TWI783187B

TWI783187B - 基板處理方法及基板處理裝置

Info

Publication number: TWI783187B
Application number: TW108140116A
Authority: TW
Inventors: 根来世; 岩尾通矩
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2018-11-21
Filing date: 2019-11-05
Publication date: 2022-11-11
Also published as: WO2020105403A1; JP2020088085A; JP7176936B2; TW202029320A

Abstract

本發明之基板處理方法係向貯存處理液之第1氣體產生箱122內供給具有較空氣中之氧濃度低之氧濃度的低氧氣體，於第1氣體產生箱122內之處理液中形成低氧氣體之氣泡。藉此，產生包含低氧氣體及處理液之第1調整氣體。其後，使第1調整氣體溶解於第1供給箱72A內之處理液，而對第1供給箱72A內之處理液之溶存氧濃度進行調整。其後，將第1供給箱72A內之處理液供給至基板W。

Description

基板處理方法及基板處理裝置

本申請案主張基於2018年11月21日提出之日本專利申請2018-218058號之優先權，該申請案之全部內容藉由引用而編入本文中。

本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理方法及基板處理裝置。於處理對象之基板中，例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置及有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。

於半導體裝置或FPD等之製造步驟中，使用對半導體晶圓或玻璃基板等基板進行處理之基板處理裝置。於專利文獻1中，揭示有將TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide，氫氧化四甲基銨)供給至基板之基板處理裝置。於該基板處理裝置中，向貯存TMAH之箱內供給氮氣與乾燥空氣中之至少一者。藉此，對TMAH之溶存氧濃度進行調整。供給至貯存TMAH之箱內之氣體經由排氣管線向箱外排出。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2013-258391號公報

於專利文獻1所記載之基板處理裝置中，為了調整TMAH中之溶存氧濃度，而將氮氣與乾燥空氣中之至少一者供給至箱內，於TMAH中形成多個氣泡。其被稱為起泡。

TMAH中之氣體於浮起至TMAH之液面之後，與箱內之氣體一同向排氣管線排出。於自箱排出之排出氣體中，不僅包含氮氣與乾燥空氣中之至少一者，還包含TMAH之蒸氣或TMAH之霧。排出氣體中所包含之TMAH極少，但若持續起泡，則箱內之TMAH通過排氣管線被逐漸地排出。因此，將新的TMAH供給至箱之頻率提高，導致基板之處理所需之運轉成本增加。

進而，於在箱內之處理液中包含複數種成分之情形時，該等成分之蒸氣壓互不相同，因此，若持續起泡，則處理液之濃度逐漸發生變化。尤其是於在處理液中包含易氣化之成分之情形時，處理液之濃度大幅發生變化。若處理液之濃度隨著時間之經過而發生變化，則利用處理液進行處理後之基板之品質亦隨著時間之經過而發生變化。因此，基板之品質之穩定性會受到損害。

因此，本發明之目的之一在於提供一種能夠降低伴隨溶存氧濃度之調整而造成之箱內之處理液的減少量之基板處理方法及基板處理裝置。

第1態樣提供一種基板處理方法，其包含：第1氣體產生步驟，其係向貯存包含第1物質之第1液體之第1氣體產生箱內供給具有較空氣中之氧濃度低的氧濃度之低氧氣體，於上述第1氣體產生箱內之上述第1液體中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述低氧氣體及上述第1物質之第1調整氣體；第1最終調整步驟，其係使上述第1調整氣體溶解於第1供給箱中貯存之包含上述第1物質之第1處理液，而對上述第1供給箱內之上述第1處理液之溶存氧濃度進行調整；及處理液供給步驟，其係將上述第1供給箱內之上述第1處理液供給至基板。

根據該方法，將具有較空氣中之氧濃度低之氧濃度之低氧氣體供給至第1氣體產生箱內。於第1氣體產生箱貯存有包含第1物質之第1液體。低氧氣體於第1氣體產生箱內之第1液體中分散，形成多個氣泡。其後，低氧氣體於第1液體中浮起至第1液體之液面，與第1液體之液面上之氣體相混合。於至此為止之過程中，第1液體中所包含之第1物質之蒸氣或霧分散於低氧氣體中。藉此，產生包含低氧氣體及第1物質之第1調整氣體。

第1調整氣體供給至貯存第1處理液之第1供給箱，溶解於第1供給箱內之第1處理液。於第1調整氣體中包含低氧氣體。因此，藉由第1調整氣體之溶解，而將第1處理液中之氧排出，第1處理液之溶存氧濃度下降。藉此，第1供給箱內之第1處理液之溶存氧濃度被調整。

進而，由於在第1調整氣體與第1處理液中均包含第1物質，故而即便持續向第1供給箱供給第1調整氣體，第1供給箱內之第1處理液亦難以減少。藉此，能夠使向第1供給箱供給新的第1處理液之頻率下降。進而，即便於在第1處理液中包含複數種成分之情形時，亦能夠抑制第1處理液之濃度變化。藉此，能夠抑制隨著時間之經過而造成之基板之品質的變化。

第1物質可為1個原子，亦可為分子。下述第2物質亦相同。包含第1物質之第1液體可為第1物質之液體(第1物質之含有率為100%之液體)，亦可為包含第1物質及第1物質以外之物質之液體。下述事前調整液及第2液體亦相同。

第2態樣係如第1態樣之基板處理方法，其中，上述第1調整氣體中之上述第1物質之濃度較供給至上述第1氣體產生箱之前的上述低氧氣體中之上述第1物質之濃度高。

根據該方法，將第1物質之濃度較低之低氧氣體供給至第1氣體產生箱內。如上所述，低氧氣體於第1氣體產生箱內之第1液體中形成多個氣泡，並於第1液體中浮起至第1液體之液面。藉此，產生第1物質之濃度較高之第1調整氣體(例如，第1物質之濃度為飽和濃度或其附近之第1調整氣體)。而且，將第1物質之濃度較高之第1調整氣體供給至第1供給箱。藉此，能夠有效降低第1供給箱內之第1處理液之減少量。

第3態樣係如第1或第2態樣之基板處理方法，其中，上述第1氣體產生箱係貯存上述第1處理液之箱。

根據該方法，不僅於第1供給箱，且於第1氣體產生箱亦貯存有第1處理液。因此，於第1氣體產生箱產生包含第1處理液之第1調整氣體，並將其供給至第1供給箱。即便第1調整氣體之液體成分溶入至第1處理液，第1供給箱內之第1處理液之濃度亦不變或幾乎不變。藉此，能夠抑制第1供給箱內之第1處理液之濃度變化。

第4態樣係如第1至第3態樣中任一態樣之基板處理方法，其中，上述基板處理方法進而包含：回收步驟，其係將供給至上述基板後之上述第1處理液經由回收箱而回收至上述第1供給箱；事前調整氣體產生步驟，其係向貯存包含上述第1物質之事前調整液之事前氣體產生箱內供給上述低氧氣體，於上述事前氣體產生箱內之上述事前調整液中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述低氧氣體及上述第1物質之事前調整氣體；及事前調整步驟，其係於將供給至上述基板之上述第1處理液回收至上述第1供給箱之前，使上述事前調整氣體溶解於上述回收箱內之上述第1處理液，而對上述回收箱內之上述第1處理液之溶存氧濃度進行調整。

根據該方法，將自第1供給箱供給至基板之第1處理液經由回收箱而回收至第1供給箱。供給至基板之第1處理液之溶存氧濃度發生變化。因此，於將第1處理液回收至第1供給箱之前，使包含低氧氣體之事前調整氣體溶解於回收箱內之第1處理液。藉此，能夠使回收箱內之第1處理液之溶存氧濃度接近第1供給箱內之第1處理液的溶存氧濃度。進而，於事前調整氣體中，不僅包含低氧氣體，亦包含第1物質。因此，能夠抑制回收箱內之第1處理液之減少，並且對回收箱內之第1處理液之溶存氧濃度進行調整。

第5態樣係如第1至第4態樣中任一態樣之基板處理方法，其中，上述第1最終調整步驟包含使上述第1調整氣體流入至上述第1供給箱內之氣體供給步驟、及將上述第1供給箱內之氣體排出之氣體排出步驟，上述基板處理方法進而包含將自上述第1供給箱排出之排出氣體冷卻而使上述排出氣體中所包含之上述第1物質液化之第1冷卻步驟、及使於上述第1冷卻步驟中液化之上述第1物質返回至上述第1供給箱之第1再循環步驟。

根據該方法，一面使第1調整氣體流入至第1供給箱內，一面將第1供給箱內之氣體自第1供給箱排出。於自第1供給箱排出之排出氣體中包含第1物質之蒸氣或霧。當將排出氣體冷卻時，第1物質之蒸氣變成第1物質之液滴，或者第1物質之霧中所包含之第1物質之液滴變大。第1物質之液體返回至第1供給箱。藉此，能夠進一步降低第1供給箱內之第1處理液之減少量。

第6態樣係如第5態樣之基板處理方法，其中，上述第1冷卻步驟包含將自上述第1供給箱向上方延伸之第1上升配管內之上述排出氣體冷卻，而使上述排出氣體中所包含之上述第1物質於上述第1上升配管之內周面液化之第1配管內冷卻步驟，上述第1再循環步驟包含使於上述第1上升配管之內周面液化之上述第1物質沿著上述第1上升配管之內周面而向上述第1供給箱的方向掉落之第1掉落步驟。

根據該方法，於自第1供給箱向上方延伸之第1上升配管內將包含第1物質之排出氣體冷卻。排出氣體中所包含之第1物質之一部分於第1上升配管內液化，而附著於第1上升配管之內周面。當第1物質之液滴變大為某程度時，藉由本身重量沿著第1上升配管之內周面而向第1供給箱之方向流動，並掉落至第1供給箱內之第1處理液。藉此，能夠使排出氣體中所包含之第1物質返回至第1供給箱。

第1上升配管只要自第1供給箱向上方延伸，則可為鉛直，亦可相對於水平面傾斜。又，第1上升配管亦可為直線狀、摺線狀、及曲線狀中之任一種。即，只要第1上升配管內之液體順著第1上升配管之內周面掉落至第1供給箱內之第1處理液，則第1上升配管可為任何形狀。

第7態樣係如第4態樣之基板處理方法，其中，上述事前調整步驟包含使上述事前調整氣體流入至上述回收箱內之氣體供給步驟、及將上述回收箱內之氣體排出之氣體排出步驟，上述基板處理方法進而包含將自上述回收箱排出之排出氣體冷卻而使上述排出氣體中所包含之上述第1物質液化之第2冷卻步驟、及使於上述第2冷卻步驟中液化之上述第1物質返回至上述回收箱之第2再循環步驟。

根據該方法，一面使事前調整氣體流入至回收箱內，一面將回收箱內之氣體自回收箱排出。於自回收箱排出之排出氣體中包含第1物質之蒸氣或霧。當將排出氣體冷卻時，第1物質之蒸氣變成第1物質之液滴，或者第1物質之霧中所包含之第1物質之液滴變大。第1物質之液體返回至回收箱。藉此，能夠進一步降低回收箱內之第1處理液之減少量。

第8態樣係如第7態樣之基板處理方法，其中，上述第2冷卻步驟包含將自上述回收箱向上方延伸之第2上升配管內之上述排出氣體冷卻，而使上述排出氣體中所包含之上述第1物質於上述第2上升配管之內周面液化之第2配管內冷卻步驟，上述第2再循環步驟包含使於上述第2上升配管之內周面液化之上述第1物質沿著上述第2上升配管之內周面而向上述回收箱的方向掉落之第2掉落步驟。

根據該方法，於自回收箱向上方延伸之第2上升配管內將包含第1物質之排出氣體冷卻。排出氣體中所包含之第1物質之一部分於第2上升配管內液化，而附著於第2上升配管之內周面。當第1物質之液滴變大為某程度時，藉由本身重量沿著第2上升配管之內周面而向回收箱之方向流動，並掉落至回收箱內之第1處理液。藉此，能夠使排出氣體中所包含之第1物質返回至回收箱。

第2上升配管只要自回收箱向上方延伸，則可為鉛直，亦可相對於水平面傾斜。又，第2上升配管亦可為直線狀、摺線狀、及曲線狀中之任一種。即，只要第2上升配管內之液體順著第2上升配管之內周面掉落至回收箱內之第1處理液，則第2上升配管可為任何形狀。

第9態樣係如第1至第8態樣中任一態樣之基板處理方法，其中，上述基板處理方法進而包含：第2氣體產生步驟，其係向貯存包含第2物質之第2液體之第2氣體產生箱內供給上述低氧氣體，於上述第2氣體產生箱內之上述第2液體中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述低氧氣體及上述第2物質之第2調整氣體；第2最終調整步驟，其係使上述第2調整氣體溶解於第2供給箱中貯存之包含上述第2物質之第2處理液，而對上述第2供給箱內之上述第2處理液之溶存氧濃度進行調整；前接混合步驟，其係於向上述基板供給上述第1處理液及第2處理液之前，於上述第1供給箱及第2供給箱外將上述第1處理液及第2處理液混合；及混合比變更步驟，其係對在上述前接混合步驟中混合之上述第1處理液與第2處理液之混合比進行變更；上述處理液供給步驟包含將於上述前接混合步驟中混合之上述第1處理液及第2處理液供給至上述基板之混合液供給步驟。

根據該方法，將第1處理液與第2處理液之混合液供給至基板。第1處理液與第2處理液係於即將供給至基板之前被混合，而並非於箱內被混合。因此，能夠根據所需之基板之品質而變更第1處理液與第2處理液之混合比。進而，第2供給箱內之第2處理液係與第1供給箱內之第1處理液同樣地被調整溶存氧濃度。供給至第2供給箱之第2調整氣體不僅包含低氧氣體，還包含第2處理液中亦包含之第2物質。因此，能夠降低第2供給箱內之第2處理液之減少量，並且將第1處理液與第2處理液之混合液供給至基板。

第10態樣係如第1至第8態樣中任一態樣之基板處理方法，其中，上述第1處理液係除了包含上述第1物質以外還包含第2物質之液體，上述第1氣體產生步驟包含：複數種含有氣體產生步驟，其係向貯存包含上述第1物質及上述第2物質之上述第1液體之上述第1氣體產生箱內供給上述低氧氣體，於上述第1氣體產生箱內之上述第1液體中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述低氧氣體、上述第1物質及上述第2物質之複數種含有氣體；及部分含有氣體產生步驟，其係向貯存包含上述第1物質與第2物質中之一者且不含上述第1物質與第2物質中之另一者之第2液體的第2氣體產生箱內供給上述低氧氣體，於上述第2氣體產生箱內之上述第2液體中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述第1物質與第2物質中之一者及上述低氧氣體且不包含上述第1物質與第2物質中之另一者之部分含有氣體；上述第1最終調整步驟包含：主調整步驟，其係使相當於上述第1調整氣體之上述複數種含有氣體溶解於上述第1供給箱內之上述第1處理液，而對上述第1供給箱內之上述第1處理液之溶存氧濃度進行調整；及副調整步驟，其係使上述部分含有氣體溶解於上述第1供給箱內之上述第1處理液，而對上述第1供給箱內之上述第1處理液之溶存氧濃度進行調整。

根據該方法，將包含第1物質及第2物質之第1處理液自第1供給箱供給至基板。由於第1物質與第2物質之蒸氣壓不同，故而第1供給箱內之第1處理液之濃度隨著時間之經過而發生變化。若第1物質與第2物質之蒸氣壓之差較小，則第1處理液之濃度之變化量為些微，但若第1物質與第2物質之蒸氣壓之差較大，則第1處理液之濃度大幅地發生變化。

複數種含有氣體及部分含有氣體個別地供給至第1供給箱。複數種含有氣體及部分含有氣體均包含低氧氣體。因此，無論向第1供給箱供給複數種含有氣體與部分含有氣體中之哪一者，均能對第1供給箱內之第1處理液之溶存氧濃度進行調整。另一方面，複數種含有氣體包含第1物質與第2物質之兩者，部分含有氣體僅包含第1物質與第2物質中之一者。

例如，於第2物質之蒸氣壓高於第1物質，而相較於第1物質更易蒸發之情形時，第1處理液中之第1物質之濃度隨著時間之經過而增加。於此種情形時，若將包含第2物質且不包含第1物質之部分含有氣體供給至第1供給箱，則能夠降低來自第1處理液之第2物質之減少量，並且自第1處理液中減少第1物質。藉此，能夠使第1處理液之濃度接近起初之濃度，從而能夠抑制隨著時間之經過而造成之基板之品質的變化。

第11態樣提供一種基板處理裝置，其具備：第1氣體產生單元，其包含貯存含有第1物質之第1液體之第1氣體產生箱，且向上述第1氣體產生箱內供給具有較空氣中之氧濃度低之氧濃度之低氧氣體，於上述第1氣體產生箱內之上述第1液體中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述低氧氣體及上述第1物質之第1調整氣體；第1最終調整單元，其包含貯存含有上述第1物質之第1處理液之第1供給箱，且使上述第1調整氣體溶解於上述第1供給箱內之上述第1處理液，而對上述第1供給箱內之上述第1處理液之溶存氧濃度進行調整；及處理液噴嘴，其將上述第1供給箱內之上述第1處理液供給至基板。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

第12態樣係如第11態樣之基板處理裝置，其中，上述第1氣體產生單元係產生上述第1物質之濃度較供給至上述第1氣體產生箱之前之上述低氧氣體高的上述第1調整氣體之單元。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

第13態樣係如第11或第12態樣之基板處理裝置，其中，上述第1氣體產生箱係貯存上述第1處理液之箱。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

第14態樣係如第11至第13態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置進而具備：回收單元，其包含貯存供給至上述基板後之上述第1處理液之回收箱，且將供給至上述基板之上述第1處理液經由上述回收箱而回收至上述第1供給箱；事前調整氣體產生單元，其包含貯存含有上述第1物質之事前調整液之事前氣體產生箱，且向上述事前氣體產生箱內供給上述低氧氣體，於上述事前氣體產生箱內之上述事前調整液中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述低氧氣體及上述第1物質之事前調整氣體；及事前調整單元，其於將供給至上述基板之上述第1處理液回收至上述第1供給箱之前，使上述事前調整氣體溶解於上述回收箱內之上述第1處理液，而對上述回收箱內之上述第1處理液之溶存氧濃度進行調整。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

第15態樣係如第11至第14態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述第1最終調整單元進而包含使上述第1調整氣體流入至上述第1供給箱內之氣體供給配管、及將上述第1供給箱內之氣體排出之氣體排出配管，上述基板處理裝置進而具備將自上述第1 供給箱排出之排出氣體冷卻而使上述排出氣體中所包含之上述第1物質液化之第1冷卻器、及使利用上述第1冷卻器液化之上述第1物質返回至上述第1供給箱之第1再循環配管。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

第16態樣係如第14態樣之基板處理裝置，其中，上述氣體排出配管包含自上述第1供給箱向上方延伸之第1上升配管，上述第1冷卻器包含將上述第1上升配管內之上述排出氣體冷卻而使上述排出氣體中所包含之上述第1物質於上述第1上升配管之內周面液化的第1配管內冷卻器。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

第17態樣係如第14態樣之基板處理裝置，其中，上述事前調整單元進而包含使上述事前調整氣體流入至上述回收箱內之氣體供給配管、及將上述回收箱內之氣體排出之氣體排出配管，上述基板處理裝置進而包含將自上述回收箱排出之排出氣體冷卻而使上述排出氣體中所包含之上述第1物質液化之第2冷卻器、及使利用上述第2冷卻器液化之上述第1物質返回至上述回收箱之第2再循環配管。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

第18態樣係如第17態樣之基板處理裝置，其中，上述氣體排出配管包含自上述回收箱向上方延伸之第2上升配管，上述第2冷卻器包含將上述第2上升配管內之上述排出氣體冷卻而使上述排出氣體中所包含之上述第1物質於上述第2上升配管之內周面液化的第2配管內冷卻器。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

第19態樣係如第11至第18態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置進而具備：第2氣體產生單元，其包含貯存含有第2物質之第2液體之第2氣體產生箱，且向上述第2氣體產生箱內供給上述低氧氣體，於上述第2氣體產生箱內之上述第2液體中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述低氧氣體及上述第2物質之第2調整氣體；第2最終調整單元，其包含貯存含有上述第2物質之第2處理液之第2供給箱，且使上述第2調整氣體溶解於上述第2供給箱內之上述第2處理液，而對上述第2供給箱內之上述第2處理液之溶存氧濃度進行調整；前接混合單元，其於向上述基板供給上述第1處理液及第2處理液之前，於上述第1供給箱及第2供給箱外將上述第1處理液及第2處理液混合；及混合比變更閥，其對利用上述前接混合單元混合之上述第1處理液與第2處理液之混合比進行變更；上述處理液噴嘴包含將利用上述前接混合單元混合之上述第1處理液與第2處理液之混合液供給至上述基板之混合液噴嘴。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

第20態樣係如第11至第18態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述第1處理液係除了包含上述第1物質以外還包含第2物質之液體，上述第1氣體產生單元包含：複數種含有氣體產生單元，其向貯存包含上述第1物質及上述第2物質之上述第1液體之上述第1氣體產生箱內供給上述低氧氣體，於上述第1氣體產生箱內之上述第1液體中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述低氧氣體、上述第1物質及上述第2物質之複數種含有氣體；及部分含有氣體產生單元，其包含貯存含有上述第1物質與第2物質中之一者且不含有上述第1物質與第2物質中之另一者之第2液體的第2氣體產生箱，且向上述第2氣體產生箱內供給上述低氧氣體，於上述第2氣體產生箱內之上述第2液體中形成上述低氧氣體之氣泡，而產生包含上述第1物質與第2物質中之一者及上述低氧氣體且不包含上述第1物質與第2物質中之另一者之部分含有氣體；上述第1最終調整單元包含：主調整單元，其使相當於上述第1調整氣體之上述複數種含有氣體溶解於上述第1供給箱內之上述第1處理液，而對上述第1供給箱內之上述第1處理液之溶存氧濃度進行調整；及副調整單元，其使上述部分含有氣體溶解於上述第1供給箱內之上述第1處理液，而對上述第1供給箱內之上述第1處理液之溶存氧濃度進行調整。根據該構成，能夠實現與對上述基板處理方法所述之效果相同之效果。

本發明中之上述之或進而其他之目的、特徵及效果係根據下文參照隨附圖式敍述之實施形態之說明而明確。

1:基板處理裝置

la:外壁

2:處理單元

3:控制裝置

4:腔室

5:FFU

6:間隔壁

6a:送風口

6b:搬入搬出口

7:擋板

8:整流板

9:排氣管

10:旋轉夾頭

11:夾頭銷

12:旋轉基座

12u:上表面

13:旋轉軸

14:旋轉馬達

15:下表面噴嘴

15p:液體吐出口

16:下沖洗液配管

17:下沖洗液閥

18:下中央開口

19:下筒狀通路

20:下氣體配管

21:下氣體閥

22:下氣體流量調整閥

23:處理杯

24:外壁構件

25:防護罩

25a:防護罩頂壁部

25b:防護罩筒狀部

25u:上端

26:杯

27:防護罩升降單元

31:阻斷構件升降單元

32:升降架

32L:下板

32s:邊環

32u:上板

33:阻斷構件

34:凸緣部

35:連接部

36:圓板部

36L:下表面

37:筒狀部

37i:內周面

38:上中央開口

39:上筒狀通路

41:定位突起

42:定位孔

43:上支撐部

44:下支撐部

45:中心噴嘴

46:第1藥液吐出口

47:第2藥液吐出口

48:上沖洗液吐出口

49:上氣體吐出口

50:第1藥液配管

51:第1藥液閥

52:第2藥液配管

53:第2藥液閥

54:上沖洗液配管

55:上沖洗液閥

56:上氣體配管

57:上氣體閥

58:上氣體流量調整閥

61:電腦本體

62:CPU

63:主記憶裝置

64:周邊裝置

65:輔助記憶裝置

66:讀取裝置

67:通訊裝置

68:輸入裝置

69:顯示裝置

70A:第1個別配管

70B:第2個別配管

71:藥液供給單元

72A:第1供給箱

72B:第2供給箱

73A:第1液面感測器

73B:第2液面感測器

74A:第1循環配管

74B:第2循環配管

75A:第1泵

75B:第2泵

76A:第1過濾器

76B:第2過濾器

77A:第1溫度調節器

77B:第2溫度調節器

78A:第1溫度計

78B:第2溫度計

79A:第1流量調整閥

79B:第2流量調整閥

80A:第1開閉閥

80B:第2開閉閥

81:藥液回收單元

82:上游配管

83:上游閥

84:上游回收箱

85:脫氣裝置

86:通氣配管

87:中間配管

88:上游泵

89:下游回收箱

90:下游配管

91:下游泵

92:下游過濾器

93:下游閥

94:回流配管

95:濃度測定單元

96:第1氧濃度計

97:第1測定配管

98:第2氧濃度計

99:第2測定配管

100:排放箱

101:氣體溶解裝置

103:第1惰性氣體配管

104:第1惰性氣體閥

105:第1惰性氣體流量調整閥

106:第1含氧氣體配管

107:第1含氧氣體閥

108:第1含氧氣體流量調整閥

110:第2惰性氣體配管

111:第2惰性氣體閥

112:第2惰性氣體流量調整閥

113:第2含氧氣體配管

114:第2含氧氣體閥

115:第2含氧氣體流量調整閥

121:第1下游氣體供給配管

121p:氣體吐出口

122:第1氣體產生箱

123:第1上游氣體供給配管

123p:氣體吐出口

124:第1止回閥

125:第1氣體排出配管

126:第1上升配管

127:第1冷卻器

128:第1冷卻管

131:第2下游氣體供給配管

131p:氣體吐出口

132:第2氣體產生箱

133:第2上游氣體供給配管

133p:氣體吐出口

134:第2止回閥

135:第2氣體排出配管

136:第2上升配管

137:第2冷卻器

A1:旋轉軸線

CA:載具

CC:藥液櫃

CR:中央機器人

FB:流體盒

H1:手

H2:手

IR:分度機器人

LP:裝載埠

M:可移媒體

P:程式

SL:下空間

Su:上空間

W:基板

X:第1處理液

Y:第2處理液

圖1係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置所得之示意圖。

圖2係自側方觀察基板處理裝置所得之示意圖。

圖3係水平觀察配備於基板處理裝置之處理單元之內部所得之示意圖。

圖4係將圖3之一部分放大之放大圖。

圖5係表示控制裝置之硬體之方塊圖。

圖6係用以對由基板處理裝置執行之基板之處理之一例進行說明的步驟圖。

圖7係表示藥液供給單元、藥液回收單元、濃度測定單元、及溶存氧濃度變更單元之示意圖。

圖8A係水平觀察安裝於第1上升配管之第1冷卻器之外觀所得之示意圖。

圖8B係表示第1上升配管及第1供給箱之鉛直剖面之示意圖。

圖9係表示自向第1供給箱供給新的藥液起至將第1供給箱內之藥液排出為止之流程之一例的流程圖。

圖10係表示第2實施形態之藥液供給單元及氣體溶解裝置之示意圖。

圖11係表示第3實施形態之藥液供給單元及氣體溶解裝置之示意圖。

圖1係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置1所得之示意圖。圖2係自側方觀察基板處理裝置1所得之示意圖。

如圖1所示，基板處理裝置1係對半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式裝置。基板處理裝置1具備保持將基板W收容之載具CA之裝載埠LP、利用處理液或處理氣體等處理流體對由裝載埠LP上之載具CA搬送之基板W進行處理之複數個處理單元2、於裝載埠LP上之載具CA與處理單元2之間搬送基板W之搬送機器人、及對基板處理裝置1進行控制之控制裝置3。

搬送機器人包含相對於裝載埠LP上之載具CA進行基板W之搬入及搬出之分度機器人IR、及相對於複數個處理單元2進行基板W之搬入及搬出之中央機器人CR。分度機器人IR於裝載埠LP與中央機器人CR之間搬送基板W，中央機器人CR於分度機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。中央機器人CR包含支撐基板W之手H1，分度機器人IR包含支撐基板W之手H2。

基板處理裝置1包含收容閥等流體機器之複數個(例如4個)流體盒FB。收容藥液用之箱等之藥液櫃CC配置於基板處理裝置1之外壁1a外。藥液櫃CC可配置於基板處理裝置1之外壁1a之側方，亦可配置於設置基板處理裝置1之無塵室之下(地下)。

複數個處理單元2形成俯視時配置於中央機器人CR周圍之複數個塔。圖1示出形成有4個塔之例。如圖2所示，各塔包含上下積層之複數個(例如3個)處理單元2。4個流體盒FB分別與4個塔對應。藥液櫃CC內之藥液係經由任一流體盒FB供給至與該流體盒FB對應之塔中所包含之所有處理單元2。

圖3係水平觀察配備於基板處理裝置1之處理單元2之內部所得之示意圖。圖4係將圖3之一部分放大之放大圖。圖3示出升降架32及阻斷構件33位於下位置之狀態，圖4示出升降架32及阻斷構件33位於上位置之狀態。

處理單元2包含：箱型之腔室4，其具有內部空間；旋轉夾頭10，其一面於腔室4內水平保持1片基板W，一面使其繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線A1旋轉；及筒狀之處理杯23，其繞旋轉軸線A1包圍旋轉夾頭10。

腔室4包含設置有供基板W通過之搬入搬出口6b之箱型的間隔壁6、及將搬入搬出口6b開閉之擋板7。腔室4進而包含配置於在間隔壁6之頂面開口之送風口6a之下方的整流板8。吹送潔淨空氣(利用過濾器過濾後之空氣)之FFU5(風扇過濾器單元)配置於送風口6a之上。將腔室4內之氣體排出之排氣管9連接於處理杯23。送風口6a設置於腔室4之上端部，排氣管9配置於腔室4之下端部。排氣管9之一部分配置於腔室4外。

整流板8將間隔壁6之內部空間區隔出整流板8之上方之上空間Su及整流板8之下方的下空間SL。間隔壁6之頂面與整流板8之上表面之間之上空間Su係潔淨空氣擴散之擴散空間。整流板8之下表面與間隔壁6之地面之間的下空間SL係進行基板W之處理之處理空間。旋轉夾頭10或處理杯23配置於下空間SL。自間隔壁6之地面至整流板8之下表面之鉛直方向的距離較自整流板8之上表面至間隔壁6之頂面之鉛直方向的距離長。

FFU 5經由送風口6a向上空間Su吹送潔淨空氣。供給至上空間Su之潔淨空氣碰撞到整流板8而於上空間Su擴散。上空間Su內之潔淨空氣通過上下貫通整流板8之複數個貫通孔，自整流板8之整個區域流向下方。供給至下空間SL之潔淨空氣被吸入至處理杯23內，並通過排氣管9而自腔室4之下端部排出。藉此，於下空間SL形成自整流板8流向下方之均勻之潔淨空氣之下降流(降流)。基板W之處理係於形成有潔淨空氣之下降流之狀態下進行。

旋轉夾頭10包含以水平姿勢保持之圓板狀之旋轉基座12、於旋轉基座12之上方將基板W以水平姿勢保持之複數個夾頭銷11、自旋轉基座12之中央部向下方延伸之旋轉軸13、以及藉由使旋轉軸13旋轉而使旋轉基座12及複數個夾頭銷11旋轉之旋轉馬達14。旋轉夾頭10並不限於使複數個夾頭銷11與基板W之外周面接觸之夾持式夾頭，亦可為藉由使非裝置形成面即基板W之背面(下表面)吸附於旋轉基座12之上表面12u而水平保持基板W之真空式夾頭。

旋轉基座12包含配置於基板W之下方之上表面12u。旋轉基座12之上表面12u與基板W之下表面平行。旋轉基座12之上表面12u係與基板W之下表面對向之對向面。旋轉基座12之上表面 12u為包圍旋轉軸線A1之圓環狀。旋轉基座12之上表面12u之外徑大於基板W之外徑。夾頭銷11自旋轉基座12之上表面12u之外周部向上方突出。夾頭銷11由旋轉基座12保持。基板W係於基板W之下表面離開旋轉基座12之上表面12u之狀態下由複數個夾頭銷11保持。

處理單元2包含朝向基板W之下表面中央部吐出處理液之下表面噴嘴15。下表面噴嘴15包含配置於旋轉基座12之上表面12u與基板W之下表面之間的噴嘴圓板部、及自噴嘴圓板部向下方延伸之噴嘴筒狀部。下表面噴嘴15之液體吐出口15p於噴嘴圓板部之上表面中央部開口。於由旋轉夾頭10保持基板W之狀態下，下表面噴嘴15之液體吐出口15p與基板W之下表面中央部上下對向。

基板處理裝置1包含將沖洗液導引至下表面噴嘴15之下沖洗液配管16、及介裝於下沖洗液配管16之下沖洗液閥17。當打開下沖洗液閥17時，由下沖洗液配管16導引之沖洗液便會自下表面噴嘴15向上方吐出，向基板W之下表面中央部供給。供給至下表面噴嘴15之沖洗液為純水(去離子水：DIW(Deionized Water))。供給至下表面噴嘴15之沖洗液並不限於純水，可為IPA(異丙醇)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如1~100ppm左右)之鹽酸水中之任一種。

雖未圖示，但下沖洗液閥17包含設置有供液體流動之內部流路及包圍內部流路之環狀之閥座的閥主體、可相對於閥座移動之閥體、及使閥體於閥體與閥座接觸之關閉位置和閥體離開閥座之打開位置之間移動的致動器。其他閥亦相同。致動器可為空壓致動器或電動致動器，亦可為除此以外之致動器。控制裝置3係藉由控制致動器而使下沖洗液閥17開閉。

下表面噴嘴15之外周面與旋轉基座12之內周面形成上下延伸之下筒狀通路19。下筒狀通路19包含於旋轉基座12之上表面12u之中央部開口之下中央開口18。下中央開口18配置於下表面噴嘴15之噴嘴圓板部之下方。基板處理裝置1具備導引經由下筒狀通路19而供給至下中央開口18之惰性氣體之下氣體配管20、介裝於下氣體配管20之下氣體閥21、及對自下氣體配管20供給至下筒狀通路19之惰性氣體之流量進行變更之下氣體流量調整閥22。

自下氣體配管20供給至下筒狀通路19之惰性氣體為氮氣。氮氣不包含氧或僅包含極微量之氧。惰性氣體並不限於氮氣，亦可為氦氣或氬氣等其他惰性氣體。該等惰性氣體係具有較空氣中之氧濃度(約21vol%)低之氧濃度之氣體。

當打開下氣體閥21時，自下氣體配管20供給至下筒狀通路19之氮氣便會以與下氣體流量調整閥22之開度對應之流量自下中央開口18向上方吐出。其後，氮氣在基板W之下表面與旋轉基座12之上表面12u之間沿水平方向呈放射狀流動。藉此，由氮氣充滿基板W與旋轉基座12之間之空間，環境氣體中之氧濃度會減小。基板W與旋轉基座12之間之空間之氧濃度係根據下氣體閥21及下氣體流量調整閥22之開度而變更。

處理杯23包含將自基板W向外側排出之液體接住之複數個防護罩25、將由複數個防護罩25向下方導引之液體接住之複數個杯26、及包圍複數個防護罩25與複數個杯26之圓筒狀之外壁構件24。圖3示出設置有2個防護罩25及2個杯26之例。

防護罩25包含包圍旋轉夾頭10之圓筒狀之防護罩筒狀部25b、及自防護罩筒狀部25b之上端部朝向旋轉軸線A1向斜上方延伸之圓環狀之防護罩頂壁部25a。複數個防護罩頂壁部25a上下重疊，複數個防護罩筒狀部25b呈同心圓狀配置。複數個杯26分別配置於複數個防護罩筒狀部25b之下方。複數個杯26分別形成朝上打開之環狀之受液溝。

處理單元2包含使複數個防護罩25個別升降之防護罩升降單元27。防護罩升降單元27使防護罩25位於上位置至下位置之任意位置。上位置係將防護罩25之上端25u配置於較配置由旋轉夾頭10所保持之基板W之保持位置更上方的位置。下位置係將防護罩25之上端25u配置於較保持位置更下方之位置。防護罩頂壁部25a之圓環狀之上端相當於防護罩25之上端25u。俯視時，防護罩25之上端25u包圍基板W及旋轉基座12。

當於旋轉夾頭10使基板W旋轉之狀態下向基板W供給處理液時，處理液便會自基板W甩出。向基板W供給處理液時，將至少一個防護罩25之上端25u配置於較基板W更上方。因此，自基板W排出之藥液或沖洗液等處理液會被任一防護罩25接住，並導引至與該防護罩25對應之杯26。

如圖4所示，處理單元2包含配置於旋轉夾頭10之上方之升降架32、自升降架32懸吊之阻斷構件33、插入至阻斷構件33之中心噴嘴45、及藉由使升降架32升降而使阻斷構件33與中心噴嘴45升降之阻斷構件升降單元31。升降架32、阻斷構件33、及中心噴嘴45配置於整流板8之下方。

阻斷構件33包含配置於旋轉夾頭10之上方之圓板部36、及自圓板部36之外周部向下方延伸之筒狀部37。阻斷構件33包含朝上凹陷之杯狀之內表面。阻斷構件33之內表面包含圓板部36之下表面36L及筒狀部37之內周面37i。以下，有時將圓板部36之下表面36L稱為阻斷構件33之下表面36L。

圓板部36之下表面36L係與基板W之上表面對向之對向面。圓板部36之下表面36L與基板W之上表面平行。筒狀部37之內周面37i自圓板部36之下表面36L之外周緣向下方延伸。筒狀部37之內徑隨著靠近筒狀部37之內周面37i之下端而增加。筒狀部37之內周面37i之下端之內徑大於基板W的直徑。筒狀部37之內周面37i之下端之內徑亦可大於旋轉基座12的外徑。當將阻斷構件33配置於下述下位置(圖3所示之位置)時，基板W便會由筒狀部37之內周面37i包圍。

圓板部36之下表面36L係包圍旋轉軸線A1之圓環狀。圓板部36之下表面36L之內周緣形成於圓板部36之下表面36L之中央部開口的上中央開口38。阻斷構件33之內周面形成自上中央開口38向上方延伸之貫通孔。阻斷構件33之貫通孔上下貫通阻斷構件33。中心噴嘴45插入至阻斷構件33之貫通孔。中心噴嘴45之下端之外徑小於上中央開口38之直徑。

阻斷構件33之內周面與中心噴嘴45之外周面同軸。阻斷構件33之內周面於徑向(與旋轉軸線A1正交之方向)上隔開間隔地包圍中心噴嘴45之外周面。阻斷構件33之內周面與中心噴嘴45之外周面形成上下延伸之上筒狀通路39。中心噴嘴45自升降架32及阻斷構件33向上方突出。自升降架32懸吊阻斷構件33時，中心噴嘴45之下端配置於較圓板部36之下表面36L更上方。藥液或沖洗液等處理液自中心噴嘴45之下端向下方吐出。

阻斷構件33包含自圓板部36向上方延伸之筒狀之連接部35、及自連接部35之上端部向外側延伸之環狀之凸緣部34。凸緣部34配置於較阻斷構件33之圓板部36及筒狀部37更上方。凸緣部34與圓板部36平行。凸緣部34之外徑小於筒狀部37之外徑。凸緣部34由下述升降架32之下板32L支撐。

升降架32包含位於阻斷構件33之凸緣部34之上方之上板32u、自上板32u向下方延伸且包圍凸緣部34之邊環32s、及自邊環32s之下端部向內側延伸且位於阻斷構件33之凸緣部34之下方的環狀之下板32L。凸緣部34之外周部配置於上板32u與下板32L之間。凸緣部34之外周部可於上板32u與下板32L之間上下移動。

升降架32及阻斷構件33包含定位突起41及定位孔42，上述定位突起41及定位孔42係於由升降架32支撐阻斷構件33之狀態下限制升降架32與阻斷構件33於圓周方向(繞旋轉軸線A1之方向)上之相對移動。圖3示出於下板32L設置有複數個定位突起41，且於凸緣部34設置有複數個定位孔42之例。亦可將定位突起41設置於凸緣部34，將定位孔42設置於下板32L。

複數個定位突起41配置於具有在旋轉軸線A1上配置之中心之圓上。同樣地，複數個定位孔42配置於具有在旋轉軸線A1上配置之中心之圓上。複數個定位孔42係以與複數個定位突起41相同之規則性於圓周方向上排列。自下板32L之上表面向上方突出之定位突起41插入至自凸緣部34之下表面向上方延伸的定位孔42。藉此，限制阻斷構件33相對於升降架32於圓周方向上之移動。

阻斷構件33包含自阻斷構件33之內表面向下方突出之複數個上支撐部43。旋轉夾頭10包含分別支撐複數個上支撐部43之複數個下支撐部44。複數個上支撐部43係由阻斷構件33之筒狀部37包圍。上支撐部43之下端配置於較筒狀部37之下端更上方。自旋轉軸線A1至上支撐部43之徑向之距離大於基板W之半徑。同樣地，自旋轉軸線A1至下支撐部44之徑向之距離大於基板W之半徑。下支撐部44自旋轉基座12之上表面12u向上方突出。下支撐部44配置於較夾頭銷11更外側。

複數個上支撐部43配置於具有在旋轉軸線A1上配置之中心之圓上。同樣地，複數個下支撐部44配置於具有在旋轉軸線A1上配置之中心之圓上。複數個下支撐部44以與複數個上支撐部43相同之規則性於圓周方向上排列。複數個下支撐部44與旋轉基座12一同繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉基座12之旋轉角係藉由旋轉馬達14而變更。若將旋轉基座12配置為基準旋轉角，則俯視時複數個上支撐部43分別與複數個下支撐部44重疊。

阻斷構件升降單元31連結於升降架32。若於由升降架32之下板32L支撐阻斷構件33之凸緣部34之狀態下，阻斷構件升降單元31使升降架32下降，則阻斷構件33亦會下降。若於將旋轉基座12配置為俯視時複數個上支撐部43分別與複數個下支撐部44重疊之基準旋轉角之狀態下，阻斷構件升降單元31使阻斷構件33下降，則上支撐部43之下端部與下支撐部44之上端部接觸。藉此，由複數個下支撐部44分別支撐複數個上支撐部43。

於阻斷構件33之上支撐部43與旋轉夾頭10之下支撐部44接觸之後，若阻斷構件升降單元31使升降架32下降，則升降架32之下板32L相對於阻斷構件33之凸緣部34向下方移動。藉此，下板32L離開凸緣部34，定位突起41自定位孔42中拔出。進而，升降架32及中心噴嘴45相對於阻斷構件33向下方移動，因此，中心噴嘴45之下端與阻斷構件33之圓板部36之下表面36L的高低差減少。此時，升降架32配置於阻斷構件33之凸緣部34不與升降架32之上板32u接觸之高度(下述下位置)。

阻斷構件升降單元31使升降架32位於上位置(圖4所示之位置)至下位置(圖3所示之位置)之任意位置。上位置係將定位突起41插入至定位孔42且阻斷構件33之凸緣部34與升降架32之下板32L接觸之位置。即，上位置係自升降架32懸吊阻斷構件33之位置。下位置係下板32L離開凸緣部34且將定位突起41自定位孔42中拔出之位置。即，下位置係將升降架32與阻斷構件33之連結解除且阻斷構件33不與升降架32之任何部分接觸之位置。

當使升降架32及阻斷構件33移動至下位置時，阻斷構件33之筒狀部37之下端便會配置於較基板W之下表面更下方，基板W之上表面與阻斷構件33之下表面36L之間的空間由阻斷構件33之筒狀部37包圍。因此，基板W之上表面與阻斷構件33之下表面36L之間的空間不僅與阻斷構件33之上方之環境氣體阻斷，亦與阻斷構件33之周圍之環境氣體阻斷。藉此，能夠提高基板W之上表面與阻斷構件33之下表面36L之間的空間之密閉度。

進而，當將升降架32及阻斷構件33配置於下位置時，即便使阻斷構件33相對於升降架32繞旋轉軸線A1旋轉，阻斷構件33亦不會碰撞到升降架32。當由旋轉夾頭10之下支撐部44支撐阻斷構件33之上支撐部43時，上支撐部43與下支撐部44便會咬合，限制上支撐部43與下支撐部44於圓周方向上之相對移動。於該狀態下，若旋轉馬達14旋轉，則旋轉馬達14之轉矩經由上支撐部43及下支撐部44被傳達至阻斷構件33。藉此，阻斷構件33於升降架32及中心噴嘴45靜止之狀態下，沿與旋轉基座12相同之方向以相同之速度旋轉。

中心噴嘴45包含吐出液體之複數個液體吐出口、及吐出氣體之氣體吐出口。複數個液體吐出口包含吐出第1藥液之第1藥液吐出口46、吐出第2藥液之第2藥液吐出口47、及吐出沖洗液之上沖洗液吐出口48。氣體吐出口係將惰性氣體吐出之上氣體吐出口49。第1藥液吐出口46、第2藥液吐出口47、及上沖洗液吐出口48於中心噴嘴45之下端開口。上氣體吐出口49於中心噴嘴45之外周面開口。

第1藥液及第2藥液例如為包含硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、乙酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如，檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)、無機鹼(例如NaOH(氫氧化鈉))、界面活性劑、及防腐蝕劑中之至少1種之液體。硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、乙酸、氨水、過氧化氫水、檸檬酸、草酸、無機鹼及TMAH為蝕刻液。

第1藥液與第2藥液可為同種藥液，亦可為種類互不相同之藥液。圖3示出第1藥液為DHF(稀氫氟酸)，且第2藥液為TMAH之例。又，圖3示出供給至中心噴嘴45之沖洗液為純水，且供給至中心噴嘴45之惰性氣體為氮氣之例。嚴格而言，TMAH為TMAH之水溶液，但以下只要未特別說明，則將TMAH之水溶液稱為TMAH。TMAH預先被調整溶存氧濃度。DHF亦預先被調整溶存氧濃度。供給至中心噴嘴45之沖洗液亦可為純水以外之沖洗液。供給至中心噴嘴45之惰性氣體亦可為氮氣以外之惰性氣體。

基板處理裝置1具備將第1藥液導引至中心噴嘴45之第1藥液配管50、介裝於第1藥液配管50之第1藥液閥51、將第2藥液導引至中心噴嘴45之第2藥液配管52、介裝於第2藥液配管52之第2藥液閥53、將沖洗液導引至中心噴嘴45之上沖洗液配管54及介裝於上沖洗液配管54之上沖洗液閥55。基板處理裝置1進而具備將氣體導引至中心噴嘴45之上氣體配管56、介裝於上氣體配管56之上氣體閥57、及對自上氣體配管56供給至中心噴嘴45之氣體之流量進行變更之上氣體流量調整閥58。

當打開第1藥液閥51時，第1藥液便會供給至中心噴嘴45，自於中心噴嘴45之下端開口之第1藥液吐出口46向下方吐出。當打開第2藥液閥53時，第2藥液便會供給至中心噴嘴45，自於中心噴嘴45之下端開口之第2藥液吐出口47向下方吐出。當打開上沖洗液閥55時，沖洗液便會供給至中心噴嘴45，自於中心噴嘴45之下端開口之上沖洗液吐出口48向下方吐出。藉此，將藥液或沖洗液供給至基板W之上表面。

當打開上氣體閥57時，由上氣體配管56導引之氮氣便會以與上氣體流量調整閥58之開度對應之流量供給至中心噴嘴45，自於中心噴嘴45之外周面開口之上氣體吐出口49向斜下方吐出。其後，氮氣一面於上筒狀通路39內沿圓周方向流動，一面於上筒狀通路39內向下方流動。到達上筒狀通路39之下端之氮氣自上筒狀通路39之下端向下方流出。其後，氮氣在基板W之上表面與阻斷構件33之下表面36L之間的空間向所有方向呈放射狀流動。藉此，由氮氣充滿基板W與阻斷構件33之間之空間，環境氣體中之氧濃度會減小。基板W與阻斷構件33之間之空間之氧濃度係根據上氣體閥57及上氣體流量調整閥58之開度而變更。

圖5係表示控制裝置3之硬體之方塊圖。

控制裝置3係包含電腦本體61、及連接於電腦本體61之周邊裝置64之電腦。電腦本體61包含執行各種命令之CPU 62(central processing unit：中央處理裝置)、及記憶資訊之主記憶裝置63。周邊裝置64包含記憶程式P等資訊之輔助記憶裝置65、自可移媒體M讀取資訊之讀取裝置66、及與主機電腦等其他裝置進行通訊之通訊裝置67。

控制裝置3連接於輸入裝置68及顯示裝置69。輸入裝置68係使用者或維護負責人等操作者向基板處理裝置1輸入資訊時被操作。資訊顯示於顯示裝置69之畫面。輸入裝置68可為鍵盤、指向裝置、及觸控面板中之任一者，亦可為該等以外之裝置。亦可將兼具輸入裝置68及顯示裝置69之觸控面板顯示器設置於基板處理裝置1。

CPU 62執行記憶於輔助記憶裝置65之程式P。輔助記憶裝置65內之程式P可為預先安裝於控制裝置3者，亦可為通過讀取裝置66自可移媒體M傳送至輔助記憶裝置65者，亦可為通過通訊裝置67自主機電腦等外部裝置傳送至輔助記憶裝置65者。

輔助記憶裝置65及可移媒體M係即便不被供給電力亦保持記憶之非揮發性記憶體。輔助記憶裝置65例如為硬碟驅動器等磁性記憶裝置。可移媒體M例如為密閉碟片(compact disk)等光碟或記憶卡等半導體記憶體。可移媒體M係記錄有程式P之電腦可讀取之記錄媒體之一例。

輔助記憶裝置65記憶有複數個配方。配方係規定基板W之處理內容、處理條件、及處理順序之資訊。複數個配方於基板W之處理內容、處理條件、及處理順序中之至少一者中互不相同。控制裝置3係以按照由主機電腦指定之配方而對基板W進行處理之方式控制基板處理裝置1。以下各步驟係藉由控制裝置3控制基板處理裝置1而執行。換言之，控制裝置3係以執行以下各步驟之方式被編程。

圖6係用以對由基板處理裝置1執行之基板W之處理之一例進行說明的步驟圖。

基板W之處理之具體例為向多晶矽膜露出之基板W之表面供給作為蝕刻液之一例的TMAH，並對多晶矽膜進行蝕刻之蝕刻處理。以下，參照圖1~圖4及圖6。

利用基板處理裝置1對基板W進行處理時，進行向腔室4內搬入基板W之搬入步驟(圖6之步驟S1)。

具體而言，於升降架32及阻斷構件33位於上位置，且所有防護罩25位於下位置之狀態下，中央機器人CR一面由手H1支撐基板W，一面使手H1進入至腔室4內。然後，中央機器人CR於使基板W之表面朝上之狀態下將手H1上之基板W放置於複數個夾頭銷11之上。其後，將複數個夾頭銷11壓抵於基板W之外周面，而固持基板W。中央機器人CR於將基板W放置於旋轉夾頭10之上後，使手H1自腔室4之內部退避。

接下來，打開上氣體閥57及下氣體閥21，阻斷構件33之上中央開口38及旋轉基座12之下中央開口18開始氮氣之吐出。藉此，減小與基板W接觸之環境氣體中之氧濃度。進而，阻斷構件升降單元31使升降架32自上位置下降至下位置，防護罩升降單元27使任一防護罩25自下位置上升至上位置。此時，旋轉基座12保持為俯視時複數個上支撐部43分別與複數個下支撐部44重疊之基準旋轉角。因此，由旋轉基座12之下支撐部44支撐阻斷構件33之上支撐部43，阻斷構件33離開升降架32。其後，驅動旋轉馬達14，開始基板W之旋轉(圖6之步驟S2)。

接下來，進行向基板W之上表面供給作為第1藥液之一例之DHF的第1藥液供給步驟(圖6之步驟S3)。

具體而言，於阻斷構件33位於下位置之狀態下打開第1藥液閥51，中心噴嘴45開始DHF之吐出。自中心噴嘴45吐出之DHF在著液於基板W之上表面中央部之後，沿著旋轉之基板W之上表面流向外側。藉此，形成覆蓋基板W之上表面之整個區域之DHF的液膜，從而將DHF供給至基板W之上表面之整個區域。當自打開第1藥液閥51起算經過既定時間時，關閉第1藥液閥51，停止DHF之吐出。

接下來，進行向基板W之上表面供給作為沖洗液之一例之純水的第1沖洗液供給步驟(圖6之步驟S4)。

具體而言，於阻斷構件33位於下位置之狀態下打開上沖洗液閥55，中心噴嘴45開始純水之吐出。著液於基板W之上表面中央部之純水沿著旋轉之基板W的上表面流向外側。基板W上之DHF利用自中心噴嘴45吐出之純水進行沖洗。藉此，形成覆蓋基板W之上表面之整個區域之純水的液膜。當自打開上沖洗液閥55起算經過既定時間時，關閉上沖洗液閥55，停止純水之吐出。

接下來，進行向基板W之上表面供給作為第2藥液之一例之TMAH的第2藥液供給步驟(圖6之步驟S5)。

具體而言，於阻斷構件33位於下位置之狀態下打開第2藥液閥53，中心噴嘴45開始TMAH之吐出。亦可於開始TMAH之吐出之前，防護罩升降單元27使至少一個防護罩25鉛直移動，以切換將自基板W排出之液體接住之防護罩25。著液於基板W之上表面中央部之TMAH沿著旋轉之基板W的上表面流向外側。基板W上之純水被置換為自中心噴嘴45吐出之TMAH。藉此，形成覆蓋基板W之上表面之整個區域之TMAH的液膜。當自打開第2藥液閥53起算經過既定時間時，關閉第2藥液閥53，停止TMAH之吐出。

接下來，進行向基板W之上表面供給作為沖洗液之一例之純水的第2沖洗液供給步驟(圖6之步驟S6)。

具體而言，於阻斷構件33位於下位置之狀態下打開上沖洗液閥55，中心噴嘴45開始純水之吐出。著液於基板W之上表面中央部之純水沿著旋轉之基板W的上表面流向外側。基板W上之TMAH利用自中心噴嘴45吐出之純水進行沖洗。藉此，形成覆蓋基板W之上表面之整個區域之純水的液膜。當自打開上沖洗液閥55起算經過既定時間時，關閉上沖洗液閥55，停止純水之吐出。

接下來，進行藉由基板W之旋轉而使基板W乾燥之乾燥步驟(圖6之步驟S7)。

具體而言，於阻斷構件33位於下位置之狀態下，旋轉馬達14使基板W沿旋轉方向加速，而使基板W以大於第1藥液供給步驟至第2沖洗液供給步驟之期間之基板W之旋轉速度的高旋轉速度(例如數千rpm)旋轉。藉此，將液體自基板W去除，基板W乾燥。當自開始基板W之高速旋轉起算經過既定時間時，旋轉馬達14停止旋轉。此時，旋轉馬達14以基準旋轉角使旋轉基座12停止。藉此，停止基板W之旋轉(圖6之步驟S8)。

接下來，進行將基板W自腔室4搬出之搬出步驟(圖6之步驟S9)。

具體而言，阻斷構件升降單元31使升降架32上升至上位置，防護罩升降單元27使所有防護罩25下降至下位置。進而，關閉上氣體閥57及下氣體閥21，阻斷構件33之上中央開口38及旋轉基座12之下中央開口18停止氮氣之吐出。其後，中央機器人CR使手H1進入至腔室4內。中央機器人CR於複數個夾頭銷11解除基板W之固持之後，由手H1支撐旋轉夾頭10上之基板W。其後，中央機器人CR一面由手H1支撐基板W，一面使手H1自腔室4之內部退避。藉此，將處理完畢之基板W自腔室4搬出。

圖7係表示藥液供給單元71、藥液回收單元81、濃度測定單元95、及溶存氧濃度變更單元之示意圖。於圖7中，由一點鏈線表示藥液櫃CC。於圖7中配置於由一點鏈線所包圍之區域之構件係配置於藥液櫃CC內。於以下說明中，將第2藥液簡稱為藥液。第2藥液之一例為TMAH。

基板處理裝置1具備將藥液供給至基板W之藥液供給單元71、及將供給至基板W之藥液回收至藥液供給單元71之藥液回收單元81。中心噴嘴45、第2藥液配管52、及第2藥液閥53包含於藥液供給單元71。基板處理裝置1進而具備對溶入至藥液之氣體之濃度進行測定之濃度測定單元95、及變更藥液之溶存氧濃度之溶存氧濃度變更單元。

藥液供給單元71包含貯存向基板W供給之藥液(於該例中為TMAH)之第1供給箱72A、及對第1供給箱72A內之藥液之量進行檢測之第1液面感測器73A。藥液供給單元71進而包含形成使第1供給箱72A內之藥液循環之環狀的循環路徑之第1循環配管74A、將第1供給箱72A內之藥液輸送至第1循環配管74A之第1泵75A、及自流經循環路徑之藥液將微粒等異物去除之第1過濾器76A。

第1循環配管74A之上游端及下游端連接於第1供給箱72A。第1泵75A及第1過濾器76A介裝於第1循環配管74A。藥液利用第1泵75A而自第1供給箱72A輸送至第1循環配管74A之上游端，並自第1循環配管74A之下游端返回至第1供給箱72A。藉此，第1供給箱72A內之藥液於循環路徑中循環。第2藥液配管52之上游端連接於第1循環配管74A。當打開第2藥液閥53時，流經第1循環配管74A內之藥液之一部分便會經由第2藥液配管52而供給至中心噴嘴45。

藥液供給單元71亦可包含藉由藥液之加熱或冷卻而變更第1供給箱72A內之藥液之溫度的第1溫度調節器77A、及對利用第1溫度調節器77A調節溫度後之藥液之溫度進行測定之第1溫度計78A。第1溫度調節器77A及第1溫度計78A介裝於第1循環配管74A。第1溫度調節器77A之溫度係基於第1溫度計78A之測定值而變更。藉此，將第1供給箱72A內之藥液之溫度維持於設定溫度。

圖7示出第1溫度調節器77A係將液體加熱為高於室溫(例如20~30℃)之溫度之加熱器，且第1溫度計78A對第1循環配管74A內之藥液之溫度進行測定之例。第1溫度調節器77A可為將液體冷卻為低於室溫之溫度之冷卻器，亦可具有加熱及冷卻之兩種功能。又，第1溫度調節器77A亦可配置於第1供給箱72A內。第1溫度計78A亦可對第1供給箱72A內之藥液之溫度進行測定。

藥液回收單元81包含貯存自處理單元2回收之藥液之上游回收箱84、及貯存自上游回收箱84回收之藥液之下游回收箱89。藥液回收單元81進而包含自處理單元2向上游回收箱84導入藥液之上游配管82、自上游回收箱84向下游回收箱89導入藥液之中間配管 87、及自下游回收箱89向第1供給箱72A導入藥液之下游配管90。上游回收箱84及下游回收箱89係暫時貯存自處理單元2回收至第1供給箱72A之藥液之回收箱。

圖7示出將上游回收箱84配置於處理單元2之下，且將下游回收箱89配置於藥液櫃CC之中之例。上游回收箱84可配置於基板處理裝置1之外壁1a(參照圖1)之中，亦可配置於基板處理裝置1之外壁1a外。又，上游回收箱84可經由上游配管82而連接於複數個處理單元2，亦可經由上游配管82而僅連接於1個處理單元2。於前者之情形時，上游回收箱84可僅連接於相同之塔中所包含之所有處理單元2，亦可連接於基板處理裝置1中所包含之所有處理單元2。

上游配管82之上游端連接於處理杯23之任一杯26。上游配管82之下游端連接於上游回收箱84。中間配管87之上游端連接於上游回收箱84。中間配管87之下游端連接於下游回收箱89。藥液回收單元81包含將上游配管82之內部開閉之上游閥83、及通過中間配管87而將上游回收箱84內之藥液輸送至下游回收箱89之上游泵88。

供給至基板W之藥液自連接於上游配管82之杯26流向上游配管82。關閉上游閥83時，自杯26流入至上游配管82之藥液由上游閥83阻截。打開上游閥83時，杯26內之藥液通過上游配管82而流入至上游回收箱84內。此時，上游回收箱84內之氣體經由通氣配管86而向基板處理裝置1之外部排出。

上游回收箱84內之藥液利用上游泵88而自上游回收箱84輸送至中間配管87，並流入至下游回收箱89。藉此，上游回收箱84內之藥液通過中間配管87而回收至下游回收箱89。上游回收箱84內之藥液利用上游泵88而輸送至中間配管87時，空氣經由通氣配管86而流入至上游回收箱84。

下游回收箱89連接於下游配管90之上游端。下游配管90之下游端連接於第1供給箱72A。藥液回收單元81包含將下游配管90之內部開閉之下游閥93。藥液回收單元81進而包含通過下游配管90而將下游回收箱89內之藥液輸送至第1供給箱72A之下游泵91、自流經下游配管90內之藥液將異物去除之下游過濾器92、及將下游配管90內之藥液導引至下游回收箱89之回流配管94。

下游泵91及下游過濾器92介裝於下游配管90。回流配管94之上游端連接於下游配管90。回流配管94之下游端連接於下游回收箱89。下游泵91及下游過濾器92配置於下游閥93之上游。同樣地，回流配管94之上游端配置於下游閥93之上游。回流配管94之上游端配置於下游泵91之下游。

打開下游閥93時，利用下游泵91而自下游回收箱89輸送至下游配管90之藥液之一部分通過下游配管90而向第1供給箱72A供給，其餘之藥液通過回流配管94而返回至下游回收箱89。關閉下游閥93時，利用下游泵91而自下游回收箱89輸送至下游配管90之藥液全部通過回流配管94而返回至下游回收箱89。因此，關閉下游閥93時，下游回收箱89內之藥液於由下游配管90及回流配管94形成之環狀的循環路徑中循環。

濃度測定單元95包含對第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度進行測定之第1氧濃度計96、及對下游回收箱89內之藥液之溶存氧濃度進行測定之第2氧濃度計98。圖7示出第1氧濃度計96及第2氧濃度計98於第1供給箱72A及下游回收箱89外對藥液之溶存氧濃度進行測定之例。於該例中，濃度測定單元95包含導引自第1供給箱72A送出之藥液之第1測定配管97、及導引自下游回收箱89送出之藥液之第2測定配管99。第1氧濃度計96亦可於第1供給箱72A中對藥液之溶存氧濃度進行測定。同樣地，第2氧濃度計98亦可於下游回收箱89中對藥液之溶存氧濃度進行測定。

第1氧濃度計96介裝於第1測定配管97。第2氧濃度計98介裝於第2測定配管99。第1氧濃度計96及第2氧濃度計98亦可分別介裝於第1循環配管74A及下游配管90。於該情形時，亦可將第1測定配管97及第2測定配管99省略。第1測定配管97之上游端連接於第1過濾器76A。第2測定配管99之上游端於下游閥93之上游之位置連接於下游配管90。第1測定配管97及第2測定配管99之下游端連接於排放箱100。第1測定配管97之上游端亦可連接於第1循環配管74A。第2測定配管99之上游端亦可連接於下游過濾器92。

溶存氧濃度變更單元包含使氧濃度低於空氣之調整氣體溶入至藥液之氣體溶解裝置101。調整氣體包含具有較空氣中之氧濃度低之氧濃度之低氧氣體。低氧氣體可為氮氣等惰性氣體，亦可為惰性氣體與除此以外之氣體之混合氣體。調整氣體除了包含低氧氣體以外，還包含藥液中所含有之物質。以下，對在調整氣體中包含TMAH(無水物)及水(H₂O)之兩者之例進行說明。因此，於調整氣體中，除了包含低氧氣體以外，還包含2種物質(TMAH及H₂O)。

氣體溶解裝置101包含貯存藥液(於該例中為TMAH)之第1氣體產生箱122、向第1氣體產生箱122內供給低氧氣體之第1上游氣體供給配管123、及向第1供給箱72A供給於第1氣體產生箱122內產生之調整氣體之第1下游氣體供給配管121。氣體溶解裝置101亦可具備介裝於第1上游氣體供給配管123之第1止回閥124。於該情形時，利用第1止回閥124防止氣體於第1上游氣體供給配管123中之逆流(氣體向遠離第1上游氣體供給配管123之氣體吐出口123p之方向之流動)。

第1上游氣體供給配管123之氣體吐出口123p配置於第1氣體產生箱122內之藥液中。當自第1上游氣體供給配管123之氣體吐出口123p吐出低氧氣體時，低氧氣體於第1氣體產生箱122內之藥液中形成多個氣泡。其後，低氧氣體於藥液中浮起至藥液之液面，與藥液之液面上之氣體相混合。於至此為止之過程中，藥液之蒸氣或霧分散於低氧氣體中。藉此，於第1氣體產生箱122內產生包含低氧氣體及藥液之調整氣體。

第1氣體產生箱122內之調整氣體流入至設置有氣體之入口之第1下游氣體供給配管121的上游端。第1下游氣體供給配管121之上游端連接於第1氣體產生箱122。第1下游氣體供給配管121之上游端配置於較第1氣體產生箱122內之藥液之液面更上方。只要第1氣體產生箱122內之氣體流入至第1下游氣體供給配管121，則第1下游氣體供給配管121之上游端可配置於第1氣體產生箱122中，亦可配置於第1氣體產生箱122之表面。

第1下游氣體供給配管121之氣體吐出口121p配置於第1供給箱72A內之藥液中。只要將自第1下游氣體供給配管121之氣體吐出口121p吐出之調整氣體供給至第1供給箱72A內，則第1下游氣體供給配管121之氣體吐出口121p亦可配置於較第1供給箱72A內之藥液之液面更上方。自第1下游氣體供給配管121之氣體吐出口121p吐出之調整氣體於第1供給箱72A內之藥液中形成多個氣泡。其後，調整氣體於藥液中浮起至藥液之液面，與藥液之液面上之氣體相混合。

供給至第1供給箱72A內之調整氣體之一部分溶入至第1供給箱72A內之藥液。溶存氧等溶存氣體係藉由調整氣體之溶解而自第1供給箱72A內之藥液排出。調整氣體係以氧濃度低於空氣之低氧氣體為主成分之氣體。因此，第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度藉由調整氣體之溶解而下降。藉此，溶存氧濃度較低之藥液自第1供給箱72A供給至中心噴嘴45。

氣體溶解裝置101包含貯存藥液(於該例中為TMAH)之第2氣體產生箱132、向第2氣體產生箱132內供給低氧氣體之第2上游氣體供給配管133、及向下游回收箱89供給於第2氣體產生箱132內產生之調整氣體之第2下游氣體供給配管131。氣體溶解裝置101亦可具備介裝於第2上游氣體供給配管133之第2止回閥134。於該情形時，利用第2止回閥134防止氣體於第2上游氣體供給配管133中之逆流(氣體向遠離第2上游氣體供給配管133之氣體吐出口133p之方向之流動)。

第2上游氣體供給配管133之氣體吐出口133p配置於第2氣體產生箱132內之藥液中。當自第2上游氣體供給配管133之氣體吐出口133p吐出低氧氣體時，低氧氣體於第2氣體產生箱132內之藥液中形成多個氣泡。其後，低氧氣體於藥液中浮起至藥液之液面，與藥液之液面上之氣體相混合。於至此為止之過程中，藥液之蒸氣或霧分散於低氧氣體中。藉此，於第2氣體產生箱132內產生包含低氧氣體及藥液之調整氣體。

第2氣體產生箱132內之調整氣體流入至設置有氣體之入口之第2下游氣體供給配管131的上游端。第2下游氣體供給配管131之上游端連接於第2氣體產生箱132。第2下游氣體供給配管131之上游端配置於較第2氣體產生箱132內之藥液之液面更上方。只要第2氣體產生箱132內之氣體流入至第2下游氣體供給配管131，則第2下游氣體供給配管131之上游端可配置於第2氣體產生箱132中，亦可配置於第2氣體產生箱132之表面。

第2下游氣體供給配管131之氣體吐出口131p配置於下游回收箱89內之藥液中。只要將自第2下游氣體供給配管131之氣體吐出口131p吐出之調整氣體供給至下游回收箱89內，則第2下游氣體供給配管131之氣體吐出口131p亦可配置於較下游回收箱89內之藥液之液面更上方。自第2下游氣體供給配管131之氣體吐出口131p吐出之調整氣體於下游回收箱89內之藥液中形成多個氣泡。其後，調整氣體於藥液中浮起至藥液之液面，與藥液之液面上之氣體相混合。

供給至下游回收箱89內之調整氣體之一部分溶入至下游回收箱89內之藥液。溶存氧等溶存氣體係藉由調整氣體之溶解而自下游回收箱89內之藥液排出。調整氣體係以氧濃度低於空氣之低氧氣體為主成分之氣體。因此，下游回收箱89內之藥液之溶存氧濃度藉由調整氣體之溶解而下降。藉此，溶存氧濃度較低之藥液自下游回收箱89供給至第1供給箱72A。

第1氣體產生箱122及第1上游氣體供給配管123包含於產生第1調整氣體之第1氣體產生器。第2氣體產生箱132及第2上游氣體供給配管133包含於產生第2調整氣體之第2氣體產生器。於本實施形態中，第2氣體產生箱132相當於事前氣體產生箱。因此，第2氣體產生箱132內之藥液相當於事前調整液，於第2氣體產生箱 132產生之調整氣體相當於事前調整氣體。

氣體溶解裝置101包含將惰性氣體導引至第1上游氣體供給配管123之第1惰性氣體配管103、於惰性氣體自第1惰性氣體配管103流向第1上游氣體供給配管123之打開狀態與惰性氣體在第1惰性氣體配管103被阻截之關閉狀態之間進行開閉的第1惰性氣體閥104、及對自第1惰性氣體配管103供給至第1上游氣體供給配管123之惰性氣體之流量進行變更之第1惰性氣體流量調整閥105。

同樣地，氣體溶解裝置101包含將惰性氣體導引至第2上游氣體供給配管133之第2惰性氣體配管110、於惰性氣體自第2惰性氣體配管110流向第2上游氣體供給配管133之打開狀態與惰性氣體在第2惰性氣體配管110被阻截之關閉狀態之間進行開閉的第2惰性氣體閥111、及對自第2惰性氣體配管110供給至第2上游氣體供給配管133之惰性氣體之流量進行變更之第2惰性氣體流量調整閥112。

亦可為，氣體溶解裝置101除了包含第1惰性氣體配管103等以外，還包含將潔淨空氣等含有氧之含氧氣體導引至第1上游氣體供給配管123之第1含氧氣體配管106、於含氧氣體自第1含氧氣體配管106流向第1上游氣體供給配管123之打開狀態與含氧氣體在第1含氧氣體配管106被阻截之關閉狀態之間進行開閉的第1含氧氣體閥107、及對自第1含氧氣體配管106供給至第1上游氣體供給配管123之含氧氣體之流量進行變更之第1含氧氣體流量調整閥108。

同樣地，亦可為，氣體溶解裝置101除了包含第2惰性氣體配管110等以外，還包含將潔淨空氣等含有氧之含氧氣體導引至第2上游氣體供給配管133之第2含氧氣體配管113、於含氧氣體自第2含氧氣體配管113流向第2上游氣體供給配管133之打開狀態與含氧氣體在第2含氧氣體配管113被阻截之關閉狀態之間進行開閉的第2含氧氣體閥114、及對自第2含氧氣體配管113供給至第2上游氣體供給配管133之含氧氣體之流量進行變更之第2含氧氣體流量調整閥115。

當打開第1惰性氣體閥104時，即，當將第1惰性氣體閥104自關閉狀態切換至打開狀態時，作為惰性氣體之一例之氮氣便會以與第1惰性氣體流量調整閥105之開度對應之流量自第1惰性氣體配管103向第1上游氣體供給配管123供給。同樣地，當打開第1含氧氣體閥107時，作為含氧氣體之一例之空氣便會以與第1含氧氣體流量調整閥108之開度對應之流量自第1含氧氣體配管106向第1上游氣體供給配管123供給。當打開第1惰性氣體閥104及第1含氧氣體閥107之兩者時，氮氣及空氣之混合氣體便會向第1上游氣體供給配管123供給。

第1氣體產生箱122為密閉之箱。當自第1上游氣體供給配管123向第1氣體產生箱122供給氣體時，與供給至第1氣體產生箱122之氣體相同量之氣體便會自第1氣體產生箱122向第1下游氣體供給配管121排出。因此，藉由對第1惰性氣體流量調整閥105及第1含氧氣體流量調整閥108之開度進行調整，能夠精密地控制供給至第1供給箱72A內之調整氣體之流量。藉此，能夠精密地控制第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度。

與第1氣體產生箱122同樣地，第2氣體產生箱132為密閉之箱。當打開第2惰性氣體閥111時，氮氣便會以與第2惰性氣體流量調整閥112之開度對應之流量自第2惰性氣體配管110向第2上游氣體供給配管133供給。當打開第2含氧氣體閥114時，空氣便會以與第2含氧氣體流量調整閥115之開度對應之流量自第2含氧氣體配管113向第2上游氣體供給配管133供給。因此，藉由對第2惰性氣體流量調整閥112及第2含氧氣體流量調整閥115之開度進行調整，能夠精密地控制供給至下游回收箱89內之調整氣體之流量。

控制裝置3可不斷向第1供給箱72A中供給調整氣體，亦可僅於需要時向第1供給箱72A中供給調整氣體。同樣地，控制裝置3可不斷向下游回收箱89中供給調整氣體，亦可僅於需要時向下游回收箱89中供給調整氣體。控制裝置3藉由基於第1氧濃度計96之測定值變更調整氣體之流量及組成，而將第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度維持於最終濃度範圍內之值。亦可為，控制裝置3藉由基於第2氧濃度計98之測定值變更調整氣體之流量及組成，而將下游回收箱89內之藥液之溶存氧濃度維持於中間濃度範圍內之值。

氣體溶解裝置101包含將第1供給箱72A內之氣體排出之第1氣體排出配管125。設置有氣體之入口之第1氣體排出配管125之上游端連接於第1供給箱72A。設置有氣體之出口之第1氣體排出配管125之下游端配置於維持在大氣壓之空間中。因此，第1供給箱72A內之氣壓維持於大氣壓或其附近之值。氣體溶解裝置101亦可具備僅於第1供給箱72A內之氣壓為設定壓以上時，將第1供給箱72A內之氣體向第1氣體排出配管125排出之洩放閥。

氣體溶解裝置101包含將下游回收箱89內之氣體排出之第2氣體排出配管135。設置有氣體之入口之第2氣體排出配管135之上游端連接於下游回收箱89。設置有氣體之出口之第2氣體排出配管135之下游端配置於維持在大氣壓之空間中。因此，下游回收箱89內之氣壓維持於大氣壓或其附近之值。氣體溶解裝置101亦可具備僅於下游回收箱89內之氣壓為設定壓以上時，將下游回收箱89內之氣體向第2氣體排出配管135排出之洩放閥。

第1氣體排出配管125包含自第1供給箱72A向上方延伸之第1上升配管126。同樣地，第2氣體排出配管135包含自下游回收箱89向上方延伸之第2上升配管136。第1上升配管126只要自第1供給箱72A向上方延伸，則可為鉛直，亦可相對於水平面傾斜。又，第1上升配管126可為直線狀、摺線狀、及曲線狀中之任一種。第2上升配管136亦相同。第1上升配管126之上游端相當於第1上升配管126之最上端。第2上升配管136之上游端相當於第2上升配管136之最上端。

基板處理裝置1包含將自第1供給箱72A排出至第1氣體排出配管125之排出氣體冷卻之第1冷卻器127、及將自下游回收箱89排出至第2氣體排出配管135之排出氣體冷卻之第2冷卻器137。圖7示出將第1冷卻器127安裝於第1上升配管126，且將第2冷卻器137安裝於第2上升配管136之例。於該例中，利用第1冷卻器127將第1上升配管126內之排出氣體冷卻，利用第2冷卻器137將第2上升配管136內之排出氣體冷卻。

圖8A係水平觀察安裝於第1上升配管126之第1冷卻器127之外觀所得之示意圖。圖8B係表示第1上升配管126及第1供給箱72A之鉛直剖面之示意圖。第2冷卻器137具備與第1冷卻器127相同之構成。第2冷卻器137和第2上升配管136之位置關係等與第1冷卻器127和第1上升配管126之位置關係等相同。因此，以下對第 1冷卻器127進行說明，將第2冷卻器137之說明省略。

如圖8A所示，第1冷卻器127包含導引較室溫更低溫之冷卻流體之第1冷卻管128。第1冷卻管128呈螺旋狀捲繞於第1上升配管126。第1冷卻管128與第1上升配管126之外周面相接。冷卻流體始終流經第1上升配管126內，並經由第1冷卻管128而將第1上升配管126冷卻。冷卻流體可為冷卻水等冷卻液，亦可為冷卻氣體。

於自第1供給箱72A排出至第1上升配管126之排出氣體中，不僅包含低氧氣體，還包含藥液之蒸氣或霧。當將第1上升配管126內之排出氣體冷卻時，藥液之蒸氣變成液滴，或者藥液之霧中所包含之液滴變大。因此，如圖8B所示，藥液之液滴附著於第1上升配管126之內周面。於第2上升配管136中亦相同，藥液之液滴附著於第2上升配管136之內周面。

第1上升配管126係使藥液之液滴返回至第1供給箱72A之第1再循環配管之一例。第2上升配管136係使藥液之液滴返回至下游回收箱89之第2再循環配管之一例。如圖8B所示，當藥液之液滴變大某程度時，藉由本身重量沿著第1上升配管126之內周面而向第1供給箱72A之方向流動，並掉落至第1供給箱72A內之藥液。同樣地，當藥液之液滴變大某程度時，掉落至下游回收箱89內之藥液。藉此，能夠降低第1供給箱72A及下游回收箱89內之藥液之減少量。

圖9係表示自向第1供給箱72A供給新的藥液起至將第1供給箱72A內之藥液排出為止之流程之一例的流程圖。以下所說明之動作等係藉由控制裝置3對基板處理裝置1進行控制而執行。換言之，控制裝置3係以執行以下動作等之方式被編程。以下，參照圖7 及圖9。

利用基板處理裝置1開始圖6所示之基板W之處理時，向第1供給箱72A、上游回收箱84、第1氣體產生箱122、第2氣體產生箱132供給未調整溶存氧濃度之藥液(作為第2藥液之一例之TMAH)(圖9之步驟S11)。

當第1供給箱72A內之液量高於下限值時，控制裝置3打開第1惰性氣體閥104，開始向第1氣體產生箱122供給氮氣。同樣地，控制裝置3打開第2惰性氣體閥111，開始向第2氣體產生箱132供給氮氣。藉此，於第1氣體產生箱122及第2氣體產生箱132開始藥液之起泡。伴隨於此，於第1氣體產生箱122及第2氣體產生箱132開始產生包含氮氣及藥液之調整氣體(圖9之步驟S12)。

於第1氣體產生箱122產生之調整氣體供給至第1供給箱72A。於第2氣體產生箱132產生之調整氣體供給至下游回收箱89。因此，當開始向第1氣體產生箱122及第2氣體產生箱132供給氮氣時，便會開始向第1供給箱72A及下游回收箱89供給調整氣體。藉此，於第1供給箱72A及下游回收箱89開始藥液之起泡(圖9之步驟S13)。

當開始向第1供給箱72A供給調整氣體時，第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度便會隨著時間之經過而下降。同樣地，當開始向下游回收箱89供給調整氣體時，下游回收箱89內之藥液之溶存氧濃度便會隨著時間之經過而下降。當自開始調整溶存氧濃度起算經過既定時間時，控制裝置3基於第1氧濃度計96之測定值而確認第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度是否為最終濃度範圍內(圖9之步驟S14)。

於第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度不為最終濃度範圍內之情形時(於圖9之步驟S14中為No)，控制裝置3於經過既定時間之後，再次確認第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度是否為最終濃度範圍內。亦可於再次確認藥液之溶存氧濃度之前，控制裝置3變更向第1氣體產生箱122供給之氮氣之流量，或者向第1氣體產生箱122供給氮氣與空氣之混合氣體。

於第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度為最終濃度範圍內之情形時(於圖9之步驟S14中為Yes)，控制裝置3打開第2藥液閥53，開始自第1供給箱72A向中心噴嘴45供給藥液(圖9之步驟S15)。當自打開第2藥液閥53起算經過既定時間時，控制裝置3關閉第2藥液閥53，停止向中心噴嘴45供給藥液。藉此，進行向基板W之上表面供給作為第2藥液之一例之TMAH的第2藥液供給步驟(圖6之步驟S5)。

於中心噴嘴45吐出藥液之期間，自基板W排出之藥液經由防護罩25、杯26、及上游配管82而向上游回收箱84供給。上游回收箱84內之藥液利用中間配管87而向下游回收箱89供給。藉此，自基板W排出之藥液回收至下游回收箱89，於下游回收箱89中溶存氧濃度得到調整。下游回收箱89內之藥液視需要向第1供給箱72A供給。

於對1片基板W供給藥液結束之後，控制裝置3判斷是否應將第1供給箱72A內之藥液更換為新的藥液(圖9之步驟S16)。是否更換藥液可基於藥液之使用時間與基板W之處理片數中之至少一者來判斷，亦可基於除此以外之基準來判斷。或者亦可於基板處理裝置1之使用者將藥液更換指令輸入至輸入裝置68(參照圖5)時，更換第1 供給箱72A內之藥液。

於亦可不將第1供給箱72A內之藥液更換為新的藥液之情形時(於圖9之步驟S16中為No)，控制裝置3再次確認第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度是否為最終濃度範圍內(圖9之步驟S14)。若第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度為最終濃度範圍內(於圖9之步驟S14中為Yes)，則控制裝置3打開第2藥液閥53，開始自第1供給箱72A向中心噴嘴45供給藥液(圖9之步驟S16)。藉此，作為第2藥液之一例之TMAH供給至另一基板W。

於應將第1供給箱72A內之藥液更換為新的藥液之情形時(於圖9之步驟S16中為Yes)，控制裝置3關閉第1惰性氣體閥104，停止向第1氣體產生箱122供給氮氣。同樣地，控制裝置3關閉第2惰性氣體閥111，停止向第2氣體產生箱132供給氮氣。於第1含氧氣體閥107與第2含氧氣體閥114中之至少一者打開之情形時，控制裝置3亦將打開之閥(第1含氧氣體閥107與第2含氧氣體閥114中之至少一者)關閉。藉此，停止於第1氣體產生箱122及第2氣體產生箱132中之藥液之起泡(圖9之步驟S17)。因此，停止於第1氣體產生箱122及第2氣體產生箱132產生調整氣體。

當停止於第1氣體產生箱122產生調整氣體時，調整氣體對第1供給箱72A之供給亦會停止。同樣地，當停止於第2氣體產生箱132產生調整氣體時，調整氣體對下游回收箱89之供給亦會停止。因此，當停止向第1氣體產生箱122及第2氣體產生箱132供給氮氣時，向第1供給箱72A及下游回收箱89供給調整氣體便會停止。藉此，停止於第1供給箱72A及下游回收箱89中之藥液之起泡(圖9之步驟S18)。

於停止向第1氣體產生箱122及第2氣體產生箱132供給氮氣之後，將第1氣體產生箱122及第2氣體產生箱132內之藥液排出(圖9之步驟S19)。同樣地，將第1供給箱72A及下游回收箱89內之藥液排出(圖9之步驟S19)。其後，再次向第1供給箱72A、上游回收箱84、第1氣體產生箱122、第2氣體產生箱132供給未調整溶存氧濃度之藥液(圖9之步驟S11)。藉此，既有之藥液被更換為新的藥液。

如此，對第1供給箱72A不僅供給低氧氣體，還供給包含微量之藥液之調整氣體。於自第1供給箱72A向第1氣體排出配管125排出之排出氣體中亦包含微量之藥液。調整氣體中所包含之藥液溶入至第1供給箱72A內之藥液。進而，調整氣體中之藥液之濃度與排出氣體中之藥液的濃度相等或大致相等。因此，能夠抑制第1供給箱72A內之藥液之減少，並且調整第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度。

同樣地，對下游回收箱89不僅供給低氧氣體，還供給包含微量之藥液之調整氣體。於自下游回收箱89向第2氣體排出配管135排出之排出氣體中亦包含微量之藥液。調整氣體中所包含之藥液溶入至下游回收箱89內之藥液。進而，調整氣體中之藥液之濃度與排出氣體中之藥液的濃度相等或大致相等。因此，能夠抑制下游回收箱89內之藥液之減少，並且調整下游回收箱89內之藥液之溶存氧濃度。

另一方面，由於對第1氣體產生箱122僅供給低氧氣體，故而當持續藥液之起泡時，第1氣體產生箱122內之藥液便會逐漸減少。供給至第1氣體產生箱122之新的藥液之量較佳為，較自向第1供給箱72A供給新的藥液起至停止該藥液之使用為止之期間所減少之第1氣體產生箱122內之藥液的量多。於該情形時，亦可於自向第1供給箱72A供給新的藥液起至停止該藥液之使用為止之期間，不向第1氣體產生箱122補充新的藥液。

同樣地，由於對第2氣體產生箱132僅供給低氧氣體，故而當持續藥液之起泡時，第2氣體產生箱132內之藥液便會逐漸減少。供給至第2氣體產生箱132之新的藥液之量較佳為，較自向下游回收箱89供給新的藥液起至停止該藥液之使用為止之期間所減少之第2氣體產生箱132內之藥液的量多。於該情形時，亦可於自向下游回收箱89供給新的藥液起至停止該藥液之使用為止之期間，不向第2氣體產生箱132補充新的藥液。

如上，於第1實施形態中，將具有較空氣中之氧濃度低之氧濃度之低氧氣體供給至第1氣體產生箱122內。於第1氣體產生箱122貯存有相當於第1液體之藥液。低氧氣體於第1氣體產生箱122內之藥液中分散，形成多個氣泡。其後，低氧氣體於藥液中浮起至藥液之液面，與藥液之液面上之氣體相混合。於至此為止之過程中，藥液之蒸氣或霧分散於低氧氣體中。藉此，產生包含低氧氣體及藥液之調整氣體。

調整氣體供給至貯存相當於第1處理液之藥液之第1供給箱72A，溶解於第1供給箱72A內之藥液。於調整氣體中包含低氧氣體。因此，藉由調整氣體之溶解，而將藥液中之氧排出，藥液之溶存氧濃度下降。藉此，第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度得到調整。

進而，由於在調整氣體與藥液中均包含相同之物質(TMAH(無水物)及水(H₂O))，故而即便持續向第1供給箱72A供給調整氣體，第1供給箱72A內之藥液亦難以減少。藉此，能夠使向第1 供給箱72A供給新的藥液之頻率下降。進而，能夠抑制藥液之濃度變化。藉此，能夠抑制伴隨時間之經過而造成之基板W之品質的變化。

於本實施形態中，將不包含藥液之低氧氣體供給至第1氣體產生箱122內。如上所述，低氧氣體於第1氣體產生箱122內之藥液中形成多個氣泡，並於藥液中浮起至藥液之液面。藉此，產生藥液之濃度較高之調整氣體(例如，藥液之濃度為飽和濃度或其附近之調整氣體)。而且，將藥液之濃度較高之調整氣體供給至第1供給箱72A。藉此，能夠有效降低第1供給箱72A內之藥液之減少量。

於本實施形態中，不僅於第1供給箱72A，於第1氣體產生箱122亦貯存有藥液。因此，於第1氣體產生箱122產生包含藥液之調整氣體，並將其供給至第1供給箱72A。即便調整氣體之液體成分溶入至藥液，第1供給箱72A內之藥液之濃度亦不變或幾乎不變。藉此，能夠抑制第1供給箱72A內之藥液之濃度變化。

於本實施形態中，將自第1供給箱72A供給至基板W之藥液經由下游回收箱89而回收至第1供給箱72A。供給至基板W之藥液之溶存氧濃度發生變化。因此，於將藥液回收至第1供給箱72A之前，使包含低氧氣體之調整氣體溶解於下游回收箱89內之藥液。藉此，能夠使下游回收箱89內之藥液之溶存氧濃度接近第1供給箱72A內之藥液的溶存氧濃度。進而，於調整氣體中，不僅包含低氧氣體，亦包含藥液。因此，能夠抑制下游回收箱89內之藥液之減少，並且對下游回收箱89內之藥液之溶存氧濃度進行調整。

於本實施形態中，一面使調整氣體流入至第1供給箱72A內，一面將第1供給箱72A內之氣體自第1供給箱72A排出。於自第1供給箱72A排出之排出氣體中包含藥液之蒸氣或霧。排出氣體於自第1供給箱72A向上方延伸之第1上升配管126內冷卻。排出氣體中所包含之藥液之一部分附著於第1上升配管126之內周面。當藥液之液滴變大某程度時，藥液之液滴藉由本身重量沿著第1上升配管126之內周面而向第1供給箱72A之方向流動，並掉落至第1供給箱72A內之藥液。藉此，能夠使排出氣體中所包含之藥液返回至第1供給箱72A。

於本實施形態中，一面使調整氣體流入至下游回收箱89內，一面將下游回收箱89內之氣體自下游回收箱89排出。於自下游回收箱89排出之排出氣體中包含藥液之蒸氣或霧。排出氣體於自下游回收箱89向上方延伸之第2上升配管136內冷卻。排出氣體中所包含之藥液之一部分附著於第2上升配管136之內周面。當藥液之液滴變大某程度時，藥液之液滴藉由本身重量沿著第2上升配管136之內周面而向下游回收箱89之方向流動，並掉落至下游回收箱89內之藥液。藉此，能夠使排出氣體中所包含之藥液返回至下游回收箱89。

[第2實施形態]

接下來，對第2實施形態進行說明。第2實施形態相對於第1實施形態，其主要不同點在於：設置有貯存向基板W供給之處理液之複數個供給箱，將該等供給箱內之處理液於供給至基板W之前混合。

圖10係表示第2實施形態之藥液供給單元71及氣體溶解裝置101之示意圖。於圖10中，對與上述圖1~圖9所示之構成同等之構成，標註與圖1等相同之參照符號並省略其說明。

如圖10所示，藥液供給單元71除了具備第1供給箱72A以外，還具備第2供給箱72B。於圖10中，「X」表示第1處理液，「Y」表示第2處理液。因此，於第1供給箱72A及第1氣體產生箱122貯存有第1處理液，於第2供給箱72B及第2氣體產生箱132貯存有第2處理液。第1處理液之一例為TMAH(TMAH之水溶液)，第2處理液之一例為水(H₂O)。TMAH(無水物)係第1物質之一例，水(H₂O)係第2物質之一例。

於第1氣體產生箱122產生之調整氣體供給至第1供給箱72A。藉此，第1供給箱72A內之第1處理液之溶存氧濃度得到調整。同樣地，於第2氣體產生箱132產生之調整氣體供給至第2供給箱72B。藉此，第2供給箱72B內之第2處理液之溶存氧濃度得到調整。第1供給箱72A內之氣體排出至第1氣體排出配管125，第2供給箱72B內之氣體排出至第2氣體排出配管135。

藥液供給單元71包含對第2供給箱72B內之第2處理液之量進行檢測之第2液面感測器73B、形成使第2供給箱72B內之第2處理液循環之環狀的循環路徑之第2循環配管74B、將第2供給箱72B內之第2處理液輸送至第2循環配管74B之第2泵75B、及自流經循環路徑之第2處理液將微粒等異物去除之第2過濾器76B。

第2循環配管74B之上游端及下游端連接於第2供給箱72B。第2泵75B及第2過濾器76B介裝於第2循環配管74B。第2處理液利用第2泵75B自第2供給箱72B輸送至第2循環配管74B之上游端，並自第2循環配管74B之下游端返回至第2供給箱72B。藉此，第2供給箱72B內之第2處理液於循環路徑中循環。

藥液供給單元71亦可包含藉由第2處理液之加熱或冷卻而變更第2供給箱72B內之第2處理液之溫度的第2溫度調節器77B、及對利用第2溫度調節器77B調節溫度後之第2處理液之溫度進行測定之第2溫度計78B。第2溫度調節器77B及第2溫度計78B介裝於第2循環配管74B。第2溫度調節器77B之溫度基於第2溫度計78B之測定值而變更。藉此，將第2供給箱72B內之第2處理液之溫度維持於設定溫度。

藥液供給單元71包含將第1循環配管74A內之第1處理液導引至第2藥液配管52之第1個別配管70A、對自第1個別配管70A供給至第2藥液配管52之第1處理液之流量進行變更之第1流量調整閥79A、及介裝於第1個別配管70A之第1開閉閥80A。藥液供給單元71進而包含將第2循環配管74B內之第2處理液導引至第2藥液配管52之第2個別配管70B、對自第2個別配管70B供給至第2藥液配管52之第2處理液之流量進行變更之第2流量調整閥79B、及介裝於第2個別配管70B之第2開閉閥80B。

第1循環配管74A內之第1處理液係以與第1流量調整閥79A之開度對應之流量向第2藥液配管52供給。同樣地，第2循環配管74B內之第2處理液係以與第2流量調整閥79B之開度對應之流量向第2藥液配管52供給。第1處理液與第2處理液在相當於集合配管之第2藥液配管52內混合，並自中心噴嘴45吐出。藉此，第1處理液與第2處理液之混合液供給至基板W。

第1處理液及第2處理液之混合液相當於第2藥液。進行上述第2藥液供給步驟(圖6之步驟S5)時，自中心噴嘴45吐出第1處理液及第2處理液之混合液，向基板W供給。第1處理液與第2處理液之混合比係根據第1流量調整閥79A及第2流量調整閥79B之開度而變更。因此，控制裝置3能夠藉由變更第1流量調整閥79A及第2流量調整閥79B之開度，而變更供給至基板W之第2藥液之濃度。

於第2實施形態中，除了可實現第1實施形態之效果以外，還能實現以下效果。具體而言，於第2實施形態中，將第1處理液與第2處理液之混合液供給至基板W。第1處理液與第2處理液係於即將供給至基板W之前被混合，而並非於箱內被混合。因此，能夠根據所需之基板W之品質而變更第1處理液與第2處理液之混合比。進而，第2供給箱72B內之第2處理液係與第1供給箱72A內之第1處理液同樣地被調整溶存氧濃度。供給至第2供給箱72B之調整氣體不僅包含低氧氣體，還包含第2處理液。因此，能夠降低第2供給箱72B內之第2處理液之減少量，並且可將第1處理液與第2處理液之混合液供給至基板W。

[第3實施形態]

接下來，對第3實施形態進行說明。第3實施形態相對於第1實施形態，其主要不同點在於：對第1供給箱72A不僅供給於第1氣體產生箱122產生之調整氣體，亦供給於第2氣體產生箱132產生之調整氣體。

圖11係表示第3實施形態之藥液供給單元71及氣體溶解裝置101之示意圖。於圖11中，對與上述圖1~圖10所示之構成同等之構成，標註與圖1等相同之參照符號並省略其說明。

於圖11中，「X」表示第1處理液，「Y」表示第2處理液。因此，於第3實施形態中，於第1供給箱72A及第1氣體產生箱122貯存有第1處理液，於第1氣體產生箱122貯存有第2處理液。第1處理液之一例為TMAH(TMAH之水溶液)，第2處理液之一例為水(H₂O)。第1處理液相當於在上述第2藥液供給步驟(圖6之步驟S5) 中供給至基板W之第2藥液。

於第1氣體產生箱122中，第1處理液之蒸氣或霧分散於低氧氣體，產生包含低氧氣體及第1處理液之調整氣體。於第2氣體產生箱132中，第2處理液之蒸氣或霧分散於低氧氣體，產生包含低氧氣體及第2處理液之調整氣體。以下，將包含低氧氣體及第1處理液之調整氣體稱為複數種含有氣體，將包含低氧氣體及第2處理液之調整氣體稱為部分含有氣體。

控制裝置3藉由將於第1氣體產生箱122產生之複數種含有氣體供給至第1供給箱72A，而使複數種含有氣體溶解於第1供給箱72A內之第1處理液，對第1處理液之溶存氧濃度進行調整。又，控制裝置3視需要於第2氣體產生箱132產生部分含有氣體，並將其供給至第1供給箱72A。控制裝置3可將複數種含有氣體與部分含有氣體之兩者供給至第1供給箱72A內，亦可僅將部分含有氣體供給至第1供給箱72A內。部分含有氣體對第1供給箱72A之供給可基於對第1供給箱72A內之第1處理液之濃度進行檢測之濃度計(未圖示)的檢測值而進行，亦可定期進行。

於第3實施形態中，除了可實現第1實施形態之效果以外，還能實現以下效果。具體而言，於第3實施形態中，第1供給箱72A內之第1處理液(TMAH之水溶液)包含相當於第1物質之TMAH(無水物)、及相當於第2物質之水(H₂O)。TMAH(無水物)與水(H₂O)之蒸氣壓互不相同。因此，第1供給箱72A內之第1處理液之濃度隨著時間之經過而發生變化。若第1物質與第2物質之蒸氣壓之差較小，則第1處理液之濃度之變化量為些微，但若第1物質與第2物質之蒸氣壓之差較大，則第1處理液之濃度大幅發生變化。

複數種含有氣體及部分含有氣體個別地供給至第1供給箱72A。複數種含有氣體及部分含有氣體均包含低氧氣體。因此，無論向第1供給箱72A供給複數種含有氣體與部分含有氣體中之哪一者，均能對第1供給箱72A內之第1處理液之溶存氧濃度進行調整。另一方面，複數種含有氣體包含第1物質與第2物質之兩者，部分含有氣體僅包含第2物質。

例如，於第2物質之蒸氣壓高於第1物質，而相較於第1物質更易蒸發之情形時，第1處理液中之第1物質之濃度隨著時間之經過而增加。於此種情形時，若將包含第2物質且不包含第1物質之部分含有氣體供給至第1供給箱72A，則能夠降低來自第1處理液之第2物質之減少量，並且自第1處理液中減少第1物質。藉此，能夠使第1處理液之濃度接近起初之濃度，從而能夠抑制隨著時間之經過而造成之基板W之品質的變化。

[其他實施形態]

本發明並不限定於上述實施形態之內容，亦可進行各種變更。

例如，亦可將TMAH等蝕刻液供給至基板W之下表面，而非基板W之上表面。或者，亦可向基板W之上表面與下表面之兩者供給蝕刻液。於該等情形時，只要使下表面噴嘴15吐出蝕刻液即可。

利用TMAH蝕刻之物質亦可為多晶矽以外之物質。蝕刻液亦可為TMAH以外之液體。亦可利用基板處理裝置1進行蝕刻以外之處理。例如，亦可進行向銅等金屬露出之基板W之表面供給聚合物去除液而將聚合物殘渣自基板W去除之聚合物去除。DHF係聚合物去除液之一例。

第1冷卻器127與第2冷卻器137中之至少一者亦可為珀爾帖(Peltier)元件等不使用冷卻流體之冷卻器。亦可將第1冷卻器127與第2冷卻器137中之至少一者省略。即，亦可不將自第1供給箱72A排出之排出氣體冷卻。同樣地，亦可不將自下游回收箱89排出之排出氣體冷卻。

亦可使藉由排出氣體之冷卻而形成之藥液經由第1氣體排出配管125及第2氣體排出配管135以外之配管返回至第1供給箱72A或下游回收箱89。具體而言，亦可設置將藥液自第1冷卻器127導引至第1氣體排出配管125之第1再循環配管。同樣地，亦可設置將藥液自第2冷卻器137導引至第2氣體排出配管135之第2再循環配管。

亦可將上游回收箱84與下游回收箱89中之至少一者省略。或者亦可設置與上游回收箱84及下游回收箱89串聯連接之回收箱。即，亦可將串聯連接之3個以上之回收箱配置於處理單元2至第1供給箱72A之回收路徑上。

第1氣體產生箱122內之液體亦可與第1供給箱72A內之液體不同。即，第1氣體產生箱122內之液體中所包含之物質之數量亦可與第1供給箱72A內之液體中所包含之物質的數量不同。同樣地，第2氣體產生箱132內之液體亦可與下游回收箱89內之液體不同。第2氣體產生箱132內之液體亦可與第2供給箱72B內之液體不同。

圖10示出於第2藥液配管52內將自第2供給箱72B供給之第2處理液與自第1供給箱72A供給之第1處理液混合之例，但第2處理液亦可於中心噴嘴45等噴嘴內混合。

亦可自阻斷構件33中省略筒狀部37。亦可自阻斷構件33及旋轉夾頭10中省略上支撐部43及下支撐部44。

亦可自處理單元2中省略阻斷構件33。於該情形時，只要於處理單元2設置使第1藥液等處理液朝向基板W吐出之噴嘴即可。噴嘴可為能夠於腔室4內水平移動之掃描噴嘴，亦可為相對於腔室4之間隔壁6而固定之固定噴嘴。噴嘴亦可具備藉由朝向基板W之於徑向上分開之複數個位置同時吐出處理液而向基板W之上表面或下表面供給處理液的複數個液體吐出口。於該情形時，亦可對每個液體吐出口改變所吐出之處理液之流量、溫度、及濃度中之至少一者。

如圖7中由二點鏈線所示，溶存氧濃度變更單元亦可除了包含氣體溶解裝置101以外，還包含將藥液之溶存氣體去除之脫氣裝置85。脫氣裝置85例如為發生超音波振動之超音波發生器。圖7示出於上游回收箱84內配置有超音波發生器之例。

超音波發生器與上游回收箱84內之藥液接觸。當超音波發生器發生超音波振動時，於上游回收箱84內之藥液中產生氣泡。該氣泡自藥液之表面(液面)釋放至上游回收箱84內之空間。藉此，上游回收箱84內之藥液之溶存氣體被去除，溶入至藥液之總氣體量減少。自上游回收箱84內之藥液釋放之氣體通過與上游回收箱84連接之通氣配管86而自上游回收箱84排出。

圖7示出將超音波發生器配置於上游回收箱84內之例，但超音波發生器亦可配置於上游回收箱84外。即，亦可將超音波發生器所發生之超音波振動經由上游回收箱84而傳遞至上游回收箱84內之藥液。又，脫氣裝置85亦可除了具備超音波發生器以外或將其取而代之地，具備使上游回收箱84內之氣壓減少之減壓裝置、攪拌上游回收箱84內之藥液之攪拌裝置、及僅供藥液中之無用氣體透過之半透膜中之至少一者。

於處理單元2內供給至基板W之藥液回收至上游回收箱84。當將藥液供給至基板W時，藥液與環境氣體接觸。因此，於供給至基板W之藥液中溶入有氧氣等環境氣體中所包含之氣體，導致溶存氧濃度上升。且亦存在因基板W與藥液之化學反應而產生之氣體溶入至藥液之情況。例如，若利用酸性或鹼性蝕刻液對單晶矽、多晶矽、及非晶矽等矽進行蝕刻，則產生氫氣。於該情形時，溶存氫濃度上升之藥液會被回收至上游回收箱84。

第1氧濃度計96及第2氧濃度計98例如係利用電化學分析法(隔膜電極法)測定溶存氧濃度之隔膜式氧濃度計。隔膜式氧濃度計係藉由檢測透過隔膜之氧之濃度，而對測定對象之溶存氧濃度進行測定。由於氫分子小於氧分子，故而存在溶入至藥液之氫分子透過氧濃度計之隔膜之情況。存在二氧化碳亦透過隔膜之情況。即，與氧分子同等以下之大小之分子或原子會透過氧濃度計之隔膜。存在該等分子等使第1氧濃度計96及第2氧濃度計98之檢測精度下降之情況。

如上所述，脫氣裝置85將貯存於上游回收箱84之藥液之溶存氣體去除。藉此，將於基板W之處理中溶入至藥液之無用氣體自藥液去除。於下游回收箱89中，調整氣體溶入至藥液。即便無用氣體殘留於回收至下游回收箱89之藥液，該無用氣體亦會藉由調整氣體之溶解而自藥液排出。因此，將無用氣體之濃度極低之藥液回收至第1供給箱72A。因此，能夠以較高之精度檢測第1供給箱72A內之藥液之溶存氧濃度。

基板處理裝置1亦可為對數片基板W一併地進行處理之批次式裝置。即，處理單元2亦可具備內槽，其貯存處理液；噴嘴，其將貯存於內槽之處理液吐出；外槽，其貯存自內槽溢出之處理液；及升降器，其於將數片基板W浸漬於內槽內之處理液之下位置與數片基板W位於內槽內之處理液之上方的上位置之間，一面同時保持數片基板W，一面進行升降。於該情形時，只要將第2藥液配管52(參照圖7)連接於噴嘴，將上游配管82(參照圖7)連接於外槽即可。

基板處理裝置1並不限於對圓板狀之基板W進行處理之裝置，亦可為對多邊形之基板W進行處理之裝置。

亦可將上述所有構成之2個以上組合。亦可將上述所有步驟之2個以上組合。

已對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但該等實施形態僅為用以明確本發明之技術內容之具體例，本發明不應限定於該等具體例而加以解釋，本發明之精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。