[go: up one dir, main page]

TWI778362B - 高壓崩應測試設備 - Google Patents

高壓崩應測試設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI778362B
TWI778362B TW109116500A TW109116500A TWI778362B TW I778362 B TWI778362 B TW I778362B TW 109116500 A TW109116500 A TW 109116500A TW 109116500 A TW109116500 A TW 109116500A TW I778362 B TWI778362 B TW I778362B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
pressure
processing chamber
extension
manifolds
Prior art date
Application number
TW109116500A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202144799A (zh
Inventor
洪義明
Original Assignee
洪義明
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 洪義明 filed Critical 洪義明
Priority to TW109116500A priority Critical patent/TWI778362B/zh
Priority to CN202110336339.9A priority patent/CN113671280A/zh
Priority to US17/237,067 priority patent/US11385275B2/en
Publication of TW202144799A publication Critical patent/TW202144799A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI778362B publication Critical patent/TWI778362B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2862—Chambers or ovens; Tanks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/003—Environmental or reliability tests
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04D25/00—Pumping installations or systems
    • F04D25/02—Units comprising pumps and their driving means
    • F04D25/06—Units comprising pumps and their driving means the pump being electrically driven
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04D25/00—Pumping installations or systems
    • F04D25/02—Units comprising pumps and their driving means
    • F04D25/08—Units comprising pumps and their driving means the working fluid being air, e.g. for ventilation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2832—Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
    • G01R31/2836—Fault-finding or characterising
    • G01R31/2849—Environmental or reliability testing, e.g. burn-in or validation tests

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

一種高壓崩應測試設備，包括：一崩應爐，該崩應爐包含一高壓崩應爐腔體、至少一進氣岐管、至少一延伸岐管、一連通管及一風扇，該高壓崩應爐腔體內部形成一處理腔室，該連通管連結至少一該進氣岐管，至少一該進氣岐管外周連結至少一該延伸岐管，該處理腔室內設置至少一測試板，該測試板上置放至少一待測元件，該延伸岐管一端裝設一噴嘴，高壓氣體經由噴嘴噴出，擾動待測元件周邊之氣體，該高壓崩應爐腔體裝設一驅動馬達，該處理腔室內裝設該風扇，該驅動馬達驅動該風扇轉動，使處理腔室內的氣體產生對流，提升氣體溫度分布的均勻性。

Description

高壓崩應測試設備
本發明係屬電子封裝的技術領域，尤指其技術上提供一高壓崩應測試設備，藉由高壓氣體分別從噴嘴噴出，擾動待測元件周邊之氣體；利用馬達轉軸驅動風扇轉動，使處理腔室內的高壓氣體產生對流；透過循環裝置調整流入處理腔室之氣體流量，有效提升溫度調整效率，且充分達到提升氣體溫度分布均勻性的效果。
在電子元件(例如IC元件)製程中，電子元件製作完成之後，通常會對電子元件進行崩應測試，以測試電子元件的可靠度。崩應測試係將電子元件置放於一崩應測試機台中進行加熱，同時對電子元件進行電性測試，以測試電子元件的可靠度是否符合標準。
參閱第5圖所示，在習知的開放式崩應測試裝置中，崩應測試板1上設置有多個可以容置電子元件進行崩應測試的崩應測試座2，每一個崩應測試座2都具有一加熱器(圖未示)，用以對其上所容置的電子元件進行加熱，並且每一個崩應測試座2上都設置有一個風扇3，用以持續地將崩應測試座2上的熱空氣抽出，避免熱積聚於崩應測試板1、崩應測試座2及待測電子元件(圖未示)而對其造成損害。另外，在習知的開放式崩應測試裝置中還設置有一風扇(圖未示)，用以持續地將開放式崩應測試裝置外部的空氣由一空氣入口端4抽入開放式崩應測試裝置(或崩應測試爐)中，並流經崩應測試板1、崩應測試座2及待測電子元件等元件，而由一空氣出口端5排出，並同時將風扇3由崩應測試座2上抽出的熱空氣帶走，而與外界空氣形成循環以達到散熱冷卻的效果。上述冷卻散熱系統雖然可以對開放式崩應測試裝置(或崩應測試爐)進行散熱冷卻，但是由於越接近空氣入口端4接觸的空氣是剛從外部環境進入的空氣，所以此處空氣的溫度較低，導致崩應測試爐內越接近空氣入口端4的溫度越低，而越接近空氣出口端5接觸的空氣是已經被崩應測試板1等元件加熱過的空氣，所以相較於空氣入口端4的空氣溫度，此處(即空氣出口端5)空氣的溫度較高，導致崩應測試 爐內越接近空氣出口端5的溫度越高。這樣的溫度差異導致崩應測試爐內產生溫度不均勻的現象，並且因此造成崩應測試爐內產生亂流，使得崩應測試爐中的熱空氣不易排出而導致積熱。散熱(溫度)的不均勻會使得崩應測試裝置中的元件(例如崩應測試控制元件、崩應測試板、崩應測試座等)在長時間的使用後，容易因為積熱而損壞。另外，由於接近空氣入口端4持續接觸的都是溫度較低的空氣，使得越接近空氣入口端4的待測電子元件越不易加熱，而需要加大該區域崩應測試座2內加熱器的功率，才能達到預設的測試溫度，導致測試成本居高不下，實有加以改良的必要。
是以，針對上述習知電子元件進行崩應測試所存在的積熱及散熱不均勻之問題點，如何開發一種更具理想實用性並兼顧經濟效益之崩應測試設備，實為相關業者積極研發突破之目標及方向。
有鑑於此，發明人本於多年從事相關產品之製造開發與設計經驗，針對上述之目標，詳加設計與審慎評估後，終得一確具實用性之本發明。
習知電子元件進行崩應測試時，由於散熱(溫度)的不均勻會使得崩應測試裝置中的元件在長時間的使用後，容易因為積熱而損壞。另外，由於接近空氣入口端持續接觸的都是溫度較低的空氣，使得越接近空氣入口端的待測電子元件越不易加熱，而需要加大該區域崩應測試座內加熱器的功率，才能達到預設的測試溫度，導致測試成本居高不下，實有加以改良的必要。
為改善上述之問題，本發明第一實施例係提供一種高壓崩應測試設備，包括：一崩應爐，該崩應爐包含一高壓崩應爐腔體、至少一第一進氣岐管、至少一第二進氣岐管、至少一第一延伸岐管、至少一第二延伸岐管、一連通管及一風扇，該高壓崩應爐腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該第一進氣岐管，另一側裝設至少一該第二進氣岐管，該連通管連結至少一該第一進氣岐管及至少一該第二進氣岐管，至少一該第一進氣岐管外周連結至少一該第一延伸岐管，至少一該第二進氣岐管外周連結至少一該第二延伸岐管，至少一該第 一、二進氣岐管與該連通管及至少一該第一、二延伸岐管內部相連通，該處理腔室內設置至少一測試板，該測試板上置放至少一待測元件，該待測元件可以是待測試電子元件，該第一延伸岐管一端裝設一第一噴嘴，該第二延伸岐管一端裝設一第二噴嘴，在至少一該第一、二延伸岐管內的高壓氣體分別經由至少一該第一、二噴嘴噴出，擾動各該待測元件周邊之氣體，達到快速冷卻或加熱各該待測元件的效果，有效提升溫度調整效率，該高壓崩應爐腔體裝設一驅動馬達，該處理腔室內裝設該風扇，當該驅動馬達轉動時，驅動該風扇轉動，可以使該處理腔室內的氣體產生對流，促進該處理腔室內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性。
一氣體輸送單元，該氣體輸送單元包含一氣體輸入管路、一氣體排出管路及一氣體連通管路，該氣體輸入管路將氣體輸入該處理腔室，該氣體排出管路將氣體排出該處理腔室，藉由該氣體連通管路與該氣體輸入管路及該氣體排出管路形成氣體循環通路。
一循環裝置，該循環裝置透過該氣體排出管路連結該高壓崩應爐腔體，同時透過該氣體連通管路連結該氣體輸入管路，藉由該循環裝置來吸出該處理腔室內之氣體，及調整流入該氣體連通管路之氣體流量，該氣體流量可依據該待測元件表面或附近的溫度做調整，該循環裝置為一可調整轉速的風扇。
一冷卻器，該冷卻器設置於該氣體輸入管路或該氣體排出管路上，藉由該冷卻器來冷卻流入該處理腔室之氣體。
一加熱器，該加熱器設置於該氣體輸入管路或氣體排出管路上，藉由該加熱器來加熱流入該處理腔室之氣體。
一壓力變動裝置，該壓力變動裝置透過該氣體輸入管路連結該高壓崩應爐腔體，藉由該壓力變動裝置之壓力高低變化來調整流入該處理腔室之氣體流量，使該處於高壓工作環境中的處理腔室，可透過調整氣體流量改變該處理腔室內之氣體密度，更可藉由增加氣體密度(大於一大氣壓)來提升該待測元件的冷卻與加熱效率，以達到快速冷卻與快速加熱的效果，另，藉由增加該處理腔室內之氣體密度亦可增加熱容量，有助於提升氣體溫度分布的均勻性。
前述，配合冷卻或加熱製程需求，至少一該第一、二噴嘴 係可調整高壓氣體噴出方向地分別設置於至少一該第一、二延伸岐管一端。
前述，在至少一該第一、二延伸岐管內的高壓氣體分別經由至少一該第一、二噴嘴加速噴出，配合該風扇擾動該處理腔室內的氣體，使各該待測元件周邊之氣體和該處理腔室內的氣體充分混合，迅速達到熱平衡，有助於提升氣體溫度分布的均勻性，另外，由於該處理腔室內的氣體分子遠多於各該待測元件周邊之氣體分子，使得各該待測元件可以迅速的調整溫度，達到快速冷卻或加熱各該待測元件的效果。
本發明第二實施例係提供一種高壓崩應測試設備，包括：一崩應爐，該崩應爐包含一高壓崩應爐腔體、至少一進氣岐管、至少一延伸岐管、一連通管及一風扇，該高壓崩應爐腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該進氣岐管，該連通管連結至少一該進氣岐管，至少一該進氣岐管外周連結至少一該延伸岐管，至少一該進氣岐管、該連通管及至少一該延伸岐管內部相連通，該處理腔室內設置至少一測試板，該測試板上置放一待測元件，該待測元件可以是待測試電子元件，該延伸岐管一端裝設一噴嘴，在至少一該延伸岐管內的高壓氣體經由至少一該噴嘴噴出，擾動各該待測元件周邊之氣體，達到快速冷卻或加熱各該待測元件的效果，有效提升溫度調整效率，該高壓崩應爐腔體裝設一驅動馬達，該處理腔室內裝設該風扇，當該驅動馬達轉動時，驅動該風扇轉動，可以使該處理腔室內的氣體產生對流，促進該處理腔室內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性。
一氣體輸送單元，該氣體輸送單元包含一氣體輸入管路、一氣體排出管路及一氣體連通管路，該氣體輸入管路將氣體輸入該處理腔室，該氣體排出管路將氣體排出該處理腔室，藉由該氣體連通管路與該氣體輸入管路及該氣體排出管路形成氣體循環通路。
一循環裝置，該循環裝置透過該氣體排出管路連結該高壓崩應爐腔體，同時透過該氣體連通管路連結該氣體輸入管路，藉由該循環裝置來吸出該處理腔室內之氣體，及調整流入該氣體連通管路之氣體流量，該氣體流量可依據該待測元件表面或附近的溫度做調整，該循環裝置為一可調整轉速的風扇。
一冷卻器，該冷卻器設置於該氣體輸入管路或該氣體排出管路上，藉由該冷卻器來冷卻流入該處理腔室之氣體。
一加熱器，該加熱器設置於該氣體輸入管路或氣體排出管路上，藉由該加熱器來加熱流入該處理腔室之氣體。
一壓力變動裝置，該壓力變動裝置透過該氣體輸入管路連結該高壓崩應爐腔體，藉由該壓力變動裝置之壓力高低變化來調整流入該處理腔室之氣體流量，使該處於高壓工作環境中的處理腔室，可透過調整氣體流量改變該處理腔室內之氣體密度，更可藉由增加氣體密度(大於一大氣壓)來提升冷卻與加熱的效率，另，藉由增加該處理腔室內67之氣體密度亦可增加熱容量，有助於提升氣體溫度分布的均勻性。
前述，配合冷卻或加熱製程需求，至少一該噴嘴係可調整高壓氣體噴出方向地設置於至少一該延伸岐管一端。
前述，在至少一該延伸岐管內的高壓氣體經由至少一該噴嘴加速噴出，配合該風扇擾動該處理腔室內的氣體，使各該待測元件周邊之氣體和該處理腔室內的氣體充分混合，迅速達到熱平衡，有助於提升氣體溫度分布的均勻性，另外，由於該處理腔室內的氣體分子遠多於各該待測元件周邊之氣體分子，使得各該待測元件可以迅速的調整溫度，達到快速冷卻或加熱各該待測元件的效果。
本發明之高壓崩應測試設備，在第一、二延伸岐管內的高壓氣體分別經由可調整高壓氣體噴出方向的第一、二噴嘴噴出，擾動待測元件周邊之氣體，達到快速冷卻或加熱各該待測元件的效果，有效提升溫度調整效率；利用馬達轉軸驅動風扇轉動，使該處理腔室內的氣體產生對流，促進該處理腔室內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性；藉由該壓力變動裝置之壓力高低變化來調整經由氣體輸入管路流入處理腔室之氣體流量，使該處於高壓工作環境中的處理腔室，，可透過調整氣體流量改變該處理腔室內之氣體密度，達到提升氣體溫度分布均勻性的效果。
有關本發明所採用之技術、手段及其功效，茲舉數較佳實施例並配合圖式詳細說明於後，相信本發明上述之目的、構造及特徵，當可由之得一深入而具體的瞭解。
1:崩應測試板
2:崩應測試座
3:風扇
4:空氣入口端
5:空氣出口端
6:崩應爐
60:高壓崩應爐腔體
61:第一進氣岐管
61a:進氣岐管
62:第二進氣岐管
63:第一延伸岐管
63a:延伸岐管
631:第一噴嘴
631a:噴嘴
64:第二延伸岐管
641:第二噴嘴
65:連通管
65a:連通管
66:風扇
661:驅動馬達
662:馬達轉軸
67:處理腔室
68:處理框架
681:測試板
682:待測元件
7:氣體輸送單元
71:氣體輸入管路
72:氣體排出管路
73:氣體連通管路
81:壓力變動裝置
82:循環裝置
83:冷卻器
84:加熱器
第1圖係本發明之第一實施例之高壓崩應測試設備俯視示意圖。
第2圖係本發明之第一實施例之高壓崩應測試設備前視示意圖。
第3圖係本發明之第二實施例之高壓崩應測試設備俯視示意圖。
第4圖係本發明之第二實施例之高壓崩應測試設備前視示意圖。
第5圖係習知之開放式崩應測試裝置示意圖。
參閱第1及第2圖所示，本發明第一實施例係提供一種高壓崩應測試設備，包括：一崩應爐6，該崩應爐6包含一高壓崩應爐腔體60、至少一第一進氣岐管61、至少一第二進氣岐管62、至少一第一延伸岐管63、至少一第二延伸岐管64、一連通管65及一風扇66，該高壓崩應爐腔體60內部形成一處理腔室67，該處理腔室67一側裝設至少一該第一進氣岐管61，另一側裝設至少一該第二進氣岐管62，該連通管65連結至少一該第一進氣岐管61及至少一該第二進氣岐管62，至少一該第一進氣岐管61外周連結至少一該第一延伸岐管63，至少一該第二進氣岐管62外周連結至少一該第二延伸岐管64，至少一該第一、二進氣岐管61、62與該連通管65及至少一該第一、二延伸岐管63、64內部相連通，一處理框架68設置於該處理腔室67內至少一該第一、二進氣岐管61、62之間，該處理框架68設置至少一測試板681，該測試板681上置放至少一待測元件682，該待測元件682可以是待測試電子元件，該第一延伸岐管63一端裝設一第一噴嘴631，該第二延伸岐管64一端裝設一第二噴嘴641，在至少一該第一、二延伸岐管63、64內的高壓氣體分別經由至少一該第一、二噴嘴631、641噴出，擾動各該待測元件682周邊之氣體，達到快速冷卻或加熱各該待測元件682的效果，有效提升溫度調整效率，該高壓崩應爐腔體60裝設一驅動馬達661，該處理腔室67內裝設該風扇66，該驅動馬達661透過一馬達轉軸662連結該風扇66，當該驅動馬達661轉動時，利用該馬達轉軸662驅動該風扇66轉動，可以使該處理腔室67內的氣體產生對流，促進該處理腔室67內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性。
一氣體輸送單元7，該氣體輸送單元7包含一氣體輸入管路71、一氣體排出管路72及一氣體連通管路73，該氣體輸入管路71將氣體輸入該處理腔室67，該氣體排出管路72將氣體排出該處理腔室67，藉由該氣體連通管路73與該氣體輸入管路71及該氣體排出管路72形成氣體循環通路。
一壓力變動裝置81，該壓力變動裝置81透過該氣體輸入管路71連結該高壓崩應爐腔體60，該壓力變動裝置81包含一壓力控制單元(圖未示)與一循環換氣單元(圖未示)，該壓力控制單元和該循環換氣單元電性連接，藉由該壓力變動裝置81之壓力高低變化來調整經由該氣體輸入管路71流入該處理腔室67之氣體流量，該壓力變動裝置81之工作壓力範圍介於2大氣壓(atm)至50大氣壓(atm)之間，同時由於該處理腔室67係一固定空間，透過調整氣體流量即可改變該處理腔室內67之氣體密度，更可藉由增加氣體密度(大於一大氣壓)來提升冷卻與加熱的效率，其原理在於每一個氣體分子都是傳熱的載體，每一種氣體的熱傳導能力也都是一定的，如果能在單位時間內增加氣體分子的數量，也就能達到單位時間內提升該待測元件682的降溫速率或增加該待測元件682的升溫速率。亦即，增加氣體分子的數量來提升溫度調整效率，以達到快速冷卻與快速加熱的效果，另，藉由增加該處理腔室內67之氣體密度亦可增加熱容量，有助於提升氣體溫度分布的均勻性。
一循環裝置82，該循環裝置82透過該氣體排出管路72連結該高壓崩應爐腔體60，同時透過該氣體連通管路73連結該氣體輸入管路71，藉由該循環裝置82來吸出該處理腔室67內之氣體，及調整流入該氣體連通管路73之氣體流量，該氣體流量可依據該待測元件682表面或附近的溫度做調整，該循環裝置82為一可調整轉速的風扇。
一冷卻器83，該冷卻器83設置於該氣體輸入管路71或該氣體排出管路72上，藉由該冷卻器83來冷卻經由該氣體輸入管路71流入該處理腔室67之氣體。
一加熱器84，該加熱器84設置於該氣體輸入管路71或氣體排出管路72上，藉由該加熱器84來加熱經流入該處理腔室67之氣體。
前述，配合冷卻或加熱製程需求，至少一該第一、二噴嘴 631、641係可調整高壓氣體噴出方向地分別設置於至少一該第一、二延伸岐管63、64一端。
前述，在至少一該第一、二延伸岐管63、64內的高壓氣體分別經由至少一該第一、二噴嘴631、641加速噴出，配合該風扇66擾動該處理腔室67內的氣體，使各該待測元件682周邊之氣體和該處理腔室67內的氣體充分混合，迅速達到熱平衡，有助於提升氣體溫度分布的均勻性，另外，因為每一個氣體分子都是傳熱的載體，每一種氣體的熱傳導能力也都是一定的，由於該處理腔室67內的氣體分子遠多於各該待測元件682周邊之氣體分子，使得各該待測元件682可以迅速的調整溫度，達到快速冷卻或加熱各該待測元件682的效果。
參閱第3及第4圖所示(其中和第一實施例相同的元件使用相同的元件符號)，本發明第二實施例係提供一種高壓崩應測試設備，包括：一崩應爐6，該崩應爐6包含一高壓崩應爐腔體60、至少一進氣岐管61a、至少一延伸岐管63a、一連通管65a及一風扇66，該高壓崩應爐腔體60內部形成一處理腔室67，該處理腔室67一側裝設至少一該進氣岐管61a，該連通管65a連結至少一該進氣岐管61a，至少一該進氣岐管61a外周連結至少一該延伸岐管63a，至少一該進氣岐管61a、該連通管65a及至少一該延伸岐管63a內部相連通，一處理框架68設置於該處理腔室67內至少一該進氣岐管61a旁側，該處理框架68設置至少一測試板681，該測試板681上置放一待測元件682，該待測元件682可以是待測試電子元件，該延伸岐管63a一端裝設一噴嘴631a，在至少一該延伸岐管63a內的高壓氣體經由至少一該噴嘴631a噴出，擾動各該待測元件682周邊之氣體，達到快速冷卻或加熱各該待測元件682的效果，有效提升溫度調整效率，該高壓崩應爐腔體60裝設一驅動馬達661，該處理腔室67內裝設該風扇66，該驅動馬達661透過一馬達轉軸662連結該風扇66，當該驅動馬達661轉動時，利用該馬達轉軸662驅動該風扇66轉動，可以使該處理腔室67內的氣體產生對流，促進該處理腔室67內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性。
一氣體輸送單元7，該氣體輸送單元7包含一氣體輸入管路71、一氣體排出管路72及一氣體連通管路73，該氣體輸入管路71將氣體輸入該處理腔室67，該氣體排出管路72將氣體排出該處理腔室67，藉由該 氣體連通管路73與該氣體輸入管路71及該氣體排出管路72形成氣體循環通路。
一循環裝置82，該循環裝置82透過該氣體排出管路72連結該高壓崩應爐腔體60，同時透過該氣體連通管路73連結該氣體輸入管路71，藉由該循環裝置82來吸出該處理腔室67內之氣體，及調整流入該氣體連通管路73之氣體流量，該氣體流量可依據該待測元件682表面或附近的溫度做調整，該循環裝置82為一可調整轉速的風扇。
一冷卻器83，該冷卻器83設置於該氣體輸入管路71或該氣體排出管路72上，藉由該冷卻器83來冷卻流入該處理腔室67之氣體。
一加熱器84，該加熱器84設置於該氣體輸入管路71或氣體排出管路72上，藉由該加熱器84來加熱流入該處理腔室67之氣體。
前述，配合冷卻或加熱製程需求，至少一該噴嘴631a係可調整高壓氣體噴出方向地設置於至少一該延伸岐管63a一端。
一壓力變動裝置81，該壓力變動裝置81透過該氣體輸入管路71連結該高壓崩應爐腔體60，該壓力變動裝置81包含一壓力控制單元(圖未示)與一循環換氣單元(圖未示)，該壓力控制單元和該循環換氣單元電性連接，藉由該壓力變動裝置81之壓力高低變化來調整經由該氣體輸入管路71流入該處理腔室67之氣體流量，該壓力變動裝置81之壓力工作範圍介於2大氣壓(atm)至50大氣壓(atm)之間，同時由於該處理腔室67係一固定空間，透過調整氣體流量亦可改變該處理腔室內67之氣體密度，更可藉由增加氣體密度(大於一大氣壓)來提升冷卻與加熱的效率，另，藉由增加該處理腔室內67之氣體密度亦可增加熱容量，有助於提升氣體溫度分布的均勻性。
前述，在至少一該延伸岐管63a內的高壓氣體經由至少一該噴嘴631a加速噴出，配合該風扇66擾動該處理腔室67內的氣體，使各該待測元件682周邊之氣體和該處理腔室67內的氣體充分混合，迅速達到熱平衡，有助於提升氣體溫度分布的均勻性，另外，因為每一個氣體分子都是傳熱的載體，每一種氣體的熱傳導能力也都是一定的，由於該處理腔室67內的氣體分子遠多於各該待測元件682周邊之氣體分子，使得各該待測元件682可以迅速的調整溫度，達到快速冷卻或加熱各該待測 元件682的效果。
本發明之高壓崩應測試設備，該高壓崩應爐腔體60更連結一壓力源(圖未示)，氣體經由該壓力源流入該處理腔室67內，使該處理腔室67維持在2大氣壓(atm)至50大氣壓(atm)的工作壓力環境中。
本發明之高壓崩應測試設備，在至少一該第一、二延伸岐管63、64內的高壓氣體分別經由可調整高壓氣體噴出方向的至少一該第一、二噴嘴631、641噴出，擾動各該待測元件682周邊之氣體，達到快速冷卻或加熱各該待測元件的效果，有效提升溫度調整效率。
本發明之高壓崩應測試設備，利用該馬達轉軸662驅動該風扇66轉動，可以使該處理腔室67內的氣體產生對流，促進該處理腔室67內部的溫度調節，有效提升氣體溫度分布的均勻性。
本發明之高壓崩應測試設備，使該高壓崩應腔體60之該處理腔室67籠罩在高壓的工作環境中，藉由該循環裝置82來調整經由該氣體輸入管路71流入該處理腔室67之氣體流量，同時更可透過調整氣體流量改變該處理腔室內67之氣體密度，達到提升氣體溫度分布均勻性的效果。
前文係針對本發明之較佳實施例為本發明之技術特徵進行具體之說明；惟，熟悉此項技術之人士當可在不脫離本發明之精神與原則下對本發明進行變更與修改，而該等變更與修改，皆應涵蓋於如下申請專利範圍所界定之範疇中。
6:崩應爐
60:高壓崩應爐腔體
61:第一進氣岐管
62:第二進氣岐管
63:第一延伸岐管
631:第一噴嘴
64:第二延伸岐管
641:第二噴嘴
65:連通管
66:風扇
661:驅動馬達
662:馬達轉軸
67:處理腔室
68:處理框架
681:測試板
682:待測元件
7:氣體輸送單元
71:氣體輸入管路
72:氣體排出管路
73:氣體連通管路
81:壓力變動裝置
82:循環裝置
83:冷卻器
84:加熱器

Claims (14)

  1. 一種高壓崩應測試設備，包括：
    一崩應爐，該崩應爐包含一高壓崩應爐腔體、至少一第一進氣岐管、至少一第二進氣岐管、至少一第一延伸岐管、至少一第二延伸岐管、一連通管及一風扇，該高壓崩應爐腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該第一進氣岐管，另一側裝設至少一該第二進氣岐管，該連通管連結至少一該第一進氣岐管及至少一該第二進氣岐管，至少一該第一進氣岐管外周連結至少一該第一延伸岐管，至少一該第二進氣岐管外周連結至少一該第二延伸岐管，至少一該第一、二進氣岐管與該連通管及至少一該第一、二延伸岐管內部相連通，該處理腔室內設置至少一測試板，該測試板上置放至少一待測元件，該第一延伸岐管一端裝設一第一噴嘴，該第二延伸岐管一端裝設一第二噴嘴，在至少一該第一、二延伸岐管內的高壓氣體分別經由至少一該第一、二噴嘴噴出，擾動各該待測元件周邊之氣體，該高壓崩應爐腔體裝設一驅動馬達，該處理腔室內裝設該風扇，當該驅動馬達轉動時，驅動該風扇轉動，使該處理腔室內的氣體產生對流；
    一循環裝置，藉由該循環裝置吸出該處理腔室內之氣體，及調整氣體流量；及
    一冷卻器，藉由該冷卻器來冷卻流入該處理腔室之氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之高壓崩應測試設備，其中至少一該第一、二噴嘴係可調整高壓氣體噴出方向地分別設置於至少一該第一、二延伸岐管一端。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之高壓崩應測試設備，其中更包含一壓力變動裝置，藉由該壓力變動裝置之壓力高低變化調整流入該處理腔室 之氣體流量。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之高壓崩應測試設備，其中該處理腔室內之工作壓力變化範圍介於2大氣壓(atm)至50大氣壓(atm)之間。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之高壓崩應測試設備，其中該壓力變動裝置之工作壓力變化範圍介於2大氣壓(atm)至50大氣壓(atm)之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之高壓崩應測試設備，其中更包含一氣體輸送單元，該氣體輸送單元包含一氣體輸入管路、一氣體排出管路及一氣體連通管路，該氣體輸入管路將氣體輸入該處理腔室，該氣體排出管路將氣體排出該處理腔室，藉由該氣體連通管路與該氣體輸入管路及該氣體排出管路形成氣體循環通路。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之高壓崩應測試設備，其中更包含一加熱器，該加熱器設置於該氣體輸入管路或該氣體排出管路上，藉由該加熱器來加熱流入該處理腔室之氣體。
  8. 一種高壓崩應測試設備，包括：
    一崩應爐，該崩應爐包含一高壓崩應爐腔體、至少一進氣岐管、至少一延伸岐管、一連通管及一風扇，該高壓崩應爐腔體內部形成一處理腔室，該處理腔室一側裝設至少一該進氣岐管，該連通管連結至少一該進氣岐管，至少一該進氣岐管外周連結至少一該延伸岐管，至少一該進氣岐管、該連通管及至少一該延伸岐管內部相連通，該處理腔室內設置至少一測試板，該測試板上置放至少一待測元件，該延伸岐管一端裝設一噴嘴，在至少一該延伸岐管內的高壓氣體經由至少一該噴嘴噴出，擾動各該待測元件周邊之氣體，該高壓崩應爐腔體裝設一驅動馬達，該處理腔 室內裝設該風扇，當該驅動馬達轉動時，驅動該風扇轉動，使該處理腔室內的氣體產生對流，提升氣體溫度分布的均勻性；
    一循環裝置，藉由該循環裝置來吸出該處理腔室內之氣體，及調整流量；及
    一冷卻器，藉由該冷卻器來冷卻流入該處理腔室之氣體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之高壓崩應測試設備，其中至少一該噴嘴係可調整高壓氣體噴出方向地設置於至少一該延伸岐管一端。
  10. 如申請專利範圍第8或9項所述之高壓崩應測試設備，其中更包含一壓力變動裝置，藉由該壓力變動裝置之壓力高低變化來調整流入該處理腔室之氣體流量。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之高壓崩應測試設備，其中該處理腔室內之工作壓力變化範圍介於2大氣壓(atm)至50大氣壓(atm)之間。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之高壓崩應測試設備，其中該壓力變動裝置之工作壓力變化範圍介於2大氣壓(atm)至50大氣壓(atm)之間。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之高壓崩應測試設備，其中更包含一氣體輸送單元，該氣體輸送單元包含一氣體輸入管路、一氣體排出管路及一氣體連通管路，該氣體輸入管路將氣體輸入該處理腔室，該氣體排出管路將氣體排出該處理腔室，藉由該氣體連通管路與該氣體輸入管路及該氣體排出管路形成氣體循環通路。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之高壓崩應測試設備，其中更包含一加熱器，該加熱器設置於該氣體輸入管路或該氣體排出管路上，藉由該加熱器來加熱流入該處理腔室之氣體。
TW109116500A 2020-05-15 2020-05-15 高壓崩應測試設備 TWI778362B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109116500A TWI778362B (zh) 2020-05-15 2020-05-15 高壓崩應測試設備
CN202110336339.9A CN113671280A (zh) 2020-05-15 2021-03-29 高压崩应测试设备
US17/237,067 US11385275B2 (en) 2020-05-15 2021-04-22 High-pressure burn-in test apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109116500A TWI778362B (zh) 2020-05-15 2020-05-15 高壓崩應測試設備

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202144799A TW202144799A (zh) 2021-12-01
TWI778362B true TWI778362B (zh) 2022-09-21

Family

ID=78513228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109116500A TWI778362B (zh) 2020-05-15 2020-05-15 高壓崩應測試設備

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11385275B2 (zh)
CN (1) CN113671280A (zh)
TW (1) TWI778362B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI833506B (zh) * 2022-12-16 2024-02-21 翌實實業有限公司 雙循環式非接觸測試設備
CN120722016B (zh) * 2025-08-25 2025-11-11 苏州元脑智能科技有限公司 老化测试装置及老化测试方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI276815B (en) * 2001-07-12 2007-03-21 Advantest Corp Apparatus for handling electronic components and method for controlling temperature of electronic components
US20120206157A1 (en) * 2011-02-10 2012-08-16 King Yuan Electronics Co., Ltd. Structure of burn-in oven
TW201719790A (zh) * 2015-03-12 2017-06-01 特艾希米控公司 基板處理裝置
WO2018160557A1 (en) * 2017-03-03 2018-09-07 Aehr Test Systems Electronics tester
TWM585430U (zh) * 2019-02-24 2019-10-21 毅力科技有限公司 除泡烤箱系統

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4886580B2 (ja) * 2007-04-16 2012-02-29 エスペック株式会社 バーンイン試験装置
US8616194B2 (en) * 2011-03-31 2013-12-31 Trane International Inc. Gas-fired furnace and intake manifold for low NOx applications
CN103163332A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 西安中科麦特电子技术设备有限公司 一种电源老化箱循环系统
CN103713207A (zh) * 2012-10-08 2014-04-09 致茂电子(苏州)有限公司 烧机测试装置
TWM450049U (zh) * 2012-11-20 2013-04-01 印能科技有限公司 具有延伸連通腔道結構之半導體封裝載熱裝置
TWI494162B (zh) * 2012-12-22 2015-08-01 Morningmoving Technology Co Ltd 利用增加氣體密度的溫度調整方法
CN203479940U (zh) * 2013-10-12 2014-03-12 惠州中城电子科技有限公司 一种电子产品模块老化装置
CN203688695U (zh) * 2013-12-31 2014-07-02 江苏省产品质量监督检验研究院 一种电缆用热空气老化箱
US11098682B2 (en) * 2014-12-31 2021-08-24 Shanghai Qingche Automotive Engineering Co., Ltd Engine and intake system thereof
TWM502850U (zh) * 2015-03-12 2015-06-11 Wei-Yi Chiang 崩應測試裝置電力回收再利用系統
CN205749713U (zh) * 2016-05-13 2016-11-30 吴江市华诚电子有限公司 一种多温度区间崩应测试柜
EP3465238A4 (en) * 2016-06-02 2020-01-22 KES Systems, Inc. SEMICONDUCTOR AGING TEST SYSTEM AND METHODS
CN205921882U (zh) * 2016-07-27 2017-02-01 东莞市伟煌试验设备有限公司 氙灯老化试验机的空调系统
CN108365268B (zh) * 2018-02-10 2019-11-08 江苏英能新能源科技有限公司 一种锂离子电池老化装置与老化方法
US11703229B2 (en) * 2018-12-05 2023-07-18 Yi-Ming Hung Temperature adjustment apparatus for high temperature oven
CN209961863U (zh) * 2019-04-17 2020-01-17 深圳市健坤五金有限公司 一种电子设备老化试验装置
CN210465575U (zh) * 2019-07-26 2020-05-05 赫顶(天津)工业技术有限公司 一种受热均匀的电子产品再制造老化测试箱
CN110542813B (zh) * 2019-09-03 2021-12-03 深圳市久阳机械设备有限公司 安全型老化测试恒温机

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI276815B (en) * 2001-07-12 2007-03-21 Advantest Corp Apparatus for handling electronic components and method for controlling temperature of electronic components
US20120206157A1 (en) * 2011-02-10 2012-08-16 King Yuan Electronics Co., Ltd. Structure of burn-in oven
TW201719790A (zh) * 2015-03-12 2017-06-01 特艾希米控公司 基板處理裝置
WO2018160557A1 (en) * 2017-03-03 2018-09-07 Aehr Test Systems Electronics tester
TWM585430U (zh) * 2019-02-24 2019-10-21 毅力科技有限公司 除泡烤箱系統

Also Published As

Publication number Publication date
US11385275B2 (en) 2022-07-12
CN113671280A (zh) 2021-11-19
TW202144799A (zh) 2021-12-01
US20210356506A1 (en) 2021-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI778362B (zh) 高壓崩應測試設備
EP2394121B1 (en) Method of calibrating an ultrasonic drying system
US6760981B2 (en) Compact convection drying chamber for drying printed circuit boards and other electronic assemblies by enhanced evaporation
CN217900306U (zh) 用于干燥机加热段和冷却段的箱体及隧道式灭菌干燥机
CN101468365A (zh) 导风装置和采用该导风装置的工件冷却装置
CN212179484U (zh) 一种适用于导辊输送膜材的节能烘箱
CN117116814B (zh) 基板处理设备
KR101867914B1 (ko) 순환 냉각 유닛 및 이를 구비하는 열처리 장치
CN111448046A (zh) 膜制造装置
CN204142355U (zh) 称重传感器温度试验装置
CN217052038U (zh) 强制对流装置及加热炉
TW201719139A (zh) 用於老化測試裝置之負壓冷卻系統以及使用該負壓冷卻系統之老化測試裝置
CN110701940B (zh) 热交换装置及半导体加工设备
CN117316824A (zh) 基板处理方法及设备冷却方法
JP3961912B2 (ja) 板状被処理物の強制冷却・加熱方法及び装置
CN118465510A (zh) 一种芯片老化测试装置
CN110793299A (zh) 一种消失模模样微波烘干房及微波烘干方法
CN112342836A (zh) 一种纸张染色用防破损干燥装置及其使用方法
CN221860610U (zh) 半导体芯片老化测试柜
CN111822273A (zh) 一种用于板材的加湿流平机
CN219390424U (zh) 一种电热鼓风干燥箱
CN222460110U (zh) 一种热风循环干燥箱
CN219696390U (zh) 一种等离子刻蚀设备
CN222288352U (zh) 保温罩及钢材冷却设备
CN219433799U (zh) 一种烤炉均流式混风装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent