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TWI781135B - 二氧化矽粒子分散液及其製造方法 - Google Patents

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TWI781135B
TWI781135B TW107101993A TW107101993A TWI781135B TW I781135 B TWI781135 B TW I781135B TW 107101993 A TW107101993 A TW 107101993A TW 107101993 A TW107101993 A TW 107101993A TW I781135 B TWI781135 B TW I781135B
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熊澤光章
荒金宏忠
村口良
平井俊晴
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日商日揮觸媒化成股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種抑制未生長至目標二氧化矽粒子之低聚物等未反應物之生成，效率良好地製造包含異形二氧化矽粒子之分散液的方法。 本發明係對實質上包含有機溶劑之液體I，同時添加含有矽烷烷氧化物之液體A、及含有鹼性觸媒及水之液體B，藉此使矽烷烷氧化物水解及縮聚，而製造包含2個以上之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子之分散液之方法，將自添加開始直至達到添加結束時之反應系中之二氧化矽濃度之70%之濃度之時間設為總反應時間之20%以下。

Description

二氧化矽粒子分散液及其製造方法
本發明係關於一種包含異形二氧化矽粒子之分散液之製造方法，詳細而言，係關於一種對用於半導體積體電路中之金屬配線層於形成時之研磨等之研磨材有用的包含異形二氧化矽粒子之分散液之製造方法。
於電腦、各種電子設備中使用有各種積體電路，伴隨該等之小型化、高性能化，要求電路之高密度化與高性能化。 例如，半導體積體電路係於矽晶圓等基材上使配線層間膜(絕緣膜)成膜，並於該配線層間膜(絕緣膜)上形成金屬配線用之槽圖案，視需要藉由濺鍍法等形成氮化鉭(TaN)等障壁金屬層，繼而藉由化學蒸鍍(CVD)法等使金屬配線用之銅成膜。此處，於設置有TaN等障壁金屬層之情形時，可防止銅或雜質等向層間絕緣膜之擴散或侵蝕所伴隨的層間絕緣膜之絕緣性之降低等，又，可提高層間絕緣膜與銅之接著性。 繼而，將成膜於槽內以外之無用之銅及障壁金屬(有時稱為犧牲層)藉由化學機械研磨(CMP)法研磨而去除，並且使上部表面儘可能平坦化，僅於槽內剩餘金屬膜，而形成銅之配線、電路圖案。 該CMP法中使用之研磨材通常係於含有包含二氧化矽等金屬氧化物之平均粒徑為5～300 nm左右之球狀研磨用粒子之分散液中，添加用以加快配線、電路用金屬之研磨速度之氧化劑、有機酸等添加劑而製造。 若於該包含研磨用粒子之分散液(二氧化矽溶膠)中存在矽烷烷氧化物之低聚物等未反應物(副產物)，則因富有反應性之低聚物等未反應物之影響，作為二氧化矽溶膠未獲得充分之穩定性。進而，有因於用作研磨材時混合之添加劑之影響，產生增黏、凝集、白濁、產生沈澱凝膠等情況。若使用此種研磨材，則有因凝集物而產生刮痕，又，於研磨後之基板上殘留二氧化矽成分而產生問題之情況(例如參照專利文獻1～3)。又，有吸附用以提高研磨特性之添加劑而降低添加劑之效果之情況。 作為抑制此種低聚物等未反應物之生成的二氧化矽溶膠之製造方法，例如提出有如下方法：包含將包含四甲氧基矽烷之有機溶劑、與包含鹼性觸媒及水之溶劑，添加至包含鹼性觸媒及水之有機溶劑中，藉此使四甲氧基矽烷水解及縮聚而製造二氧化矽溶膠之步驟(a)，及將二氧化矽溶膠之分散介質加熱至達到水之沸點而利用水進行置換之步驟(b)(參照專利文獻4)。 另一方面，作為用作研磨材之二氧化矽粒子，製造有真球狀者與異形者。異形二氧化矽粒子可較佳地用於追求研磨速度之研磨劑。 例如，根據上述專利文獻4記載之方法，獲得二次粒子之平均粒徑為一次粒子之平均粒徑之1.5～3.0倍之異形二氧化矽粒子。 又，作為異形二氧化矽粒子之其他製造方法，提出有如下方法：於包含水、甲醇及氨，或水、甲醇、氨及銨鹽之混合溶劑中，以該溶劑中之銨離子之含量基於該溶劑之總重量為0.5～3重量%，反應於10～30℃之溫度下進行之方式，於攪拌下滴加矽酸甲酯、或矽酸甲酯與甲醇之混合物10～40分鐘，使矽酸甲酯與水進行反應(參照專利文獻5)。根據該方法，可生成具有10～200 nm之短徑與1.4～2.2之長徑/短徑比之膠體二氧化矽。 又，提出有於在包含銨離子之水性溶劑中，連續地添加四烷氧基矽烷或四烷氧基矽烷與水混和性有機溶劑之混合物作為原料，使之水解、縮合時，以變為直至反應初期階段之2個單一二氧化矽粒子之合著所需之原料添加量之2.0～6.0倍之範圍之方式控制該等原料之總添加量的花生樣雙子型膠體二氧化矽粒子之製造方法(參照專利文獻6)。 進而，提出有將烷氧基矽烷之縮合物或其水性溶劑溶液滴加至氨或者銨鹽之水溶液或包含氨或者銨鹽與水性溶劑之水溶液中，並且使烷氧基矽烷水解之繭型膠體二氧化矽之製造方法(參照專利文獻7)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2015-124231號公報 段落[0002]、[0006] [專利文獻2]日本專利特開2012-156393號公報 段落[0006] [專利文獻3]日本專利特開2014-154707號公報 段落[0007] [專利文獻4]日本專利特開2005-060217號公報 [專利文獻5]日本專利特開平11-060232號公報 [專利文獻6]日本專利特開2004-203638號公報 [專利文獻7]WO2004/074180號
[發明所欲解決之問題] 專利文獻4記載之方法係生產性良好地製造高純度二氧化矽粒子者，但於步驟(a)中，生成未生長至製造目標二氧化矽粒子之矽烷烷氧化物之低聚物等未反應物，而必需去除其之步驟(b)，就生產之效率性、成本之方面等而言存在問題。 又，專利文獻5之方法亦同樣存在生成未生長至製造目標二氧化矽粒子之矽烷烷氧化物之低聚物等未反應物之問題。又，所製造之二氧化矽粒子分散液之二氧化矽粒子之濃度亦極低。進而，5個以上之一次粒子連結者變為球狀，不會成為鏈狀(段落[0011])。 又，專利文獻6及7之方法亦同樣存在生成未生長至製造目標二氧化矽粒子之矽烷烷氧化物之低聚物等未反應物之問題。進而，專利文獻7之方法係以矽烷烷氧化物之縮合物為原料之特殊方法。 本發明提供一種抑制未生長至目標二氧化矽粒子之低聚物等未反應物之生成，效率良好地製造包含一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子之分散液之方法。 [解決問題之技術手段] 於反應之初期階段，形成大量表面為活性之一次粒子，使該一次粒子彼此效率良好地接觸併合著，藉此可有效率地製造一次粒子連結(合著)而成之異形二氧化矽粒子。即，減少預先準備於容器中之液體I之量，而提高反應初期之系統內之矽烷烷氧化物濃度，藉此於反應初期之期間，可快速提高系統中之活性二氧化矽粒子(一次粒子)之濃度。藉此，可促進一次粒子之合著，有效率地製造2個以上之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子。 進而，對不含水或鹼性觸媒之液體I，添加含有矽烷烷氧化物之液體A、與含有鹼性觸媒及水之液體B而推進反應，藉此於反應期間，對矽烷烷氧化物之水解產生較大之影響之水及鹼性觸媒之量相對於矽烷烷氧化物成為大致固定。其結果為，逐次添加之矽烷烷氧化物始終於相同之條件下水解，未生長至目標二氧化矽粒子之低聚物等未反應物之生成受到抑制。 具體而言，包含準備實質上包含有機溶劑之液體I之步驟；及於該液體I中同時添加含有矽烷烷氧化物之液體A、及含有鹼性觸媒及水之液體B，藉此使矽烷烷氧化物水解及縮聚，製造包含2個以上之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子之分散液的步驟。此時，將自添加開始(反應開始)直至達到添加結束時(反應結束時)之反應系中之二氧化矽濃度之70%之濃度之時間設為總添加時間(總反應時間)之20%以下。 該液體I之量相對於液體A及液體B之總添加量，較佳為30質量%以下。又，較佳為自添加開始(反應開始)直至結束之期間，反應系中之鹼性觸媒相對於矽烷烷氧化物之莫耳比相對於初期值之變化率為0.90～1.10，且反應系中之水相對於矽烷烷氧化物之莫耳比相對於初期值之變化率為0.90～1.10。進而，較佳為自添加開始(反應開始)直至結束之期間，反應系中之鹼性觸媒相對於矽烷烷氧化物之莫耳比始終為0.20以上，且水相對於矽烷烷氧化物之莫耳比始終為2.0以上。反應系之溫度較佳為0～65℃。添加結束時(反應結束時)之反應系中之二氧化矽濃度較佳為5質量%以上。 又，二氧化矽粒子分散液包含2個以上之平均粒徑(d)為5～300 nm之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子10%以上，未反應物之含量為200 ppm以下。 該二氧化矽粒子分散液較佳為二氧化矽粒子中之U、Th各自之含量未達0.3 ppb，鹼金屬、鹼土金屬、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zr各自之含量未達0.1 ppm，Cu、Ni、Cr各自之含量未達1 ppb。 [發明之效果] 可抑制未生長至目標二氧化矽粒子之低聚物等未反應物之生成，效率良好地製造包含一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子之分散液。
[二氧化矽粒子分散液之製造方法] 本發明之二氧化矽粒子分散液之製造方法包含：準備實質上包含有機溶劑之液體I之步驟；及於該液體I中同時添加含有矽烷烷氧化物之液體A、及含有鹼性觸媒及水之液體B，而使矽烷烷氧化物水解及縮聚，製造包含2個以上之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子之分散液的步驟。此時，將自添加開始(反應開始)直至達到添加結束時(反應結束時)之反應系(分散液)中之二氧化矽濃度之70%之濃度之時間設為總添加時間(總反應時間)之20%以下。 藉此，於反應初期，快速提高系統中之活性二氧化矽粒子(一次粒子)之濃度，促進一次粒子之積極合著，因此可有效率地製造一次粒子合著而得之異形二氧化矽粒子。 自添加開始(反應開始)直至達到添加結束時(反應結束時)之系統中二氧化矽濃度之70%之濃度之時間較佳為總添加時間(總反應時間)之15%以下。 此處，所謂2個以上之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子，係指作為球狀或真球狀之1個粒子所掌握之粒子(一次粒子)為2個以上，較佳為2～10個連結而成之鏈狀粒子(參照圖1)。 又，系統中二氧化矽濃度之測定係每10分鐘採取樣品，使樣品5 g於1000℃下乾燥1小時，根據乾燥前後之質量求出(下述式)。 系統中二氧化矽濃度(質量%)＝(乾燥後之質量/乾燥前之質量)×100 作為將自添加開始(反應開始)直至達到添加結束時(反應結束時)之系統中二氧化矽濃度之70%之濃度之時間設為總添加時間(總反應時間)之20%以下之方法，可列舉減少液體I之量，或提高反應初期之矽烷烷氧化物之添加濃度、添加速度之方法。 ＜液體I(預先準備於容器之液體)＞ 液體I實質上包含有機溶劑。作為有機溶劑，可列舉醇、酮、醚、二醇、酯等。其中，就可容易地使矽烷烷氧化物擴散並均勻且迅速地推進水解之方面而言，較佳為醇。更具體而言，可列舉：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙二醇單丙醚等二醇醚；乙二醇、丙二醇、己二醇等二醇；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等酯。該等之中，更佳為甲醇或乙醇，尤佳為甲醇。該等有機溶劑可單獨使用1種，亦可將2種以上混合使用。 此處，所謂「實質上包含有機溶劑」，係意指可包含自有機溶劑之製造過程不可避免地包含之雜質等，但不含其以外者。例如，有機溶劑為99質量%以上，較佳為99.5質量%以上。 作為液體I之量，相對於液體A及液體B之總添加量，較佳為30質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為0.1～10質量%。藉由如此將液體I之量設為少量，於反應初期，可快速提高系統中之活性二氧化矽粒子(一次粒子)之濃度，促進一次粒子之合著。 再者，於先前之反應系中，由於預先於液體I中放入鹼性觸媒或水，故而自添加開始時(反應開始時)，系統內之組成逐次產生變化，因此矽烷烷氧化物之水解條件並非固定，容易產生未反應物。又，添加開始時(反應開始時)之pH值較高，但其後有pH值降低之傾向，於追加之鹼性觸媒不足之情形時，添加結束時(反應結束時)之pH值低於11之情況較多，因此容易產生未反應物。 相對於此，於本發明中，由於使用實質上包含有機溶劑之液體I，故而於自添加開始(反應開始)直至結束之反應期間中，可將鹼性觸媒及水相對於矽烷烷氧化物之量設為固定。藉此，逐次添加之矽烷烷氧化物始終於相同之條件下水解，因此未生長至製造目標二氧化矽粒子之低聚物等未反應物之生成受到抑制。又，可製造一次粒徑一致之粒子。 ＜液體A＞ 液體A係含有矽烷烷氧化物者，較佳為進而含有有機溶劑。通常為實質上包含矽烷烷氧化物，或實質上包含矽烷烷氧化物及有機溶劑之兩種成分。再者，所謂「實質上包含矽烷烷氧化物」、「實質上包含兩種成分」，與上述相同，係意指可包含自矽烷烷氧化物或有機溶劑之製造過程不可避免包含之雜質等，但不含其以外者，例如為99質量%以上，較佳為99.5質量%以上。 作為矽烷烷氧化物，可列舉下述式[1]所表示者。 Xn Si(OR)4-n ・・・[1] 式中，X表示氫原子、氟原子、碳數1～8之烷基、芳基或乙烯基，R表示氫原子、碳數1～8之烷基、芳基或乙烯基，n表示0～3之整數。 作為上述式[1]所表示之矽烷烷氧化物，除四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷以外，可列舉：四異丙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、四辛氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、三甲氧基矽烷、三乙氧基矽烷、三異丙氧基矽烷、氟三甲氧基矽烷、氟三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二甲氧基矽烷、二乙氧基矽烷、二氟二甲氧基矽烷、二氟二乙氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三甲基異丙氧基矽烷、三甲基丁氧基矽烷、三氟甲基三甲氧基矽烷、三氟甲基三乙氧基矽烷等。 該等矽烷烷氧化物中，尤其較佳為使用四甲氧基矽烷(TMOS)或四乙氧基矽烷(TEOS)等上述式[1]之n為0、且R之烷基鏈較短者。於使用該等之情形時，水解速度變快，可迅速提高二氧化矽粒子之初始濃度，又，有不易殘留未反應物之傾向。其中較佳為烷基鏈較短之四甲氧基矽烷(TMOS)。 作為液體A之有機溶劑，可使用上述液體I所例示者，較佳為使用與液體I相同組成之有機溶劑。即，於在液體I中使用甲醇之情形時，較佳為於液體A中亦使用甲醇。 此處，於液體A包含有機溶劑之情形時，作為矽烷烷氧化物相對於有機溶劑之濃度，例如為1.5～6.4 mol/L，較佳為2.0～6.0 mol/L。 ＜液體B＞ 液體B係含有鹼性觸媒及水者，通常實質上包含兩種成分。再者，所謂「實質上包含兩種成分」，係與上述液體A中說明者相同之意義。 作為鹼性觸媒，可使用氨、胺、鹼金屬氫化物、鹼土金屬氫化物、鹼金屬氫氧化物、鹼土金屬氫氧化物、四級銨化合物、胺系偶合劑等顯示鹼性之化合物，較佳為使用氨。 此處，作為鹼性觸媒相對於水之濃度，例如為1～24 mol/L，較佳為3～15 mol/L。 ＜反應條件等＞ 二氧化矽粒子分散液之製造方法較佳為滿足以下兩個條件。 (1)開始液體A及液體B之添加後直至結束之期間(自添加開始(反應開始)直至結束之期間)之反應系中之鹼性觸媒相對於矽烷烷氧化物之莫耳比相對於初期值之變化率(觸媒比率變化率)為0.90～1.10， (2)開始液體A及液體B之添加後直至結束之期間(自添加開始(反應開始)直至結束之期間)之反應系中之水相對於矽烷烷氧化物之莫耳比相對於初期值之變化率(水比率變化率)為0.90～1.10。 即，於自添加開始(反應開始)直至結束之期間，儘量減少觸媒比率變化率及水比率變化率，而欲設為固定。作為其具體之態樣，如上所述，可列舉預先儘量減少液體I中所含之鹼性觸媒及水之量，藉此抑制觸媒比率變化率及水比率變化率之方法。又，可列舉於自添加開始(反應開始)直至結束之期間，儘可能將液體A及液體B之添加速度等添加條件設為固定，而抑制觸媒比率變化率及水比率變化率之方法。例如，藉由使用高精度之泵，可抑制液體A及液體B之添加速度之變化。 藉此，逐次添加之矽烷烷氧化物始終於相同之條件下水解，未生長至製造目標之二氧化矽粒子之低聚物等未反應物之生成受到抑制。因此，可省略去除未反應物之步驟，可有效率地製造二氧化矽粒子分散液。又，該製造之二氧化矽粒子分散液幾乎不含低聚物等未反應物。因此，可獲得二氧化矽粒子分散液及作為研磨材之穩定性優異、具有良好之研磨特性之研磨材。進而，可製造一次粒徑一致之粒子。 此處，鹼性觸媒相對於矽烷烷氧化物之莫耳比(鹼性觸媒/矽烷烷氧化物)、及水相對於矽烷烷氧化物之莫耳比(水/矽烷烷氧化物)分別根據添加重量實測值算出。此時，假定矽烷烷氧化物之水解及縮聚之反應為瞬時發生，而鹼性觸媒未向系統外釋出。觸媒比率變化率及水比率變化率係根據每特定時間(例如每10分鐘)，根據添加重量實測值算出反應系內之莫耳比，除以初期之莫耳比之數值而算出。再者，所謂初期值，係指剛添加液體A及液體B後之莫耳比(理論值)。 該觸媒比率變化率如上所述，較佳為0.90～1.10，更佳為0.95～1.05，進而較佳為0.98～1.02。 該水比率變化率如上所述，較佳為0.90～1.10，更佳為0.95～1.05，進而較佳為0.98～1.02。 又，矽烷烷氧化物之添加速度於自添加開始(反應開始)直至結束之期間，較佳為0.005 mol/分鐘以上，更佳為0.01 mol/分鐘以上，進而較佳為0.02 mol/分鐘以上。藉由以此種速度添加矽烷烷氧化物，可抑制未生長至目標二氧化矽粒子之矽烷烷氧化物之低聚物等未反應物之生成。又，於反應之初期階段，可形成大量表面為活性之一次粒子，使該一次粒子彼此接觸併合著，並且可進而使該合著粒子作為種子粒子生長。 進而，於自添加開始(反應開始)直至結束之期間之反應系中，鹼性觸媒相對於矽烷烷氧化物之莫耳比始終為0.20以上，且水相對於矽烷烷氧化物之莫耳比始終為2.0以上。即，較佳為添加之間(反應中)，相對於矽烷烷氧化物，將鹼性觸媒及水保持為特定量以上。藉由如此將鹼性觸媒及水保持為特定量以上而使之反應，可充分地推進水解，並可抑制未反應之矽烷烷氧化物之殘留、或未反應物之產生。 再者，鹼性觸媒相對於矽烷烷氧化物之莫耳比、及水相對於矽烷烷氧化物之莫耳比與上述相同，係指分別基於添加重量實測值算出者。 此處，於自添加開始(反應開始)直至結束之期間之反應系中，鹼性觸媒相對於矽烷烷氧化物之莫耳比如上所述，較佳為0.20以上，更佳為0.30以上，進而較佳為0.50～1.00。 又，於自添加開始(反應開始)直至結束之期間之反應系中，水相對於矽烷烷氧化物之莫耳比如上所述，較佳為2.0以上，更佳為3.0以上，進而較佳為3.5～15.0。 又，於添加結束時(反應結束時)之反應系中，pH值較佳為11以上，更佳為11.2以上。於預先於液體I中放入鹼性觸媒之先前之反應系中，多數情況為於反應結束時pH值低於11，成為產生未反應物之主要原因。於本發明中，如上所述，藉由將鹼性觸媒量或水量相對於矽烷烷氧化物設為固定而進行添加，可使反應結束時之pH值成為11以上。 該反應通常於常壓下進行。作為反應溫度，只要為所使用之溶劑之沸點以下之溫度即可，但為加快粒子之析出，較佳為0～65℃，更佳為10～50℃。 藉由本發明之製造方法製造之二氧化矽粒子分散液係矽烷烷氧化物之低聚物等未反應物之生成較少。因此，未必必須進行先前進行之加熱熟成處理、加熱去除處理、超濾等精製處理。 又，添加結束時(反應結束時)之二氧化矽粒子分散液(反應系)中之二氧化矽濃度高於利用先前之方法製造者，例如為5質量%以上，較佳為10質量%以上，更佳為10～25質量%。 [二氧化矽粒子分散液] 本發明之二氧化矽粒子分散液包含2個以上之平均粒徑(d)為5～300 nm之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子10%以上，未反應物之含量為200 ppm以下。二氧化矽粒子分散液可藉由上述製造方法製造。二氧化矽粒子分散液對研磨材有用，可直接於分散體之狀態下使用，亦可乾燥而使用。 ＜未反應物＞ 所謂未反應物，係意指反應未進行至目標二氧化矽粒子之含矽化合物。例如未反應之原料矽烷烷氧化物或其低分子水解物(低聚物)、遠小於目標粒子之粒子等。具體而言，係意指使用日立工機股份有限公司製造之小型超離心機CS150GXL，對二氧化矽粒子水分散液於設定溫度10℃、1,370,000 rpm(1,000,000 G)下進行30分鐘離心處理時之上澄液中存在之含矽化合物。 《未反應物之含量之測定方法》 根據對存在於上述上澄液中之含矽化合物(未反應物)，利用島津製作所股份有限公司製造之ICP(Inductively Coupled Plasma，感應耦合電漿)發光分析裝置ICPS-8100測得之Si求出SiO2 濃度。 由於二氧化矽粒子分散液幾乎不含低聚物等未反應物，故而於用於研磨材之情形時，研磨材中之粒子穩定性優異，並且向基板之附著物減少。又，可抑制添加至研磨材之各種藥品之吸附或與各種藥品之反應，而有效地發揮各種藥品之效果。 二氧化矽粒子分散液中所含之二氧化矽粒子採用三維縮聚結構。其原因在於，矽烷烷氧化物之水解及縮聚於鹼性側進行，藉此並非僅平面狀(二維)地進行，而是立體(三維)地進行。使用具有此種結構之粒子之研磨材係粒子之分散性較高，可獲得充分之研磨速度，因此較佳。另一方面，若於酸性側進行水解及縮聚，則二維地進行，無法獲得球狀粒子。 該結構可利用穿透式電子顯微鏡或掃描式電子顯微鏡確認，根據以粒子之形式存在而進行判斷。 二氧化矽粒子分散液中所含之一次粒子之平均粒徑(d)為5～300 nm，可根據所要求之研磨速度或研磨精度等適當設定。關於平均粒徑(d)之算出方法，使用圖1進行說明。圖1例示有一次粒子單個存在之粒子或複數個一次粒子連結而得之粒子。塗黑部分係粒子間之接合部之圖像，接合部亦可包含空間。粒徑d係測定各粒子之一次粒子之最長徑而得者。平均粒徑(d)係拍攝電子顯微鏡照片，對任意之100個粒子測定各粒子之一次粒子之最長徑d，以其平均值之形式而獲得。 此處，於平均粒徑未達5 nm之情形時，有二氧化矽粒子分散液之穩定性變得不充分之傾向，又，粒徑過小而無法獲得充分之研磨速度。於平均粒徑超過300 nm之情形時，於用作研磨材之情形時，亦基於基板或絕緣膜之種類而異，但有容易產生刮痕，無法獲得充分之平滑性之情況。平均粒徑較佳為10～200 nm，更佳為15～100 nm。 二氧化矽粒子分散液係包含2個以上之上述平均粒徑(d)為5～300 nm之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子10%以上者，較佳為包含30%以上，更佳為包含50%以上。異形二氧化矽粒子只要為2個以上之一次粒子連結而得者則並無特別限制，較佳為2～10個左右連結而得者。 此處，異形二氧化矽粒子之一次粒子之連結個數、或系統中之異形二氧化矽粒子之比率(異形粒子率)係拍攝電子顯微鏡照片，對任意之100個粒子進行觀察而求出。 二氧化矽粒子分散液中所含之二氧化矽粒子較佳為U、Th各自之含量未達0.3 ppb，鹼金屬、鹼土金屬、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zr各自之含量未達0.1 ppm，Cu、Ni、Cr各自之含量未達1 ppb。若為該範圍，則可用作配線節點為40 nm以下之高積體之邏輯電路或記憶體及三維安裝用調製用之研磨粒。 若該等雜質之金屬元素之含量超過上述範圍而大量存在，則有於使用二氧化矽粒子進行過研磨之基板殘留金屬元素之虞。該金屬元素引起形成於半導體基板之電路之絕緣不良，使電路短路。藉此，有設置於絕緣用之膜(絕緣膜)之介電常數降低，金屬配線中阻抗增大，產生應答速度慢、消耗電力增大等之情況。又，於金屬元素離子移動(擴散)，使用條件或使用持續長期之情形時亦有產生此種故障之情況。尤其是於U、Th之情形時，由於產生輻射，故而於在即使微量殘留之情形時亦引起因輻射導致之半導體之誤動作方面而言，欠佳。 此處，所謂鹼金屬，係表示Li、Na、K、Rb、Cs、Fr，所謂鹼土金屬，係表示Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra。 為獲得此種雜質之含量較少之高純度二氧化矽粒子，較佳為將製備粒子時之裝置之材質設為不含該等元素、且耐化學品性較高者，具體而言，較佳為Teflon(註冊商標)、FRP(Fiber Reinforced Plastics，纖維強化塑膠)、碳纖維等塑膠、無鹼玻璃等。 又，關於所使用之原料，較佳為利用蒸餾、離子交換、過濾器去除而進行精製。尤其是用於烷氧化物之水解時之乙醇有來自槽等之金屬雜質或合成時之觸媒殘留之虞，有必需精度特別高之精製之情況。 作為獲得高純度二氧化矽粒子之方法，如上所述，有預先準備雜質較少之原料，抑制自粒子製備用裝置混入之方法。除此以外，亦可自未充分採取此種對策而製備之粒子減少雜質。然而，於雜質引入至二氧化矽粒子內之情形時，有利用離子交換或過濾器去除進行精製時效率較低、成本變高之虞。因此，利用此種方法，獲得雜質之含量較少之二氧化矽粒子不實際。 《金屬元素含量之測定》 關於二氧化矽粒子中之U、Th之含量，鹼金屬、鹼土金屬、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zr之含量，及Cu、Ni、Cr之含量，係利用氫氟酸使二氧化矽粒子溶解，進行加熱而去除氫氟酸後，視需要添加純水，對所獲得之溶液使用ICP感應耦合電漿發射光譜質量分析裝置(例如島津製作所股份有限公司製造之ICPM-8500)進行測定。 [實施例] 以下，藉由實施例說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。 [實施例1] ＜二氧化矽粒子分散液(SA)之製造＞ 將甲醇(液體I)300.0 g保持為50℃，對該液體I，花費5小時同時添加四甲氧基矽烷(多摩化學工業股份有限公司製造，以下相同)之甲醇溶液(液體A)2994.4 g、及氨水(液體B)800.0 g。反應結束時之二氧化矽粒子分散液之二氧化矽濃度為14.2質量%。添加結束後，進而於該溫度下熟成1小時。將溶劑置換為純水，獲得二氧化矽濃度20質量%之二氧化矽粒子分散液(SA)。將詳細之處理條件、及各種測定結果示於表1。又，將觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化示於圖2。進而，將系統內二氧化矽濃度之變化示於圖3。 《鹼性觸媒及水之相對於矽烷烷氧化物之莫耳比、及其變化率》 鹼性觸媒/矽烷烷氧化物、水/矽烷烷氧化物之各莫耳比係根據添加重量實測值，假定矽烷烷氧化物之水解及縮聚之反應為瞬時產生，鹼性觸媒未向系統外釋出而算出。自液體A及液體B之添加開始10分鐘後，算出每10分鐘之反應系內之莫耳比。將剛添加液體A及液體B後之莫耳比(理論值)設為初期值，利用除以該初期值而得之數值，對系統內之各物質莫耳比之變化進行比較。 Si(OR)4 ＋4H2 O→Si(OH)4 ＋4ROH (於水解時消耗4莫耳) Si(OH)4 →SiO2 ＋2H2 O (於縮聚時釋出2莫耳) 《系統中二氧化矽濃度》 每10分鐘採取樣品，使樣品5 g於1000℃下乾燥1小時，根據乾燥前後之質量，算出系統中二氧化矽濃度(下述式)。 系統中二氧化矽濃度(質量%)＝(乾燥後之質量/乾燥前之質量)×100 《未反應物量》 未反應物量係利用根據對使用日立工機股份有限公司製造之小型超離心機CS150GXL，對所獲得之二氧化矽濃度20質量%之二氧化矽粒子分散液，於設定溫度10℃、1,370,000 rpm(1,000,000 G)下進行30分鐘離心處理時之上澄液中存在之含矽化合物(未反應物)，利用島津製作所股份有限公司製造之ICP發光分析裝置ICPS-8100測得之Si求出之SiO2 濃度進行比較。 《一次粒子之平均粒徑》 一次粒子之平均粒徑係拍攝二氧化矽粒子之電子顯微鏡照片，對任意之100個粒子，如圖1所例示，測定一次粒子之直徑最長之部分(亦有鏈狀粒子之短徑方向之情況)，以其平均值之形式而獲得。 《一次粒徑之CV值》 一次粒徑之CV值係使用上述各個結果，藉由計算求出。 《系統中之異形二氧化矽粒子之比率(異形粒子率)》 拍攝電子顯微鏡照片，對任意之100個粒子進行觀察，求出2個以上之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子之比率。 《異形二氧化矽粒子之一次粒子之連結個數》 拍攝電子顯微鏡照片，對任意之100個粒子進行觀察，求出各粒子之連結個數之平均值。 ＜研磨材(SA)之製造＞ 製備含有實施例1中製造之二氧化矽粒子3.0質量%、羥乙基纖維素(HEC)175 ppm、氨225 ppm之研磨材(SA)。 《研磨材(漿料)之穩定性試驗》 研磨材(漿料)之穩定性係根據＜研磨材(SA)之製造＞中製備之研磨材(SA)有無白濁進行評價。將結果示於表1。 無白濁：○ 有白濁：× 《研磨試驗》 使用研磨用基板(結晶結構為1.0.0之單晶矽晶圓)，安裝於研磨裝置(Nano Factor股份有限公司製造之NF300)，以研磨墊SUBA600、基板負荷15 kPa、工作台旋轉速度50 rpm、主軸速度60 rpm，對上述研磨材(SA)，以250 ml/分鐘之速度進行研磨用基板之研磨10分鐘。其後，利用純水清洗並風乾。 其後，觀察所獲得之研磨基板之研磨表面，利用以下基準(刮痕之程度)對表面之平滑性進行評價。將結果示於表1。 幾乎見不到刮痕。：○ 見到一點點刮痕。：△ 見到大範圍刮痕。：× 關於研磨基板上之二氧化矽成分之殘留，使用雷射顯微鏡(KEYENCE股份有限公司製造之VK-X250)確認殘留之程度，利用下述評價基準進行評價。將結果示於表1。 幾乎見不到殘留。：○ 見到一點點殘留。：△ 見到大範圍殘留。：× [實施例2] ＜二氧化矽粒子分散液(SB)之製造＞ 將甲醇(液體I)206.0 g保持為25℃，對該液體I，花費10小時同時添加四甲氧基矽烷之甲醇溶液(液體A)2003.3 g、及氨水(液體B)784.0 g。反應結束時之二氧化矽粒子分散液之二氧化矽濃度為12.9質量%。添加結束後，進而於該溫度下熟成1小時。將溶劑置換為純水，獲得二氧化矽濃度20質量%之二氧化矽粒子分散液(SB)。將詳細之處理條件、及各種測定結果示於表1。又，將觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化示於圖4。進而，將系統內二氧化矽濃度之變化示於圖5。 使用二氧化矽粒子分散液(SB)，除此以外，以與實施例1相同之方式製造研磨材(SB)，並以與實施例1相同之方式進行穩定性試驗及研磨試驗。將結果示於表1。 [實施例3] ＜二氧化矽粒子分散液(SC)之製造＞ 將甲醇(液體I)150.0 g保持為60℃，對該液體I，花費5小時同時添加四甲氧基矽烷之甲醇溶液(液體A)2994.4 g、及氨水(液體B)800.0 g。反應結束時之二氧化矽粒子分散液之二氧化矽濃度為14.7質量%。添加結束後，進而於該溫度下熟成1小時。將溶劑置換為純水，獲得二氧化矽濃度20質量%之二氧化矽粒子分散液(SC)。將詳細之處理條件、及各種測定結果示於表1。又，將觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化示於圖6。進而，將系統內二氧化矽濃度之變化示於圖7。 使用二氧化矽粒子分散液(SC)，除此以外，以與實施例1相同之方式製造研磨材(SC)，並以與實施例1相同之方式進行穩定性試驗及研磨試驗。將結果示於表1。 [實施例4] ＜二氧化矽粒子分散液(SD)之製造＞ 將甲醇(液體I)500.0 g保持為40℃，對該液體I，花費8小時20分鐘(500分鐘)同時添加四甲氧基矽烷之甲醇溶液(液體A)2794.4 g、及氨水(液體B)800.0 g。反應結束時之二氧化矽粒子分散液之二氧化矽濃度為14.2質量%。添加結束後，進而於該溫度下熟成1小時。將溶劑置換為純水，獲得二氧化矽濃度20質量%之二氧化矽粒子分散液(SD)。將詳細之處理條件、及各種測定結果示於表1。又，將觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化示於圖8。進而，將系統內二氧化矽濃度之變化示於圖9。 使用二氧化矽粒子分散液(SD)，除此以外，以與實施例1相同之方式製造研磨材(SD)，並以與實施例1相同之方式進行穩定性試驗及研磨試驗。將結果示於表1。 [比較例1] ＜二氧化矽粒子分散液(RA)之製造＞ 將包含甲醇2268.0 g、純水337.5 g、29%氨水94.5 g之液體I保持為40℃，對該液體I，花費160分鐘添加四甲氧基矽烷之甲醇溶液(液體A)2170.0 g。反應結束時之二氧化矽粒子分散液之二氧化矽濃度為14.0質量%。添加結束後，進而於該溫度下熟成1小時。將溶劑置換為純水，獲得二氧化矽濃度20質量%之二氧化矽粒子分散液(RA)。將詳細之處理條件、及各種測定結果示於表1。又，將觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化示於圖10。進而，將系統內二氧化矽濃度之變化示於圖11。 使用二氧化矽粒子分散液(RA)，除此以外，以與實施例1相同之方式製造研磨材(RA)，並以與實施例1相同之方式進行穩定性試驗及研磨試驗。將結果示於表1。 再者，於任一實施例及比較例中，二氧化矽粒子中之U、Th各自之含量均未達0.3 ppb，鹼金屬、鹼土金屬、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zr各自之含量均未達0.1 ppm，Cu、Ni、Cr各自之含量均未達1 ppb。 《金屬元素含量》 關於二氧化矽粒子中之各金屬元素量之含量，係利用氫氟酸使二氧化矽粒子溶解，進行加熱而去除氫氟酸後，視需要添加純水，對所獲得之溶液使用ICP感應耦合電漿發射光譜質量分析裝置(例如島津製作所股份有限公司製造之ICPM-8500)進行測定。 [表1]
Figure 107101993-A0304-0001
 如表1所示，可知，實施例1～4中製造之二氧化矽粒子分散液有效率地生成異形二氧化矽粒子。又，與比較例1相比，未反應物之生成量較少，於漿料穩定性或研磨特性之方面亦優異。
圖1係說明本發明之平均粒徑(d)之算出方法之圖。塗黑部分為粒子間之接合部之圖像，接合部亦可包含空間。 圖2係表示實施例1之觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化之圖。 圖3係表示實施例1之系統內二氧化矽濃度之變化之圖。 圖4係表示實施例2之觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化之圖。 圖5係表示實施例2之系統內二氧化矽濃度之變化之圖。 圖6係表示實施例3之觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化之圖。 圖7係表示實施例3之系統內二氧化矽濃度之變化之圖。 圖8係表示實施例4之觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化之圖。 圖9係表示實施例4之系統內二氧化矽濃度之變化之圖。 圖10係表示比較例1之觸媒比率變化率及水比率變化率之經時變化之圖。 圖11係表示比較例1之系統內二氧化矽濃度之變化之圖。

Claims (6)

  1. 一種二氧化矽粒子分散液之製造方法，其特徵在於：其包含準備實質上包含有機溶劑之液體I之步驟；及於上述液體I中同時添加含有矽烷烷氧化物之液體A、及含有鹼性觸媒及水之液體B，而使上述矽烷烷氧化物水解及縮聚，製造包含2個以上之一次粒子連結而成之異形二氧化矽粒子之分散液的步驟；將自添加開始直至達到添加結束時之反應系中之二氧化矽濃度之70%之濃度之時間設為總添加時間之20%以下。
  2. 如請求項1之二氧化矽粒子分散液之製造方法，其中上述液體I之量相對於上述液體A及上述液體B之總添加量，為30質量%以下。
  3. 如請求項1或2之二氧化矽粒子分散液之製造方法，其中上述自添加開始直至結束之期間，上述反應系中之上述鹼性觸媒相對於上述矽烷烷氧化物之莫耳比相對於初期值之變化率為0.90~1.10，且，上述反應系中之上述水相對於上述矽烷烷氧化物之莫耳比相對於初期值之變化率為0.90~1.10。
  4. 如請求項1或2之二氧化矽粒子分散液之製造方法，其中上述自添加開始直至結束之期間，上述反應系中之上述鹼性觸媒相對於上述矽烷烷氧化物之莫耳比始終為0.20以上，且，上述水相對於上述矽烷烷氧化物之莫耳比始終為2.0以上。
  5. 如請求項1或2之二氧化矽粒子分散液之製造方法，其中上述反應系之溫度為0~65℃。
  6. 如請求項1或2之二氧化矽粒子分散液之製造方法，其中上述添加結束時之上述反應系中之二氧化矽濃度為5質量%以上。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133267A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 研磨用粒子および研磨材

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3195569B2 (ja) 1997-08-11 2001-08-06 守 磯 繭型コロイダルシリカの製造方法
JP2004203638A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Ube Nitto Kasei Co Ltd 落花生様双子型コロイダルシリカ粒子およびその製造方法
US20060150860A1 (en) 2003-02-18 2006-07-13 Toshio Nozaki Alkali-resistant cocoon-shaped colloidal silica particle and process for producing the same
JP4566645B2 (ja) 2003-07-25 2010-10-20 扶桑化学工業株式会社 シリカゾル及びその製造方法
US20100146864A1 (en) * 2005-08-10 2010-06-17 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd Nodular Silica Sol and Method of Producing the Same
JP5602358B2 (ja) 2007-11-30 2014-10-08 日揮触媒化成株式会社 非球状シリカゾル、その製造方法および研磨用組成物
JP5346167B2 (ja) * 2007-12-27 2013-11-20 日揮触媒化成株式会社 粒子連結型アルミナ−シリカ複合ゾルおよびその製造方法
JP5477192B2 (ja) 2010-06-23 2014-04-23 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子の製造方法
JP5701092B2 (ja) * 2010-06-30 2015-04-15 株式会社トクヤマ 表面処理無機酸化物粒子の製造方法
JP5631699B2 (ja) 2010-11-08 2014-11-26 信越化学工業株式会社 異形シリカ微粒子の製造方法及び静電荷像現像用トナー外添剤
JP5613067B2 (ja) 2011-01-27 2014-10-22 日本化学工業株式会社 半導体ウエハ研磨用組成物、その製造方法、及び研磨方法
JP5880351B2 (ja) * 2012-08-24 2016-03-09 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子及びその製造方法
JP2014154707A (ja) 2013-02-08 2014-08-25 Hitachi Chemical Co Ltd 研磨液、研磨方法及びシリコンウエハの製造方法
JP6266337B2 (ja) 2013-12-25 2018-01-24 ニッタ・ハース株式会社 半導体基板用濡れ剤及び研磨用組成物
SG11201707209RA (en) * 2015-03-31 2017-10-30 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd Silica-based composite fine-particle dispersion, method for producing same, and polishing slurry including silica-based composite fine-particle dispersion

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133267A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 研磨用粒子および研磨材

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