TWI771060B

TWI771060B - 軟性顯示面板

Info

Publication number: TWI771060B
Application number: TW110121560A
Authority: TW
Inventors: 江丞偉; 何毅達
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-06-11
Filing date: 2021-06-11
Publication date: 2022-07-11
Also published as: US20220399484A1; US12034106B2; CN114050173A; TW202248838A

Abstract

本揭露提供一種軟性顯示面板，包含基板、複數簍空區、複數顯示單元、複數導線結構及複數隔離件。基板定義出複數島區彼此分隔，以及複數橋區分別連接兩相鄰的島區。各簍空區由相鄰的四個島區與相鄰的四個橋區所圍繞而成。顯示單元分別設置於基板的島區。導線結構分別設置在基板的橋區，且導線結構電性連接顯示單元。各導線結構包含至少一導線層，至少一導線層包含至少一導線，設置於基板上。隔離件接觸設置於基板且分別環設於簍空區，且隔離件與導線結構相分隔，以控制蝕刻尺寸。

Description

軟性顯示面板

本揭露是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種軟性的顯示面板。

隨著電子技術的高度發展，電子產品不斷推陳出新。近年來，由於受限於電子裝置大小與結構，軟性可彎折的顯示面板逐漸引起人們的關注。

然而，當顯示面板在被拉伸的狀態下，可能會因為彎折所產生的應力，而造成顯示面板斷裂。若應力過大，嚴重時更可能造成內部線路的斷路。因此，如何使顯示面板在面臨彎折應力時，能提供結構的穩定性與可彎折性，現有技術實有待改善的必要。

本揭露之一些實施方式提供了一種顯示面板，包含基板、複數簍空區、複數顯示單元、複數導線結構以及複數隔離件。基板包含第一面，並定義出複數島區彼此分隔，以及複數橋區分別連接兩相鄰的島區。各簍空區由相鄰的四個島區與相鄰的四個橋區所圍繞而成。顯示單元分別設置於基板的島區。導線結構分別設置在基板的橋區，且導線結構電性連接顯示單元。各導線結構包含至少一導線層，至少一導線層包含至少一導線，設置於基板的第一面上。隔離件接觸設置於基板的第一面上，隔離件分別環設於簍空區，且隔離件與導線結構相分隔。

在一些實施方式中，導線層更包含緩衝層，設置於基板的第一面上，至少一導線設置於緩衝層上，其中，緩衝層與隔離件相互分隔。

在一些實施方式中，各導線結構更包含保護層，覆蓋至少一導線、緩衝層與部分的基板。

在一些實施方式中，基板為軟性基板，隔離件的材質與緩衝層的材質相同。

在一些實施方式中，隔離件的材質為無機材料。

在一些實施方式中，各隔離件鄰近各簍空區的底角為鈍角。

在一些實施方式中，簍空區由複數第一簍空區及複數第二簍空區組成，其中各第一簍空區沿著第一方向延伸，各第二簍空區沿著第二方向延伸，且第一方向垂直於第二方向；第一簍空區及第二簍空區在第一方向及第二方向上交替排列。

在一些實施方式中，各第一簍空區具有相對的兩個第一圓弧區以及相對的兩個第一側邊，第一圓弧區分別位於各第一簍空區沿著第一方向的兩端，第一側邊分別位於第一圓弧區之間。相鄰於各第一簍空區的第一側邊的各隔離件與各導線結構之間的距離，小於相鄰於各第一簍空區的第一圓弧區的各隔離件與各導線結構之間的距離。

在一些實施方式中，各第二簍空區具有相對的兩個第二圓弧區以及相對的兩個第二側邊，第二圓弧區分別位於各第二簍空區沿著第二方向的兩端，第二側邊分別位於第二圓弧區之間。相鄰於各第二簍空區的第二側邊的各隔離件與各導線結構之間的距離，小於相鄰於各第二簍空區的第二圓弧區的各隔離件與各導線結構之間的距離。

在一些實施方式中，導線層的數量為複數個導線層，導線層依序堆疊。

在一些實施方式中，各導線層更包含緩衝層與保護層，各導線層的至少一導線分別設置於各緩衝層上，各保護層分別覆蓋各導線層的至少一導線與各緩衝層。設置於基板的第一面上的緩衝層與隔離件相互分隔。

在一些實施方式中，基板為軟性基板，隔離件的材質與導線層的緩衝層的其中一者材質相同。

在一些實施方式中，各導線結構更包含至少一薄膜電晶體，與至少一導線電性連接。

在一些實施方式中，導線的數量為複數個導線，導線依序間隔設置在基板的第一面上。

在一些實施方式中，顯示單元包含發光二極體晶片。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

請參閱第1圖及第2圖，第1圖繪示本揭露之一些實施方式之軟性顯示面板的俯視圖，第2圖繪示第1圖沿2-2剖面線的剖面圖。第1圖僅例示軟性顯示面板10的一部分，其他區域為相類似排列而省略未繪示。軟性顯示面板10包括基板100、多個簍空區200、多個顯示單元300、多個導線結構400、以及多個隔離件500。

基板100為軟性基板，具有彈性及可延展性。換言之，基板100可拉伸。在一些實施例中，基板100的材質包括，但不限於聚醯亞胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚碸(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)、或其組合。

基板100包括第一面102及相對於第一面102的第二面104。具體而言，第一面102是朝上的一面、第二面104是朝下的一面。基板100定義出多個島區110以及多個橋區120。島區110彼此分隔，橋區120分別連接兩相鄰的島區110。在一些實施例中，多個島區110以陣列分布。

簍空區200由相鄰的四個島區110與相鄰的四個橋區120所圍繞而成。也可以理解為在基板100上去除了基板100的多個部分，因此在基板100上形成了多個凹槽，即為簍空區200。簍空區200由多個第一簍空區210及多個第二簍空區220組成，其中第一簍空區210沿著第一方向D1延伸，第二簍空區220沿著第二方向D2延伸，且第一方向D1垂直於第二方向D2。第一簍空區210及第二簍空區220在第一方向D1及第二方向D2上交替排列。

在一些實施例中，各第一簍空區210具有相對的兩個第一圓弧區212以及相對的兩個第一側邊214，第一圓弧區212分別位於第一簍空區210沿著第一方向D1的兩端，兩個第一側邊214分別位於兩個第一圓弧區212之間。在一些實施例中，第二簍空區220具有相對的兩個第二圓弧區222以及相對的兩個第二側邊224，兩個第二圓弧區222分別位於第二簍空區220沿著第二方向D2的兩端，兩個第二側邊224分別位於兩個第二圓弧區222之間。具體而言，第一簍空區210沿著第一方向D1延伸，並依序由第一圓弧區212、第一側邊214、第一圓弧區212及第一側邊214圍繞而成。第二簍空區220沿著第二方向D2延伸，並依序由第二圓弧區222、第二側邊224、第二圓弧區222及第二側邊224圍繞而成。

在一些實施例中，第一簍空區210沿著第一方向D1延伸，第二簍空區220沿著第二方向D2延伸。第一簍空區210與第二簍空區220沿著第一方向D1依序間隔設置，第一簍空區210與第二簍空區220亦沿著第二方向D2依序間隔設置。具體而言，第一簍空區210的第一圓弧區212相鄰於第二簍空區220的第二側邊224，且第一圓弧區212與第二側邊224之間間隔一個橋區120。第二簍空區220的第二圓弧區222相鄰於第一簍空區210的第一側邊214，且第二圓弧區222與第一側邊214之間間隔一個橋區120。

多個顯示單元300分別設置於基板100的多個島區110。顯示單元300包含發光二極體晶片310，在第1圖中僅示例性地繪製於左上角，以使圖面便於閱讀。發光二極體晶片310包括，但不限於量子點發光二極體(quantum dot light emitting diodes，QLED)晶片、微發光二極體(micro LED)晶片、次毫米發光二極體(mini LED)晶片、有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)等。

多個導線結構400分別設置在基板100的多個橋區120，且導線結構400電性連接顯示單元300。在一些實施例中，導線結構400包括導線層410，導線層410包括導線412及保護層414，導線412設置於基板100的第一面102上。在一些實施例中，導線412的數量可以是一個或多個。當導線412為多個時，導線412彼此間隔排列於基板100的第一面102上。導線412的材質包括但不限於鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)、鋁、銅、銀、或其合金。。在一些實施例中，保護層414，覆蓋導線412與部分的基板100的第一面102。保護層414的材質包括，但不限於亞克力、聚醯亞胺、聚酯或其組合等有機材料。保護層414主要用於保護導線412與調節應力使導線412不斷裂。

隔離件500接觸設置於基板100的第一面102上，多個隔離件500分別環設於多個簍空區200，且隔離件500與導線結構400相分隔。具體而言，隔離件500直接設置於基板100的第一面102上，且環設於簍空區200的外緣。在一些實施例中，隔離件500鄰近簍空區200的底角510為鈍角。具體而言，以基板100的第一面102為水平面，隔離件500的底角510的斜邊與水平面形成鈍角，角度θ1約105º至約170º，例如110º、120º、130º、140º、150º、160º，或者此等值中任意兩者之間的任何值。以基板100的第二面104為水平面，鄰接於隔離件500的基板100的頂角130亦呈鈍角，角度θ2約105º至約170º，例如110º、120º、130º、140º、150º、160º，或者此等值中任意兩者之間的任何值。而隔離件500的底角510呈鈍角、且鄰接於隔離件500的基板100的頂角130呈鈍角形成的原因，是因為在以乾蝕刻蝕刻基板100時，所造成的特殊結構。在一些實施例中，隔離件500的材質為無機材料包括，但不限於二氧化矽、氮化矽、二氧化鈦、五氧化二鉭(Ta ₂O ₅)或其組合。在一些實施例中，於剖面圖式中，各隔離件500頂端(即，經蝕刻前)的寬度E為介於約1微米至約10微米，例如約2微米、約3微米、約4微米、約5微米、約6微米、約7微米、約8微米、約9微米，或者此等值中任意兩者之間的任何值。各隔離件500的寬度E，主要是提供足夠阻擋基板100被過度蝕刻的寬度E。因此，於剖面圖式中，蝕刻後隔離件500的底角510呈鈍角，而鄰接於隔離件500的基板100的頂角130亦呈鈍角。

在一些實施例中，相鄰於第一簍空區210的第一側邊214的隔離件500與導線結構400之間的距離L1，小於相鄰於第一簍空區210的第一圓弧區212的隔離件500與導線結構400之間的距離L2。具體而言，距離L1為相鄰於第一簍空區210的第一側邊214的隔離件500，與導線結構400之間的最短距離；距離L2至少是位於第一圓弧區212的弧頂P1的隔離件500，與導線結構400之間最近的距離。在一些實施例中，相鄰於第二簍空區220的第二側邊224的隔離件500與各導線結構400之間的距離L3，小於相鄰於第二簍空區220的第二圓弧區222的隔離件500與導線結構400之間的距離L4。具體而言，距離L3為相鄰於第二簍空區220的第二側邊224的隔離件500，與導線結構400之間的最短距離；距離L4至少是位於第二圓弧區222的弧頂P2的隔離件500，與導線結構400之間最近的距離。由於當軟性顯示面板10於彎折拉伸時，將承受應力最強的區域為第一圓弧區212與第二圓弧區222，因此距離L2與距離L4需設計比距離L1與距離L3更大的距離。

請參閱第3圖，第3圖繪示本揭露之另一些實施方式之軟性顯示面板10’的剖面圖。第3圖與第2圖的差異在於，導線結構400的導線層410更包括緩衝層416，設置於基板100的第一面102上，導線412設置於緩衝層416。緩衝層416與隔離件500相互分隔且不相連。保護層414覆蓋導線412、緩衝層416與部分的基板100。保護層414主要用於保護導線412與調節應力使導線412不斷裂，緩衝層416用於提高其他層的沉積和結晶品質。

在一些實施例中，隔離件500的材質與緩衝層416的材質相同，為無機材料包括，但不限於二氧化矽、氮化矽、二氧化鈦、五氧化二鉭(Ta ₂O ₅)或其組合。亦即，隔離件500可以是與緩衝層416一起形成後，再以蝕刻方式將隔離件500與緩衝層416分隔。藉此，當隔離件500受應力斷裂時，不會使裂痕延伸至導線結構400的緩衝層416而破壞其上導線412導電的功能。

請參閱第4圖，第4圖繪示本揭露之一些實施方式之具有多層導線層的軟性顯示面板10’’的剖面圖。第4圖與第2圖的差異在於，導線層410的數量為複數個導線層410並依序堆疊。在一些實施例中，導線層410包括導線412與保護層414，最下層的導線層410的導線412設置於基板100上，保護層414覆蓋導線412；上層的導線層410的導線412設置於下層導線層410的保護層414上，上層的導線層410的保護層414覆蓋上層的導線層410的導線412；最上層的保護層414再依序堆疊設置。導線層410的數量可依需求增減，可以是兩邊層數相同(如第4圖左側三層、右側三層)、或兩邊層數不同。

請參閱第5圖，第5圖繪示本揭露另一些實施方式之具有多層導線層的軟性顯示面板10’’’的剖面圖。第5圖與第3圖的差異在於，導線層410的數量為複數個導線層410並依序堆疊。在一些實施例中，導線層410包括導線412、保護層414與緩衝層416，導線412設置於緩衝層416上，保護層414覆蓋導線412與緩衝層416。在一些實施例中，設置於基板100的第一面102上的緩衝層416與隔離件500相互分隔。在一些實施例中，基板100為軟性基板，隔離件500的材質與多個導線層410的緩衝層416中的其中一者材質相同。亦即，隔離件500可以是與任一層緩衝層416一起形成後，再以蝕刻方式將隔離件500與緩衝層416分隔。導線層410的數量可依需求增減，可以是兩邊層數不同(如第5圖左側一層、右側三層)、或兩邊層數相同。

請參閱第6圖，第6圖繪示本揭露之再一些實施方式之具有多層導線層的軟性顯示面板10’’’’的剖面圖。第6圖與第5圖的差異在於，導線結構400更包括閘極絕緣層420 (gate insulator，GI)、層間絕緣層430 (interlayer dielectric layer，ILD)以及薄膜電晶體440。薄膜電晶體440配置於緩衝層416上，且薄膜電晶體440包括閘極442、源極444、汲極446以及通道層448，但不以此為限。在一些實施例中，導線結構400包括由下而上依序設置緩衝層416、閘極絕緣層420以及層間絕緣層430，閘極442設置於閘極絕緣層420上，且由層間絕緣層430所包埋。源極444與汲極446分隔地設置在層間絕緣層430上，且由保護層414所覆蓋。通道層448設置於緩衝層416上並由閘極絕緣層420所覆蓋，源極444與汲極446分別與通道層448電性相連接。在一些實施例中，包括閘極絕緣層420、層間絕緣層430以及薄膜電晶體440的導線層410a設置於基板100的第一面102上，導線層410b設置於導線層410a的保護層414上，導線層410c設置於導線層410b的保護層414上。導線層410a的導線412a即為源極444或汲極446，導線層410b的導線412b電性連接導線412a，導線層410c的導線412c電性連接導線412b。

第7圖繪示本揭露之一些實施方式之軟性顯示面板的使用狀態示意圖。當軟性顯示面板10受到不同方向的力道拉伸時，如力道F1、力道F2、力道F3及力道F4依序與彼此垂直，如第7圖右側可知基板100的橋區120的所受應力最大，並發生彎曲與拉伸的形態變化。此時，由於隔離件500與導線結構400相隔離，縱使隔離件500因受應力而發生斷裂，也僅及於隔離件500本身，且不會斷裂延伸至導線結構400。由於基板100的材質為軟性基板，因此能承受應力所造成的彎曲與拉伸。

第8圖繪示本揭露之一些實施方式之軟性顯示面板的製備方法的流程圖。方法900始於步驟S911，提供承載基板。接著，方法900進行到步驟S912，形成基板100於承載基板上，並定義出多個島區110與多個橋區120。接著，方法900進行到步驟S913，形成初期緩衝層於基板100上。接著，方法900進行到步驟S914，形成導線412於橋區120的初期緩衝層上。接著，方法900進行到步驟S915，移除部分初期緩衝層，以形成隔離件500與緩衝層416。接著，方法900進行到步驟S916，形成保護層414以覆蓋導線412、緩衝層416與部分基板100。接著，方法900進行到步驟S917，形成顯示單元300於島區110。接著，方法900進行到步驟S918，沉積遮罩600以覆蓋隔離件500、保護層414、部分基板100與顯示單元300，未覆蓋的部分基板100為待蝕刻區域。接著，方法900進行到步驟S919，蝕刻未覆蓋的部分基板100，以形成多個簍空區200並露出承載基板。接著，方法900進行到步驟S920，移除遮罩600。最後，方法900進行到步驟S921，移除承載基板，進而得到軟性顯示面板100。

請參閱第9圖，第9圖至第13圖繪示本揭露之多個實施方式之軟性顯示面板的製備方法中各製程階段的剖面示意圖。第9圖至第13圖僅針對位於基板100的橋區120繪示部分步驟，基板100的島區110的製備過程則省略未繪示出。第9圖根據第8圖的步驟S916所繪製。在步驟S916，形成保護層414以覆蓋導線412、緩衝層416與部分基板100。

第9圖至第11圖根據第8圖的步驟S918所繪製。在步驟S918，沉積遮罩600以覆蓋隔離件500、保護層414、與部分基板100，未覆蓋的部分基板100為待蝕刻區域。具體而言，由於基板100為軟性基板，其材質為聚醯亞胺時，需要使用硬遮罩(hard mask)作為將聚醯亞胺圖形化的蝕刻方式。這是因為考量若硬遮罩材質為氧化矽或氮化矽，以氫氟酸(HF)蝕刻時會有傷到顯示單元300結構風險，即使使用乾式蝕刻也會有相同問題。因此，本揭露硬遮罩選擇金屬氧化物作為遮罩600 (例如：氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide，IZTO)等)覆蓋隔離件500、保護層414、與基板100(如第10圖所示)。接著以黃光微影PR (photolithography)定義出要蝕刻的區域，並以草酸蝕刻遮罩600 (如第11圖所示)，形成圖案化的遮罩600 (如第12圖所示)。不過，由於草酸蝕刻時會發生尺寸落差(sizing)，因此選用隔離件500作為阻擋層接觸設置於基板100上且環設於簍空區200 (如第13圖所示)，以避免在聚醯亞胺上的遮罩600蝕刻速率過快造成尺寸落差的問題，以有效控制蝕刻尺寸。在一些實施例中，遮罩600覆蓋於隔離件500上，並且遮罩600的側邊601與隔離件500的側邊501切齊或共平面，以利後續提升蝕刻準確度。在一些實施例中，形成或沉積遮罩600的方式可包括，但不限於化學氣相沉積、物理氣相沉積、電漿輔助化學氣相沉積(plasma-enhanced CVD，PECVD)、原子層沉積、電鍍或其他合適的製程及/或其組合來沉積。

第12圖根據第8圖的步驟S919及步驟S920所繪製。在步驟S919，蝕刻未覆蓋的部分基板100，以形成多個簍空區200，並露出承載基板；步驟S920，移除遮罩600。具體而言，以圖案化的遮罩600作為阻擋層定義基板100蝕刻的區域，並使用乾式蝕刻蝕刻基板100。同時，蝕刻後的隔離件500鄰近簍空區200的底角510形成鈍角，鄰接於隔離件500的基板100的頂角130亦形成鈍角。

本揭露的一些實施方式中，提供一種軟性顯示面板，藉由隔離件接觸設置在基板上且環設於簍空區，以避免遮罩蝕刻速率難控制的問題，並控制蝕刻尺寸。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10、10’、10’’、10’’’、10’’’’:軟性顯示面板 100:基板 102:第一面 104:第二面 110:島區 120:橋區 130:頂角 200:簍空區 210:第一簍空區 212:第一圓弧區 214:第一側邊 220:第二簍空區 222:第二圓弧區 224:第二側邊 300:顯示單元 310:發光二極體晶片 400:導線結構 410、410a、410b、410c:導線層 412、412a、412b、412c:導線 414:保護層 416:緩衝層 420:閘極絕緣層 430:層間絕緣層 440:薄膜電晶體 442:閘極 444:源極 446:汲極 448:通道層 500:隔離件 501:側邊 510:底角 600:遮罩 601:側邊 900:方法 S911~S921:步驟 D1:第一方向 D2:第二方向 E:寬度 F1:力道 F2:力道 F3:力道 F4:力道 L1:距離 L2:距離 L3:距離 L4:距離 P1:弧頂 P2:弧頂 θ1:角度 θ2:角度 PR:微影

當結合附圖閱讀以下詳細描述時，本揭露的各種態樣將最易於理解。應注意的是，根據行業標準操作規程，各種特徵結構可能並非按比例繪製。事實上，為了論述之清晰性，可以任意地增大或減小各種特徵結構之尺寸。為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示本揭露之一些實施方式之軟性顯示面板的俯視圖。第2圖繪示第1圖沿2-2剖面線的剖面圖。第3圖繪示本揭露之另一些實施方式之軟性顯示面板的剖面圖。第4圖繪示本揭露之一些實施方式之具有多層導線層的軟性顯示面板的剖面圖。第5圖繪示本揭露之另一些實施方式之具有多層導線層的軟性顯示面板的剖面圖。第6圖繪示本揭露之再一些實施方式之具有多層導線層的軟性顯示面板的剖面圖。第7圖繪示本揭露之一些實施方式之軟性顯示面板的使用狀態示意圖。第8圖繪示本揭露之一些實施方式之軟性顯示面板的製備方法的流程圖。第9圖至第13圖繪示本揭露之多個實施方式之軟性顯示面板的製備方法中各製程階段的剖面示意圖。

10:軟性顯示面板

100:基板

102:第一面

104:第二面

130:頂角

400:導線結構

410:導線層

412:導線

414:保護層

500:隔離件

510:底角

E:寬度

L1:距離

L4:距離

θ1:角度

θ2:角度

Claims

一種軟性顯示面板，包含: 一基板，包含一第一面，並定義出：複數島區，該些島區彼此分隔；以及複數橋區，分別連接兩相鄰的該些島區；複數簍空區，各該簍空區由相鄰的四個該島區與相鄰的四個該橋區所圍繞而成；複數顯示單元，分別設置於該基板的該些島區；複數導線結構，分別設置在該基板的該些橋區，且該些導線結構電性連接該些顯示單元，其中各該導線結構包含至少一導線層，該至少一導線層包含：至少一導線，設置於該基板的該第一面上；以及複數隔離件，接觸設置於該基板的該第一面上，該些隔離件分別環設於該些簍空區，且該些隔離件與該些導線結構相分隔。
如請求項1所述之軟性顯示面板，其中該至少一導線層更包含一緩衝層，設置於該基板的該第一面上，該至少一導線設置於該緩衝層上，其中，該緩衝層與該些隔離件相互分隔。
如請求項2所述之軟性顯示面板，其中各該導線結構更包含一保護層，覆蓋該至少一導線、該緩衝層與部分的該基板。
如請求項2所述之軟性顯示面板，其中該基板為軟性基板，該些隔離件的材質與該緩衝層的材質相同。
如請求項4所述之軟性顯示面板，其中該些隔離件的材質為無機材料。
如請求項1所述之軟性顯示面板，其中各該隔離件鄰近各該簍空區的一底角為一鈍角。
如請求項1所述之軟性顯示面板，其中該些簍空區由複數第一簍空區及複數第二簍空區組成，其中各該第一簍空區沿著一第一方向延伸，各該第二簍空區沿著一第二方向延伸，且該第一方向垂直於該第二方向；該些第一簍空區及該些第二簍空區在該第一方向及該第二方向上交替排列。
如請求項7所述之軟性顯示面板，其中各該第一簍空區具有相對的兩個第一圓弧區以及相對的兩個第一側邊，該些第一圓弧區分別位於各該第一簍空區沿著該第一方向的兩端，該些第一側邊分別位於該些第一圓弧區之間；其中，相鄰於各該第一簍空區的該些第一側邊的各該隔離件與各該導線結構之間的距離，小於相鄰於各該第一簍空區的該些第一圓弧區的各該隔離件與各該導線結構之間的距離。
如請求項7所述之軟性顯示面板，其中各該第二簍空區具有相對的兩個第二圓弧區以及相對的兩個第二側邊，該些第二圓弧區分別位於各該第二簍空區沿著該第二方向的兩端，該些第二側邊分別位於該些第二圓弧區之間；其中，相鄰於各該第二簍空區的該些第二側邊的各該隔離件與各該導線結構之間的距離，小於相鄰於各該第二簍空區的該些第二圓弧區的各該隔離件與各該導線結構之間的距離。
如請求項1所述之軟性顯示面板，其中該至少一導線層的數量為複數個導線層，該些導線層依序堆疊。
如請求項10所述之軟性顯示面板，其中，各該導線層更包含一緩衝層與一保護層，各該導線層的該至少一導線分別設置於各該緩衝層上，各保護層分別覆蓋各該導線層的該至少一導線與各該緩衝層，其中，設置於該基板的第一面上的該緩衝層與該些隔離件相互分隔。
如請求項11所述之軟性顯示面板，其中該基板為軟性基板，該些隔離件的材質與該些導線層的該些緩衝層的其中一者材質相同。
如請求項1所述之軟性顯示面板，其中各該導線結構更包含至少一薄膜電晶體，與該至少一導線電性連接。
如請求項1所述之軟性顯示面板，其中該至少一導線的數量為複數個導線，該些導線依序間隔設置在該基板的該第一面上。
如請求項1所述之軟性顯示面板，其中該顯示單元包含發光二極體晶片。