TWI778992B - 銀離子之α-氧基羧酸根-肟錯合物及提供銀金屬之方法 - Google Patents
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Abstract
非羥基溶劑可溶性銀錯合物包含與α-氧基羧酸根及肟化合物錯合之可還原銀離子。該非羥基溶劑可溶性銀錯合物可由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)
其中L表示α-氧基羧酸根；P表示肟化合物；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，條件係當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2。該等錯合物可併入含有可還原銀離子之光敏性組合物中且可用於方法中以在各種物件中提供導電銀金屬之薄膜或圖案。
Description
本發明係關於非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其可併入含有可還原銀離子之光敏性組合物中，該等組合物可用於在輻照後提供銀金屬以用於各種用途。該等錯合物中之每一者包括與α-氧基羧酸根及肟化合物錯合之可還原銀離子。該等組合物可用於各種方法中以在各種物件、尤其適於捲對捲製程之彼等物件中提供銀金屬。
眾所周知作為貴金屬之銀具有合意的導電率及導熱率、催化性質及抗微生物特性。因此，銀及含銀化合物廣泛用於合金、金屬電鍍製程、電子器件、成像科學、醫學、衣物或其他纖維材料及其他商業及工業物件及製程中以利用銀的有益性質。
例如，在業內已知之其他電子器件中，已闡述銀化合物或銀金屬可在以下各項中用作金屬圖案或電極：金屬佈線圖案、印刷電路板(PCB)、撓性印刷電路板(FPC)、射頻識別(RFID)標籤之天線、電漿顯示面板(PDP)、液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)、撓性顯示器及有機薄膜電晶體(OTFT)。
出於各種通訊、財政及檔案目的，各種電子器件之製備及使用亦正發生快速發展。
銀係具有較目前許多器件中常用的氧化銦錫大50至100倍之電導率之理想導體。例如，業內已闡述藉由以下方式製備導電膜：在「照相」鹵化銀乳液中藉助適當遮罩形成鹵化銀影像並使其顯影(還原)，以形成含有具有小於10μm之平均大小(寬度及高度)且具有適當長度之銀絲線之導電柵格網路。已作出各種努力來設計鹵化銀乳液及處理條件來最佳化導電柵格設計。
儘管銀作為電導體在印刷電子器件之領域具有眾多種潛在用途，但藉由光微影及無電電鍍技術微製作導電軌跡(柵格、絲線或圖案)耗時且昂貴，且業內需要直接數位印刷來簡化製程及降低製造成本。
此外，期望藉由基於溶液之印刷製程在聚合或類似的溫度敏感性基板上製作含銀電子器件。必須在足夠低的溫度下達成低電阻之金屬導電絲線或柵格以便與聚合物基板上之有機電子器件相容。在製作導電銀柵格或圖案之各種已知方法中，直接印刷含銀油墨提供製備該等導電圖案之誘人前景。
可用於此目的之常用銀導電油墨目前係基於或依賴於銀奈米粒子(NP)溶液或分散液之存在，所有該等油墨皆具有相關缺點。為克服基於銀奈米粒子之油墨中常見的聚集及絮凝問題，可使用囊封表面活性劑或分散劑之各種硫醇鹽。Volkman等人[Chem.Mater. 23,4634-4640(2011)]觀察到囊封表面活性劑之硫醇鹽可用於處理含銀油墨中之3nm銀粒子以達成在空氣中在高於175℃之溫度下燒結之膜。燒結對於獲得電子應用所需要的導電性必不可少。Niittynen等人[Sci.Rep. 5，論文編號：8832(2015)]探索了燒結對噴墨印刷之銅奈米粒子油墨之電性能及微結構之效應。該等工作者使用雷射及強脈衝光(IPL)燒結以便獲得具有大於塊體銅
之20%之導電率之物件。
然而，燒結技術具有大量缺點。在許多情形下，燒結步驟需要高溫，該等高溫與常用於許多消費電子物件中之聚合物基板(例如聚對苯二甲酸乙二酯或聚碳酸酯)係不相容的。此外，用於該等製程之含金屬油墨具有不同的黏度及合成參數。基於粒子之油墨通常含有導電金屬粒子，該等粒子係單獨合成的且然後被併入油墨調配物中。每種所得到的基於粒子之油墨然後必須經最佳化以用於特定印刷製程中。
Grouchko等人[ACS Nano 5(4)3354-3359(2011)]最近藉由採用室溫、「內置式」燒結機制克服了一些該等問題，從而成功生產出展現高達塊體銀電導率之41%之電導率的銀金屬物件。為獲得該等電導率值，使用氯化物鹽(例如NaCl)或HCl蒸氣自約15nm直徑的銀奈米粒子原料剝去聚合物(聚丙烯酸鈉鹽)靜電空間穩定性塗層。此燒結機制由自發聚結及奧斯特瓦爾德成熟(Ostwald ripening)組成，其係由極小銀奈米粒子之表面積-對-體積能量驅動的。因此，所有該等基於奈米粒子之製程皆固有地涉及燒結製程，無論其係化學(強酸，例如鹽酸)、熱、雷射抑或UV活化的。
亦已提出噴墨印刷及柔版印刷來提供銀或含銀化合物之圖案，其需要小心製作具有合意的表面張力、黏度、穩定性及該等施加製程所需要的其他物理性質之含銀膏糊或「油墨」。高電導率通常需要高銀含量，且增加印刷銀油墨之電導率可能另外需要煅燒或燒結。
上述方法之替代係採用銀源係分子前體或陽離子(例如銀鹽)之化學油墨調配物，該調配物然後發生化學反應(或還原)以產生銀金屬。近年來，呈化學溶液形式而非呈金屬粒子之懸浮液或分散液形式之導電油墨引起了人們的興趣[例如，參見Walker及Lewis，J.Am.Chem.Soc. 134,1419
(2012)；及Jahn等人Chem.Mater. 22,3067-3071(2010)]。一種此類型之導電油墨稱為金屬有機分解(MOD)變種油墨，例如，如Jahn等人[Chem.Mater. 22,3067-3071(2010)]所闡述，其使用含有過渡金屬錯合物[AgO2C(CH2OCH2)3H]之水性MOD油墨來研究銀印刷。其報告了具有高達2.7×107S m-1之電導率之金屬銀特徵之形成，該電導率對應於塊體銀之43%之電導率，但需要250℃之燒結溫度。MOD油墨由此克服一些與含奈米粒子油墨之使用相關之問題(例如，噴嘴堵塞)，但通常需要多個印刷道次以獲得足夠的薄片電阻。若生長過程係自離散奈米粒子中間體起始(此在MOD油墨製程中係常見的)，則亦仍需要處理後燒結製程來完全鞏固導電物件。
美國專利申請公開案2015-0004325(Walker等人)闡述包括羧酸銀鹽及烷基胺之錯合物之化學反應性銀油墨組合物，其中該錯合物用於在120℃或更低之溫度下形成導電銀結構。不幸地，即使該等溫度亦使得油墨與撓性電子及生物醫學器件中所使用之許多聚合及紙基板不相容。此外，由於已知烷基胺在室溫下可還原銀，因此該等組合物之長期穩定性係暫定的。該等錯合物必須在氣密式冷藏庫中保存用於延長保存穩定性(該公開案之第I欄，第0054段)。此外，該公開案教示需要長的加熱時間來在所得物件中獲得低電阻率。
形成有機銀錯合物之常見配位離子係羧酸[Prog.Inorg.Chem., 10,233(1968)]。然而，銀-羧酸根錯合物通常不溶於有機溶劑中[例如參見，Whitcomb之美國專利5,491,059及Hill等人之5,534,312]且具有高分解溫度。為解決此問題，已在以下文獻中提出若干種方法：例如，Ang.Chem.,Int.Ed.Engl.,31，第770頁(1992)、Chem.Vapor Deposition,7,
111(2001)、Chem.Mater.,16,2021(2004)及美國專利5,705,661(Iwakura等人)。該等方法尤其係使用具有長烷基鏈之羧酸銀或包括胺化合物或膦化合物之彼等。然而，迄今已知銀錯合物具有充足的穩定性或溶解性，且圖案形成需要高分解溫度且其分解較緩慢。
據稱，為解決一些該等問題，美國專利8,226,755(Chung等人)闡述藉由使銀化合物(例如銀鹽)與胺基甲酸銨化合物或碳酸銨化合物反應而形成之銀錯合物。此外，美國專利申請公開案2010/0021704(Yoon等人)闡述與胺錯合且與氧化銀混合以在低溫下自氧化銀形成銀金屬之脂肪酸銀鹽之製備及用途。
美國專利8,163,073(Chan等人)闡述使用銀銨錯合物離子、銀胺錯合物離子、銀-胺基酸錯合物離子、鹵化銀錯合物離子、亞硫酸銀錯合物離子或硫代硫酸銀錯合物離子進行銀電鍍製程以形成銀絲線用於各種器件。
美國專利7,682,774(Kim等人)闡述包含氟化銀-有機錯合物前體作為觸媒前體之其他光敏性組合物，以及自具有羧基之單體及可使得用於無電電鍍之所得「晶種」銀觸媒粒子具有聚合穩定性及顯影性之可共聚合單體衍生的聚合物的用途。
美國專利8,419,822(Li)闡述藉由加熱銀鹽、羧酸及三級胺之混合物產生羧酸穩定之銀奈米粒子之製程。然而，已觀察到該等含銀錯合物係熱或光不穩定的。可還原銀離子在環境光條件下易於還原，且所得到的銀粒子電導率最小。
製備導電膜或元件之其他工業方法已涉及調配含有金屬粒子(例如銀金屬粒子)之分散液之可光固化組合物及將其施加至基板，隨後固化可光固化組合物中之可光固化組分。固化組合物中所施加之銀粒子由此充當用
於無電電鍍導電金屬之催化(晶種)粒子。以此方式製備之有用導電柵格闡述於(例如)美國專利9,188,861(Shukla等人)及9,207,533(Shukla等人)及美國專利申請公開案2014/0071356(Petcavich)及2015/0125596(Ramakrishnan等人)中。使用該等方法，可在適宜透明基板(例如，透明聚酯之連續捲)上印刷並固化含有催化銀粒子之可光固化組合物，且然後可在催化銀粒子上實施無電電鍍。然而，該等方法要求大量銀粒子以均勻方式分散在可光固化組合物內，使得塗層或印刷圖案具有充分高的催化位點濃度。在無有效分散之情況下，銀粒子易於團聚，導致催化金屬圖案及無電電鍍之施加較不有效且較不均勻。
儘管已實施所有各種各樣的方法及努力在上述各種消費及工業物件中提供導電銀，但業內需要在室溫下可快速生成金屬銀之其他銀生成性光敏性組合物及製程。理想地，該等光敏性組合物應具有若干種性質：在室溫下持續長時間之穩定性(有限的銀離子自還原)；能夠使用多種施加製程來沈積，無論均勻地抑或逐圖案；在室溫下可用；及可控制的化學活性。
本發明提供非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及肟化合物錯合之可還原銀離子，非羥基溶劑可溶性銀錯合物係由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)
其中L表示α-氧基羧酸根；P表示肟化合物；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，條件係當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2。
另外，本發明之含有可還原銀離子之光敏性組合物基本上由以下各
項組成：a)本文所闡述之任何非羥基溶劑可溶性銀錯合物；b)包含至少一種非羥基溶劑之溶劑介質；及c)視情況之光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化α-氧基羧酸根。
此外，提供銀金屬之方法包含：在基板上自本文所闡述之含有可還原銀離子之光敏性組合物之任一實施例提供光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案，該光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案包含：a)非羥基溶劑可溶性銀錯合物；及b)視情況之光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化α-氧基羧酸根；及藉由利用波長在至少150nm且至多且包括700nm範圍內之電磁輻射來輻照光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案，將光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案中之可還原銀離子以光化學方式轉化為導電銀金屬，以在基板上提供具有含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案之物件。
在一些實施例中，該方法進一步包含：在連續基板之第二相對支撐側上之兩個或更多個各別部分上提供兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案，該兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案中之每一者包含：a)非羥基溶劑可溶性銀錯合物；及b)光敏劑；以光化學方式轉化該兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案中之每一者
中之可還原銀離子，以在連續基板之第二相對支撐側上提供兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案；使該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水或水性或非水性鹽溶液接觸；視情況，使該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水性或非水性非鹽溶液接觸；及視情況，乾燥該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者。
前體物件包含基板，該基板具有第一支撐側及第二相對支撐側，且在至少該第一支撐側上具有光敏性薄膜或一或多個光敏性薄膜圖案，該光敏性薄膜或該一或多個光敏性薄膜圖案中之每一者係自任何本文所闡述之含有可還原銀離子之光敏性組合物獲得的。
此外，本發明之產品物件可衍生自本文所闡述之任一方法實施例，該產品物件包含基板，該基板具有第一支撐側及第二相對支撐側，且在至少該第一支撐側上具有含有導電銀金屬之薄膜或一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案，其包含：銀金屬；α-氧基羧酸根；肟化合物；及光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化α-氧基羧酸根。
根據本發明，包含與一或多個α-氧基羧酸根及一或多個肟化合物錯
合之銀離子之新穎非羥基溶劑可溶性銀錯合物可用於光敏性組合物及物件及產生及使用該等光敏性組合物及物件之方法中。例如，可將該等新穎錯合物併入可包括光敏劑及包含一或多種非羥基溶劑之溶劑介質的銀「油墨」或含有可還原銀離子之光敏性組合物中。當存在時，光敏劑在吸收光化輻射後分解非羥基溶劑可溶性銀錯合物以在室溫下快速形成導電金屬銀。可還原銀離子在不存在光敏劑時可以光化學方式轉化為銀金屬，但通常以顯著更慢的速率發生。
本文所闡述之該等新穎錯合物及含有其之光敏性組合物可用於如下的各種方法中：在基板上包含銀「油墨」作為均勻的光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案，及在室溫下使所施加材料曝光於適宜光化輻射以生成導電銀金屬(均勻的層或圖案)。
本發明提供優於已知技術之若干重要優點。
首先，在存在適當光敏劑下，在吸收光化輻射之後，本文之本發明非羥基溶劑可溶性銀錯合物在室溫下快速生成導電銀金屬。因此，金屬銀生成可以高速度、連續製造操作(例如捲對捲操作)進行。
另外，本文所闡述之錯合物及本發明之併入該等錯合物之光敏性組合物在黑暗中或在黃色安全光條件下保持時在室溫下係穩定的，使得銀離子之過早還原極少。因此，在該等錯合物及光敏性組合物中本發明之化學高度可控，使得該等錯合物及光敏性組合物不會過早降解且可用於眾多操作中。
由於金屬銀是在室溫下在曝光於光化輻射之後生成的，故本發明之光敏性組合物在所用基板(包括塑膠(聚合物)、金屬、玻璃及可用於各種最終產品或電子器件中之其他材料)之選擇中可提供更大的撓性。
此外，由於本發明之光敏性組合物通常呈澄清液體之形式，故在產生各種物件及應用時可選擇各種沈積技術，包括(但不限於)柔版印刷、噴墨印刷、網版印刷、凹版印刷、捲對捲塗佈、噴霧及熟習此項技術者可易於明瞭之其他技術。
本文所闡述之優點可藉由使用本文所闡述之新穎非羥基溶劑可溶性銀錯合物來達成。每一錯合物包含至少一個與至少一個α-氧基羧酸根及至少一個肟化合物錯合之可還原銀離子。該等非羥基溶劑可溶性銀錯合物在下文有更詳細闡述。
可在兩種不同光化學製程中之一者中自本發明之錯合物提供銀金屬，此端視所存在光敏劑之類型而定。在一些實施例中，光敏劑具有吸電子性且在用自電磁輻射捕獲之光子激發之後，其與α-氧基羧酸根離子發生反應，但在其他實施例中，光敏劑具有推電子性且在用自電磁輻射捕獲之光子激發之後，其與可還原銀離子發生反應。
熟習此項技術者鑒於本文所提供之教示將易於明瞭本發明之其他優點。
圖1顯示在下文發明實例4中製備之2-羥基異丁酸銀丙酮肟錯合物之晶體結構。
下列論述係關於本發明之各個實施例且儘管一些實施例對於特定用途而言可能合意，但所揭示實施例不應詮釋或換言之視為限制如下文所主張之本發明範圍。另外，熟習此項技術者應理解，下列揭示內容具有較任一實施例之論述中所明確闡述之應用更廣泛的應用。
如在定義本發明之實踐中所使用之含有可還原銀離子之光敏性組合物、光敏性薄膜、光敏性薄膜圖案或其他材料之各種組分時所使用，除非另有指示，否則單數形式「一(a、an)」及「該」意欲包括一或多種組分(亦即，包括複數個指示物)。
在本申請案中未明確定義之每一術語應理解為具有通常為熟習此項技術者接受之意義。若術語之構築會在其語境中使得其無意義或基本上無意義，則該術語應理解為具有標準詞典意義。
除非另有明確指示，否則認為所使用之本文所指定之各個範圍內之數值為近似值，如同所述範圍內之最小及最大值皆在詞語「約」之後一般。以此方式，可使用高於或低於所述範圍之輕微改變來達成實質上與該等範圍內之值相同的結果。另外，該等範圍之揭示內容意欲為包括在最小值與最大值之間之每一值以及該等範圍之端點在內之連續範圍。
除非另有指示，否則術語「重量%」係指基於含有可還原銀離子之光敏性組合物、調配物、溶液之總量之組分或材料之量。在其他實施例中，「重量%」可指乾燥層、塗層、薄膜、銀絲線或銀圖案之固體(或乾重)之%。
除非本文另有指示，否則術語「非羥基溶劑可溶性銀錯合物」、「含有銀離子之錯合物」及「錯合物」係指本發明之實施例。
除非本文另有指示，否則術語「光敏性組合物」及「含有可還原銀離子之光敏性組合物」係指本發明之實施例。
除非本文另有指示，否則「光敏性」係指在利用在至少150nm且至多且包括750nm或特別是至少190nm且至多且包括450nm範圍內之波長
之紫外光(UV)或可見光輻射輻照時，錯合物或光敏性組合物中之銀離子被還原為銀金屬之能力。因此，光敏性係指直接吸收輻射且經歷光化學反應之錯合物，或指光敏性組合物中吸收光化輻射並經由電子轉移將能量轉移至錯合物以起始期望反應之光敏劑。
除非另有指示，否則術語如應用至含有可還原銀離子之光敏性組合物或溶液之「非水性」意味著用於形成該等組合物或溶液之溶劑介質主要具有有機性質且水並非係故意添加的，但可以小於該溶劑介質中所有溶劑之總重量之10重量%或特別是小於5重量%或甚至小於1重量%之量存在。
本文所闡述之光敏性薄膜及含銀金屬薄膜之平均乾燥厚度可為至少2個單獨量測值之平均值，該等量測值係使用(例如)電子顯微術、光學顯微術或輪廓測定法測得的。
類似地，本文所闡述之線、柵格線或其他含銀金屬薄膜圖案特徵之平均乾燥厚度或寬度可為至少兩個單獨量測值之平均值，該等量測值係使用(例如)電子顯微術、光學顯微術或輪廓測定法測得的。
在提及厚度及寬度時使用之「乾燥」係指原始存在溶劑之至少50重量%經去除之實施例。
除非另有指示，否則術語「基團」特別是在用於定義取代基或部分時，可本身藉由用適宜取代基(下文所述)(例如氟原子)替代一或多個氫原子經取代或未經取代(例如，「烷基」係指經取代或未經取代之烷基)。通常，除非另有特定闡述，否則本文所提及之任何「基團」上之取代基或在闡述某物可能經取代時包括任何基團之可能性，該等取代基無論經取代抑或未經取代均不破壞組分或非水性金屬催化組合物之效用所必需的性質。亦將瞭解關於本發明及申請專利範圍所提及之具有特定一般結構之化合物
或錯合物包括彼等具有在一般結構定義內之其他更特定式之化合物。任一所提及基團上之取代基之實例可包括已知的取代基，例如：鹵素(例如，氯及氟)；烷氧基，具體而言具有1至5個碳原子之彼等(例如，甲氧基及乙氧基)；經取代或未經取代之烷基，具體而言低碳烷基(例如，甲基及三氟甲基)，具體而言具有1至6個碳原子之彼等中之任一者(例如，甲基、乙基及第三丁基)；及業內易於明瞭之其他取代基。
除非另有指示，否則本文所闡述之所有電壓皆係相對於SCE(飽和甘汞電極)來量測。
如在定義本發明之實踐中所使用之有機溶劑時所使用之術語「非羥基」係指完全不存在羥基(-OH)之有機溶劑。該等非羥基溶劑不包括水。
質子溶劑係具有結合至氧原子(如在羥基中)或至氮原子(如在胺基團中)之氫原子之溶劑。
滿足實際應用之電導率、處理及成本需求之功能電極、像素墊及導電跡線、線及軌跡之沈積或圖案一直係巨大挑戰。在電子器件之導電元件中對銀金屬特別感興趣，乃因銀的成本遠低於金且其具有遠好於銅的環境穩定性。
本發明之發明性組合物可用於在例如以下各項中形成導電金屬銀圖案及電極：膜觸控開關(MTS)、電池測試器、生物醫學、電發光燈、射頻識別(RFID)天線、平板顯示器(例如電漿顯示面板(PDP)及有機發光二極體(OLED)顯示器)、印刷電晶體及薄膜光伏打，且藉此減少該等器件中形成圖案之步驟之數量。
本文所闡述之非羥基溶劑可溶性銀錯合物具有在各種技術及工業中
眾多實際及潛在用途。最特定而言，其可用於提供銀金屬以用於各種目的，包括(但不限於)形成導電柵格或細絲線或其他幾何形式之圖案、形成銀晶種粒子用於與其他導電金屬進行無電電鍍，及在各種材料中形成銀用於抗微生物活性。
更特定而言，本文所闡述之非羥基溶劑可溶性銀錯合物尤其可用作含有可還原銀離子之光敏性組合物之一部分，該等組合物可利用所選波長之UV或可見光輻射來輻照以提供銀金屬作為導電金屬圖案之一部分。該等導電金屬圖案可併入各種器件中，包括(但不限於)觸控螢幕或其他透明顯示器件，及現代電子器件，例如太陽能電池電極、有機薄膜電晶體(OTFT)中之電極、撓性顯示器、射頻識別標籤、光天線及熟習此項技術者自本文之教示易於明瞭之其他器件。
儘管沒有必要藉由使用本發明來達成例外的優點，但亦可使用根據本發明形成之銀金屬作為使用銀或其他金屬進行電化學電鍍之催化位點以改良所得金屬薄膜或圖案之導電性。
本發明非羥基溶劑可溶性銀錯合物係僅利用以下三種必需組分來設計：(1)一或兩個與以下二者錯合之可還原銀離子、(2)一或兩個α-氧基羧酸根分子及(3)一個、兩個、三個或四個肟化合物分子，所有該等組分係如下文所闡述。
一般而言，每一種有用非羥基溶劑可溶性銀錯合物可由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)
其中L表示α-氧基羧酸根；P表示肟化合物；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，條件係當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2。
在一些實施例中：(i)a及b均為1且c為1或2；(ii)a及b均為2且c為2；或(iii)a及b均為2且c為4。
另外，在大氣壓及環境溫度(15℃至25℃)下，本發明之每一非羥基溶劑可溶性銀錯合物在非羥基溶劑中之溶解性最小(如下文所定義)或至少5g/公升。特別有用的是此溶解性特徵在作為較有用非羥基溶劑之一之乙腈中係真實的。
一般而言，每一式(I)之非羥基溶劑可溶性銀錯合物可使用針對各組分部分分開測定之氧化電位來定義，使得作為肟化合物之「P」組分具有相對於SCE至少1.5V或甚至至少2V之氧化電位；「L」組分(亦即α-氧基羧酸根)具有相對於SCE至少1V之第一氧化電位；且在α-氧基羧酸根之去羧之後，生成具有相對於SCE小於1V之氧化電位之二級自由基。
極其重要的是，本發明之非羥基溶劑可溶性銀錯合物具有隨時間流逝顯著穩定的性質，因為每一錯合物均滿足銀離子穩定性測試，使得當非羥基溶劑可溶性銀錯合物在環境溫度(15-25℃)及黃色安全光下保持24小時時，該錯合物中原始銀離子含量之小於0.1mol%被還原為銀金屬(如藉由化學分析及UV-Vis吸收光譜法所測試)。
銀(Ag)離子：
本發明之每一非羥基溶劑可溶性銀錯合物包含一或兩個可還原銀離子(亦即，一或兩個Ag+或Ag+1離子)作為第一必需組分。每一可還原銀離
子均與一或兩個α-氧基羧酸根化合物錯合。與α-氧基羧酸根化合物之錯合可經由自α-氧基羧酸根化合物之相同分子提供之兩個氧原子或自相同或不同的α-氧基羧酸根化合物之兩個分子提供之氧原子來達成。
一般而言，上文所顯示之每一式(I)非羥基溶劑可溶性銀錯合物可使用還原電位來定義，使得該錯合物之Ag+1離子可具有相對於SCE小於1.0V之還原電位；或該錯合物之Ag+1離子可具有相對於SCE小於0.5V之還原電位；或該錯合物之Ag+1離子可具有相對於SCE小於0V之還原電位。
銀離子可使用任一適宜銀鹽來提供，且如下文所闡述，其可作為其中羧酸根係本發明之α-氧基羧酸根[式(I)中之L組分]之羧酸銀鹽之一部分來提供。
α-氧基羧酸根：
本發明之非羥基溶劑溶性錯合物之第二必需組分包括一或多個α-氧基羧酸根基團(部分或組分)，其中直接附接至羧基[-C(=O)O-]之α-碳原子具有羥基、氧基或氧基烷基取代基。因此，α-氧基羧酸根可為α-羥基羧酸根、α-烷氧基羧酸根或α-氧基羧酸根。在α-羥基羧酸根及α-烷氧基羧酸根之情況下，該α-碳原子之化合價之剩餘部分可用氫或具支鏈或直鏈烷基(經取代或未經取代)來填充，如下文更詳細地闡述。α-氧基羧酸根可經提供以製備呈相應游離羧酸或呈相應鹼金屬或銨鹽之錯合物。
另外，α-氧基羧酸根(L)通常具有250或更小或150或更小之分子量，且其可能具有至少75且至多且包括150之分子量。
重要的是應注意可用於本發明中之羧酸根基團並非係在α位缺乏羥基、烷氧基或氧基之簡單烷基及芳基羧酸根。
在上文所顯示之式(I)中，b為1或2，及在其中b為2之實施例中，單一
錯合物分子內之兩個α-氧基羧酸根化合物可為相同或不同的化合物。例如，兩個α-氧基羧酸根化合物可作為兩個由如下文所闡述之式(II)或(III)表示之相同分子來提供。另一選擇為，兩個α-氧基羧酸根化合物可藉由兩個由式(II)表示之不同分子、兩個由式(III)表示之不同分子或一個由式(II)表示之分子及一個由式(III)表示之分子來提供。
在本發明之一些實施例中，上述式(I)之L可由下式(II)表示：
其中R1、R2及R3獨立地為氫或具支鏈或直鏈烷基。在大多數實施例中，R1至R3中之至少一者為具有1至8個碳原子之具支鏈或直鏈烷基，且該等具支鏈或直鏈烷基中之任一氫原子可經雜原子(例如氟原子)取代基替代。
在式(II)之尤其有用實施例中，R1為氫或具有1至3個碳原子之具支鏈或直鏈烷基(亦即，經取代或未經取代之甲基、乙基、正丙基及異丙基)，且R2及R3獨立地為具有1至8個碳原子之具支鏈或直鏈烷基(包括具有3至8個碳原子之異烷基及第三烷基)。在一些實施例中，R2及R3係如上文所定義之不同的具支鏈或直鏈烷基。另外，R1、R2及R3具支鏈或直鏈烷基中之任一者中之任一氫原子視情況可經氟原子替代；例如，具支鏈或直鏈烷基之末端碳原子可具有1至3個氟原子。
產生式(II)之α-氧基羧酸根(L)之一些尤其有用的共軛酸可選自由以下各項組成之群：乳酸、2-羥基丁酸、2-羥基-3-甲基丁酸、2-羥基-3,3-二甲基丁酸、2-羥基-異丁酸、2-羥基-2-甲基丁酸、2-乙基-2-羥基丁酸、2-
羥基-2,3-二甲基丁酸、2-乙基-2-甲氧基丁酸、2-甲氧基-2-甲基丙酸、1-羥基環戊烷-1-甲酸、2,3-二羥基-2,3-二甲基琥珀酸及2,4-二羥基-2,4-二甲基戊二酸。如上所述，若期望，可在特定錯合物中使用該等材料之混合物。
在本發明之其他實施例中，式(I)中之L係由下式(III)表示：
其中R4係具有1至8個碳原子之具支鏈或直鏈烷基，包括具有3至8個碳原子之具支鏈異烷基及第三烷基。另外，具支鏈或直鏈烷基中之任一者中之任一氫原子視情況可經氟原子替代；例如，R4具支鏈或直鏈烷基之末端碳原子可具有1至3個氟原子。
產生由式(III)表示之α-氧基羧酸根(L)之一些有用共軛酸可選自由以下各項組成之群：丙酮酸、3-甲基丙酮酸、3,3-二甲基丙酮酸、3,3-二甲基-2-側氧基丁酸、3,3-二甲基-2-側氧基戊酸及2,3-二側氧基琥珀酸。
式(I)中之L基團之電化學性質之一些有幫助的理解係如下，以便理解非羥基溶劑可溶性銀錯合物之此必需組分之範圍。
在氧化時，在式(II)中鑑別之α-氧基羧酸根經歷去羧以產生自由基K●，該自由基可經歷進一步氧化，如以下反應式(1)中所顯示
如本文所述，本發明之非羥基溶劑可溶性銀錯合物之特徵為具有與銀離子錯合之兩種組分(即α-氧基羧酸根化合物及如下文所定義之P肟化合物)之一或多個分子。P、R1、R2及R3中之所有者之化學結構特徵決定L之氧化電位(Eox1)，而R1、R2及R3決定自由基K●之氧化電位(Eox2)。
根據本發明，錯合物之α-氧基羧酸根化合物能將兩個電子轉移至可還原銀離子。第一電子來自α-氧基羧酸根之氧化以生成α-氧基羧基自由基L●，其經歷鍵裂解反應(去羧)以釋放CO2；且產生二級自由基K●，其亦可將第二電子合意地轉移至可還原銀離子。
因此，L可為可片段化的α-氧基羧酸根，其中：(1)L具有至少1V且至多且包括2V(或例如，至少1.2V且至多且包括2V)之第一氧化電位；(2)L之氧化形式經歷鍵裂解反應以提供二級自由基K●及CO2；且(3)二級自由基K●具有
+1V(亦即，等於或小於+1V)及甚至小於或等於0.5V之氧化電位。
滿足上文準則(1)及(2)但不滿足準則(3)之α-氧基羧酸根能將一個電子推送至可還原銀離子且在本文中稱作「可片段化的單電子供體」。然而，滿足所有三個準則之α-氧基羧酸根能推送兩個電子且在本文中稱作「可片段化的雙電子供體」，且該等組分尤其可用於實踐本發明以提供銀離子之較快速還原。
L之氧化形式(亦即，α-氧基羧基自由基L●)之片段化係本發明之銀金屬產生方法中之重要特徵。片段化反應之動力學可藉由雷射閃光光解來量測，該技術係用於研究瞬態粒子之性質之熟知技術，如例如「Absorption Spectroscopy of Transient Species,」W.G.Herkstroeter and I.R.Gould
in Physical Methods of Chemistry Series(第2版)，第8卷，225-319，B.Rossiter及R.Baetzold編輯，John Wiley & Sons,New York,1993中所闡述。α-氧基羧酸根自由基之片段化之速率常數合意地快於約109/秒(亦即，α-氧基羧酸根自由基之壽命應為10-9秒或更短)。片段化速率常數可顯著高於此，即在102 s-1至1013 s-1之範圍內。具體而言，片段化速率常數合意地大於109 s-1且至多且包括1013 s-1，或為1010 s-1至且包括1013 s-1。一些羧酸根自由基之片段化速率常數在文獻中已知[例如參見T.Michael Bockman、Stephan M.Hubig及Jay K.Kochi，J.Org.Chem.1997,62,2210-2221；James W.Hilborn及James A.Pincock,J.Am.Chem.Soc.1991,113,2683-2686；Daniel E.Falvey及Gary B.Schuster,J.Am.Chem.Soc.1986,108,1420-1422]。一些α-羥基羧基自由基之片段化速率常數亦已使用雷射閃光光解測得且發現其極為迅速，亦即8×1011 s-1(參見T.Michael Bockman、Stephan M.Hubig及Jay K.Kochi，J.Org.Chem.1997,62,2210-2221)。由於簡單烷基及芳基羧基自由基之片段化速率通常較小(約108至109 s-1)，因此該等簡單烷基及芳基羧酸根不可用於實踐本發明。
上述二級自由基K●還原銀離子之能力指示K●之氧化電位幾乎等於或小於錯合物中銀離子之還原電位。在本發明之一些有用實施例中，自去羧反應產生之二級自由基K●具有等於或小於-0.1V或甚至小於-0.5V之氧化電位。例如，此氧化電位可為-0.1V至且包括-2V或甚至-0.5V至且包括-2V，或更可能地-0.1V至且包括-1.0V。根據本發明，提供具有小於-0.1V之氧化電位之二級自由基K●之α-氧基羧酸根離子特別有利。所有氧化電位皆係相對於SCE。
許多該等二級自由基之氧化電位已藉由瞬態電化學及脈衝放射分解技術測得，如Wayner,D.D.、McPhee,D.J.及Griller,D.,J Am.Chem.Soc.1988,110,132；Rao,P.S.及Hayon,E.,J.Am.Chem.Soc.1974,96,1287以及Rao,P.S及Hayon,E.,J.Am.Chem.Soc.1974,96,1295中所報導。所報導數據證實三級自由基之氧化電位小於相應二級自由基之彼等(亦即，三級自由基係更強的還原劑)，該等二級自由基之氧化電位又小於相應一級自由基之彼等。
肟化合物：
本發明之非羥基溶劑溶性錯合物之第三必需組分係式(I)之「P」化合物，該化合物係肟化合物(或兩種或更多種不同肟化合物之混合物)。
傳統上，「肟」具有>C=N-OH之通式。在本發明中，術語「肟化合物」意欲包括該等化合物以及其中氫經適宜單價自由基替代之化合物。下文提供該等化合物之其他細節。
有用肟化合物通常具有相對於SCE至少1.5V之氧化電位。
一般而言，可用於本文之肟化合物沒有聚合性質且各自具有200或更小或150或更小或更可能至少80且至多且包括150之分子量。
在上文所顯示之式(I)中，c為1、2、3或4，且在其中c為2、3或4之實施例中，單一錯合物分子內之P分子可為相同或不同的肟化合物。
對於許多實施例而言，P可為可由下式(IV)表示之肟化合物：
其中R5及R6獨立地為氫或具有1至6個碳原子之經取代或未經取代之烷基(直鏈或具支鏈)，條件係R5及R6中之至少一者係該等烷基中之一者。另一選擇為，R5及R6可一起表示足以提供經取代或未經取代之5員或6員飽和碳環(例如經取代或未經取代之戊烷環或經取代或未經取代之環己烷環)之碳原子。
R7為氫、具有1至6個碳原子之經取代或未經取代之烷基(直鏈或具支鏈)、具有1至6個碳原子之經取代或未經取代之醯基(直鏈或具支鏈)、-C(=O)R8基團或羰氧基烷基[-C(=O)OR8]，其中R8為氫或具有1至6個碳原子之經取代或未經取代之烷基(直鏈或具支鏈)。
例如，R5及R6中之一者為氫且另一者為具有1至3個碳原子之經取代或未經取代之烷基(包括C3異構物)，或R5及R6獨立地為各自具有1至3個碳原子之經取代或未經取代之烷基(包括C3異構物)。
在特定實施例中，R7為氫或具有1至3個碳原子之經取代或未經取代之烷基(包括C3異構物)。
所定義之烷基或醯基上可存在取代基，只要該等取代基不會不利地影響本發明之性能即可。
可用於實踐本發明之代表性肟化合物包括(但不限於)丙酮肟(acetoxime)(丙酮肟(acetone oxime))、乙醛肟、涕滅威(Aldicarb)、丁二酮肟、甲基乙基酮肟、丙醛肟、環己酮肟、環戊酮肟、庚醛肟、丙酮-O-甲基肟、乙醛-O-甲基肟、丙醛-O-甲基肟、丁醛-O-甲基肟、2-丁酮-O-甲基肟、環戊酮-O-甲基肟及2-丁酮-O-乙基肟。
熟習此項技術者自上述闡述及製備由上文式(I)所定義之適宜銀錯合物之常規實驗可易於明瞭其他有用肟化合物。一些代表性肟化合物可易於
自位於各個國家之各個商業化學供應商(例如Sigma Aldrich)獲得。
一般而言，本發明之非羥基溶劑可溶性銀錯合物可藉由以下方式來製備：製備一或多種銀α-氧基羧酸根於包含一或多種非羥基溶劑之適宜溶劑介質(下文所闡述)中且一般濃度為至少0.1mol/l且至多且包括30mol/l之漿液；且在室溫下，逐漸添加一或多種肟化合物以在所得反應溶液中獲得澄清溶液。下文實例中提供該等合成方法之具體細節。
一旦製備，非羥基溶劑可溶性銀錯合物可以固體形式儲存(在藉由蒸發方法去除溶劑介質之後)，或在對於長期穩定性最佳之條件下以反應溶液形式保存(亦即，銀離子至銀金屬之過早、非光化學還原可忽略不計)。
根據本發明製備之一些特別有用的非羥基溶劑可溶性銀錯合物係由式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)
其中：a、b及c係如上文所定義；L具有250或更小之分子量，且其係由上文所定義之式(II)或(III)中之任一者表示；且P係由如上文所定義之式(IV)表示。
本發明之重要特徵係確保其在電磁波譜之UV至可見光部分中之一般吸收及使用。理想地，輻照能量應具有在UV至可見光區內之波長(例如，350nm至450nm)以容許在存在大量發色團下選擇性的激發光敏劑。
出於在光輻照期間以快速方式提供銀金屬之目的，本發明之含有可
還原銀離子之光敏性組合物僅含有兩種必需組分：(a)一或多種本發明之非羥基溶劑可溶性銀錯合物；及(b)如下文所闡述之包含一或多種非羥基溶劑之溶劑介質。然而，第三組分(c)一或多種如下文所闡述之光敏劑之存在在許多實施例中係極其合意的，其亦可視為確保銀離子在室溫或其他低溫下之快速光還原所必需的。未將其他組分故意添加至本發明之含有可還原銀離子之光敏性組合物中，使得本發明提供關於各種方法及結果均展現快速的銀金屬形成之簡化組合物。併入不同於三種組分(a)至(c)之材料可能會阻礙金屬銀之生成。
若期望，通常可藉由在「安全光」(黃光)條件下混合(a)、(b)及(c)組分而將該等組分放置一起。此混合可在包含(b)溶劑中之一或多者之適宜溶劑介質(如下文所闡述)中進行。所得到的含有可還原銀離子之光敏性組合物可以在25℃具有至少1厘泊且至多且包括1,000厘泊之黏度之液體形式提供。
基於含有可還原銀離子之光敏性組合物之總重量，該一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物可以至少5重量%且至多且包括90重量%之量存在。
因此，在一些實施例中，含有可還原銀離子之光敏性組合物可包含兩種或更多種不同的非羥基溶劑可溶性銀錯合物。該等實施例亦可包括兩種或更多種不同的如下所述之光敏劑。
本發明之含有可還原銀離子之光敏性組合物具有優越的長期穩定性(如藉由銀穩定性測試所證實)，使得當含有可還原銀離子之光敏性組合物在環境溫度(20℃至25℃)及黃色安全光下保持24小時時，小於其原始銀離子含量之0.1mol%被還原為銀金屬。
溶劑介質：
通常將必需非羥基溶劑可溶性銀錯合物(及光敏劑(若存在))溶解於適宜溶劑介質中，該介質主要係非羥基有機溶劑，其包括(但不限於)乙腈、苯甲腈、丙酮、甲基乙基酮、丁腈、碳酸伸丙酯、丙腈、異戊腈、戊腈及其兩種或更多種之混合物。亦期望非羥基溶劑不參與任何氧化還原反應。亦即，該等非羥基溶劑在一般製備、儲存及使用條件下應不能藉由轉移電子來還原銀離子或藉由接受電子來氧化α-氧基羧酸根。藉由非羥基溶劑之該等反應可能會負面地影響本發明光敏性組合物之熱穩定性。
不將水故意添加至溶劑介質中，且若存在水，則基於溶劑介質(不包括非羥基溶劑可溶性銀錯合物及光敏劑)之總重量，其應以不超過5重量%存在。
光敏劑：
可用於本發明中之光敏劑起始非羥基溶劑可溶性銀錯合物之電化學轉變。在光敏劑吸收波長為至少150nm且至多且包括700nm之電磁輻射下之光(亦即，光誘導之電子轉移)之後，光敏劑必需能夠還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根。因此，本發明之光敏性組合物通常對UV或可見電磁輻射或二者敏感，其足以將非羥基可還原含銀錯合物中之可還原銀離子轉化為銀金屬。含有可還原銀離子之該等錯合物在一定程度上固有地具有光敏性，但一或多種本文所述之光敏劑之存在可增強光敏性，從而使得可還原銀離子可遠遠更有效且快速的還原為銀金屬。特別有用的是使用增強對波長為至少190nm且至多且包括450nm或甚至為至少250nm且至多且包括450nm之電磁輻射之敏感性之光敏劑。
含有可還原銀離子之光敏性組合物中所使用之光敏劑之量在很大程
度上取決於其在用於敏化銀離子還原之輻射之波長下的光學密度及消光係數。具有低消光係數之光敏劑可以相對高的含量來使用且反之亦然。光敏劑之溶解性亦可為所用量中之因素。一般而言，一或多種本文所述之光敏劑可以至少0.5重量%且至多且包括4重量%或至少1重量%且至多且包括3重量%之量存在於含有可還原銀離子之光敏性組合物中，所有量皆係基於含有可還原銀離子之光敏性組合物中該一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物之總重量。因此，在一些實施例中，可一起使用兩種或更多種不同的光敏劑。
存在兩種不同類別的可用於本發明中之光敏劑。
在一些實施例中，光敏劑係吸電子光敏劑，其在吸收入射輻射時能氧化α-氧基羧酸根以起始銀離子還原之反應。
為確定在光敏劑已吸收適宜輻射之後，光敏劑是否能將非羥基溶劑溶性錯合物中之羧酸根離子氧化為自由基，可使用反應能量學。該等反應能量學中存在四個控制參數：(1)吸電子光敏劑之激發能量(ES *)；(2)吸電子光敏劑(S)之還原電位(ES red )；(3)非羥基溶劑可溶性錯合物中銀離子之還原電位(EAg+ red)；及(4)錯合物(C)中為電子供體之α-氧基羧酸根之氧化電位(EC ox )。對於能量上可行之該等反應，激發態之能量應高於或僅略低於初始電子轉移之一級產物(自由基離子對(EIP),C●S+●)中儲存之能量。
若反應自單重激發態繼續進行，則吸電子光敏劑(S)之激發能量可自該化合物之正規化吸收及發射光譜之中點來確定。然而，若反應經由三重態繼續進行，則可使用吸電子光敏劑之三重態能量作為激發能量。
自由基離子對E IP 之能量係由下文反應式(2)給出，其中△係能量增量，其取決於介質極性且在近零(在極性較高介質中)至約0.3eV(在極性最
低介質中)之範圍內。電化學量測係在極性溶劑(例如乙腈或二氯甲烷)中實施。
EIP=EC ox -ES red +△ 反應式(2)。
預計本發明之光敏性薄膜之介電常數較低，且因此可能不會強烈地溶劑化自由基離子對。因此，預計上文所述反應式(1)中之能量增量△接近最大值，亦即，在0.2eV至0.3eV之範圍內。
因此，激發能量等於或大於在錯合物(C)中α-氧基羧酸根之氧化電位與吸電子光敏劑之還原電位之間之差異(EC ox -ES red )的吸電子光敏劑將滿足根據以下反應式(3)之光起始反應之能量需求：
由於預計目前系統中之△值在0.2eV至0.3eV之範圍內，因此可在以下反應式(4)中更便利地表述相對於重排形式供體之吸電子光敏劑之能量需求：
根據反應式(4)，為使得反應在能量上可行，吸電子光敏劑之激發能量及其還原電位之代數和應約等於或大於非羥基溶劑可溶性銀錯合物(C)中α-氧基羧酸根離子之氧化電位。
一般而言，可使用許多不同化合物作為本發明之吸電子光敏劑，條件係滿足上文所論述之能量需求。代表性吸電子光敏劑包括(但不限於)氰基取代之芳香族碳環化合物(例如1-氰基萘、1,4-二氰基萘、9,10-二氰基蒽、2,9,10-三氰基蒽及2,6,9,10-四氰基蒽)；芳香族酸酐及醯亞胺(例如1,8-萘二羧酸、1,4,6,8-萘四羧酸、3,4-苝二羧酸及3,4,9,10-苝四羧酸酐或醯亞胺)；及縮合吡啶鎓鹽(例如喹啉鎓、異喹啉鎓、啡啶鎓鹽；及吡喃鎓
鹽)。涉及三重激發態之代表性吸電子光敏劑包括(但不限於)羰基化合物(例如具有拉電子取代基(例如氯基或氰基)之醌，例如苯醌、萘醌及蒽醌)。具有強拉電子部分(例如吡啶鎓基團)之香豆素酮亦可用作吸電子光敏劑。
對於具有相對於SCE約1.4V之峰氧化電位之α-氧基羧酸根之特定實例，可使用滿足上文反應式(3)之需求之眾多吸電子光敏劑。例如，可用於本發明中之吸電子光敏劑包括(但不限於)下表I中之PS-1至PS-8。
在本發明之其他實施例中，在吸收所述電磁輻射時，推電子光敏劑(S)將電子轉移至非羥基溶劑可溶性銀錯合物中之可還原銀離子以形成光敏劑自由基陽離子(S+●)，如下文反應式(5)中所顯示，該自由基陽離子又氧化α-氧基羧酸根(L)以產生自由基K●(參見下文反應式(6))。為使得光敏劑自由基陽離子(S+●)能氧化α-氧基羧酸根(L)，推電子光敏劑(S)之氧化電位必須大於α-氧基羧酸根之氧化電位。
(Ag+) a (L) b (P) c +S* → Ag0(L) b P c +S+- (反應式5)
Ag0(L) b (P) c +S+- → Ag0(K●) b (P) c +S (反應式6)
為確定推電子光敏劑在其已吸收電磁輻射之後是否能還原可還原銀離子，可使用在上文反應式(2)及(3)中所述之反應能量學。因此，為使得反應在能量上可行，推電子光敏劑激發能量與其氧化電位之差異應約等於或大於錯合物中銀離子之還原電位(E Ag+ red )[參見下文反應式(7)]。
對於具有相對於SCE為-0.1V之峰還原電位之可還原銀離子之還原的特定實例，可使用滿足反應式(7)之需求之眾多推電子光敏劑。
若反應自單重激發態繼續進行，則推電子光敏劑(S)之激發能量可便利地自其正規化吸收及發射光譜之中點來確定。然而，若反應經由三重態繼續進行，則應使用推電子光敏劑之三重態能量作為激發能量。
在大多數實施例中，可選擇推電子光敏劑使得其氧化電位大於α-氧基羧酸根之氧化電位。該等推電子光敏劑(亦即激發能量與氧化電位之差異為相對於SCE等於或超過-0.1V之彼等)之一些代表性實例包括(但不限於)化合物PS-9至PS-18，如下表II中所顯示。
NA意指「不可用」。
許多吸電子及推電子光敏劑之氧化電位為人已知且可參見(例如)Encyclopedia of Electrochemistry of the Elements,Organic Section，第XI至XV卷，A.Bard及H.Lund(編者)Marcel Dekkar Inc.,NY(1984)。若無法在文獻中獲得，則可藉由循環伏安法使用已知設備及程序來量測有用吸電子及推電子光敏劑之氧化電位。
因此，在本發明之一些實施例中，存在光敏劑，且當光敏劑係推電子光敏劑時，其係由上文所述之反應式(7)來定義，且當光敏劑係吸電子光敏劑時，其係藉由上文所述之反應式(4)來定義：其中：ES ox係推電子光敏劑之氧化電位；ES*係吸電子光敏劑之激發能量；ES red係吸電子光敏劑之還原電位；
EAg+ red係非羥基溶劑可溶性銀錯合物中之銀離子之還原電位；且EC ox係α-氧基羧酸根之氧化電位。
可使用本發明之非羥基溶劑可溶性銀錯合物及含有可還原銀離子之光敏性組合物來提供「前體」物件，然後可在各種操作中使用該等物件來提供含有導電銀金屬之薄膜層或含有導電銀金屬之薄膜圖案以在如下文所闡述之「產品物件」中用於各種用途。
術語「前體物件」係指經設計以具有在其上具有光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案之基板之物件(或元件)，該光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案包含如上所述之含有可還原銀離子之光敏性組合物以及一或多種光敏劑，且因此，該等前體物件係尚未發生任何顯著程度之銀還原之物件。
術語「產品物件」則係指其中在如下文所闡述之所選操作期間已發生至少某種程度且有希望發生顯著程度之銀離子還原之物件(或元件)。該等產品物件包含在其上具有含有銀金屬之薄膜或含有銀金屬之薄膜圖案之基板。
前體物件及產品物件具有至少一個共同特徵，亦即通常具有以下兩個平面表面之適宜基板：第一支撐側(或表面)及第二相對支撐側(或表面)。該等基板可具有任何適宜形式，例如具有任何合意大小及形狀之薄片、細長纖維或織造纖維(例如在紡織品中)或其他多孔材料、具有規則或不規則表面構形(例如彎曲或非平面表面)之聚合珠粒及尤其可以捲形式提供、使用或儲存之各種材料之連續網。
更特定而言，在適宜基板之一或多個支撐(平面)側上以適宜方式提供均勻的光敏性薄膜或一或多個光敏性薄膜圖案以提供本發明之前體物件。
通常，光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案在施加至基板期間及之後立即在初始係「濕的」，但如下文所闡述可去除溶劑介質以提供期望光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案。
可使用任何施加方式以均勻或逐圖案方式將本發明之含有可還原銀離子之光敏性聚合組合物施加至任一適宜基板，該等方式係例如浸塗、輥塗、料斗塗佈、絲網印刷、噴塗、旋塗、噴墨式印刷、光微影壓印、使用印刷元件(包括柔版印刷構件(例如柔版印刷板及柔版印刷套筒))之柔版印刷、使用平版印刷板之平版印刷及使用適當印刷構件之凹版(gravure或intaglio)印刷。噴墨印刷及柔版印刷尤其可用於在基板之一個或兩個支撐側上提供光敏性薄膜圖案。
適宜基板(亦稱為「接收器元件」)可由任何適宜材料構成，只要其不抑制本發明在均勻的薄膜或薄膜圖案內形成銀金屬之目的即可。例如，基板可自包括(但不限於)以下各項之材料形成：聚合物膜、金屬、玻璃(未經處理或經(例如)四氟碳電漿、疏水氟或矽氧烷防水材料處理)、矽或陶瓷材料(例如陶瓷晶圓)、織物、紙及其組合(例如各種膜之層板或紙及膜之層板)，前提係可以適宜方式在該基板上形成均勻的薄膜或薄膜圖案且隨後在其至少一個支撐側上進行輻照。基板可為透明的或不透明的及剛性的或撓性的。在根據本發明施加含有可還原銀離子之光敏性組合物之前，基板可包括一或多個輔助聚合物或非聚合物層或一或多個其他材料之圖案。
形成本發明之前體及產品物件之適宜基板材料包括(但不限於)金屬薄膜或箔、於聚合物、玻璃或陶瓷材料上之金屬膜、於導電膜載體上之金屬膜、半導電有機或無機膜、有機或無機介電膜或兩個或更多個該等材料層
之層板。例如，有用基板可包括聚合物膜(例如聚(對苯二甲酸乙二酯)膜、聚(萘二甲酸乙二酯)膜、聚醯亞胺膜、聚碳酸酯膜、聚丙烯酸酯膜、聚苯乙烯膜、聚烯烴膜及聚醯胺膜)、矽及其他陶瓷材料、金屬箔(例如鋁箔)、纖維素紙或樹脂塗佈或玻璃塗佈之紙、玻璃或含有玻璃之複合物、金屬(例如鋁、錫及銅)及金屬化膜。亦可使用多孔織物、玻璃及聚合物網。
尤其有用之基板係聚酯膜(例如聚(對苯二甲酸乙二酯)、聚碳酸酯之膜)或聚(二氯亞乙烯)膜，其具有或沒有如下文所述之表面處理或塗層，包括該等聚合物之連續撓性網。
可利用(例如)底漆層或電處理或機械處理(例如粒化)來處理基板之任一個或兩個支撐側(或表面)，以使該表面「可接收」以改良含有可還原銀離子之光敏性組合物及所得光固化之含銀薄膜或光固化之含銀薄膜圖案的黏著。可將黏著層安置於基板上且此黏著層可具有響應刺激之各種性質(例如，其可熱活化、溶劑活化或化學活化)且其用於提供接收層。此類型之有用之黏著材料闡述於(例如)美國專利申請案2008/0233280(Blanchet等人)之[0057]中。
在一些實施例中，基板包含單獨接收層作為安置於基板支撐側上之接收表面，該接收層及基板可由諸如高度接收含有可還原銀離子之光敏性組合物之適宜聚合材料等材料構成。此一接收層在25℃量測時可具有至少0.05μm之任一適宜乾燥厚度。
可藉由以下方式來處理基板、尤其聚合物基板之兩個(平面)支撐側：藉由暴露於電暈放電、機械磨損、火焰處理或氧電漿或藉由利用如(例如)美國專利5,492,730(Balaba等人)及5,527,562(Balaba等人)及美國專利申
請公開案2009/0076217(Gommans等人)中所闡述之各種聚合物膜(例如聚(二氯亞乙烯)或芳族聚矽氧烷)來塗佈。
有用之基板可端視自其形成之前體物件之最後使用(例如其併入各種產品物件或光學或顯示器件中)而具有期望之乾燥厚度。例如，基板乾燥厚度(包括所有處理及輔助層)可為至少0.001mm且至多且包括10mm，且尤其對於聚合物膜，基板乾燥厚度可為至少0.008mm且至多且包括0.2mm。
用於製備本文所闡述之前體及產品物件之基板可以各種形式來提供，例如，呈任一大小或形狀之個別薄片，及連續網(例如適於捲對捲操作之透明基板(包括透明聚酯基板)之連續網)。該等連續網可在第一及第二相對支撐側上分成或形成個別的第一、第二及其他部分，該等部分可用於在支撐側(例如第一支撐側)之不同部分上形成相同或不同的光敏性薄膜圖案以及來自相同或不同的含有可還原銀離子之光敏性組合物之相同或不同的含經光還原銀之薄膜圖案。
一般而言，在本發明之前體物件中，基於光敏性薄膜或一或多個光敏性薄膜圖案之總乾重，一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物可以至少95重量%且至多且包括99重量%之總量存在於該光敏性薄膜或該一或多個光敏性薄膜圖案中。此外，一或多種光敏劑可以至少0.1重量%且至多且包括4重量%或至少1重量%且至多且包括3重量%之總量存在，所有光敏劑的量皆基於總非羥基溶劑可溶性銀錯合物之總量。
在一些實施例中，前體物件在基板之第二相對支撐側上可進一步包含一或多個光敏性薄膜圖案，安置於第二相對支撐側上之該一或多個光敏性薄膜圖案中之每一者均包含：
a)一或多種如上所述之非羥基溶劑可溶性銀錯合物；及b)一或多種如上所述之光敏劑。
由下文所闡述之本發明方法提供之產品物件通常具有與前體物件相同之結構及組分，只是在相應的導電薄膜或導電薄膜圖案中大多數或所有可還原銀離子已被還原成導電銀金屬。在一些實施例中，產品物件可以任何適宜形式來提供，該等形式係例如具有任何適宜大小及形狀之個別薄片、末端彼此附接之膜或網、連續材料之纏繞捲(具有或沒有核心材料、心軸或心棒)。
在其他實施例中，本發明之錯合物、光敏性組合物及方法可用於在各種器件內生成導電金屬銀圖案及電極，該等器件包括(但不限於)膜觸控開關(MTS)、電池測試器、生物醫學、電發光燈、射頻識別(RFID)天線、平板顯示器(例如電漿顯示面板(PDP)及有機發光二極體(OLED)顯示器)、印刷電晶體及電路、薄膜光伏打及熟習此項技術者將易於明瞭之其他器件。換言之，本發明之該等「產品」物件係器件本身而非併入器件中之物件。另一選擇為，產品物件係亦具有併入其中之另一產品物件之器件本身。
根據本發明可使用光微影來產生導電薄膜圖案以產生高保真度特徵。可使用正型及負型圖案化製程產生該等圖案。
該等產品物件包含具有第一支撐側及第二相對支撐側之基板。在至少第一支撐側上係：含有導電銀金屬之薄膜或一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案，其包含：
銀金屬；如上所述之α-氧基羧酸根(殘餘量之來自式(1)之L組分)；肟化合物(殘餘量之來自式(1)之P組分)；及一或多種如上所述之光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化α-氧基羧酸根。
端視如何設計前體物件，產品物件可在基板第一支撐側上之不同部分中包含兩個或更多個含有導電銀金屬之薄膜圖案。
另外，產品物件可在基板第二相對支撐側上之不同部分中進一步包含一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案，該一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案中之每一者包含：銀金屬；α-氧基羧酸根(亦即，殘餘量之上述式(1)之L組分)；肟化合物(亦即，殘餘量之上述式(1)之P組分)；及一或多種如上所述之光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化α-氧基羧酸根。
例如，在該等實施例中，產品物件可包含：銀金屬；殘餘的α-氧基羧酸根，其具有150或更小之分子量，且其係由上文所闡述之下式(II)或(III)中之任一者來表示；及殘餘的肟化合物，其可由上述式(IV)來定義。
如上所述，根據本發明藉由首先在基板上提供適宜光敏性薄膜來製備及使用前體物件。此可以多種方式來完成。
在一些實施例中，可以均勻方式將本發明之含有可還原銀離子之光敏性組合物安置至基板之一個或兩個支撐側(具有或沒有黏著處理)上，該等基板係例如聚合物膜(例如，作為連續聚酯網)、玻璃、紙、紙板或陶瓷材料。可利用各種膜(包括(例如)由聚乙烯、聚丙烯、雙向定向型聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯及聚醯胺構成之聚合物膜)作為適宜基板。然而，基板結構之選擇並不限於膜但包括形成為袋、收縮包裹、板、紙板箱、箱、瓶、條板箱及其他容器之聚合物或共聚物或聚合物摻合物。類似地，適宜基板組合物之範圍不限於聚合物及共聚物，但可包括紙(例如預塗佈之紙)、紙板(例如預塗佈之紙板)及其他常見包裝材料。該組合物施加可藉由(例如)均勻噴墨印刷或使用刮塗/間隙塗層、狹縫式塗佈、X斜板式料斗塗佈或輥襯刮刀式操作(knife on roll operation)來實施。
在以此方式施加含有可還原銀離子之光敏性組合物之後，若期望，可以任一適宜方式去除原始溶劑介質(及任何水)之至少50重量%且至多且包括100重量%。例如，可在開放環境中實施環境乾燥，可使所得前體物件經受「主動」乾燥操作及裝置，其不會不利地影響前體物件中之非羥基溶劑可溶性銀錯合物(及光敏劑(若存在))或過早導致銀離子還原。有用之乾燥條件可端視製程低至室溫並保持短至5秒且長至若干小時且包括若干小時。在許多製程(例如製造操作中之捲對捲製程)中，可使用任何適宜溫度(例如，大於50℃)之乾燥條件在最短10秒內或在5秒內或在1秒內去除至少90重量%(且至多100重量%)之原始溶劑介質(及任何水)。
基於光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案之總重量，一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物可以至少96重量%且至多且包括99.5重量%之量存在於光
敏性薄膜或光敏性薄膜圖案中；且基於該一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物之總重量，光敏劑係以至少0.5重量%且至多且包括4重量%之量存在。
所得光敏性薄膜通常具有至少100nm且至多且包括1,500nm或更可能至少500nm且至多且包括1000nm之乾燥平均厚度(「平均值」係由不同部位中的兩個或更多個量測值來確定)。整個光敏性薄膜中之乾燥厚度均可在一定程度上變化。術語「均勻」在此情況下不一定意味著乾燥厚度必須總是相同，而是意味著基板支撐側之整個表面被完全覆蓋。
替代以均勻方式沈積含有可還原銀離子之光敏性組合物，可使用下文所闡述之技術(例如柔版印刷或噴墨印刷)以逐圖案方式將該組合物施加至基板(一個或兩個支撐側)以提供一或多個光敏性薄膜圖案。
任何所施加之光敏性薄膜圖案可包含線之柵格(或其他形狀，包括圓形或不規則網路)，其各自具有至少1000nm且至多且包括10mm或通常至少5μm且至多且包括1mm之乾燥平均厚度(或寬度)，且可針對預期用途來調節最佳乾燥厚度(或寬度)。
在一些實施例中，可在基板之第一支撐側及第二相對支撐側二者上之不同部分中以適宜方式施加相同或不同的含有可還原銀離子之光敏性組合物，以形成「雙工」或雙側前體物件，且每一所施加的含有可還原銀離子之光敏性組合物可呈相同或不同的光敏性薄膜圖案之形式。
在許多實施例中，使用凸版元件(例如衍生自柔版印刷板前體之彈性體凸版元件)將含有可還原銀離子之光敏性組合物施加於基板(例如作為捲對捲網)之一個或兩個支撐側上，許多該等凸版元件已為業內所知且一些以(例如)CYREL®柔版光聚合物板購自DuPont及Flexcel SR及NX柔版板
購自Eastman Kodak Company。
尤其有用之彈性體凸版元件衍生自柔版印刷板前體及柔版印刷套筒前體，其每一者均可適當地成像(並進行處理(若需要))以提供凸版元件用於「印刷」適宜光敏性薄膜圖案，關於該等柔版印刷構件前體之細節係如(例如)美國專利7,799,504(Zwadlo等人)及8,142,987(Ali等人)及美國專利申請公開案2012/0237871(Zwadlo)中所闡述。該等彈性體光可聚合層可藉助適宜遮罩影像來成像以提供彈性體凸版元件(例如，柔版印刷板或柔版印刷套筒)。若將含有可還原銀離子之光敏性組合物之不同圖案施加至基板之相對支撐側，則凸版層可不同。
在其他實施例中，在利用或不利用整體遮罩之情形下自直接(或剝蝕)雷射可雕刻彈性體凸版元件前體提供彈性體凸版元件，關於該等雷射可雕刻前體之細節係如以下專利中所闡述：例如美國專利5,719,009(Fan)、5,798,202(Cushner等人)、5,804,353(Cushner等人)、6,090,529(Gelbart)、6,159,659(Gelbart)、6,511,784(Hiller等人)、7,811,744(Figov)、7,947,426(Figov等人)、8,114,572(Landry-Coltrain等人)、8,153,347(Veres等人)、8,187,793(Regan等人)及美國專利申請公開案2002/0136969(Hiller等人)、2003/0129530(Leinenback等人)、2003/0136285(Telser等人)、2003/0180636(Kanga等人)及2012/0240802(Landry-Coltrain等人)。
當在本發明中使用所述彈性體凸版元件時，可以適宜方式將含有可還原銀離子之光敏性組合物施加至彈性體凸版元件中之最上凸版表面(凸起之表面)。可以適宜程序施加至基板且期望儘可能少地塗佈至凸版凹陷之側(斜坡)或凹部。可使用網紋輥系統或其他輥施加系統、尤其低容量網
紋輥(低於25億立方微米/平方英吋(63.5億立方微米/平方公分))及相關研磨刀。
在該等實施例中，含有可還原銀離子之光敏性組合物在此施加期間之黏度可為至少1cps(厘泊(centipoise))且至多且包括1500cps或至少1cps至且至多且包括1500cps。可自網紋輥或其他輥式上墨系統以測得量進給含有可還原銀離子之光敏性組合物用於每一印刷前體物件。在一實施例中，可使用第一輥將含有可還原銀離子之光敏性組合物自「油墨」盤或計量系統轉移至計量輥或網紋輥。該組合物在其自網紋輥轉移至印刷板滾筒時通常計量至均勻厚度。當藉助捲對捲處置系統將基板自印刷板滾筒移動至壓印滾筒時，壓印滾筒向印刷板滾筒施加壓力從而在形成前體物件中將影像自彈性體凸版元件轉移至基板。
一旦提供光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案，然後可使該等前體物件適當地曝光(例如，使用波長為至少150nm且至多且包括700nm之輻射)，以便例如在氧存在下將可還原銀離子以光化學方式轉化為銀金屬，以提供包含含有銀金屬之薄膜或一或多個含有銀金屬之薄膜圖案之產品物件。此曝光操作可在室溫下或更可能地在環境或受控條件下在至少45℃之溫度下實施。應明瞭該等溫度條件可隨所使用之特定曝光器件變化。
例如，輻照可使用適宜來源(例如螢光燈或LED)來實施以提供含有銀金屬之薄膜或含有銀金屬之薄膜圖案。例如，銀離子還原可藉由使用波長為至少150nm且至多且包括700nm且強度為至少1,000微瓦特(microwatt)/cm2且至多且包括80，000微瓦特/cm2之UV或可見光輻照來達成。用於生成該輻射之輻照系統可由一或多個(例如)呈1至50個放電燈形式之紫外燈組成，例如氙、金屬鹵化物、金屬電弧(例如具有自數毫米
至約10個大氣壓之期望操作壓力之低壓、中壓或高壓汞蒸氣放電燈)。該等燈可包括能夠傳送波長為至少150nm且至多且包括700nm或通常至少240nm且至多且包括450nm之光之外殼。燈殼可由石英(例如光譜純石英(Spectrocil)或派熱克斯玻璃(Pyrex))組成。可用於提供紫外輻射之典型燈係(例如)中壓汞弧，例如GE H3T7弧、Hanovia 450W弧燈及Fusion F300S、F600S及F300SQ微波驅動型無電極燈。銀離子光化學還原可使用各種燈之組合來實施，一些或所有該等燈可在惰性氣氛中操作。在使用UV燈時，碰撞在基板(或所施加之層或圖案)上之輻照通量可為至少0.01瓦特/英吋2(0.0197瓦特/cm2)以在例如捲對捲操作中以連續方式在1秒至20秒內實現足夠迅速的銀離子光還原。在一些實施例中，可使用脈衝光源來引起光化學反應。可改變脈衝之持續時間及速率以在期望之輻照時間內達成期望光劑量。
欲用於光化學還原中之LED輻照器件可具有350nm或更大之發射峰波長。LED器件可包括兩種或更多種類型之具有大於或等於350nm之不同發射峰波長之元件。具有350nm或更大之發射峰波長且具有紫外光發射二極體(UV-LED)之LED器件之商業實例係購自Nichia Corporation之NCCU-033。
每一前體物件可作為單一元件個別地進行輻照，或在替代實施例中，作為在連續網之多個部分中含有多個前體物件之網(例如，捲對捲連續網)來輻照，使該網穿過曝光站，或使曝光器件在連續網上方穿過。可在基板之兩個支撐側上施加(例如，印刷)相同或不同的含有可還原銀離子之光敏性組合物，無論該基板呈單一元件抑或連續網形式。在許多實施例中，可在基板(或連續網)之相對支撐側上形成不同的光敏性薄膜圖案。
前體物件之該輻照之結果係如上所述之產品物件，該產品物件包含基板(例如，個別薄片或連續網)且在該基板上在該基板之一個或兩個支撐側上具有含有導電銀金屬之薄膜或一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案。
一般而言，含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀之薄膜圖案具有小於106歐姆/□之電阻率，如使用4點探針器件所量測。在特定實施例中，每一含有導電銀之薄膜或含有導電銀之薄膜圖案具有小於1000歐姆/□之電阻率或小於500歐姆/□或甚至小於100歐姆/□之電阻率。
在輻照後，可使產品物件在至少20℃且至多且包括90℃之溫度下與水接觸(洗滌)最長5分鐘。可使用該水接觸來去除雜質以及增強含有導電銀金屬之薄膜或一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案之電導率。在此步驟後可使用任一適宜乾燥操作來去除殘餘水，例如如上文針對其他乾燥操作所述。
在一些實施例中，在具有第一支撐側及第二相對支撐側之連續基板上提供兩個或更多個導電圖案之本發明方法包含：提供連續基板，在連續基板之第一支撐側上之兩個或更多個各別部分上提供兩個或更多個光敏性薄膜圖案，該兩個或更多個光敏性薄膜圖案中之每一者包含：a)非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及肟化合物錯合之可還原銀離子，非羥基溶劑可溶性銀錯合物係由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)
其中L表示α-氧基羧酸根；P表示肟化合物；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，條件係當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2；及b)光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化α-氧基羧酸根；以光化學方式轉化在連續基板第一支撐側上之兩個或更多個光敏性薄膜圖案中之每一者中之可還原銀離子，以相應地提供兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案；使兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水或水性或非水性鹽溶液(如下文所闡述)接觸；視情況，使兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水性或非水性非鹽溶液(如下文所闡述)接觸；及視情況，乾燥連續基板之支撐側上之兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案中之每一者。該乾燥可使用任何適宜乾燥條件及設備來實施，例如，如上文針對其他乾燥操作所述。
此一方法可進一步包含：在連續基板之第二相對支撐側上之兩個或更多個各別部分上提供兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案，該兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案中之每一者包含：a)非羥基溶劑可溶性銀錯合物；及b)光敏劑；以光化學方式轉化該兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案中之每一者中之可還原銀離子，以在連續基板之第二相對支撐側上提供兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案；
使該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水或水性或非水性鹽溶液(如下文所闡述)接觸；視情況，使該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水性或非水性非鹽溶液(如下文所闡述)接觸；及視情況，乾燥該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者。該乾燥可使用任何適宜乾燥條件及設備來實施，例如，如上文針對其他乾燥操作所述。
當實施此一方法時，可使用相同或不同的柔版印刷構件提供連續基板之第一支撐側及第二相對支撐側上之所有光敏性薄膜圖案。
銀導電性增強：
一旦在如上所述之產品物件中生成導電金屬銀，在一些實施例中可使用一或多個(或甚至兩個或更多個)處理循環增強其電導率，該處理循環包含使產品物件與含有鹽之水性或非水性鹽溶液(如下文所闡述)接觸，隨後乾燥該產品物件。因此，該等處理循環係可選的，但當使用該等循環時，該等兩步驟式處理循環中之每一者包含兩個基本特徵：(1)使產品物件中之導電銀金屬與水性或非水性鹽溶液接觸，及(2)視情況，乾燥產品物件中之導電銀金屬(例如，如上文針對其他乾燥操作所述)。對於本發明方法尤其有用的是除第一個兩步驟式處理循環以外包含兩個或更多個其他兩步驟式處理循環，且在每一兩步驟式處理循環中之每一接觸步驟之後進行乾燥，以增強本發明所提供之產品物件中之銀金屬之電導率。該等製程之結果係在產品物件中提供「經處理銀金屬」。
每一兩步驟式處理循環可使用相同或不同的水性或非水性鹽溶液來實施。因此，可在多個兩步驟式處理循環中使用相同或不同的鹽，但在使
用多個兩步驟式處理循環之大多數實施例中，在每一兩步驟式處理循環中使用相同的鹽。下文闡述有用的鹽。
如本文針對處理循環所使用，術語「水性」意味著溶液(無論係鹽溶液抑或非鹽溶液)在溶液之總溶劑中包含水作為主要溶劑。此意味著大於溶劑總體積之60體積%係由水構成。通常，該等水溶液包含總溶劑之至少90體積%之量之水。
如本文針對處理循環所使用，術語「非水性」意味著溶液(無論鹽溶液抑或非鹽溶液)在溶液之總溶劑中包含一或多種有機溶劑(下文所闡述)作為主要溶劑。此意味著大於溶劑總體積之60體積%由一或多種有機溶劑構成。通常，該等非水性溶液以至少總溶劑之90體積%之量包含一或多種有機溶劑。
每一處理循環可在使產品物件與水性或非水性鹽溶液接觸之後但在乾燥產品物件之前，進一步包括使銀金屬與水性或非水性非鹽溶液(其不含有針對水性或非水性鹽溶液所闡述之任何鹽)接觸之另一接觸步驟。該等水性或非水性非鹽溶液可主要由水構成。另一選擇為，非鹽溶液可主要包括一或多種如下文所闡述之有機溶劑且由此為非水性非鹽溶液。
非鹽水性或非水性溶液接觸步驟之使用並非必需的，但在許多實施例中其可能極其合意。因此，此一三步驟式處理循環可包括(1)使產品物件與水性或非水性鹽溶液接觸，(1a)使產品物件與水性或非水性非鹽溶液(例如淡水)接觸，及(2)視情況，乾燥產品物件(使用上述條件)。該等三步驟式處理循環中之每一者可使用多次，或僅使用一次且使用一或多個上述兩步驟式處理循環。
在每一兩步驟式或三步驟式處理循環中，可以任一適宜方式(例如藉
由噴霧、塗層、浸沒至浴中或熟習此項技術者可易於明瞭之另一使接觸方法)使產品物件與水性或非水性鹽溶液接觸。水性或非水性鹽溶液通常以至少20℃或至少30℃且至多且包括90℃或至少45℃且至多且包括80℃或甚至至少40℃且至多且包括70℃之溫度使用。每一處理循環之溫度可相同或不同。溫度可針對給定類型之水性或非水性溶液且端視鹽是否存在來調節。
在三步驟式處理循環中與水性或非水性非鹽溶液接觸可使用相同或不同的接觸方法在相同的溫度範圍內來實施，但溫度無需與在每一三步驟式處理循環中針對水性或非水性鹽溶液所使用者相同。
對於每一兩步驟式或三步驟式處理循環，所述的與水性或非水性鹽溶液接觸通常可實施至少6秒且至多且包括30分鐘或更可能實施至少30秒且至多且包括20分鐘，但在至少一個兩步驟式處理循環中對於接觸尤其有用之時間為至少15秒且至多且包括1分鐘，使得每一兩步驟式或三步驟式處理循環相對較短。多個兩步驟式或三步驟式處理循環之接觸時間可相同或不同。然而，在一些實施例中，第一個兩步驟式或三步驟式處理循環中之接觸時間可長於連續兩步驟式或三步驟式處理循環中之接觸時間。
使用水性或非水性非鹽溶液之三步驟式處理循環中之接觸步驟可使用上文針對與水性或非水性鹽溶液接觸所闡述之時間、溫度及接觸方法類似地實施，但每一類型接觸或每一兩步驟式或三步驟式處理循環之時間、溫度及接觸方法無需相同。
每一兩步驟式或三步驟式處理循環之乾燥操作(在使用時)可使用任一適宜乾燥構件(例如環境(無輔助型)乾燥構件)或主動使用熱空氣或無輔助型蒸發來實施，且乾燥時間及溫度可利用常規實驗(其他上述條件)容易地
確定。每一兩步驟式或三步驟式處理循環之乾燥構件可相同或不同。
相同或不同的兩步驟式或三步驟式處理循環中所使用之水性鹽溶液之有用鹽包括(但不限於)一或多種氯化物鹽(例如氯化鈉、氯化鉀及氯化銨)、溴化物鹽(例如溴化鈉、溴化鉀及溴化銨)、銀鹽(例如硝酸銀、乙酸銀及業內已知之其他)。該等鹽可單獨或組合使用，且其在水性鹽溶液中之總濃度通常為至少0.1重量%且至多且包括20重量%，或通常至少1重量%且至多且包括10重量%。尤其有用之鹽係單獨或組合之氯化物鹽。
相同或不同處理循環之非水性鹽溶液之有用鹽包括(但不限於)一或多種氯化物鹽(例如四丁基氯化銨)、溴化物鹽(例如四丁基溴化銨)、銀鹽(例如硝酸銀)。該等鹽可單獨或組合使用，且其在溶劑鹽溶液中之總濃度通常為至少0.1重量%且至多且包括20重量%，或通常至少1重量%且至多且包括10重量%。尤其有用之鹽係單獨或組合之氯化物鹽。
每一水性鹽溶液或水性非鹽溶液通常具有至少4且至多且包括11之pH，或通常具有至少6且至多且包括8之pH。pH可使用適宜鹼性化合物(例如氫氧化物)來調節，且可包括任一適宜緩衝液來維持期望pH，只要該等其他組分不會減損增強產品物件中之銀金屬之電導率之期望效應即可。非鹽水溶液可為無任何添加之淡水，但其可視情況包括表面活性劑、殺生物劑或緩衝液(若期望)。
非水性鹽溶液及水性非鹽溶液含有一或多種有機溶劑，該等有機溶劑包括(但不限於)乙腈、丁腈、丙腈、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、異丙醇及熟習此項技術者可易於明瞭之其他類似有機溶劑。
因此，在本發明之一些實施例中，在使用上文所闡述之可還原銀離子之光化學還原提供產品物件之後，可使產品物件經受兩個或更多個兩步
驟式或三步驟式處理循環，其中每一兩步驟式或三步驟式處理循環包括上述必需步驟(1)及(2)，但每一三步驟式處理循環包括上述步驟(1a)。每一接觸步驟(1)可在上文所述之溫度下實施至少1秒且至多且包括60秒，其中一或多種鹽具有至少0.01mol/l且至多且包括0.5mol/l之總鹽濃度，且可將接觸步驟(1a)實施類似時間，特別是使用淡水實施。
在一些實施例中，在使用上文所闡述之可還原銀離子之光化學還原提供產品物件之後，可用水或水性或非水性鹽溶液對含有銀金屬之產品物件進行噴霧，隨後進行適宜乾燥。
在其他實施例中，一旦形成金屬銀，可使產品物件與(1)含有非水性鹽之溶液接觸，且(2)進行可選乾燥。除此第一個兩步驟式處理循環以外特別期望使用兩個或更多個其他兩步驟式處理循環來增強產品物件中之銀金屬之電導率。
此外，如上所述，可將每一兩步驟式處理循環轉化為三步驟式處理循環，以在任何乾燥之前包括(1a)使銀金屬與水性或非水性非鹽水溶液接觸。
因此，在將可還原銀離子以光化學方式轉化為銀金屬之後，該方法可包括使含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水或水性或非水性鹽溶液接觸，及視情況，乾燥含有銀金屬之薄膜或含有銀金屬之薄膜圖案。
另一選擇為，本發明方法包含：在將可還原銀離子以光化學方式轉化為銀金屬之後，使含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水或水性或非水性非鹽溶液接觸，及
視情況，乾燥含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案。
在其他實施例中，本發明方法包含：在將可還原銀離子以光化學方式轉化為銀金屬之後，使含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水性或非水性鹽溶液接觸，使含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水性或非水性非鹽溶液之水接觸，及視情況，乾燥含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案。
本發明提供至少以下實施例及其組合，但特徵之其他組合被視為在本發明內，如熟習此項技術者自此揭示內容之教示將瞭解：
1.一種非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及肟化合物錯合之可還原銀離子，該非羥基溶劑可溶性銀錯合物係由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)
其中L表示α-氧基羧酸根；P表示肟化合物；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，條件係當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2。
2.如實施例1之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中L係由下式(II)或(III)表示：
其中R1、R2及R3獨立地為氫或具支鏈或直鏈烷基；
其中R4為具有1至8個碳原子之具支鏈或直鏈烷基，且視情況，R4具支鏈或直鏈烷基中之任一氫原子可經氟原子取代。
3.如實施例2之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中R1為氫或具有1至3個碳原子之具支鏈或直鏈烷基，且R2及R3獨立地為具有1至8個碳原子之具支鏈或直鏈烷基，其中R1、R2及R3具支鏈或直鏈烷基中之任一氫原子視情況可經氟原子替代。
4.如實施例1至3中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該α-氧基羧酸根具有250或更小之分子量。
5.如實施例1至4中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該α-氧基羧酸根係選自：由以下各項組成之群：乳酸根、2-羥基丁酸、2-羥基-3-甲基丁酸、2-羥基-3,3-二甲基丁酸、2-羥基-異丁酸、2-羥基-2-甲基丁酸、2-乙基-2-羥基丁酸、2-羥基-2,3-二甲基丁酸、2-乙基-2-甲氧基丁酸、2-甲氧基-2-甲基丙酸、1-羥基環戊烷-1-甲酸、2,3-二羥基-2,3-二甲基琥珀酸及2,4-二羥基-2,4-二甲基戊二酸；或由以下各項組成之群：丙酮酸、3-甲基丙酮酸、3,3-二甲基丙酮酸、3,3-二甲基-2-側氧基丁酸、3,3-二甲基-2-側氧基戊酸及2,3-二側氧基琥珀酸。
6.如實施例1至5中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中P為由
下式(IV)表示之肟化合物：
其中R5及R6獨立地為氫或具有1至6個碳原子之烷基，條件係R5及R6中之至少一者係烷基，或R5及R6可一起表示足以提供5員或6員碳環之碳原子；且R7係氫、具有1至6個碳原子之烷基、具有1至6個碳原子之醯基、-C(=O)R8基團或羰氧基烷基[-C(=O)OR8]，其中R8係氫或具有1至6個碳原子之烷基。
7.如實施例6之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中R5及R6中之一者係氫且另一者係具有1至3個碳原子之烷基，或R5及R6獨立地為各自具有1至3個碳原子之烷基且R7係氫或具有1至3個碳原子之烷基。
8.如實施例6或7之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中R7係氫或具有1至3個碳原子之烷基。
9.如實施例1至8中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物係選自由以下各項組成之群：丙酮肟、乙醛肟、涕滅威、丁二酮肟、甲基乙基酮肟、丙醛肟、環己酮肟、環戊酮肟、庚醛肟、丙酮-O-甲基肟、乙醛-O-甲基肟、丙醛-O-甲基肟、丁醛-O-甲基肟、2-丁酮-O-甲基肟、環戊酮-O-甲基肟及2-丁酮-O-乙基肟。
10.如實施例1至9中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物具有相對於SCE至少1.5V之氧化電位；該α-氧基羧酸根具有相對於SCE至少1V之第一氧化電位；且在α-氧基羧酸根之去羧時，生成具
有相對於SCE小於1V之氧化電位之二級自由基。
11.如實施例1至10中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物具有相對於SCE至少1.5V之氧化電位。
12.如實施例1至11中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物具有200或更小之分子量。
13.如實施例1至12中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物具有在760mm大氣壓下小於150℃之沸點。
14.如實施例1至13中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物具有在760mm大氣壓下小於150℃之沸點。
15.如實施例1至14中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物具有在760mm大氣壓下至少80℃且至多且包括150℃之沸點。
16.如實施例1至15中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其滿足銀離子穩定性測試，使得當將非羥基溶劑可溶性銀錯合物在環境溫度及黃色安全光下保持24小時時，小於其原始銀離子含量之0.1mol%被還原為銀金屬。
17.如實施例1至16中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中：(i)a及b均為1且c為1或2；(ii)a及b均為2且c為2；或(iii)a及b均為2且c為4。
18.一種含有可還原銀離子之光敏性組合物，其基本上由以下各項組成：
a)如實施例1至17中任一者之非羥基溶劑可溶性銀錯合物；b)包含至少一種非羥基溶劑之溶劑介質；及c)視情況之光敏劑，其可還原該可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根。
19.如實施例18之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其中存在該光敏劑且當該光敏劑係推電子光敏劑時，其係由以下反應式7來定義，且當該光敏劑係吸電子光敏劑時，其係由以下反應式(4)來定義：
20.如實施例18或19之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其中基於該含有可還原銀離子之光敏性組合物之總重量，一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物係以至少5重量%且至多且包括90重量%之量存在；且基於該一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物之總重量，該光敏劑係以至少0.5重量%且至多且包括4重量%之量存在。
21.如實施例18至20中任一者之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其中該溶劑介質包含一或多種選自由以下各項組成之群之非羥基溶劑：乙腈、苯甲腈、丙酮、甲基乙基酮、丁腈、碳酸伸丙酯、丙腈、異戊
腈、戊腈及該等有機溶劑中之兩者或更多者之混合物。
22.如實施例18至21中任一者之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其具有兩種或更多種不同的非羥基溶劑可溶性銀錯合物。
23.如實施例18至22中任一者之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其中存在兩種或更多種不同的光敏劑。
24.如實施例18至23中任一者之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其包含光敏劑，該光敏劑在吸收具有至少190nm且至多且包括450nm之波長之電磁輻射時能還原該等銀離子或氧化該α-氧基羧酸根，且基於該一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物之總重量，其係以至少1重量%且至多且包括3重量%之量存在。
25.一種提供銀金屬之方法，其包含：在基板上自如實施例18至24中任一者之含有可還原銀離子之光敏性組合物提供光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案，該光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案包含：a)非羥基溶劑可溶性銀錯合物；及b)視情況之光敏劑，其可還原該可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根；及藉由利用波長在至少150nm且至多且包括700nm範圍內之電磁輻射來輻照光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案將該光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案中之可還原銀離子以光化學方式轉化為導電銀金屬，以在該基板上提供具有含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案之物件。
26.如實施例25之方法，其中該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案具有小於1000歐姆/□之電阻率。
27.如實施例25或26之方法，其中該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案具有小於500歐姆/□之電阻率。
28.如實施例25至27中任一者之方法，其中在將該等可還原銀離子以光化學方式轉化為導電銀金屬之後，使該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水或水性或非水性鹽溶液接觸，及視情況，乾燥該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案。
29.如實施例25至27之方法，其中在將該等可還原銀離子以光化學方式轉化為導電銀金屬之後，使該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水性或非水性非鹽溶液接觸，及視情況，乾燥該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案。
30.如實施例25至27之方法，其中在將該等可還原銀離子以光化學方式轉化為導電銀金屬之後，使該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水性或非水性鹽溶液接觸，使該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水或水性或非水性非鹽溶液接觸，及視情況，乾燥該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案。
31.如實施例25至30中任一者之方法，其中該基板係聚合物膜、玻
璃或陶瓷材料。
32.如實施例25至31中任一項之方法，其中該基板係連續聚酯網。
33.如實施例25至32中任一者之方法，其包含使用柔版印刷或噴墨印刷提供光敏性薄膜圖案。
34.如實施例25至33中任一者之方法，其用於提供兩個或更多個導電銀金屬圖案，該方法包含：以具有第一支撐側及第二相對支撐側之連續基板形式提供該基板，在該連續基板之該第一支撐側上之兩個或更多個各別部分上，自如實施例18至24中任一者之相同或不同的含有可還原銀離子之光敏性組合物提供兩個或更多個光敏性薄膜圖案；以光化學方式轉化該連續基板之該第一支撐側上之該兩個或更多個光敏性薄膜圖案中之每一者中之可還原銀離子，以在該連續基板之該第一支撐側上相應地提供兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案；使該兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水或水性或非水性鹽溶液接觸；視情況，使該兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水性或非水性非鹽溶液接觸；及視情況，乾燥該兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案中之每一者。
35.如實施例34之方法，其進一步包含：在該連續基板之該第二相對支撐側上之兩個或更多個各別部分上提供兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案，該兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案中之每一者包含：a)該非羥基溶劑可溶性銀錯合物；及
b)該光敏劑；以光化學方式轉化該兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案中之每一者中之可還原銀離子，以在該連續基板之該第二相對支撐側上提供兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案；使該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水或水性或非水性鹽溶液接觸；視情況，使該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水性或非水性非鹽溶液接觸；及視情況，乾燥該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者。
36.如實施例35之方法，其中該連續基板之該第一支撐側及該第二相對支撐側上之所有該等光敏性薄膜圖案皆係使用相同或不同的柔版印刷構件來提供。
37.一種前體物件，其包含基板，該基板具有第一支撐側及第二相對支撐側，且在至少該第一支撐側上具有光敏性薄膜或一或多個光敏性薄膜圖案，該光敏性薄膜或該一或多個光敏性薄膜圖案中之每一者係自如實施例18至24中任一者之含有可還原銀離子之光敏性組合物獲得。
38.如實施例37之前體物件，其中該基板係聚合物膜、玻璃、紡織品或陶瓷材料。
39.如實施例37或38之前體物件，其中該基板係連續聚酯網或多孔織物網。
40.如實施例37至39中任一者之前體物件，其在該基板之該第一支
撐側之不同部分中包含該一或多個光敏性薄膜圖案。
41.如實施例37至40中任一者之前體物件，其在該基板之該第二相對支撐側上進一步包含一或多個光敏性薄膜圖案，該一或多個光敏性薄膜圖案中之每一者係自如實施例18至24中任一者之含有可還原銀離子之光敏性組合物獲得。
42.一種產品物件，其衍生自如實施例25至36中任一者之方法，其包含基板，該基板具有第一支撐側及第二相對支撐側，且在至少該第一支撐側上具有含有導電銀金屬之薄膜或一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案，其包含：銀金屬；α-氧基羧酸根；肟化合物；及光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化該α-氧基羧酸根。
43.如實施例42之產品物件，其在該基板之該第一支撐側上之不同部分中包含兩個或更多個含有導電銀金屬之薄膜圖案。
44.如實施例42或43之產品物件，其在該基板之該第二相對支撐側上之不同部分中進一步包含一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案，該一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案中之每一者包含：銀金屬；α-氧基羧酸根；肟化合物；及光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化α-氧基羧酸根。
45.如實施例42至44中任一者之產品物件，其係以連續材料之纏繞捲形式來提供。
46.如實施例45之產品物件，其中該連續材料之纏繞捲包含聚酯基板。
提供下列實例以闡釋本發明之實踐且並非意欲以任何方式進行限制。
以下實例中所使用之大多數試劑及溶劑可自各種商業來源(例如VWR,Sigma-Aldrich Chemical Co.(Milwaukee,Wis.,USA)及Fisher Scientific(Pittsburgh,Pa.,USA))獲得。
比較實例1：異丁酸銀乙醛肟錯合物之製備
向異丁酸銀(1g,5.18mmol)於乙腈(4ml)中之漿液中添加乙醛肟(1.23g，約21mmol)並將所得反應混合物在25℃下攪拌直至獲得澄清溶液為止。然後將澄清反應溶液攪拌10分鐘且在室溫下緩慢去除乙腈，以獲得期望之異丁酸銀吡啶錯合物之白色固體，藉由1H NMR(CD3CN)對其進行表徵：δ 7.38(q,1H),6.74(q,1H),2.37(m,1H),1.80(d,3H),1.78(d,3H)1.07(d,6H)。
嘗試使用異丁酸銀乙醛肟錯合物光化學生成導電銀金屬：
將上述異丁酸銀乙醛肟錯合物(0.4g)溶解於乙腈(1ml)中。將光敏劑PS-7(0.02g；2重量%)添加至所得溶液中且在室溫下溶解。將所得到的含有銀離子之光敏性組合物以800rpm旋塗至玻璃板基板上，並使用中壓Hg/Xe(1000W)燈將玻璃基板上所得到的具有薄膜之前體物件曝光於UV
光。在2分鐘內，所得前體物件中薄膜之色彩自無色變為黃色，指示銀奈米粒子之形成(UV/Vis吸收光譜顯示在400-425nm範圍內之吸收通常與銀金屬之存在相關)。使用4點探針器件量測所得印刷金屬銀特徵之薄片電阻率且發現其係不導電的。在用鹽水(氯化鈉)溶液(0.1莫耳)將其洗滌10秒之後，薄膜電阻率未發生變化。
此實例證實在UV輻照時，包含自可還原銀離子、烷基羧酸根及肟化合物形成之錯合物及光敏劑之含銀離子光敏性組合物不生成導電銀金屬。
發明實例1：乳酸銀丙酮肟錯合物之製備
向乳酸銀(1.0g,5.076mmol)於乙腈(4ml)中之漿液中添加丙酮肟(0.370g,5.08mmol)，並攪拌反應混合物以獲得澄清反應溶液。將所得反應溶液在25℃下攪拌10分鐘且在室溫下緩慢去除乙腈，以獲得期望乳酸銀丙酮肟錯合物之白色固體，如藉由1H NMR(CD3CN)所證實，δ3.94(q,1H),1.96(s,3H),1.91(s,3H),1.25(d,3H)。
發明實例2：乳酸銀乙醛肟錯合物之製備
向乳酸銀(1.0g,5.08mmol)於乙腈(5ml)中之漿液中添加乙醛肟(0.310g,5.08mmol)，並將所得反應溶液在25℃下攪拌10分鐘。在室溫下緩慢去除乙腈，以獲得期望乳酸銀乙醛肟錯合物之白色固體，如藉由1H NMR(CD3CN)所證實，δ7.43(q,1H),6.78(q,1H),3.93(m,1H),1.85
(d,3H),1.84(d,3H)1.25(d,3H)。
發明實例3：乳酸銀丁醛O-甲基肟錯合物之製備
丁醛O-甲基肟E/Z混合物(CAS 31376-98-4)之製備：
用丁醛(CAS 123-72-8；7.2g；100mmol)處理甲氧基胺鹽酸鹽(CAS 593-56-6；10.0g；120mmol)、乙酸鈉(CAS 127-09-3；12.3g；150mmol)、65ml甲醇及65ml水之混合物。將所得混合物在環境溫度下攪拌45分鐘且然後在80℃下加熱2小時。隨後，使混合物再次冷卻至環境溫度。用二氯甲烷萃取所得混合物。用飽和碳酸氫鈉水溶液及鹽水洗滌有機物且然後用硫酸鈉乾燥。經過濾溶液之旋轉蒸發濃縮(浴溫
10℃)提供期望之接近無色油狀物之丁醛肟-酮，其中產率為72%。NMR分析指示接近60/40之肟-酮立體異構物混合物。
向乳酸銀(1.0g,5.08mmol)於乙腈(5ml)中之漿液中添加丁醛O-甲基肟(0.515g,5.08mmol)以獲得漿液，該漿液在添加0.5ml水時完全溶解。將所得反應溶液在25℃下攪拌10分鐘。在室溫下緩慢去除乙腈以獲得期望之乳酸銀丁醛O-甲基肟錯合物之白色固體。
發明實例4：2-羥基異丁酸銀丙酮肟錯合物之製備
2-羥基異丁酸銀係如下來製備。採用機械攪拌及15℃之外部冷卻將50%氫氧化鈉溶液之溶液(58.8g；0.735莫耳)添加至1.05公升經冷凍(15
℃)去離子(DI)水中。逐份添加2-羥基異丁酸(78.1g；0.750莫耳)，維持所得反應溶液溫度接近或低於環境溫度。在此添加後，將均質反應溶液在15℃下攪拌30分鐘以確保完全反應。經10分鐘將於去離子水(187.5ml)中之硝酸銀(127.4g；0.75莫耳)緩慢添加至2-羥基異丁酸鈉溶液中。在添加期間，形成沈澱物。將反應溶液在15℃下攪拌30分鐘並過濾漿液(中等玻璃料大小90)並用水(50ml)洗滌。用兩份200ml之丙酮進一步洗滌所收集固體並風乾以提供2-羥基異丁酸銀之期望產物，其中產率為60%。
向所形成之2-羥基異丁酸銀(1g,4.76mmol)於乙腈(5ml)中之漿液中添加丙酮肟(1.39g,19.05mmol)，且然後在75℃下再攪拌10-15分鐘且在冷卻時，獲得期望2-羥基異丁酸銀丙酮肟之白色晶體。圖1顯示此銀α-氧基羧酸根-肟錯合物之晶體結構。
發明實例5：使用乳酸銀丙酮肟錯合物及PS-7電子供體光敏劑印刷及光化學生成導電銀金屬
此實例展示使用柔版印刷及下文所述之含有銀離子之錯合物製備本發明之前體物件。其亦展示使用香豆素類電子供體光敏劑在該等前體物件中光化學生成導電銀金屬，以提供包含聚合物基板之產品物件。
使用柔版IGT F1印刷機自市售Kodak Flexcel NX光聚合物板(前體)獲得柔版印刷板。藉助使用柯達方形光斑雷射(Kodak Square Spot laser)技術以12,800dpi之解析率寫入之遮罩使光聚合物板成像來提供凸版影像。使用配備有H燈泡之Fusion臺式輸送機單元以介於100mJ/cm2至500mJ/cm2之間之標稱UV劑量實施曝光。
將上文在發明實例1中所闡述之乳酸銀丙酮肟錯合物(0.4g；40重量%)溶解於乙腈(1ml)中。添加光敏劑PS-7(0.02g；相對於錯合物為2重量
%)並溶解以在室溫下形成所得含有可還原銀離子之光敏性組合物。將此組合物之測試圖案印刷至塗覆明膠之聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET)膜基板之試樣上，以在基板上提供具有光敏性薄膜圖案之前體物件。使前體物件曝光於UV光以在產品物件中獲得薄膜銀金屬圖案。使每一試樣產品物件與氯化鈉溶液(0.1-0.2莫耳)接觸(約10-30秒及40℃)並風乾，之後使用4點探針器件量測所得銀金屬圖案之薄片電阻率，發現該薄片電阻率為80-20Ω/□。藉由四點探針針對0.5×1.5cm面積及300nm標稱厚度之膜量測電阻率。藉由掃描電子顯微術(SEM)觀察銀膜之表面形態及厚度。
發明實例6：使用乳酸銀丁醛O-甲基肟錯合物及PS-7電子供體光敏劑光化學生成導電銀金屬
此實例展示使用發明實例3中所闡述之含有銀離子之錯合物製備本發明之前體物件。其亦展示使用香豆素類電子供體光敏劑在該等前體物件中光化學生成導電銀金屬，以提供包含聚合物基板之產品物件。
將上文在發明實例3中闡述之乳酸銀丁醛O-甲基肟錯合物(0.4g；40重量%)溶解於乙腈及水(1ml及0.1ml)之混合物中。添加光敏劑PS-7(0.02g；相對於錯合物為2重量%)並溶解以在室溫下形成所得含有可還原銀離子之光敏性組合物。將組合物以800rpm旋塗至玻璃板基板上並使用中壓Hg/Xe(1000W)燈將其曝光於UV光。在曝光於光時，所得前體物件中之薄膜在15秒內快速變為銀金屬膜。將試樣再輻照15秒且然後與氯化鈉溶液(0.1-0.2莫耳)接觸(約10-30秒及40℃)且風乾，之後使用4點探針器件量測所得銀金屬圖案之薄片電阻率，發現該薄片電阻率為5-10Ω/□。藉由四點探針針對具有2×2cm面積及400nm標稱厚度之膜量測電阻率。藉由掃描電子顯微術(SEM)觀察銀膜之表面形態及厚度。
發明實例7：2-羥基-2-甲基丁酸銀乙醛肟錯合物之製備
2-羥基-2-甲基丁酸銀係如下來製備。採用機械攪拌及15℃之外部冷卻將50%氫氧化鈉溶液之溶液(58.8g；0.735莫耳)添加至1.05公升經冷凍(15℃)去離子(DI)水中。逐份添加2-羥基-2-甲基-丁酸(78.1g；0.750莫耳)，維持所得反應溶液溫度接近或低於環境溫度。在此添加之後，將均質反應溶液在15℃下攪拌30分鐘以確保完全反應。經10分鐘將於去離子水(187.5ml)中之硝酸銀(127.4g；0.75莫耳)緩慢添加至2-羥基-2-甲基丁酸鈉溶液中。在添加期間，形成沈澱物。將反應溶液在15℃下攪拌30分鐘並過濾(中等玻璃料大小90)漿液並用水(50ml)洗滌。用兩份200ml丙酮進一步洗滌所收集固體並風乾以提供2-羥基-2-甲基丁酸銀之期望產品，其中產率為60%。
向所形成之2-羥基-2-甲基丁酸銀(1g,4.76mmol)於乙腈(5ml)中之漿液中添加丙酮肟(1.39g,19.05mmol)，且然後在室溫下再攪拌10-15分鐘以獲得期望之2-羥基-2-甲基丁酸銀丙酮肟錯合物。
發明實例8：使用2-羥基-2-甲基丁酸銀乙醛肟錯合物及PS-7電子供體光敏劑光化學生成導電銀金屬
此實例展示使用發明實例7中所闡述之含有銀離子之錯合物製備本發明之前體物件。其亦展示使用香豆素類電子供體光敏劑在該等前體物件中光化學生成導電銀金屬，以提供包含聚合物基板之產品物件。
將上文在發明實例7中所闡述之2-羥基-2-甲基丁酸銀丙酮肟錯合物
(0.2g；20重量%)溶解於乙腈及水(0.5ml及0.0.05ml)之混合物中。添加光敏劑PS-7(0.02g；相對於錯合物為2重量%)並溶解以在室溫下形成所得含有可還原銀離子之光敏性組合物。將組合物以800rpm旋塗至玻璃板基板上並使用中壓Hg/Xe(1000W)燈將其曝光於UV光。在曝光於光時，所得前體物件中之薄膜在15秒內快速變為銀金屬膜。將試樣再輻照15秒且然後與氯化銨溶液(0.1-0.2莫耳)接觸(約10-30秒及40℃)且風乾，之後使用4點探針器件量測所得銀金屬圖案之薄片電阻率，發現該薄片電阻率為10-20Ω/□。藉由四點探針針對具有2×2cm面積及200nm標稱厚度之膜量測電阻率。
Claims (34)
- 一種非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及肟化合物錯合之可還原銀離子，該非羥基溶劑可溶性銀錯合物係由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)其中L表示α-氧基羧酸根；P表示肟化合物；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，條件係當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2，其中L係由下式(II)或(III)表示：
- 如請求項1之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該α-氧基羧酸根具有250或更小之分子量。
- 如請求項1或2之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中P為由下式(IV)表示之肟化合物：
- 如請求項3之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中R5及R6中之一者係氫且另一者係具有1至3個碳原子之烷基，或R5及R6獨立地為各自具有1至3個碳原子之烷基且R7係氫或具有1至3個碳原子之烷基。
- 如請求項1或2之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物係選自由以下各項組成之群：丙酮肟、乙醛肟、涕滅威(Aldicarb)、丁二酮肟、甲基乙基酮肟、丙醛肟、環己酮肟、環戊酮肟、庚醛肟、丙酮-O-甲基肟、乙醛-O-甲基肟、丙醛-O-甲基肟、丁醛-O-甲基肟、2-丁酮-O-甲基肟、環戊酮-O-甲基肟及2-丁酮-O-乙基肟。
- 如請求項1或2之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物具有相對於SCE至少1.5V之氧化電位；該α-氧基羧酸根具有相對於SCE至少1V之第一氧化電位；且在該α-氧基羧酸根之去羧時，生成具有相對於SCE小於1V之氧化電位之第二級自由基。
- 如請求項1或2之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中該肟化合物具有在760mm大氣壓下小於150℃之沸點。
- 如請求項1或2之非羥基溶劑可溶性銀錯合物，其中：(i)a及b均為1且c為1或2；(ii)a及b均為2且c為2；或(iii)a及b均為2且c為4。
- 一種含有可還原銀離子之光敏性組合物，其基本上由以下各項組成：a)如請求項1至8中任一項之非羥基溶劑可溶性銀錯合物；b)包含至少一種非羥基溶劑之溶劑介質；及c)視情況之光敏劑，其可還原該可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根。
- 如請求項9之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其中存在該光敏劑且當該光敏劑係推電子光敏劑時，其係由以下反應式7來定義，且當該光敏劑係吸電子光敏劑時，其係由以下反應式(4)來定義：
- 如請求項9或10之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其中基於該含有可還原銀離子之光敏性組合物之總重量，一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物係以至少5重量%且至多且包括90重量%之量存在；且基於該一或多種非羥基溶劑可溶性銀錯合物之總重量，該光敏劑係以至少0.5重量%且至多且包括4重量%之量存在。
- 如請求項9或10之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其中該溶劑介質包含一或多種選自由以下各項組成之群之非羥基溶劑：乙腈、苯甲腈、丙酮、甲基乙基酮、丁腈、碳酸伸丙酯、丙腈、異戊腈、戊腈及該等有機溶劑中之兩者或更多者之混合物。
- 如請求項9或10之含有可還原銀離子之光敏性組合物，其具有兩種或更多種不同的非羥基溶劑可溶性銀錯合物。
- 一種提供銀金屬之方法，其包含：在基板上自如請求項9至13中任一項之含有可還原銀離子之光敏性組合物提供光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案，該光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案包含：a)非羥基溶劑可溶性銀錯合物；及b)視情況之光敏劑，其可還原該可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根；及藉由利用波長在至少150nm且至多且包括700nm之範圍內之電磁輻射來輻照該光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案將該光敏性薄膜或光敏性薄膜圖案中之可還原銀離子以光化學方式轉化為導電銀金屬，以在該基板上提供具有含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案之物件。
- 如請求項14之方法，其中該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案具有小於1000歐姆/□之電阻率。
- 如請求項14或15之方法，其中在將該等可還原銀離子以光化學方式轉化為導電銀金屬之後，使該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水或水性或非水性鹽溶液接觸，及視情況，乾燥該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案。
- 如請求項14或15之方法，其中 在將該等可還原銀離子以光化學方式轉化為導電銀金屬之後，使該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水性或非水性非鹽溶液接觸，及視情況，乾燥該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案。
- 如請求項14或15之方法，其中在將該等可還原銀離子以光化學方式轉化為導電銀金屬之後，使該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水性或非水性鹽溶液接觸，使該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案與水或水性或非水性非鹽溶液接觸，及視情況，乾燥該含有導電銀金屬之薄膜或含有導電銀金屬之薄膜圖案。
- 如請求項14或15之方法，其中該基板係聚合物膜、玻璃或陶瓷材料。
- 如請求項14或15之方法，其中該基板係連續聚酯網。
- 如請求項14或15之方法，其包含使用柔版印刷或噴墨印刷提供光敏性薄膜圖案。
- 如請求項14或15之方法，其用於提供兩個或更多個導電銀金屬圖案，該方法包含：以具有第一支撐側及第二相對支撐側之連續基板之形式提供該基板，在該連續基板之該第一支撐側上之兩個或更多個各別部分上，自相同或不同的如請求項9至13中任一項之含有可還原銀離子之光敏性組合物提供兩個或更多個光敏性薄膜圖案；以光化學方式轉化該連續基板之該第一支撐側上之該兩個或更多個光敏性薄膜圖案中之每一者中之可還原銀離子，以在該連續基板之該第一支撐側上相應地提供兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案；使該兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水或水性或非水性鹽溶液接觸；視情況，使該兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水性或非水性非鹽溶液接觸；及視情況，乾燥該兩個或更多個含有導電銀金屬之圖案中之每一者。
- 如請求項22之方法，其進一步包含：在該連續基板之該第二相對支撐側上之兩個或更多個各別部分上提供兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案，該兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案中之每一者包含：a)非羥基溶劑可溶性銀錯合物；及b)光敏劑；以光化學方式轉化該兩個或更多個相對光敏性薄膜圖案中之每一者 中之可還原銀離子，以在該連續基板之該第二相對支撐側上提供兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案；使該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水或水性或非水性鹽溶液接觸；視情況，使該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者與水性或非水性非鹽溶液接觸；及視情況，乾燥該兩個或更多個相對的含有導電銀金屬之圖案中之每一者。
- 如請求項23之方法，其中該連續基板之該第一支撐側及該第二相對支撐側上之所有該等光敏性薄膜圖案皆係使用相同或不同的柔版印刷構件來提供。
- 一種前體物件，其包含基板，該基板具有第一支撐側及第二相對支撐側，且在至少該第一支撐側上具有光敏性薄膜或一或多個光敏性薄膜圖案，該光敏性薄膜或該一或多個光敏性薄膜圖案中之每一者係自如請求項9至13中任一項之含有可還原銀離子之光敏性組合物獲得。
- 如請求項25之前體物件，其中該基板係聚合物膜、玻璃、紡織品或陶瓷材料。
- 如請求項25或26之前體物件，其中該基板係連續聚酯網或多孔織物 網。
- 如請求項25或26之前體物件，其在該基板之該第一支撐側之不同部分中包含該一或多個光敏性薄膜圖案。
- 如請求項25或26之前體物件，其在該基板之該第二相對支撐側上進一步包含一或多個光敏性薄膜圖案，該一或多個光敏性薄膜圖案中之每一者係自如請求項9至13中任一項之含有可還原銀離子之光敏性組合物獲得。
- 一種產品物件，其衍生自如請求項14至24中任一項之方法，其包含基板，該基板具有第一支撐側及第二相對支撐側，且在至少該第一支撐側上具有含有導電銀金屬之薄膜或一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案，其包含：銀金屬；α-氧基羧酸根；肟化合物；及光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化該α-氧基羧酸根。
- 如請求項30之產品物件，其在該基板之該第一支撐側上之不同部分中包含兩個或更多個含有導電銀金屬之薄膜圖案。
- 如請求項30或31之產品物件，其在該基板之該第二相對支撐側上之不同部分中進一步包含一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案，該一或多個含有導電銀金屬之薄膜圖案中之每一者包含：銀金屬；α-氧基羧酸根；肟化合物；及光敏劑，其可還原可還原的銀離子或氧化該α-氧基羧酸根。
- 如請求項30或31之產品物件，其係以連續材料之纏繞捲形式來提供。
- 如請求項33之產品物件，其中該連續材料之纏繞捲包含聚酯基板。
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