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TWI783491B - 超音波偵測裝置 - Google Patents

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TWI783491B
TWI783491B TW110118442A TW110118442A TWI783491B TW I783491 B TWI783491 B TW I783491B TW 110118442 A TW110118442 A TW 110118442A TW 110118442 A TW110118442 A TW 110118442A TW I783491 B TWI783491 B TW I783491B
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郭世斌
黃泰翔
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友達光電股份有限公司
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Abstract

一種超音波偵測裝置，包括基板、多個感測元件、第一測試元件、第一虛設元件、至少一第一共用訊號線、多個感測訊號線以及至少一測試訊號線。感測元件、第一測試元件以及第一虛設元件位於基板上。第一測試元件位於感測元件與第一虛設元件之間。感測元件、第一測試元件以及第一虛設元件各自包括陣列的多個電容式微機電超音波換能器。第一共用訊號線電性連接至感測元件以及第一測試元件。多個感測訊號線電性連接至感測元件。測試訊號線電性連接至第一測試元件。

Description

超音波偵測裝置
本發明是有關於一種超音波偵測裝置，且特別是有關於一種包括第一測試元件的超音波偵測裝置。
超音波偵測裝置是一種透過發放與接收超音波以獲得影像的技術。在日常生活中，許多設備都有運用超音波偵測技術。舉例來說，汽車或空拍機會藉由超音波偵測裝置來量測距離；醫生會使用附載超音波偵測裝置的設備來檢察病患的身體狀況。目前，常見的超音波偵測裝置包括電容式微機械超音波換能器(Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer,CMUT)以及壓電式機械超音波換能器(Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer,PMUT)。電容式微機械超音波換能器包含兩個電極，且兩個電極之間具有絕緣薄膜，藉由控制電極上的電壓以使絕緣薄膜震動，並發出超音波。
本發明提供一種超音波偵測裝置，能改善超音波偵測裝 置因為測試製程導致影像品質不佳的問題。
本發明的至少一實施例提供一種超音波偵測裝置。超音波偵測裝置包括基板、多個感測元件、第一測試元件、第一虛設元件、至少一第一共用訊號線、多個感測訊號線以及測試訊號線。感測元件、第一測試元件以及第一虛設元件位於基板上。第一測試元件位於感測元件與第一虛設元件之間。感測元件、第一測試元件以及第一虛設元件各自包括陣列的多個電容式微機電超音波換能器。第一共用訊號線電性連接至感測元件以及第一測試元件。多個感測訊號線電性連接至感測元件。測試訊號線電性連接至第一測試元件。
1、2、3:超音波偵測設備
10、20、30:超音波偵測裝置
100:感測元件
110、210、310:電容式微機電超音波換能器
112、212、312:第一電極
114、214、314:第二電極
200:第一測試元件
200a:第二測試元件
200b:第三測試元件
300:第一虛設元件
300a:第一虛設元件
300b:第二虛設元件
300c:第三虛設元件
300d:第四虛設元件
410:第一共用訊號線
412:主幹部
414:第一分支部
416:第二分支部
420:虛設共用訊號線
430:測試共用訊號線
510:感測訊號線
520:測試訊號線
530:虛設感測訊號線
M:對位標記
A-A’、B-B’、C-C’:線
C:凹槽
DR1:第一方向
DR2:第二方向
F:薄膜
FL:填充材料
FS:正面
IL:絕緣層
P1、P2、P3:間距
R1、R2、R3、R4:區域
SA:感測區
SB:基板
SM:吸震材料
TH:通孔
W1、W2、W3、W4:寬度
圖1A是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測裝置的俯視示意圖。
圖1B是圖1A的超音波偵測裝置的局部放大圖。
圖1C是圖1B的超音波偵測裝置的局部放大圖。
圖2是對應圖1C中的線A-A’、B-B’、C-C’的剖面示意圖。
圖3是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測裝置的俯視示意圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測設備的側視示意圖。
圖5是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測設備的側視示意圖。
圖6A是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測裝置的俯視示意圖。
圖6B是圖6A的超音波偵測裝置的局部放大圖。
圖7是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測設備的側視示意圖。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測裝置10的俯視示意圖。圖1B是圖1A的超音波偵測裝置10的局部放大圖，其中圖1B對應了圖1A的區域R1的位置。圖1C是圖1B的超音波偵測裝置10的局部放大圖，其中圖1C對應了圖1B的區域R2、R3以及R4的位置。圖2是對應圖1C中的線A-A’的剖面示意圖。
請參考圖1A，超音波偵測裝置10包括基板SB、多個感測元件100、一個或多個第一測試元件200、一個或多個第一虛設元件300、第一共用訊號線410、多個感測訊號線510以及一個或多個測試訊號線520。超音波偵測裝置10具有感測區SA，其中感測元件100設置於感測區SA中，且第一測試元件200以及第一虛設元件300設置於感測區SA外。在本實施例中，超音波偵測裝置10還包括對位標記M。對位標記M設置於基板SB上，且適用於 提升製造超音波偵測裝置10的各種製程的精準度。
感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300位於基板SB上。第一測試元件200位於感測元件100與第一虛設元件300之間。感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300在第一方向DR1上排列。在本實施例中，超音波偵測裝置10包括兩個第一測試元件200以及兩個第一虛設元件300，感測元件100位於兩個第一測試元件200之間，且感測元件100以及第一測試元件200位於兩個第一虛設元件300之間。在一些實施例中，超音波偵測裝置10包括64個至256個感測元件100。
請參考圖1A與圖1B，感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300各自包括陣列的多個電容式微機電超音波換能器110、210、310。在本實施例中，感測元件100包括沿著第一方向DR1與第二方向DR2排列的電容式微機電超音波換能器110，第一測試元件200包括沿著第一方向DR1與第二方向DR2排列的電容式微機電超音波換能器210，且第一虛設元件300包括沿著第一方向DR1與第二方向DR2排列的陣列的電容式微機電超音波換能器310。在一些實施例中，第一方向DR1實質上垂直於第二方向DR2。
感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300各自的電容式微機電超音波換能器110、210、310的數量彼此相同。在本實施例中，一個感測元件100中的電容式微機電超音波換能器110的排列方式以及數量等於一個第一測試元件200中的 電容式微機電超音波換能器210的排列方式以及數量，且一個第一測試元件200中的電容式微機電超音波換能器210的排列方式以及數量等於一個第一虛設元件300中的電容式微機電超音波換能器310的排列方式以及數量。換句話說，感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300彼此有類似的結構。
第一共用訊號線410電性連接至感測元件100的電容式微機電超音波換能器110以及第一測試元件200的電容式微機電超音波換能器210。在本實施例中，第一共用訊號線410包括主幹部412、重疊於第一測試元件200的多個第一分支部414以及重疊於感測元件100的多個第二分支部416。第一分支部414以及第二分支部416連接主幹部412的一側。第一分支部414電性連接至第一測試元件200，且第二分支部416電性連接至感測元件100。
感測訊號線510電性連接至感測元件100的電容式微機電超音波換能器110。測試訊號線520電性連接至第一測試元件200的電容式微機電超音波換能器210。在一些實施例中，感測訊號線510與測試訊號線520可作為連接晶片(未繪出)的接合接墊(Bonding pads)。舉例來說，晶片設置於感測訊號線510與測試訊號線520上，並電性連接至感測訊號線510與測試訊號線520。感測訊號線510與測試訊號線520電性連接至相同或不同的晶片。
在本實施例中，超音波偵測裝置10還包括多個虛設共用訊號線420以及多個虛設感測訊號線530。虛設共用訊號線420重疊於虛設感測訊號線530。虛設共用訊號線420與虛設感測訊號 線530電性連接至第一虛設元件300的電容式微機電超音波換能器310。在本實施例中，虛設共用訊號線420、第一分支部414以及第二分支部416實質上互相平行。在本實施例中，虛設共用訊號線420、第一分支部414以及第二分支部416實質上平行於第二方向DR2。
請參考圖1C與圖2，在本實施例中，電容式微機電超音波換能器110、210、310具有相似的結構。各電容式微機電超音波換能器110、210、310包括第一電極以及分離於第一電極的第二電極。
在本實施例中，感測元件100的電容式微機電超音波換能器110的第一電極112、第一測試元件200的電容式微機電超音波換能器210的第一電極212、第一虛設元件300的電容式微機電超音波換能器310的第一電極312、第一共用訊號線410以及虛設共用訊號線420設置於基板SB上。第一電極112、第一電極212以及第一電極312連接至第一共用訊號線410，且第一電極312連接至虛設共用訊號線420。在本實施例中，晶片或其他驅動電路(未繪出)電性連接至第一共用訊號線410，並提供電壓給第一共用訊號線410。虛設共用訊號線420並未直接接收晶片或其他驅動電路提供的訊號，因此，第一電極312為浮置電極。
在一些實施例中，第一電極112、第一電極212、第一電極312、第一共用訊號線410以及虛設共用訊號線420屬於相同導電膜層。舉例來說，第一電極112、第一電極212、第一電極312、 第一共用訊號線410以及虛設共用訊號線420是由同一層導電材料圖案化後所形成。在本實施例中，第一電極112、第一電極212、第一電極312、第一共用訊號線410以及虛設共用訊號線420為單層或多層結構(例如鈦層、鋁層以及鈦層的堆疊層)，且第一電極112、第一電極212、第一電極312、第一共用訊號線410以及虛設共用訊號線420的材料包括金屬、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。在本實施例中，感測元件100的電容式微機電超音波換能器110的第一電極112、第一測試元件200的電容式微機電超音波換能器210的第一電極212以及第一共用訊號線410連成一體。在本實施例中，第一虛設元件300的電容式微機電超音波換能器310的第一電極312以及虛設共用訊號線420連成一體。
絕緣層IL位於第一電極112、212、312、第一共用訊號線410以及虛設共用訊號線420上。在本實施例中，絕緣層IL具有多個凹槽C，各凹槽C重疊於對應的多個電容式微機電超音波換能器110、210、310。在本實施例中，凹槽C沿著第一方向DR1延伸。
部分絕緣層IL位於凹槽C的頂部，並構成薄膜F。多個通孔TH穿過薄膜F。填充材料FL位於絕緣層IL上，並填入通孔TH，藉此將凹槽C封閉。填充材料FL例如包括固化的光阻、含矽氮化物、含矽氧化物或其他絕緣材料。
在本實施例中，感測元件100的電容式微機電超音波換能器110的第二電極114、第一測試元件200的電容式微機電超音波換能器210的第二電極214、第一虛設元件300的電容式微機電超音波換能器310的第二電極314、感測訊號線510、測試訊號線520以及虛設感測訊號線530設置於絕緣層IL上。第二電極114電性連接至感測訊號線510，第二電極214電性連接至測試訊號線520，且第二電極314連接至虛設感測訊號線530。在本實施例中，晶片或其他驅動電路(未繪出)電性連接至感測訊號線510以及測試訊號線520，並提供電壓給感測訊號線510以及測試訊號線520。虛設感測訊號線530並未直接接收晶片或其他驅動電路提供的訊號，因此，第二電極314為浮置電極。
在一些實施例中，第二電極114、第二電極214、第二電極314、感測訊號線510、測試訊號線520以及虛設感測訊號線530屬於相同導電膜層。舉例來說，第二電極114、第二電極214、第二電極314、感測訊號線510、測試訊號線520以及虛設感測訊號線530是由同一層導電材料圖案化後所形成。在本實施例中，第二電極114、第二電極214、第二電極314、感測訊號線510、測試訊號線520以及虛設感測訊號線530為單層或多層(例如鉬層、鋁層以及鉬層的堆疊層)結構，且第二電極114、第二電極214、第二電極314、感測訊號線510、測試訊號線520以及虛設感測訊號線530的材料包括金屬、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與 其他導電材料的堆疊層。在本實施例中，感測元件100的電容式微機電超音波換能器110的第二電極114分別與對應的感測訊號線510連成一體，第一測試元件200的電容式微機電超音波換能器210的第二電極214分別與對應的測試訊號線520連成一體，第一虛設元件300的電容式微機電超音波換能器310的第二電極314分別與對應的虛設感測訊號線530連成一體。
在一些實施例中，超音波偵測裝置10還包括吸震材料SM。吸震材料SM設置於基板SB的背面，且感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300設置於基板SB的正面。
請參考圖1A與圖1B，在本實施例中，第一測試元件200適用於測試超音波偵測裝置10崩潰電壓。舉例來說，對測試超音波偵測裝置10執行測試製程，其中測試製程例如為阻抗測試或聲學測試。在測試製程中，反覆對第一測試元件200施加電壓，直至第一測試元件200崩潰。
在一些實施例中，在感測區SA中的感測元件100彼此會互相影響。舉例來說，在感測區SA中，每個感測元件100的性能都會被相鄰的感測元件100或第一測試元件200所影響。因此，為了使第一測試元件200具有類似於感測元件100的性能，設置第一虛設元件300以使第一測試元件200位於第一虛設元件300與感測元件100之間。換句話說，藉由第一虛設元件300的設置，可以使第一測試元件200的性能更接近感測區SA中之感測元件100的性能，藉此提升測試製程的可靠度。在一些實施例中，經過 測試製程，第一測試元件200中的部分或全部的電容式微機電超音波換能器210經反覆施加電壓後崩潰(collapse)。由於第一測試元件200設置於感測區SA外，即使第一測試元件200崩潰也不會對感測區SA中之感測元件100所產生之影像造成很大的影響。換句話說，可以藉由犧牲第一測試元件200來維持超音波偵測裝置10顯示之影像的品質。
請參考圖1A，與圖1B，在本實施例中，第一測試元件200與相鄰的感測元件100之間的間距P1約等於第一測試元件200與第一虛設元件300之間的間距P2，且第一測試元件200與相鄰的感測元件100之間的間距P1等於相鄰兩個感測元件100之間的間距P3。在一些實施例中，間距P1、間距P2以及間距P3例如為0.1毫米至1毫米。
在一些實施例中，感測元件100的寬度W1、第一測試元件200的寬度W2以及第一虛設元件300的寬度W3彼此相同。在一些實施例中，超音波偵測裝置10所發出之超音波的中心頻率(Center Frequency)為0.2MHz至20MHz。在一些實施例中，超音波偵測裝置10的寬度W4為2毫米至200毫米。
圖3是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測裝置20的俯視示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1A至圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖3的超音波偵測裝置20與圖1A的超音波偵測裝置10的差異在於：在超音波偵測裝置20中，部分第一共用訊號線410設置於感測元件100與第一測試元件200之間。
請參考圖3，在本實施例中，第一測試元件200與相鄰的感測元件100之間的間距P1大於第一測試元件200與第一虛設元件300之間的間距P2，且第一測試元件200與相鄰的感測元件100之間的間距P1大於相鄰兩個感測元件100之間的間距P3。
圖4是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測設備1的側視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A至圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖4，在本實施例中，超音波偵測裝置(例如圖1A之超音波偵測裝置10)設置於超音波偵測設備1的正面FS。在本實施例中，超音波偵測設備1的正面FS為平面，因此，超音波偵測裝置的基板為平坦的基板。
圖5是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測設備2的側視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1A至圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖5，在本實施例中，超音波偵測裝置(例如圖1A 之超音波偵測裝置10)設置於超音波偵測設備2的正面FS。在本實施例中，超音波偵測設備2的正面FS為彎曲的表面，因此，超音波偵測裝置的基板包括彎曲的表面，且感測元件、第一測試元件以及第一虛設元件位於彎曲的表面上。在本實施例中，超音波偵測裝置的基板例如為軟性基板。
圖6A是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測裝置30的俯視示意圖。圖6B是圖6A的超音波偵測裝置30的局部放大圖，其中圖6B對應了圖6A的感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300的位置。
在此必須說明的是，圖6A與圖6B的實施例沿用圖1A至圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖6A與圖6B，在本實施例中，超音波偵測裝置30包括基板SB、多個感測元件100、多個第一測試元件200、多個第一虛設元件300、多個第一共用訊號線410、多個感測訊號線510以及多個測試訊號線520。超音波偵測裝置30具有感測區SA，其中感測元件100設置於感測區SA中，且第一測試元件200以及第一虛設元件300設置於感測區SA外。
感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300位於基板SB上。第一測試元件200位於感測元件100與第一虛設元件300之間。
第一共用訊號線410沿著第一方向DR1延伸。第一共用訊號線410電性連接至感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300。各第一共用訊號線410電性連接至對應的兩個第一測試元件200、對應的兩個第一虛設元件300以及在第一方向DR1上位於所述對應的兩個第一測試元件200之間的多個感測元件100。
感測訊號線510沿著第二方向DR2延伸。感測訊號線510電性連接至感測元件100。在本實施例中，超音波偵測裝置30還包括多個第二測試元件200a以及多個第二虛設元件300a。各感測訊號線510電性連接至對應的兩個第二測試元件200a、對應的兩個第二虛設元件300a以及在第二方向DR2上位於所述對應的兩個第二測試元件200a之間的多個感測元件100。
測試訊號線520沿著第二方向DR2延伸。測試訊號線520電性連接至第一測試元件200。在本實施例中，超音波偵測裝置30還包括多個第三測試元件200b以及多個第三虛設元件300b。各測試訊號線520電性連接至對應的兩個第三測試元件200b、對應的兩個第三虛設元件300b以及在第二方向DR2上位於所述對應的兩個第三測試元件200b之間的多個第一測試元件200。
虛設感測訊號線530沿著第二方向DR2延伸。虛設感測訊號線530電性連接至第一虛設元件300。在本實施例中，超音波偵測裝置30還包括多個第四虛設元件300c以及多個第五虛設元件300d。各虛設感測訊號線530電性連接至對應的兩個第四虛設 元件300c、對應的兩個第五虛設元件300d以及在第二方向DR2上位於所述對應的兩個第五虛設元件300d之間的多個第一虛設元件300。在本實施例中，測試訊號線520位於感測訊號線510與虛設感測訊號線530之間。
在本實施例中，超音波偵測裝置30還包括多個虛設共用訊號線420以及多個測試共用訊號線430。虛設共用訊號線420以及多個測試共用訊號線430沿著第一方向DR1延伸。
虛設共用訊號線420電性連接至第二虛設元件300a、第三虛設元件300b以及第四虛設元件300c。各虛設共用訊號線420電性連接至對應的兩個第三虛設元件300b、對應的兩個第四虛設元件300c以及在第一方向DR1上位於所述對應的兩個第三虛設元件300b之間的多個第二虛設元件300a。
測試共用訊號線430電性連接至第二測試元件200a、第三測試元件200b以及第五虛設元件300d。各測試共用訊號線430電性連接至對應的兩個第三測試元件200b、對應的兩個第五虛設元件300d以及在第一方向DR1上位於所述對應的兩個第三測試元件200b之間的多個第二測試元件200a。
在本實施例中，感測元件100、第一測試元件200、第二測試元件200a、第三測試元件200b、第一虛設元件300、第二虛設元件300a、第三虛設元件300b、第四虛設元件300c以及第五虛設元件300d彼此有類似的結構。在圖6B中，以感測元件100、第一測試元件200以及第一虛設元件300的結構為例進行說明。
在本實施例中，感測元件100、第一測試元件200、第二測試元件200a、第三測試元件200b、第一虛設元件300、第二虛設元件300a、第三虛設元件300b、第四虛設元件300c以及第五虛設元件300d各自包括陣列的多個電容式微機電超音波換能器，其中圖6B顯示了感測元件100的電容式微機電超音波換能器110、第一測試元件200的電容式微機電超音波換能器210以及第一虛設元件300的電容式微機電超音波換能器310。
在本實施例中，虛設共用訊號線420以及虛設感測訊號線530並未直接接收晶片或其他驅動電路提供的訊號，因此，第一虛設元件300、第二虛設元件300a、第三虛設元件300b、第四虛設元件300c以及第五虛設元件300d的電容式微機電超音波換能器的第一電極與第二電極為浮置電極。
在本實施例中，藉由第一虛設元件300、第二虛設元件300a、第三虛設元件300b、第四虛設元件300c以及第五虛設元件300d的設置，可以使第一測試元件200、第二測試元件200a以及第三測試元件200b的性能更接近感測元件100的性能，藉此提升測試製程的可靠度。在一些實施例中，經過測試製程，第一測試元件200、第二測試元件200a、第三測試元件200b中的部分或全部的電容式微機電超音波換能器經反覆施加電壓後崩潰(collapse)。由於第一測試元件200、第二測試元件200a、第三測試元件200b設置於感測區SA外，即使第一測試元件200、第二測試元件200a、第三測試元件200b崩潰也不會對感測區SA中之 感測元件100所產生之影像造成很大的影響。換句話說，可以藉由犧牲第一測試元件200、第二測試元件200a、第三測試元件200b來維持超音波偵測裝置30顯示之影像的品質。
圖7是依照本發明的一實施例的一種超音波偵測設備3的側視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖6A與圖6B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖7，在本實施例中，超音波偵測裝置(例如圖6A之超音波偵測裝置30)設置於超音波偵測設備3的正面FS。在一些實施例中，超音波偵測設備3的正面FS為接近正方形的表面。
10:超音波偵測裝置
100:感測元件
200:第一測試元件
300:第一虛設元件
410:第一共用訊號線
412:主幹部
414:第一分支部
416:第二分支部
420:虛設共用訊號線
510:感測訊號線
520:測試訊號線
530:虛設感測訊號線
M:對位標記
DR1:第一方向
P1、P2、P3:間距
R1:區域
SA:感測區
SB:基板
W1、W2、W3、W4:寬度

Claims (19)

  1. 一種超音波偵測裝置，包括：一基板；多個感測元件、至少一第一測試元件以及至少一第一虛設元件，位於該基板上，其中該至少一第一測試元件位於該些感測元件與該至少一第一虛設元件之間，其中該些感測元件、該至少一第一測試元件以及該至少一第一虛設元件各自包括陣列的多個電容式微機電超音波換能器，其中該超音波偵測裝置具有一感測區，該些感測元件設置於該感測區中，該至少一第一測試元件以及該至少一第一虛設元件設置於該感測區外；至少一第一共用訊號線，電性連接至該些感測元件以及該至少一第一測試元件；多個感測訊號線，電性連接至該些感測元件；以及至少一測試訊號線，電性連接至該至少一第一測試元件。
  2. 如請求項1所述的超音波偵測裝置，更包括：一吸震材料，設置於該基板的背面，且該些感測元件設置於該基板的正面。
  3. 如請求項1所述的超音波偵測裝置，其中該些感測元件、該至少一第一測試元件以及該至少一第一虛設元件各自的該些電容式微機電超音波換能器的數量彼此相同。
  4. 如請求項1所述的超音波偵測裝置，更包括：多個第一測試元件，位於該基板上，其中該些感測元件位於 該些第一測試元件之間；以及多個第一虛設元件，位於該基板上，其中該些感測元件以及該些第一測試元件位於該些第一虛設元件之間。
  5. 如請求項4所述的超音波偵測裝置，其中該第一共用訊號線包括：一主幹部；以及多個第一分支部以及多個第二分支部，連接該主幹部的一側，其中該些第一分支部電性連接至該些第一測試元件，該些第二分支部電性連接至該些感測元件。
  6. 如請求項4所述的超音波偵測裝置，更包括：多個測試訊號線，電性連接至該些第一測試元件。
  7. 如請求項4所述的超音波偵測裝置，更包括：多個虛設共用訊號線以及多個虛設感測訊號線，電性連接至該些第一虛設元件，其中該些虛設共用訊號線重疊於該些虛設感測訊號線。
  8. 如請求項1所述的超音波偵測裝置，其中該至少一第一測試元件與相鄰的該感測元件之間的間距約等於或大於該至少一第一測試元件與該至少一第一虛設元件之間的間距。
  9. 如請求項1所述的超音波偵測裝置，其中該些感測元件、該至少一第一測試元件以及該至少一第一虛設元件在一第一方向上排列。
  10. 如請求項1所述的超音波偵測裝置，其中各該電容式微機電超音波換能器包括一第一電極以及分離於該第一電極的一第二電極，其中該至少一第一虛設元件的該些電容式微機電超音波換能器的該些第一電極為浮置電極。
  11. 如請求項10所述的超音波偵測裝置，其中該至少一第一虛設元件的該些電容式微機電超音波換能器的該些第二電極為浮置電極。
  12. 如請求項10所述的超音波偵測裝置，其中該些感測元件的該些電容式微機電超音波換能器的該些第一電極、該至少一第一測試元件的該些電容式微機電超音波換能器的該些第一電極以及該第一共用訊號線連成一體。
  13. 如請求項10所述的超音波偵測裝置，其中該些感測元件的該些電容式微機電超音波換能器的該些第二電極分別與對應的該感測訊號線連成一體。
  14. 如請求項10所述的超音波偵測裝置，更包括：一絕緣層，位於該些第一電極與該第一共用訊號線上，其中該絕緣層具有多個凹槽，各該凹槽重疊於對應的多個電容式微機電超音波換能器。
  15. 如請求項1所述的超音波偵測裝置，其中該基板包括彎曲的表面，且該些感測元件、該至少一第一測試元件以及該至少一第一虛設元件位於該彎曲的表面上。
  16. 如請求項1所述的超音波偵測裝置，其中該至少一第一測試元件包括經過測試製程後崩潰的電容式微機電超音波換能器。
  17. 如請求項1所述的超音波偵測裝置，更包括：多個第一測試元件以及多個第一虛設元件，位於該基板上；多個第一共用訊號線，沿著一第一方向延伸，其中各該第一共用訊號線電性連接至對應的兩個第一測試元件、對應的兩個第一虛設元件以及在該第一方向上位於所述對應的兩個第一測試元件之間的多個感測元件。
  18. 如請求項17所述的超音波偵測裝置，更包括：多個第二測試元件以及多個第二虛設元件，位於該基板上，其中該些感測訊號線沿著一第二方向延伸，且各該感測訊號線電性連接至對應的兩個第二測試元件、對應的兩個第二虛設元件以及在該第二方向上位於所述對應的兩個第二測試元件之間的多個感測元件；多個第三測試元件、多個第三虛設元件、多個第四虛設元件以及多個第五虛設元件，位於該基板上；多個測試訊號線，沿著該第二方向延伸，其中各該測試訊號線電性連接至對應的兩個第三測試元件、對應的兩個第三虛設元件以及在該第二方向上位於所述對應的兩個第三測試元件之間的多個第一測試元件；以及多個虛設感測訊號線，沿著該第二方向延伸，其中各該虛設 感測訊號線電性連接至對應的兩個第四虛設元件、對應的兩個第五虛設元件以及在該第二方向上位於所述對應的兩個第五虛設元件之間的多個第一虛設元件，其中該些測試訊號線位於該些感測訊號線與該些虛設感測訊號線之間。
  19. 如請求項18所述的超音波偵測裝置，更包括：多個虛設共用訊號線，沿著該第一方向延伸，且各該虛設共用訊號線電性連接至對應的兩個第三虛設元件、對應的兩個第四虛設元件以及在該第一方向上位於所述對應的兩個第三虛設元件之間的多個第二虛設元件；以及多個測試共用訊號線，沿著該第一方向延伸，且各該測試共用訊號線電性連接至對應的兩個第三測試元件、對應的兩個第五虛設元件以及在該第一方向上位於所述對應的兩個第三測試元件之間的多個第二測試元件。
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