja) * 2017-04-17 2021-05-26 積水化学工業株式会社 半導体デバイス用粘着剤組成物及び半導体デバイス用粘着テープ
US10128419B1 (en) 2017-08-03 2018-11-13 Lumileds Llc Method of manufacturing a light emitting device
JP6900571B2 (ja) * 2017-08-03 2021-07-07 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置を製造する方法
US20190198720A1 (en) 2017-12-22 2019-06-27 Lumileds Llc Particle systems and patterning for monolithic led arrays
JP2019201089A (ja) * 2018-05-15 2019-11-21 マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドＭａｖｅｎ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． チップスケールパッケージング発光素子の斜角チップ反射器およびその製造方法
JP6791208B2 (ja) * 2018-05-22 2020-11-25 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
US11545597B2 (en) 2018-09-28 2023-01-03 Lumileds Llc Fabrication for precise line-bond control and gas diffusion between LED components
KR102176416B1 (ko) * 2019-04-24 2020-11-10 스카이다이아몬드 주식회사 형광 박판 다이싱 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130062646A1 (en) * 2011-09-12 2013-03-14 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (led) dice with wavelenth conversion layers
TW201414018A (zh) * 2012-09-28 2014-04-01 日東電工股份有限公司 螢光體層黏貼套組、光半導體元件－螢光體層黏貼體及光半導體裝置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5181650A (ja) 1975-01-16 1976-07-17 Hitachi Ltd Ekimenreberusensa
JPS6181650A (ja) * 1984-09-28 1986-04-25 Shin Etsu Polymer Co Ltd ダイシングフイルム
KR950003310A (ko) 1993-07-22 1995-02-16 에리히 프랑크, 칼-하인즈 림뵉 균질 히드로실릴화 촉매
JP2003177241A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Fujimori Kogyo Co Ltd 光学用積層体、粘着剤転写テープ、および光学用積層体の製造法
JP4361309B2 (ja) * 2003-04-17 2009-11-11 株式会社ディスコ 半導体チップの製造方法
JP2006028104A (ja) 2004-07-16 2006-02-02 Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd ヒストンデアセチラーゼ阻害剤
US7256483B2 (en) 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
JP2006328104A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
US20110002127A1 (en) * 2008-02-08 2011-01-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical element and manufacturing method therefor
EP2257608A1 (en) 2008-03-07 2010-12-08 3M Innovative Properties Company Dicing tape and die attach adhesive with patterned backing
JP5410167B2 (ja) 2009-06-12 2014-02-05 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用前照灯
JP5744434B2 (ja) 2010-07-29 2015-07-08 日東電工株式会社 加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム、半導体素子の回収方法、及び半導体装置の製造方法
CN103155186A (zh) 2010-09-29 2013-06-12 皇家飞利浦电子股份有限公司 波长转换的发光器件
WO2012169289A1 (ja) 2011-06-07 2012-12-13 東レ株式会社 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きｌｅｄチップの製造方法
CN103427004A (zh) 2012-05-17 2013-12-04 旭明光电股份有限公司 制造具有波长转换层的发光二极管晶粒的系统及方法
US8889439B2 (en) * 2012-08-24 2014-11-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs
JP6207192B2 (ja) * 2013-03-25 2017-10-04 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP6317744B2 (ja) * 2013-07-05 2018-04-25 リンテック株式会社 ダイシングシート
WO2016144732A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-15 Koninklijke Philips N.V. Method for attaching ceramic phosphor plates on light-emitting device (led) dies using a dicing tape, method to form a dicing tape, and dicing tape

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130062646A1 (en) * 2011-09-12 2013-03-14 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (led) dice with wavelenth conversion layers
TW201414018A (zh) * 2012-09-28 2014-04-01 日東電工股份有限公司 螢光體層黏貼套組、光半導體元件－螢光體層黏貼體及光半導體裝置

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Publication number Publication date
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