TWI784806B - Bias circuit and signal amplification device - Google Patents
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Abstract
Description
本發明是有關於一種偏壓電路,特別是一種能夠根據鏡射電流產生穩定的偏壓訊號的偏壓電路。 The invention relates to a bias circuit, in particular to a bias circuit capable of generating a stable bias signal according to mirror current.
理想上,電壓源是用以提供具有固定電壓值的參考電壓,以使偏壓電路可根據參考電壓來產生偏壓訊號。然而,因為製程上無法控制的變異或其他因素,參考電壓的電壓值可能會出現偏移(offset),連帶影響偏壓訊號的穩定性。 Ideally, the voltage source is used to provide a reference voltage with a fixed voltage value, so that the bias circuit can generate a bias signal according to the reference voltage. However, due to uncontrollable variations in the manufacturing process or other factors, the voltage value of the reference voltage may be offset, which affects the stability of the bias signal.
本發明之一實施例提供一種偏壓電路,偏壓電路包含電流鏡射電路、運算放大器及偏壓訊號產生電路。電流鏡射電路包含參考分支電路及至少一鏡射分支電路。參考分支電路根據基準電流產生參考電流,而至少一鏡射分支電路根據參考電流產生至少一鏡射電流。運算放大器耦接參考分支電路及至少一鏡射分支電路,接收第一電壓及第二電壓,並根據第二電壓產生控制電壓以調節第一電壓。偏壓訊號產生電路耦接至少一鏡射分支電路,並根據至少一鏡射電流產生偏壓訊號。第一電壓為參考分支電路上的電壓,第二電壓為至少一鏡射分支電路上的電壓或經調節的至少一鏡射分支電路上的電壓。 An embodiment of the present invention provides a bias circuit, which includes a current mirror circuit, an operational amplifier, and a bias signal generating circuit. The current mirror circuit includes a reference branch circuit and at least one mirror branch circuit. The reference branch circuit generates a reference current according to the reference current, and at least one mirror branch circuit generates at least one mirror current according to the reference current. The operational amplifier is coupled to the reference branch circuit and at least one mirror branch circuit, receives the first voltage and the second voltage, and generates a control voltage according to the second voltage to adjust the first voltage. The bias signal generating circuit is coupled to at least one mirror branch circuit, and generates a bias signal according to at least one mirror current. The first voltage is the voltage on the reference branch circuit, and the second voltage is the voltage on at least one mirroring branch circuit or the adjusted voltage on at least one mirroring branch circuit.
本發明之另一實施例提供一種訊號放大裝置。訊號放大裝置包含偏 壓電路、輸入端、輸出端及放大器。偏壓電路包含電流鏡射電路、運算放大器及偏壓訊號產生電路。電流鏡射電路接收參考電壓,並包含參考分支電路及至少一鏡射分支電路。參考分支電路根據基準電流產生參考電流,而至少一鏡射分支電路根據參考電流產生至少一鏡射電流。運算放大器耦接參考分支電路及至少一鏡射分支電路,接收第一電壓及第二電壓,並根據參第二電壓產生一控制電壓以調節第一電壓。偏壓訊號產生電路耦接至少一鏡射分支電路,並根據至少一鏡射電流產生偏壓訊號。第一電壓為參考分支電路上的電壓,第二電壓為至少一鏡射分支電路上的電壓或經調節的至少一鏡射分支電路上的電壓。輸入端接收射頻訊號,而輸出端輸出放大後之射頻訊號。放大器耦接訊號放大裝置的輸入端與訊號放大裝置的輸出端之間,接收偏壓訊號及放大射頻訊號。 Another embodiment of the present invention provides a signal amplifying device. The signal amplifying device includes partial Pressure circuit, input terminal, output terminal and amplifier. The bias circuit includes a current mirror circuit, an operational amplifier and a bias signal generating circuit. The current mirror circuit receives a reference voltage and includes a reference branch circuit and at least one mirror branch circuit. The reference branch circuit generates a reference current according to the reference current, and at least one mirror branch circuit generates at least one mirror current according to the reference current. The operational amplifier is coupled to the reference branch circuit and at least one mirror branch circuit, receives the first voltage and the second voltage, and generates a control voltage according to the reference second voltage to adjust the first voltage. The bias signal generating circuit is coupled to at least one mirror branch circuit, and generates a bias signal according to at least one mirror current. The first voltage is the voltage on the reference branch circuit, and the second voltage is the voltage on at least one mirroring branch circuit or the adjusted voltage on at least one mirroring branch circuit. The input terminal receives the radio frequency signal, and the output terminal outputs the amplified radio frequency signal. The amplifier is coupled between the input terminal of the signal amplifying device and the output terminal of the signal amplifying device, receives the bias voltage signal and amplifies the radio frequency signal.
10、20:訊號放大裝置 10, 20: Signal amplification device
100至500、1001至1003、2001至2003:偏壓電路 100 to 500, 1001 to 1003, 2001 to 2003: bias circuit
110、510:電流鏡射電路 110, 510: current mirror circuit
112、512:參考分支電路 112, 512: reference branch circuit
114、514、516:鏡射分支電路 114, 514, 516: mirror branch circuits
120、520:運算放大器 120, 520: operational amplifier
130、530:偏壓訊號產生電路 130, 530: bias signal generation circuit
132、532、560:穩壓電路 132, 532, 560: regulator circuit
240、440、540:啟動電路 240, 440, 540: start circuit
350、450、550:電壓選擇電路 350, 450, 550: voltage selection circuit
671至673、771、772:低壓降穩壓器 671 to 673, 771, 772: Low Dropout Regulators
AMP、AMP1至AMP3:放大器 AMP, AMP1 to AMP3: Amplifiers
C1A、C2A、C1B至C4B、C0:電容 C1A, C2A, C1B to C4B, C0: capacitance
CSA、CSB:電流源 CSA, CSB: current source
D1A、D2A、D1B至D4B:二極體 D1A, D2A, D1B to D4B: Diodes
IB:基準電流 IB: Reference current
Im1、Im2:鏡射電流 Im1, Im2: mirror current
Iref:參考電流 Iref: reference current
Is:啟動電流 Is: starting current
N1至N3:節點 N1 to N3: nodes
NB、NB1至NB3:偏壓端 NB, NB1 to NB3: Bias terminals
P1:對外接腳 P1: external pin
R1A至R3A、R1B至R4B:電阻 R1A to R3A, R1B to R4B: Resistors
RFIN:輸入端 RFIN: input terminal
RFOUT:輸出端 RFOUT: output terminal
Sbias、Sbias1至Sbias3:偏壓訊號 Sbias, Sbias1 to Sbias3: Bias signal
Srf1、Srf2:射頻訊號 Srf1, Srf2: RF signal
T1A至T5A、T1B至T6B:電晶體 T1A to T5A, T1B to T6B: Transistors
V1:第一電壓 V1: first voltage
V2:第二電壓 V2: second voltage
Vctrl:控制電壓 Vctrl: control voltage
VDD1、VDD2:操作電壓端 VDD1, VDD2: operating voltage terminal
VN1至VN3:電壓 VN1 to VN3: voltage
VR1至VR3:參考電壓 VR1 to VR3: Reference voltage
Vref、Vref1至Vref3:參考電壓端 Vref, Vref1 to Vref3: reference voltage terminals
Vset1:第一預設電壓 Vset1: the first preset voltage
Vset2:第二預設電壓 Vset2: the second preset voltage
VSP:供應電壓端 VSP: supply voltage terminal
VSS:基準電壓端 VSS: reference voltage terminal
第1圖是本發明一實施例之偏壓電路的示意圖。 Fig. 1 is a schematic diagram of a bias circuit according to an embodiment of the present invention.
第2圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。 Fig. 2 is a schematic diagram of a bias circuit according to another embodiment of the present invention.
第3圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。 Fig. 3 is a schematic diagram of a bias circuit according to another embodiment of the present invention.
第4圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。 FIG. 4 is a schematic diagram of a bias circuit according to another embodiment of the present invention.
第5圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。 Fig. 5 is a schematic diagram of a bias circuit according to another embodiment of the present invention.
第6圖是本發明一實施例之訊號放大裝置的示意圖。 Fig. 6 is a schematic diagram of a signal amplifying device according to an embodiment of the present invention.
第7圖是本發明另一實施例之訊號放大裝置的示意圖。 Fig. 7 is a schematic diagram of a signal amplifying device according to another embodiment of the present invention.
第1圖是本發明一實施例之偏壓電路100的示意圖。偏壓電路100包含電流鏡射電路110、運算放大器120及偏壓訊號產生電路130。
FIG. 1 is a schematic diagram of a
電流鏡射電路110可包含參考分支電路112及鏡射分支電路114。參考分支電路112可以根據基準電流IB產生參考電流Iref,而鏡射分支電路114可以根據參考電流Iref產生鏡射電流Im1。
The
運算放大器120可耦接參考分支電路112及鏡射分支電路114,用以接收第一電壓V1及第二電壓V2,並可用以根據第二電壓V2產生控制電壓Vctrl以調節第一電壓V1,使第一電壓V1及第二電壓V2趨於相等。在有些實施例中,第一電壓V1可以是參考分支電路112上的電壓,第二電壓V2可以是鏡射分支電路114上的電壓或是經調節的鏡射分支電路114上的電壓。偏壓訊號產生電路130可耦接於鏡射分支電路114,並可根據鏡射電流Im1產生偏壓訊號Sbias。
The
在有些實施例中,偏壓訊號產生電路130可以將偏壓訊號Sbias提供至放大器AMP。舉例來說,放大器AMP可將自輸入端RFIN接收的射頻訊號Srf1放大以自輸出端RFOUT輸出放大後的射頻訊號Srf2,而偏壓訊號產生電路130可將偏壓訊號Sbias輸出至放大器AMP的偏壓端NB,使得放大器AMP能夠操作在適當的偏壓,以維持放大器AMP的性能表現。在有些實施例中,偏壓訊號Sbias可為電流訊號。
In some embodiments, the bias
在第1圖中,電流鏡射電路110還可包含電流源CSA及電晶體T3A,而參考分支電路112可包含節點N1、電晶體T1A及T4A。電流源CSA可耦接於操作電壓端VDD1用以產生基準電流IB。電晶體T3A具有第一端、第二端及控制端。電晶體T3A的第一端可耦接於電流源CSA用以接收基準電流IB,電晶體T3A的第二端可耦接於基準電壓端VSS,而電晶體T3A的控制端可耦接於電晶體T3A的第一端。節點N1可設置於電晶體T1A及T4A之間。電晶體T1A可具有第一端、第二端及控制端。電晶體T1A的第一端可耦接參考電壓端Vref,電晶體T1A的第二端可耦接於節點N1。電晶體T4A具有第一端、第二端及控制端。電晶體T4A的第一端可耦接於節點N1,電晶體T4A的第二端可耦接於基準電壓端VSS,而電晶體
T4A的控制端可耦接於電晶體T3A的控制端。也就是說,電晶體T3A及T4A可以形成電流鏡的結構,用於鏡射基準電流IB以產生參考電流Iref。
In FIG. 1 , the
此外,鏡射分支電路114可包含節點N2及電晶體T2A。節點N2可設置於電晶體T2A及偏壓訊號產生電路130之間。電晶體T2A具有第一端、第二端及控制端。電晶體T2A的第一端可耦接於參考電壓端Vref,電晶體T2A的第二端可耦接於節點N2,而電晶體T2A的控制端可耦接於電晶體T1A的控制端。如此一來,電晶體T1A的控制端和第一端之間的電壓差可實質上相等於電晶體T2A的控制端和第一端之間的電壓差,且電晶體T1A及T2A可形成電流鏡的結構,用於鏡射參考電流Iref以產生鏡射電流Im1。在有些實施例中,設計者可以選擇電晶體T1A與T2A的尺寸(即電晶體T1A與T2A的寬長比),以調整參考電流Iref及鏡射電流Im1之間的比例。舉例來說,電晶體T2A的尺寸可大於電晶體T1A的尺寸,以使鏡射電流Im1大於參考電流Iref。
In addition, the
在第1圖中,運算放大器120可具有第一輸入端、第二輸入端及輸出端。運算放大器120的第一輸入端可耦接於節點N1,運算放大器120的第二輸入端可耦接於節點N2,而運算放大器120的輸出端可耦接電晶體T1A的控制端及電晶體T2A的控制端。第1圖是以第一電壓V1為節點N1上的電壓VN1(即參考分支電路112上的電壓),而第二電壓V2為節點N2上的電壓VN2(即鏡射分支電路114上的電壓)作為範例說明。
In FIG. 1 , the
在有些實施例中,偏壓訊號產生電路130可包含穩壓電路132、電晶體T5A、電阻R1A及電容C1A。穩壓電路132具有第一端及第二端。穩壓電路132的第一端可耦接於節點N2,穩壓電路132的第二端可耦接於基準電壓端VSS。穩壓電路132可包含電阻R2A、二極體D1A及D2A。電阻R2A具有第一端及第二端。電阻R2A的第一端可耦接於穩壓電路132的第一端。二極體D1A具有第一端及第二端。二極體D1A的第一端可耦接於電阻R2A的第二端。二極體D2A具有第一端
及第二端。二極體D2A的第一端可耦接於二極體D1A的第二端,而二極體D2A的第二端可耦接於穩壓電路132的第二端。電晶體T5A具有第一端、第二端及控制端。電晶體T5A的第一端可耦接於操作電壓端VDD2,電晶體T5A的控制端可耦接於電阻R2A的第二端。電阻R1A具有第一端及第二端。電阻R1A的第一端可耦接於電晶體T5A的第二端,而電阻R1A的第二端可耦接於放大器AMP的偏壓端NB並可用於輸出偏壓訊號Sbias。電容C1A具有第一端及第二端。電容C1A的第一端可耦接於電晶體T5A的控制端,而電容C1A的第二端可耦接至基準電壓端VSS。
In some embodiments, the bias
在有些實施例中,為使參考電流Iref能被精準地鏡射以產生穩定的鏡射電流Im1,不僅需將電晶體T1A的控制端和第一端之間的電壓差與電晶體T2A的控制端和第一端之間的電壓差設計為實質上相等,且電晶體T1A的第二端和第一端之間的電壓差與電晶體T2A的第二端和第一端之間的電壓差亦需設計為實質上相等。進一步而言,當鏡射電流Im1流經穩壓電路132時,電阻R2A會產生壓降,並將二極體D1A及D2A導通。在此情況下,第二電壓V2(也即電壓VN2)可視為電阻R2A的壓降與二極體D1A及D2A的導通電壓(turn-on voltage)的和(sum)。電晶體T1A與運算放大器120可形成負回授迴路,因此運算放大器120的第一輸入端與第二輸入端可具有虛短路(virtual short)特性。也就是說,運算放大器120產生的控制電壓Vctrl可用以使第一電壓V1跟隨第二電壓V2的變化,以當偏壓電路100操作於操作模式時,第一電壓V1及第二電壓V2可為實質上相等。如此一來,電晶體T1A的第二端和第一端之間的電壓差便可實質上相等於電晶體T2A的第二端和第一端之間的電壓差,使得參考電流Iref能夠被精準地鏡射以產生穩定的鏡射電流Im1,進而使偏壓訊號產生電路130可以據以產生穩定的偏壓訊號Sbias。
In some embodiments, in order to accurately mirror the reference current Iref to generate a stable mirror current Im1, not only the voltage difference between the control terminal and the first terminal of the transistor T1A and the control terminal of the transistor T2A need to be The voltage difference between the terminal and the first terminal is designed to be substantially equal, and the voltage difference between the second terminal and the first terminal of the transistor T1A is the same as the voltage difference between the second terminal and the first terminal of the transistor T2A They also need to be designed to be substantially equal. Furthermore, when the mirror current Im1 flows through the
在有些實施例中,偏壓訊號產生電路130及放大器AMP可以設置於第
一晶粒(die),而電流鏡射電路110以及運算放大器120可以設置於第二晶粒。
In some embodiments, the bias
在有些實施例中,於系統剛上電時,第一電壓V1及第二電壓V2可能會為基準電壓端VSS上的電壓(例如0V)或參考電壓端Vref上的電壓(例如3V),導致電流鏡射電路110無法正常運作。為解決第一電壓V1及第二電壓V2可能會為基準電壓端VSS上的電壓之問題,偏壓電路100還可包含啟動電路,用以在偏壓電路100啟動時,使第二電壓V2具有適當的操作電位,從而據以調節第一電壓V1。
In some embodiments, when the system is just powered on, the first voltage V1 and the second voltage V2 may be the voltage on the reference voltage terminal VSS (such as 0V) or the voltage on the reference voltage terminal Vref (such as 3V), resulting in The
第2圖是本發明另一實施例之偏壓電路200的示意圖。偏壓電路200與100具有相似的結構,並可根據相似的原理操作。然而,偏壓電路200還可包含啟動電路240。啟動電路240可耦接參考電壓端Vref及節點N2,並且可以在偏壓電路200操作於啟動模式時,產生啟動電流Is以使電壓VN2達到預設值,而第二電壓V2也將因此達到預設值而具有適當的操作電位。也就是說,第2圖是以第二電壓V2為經調節的鏡射分支電路114上的電壓作為範例說明。在有些實施例中,啟動電流Is可為脈衝訊號。如此一來,運算放大器120將可對應地輸出控制電壓Vctrl,以使第一電壓V1由初始值跟隨第二電壓V2的預設值變化,而當偏壓電路200進入操作模式時,第一電壓V1將會與第二電壓V2趨於相等。於是,電流鏡射電路110將可正常運作,使得參考電流Iref能夠被精準地鏡射以產生穩定的鏡射電流Im1,進而使偏壓訊號產生電路130能夠據以產生穩定的偏壓訊號Sbias。
FIG. 2 is a schematic diagram of a
不僅如此,由於啟動電路240可以在偏壓電路200啟動時,將第二電壓V2預先提升到預設值,因此可以縮短運算放大器120調節第一電壓V1的時間,並確保電流鏡射電路110能夠操作在穩定的狀態下以提供穩定的鏡射電流Im1。除此之外,放大器AMP的溫度會隨運作時間增加,導致增益降低,然而,啟動電路240在偏壓電路200啟動時產生的啟動電流Is還可用於預熱(preheat)放大器AMP,而有助於放大器AMP在後續的運作過程中能夠將增益維持在預定範圍內。
Not only that, since the start-up
第3圖是本發明另一實施例之偏壓電路300的示意圖。偏壓電路300與100具有相似的結構,並可根據相似的原理操作。然而偏壓電路300還可包含電壓選擇電路350。電壓選擇電路350可耦接於運算放大器120的第二輸入端及節點N2。電壓選擇電路350可根據電壓VN2設定第二電壓V2。舉例來說,當電壓VN2大於一上限電壓時,電壓選擇電路350可將第二電壓V2設定為小於或等於上限電壓的第一預設電壓Vset1。在有些實施例中,上限電壓可小於參考電壓端Vref上的電壓,而第一預設電壓Vset1可例如但不限於為2.8V。或者,當電壓VN2小於一下限電壓時,電壓選擇電路350可將第二電壓V2設定為大於或等於下限電壓的第二預設電壓Vset2。在有些實施例中,第二預設電壓Vset2可例如但不限於為2V。在有些實施例中,第一預設電壓Vset1及第二預設電壓Vset2可被設定為滿足運算放大器120的操作電壓以及電晶體T3A及T4A所形成的電流鏡的操作電壓。又或者,當電壓VN2介於上限電壓及下限電壓之間時,電壓選擇電路350則可將第二電壓V2設定為與電壓VN2相等。也就是說,第3圖是以第二電壓V2為經調節的鏡射分支電路114上的電壓或鏡射分支電路114上的電壓作為範例說明。在有些實施例中,第二電壓V2可被設定為能夠使電晶體T1A及T2A操作於飽和區(saturation region)之值。
FIG. 3 is a schematic diagram of a
由於電壓選擇電路350可以根據電壓VN2的大小來調節第二電壓V2,因此可以在偏壓電路300啟動時,將第二電壓V2設定為適當的電壓值,從而使運算放大器120能夠據以調節第一電壓V1,而當偏壓電路300進入操作模式時,第一電壓V1將會與第二電壓V2趨於相等。如此一來,不僅可解決第1圖中,第一電壓V1及第二電壓V2可能會為基準電壓端VSS上的電壓或參考電壓端Vref上的電壓之問題,亦可縮短運算放大器120調節第一電壓V1的時間,並確保電流鏡射電路110能夠操作在穩定的狀態下以提供穩定的鏡射電流Im1。
Since the
第4圖是本發明另一實施例之偏壓電路400的示意圖。偏壓電路400與
偏壓電路200及300具有相似的結構,並可根據相似的原理操作。然而,偏壓電路400可包含啟動電路440及電壓選擇電路450。舉例來說,偏壓電路400在啟動模式中,不僅可以利用電壓選擇電450來根據電壓VN2設定第二電壓V2,還可利用啟動電路440來預熱放大器AMP。如此一來,不僅可解決第1圖中,第一電壓V1及第二電壓V2可能會為基準電壓端VSS上的電壓或參考電壓端Vref上的電壓之問題,亦可縮短運算放大器120調節第一電壓V1的時間,並確保電流鏡射電路110能夠操作在穩定的狀態下以提供穩定的鏡射電流Im1。除此之外,還有助於將放大器AMP的增益維持在預定範圍內。也就是說,第4圖是以第二電壓V2為經調節的鏡射分支電路114上的電壓或鏡射分支電路114上的電壓作為範例說明。
FIG. 4 is a schematic diagram of a
在有些實施例中,當放大器AMP在運作時,射頻訊號Srf1可能會從輸入端RFIN經由偏壓訊號產生電路130洩漏至鏡射分支電路114,導致電壓VN2的穩定性受到影響,連帶影響第二電壓V2的穩定性。然而,在偏壓電路100至400中,偏壓訊號產生電路130中的電阻R2A及電容C1A可作為低通濾波器,用以濾除不期望的射頻訊號Srf1,以降低射頻訊號Srf1對電壓VN2之干擾,從而維持第二電壓V2的穩定性。此外,偏壓電路100至400還可包含電阻R3A及電容C2A。電阻R3A具有第一端及第二端。電阻R3A的第一端可耦接至運算放大器120的第二輸入端,而電阻R3A的第二端可耦接於節點N2。電容C2A具有第一端及第二端。電容C2A的第一端可耦接於電阻R3A的第一端,而電容C2A的第二端可耦接於基準電壓端VSS。電阻R3A及電容C2A亦可作為低通濾波器,用以濾除不期望的射頻訊號Srf1,以降低射頻訊號Srf1對第二電壓V2之干擾。在有些實施例中,為提升第二電壓V2的穩定性,還可以在電流鏡射電路110中增設另一鏡射分支電路。
In some embodiments, when the amplifier AMP is in operation, the radio frequency signal Srf1 may leak from the input terminal RFIN to the
第5圖是本發明另一實施例之偏壓電路500的示意圖。偏壓電路500與400具有相似的結構,並可根據相似的原理操作。然而,偏壓電路500的電流鏡
射電路510可包含參考分支電路512、鏡射分支電路514及鏡射分支電路516。鏡射分支電路514可以根據參考電流Iref產生鏡射電流Im1,而鏡射分支電路516可以根據參考電流Iref產生鏡射電流Im2。在此情況下,偏壓訊號產生電路530則可以根據鏡射電流Im1產生偏壓訊號Sbias。
FIG. 5 is a schematic diagram of a
在第5圖中,電流鏡射電路510還可包含電流源CSB及電晶體T3B,而參考分支電路512可包含節點N1、電晶體T1B及T4B。電流源CSB可耦接於操作電壓端VDD1用以產生基準電流IB。電晶體T3B具有第一端、第二端及控制端。電晶體T3B的第一端可耦接於電流源CSB用以接收基準電流IB,電晶體T3B的第二端可耦接於基準電壓端VSS,而電晶體T3B的控制端可耦接於電晶體T3B的第一端。節點N1可設置於電晶體T1B及T4B之間。電晶體T1B具有第一端、第二端及控制端。電晶體T1B的第一端可耦接參考電壓端Vref,電晶體T1B的第二端可耦接於節點N1。電晶體T4B具有第一端、第二端及控制端。電晶體T4B的第一端可耦接於節點N1,電晶體T4B的第二端可耦接於基準電壓端VSS,而電晶體T4B的控制端可耦接於電晶體T3B的控制端。也就是說,電晶體T3B及T4B可以形成電流鏡的結構,用於鏡射基準電流IB以產生參考電流Iref。
In FIG. 5, the
鏡射分支電路516可包含節點N2、電晶體T2B及穩壓電路560。節點N2可設置於電晶體T2B及穩壓電路560之間。電晶體T2B具有第一端、第二端及控制端。電晶體T2B的第一端可耦接至參考電壓端Vref,電晶體T2B的第二端可耦接至節點N2,而電晶體T2B的控制端可耦接至電晶體T1B的控制端。穩壓電路560具有第一端及第二端。穩壓電路560的第一端可耦接於節點N2,而穩壓電路560的第二端可耦接於基準電壓端VSS。穩壓電路560可包含電阻R4B、二極體D3B及二極體D4B。電阻R4B具有第一端及第二端。電阻R4B的第一端可耦接於穩壓電路560的第一端。二極體D3B具有第一端及第二端。二極體D3B的第一端可耦接於電阻R4B的第二端。二極體D4B具有第一端及第二端。二極體D4B的第
一端可耦接於二極體D3B的第二端,而二極體D4B的第二端可耦接於穩壓電路560的第二端。
The
運算放大器520可具有第一輸入端、第二輸入端及輸出端。運算放大器520的第一輸入端可耦接於節點N1,運算放大器520的第二輸入端可耦接於節點N2,而運算放大器520的輸出端可耦接電晶體T1B的控制端及電晶體T2B的控制端。
The
鏡射分支電路514可包含節點N3及電晶體T6B。節點N3可設置於電晶體T6B及偏壓訊號產生電路530之間。電晶體T6B具有第一端、第二端及控制端。電晶體T6B的第一端可耦接於參考電壓端Vref,電晶體T6B的第二端可耦接於節點N3,而電晶體T6B的控制端可耦接電晶體T2B的控制端。如此一來,電晶體T1B的控制端和第一端之間的電壓差、電晶體T2B的控制端和第一端之間的電壓差以及電晶體T6B的控制端和第一端之間的電壓差皆可為實質上相等,且電晶體T1B、T2B及T6B可形成電流鏡的結構,用於鏡射參考電流Iref以分別產生鏡射電流Im2及Im1。
The mirror branch circuit 514 may include a node N3 and a transistor T6B. The node N3 can be disposed between the transistor T6B and the bias
此外,偏壓訊號產生電路530可包含穩壓電路532、電晶體T5B、電阻R1B及電容C1B。穩壓電路532可具有第一端及第二端。穩壓電路532的第一端可耦接於節點N3,而穩壓電路532的第二端可耦接於基準電壓端VSS。在第5圖中,穩壓電路532及穩壓電路560可具有相似的結構。舉例來說,穩壓電路532可包含電阻R2B、二極體D1B及二極體D2B。電阻R2B具有第一端及第二端。電阻R2B的第一端可耦接於穩壓電路532的第一端。二極體D1B具有第一端及第二端。二極體D1B的第一端可耦接於電阻R2B的第二端。二極體D2B具有第一端及第二端。二極體D2B的第一端可耦接於二極體D1B的第二端,而二極體D2B的第二端可耦接於穩壓電路532的第二端。電晶體T5B具有第一端、第二端及控制端。電晶體T5B的第一端可耦接於操作電壓端VDD2,電晶體T5B的控制端可耦接於電
阻R2B的第二端。電阻R1B具有第一端及第二端。電阻R1B的第一端可耦接於電晶體T5B的第二端,而電阻R1B的第二端可耦接於放大器AMP的偏壓端NB並可用於輸出偏壓訊號Sbias。電容C1B具有第一端及第二端。電容C1B的第一端可耦接於電晶體T5B的控制端,而電容C1B的第二端可耦接至基準電壓端VSS。在有些實施例中,當鏡射電流Im1流經穩壓電路532時,電阻R2B會產生壓降,並可將二極體D1B及D2B導通。在此情況下,節點N3上的電壓VN3可視為電阻R2B的壓降與二極體D1B及D2B的導通電壓的和。
In addition, the bias
在有些實施例中,為使參考電流Iref能被精準地鏡射以分別產生穩定的鏡射電流Im2及Im1,不僅需將電晶體T1B的控制端和第一端之間的電壓差、電晶體T2B的控制端和第一端之間的電壓差以及電晶體T6B的控制端和第一端之間的電壓差設計為實質上相等,且電晶體T1B的第二端和第一端之間的電壓差、電晶體T2B的第二端和第一端之間的電壓差以及電晶體T6B的第二端和第一端之間的電壓差亦需設計為實質上相等。進一步而言,當鏡射電流Im2流經穩壓電路560時,電阻R4B會產生壓降,並可將二極體D3B及D4B導通。在此情況下,節點N2上的電壓VN2可視為電阻R4B的壓降與二極體D3B及D4B的導通電壓的和。電晶體T1B與運算放大器520可形成負回授迴路,因此運算放大器520的第一輸入端與第二輸入端可具有虛短路特性。當第5圖是以第一電壓V1為節點N1上的電壓VN1(即參考分支電路512上的電壓),而第二電壓V2為電壓VN2(即鏡射分支電路516上的電壓)作為範例時,運算放大器520產生的控制電壓Vctrl可用以使第一電壓V1跟隨第二電壓V2的變化,以當偏壓電路500操作於操作模式時,第一電壓V1及第二電壓V2可為實質上相等。在有些實施例中,電晶體T6B與電晶體T2B可具有相同的電氣特性,且穩壓電路532也可與穩壓電路560具有相同的電氣特性,因此電壓VN3與VN2可為實質上相等。如此一來,電晶體T1B的第二端和第一端之間的電壓差、電晶體T2B的第二端和第一端之間的電壓差與電晶體
T6B的第二端和第一端之間的電壓差便可皆為實質上相等,使得參考電流Iref能夠被精準地鏡射以分別產生穩定的鏡射電流Im2及Im1,進而使偏壓訊號產生電路530可以據以輸出穩定的偏壓訊號Sbias。
In some embodiments, in order to accurately mirror the reference current Iref to generate stable mirrored currents Im2 and Im1 respectively, not only the voltage difference between the control terminal and the first terminal of the transistor T1B, the transistor The voltage difference between the control terminal and the first terminal of T2B and the voltage difference between the control terminal and the first terminal of the transistor T6B are designed to be substantially equal, and the voltage difference between the second terminal and the first terminal of the transistor T1B The voltage difference, the voltage difference between the second terminal and the first terminal of the transistor T2B, and the voltage difference between the second terminal and the first terminal of the transistor T6B also need to be designed to be substantially equal. Furthermore, when the mirror current Im2 flows through the
由於偏壓訊號產生電路530是與鏡射分支電路514耦接,且第二電壓V2是相關於鏡射分支電路516上的電壓,因此從輸入端RFIN經由偏壓訊號產生電路530洩漏的射頻訊號Srf1比較不會影響到第二電壓V2的穩定性。
Since the bias
在有些實施例中,偏壓電路500還可包含電容C3B及電容C4B。電容C3B具有第一端及第二端。電容C3B的第一端可耦接於節點N3,而電容C3B的第二端可耦接於基準電壓端VSS。在第5圖中,不僅可將偏壓訊號產生電路530中的電阻R2B及電容C1B作為低通濾波器,電阻R2B亦可與電容C3B作為另一低通濾波器,用以濾除不期望的射頻訊號Srf1,降低射頻訊號Srf1對電壓VN3之干擾,從而維持電壓VN3的穩定性。電容C4B具有第一端及第二端。電容C4B的第一端可耦接於節點N2,而電容C4B的第二端可耦接於基準電壓端VSS。穩壓電路560中的電阻R4B可與電容C4B作為低通濾波器,用以濾除不期望的射頻訊號Srf1,降低射頻訊號Srf1對電壓VN2之干擾,從而維持第二電壓V2的穩定性。再者,偏壓電路500還可包含啟動電路540、電壓選擇電路550、電阻R3B及電容C2B,其電路連接關係與操作原理可相似於前述,故不再贅述。在有些實施例中,可根據不同的應用或根據系統的需求而選擇性地設置啟動電路540及/或電壓選擇電路550。當偏壓電路500包含啟動電路540及/或電壓選擇電路550時,第二電壓V2可為經調節的鏡射分支電路516上的電壓或鏡射分支電路516上的電壓。
In some embodiments, the
在有些實施例中,電晶體T3A、T4A、T3B及T4B可為N型金氧半導體電晶體(NMOS),據此,電晶體T3A、T4A、T3B及T4B的第一端可為汲極,第二端可為源極,且控制端可為閘極。電晶體T1A、T2A、T1B及T2B可為P型金氧半導體電晶體(PMOS),據此,電晶體T1A、T2A、T1B及T2B的第一端可為源極, 第二端可為汲極,且控制端可為閘極。而電晶體T5A及T5B可為雙極性接面型電晶體(BJT),據此,電晶體T5A及T5B的第一端可為集極,第二端可為射極,且控制端可為基極。 In some embodiments, the transistors T3A, T4A, T3B, and T4B can be N-type metal oxide semiconductor transistors (NMOS). Accordingly, the first ends of the transistors T3A, T4A, T3B, and T4B can be drains, and the first terminals of the transistors T3A, T4A, T3B, and T4B can be drains. The two terminals can be sources, and the control terminal can be gates. Transistors T1A, T2A, T1B and T2B can be P-type metal oxide semiconductor transistors (PMOS), accordingly, the first ends of transistors T1A, T2A, T1B and T2B can be source electrodes, The second end can be a drain, and the control end can be a gate. The transistors T5A and T5B can be bipolar junction transistors (BJT), and accordingly, the first ends of the transistors T5A and T5B can be collectors, the second ends can be emitters, and the control ends can be bases. pole.
在有些實施例中,由於射頻訊號的強度較弱,因此單靠一級放大器可能無法將射頻訊號放大到具有足夠的強度,在此情況下,就會利用多級的放大器來放大射頻訊號。然而,射頻訊號可能會洩漏至最後一級放大器的偏壓電路,且當多級放大器的偏壓電路都耦接到相同的參考電壓端時,射頻訊號還可能進一步地經由參考電壓端洩漏至其他級放大器,導致每一級放大器的線性度受到影響。 In some embodiments, because the strength of the radio frequency signal is weak, the radio frequency signal may not be amplified to a sufficient strength by a single amplifier. In this case, multi-stage amplifiers are used to amplify the radio frequency signal. However, the RF signal may leak to the bias circuit of the last stage amplifier, and when the bias circuits of multi-stage amplifiers are all coupled to the same reference voltage terminal, the RF signal may further leak to the other stages of amplifiers, causing the linearity of each stage of amplifiers to be affected.
第6圖是本發明一實施例之訊號放大裝置10的示意圖。訊號放大裝置10可包含偏壓電路1001及1002、輸入端RFIN、輸出端RFOUT及放大器AMP1及AMP2。在有些實施例中,偏壓電路1001及1002可例如與偏壓電路100、200、300、400或500具有相同的結構,並根據相同的原理操作。輸入端RFIN可接收射頻訊號Srf1,而輸出端RFOUT可輸出放大後之射頻訊號Srf2。放大器AMP1可接收偏壓電路1001所產生的偏壓訊號Sbias1,而放大器AMP2可接收偏壓電路1002所產生的偏壓訊號Sbias2。在第6圖中,放大器AMP1及AMP2可耦接於訊號放大裝置10的輸入端RFIN與輸出端RFOUT之間。進一步而言,放大器AMP2可耦接於訊號放大裝置10的輸入端RFIN與放大器AMP1之間。也就是說,訊號放大裝置10可包含兩級的放大器:放大器AMP1及AMP2,並可利用兩者相繼地放大射頻訊號Srf1。
FIG. 6 is a schematic diagram of a
此外,偏壓電路1001可耦接於參考電壓端Vref1與放大器AMP1的偏壓端NB1之間,用以接收參考電壓VR1。偏壓電路1002則可耦接於參考電壓端Vref2與放大器AMP2的偏壓端NB2之間,用以接收參考電壓VR2。訊號放大裝置10還可包含低壓降穩壓器(Low Dropout Regulator,LDO)671及低壓降穩壓器
672。低壓降穩壓器671可用以根據供應電壓端VSP上的供應電壓產生參考電壓VR1至參考電壓端Vref1,而低壓降穩壓器672可用以根據供應電壓端VSP上的供應電壓產生參考電壓VR2至參考電壓端Vref2。在有些實施例中,為了維持放大器AMP1及AMP2的線性度,可透過設置電容C0以將不期望的射頻訊號Srf1濾除。進一步而言,供應電壓端VSP可另耦接至訊號放大裝置10的對外接腳P1,並可將電容C0耦接至對外接腳P1,即電容C0是設置在訊號放大裝置10的外部。如此一來,便可以選用電容值較大的電容C0以有效地濾除不期望的射頻訊號Srf1,而不會增加訊號放大裝置10的面積,使得訊號放大裝置10在設計上更有彈性。
In addition, the
在有些實施例中,訊號放大裝置10還可包含放大器AMP3、偏壓電路1003及低壓降穩壓器673。也就是說,訊號放大裝置10可包含更多的放大器,例如三級的放大器:放大器AMP1至AMP3,並可相繼地放大射頻訊號Srf1。放大器AMP3可設置在訊號放大裝置10的輸入端RFIN及放大器AMP2之間,並可接收偏壓電路1003所產生的偏壓訊號Sbias3。偏壓電路1003可耦接於參考電壓端Vref3與放大器AMP3的偏壓端NB3之間,用以接收參考電壓VR3。低壓降穩壓器673則用以根據供應電壓端VSP上的供應電壓產生參考電壓VR3至參考電壓端Vref3。然而,本發明並不限定訊號放大裝置10中所包含的低壓降穩壓器數量,在有些實施例中,根據系統的需求,訊號放大裝置10可能包含更少數量的低壓降穩壓器,而將低壓降穩壓器672或673省略。
In some embodiments, the
第7圖是本發明另一實施例之訊號放大裝置20的示意圖。訊號放大裝置20可包含偏壓電路2001、2002及2003、輸入端RFIN、輸出端RFOUT、放大器AMP1至AMP3及低壓降穩壓器771及772。訊號放大裝置20與10具有相似的結構及操作原理,其主要的差別在於訊號放大裝置20中的偏壓電路2003及低壓降穩壓器771及772。
FIG. 7 is a schematic diagram of a
在第7圖中,偏壓電路2001可耦接於參考電壓端Vref1與放大器AMP1
的偏壓端NB1之間,用以接收參考電壓VR1。偏壓電路2002可耦接於參考電壓端Vref2與放大器AMP2的偏壓端NB2之間,用以接收參考電壓VR2。偏壓電路2003則可耦接於參考電壓端Vref2與放大器AMP3的偏壓端NB3之間,用以接收參考電壓VR2。低壓降穩壓器771可用以根據供應電壓端VSP上的供應電壓產生參考電壓VR1至參考電壓端Vref1,而低壓降穩壓器772可用以根據供應電壓端VSP上的供應電壓產生參考電壓VR2至參考電壓端Vref2。也就是說,偏壓電路2003可以和偏壓電路2002使用相同的低壓降穩壓器。
In Figure 7, the
在有些實施例中,為了維持放大器AMP1至AMP3的線性度,可透過設置電容C0以將不期望的射頻訊號Srf1濾除。進一步而言,供應電壓端VSP可另耦接至訊號放大裝置20的對外接腳P1,並可將電容C0耦接至對外接腳P1,即電容C0是設置在訊號放大裝置20的外部。如此一來,便可以選用電容值較大的電容C0以有效地濾除不期望的射頻訊號Srf1,而不會增加訊號放大裝置20的面積,使得訊號放大裝置20在設計上更有彈性。
In some embodiments, in order to maintain the linearity of the amplifiers AMP1 to AMP3, the unwanted radio frequency signal Srf1 can be filtered out by setting the capacitor C0. Furthermore, the supply voltage terminal VSP can be further coupled to the external pin P1 of the
綜上所述,本發明之實施例所提供的偏壓電路及訊號放大裝置可經設計而使內部電流鏡射電路中不同分支電路的電晶體能滿足所需的操作電壓條件,從而提供穩定的鏡射電流,使得偏壓訊號產生電路能夠產生穩定的偏壓訊號,進而維持放大器的性能表現。此外,當訊號放大裝置包含多級的放大器時,還可以透過設置外部電容,來減少不期望的射頻訊號對各級放大器所造成之影響。 In summary, the bias circuit and signal amplifying device provided by the embodiments of the present invention can be designed so that the transistors of different branch circuits in the internal current mirror circuit can meet the required operating voltage conditions, thereby providing stable The mirror current enables the bias signal generating circuit to generate a stable bias signal, thereby maintaining the performance of the amplifier. In addition, when the signal amplifying device includes multi-stage amplifiers, the influence of undesired radio frequency signals on the amplifiers of each stage can also be reduced by setting external capacitors.
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。 The above descriptions are only preferred embodiments of the present invention, and all equivalent changes and modifications made according to the scope of the patent application of the present invention shall fall within the scope of the present invention.
100:偏壓電路 100: bias circuit
110:電流鏡射電路 110: current mirror circuit
112:參考分支電路 112: Reference branch circuit
114:鏡射分支電路 114: mirror branch circuit
120:運算放大器 120: Operational amplifier
130:偏壓訊號產生電路 130: Bias signal generating circuit
132:穩壓電路 132: Regulator circuit
AMP:放大器 AMP: Amplifier
C1A、C2A:電容 C1A, C2A: capacitance
CSA:電流源 CSA: current source
D1A、D2A:二極體 D1A, D2A: Diode
IB:基準電流 IB: Reference current
Im1:鏡射電流 Im1: mirror current
Iref:參考電流 Iref: reference current
N1、N2:節點 N1, N2: nodes
NB:偏壓端 NB: Bias terminal
R1A至R3A:電阻 R1A to R3A: Resistors
RFIN:輸入端 RFIN: input terminal
RFOUT:輸出端 RFOUT: output terminal
Sbias:偏壓訊號 Sbias: bias signal
Srf1、Srf2:射頻訊號 Srf1, Srf2: RF signal
T1A至T5A:電晶體 T1A to T5A: Transistors
V1:第一電壓 V1: first voltage
V2:第二電壓 V2: second voltage
Vctrl:控制電壓 Vctrl: control voltage
VDD1、VDD2:操作電壓端 VDD1, VDD2: operating voltage terminal
VN1、VN2:電壓 VN1, VN2: Voltage
Vref:參考電壓端 Vref: reference voltage terminal
VSS:基準電壓端 VSS: reference voltage terminal
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