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TWI774741B - 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 - Google Patents

放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 Download PDF

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TWI774741B
TWI774741B TW107108892A TW107108892A TWI774741B TW I774741 B TWI774741 B TW I774741B TW 107108892 A TW107108892 A TW 107108892A TW 107108892 A TW107108892 A TW 107108892A TW I774741 B TWI774741 B TW I774741B
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赤松圭一
中津川晴康
行
小平俊輔
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日商富士軟片股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種能夠抑制使用了撓性基材之感測器基板不連續地 彎曲之放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置，該放射線檢測器具備：感測器基板，包含撓性基材、及設置於基材之第1面且形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之層；轉換層，設置於形成有像素之層之與基材相反之一側，並且將放射線轉換為光；保護膜，至少覆蓋轉換層；加強構件，設置於基材之與第1面相反之一側之第2面上；以及支撐構件，於其與基材之第2面之間夾著加強構件而支撐加強構件。

Description

放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置
本發明有關一種放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置。
一直以來，已知有以醫療診斷為目的而進行放射線拍攝之放射線圖像攝影裝置。於該種放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射了被攝體之放射線並生成放射線圖像之放射線檢測器。
作為放射線檢測器，存在如下放射線檢測器，其具備：閃爍器等轉換層，將放射線轉換為光；以及感測器基板，設置有蓄積依據被轉換層轉換之光而產生之電荷之複數個像素。
於該感測器基板中使用撓性基材為較佳。藉由使用撓性基材，例如能夠使放射線圖像攝影裝置(放射線檢測器)輕量化，或者能夠容易進行被攝體拍攝。
當於感測器基板中使用撓性基材時，會於基材亦即感測器基板上產生彎曲。因於感測器基板上產生彎曲，有時會降低例如轉換層耐久性和防濕性。
因此，作為提高感測器基板剛性之技術，例如日本特開2016-180707號公報中記載有如下技術：藉由於容納放射線檢測器之殼體的頂板 與感測器基板之間設置緩衝部，能夠提高感測器基板剛性，並且能夠使頂板和感測器基板相互加強。
通常，與玻璃製基材相比，樹脂製基材之剛性低，因此容易彎曲，尤其有時產生不連續彎曲，該不連續彎曲並非係基材整體一體彎曲，而係部分或局部彎曲等。例如，日本特開2016-180707號公報中記載之技術中，可能會於設置有緩衝部之區域與未設置緩衝部之區域之邊界產生部分或局部彎曲。
於整體一體彎曲之情況下，能夠藉由進行圖像校正來抑制由於彎曲而對圖像產生之影響。但是，當於基材上產生不連續彎曲之狀態下進行拍攝之情況下，於大多數情況下很難藉由圖像校正來抑制不連續彎曲對放射線圖像畫質帶來之影響，例如可能會導致放射線圖像上產生偽影等，從而畫質下降。
本公開提供一種能夠抑制使用了撓性基材之感測器基板不連續地彎曲之放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置。
本公開之第1態樣之放射線檢測器具備：感測器基板，包含撓性基材、及設置於基材之第1面且形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之層；轉換層，設置於形成有像素之層之與設置有基材之一側相反之一側，並且將放射線轉換為光；保護膜，至少覆蓋轉換層；加強構件，加強撓性基材；以及支撐構件，與加強構件一同支撐感測器基板。
又，依第1態樣之放射線檢測器，本公開之第2態樣之放射線檢測器中，加強構件設置於基材之與第1面相反之一側之第2面，支撐構件 於其與基材之第2面之間夾著加強構件而支撐加強構件。
又，依第2態樣之放射線檢測器，本公開之第3態樣之放射線檢測器中，於其與基材之第2面之區域之間夾著加強構件而支撐加強構件，該基材之第2面之區域與基材之第1面中設置有複數個像素之區域亦即像素區域外側之區域對應。
又，依第2態樣之放射線檢測器，本公開之第4態樣之放射線檢測器中，複數個像素包含：複數個第1像素；以及複數個第2像素，設置於複數個第1像素之外周部，且形成放射線圖像時之用途與複數個第1像素不同，支撐構件於其與基材之第2面之區域之間夾著加強構件而支撐加強構件，該基材之第2面之區域與設置有第1像素之區域之外側對應。
又，依第2態樣之放射線檢測器，本公開之第5態樣之放射線檢測器中，支撐構件包含：第1支撐構件，於其與基材之第2面之對應於端部之第1區域之間夾著加強構件而支撐加強構件；以及第2支撐構件，於其與基材之第2面之第1區域外側之區域之間夾著加強構件而支撐加強構件。
又，依第5態樣之放射線檢測器，本公開之第6態樣之放射線檢測器中，第1支撐構件與第2支撐構件熱連接。
又，依第5態樣或第6態樣之放射線檢測器，本公開之第7態樣之放射線檢測器中，感測器基板具有具備第1電纜和第2電纜中之至少一者所連接之連接部之外周部，該第1電纜與從複數個像素讀取電荷之驅動部連接，該第2電纜與訊號處理部連接，該訊號處理部中被輸入與從複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並且生成並輸出與所輸入之電訊號對應 之圖像資料，第1支撐構件與第2支撐構件於具有連接部之外周部之區域外側熱連接。
又，依第2態樣至第7態樣中之任一態樣之放射線檢測器，本公開之第8態樣之放射線檢測器中，保護膜還覆蓋基材之第2面之外周部中之規定之區域，支撐構件於其與規定之區域中之基材之第2面之間夾著加強構件而支撐加強構件。
又，依第8態樣之放射線檢測器，本公開之第9態樣之放射線檢測器中，保護膜具備：第1保護膜，至少覆蓋轉換層；以及第2保護膜，覆蓋規定之區域和包含整個第1保護膜之區域。
又，依第8態樣之放射線檢測器，本公開之第10態樣之放射線檢測器中，保護膜具備：第1保護膜，至少覆蓋轉換層；以及第2保護膜，覆蓋規定之區域和包含第1保護膜之端部之區域。
又，依第2態樣至第10態樣中之任一態樣之放射線檢測器，本公開之第11態樣之放射線檢測器還具備加強層，該加強層設置於轉換層之與設置於感測器基板側之面相反之一側之面側。
又，依第1態樣之放射線檢測器，本公開之第12態樣之放射線檢測器中，轉換層包含設置有有助於形成圖像之複數個像素之像素區域，並且設置成覆蓋比像素區域寬之範圍之狀態，支撐構件設置於如下區域，該區域於基材之與第1面相反之一側之第2面上之與像素區域對應之區域外側，並且橫跨與轉換層之端部對應之區域。
又，依第12態樣之放射線檢測器，本公開之第13態樣之放射線檢測器中，加強構件設置於基材之第2面之設置有支撐構件之區域外側。
又，依第12態樣之放射線檢測器，本公開之第14態樣之放射線檢測器中，加強構件覆蓋設置有支撐構件之狀態之基材之第2面。
又，依第12態樣之放射線檢測器，本公開之第15態樣之放射線檢測器中，加強構件隔著保護膜而設置於轉換層之與設置有感測器基板之一側相反之一側，隔著感測器基板和轉換層，支撐構件之至少一部分區域與加強構件之一部分區域相對。
又，依第12態樣之放射線檢測器，本公開之第16態樣之放射線檢測器中，加強構件包含：第1加強構件，隔著保護膜而設置於轉換層之與設置有感測器基板之一側相反之一側；以及第2加強構件，設置於基材之與第1面相反之一側之第2面上，隔著第2加強構件、感測器基板以及轉換層，支撐構件之至少一部分區域與第1加強構件之一部分區域相對。
又，依第12態樣之放射線檢測器，本公開之第17態樣之放射線檢測器中，加強構件覆蓋設置有轉換層、保護膜以及支撐構件之狀態之整個感測器基板。
又，依第12態樣至第17態樣中之任一態樣之放射線檢測器，本公開之第18態樣之放射線檢測器中，支撐構件之厚度比加強構件之厚度厚。
又，依第1態樣至第18態樣中之任一態樣之放射線檢測器，本公開之第19態樣之放射線檢測器用於放射線照射到基材之與第1面相反之一側之第2面上之攝影中。
又，依第1態樣至第19態樣中之任一態樣之放射線檢測器，本公開之第20態樣之放射線檢測器中，轉換層包含CsI。
又，本公開之第21態樣之放射線圖像攝影裝置具備：第1態樣 至第20態樣中之任一態樣之放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取蓄積於複數個像素中之電荷之控制訊號；驅動部，依據控制訊號，輸出用於從複數個像素讀取電荷之驅動訊號；以及訊號處理部，被輸入與從複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並且生成並輸出與所輸入之電訊號對應之圖像資料。
又，依第21態樣之放射線圖像攝影裝置，本公開之第22態樣之放射線圖像攝影裝置中，於與放射線檢測器中之基材、形成有複數個像素之層及轉換層排列之積層方向交叉之方向上，並排設置有控制部及放射線檢測器。
又，依第21態樣之放射線圖像攝影裝置，本公開之第23態樣之放射線圖像攝影裝置還具備電源部，該電源部向控制部、驅動部及訊號處理部中之至少一處供電，於與放射線檢測器中之基材、形成有複數個像素之層及轉換層排列之積層方向交叉之方向上，並排設置有電源部、控制部及放射線檢測器。
依本公開，能夠抑制使用了撓性基材之感測器基板不連續地彎曲。
1:放射線圖像攝影裝置
10、10_1、10_2:放射線檢測器
12、12_1、12_2:感測器基板
12_l1、12_l2:邊
14、14_1、14_2:基材
14A:第1面
14B:第2面
14C:角部
14O:外周
14S:周緣
15:主動區域
16:像素
16A:第1像素
16B:第2像素
17:區域
20:TFT(開關元件)
22:感測器部
24:訊號配線
26:掃描配線
28:共用配線
30、30_1、30_2:轉換層
30C:端部
32、32_1、32_2:保護膜
32A:第1保護膜
32B:第2保護膜
34、34_1、34_2:支撐構件
34A:第1支撐構件
34B:第2支撐構件
36、36_1、36_2:加強構件
36A:第1加強構件
36B:第2加強構件
37:加強層
39:傳熱構件
40、42:緩衝層
50:肋
100:控制部
100A:CPU
100B:記憶體
100C:記憶部
102:驅動部
104:訊號處理部
106:圖像記憶體
108:電源部
110:控制基板
112:柔性電纜
114:雷源線
116:薄片
118:基座
120:殼體
120A:攝影面
122:傳熱構件
L1:厚度
L2:距離
圖1係表示第1實施形態之放射線圖像攝影裝置中之電氣系統之主要部分結構之一例之方塊圖。
圖2係從第2面側觀察第1實施形態之放射線檢測器之一例之平面圖。
圖3係圖2所示之放射線檢測器之A-A線剖面圖。
圖4係第1實施形態之放射線檢測器之另一例之A-A線剖面圖。
圖5係表示將第1實施形態之放射線圖像攝影裝置適用於表面讀取方式之情況下放射線檢測器被設置於殼體內之狀態之一例之剖面圖。
圖6係表示將第1實施形態之放射線圖像攝影裝置適用於表面讀取方式之情況下放射線檢測器被設置於殼體內之狀態之另一例之剖面圖。
圖7係從第2面側觀察第2實施形態之放射線檢測器之一例之平面圖。
圖8係圖7所示之放射線檢測器之A-A線剖面圖。
圖9係表示將第2實施形態之放射線圖像攝影裝置適用於表面讀取方式之情況下放射線檢測器被設置於殼體內之狀態之一例之剖面圖。
圖10係第3實施形態之放射線檢測器之一例之剖面圖。
圖11係第4實施形態之放射線檢測器之一例之剖面圖。
圖12係第5實施形態之放射線檢測器之一例之剖面圖。
圖13係第6實施形態之放射線檢測器之一例之剖面圖。
圖14係為了對支撐構件之另一例進行說明而從第2面側觀察放射線檢測器之平面圖。
圖15係為了對支撐構件之另一例進行說明而從第2面側觀察放射線檢測器之平面圖。
圖16係為了對支撐構件之另一例進行說明而從第2面側觀察放射線檢測器之平面圖。
圖17係為了對設置有支撐構件之位置之另一例進行說明而從放射線檢測器之第2面側觀察放射線圖像攝影裝置之平面圖。
圖18係用於對主動區域之另一例進行說明之放射線檢測器之另一例之剖面圖。
圖19係於第1~第6實施形態之放射線檢測器中還具備加強層之情況之一例之剖面圖。
圖20係第7實施形態之放射線檢測器之一例之剖面圖。
圖21係用於說明於放射線圖像攝影裝置內設置有圖20所示之放射線檢測器之狀態之一例之剖面圖。
圖22係第7實施形態之放射線檢測器之另一例之剖面圖。
圖23係第8實施形態之放射線檢測器之一例之剖面圖。
圖24係第8實施形態之放射線檢測器之另一例之剖面圖。
圖25係第8實施形態之放射線檢測器之另一例之剖面圖。
圖26係具備複數個(兩個)放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置中之複數個放射線檢測器之一例之剖面圖。
以下，參閱圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。另外，本實施形態並不限定本發明。
[第1實施形態]
本實施形態之放射線圖像攝影裝置藉由檢測透射了攝影對象亦即被攝體之放射線並輸出表示被攝體之放射線圖像之圖像資訊，從而具有拍攝攝影對象之放射線圖像之功能。
首先，參閱圖1，對本實施形態之放射線圖像攝影裝置中之電氣系統之結構之一例之概略進行說明。圖1係表示本實施形態之放射線圖像攝影裝置中之電氣系統之主要部分結構之一例之方塊圖。
如圖1所示，本實施形態之放射線圖像攝影裝置1具備放射線檢 測器10、控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106以及電源部108。
放射線檢測器10具備感測器基板12(參閱圖3)以及將放射線轉換為光之轉換層30(參閱圖3)。感測器基板12具備撓性基材14以及設置於基材14之第1面14A之複數個像素16。另外，以下，對於複數個像素16，有時簡稱為“像素16”。
如圖1所示，本實施形態之各像素16具備依據轉換層所轉換之光而產生並蓄積電荷之感測器部22、以及讀取蓄積於感測器部22中之電荷之開關元件20。本實施形態中，作為一例，使用薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)作為開關元件20。因此，以下，將開關元件20稱為“TFT20”。本實施形態中形成有感測器部22和TFT20，作為經平坦化之層而進一步設置有於基材14之第1面14A形成有像素16之層。以下，對於形成有像素16之層，為了方便說明，有時亦稱為“像素16”。
於感測器基板12之主動區域15，沿著一個方向(與圖1之橫向對應之掃描配線方向，以下還稱為“行方向”)和與行方向交叉之方向(與圖1之縱向對應之訊號配線方向，以下還稱為“列方向”)而二維狀地配置有像素16。圖1中，簡化顯示了像素16之排列，例如像素16於行方向和列方向上配置有1024個×1024個。
又，放射線檢測器10中相互交叉設置有針對像素16之每一行而設置且用於控制TFT20之開關狀態(導通和關斷)之複數個掃描配線26和針對像素16之每一列而設置且用於讀取蓄積於感測器部22中之電荷之複數個訊號配線24。複數個掃描配線26之每一個分別經由焊墊(省略圖示) 而與驅動部102連接。驅動部102上連接有後述控制部100，依據從控制部100輸出之控制訊號而輸出驅動訊號。複數個掃描配線26之每一個中，從驅動部102輸出且驅動TFT20而控制開關狀態之驅動訊號流入複數個掃描配線之每一個中。又，複數個訊號配線24之每一個分別經由焊墊(省略圖示)而與訊號處理部104連接，藉此從各像素16讀取之電荷作為電訊號而輸出至訊號處理部104。訊號處理部104生成並輸出與所輸入之電訊號對應之圖像資料。
訊號處理部104中連接有後述之控制部100，從訊號處理部104輸出之圖像資料依次輸出至控制部100。控制部100中連接有圖像記憶體106，從訊號處理部104依次輸出之圖像資料藉由由控制部100進行之控制而依次記憶於圖像記憶體106。圖像記憶體106具有能夠記憶規定數量之圖像資料之記憶容量，每當進行放射線圖像之拍攝時，藉由拍攝而得到之圖像資料依次記憶於圖像記憶體106。
控制部100具備CPU(中央處理單元(Central Processing Unit))100A、包含ROM(唯讀記憶體(Read Only Memory))和RAM(隨機存取記憶體(Random Access Memory))等之記憶體100B、以及快閃記憶體等非易失性記憶部100C。作為控制部100之一例，可舉出微電腦等。控制部100控制放射線圖像攝影裝置1之整體之動作。
又，為了對各像素16施加偏壓，各像素16之感測器部22中，於訊號配線24之配線方向上設置有共用配線28。共用配線28經由焊墊(省略圖示)而與感測器基板12之外部之偏壓電源(省略圖示)連接，藉此從偏壓電源對各像素16施加偏壓。
電源部108向控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106及電源部108等各種元件和各種電路供電。另外，圖1中，為了避免複雜化，省略了將電源部108與各種元件和各種電路連接之配線之圖示。
進一步對本實施形態之放射線檢測器10進行詳細說明。圖2係從與第1面14A相反之一側之第2面14B側觀察本實施形態之放射線檢測器10之平面圖。又，圖3係圖2中之放射線檢測器10之A-A線剖面圖。
如圖2和圖3所示，本實施形態之放射線檢測器10具備：具有基材14和像素16之感測器基板12、轉換層30、保護膜32、支撐構件34以及加強構件36，並且依次設置有加強構件36、基材14、像素16以及轉換層30。另外，以下，將加強構件36、基材14、像素16以及轉換層30所排列之方向(圖3中之上下方向)稱為積層方向。
基材14具有撓性，例如為包含聚醯亞胺等塑膠之樹脂片。作為基材14之具體例，可舉出XENOMAX(註冊商標)。另外，基材14只要具有期望之撓性即可，並不限定於樹脂片。例如，基材14亦可以係厚度比較薄之玻璃製薄板等。基材14之厚度為依據材質之硬度和感測器基板12之大小(第1面14A或第2面14B之面積)等而得到期望之撓性之厚度即可。例如當基材14為樹脂片時，厚度為5μm~125μm者即可。又，例如當基材14為玻璃製薄板之情況下，通常一個邊之尺寸為43cm左右時，如果厚度為0.1mm以下則具有撓性，並且與樹脂製基材14相同地具有彎曲之傾向，因此厚度為0.1mm以下者即可。
如圖2和圖3所示，複數個像素16設置於基材14之第1面14A 中之內側之一部分區域。亦即，本實施形態之感測器基板12中，於基材14之第1面14A之外周部未設置有像素16。本實施形態中，將基材14之第1面14A中之設置有像素16之區域設為主動區域15。又，將基材14之與主動區域15相反之一側之第2面14B之區域稱為“第2面14B之與主動區域15對應之區域”。本實施形態之主動區域15為本公開之像素區域之一例。另外，本實施形態中，作為一例，於基材14之第1面14A隔著使用了SiN等之底塗層(省略圖示)而設置有像素16。
又，如圖3所示，轉換層30覆蓋主動區域15。本實施形態中，作為轉換層30之一例，使用包含CsI(碘化銫)之閃爍器。作為該種閃爍器，例如包含X射線照射時之發光光譜為400nm~700nm之CsI：Tl(添加有鉈之碘化銫)或CsI：Na(添加有鈉之碘化銫)為較佳。另外，CsI：Tl之可見光區域中之發光峰值波長為565nm。
本實施形態中，藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD(化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition))法等氣相沈積法，於感測器基板12上直接形成有作為柱狀結晶之CsI之轉換層30。該情況下，轉換層30中之與像素16接觸之一側成為柱狀結晶之生長方向基點側。
另外，如此於感測器基板12上藉由氣相沈積法而直接形成有CsI之轉換層時，於與和感測器基板12接觸之一側相反之一側之面上例如亦可以設置有具有反射由轉換層30轉換之光之功能之反射層(省略圖示)。反射層可以直接設置於轉換層30上，亦可以隔著黏著層等而設置。作為該情況下之材料，使用了有機類材料者為較佳，例如將白色PET(聚對酞酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate))、TiO2、Al2O3、發泡白色PET、聚酯類高反 射片及鏡面反射鋁等中之至少一個作為材料而使用者為較佳。從反射率之觀點考慮，將白色PET作為材料而使用者為特佳。
另外，白色PET係指於PET中添加有TiO2或硫酸鋇等白色顏料者。又，聚酯類高反射片係指具有重疊有複數個薄聚酯片之複數層結構之薄片(薄膜)。又，發泡白色PET係指表面成為多孔質之白色PET。
又，當作為轉換層30而使用CsI之閃爍器時，亦能夠藉由與本實施形態不同之方法而於感測器基板12上形成轉換層30。例如可以準備於鋁板等上藉由氣相沈積法蒸鍍了CsI者，並藉由黏著性薄片等來貼合CsI之不與鋁板接觸之一側和感測器基板12之像素16，從而於感測器基板12上形成轉換層30。
而且，與本實施形態之放射線檢測器10不同地，作為轉換層30，亦可以使用GOS(Gd2O2S：Tb)等來代替CsI。該情況下，例如準備將使GOS分散於樹脂等黏著劑之薄片，於藉由白色PET等形成之支撐體上藉由黏著層等貼合而成者，並藉由黏著性薄片等來貼合GOS之未貼合有支撐體之一側和感測器基板12之像素16，從而能夠於感測器基板12上形成轉換層30。
又，如圖2和圖3所示，本實施形態之放射線檢測器10中，加強構件36設置於基材14之第2面14B上。本實施形態中，作為一例，於基材14之整個第2面14B上設置有加強構件36。
加強構件36加強基材14之強度(剛性)。又，本實施形態之加強構件36具有防濕性，抑制來自基材14之第2面14B之濕氣(水分)之侵入。
而且，本實施形態之加強構件36具有抗靜電性。本實施形態之 基材14具有撓性，並且基材14之厚度比通常不具有撓性之放射線檢測器薄，因此藉由摩擦等，基材14變得容易帶電。藉由使加強構件36具有抗靜電性，能夠抑制基材14之帶電。
作為該種加強構件36，例如可舉出於聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片(薄膜)上藉由接著鋁箔等而積層有鋁之ALPET(註冊商標)薄片。
又，如圖2和圖3所示，本實施形態之放射線檢測器10中，保護膜32覆蓋轉換層30。具體而言，保護膜32覆蓋轉換層30之表面(不與像素16接觸之一側之面)、轉換層30之側面以及像素16之側面。另外，圖3所示之保護膜32還覆蓋像素16之側面，但亦可以設為不覆蓋像素16之側面之局部或全部之形態。又，對於圖3所示之保護膜32，示出保護膜32之端部(側面)與基材14之第1面14A接觸之形態，但保護膜32之端部與基材14之第1面14A亦可以不接觸。又，例如亦可以如圖4所示，第1保護膜32A之端部於基材14之第1面14A中之形成有像素16之邊界亦即角部14C彎折，並且由第1保護膜32A覆蓋角部14C附近之第1面14A之表面。
作為保護膜32，例如可使用派瑞林(parylene)(註冊商標)膜、聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等防濕膜。
又，如圖2和圖3所示，本實施形態之放射線檢測器10中，支撐構件34於其與基材14之第2面14B之區域17之間夾著加強構件36而支撐加強構件36。亦即，支撐構件34於區域17中經由保護膜32和加強構件36而對基材14進行所謂內襯。支撐構件34例如藉由雙面膠帶或糊劑等接著劑而固定於加強構件36。另外，區域17為基材14之第2面14B之與 主動區域15對應之區域以外之外周部之區域，本實施形態之區域17對應於本公開之第1區域之一例和規定之區域之一例。
本實施形態之支撐構件34之至少第2面14B之面內方向上之剛性高於基材14。作為支撐構件34，可舉出具有能夠得到期望之剛性之大小之PET(聚對酞酸乙二酯)等塑膠或鋁板等。另外，本實施形態之支撐構件34設置於基材14之第2面14B之與主動區域15對應之區域之外側，因此支撐構件34中之放射線之透射率和吸收率不會對放射線圖像之拍攝帶來較大影響。另外，支撐構件34之厚度L1變得越厚，從被攝體至像素16之距離(參閱圖5中之距離L2)變得越長，因此於所拍攝之放射線圖像上會產生模糊。因此，支撐構件34之厚度L1依據期望之剛性和期望之畫質而確定為較佳。
本實施形態之放射線圖像攝影裝置1設置於透射放射線並且具有防水性、抗菌性及密閉性之殼體內。
圖5表示將本實施形態之放射線圖像攝影裝置1適用於表面讀取方式(ISS：Irradiation Side Sampling)之情況下放射線檢測器10被設置於殼體120內之狀態之一例。
如圖5所示，於殼體120內，於與積層方向交叉之方向上並排設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10設置成，基材14之第2面14B與被照射透射了被攝體之放射線之殼體120之攝影面120A側相對向。
控制基板110為形成有圖像記憶體106和控制部100等之基板，並且藉由包含訊號配線之柔性電纜112而與感測器基板12之像素16電連 接。另外，本實施形態中設為於柔性電纜112上設置有驅動部102和訊號處理部104之所謂COF(覆晶薄膜(Chip On Film))，但亦可以使將驅動部102和訊號處理部104中之至少一者形成於控制基板110上。
又，控制基板110與電源部108藉由電源線114而連接。
本實施形態之放射線圖像攝影裝置1之殼體120內，於透射了放射線檢測器10之放射線所出射之一側還設置有薄片116。作為薄片116，例如可舉出銅製薄片。銅製薄片很難藉由入射放射線而產生二次放射線，因此具有防止向後方亦即轉換層30側之散射之功能。另外，薄片116至少覆蓋轉換層30之放射線所出射之一側之整個面，又，覆蓋整個轉換層30為較佳，進而覆蓋整個保護膜32為更佳。另外，薄片116之厚度依據放射線圖像攝影裝置1整體之撓性和重量等來選擇即可，例如，當薄片116為銅製薄片時，如果厚度為0.1mm左右以上，則具有撓性，並且還具有屏蔽從外部侵入到放射線圖像攝影裝置1內部之二次放射線之功能。又，例如薄片116為銅製薄片時，從撓性和重量之觀點考慮，為0.3mm以下為較佳。
圖5所示之放射線圖像攝影裝置1中，於剛性相對高之殼體120之周邊部設置電源部108和控制基板110，因此能夠抑制外力對電源部108和控制基板110帶來之影響。
另外，圖5中示出將電源部108和控制基板110這兩者設置於放射線檢測器10之一側、具體而言設置於矩形形狀之放射線檢測器10之一個邊側之形態，但設置電源部108和控制基板110之位置並不限定於圖5所示之形態。例如，可以將電源部108和控制基板110分散設置於放射線檢測器10之相對向之2個邊之各邊上，亦可以分散設置於相鄰之2個邊之 各邊上。又，圖5中示出將電源部108和控制基板110設為1個結構部(基板)之形態，但並不限定於圖5所示之形態，亦可以係將電源部108和控制基板110中之至少一者設為複數個結構部(基板)之形態。例如，亦可以將電源部108設為包含第1電源部和第2電源部(均省略圖示)之形態，並且將第1電源部和第2電源部分別分散設置於放射線檢測器10之相對向之2個邊之各邊上。
又，圖6中示出將本實施形態之放射線圖像攝影裝置1適用於ISS方式之情況下放射線檢測器10被設置於殼體120內之狀態之另一例。
如圖6所示，於殼體120內，於與積層方向交叉之方向上並排設置有電源部108及控制基板110，並且放射線檢測器10、電源部108及控制基板110並排設置於積層方向上。
又，圖6所示之放射線圖像攝影裝置1中，於控制基板110及電源部108與薄片116之間設置有用於支撐放射線檢測器10和控制基板110之基座118。基座118中例如使用碳等。
通常，基材14為樹脂製薄片或比較薄之玻璃薄板時，與玻璃製基材(比較厚之玻璃板)相比剛性較低，因此容易彎曲。尤其，與玻璃板相比，樹脂製薄片容易產生不連續彎曲。
尤其，基材14為樹脂製薄片或比較薄之玻璃薄板時，有時並非係基材14整體一體彎曲，而係部分或局部彎曲或變形，或者基材14之面內(第1面14A和第2面14B)之每個位置上之彎曲方式不同。與整體一體彎曲相對地，對於該種情況下產生之彎曲或變形，於本實施形態中稱為“不連續彎曲”。
於基材14整體一體彎曲之狀態下進行了放射線圖像之拍攝時，藉由進行圖像校正，抑制基材14之彎曲對放射線圖像畫質帶來之影響，從而能夠抑制放射線圖像畫質下降。但是，於基材14上產生不連續彎曲之狀態下進行拍攝時，於大多數情況下很難藉由圖像校正來抑制不連續彎曲對放射線圖像畫質帶來之影響，例如可能會導致放射線圖像上產生偽影等，從而畫質下降。
相對於此，本實施形態之放射線檢測器10中，支撐構件34於基材14之外周之區域亦即區域17中，於其與第2面14B之間夾著加強構件36而支撐加強構件36。因此，能夠藉由支撐構件34和加強構件36來抑制於基材14之端部產生之變形。又，本實施形態之放射線檢測器10中，加強構件36設置於感測器基板12之基材14之整個第2面14B側，並且加強基材14之剛性。因此，能夠抑制於基材14亦即感測器基板12上產生不連續彎曲。
又，本實施形態之放射線檢測器10中，支撐構件34從第2面14B側經由加強構件36而支撐基材14。因此，依本實施形態之放射線檢測器10，藉由由加強構件36加強基材14中之設置有支撐構件34之區域和未設置有支撐構件34之區域之邊界部分，能夠抑制於邊界部分產生之不連續彎曲。
[第2實施形態]
接著，對第2實施形態進行說明。另外，本實施形態中，放射線檢測器10之一部分結構與第1實施形態不同，因此參閱圖式對不同之結構進行說明。
圖7係從基材14之第2面14B側觀察本實施形態之放射線檢測器10之平面圖。又，圖8係圖7中之放射線檢測器10之A-A線剖面圖。又，圖9表示將本實施形態之放射線圖像攝影裝置1適用於ISS方式之情況下放射線檢測器10被設置於殼體120內之狀態之一例。
如圖7和圖8所示，本實施形態之放射線檢測器10具備第1支撐構件34A和第2支撐構件34B，以代替第1實施形態之支撐構件34。
第1支撐構件34A對應於第1實施形態之支撐構件34，並且具有相同之結構和功能。
另一方面，第2支撐構件34B設置於加強構件36之被第1支撐構件34A包圍並且第2面14B之與主動區域15對應之區域。本實施形態之第2支撐構件34B使用了熱容量比第1支撐構件34A小之熱擴散構件。又，第2支撐構件34B比第1支撐構件34A之剛性高。又，本實施形態之第2支撐構件34B設置於第2面14B之與主動區域15對應之區域，因此使用了透射放射線之構件，並且使用了至少比第1支撐構件34A之放射線之吸收率低且透射率高之構件。作為具有該種特性之第2支撐構件34B，例如可舉出石墨片。
如此，第2支撐構件34B支撐主動區域15內之加強構件36，因此依本實施形態之放射線檢測器10，能夠進一步提高抑制感測器基板12之不連續彎曲之效果。
又，如圖7和圖8所示，本實施形態之放射線檢測器10中，第1支撐構件34A和第2支撐構件34B與傳熱構件39連接，藉此第1支撐構件34A與第2支撐構件34B熱連接。另外，“熱連接”係從第1支撐構件34A 和第2支撐構件34B之其中一個向另一個進行熱傳導之狀態即可，還包括與本實施形態不同之、第1支撐構件34A與第2支撐構件34B並不藉由任何構件等連接，並且分開足以進行熱傳導之間隔而設置有第1支撐構件34A和第2支撐構件34B之狀態。
ISS方式之放射線圖像攝影裝置1中，從感測器基板12側對放射線檢測器10照射放射線。圖9所示之例子中，於進行放射線圖像之拍攝時，於殼體120之攝影面120A與放射線照射裝置(省略圖示)之間配置被攝體，並對攝影面120A照射透射了被攝體之放射線X。
如此，當進行放射線圖像之拍攝時，被攝體位於攝影面120A附近，或者被攝體與攝影面120A接觸。因此有時被攝體之體溫等熱量會從被攝體經由殼體120而傳遞到放射線檢測器10。如此，從被攝體傳遞之熱量並不會均勻地傳遞至主動區域15內，多為局部性地進行傳遞。因此，有時會於感測器基板12之主動區域15內產生熱分佈。如此，於主動區域15內產生之熱分佈，成為於所拍攝之放射線圖像中成為產生圖像不均之原因。
相對於此，本實施形態之放射線檢測器10中，能夠藉由第2支撐構件34B而將經由殼體120傳遞之熱量於主動區域15內分散。又，能夠藉由傳熱構件39而將熱量從第2支撐構件34B傳遞到第1支撐構件34A，因此能夠降低主動區域15內之熱分佈不均。
而且，如圖9所示，本實施形態之放射線檢測器10中，第1支撐構件34A與殼體120之側面(與攝影面120A交叉之面)藉由傳熱構件122連接。如此，將第1支撐構件34A與殼體120之側面藉由傳熱構件122進行連接，藉此依本實施形態之放射線圖像攝影裝置1，能夠經由傳熱構件 122而將熱量釋放到殼體120。
[第3實施形態]
本實施形態之放射線檢測器10中，保護膜32所覆蓋之區域與第1實施形態之保護膜32所覆蓋之區域不同，因此對本實施形態之放射線檢測器10中之保護膜32進行說明。
圖10中示出本實施形態之放射線檢測器10之一例之剖面圖。如圖10所示，本實施形態之保護膜32覆蓋轉換層30，進而覆蓋到區域17為止之區域。具體而言，保護膜32覆蓋轉換層30之表面(不與像素16接觸之一側之面)、轉換層30之側面及像素16之側面、以及從第1面14A之外周部環繞基材14之側面而遍及加強構件36之區域17之整個區域。
作為該種保護膜32，例如可舉出派瑞林膜或絕緣性薄片等。為派瑞林膜之情況下，能夠藉由蒸鍍而形成保護膜32，為絕緣性薄片之情況下，藉由接著劑等進行貼合，從而能夠設置保護膜32。
圖10所示之本實施形態之放射線檢測器10中，保護膜32覆蓋轉換層30和像素16，進而覆蓋到加強構件36之外周部中之區域17為止之區域，因此即使於基材14彎曲之情況下，轉換層30亦會變得不易剝落。又，本實施形態之放射線檢測器10中，支撐構件34於其與保護膜32之間夾著加強構件36而支撐基材14之外周之區域亦即區域17，因此即使感測器基板12中之撓性基材14彎曲，亦會藉由支撐構件34來抑制區域17中之彎曲。因此，保護膜32變得不易從感測器基板12和轉換層30剝落，因此能夠進一步提高抑制轉換層30之剝離之效果。
通常，於轉換層30剝離或因濕氣等而劣化之情況下，會導致所 生成之放射線之畫質下降。相對於此，本實施形態之放射線檢測器10中抑制轉換層30之剝離並且抑制防濕性下降，因此能夠抑制所生成之放射線圖像畫質下降。
又，依本實施形態之放射線檢測器10，與第2實施形態之放射線檢測器10相同地具備第1支撐構件34A、第2支撐構件34B、加強構件36以及傳熱構件39，因此與第2實施形態之放射線檢測器10相同地，能夠進一步提高抑制感測器基板12之不連續彎曲之效果，又，能夠降低主動區域15內之熱分佈不均。
[第4實施形態]
本實施形態之放射線檢測器10中，與第1實施形態之保護膜32對應之結構不同，因此對不同之結構進行說明。
圖11表示本實施形態之放射線檢測器10之一例之剖面圖。如圖11所示，本實施形態之放射線檢測器10具備第1保護膜32A和第2保護膜32B這兩個保護膜，以代替第1實施形態之放射線檢測器10之保護膜32。
如圖11所示，第1保護膜32A設置成與第1實施形態之放射線檢測器10之保護膜32相同，並且覆蓋轉換層30之表面(不與像素16接觸之一側之面)、轉換層30之側面及像素16之側面。
另一方面，如圖11所示，第2保護膜32B覆蓋區域17和包含整個第1保護膜32A之區域。具體而言，第2保護膜32B覆蓋被第1保護膜32A覆蓋之轉換層30和像素16，並且覆蓋與第3實施形態之保護膜32相同之區域。
作為該種第1保護膜32A，例如可舉出派瑞林膜等，該情況下，能夠藉由蒸鍍而形成第1保護膜32A。又，作為第2保護膜32B，例如可舉出絕緣性薄片等，該情況下，藉由接著劑等進行貼合，從而能夠設置第2保護膜32B。
圖11所示之本實施形態之放射線檢測器10中，藉由第1保護膜32A和第2保護膜32B覆蓋轉換層30之表面和側面，進行了雙重密封，因此能夠進一步提高對轉換層30之防濕性能。尤其，CsI之耐水性較弱，當水分侵入放射線檢測器10內部時，可能會導致放射線圖像畫質下降。因此，於轉換層30中使用CsI時，如本實施形態之放射線檢測器10般進一步提高對轉換層30之防濕性能為較佳。
又，依本實施形態之放射線檢測器10，與第2實施形態之放射線檢測器10相同地具備第1支撐構件34A、第2支撐構件34B、加強構件36以及傳熱構件39，因此與第2實施形態之放射線檢測器10相同地，能夠進一步提高抑制感測器基板12之不連續彎曲之效果，又，能夠降低主動區域15內之熱分佈不均。
[第5實施形態]
本實施形態之放射線檢測器10中，與第1實施形態之保護膜32對應之結構不同，因此對不同之結構進行說明。
圖12中示出本實施形態之放射線檢測器10之一例之剖面圖。如圖12所示，本實施形態之放射線檢測器10具備第1保護膜32A和第2保護膜32B這兩個保護膜，以代替第1實施形態之放射線檢測器10之保護膜32。
如圖12所示，本實施形態之第1保護膜32A至少覆蓋轉換層30。具體而言，本實施形態之第1保護膜32A設置成與第1實施形態之放射線檢測器10之保護膜32相同，並且覆蓋轉換層30之表面(不與像素16接觸之一側之面)、轉換層30之側面及像素16之側面。
另一方面，如圖12所示，第2保護膜32B覆蓋區域17和包含第1保護膜32A之端部之區域。具體而言，第2保護膜32B覆蓋加強構件36之區域17、基材14之側面、基材14之第1面14A之區域17及第1保護膜32A之端部之區域。另外，第2保護膜32B所覆蓋之第1保護膜32A之端部之區域為從第1保護膜32A之外周至規定之範圍內之區域。另外，規定之範圍設為，依據為了支撐轉換層30之側面或像素16之側面上之第1保護膜32A之端部之位置和轉換層30而所需之第2保護膜32B與第1保護膜32A之接觸面積等，實驗性地得到之範圍即可。
作為該種第1保護膜32A，例如可舉出派瑞林膜或絕緣性薄片等，為派瑞林膜之情況下，能夠藉由蒸鍍而形成第1保護膜32A，為絕緣性薄片之情況下，藉由接著劑等進行貼合，從而能夠設置第1保護膜32A。
又，作為第2保護膜32B，例如可舉出絕緣性薄片等，該情況下，藉由接著劑等進行貼合，從而能夠設置第2保護膜32B。如此，本實施形態之放射線檢測器10中，藉由接著劑等來貼合第1保護膜32A和第2保護膜32B，從而使第1保護膜32A和第2保護膜32B成為一體。
圖12所示之本實施形態之放射線檢測器10中，第1保護膜32A覆蓋轉換層30之表面和側面、像素16之側面，第2保護膜32B覆蓋基材14之外周部中之與區域17對應之第1面14A和加強構件36、基材14之側 面、以及第1保護膜32A之端部之區域。因此，與第1實施形態之放射線檢測器10相同地，能夠提高抑制轉換層30之剝離並且抑制防濕性下降之效果。
又，依本實施形態之放射線檢測器10，與第2實施形態之放射線檢測器10相同地具備第1支撐構件34A、第2支撐構件34B、加強構件36以及傳熱構件39，因此與第2實施形態之放射線檢測器10相同地，能夠進一步提高抑制感測器基板12之不連續彎曲之效果，又，能夠降低主動區域15內之熱分佈不均。
[第6實施形態]
本實施形態之放射線檢測器10中，與第1實施形態之保護膜32對應之結構不同，因此對不同之結構進行說明。
圖13中示出本實施形態之放射線檢測器10之一例之剖面圖。如圖13所示，本實施形態之放射線檢測器10具備第1保護膜32A和第2保護膜32B這兩個保護膜，以代替第1實施形態之放射線檢測器10之保護膜32。
如圖13所示，本實施形態之放射線檢測器10中之第1保護膜32A與第3實施形態之保護膜32相同。
另一方面，如圖13所示，本實施形態之第2保護膜32B隔著第1保護膜32A覆蓋基材14之第1面14A與像素16之邊界亦即角部14C附近之區域。具體而言，第2保護膜32B隔著第1保護膜32A覆蓋從基材14之與區域17對應之區域至像素16之側面和轉換層30之側面之局部。
依本實施形態之放射線檢測器10，與第3實施形態之保護膜32 相同地設置有第1保護膜32A，因此與第3實施形態之放射線檢測器10相同地，能夠提高抑制轉換層30之剝離並且抑制防濕性下降之效果。
又，依本實施形態之放射線檢測器10，與第2實施形態之放射線檢測器10相同地具備第1支撐構件34A、第2支撐構件34B、加強構件36以及傳熱構件39，因此與第2實施形態之放射線檢測器10相同地，能夠進一步提高抑制感測器基板12之不連續彎曲之效果，又，能夠降低主動區域15內之熱分佈不均。
如上述說明，上述第1~第6實施形態之放射線檢測器10具備：感測器基板12，包含撓性基材14、及設置於基材14之第1面14A且形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素16之層；轉換層30，設置於形成有像素16之層之與基材14相反之一側，並且將放射線轉換為光；保護膜32，至少覆蓋轉換層30；加強構件36，設置於基材14之與第1面14A相反之一側之第2面14B上；以及支撐構件34，於其與基材14之第2面14B之間夾著加強構件36而支撐加強構件36。
上述第1~第6實施形態之放射線檢測器10中，支撐構件34、34A(以下，不區分時統稱為“支撐構件34”)於基材14之外周之區域亦即區域17中，於其與第2面14B之間夾著加強構件36而支撐加強構件36。因此，能夠藉由支撐構件34和加強構件36來抑制於基材14之端部產生之變形。又，上述各實施形態之放射線檢測器10中，加強構件36設置於感測器基板12之基材14之整個第2面14B側，並且加強基材14之剛性。因此，能夠抑制於基材14亦即感測器基板12上產生不連續彎曲。
又，上述第1~第6實施形態之放射線檢測器10中，支撐構件 34從第2面14B側經由加強構件36而支撐基材14。因此，依上述各實施形態之放射線檢測器10，藉由由加強構件36加強基材14中之設置有支撐構件34之區域與未設置支撐構件34之區域之邊界部分，能夠抑制於邊界部分產生之不連續彎曲。
因此，依上述第1~第6實施形態之放射線檢測器10，能夠抑制使用了撓性基材14之感測器基板12不連續地彎曲。
另外，上述第1~第6實施形態中，對於基材14之第2面14B之與主動區域15對應之區域外之區域亦即整個區域17設置支撐構件34之形態進行了說明，但設置支撐構件34之位置和數量等並不限定於上述各實施形態。如上所述，只要係能夠藉由支撐構件34來於其與基材14之第2面14B之間夾著加強構件36而支撐加強構件36之形態，則具體之支撐構件34之數量、設置複數個時之每一個支撐構件34之大小和配置當然沒有限定。
例如，如圖14所示，亦可以於感測器基板12之四個角中每一個角設置支撐構件34。又，例如，如圖15所示，亦可以於感測器基板12之四個邊中各邊之中央設置支撐構件34。又，例如，如圖16所示，亦可以於從基材14之第2面14B之外周14O至規定之距離內側之周緣14S上，沿著周緣14S而設置複數個支撐構件34(圖16中為16個)。另外，圖16所示之放射線檢測器10中，將設置支撐構件34之周緣14S設為了主動區域15與區域17之邊界，但並沒有特別限定。另外，藉由將沿著周緣14S之複數個支撐構件34之長度之總計設為相對於周緣14S之長度為二分之一以上且小於周緣14S之長度，能夠藉由支撐構件34而進一步提高抑制區域17 中之彎曲之效果。又，例如上述各實施形態中，對於矩形形狀之感測器基板12之所有邊上設置有支撐構件34之形態進行了說明，但亦可以僅於感測器基板12之一部分邊上設置支撐構件34。
又，上述第2~第6實施形態中，對於矩形形狀之感測器基板12之所有邊上設置有將第1支撐構件34A與第2支撐構件34B熱連接之傳熱構件39之形態進行了說明，但亦可以僅於感測器基板12之一部分邊上設置傳熱構件39。例如亦可以設為於具有如下端子(省略圖示)之感測器基板12之邊上不設置傳熱構件39之形態，該端子連接有驅動部102、訊號處理部104及控制部100(控制基板110)中之至少一個與感測器基板12連接之柔性電纜112等柔性電纜(相當於本公開之第1電纜和第2電纜之一例)。例如，圖17中示出感測器基板12之邊12_l1和邊12_l2上分別具有連接有柔性電纜之端子(省略圖示)之情況。圖17所示之放射線檢測器10中，邊12_l1和邊12_l2上分別未設置傳熱構件39。驅動部102、訊號處理部104以及控制部100中之各電路部之耐熱性有時較弱。該情況下，為了抑制熱量從感測器基板12傳遞到該等電路部，設為於具有連接有柔性電纜之端子(省略圖示)之感測器基板12之邊上不設置傳熱構件39之形態為較佳。
又，上述第1~第6實施形態之放射線檢測器10中，對將設置有像素16之整個區域設為主動區域15之形態進行了說明，但設為主動區域15之區域並不限定於上述各實施形態。例如，亦可以由與複數個像素16中之一部分像素16對應之區域來指定主動區域15。例如，如圖18所示，放射線檢測器10有時存在如下情況，亦即，像素16具備：複數個第1像素 16A，實質上與放射線圖像之像素對應；以及複數個第2像素16B，形成放射線圖像時之用途不同且設置於第1像素16A之外周部。另外，於此，形成放射線圖像時之用途不同係指例如使用於圖像校正之情況等以及不使用於放射線圖像之形成而讀取並丟棄電荷之情況。圖18所示之放射線檢測器10中，將設置有第1像素16A之區域設定為主動區域15。
另外，如圖18所示之放射線檢測器10，有時轉換層30大於主動區域15，並且轉換層30覆蓋整個主動區域15。例如，除了上述圖18所示之情況以外，如考慮形成轉換層30時相對於感測器基板12之蒸鍍位置之偏移和貼合位置之偏移等情況下，將轉換層30設置為大於主動區域15。該情況下，如圖18所示，於主動區域15外側藉由支撐構件34和轉換層30而夾持支撐基材14為較佳。
另外，上述第1~第6實施形態之放射線檢測器10中，為了加強感測器基板12而抑制彎曲，對設置有加強構件36和支撐構件34之形態進行了說明，但為了加強感測器基板12而抑制彎曲，還可以設置其他構件等。例如，還可以於轉換層30之與設置於感測器基板12之一側相反之一側之面側設置加強層。例如，圖18所示之放射線檢測器10中示出設置有上述加強層時之放射線檢測器10之一例之剖面圖。圖19所示之放射線檢測器10中，加強層37設置於轉換層30之與設置於感測器基板12之一側相反之一側之面側。換言之，由加強構件36和加強層37夾持基材14和轉換層30。藉由如此設置加強層37，能夠進一步抑制感測器基板不連續地彎曲。
又，圖19所示之放射線檢測器10中，加強層37於橫跨轉換層30之端部30C之區域，隔著感測器基板12而與支撐構件34相對。因此， 由加強構件36和加強層37固定轉換層30之端部30C，因此能夠抑制轉換層30從基材14之剝離。另外，作為該種加強層37，例如可以係與加強構件36相同之構件，又，例如，即使係相同之構件，如加強層37較薄等厚度亦可以不同，且柔性亦可以不同。
如上所述，上述第1~第6實施形態中，對支撐構件34於其與基材14之第2面14B之間夾著加強構件36而支撐加強構件36，並且加強構件36設置於基材14之與第1面14A相反之一側之第2面14B之形態進行了說明。以下各實施形態中，對支撐構件34和加強構件36之其他形態進行說明。另外，以下各實施形態中，除支撐構件34和加強構件36以外之放射線檢測器10之結構之主動區域15之區域與上述圖18所示之放射線檢測器10相同，除此以外，與第1實施形態之放射線檢測器10相同，因此省略詳細說明。
[第7實施形態]
圖20中示出本實施形態之放射線檢測器10之一例之剖面圖。如圖20所示，本實施形態之支撐構件34設置於如下區域，該區域於基材14之第2面14B之與主動區域15對應之區域外側，並且橫跨與轉換層30之端部30C對應之區域。
又，如圖20所示，加強構件36設置於基材14之第2面14B之設置有支撐構件34之區域外側。換言之，支撐構件34覆蓋基材14之第2面14B之未設置支撐構件34之整個區域。
如圖20所示，支撐構件34和加強構件36相同地設置於基材14之第2面14B，但是如圖20所示，與上述第1~第6實施形態相同地該等 厚度不同，支撐構件34之厚度比加強構件36之厚度厚。
如上述第1~第6實施形態以及本實施形態所示，當對感測器基板12使用了撓性基材14之放射線檢測器10單獨進行處理時，例如當於放射線圖像攝影裝置1之製造步驟中進行直到設置於殼體120內為止之期間等之所謂製造步驟中之搬運時等，如果感測器基板12中之撓性基材14彎曲，則於與轉換層30之端部30C對應之位置(以下，稱為“端部位置”)上，基材14發生不連續彎曲之可能性很高。若端部位置上感測器基板12發生不連續彎曲，則轉換層30容易從感測器基板12剝離。
本實施形態之放射線檢測器10中，支撐構件34設置於基材14之第2面14B之與主動區域15對應之區域外側中橫跨與轉換層30之端部30C對應之區域之區域亦即端部位置。因此，依本實施形態之放射線檢測器10，即使於基材14彎曲之情況下，轉換層30亦很難從感測器基板12剝離。
又，依本實施形態之放射線檢測器10，加強構件36設置於基材14之第2面14B，因此能夠加強基材14之剛性，從而能夠抑制使用了撓性基材14之感測器基板12不連續地彎曲。
另外，如圖21中示出之一例般，當本實施形態之放射線檢測器10容納於殼體120內而形成放射線圖像攝影裝置1時，於隔著基材14和轉換層30而與支撐構件34相對之位置上配置用於支撐並固定放射線檢測器10之肋50為較佳。圖21所示之一例中，由支撐構件34和肋50固定轉換層30之端部30C，因此能夠進一步抑制轉換層30從基材14之剝離。
另外，設置於基材14之第2面14B之加強構件36之具體配置並不限於圖20所示之形態。例如，如圖22中示出之一例般，亦可以將加強 構件36設置於覆蓋設置有支撐構件34之狀態之基材14之第2面14B之區域。
又，本實施形態之放射線檢測器10中，對支撐構件34僅設置到比基材14(感測器基板12)之端部更靠內側之形態進行了說明，但亦可以與上述第1~第6實施形態相同地設為將支撐構件34設置到基材14之端部位置之形態。
[第8實施形態]
本實施形態之放射線檢測器10中，設置有加強構件36之位置與第7實施形態不同，因此對不同結構進行說明。
圖23中示出本實施形態之放射線檢測器10之一例之剖面圖。如圖23所示，與第7實施形態之放射線檢測器10中之支撐構件34相同地，支撐構件34設置於基材14之第2面14B之與主動區域15對應之區域外側中橫跨與轉換層30之端部30C對應之區域之區域亦即端部位置。另外，如圖23所示，本實施形態之放射線檢測器10中，支撐構件34設置到基材14之端部位置，但亦可以與第7實施形態之放射線檢測器10相同地設為將支撐構件34僅設置到比基材14之端部更靠內側之形態。
又，如圖23所示，本實施形態之加強構件36隔著保護膜32而設置於轉換層30之與感測器基板12相反之一側。如圖23所示，本實施形態之放射線檢測器10中，隔著感測器基板12和轉換層30，支撐構件34之至少一部分區域與加強構件36之一部分區域相對。
如此，本實施形態之放射線檢測器10中，加強構件36與支撐構件34於橫跨轉換層30之端部30C之區域(端部位置)隔著感測器基板12 而相對。因此，由支撐構件34和加強構件36固定轉換層30之端部30C，因此能夠抑制轉換層30從基材14之剝離。
又，依本實施形態之放射線檢測器10，加強構件36隔著保護膜32而設置於轉換層30之與感測器基板12相反之一側，因此能夠加強基材14之剛性，從而能夠抑制使用了撓性基材14之感測器基板12不連續地彎曲。
另外，加強構件36至少設置於轉換層30之與感測器基板12相反之一側隔著保護膜32之位置即可，具體配置並不限於圖23所示之形態。例如，如圖24中示出之一例般，亦可以將加強構件36配置成覆蓋設置有轉換層30、保護膜32以及支撐構件34之狀態之整個感測器基板12之狀態。
又，例如，放射線檢測器10亦可以設為具備複數個加強構件36之形態。例如，如圖25中示出之一例般，放射線檢測器10亦可以設為如下形態，該形態包含：第1加強構件36A，隔著保護膜32而設置於轉換層30之與感測器基板12相反之一側；以及第2加強構件36B，設置於基材14之第2面14B。該情況下，由第1加強構件36A和第2加強構件36B夾持感測器基板12，因此能夠進一步抑制使用了撓性基材14之感測器基板12不連續地彎曲。
如以上說明，上述第7和第8實施形態之放射線檢測器10具備：感測器基板12，包含撓性基材14、及設置於基材14之第1面14A且形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素16之層；轉換層30，包含於形成有像素16之層之與基材14相反之一側設置有有助於形成圖像之複數個像素之像素區域，且設置成覆蓋比像素區域寬之範圍之狀態，並且 將放射線轉換為光；保護膜32，至少覆蓋轉換層30；加強構件36，加強撓性基材14；以及支撐構件34，設置於如下區域，該區域於基材14之第2面14B之與主動區域15對應之區域外側，並且橫跨與轉換層30之端部30C對應之區域(端部位置)。
如此，上述第7和第8實施形態之放射線檢測器10中設置有加強基材14之剛性之加強構件36，並且於基材14之第2面14B之與主動區域15對應之區域外側中橫跨與轉換層30之端部30C對應之區域之區域亦即端部位置上設置有支撐構件34。
因此，依上述第7和第8實施形態之放射線檢測器10，能夠抑制使用了撓性基材14之感測器基板12不連續地彎曲，並且即使於基材14彎曲之情況下，轉換層30亦很難從感測器基板12剝離。
又，上述各實施形態中，對將放射線檢測器10(放射線圖像攝影裝置1)適用於ISS方式之情況進行了說明，但亦可以將放射線檢測器10(放射線圖像攝影裝置1)適用於於轉換層30之與放射線所入射之一側相反之一側配置感測器基板12之所謂“背面讀取方式(PSS：Penetration Side Sampling)”中。將使用了撓性基材之感測器基板適用於PSS方式之情況下，感測器基板有時亦會不連續地彎曲。依上述各實施形態之放射線檢測器10，即使於PSS方式之情況下，藉由設置支撐構件34和加強構件36，亦能夠抑制感測器基板12之不連續彎曲。
又，上述各實施形態中，對放射線圖像攝影裝置1具備1個放射線檢測器10之形態進行了說明，但放射線圖像攝影裝置1亦可以為具備複數個放射線檢測器10之形態。例如，如圖26所示，放射線圖像攝影裝置1 亦可以為於照射放射線之方向上疊加使用ISS方式之放射線檢測器10_1和10_2之形態。於圖26所示之情況下，於撓性基材14_1上設置有像素16_1之感測器基板12_1上，將藉由直接蒸鍍而形成有使用CsI之轉換層30_1之放射線檢測器10_1配置於靠近放射線之照射側之位置。又，於撓性基材14_2上，將藉由於設置有像素16_2之感測器基板12_2上貼合GOS薄片而形成有轉換層30_2之放射線檢測器10_2配置於遠離放射線之照射側之位置。另外，與第1實施形態之放射線檢測器10相同地，圖26中示出放射線檢測器10_1中設置有保護膜32_1、支撐構件34_1及加強構件36_1，並且放射線檢測器10_2中設置有保護膜32_2、支撐構件34_2及加強構件36_2之狀態。
該情況下，於不與加強構件36_1之基材14接觸之一側之面設置對放射線具有透射性之緩衝層40為較佳。又，轉換層30_1之CsI之柱狀結晶之末端朝向放射線檢測器10_2側，因此為了防止柱狀結晶之末端及其周邊部之損傷，於加強構件36_2與保護膜32_1之間設置對可見光具有透射性之緩衝層42為較佳。
又，如圖1所示，上述各實施形態中，對像素16二維排列成矩陣狀之態樣進行了說明，但並不限定於此，例如可以係一維排列，亦可以係蜂窩排列。又，像素之形狀亦並沒有限定，可以係矩形，亦可以係六邊形等多邊形。進而，主動區域15之形狀當然亦並沒有限定。
此外，上述各實施形態中說明之放射線圖像攝影裝置1以及放射線檢測器10等之結構和製造方法等為一例，於不脫離本發明之宗旨之範圍內，當然能夠根據狀況而進行變更。
於2017年3月22日申請之日本專利申請2017-056559號之公開以及2018年2月16日申請之日本專利申請2018-025803號之公開，其全部內容藉由參閱收入本說明書中。
本說明書中所記載之所有文獻、專利申請以及技術標準，以與具體且個別記載了藉由參閱收入個別文獻、專利申請以及技術標準之情況相同程度地，藉由參閱收入本說明書中。
10:放射線檢測器
12:感測器基板
14:基材
14A:第1面
14B:第2面
15:主動區域
16:像素
17:區域
30:轉換層
32:保護膜
34:支撐構件
36:加強構件
L1:厚度

Claims (24)

  1. 一種放射線圖像攝影裝置，其具備：基座；放射線檢測器，包括：感測器基板，其包含撓性的基材、及設置於該基材之第1面且形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之層；轉換層，設置於形成有該像素之層之與該基材相反之一側，並且將放射線轉換為光；保護膜，至少覆蓋該轉換層；加強構件，加強撓性的該基材的剛性；以及支撐構件，與該加強構件一同支撐該感測器基板，其中該加強構件設置於與該基材的第1面相反的位置，並位於該放射線檢測器的最外層，該基座相對於該轉換層設置在與該基材相反的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之放射線圖像攝影裝置，其用於放射線照射到該基材之與該第1面相反之一側之第2面上之攝影中。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之放射線圖像攝影裝置，其中該轉換層包含CsI。
  4. 一種放射線檢測器，包括：感測器基板，其包含撓性的基材、及設置於該基材之第1面且形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之層；轉換層，設置於形成有該像素之層之與該基材相反之一側，並且將放射 線轉換為光；保護膜，至少覆蓋該轉換層；加強構件，加強撓性的該基材的剛性；以及支撐構件，與該加強構件一同支撐該感測器基板，其中該加強構件設置於該基材之與該第1面相反之一側之第2面，該支撐構件於其與該基材之該第2面之間夾著該加強構件而支撐該加強構件。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之放射線檢測器，其中該支撐構件於其與該基材之該第2面之區域之間夾著該加強構件而支撐該加強構件，該基材之該第2面之區域與該基材之該第1面中設置有該複數個像素之區域亦即像素區域外側之區域對應。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之放射線檢測器，其中該複數個像素包含：複數個第1像素；以及複數個第2像素，設置於複數個該第1像素之外周部，且形成放射線圖像時之用途與複數個該第1像素不同，該支撐構件於其與該基材之該第2面之區域之間夾著該加強構件而支撐該加強構件，該基材之該第2面之區域與設置有該第1像素之區域之外側對應。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之放射線檢測器，其中該支撐構件包含：第1支撐構件，於其與該基材之該第2面之對應於端部之第1區域之間夾著該加強構件而支撐該加強構件；以及第2支撐構件，於其與該基材之該第2面之該第1區域外側之區域之間夾著該加強構 件而支撐該加強構件。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之放射線檢測器，其中該第1支撐構件與該第2支撐構件熱連接。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所述之放射線檢測器，其中該感測器基板具有具備第1電纜和第2電纜中之至少一者所連接之連接部之外周部，該第1電纜與從該複數個像素讀取電荷之驅動部連接，該第2電纜與訊號處理部連接，該訊號處理部中被輸入與從該複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並且生成並輸出與所輸入之該電訊號對應之圖像資料，該第1支撐構件和該第2支撐構件於具有該連接部之外周部之區域外側熱連接。
  10. 如申請專利範圍第4項所述之放射線檢測器，其中該保護膜還覆蓋該基材之該第2面之外周部中之規定之區域，該支撐構件於其與該規定之區域中之該基材之該第2面之間夾著該加強構件而支撐該加強構件。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之放射線檢測器，其中該保護膜具備：第1保護膜，至少覆蓋該轉換層；以及第2保護膜，覆蓋該規定之區域和包含整個該第1保護膜之區域。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之放射線檢測器，其中該保護膜具備：第1保護膜，至少覆蓋該轉換層；以及第2保護膜，覆蓋該規定之區域和包含該第1保護膜之端部之區域。
  13. 如申請專利範圍第4項所述之放射線檢測器，其還具備加強層，該加強層設置於該轉換層之與設置於該感測器基板側之面相反之一側之面側。
  14. 一種放射線檢測器，包括：感測器基板，其包含撓性的基材、及設置於該基材之第1面且形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之層；轉換層，設置於形成有該像素之層之與該基材相反之一側，並且將放射線轉換為光；保護膜，至少覆蓋該轉換層；加強構件，加強撓性的該基材的剛性；以及支撐構件，與該加強構件一同支撐該感測器基板，其中該轉換層包含設置有有助於形成圖像之該複數個像素之像素區域，並且設置成覆蓋比該像素區域寬之範圍之狀態，該支撐構件設置於如下區域，該區域於該基材之與該第1面相反之一側之第2面上之與該像素區域對應之區域外側，並且橫跨與該轉換層之端部對應之區域。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之放射線檢測器，其中該加強構件設置於該基材之第2面之設置有該支撐構件之區域外側。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之放射線檢測器，其中該加強構件覆蓋設置有該支撐構件之狀態之該基材之第2面。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之放射線檢測器，其中該加強構件隔著該保護膜而設置於該轉換層之與該感測器基板相反之 一側，隔著該感測器基板和該轉換層，該支撐構件之至少一部分區域與該加強構件之一部分區域相對。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之放射線檢測器，其中該加強構件包含：第1加強構件，隔著該保護膜而設置於該轉換層之與該感測器基板相反之一側；以及第2加強構件，設置於該基材之與該第1面相反之一側之第2面上，隔著該第2加強構件、該感測器基板以及該轉換層，該支撐構件之至少一部分區域與該第1加強構件之一部分區域相對。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之放射線檢測器，其中該加強構件覆蓋設置有該轉換層、該保護膜以及該支撐構件之狀態之整個該感測器基板。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之放射線檢測器，其中該支撐構件之厚度比該加強構件之厚度厚。
  21. 一種放射線圖像攝影裝置，其具備：申請專利範圍第1項所述之放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取蓄積於該複數個像素中之電荷之控制訊號；驅動部，依據該控制訊號，輸出用於從該複數個像素讀取電荷之驅動訊號；以及訊號處理部，被輸入與從該複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並且生成並輸出與所輸入之該電訊號對應之圖像資料。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之放射線圖像攝影裝置，其中 於與該放射線檢測器中之基材、形成有複數個像素之層及轉換層排列之積層方向交叉之方向上，並排設置有該控制部及該放射線檢測器。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之放射線圖像攝影裝置，其還具備電源部，該電源部向該控制部、該驅動部和該訊號處理部中之至少一處供電，於與該放射線檢測器中之基材、形成有複數個像素之層及轉換層排列之積層方向交叉之方向上，並排設置有該電源部、該控制部及該放射線檢測器。
  24. 一種放射線檢測器，包括：感測器基板，其包含撓性的基材、及設置於該基材之第1面且形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之層；轉換層，設置於形成有該像素之層之與該基材相反之一側，並且將放射線轉換為光；保護膜，至少覆蓋該轉換層；加強構件，加強撓性的該基材的剛性；以及支撐構件，與該加強構件一同支撐該感測器基板，其中，該加強構件設置於與該基材的第1面相反的位置，該加強構件是積層板，其中鋁箔黏合在絕緣性薄片上。
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