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TWI782917B - 防污性膜 - Google Patents

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TWI782917B
TWI782917B TW106122837A TW106122837A TWI782917B TW I782917 B TWI782917 B TW I782917B TW 106122837 A TW106122837 A TW 106122837A TW 106122837 A TW106122837 A TW 106122837A TW I782917 B TWI782917 B TW I782917B
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Taiwan
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antifouling
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antifouling film
fluorine
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TW106122837A
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TW201819194A (zh
Inventor
林秀和
新納厚志
Original Assignee
日商夏普股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種防污性優異之防污性膜。本發明之防污性膜係具備於表面具有以可見光波長以下之間距設置有複數個凸部之凹凸結構的聚合物層者，上述聚合物層包含碳原子、氮原子、氧原子及氟原子作為構成原子，藉由X射線光電子光譜法所測得之氟原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率於上述凹凸結構之表面上為33 atom%以上，藉由X射線光電子光譜法所測得之氮原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率於深度方向上距離上述凹凸結構之表面5～90 nm之區域內，具有至少一個比於深度方向上距離上述凹凸結構之表面90～120 nm之區域之平均值大0.3 atom%以上的極大值。

Description

防污性膜
本發明係關於一種防污性膜。更詳細而言，關於一種具有奈米尺寸之凹凸結構之防污性膜。
業界對於具有抗反射性之光學膜已進行有各種研究(例如參照專利文獻1及2)。已知尤其是具有奈米尺寸之凹凸結構(奈米結構)之光學膜具有優異之抗反射性。利用此種凹凸結構，折射率自空氣層至基材連續地變化而可使反射光明顯減少。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特開2005-97371號公報 專利文獻2：日本專利第5810528號公報 專利文獻3：國際公開第2011/111741號 專利文獻4：日本專利第5541272號公報 專利文獻5：日本專利特開2015-183082號公報 專利文獻6：日本專利第5744011號公報
[發明所欲解決之問題] 此種光學膜(抗反射膜)具有優異之抗反射性，另一方面，由於其表面之凹凸結構，故而若附著指紋(皮脂)等污垢，則所附著之污垢容易擴展，進而存在進入至凸部間之污垢難以被拭去之情況。又，所附著之污垢因其反射率與抗反射膜之反射率存在較大差異，故易顯現。因此，業界強烈要求表面具有奈米尺寸之凹凸結構、針對污垢之擦拭性(例如指紋擦拭性)即防污性優異之功能性膜(防污性膜)。 對此，本發明者等人經過研究，結果得知，為了實現防污性優異之防污性膜，至少需將凹凸結構之表面上之氟原子之數量之比率設為特定量以上。然而，本發明者等人經過進一步之研究，結果得知，即便凹凸結構之表面上之氟原子之數量之比率為特定量以上，亦會因凹凸結構之內部構成而導致防污性(擦拭性)變得不充分。例如上述專利文獻1及2中關於凹凸結構之內部構成未作記載，於提高防污性之方面存在改善餘地。 本發明係鑒於上述現狀而成者，其目的在於提供一種防污性優異之防污性膜。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人針對防污性優異之防污性膜進行了各種研究，結果發現，若設為於凹凸結構之表面存在氟原子濃化區域、且於其下側存在氮原子濃化區域之構成，則防污性顯著提高。據此想到可成功解決上述課題之策略，從而達成本發明。 即，本發明之一態樣可為一種防污性膜，其係具備於表面具有以可見光波長以下之間距設置有複數個凸部之凹凸結構的聚合物層者，上述聚合物層包含碳原子、氮原子、氧原子及氟原子作為構成原子，藉由X射線光電子光譜法所測得之氟原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率於上述凹凸結構之表面上為33 atom%以上，藉由X射線光電子光譜法所測得之氮原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率於深度方向上距離上述凹凸結構之表面5～90 nm之區域內，具有至少一個比於深度方向上距離上述凹凸結構之表面90～120 nm之區域之平均值大0.3 atom%以上的極大值。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種防污性優異之防污性膜。
以下揭示實施形態，參照圖式而更詳細地說明本發明，但本發明並非僅限於該實施形態。又，可於不脫離本發明之主旨之範圍內將實施形態之各構成適當加以組合或變更。 本說明書中，防污性膜意指可容易地將表面附著之污垢去除之膜。 本說明書中，「X～Y」意指「X以上且Y以下」。 [實施形態] 以下參照圖1及圖2而說明一實施形態之防污性膜。圖1係表示一實施形態之防污性膜的剖面模式圖。圖2係表示圖1中之聚合物層的平面模式圖。 防污性膜1具備基材2、與配置於基材2之表面上之聚合物層3。 作為基材2之材料，例如可列舉：三乙醯纖維素(TAC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)等樹脂。基材2除上述材料以外亦可適當包含塑化劑等添加劑。亦可對基材2之表面(聚合物層3側之表面)實施易接著處理，例如可使用經易接著處理之三乙醯纖維素膜。又，亦可對基材2之表面(聚合物層3側之表面)實施皂化處理，例如可使用經皂化處理之三乙醯纖維素膜。於將防污性膜1安裝至液晶顯示裝置等具備偏光板之顯示裝置上之情形時，基材2可為構成偏光板之一部分者。 基材2之厚度就確保透明性及加工性之觀點而言，較佳為50 μm以上且100 μm以下。 聚合物層3於表面具有以可見光波長以下之間距(鄰接之凸部4之頂點間之距離)P設置有複數個凸部(突起)4的凹凸結構，即蛾眼結構(蛾眼形狀之結構)。因此，防污性膜1可藉由蛾眼結構而表現出優異之抗反射性(低反射性)。 就使下述防污劑之有效成分(含氟成分)高濃度地配向於聚合物層3之表面(與基材2相反一側之表面)之觀點而言，聚合物層3之厚度T較佳為較薄。具體而言，聚合物層3之厚度T較佳為5.0 μm以上且20.0 μm以下。如圖1所示，聚合物層3之厚度T係指自基材2側之表面至凸部4之頂點的距離。 作為凸部4之形狀，例如可列舉：由柱狀下部與半球狀上部所構成之形狀(吊鐘狀)、錐體狀(圓錐(cone)狀)等向末端逐漸變細之形狀(楔(taper)形)。又，凸部4可為具有枝突起之形狀。所謂枝突起係指於用以製作模具6之進行陽極氧化及蝕刻之過程中所形成之間隔不規則之部分所對應之凸部。圖1中，鄰接之凸部4之間隙之底邊呈傾斜形狀，但亦可為非傾斜之水平形狀。 鄰接之凸部4間之間距P只要為可見光之波長(780 nm)以下，則並無特別限定，就充分防止疊紋、虹不均等光學現象之發生之觀點而言，較佳為100 nm以上且400 nm以下，更佳為100 nm以上且200 nm以下。 關於凸部4之高度，就與下述凸部4之較佳縱橫比實現兼備之觀點而言，較佳為50 nm以上且600 nm以下，更佳為100 nm以上且300 nm以下。 凸部4之縱橫比較佳為0.8以上且1.5以下。於凸部4之縱橫比未達0.8之情形時，存在無法充分防止疊紋、虹不均等光學現象之發生，無法獲得良好之反射特性之虞。於凸部4之縱橫比大於1.5之情形時，存在蛾眼結構之加工性降低，發生沾黏或形成蛾眼結構時之轉印情況變差(阻塞下述模具6或發生捲繞等)之虞。本說明書中，凸部之縱橫比係指鄰接之凸部間之間距與凸部之高度的比(高度/間距)。 凸部4可無規地配置，亦可規則地(週期性地)配置。凸部4之配置可具有週期性，但基於不會產生由該週期性引起之不必要之繞射光等優點，凸部4之配置較佳為如圖2所示般無週期性(無規則)。 聚合物層3包含碳原子、氮原子、氧原子及氟原子作為構成原子。 聚合物層3中，藉由X射線光電子光譜法(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)所測得之氟原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率(以下亦稱為氟原子比率)於凹凸結構之表面上為33 atom%以上，較佳為43 atom%以上，更佳為48 atom%以上。即，於凹凸結構之表面存在氟原子濃化區域。凹凸結構之表面上之氟原子比率之上限值較佳為55 atom%，更佳為50 atom%。於凹凸結構之表面上之氟原子比率高於55 atom%之情形時，存在聚合物層3出現白濁之虞。 聚合物層3中，藉由X射線光電子光譜法所測得之氮原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率(以下亦稱為氮原子比率)於深度方向上距離凹凸結構之表面5～90 nm之區域內，具有至少一個比於深度方向上距離凹凸結構之表面90～120 nm之區域之平均值大0.3 atom%以上的極大值，就穩定地表現出優異之防污性(尤其是撥油性)之觀點而言，具有至少一個較佳為大0.5 atom%以上、更佳為大1.1 atom%以上的極大值。即，於凹凸結構之表面之較氟原子濃化區域之下側(基材2側)存在氮原子濃化區域。 根據防污性膜1，由於同時存在氟原子濃化區域與氮原子濃化區域，故與僅存在氟原子濃化區域之情形相比，防污性顯著提高。 再者，X射線光電子光譜法測定係於X射線束徑100 μm、分析面積1000 μm×500 μm及光電子掠出角度45°之條件下進行。又，於深度方向上與凹凸結構之表面相距特定距離之區域的測定值係藉由利用氣體團簇離子束(GCIB：Gas Cluster Ion Beam)濺射(蝕刻)凹凸結構後，利用X射線光電子光譜法進行測定(GCIB-XPS測定)而獲得。 聚合物層3中，氮原子比率較佳為於凹凸結構之表面上比上述極大值小1 atom%以上，更佳為小1.6 atom%以上。藉此，氮原子濃化區域中之氮原子比率進一步增大，因此防污性亦進一步提高。 就防污性之觀點而言，水相對於防污性膜1之表面之接觸角較佳為130°以上。又，十六烷相對於防污性膜1之表面之接觸角較佳為30°以上。 防污性膜1之用途只要為充分利用其優異之防污性者，則並無特別限定，例如可為抗反射膜等光學膜用途。藉由將此種抗反射膜安裝於顯示裝置之內部或外部而有助於提高視認性。 防污性膜1例如藉由以下之製造方法製造。 ＜製造方法1＞ 圖3係用以說明一實施形態之防污性膜之製造方法1的剖面模式圖。 (製程(1)：樹脂之塗佈) 如圖3(a)所示，於基材2之表面上塗佈樹脂5。 作為樹脂5之塗佈方法，例如可列舉以噴霧方式、凹版方式、狹縫式模嘴方式、棒式塗佈方式等塗佈之方法。作為樹脂5之塗佈方法，就保持均勻膜厚、提高生產性之觀點而言，較佳為以凹版方式或狹縫式模嘴方式塗佈之方法。 (製程(2)：凹凸結構之形成) 如圖3(b)所示，於樹脂5被夾於中間之狀態下將基材2壓抵至模具6。其結果，於樹脂5之表面(與基材2相反一側之表面)形成凹凸結構。 (製程(3)：樹脂之硬化) 使表面具有凹凸結構之樹脂5硬化。其結果，如圖3(c)所示，形成聚合物層3。即，聚合物層3為樹脂5之硬化物。 作為樹脂5之硬化方法，例如可列舉照射活性能量線或加熱等方法，較佳為照射活性能量線之方法。本說明書中，活性能量線係指紫外線、可見光線、紅外線、電漿等。樹脂5較佳為藉由紫外線而硬化者。活性能量線之照射可自樹脂5之基材2側進行，亦可自樹脂5之模具6側進行。又，對樹脂5之活性能量線之照射次數可僅為1次，亦可為複數次。樹脂5之硬化(上述製程(3))與上述樹脂5上凹凸結構之形成(上述製程(2))可於同一時間進行。 (製程(4)：模具之剝離) 如圖3(d)所示，將模具6自聚合物層3剝離。其結果，防污性膜1完成。 上述製造製程中，例如若將基材2設為輥狀，則可連續且有效率地進行上述製程(1)～(4)。 其次，於以下說明上述製造方法1中所使用之樹脂5及模具6。 (樹脂5) 樹脂5包含防污劑與硬化性樹脂。 防污劑含有具有反應性基之含氟單體(以下亦簡稱為含氟單體)作為有效成分。即，防污劑為氟系防污劑。若為此種構成，則聚合物層3之表面自由能變低，防污性提高。進而，氟原子配向於聚合物層3之表面(與基材2相反一側之表面)，因此光滑性提高。其結果，耐擦性提高。本說明書中，反應性基係指藉由光、熱等外部能量而與其他成分反應之官能基。作為此種反應性基，例如可列舉：烷氧基矽烷基、矽烷基醚基、由烷氧基矽烷基水解所得之矽烷醇基、羧基、羥基、環氧基、乙烯基、烯丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基等。作為反應性基，就反應性及操作性之觀點而言，較佳為烷氧基矽烷基、矽烷基醚基、矽烷醇基、環氧基、乙烯基、烯丙基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，更佳為乙烯基、烯丙基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，進而較佳為丙烯醯基或甲基丙烯醯基。 含氟單體較佳為除了具有反應性基以外，亦具有包含選自由氟烷基、氟氧烷基、氟烯基、氟烷二基及氟氧烷二基所組成之群中之至少一種的部位。氟烷基、氟氧烷基、氟烯基、氟烷二基及氟氧烷二基分別為烷基、氧烷基、烯基、烷二基及氧烷二基所含有之氫原子之至少一部分被取代為氟原子的取代基。氟烷基、氟氧烷基、氟烯基、氟烷二基及氟氧烷二基均為主要由氟原子及碳原子所構成之取代基，其結構中可存在分支部，該等取代基可複數個連結。 含氟單體之一例係以下述通式(A)表示。 Rf1 -R2 -D1 (A) 上述通式(A)中，Rf1 表示包含選自由氟烷基、氟氧烷基、氟烯基、氟烷二基及氟氧烷二基所組成之群中之至少一種的部位。R2 表示烷二基、烷三基或自該等導出之酯結構、胺基甲酸酯結構、醚結構、三𠯤結構。D1 表示反應性基。 作為上述通式(A)所表示之含氟單體，例如可列舉：丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、丙烯酸2,2,3,3,3-五氟丙酯、丙烯酸2-全氟丁基乙酯、丙烯酸3-全氟丁基-2-羥基丙酯、丙烯酸2-全氟己基乙酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羥基丙酯、丙烯酸2-全氟辛基乙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羥基丙酯、丙烯酸2-全氟癸基乙酯、丙烯酸2-全氟-3-甲基丁基乙酯、丙烯酸3-全氟-3-甲氧基丁基-2-羥基丙酯、丙烯酸2-全氟-5-甲基己基乙酯、丙烯酸3-全氟-5-甲基己基-2-羥基丙酯、丙烯酸2-全氟-7-甲基辛基-2-羥基丙酯、丙烯酸四氟丙酯、丙烯酸八氟戊酯、丙烯酸十二氟庚酯、丙烯酸十六氟壬酯、丙烯酸六氟丁酯、甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、甲基丙烯酸2,2,3,3,3-五氟丙酯、甲基丙烯酸2-全氟丁基乙酯、甲基丙烯酸3-全氟丁基-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-全氟辛基乙酯、甲基丙烯酸3-全氟辛基-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-全氟癸基乙酯、甲基丙烯酸2-全氟-3-甲基丁基乙酯、甲基丙烯酸3-全氟-3-甲基丁基-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-全氟-5-甲基己基乙酯、甲基丙烯酸3-全氟-5-甲基己基-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-全氟-7-甲基辛基乙酯、甲基丙烯酸3-全氟-7-甲基辛基乙酯、甲基丙烯酸四氟丙酯、甲基丙烯酸八氟戊酯、甲基丙烯酸十二氟庚酯、甲基丙烯酸十六氟壬酯、甲基丙烯酸1-三氟甲基三氟乙酯、甲基丙烯酸六氟丁酯、三丙烯醯基十七氟壬烯基季戊四醇等。 作為含氟單體之較佳材料，例如可列舉具有氟聚醚部位之材料。氟聚醚部位係包含氟烷基、氧基氟烷基、氧基氟烷二基等之部位，乃以下述通式(B)或(C)為代表之結構。 CFn1 H(3 － n1) -(CFn2 H(2 － n2) )k O-(CFn3 H(2 － n3) )m O- (B) -(CFn4 H(2 － n4) )p O-(CFn5 H(2 － n5) )s O- (C) 上述通式(B)及(C)中，n1為1～3之整數，n2～n5為1或2，k、m、p及s為0以上之整數。n1～n5之較佳組合係n1為2或3、n2～n5為1或2之組合，更佳組合係n1為3、n2及n4為2、n3及n5為1或2之組合。 氟聚醚部位所含之碳數較佳為4以上且12以下，更佳為4以上且10以下，進而較佳為6以上且8以下。於碳數未達4之情形時，存在表面自由能降低之虞。於碳數大於12之情形時，存在於溶劑中之溶解性降低之虞。再者，含氟單體可於每1分子中具有複數個氟聚醚部位。 作為含氟單體中之公知者，可列舉：Daikin Industries公司製造之「OPTOOL(註冊商標)DAC」(記載於上述專利文獻3之段落[0053]～[0055])，Daikin Industries公司製造之「OPTOOL DAC-HP」、UNIMATEC公司製造之「CHEMINOX(註冊商標)FAAC-6」(記載於上述專利文獻4)，旭硝子公司製造之「Afluid」、DIC公司製造之「MEGAFAC(註冊商標)RS-76-NS」、DIC公司製造之「MEGAFAC RS-75」、油脂製品公司製造之「C10GACRY」、油脂製品公司製造之「C8HGOL」、Solvay公司製造之「Fomblin(註冊商標)MT70」(記載於上述專利文獻5之段落[0055]～[0058])等。含氟單體較佳為藉由紫外線而硬化(聚合)者。含氟單體較佳為含有-OCF2 -鏈及=NCO-鏈中之至少一者。防污劑可含有一種或複數種含氟單體。 防污劑除了含有含氟單體以外，亦可適當含有氟系界面活性劑、反應性單體等。 作為氟系界面活性劑中之公知者，例如可列舉：AGC Seimi Chemical公司製造之「Surflon(註冊商標)」、NEOS公司製造之「FTERGENT(註冊商標)650A」、3M公司製造之「FC-4430」、3M公司製造之「FC-4432」、Mitsubishi Materials Electronic Chemicals公司製造之「Eftop」、DIC公司製造之「MEGAFAC R-43」等。氟系界面活性劑可為藉由紫外線而硬化(聚合)者。氟系界面活性劑較佳為含有-OCF2 -鏈及=NCO-鏈中之至少一者。防污劑可含有一種或複數種氟系界面活性劑。 作為反應性單體，例如可列舉：N-丙烯醯𠰌啉、N-(2-羥基乙基)丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺等含醯胺基單體；1,4-環己烷二甲醇單丙烯酸酯、丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基單體；甲基丙烯酸2-乙醯乙醯氧基乙酯等含乙醯乙醯氧基單體等。作為N-丙烯醯𠰌啉中之公知者，例如可列舉KJ Chemicals公司製造之「ACMO(註冊商標)」等。作為N-(2-羥基乙基)丙烯醯胺中之公知者，例如可列舉KJ Chemicals公司製造之「HEAA(註冊商標)」等。作為N,N-二乙基丙烯醯胺中之公知者，例如可列舉KJ Chemicals公司製造之「DEAA(註冊商標)」等。作為1,4-環己烷二甲醇單丙烯酸酯中之公知者，例如可列舉日本化成公司製造之「CHDMMA」等。作為丙烯酸4-羥基丁酯中之公知者，例如可列舉日本化成公司製造之「4HBA」等。作為甲基丙烯酸2-乙醯乙醯氧基乙酯中之公知者，例如可列舉日本合成化學公司製造之「AAEM」等。防污劑可含有一種或複數種該等反應性單體。該等反應性單體較佳為於分子內含有酸醯胺鍵。 樹脂5中之防污劑之有效成分之含有率較佳為0.1重量%以上且10重量%以下，更佳為0.5重量%以上且9重量%以下，進而較佳為1重量%以上且5重量%以下。於樹脂5中之防污劑之有效成分之含有率未達0.1重量%之情形時，聚合物層3之表面(與基材2相反一側之表面)之防污劑之有效成分之量過少，存在防污性降低之虞。於樹脂5中之防污劑之有效成分之含有率高於10重量%之情形時，聚合物層3之表面(與基材2相反一側之表面)之防污劑之有效成分之量過多，因此存在聚合物層3(凸部4)之彈性不足，於擦拭聚合物層3之表面(與基材2相反一側之表面)時倒伏之凸部4無法重新立起(無法恢復原狀)之虞。其結果，存在耐擦性降低之虞。 硬化性樹脂含有各種單體、聚合起始劑等。 作為各種單體，例如可列舉：丙烯酸胺基甲酸酯、乙氧化聚甘油聚丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯等。作為丙烯酸胺基甲酸酯中之公知者，例如可列舉：新中村化學工業公司製造之「U-10HA」、新中村化學工業公司製造之「UA-7100」、新中村化學工業公司製造之「U-4HA」、共榮社化學公司製造之「UA-510H」、共榮社化學公司製造之「UA-306H」、共榮社化學公司製造之「AH-600」等。作為乙氧化聚甘油聚丙烯酸酯中之公知者，例如可列舉新中村化學工業公司製造之「NK ECONOMER(註冊商標)A-PG5027E」等。作為乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯中之公知者，例如可列舉新中村化學工業公司製造之「ATM-35E」等。作為二季戊四醇六丙烯酸酯中之公知者，例如可列舉共榮社化學公司製造之「Light acrylate DPE-6A」等。硬化性樹脂可含有一種或複數種該等各種單體。 作為聚合起始劑，例如可列舉光聚合起始劑等。光聚合起始劑於活性能量線下具有活性，為了引發單體之聚合反應而添加。 作為光聚合起始劑，例如可使用自由基聚合起始劑、陰離子聚合起始劑、陽離子聚合起始劑等。作為此種光聚合起始劑，例如可列舉：對第三丁基三氯苯乙酮、2,2'-二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等苯乙酮類；二苯甲酮、4,4'-雙二甲基胺基二苯甲酮、2-氯9-氧硫𠮿
Figure 106122837-xxxx-3
、2-甲基9-氧硫𠮿
Figure 106122837-xxxx-3
、2-乙基9-氧硫𠮿
Figure 106122837-xxxx-3
、2-異丙基9-氧硫𠮿
Figure 106122837-xxxx-3
等酮類；安息香、安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等安息香醚類；苯偶醯二甲基縮酮、羥基環己基苯基酮等苯偶醯縮酮類；2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等醯基氧化膦類；1-羥基-環己基-苯基-酮等烷基苯酮類等。作為2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦中之公知者，例如可列舉BASF公司製造之「IRGACURE(註冊商標)TPO」等。作為雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦中之公知者，例如可列舉BASF公司製造之「IRGACURE 819」等。作為1-羥基-環己基-苯基-酮中之公知者，例如可列舉BASF公司製造之「IRGACURE 184」等。硬化性樹脂可含有一種或複數種光聚合起始劑。 硬化性樹脂較佳為含有與防污劑相溶之相溶性單體。若為此種構成，則防污劑之有效成分均勻地分佈於聚合物層3之表面(與基材2相反一側之表面)，因此防污性提高。進而，由於相溶性單體之作用，硬化性樹脂與防污劑之密接性提高，因此耐擦性提高。又，即便於樹脂5中大量包含防污劑之情形時，亦可防止發生白濁。 作為相溶性單體，例如可列舉：N-丙烯醯𠰌啉(例如KJ Chemicals公司製造之「ACMO」)、N,N-二乙基丙烯醯胺(例如KJ Chemicals公司製造之「DEAA」)、N,N-二甲基丙烯醯胺(例如KJ Chemicals公司製造之「DMAA(註冊商標)」)、四氫呋喃丙烯酸酯(例如大阪有機化學工業公司製造之「Viscoat#150」)、環狀三羥甲基丙烷縮甲醛丙烯酸酯(例如大阪有機化學工業公司製造之「Viscoat#200」)、丙烯酸4-羥基丁酯(例如日本化成公司製造之「4HBA」)等。作為相溶性單體，較佳為具有醯胺基、醚基、羥基等極性基之單官能單體。硬化性樹脂可含有一種或複數種相溶性單體。 硬化性樹脂中之相溶性單體之含有率較佳為5重量%以上且30重量%以下，更佳為10重量%以上且25重量%以下，進而較佳為15重量%以上且25重量%以下。於硬化性樹脂中之相溶性單體之含有率未達5重量%之情形時，存在尤其高溫/高濕之環境下之防污性及耐擦性降低之虞。於硬化性樹脂中之相溶性單體之含有率高於30重量%之情形時，聚合物層3之交聯密度降低，且鍵之間之凝集力變強，因此存在聚合物層3之硬度變高，尤其高溫/高濕之環境下之耐擦性降低之虞。 樹脂5可含有溶劑，亦可不含溶劑，較佳為不含溶劑。即，樹脂5較佳為無溶劑系之樹脂。若為無溶劑系之樹脂，則可減輕因使用溶劑而產生之成本及環境方面之負荷(使用時之臭氣等)。進而，無需用以去除溶劑之裝置，而可減少裝置成本。另一方面，於樹脂5含有溶劑之情形時，存在防污劑過度混合，聚合物層3之表面(與基材2相反一側之表面)之氟原子之濃度降低之虞。又，由於樹脂5之揮發性變高，故而存在塗佈性降低之虞。 作為溶劑，例如可列舉：醇(碳數1～10：例如甲醇、乙醇、正或異丙醇、正、第二或第三丁醇、苄醇、辛醇等)、酮(碳數3～8：例如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、二異丁基酮、二丁基酮、環己酮等)、酯或醚酯(碳數4～10：例如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯等)、γ-丁內酯、乙二醇單甲基乙酸酯、丙二醇單甲基乙酸酯、醚(碳數4～10：例如EG單甲醚(甲基溶纖劑)、EG單乙醚(乙基溶纖劑)、二乙二醇單丁醚(丁基溶纖劑)、丙二醇單甲醚等)、芳香族烴(碳數6～10：例如苯、甲苯、二甲苯等)、醯胺(碳數3～10：例如二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等)、鹵化烴(碳數1～2：例如二氯甲烷、二氯乙烷等)、石油系溶劑(例如石油醚、石腦油等)等。樹脂5可含有一種或複數種溶劑。 (模具6) 作為模具6，例如可使用藉由下述方法所製作者。首先，藉由濺鍍法使作為模具6之材料的鋁於支持基材之表面上成膜。繼而，對所成之鋁膜層交替地反覆實施陽極氧化及蝕刻，藉此可製作蛾眼結構之陰模(模具6)。此時，藉由調整進行陽極氧化之時間及進行蝕刻之時間，可改變模具6之凹凸結構。 作為支持基材之材料，例如可列舉：玻璃；不鏽鋼、鎳等金屬材料；聚丙烯、聚甲基戊烯、環狀烯烴系高分子(代表性而言，作為降𦯉烯系樹脂等之日本瑞翁公司製造之「ZEONOR(註冊商標)」、JSR公司製造之「ARTON(註冊商標)」)等聚烯烴系樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、三乙醯纖維素等樹脂材料等。又，亦可使用鋁製基材代替於支持基材之表面上成膜鋁層者。 作為模具6之形狀，例如可列舉平板狀、輥狀等。 模具6之表面較佳為經脫模劑實施脫模處理。藉此，可容易地將模具6自聚合物層3剝離。又，由於模具6之表面自由能變低，故而於上述製程(2)中，將基材2壓抵至模具6時，可使防污劑之有效成分效率良好地配向於樹脂5之表面(與基材2相反一側之表面)。進而，可防止於使樹脂5硬化前防污劑之有效成分遠離樹脂5之表面(與基材2相反一側之表面)。其結果，於防污性膜1中，可使防污劑之有效成分效率良好地配向於聚合物層3之表面(與基材2相反一側之表面)。 作為模具6之脫模處理所使用之脫模劑，例如可列舉：氟系脫模劑、矽系脫模劑、磷酸酯系脫模劑等。作為氟系脫模劑中之公知者，例如可列舉：Daikin Industries公司製造之「OPTOOL DSX」、Daikin Industries公司製造之「OPTOOL AES4」等。 ＜製造方法2＞ 圖4係用以說明一實施形態之防污性膜之製造方法2之剖面模式圖。製造方法2中，分兩層塗佈防污劑及硬化性樹脂後，將兩層合為一體，除此以外與製造方法1相同，因此關於重複部分適當省略說明。 (製程(1)：第一樹脂及第二樹脂之塗佈) 如圖4(a)所示，於基材2之表面上塗佈含有硬化性樹脂之第一樹脂7。繼而，於所塗佈之第一樹脂7之表面(與基材2相反一側之表面)上塗佈含有防污劑之第二樹脂8。 作為第一樹脂7及第二樹脂8之塗佈方法，例如可列舉以噴霧方式、凹版方式、狹縫式模嘴方式、棒式塗佈方式等塗佈之方法。作為第一樹脂7之塗佈方法，就保持均勻膜厚之觀點而言，較佳為以凹版方式或狹縫式模嘴方式塗佈之方法。作為第二樹脂8之塗佈方法，就能夠容易地調整膜厚、且降低裝置成本之觀點而言，較佳為以噴霧方式塗佈之方法。其中，尤佳為使用渦流噴嘴、靜電噴嘴或超音波噴嘴進行塗佈。 第一樹脂7之塗佈與第二樹脂8之塗佈可於不同時間進行，亦可於同一時間進行。作為於同一時間塗佈第一樹脂7與第二樹脂8之方法，例如可列舉以共擠出方式塗佈之方法。 (製程(2)：樹脂之形成) 如圖4(b)所示，於第一樹脂7及第二樹脂8被夾於中間之狀態下，將基材2自第一樹脂7側壓抵至模具6。其結果，形成表面(與基材2相反一側之表面)具有凹凸結構之樹脂5。樹脂5中第一樹脂7與第二樹脂8合為一體，兩樹脂間不存在界面。 (製程(3)：樹脂之硬化) 使表面具有凹凸結構之樹脂5硬化。其結果，如圖4(c)所示，形成聚合物層3。 (製程(4)：模具之剝離) 如圖4(d)所示，將模具6自聚合物層3剝離。其結果，防污性膜1完成。 根據製造方法2，由於主要構成樹脂5之表面(與基材2相反一側之表面)之第二樹脂8含有防污劑，故而防污劑之有效成分容易配向於樹脂5之表面(與基材2相反一側之表面)。 第一樹脂7及第二樹脂8較佳為不含溶劑。即，第一樹脂7及第二樹脂8較佳為無溶劑系。若為此種構成，則可減輕因使用溶劑而產生之成本及環境方面之負荷(使用時之臭氣等)。進而，無需用以去除溶劑之裝置，而可減少裝置成本。 第一樹脂7之厚度T1較佳為3 μm以上且30 μm以下，更佳為5 μm以上且7 μm以下。 第二樹脂8之厚度T2較佳為0.1 μm以上且15 μm以下，更佳為1 μm以上且10 μm以下，進而較佳為2 μm以上且8 μm以下，尤佳為5 μm以上且8 μm以下。 ＜製造方法3＞ 圖5係用以說明一實施形態之防污性膜之製造方法3之剖面模式圖。製造方法3中，於模具之表面上塗佈第二樹脂，除此以外與製造方法2相同，因此關於重複部分適當省略說明。 (製程(1)：第一樹脂及第二樹脂之塗佈) 如圖5(a)所示，於基材2之表面上塗佈含有硬化性樹脂之第一樹脂7。繼而，於模具6之表面(凹凸面)上塗佈含有防污劑之第二樹脂8。 第一樹脂7之塗佈與第二樹脂8之塗佈可於不同時間進行，亦可於同一時間進行。 (製程(2)：樹脂之形成) 如圖5(b)所示，於第一樹脂7及第二樹脂8被夾於中間之狀態下，將基材2自第一樹脂7側壓抵至模具6。其結果，形成表面(與基材2相反一側之表面)具有凹凸結構之樹脂5。 (製程(3)：樹脂之硬化) 使表面具有凹凸結構之樹脂5硬化。其結果，如圖5(c)所示，形成聚合物層3。 (製程(4)：模具之剝離) 如圖5(d)所示，將模具6自聚合物層3剝離。其結果，防污性膜1完成。 關於上述製程(1)，於製造方法2、3中揭示了於基材2之表面上塗佈第一樹脂7，於第一樹脂7或模具6之表面上塗佈第二樹脂8的製程，但亦可於第一樹脂7與模具6該兩者之表面上塗佈第二樹脂8。即，上述製程(1)亦可藉由如下方式進行：於基材2之表面上塗佈第一樹脂7，於第一樹脂7與模具6中至少一者之表面上塗佈第二樹脂8。又，上述製程(1)亦可藉由如下方式進行：於模具6之表面(凹凸面)上塗佈第二樹脂8，於第二樹脂8之表面(與模具6相反一側之表面)上塗佈第一樹脂7。 [實施例及比較例] 以下，列舉實施例及比較例而更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等例。 實施例及比較例中，用於製造防污性膜之材料如下所述。 (基材2) 使用Fuji Film公司製造之「Fujitac(註冊商標)TD-60」，其厚度為60 μm。 (樹脂5) 使用如表1及表2所示之組成之樹脂A1～A10。各樹脂之材料名之簡稱如下所示。表1及表2中亦顯示各樹脂中之防污劑之有效成分之含有率。再者，防污劑之有效成分係指分子內具有氟原子之化合物。 ＜防污劑＞ 作為防污劑，使用以下之防污劑F1～F7。 (1)防污劑F1 ・Daikin Industries公司製造之「OPTOOL DAC」：40重量% ・KJ Chemicals公司製造之「ACMO」：60重量% 防污劑F1中之有效成分之含有率為40重量%。 (2)防污劑F2 ・Daikin Industries公司製造之「OPTOOL DAC-HP」：100重量% 防污劑F2中之有效成分之含有率為20重量%。 (3)防污劑F3 ・Daikin Industries公司製造之「OPTOOL DAC」：10重量% ・KJ Chemicals公司製造之「ACMO」：40重量% ・DIC公司製造之「MEGAFAC R-43」：50重量% 防污劑F3中之有效成分之含有率為10重量%。 (4)防污劑F4 ・含全氟烯基之單體(記載於上述專利文獻6)：20重量% ・KJ Chemicals公司製造之「DMAA」：80重量% 防污劑F4中之有效成分之含有率為20重量%。 (5)防污劑F5 ・Solvay公司製造之「Fomblin MT70」：100重量% 防污劑F5中之有效成分之含有率為80重量%。 (6)防污劑F6 ・UNIMATEC公司製造之「CHEMINOX FAAC-6」：100重量% 防污劑F6中之有效成分之含有率為100重量%。 (7)防污劑F7 ・DIC公司製造之「MEGAFAC RS-76-NS」：20重量% ・二丙二醇二丙烯酸酯：80重量% 防污劑F7中之有效成分之含有率為20重量%。 ＜硬化性樹脂＞ 作為硬化性樹脂之材料，使用以下之各種單體及聚合起始劑。 (1)單體 ・「UA」：共榮社化學公司製造之「UA-510H」 ・「ATM」：新中村化學工業公司製造之「ATM-35E」 ・「DPE」：共榮社化學公司製造之「Light acrylate DPE-6A」 ・「DM」：KJ Chemicals公司製造之「DMAA」 (2)聚合起始劑 ・「819」：BASF公司製造之「IRGACURE 819」 [表1]
Figure 106122837-A0304-0001
 [表2]
Figure 106122837-A0304-0002
 (模具6) 使用藉由下述方法所製作者。首先，藉由濺鍍法使作為模具之材料的鋁於10 cm見方之玻璃基板上成膜。所成之鋁膜層其厚度為1.0 μm。繼而，對所成之鋁膜層交替地反覆實施陽極氧化及蝕刻，藉此形成設置有多個微小孔(相鄰孔(凹部)之底點間之距離為可見光之波長以下)之陽極氧化層。具體而言，藉由依序進行陽極氧化、蝕刻、陽極氧化、蝕刻、陽極氧化、蝕刻、陽極氧化、蝕刻及陽極氧化(陽極氧化：5次，蝕刻：4次)，形成多個呈現朝向鋁層內部而變細之形狀(楔形)之微小孔(凹部)，其結果，獲得具有凹凸結構之模具。陽極氧化係使用草酸(濃度：0.03重量%)，於液溫5℃、外加電壓80 V之條件下進行。陽極氧化之單次進行時間設為25秒。蝕刻係使用磷酸(濃度：1 mol/l)，於液溫30℃之條件下進行。蝕刻之單次進行時間設為25分鐘。使用掃描式電子顯微鏡觀察模具，結果凹部之深度為290 nm。再者，已預先利用Daikin Industries公司製造之「OPTOOL AES4」對模具之表面實施脫模處理。 (實施例1) 藉由上述製造方法1製作實施例1之防污性膜。 (製程(1)：樹脂之塗佈) 利用第一理化公司製造之棒式塗佈機「No.02」於基材2之表面上塗佈樹脂A1。 (製程(2)：凹凸結構之形成) 於樹脂A1被夾於中間之狀態下，利用手壓輥將基材2壓抵至模具6。其結果，於樹脂A1之表面(與基材2相反一側之表面)形成凹凸結構。 (製程(3)：樹脂之硬化) 對表面具有凹凸結構之樹脂A1自基材2側照射紫外線(照射量：200 mJ/cm2 )使之硬化。其結果，形成聚合物層3。 (製程(4)：模具之剝離) 將模具6自聚合物層3剝離。其結果，防污性膜1完成。聚合物層3之厚度T為9.8 μm。 防污性膜1之表面規格如下所述。 凸部4之形狀：吊鐘狀 鄰接之凸部4間之間距P：200 nm 凸部4之高度：200 nm 凸部4之縱橫比：1.0 防污性膜1之表面規格之評價係使用Hitachi High-Technologies公司製造之掃描式電子顯微鏡「S-4700」進行。再者，於評價時，使用Meiwafosis公司製造之鋨鍍膜機「NEOC-AN」，藉由電漿CVD成膜法以和光純藥工業公司製造之氧化鋨VIII作為原料，於防污性膜1之表面(聚合物層3之與基材2相反一側之表面)上成膜鋨金屬被膜(厚度：5 nm)。具體而言，鄰接之凸部4間之間距P係設為由上述掃描式電子顯微鏡所拍攝之平面照片之1 μm見方區域內除枝突起以外之全部之鄰接之凸部間之距離之平均值。凸部4之高度係設為由上述掃描式電子顯微鏡所拍攝之剖面照片中除枝突起以外之10個連續排列之凸部之高度之平均值。其中，於選擇10個凸部時，存在缺損或變形部分(於準備測定用試樣時產生變形之部分等)之凸部除外。 (實施例2～8及比較例1、2) 變為如表3及表4所示之組成，除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作各例之防污性膜。 [評價] 對防污性膜進行以下之評價。 (GCIB-XPS測定) 針對實施例1～8及比較例1、2之防污性膜，藉由GCIB-XPS測定而調查於凹凸結構之深度方向上之構成原子之分佈狀態。 氣體團簇離子束係由數十至數千個原子構成之單個原子能量非常低之離子束。例如若為氬氣團簇離子束，則濺射時濺射原子不會殘留於試樣上，因此能夠實現C60離子無法達成之單個原子1～20 eV左右之超低能量離子蝕刻。又，於濺射後之試樣表面幾乎不會發生由氬氣團簇離子引起之化學變化，因此能夠對有機物進行蝕刻。 作為測定裝置，使用於ULVAC-PHI公司製造之X射線光電子光譜分析裝置(製品名：PHI 5000 VersaProbe II)上搭載有同公司製造之氬氣團簇濺射離子槍(製品名：06-2000)者。 X射線光電子光譜法之測定條件如下所述。 ＜測定條件＞ ・X射線束徑：100 μm ・分析面積：1000 μm×500 μm ・光電子掠出角度：45° ・通過能量：46.95 eV 氣體團簇離子束之濺射(蝕刻)條件及帶電中和條件如下所述。 ＜濺鍍條件＞ ・離子源：氬氣團簇離子束 ・加速電壓：10 kV(發射電流：15 mA) ・Zalar轉速：1轉/分鐘 ・濺射速率(蝕刻速率)：10 nm/min ＜帶電中和條件＞ ・電子槍：偏置(Bias)1.0 V(發射電流：20 μA) ・離子槍：1 V或3 V(發射電流：7 mA) 根據藉由GCIB-XPS測定所獲得之資料，算出於深度方向上與凹凸結構之表面相距之距離和聚合物層中之各原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率該兩者間之關係。將GCIB-XPS測定結果中具有代表性者示於圖6～12。圖6係有關實施例2之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。圖7係有關實施例5之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。圖8係有關實施例6之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。圖9係有關實施例7之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。圖10係有關實施例8之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。圖11係有關比較例1之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。圖12係有關比較例2之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。圖6～12中之橫軸「D」表示於深度方向上與凹凸結構之表面相距之距離(單位：nm)。圖6～12中之縱軸「原子比率」表示各原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率(單位：atom%)。 又，算出下述各值(原子比率)。結果示於表3及表4。 ・「Fs」：凹凸結構之表面上之氟原子比率 ・「Ns」：凹凸結構之表面上之氮原子比率 ・「Nm」：於深度方向上距離凹凸結構之表面5～90 nm之區域內之氮原子比率之極大值(於存在複數個極大值之情形時為該等之最大值) ・「Na」：於深度方向上距離凹凸結構之表面90～120 nm之區域內之氮原子比率之平均值 ・「Nm－Ns」：於深度方向上距離凹凸結構之表面5～90 nm之區域內之氮原子比率之極大值、與凹凸結構之表面上之氮原子比率的差 ・「Nm－Na」：於深度方向上距離凹凸結構之表面5～90 nm之區域內之氮原子比率之極大值、與於深度方向上距離凹凸結構之表面90～120 nm之區域內之氮原子比率之平均值的差 (特性評價) 針對實施例1～8及比較例1、2之防污性膜，評價防污性。結果示於表3及表4。 ＜防污性＞ 作為防污性，評價撥水性、撥油性及指紋擦拭性。 作為撥水性，評價水相對於各例之防污性膜之表面(聚合物層之與基材相反一側之表面)之接觸角。具體而言，對各例之防污性膜之表面(聚合物層之與基材相反一側之表面)滴下水，測定剛滴下後之接觸角。 作為撥油性，評價十六烷相對於各例之防污性膜之表面(聚合物層之與基材相反一側之表面)之接觸角。具體而言，對各例之防污性膜之表面(聚合物層之與基材相反一側之表面)滴下十六烷，測定剛滴下後及滴下10秒後之接觸角。 水及十六烷之接觸角表示使用協和界面科學公司製造之可攜式接觸角計「PCA-1」，藉由θ/2法(θ/2＝反正切(arctan)(h/r)，θ：接觸角、r：液滴之半徑、h：液滴之高度)所測得之3個部位之接觸角之平均值。此處，作為第1部位之測定點，選擇各例之防污性膜之中央部分，作為第2部位及第3部位之測定點，選擇位於距離第1部位之測定點20 mm以上、且與第1部位之測定點相互點對稱之位置的兩點。 指紋擦拭性係藉由下述方法評價。首先，對各例之防污性膜於基材之與聚合物層相反一側之表面經由光學黏著層貼附黑色丙烯酸板。繼而，將各例之防污性膜於溫度60℃、濕度95%之環境下放置101天，進而於溫度23℃、濕度50%之環境下放置1天。繼而，使各例之防污性膜之表面(聚合物層之與基材相反一側之表面)附著指紋後，使用Asahi Kasei Fibers公司製造之「BEMCOT(註冊商標)S-2」來回擦拭10次，於照度100 lx(螢光燈)之環境下目視觀察指紋是否被拭去。判定基準如下所述。 ○：指紋完全被拭去，未見擦拭殘痕。 △：指紋不明顯，但於螢光燈映照下稍微可見擦拭殘痕。 ×：指紋完全未被拭去。 此處，將評價結果為○之情形判斷為可容許程度(防污性優異)。 [表3]
Figure 106122837-A0304-0003
 [表4]
Figure 106122837-A0304-0004
 如表3及表4所示，實施例1～8各例之防污性、尤其指紋擦拭性較高。另一方面，比較例1、2儘管撥水性(水之接觸角)較高，但指紋擦拭性較低。 再者，實施例1～4、7、8之防污性膜於耐擦性方面亦良好。進而，基材與聚合物層之間之密接性(以下亦簡稱為密接性)亦良好。 ＜耐擦性＞ 耐擦性係藉由下述方法評價。首先，使用衛生紙擦拭各例之防污性膜之表面(聚合物層之與基材相反一側之表面)2～3次。其後，於照度100 lx(螢光燈)之環境下自淺角度目視觀察衛生紙擦過部分之白化程度。判定基準如下所述。 ○：完全無變化(完全未見白化)。 △：稍微可見白化。 ×：明顯可見白化。 此處，將評價結果為○之情形判斷為可容許程度(耐擦性優異)。 ＜密接性＞ 密接性係藉由下述方法評價。首先，使用截切刀於各例之防污性膜之表面(聚合物層之與基材相反一側之表面)以1 mm間隔呈棋盤格狀地劃出11條縱向切痕與11條橫向切痕，而形成100個正方形之格子(1 mm見方)。繼而，於格子部分壓接日東電工公司製造之聚酯黏著帶「No.31B」後，將黏著帶沿與格子部分之表面成90°之方向，以100 mm/s之速度剝離。其後，目視觀察基材上之聚合物層之剝離狀態，計數基材上之聚合物層未被剝離而殘留之格子之個數。 繼而，針對各實施例之防污性膜，調查包含氮原子之鍵結種於凹凸結構之深度方向上之分佈。具體而言，藉由上述GCIB-XPS測定，測定防污性膜之窄譜。測定結果之一例示於圖13。圖13係表示實施例2之防污性膜於凹凸結構之深度方向上之窄譜(N1s峰值)的曲線圖。圖13中之縱軸「c/s」為「counts/秒」之簡寫。又，圖13中之各譜線自下側朝向上側依序表示於深度方向上逐漸遠離凹凸結構之表面之位置的譜線。 圖13中之各譜線按照自上側朝向下側之順序，N1s峰值之位置(鍵結能)逐漸向正側偏移。即，隨著自凹凸結構之內部向表面靠近，N1s峰值之位置逐漸向正側偏移。由此提示，凹凸結構之表面及其正下方所存在之氮原子靠近陰電性較高之氟原子(源自防污劑F1之有效成分的氟原子)。因此可知，於實施例2之防污性膜中，凹凸結構之表面及其正下方所存在之氮原子主要為源自防污劑F1之有效成分的氮原子。 又，認為於防污性膜之聚合物層(凹凸結構)中之氮原子之作用如下。首先，為了形成凹凸結構、並確保所需特性(例如密接性)，只要提高硬化性樹脂之極性即可，但相應地與防污劑中之含氟成分(例如含氟單體)之相溶性會變差。因此，若對硬化性樹脂導入含氮成分(例如含有醯胺結構之成分)，則可改善與防污劑之相溶性。進而，硬化性樹脂中之含氮成分亦有助於防污劑中之含氟成分與硬化性樹脂之鍵結，亦提高含氟成分之均化性(配向性)。 綜上所述，認為於實施例2之防污性膜中，含氮成分大致均勻地分佈於凹凸結構之內部(深部)，含氟成分於凹凸結構之表面整齊排列成單分子膜狀，於其正下方(於深度方向上距離凹凸結構之表面5～90 nm之區域內之極大值附近)存在含氮成分濃化區域。認為於含氮成分濃化區域中，不僅如上所述存在源自防污劑F1之有效成分的氮原子，亦存在提高含氟成分之均化性的源自硬化性樹脂之氮原子。認為此種構成於其他實施例中亦相同。 [附記] 本發明之一態樣可為一種防污性膜，其係具備於表面具有以可見光波長以下之間距設置有複數個凸部之凹凸結構的聚合物層者，上述聚合物層包含碳原子、氮原子、氧原子及氟原子作為構成原子，藉由X射線光電子光譜法所測得之氟原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率於上述凹凸結構之表面上為33 atom%以上，藉由X射線光電子光譜法所測得之氮原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率於深度方向上距離上述凹凸結構之表面5～90 nm之區域內，具有至少一個比於深度方向上距離上述凹凸結構之表面90～120 nm之區域之平均值大0.3 atom%以上的極大值。根據該態樣，可實現防污性優異之防污性膜。 藉由X射線光電子光譜法所測得之氮原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率可於上述凹凸結構之表面上比上述極大值小1 atom%以上。若為此種構成，則氮原子濃化區域中之氮原子比率進一步增大，因此防污性亦進一步提高。 上述聚合物層可為包含防污劑及硬化性樹脂之樹脂之硬化物。若為此種構成，則防污性提高。 上述硬化性樹脂可含有與上述防污劑相溶之相溶性單體。若為此種構成，則上述防污劑之有效成分均勻地分佈於上述聚合物層之表面，因此防污性提高。進而，由於上述相溶性單體之作用，上述硬化性樹脂與上述防污劑之密接性提高，因此耐擦性提高。又，即便於上述樹脂中大量含有上述防污劑之情形時，亦可防止發生白濁。 上述硬化性樹脂中之上述相溶性單體之含有率可為5重量%以上且30重量%以下。若為此種構成，則尤其可防止於高溫/高濕環境下防污性及耐擦性降低。 上述防污劑可含有具有反應性基之含氟單體作為有效成分。若為此種構成，則防污性提高。 上述防污劑中之氟原子可配向於上述聚合物層之表面。若為此種構成，則防污性進一步提高。 上述含氟單體可以下述通式(A)表示。若為此種構成，則進一步發揮上述防污劑之防污效果。 Rf1 -R2 -D1 (A) (上述通式(A)中，Rf1 表示包含選自由氟烷基、氟氧烷基、氟烯基、氟烷二基及氟氧烷二基所組成之群中之至少一種的部位。R2 表示烷二基、烷三基或自該等導出之酯結構、胺基甲酸酯結構、醚結構、三𠯤結構。D1 表示反應性基) 上述含氟單體可具有下述通式(B)或(C)所表示之氟聚醚部位。若為此種構成，則進一步發揮上述防污劑之防污效果。 CFn1 H(3 － n1) -(CFn2 H(2 － n2) )k O-(CFn3 H(2 － n3) )m O- (B) -(CFn4 H(2 － n4) )p O-(CFn5 H(2 － n5) )s O- (C) (上述通式(B)及(C)中，n1為1～3之整數。n2～n5為1或2。k、m、p及s為0以上之整數) 上述防污劑可進而含有氟系界面活性劑及反應性單體中之至少一者。若為此種構成，則進一步發揮上述防污劑之防污效果。 上述樹脂中之上述防污劑之上述有效成分之含有率可為0.1重量%以上且10重量%以下。若為此種構成，則可防止防污性及耐擦性降低。 水相對於上述防污性膜表面之接觸角可為130°以上。若為此種構成，則防污性進一步提高。 十六烷相對於上述防污性膜表面之接觸角可為30°以上。若為此種構成，則防污性進一步提高。 上述聚合物層之厚度可為5.0 μm以上且20.0 μm以下。若為此種構成，則可使防污劑之有效成分高濃度地配向於上述聚合物層之表面(與上述基材相反一側之表面)。 上述間距可為100 nm以上且400 nm以下。若為此種構成，則可充分防止疊紋、虹不均等光學現象之發生。 上述複數個凸部之高度各自可為50 nm以上且600 nm以下。若為此種構成，則可與上述複數個凸部之較佳縱橫比實現兼備。 上述複數個凸部之縱橫比各自可為0.8以上且1.5以下。若為此種構成，則可充分防止疊紋、虹不均等光學現象之發生，實現良好之反射特性。進而，可防止蛾眼結構之加工性降低，防止發生沾黏及形成蛾眼結構時之轉印情況變差。
1‧‧‧防污性膜2‧‧‧基材3‧‧‧聚合物層4‧‧‧凸部5‧‧‧樹脂6‧‧‧模具7‧‧‧第一樹脂8‧‧‧第二樹脂P‧‧‧間距T‧‧‧聚合物層之厚度T1‧‧‧第一樹脂之厚度T2‧‧‧第二樹脂之厚度
圖1係表示一實施形態之防污性膜的剖面模式圖。 圖2係表示圖1中之聚合物層的平面模式圖。 圖3(a)～(d)係用以說明一實施形態之防污性膜之製造方法1的剖面模式圖。 圖4(a)～(d)係用以說明一實施形態之防污性膜之製造方法2的剖面模式圖。 圖5(a)～(d)係用以說明一實施形態之防污性膜之製造方法3的剖面模式圖。 圖6係有關實施例2之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。 圖7係有關實施例5之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。 圖8係有關實施例6之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。 圖9係有關實施例7之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。 圖10係有關實施例8之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。 圖11係有關比較例1之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。 圖12係有關比較例2之防污性膜的表示GCIB-XPS測定結果之曲線圖。 圖13係表示實施例2之防污性膜於凹凸結構之深度方向上之窄譜(N1s峰值)的曲線圖。
1‧‧‧防污性膜
2‧‧‧基材
3‧‧‧聚合物層
4‧‧‧凸部
P‧‧‧間距
T‧‧‧聚合物層之厚度

Claims (16)

  1. 一種防污性膜，其特徵在於：其係具備於表面具有以可見光波長以下之間距設置有複數個凸部之凹凸結構的聚合物層者，上述聚合物層為包含防污劑及硬化性樹脂之樹脂之硬化物，並且包含碳原子、氮原子、氧原子及氟原子作為構成原子，上述防污劑包含氮原子且含有具有氟聚醚部位之含氟單體，上述硬化性樹脂包含氮原子作為構成原子，且含有與上述防污劑相溶之相溶性單體，上述硬化性樹脂中之上述相溶性單體之含有率為5重量%以上且30重量%以下，上述防污劑中之上述含氟單體之氟原子配向於上述聚合物層之表面，藉由X射線光電子光譜法所測得之氟原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率於上述凹凸結構之表面上為33atom%以上，藉由X射線光電子光譜法所測得之氮原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率於深度方向上距離上述凹凸結構之表面5~90nm之區域內，具有至少一個比於深度方向上距離上述凹凸結構之表面90~120nm之區域之平均值大0.5atom%以上的極大值。
  2. 如請求項1之防污性膜，其中於深度方向上距離上述凹凸結構之表面 5~90nm之區域內具有上述最大值之區域中，存在上述防污劑中之氮原子及上述硬化性樹脂中之氮原子。
  3. 如請求項1或2之防污性膜，其中藉由X射線光電子光譜法所測得之氮原子之數量相對於碳原子之數量、氮原子之數量、氧原子之數量及氟原子之數量之合計數的比率於上述凹凸結構之表面比上述極大值小1atom%以上。
  4. 如請求項1或2之防污性膜，其中上述相溶性單體包含具有醯胺基之單官能單體。
  5. 如請求項1或2之防污性膜，其中上述含氟單體具有反應性基。
  6. 如請求項1或2之防污性膜，其中上述氟聚醚部位如下述通式(B)或(C)所表示，CFn1H(3-n1)-(CFn2H(2-n2))kO-(CFn3H(2-n3))mO- (B) -(CFn4H(2-n4))pO-(CFn5H(2-n5))sO- (C)(上述通式(B)及(C)中，n1為1~3之整數；n2~n5為1或2；k、m、p及s為0以上之整數)。
  7. 如請求項5之防污性膜，其中上述含氟單體含有-OCF2-鏈及=NCO-鏈中之至少一者。
  8. 如請求項5之防污性膜，其中上述防污劑進而含有氟系界面活性劑及反應性單體中之至少一者。
  9. 如請求項8之防污性膜，其中上述反應性單體包含具有醯胺基之單體。
  10. 如請求項5之防污性膜，其中上述樹脂中之上述防污劑之上述含氟單體之含有率為0.1重量%以上且10重量%以下。
  11. 如請求項1或2之防污性膜，其中水相對於上述防污性膜之表面之接觸角為130°以上。
  12. 如請求項1或2之防污性膜，其中十六烷相對於上述防污性膜之表面之接觸角為30°以上。
  13. 如請求項1或2之防污性膜，其中上述聚合物層之厚度為5.0μm以上且20.0μm以下。
  14. 如請求項1或2之防污性膜，其中上述間距為100nm以上且400nm以下。
  15. 如請求項1或2之防污性膜，其中上述複數個凸部之高度各自為50nm以上且600nm以下。
  16. 如請求項1或2之防污性膜，其中上述複數個凸部之縱橫比各自為0.8以上且1.5以下。
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