TWI785342B

TWI785342B - 輻射偵測裝置

Info

Publication number: TWI785342B
Application number: TW109119599A
Authority: TW
Inventors: 賴俊福; 鄭順成
Original assignee: 睿生光電股份有限公司
Priority date: 2020-06-11
Filing date: 2020-06-11
Publication date: 2022-12-01
Also published as: US20210389477A1; TW202146938A; US11874410B2

Abstract

本揭露提出一種輻射偵測裝置包括偵測面板。偵測面板包括多個第一畫素沿著資料線延伸方向排列為第一排、多個第二畫素沿著資料線延伸方向排列為第二排以及另多個第二畫素沿著資料線延伸方向排列為第三排。所述多個第一畫素的每一個包括第一開關，並且所述多個第二畫素以及所述另多個第二畫素的每一個包括第二開關。所述多個第二畫素以及所述另多個第二畫素的每一個包括光電二極體。所述多個第一畫素不包括光電二極體，即所述多個第二畫素的每一個相較於所述多個第一畫素還包括與所述第二開關電性連接的光電二極體。

Description

輻射偵測裝置

本揭露是有關於一種偵測設備，且特別是有關於一種輻射偵測裝置。

對於一般的輻射偵測裝置的去除基本背景值(offset)的處理上，通常會受到動態因素的影響，其中包括讀出電路晶片的類比至數位轉換器的變異，或者是來自閘極端的電源雜訊等，甚至讀出電路晶片的模式切換也會影響操作溫度，進而影響到偵測值。換言之，由於如上述動態因素的影響，一般的輻射偵測裝置在取得基本背景值資訊的過程中，所取得的基本背景值資訊實際上已與偵測的曝光資訊之間存在差異。對此，一般的校正方式僅是透過遮蔽光電二極體(photodiode)的方式來避免曝光的影響，但是由於連接光電二極體的電路迴路理論上會存在暗電流或其他缺陷的影響，因此一般的輻射偵測裝置無法提供適當的基本背景值資訊。有鑑於此，以下將提出幾個實施例的解決方案。

本揭露提供一種輻射偵測裝置，可有效地取得背景雜訊來用於校正輻射偵測結果。

本揭露的輻射偵測裝置包括偵測面板。偵測面板包括多個第一畫素沿著資料線延伸方向排列為第一排、多個第二畫素沿著資料線延伸方向排列為第二排以及另多個第二畫素沿著資料線延伸方向排列為第三排。所述多個第一畫素的每一個包括第一開關。所述多個第二畫素以及所述另多個第二畫素的每一個包括第二開關。所述多個第二畫素以及所述另多個第二畫素的每一個包括光電二極體，並且所述多個第一畫素不包括光電二極體，即所述多個第二畫素以及所述另多個第二畫素的每一個相較於所述多個第一畫素還包括與第二開關電性連接的光電二極體。

本揭露的輻射偵測裝置包括偵測面板。偵測面板包括偏壓線、第一畫素以及第二畫素。第一畫素以及第二畫素的分別包括開關與光電二極體。所述多個第一畫素與偏壓線電性絕緣。所述多個第二畫素與偏壓線電性連接。

基於上述，本揭露的輻射偵測裝置可透過不具有光電二極體的畫素或是與偏壓線電性絕緣的畫素來提供合適的背景雜訊，以有效地取得背景雜訊用於校正輻射偵測結果。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

本揭露通篇說明書與申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，顯示裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的組件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的組件。在下文說明書與權利要求書中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。

在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構系直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包含兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。此外，用語「電性連接」包含任何直接及間接的電性連接手段。

說明書與發明申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該，或該些，組件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。權利要求書與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在權利要求中可能為第二構件。須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，將數個不同實施例中的技術特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。

圖1是依照本揭露的第一實施例的輻射偵測裝置的電路示意圖。參考圖1，輻射偵測裝置100包括偵測面板100P。偵測面板100P包括畫素陣列，並且圖1為呈現偵測面板100P的所述畫素陣列的一部分。在本實施例中，偵測面板100P包括讀出電路101、102，並且包括閘極線G1、G2、G3、偏壓線BL、背景線R1、R2、資料線D1_1~D1_N、D2_1~D2_N以及畫素110R、110_1~110_N、120R、120_1~120_N，其中N為正整數。畫素110R、110_1~110_N、120R、120_1~120_N沿著閘極線延伸方向P2排列，在其他實施例，閘極線可能為直線或大部分為直線或者非直線(例如波浪狀等)，本揭露不以此為限。對此，無論閘極線為直線或大部分為直線或者非直線均沿著閘極線延伸方向P2而延伸。畫素130R、130_1~130_N、140R、140_1~140_N沿著閘極線延伸方向P2排列。畫素110R、110_1~110_N、120R、120_1~120_N設置在閘極線G1、G2之間。畫素130R、130_1~130_N、140R、140_1~140_N設置在閘極線G2、G3之間。在本實施例中，讀出電路101電性連接背景線R1、資料線D1_1~D1_N，並且經由背景線R1、資料線D1_1~D1_N來讀出畫素110R、110_1~110_N、130R、130_1~130_N的偵測資料。讀出電路102電性連接背景線R2、資料線D2_1~D2_N，並且經由背景線R2、資料線D2_1~D2_N來讀出畫素120R、120_1~120_N、140R、140_1~140_N的偵測資料。

在本實施例中，畫素110R、110_1~110_N、120R、120_1~120_N分別包括開關111R、111_1~111_N、121R、121_1~121_N，並且開關111R、111_1~111_N、121R、121_1~121_N電性連接閘極線G1。畫素130R、130_1~130_N、140R、140_1~140_N分別包括開關131R、131_1~131_N、141R、141_1~141_N，並且開關131R、131_1~131_N、141R、141_1~141_N電性連接閘極線G2。閘極線G3用於電性連接沿著閘極線延伸方向P2排列的下一行的多個畫素(未圖示)。開關111R、111_1~111_N、121R、121_1~121_N、131R、131_1~131_N、141R、141_1~141_N可分別包括一個或多個N型或P型電晶體所組成的切換電路，而本揭露並不加以限制。畫素110_1~110_N、120_1~120_N、130_1~130_N、140_1~140_N還分別包括光電二極體(Photodiode)112_1~112_N、122_1~122_N、132_1~132_N、142_1~142_N。

值得注意的是，上述的光電二極體能夠根據使用方式來將光轉換成電流、電壓或者電容訊號的光偵測裝置，並且當光電二極體偵測到光之後可透過資料線將電流、電壓或者電容訊號提供給讀出電路101、102來進行相關訊號判讀。在本實施例中，光電二極體112_1~112_N、122_1~122_N、132_1~132_N、142_1~142_N分別電性連接開關111_1~111_N、121_1~121_N、131_1~131_N、141_1~141_N，以及電性連接偏壓線BL，其中偏壓線BL用以提供工作電壓至光電二極體112_1~112_N、122_1~122_N、132_1~132_N、142_1~142_N。

從另一角度而言，多個畫素如畫素110R、130R沿著資料線延伸方向P1排列為第一排，多個畫素如畫素110_1、130_1沿著資料線延伸方向P1排列為第二排，並且多個畫素如畫素110_2、130_2沿著資料線延伸方向P1排列為第三排。在其他實施例，資料線可能為直線或大部分為直線或者非直線(例如波浪狀等)，本揭露不以此為限。對此，無論資料線為直線或大部分為直線或者非直線均沿著一資料線延伸方向P1而延伸。在本實施例中，所述第一排的所述多個畫素的每一個包括如畫素110R、130R的開關111R、131R，並且所述第一排的多個畫素的每一個包括如畫素110R、130R不包括光電二極體，而畫素110_1、130_1、110_2、130_2的每一個包括光電二極體112_1、132_1、112_2、132_2，即畫素110_1、130_1、110_2、130_2的每一個相較於畫素110R、130R包括分別與開關111_1、131_1、111_2、131_2電性連接的光電二極體112_1、132_1、112_2、132_2。開關111R、131R電性連接背景線R1。

在本實施例中，所述第二排的所述多個畫素的每一個包括如畫素110_1、130_1的開關111_1、131_1以及光電二極體112_1、132_1。開關111_1電性連接閘極線G1、資料線D1_1以及光電二極體112_1，並且光電二極體112_1亦電性連接偏壓線BL。開關131_1電性連接閘極線G2、資料線D1_1以及光電二極體132_1，並且光電二極體132_1亦電性連接偏壓線BL。

在本實施例中，所述第三排的所述多個畫素的每一個包括如畫素110_2、130_2的開關111_2、131_2以及光電二極體112_2、132_2。開關111_2電性連接閘極線G1、資料線D1_2以及光電二極體112_2，並且光電二極體112_2亦電性連接偏壓線BL。開關131_2電性連接閘極線G2、資料線D1_2以及光電二極體132_2，並且光電二極體132_2亦電性連接偏壓線BL。資料線D1_2鄰近於資料線D1_1並遠離背景線R1。值得注意的是，所謂資料線D1_2鄰近於資料線D1_1是指在資料線D1_2與資料線D1_2兩者之間不存在其他資料線或背景線。

在本實施例中，輻射偵測裝置100可在輻射偵測過程中透過所述第一排的所述多個畫素的每一個包括如畫素110R、120R、130R、140R來取得多個背景值，以分別用於校正其他對應排的畫素的光電二極體的輻射偵測結果。並且，在本實施例中，背景線R1與資料線D1_1的最小間距L1與資料線D1_1與資料線D1_2的最小間距L2相同。同理，背景線R2與資料線D2_1的最小間距與資料線D2_1與資料線D2_2的最小間距亦相同。換言之，輻射偵測裝置100可例如是從既有的畫素陣列布局(layout)當中移除畫素110R、120R、130R、140R的光電二極體，以使畫素110R、120R、130R、140R的開關111R、121R、131R、141R僅提供電路迴路上的雜訊訊號至讀出電路101、102來作為背景值。

值得注意的是，背景線R1、資料線D1_1以及資料線D1_2電性連接同一讀出電路101，以使畫素110R、110_1~110_N、130R、130_1~130_N之間具有相同或相近的電路迴路的雜訊。背景線R2、資料線D2_1以及資料線D2_2電性連接同一讀出電路102，以使畫素120R、120_1~120_N、140R、140_1~140_N之間具有相同或相近的電路迴路的雜訊。因此，從開關111R、131R讀出的背景值適於校正畫素110_1~110_N、130_1~130_N的偵測結果，並且從開關121R、141R讀出的背景值適於校正畫素120_1~120_N、140_1~140_N的偵測結果。

此外，在一實施例中，電性連接至讀出電路101的畫素110_1~110_N還可包括一個或多個畫素設計如畫素110R來用於取得背景雜訊，並且電性連接至讀出電路101的畫素130_1~130_N同樣可包括一個或多個畫素設計如畫素130R來用於取得背景值。換言之，可從資料線D1_1~D1_N選擇任一條或多條資料線作為背景線使用。然而，畫素110_1~110_N、131_1~131_N中設計如畫素110R的一個或多個畫素的位置可為等距或不等距或任意選擇。以三個背景線為例，第一背景線、第二背景線以及第三背景線電性連接至讀出電路101。第一背景線與第二背景線的最小間距與第二背景線與該第三背景線的最小間距可為相同。或者，第一背景線與第二背景線的最小間距與第二背景線與該第三背景線的最小間距可為不相同。同理，電性連接讀出電路102的畫素120_1~120_N、140_1~140_N可依據不同使用需求或設計，而與電性連接讀出電路101的畫素110_1~110_N、130_1~130_N為相同、相似或不同的電路布局方式。

另外，輻射偵測裝置100可包括顯示裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。輻射偵測裝置100可為可彎折或可撓式電子裝置。輻射偵測裝置100可例如包括液晶(liquid crystal)發光二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED，QDLED)，螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他適合之材且其材料可任意排列組合，但不以此為限。天線裝置可例如是液晶天線，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，輻射偵測裝置100可為前述之任意排列組合，但不以此為限。

圖2是依照本揭露的一些實施例中的輻射偵測裝置的電路示意圖。參考圖2，輻射偵測裝置200包括偵測面板200P。偵測面板200P包括畫素陣列，並且圖2為呈現偵測面板200P的所述畫素陣列的一部分。在本實施例中，偵測面板200P包括讀出電路201、202，並且包括閘極線G1、G2、G3、偏壓線BL、背景線R1、R2、資料線D1_1~D1_N、D2_1~D2_N以及畫素210R、210_1~210_N、220R、220_1~220_N、230R、230_1~230_N、240R、240_1~240_N，其中N為正整數。畫素210R、210_1~210_N、220R、220_1~220_N沿著閘極線延伸方向P2排列，且設置在閘極線G1、G2之間。畫素230R、230_1~230_N、240R、240_1~240_N沿著閘極線延伸方向P2排列，且設置在閘極線G2、G3之間。在本實施例中，讀出電路201電性連接背景線R1、資料線D1_1~D1_N，並且經由背景線R1、資料線D1_1~D1_N來讀出畫素210R、210_1~210_N、230R、230_1~230_N的偵測資料。讀出電路202電性連接背景線R2、資料線D2_1~D2_N，並且經由背景線R2、資料線D2_1~D2_N來讀出畫素220R、220_1~220_N、240R、240_1~240_N的偵測資料。

在本實施例中，畫素210R、210_1~210_N、220R、220_1~220_N、230R、230_1~230_N、240R、240_1~240_N分別包括開關211R、211_1~211_N、221R、221_1~221_N、231R、231_1~231_N、241R、241_1~241_N。開關211R、211_1~211_N、221R、221_1~221_N電性連接閘極線G1。開關231R、231_1~231_N、241R、241_1~241_N電性連接閘極線G2。閘極線G3用於電性連接沿著閘極線延伸方向P2排列的下一行的多個畫素(未圖示)。開關211R、211_1~211_N、221R、221_1~221_N、231R、231_1~231_N、241R、241_1~241_N可分別包括一個或多個N型或P型電晶體所組成的切換電路，而本揭露並不加以限制。畫素210_1~210_N、220_1~220_N、230_1~230_N、240_1~240_N還分別包括光電二極體212_1~212_N、222_1~222_N、232_1~232_N、242_1~242_N，並且光電二極體212_1~212_N、222_1~222_N、232_1~232_N、242_1~242_N分別電性連接開關211_1~211_N、221_1~221_N、231_1~231_N、241_1~241_N，以及電性連接偏壓線BL，其中偏壓線BL用以提供工作電壓至光電二極體212_1~212_N、222_1~222_N、232_1~232_N、242_1~242_N。

從另一角度而言，多個畫素如畫素210R、230R沿著資料線延伸方向P1排列為第一排，多個畫素如畫素210_1、230_1沿著資料線延伸方向P1排列為第二排，並且多個畫素如畫素210_2、230_2沿著資料線延伸方向P1排列為第三排。在本實施例中，所述第一排的所述多個畫素的每一個包括如畫素210R、230R的開關211R、231R，並且所述第一排的多個畫素的每一個包括如畫素210R、230R不包括光電二極體。開關211R電性連接閘極線G1以及背景線R1。開關231R電性連接閘極線G2以及背景線R1。在本實施例中，所述第二排的所述多個畫素的每一個包括如畫素210_1、230_1的開關211_1、231_1以及光電二極體212_1、232_1。開關211_1電性連接閘極線G1、資料線D1_1以及光電二極體212_1，並且光電二極體212_1亦電性連接偏壓線BL。開關231_1電性連接閘極線G2、資料線D1_1以及光電二極體232_1，並且光電二極體232_1亦電性連接偏壓線BL。在本實施例中，所述第三排的所述多個畫素的每一個包括如畫素210_2、230_2的開關211_2、231_2以及光電二極體212_2、221_2。開關211_2電性連接閘極線G1、資料線D1_2以及光電二極體212_2，並且光電二極體212_2亦電性連接偏壓線BL。開關231_2電性連接閘極線G2、資料線D1_2以及光電二極體232_2，並且光電二極體232_2亦電性連接偏壓線BL，其中資料線D1_2鄰近於資料線D1_1並遠離背景線R1。

在本實施例中，輻射偵測裝置200可在輻射偵測過程中透過所述第一排的所述多個畫素的每一個包括如畫素210R、220R、230R、240R來取得多個背景值，以分別校正其他對應畫素的光電二極體的輻射偵測結果。並且，在本實施例中，背景線R1與資料線D1_1的最小間距L1’與資料線D1_1與資料線D1_2的最小間距L2’不同。同理，背景線R2與資料線D2_1的最小間距與資料線D2_1與資料線D2_2的最小間距亦不同。在本實施例中，資料線D1_1與資料線D1_2的最小間距L2’與背景線R1與資料線D1_1的最小間距的比值例如是大於6，但本揭露並不限於此。換言之，在一實施例中，輻射偵測裝置200可例如是更改既有的畫素陣列布局，以移除畫素210R、220R、230R、240R的光電二極體，以使畫素210R、220R、230R、240R的開關211R、212R、231R、242R僅提供電路迴路上的雜訊訊號至讀出電路201、202來作為背景值。並且，輻射偵測裝置200可將開關211R、221R、231R、241R配置轉向(例如90度)而減少開關211R、221R、231R、241R在閘極線延伸方向P2上的布局寬度，因此可有效降低在偵測面板200P中未用於偵測輻射的畫素面積。

值得注意的是，背景線R1、資料線D1_1~D1_N電性連接同一讀出電路201，以使畫素210R、210_1~210_N、230R、230_1~230_N之間具有相同或相近的電路迴路的雜訊。背景線R2、資料線D2_1~D2_N電性連接同一讀出電路202，以使畫素220R、220_1~220_N、240R、240_1~240_N之間具有相同或相近的電路迴路的雜訊。因此，從開關211R、231R讀出的背景值適於校正畫素210_1~210_N、230_1~230_N的偵測結果，並且從開關221R、241R讀出的背景值適於校正畫素220_1~220_N、240_1~240_N的偵測結果。

此外，在一實施例中，電性連接至讀出電路201的畫素210_1~210_N還可包括一個或多個畫素設計如畫素210R來用於取得背景雜訊，並且電性連接至讀出電路201的畫素230_1~230_N同樣可包括一個或多個畫素設計如畫素230R來用於取得背景雜訊。換言之，可從資料線D1_1~D1_N選擇任一條或多條資料線作為背景線使用。然而，畫素210_1~210_N、230_1~230_N中設計如畫素210R、230R的一個或多個畫素的位置可為等距或不等距或任意選擇。以三個背景線為例，第一背景線、第二背景線以及第三背景線電性連接至讀出電路201。第一背景線與第二背景線的最小間距與第二背景線與該第三背景線的最小間距可為相同。或者，第一背景線與第二背景線的最小間距與第二背景線與該第三背景線的最小間距可為不相同。同理，電性連接讀出電路202的畫素220_1~220_N、240_1~240_N可依據不同使用需求或設計，而與電性連接讀出電路201的畫素210_1~210_N、230_1~230_N為相同、相似或不同的電路布局方式。

圖3是依照本揭露的一實施例的畫素電路示意圖。參考圖3，圖3用於說明一個畫素310R與偏壓線BL電性絕緣的方式。在本實施例中，畫素310R設置於資料線D1_1、D1_2之間，以及閘極線G1、G2之間。畫素310R包括開關311R以及光電二極體312。開關311R的控制端電性連接閘極線G1。開關311R的第一端電性連接資料線D1_1，並且開關311R的第二端電性連接光電二極體312的一端。在本實施例中，畫素310R與偏壓線BL電性絕緣。如圖3所示，畫素310R與偏壓線BL電性絕緣的方式是透過將主動區當中的光電二極體312與偏壓支線BLS之間形成斷路的方式來使光電二極體312因無法接收偏壓而禁能。因此，畫素310R的開關311R被導通後，可提供電路迴路的背景雜訊。然而，在一實施例中，畫素310R與偏壓線BL電性絕緣的方式亦可透過直接截斷週邊區的偏壓線BL，以使光電二極體312無法接收偏壓而禁能。

圖4是依照本揭露的一些實施例中的輻射偵測裝置的電路示意圖。參考圖4，輻射偵測裝置400包括偵測面板400P。偵測面板400P包括畫素陣列，並且圖4為偵測面板400P的所述畫素陣列的一部分。在本實施例中，偵測面板400P包括讀出電路401、402，並且包括閘極線G1、閘極線G2、閘極線G3、偏壓線BL、資料線D1_1~D1_M、D2_1~D2_M以及畫素410_1~410_M、420_1~420_M、430_1~430_M、440_1~440_M，其中M為正整數。畫素410_1~410_M、420_1~420_M沿著閘極線延伸方向P2排列，且設置在閘極線G1、G2之間。畫素430_1~430_M、440_1~440_M沿著閘極線延伸方向P2排列，且設置在閘極線G2、G3之間。在本實施例中，讀出電路401電性連接資料線D1_1~D1_M，並且用以經由資料線D1_1~D1_M來讀出畫素410_1~410_M、430_1~430_M的偵測資料。讀出電路402電性連接資料線D2_1~D2_M，並且用以經由資料線D2_1~D2_M來讀出畫素420_1~420_M、440_1~440_M的偵測資料。

在本實施例中，畫素410_1~410_M、420_1~420_M、430_1~430_M、440_1~440_M分別包括開關411_1~411_M、421_1~421_M、431_1~431_M、441_1~441_M。開關411_1~411_M、421_1~421_M電性連接閘極線G1。開關431_1~431_M、441_1~441_M電性連接閘極線G2。閘極線G3用於電性連接沿著閘極線延伸方向P2排列的下一行的多個畫素。開關411_1~411_M、421_1~421_M、431_1~431_M、441_1~441_M可分別包括一個或多個N型或P型電晶體所組成的切換電路，而本揭露並不加以限制。畫素410_1~410_M、420_1~420_M、430_1~430_M、440_1~440_M還分別包括光電二極體412_1~412_M、422_1~422_M、432_1~432_M、442_1~442_M。光電二極體412_1~412_M、422_1~422_M、432_1~432_M、442_1~442_M分別電性連接開關411_1~411_M、421_1~421_M、431_1~431_M、441_1~441_M。

在本實施例中，光電二極體412_M、422_M、432_M、442_M並未電性連接偏壓線BL，而其他光電二極體則電性連接偏壓線BL，但本發明並不限於此。在一實施例中，光電二極體412_1~412_M的至少其中之一、光電二極體422_1~422_M的至少其中之一、光電二極體432_1~432_M的至少其中之一以及光電二極體442_1~442_M的至少其中之一可未電性連接偏壓線BL，而其他光電二極體則電性連接偏壓線BL。偏壓線BL用以提供工作電壓至其他光電二極體。換言之，本實施例的畫素410_1~410_M的至少其中之一、畫素420_1~420_M的至少其中之一、畫素430_1~430_M的至少其中之一以及畫素440_1~440_M的至少其中之一可與偏壓線電性絕緣，以提供背景雜訊。然而，有關於畫素410_1~410_M的至少其中之一、畫素420_1~420_M的至少其中之一、畫素430_1~430_M的至少其中之一以及畫素440_1~440_M的至少其中之一與偏壓線電性絕緣的方式可參照上述圖3實施例所提供的將主動區中的偏壓支線BLS形成斷路的方式或在週邊區將偏壓線BL截斷的方式，因此在此不再贅述。

從另一角度而言，多個畫素如畫素410_M、430_M沿著資料線延伸方向P1排列為第一排，多個畫素如畫素410_1、430_1沿著資料線延伸方向P1排列為第二排。在本實施例中，所述第一排的所述多個畫素的每一個包括如畫素410_M的開關411_M以及光電二極體412_M。開關411_M電性連接閘極線G1以及資料線D1_M以及光電二極體412_M。畫素410_M與偏壓線BL電性絕緣。在本實施例中，所述第二排的所述多個畫素的每一個包括如畫素410_1的開關411_1以及光電二極體412_1。開關411_1電性連接閘極線G1、資料線D1_1以及光電二極體412_1，並且光電二極體412_1亦電性連接偏壓線BL。畫素410_1與偏壓線BL電性連接。

在本實施例中，輻射偵測裝置400可在輻射偵測過程中透過所述第一排的所述多個畫素的每一個包括如畫素410_M、430_M來取得多個背景值，以分別用於校正其他對應畫素的光電二極體的輻射偵測結果。對此，資料線D1_M可作為背景線。換言之，輻射偵測裝置400可例如是不更改既有的畫素陣列布局，以將畫素410_M、430_M與偏壓線BL之間的走線截斷或形成斷路的方式來使畫素410_M、430_M的開關411_M、431_M僅提供電路迴路上的雜訊訊號至讀出電路401來作為背景值。另外，在一實施例中，輻射偵測裝置400亦沿著資料線延伸方向P1排列可設置多排的多個畫素與偏壓線BL電性絕緣，或者是沿著資料線延伸方向P1排列設置一整排的多個畫素與偏壓線BL電性絕緣的方式來取得多個背景值，而不限上述。

值得注意的是，資料線D1_1~D1_M電性連接同一讀出電路401，以使畫素410_1~410_M、430_1~430_M之間具有相同或相近的電路迴路的雜訊。資料線D2_1~D2_M電性連接同一讀出電路402，以使畫素420_1~420_M、440_1~440_M之間具有相同或相近的電路迴路的雜訊。因此，從開關411_M、431_M讀出的背景值適於校正畫素410_1~410_M、430_1~430_M的偵測結果，並且從開關421_M、441_M讀出的背景值適於校正畫素420_1~420_M、440_1~440_M的偵測結果。

此外，在一實施例中，電性連接至讀出電路401的畫素410_1~410_M、430_1~430_M可包括多個畫素設計如畫素410_M、430_M來用於取得背景雜訊。換言之，資料線D1_1~D1_M可包括多條資料線是作為背景線。然而，畫素410_1~410_M、430_1~430_M中設計如畫素410_M、430_M的多個畫素的位置可為等距或不等距或任意選擇。以三個背景線為例，第一背景線、第二背景線以及第三背景線電性連接至讀出電路401。第一背景線與第二背景線的最小間距與第二背景線與該第三背景線的最小間距可為相同。或者，第一背景線與第二背景線的最小間距與第二背景線與該第三背景線的最小間距可為不相同。同理，電性連接讀出電路402的畫素420_1~420_M、440_1~440_M可依據不同使用需求或設計，而與電性連接讀出電路401的畫素410_1~410_M、430_1~430_M為相同、相似或不同的電路布局方式。

另外，根據本揭露實施例，可使用光學顯微鏡(optical microscopy，OM)、掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）或其它合適的方式量測各元件的間距。

綜上所述，本揭露的輻射偵測裝置可透過不具有光電二極體的畫素來提供合適的背景雜訊，或者採用將偵測面板的主動區中的至少一畫素的偏壓支線形成斷路的方式或在偵測面板的週邊區將偏壓線截斷的方式，以透過與偏壓線電性絕緣的畫素來提供合適的背景雜訊，以有效地取得合適的背景雜訊。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、400:輻射偵測裝置 100P、200P、400P:偵測面板 101、102、201、202、401、402:讀出電路 110R、110_1~110_N、120R、120_1~120_N、130R、130_1~130_N、140R、140_1~140_N、210R、210_1~210_N、220R、220_1~220_N、230R、230_1~230_N、240R、240_1~240_N、310R、410_1~410_M、420_1~420_M、430_1~430_N、440_1~440_N:畫素 111R、111_1~111_N、121R、121_1~121_N、131R、131_1~131_N、141R、141_1~141_N、211R、211_1~211_N、221R、221_1~221_N、231R、231_1~231_N、241R、241_1~241_N、311R、411_1~411_M、421_1~421_M、431_1~431_M、441_1~441_M:開關 112_1~112_N、122_1~122_N、132_1~132_N、142_1~142_N、212_1~212_N、222_1~222_N、232_1~232_N、242_1~242_N、312、412_1~412_M、422_1~422_M、432_1~432_M、422_1~422_M:光電二極體 R1、R2:背景線 D1_1~D1_N、D2_1~D2_N、D1_1~D1_M、D2_1~D2_M:資料線 L1、L2、L1’、L2’:最小間距 G1、G2、G3:閘極線 BL:偏壓線 BLS:偏壓支線 P1:資料線延伸方向 P2:閘極線延伸方向

圖1是依照本揭露的一些實施例中的輻射偵測裝置的電路示意圖。圖2是依照本揭露的一些實施例中的輻射偵測裝置的電路示意圖。圖3是依照本揭露的一實施例的畫素電路示意圖。圖4是依照本揭露的一些實施例中的輻射偵測裝置的電路示意圖。

100:輻射偵測裝置

100P:偵測面板

101、102:讀出電路

110R、110_1~110_N、120R、120_1~120_N、130R、130_1~130_N、140R、140_1~140_N:畫素

111R、111_1~111_N、121R、121_1~121_N、131R、131_1~131_N、141R、141_1~141_N:開關

112_1~112_N、122_1~122_N、132_1~132_N、142_1~142_N:光電二極體

R1、R2:背景線

D1_1~D1_N、D2_1~D2_N:資料線

L1、L2:最小間距

G1、G2、G3:閘極線

BL:偏壓線

P1:資料線延伸方向

P2:閘極線延伸方向

Claims

一種輻射偵測裝置，包括：一偵測面板，包括多個第一畫素沿著一資料線延伸方向排列為一第一排、多個第二畫素沿著該資料線延伸方向排列為一第二排以及另多個第二畫素沿著該資料線延伸方向排列為一第三排，其中該些第一畫素的每一個包括一第一開關，並且該些第二畫素以及另該些第二畫素的每一個包括一第二開關，其中該些第二畫素以及另該些第二畫素的每一個包括光電二極體，並且該些第一畫素不包括光電二極體，並且該第一開關沿一閘極線延伸方向的布局寬度小於該第二開關沿該閘極線延伸方向的布局寬度。
如請求項1所述的輻射偵測裝置，更包括：一第一背景線，電性連接該第一排的該些第一畫素；一第一資料線，電性連接該第二排的該些第二畫素；以及一第二資料線，電性連接該第三排的另該些第二畫素且該第二資料線鄰近於該第一資料線並遠離該第一背景線，其中該第一背景線與該第一資料線的最小間距與該第一資料線與該第二資料線的最小間距不同。
如請求項2所述的輻射偵測裝置，其中該第一資料線與該第二資料線的該最小間距與該第一背景線與該第一資料線的該最小間距的比值大於6。
如請求項2所述的輻射偵測裝置，更包括：一第二背景線；以及一第三背景線，其中該第一背景線與該第二背景線的最小間距與該第二背景線與該第三背景線的最小間距相同。
如請求項2所述的輻射偵測裝置，更包括：一第二背景線；以及一第三背景線，其中該第一背景線與該第二背景線的最小間距與該第二背景線與該第三背景線的最小間距不相同。
如請求項2所述的輻射偵測裝置，其中該第一背景線、該第一資料線以及該第二資料線電性連接至同一讀出電路。
一種輻射偵測裝置，包括：一偵測面板，包括一偏壓線、一第一畫素以及一第二畫素，其中該第一畫素以及該第二畫素分別包括一開關與一光電二極體，並且該些第一畫素與該偏壓線電性絕緣，該些第二畫素與該偏壓線電性連接，並且該第一畫素的該開關沿一閘極線延伸方向的布局寬度小於該第二畫素的該開關沿該閘極線延伸方向的布局寬度。
如請求項7所述的輻射偵測裝置，其中該偏壓線包括一偏壓支線，並且該第一畫素與該偏壓支線電性絕緣。
如請求項7所述的輻射偵測裝置，更包括：一第一背景線；一第二背景線；以及一第三背景線，其中該第一背景線與該第二背景線的最小間距與該第二背景線與該第三背景線的最小間距相同。
如請求項7所述的輻射偵測裝置，其中該第一資料線以及該第二資料線電性連接至同一讀出電路。