TWI771649B - 控制帶電粒子束之能量分散之設備及方法 - Google Patents

Abstract

本發明在其他態樣中揭示一種帶電粒子檢測系統，其包括一吸收組件及一可程式化帶電粒子鏡面板，該吸收組件及該可程式化帶電粒子鏡面板經配置以修改一射束中之電子之能量分佈且塑形該射束以縮減該等電子之該能量分散及該射束之像差，其中該吸收組件包括一組吸收結構，該組吸收結構經組態為提供於一透明導電層上之吸收結構；及一種使用此吸收組件及運用該可程式化帶電粒子鏡面板的方法以及使用此可程式化帶電粒子鏡面板的方法，該可程式化帶電粒子鏡面板包括一組像素，該組像素經組態以產生一自訂電場以塑形該射束。

Description

控制帶電粒子束之能量分散之設備及方法

本文中所提供之實施例係關於一種具有一或多個帶電粒子束之帶電粒子器件，諸如利用一或多個電子束之電子顯微法設備。

藉由在晶圓(亦被稱為基板)上產生圖案來製造積體電路。晶圓被支撐於設備中之晶圓載物台上以用於產生圖案。用於製造積體電路之程序之一個部分涉及查看或「檢測」晶圓之部分。此可藉由掃描電子顯微鏡或SEM來進行。

在光微影中使用SEM愈來愈需要低電子探測能量以最小化輻射損害且減輕充電效應。SEM觀測需要極低導降能量，以允許以最小化之充電量及由縮減之相互作用體積造成的最小化之射束損害深度來量測目標試樣之表面下及奈米尺度資訊。然而，隨著探測能量降低，物鏡色像差之不利效應變得明顯，藉此限制可達成之空間解析度。射束之能量分散引起色像差。可運用單色器來縮減此分散。

下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對實施例之基本理解。此概述並非所有預期實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或決定性要素，亦不意欲描繪任何或所有實施例之範疇。其唯一目的在於將一或多個實施例之一些概念以簡化形式呈現為稍後呈現之更詳細描述的序言。

根據一實施例之一態樣，揭示一種用於使用包括超材料吸收器之一單色器來縮減一電子束中之電子之能量分散的設備及方法。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於窄化一電子束之一能量分散之設備，該設備包含界定沿著該電子束之一路徑之一部分延伸的一空腔之結構，該空腔具有一內部表面，及提供於該內部表面上之一超材料吸收器。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一介電材料之一層，其中一透明導電材料之層可具備複數個吸收結構。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層可具備複數個吸收結構。該等吸收結構可為超材料完美吸收器。該等吸收結構可為電漿子結構。該等吸收結構可經組態以共振地吸收電磁能量。該等吸收結構可至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中。該等吸收結構可在透明導電材料之該層之頂部上被製作。該等吸收結構可經印刷於透明導電材料之該層上。該等吸收結構可包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。該等吸收結構可包含石墨烯。該等吸收結構可包含複數個石墨烯薄片。該等吸收結構可包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。該等吸收結構可以一週期性陣列配置。該週期性陣列之節距可經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。該透明導電材料可包括氧化銦錫。該透明導電材料可包括摻雜氧化鋅。該透明導電材料可包括碳奈米管。該透明導電材料可包含一非晶材料。該透明導電材料可包括一摻雜透明半導體。該透明導電材料可包括一導電聚合物。該透明導電材料可包括包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。一導電材料之該塗層可包括金。一導電材料之該塗層可包括鋁。一導電材料之該塗層可包括鈦。一導電材料之該塗層可包括鉻。該結構可包括一大體上圓柱形柱。由該電子束橫穿之該柱之部分的一長度可經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。該大體上圓柱形柱可包括一導電材料。該導電材料可包括金。該導電材料可包括銀。該電子束可沿著該柱之一中心軸傳播。該大體上圓柱形柱之半徑可在該電子束傳播之一方向上減小。該等吸收結構之尺寸或節距可在該電子束傳播之一方向上變化。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於產生一大體上單色電子束之設備，該設備包含：一電子束之一源；一單色器，其包含經配置以與該電子束相互作用以產生一大體上單色電子束之一超材料吸收器；一物鏡，其經配置以聚焦該大體上單色電子束。該單色器可包括界定具有一內部表面之一空腔之一結構，及提供於該內部表面上之一超材料吸收器。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一介電材料之一層，其中一透明導電材料之層可具備複數個吸收結構。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層可具備複數個吸收結構。該等吸收結構可為超材料完美吸收器。該等吸收結構可為電漿子結構。該等吸收結構可經組態以共振地吸收電磁能量。該等吸收結構可至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中。該等吸收結構可在透明導電材料之該層之頂部上被製作。該等吸收結構可經印刷於透明導電材料之該層上。該等吸收結構可包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。該等吸收結構可包含石墨烯。該等吸收結構可包含複數個石墨烯薄片。該等吸收結構可包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。該等吸收結構可以一週期性陣列配置。該週期性陣列之節距可經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。該透明導電材料可包括氧化銦錫。該透明導電材料可包括摻雜氧化鋅。該透明導電材料可包括碳奈米管。該透明導電材料可包含一非晶材料。該透明導電材料可包括一摻雜透明半導體。該透明導電材料可包括一導電聚合物。該透明導電材料可包括包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。一導電材料之該塗層可包括金。一導電材料之該塗層可包括鋁。一導電材料之該塗層可包括鈦。一導電材料之該塗層可包括鉻。該結構可包括一大體上圓柱形柱。由該電子束橫穿之該柱之部分的一長度可經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。該大體上圓柱形柱可包括一導電材料。該導電材料可包括金。該導電材料可包括銀。該電子束可沿著該柱之一中心軸傳播。該大體上圓柱形柱之半徑可在該電子束傳播之一方向上減小。該等吸收結構之尺寸或節距可在該電子束傳播之一方向上變化。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於產生一大體上單色電子束之設備，該設備包含：一第一孔徑，其經配置以阻礙該電子束之一部分以產生一經修改電子束；至少一個電磁聚光透鏡，其經配置以使該經修改電子束準直以產生一準直電子束；一第二孔徑，其經配置以阻礙該準直電子束之一部分以產生一經修改準直電子束；一被動式單色器，其包含經配置以與該經修改準直電子束相互作用以窄化該電子束之一能量分散的一超材料吸收器；及一物鏡，其經配置以聚焦來自該被動式單色器之該電子束。該被動式單色器可包括界定具有一內部表面之一空腔之一結構，及提供於該內部表面上之一超材料吸收器。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一介電材料之一層，其中一透明導電材料之層可具備複數個吸收結構。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層可具備複數個吸收結構。該等吸收結構可為超材料完美吸收器。該等吸收結構可為電漿子結構。該等吸收結構可經組態以共振地吸收電磁能量。該等吸收結構可至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中。該等吸收結構可在透明導電材料之該層之頂部上被製作。該等吸收結構可經印刷於透明導電材料之該層上。該等吸收結構可包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。該等吸收結構可包含石墨烯。該等吸收結構可包含複數個石墨烯薄片。該等吸收結構可包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。該等吸收結構可以一週期性陣列配置。該週期性陣列之節距可經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。該透明導電材料可包括氧化銦錫。該透明導電材料可包括摻雜氧化鋅。該透明導電材料可包括碳奈米管。該透明導電材料可包含一非晶材料。該透明導電材料可包括一摻雜透明半導體。該透明導電材料可包括一導電聚合物。該透明導電材料可包括包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。一導電材料之該塗層可包括金。一導電材料之該塗層可包括鋁。一導電材料之該塗層可包括鈦。一導電材料之該塗層可包括鉻。該結構可包括一大體上圓柱形柱。由該電子束橫穿之該柱之部分的一長度可經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。該大體上圓柱形柱可包括一導電材料。該導電材料可包括金。該導電材料可包括銀。該電子束可沿著該柱之一中心軸傳播。該大體上圓柱形柱之半徑可在該電子束傳播之一方向上減小。該等吸收結構之尺寸或節距可在該電子束傳播之一方向上變化。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於窄化一電子束之一能量分散之設備，該設備包含：界定沿著該電子束之一路徑之一部分延伸的一空腔之結構，該空腔具有一內部表面，該內部表面適於吸收來自該電子束中之電子之能量以窄化該電子束之一能量分散。該內部表面可包括一超材料吸收器。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一介電材料之一層，其中一透明導電材料之層可具備複數個吸收結構。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層可具備複數個吸收結構。該等吸收結構可為超材料完美吸收器。該等吸收結構可為電漿子結構。該等吸收結構可經組態以共振地吸收電磁能量。該等吸收結構可至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中。該等吸收結構可在透明導電材料之該層之頂部上被製作。該等吸收結構可經印刷於透明導電材料之該層上。該等吸收結構可包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。該等吸收結構可包含石墨烯。該等吸收結構可包含複數個石墨烯薄片。該等吸收結構可包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。該等吸收結構可以一週期性陣列配置。該週期性陣列之節距可經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。該透明導電材料可包括氧化銦錫。該透明導電材料可包括摻雜氧化鋅。該透明導電材料可包括碳奈米管。該透明導電材料可包含一非晶材料。該透明導電材料可包括一摻雜透明半導體。該透明導電材料可包括一導電聚合物。該透明導電材料可包括包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。一導電材料之該塗層可包括金。一導電材料之該塗層可包括鋁。一導電材料之該塗層可包括鈦。一導電材料之該塗層可包括鉻。該結構可包括一大體上圓柱形柱。由該電子束橫穿之該柱之部分的一長度可經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。該大體上圓柱形柱可包括一導電材料。該導電材料可包括金。該導電材料可包括銀。該電子束可沿著該柱之一中心軸傳播。該大體上圓柱形柱之半徑可在該電子束傳播之一方向上減小。該等吸收結構之尺寸或節距可在該電子束傳播之一方向上變化。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種縮減一電子束中之一能量分佈之一寬度之方法，該方法包含以下步驟：使該射束通過由沿著該射束之一路徑延伸的一結構所界定之一空間體積，表面具備經配置以吸收來自該等電子之能量之一超材料吸收器。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層可具備複數個吸收結構。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一介電材料之一層，其中一透明導電材料之層可具備複數個吸收結構。該超材料吸收器可包括該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層可具備複數個吸收結構。該等吸收結構可為超材料完美吸收器。該等吸收結構可為電漿子結構。該等吸收結構可經組態以共振地吸收電磁能量。該等吸收結構可至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中。該等吸收結構可在透明導電材料之該層之頂部上被製作。該等吸收結構可經印刷於透明導電材料之該層上。該等吸收結構可包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。該等吸收結構可包含石墨烯。該等吸收結構可包含複數個石墨烯薄片。該等吸收結構可包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。該等吸收結構可以一週期性陣列配置。該週期性陣列之節距可經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。該透明導電材料可包括氧化銦錫。該透明導電材料可包括摻雜氧化鋅。該透明導電材料可包括碳奈米管。該透明導電材料可包含一非晶材料。該透明導電材料可包括一摻雜透明半導體。該透明導電材料可包括一導電聚合物。該透明導電材料可包括包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。一導電材料之該塗層可包括金。一導電材料之該塗層可包括鋁。一導電材料之該塗層可包括鈦。一導電材料之該塗層可包括鉻。該結構可包括一大體上圓柱形柱。由該電子束橫穿之該柱之部分的一長度可經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。該大體上圓柱形柱可包括一導電材料。該導電材料可包括金。該導電材料可包括銀。該電子束可沿著該柱之一中心軸傳播。該大體上圓柱形柱之半徑可在該電子束傳播之一方向上減小。該等吸收結構之尺寸或節距可在該電子束傳播之一方向上變化。

下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。

現在將詳細參考例示性實施例，在隨附圖式中說明該等例示性實施例之實例。以下描述參考隨附圖式，其中除非另外表示，否則不同圖式中之相同編號表示相同或相似元件。例示性實施例之以下描述中所闡述之實施並不表示符合本發明之所有實施。取而代之，其僅僅為符合關於所附申請專利範圍中所敍述之本發明的態樣之系統、設備及方法之實例。出於清楚起見，圖式中之組件的相對尺寸可被誇示。

電子器件係由形成於被稱為基板之矽塊上的電路構成。許多電路可一起形成於同一矽塊上且被稱為積體電路或IC。此等電路之大小已顯著地減小，使得電路中之許多電路可適配於基板上。舉例而言，智慧型手機中之IC晶片可與拇指甲一樣小且仍可包括超過20億個電晶體，每一電晶體之大小小於人類毛髮之大小的1/1000。

製造此等極小IC為常常涉及數百個個別步驟之複雜、耗時且昂貴之程序。甚至一個步驟中之錯誤亦具有導致成品IC中之缺陷的可能，該等缺陷使得成品IC為無用的。因此，製造程序之一個目標為避免此類缺陷以使在程序中製造之功能性IC的數目最大化，亦即改良程序之總良率。

改良良率之一個組分為監測晶片製造程序，以確保其正生產足夠數目個功能性積體電路。監測該程序之一種方式為在晶片電路結構形成之各個階段處檢測晶片電路結構。可使用掃描電子顯微鏡(SEM)來進行檢測。SEM可用以實際上將此等極小結構成像，從而獲取該等結構之「圖像」。影像可用以判定結構是否適當形成，且亦判定結構是否形成於適當部位中。若結構為有缺陷的，則程序可經調整，使得缺陷不大可能再現。

顧名思義，SEM使用電子束，此係因為此類射束可用以看見過小而無法由光學顯微鏡(亦即，使用光之顯微鏡)看見之結構。電子束中之電子將並非全部具有確切相同的能量。取而代之，將存在能量之分散，其有時被稱作ΔE。然而，當獲得SEM影像時，需要使用具有儘可能接近之能量的電子。換言之，需要使ΔE儘可能小。所有電子具有幾乎相同能量之射束被稱作單色的。相似地，使射束之能量分散較小之器件被稱作單色器。

單色器通常將具有不同能量之電子分離，且使用隙縫以選擇具有適當能量之電子且阻擋其他電子，亦即，隙縫允許通過具有所要能量之電子且阻擋不具有適當能量之電子。在此單色器中，分離且捨棄具有不同能量之電子且僅選擇具有所要能量之電子之小部分，從而產生僅包括所產生電子之一部分之電子束。使用此單色器改良成像解析度之成本因此會損失電子束中之大多數電子，從而導致SEM之產出率縮減。解決此問題之一種方式為保留所有的電子但降低其中一些的速度，使得其皆具有大約相同的能量。通常，此需要使電子通過不同的電場，此情形添加了複雜性。將有利的是能夠使用被動地縮減電子能量(亦即不必強加外部電場)之器件使較快電子減速使得電子之速度匹配。

典型單色器之設計可在達成單色電子方面引入障礙。舉例而言，若單色器之直徑大，則負責縮減能量分散之物理程序變得弱，而需要較長的SEM柱以在射束傳播通過該柱時操控該射束。另一方面，若縮減直徑以增強物理效應，則其可導致透射損失或繞射效應。此外，在SEM柱之內壁內部單色器之製造可具有挑戰性且限定對SEM之內壁上之吸收結構的替代。

在本申請案中之揭示內容的一些實施例中，提供一種系統，其包括吸收器，該吸收器有效地吸走電子能量，其方式為使得電子皆最終獲得大約相同量的能量。當然，此為簡單化描述，且下文更完整及精確地闡述實際細節。在此類系統之一些實施例中，吸收器可提供於圓筒之內部表面上，電子通過該圓筒以形成電子束。為了促進吸收器自過度高能電子吸收能量，電子需要足夠接近地通過吸收器，此在圓筒設計方面產生挑戰，此係因為可需要使圓筒之直徑足夠小使得大體上所有電子在吸收器之某一小距離內通過。

在其他實施例中，為了促進使電子足夠接近地通過吸收器，可將電子導引至鏡面板且可將吸收器安裝於鏡面板上。鏡面板可為經組態以校正一或若干電子束中之像差之可程式化鏡面板。鏡面板中之每一像素連接至電壓，該電壓經組態以致使鏡面板產生經組態以校正射束之像差之電場。隨著射束之電子接近鏡面板，其亦接近安裝於鏡面板上之吸收器。由鏡面板產生之電場排斥電子以便校正像差。另外，電子在被反射之前足夠接近地通過吸收器使得發生由吸收器進行之所要能量吸收，結果為大體上所有的反射電子具有相似能量。

為了增強SEM系統之效能，將需要在不縮減射束電流的情況下且在不抑制SEM系統之操作靈活性的情況下校正像差。舉例而言，可需要維持SEM系統之參數之廣泛範圍之可調性，該等參數諸如初級射束能量、射束開度角及到達偵測器之二次電子之能量。

在不限制本發明之範疇的情況下，實施例之描述及圖式可被例示性稱作使用電子束。然而，實施例並未用以將本發明限制至特定帶電粒子。舉例而言，用於射束成形之系統及方法可適用於光子、x射線及離子等。此外，術語「射束」可指初級電子束、初級電子小射束、二次電子束或二次電子小射束以及其他。

如本文中所使用，除非另外特定陳述，否則術語「或」涵蓋所有可能組合，除非不可行。舉例而言，若陳述組件可包括A或B，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或A及B。作為第二實例，若陳述組件可包括A、B或C，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或C，或A及B，或A及C，或B及C，或A及B及C。

在[實施方式]中及在[申請專利範圍]中，可使用術語「向上」、「向下」、「頂部」、「底部」、「豎直」、「水平」及類似術語。除非另外如所指示所預期，否則此等術語僅意欲展示相對定向且並非展示任何絕對定向，諸如相對於重力之定向。類似地，諸如左、右、前、後等之術語意欲僅給出相對定向。

現在參看圖1，其說明符合本發明之一些實施例的例示性電子束檢測(EBI)系統10。如圖1中所展示，EBI系統10包括主腔室11、裝載/鎖定腔室20、電子束工具100及設備前端模組(EFEM) 30。電子束工具100位於主腔室11內。

EFEM 30包括第一裝載埠30a及第二裝載埠30b。EFEM 30可包括額外裝載埠。第一裝載埠30a及第二裝載埠30b可例如收納含有待檢測之晶圓(例如，半導體晶圓或由其他材料製成之晶圓)或樣本的晶圓前開式單元匣(FOUP) (晶圓及樣本可在下文中被集體地稱作「晶圓」)。EFEM 30中之一或多個機器人臂(圖中未繪示)可將晶圓運送至裝載/鎖定腔室20。

裝載/鎖定腔室20連接至裝載/鎖定真空泵系統(圖中未繪示)，該裝載/鎖定真空泵系統移除裝載/鎖定腔室20中之氣體分子以達到低於大氣壓力之第一壓力。在達到第一壓力之後，一或多個機器人臂(圖中未繪示)可將晶圓自裝載/鎖定腔室20運送至主腔室11。主腔室11連接至主腔室真空泵系統(圖中未繪示)，該主腔室真空泵系統移除主腔室11中之氣體分子以達到低於第一壓力之第二壓力。在達到第二壓力之後，晶圓經受電子束工具100之檢測。電子束工具100可為單射束系統、多射束系統或多柱系統或此等系統之組合。控制器19電子地連接至電子束工具100。雖然控制器19在圖1中被展示為在包括主腔室11、裝載/鎖定腔室20及EFEM 30之結構之外，但應瞭解，控制器19可為該結構之部分。

雖然本發明提供容納電子束檢測系統之主腔室11的實例，但應注意，本發明之態樣在其最廣泛意義上而言不限於容納電子束檢測系統之腔室。實情為，應瞭解，亦可將本文中所論述之原理應用於在第二壓力下操作之其他工具。

圖2說明可為圖1之EBI系統之部分的例示性電子束工具100A。電子束工具100A (在本文中亦被稱作「設備100A」)包含電子源101、槍孔徑板171、聚光透鏡110、源轉換單元120、初級投影光學系統130、二次成像系統150，及電子偵測器件140M。初級投影光學系統130可包含物鏡131。具有樣本表面7之樣本1可提供於可移動載物台(圖中未繪示)上。電子偵測器件140M可包含複數個偵測元件140_1、140_2及140_3。射束分離器160及偏轉掃描單元132可置放於初級投影光學系統130內部。

電子源101、槍孔徑板171、聚光透鏡110、源轉換單元120、射束分離器160、偏轉掃描單元132及初級投影光學系統130可與設備100A之主光軸100_1對準。二次成像系統150及電子偵測器件140M可與設備100A之副光軸150_1對準。

電子源101可包含陰極(圖中未繪示)及提取器或陽極(圖中未繪示)，其中在操作期間，電子源101經組態以自陰極發射初級電子且藉由提取器或陽極提取或加速初級電子以形成初級電子束102，該初級電子束形成初級射束交越(虛擬或真實的) 101s。初級電子束102可被視覺化為自初級射束交越101s發射。

源轉換單元120可包含影像形成元件陣列(圖2中未展示)及射束限制孔徑陣列(圖2中未展示)。影像形成元件陣列可包含複數個微偏轉器或微透鏡，該複數個微偏轉器或微透鏡可影響初級電子束102之複數個初級小射束102_1、102_2、102_3且形成初級射束交越101s之複數個平行影像(虛擬或真實的)，一個影像係關於初級小射束102_1、102_2、102_3中之每一者。射束限制孔徑陣列可經組態以限制個別初級小射束102_1、102_2及102_3之直徑。圖2展示三個初級小射束102_1、102_2及102_3作為一實例，且應瞭解，源轉換單元120可經組態以形成任何數目個初級小射束。舉例而言，源轉換單元120可經組態以形成初級小射束之3×3陣列。源轉換單元120可進一步包含經組態以補償探測光點102_1S、102_2S及102_3S之像差之像差補償器陣列。在一些實施例中，像差補償器陣列可包括具有微透鏡之場彎曲補償器陣列，該等微透鏡分別經組態以補償探測光點102_1S、102_2S及102_3S之場彎曲像差。在一些實施例中，像差補償器陣列可包括具有微像散校正器之像散補償器陣列，該等微像散校正器分別經組態以補償探測光點102_1S、102_2S及102_3S之像散像差。在一些實施例中，影像形成元件陣列、場彎曲補償器陣列及像散補償器陣列可分別包含多層微偏轉器、微透鏡及微像散校正器。

聚光透鏡110經組態以聚焦初級電子束102。聚光透鏡110可經進一步組態以藉由使聚光透鏡110之聚焦倍率變化而調整源轉換單元120下游的初級小射束102_1、102_2及102_3之電流。小射束102_1、102_2及102_3可藉此具有可由聚光透鏡110改變之聚焦狀態。替代地，可藉由變更射束限制孔徑陣列內之對應於個別初級小射束的射束限制孔徑之徑向大小來改變電流。因此，小射束之電流可在沿著小射束之軌跡的不同部位處不同。小射束電流可經調整以使得在樣本表面上之小射束之電流(例如探測光點電流)經設定為所要量。

聚光透鏡110可為可經組態以使得其第一主面之位置可移動的可移動聚光透鏡。可移動聚光透鏡可經組態為磁性的或靜電的或電磁的(例如化合物)。美國專利第9,922,799號及美國專利申請公開案第2017/0025243號中進一步描述了可移動聚光透鏡，該兩者之全文係併入本文中。在一些實施例中，聚光透鏡可為反旋轉透鏡，其可保持離軸小射束之旋轉角不變同時改變小射束之電流。在一些實施例中，聚光透鏡110可為可移動反旋轉聚光透鏡，其涉及具有可移動第一主平面之反旋轉透鏡。全文係以引用方式併入之國際申請案第PCT/EP2017/084429號中進一步描述了反旋轉或可移動反旋轉聚光透鏡。

物鏡131可經組態以將小射束102_1、102_2及102_3聚焦至樣本1上以供檢測，且在當前實施例中可在表面7上形成三個探測光點102_1S、102_2S及102_3S。槍孔徑板171在操作中經組態以阻擋初級電子束102之周邊電子以縮減庫侖(Coulomb)相互作用效應。庫侖相互作用效應可放大初級小射束102_1、102_2、102_3之探測光點102_1S、102_2S及102_3S中之每一者的大小，且因此使檢測解析度劣化。亦展示射束單色器165，如將在下文更詳細地描述。

偏轉掃描單元132在操作中經組態以使初級小射束102_1、102_2及102_3偏轉以使探測光點102_1S、102_2S及102_3S橫越表面7之區段中之個別掃描區域進行掃描。回應於在探測光點102_1S、102_2S及102_3S處由初級小射束102_1、102_2及102_3照明樣本1，二次電子自樣本1顯現且形成在操作中自樣本1發射之三個二次電子束102_1se、102_2se及102_3se。二次電子射束102_1se、102_2se及102_3se中之每一者通常包含具有不同能量之電子，包括二次電子(具有≤ 50eV之電子能量)及反向散射電子(具有介於50 eV與初級小射束102_1、102_2及102_3之導降能量之間的電子能量)。二次成像系統150隨後將二次電子射束102_1se、102_2se及102_3se聚焦至電子偵測器件140M之偵測元件140_1、140_2及140_3上。偵測元件140_1、140_2及140_3經配置以偵測對應二次電子束102_1se、102_2se及102_3se且產生對應信號，該等信號可經發送至信號處理單元(圖中未繪示)以例如建構樣本1之對應經掃描區域之影像。

圖3說明根據一實施例之一個態樣之配置。在此系統中，電子源101用以產生大量電子101s。孔徑171用以移除不必要的電子使得庫侖相互作用將得以很好地減輕。此產生射束102。聚光透鏡110及112使電子束102準直。與孔徑300一起，聚光透鏡110及112可用以改變射束電流。被動式單色器310 (待用作例如圖2中之單色器165)提供於下方，亦即孔徑300之下游。被動式單色器310之功能為縮減電子束102之能量分散。接著，物鏡131用以將此電子束102聚焦於樣本1上。

圖4A為圖3中所展示之被動式單色器310的部分透視圖。如可看到，被動式單色器310包括界定電子束102所通過之空腔312 (圖4B)之結構。空腔312可為中空的或其可圍封對光或對電子束透明之材料。如所展示，該結構可為大體上圓柱形且具有與電子束102之路徑重合之中心軸。如圖4B (其為沿著線B-B截取之圖4A之配置的橫截面)中所展示，吸收結構314層包圍空腔312，如將在下文更詳細地描述。此吸收結構314層提供於包含例如介電材料或透明導電材料之層316上。透明導電材料將傳導撞擊於層316上之雜散電子使其遠離器件且避免壁充電。在預期雜散電子之通量並不顯著大的情形下，例如若射束足夠準直或當對於帶電粒子束之可能充電不可見時，則可使用介電材料。數字318表示結構之由導電材料製成的外壁。導電材料可包含例如金或銀。

在圖4A之配置中，被動式單色器310之外部組態為大體上圓柱形。然而，對於一些應用，可有益的是依據射束軸上之位置來變更被動式單色器310之半徑，使得被動式單色器310具有其中射束102進入被動式單色器310的第一半徑及其中射束102離開被動式單色器310的第二半徑。在圖5中所展示之實例中，圓周R1大於圓周R2使得被動式單色器310之總組態為截頭圓錐體。此組態可使得被動式單色器310更有效地吸收來自電子束102中之電子之能量。

如上文所提及，被動式單色器310可藉由嵌入吸收結構來實現，該等吸收結構在由構成其之材料及其幾何特徵所判定之波長下共振地吸收電磁能量。歸因於吸收效率幾乎達到100%，此等結構被稱為電漿子/超材料完美吸收器。應注意，此等結構在文獻中及在本申請案中被稱作「完美」吸收器，即使其吸收效率小於100%。

圖6示意性地展示通過具有嵌入於內壁中或耦接至內壁之此等吸收結構314的被動式單色器310之平面。此等吸收結構314可採取多種形式中之任一者，諸如金屬塊、石墨烯薄片或此兩者之組合，其印刷於安置於金屬壁318上之層316之頂上。諸如石墨烯條帶之其他組態亦係已知的且在本發明之範疇內。

圖7為吸收結構314之圖解平面圖且該吸收結構嵌入於一層中或耦接至該層，諸如可為透明電極之層316。在所展示之特定配置中，吸收結構314為石墨烯薄片，但如上文所陳述，可使用其他吸收結構。吸收結構314連同層316包含所謂的完美吸收器或超材料吸收器，亦即經工程設計為有效地吸收電磁輻射之材料。應看到，吸收結構314以具有節距P之週期性陣列形式嵌入於層316中或耦接至層316。除了藉由選擇用於吸收結構314之幾何形狀(形狀及尺寸)及材料來調諧超材料吸收器之效能以外，亦可藉由變更節距P來調諧超材料吸收器之效能。舉例而言，在行之開始，可選擇吸收結構314以與高能電子有效地相互作用且隨後在該行中，可選擇及組態吸收結構以使較低能量電子更有效地減速。圖8展示經實施為金屬塊314之陣列之超材料吸收器。該等塊體在電子束e之傳播方向上在形狀及節距方面變化。

如上文所論述，在一些應用中，需要使用相對於電磁輻射充當介電質但傳導電荷的透明電極。透明導電電極可例如為氧化銦錫、摻雜氧化鋅、碳奈米管、非晶材料、摻雜透明半導體或導電聚合物。透明導電電極可例如為透明材料以及導電材料之塗層，其中該塗層例如為金、鋁、鈦或鉻。

電子之減速係依據電子速度或能量而變化。高能電子與較低能量電子相比，在特定頻率下與電磁模式強烈相互作用。結果，高能電子與較低能量電子相比亦將更多地減速。一旦電子充分減速，其與吸收器之相互作用就將變得很弱，使得電子將停止展現其能量之任何明顯的移位。因此，輸出電子束將具有具大體上相同能量的電子。另外，亦可選擇由電子束橫穿之單色器之部分之長度以便僅造成入射電子減速預定量。

雖然上述配置結合其作為單色器之用途加以描述，但其在不施加減速電位的情況下同樣地用於被動地降頻轉換電子束能量。

一般而言，存在用於超材料吸收結構之許多候選者，其各自具有其自身優點。實務上，由特定應用強加之設計約射束將判定對最佳候選者之選擇。舉例而言，根據一實施例之一個態樣，可需要藉由吸收光學帶或THz帶來使電子減速。超材料吸收器結構可採取石墨烯微帶之形式或甚至可能採取平坦膜之形式。

根據一實施例之另一態樣，揭示使用超材料吸收器以縮減電子束之能量分散之方法。參看圖9，在第一步驟S10中，產生電子束。接著，在步驟S20中，「剪輯」電子束，亦即使其通過孔徑。在步驟S30中，使用具有超材料吸收器之單色器來縮減電子束之能量分散。在步驟S40中，通常使用物鏡來聚焦此時大體上單色的電子束。在步驟S50中，致使經聚焦電子束撞擊於樣本上以運用該電子束照明該樣本。

圖10A說明符合本發明之一些實施例的可為圖1之帶電粒子檢測系統之部分的例示性電子束工具100B。電子束工具100B (在本文中亦被稱作設備100B)包含電子源101、第一透鏡1010、第二透鏡1031、射束分離器1060、可程式化帶電粒子鏡面板1000及電壓控制1050。出於簡單之目的，諸如孔徑及偏轉器之通常存在之其他組件在圖10A中未展示。具有樣本表面1012之樣本1011可提供於可移動載物台(圖中未繪示)上。電子源101、透鏡1010及透鏡1031可與設備100B之主光軸對準。

電子源101可包含陰極(圖中未繪示)及提取器或陽極(圖中未繪示)，其中在操作期間，電子源101經組態以發射來自陰極之初級電子且由提取器或陽極提取或加速初級電子以形成初級電子束，該初級電子束被展示為一系列波前，亦即，多個表面、表面、實的或虛的，在該等波前下振盪相位相同。如可看到，由源101發射之射束之波前被展示為基本上球形。

射束分離器1060、鏡面板1000及電壓控制1050經引入至射束路徑中以校正像差。射束分離器1060、鏡面板1000及電壓控制1050經引入於透鏡之間以預塑形波前使得預塑形及像差之淨效應為較適當聚焦之射束。如下文更詳細地描述應理解，設備100B中之射束分離器1060、鏡面板1000及電壓控制1050之置放僅僅為實例，且射束分離器1060、鏡面板1000及電壓控制1050可被置放於設備100B中之其他位置中。

射束分離器1060可為產生靜電偶極子場及磁偶極子場之韋恩濾波器類型(Wien filter type)的射束分離器。在一些實施例中，由靜電偶極子場對小射束之電子施加的力可與由磁偶極子場對電子施加之力量值相等且方向相對。小射束可因此以零偏轉角直接通過射束分離器1060。然而，由射束分離器1060產生之小射束之總色散亦可為非零。射束分離器1060可將入射小射束引導朝向鏡面板1000且將來自鏡面板1000之反射射束進一步引導至另一方向上。鏡面板1000可校正入射小射束之像差且將經校正小射束朝向射束分離器1060反射。

又，在以下所描述之實例中，主要在校正由透鏡產生之像差方面來描述鏡面板1000。然而，鏡面板1000亦可或替代地用以塑形帶電粒子束。舉例而言，鏡面板1000可用以使在樣本上之射束橫截面輪廓為環形而非點狀。在某些應用中，此可提供諸如用於使接觸孔之側壁成像之優點。作為另一實例，可使射束輪廓在晶圓處較少地發散以產生較大聚焦深度。

在一些實施例中，設備100B可包含與可調整電壓成對之額外光學元件(諸如電極)或與可調整激發成對之磁性光學元件，該等光學元件被置放於鏡面板1000與分離器1060之間以進一步影響電場及磁場以校正像差。複數個驅動器可與電極或磁性光學元件耦接，其中該複數個驅動器中之每一者可經組態以將可調整電壓或調整激發分別提供至對應電極或對應磁性光學元件。與鏡面板1000耦接之額外光學元件可用以校正由透鏡1010或射束分離器1060引起的可能額外像差，比如由多極場引起之彼等像差。舉例而言，在一項實例實施中，鏡面板1000可用以校正旋轉對稱像差或非對稱像差，而額外光學元件可用以校正由多極場引起之非對稱像差。

鏡面板1000可藉由將負或正的總電壓施加於鏡面板1000上而反射鏡面上方之小射束。舉例而言，電壓控制1050可將負的總電壓施加至鏡面板1000以反射來自小射束之電子(或負離子)。在另一實例中，電壓控制1050可將正的總電壓施加至鏡面板1000以反射來自小射束之帶正電荷粒子(或正離子)。使小射束朝向射束分離器1060反射，其中反射小射束經引導至另一方向上且可聚焦於樣本上。圖10A展示成90度彎曲之小射束，且應瞭解，小射束可成其他角度彎曲。此外，鏡面板1000可經進一步組態以僅反射多個小射束中之一者。

在一些實施例中，鏡面板1000及電壓控制1050可經實施於單獨的組件中。在一些其他實施例中，鏡面板1000及電壓控制1050可經實施於單個組件中。

在一些實施中，可提供第二鏡面板以反射已由設備100B內部之鏡面板1000反射之小射束。舉例而言，可將自鏡面板1000反射之小射束導引至實施於設備100B內(諸如射束分離器1060附近)之第二鏡面板。第二鏡面板可將來自射束分離器1060之入射小射束朝向第二射束分離器反射，其中第二射束分離器將反射小射束引導至另一方向上且可聚焦於樣本上。

現在參看圖10B，其為說明符合本發明之一些實施例的可程式化像素化鏡面板1000及電壓控制1050之運行的示意圖。鏡面板1000可包含一組像素1001至1007，該組像素用以塑形接近該組像素之小射束之輪廓。電壓控制1050可包含分別與該組像素1001至1007中之每一者相關聯的一組控制構件1051至1057。每一像素控制構件1051至1057經配置及組態以將信號(例如電壓)施加至關聯像素。鏡面板1000因此可程式化，此係因為可向每一像素或像素群組不同地提供電壓且可視需要改變該等電壓。由像素控制構件1051至1057中之每一者提供之電壓可在鏡面板1000上方產生彎曲等電位平面(自訂電場) 1090。等電位平面1090可判定來自小射束1061之不同部分之電子在何處被反射，且該反射影響由鏡面板1000反射之小射束1061r之形狀及相位。因此，電壓之調整藉由局部地調整小射束1061 (亦即，小射束1061受到等電位平面1090影響的一或多個部位)來控制像差，且使得反射小射束1061r能夠獲得一或若干所要特性，諸如以所要解析度聚焦於樣本上之點處。雖然鏡面板1000經配置為具有七個像素及對應的七個控制構件，但應瞭解，可配置不同數目個像素及控制構件，且該等像素或控制構件可以各種配置中之任一者配置。

在一些實施例中，像素1001至1007及對應的像素控制構件1051至1057可各自經實施於單獨的組件中。在其他實施例中，像素1001至1007及對應的像素控制構件1051至1057可經實施於單個組件中。

像素1001至1007可各自包含矩形形狀。應顯而易見的是，像素可包含其他形狀，諸如六邊形、環形段、正方形、另一合適形狀或此等形狀之組合。舉例而言，小射束常常為旋轉對稱的，因此使用作為環形段共用之像素可提供減少所需之電壓控制及像素之數目之優點。作為另一實例，藉由使用六邊形像素來代替正方形像素，可將更多像素實施於同一區域中。

在一些實施例中，像素之大小或像素1001至1007之形狀可在鏡面板1000上方變化。舉例而言，較小像素可用於需要較精確校正的鏡面板1000之區域中，且可因此提供在校正像差方面的更大準確度。電壓控制1050可將電壓提供至此等對應較小像素中之每一者以提供較準確射束形狀。在一些實施例中，像素1001至1007中之每一者可被唯一地控制。舉例而言，電壓控制可將例如負電壓提供至一些像素以反射與彼等像素相互作用的帶負電荷粒子，且可將正電壓提供至其他像素以吸引可落在為彼例項所偏好之塑形射束之外的帶電粒子。

在一些實施中，鏡面板1000可包括較大像素以使射束塑形更易於控制及實施。舉例而言，較大像素與較小像素相比可各自覆蓋較大區域，且可提供對入射小射束之相似影響(例如諸如反射或吸引)。在一些實施中，鏡面板1000可包括較大及較小像素，其中較大像素可用於被預期一致地反射小射束之鏡面板之部分中，且較小像素可用於預期小射束可與之相互作用之周邊上，以便提供對射束形狀之較多控制。

在一些實施例中，鏡面板1000可彎曲。當鏡面板1000彎曲時，用以校正像差之電壓可縮減。可藉由諸如壓電馬達之機械致動器機械地調整及控制鏡面曲率。

在一些實施例中，經實施於鏡面板1000中之個別像素可藉由使用具有機械可傾斜上表面之個別像素而傾斜。可藉由諸如壓電馬達之機械致動器機械地調整及控制可傾斜像素。傾斜像素可自入射小射束移除帶電粒子且經移除帶電粒子可散射於鏡面板1000與射束分離器之間。傾斜像素可產生用於帶電粒子之不同路徑，其中可使用該不同路徑以運用鏡面板1000與射束分離器之間或該帶電粒子束系統中之別處的射束孔徑將帶電粒子自入射小射束濾出。

在使用期間，使經聚焦電子束橫越樣本之表面進行掃描。在經聚焦電子束遍及大視場之掃描期間，樣本之表面上之源之影像的形狀及強度分佈(例如光點輪廓)可改變。可程式化鏡面板1000之使用藉由動態地組態可程式化鏡面板1000而提供校正或縮減此等掃描效應的能力。如上文所闡述，可程式化鏡面板1000可經組態為具有像素1001至1007及用於每一像素之單獨電壓控制1051至1057的板。使用電壓控制1050以調整像素處之電壓可局部地改變電子波之相位，其中電壓控制1050可將AC電壓提供至像素以藉由不定地反射入射小射束而產生時間相依射束形狀。舉例而言，在像素上方反射之電子波之部分可實現或促進對電子光點(探針)形成之控制。作為一特定實例，使鏡面板電壓與電子束遍及樣本之掃描同步會實現或促進對遍及整個經掃描視場之探針形成之動態控制。在另一實例中，當在樣本上掃描大視場時，與中心相比，小射束之外邊緣中可出現更多像差。藉由將AC電壓施加至鏡面板1000，可更精確地校正小射束之外邊緣中之像差。

在一些實施例中，鏡面板1000可提供使用在鏡面板1000之表面上方在不同方向上係不同的像素電壓分佈。射束分離器1060可將像差加至小射束且該等像差可為不旋轉對稱的，此係因為小射束在一個方向上偏轉。因此，小射束損失了旋轉對稱射束形狀且為了校正形狀，鏡面板可使用在兩個不同方向上之不同像素電壓分佈。

現在參看圖10C，其為說明符合本發明之一些實施例的可程式化像素化鏡面板1100及電壓控制1150之運行以用於校正多射束系統中之不同小射束之不同像差的另一示意圖。鏡面板1100可包含三組像素1101至1105、1111至1115及1121至1125，且電壓控制1150可包含分別與該等組像素中之每一者相關聯的三組控制構件1151至1155、1161至1165及1171至1175。每一像素控制構件1151至1155、1161至1165及1171至1175經配置及組態以將信號(例如電壓)施加至關聯像素。由像素控制構件1151至1155、1161至1165及1171至1175中之每一者提供之電壓可在鏡面板1100上方產生對應的三個彎曲等電位平面1091至1093 (自訂電場)。該等等電位平面可判定來自三個小射束之不同部分之電子在何處被反射，且該反射影響由鏡面板1100反射之小射束中之每一者的形狀及相位。

實施於鏡面板1100中之每一組像素可藉由將不同電壓提供至每一組像素而在鏡面板1100之表面上方不同高度處進一步反射小射束。因此，鏡面板1100可影響多個小射束中之每一者之形狀及相位且將所影響小射束朝向射束分離器以不同角度反射，從而使SEM能夠獲得一或若干所要特性，諸如以所要解析度針對小射束中之每一者聚焦於樣本上之不同點處。此外，除了控制相位以外或代替控制相位，鏡面板1100亦可藉由自入射小射束之部分局部地移除帶電粒子來局部地控制電子波之振幅。鏡面板1100可藉由防止小射束中之帶電粒子朝向射束分離器反射，例如藉由將帶電粒子吸引至像素而非反射帶電粒子從而達成對振幅之控制。

在一些實施例中，鏡面板1100可藉由使用像素上之正電壓而自小射束局部地移除電子。帶正電荷像素可將像素上方之電子朝向鏡面板1100吸引且吸收或散射鏡面板1100之表面上之電子。

鏡面板1100亦可藉由使用像素上之負電壓而移除小射束中之帶正電荷粒子。起源於鏡面板1100之散射粒子或二次電子可在鏡面板1100與射束分離器之間具有不同的路徑，且可藉由將射束孔徑置放於鏡面板1100與射束分離器之間或帶電粒子束系統中之別處的合適部位處而濾出。

針對向特定小射束指派之每一組像素或針對每一鏡面板，像素上方之電壓分佈可不同。在一些實施例中，針對某些組像素或鏡面板之電壓分佈可能相同，以限制所需之單獨電壓控制之數目。

可依據小射束之導降能量來調整像素上方之電壓分佈及總鏡面板電壓，以使能夠校正或縮減與不同導降能量相關的不同電子束系統設定下之像差。可依據小射束在樣本上之位置來調整像素上方之電壓分佈。舉例而言，小射束之位置可為小射束是否自所要射束點離軸或小射束在多大程度上自所要射束點離軸的量度，以最佳化小射束之各個離軸位置處之像差的校正或縮減。

可依據小射束之射束電流來調整像素上方之電壓分佈及總鏡面板電壓，以使能夠校正或縮減與不同小射束電流相關的不同電子束系統設定下之像差。可依據小射束在樣本處之導降角度來調整像素上方之電壓分佈及總鏡面板電壓，以使能夠校正或縮減與不同導降角度相關的不同電子束系統設定下之像差。

可依據樣本處之電場來調整像素上方之電壓分佈及總鏡面板電壓，以使能夠校正或縮減與樣本處之不同電場相關的不同電子束系統設定下之像差。

雖然圖10C之鏡面板1100經配置為具有三組像素及關聯三個控制構件以校正三個小射束之像差，但應瞭解，不同數目組之像素、控制構件及小射束可以各種配置中之任一者配置。

現在參看圖10D，其為說明符合本發明之一些實施例的校正小射束之像差之例示性方法1080的流程圖。可藉由電子束工具(例如圖10A之電子束工具100B)執行方法1080。此外，雖然方法1080描述校正一小射束之像差，但應瞭解，方法1080亦可應用於校正複數個小射束之像差。

在步驟1081中，將小射束導引朝向可程式化帶電粒子鏡面板(例如圖10A之可程式化帶電粒子鏡面板1000)。舉例而言，可由射束分離器(例如圖10A之射束分離器1060)導引小射束。在一些實施例中，控制器(例如圖1之控制器19)可指示射束分離器將小射束導引至可程式化帶電粒子鏡面板。

在步驟1082中，將信號(例如電壓)提供至可程式化帶電粒子鏡面板之像素(例如圖10B之像素1001至1007)。在一些實施例中，此等信號可由電壓控制(例如圖10A之電壓控制1050)提供，其中每一像素可具有對應的電壓控制(例如圖10B之電壓控制1051至1057)。在一些實施例中，所提供信號可為負電壓以反射電子(或負離子)且吸引來自小射束之帶正電荷粒子。在一些實施例中，所提供信號可為正電壓以反射帶正電荷粒子(或正離子)且吸引來自小射束之電子。

像素可包括用以影響經導引小射束之一組像素。舉例而言，該組像素可經組態以塑形接近該組像素的小射束之輪廓。鏡面板中之該組像素中之每一者可具有經組態以在像素中建立電壓之單獨的電壓控制。鏡面板因此可程式化，此係因為可向每一像素或像素集合不同地提供電壓且可視需要改變該等電壓。所提供電壓可產生自訂電場(例如圖10B之等電位平面1090)，該自訂電場經判定以塑形小射束輪廓。電壓之調整亦可改變小射束中所包含之電子之相位。

在步驟1083中，藉由可程式化帶電粒子鏡面板反射經塑形小射束以縮減像差。藉由施加至鏡面板上之像素之電壓在鏡面板之表面上方反射小射束。

在一些實施例中，方法1080可進一步包括將經塑形小射束導引至樣本表面(例如圖10A之樣本表面1012)之額外步驟。在到達樣本表面之前，經塑形小射束可受到物鏡(例如圖10A之第二透鏡1031)進一步影響，該物鏡可用以將經塑形小射束聚焦至樣本表面上。

圖11說明符合本發明之一些實施例的可為圖1之帶電粒子檢測系統之部分的例示性電子束工具100C。電子束工具100C (在本文中亦被稱作設備100C)包含射束分離器1060B及吸收組件1200。出於簡單之目的，諸如孔徑及偏轉器之通常存在之其他組件在圖11中未展示。

射束分離器1060B及吸收組件1200被引入至射束路徑中以縮減帶電粒子小射束之能量分散。如下文更詳細地描述應理解，設備100C中之射束分離器1060B及吸收組件1200之置放僅僅為實例，且射束分離器1060B及吸收組件1200可被置放於設備100C中之其他位置中。射束分離器1060B可與圖10A中之射束分離器1060相似地起作用，且可將入射小射束引導朝向吸收組件1200且將來自吸收組件1200之反射射束進一步引導至另一方向上。吸收組件1200可縮減入射小射束之能量分散且將所縮減小射束朝向射束分離器1060B反射。

吸收組件1200可吸收在由構成其之材料及其幾何特徵所判定之波長下的電磁能量。當與入射小射束之較低能量電子進行比較時，入射小射束之較高能電子可在特定頻率下與電磁模式更強烈地相互作用且更多地穿透負電位且變得更接近吸收組件1200。隨著電子變得更接近吸收組件1200，入射小射束之電子與吸收組件1200之間的相互作用可變得更強，且電子可根據該相互作用向朝向吸收組件1200之電磁輻射損失更多的能量。

吸收組件1200可經組態以藉由將電壓供應件連接至吸收組件1200之外部層而經電偏壓以在吸收組件1200上方產生負電位，從而反射入射小射束。當然，此為簡單化描述，且下文在圖12B中更完整及精確地闡述實際細節。

圖12A為吸收組件1200之圖解平面圖。吸收組件1200可包含一組吸收結構1201 (其可相似於圖6之吸收結構314)及層1202 (其可相似於圖6之層316)。吸收結構1201可採取尤其諸如金屬塊或石墨烯薄片之多種形式中之任一者，或此類材料之組合，其嵌入於層1202中或耦接至層1202。藉由選擇幾何形狀(形狀及尺寸)且變更吸收結構1201之間的節距，吸收組件1200可經調諧以取決於電子之導降能量及減速而最大化或最佳化來自該等電子之能量損失。

圖12B為吸收組件1200之橫截面圖。如上文關於圖12A所描述，吸收組件1200可包含一組吸收結構1201、層1202及層1203 (其可相似於圖6之層318)。如圖12B中所展示，吸收結構1201提供於包含例如介電材料或透明導電材料之層1202上。透明導電材料將傳導撞擊於層1202上之雜散電子使其遠離吸收組件1200且避免吸收組件1200充電。舉例而言，層1202可尤其為氧化銦錫、摻雜氧化鋅、碳奈米管、非晶材料、摻雜透明半導體或導電聚合物。層1202可安置於層1203上，該層1203可為導電材料，諸如(例如)金或銀。

吸收組件1200可經組態以藉由將電壓供應件連接至層1203而經電偏壓以在吸收組件1200上方產生電位，從而反射入射小射束。在某些實施例中，吸收結構1201及層1202可具有與層1203相同或大體上相似的電壓，且在吸收組件1200之頂部上產生電場。將足夠高的負或正電壓置於吸收組件1200上可反射來自朝向吸收組件1200行進之射束的帶電粒子。

吸收組件1200可包括結構及層(例如結構1201以及層1202及1203)，該等結構及層提供與圖6至圖8中所展示之結構及層(例如結構314以及層316及318)之功能性相似的功能性，使得吸收組件1200可吸收具有高於某一臨限值之能量的帶電粒子之能量。

在一些實施例中，吸收組件1200可包括其他類型之層，諸如多個金屬層及介電層。

圖13為說明符合本發明之一些實施例的吸收組件1300及可程式化像素化鏡面板1301之級聯構造之運行的示意圖。該級聯構造可經實施於電子束工具100D (在本文中亦被稱作設備100D)中。該級聯構造可包含第一射束分離器1360C、第二射束分離器1360D、吸收組件1300及鏡面板1301。第一射束分離器1360C可與圖10A中之射束分離器1060相似地起作用，且可將入射小射束引導朝向吸收組件1300且將來自吸收組件1300之反射射束進一步引導至另一方向上。在一些實施例中，第一射束分離器1360C可引導入射小射束以垂直於吸收組件1300落下。吸收組件1300可與圖11中之吸收組件1200相似地起作用，且可藉由縮減入射小射束中之能量分散來操控入射小射束102且反射該經操控小射束。第二射束分離器1360D亦可與圖10A中之射束分離器1060相似地起作用，且可將入射小射束引導朝向1301且將來自鏡面板1301之反射射束進一步引導至另一方向上。

鏡面板1301可與圖10A至圖10C中之鏡面板1000相似地起作用且校正入射小射束之像差，其中該等像差可已由吸收組件1300引入。鏡面板1301可進一步反射經校正小射束。因此，級聯構造可確保校正像差及能量分散兩者。

雖然圖13之級聯構造經配置成使得小射束傳播通過吸收組件1300且接著通過鏡面板1301，但應瞭解，鏡面板及吸收結構可以各種配置中之任一者而配置(諸如鏡面板1301在吸收組件1300之前)。

圖14為說明符合本發明之一些實施例的一組吸收組件1400及可程式化像素化鏡面板1401之組合式構造之運行的示意圖。該組合式構造可經實施於電子束工具100E (在本文中亦被稱作設備100E)中。該組合式構造可包含射束分離器1460、一組吸收組件1400及鏡面板1401。射束分離器1460可與圖10A中之射束分離器1060相似地起作用，且可將入射小射束引導朝向包含一組吸收組件1400及鏡面板1401的組合式結構且將來自組合式結構之反射射束進一步引導至另一方向上。

一或多個吸收組件1400可嵌入於鏡面板1401之頂部中或耦接至鏡面板1401之頂部上。舉例而言，對於鏡面板1401之每一像素可存在不同的吸收組件1400，對於一組像素可存在一吸收組件1400，或對於鏡面板之所有像素可存在一吸收組件1400。在一些實施例中，不同吸收組件可經實施於鏡面板1401之每一像素上。鏡面板1401可取代吸收組件1400之層(諸如圖12B中之層1202)或吸收組件1400之外部層(諸如圖12B中之層1203)。吸收組件1400可與圖11及圖12A至圖12B中之吸收組件1200相似地起作用，且可藉由縮減入射小射束中之能量分散來操控入射小射束。鏡面板1401可與圖10A中之鏡面板1000相似地起作用，且校正入射小射束之像差且反射經校正小射束。吸收組件1400及鏡面板1401可同時地操作以確保校正像差及能量分散兩者。在帶電粒子在由鏡面板1401反射之前足夠接近地通過吸收組件1400使得吸收組件可吸收所要能量的同時，由鏡面板1401產生之電場可排斥入射小射束之帶電粒子以校正像差，結果為大體上所有的反射帶電粒子具有相似的能量。

現在參看圖15，其為說明符合本發明之一些實施例的校正小射束之像差及能量分散之例示性方法1500的流程圖。可藉由電子束工具(例如圖14之電子束工具100E)執行方法1500。此外，雖然方法1500描述校正一小射束之像差及能量分散，但應瞭解，方法1500亦可應用於校正複數個小射束之像差及能量分散。

在步驟1510中，將小射束導引朝向包含吸收組件(例如圖14之吸收組件1400)及可程式化帶電粒子鏡面板(例如圖14之可程式化帶電粒子鏡面板1401)之組合式結構。舉例而言，可由射束分離器(例如圖14之射束分離器1460)導引小射束。雖然圖15之實施例使用可程式化鏡面板，但應瞭解，可使用其他類型之鏡面板。在一些實施例中，控制器(例如圖1之控制器19)可指示射束分離器將小射束導引至組合式結構。

在步驟1520中，將信號(例如電壓)提供至可程式化帶電粒子鏡面板之像素(例如圖10B之像素1001至1007)。在一些實施例中，此等信號可由電壓控制(例如圖10A之電壓控制1050)提供，其中每一像素可具有對應的電壓控制(例如圖10B之電壓控制1051至1057)。在一些實施例中，所提供信號可為負電壓以反射電子(或負離子)且吸引來自小射束之帶正電荷粒子(若存在)。在一些實施例中，所提供信號可為正電壓以反射帶正電荷粒子(或正離子)且吸引來自小射束之電子(若存在)。

像素可包括用以影響經導引小射束之一組像素。舉例而言，該組像素可經組態以塑形接近該組像素的小射束之輪廓。鏡面板中之該組像素中之每一者可具有經組態以在像素中建立電壓之單獨的電壓控制。鏡面板因此可程式化，此係因為可向每一像素或像素集合不同地提供電壓且可視需要改變該等電壓。所提供電壓可產生自訂電場(例如圖10B之等電位平面1090)，該自訂電場經判定以塑形小射束輪廓。電壓之調整亦可改變小射束中所包含之電子之相位。

在步驟1530中，吸收組件(例如圖14之吸收組件1400)可藉由使用吸收結構(例如圖12A及圖12B中之吸收結構1201)縮減來自射束分離器之經導引射束之能量分散來操控該經導引射束。

吸收組件可吸收在由構成其之材料及其幾何特徵所判定之波長下的電磁能量。與入射小射束之較低能量電子相比，入射小射束之較高能電子可在特定頻率下與電磁模式強烈地相互作用。該強相互作用可使得電子更多地穿透負電位且變得更接近吸收組件。隨著電子變得更接近吸收組件，入射小射束之電子與吸收組件之間的相互作用可變得更強，且電子可根據該相互作用向朝向吸收組件之電磁輻射損失更多的能量。

在步驟1540中，由可程式化帶電粒子鏡面板及吸收組件反射經塑形及操控之小射束以縮減像差及能量分散。藉由施加至鏡面板上之像素之電壓在鏡面板之表面上方反射小射束。

在一些實施例中，方法1500可進一步包括將經塑形及操控之小射束導引至樣本表面(例如圖10A之樣本表面1012)的額外步驟。在到達樣本表面之前，經塑形及操控之小射束可受到物鏡(例如圖10A之第二透鏡1031)進一步影響，該物鏡可用以將經塑形及操控之小射束聚焦至樣本表面上。

現在參看圖16，其為說明符合本發明之一些實施例的校正小射束之像差及能量分散之另一例示性方法1600的流程圖。可藉由電子束工具(例如圖13之電子束工具100D)執行方法1600。此外，雖然方法1600描述校正一小射束之像差及能量分散，但應瞭解，方法1600亦可應用於校正複數個小射束之像差及能量分散。

在步驟1610中，將小射束導引朝向吸收組件(例如圖13之吸收組件1300)。舉例而言，可由第一射束分離器(例如圖13之射束分離器1360C)導引小射束。在一些實施例中，控制器(例如圖1之控制器19)可指示第一射束分離器將小射束導引至吸收組件。

在步驟1620中，吸收組件可藉由使用吸收結構(例如圖12A及圖12B中之吸收結構1201)縮減來自第一射束分離器之經導引射束之能量分散來操控該經導引射束。

吸收組件可吸收在由構成其之材料及其幾何特徵所判定之波長下的電磁能量。與入射小射束之較低能量電子相比，入射小射束之較高能電子可在特定頻率下與電磁模式強烈地相互作用。該強相互作用可使得電子更多地穿透負電位且變得更接近吸收組件。隨著電子變得更接近吸收組件，入射小射束之電子與吸收組件之間的相互作用可變得更強，且電子可根據該相互作用向朝向吸收組件之電磁輻射損失更多的能量。

在步驟1630中，由吸收組件將經操控小射束反射至第一射束分離器。吸收組件可經組態以經電偏壓以在吸收組件上方產生負或正電位，從而反射經導引小射束。

在步驟1640中，由第一射束分離器將來自步驟1630之反射小射束導引朝向第二射束分離器(例如圖13之射束分離器1360D)。在一些實施例中，控制器(例如圖1之控制器19)可指示第一射束分離器將小射束導引至第二射束分離器。雖然實施例使用射束分離器進行描述，但應瞭解，另一光學元件可用以導引小射束。

在步驟1650中，將來自步驟1640之經導引小射束導引朝向可程式化帶電粒子鏡面板(例如圖13之可程式化帶電粒子鏡面板1301)。舉例而言，可由第二射束分離器(例如圖13之射束分離器1360D)導引小射束。雖然圖16之實施例使用可程式化鏡面板，但應瞭解，可使用其他類型之鏡面板。在一些實施例中，控制器(例如圖1之控制器19)可指示第二射束分離器將小射束導引至鏡面板。

在步驟1660中，將信號(例如電壓)提供至可程式化帶電粒子鏡面板之像素(例如圖10B之像素1001至1007)。在一些實施例中，此等信號可由電壓控制(例如圖10A之電壓控制1050)提供，其中每一像素可具有對應的電壓控制(例如圖10B之電壓控制1051至1057)。在一些實施例中，所提供信號可為負電壓以反射電子(或負離子)且吸引來自小射束之帶正電荷粒子。在一些實施例中，所提供信號可為正電壓以反射帶正電荷粒子(或正離子)且吸引來自小射束之電子。

像素可包括用以影響可已由吸收結構失真的經導引小射束之一組像素。舉例而言，該組像素可經組態以塑形接近該組像素的小射束之輪廓。鏡面板中之該組像素中之每一者可具有經組態以在像素中建立電壓之單獨的電壓控制。鏡面板因此可程式化，此係因為可向每一像素或像素集合不同地提供電壓且可視需要改變該等電壓。所提供電壓可產生自訂電場(例如圖10B之等電位平面1090)，該自訂電場經判定以塑形小射束輪廓。電壓之調整亦可改變小射束中所包含之電子之相位。

在步驟1670中，由可程式化帶電粒子鏡面板反射經塑形小射束以縮減像差。藉由施加至鏡面板上之像素之電壓在鏡面板之表面上方反射小射束。

在一些實施例中，方法1600可進一步包括將經塑形及經操控之小射束導引至樣本表面(例如圖10A之樣本表面1012)的額外步驟。在到達樣本表面之前，經塑形及操控之小射束可受到物鏡(例如圖10A之第二透鏡1031)進一步影響，該物鏡可用以將經塑形及操控之小射束聚焦至樣本表面上。

在一些實施例中，控制器可控制帶電粒子束系統。控制器可包括電腦處理器。控制器可指示帶電粒子束系統之組件執行各種功能，諸如控制各種驅動器以用於操控一或多個小射束，用於控制射束分離器以導引小射束及用於控制電壓控制以及可程式化帶電粒子鏡面板之對應像素。控制器可包含作為儲存媒體之儲存器，諸如硬碟、雲端儲存器、隨機存取記憶體(RAM)、其他類型之電腦可讀記憶體及其類似者。控制器可與雲端儲存器通信。可提供非暫時性電腦可讀媒體，該非暫時性電腦可讀媒體儲存用於使控制器19之處理器進行波射束成形或與本發明一致的其他功能及方法的指令。常見形式之非暫時性媒體包括例如：軟碟、可撓性磁碟、硬碟、固態磁碟機、磁帶或任何其他磁性資料儲存媒體；CD-ROM；任何其他光學資料儲存媒體；具有孔圖案之任何實體媒體；RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM或任何其他快閃記憶體；NVRAM；快取記憶體；暫存器；任何其他記憶體晶片或卡匣；及其網路化版本。

可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種用於窄化一電子束之一能量分散之設備，該設備包含： 界定沿著該電子束之一路徑之一部分延伸的一空腔之結構，該空腔具有一內部表面；及 提供於該內部表面上之一超材料吸收器。 2. 如條項1所述之設備，其中該超材料吸收器包含該內部表面之至少一部分上之一介電材料之一層，其中一透明導電材料之層具備複數個吸收結構。 3. 如條項1所述之設備，其中該超材料吸收器包含該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層具備複數個吸收結構。 4. 如條項3所述之設備，其中該等吸收結構為超材料完美吸收器。 5. 如條項3所述之設備，其中該等吸收結構為電漿子結構。 6. 如條項3所述之設備，其中該等吸收結構共振地吸收電磁能量。 7. 如條項3所述之設備，其中該等吸收結構至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中或耦接至透明導電材料之該層。 8. 如條項3所述之設備，其中該等吸收結構在透明導電材料之該層之頂部上被製作。 9. 如條項3所述之設備，其中該等吸收結構經印刷於透明導電材料之該層上。 10.      如條項3所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。 11.      如條項3所述之設備，其中該等吸收結構包含石墨烯。 12.      如條項3所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個石墨烯薄片。 13.      如條項3所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。 14.      如條項3所述之設備，其中該等吸收結構以一週期性陣列配置。 15.      如條項14所述之設備，其中該週期性陣列之一節距經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。 16.      如條項3所述之設備，其中該透明導電材料包含氧化銦錫。 17.      如條項3所述之設備，其中該透明導電材料包含摻雜氧化鋅。 18.      如條項3所述之設備，其中該透明導電材料包含碳奈米管。 19.      如條項3所述之設備，其中該透明導電材料包含一非晶材料。 20.      如條項3所述之設備，其中該透明導電材料包含一摻雜透明半導體。 21.      如條項3所述之設備，其中該透明導電材料包含一導電聚合物。 22.      如條項3所述之設備，其中該透明導電材料包含：包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。 23.      如條項22所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含金。 24.      如條項22所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鋁。 25.      如條項22所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鈦。 26.      如條項22所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鉻。 27.      如條項1所述之設備，其中該結構包含一大體上圓柱形柱。 28.      如條項27所述之設備，其中由該電子束橫穿之該柱之一部分的一長度經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。 29.      如條項27所述之設備，其中該大體上圓柱形柱包含一導電材料。 30.      如條項29所述之設備，其中該導電材料包含金。 31.      如條項29所述之設備，其中該導電材料包含銀。 32.      如條項28所述之設備，其中該電子束沿著該柱之一中心軸傳播。 33.      如條項28所述之設備，其中該大體上圓柱形柱之半徑在該電子束傳播之一方向上減小。 34.      如條項3所述之設備，其中該等吸收結構之尺寸在該電子束傳播之一方向上變化。 35.      一種用於產生一大體上單色電子束之設備，該設備包含： 一電子束之一源； 一單色器，其包含經配置以與該電子束相互作用以產生一大體上單色電子束之一超材料吸收器；及 一物鏡，其經配置以聚焦該大體上單色電子束。 36.      如條項35所述之設備，其中該單色器包含：界定具有一內部表面之一空腔之一結構，及提供於該內部表面上之一超材料吸收器。 37.      如條項36所述之設備，其中該超材料吸收器包含該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層具備複數個吸收結構。 38.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構為超材料完美吸收器。 39.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構包含電漿子吸收器。 40.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構共振地吸收電磁能量。 41.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中或耦接至透明導電材料之該層。 42.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構在透明導電材料之該層之頂部上被製作。 43.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構經印刷於透明導電材料之該層上。 44.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。 45.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構包含石墨烯。 46.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個石墨烯薄片。 47.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。 48.      如條項37所述之設備，其中該等吸收結構以一週期性陣列配置。 49.      如條項48所述之設備，其中該週期性陣列之一節距經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。 50.      如條項37所述之設備，其中該透明導電材料包含氧化銦錫。 51.      如條項37所述之設備，其中該透明導電材料包含摻雜氧化鋅。 52.      如條項37所述之設備，其中該透明導電材料包含碳奈米管。 53.      如條項37所述之設備，其中該透明導電材料包含一非晶材料。 54.      如條項37所述之設備，其中該透明導電材料包含一摻雜透明半導體。 55.      如條項37所述之設備，其中該透明導電材料包含一導電聚合物。 56.      如條項37所述之設備，其中該透明導電材料包含：包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。 57.      如條項56所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含金。 58.      如條項56所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鋁。 59.      如條項56所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鈦。 60.      如條項56所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鉻。 61.      如條項36所述之設備，其中該結構包含一柱，該柱包含一導電材料。 62.      如條項61所述之設備，其中該導電材料包含金。 63.      如條項61所述之設備，其中該導電材料包含銀。 64.      如條項61所述之設備，其中該柱為大體上圓柱形。 65.      如條項61所述之設備，其中由該電子束橫穿之該柱之一部分的一長度經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。 66.      如條項64所述之設備，其中該電子束沿著該柱之一中心軸傳播。 67.      如條項66所述之設備，其中該柱之半徑在該電子束傳播之一方向上減小。 68.      如條項36所述之設備，其中該等吸收結構之幾何屬性在該電子束傳播之一方向上變化。 69.      一種用於產生一大體上單色電子束之設備，該設備包含： 一第一孔徑，其經配置以阻礙該電子束之一部分以產生一經修改電子束； 至少一個電磁聚光透鏡，其經配置以使該經修改電子束準直以產生一準直電子束； 一第二孔徑，其經配置以阻礙該準直電子束之一部分以產生一經修改準直電子束； 一被動式單色器，其包含經配置以與該經修改準直電子束相互作用以窄化該電子束之一能量分散的一超材料吸收器；及 一物鏡，其經配置以聚焦來自該被動式單色器之該電子束。 70.      如條項69所述之設備，其中該被動式單色器包含：界定具有一內部表面之一空腔之一結構，及提供於該內部表面上之一超材料吸收器。 71.      如條項70所述之設備，其中該超材料吸收器包含該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層具備吸收結構。 72.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構包含電漿子吸收器。 73.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構共振地吸收電磁能量。 74.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中或耦接至透明導電材料之該層。 75.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構在透明導電材料之該層之頂部上被製作。 76.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構經印刷於透明導電材料之該層上。 77.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。 78.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構包含石墨烯。 79.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個石墨烯薄片。 80.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。 81.      如條項71所述之設備，其中該等吸收結構以一週期性陣列配置。 82.      如條項81所述之設備，其中該週期性陣列之一節距經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。 83.      如條項71所述之設備，其中該透明導電材料包含氧化銦錫。 84.      如條項71所述之設備，其中該透明導電材料包含摻雜氧化鋅。 85.      如條項71所述之設備，其中該透明導電材料包含碳奈米管。 86.      如條項71所述之設備，其中該透明導電材料包含一非晶材料。 87.      如條項71所述之設備，其中該透明導電材料包含一摻雜透明半導體。 88.      如條項71所述之設備，其中該透明導電材料包含一導電聚合物。 89.      如條項71所述之設備，其中該透明導電材料包含：包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。 90.      如條項89所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含金。 91.      如條項89所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鋁。 92.      如條項89所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鈦。 93.      如條項89所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鉻。 94.      如條項70所述之設備，其中該結構包含一柱，該柱包含一導電材料。 95.      如條項94所述之設備，其中該導電材料包含金。 96.      如條項94所述之設備，其中該導電材料包含銀。 97.      如條項94所述之設備，其中該柱為大體上圓柱形。 98.      如條項94所述之設備，其中該電子束沿著該柱之一中心軸傳播。 99.      如條項94所述之設備，其中該柱之半徑在該電子束傳播之一方向上減小。 100.   如條項94所述之設備，其中由該電子束橫穿之該柱之部分的一長度經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。 101.   如條項71所述之設備，其中該等吸收結構之幾何屬性在該電子束傳播之一方向上變化。 102.   一種用於窄化一電子束之一能量分散之設備，該設備包含： 界定沿著該電子束之一路徑之一部分延伸的一空腔之結構，該空腔具有一內部表面，該內部表面適於吸收來自該電子束中之電子之能量以窄化該電子束之一能量分散。 103.   如條項102所述之設備，其中該內部表面包含一超材料吸收器。 104.   如條項103所述之設備，其中該超材料吸收器包含該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層具備吸收結構。 105.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構包含電漿子吸收器。 106.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構共振地吸收電磁能量。 107.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中或耦接至透明導電材料之該層。 108.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構在透明導電材料之該層之頂部上被製作。 109.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構經印刷於透明導電材料之該層上。 110.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。 111.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構包含石墨烯。 112.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個石墨烯薄片。 113.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。 114.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構以一週期性陣列配置。 115.   如條項114所述之設備，其中該週期性陣列之一節距經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。 116.   如條項104所述之設備，其中該透明導電材料包含氧化銦錫。 117.   如條項104所述之設備，其中該透明導電材料包含摻雜氧化鋅。 118.   如條項104所述之設備，其中該透明導電材料包含碳奈米管。 119.   如條項104所述之設備，其中該透明導電材料包含一非晶材料。 120.   如條項104所述之設備，其中該透明導電材料包含一摻雜透明半導體。 121.   如條項104所述之設備，其中該透明導電材料包含一導電聚合物。 122.   如條項104所述之設備，其中該透明導電材料包含：包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。 123.   如條項122所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含金。 124.   如條項122所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鋁。 125.   如條項122所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鈦。 126.   如條項122所述之設備，其中一導電材料之該塗層包含鉻。 127.   如條項102所述之設備，其中該結構包含一柱，該柱包含一導電材料。 128.   如條項127所述之設備，其中該導電材料包含金。 129.   如條項127所述之設備，其中該導電材料包含銀。 130.   如條項127所述之設備，其中該柱為大體上圓柱形。 131.   如條項130所述之設備，其中該電子束沿著該柱之一中心軸傳播。 132.   如條項130所述之設備，其中該柱之半徑在該電子束傳播之一方向上減小。 133.   如條項130所述之設備，其中由該電子束橫穿之該柱之部分的一長度經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。 134.   如條項104所述之設備，其中該等吸收結構之幾何屬性在該電子束傳播之一方向上變化。 135.   一種縮減一電子束中之一能量分佈之一寬度之方法，該方法包含以下步驟：使該射束通過由沿著該射束之一路徑延伸的一結構所界定之一空間體積，該結構具有一表面，該表面具備經配置以吸收來自該等電子之能量之一超材料吸收器。 136.   如條項135所述之方法，其中該超材料吸收器包含該表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層具備複數個吸收結構。 137.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構為超材料完美吸收器。 138.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構為電漿子結構。 139.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構共振地吸收電磁能量。 140.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中或耦接至透明導電材料之該層。 141.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構在透明導電材料之該層之頂部上被製作。 142.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構經印刷於透明導電材料之該層上。 143.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。 144.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構包含石墨烯。 145.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構包含複數個石墨烯薄片。 146.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。 147.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構以一週期性陣列配置。 148.   如條項147所述之方法，其中該週期性陣列之一節距經選擇為達成來自該電子束之能量之最大吸收。 149.   如條項136所述之方法，其中該透明導電材料包含氧化銦錫。 150.   如條項136所述之方法，其中該透明導電材料包含摻雜氧化鋅。 151.   如條項136所述之方法，其中該透明導電材料包含碳奈米管。 152.   如條項136所述之方法，其中該透明導電材料包含一非晶材料。 153.   如條項136所述之方法，其中該透明導電材料包含一摻雜透明半導體。 154.   如條項136所述之方法，其中該透明導電材料包含一導電聚合物。 155.   如條項136所述之方法，其中該透明導電材料包含：包含一透明材料之一本體及一導電材料之塗層。 156.   如條項155所述之方法，其中一導電材料之該塗層包含金。 157.   如條項155所述之方法，其中一導電材料之該塗層包含鋁。 158.   如條項155所述之方法，其中一導電材料之該塗層包含鈦。 159.   如條項155所述之方法，其中一導電材料之該塗層包含鉻。 160.   如條項135所述之方法，其中該結構包含一大體上圓柱形柱。 161.   如條項160所述之方法，其中該大體上圓柱形柱包含一導電材料。 162.   如條項160所述之方法，其中該電子束沿著該柱之一中心軸傳播。 163.   如條項160所述之方法，其中該大體上圓柱形柱之半徑在該電子束傳播之一方向上減小。 164.   如條項160所述之方法，其中由該電子束橫穿之該柱之部分的一長度經選擇為使得該電子束中之電子減速一預定量。 165.   如條項136所述之方法，其中該等吸收結構之尺寸在該電子束傳播之一方向上變化。 166.   一種用於窄化一帶電粒子束之一能量分散之設備，該設備包含： 界定沿著該帶電粒子束之一路徑之一部分延伸的一空腔之結構，該空腔具有一內部表面；及 提供於該內部表面上之一超材料吸收器。 167.   如條項166所述之設備，其中該超材料吸收器包含該內部表面之至少一部分上之一介電材料之一層，其中一透明導電材料之層具備複數個吸收結構。 168.   如條項166所述之設備，其中該超材料吸收器包含該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層具備複數個吸收結構。 169.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構為超材料完美吸收器。 170.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構為電漿子結構。 171.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構共振地吸收電磁能量。 172.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中或耦接至透明導電材料之該層。 173.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構在透明導電材料之該層之頂部上被製作。 174.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構經印刷於透明導電材料之該層上。 175.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。 176.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構包含石墨烯。 177.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個石墨烯薄片。 178.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。 179.   如條項168所述之設備，其中該等吸收結構以一週期性陣列配置。 180.   一種縮減一帶電粒子束中之一能量分佈之一寬度之方法，該方法包含以下步驟：使該射束通過由沿著該射束之一路徑延伸的一結構所界定之一空間體積，該結構具有一表面，該表面具備經配置以吸收來自該等帶電粒子之能量之一超材料吸收器。 181.   一種設備，其包含： 一第一組像素，其經組態以塑形接近該第一組像素之一第一小射束；及 一第一組像素控制構件，其分別與該第一組像素中之每一者相關聯，每一像素控制構件經配置及經組態以將一信號施加至該關聯像素以用於塑形該第一小射束。 182.   如條項181之設備，其中該第一組像素具有經組態以基於與該第一組像素上方之該第一小射束相關聯之帶電粒子之一反射而調整的一電壓分佈。 183.   如條項181或182中任一項之設備，其中該第一小射束經塑形以造成一像差之一縮減。 184.   如條項181至183中任一項之設備，其中該第一組像素及該第一組像素控制構件經實施於一組件中。 185.   如條項181至183中任一項之設備，其中該第一組像素及該第一組像素控制構件經實施於單獨的組件中。 186.   如條項181至183中任一項之設備，其中該第一組像素中之每一像素及該第一組像素控制構件中之一對應像素控制構件經實施於一組件中。 187.   如條項181至183中任一項之設備，其中該第一組像素中之每一像素及該第一組像素控制構件中之一對應像素控制構件經實施於單獨的組件中。 188.   如條項181至187中任一項之設備，其中該信號觸發該關聯像素以產生用於塑形該第一小射束之一電場。 189.   如條項181至187中任一項之設備，其中該第一組像素經進一步組態以反射該經塑形之第一小射束。 190.   如條項181至189中任一項之設備，其中該信號包含用以使該關聯像素能夠反射該第一小射束之帶負電荷粒子或自該第一小射束移除帶正電荷粒子之一負電壓。 191.   如條項181至190中任一項之設備，其中該第一組像素包含傾斜以自該第一小射束移除帶電粒子之像素之一子集。 192.   如條項181至189中任一項之設備，其中該信號包含用以使該關聯像素能夠反射該第一小射束之帶正電荷粒子或自該第一小射束移除帶負電荷粒子之一正電壓。 193.   如條項181至192中任一項之設備，其中該信號包含用以與該射束遍及一樣本進行掃描同步地塑形該第一小射束之輪廓之AC電壓。 194.   如條項181至193中任一項之設備，其進一步包含： 一第二組像素，其經組態以塑形接近該第二組像素之一第二小射束；及 一第二組像素控制構件，其分別與該第二組像素中之每一者相關聯，每一像素控制構件經配置及經組態以將一信號施加至該關聯像素以用於塑形該第二小射束。 195.   如條項194之設備，其中該第一組像素及該第二組像素為一鏡面板之部分。 196.   如條項194之設備，其中該第一組像素及該第二組像素中之每一者包含一組矩形、六邊形或環形段像素。 197.   如條項194至196中任一項之設備，其中該第一組像素及該第二組像素以一正方形或六邊形圖案配置。 198.   如條項181之設備，其中該第一組像素包含不同大小及形狀的像素。 199.   如條項181之設備，其中該第一組像素安置於一板形構件上，且該板形構件彎曲，該板形構件之曲率係由機械致動器調整。 200.   如條項181之設備，其中該第一組像素控制構件經組態以施加負電壓、零或正電壓以塑形該第一小射束。 201.   如條項181之設備，其中該第一組像素具有經組態以基於與該第一小射束相關聯之帶電粒子之一導降能量而調整的一電壓分佈。 202.   如條項181之設備，其中該第一組像素具有經組態以基於與該第一小射束相關聯之帶電粒子之一電流而調整的一電壓分佈。 203.   如條項181之設備，其中該第一組像素具有經組態以基於一樣本處之一導降角度而調整的一電壓分佈。 204.   如條項181之設備，其中該第一組像素具有經組態以基於一樣本處之一電場之一量值而調整的一電壓分佈。 205.   一種用於操控一帶電粒子小射束之系統，其包含： 帶電粒子之一小射束之一源；及 一可程式化帶電粒子鏡面板，其經配置以接收該小射束且經組態以塑形該小射束。 206.   如條項205之系統，其進一步包含： 帶電粒子之一小射束之一源；及 一可程式化帶電粒子鏡面板，其經配置以接收該小射束且經組態以塑形該小射束。 207.   如條項205之系統，其進一步包含： 複數個電極，其經組態以影響該導引小射束；及 複數個驅動器，其分別與該複數個電極中之每一者相關聯，每一驅動器經組態以提供可調整電壓。 208.   如條項205之系統，其進一步包含： 複數個電磁光學元件，其與可調整激發耦接，經組態以影響該導引小射束；及 複數個驅動器，其分別與該複數個電磁光學元件中之每一者相關聯，每一驅動器經組態以調整該對應電磁光學元件之激發。 209.   如條項205之系統，其進一步包含： 一光學元件，其經組態以將該小射束導引至該可程式化帶電粒子鏡面板， 其中該可程式化帶電粒子鏡面板可經進一步組態以將該經塑形小射束導引至該光學元件。 210.   如條項209之系統，其中該光學元件經組態以接收及導引多個小射束，且該可程式化帶電粒子鏡面板經配置以接收及反射該多個小射束。 211.   如條項205之系統，其中該可程式化帶電粒子鏡面板在該鏡面板中具有複數個受控像素，該多個小射束中之每一者對應於經組態以塑形該對應小射束之一關聯組受控像素。 212.   一種用於塑形帶電粒子之一小射束之方法，該方法包含： 使用一光學元件將帶電粒子之一第一小射束導引朝向一帶電粒子鏡面板；及 使用該帶電粒子鏡面板藉由將信號提供至該帶電粒子鏡面板之一第一組像素以產生一電場來塑形該第一小射束且反射該經塑形小射束。 213.   如條項212之方法，其中將該經塑形小射束導引至該光學元件。 214.   如條項212之方法，其進一步包含： 使用該光學元件將帶電粒子之一第二小射束導引朝向該帶電粒子鏡面板；及 使用該帶電粒子鏡面板藉由將信號提供至該帶電粒子鏡面板之一第二組像素以產生一電場來塑形該第二小射束且將該經塑形小射束反射至該光學元件。 215.   一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一設備之一控制器執行以致使該設備執行用以塑形帶電粒子之一小射束之一方法，該方法包含： 使用一光學元件將帶電粒子之一第一小射束導引朝向一帶電粒子鏡面板；及 使用該帶電粒子鏡面板藉由將信號提供至該帶電粒子鏡面板之一第一組像素以產生一電場來塑形該第一小射束且將該經塑形小射束反射至該光學元件。 216.   如條項215之非暫時性電腦可讀媒體，其中該指令集可由該設備之該控制器執行以致使該設備進一步執行以下操作： 使用該光學元件將帶電粒子之一第二小射束導引朝向該帶電粒子鏡面板；及 藉由將信號提供至該帶電粒子鏡面板之一第二組像素以產生一電場來塑形該第二小射束且由該帶電粒子鏡面板將該經塑形小射束反射至該光學元件。 217.   一種設備，其包含： 一吸收組件，其經組態以藉由吸收電磁能量以縮減一能量分散來操控接近該吸收組件之一小射束；及 一鏡面板，其經組態以塑形該小射束，該鏡面板嵌入或耦接至該吸收組件。 218.   如條項217之設備，其中該吸收組件包含： 一組吸收結構，其經組態以吸收電磁能量；及 一透明導體層，其嵌入或耦接至該組吸收結構，該透明導體層安置於該鏡面板之頂部上。 219.   如條項218之設備，其中該組吸收結構可藉由選擇一形狀及尺寸且變更該等吸收結構之間的一節距來調諧以縮減該小射束之該能量分散。 220.   如條項218之設備，其中該組吸收結構包含複數個石墨烯薄片。 221.   如條項218之設備，其中該組吸收結構包含金屬元件。 222.   如條項218之設備，其中該組吸收結構包含金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。 223.   如條項218之設備，其中透明導體層包含一介電材料。 224.   如條項218之設備，其中透明導體層包含一透明導電材料。 225.   如條項219之設備，其中該透明導電材料將撞擊於該透明導體層上之該小射束之雜散電子傳導遠離該吸收組件且避免該吸收組件充電。 226.   如條項217之設備，其中該鏡面板包含： 一組像素，其經組態以塑形接近該組像素之該小射束；及 一組像素控制構件，其分別與該組像素中之每一者相關聯，每一像素控制構件經配置及經組態以將一信號施加至該關聯像素以用於塑形該小射束。 227.   如條項226之設備，其中該組像素具有經組態以基於與該組像素上方之該小射束相關聯的帶電粒子之一反射而調整的一電壓分佈。 228.   如條項226之設備，其中該小射束經塑形以造成一像差之一縮減。 229.   如條項226之設備，其中該信號觸發該關聯像素以產生用於塑形該小射束之一電場。 230.   如條項226之設備，其中該組像素經進一步組態以反射該經塑形及操控之小射束。 231.   如條項226之設備，其中該組像素之每一像素具有一對應吸收組件。 232.   一種用於操控一帶電粒子小射束之系統，其包含： 帶電粒子之一小射束之一源；及 一吸收組件，其經組態以藉由吸收電磁能量以縮減一能量分散來操控接近該吸收組件之該小射束。 233.   如條項232之系統，其進一步包含： 一可程式化帶電粒子鏡面板，其經配置以接收該小射束且經組態以塑形該小射束，該鏡面板嵌入或耦接至該吸收組件。 234.   如條項232及233中任一項之系統，其進一步包含： 一第一光學元件，其經組態以將該小射束導引至該吸收組件， 其中該吸收組件可經進一步組態以將該經操控小射束導引至該第一光學元件。 235.   如條項234之系統，其中該第一光學元件經組態以接收及導引多個小射束，且該吸收組件經配置以接收及反射該多個小射束。 236.   如條項234之系統，其中該第一光學元件可經進一步組態以將來自該吸收組件之該經操控小射束導引至另一方向上。 237.   如條項233至236中任一項之系統，其進一步包含： 一第二光學元件，其經組態以將該小射束導引至該可程式化帶電粒子鏡面板， 其中該可程式化帶電粒子鏡面板可經進一步組態以將該經塑形小射束導引至該第二光學元件。 238.   如條項237之系統，其中該第二光學元件經組態以接收及導引多個小射束，且該可程式化帶電粒子鏡面板經配置以接收及反射該多個小射束。 239.   如條項237之系統，其中該第二光學元件可經進一步組態以將來自該可程式化帶電粒子鏡面板之該經塑形小射束導引至另一方向上。 240.   如條項237之系統，其中該第二光學元件定位於該第一光學元件的上游。 241.   如條項237之系統，其中該第一光學元件定位於該第二光學元件的上游。 242.   一種用於操控帶電粒子之一小射束之方法，該方法包含： 使用一光學元件將帶電粒子之一小射束導引朝向包含一帶電粒子鏡面板及一吸收組件之一結構； 使用該吸收組件藉由使用該吸收組件之吸收結構以縮減該小射束之一能量分散來操控該小射束；及 使用該帶電粒子鏡面板藉由將信號提供至該帶電粒子鏡面板之一組像素以產生一電場來塑形該小射束且反射該經塑形及經操控之小射束。 243.   如條項242之方法，其中將該經塑形及經操控之小射束導引至該光學元件。 244.   一種用於操控帶電粒子之一小射束之方法，該方法包含： 使用一吸收組件藉由使用該吸收組件之吸收結構以縮減該小射束之一能量分散來操控該小射束；及 使用一帶電粒子鏡面板藉由將信號提供至該帶電粒子鏡面板之一組像素以產生一電場來塑形該小射束且反射該經塑形小射束。 245.   如條項244之方法，其進一步包含使用一第一光學元件將帶電粒子之一小射束導引朝向該吸收組件。 246.   如條項245之方法，其中操控該小射束包含將該經操控小射束反射至該第一光學元件。 247.   如條項246之方法，其進一步包含使用該第一光學元件將自該吸收組件接收到之該小射束導引朝向一下游組件。 248.   如條項245至246中任一項之方法，其進一步包含使用一第二光學元件將該小射束導引朝向該帶電粒子鏡面板。 249.   如條項248之方法，其中該第二光學元件在第一分離器的下游。 250.   如條項248之方法，其中將該經塑形小射束反射至該第二光學元件。 251.   如條項248之方法，其進一步包含使用該第二光學元件將該經塑形小射束導引朝向另一下游組件。 252.   如條項251之方法，其中另一下游組件包含該第一光學元件。 253.   一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一設備之一控制器執行以致使該設備執行用以操控帶電粒子之一小射束之一方法，該方法包含： 使用一光學元件將帶電粒子之一小射束導引朝向包含一帶電粒子鏡面板及一吸收組件之一結構； 使用該吸收組件藉由使用該吸收組件之吸收結構以縮減該小射束之一能量分散來操控該小射束；及 使用該帶電粒子鏡面板藉由將信號提供至該帶電粒子鏡面板之一組像素以產生一電場來塑形該小射束且反射該經塑形及經操控之小射束。 254.   一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一設備之一控制器執行以致使該設備執行用以操控帶電粒子之一小射束之一方法，該方法包含： 使用一吸收組件藉由使用該吸收組件之吸收結構以縮減該小射束之一能量分散來操控該小射束；及 使用一帶電粒子鏡面板藉由將信號提供至該帶電粒子鏡面板之一組像素以產生一電場來塑形該小射束且反射該經塑形小射束。

對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及指導進行解譯。

1:樣本 7:樣本表面 10:電子束檢測(EBI)系統 11:主腔室 19:控制器 20:裝載/鎖定腔室 30:設備前端模組(EFEM) 30a:第一裝載埠 30b:第二裝載埠 100:電子束工具 100A:電子束工具/設備 100B:電子束工具/設備 100C:電子束工具/設備 100D:電子束工具/設備 100E:電子束工具/設備 100_1:主光軸 101:電子源 101s:初級射束交越/電子 102:入射小射束 102_1:初級小射束 102_1S:探測光點 102_1se:二次電子射束 102_2:初級小射束 102_2S:探測光點 102_2se:二次電子射束 102_3:初級小射束 102_3S:探測光點 102_3se:二次電子射束 110:聚光透鏡 112:聚光透鏡 120:源轉換單元 130:初級投影光學系統 131:物鏡 132:偏轉掃描單元 140M:電子偵測器件 140_1:偵測元件 140_2:偵測元件 140_3:偵測元件 150:二次成像系統 150_1:副光軸 160:射束分離器 165:射束單色器 171:槍孔徑板 300:孔徑 310:被動式單色器 312:空腔 314:吸收結構/金屬塊 316:層 318:外壁/金屬壁 1000:可程式化帶電粒子鏡面板 1001:像素 1002:像素 1003:像素 1004:像素 1005:像素 1006:像素 1007:像素 1010:第一透鏡 1011:樣本 1012:樣本表面 1031:第二透鏡 1050:電壓控制 1051:控制構件 1052:控制構件 1053:控制構件 1054:控制構件 1055:控制構件 1056:控制構件 1057:控制構件 1060:射束分離器 1060B:射束分離器 1061:小射束 1061r:小射束 1080:方法 1081:步驟 1082:步驟 1083:步驟 1090:等電位平面 1091:彎曲等電位平面 1092:彎曲等電位平面 1093:彎曲等電位平面 1100:鏡面板 1101:像素 1102:像素 1103:像素 1104:像素 1105:像素 1111:像素 1112:像素 1113:像素 1114:像素 1115:像素 1121:像素 1122:像素 1123:像素 1124:像素 1125:像素 1150:電壓控制 1151:像素控制構件 1152:像素控制構件 1153:像素控制構件 1154:像素控制構件 1155:像素控制構件 1161:像素控制構件 1162:像素控制構件 1163:像素控制構件 1164:像素控制構件 1165:像素控制構件 1171:像素控制構件 1172:像素控制構件 1173:像素控制構件 1174:像素控制構件 1175:像素控制構件 1200:吸收組件 1201:吸收結構 1202:層 1203:層 1300:吸收組件 1301:可程式化像素化鏡面板 1360C:第一射束分離器 1360D:第二射束分離器 1400:吸收組件 1401:鏡面板 1460:射束分離器 1500:方法 1510:步驟 1520:步驟 1530:步驟 1540:步驟 1600:方法 1610:步驟 1620:步驟 1630:步驟 1640:步驟 1650:步驟 1660:步驟 1670:步驟 e:電子束 P:節距 R1:圓周 R2:圓周 S10:步驟 S20:步驟 S30:步驟 S40:步驟 S50:步驟

併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]一起進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。

圖1為說明符合本發明之一些實施例的例示性電子束檢測系統之示意圖。

圖2為說明符合本發明之一些實施例的例示性電子束檢測系統之額外態樣的示意圖。

圖3為說明符合本發明之一些實施例的例示性電子束檢測系統之額外態樣的側視圖。

圖4A為諸如可在圖3之系統中使用的單色器之單色器之部分透視圖；圖4B為沿著線B-B截取之圖4A之橫截面。

圖5為諸如可在圖3之系統中使用的單色器之單色器之部分透視圖。

圖6為圖4A之單色器之橫截面圖。

圖7為根據一實施例之態樣的超材料吸收器之平面圖。

圖8為根據一實施例之態樣的超材料吸收器之平面圖。

圖9為展示根據一實施例之態樣之方法中的例示性步驟之流程圖。

圖10A說明符合本發明之一些實施例的可為圖1之帶電粒子檢測系統之部分的例示性電子束工具。

圖10B為說明符合本發明之一些實施例的可程式化像素化鏡面板及電壓控制之運行的示意圖。

圖10C為說明符合本發明之一些實施例的可程式化像素化鏡面板及電壓控制之運行以用於校正多射束系統中之不同小射束之不同像差的另一示意圖。

圖10D為說明符合本發明之一些實施例的校正小射束之像差之例示性方法的流程圖。

圖11說明符合本發明之一些實施例的可為圖1之帶電粒子檢測系統之部分的例示性電子束工具。

圖12A為符合本發明之一些實施例的圖11之吸收結構之圖解平面圖。

圖12B為符合本發明之一些實施例的圖11之吸收結構之橫截面圖。

圖13為說明符合本發明之一些實施例的吸收結構及可程式化像素化鏡面板之級聯構造之運行的示意圖。

圖14為說明符合本發明之一些實施例的吸收結構及可程式化像素化鏡面板之組合式構造之運行的示意圖。

圖15為說明符合本發明之一些實施例的校正小射束之像差及能量分散之例示性方法的流程圖。

圖16為說明符合本發明之一些實施例的校正小射束之像差及能量分散之另一例示性方法的流程圖。

100E:電子束工具/設備

1400:吸收組件

1401:鏡面板

1460:射束分離器

Claims (15)

1. 一種用於窄化一帶電粒子束之一能量分散之設備，該設備包含： 界定沿著該帶電粒子束之一路徑之一部分延伸的一空腔之結構，該空腔具有一內部表面；及 提供於該內部表面上之一超材料吸收器。
2. 如請求項1之設備，其中該超材料吸收器包含該內部表面之至少一部分上之一介電材料之一層，其中一透明導電材料之層具備複數個吸收結構。
3. 如請求項1之設備，其中該超材料吸收器包含該內部表面之至少一部分上之一透明導電材料之一層，其中一透明導電材料之該層具備複數個吸收結構。
4. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構為超材料完美吸收器。
5. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構為電漿子結構。
6. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構共振地吸收電磁能量。
7. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構至少部分地嵌入於透明導電材料之該層中或耦接至透明導電材料之該層。
8. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構在透明導電材料之該層之頂部上被製作。
9. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構經印刷於透明導電材料之該層上。
10. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形元件，該複數個塊形元件包含一金屬材料。
11. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構包含石墨烯。
12. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構包含複數個石墨烯薄片。
13. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構包含複數個塊形金屬元件及複數個石墨烯薄片之一組合。
14. 如請求項3之設備，其中該等吸收結構以一週期性陣列配置。
15. 一種縮減一帶電粒子束中之一能量分佈之一寬度之方法，該方法包含以下步驟：使該射束通過由沿著該射束之一路徑延伸的一結構所界定之一空間體積，該結構具有一表面，該表面具備經配置以吸收來自該等帶電粒子之能量之一超材料吸收器。

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