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TWI778790B - 畫素結構 - Google Patents

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TWI778790B
TWI778790B TW110134304A TW110134304A TWI778790B TW I778790 B TWI778790 B TW I778790B TW 110134304 A TW110134304 A TW 110134304A TW 110134304 A TW110134304 A TW 110134304A TW I778790 B TWI778790 B TW I778790B
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Taiwan
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semiconductor layer
layer
opening
active layer
active
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TW110134304A
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陳奕宏
李佳安
林冠亨
Original Assignee
友達光電股份有限公司
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Publication date
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract

一種畫素結構包括依序堆疊的第一半導體層、第一主動 層、第二半導體層、第二主動層、第三半導體層及電極層。電極層的第一部透過第三半導體層的第一部的第一開口、第二主動層的第一部的第一開口、第二半導體層的第一部的第一開口及第一主動層的第一部的第一開口電性連接至第一半導體層的第一部。電極層的第二部透過第三半導體層的第二部的第二開口及第二主動層的第二部的第二開口電性連接至第二半導體層的第二部。電極層的第三部電性連接至第三半導體層的第二部。

Description

畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構。
發光二極體顯示面板包括驅動背板及被轉置於驅動背板上的多個發光二極體元件。繼承發光二極體的特性，發光二極體顯示面板具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。此外，相較於有機發光二極體顯示面板，發光二極體顯示面板更具有色彩易調校、發光壽命長、無影像烙印等優勢。因此，發光二極體顯示面板被視為下一世代的顯示技術。
一般而言，為使發光二極體顯示面板能顯示彩色畫面，發光二極體顯示面板的多個發光二極體元件包括用以顯示第一顏色的多個第一發光二極體元件、用以顯示第二顏色的多個第二發光二極體元件及用以顯示第三顏色的多個第三發光二極體元件。然而，多個第一發光二極體元件、多個第二發光二極體元件及多個第三發光二極體元件是分別利用三個生長基板形成，再分別利用多次轉置動作轉置到驅動背板上，使得發光二極體顯示面板的良率、成本及解析度的提升不易。
本發明提供一種畫素結構，性能佳。
本發明的畫素結構，包括第一半導體層、第一主動層、第二半導體層、第二主動層、第三半導體層、電極層及驅動背板。第一半導體層具有第一部及第二部。第一主動層設置於第一半導體層上，且具有第一部及第二部。第一主動層的第一部及第二部分別設置於第一半導體層的第一部及第二部上。第一主動層的第一部具有第一開口，且第一主動層的第一部的第一開口重疊於第一半導體層的第一部。第二半導體層設置於第一主動層上，且具有第一部及第二部。第二半導體層的第一部及第二部分別設置於第一主動層的第一部及第二部上。第二半導體層的第一部具有第一開口，且第二半導體層的第一部的第一開口重疊於第一主動層的第一部的第一開口。第二主動層設置於第二半導體層上，且具有第一部及第二部。第二主動層的第一部及第二部分別設置於第二半導體層的第一部及第二部上。第二主動層的第一部及第二部分別具有第一開口及第二開口。第二主動層的第一部的第一開口重疊於第二半導體層的第一部的第一開口，且第二主動層的第二部的第二開口重疊於第二半導體層的第二部。第三半導體層設置於第二主動層上，且具有第一部及第二部。第三半導體層的第一部及第二部分別設置於第二主動層的第一部及第二部上。第三半導體層的第一部及第二部分別具有第一開口及第二開口。第三半導體層的第一部的第一開口重疊於第二主動層的第一部的第一開 口，且第三半導體層的第二部的第二開口重疊於第二主動層的第二部的第二開口。電極層設置於第三半導體層上，且具有第一部、第二部及第三部。電極層的第一部透過第三半導體層的第一部的第一開口、第二主動層的第一部的第一開口、第二半導體層的第一部的第一開口及第一主動層的第一部的第一開口電性連接至第一半導體層的第一部。電極層的第二部透過第三半導體層的第二部的第二開口及第二主動層的第二部的第二開口電性連接至第二半導體層的第二部，且電極層的第三部電性連接至第三半導體層的第二部。電極層的第一部、第二部及第三部電性連接至驅動背板。
在本發明的一實施例中，上述的第二主動層的第一部的第一開口及第三半導體層的第一部的第一開口更重疊於第二半導體層的第一部，電極層更具有第四部，電極層的第四部透過第三半導體層的第一部的第一開口及第二主動層的第一部的第一開口電性連接至第二半導體層的第一部。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構更包括第三主動層及第四半導體層。第一半導體層設置於第一主動層與第三主動層之間。第三主動層具有第一部及第二部，且第一半導體層的第一部及第二部分別設置於第三主動層的第一部及第二部上。第三主動層設置於第一半導體層與第四半導體層之間。第四半導體層具有第一部及第二部，且第三主動層的第一部及第二部分別設置於第四半導體層的第一部及第二部上。
在本發明的一實施例中，上述的第四半導體層更具有第三部；第三主動層更具有第三部，設置於第四半導體層的第三部上；第一半導體層更具有第三部，設置於第三主動層的第三部上；第一主動層更具有第三部，設置於第一半導體層的第三部上；第二半導體層更具有第三部，設置於第一主動層的第三部上；第二主動層更具有第三部，設置於第二半導體層的第三部上；第三半導體層更具有第三部，設置於第二主動層的第三部上；電極層更具有第五部，透過第三半導體層的第三部的第三開口、第二主動層的第三部的第三開口、第二半導體層的第三部的第二開口、第一主動層的第三部的第二開口、第一半導體層的第三部的第一開口及第三主動層的第三部的第一開口電性連接至第四半導體層的第三部。
在本發明的一實施例中，上述的電極層更具有第六部，透過第三半導體層的第三部的第三開口、第二主動層的第三部的第三開口、第二半導體層的第三部的第二開口及第一主動層的第三部的第二開口電性連接至第一半導體層的第三部。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構更包括第一波長轉換圖案。第四半導體層的第三部設置於第三主動層的第三部與第一波長轉換圖案之間。第一主動層的第一部發出第一光束。第二主動層的第二部發出第二光束。第三主動層的第三部發出第三光束，第三光束穿過第一波長轉換圖案而被轉換為第四光束。第一光束、第二光束及第四光束分別具有第一顏色、第二顏色及 第三顏色。
在本發明的一實施例中，上述的第四半導體層更具有第四部；第三主動層更具有第四部，設置於第四半導體層的第四部上；第一半導體層更具有第四部，設置於第三主動層的第四部上；第一主動層更具有第四部，設置於第一半導體層的第四部上；第二半導體層更具有第四部，設置於第一主動層的第四部上；第二主動層更具有第四部，設置於第二半導體層的第四部上；第三半導體層更具有第四部，設置於第二主動層的第四部上；電極層更具有第七部，透過第三半導體層的第四部的第四開口、第二主動層的第四部的第四開口、第二半導體層的第四部的第三開口、第一主動層的第四部的第三開口、第一半導體層的第四部的第二開口及第三主動層的第四部的第二開口電性連接至第四半導體層的第四部。
在本發明的一實施例中，上述的電極層更具有第八部，透過第三半導體層的第四部的第四開口、第二主動層的第四部的第四開口、第二半導體層的第四部的第三開口及第一主動層的第四部的第三開口電性連接至第一半導體層的第四部。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構更包括第二波長轉換圖案。第四半導體層的第四部設置於第三主動層的第四部與第二波長轉換圖案之間。第一主動層的第一部發出第一光束。第二主動層的第二部發出第二光束。第三主動層的第四部發出第五光束，第五光束穿過第二波長轉換圖案而被轉換為第六光束。 第一光束、第二光束及第六光束分別具有第一顏色、第二顏色及第四顏色。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構更包括第一波長轉換圖案，設置於第三半導體層的第三部的第三開口、第二主動層的第三部的第三開口、第二半導體層的第三部的第二開口及第一主動層的第三部的第二開口中。第一主動層的第一部發出第一光束，第二主動層的第二部發出第二光束，第三主動層的第三部發出第三光束，第三光束穿過第一波長轉換圖案而被轉換為第四光束，且第一光束、第二光束及第四光束分別具有第一顏色、第二顏色及第三顏色。
在本發明的一實施例中，上述的第一半導體層的第一部與第一半導體層的第二部直接連接，第一主動層的第一部與第一主動層的第二部直接連接，第二半導體層的第一部與第二半導體層的第二部直接連接，第二主動層的第一部與第二主動層的第二部直接連接，且第三半導體層的第一部與第三半導體層的第二部直接連接。
在本發明的一實施例中，上述的電極層的第一部具有背向第一半導體層的表面，電極層之第一部的表面與第一半導體層具有第一距離，電極層的第二部具有背向第一半導體層的表面，電極層的第二部的表面與第一半導體層具有第二距離，電極層的第三部具有背向第一半導體層的表面，電極層的第三部的表面與第一半導體層具有第三距離，且第一距離、第二距離及第三距離 實質上相等。
10、10A、10B、10C:畫素結構
110:第四半導體層
120:第三主動層
130:第一半導體層
111、121、131、141、151、161、171、181、191:第一部
112、122、132、142、152、162、172、182、192:第二部
113、123、133、143、153、163、173、183、193:第三部
114、124、134、144、154、164、174、184、194:第四部
140:第一主動層
120a、130a、140a、150a、160a、170a:第一開口
120b、130b、140b、150b、160b、170b:第二開口
140c、150c、160c、170c:第三開口
160d、170d:第四開口
123s、124s、133s、134s、141s、143s、144s、151s、153s、154s、161s、162s、163s、164s、171s、172s、173s、174s:側壁
150:第二半導體層
160:第二主動層
170:第三半導體層
180:絕緣層
190:電極層
191a、192a、193a、194a、195a、196a、197a、198a:表面
195:第五部
196:第六部
197:第七部
198:第八部
200:驅動背板
401:第一波長轉換圖案
402:第二波長轉換圖案
501:第五半導體層
502:第四主動層
503:第六半導體層
504:第一電極
505:第二電極
H1:第一距離
H2:第二距離
H3:第三距離
H4:第四距離
H5:第五距離
H6:第六距離
H7:第七距離
H8:第八距離
L1:第一光束
L2:第二光束
L3:第三光束
L4:第四光束
L5:第五光束
L6:第六光束
LED-1、LED-1’:第一發光元件
LED-2、LED-2’:第二發光元件
LED-3、LED-3’:第三發光元件
LED-4:第四發光元件
P:間距
W:圍牆結構
z:方向
I-I’、II-II’、III-III’:剖線
圖1為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。
圖2為本發明一實施例之畫素結構10的上視示意圖。
圖3為本發明一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。
圖4為本發明一實施例之畫素結構10A的上視示意圖。
圖5為本發明一實施例之畫素結構10B的剖面示意圖。
圖6為圖5的第三發光元件LED-3及第一波長轉換圖案401的上視示意圖。
圖7為本發明一實施例之畫素結構10C的剖面示意圖。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。圖2為本發明一實施例之畫素結構10的上視示意圖。圖1對應圖2的剖線I-I’。圖2省略圖1的第一波長轉換圖案401。
請參照圖1，畫素結構10包括第一半導體層130、第一主動層140、第二半導體層150、第二主動層160、第三半導體層170及電極層190。第一主動層140設置於第一半導體層130上。第二半導體層150設置於第一主動層140上。第二主動層160設置於第二半導體層150上。第三半導體層170設置於第二主動層 160上。電極層190設置於第三半導體層170上。
第一半導體層130具有第一部131及第二部132。第一主動層140具有第一部141及第二部142，分別設置於第一半導體層130的第一部131及第二部132上。第一主動層140的第一部141具有第一開口140a，且第一開口140a重疊於第一半導體層130的第一部131。第二半導體層150具有第一部151及第二部152，分別設置於第一主動層140的第一部141及第二部142上。第二半導體層150的第一部151具有第一開口150a，且第一開口150a重疊於第一開口140a。
第二主動層160具有第一部161及第二部162，分別設置於第二半導體層150的第一部151及第二部152上。第二主動層160的第一部161及第二部162分別具有第一開口160a及第二開口160b。第一開口160a重疊於第一開口150a。第二開口160b重疊於第二半導體層150的第二部152。第三半導體層170具有第一部171及第二部172，分別設置於第二主動層160的第一部161及第二部162上。第三半導體層170的第一部171及第二部172分別具有第一開口170a及第二開口170b。第一開口170a重疊於第一開口160a，且第二開口170b重疊於第二開口160b。
電極層190具有第一部191、第二部192及第三部193。電極層190的第一部191透過第三半導體層170的第一部171的第一開口170a、第二主動層160的第一部161的第一開口160a、第二半導體層150的第一部151的第一開口150a及第一主動層140 的第一部141的第一開口140a電性連接至第一半導體層130的第一部131。電極層190的第二部192透過第三半導體170的第二部172的第二開口170b及第二主動層160的第二部162的第二開口160b電性連接至第二半導體層150的第二部152。電極層190的第三部193電性連接至第三半導體層170的第二部172。電極層190的第一部191、第二部192及第三部193電性連接至驅動背板200。
在本實施例中，第二主動層160的第一部161的第一開口160a及第三半導體層170的第一部171的第一開口170a更重疊於第二半導體層150的第一部151，電極層190更具有第四部194，第四部194透過第三半導體層170的第一部171的第一開口170a及第二主動層160的第一部161的第一開口160a電性連接至第二半導體層150的第一部151。電極層190的第四部194電性連接至驅動背板200。
在本實施例中，畫素結構10更可選擇性地包括第三主動層120及第四半導體層110。第一半導體層130設置於第一主動層140與第三主動層120之間。第三主動層120設置於第一半導體層130與第四半導體層110之間。在本實施例中，第四半導體層110、第三主動層120、第一半導體層130、第一主動層140、第二半導體層150、第二主動層160、第三半導體層170及電極層190沿著垂直於驅動背板200的方向z依序堆疊。
在本實施例中，第三主動層120具有第一部121及第二 部122，第一半導體層130的第一部131及第二部132分別設置於第三主動層120的第一部121及第二部122上，第四半導體層110具有第一部111及第二部112，且第三主動層120的第一部121及第二部122分別設置於第四半導體層110的第一部111及第二部112上。
在本實施例中，第四半導體層110更具有第三部113；第三主動層120更具有第三部123，設置於第四半導體層110的第三部113上；第一半導體層130更具有第三部133，設置於第三主動層120的第三部123上；第一主動層140更具有第三部143，設置於第一半導體層130的第三部133上；第二半導體層150更具有第三部153，設置於第一主動層140的第三部143上；第二主動層160更具有第三部163，設置於第二半導體層150的第三部153上；第三半導體層170更具有第三部173，設置於第二主動層160的第三部163上。
在本實施例中，電極層190更具有第五部195，透過第三半導體層170的第三部173的第三開口170c、第二主動層160的第三部163的第三開口160c、第二半導體層150的第三部153的第二開口150b、第一主動層140的第三部143的第二開口140b、第一半導體層130的第三部133的第一開口130a及第三主動層120的第三部123的第一開口120a電性連接至第四半導體層110的第三部113。電極層190的第五部195電性連接至驅動背板200。
在本實施例中，電極層190更具有第六部196，透過第三 半導體層170的第三部173的第三開口170c、第二主動層160的第三部163的第三開口160c、第二半導體層150的第三部153的第二開口150b及第一主動層140的第三部143的第二開口140b電性連接至第一半導體層130的第三部133。電極層190的第六部196電性連接至驅動背板200。
在本實施例中，畫素結構10更包括絕緣層180，其中第四半導體層110、第三主動層120、第一半導體層130、第一主動層140、第二半導體層150、第二主動層160、第三半導體層170、絕緣層180及電極層190沿著垂直於驅動背板200的方向z依序堆疊。
在本實施例中，絕緣層180具有第一部181，設置於第三半導體層170的第一部171上。第三半導體層170的第一部171的側壁171s定義第三半導體層170的第一部171的第一開口170a。第二主動層160的第一部161的側壁161s定義第二主動層160的第一部161的第一開口160a。第二半導體層150的第一部151的側壁151s定義第二半導體層150的第一部151的第一開口150a。第一主動層140的第一部141的側壁141s定義第一主動層140的第一部141的第一開口140a。絕緣層180的第一部181更設置於側壁171s、161s、151s、141s上，使得電極層190的第一部191伸入第一開口170a、160a、150a、140a以電性連接至第一半導體層130的第一部131時，不會接觸到第三半導體層170、第二主動層160、第二半導體層150及第一主動層140，且使得電極 層190的第四部194伸入第一開口170a、160a以電性連接至第二半導體層150的第一部151時，不會接觸到第三半導體層170及第二主動層160。
在本實施例中，絕緣層180更具有第二部182，設置於第三半導體層170的第二部172上。第三半導體層170的第二部172的側壁172s定義第三半導體層170的第二部172的第二開口170b。第二主動層160的第二部162的側壁162s定義第二主動層160的第二部162的第二開口160b。絕緣層180的第二部182更設置於側壁172s、162s上，使得電極層190的第二部192伸入第二開口170b、160b以電性連接至第二半導體層150的第二部152時，不會接觸到第三半導體層170及第二主動層160。
在本實施例中，絕緣層180更具有第三部183，設置於第三半導體層170的第三部173上。第三半導體層170的第三部173的側壁173s定義第三半導體層170的第三部173的第三開口170c。第二主動層160的第三部163的側壁163s定義第二主動層160的第三部163的第三開口160c。第二半導體層150的第三部153的側壁153s定義第二半導體層150的第三部153的第二開口150b。第一主動層140的第三部143的側壁143s定義第一主動層140的第三部143的第二開口140b。第一半導體層130的第三部133的側壁133s定義第一半導體層130的第三部133的第一開口130a。第三主動層120的第三部123的側壁123s定義第三主動層120的第三部123的第一開口120a。絕緣層180的第三部183更 設置於側壁173s、163s、153s、143s、133s、123s上，使得電極層190的第五部195伸入第三開口170c、第三開口160c、第二開口150b、第二開口140b、第一開口130a及第一開口120a以電性連接至第四半導體層110的第三部113時，不會接觸到第三半導體層170、第二主動層160、第二半導體層150、第一主動層140、第一半導體層130及第三主動層120，並使得電極層190的第六部196伸入第三開口170c、第三開口160c、第二開口150b及第二開口140b以電性連接至第一半導體層130的第三部133時，不會接觸到第三半導體層170、第二主動層160、第二半導體層150及第一主動層140。
請參照圖1及圖2，在本實施例中，第四半導體層110的第一部111、第三主動層120的第一部121、第一半導體層130的第一部131、第一主動層140的第一部141、第二半導體層150的第一部151、第二主動層160的第一部161、第三半導體層170的第一部171、絕緣層180的第一部181、電極層190的第一部191及第四部194可構成第一發光元件LED-1。
在本實施例中，第四半導體層110的第二部112、第三主動層120的第二部122、第一半導體層130的第二部132、第一主動層140的第二部142、第二半導體層150的第二部152、第二主動層160的第二部162、第三半導體層170的第二部172、絕緣層180的第二部182、電極層190的第二部192及第三部193可構成第二發光元件LED-2。
在本實施例中，第四半導體層110的第三部113、第三主動層120的第三部123、第一半導體層130的第三部133、第一主動層140的第三部143、第二半導體層150的第三部153、第二主動層160的第三部163、第三半導體層170的第三部173、絕緣層180的第三部183、電極層190的第五部195及第六部196可構成第三發光元件LED-3。
在本實施例中，畫素結構10更包括第一波長轉換圖案401，其中第四半導體層110的第三部113設置於第三主動層120的第三部123與第一波長轉換圖案401之間。舉例而言，在本實施例中，第一波長轉換圖案401可包括至少一種螢光粉、或量子點材料與彩色濾光層的組合，但本發明不以此為限。
在本實施例中，驅動背板200透過電極層190的第一部191及第四部194可使第一發光元件LED-1的第一主動層140的第一部141發出第一光束L1；驅動背板200透過電極層190的第二部192及第三部193可使第二發光元件LED-2的第二主動層160的第二部162發出第二光束L2；驅動背板200透過電極層190的第五部195及第六部196可使第三發光元件LED-3的第三主動層120的第三部123發出第三光束L3，第三光束L3穿過第一波長轉換圖案401可被轉換為第四光束L4；第一光束L1、第二光束L2及第四光束L4分別具有不同的第一顏色、第二顏色及第三顏色。
舉例而言，在本實施例中，第一主動層140例如是可發出藍光的第一多重量子井層，第二主動層160例如是可發出綠光 的第二多重量子井層，第三主動層120例如是可發出紫外光的第三多重量子井層，第一波長轉換圖案401可將紫外光轉換為紅光，第一發光元件LED-1發出的第一光束L1可為藍光，第二發光元件LED-2發出的第二光束L2可為綠光，由第三發光元件LED-3發出的第三光束L3轉換出的第四光束L4可分別為紅光。換言之，在本實施例中，第一光束L1的第一顏色、第二光束L2的第二顏色及第四光束L4的第三顏色可分別為藍色、綠色及紅色，但本發明不以此為限。
此外，在本實施例中，第四半導體層110、第一半導體層130、第二半導體層150及第三半導體層170例如分別是第一型半導體層、第二型半導體層、第一型半導體層及第二型半導體層，第一型半導體層與第二型半導體層的一者為n型半導體，第一型半導體層與第二型半導體層的另一者為p型半導體，第一發光元件LED-1的電極層190的第一部191及第四部194的一者為第一發光元件LED-1的陽極，第一發光元件LED-1的電極層190的第一部191及第四部194的另一者為第一發光元件LED-1的陰極，第二發光元件LED-2的電極層190的第二部192及第三部193的一者是第二發光元件LED-2的陽極，第二發光元件LED-2的電極層190的第二部192及第三部193的另一者是第二發光元件LED-2的陰極，第三發光元件LED-3的電極層190的第五部195及第六部196的一者是第三發光元件LED-3的陽極，第三發光元件LED-3的電極層190的第五部195及第六部196的另一者是第三發光元 件LED-3的陰極，但本發明不以此為限。
值得一提的是，在畫素結構10的製造過程中，第四半導體材料層(未繪示)、第三半導體材料層(未繪示)、第一半導體材料層(未繪示)、第一主動材料層(未繪示)、第二半導體材料層(未繪示)、第二主動材料層(未繪示)及第三半導體材料層(未繪示)是依序形磊晶於同一生長基板(未繪示)上；之後，再圖案化第四半導體材料層、第三半導體材料層、第一半導體材料層、第一主動材料層、第二半導體材料層、第二主動材料層及第三半導體材料層，以形成第四半導體層110、第三主動層120、第一半導體層130、第一主動層140、第二半導體層150、第二主動層160及第三半導體層170；然後，在第三半導體層170上依序形成絕緣層180及電極層190，進而完成第一發光元件LED-1、第二發光元件LED-2及第三發光元件LED-3。
第一發光元件LED-1、第二發光元件LED-2及第三發光元件LED-3是在同一生長基板(未繪示)上形成。因此，第一發光元件LED-1、第二發光元件LED-2及第三發光元件LED-3可在同一次轉置動作中被轉置到驅動背板200上，而不須使用多次的轉置動作將用以發出不同顏色的第一光束L1、第二光束L2及第三光束L3的第一發光元件LED-1、第二發光元件LED-2及第三發光元件LED-3分別轉置到驅動背板200上。藉此，形成畫素結構10所需的轉置次數可減少。更重要的是，第一發光元件LED-1、第二發光元件LED-2及第三發光元件LED-3之間的間距P不再受 限於轉置動作的精度，進而能提升包括畫素結構10的顯示裝置的解析度。
請參照圖1，在本實施例中，電極層190的第一部191具有背向第一半導體層130的表面191a，電極層190之第一部191的表面191a與第一半導體層130具有第一距離H1，電極層190的第二部192具有背向第一半導體層130的表面192a，電極層190的第二部192的表面192a與第一半導體層130具有第二距離H2，電極層190的第三部193具有背向第一半導體層130的表面193a，電極層190的第三部193的表面193a與第一半導體層130具有第三距離H3，電極層190的第四部194具有背向第一半導體層130的表面194a，電極層190的第四部194的表面194a與第一半導體層130具有第四距離H4，電極層190的第五部195具有背向第一半導體層130的表面195a，電極層190的第五部195的表面195a與第一半導體層130具有第五距離H5，電極層190的第六部196具有背向第一半導體層130的表面196a，且電極層190的第六部196的表面196a與第一半導體層130具有第六距離H6。
在本實施例中，是在完成依序堆疊的第四半導體層110、第三主動層120、第一半導體層130、第一主動層140、第二半導體層150、第二主動層160及第三半導體層170之後，才在第三半導體層170上形成電極層190，因此電極層190的第一部191的表面191a與第一半導體層130的第一距離H1、電極層190的第二部192的表面192a與第一半導體層130的第二距離H2、電極層 190的第三部193的表面193a與第一半導體層130的第三距離H3、電極層190的第四部194的表面194a與第一半導體層130的第四距離H4、電極層190的第五部195的表面195a與第一半導體層130的第五距離H5以及電極層190的第六部196的表面196a與第一半導體層130的第六距離H6實質上可相等。實質上相等的第一距離H1、第二距離H2、第三距離H3、第四距離H4、第五距離H5及第六距離H6有助於第一發光元件LED-1、第二發光元件LED-2及第三發光元件LED-3於同時轉置於驅動背板200上且與驅動背板200電性連接。
在本實施例中，驅動背板200可包括基底(未繪示)及設置於基底上的第一子畫素驅動電路(未繪示)、第二子畫素驅動電路(未繪示)及第三子畫素驅動電路(未繪示)；第一子畫素驅動電路、第二子畫素驅動電路及第三子畫素驅動電路的每一者可包括一資料線(未繪示)、一掃描線(未繪示)、一電源線(未繪示)、一共通線(未繪示)、一第一電晶體(未繪示)、一第二電晶體(未繪示)及一電容(未繪示)，第一電晶體的第一端電性連接至資料線，第一電晶體的控制端電性連接至掃描線，第一電晶體的第二端電性連接至第二電晶體的控制端，第二電晶體的第一端電性連接至電源線，電容電性連接於第一電晶體的第二端及第二電晶體的第一端；第一發光元件LED-1的電極層190的第一部191及第四部194可電性連接至第一子畫素驅動電路的第二電晶體的第二端及共通線；第二發光元件LED-2的電極層190的第二部192 及第三部193可電性連接至第二子畫素驅動電路的第二電晶體的第二端及共通線；第三發光元件LED-3的電極層190的第五部195及第六部196可電性連接至第三子畫素驅動電路的第二電晶體的第二端及共通線；但本發明不以此為限。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。
圖3為本發明一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。圖4為本發明一實施例之畫素結構10A的上視示意圖。圖3對應圖4的剖線II-II’及剖線III-III’。圖4省略圖1的第一波長轉換圖案401及第二波長轉換圖案402。
圖3及圖4的畫素結構10A與圖1及圖2的畫素結構10類似，兩者的差異在於：圖3及圖4的畫素結構10A更包括第四發光元件LED-4及第二波長轉換圖案402。
請參照圖3，在本實施例中，第四半導體層110更具有第四部114；第三主動層120更具有第四部124，設置於第四半導體層110的第四部114上；第一半導體層130更具有第四部134，設置於第三主動層120的第四部124上；第一主動層140更具有第四部144，設置於第一半導體層130的第四部134上；第二半導體層150更具有第四部154，設置於第一主動層140的第四部144上；第二主動層160更具有第四部164，設置於第二半導體層150 的第四部154上；第三半導體層170更具有第四部174，設置於第二主動層160的第四部164上。
在本實施例中，電極層190更具有第七部197，透過第三半導體層170的第四部174的第四開口170d、第二主動層160的第四部164的第四開口160d、第二半導體層150的第四部154的第三開口150c、第一主動層140的第四部144的第三開口140c、第一半導體層130的第四部134的第二開口130b及第三主動層120的第四部124的第二開口120b電性連接至第四半導體層110的第四部114。電極層190的第七部197電性連接至驅動背板200。
在本實施例中，電極層190更具有第八部198，透過第三半導體層170的第四部174的第四開口170d、第二主動層160的第四部164的第四開口160d、第二半導體層150的第四部154的第三開口150c及第一主動層140的第四部144的第三開口140c電性連接至第一半導體層130的第四部134。電極層190的第八部198電性連接至驅動背板200。
在本實施例中，絕緣層180更具有第四部184，設置於第三半導體層170的第四部174上。第三半導體層170的第四部174的側壁174s定義第三半導體層170的第四部174的第四開口170d。第二主動層160的第四部164的側壁164s定義第二主動層160的第四部164的第四開口160d。第二半導體層150的第四部154的側壁154s定義第二半導體層150的第四部154的第三開口150c。第一主動層140的第四部144的側壁144s定義第一主動層 140的第四部144的第三開口140c。第一半導體層130的第四部134的側壁134s定義第一半導體層130的第四部134的第二開口130b。第三主動層120的第四部124的側壁124s定義第三主動層120的第四部124的第二開口120b。絕緣層180的第四部184更設置於側壁174s、164s、154s、144s、134s、124s上，使得電極層190的第七部197伸入第四開口170d、第四開口160d、第三開口150c、第三開口140c、第二開口130b及第二開口120b以電性連接至第四半導體層110的第四部114時，不會接觸到第三半導體層170、第二主動層160、第二半導體層150、第一主動層140、第一半導體層130及第三主動層120，且使得電極層190的第八部198伸入第四開口170d、第四開口160d、第三開口150c及第三開口140c以電性連接至第一半導體層130的第四部134時，不會接觸到第三半導體層170、第二主動層160、第二半導體層150及第一主動層140。
請參照圖3及圖4，在本實施例中，第四半導體層110的第四部114、第三主動層120的第四部124、第一半導體層130的第四部134、第一主動層140的第四部144、第二半導體層150的第四部154、第二主動層160的第四部164、第三半導體層170的第四部174、絕緣層180的第四部184、電極層190的第七部197及第八部198可構成第四發光元件LED-4。
在本實施例中，畫素結構10A更包括第二波長轉換圖案402，其中第四半導體層110的第四部114設置於第三主動層120 的第四部124與第二波長轉換圖案402之間。舉例而言，在本實施例中，第二波長轉換圖案402可包括至少一種螢光粉、或量子點材料與彩色濾光層的組合，但本發明不以此為限。
在本實施例中，驅動背板200透過電極層190的第一部191及第四部194可使第一發光元件LED-1的第一主動層140的第一部141發出第一光束L1；驅動背板200透過電極層190的第二部192及第三部193可使第二發光元件LED-2的第二主動層160的第二部162發出第二光束L2；驅動背板200透過電極層190的第五部195及第六部196可使第三發光元件LED-3的第三主動層120的第三部123發出第三光束L3，第三光束L3穿過第一波長轉換圖案401而被轉換為第四光束L4；第四發光元件LED-4的第三主動層120的第四部124發出第五光束L5，第五光束L5穿過第二波長轉換圖案402而被轉換為第六光束L6；第一光束L1、第二光束L2、第四光束L4及第六光束L6分別具有第一顏色、第二顏色、第三顏色及第四顏色。
舉例而言，在本實施例中，第一主動層140例如是可發出藍光的第一多重量子井層，第二主動層160例如是可發出綠光的第二多重量子井層，第三主動層120例如是可發出紫外光的第三多重量子井層，第一波長轉換圖案401可將紫外光轉換為紅光，第二波長轉換圖案402可將紫外光轉換為白光，第一發光元件LED-1發出的第一光束L1可為藍光，第二發光元件LED-2發出的第二光束L2可為綠光，由第三發光元件LED-3發出的第三光束 L3轉換出的第四光束L4可為紅光，由第四發光元件LED-4發出的第五光束L5轉換出的第六光束L6可為白光。換言之，第一光束L1的第一顏色、第二光束L2的第二顏色、第四光束L4的第三顏色及第六光束L6的第四顏色可分別為藍色、綠色、紅色及白色，但本發明不以此為限。
在本實施例中，利用第四發光元件LED-4及第二波長轉換圖案402可使畫素結構10A更能發出白光，進而使得包括畫素結構10A的顯示裝置能達到省電的效果。
請參照圖3，在本實施例中，電極層190的第一部191具有背向第一半導體層130的表面191a，電極層190之第一部191的表面191a與第一半導體層130具有第一距離H1，電極層190的第二部192具有背向第一半導體層130的表面192a，電極層190的第二部192的表面192a與第一半導體層130具有第二距離H2，電極層190的第三部193具有背向第一半導體層130的表面193a，電極層190的第三部193的表面193a與第一半導體層130具有第三距離H3，電極層190的第四部194具有背向第一半導體層130的表面194a，電極層190的第四部194的表面194a與第一半導體層130具有第四距離H4，電極層190的第五部195具有背向第一半導體層130的表面195a，電極層190的第五部195的表面195a與第一半導體層130具有第五距離H5，電極層190的第六部196具有背向第一半導體層130的表面196a，且電極層190的第六部196的表面196a與第一半導體層130具有第六距離H6，電極層 190的第七部197具有背向第一半導體層130的表面197a，且電極層190的第七部197的表面197a與第一半導體層130具有第七距離H7，電極層190的第八部198具有背向第一半導體層130的表面198a，且電極層190的第八部198的表面198a與第一半導體層130具有第八距離H8。
在本實施例中，是在完成依序堆疊的第四半導體層110、第三主動層120、第一半導體層130、第一主動層140、第二半導體層150、第二主動層160及第三半導體層170之後，才在第三半導體層170上形成電極層190，因此電極層190的第一部191的表面191a與第一半導體層130的第一距離H1、電極層190的第二部192的表面192a與第一半導體層130的第二距離H2、電極層190的第三部193的表面193a與第一半導體層130的第三距離H3、電極層190的第四部194的表面194a與第一半導體層130的第四距離H4、電極層190的第五部195的表面195a與第一半導體層130的第五距離H5、電極層190的第六部196的表面196a與第一半導體層130的第六距離H6、電極層190的第七部197的表面197a與第一半導體層130的第七距離H7以及電極層190的第八部198的表面198a與第一半導體層130的第八距離H8實質上可相等。
圖5為本發明一實施例之畫素結構10B的剖面示意圖。圖6為圖5的第三發光元件LED-3及第一波長轉換圖案401的上視示意圖。
本實施例的畫素結構10B與前述實施例的畫素結構10類似，兩者的差異在於：本實施例的畫素結構10B的第一波長轉換圖案401的位置與前述實施例的畫素結構10的第一波長轉換圖案401的位置不同。
請參照圖5及圖6，具體而言，在本實施例中，第一波長轉換圖案401設置於第三半導體層170的第三部173的第三開口170c、第二主動層160的第三部163的第三開口160c、第二半導體層150的第三部153的第二開口150b及第一主動層140的第三部143的第二開口140b中。
從另一角度而言，在本實施例中，第三半導體層170的第三部173的第三開口170c、第二主動層160的第三部163的第三開口160c、第二半導體層150的第三部153的第二開口150b及第一主動層140的第三部143的第二開口140b相重疊，具有第三開口170c的第三半導體層170的第三部173、具有第三開口160c的第二主動層160的第三部163、具有第二開口150b的第二半導體層150的第三部153及具有第二開口140b的第一主動層140的第三部143可堆疊成一圍牆結構W，而第一波長轉換圖案401設置於圍牆結構W中。
在本實施例中，第一波長轉換圖案401更可選擇性地設於第一半導體層130的第三部133的第一開口130a及第三主動層120的第三部123的第一開口120a中。在本實施例中，圍牆結構W更包括具有第一開口130a的第一半導體層130的第三部133以 及具有第一開口120a的第三主動層120的第三部123，而第一波長轉換圖案401可設置於由第三主動層120的第三部123、第一半導體層130的第三部133、第一主動層140的第三部143、第二半導體層150的第三部153、第二主動層160的第三部163及第三半導體層170的第三部173堆疊而成的圍牆結構W中。
圖7為本發明一實施例之畫素結構10C的剖面示意圖。
圖7的畫素結構10C與圖1的畫素結構10類似，兩者的差異在於：圖7的第一發光元件LED-1’、第二發光元件LED-2’及第三發光元件LED-3’與圖1的第一發光元件LED-1’、第二發光元件LED-2’及第三發光元件LED-3’不同。
請參照圖1及圖7，具體而言，圖7的第一發光元件LED-1’不包括圖1的第一發光元件LED-1’的第三主動層120的第一部121及第四半導體層110的第一部111，且圖7的第二發光元件LED-2’不包括圖1的第二發光元件LED-2的第三主動層120的第二部122及第四半導體層110的第二部112。
請參照圖7，在本實施例中，第一發光元件LED-1’的第一半導體層130的第一部131與第二發光元件LED-2’的第一半導體層130的第二部132直接連接，第一發光元件LED-1’的第一主動層140的第一部141與第二發光元件LED-2’的第一主動層140的第二部142直接連接，第一發光元件LED-1’的第二半導體層150的第一部151與第二發光元件LED-2’的第二半導體層150的第二部152直接連接，第一發光元件LED-1’的第二主動層160的第一 部161與第二發光元件LED-2’的第二主動層160的第二部162直接連接，且第一發光元件LED-1’的第三半導體層170的第一部171與第二發光元件LED-2’的第三半導體層170的第二部172直接連接。
在本實施例中，電極層190的第二部192除了電性連接至第二發光元件LED-2’的第二半導體層150的第二部152外，更電性連接至第一發光元件LED-1’的第二半導體層150的第一部151。在本實施例中，電極層190的第二部192可做為第一發光元件LED-1’與第二發光元件LED-2’共同的陽極(或陰極)使用。
另外，在本實施例中，第三發光元件LED-3’並非與第一發光元件LED-1’及第二發光元件LED-2’在同一生長基板(未繪示)磊晶進而完成的，第三發光元件LED-3’與第一發光元件LED-1’及第二發光元件LED-2’是分開製作的。於畫素結構10C的製造過程中，第一發光元件LED-1’及第二發光元件LED-2’可在同一次轉置動作中被轉置到驅動背板200上，而第三發光元件LED-3’是在另一次轉置動作中被轉置到驅動背板200上。
具體而言，在本實施例中，第三發光元件LED-3’包括第五半導體層501、第六半導體層503、設置於第五半導體層501與第六半導體層503之間的第四主動層502、電性連接至第五半導體層501的第一電極504以及電性連接至第六半導體層503的第二電極505，其中第五半導體層501與第六半導體層503的一者為第一型半導體層，且第五半導體層501與第六半導體層503的另一 者為不同於第一型半導體層的第二型半導體層。第三發光元件LED-3’的第五半導體層501及第六半導體層503與第一發光元件LED-1’及第二發光元件LED-2’的第一半導體層130、第二半導體層150及第三半導體層170並不屬於同一膜層。第三發光元件LED-3’的第四主動層502與第一發光元件LED-1’及第二發光元件LED-2’的第一主動層140及第二主動層160並不屬於同一膜層。第三發光元件LED-3’的第一電極504及第二電極505與第一發光元件LED-1’及第二發光元件LED-2’的電極層190並不屬於同一膜層。
10:畫素結構
110:第四半導體層
120:第三主動層
130:第一半導體層
111、121、131、141、151、161、171、181、191:第一部
112、122、132、142、152、162、172、182、192:第二部
113、123、133、143、153、163、173、183、193:第三部
140:第一主動層
120a、130a、140a、150a、160a、170a:第一開口
140b、150b、160b、170b:第二開口
160c、170c:第三開口
123s、133s、141s、143s、151s、153s、161s、162s、163s、171s、172s、173s:側壁
150:第二半導體層
160:第二主動層
170:第三半導體層
180:絕緣層
190:電極層
191a、192a、193a、194a、195a、196a:表面
194:第四部
195:第五部
196:第六部
200:驅動背板
401:第一波長轉換圖案
H1:第一距離
H2:第二距離
H3:第三距離
H4:第四距離
H5:第五距離
H6:第六距離
L1:第一光束
L2:第二光束
L3:第三光束
L4:第四光束
LED-1:第一發光元件
LED-2:第二發光元件
LED-3:第三發光元件
P:間距
z:方向
I-I’:剖線

Claims (12)

  1. 一種畫素結構，包括：一第一半導體層，具有一第一部及一第二部；一第一主動層，設置於該第一半導體層上，且具有一第一部及一第二部，其中該第一主動層的該第一部及該第二部分別設置於該第一半導體層的該第一部及該第二部上，該第一主動層的該第一部具有一第一開口，且該第一主動層的該第一部的該第一開口重疊於該第一半導體層的該第一部；一第二半導體層，設置於該第一主動層上，且具有一第一部及一第二部，其中該第二半導體層的該第一部及該第二部分別設置於該第一主動層的該第一部及該第二部上，該第二半導體層的該第一部具有一第一開口，且該第二半導體層的該第一部的該第一開口重疊於該第一主動層的該第一部的該第一開口；一第二主動層，設置於該第二半導體層上，且具有一第一部及一第二部，其中該第二主動層的該第一部及該第二部分別設置於該第二半導體層的該第一部及該第二部上，該第二主動層的該第一部及該第二部分別具有一第一開口及一第二開口，該第二主動層的該第一部的該第一開口重疊於該第二半導體層的該第一部的該第一開口，且該第二主動層的該第二部的該第二開口重疊於該第二半導體層的該第二部；一第三半導體層，設置於該第二主動層上，且具有一第一部及一第二部，其中該第三半導體層的該第一部及該第二部分別設 置於該第二主動層的該第一部及該第二部上，該第三半導體層的該第一部及該第二部分別具有一第一開口及一第二開口，該第三半導體層的該第一部的該第一開口重疊於該第二主動層的該第一部的該第一開口，且該第三半導體層的該第二部的該第二開口重疊於該第二主動層的該第二部的該第二開口；一電極層，設置於該第三半導體層上，且具有一第一部、一第二部及第三部，其中該電極層的該第一部透過該第三半導體層的該第一部的該第一開口、該第二主動層的該第一部的該第一開口、該第二半導體層的該第一部的該第一開口及該第一主動層的該第一部的該第一開口電性連接至該第一半導體層的該第一部，該電極層的該第二部透過該第三半導體層的該第二部的該第二開口及該第二主動層的該第二部的該第二開口電性連接至該第二半導體層的該第二部，且該電極層的該第三部電性連接至該第三半導體層的該第二部；以及一驅動背板，其中該電極層的該第一部、該第二部及該第三部電性連接至該驅動背板。
  2. 如請求項1所述的畫素結構，其中該第二主動層的該第一部的該第一開口及該第三半導體層的該第一部的該第一開口更重疊於該第二半導體層的該第一部，該電極層更具有一第四部，該電極層的該第四部透過該第三半導體層的該第一部的該第一開口及該第二主動層的該第一部的該第一開口電性連接至該第二半導體層的該第一部。
  3. 如請求項1所述的畫素結構，更包括：一第三主動層，其中該第一半導體層設置於該第一主動層與該第三主動層之間，該第三主動層具有一第一部及一第二部，且該第一半導體層的該第一部及該第二部分別設置於該第三主動層的該第一部及該第二部上；以及一第四半導體層，其中該第三主動層設置於該第一半導體層與該第四半導體層之間，該第四半導體層具有一第一部及一第二部，且該第三主動層的該第一部及該第二部分別設置於該第四半導體層的該第一部及該第二部上。
  4. 如請求項3所述的畫素結構，其中該第四半導體層更具有一第三部；該第三主動層更具有一第三部，設置於該第四半導體層的該第三部上；該第一半導體層更具有一第三部，設置於該第三主動層的該第三部上；該第一主動層更具有一第三部，設置於該第一半導體層的該第三部上；該第二半導體層更具有一第三部，設置於該第一主動層的該第三部上；該第二主動層更具有一第三部，設置於該第二半導體層的該第三部上；該第三半導體層更具有一第三部，設置於該第二主動層的該第三部上；該電極層更具有一第五部，透過該第三半導體層的該第三部的一第三開口、該第二主動層的該第三部的一第三開口、該第二半導體層的該第三部的一第二開口、該第一主動層的該第三部的一第二開口、該第一半導體層的該第三部的一第一開口及該第三主動層的該第三部的一第一開口電性連接至該第四半導體層的該第三部。
  5. 如請求項4所述的畫素結構，其中該電極層更具有一第六部，透過該第三半導體層的該第三部的該第三開口、該第二主動層的該第三部的該第三開口、該第二半導體層的該第三部的該第二開口及該第一主動層的該第三部的該第二開口電性連接至該第一半導體層的該第三部。
  6. 如請求項4所述的畫素結構，更包括：一第一波長轉換圖案，其中該第四半導體層的該第三部設置於該第三主動層的該第三部與該第一波長轉換圖案之間；該第一主動層的該第一部發出一第一光束，該第二主動層的該第二部發出一第二光束，該第三主動層的該第三部發出一第三光束，該第三光束穿過該第一波長轉換圖案而被轉換為一第四光束，且該第一光束、該第二光束及該第四光束分別具有一第一顏色、一第二顏色及一第三顏色。
  7. 如請求項4所述的畫素結構，其中該第四半導體層更具有一第四部；該第三主動層更具有一第四部，設置於該第四半導體層的該第四部上；該第一半導體層更具有一第四部，設置於該第三主動層的該第四部上；該第一主動層更具有一第四部，設置於該第一半導體層的該第四部上；該第二半導體層更具有一第四部，設置於該第一主動層的該第四部上；該第二主動層更具有一第四部，設置於該第二半導體層的該第四部上；該第三半導體層更具有一第四部，設置於該第二主動層的該第四部上；該電極層更具有一第七部，透過該第三半導體層的該第四部的一第四開 口、該第二主動層的該第四部的一第四開口、該第二半導體層的該第四部的一第三開口、該第一主動層的該第四部的一第三開口、該第一半導體層的該第四部的一第二開口及該第三主動層的該第四部的一第二開口電性連接至該第四半導體層的該第四部。
  8. 如請求項7所述的畫素結構，其中該電極層更具有一第八部，透過該第三半導體層的該第四部的該第四開口、該第二主動層的該第四部的該第四開口、該第二半導體層的該第四部的該第三開口及該第一主動層的該第四部的該第三開口電性連接至該第一半導體層的該第四部。
  9. 如請求項7所述的畫素結構，更包括：一第二波長轉換圖案，其中該第四半導體層的該第四部設置於該第三主動層的該第四部與該第二波長轉換圖案之間；該第一主動層的該第一部發出一第一光束，該第二主動層的該第二部發出一第二光束，該第三主動層的該第四部發出一第五光束，該第五光束穿過該第二波長轉換圖案而被轉換為一第六光束，且該第一光束、該第二光束及該第六光束分別具有一第一顏色、一第二顏色及一第四顏色。
  10. 如請求項4所述的畫素結構，更包括：一第一波長轉換圖案，設置於該第三半導體層的該第三部的該第三開口、該第二主動層的該第三部的該第三開口、該第二半導體層的該第三部的該第二開口及該第一主動層的該第三部的該第二開口中； 該第一主動層的該第一部發出一第一光束，該第二主動層的該第二部發出一第二光束，該第三主動層的該第三部發出一第三光束，該第三光束穿過該第一波長轉換圖案而被轉換為一第四光束，且該第一光束、該第二光束及該第四光束分別具有一第一顏色、一第二顏色及一第三顏色。
  11. 如請求項1所述的畫素結構，其中該第一半導體層的該第一部與該第一半導體層的該第二部直接連接，該第一主動層的該第一部與該第一主動層的該第二部直接連接，該第二半導體層的該第一部與該第二半導體層的該第二部直接連接，該第二主動層的該第一部與該第二主動層的該第二部直接連接，且該第三半導體層的該第一部與該第三半導體層的該第二部直接連接。
  12. 如請求項1所述的畫素結構，其中該電極層的該第一部具有背向該第一半導體層的一表面，該電極層之該第一部的該表面與該第一半導體層具有一第一距離，該電極層的該第二部具有背向該第一半導體層的一表面，該電極層的該第二部的該表面與該第一半導體層具有一第二距離，該電極層的該第三部具有背向該第一半導體層的一表面，該電極層的該第三部的該表面與該第一半導體層具有一第三距離，且該第一距離、該第二距離及該第三距離實質上相等。
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