TWI781763B - 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種基板洗淨裝置及基板洗淨方法。於第1高度位置，藉由上側保持裝置保持基板之外周端部。於較第1高度位置更靠下方之第2高度位置，藉由下側保持裝置吸附保持基板之下表面中央區域，並使基板繞鉛直軸旋轉。於第1高度位置與第2高度位置之間，藉由交接裝置搬送基板。使洗淨具升降，以與藉由上側保持裝置或下側保持裝置而保持之基板之下表面接觸，藉由洗淨具清洗基板之下表面中央區域、或包圍下表面中央區域之下表面外側區域。若發生異常時，判定基板位於第1高度位置之情形下，利用氣體噴出部向藉由上側保持裝置而保持之基板之下表面中央區域供給氣體。

Description

基板洗淨裝置及基板洗淨方法

本發明係關於一種清洗基板之基板洗淨裝置及基板洗淨方法。

為了對用於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等各種基板進行各種處理，人們會使用基板處理裝置。為了清洗基板，可使用基板洗淨裝置。

日本專利第5904169號公報中記載之基板洗淨裝置具備：2個吸附墊，其等保持晶圓之背面周緣部；旋轉夾頭，其保持晶圓之背面中央部；及刷子，其清洗晶圓之背面。2個吸附墊保持晶圓，並且橫向移動。該狀態下，利用刷子清洗晶圓之背面中央部。之後，旋轉夾頭自吸附墊接過晶圓，且旋轉夾頭一面保持晶圓之背面中央部一面旋轉。該狀態下，利用刷子清洗晶圓之背面周緣部。

於基板洗淨裝置中，發生異常之情形時，會先自基板洗淨裝置回收基板，再對異常進行處置。然而，於上述基板洗淨裝置中，基板會被搬送至複數個位置，因此不易根據基板之位置而得當地回收基板。基板未得當回收之情形時，旋轉夾頭等基板洗淨裝置之構成要素會受到損傷。

本發明之目的在於，提供一種能於發生異常時得當地回收基板之基板洗淨裝置及基板洗淨方法。

(1)本發明之一形態之基板洗淨裝置係清洗基板之下表面之基板洗淨裝置，包含：第1基板保持部，其於第1高度位置，保持基板之外周端部；第2基板保持部，其於較第1高度位置更靠下方之第2高度位置，吸附保持基板之下表面中央區域，並使基板繞鉛直軸旋轉；基板搬送部，其於第1高度位置與第2高度位置之間搬送基板；洗淨具，其清洗基板之下表面中央區域、或包圍下表面中央區域之下表面外側區域；洗淨具升降部，其以能與由上述第1或第2基板保持部保持之上述基板之下表面接觸之方式使上述洗淨具升降；氣體供給部，其能朝向基板之下表面吐出氣體；基板位置判定部，其判定基板之位置；及控制部，若基板洗淨裝置發生異常時，藉由基板位置判定部判定基板位於第1高度位置之情形下，該控制部控制氣體供給部，使其向由第1基板保持部保持之基板之下表面中央區域供給氣體。

該基板洗淨裝置中，於第1高度位置與第1高度位置下方之第2高度位置之間，藉由基板搬送部搬送基板。於第1高度位置，藉由第1基板保持部保持基板之外周端部。於第2高度位置，藉由第2基板保持部吸附保持基板之下表面中央區域，並使基板繞鉛直軸旋轉。

洗淨具以能與由第1或第2基板保持部保持之基板之下表面接觸之方式藉由洗淨具升降部而升降。基板之下表面中央區域、或包圍下表面中央區域之下表面外側區域由洗淨具清洗。基板之位置由基板位置判定部判定。若基板洗淨裝置發生異常時，藉由基板位置判定部判定基板位於第1高度位置，則藉由氣體供給部向由第1基板保持部保持之基板之下表面中央區域供給氣體。

根據該構成，即便於基板洗淨裝置發生異常時，由第1基板保持部保持之基板之下表面中央區域附著有液體成分，亦會利用藉由氣體供給部而供給之氣體對基板之下表面中央區域進行乾燥。因此，即便基板被搬送至第2高度位置並由第2基板保持部吸附保持，液體成分亦不會浸入第2基板保持部之吸附部內。藉此，得以防止第2基板保持部受到損傷。其結果，能於發生異常時自基板洗淨裝置得當地回收基板。

(2)基板洗淨裝置亦可進而包含能朝向基板之下表面供給處理液之處理液供給部，且若基板洗淨裝置發生異常時，藉由基板位置判定部判定基板位於第1高度位置之情形下，控制部控制處理液供給部，使其向由第1基板保持部保持之基板之下表面中央區域供給處理液，於處理液供給部之處理液之供給結束後，控制氣體供給部，使其向基板之下表面中央區域供給氣體。

該情形時，基板洗淨裝置發生異常時，會藉由處理液供給部向由第1基板保持部保持之基板之下表面中央區域供給處理液。因此，即便基板之下表面中央區域附著有異物，異物亦會被自基板去除。又，處理液供給部之處理液供給結束後，會藉由氣體供給部向基板之下表面中央區域供給氣體，因此即便基板被搬送至第2高度位置並由第2基板保持部吸附保持，液體成分亦不會浸入第2基板保持部之吸附部內。其結果，能於發生異常時自基板洗淨裝置更得當地回收基板。

(3)控制部亦可控制基板搬送部，使其於第2高度位置，藉由第2基板保持部保持下表面中央區域被供給了氣體之基板，控制第2基板保持部，使其一面保持基板一面使基板旋轉，並且控制處理液供給部，使其向基板之下表面外側區域供給處理液，經過特定時間後，一面控制第2基板保持部，使其維持基板之旋轉，一面控制處理液供給部，使其停止處理液之供給。

該情形時，會於在第2高度位置藉由第2基板保持部一面保持基板一面使基板旋轉之狀態下，藉由處理液供給部向基板之下表面外側區域供給處理液。因此，即便基板之下表面外側區域附著有異物，異物亦會被自基板去除。又，處理液供給部之處理液供給結束後，會維持基板之旋轉，故而基板之整體得以乾燥。因此，即便自基板洗淨裝置搬出基板，液體成分亦不會附著於搬出基板之機構。藉此，能於發生異常時自基板洗淨裝置進一步得當地回收基板。

(4)亦可為：若基板洗淨裝置發生異常時，藉由基板位置判定部判定基板位於第2高度位置之情形下，控制部控制第2基板保持部，使其一面保持基板一面使基板旋轉，並且控制處理液供給部，使其向基板之下表面外側區域供給處理液，經過特定時間後，一面控制第2基板保持部，使其維持基板之旋轉，一面控制處理液供給部，使其停止處理液之供給。

根據該構成，若基板洗淨裝置發生異常時，基板正由第2基板保持部吸附保持，則於藉由第2基板保持部一面保持基板一面使基板旋轉之狀態下，藉由處理液供給部向基板之下表面外側區域供給處理液。因此，即便基板之下表面外側區域附著有異物，異物亦會被自基板去除。又，處理液供給部之處理液供給結束後，會維持基板之旋轉，故而基板之整體得以乾燥。因此，即便自基板洗淨裝置搬出基板，液體成分亦不會附著於搬出基板之機構。藉此，能於發生異常時自基板洗淨裝置得當地回收基板。

(5)亦可為：若基板洗淨裝置發生異常時，藉由基板位置判定部判定基板位於第1高度位置與第2高度位置之間之情形下，控制部控制基板搬送部，使其於第2高度位置，藉由第2基板保持部保持基板，控制第2基板保持部，使其一面保持基板一面使基板旋轉，並且控制處理液供給部，使其向基板之下表面外側區域供給處理液，經過特定時間後，一面控制第2基板保持部，使其維持基板之旋轉，一面控制處理液供給部，使其停止處理液之供給。

根據該構成，若基板洗淨裝置發生異常時，基板位於第1高度位置與第2高度位置之間，則將基板藉由基板搬送部搬送至第2高度位置，使之由第2基板保持部保持。之後，於在第2高度位置藉由第2基板保持部一面保持基板一面使基板旋轉之狀態下，藉由處理液供給部向基板之下表面外側區域供給處理液。因此，即便基板之下表面外側區域附著有異物，異物亦會被自基板去除。又，處理液供給部之處理液供給結束後，會維持基板之旋轉，故而基板之整體得以乾燥。因此，即便自基板洗淨裝置搬出基板，液體成分亦不會附著於搬出基板之機構。藉此，能於發生異常時自基板洗淨裝置得當地回收基板。

(6)本發明之另一形態之基板洗淨方法係藉由基板洗淨裝置清洗基板之下表面之基板洗淨方法，包含如下步驟：於第1高度位置，藉由第1基板保持部保持基板之外周端部；於較第1高度位置更靠下方之第2高度位置，藉由第2基板保持部吸附保持基板之下表面中央區域，並使基板繞鉛直軸旋轉；於第1高度位置與第2高度位置之間，藉由基板搬送部搬送基板；使洗淨具升降，以與由第1或第2基板保持部保持之基板之下表面接觸；藉由洗淨具清洗基板之下表面中央區域、或包圍下表面中央區域之下表面外側區域；判定基板之位置；及若基板洗淨裝置發生異常時，判定基板位於第1高度位置之情形下，則藉由氣體供給部向由第1基板保持部保持之基板之下表面中央區域供給氣體。

根據該基板洗淨方法，即便於基板洗淨裝置發生異常時，由第1基板保持部保持之基板之下表面中央區域附著有液體成分，亦會利用藉由氣體供給部而供給之氣體對基板之下表面中央區域進行乾燥。因此，即便基板被搬送至第2高度位置並由第2基板保持部吸附保持，液體成分亦不會浸入第2基板保持部之吸附部內。藉此，得以防止第2基板保持部受到損傷。其結果，能於發生異常時自基板洗淨裝置得當地回收基板。

(7)藉由氣體供給部向基板之下表面中央區域供給氣體之步驟亦可包含如下動作：藉由處理液供給部向由第1基板保持部保持之基板之下表面中央區域供給處理液；及於處理液供給部之處理液之供給結束後，藉由氣體供給部向基板之下表面中央區域供給氣體。

該情形時，基板洗淨裝置發生異常時，會藉由處理液供給部向由第1基板保持部保持之基板之下表面中央區域供給處理液。因此，即便基板之下表面中央區域附著有異物，異物亦會被自基板去除。又，處理液供給部之處理液供給結束後，會藉由氣體供給部向基板之下表面中央區域供給氣體，因此即便基板被搬送至第2高度位置並由第2基板保持部吸附保持，液體成分亦不會浸入第2基板保持部之吸附部內。其結果，能於發生異常時自基板洗淨裝置更得當地回收基板。

(8)基板洗淨方法亦可進而包含如下步驟：於第2高度位置，藉由第2基板保持部保持下表面中央區域被供給了氣體之基板；使保持基板之第2基板保持部旋轉；利用處理液供給部向藉由第2基板保持部而旋轉之基板之下表面外側區域供給處理液；及自處理液供給部開始處理液之供給起經過特定時間後，一面維持藉由第2基板保持部而實現之基板之旋轉，一面使處理液供給部之處理液之供給停止。

該情形時，會於在第2高度位置藉由第2基板保持部一面保持基板一面使基板旋轉之狀態下，藉由處理液供給部向基板之下表面外側區域供給處理液。因此，即便基板之下表面外側區域附著有異物，異物亦會被自基板去除。又，處理液供給部之處理液供給結束後，會維持基板之旋轉，故而基板之整體得以乾燥。因此，即便自基板洗淨裝置搬出基板，液體成分亦不會附著於搬出基板之機構。藉此，能於發生異常時自基板洗淨裝置進一步得當地回收基板。

(9)基板洗淨方法亦可進而包含如下步驟：若基板洗淨裝置發生異常時，判定基板位於第2高度位置之情形下，則使保持基板之第2基板保持部旋轉；利用處理液供給部向藉由第2基板保持部而旋轉之基板之下表面外側區域供給處理液；及自處理液供給部開始處理液之供給起經過特定時間後，一面維持藉由第2基板保持部而實現之基板之旋轉，一面使處理液供給部之處理液之供給停止。

根據該構成，若基板洗淨裝置發生異常時，基板正由第2基板保持部吸附保持，則於藉由第2基板保持部一面保持基板一面使基板旋轉之狀態下，藉由處理液供給部向基板之下表面外側區域供給處理液。因此，即便基板之下表面外側區域附著有異物，異物亦會被自基板去除。又，處理液供給部之處理液供給結束後，會維持基板之旋轉，故而基板之整體得以乾燥。因此，即便自基板洗淨裝置搬出基板，液體成分亦不會附著於搬出基板之機構。藉此，能於發生異常時自基板洗淨裝置得當地回收基板。

(10)基板洗淨方法亦可進而包含如下步驟：若基板洗淨裝置發生異常時，判定基板位於第1高度位置與第2高度位置之間之情形下，藉由基板搬送部向第2高度位置搬送基板；於第2高度位置，藉由第2基板保持部保持基板；使保持基板之第2基板保持部旋轉；利用處理液供給部向藉由第2基板保持部而旋轉之基板之下表面外側區域供給處理液；及自處理液供給部開始處理液之供給起經過特定時間後，一面維持藉由第2基板保持部而實現之基板之旋轉，一面使處理液供給部之處理液之供給停止。

根據該構成，若基板洗淨裝置發生異常時，基板位於第1高度位置與第2高度位置之間，則將基板藉由基板搬送部搬送至第2高度位置，使之由第2基板保持部保持。之後，於在第2高度位置藉由第2基板保持部一面保持基板一面使基板旋轉之狀態下，藉由處理液供給部向基板之下表面外側區域供給處理液。因此，即便基板之下表面外側區域附著有異物，異物亦會被自基板去除。又，處理液供給部之處理液供給結束後，會維持基板之旋轉，故而基板之整體得以乾燥。因此，即便自基板洗淨裝置搬出基板，液體成分亦不會附著於搬出基板之機構。藉此，能於發生異常時自基板洗淨裝置得當地回收基板。

以下，參照圖式對本發明之實施方式之基板洗淨裝置及基板洗淨方法進行說明。於以下之說明中，所謂基板係指半導體基板(晶圓)、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等。又，本實施方式中，基板之上表面係電路形成面(正面)，基板之下表面係與電路形成面為相反側之面(背面)。又，本實施方式中，忽略凹口不計，基板具有圓形形狀。

(1)基板處理裝置之構成 圖1係本發明之一實施方式之基板洗淨裝置之俯視模式圖。圖2係表示圖1之基板洗淨裝置1之內部構成之外觀立體圖。於本實施方式之基板洗淨裝置1中，為了明確位置關係，定義了相互正交之X方向、Y方向及Z方向。於圖1及圖2以後之特定圖示中，X方向、Y方向及Z方向會酌情以箭頭表示。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛直方向。

如圖1所示，基板洗淨裝置1具備上側保持裝置10A、10B、下側保持裝置20、基座裝置30、交接裝置40、下表面洗淨裝置50、承杯裝置60、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80及開關裝置90。該等構成要素設置於單元殼體2內。於圖2中，單元殼體2以虛線表示。

單元殼體2具有矩形之底面部2a、及自底面部2a之4邊向上方延伸之4個側壁部2b、2c、2d、2e。側壁部2b、2c相互對向，側壁部2d、2e相互對向。於側壁部2b之中央部形成有矩形之開口。該開口係基板W之搬入搬出口2x，供向單元殼體2內搬入基板W時、及從中搬出基板W時使用。於圖2中，搬入搬出口2x以粗虛線表示。於以下之說明中，Y方向中，自單元殼體2之內部通過搬入搬出口2x去往單元殼體2之外側之方向(自側壁部2c朝向側壁部2b之方向)稱為前方，其相反方向(自側壁部2b朝向側壁部2c之方向)稱為後方。

於側壁部2b之形成有搬入搬出口2x之部分及其附近區域，設置有開關裝置90。開關裝置90包含：擋閘91，以能將搬入搬出口2x開關之方式構成；及擋閘驅動部92，驅動擋閘91。於圖2中，擋閘91以粗的兩點鏈線表示。擋閘驅動部92於向基板洗淨裝置1內搬入基板W時、及從中搬出基板W時，以將搬入搬出口2x打開之方式驅動擋閘91。又，擋閘驅動部92於基板洗淨裝置1清洗基板W時，以將搬入搬出口2x關閉之方式驅動擋閘91。

於底面部2a之中央部設置有基座裝置30。基座裝置30包含線性導軌31、可動基座32及基座驅動部33。線性導軌31包含2條軌道，俯視下沿Y方向自側壁部2b附近延伸至側壁部2c附近而設置。可動基座32係以能沿Y方向於線性導軌31之2條軌道上移動之方式設置。基座驅動部33例如包含脈衝馬達，使可動基座32沿Y方向於線性導軌31上移動。

於可動基座32上，沿Y方向排列而設置有下側保持裝置20及下表面洗淨裝置50。下側保持裝置20包含吸附保持部21及吸附保持驅動部22。吸附保持部21為所謂之旋轉夾頭，具有能吸附保持基板W下表面之圓形吸附面，以能繞沿上下方向延伸之軸(Z方向之軸)旋轉之方式構成。於以下之說明中，藉由吸附保持部21吸附保持基板W時，基板W之下表面中，應由吸附保持部21之吸附面吸附之區域稱為下表面中央區域。而基板W之下表面中，包圍下表面中央區域之區域稱為下表面外側區域。

吸附保持驅動部22包含馬達。吸附保持驅動部22之馬達以旋轉軸朝向上方突出之方式設置於可動基座32上。吸附保持部21安裝於吸附保持驅動部22之旋轉軸之上端部。又，於吸附保持驅動部22之旋轉軸上，形成有用以供吸附保持部21吸附保持基板W之抽吸路徑。該抽吸路徑連接於未圖示之吸氣裝置。吸附保持驅動部22使吸附保持部21繞上述旋轉軸旋轉。

於可動基座32上之下側保持裝置20附近，進而設置有交接裝置40。交接裝置40包含複數根(本例中為3根)支持銷41、銷連結構件42及銷升降驅動部43。銷連結構件42係以俯視下包圍吸附保持部21之方式形成，將複數根支持銷41連結。複數根支持銷41以藉由銷連結構件42而相互連結之狀態，自銷連結構件42向上方延伸一定長度。銷升降驅動部43使銷連結構件42於可動基座32上升降。藉此，複數根支持銷41相對於吸附保持部21而相對地升降。

下表面洗淨裝置50包含下表面刷51、2個噴液嘴52、氣體噴出部53、升降支持部54、移動支持部55、下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b及下表面刷移動驅動部55c。移動支持部55係以能於可動基座32上之一定區域內相對於下側保持裝置20而沿Y方向移動之方式設置。如圖2所示，於移動支持部55上，可升降地設置有升降支持部54。升降支持部54具有於自吸附保持部21離開之方向(本例中為後方)上向斜下方傾斜之上表面54u。

如圖1所示，下表面刷51具有能與基板W之下表面接觸之圓形洗淨面。又，下表面刷51以洗淨面朝向上方且洗淨面能繞通過該洗淨面之中心沿上下方向延伸之軸旋轉之方式，安裝於升降支持部54之上表面54u上。下表面刷51之洗淨面之面積大於吸附保持部21之吸附面之面積。

2個噴液嘴52各自以位於下表面刷51附近且液體吐出口朝向上方之方式，安裝於升降支持部54之上表面54u上。於噴液嘴52上連接有下表面洗淨液供給部56(圖3)。下表面洗淨液供給部56向噴液嘴52供給洗淨液。噴液嘴52於藉由下表面刷51清洗基板W時，向基板W之下表面吐出自下表面洗淨液供給部56供給之洗淨液。本實施方式中，使用純水作為向噴液嘴52供給之洗淨液。

氣體噴出部53係具有沿一個方向延伸之氣體噴出口之狹縫狀氣體噴射嘴。氣體噴出部53以俯視下位於下表面刷51與吸附保持部21之間且氣體噴射口朝向上方之方式，安裝於升降支持部54之上表面54u上。於氣體噴出部53上連接有噴出氣體供給部57(圖3)。噴出氣體供給部57向氣體噴出部53供給氣體。本實施方式中，使用氮氣等惰性氣體作為向氣體噴出部53供給之氣體。氣體噴出部53於藉由下表面刷51清洗基板W時、及下述對基板W之下表面進行乾燥時，向基板W之下表面噴射自噴出氣體供給部57供給之氣體。該情形時，下表面刷51與吸附保持部21之間會形成沿X方向延伸之帶狀氣簾。

下表面刷旋轉驅動部55a包含馬達，於藉由下表面刷51清洗基板W時使下表面刷51旋轉。下表面刷升降驅動部55b包含步進馬達或汽缸，使升降支持部54相對於移動支持部55而升降。下表面刷移動驅動部55c包含馬達，使移動支持部55沿Y方向於可動基座32上移動。此處，下側保持裝置20於可動基座32上之位置固定。因此，藉由下表面刷移動驅動部55c使移動支持部55沿Y方向移動時，移動支持部55要相對於下側保持裝置20而相對地移動。以下之說明中，於可動基座32上，下表面洗淨裝置50最靠近下側保持裝置20時所處之位置稱為接近位置，於可動基座32上，下表面洗淨裝置50離下側保持裝置20最遠時所處之位置稱為隔離位置。

於底面部2a之中央部進而設置有承杯裝置60。承杯裝置60包含承杯61及承杯驅動部62。承杯61係以俯視下包圍下側保持裝置20及基座裝置30且可升降之方式設置。於圖2中，承杯61以虛線表示。承杯驅動部62根據下表面刷51要清洗基板W下表面之哪個部分，而使承杯61於下承杯位置與上承杯位置之間移動。下承杯位置係承杯61之上端部較由吸附保持部21吸附保持之基板W更靠下方之高度位置。而上承杯位置係承杯61之上端部較吸附保持部21更靠上方之高度位置。

於較承杯61更靠上方之高度位置，以俯視下隔著基座裝置30而對向之方式設置有一對上側保持裝置10A、10B。上側保持裝置10A包含下夾頭11A、上夾頭12A、下夾頭驅動部13A及上夾頭驅動部14A。上側保持裝置10B包含下夾頭11B、上夾頭12B、下夾頭驅動部13B及上夾頭驅動部14B。

下夾頭11A、11B俯視下相對於通過吸附保持部21之中心沿Y方向(前後方向)延伸之鉛直面而對稱配置，以能於共通之水平面內沿X方向移動之方式設置。下夾頭11A、11B各自具有2個支持片，其等能自基板W之下方支持基板W之下表面周緣部。下夾頭驅動部13A、13B以下夾頭11A、11B相互靠近、或下夾頭11A、11B相互分離之方式，使下夾頭11A、11B移動。

上夾頭12A、12B與下夾頭11A、11B同樣地，俯視下相對於通過吸附保持部21之中心沿Y方向(前後方向)延伸之鉛直面而對稱配置，以能於共通之水平面內沿X方向移動之方式設置。上夾頭12A、12B各自具有2個保持片，其等以抵接於基板W之外周端部之2個部分，從而能保持基板W之外周端部之方式構成。上夾頭驅動部14A、14B以上夾頭12A、12B相互靠近、或上夾頭12A、12B相互分離之方式，使上夾頭12A、12B移動。

於單元殼體2內，設置有檢測上側保持裝置10A、10B是否保持有基板W之傳感裝置15。本例中，傳感裝置15安裝於上側保持裝置10A上，但實施方式並不限定於此。傳感裝置15亦可安裝於上側保持裝置10B上，還可安裝於上側保持裝置10A、10B兩者上，或可與上側保持裝置10A、10B分別配置。

傳感裝置15例如為包含投光部與受光部之非接觸式感測器。投光部出射光，受光部收受了自投光部出射之光之情形時，輸出受光信號。投光部與受光部係以於上側保持裝置10A、10B保持有基板W時，隔著基板W相互對向之方式配置。該配置下，上側保持裝置10A、10B未保持基板W時，自傳感裝置15輸出受光信號。上側保持裝置10A、10B保持有基板W時，不自傳感裝置15輸出受光信號。

再者，亦可以於上側保持裝置10A、10B保持有基板W時，藉由投光部而出射且被基板W反射之光由受光部收受之方式，配置投光部與受光部。該配置下，上側保持裝置10A、10B保持有基板W時，自傳感裝置15輸出受光信號。上側保持裝置10A、10B未保持基板W時，不自傳感裝置15輸出受光信號。又，傳感裝置15亦可為藉由物理接觸而檢測基板W之接觸式感測器，不為非接觸式感測器。

如圖1所示，於承杯61之一側方，以俯視下位於上側保持裝置10B附近之方式，設置有上表面洗淨裝置70。上表面洗淨裝置70包含旋轉支持軸71、臂72、噴霧嘴73及上表面洗淨驅動部74。

旋轉支持軸71於底面部2a上，以沿上下方向延伸，可升降且可旋轉之方式，由上表面洗淨驅動部74加以支持。臂72如圖2所示，以自旋轉支持軸71之上端部沿水平方向延伸之方式，設置於較上側保持裝置10B更靠上方之位置。於臂72之前端部安裝有噴霧嘴73。

於噴霧嘴73上連接有上表面洗淨流體供給部75(圖3)。上表面洗淨流體供給部75向噴霧嘴73供給洗淨液及氣體。本實施方式中，使用純水作為向噴霧嘴73供給之洗淨液，使用氮氣等惰性氣體作為向噴霧嘴73供給之氣體。噴霧嘴73於清洗基板W之上表面時，將自上表面洗淨流體供給部75供給之洗淨液與氣體混合而生成混合流體，並將所生成之混合流體向下方噴射。

上表面洗淨驅動部74包含1個或複數個脈衝馬達及汽缸等，使旋轉支持軸71升降，並且使旋轉支持軸71旋轉。根據上述構成，藉由使噴霧嘴73於由吸附保持部21吸附保持並加以旋轉之基板W之上表面上呈圓弧狀移動，能清洗基板W之整個上表面。

如圖1所示，於承杯61之另一側方，以俯視下位於上側保持裝置10A附近之方式，設置有端部洗淨裝置80。端部洗淨裝置80包含旋轉支持軸81、臂82、斜面刷83及斜面刷驅動部84。

旋轉支持軸81於底面部2a上，以沿上下方向延伸，可升降且可旋轉之方式，由斜面刷驅動部84加以支持。臂82如圖2所示，以自旋轉支持軸81之上端部沿水平方向延伸之方式，設置於較上側保持裝置10A更靠上方之位置。於臂82之前端部，以朝向下方突出且能繞上下方向之軸旋轉之方式設置有斜面刷83。

關於斜面刷83，上半部具有倒圓錐台形狀，而下半部具有圓錐台形狀。利用該斜面刷83，能以其外周面之上下方向上之中央部分清洗基板W之外周端部。

斜面刷驅動部84包含1個或複數個脈衝馬達及汽缸等，使旋轉支持軸81升降，並且使旋轉支持軸81旋轉。根據上述構成，藉由使斜面刷83之外周面之中央部分與由吸附保持部21吸附保持並加以旋轉之基板W之外周端部接觸，能清洗基板W之整個外周端部。

此處，斜面刷驅動部84進而包含內置於臂82之馬達。該馬達使設置於臂82前端部之斜面刷83繞上下方向之軸旋轉。因此，清洗基板W之外周端部時，藉由斜面刷83旋轉，斜面刷83對基板W之外周端部之洗淨力提高。

圖3係表示基板洗淨裝置1之控制系統之構成之方塊圖。圖3之控制裝置9包含CPU(中央計算處理器)、RAM(隨機存取記憶體)、ROM(唯讀記憶體)及記憶裝置。RAM作為CPU之作業區域使用。ROM記憶系統程式。記憶裝置記憶用以使CPU執行下述常規動作之基板洗淨程式。基板洗淨程式包含用以使CPU執行下述回收動作之基板回收程式。

如圖3所示，控制裝置9包含夾頭控制部9A、吸附控制部9B、基座控制部9C、交接控制部9D、下表面洗淨控制部9E、承杯控制部9F、上表面洗淨控制部9G、斜面洗淨控制部9H、搬入搬出控制部9I及基板位置判定部9J，將其等作為功能部。藉由CPU於RAM上執行記憶裝置中記憶之基板洗淨程式，而實現控制裝置9之功能部。亦可藉由電子電路等硬體實現控制裝置9之部分或全部功能部。

夾頭控制部9A控制下夾頭驅動部13A、13B及上夾頭驅動部14A、14B，以接收向基板洗淨裝置1搬入之基板W，並於第1高度位置對其予以保持。吸附控制部9B控制吸附保持驅動部22，以於第1高度位置下方之第2高度位置，藉由吸附保持部21吸附保持基板W，並且使所吸附保持之基板W旋轉。吸附保持驅動部22於吸附保持部21吸附保持有基板W時，輸出表示基板W被吸附保持之吸附信號。

基座控制部9C控制基座驅動部33，以使可動基座32相對於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W而移動。交接控制部9D控制銷升降驅動部43，以使基板W於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之第1高度位置與由吸附保持部21保持之基板W之第2高度位置之間移動。

下表面洗淨控制部9E控制下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b、下表面刷移動驅動部55c、下表面洗淨液供給部56及噴出氣體供給部57，以清洗基板W之下表面。承杯控制部9F控制承杯驅動部62，以使承杯61接住對由吸附保持部21吸附保持之基板W進行清洗時自基板W飛散之洗淨液。

上表面洗淨控制部9G控制上表面洗淨驅動部74及上表面洗淨流體供給部75，以清洗由吸附保持部21吸附保持之基板W之上表面。斜面洗淨控制部9H控制斜面刷驅動部84，以清洗由吸附保持部21吸附保持之基板W之外周端部。搬入搬出控制部9I控制擋閘驅動部92，以於向基板洗淨裝置1內搬入基板W時、及從中搬出基板W時，將單元殼體2之搬入搬出口2x開關。

基板位置判定部9J基於自傳感裝置15輸出之受光信號、及自吸附保持驅動部22輸出之吸附信號，而判定基板W之位置。本例中，未自傳感裝置15輸出受光信號之情形時，判定基板W位於第1高度位置。自吸附保持驅動部22輸出吸附信號之情形時，判定基板W位於第2高度位置。既未判定出基板W位於第1高度位置亦未判定出其位於第2高度位置之情形時，判定基板W位於第1高度位置與第2高度位置之間。

(2)基板洗淨裝置之常規動作 圖4～圖15係用以說明圖1之基板洗淨裝置1之常規動作之模式圖。於圖4～圖15各圖中，上段示出了基板洗淨裝置1之俯視圖。又，中段示出了沿著Y方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖，下段示出了沿著X方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖。中段之側視圖對應於圖1之A-A線側視圖，下段之側視圖對應於圖1之B-B線側視圖。再者，為了使基板洗淨裝置1中之各構成要素之形狀及動作狀態容易理解，於上段之俯視圖與中段及下段之側視圖之間，部分構成要素之擴大縮小率不同。又，於圖4～圖15中，承杯61以兩點鏈線表示，而基板W之外形以粗的單點鏈線表示。

於向基板洗淨裝置1搬入基板W前之初始狀態下，開關裝置90之擋閘91將搬入搬出口2x關閉。又，如圖1所示，下夾頭11A、11B維持著彼此之距離較基板W之直徑大得多之狀態。而且，上夾頭12A、12B亦維持著彼此之距離較基板W之直徑大得多之狀態。又，基座裝置30之可動基座32以俯視下吸附保持部21之中心位於承杯61之中心之方式配置。而且，於可動基座32上，下表面洗淨裝置50配置於接近位置。又，下表面洗淨裝置50之升降支持部54呈下表面刷51之洗淨面(上端部)位於較吸附保持部21更靠下方之位置之狀態。而且，交接裝置40呈複數根支持銷41位於較吸附保持部21更靠下方之位置之狀態。進而，於承杯裝置60中，承杯61位於下承杯位置。於以下之說明中，俯視下之承杯61之中心位置稱為平面基準位置rp。又，俯視下吸附保持部21之中心位於平面基準位置rp時底面部2a上之可動基座32之位置稱為第1水平位置。

向基板洗淨裝置1之單元殼體2內搬入基板W。具體而言，於即將搬入基板W前，擋閘91將搬入搬出口2x打開。之後，如圖4中粗實線之箭頭a1所示，未圖示之基板搬送機器人之手(基板保持部)RH通過搬入搬出口2x，向單元殼體2內之大致中央之位置搬入基板W。此時，由手RH保持之基板W如圖4所示，位於下夾頭11A及上夾頭12A與下夾頭11B及上夾頭12B之間。

其次，如圖5中粗實線之箭頭a2所示，下夾頭11A、11B相互靠近，使下夾頭11A、11B之複數個支持片位於基板W之下表面周緣部之下方。該狀態下，手RH下降，自搬入搬出口2x退出。藉此，保持於手RH之基板W之下表面周緣部之複數個部分由下夾頭11A、11B之複數個支持片加以支持。手RH退出後，擋閘91將搬入搬出口2x關閉。

繼而，如圖6中粗實線之箭頭a3所示，上夾頭12A、12B相互靠近，使上夾頭12A、12B之複數個保持片抵接於基板W之外周端部。藉由上夾頭12A、12B之複數個保持片抵接於基板W之外周端部之複數個部分，被下夾頭11A、11B支持之基板W進而由上夾頭12A、12B保持。又，如圖6中粗實線之箭頭a4所示，可動基座32自第1水平位置向前方移動，使吸附保持部21自平面基準位置rp偏移特定距離，並且使下表面刷51之中心位於平面基準位置rp。此處，位於底面部2a上之可動基座32之位置稱為第2水平位置。

其次，如圖7中粗實線之箭頭a5所示，升降支持部54上升，使下表面刷51之洗淨面於第1高度位置與基板W之下表面中央區域接觸。又，如圖7中粗實線之箭頭a6所示，下表面刷51繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此，附著於基板W之下表面中央區域之污染物質被下表面刷51物理剝離。

於圖7之下段，細節放大框內示出了下表面刷51與基板W之下表面接觸之部分之放大側視圖。如該細節放大框內所示，於下表面刷51與基板W接觸之狀態下，噴液嘴52及氣體噴出部53保持於與基板W之下表面近接之位置。此時，噴液嘴52如空心之箭頭a51所示，於下表面刷51附近之位置，朝向基板W之下表面吐出洗淨液。藉此，自噴液嘴52供給至基板W下表面之洗淨液被導向下表面刷51與基板W之接觸部，從而藉由洗淨液將被下表面刷51自基板W之背面去除之污染物質沖掉。如此，於下表面洗淨裝置50中，噴液嘴52和下表面刷51一併安裝於升降支持部54上。藉此，能向下表面刷51之用以清洗基板W下表面之部分高效供給洗淨液。因此，洗淨液之消耗量降低，並且洗淨液之過度飛散得到抑制。

此處，升降支持部54之上表面54u於自吸附保持部21離開之方向上向斜下方傾斜。該情形時，若包含污染物質之洗淨液自基板W之下表面滴落至升降支持部54上，則會向自吸附保持部21離開之方向引導被上表面54u接住之洗淨液。

又，藉由下表面刷51清洗基板W之下表面時，氣體噴出部53如圖7之細節放大框內空心之箭頭a52所示，於下表面刷51與吸附保持部21之間之位置，朝向基板W之下表面噴射氣體。本實施方式中，氣體噴出部53以氣體噴射口沿X方向延伸之方式，安裝於升降支持部54上。該情形時，自氣體噴出部53向基板W之下表面噴射氣體時，下表面刷51與吸附保持部21之間會形成沿X方向延伸之帶狀氣簾。藉此，防止於藉由下表面刷51清洗基板W之下表面時，包含污染物質之洗淨液朝向吸附保持部21飛散。因此，得以防止於藉由下表面刷51清洗基板W之下表面時，包含污染物質之洗淨液附著於吸附保持部21，從而使吸附保持部21之吸附面保持清潔。

再者，於圖7之例中，氣體噴出部53如空心之箭頭a52所示，自氣體噴出部53朝下表面刷51向斜上方噴射氣體，但本發明並不限定於此。氣體噴出部53亦可為自氣體噴出部53朝向下表面刷51沿著Z方向而噴射氣體。

其次，於圖7之狀態下，一旦基板W之下表面中央區域之清洗完成，下表面刷51之旋轉便會停止，且升降支持部54下降，使下表面刷51之洗淨面與基板W分開特定距離。又，自噴液嘴52向基板W之洗淨液吐出停止。此時，繼續自氣體噴出部53向基板W噴射氣體。

之後，如圖8中粗實線之箭頭a7所示，可動基座32向後方移動，使吸附保持部21位於平面基準位置rp。即，可動基座32自第2水平位置移動至第1水平位置。此時，由於繼續自氣體噴出部53向基板W噴射氣體，故而基板W之下表面中央區域得以被氣簾依序乾燥。

繼而，如圖9中粗實線之箭頭a8所示，升降支持部54下降，使下表面刷51之洗淨面位於較吸附保持部21之吸附面(上端部)更靠下方之位置。又，如圖9中粗實線之箭頭a9所示，上夾頭12A、12B相互分離，使上夾頭12A、12B之複數個保持片與基板W之外周端部分開。此時，基板W成為被下夾頭11A、11B支持之狀態。

之後，如圖9中粗實線之箭頭a10所示，銷連結構件42上升，使複數根支持銷41之上端部位於較下夾頭11A、11B略靠上方之位置。藉此，被下夾頭11A、11B支持之基板W由複數根支持銷41接收。

其次，如圖10中粗實線之箭頭a11所示，下夾頭11A、11B相互分離。此時，下夾頭11A、11B移動至俯視下不與由複數根支持銷41支持之基板W重疊之位置。藉此，上側保持裝置10A、10B均恢復成初始狀態。

繼而，如圖11中粗實線之箭頭a12所示，銷連結構件42下降，使複數根支持銷41之上端部位於較吸附保持部21更靠下方之位置。藉此，支持於複數根支持銷41上之基板W由吸附保持部21接收。該狀態下，吸附保持部21吸附保持基板W之下表面中央區域。於銷連結構件42下降之同時、或銷連結構件42下降完成後，如圖11中粗實線之箭頭a13所示，承杯61自下承杯位置上升至上承杯位置。

其次，如圖12中粗實線之箭頭a14所示，吸附保持部21繞上下方向之軸(吸附保持驅動部22之旋轉軸之軸心)旋轉。藉此，吸附保持於吸附保持部21之基板W以水平姿勢旋轉。

繼而，上表面洗淨裝置70之旋轉支持軸71旋轉，下降。藉此，如圖12中粗實線之箭頭a15所示，噴霧嘴73移動至基板W上方之位置，並以噴霧嘴73與基板W之間之距離成為預先設定之距離之方式下降。該狀態下，噴霧嘴73向基板W之上表面噴射洗淨液與氣體之混合流體。又，旋轉支持軸71旋轉。藉此，如圖12中粗實線之箭頭a16所示，噴霧嘴73於旋轉之基板W上方之位置移動。藉由向基板W之整個上表面噴射混合流體，基板W之整個上表面得到清洗。

又，藉由噴霧嘴73清洗基板W之上表面時，端部洗淨裝置80之旋轉支持軸81亦旋轉，下降。藉此，如圖12中粗實線之箭頭a17所示，斜面刷83移動至基板W之外周端部上方之位置。又，以斜面刷83之外周面之中央部分與基板W之外周端部接觸之方式下降。該狀態下，斜面刷83繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此，附著於基板W之外周端部之污染物質被斜面刷83物理剝離。自基板W之外周端部剝離之污染物質被自噴霧嘴73向基板W噴射之身為混合流體之洗淨液沖掉。

進而，藉由噴霧嘴73清洗基板W之上表面時，升降支持部54上升，使下表面刷51之洗淨面於第2高度位置與基板W之下表面外側區域接觸。又，如圖12中粗實線之箭頭a18所示，下表面刷51繞上下方向之軸旋轉(自轉)。進而，噴液嘴52朝向基板W之下表面吐出洗淨液，氣體噴出部53朝向基板W之下表面噴射氣體。該狀態下，進而如圖12中粗實線之箭頭a19所示，移動支持部55於可動基座32上之接近位置與隔離位置之間進退動作。藉此，由吸附保持部21吸附保持並加以旋轉之基板W之下表面外側區域被下表面刷51遍及全域地加以清洗。

其次，一旦基板W之上表面、外周端部及下表面外側區域之清洗完成，自噴霧嘴73向基板W之混合流體噴射便會停止。又，如圖13中粗實線之箭頭a20所示，噴霧嘴73移動至承杯61之一側方之位置(初始狀態之位置)。又，如圖13中粗實線之箭頭a21所示，斜面刷83移動至承杯61之另一側方之位置(初始狀態之位置)。進而，下表面刷51之旋轉停止，且升降支持部54下降，使下表面刷51之洗淨面與基板W分開特定距離。又，自噴液嘴52向基板W之洗淨液吐出、及自氣體噴出部53向基板W之氣體噴射停止。該狀態下，藉由吸附保持部21高速旋轉，附著於基板W之洗淨液被甩掉，基板W之整體得以乾燥。

繼而，如圖14中粗實線之箭頭a22所示，承杯61自上承杯位置下降至下承杯位置。又，如圖14中粗實線之箭頭a23所示，下夾頭11A、11B相互靠近至足以支持新的基板W之位置為止，以備將新的基板W搬入單元殼體2內。

最後，將基板W自基板洗淨裝置1之單元殼體2內搬出。具體而言，於即將搬出基板W前，擋閘91將搬入搬出口2x打開。之後，如圖15中粗實線之箭頭a24所示，未圖示之基板搬送機器人之手(基板保持部)RH通過搬入搬出口2x進入單元殼體2內。繼而，手RH接過吸附保持部21上之基板W，並自搬入搬出口2x退出。手RH退出後，擋閘91將搬入搬出口2x關閉。

(3)基板洗淨裝置之回收動作 於上述基板洗淨裝置1之常規動作中，基板洗淨裝置1發生異常之情形時，會中止常規動作，並且藉由基板位置判定部9J判定基板W之位置。又，執行用以自單元殼體2回收基板W之回收動作。基板洗淨裝置1之回收動作根據藉由基板位置判定部9J所判定出之基板W之位置而有所不同。

再者，於基板洗淨裝置1，設置有未圖示之1個以上漏液感測器。又，於基板洗淨裝置1，設置有未圖示之編碼器，用以檢測馬達或汽缸等致動器之驅動量。若任一漏液感測器檢測到漏液，或致動器之控制驅動值(例如脈衝數)與未圖示之編碼器所檢測到之致動器之驅動量不一致等，則判定基板洗淨裝置1發生異常。

於基板洗淨裝置1之回收動作中，若判定基板W位於第1高度位置，則如圖6所示，基板W正由上側保持裝置10A、10B保持，並且可動基座32位於第2水平位置。該情形時，如圖7所示，升降支持部54上升，使下表面刷51之洗淨面於第1高度位置與基板W之下表面中央區域接觸，藉此噴液嘴52及氣體噴出部53保持於與基板W之下表面近接之位置。

該狀態下，藉由噴液嘴52向由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之下表面中央區域供給處理液。藉此，清洗基板W之下表面中央區域。此處，亦可進而藉由下表面刷51清洗基板W之下表面中央區域。噴液嘴52之處理液供給結束後，藉由氣體噴出部53向基板W之下表面中央區域供給氣體。其次，如圖8所示，可動基座32移動至第1水平位置。此時，由於繼續自氣體噴出部53向基板W噴射氣體，故而基板W之下表面中央區域得以被氣簾依序乾燥。

之後，如圖9及圖10所示，升降支持部54下降。又，藉由複數根支持銷41上升，被上側保持裝置10A、10B支持之基板W由複數根支持銷41接收。其次，如圖11所示，藉由複數根支持銷41下降，支持於複數根支持銷41上之基板W由下側保持裝置20接收。藉此，基板W之下表面中央區域由下側保持裝置20吸附保持。又，承杯61上升至上承杯位置。

繼而，如圖12所示，藉由下側保持裝置20使基板W旋轉。又，升降支持部54上升，使下表面刷51之洗淨面於第2高度位置與基板W之下表面外側區域接觸。該狀態下，藉由噴液嘴52向基板W之下表面外側區域供給處理液。藉此，清洗基板W之下表面外側區域。此處，亦可進而藉由下表面刷51清洗基板W之下表面外側區域。

經過特定時間後，一面維持藉由下側保持裝置20而實現之基板W之旋轉，一面使噴液嘴52停止處理液之供給。該情形時，附著於基板W之洗淨液會被甩掉，藉此基板W之整體得以乾燥。基板W乾燥後，停止藉由下側保持裝置20而實現之基板W之旋轉。又，如圖13所示，升降支持部54下降。進而，如圖14所示，承杯61下降至下承杯位置。

之後，如圖15所示，將搬入搬出口2x打開，而由基板搬送機器人之手RH通過搬入搬出口2x將基板W自單元殼體2搬出。手RH退出後，藉由擋閘91將搬入搬出口2x關閉，至此基板洗淨裝置1之回收動作結束。

於基板洗淨裝置1之回收動作中，若判定基板W位於第2高度位置，則如圖11所示，基板W正由下側保持裝置20保持，並且可動基座32位於第1水平位置。又，承杯61位於上承杯位置。該情形時，如圖12所示，藉由下側保持裝置20使基板W旋轉。又，升降支持部54上升，使下表面刷51之洗淨面於第2高度位置與基板W之下表面外側區域接觸。該狀態下，藉由噴液嘴52向基板W之下表面外側區域供給處理液。藉此，清洗基板W之下表面外側區域。此處，亦可進而藉由下表面刷51清洗基板W之下表面外側區域。

經過特定時間後，一面維持藉由下側保持裝置20而實現之基板W之旋轉，一面使噴液嘴52停止處理液之供給。該情形時，附著於基板W之洗淨液會被甩掉，藉此基板W之整體得以乾燥。基板W乾燥後，停止藉由下側保持裝置20而實現之基板W之旋轉。又，如圖13所示，升降支持部54下降。又，如圖14所示，承杯61下降至下承杯位置。

之後，如圖15所示，將搬入搬出口2x打開，而由基板搬送機器人之手RH通過搬入搬出口2x將基板W自單元殼體2搬出。手RH退出後，藉由擋閘91將搬入搬出口2x關閉，至此基板洗淨裝置1之回收動作結束。

於基板洗淨裝置1之回收動作中，若判定基板W位於第1高度位置與第2高度位置之間，則如圖10所示，基板W正由複數根支持銷41保持，並且可動基座32位於第1水平位置。該情形時，如圖11所示，藉由複數根支持銷41下降，支持於複數根支持銷41上之基板W由下側保持裝置20接收。藉此，基板W之下表面中央區域由下側保持裝置20吸附保持。又，承杯61上升至上承杯位置。

繼而，如圖12所示，藉由下側保持裝置20使基板W旋轉。又，升降支持部54上升，使下表面刷51之洗淨面於第2高度位置與基板W之下表面外側區域接觸。該狀態下，藉由噴液嘴52向基板W之下表面外側區域供給處理液。藉此，清洗基板W之下表面外側區域。此處，亦可進而藉由下表面刷51清洗基板W之下表面外側區域。

經過特定時間後，一面維持藉由下側保持裝置20而實現之基板W之旋轉，一面使噴液嘴52停止處理液之供給。該情形時，附著於基板W之洗淨液會被甩掉，藉此基板W之整體得以乾燥。基板W乾燥後，停止藉由下側保持裝置20而實現之基板W之旋轉。又，如圖13所示，升降支持部54下降。又，如圖14所示，承杯61下降至下承杯位置。

之後，如圖15所示，將搬入搬出口2x打開，而由基板搬送機器人之手RH通過搬入搬出口2x將基板W自單元殼體2搬出。手RH退出後，藉由擋閘91將搬入搬出口2x關閉，至此基板洗淨裝置1之回收動作結束。

(4)基板回收處理 圖16及圖17係表示由圖3之控制裝置9推進之基板回收處理之流程圖。圖16及圖17之基板回收處理係藉由控制裝置9之CPU於RAM上執行記憶裝置中記憶之基板回收程式而進行。基板回收處理與使基板洗淨裝置1執行圖4～圖15之常規動作之基板洗淨處理並行執行。以下，參照圖3之控制裝置9、以及圖16及圖17之流程圖，對基板回收處理進行說明。

首先，基板位置判定部9J對基板洗淨裝置1是否發生異常進行判定(步驟S1)。基板洗淨裝置1未發生異常之情形時，待機，直至基板洗淨裝置1發生異常為止。基板洗淨裝置1發生異常之情形時，基板位置判定部9J對基板W是否位於第1高度位置進行判定(步驟S2)。此時，要停止基板洗淨處理。若基板W位於第1高度位置，則下表面洗淨控制部9E使升降支持部54上升，以使下表面刷51之洗淨面於第1高度位置與基板W之下表面中央區域接觸(步驟S3)。

其次，下表面洗淨控制部9E藉由噴液嘴52向由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之下表面中央區域供給處理液(步驟S4)。經過特定時間後，下表面洗淨控制部9E使噴液嘴52停止處理液之供給(步驟S5)。又，下表面洗淨控制部9E藉由氣體噴出部53向基板W之下表面中央區域供給氣體(步驟S6)。

繼而，基座控制部9C使可動基座32移動至第1水平位置(步驟S7)。之後，下表面洗淨控制部9E使氣體噴出部53停止氣體之供給(步驟S8)。又，下表面洗淨控制部9E使升降支持部54下降(步驟S9)。其次，交接控制部9D藉由使複數根支持銷41上升，然後再使之下降，而將基板W自第1高度位置搬送至第2高度位置(步驟S10)。

繼而，吸附控制部9B藉由下側保持裝置20保持步驟S10中搬送之基板W(步驟S11)。又，承杯控制部9F使承杯61上升至上承杯位置(步驟S12)。之後，吸附控制部9B藉由下側保持裝置20使基板W旋轉(步驟S13)。其次，下表面洗淨控制部9E使升降支持部54上升，以使下表面刷51之洗淨面於第2高度位置與基板W之下表面外側區域接觸(步驟S14)。

繼而，下表面洗淨控制部9E藉由噴液嘴52向基板W之下表面外側區域供給處理液(步驟S15)。經過特定時間後，下表面洗淨控制部9E使噴液嘴52停止處理液之供給(步驟S16)。該情形時，藉由基板W之旋轉，基板W之整體得以乾燥。基板W乾燥後，下表面洗淨控制部9E停止藉由下側保持裝置20而實現之基板W之旋轉(步驟S17)。又，下表面洗淨控制部9E使升降支持部54下降(步驟S18)。進而，承杯控制部9F使承杯61下降至下承杯位置(步驟S19)。

之後，搬入搬出控制部9I將搬入搬出口2x打開(步驟S20)。由基板搬送機器人之手RH通過搬入搬出口2x將基板W自單元殼體2搬出後，搬入搬出控制部9I藉由擋閘91將搬入搬出口2x關閉(步驟S21)。

若於步驟S2中為基板W不位於第1高度位置，則基板位置判定部9J對基板W是否位於第2高度位置進行判定(步驟S22)。若基板W位於第2高度位置，則基板位置判定部9J進入步驟S12。該情形時，執行步驟S12～S21。而若基板W不位於第2高度位置，則基板位置判定部9J進入步驟S10。藉此，執行步驟S10～S21。執行步驟S21後，基板回收處理結束。

(5)效果 本實施方式之基板洗淨裝置1中，於第1高度位置與第2高度位置之間，藉由交接裝置40搬送基板W。於第1高度位置，藉由上側保持裝置10A、10B保持基板W之外周端部。於第2高度位置，藉由下側保持裝置20吸附保持基板W之下表面中央區域，並使基板W繞鉛直軸旋轉。

下表面刷51藉由下表面刷升降驅動部55b而升降，以能與由上側保持裝置10A、10B或下側保持裝置20保持之基板W之下表面接觸。基板W之下表面中央區域或下表面外側區域由下表面刷51清洗。基板W之位置由基板位置判定部9J判定。

若基板洗淨裝置1發生異常時，判定基板W位於第1高度位置，則藉由噴液嘴52向由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之下表面中央區域供給處理液。因此，即便基板W之下表面中央區域附著有異物，異物亦會被自基板W去除。又，噴液嘴52之處理液供給結束後，藉由氣體噴出部53向基板W之下表面中央區域供給氣體。因此，即便基板W被搬送至第2高度位置並由下側保持裝置20吸附保持，液體成分亦不會浸入下側保持裝置20之吸附部內。

之後，將基板W藉由交接裝置40搬送至第2高度位置，使之由下側保持裝置20保持。其次，於在第2高度位置藉由下側保持裝置20一面保持基板W一面使基板W旋轉之狀態下，藉由噴液嘴52向基板W之下表面外側區域供給處理液。因此，即便基板W之下表面外側區域附著有異物，異物亦會被自基板W去除。又，噴液嘴52之處理液供給結束後，會維持基板W之旋轉，故而基板W之整體得以乾燥。因此，即便自基板洗淨裝置1搬出基板W，液體成分亦不會附著於基板搬送機器人之手RH。

若基板洗淨裝置1發生異常時，判定基板W位於第2高度位置，則於藉由下側保持裝置20一面保持基板W一面使基板W旋轉之狀態下，藉由噴液嘴52向基板W之下表面外側區域供給處理液。因此，即便基板W之下表面外側區域附著有異物，異物亦會被自基板W去除。又，噴液嘴52之處理液供給結束後，會維持基板W之旋轉，故而基板W之整體得以乾燥。因此，即便自基板洗淨裝置1搬出基板W，液體成分亦不會附著於基板搬送機器人之手RH。

若基板洗淨裝置1發生異常時，判定基板W位於第1高度位置與第2高度位置之間，則將基板W藉由交接裝置40搬送至第2高度位置，使之由下側保持裝置20保持。其次，於在第2高度位置藉由下側保持裝置20一面保持基板W一面使基板W旋轉之狀態下，藉由噴液嘴52向基板W之下表面外側區域供給處理液。因此，即便基板W之下表面外側區域附著有異物，異物亦會被自基板W去除。又，噴液嘴52之處理液供給結束後，會維持基板W之旋轉，故而基板W之整體得以乾燥。因此，即便自基板洗淨裝置1搬出基板W，液體成分亦不會附著於基板搬送機器人之手RH。

實施該等基板回收處理後，能於發生異常時自基板洗淨裝置1得當地回收基板W。

(6)其他實施方式 (a)上述實施方式中，基板洗淨裝置1之常規動作係於清洗基板W之下表面中央區域時，自噴液嘴52向基板W之下表面供給洗淨液，但實施方式並不限定於此。亦可於清洗基板W之下表面中央區域前，使下表面刷51含浸一定量之洗淨液，以此取代自噴液嘴52向基板W之下表面供給洗淨液。該情形時，基板洗淨裝置1上亦可不設置噴液嘴52。

又，於基板洗淨裝置1上未設置噴液嘴52之構成中，若基板洗淨裝置1發生異常時，判定基板W位於第1高度位置，則不向由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之下表面中央區域供給處理液。該構成下，亦同樣地，若基板洗淨裝置1發生異常時，由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之下表面中央區域附著有液體成分，則利用藉由氣體供給部而供給之氣體對基板W之下表面中央區域進行乾燥。

因此，即便下表面中央區域被供給了氣體之基板W被搬送至第2高度位置並由下側保持裝置20吸附保持，液體成分亦不會浸入下側保持裝置20之吸附部內。藉此，得以防止下側保持裝置20受到損傷。其結果，能於發生異常時自基板洗淨裝置1得當地回收基板W。

(b)上述實施方式中，交接裝置40係基板搬送部，於第1高度位置與第2高度位置之間搬送基板W，但實施方式並不限定於此。上側保持裝置10A、10B及下側保持裝置20中至少一者以可升降之方式構成之情形時，亦可不設置交接裝置40。該情形時，上側保持裝置10A、10B及下側保持裝置20中至少一者係基板搬送部，藉由該基板搬送部升降，而於第1高度位置與第2高度位置之間搬送基板W。

(c)上述實施方式中，基板洗淨裝置1之常規動作係於清洗基板W之下表面中央區域後，再清洗基板W之下表面外側區域，但實施方式並不限定於此。於基板洗淨裝置1之常規動作中，亦可於清洗基板W之下表面外側區域後，再清洗基板W之下表面中央區域。

該情形時，對於已被搬入至基板洗淨裝置1之基板W，首先於由下側保持裝置20吸附保持之狀態下，清洗下表面中央區域、外周端部及上表面。之後，由下側保持裝置20保持之基板W被上側保持裝置10A、10B接收，保持。該狀態下，清洗基板W之下表面中央區域。清洗後之基板W會被自上側保持裝置10A、10B向單元殼體2之外部搬出。

或者，於基板洗淨裝置1之常規動作中，亦可於依序執行基板W之下表面中央區域及基板W之下表面外側區域之清洗後，再次清洗基板W之下表面中央區域。

(d)上述實施方式中，基板回收處理係與基板洗淨處理並行執行，但實施方式並不限定於此。基板回收處理亦可響應於使用者之開始指令而執行。該情形時，省略圖16之基板回收處理中之步驟S1。

(7)請求項之各構成要素與實施方式之各部之對應關係 以下，對請求項之各構成要素與實施方式之各要素之對應例進行說明，但本發明並不限定於下述例。作為請求項之各構成要素，亦可採用具有請求項中記載之構成或功能之其他各種要素。

於上述實施方式中，基板W係基板之例，基板洗淨裝置1係基板洗淨裝置之例，上側保持裝置10A、10B係第1基板保持部之例。下側保持裝置20係第2基板保持部之例，交接裝置40係基板搬送部之例，下表面刷51係洗淨具之例，下表面刷升降驅動部55b係洗淨具升降部之例。噴液嘴52係處理液供給部之例，氣體噴出部53係氣體供給部之例，基板位置判定部9J係基板位置判定部之例，控制裝置9係控制部之例。

1:基板洗淨裝置 2:單元殼體 2a:底面部 2b, 2c, 2d, 2e:側壁部 2x:搬入搬出口 9A:夾頭控制部 9B:吸附控制部 9C:基座控制部 9D:交接控制部 9E:下表面洗淨控制部 9F:承杯控制部 9G:上表面洗淨控制部 9H:斜面洗淨控制部 9I:搬入搬出控制部 9J:基板位置判定部 10A, 10B:上側保持裝置 11A, 11B:下夾頭 12A, 12B:上夾頭 13A, 13B:下夾頭驅動部 14A, 14B:上夾頭驅動部 15:傳感裝置 20:下側保持裝置 21:吸附保持部 22:吸附保持驅動部 30:基座裝置 31:線性導軌 32:可動基座 33:基座驅動部 40:交接裝置 41:支持銷 42:銷連結構件 43:銷升降驅動部 50:下表面洗淨裝置 51:下表面刷 52:噴液嘴 53:氣體噴出部 54:升降支持部 54u:升降支持部之上表面 55:移動支持部 55a:下表面刷旋轉驅動部 55b:下表面刷升降驅動部 55c:下表面刷移動驅動部 56:下表面洗淨液供給部 57:噴出氣體供給部 60:承杯裝置 61:承杯 62:承杯驅動部 70:上表面洗淨裝置 71, 81:旋轉支持軸 72, 82:臂 73:噴霧嘴 74:上表面洗淨驅動部 75:上表面洗淨流體供給部 80:端部洗淨裝置 83:斜面刷 84:斜面刷驅動部 90:開關裝置 91:擋閘 92:擋閘驅動部 RH:手 rp:平面基準位置 W:基板

圖1係本發明之一實施方式之基板洗淨裝置之俯視模式圖。 圖2係表示圖1之基板洗淨裝置之內部構成之外觀立體圖。 圖3係表示基板洗淨裝置之控制系統之構成之方塊圖。 圖4係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖5係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖6係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖7係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖8係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖9係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖10係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖11係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖12係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖13係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖14係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖15係用以說明圖1之基板洗淨裝置之常規動作之模式圖。 圖16係表示由圖3之控制裝置推進之基板回收處理之流程圖。 圖17係表示由圖3之控制裝置推進之基板回收處理之流程圖。

1:基板洗淨裝置 2:單元殼體 2a:底面部 2b, 2c, 2d, 2e:側壁部 2x:搬入搬出口 10A, 10B:上側保持裝置 11A, 11B:下夾頭 12A, 12B:上夾頭 13A, 13B:下夾頭驅動部 14A, 14B:上夾頭驅動部 15:傳感裝置 20:下側保持裝置 21:吸附保持部 22: 吸附保持驅動部 30:基座裝置 31:線性導軌 32:可動基座 33:基座驅動部 40:交接裝置 41:支持銷 42:銷連結構件 43:銷升降驅動部 50:下表面洗淨裝置 51:下表面刷 52:噴液嘴 53:氣體噴出部 54:升降支持部 54u:升降支持部之上表面 55:移動支持部 55a:下表面刷旋轉驅動部 55b:下表面刷升降驅動部 55c:下表面刷移動驅動部 60:承杯裝置 61:承杯 62:承杯驅動部 70:上表面洗淨裝置 71, 81:旋轉支持軸 72, 82:臂 73:噴霧嘴 74:上表面洗淨驅動部 80:端部洗淨裝置 83:斜面刷 84:斜面刷驅動部 90:開關裝置 91:擋閘 92:擋閘驅動部 W:基板

Claims (10)

1. 一種基板洗淨裝置，其係清洗基板之下表面者，且包含： 第1基板保持部，其於第1高度位置，保持上述基板之外周端部； 第2基板保持部，其於較上述第1高度位置更靠下方之第2高度位置，吸附保持上述基板之下表面中央區域，並使上述基板繞鉛直軸旋轉； 基板搬送部，其於上述第1高度位置與上述第2高度位置之間搬送上述基板； 洗淨具，其清洗上述基板之上述下表面中央區域、或包圍上述下表面中央區域之下表面外側區域； 洗淨具升降部，其以能與由上述第1或第2基板保持部保持之上述基板之下表面接觸之方式使上述洗淨具升降； 氣體供給部，其能朝向上述基板之下表面吐出氣體； 基板位置判定部，其判定上述基板之位置；及 控制部，其於上述基板洗淨裝置發生異常時，藉由上述基板位置判定部判定上述基板位於上述第1高度位置之情形之情形下，控制上述氣體供給部，使其向由上述第1基板保持部保持之上述基板之上述下表面中央區域供給氣體。
2. 如請求項1之基板洗淨裝置，其進而包含能朝向上述基板之下表面供給處理液之處理液供給部，且 若上述基板洗淨裝置發生異常時，藉由上述基板位置判定部判定上述基板位於上述第1高度位置之情形下，上述控制部控制上述處理液供給部，使其向由上述第1基板保持部保持之上述基板之上述下表面中央區域供給處理液，於上述處理液供給部之處理液之供給結束後，上述控制部控制上述氣體供給部，使其向上述基板之上述下表面中央區域供給氣體。
3. 如請求項2之基板洗淨裝置，其中上述控制部控制上述基板搬送部，使其於上述第2高度位置，藉由上述第2基板保持部保持上述下表面中央區域被供給了氣體之上述基板，控制上述第2基板保持部，使其一面保持上述基板一面使上述基板旋轉，並且控制上述處理液供給部，使其向上述基板之上述下表面外側區域供給處理液，經過特定時間後，一面控制上述第2基板保持部，使其維持上述基板之旋轉，一面控制上述處理液供給部，使其停止處理液之供給。
4. 如請求項2或3之基板洗淨裝置，其中若上述基板洗淨裝置發生異常時，藉由上述基板位置判定部判定上述基板位於上述第2高度位置之情形下，上述控制部控制上述第2基板保持部，使其一面保持上述基板一面使上述基板旋轉，並且控制上述處理液供給部，使其向上述基板之上述下表面外側區域供給處理液，經過特定時間後，一面控制上述第2基板保持部，使其維持上述基板之旋轉，一面控制上述處理液供給部，使其停止處理液之供給。
5. 如請求項2或3之基板洗淨裝置，其中若上述基板洗淨裝置發生異常時，藉由上述基板位置判定部判定上述基板位於上述第1高度位置與上述第2高度位置之間之情形下，上述控制部控制上述基板搬送部，使其於上述第2高度位置，藉由上述第2基板保持部保持上述基板，控制上述第2基板保持部，使其一面保持上述基板一面使上述基板旋轉，並且控制上述處理液供給部，使其向上述基板之上述下表面外側區域供給處理液，經過特定時間後，一面控制上述第2基板保持部，使其維持上述基板之旋轉，一面控制上述處理液供給部，使其停止處理液之供給。
6. 一種基板洗淨方法，其係藉由基板洗淨裝置清洗基板之下表面者，且包含如下步驟： 於第1高度位置，藉由第1基板保持部保持上述基板之外周端部； 於較上述第1高度位置更靠下方之第2高度位置，藉由第2基板保持部吸附保持上述基板之下表面中央區域，並使上述基板繞鉛直軸旋轉； 於上述第1高度位置與上述第2高度位置之間，藉由基板搬送部搬送上述基板； 使洗淨具升降，以便與由上述第1或第2基板保持部保持之上述基板之下表面接觸； 藉由上述洗淨具清洗上述基板之上述下表面中央區域、或包圍上述下表面中央區域之下表面外側區域； 判定上述基板之位置；及 若上述基板洗淨裝置發生異常時，判定上述基板位於上述第1高度位置之情形下，藉由氣體供給部向由上述第1基板保持部保持之上述基板之上述下表面中央區域供給氣體。
7. 如請求項6之基板洗淨方法，其中藉由氣體供給部向上述基板之上述下表面中央區域供給氣體之步驟包含如下動作： 藉由處理液供給部向由上述第1基板保持部保持之上述基板之上述下表面中央區域供給處理液；及 於上述處理液供給部之處理液之供給結束後，藉由上述氣體供給部向上述基板之上述下表面中央區域供給氣體。
8. 如請求項7之基板洗淨方法，其進而包含如下步驟： 於上述第2高度位置，藉由上述第2基板保持部保持上述下表面中央區域被供給了氣體之上述基板； 使保持上述基板之上述第2基板保持部旋轉； 利用上述處理液供給部向藉由上述第2基板保持部而旋轉之上述基板之上述下表面外側區域供給處理液；及 自上述處理液供給部開始處理液之供給起經過特定時間後，一面維持藉由上述第2基板保持部而實現之上述基板之旋轉，一面使上述處理液供給部之處理液之供給停止。
9. 如請求項7或8之基板洗淨方法，其進而包含如下步驟： 若上述基板洗淨裝置發生異常時，判定上述基板位於上述第2高度位置之情形下，使保持上述基板之上述第2基板保持部旋轉； 利用上述處理液供給部向藉由上述第2基板保持部而旋轉之上述基板之上述下表面外側區域供給處理液；及 自上述處理液供給部開始處理液之供給起經過特定時間後，一面維持藉由上述第2基板保持部而實現之上述基板之旋轉，一面使上述處理液供給部之處理液之供給停止。
10. 如請求項7或8之基板洗淨方法，其進而包含如下步驟： 若上述基板洗淨裝置發生異常時，判定上述基板位於上述第1高度位置與上述第2高度位置之間之情形下，藉由上述基板搬送部向上述第2高度位置搬送上述基板； 於上述第2高度位置，藉由上述第2基板保持部保持上述基板； 使保持上述基板之上述第2基板保持部旋轉； 利用上述處理液供給部向藉由上述第2基板保持部而旋轉之上述基板之上述下表面外側區域供給處理液；及 自上述處理液供給部開始處理液之供給起經過特定時間後，一面維持藉由上述第2基板保持部而實現之上述基板之旋轉，一面使上述處理液供給部之處理液之供給停止。

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