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TWI770241B - 偏光板及顯示裝置 - Google Patents

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TWI770241B
TWI770241B TW107125492A TW107125492A TWI770241B TW I770241 B TWI770241 B TW I770241B TW 107125492 A TW107125492 A TW 107125492A TW 107125492 A TW107125492 A TW 107125492A TW I770241 B TWI770241 B TW I770241B
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polarizing plate
polarizer
base film
stretching
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真島啟
猪股貴道
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日商日本瑞翁股份有限公司
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Abstract

一種偏光板，其係包含偏光件及基材薄膜的偏光板，其中前述偏光板，係堆疊體經延伸者，前述堆疊體，包含偏光件材料薄膜及未延伸之基材薄膜，前述偏光件材料薄膜，係將原料薄膜延伸而成之薄膜，前述偏光件，包含二色性物質且厚度T為20 μm以下，前述偏光板中之基材薄膜的面內方向之相位差Re為20 nm以下。前述堆疊體，得於前述偏光件材料薄膜與前述未延伸之基材薄膜之間更包含接合劑層。

Description

偏光板及顯示裝置
本發明係關於偏光板及顯示裝置。
作為液晶顯示裝置及有機電致發光（EL）顯示裝置等顯示裝置，過往以來便要求顯示面積大、重量輕且厚度薄者。因此，構成顯示裝置的面板亦自以往便要求較薄者。
在顯示裝置上，一般使用具備偏光件及保護偏光件之保護薄膜的偏光板。為了構成厚度薄的顯示裝置，偏光板亦要求較薄者。尤其，一般作為偏光件使用的聚乙烯醇等材料由於在顯示裝置的使用環境中有時會收縮，故在薄且面積大之顯示裝置中，此種收縮所致之彎曲可能成為問題。因此，藉由採用厚度10 μm以下之薄偏光件，除了可期待偏光件厚度的減少本身所致之顯示裝置厚度的減少以外，還可期待如前所述之彎曲之發生的減少。
不過，在欲藉由以往的製造方法，製造如此厚度薄的聚乙烯醇之偏光件的情況下，偏光件的熔斷會頻繁發生。已提案有數種方法作為製造此類「防止偏光件之熔斷，且包含薄偏光件」之偏光板的方法。例如在專利文獻1中，已提案將未延伸聚乙烯醇系薄膜貼附於未延伸高密度聚乙烯製的基材薄膜做成堆疊體，並在對該堆疊體進行延伸處理之後，剝離基材薄膜以獲得聚乙烯醇系薄膜的方法。
並且，在專利文獻2中，已提案藉由將包含聚乙烯醇系樹脂之水溶液塗布於非晶質酯系熱塑性樹脂基材，將聚乙烯醇系樹脂層製膜做成堆疊體，並在對該堆疊體進行延伸處理之後，使二色性物質配向以做成著色堆疊體，再對該著色堆疊體進行延伸處理以獲得光學薄膜的方法。
『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公表第2016-505404號公報（對應公報：美國專利申請公開第2016/084990號說明書） 《專利文獻2》：日本專利第4691205號公報（對應公報：美國專利申請公開第2012/057232號說明書）
在藉由專利文獻1及2所記載之方法製造薄偏光板的情況下，有時會因以高延伸倍率延伸堆疊體，而在延伸處理後的基材薄膜產生相位差。在此種情況下，由於難以將基材薄膜直接作為偏光板保護薄膜使用，而變得要剝離並廢棄，故會產生浪費的材料。再者，可能會增加另外準備用以保護偏光板的保護薄膜並貼附至偏光板的工作。
並且，為獲得充分寬度之薄型偏光板，儘管可設想出準備寬度尺寸極寬的基材薄膜，並塗布或貼附偏光件之材料（例如聚乙烯醇材料）的做法，但若基材薄膜的寬度尺寸變得過大，則有生產困難的問題。
因此，本發明之目的在於提供「即便將基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即便厚度薄仍可有效率製造的偏光板」及「具備前述偏光板的顯示裝置」。
為解決上述問題而進行研究的結果，本發明人發現，藉由使用包含經延伸之工序所獲得之偏光件材料薄膜的堆疊體，得解決上述問題，進而完成本發明。
因此，根據本發明，提供下述〔1〕～〔13〕。
〔1〕一種偏光板，其係包含偏光件材料薄膜的偏光板，其中 前述偏光板，係堆疊體經延伸者， 前述堆疊體，包含偏光件材料薄膜及未延伸之基材薄膜， 前述偏光件材料薄膜，係將原料薄膜延伸而成之薄膜， 前述偏光件，包含二色性物質，且厚度T為20 μm以下，以及 前述偏光板中的基材薄膜之面內方向的相位差Re為20 nm以下。
〔2〕如〔1〕所記載之偏光板，其中前述堆疊體於前述偏光件材料薄膜與前述未延伸之基材薄膜之間更包含接合劑層。
〔3〕如〔1〕或［2］所記載之偏光板，其中前述基材薄膜係由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂之至少1種而成之薄膜層。
〔4〕如〔1〕～〔3〕之任一項所記載之偏光板，其中前述基材薄膜係由環烯烴樹脂而成之薄膜， 前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物， 前述環烯烴系聚合物，係由選自降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物之至少1種而成。
〔5〕如〔1〕～〔3〕之任一項所記載之偏光板，其中前述基材薄膜係由環烯烴樹脂而成之薄膜， 前述環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物， 前述環烯烴系聚合物係由將嵌段共聚物［D］氫化後之嵌段共聚物氫化物而成，所述嵌段共聚物［D］係由： 以源自芳族乙烯化合物的重複單元〔I〕作為主成分之聚合物嵌段〔A〕，與 以源自芳族乙烯化合物的重複單元〔I〕及源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元〔II〕作為主成分之聚合物嵌段〔B〕，或以源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元〔II〕作為主成分之聚合物嵌段〔C〕而成。
〔6〕如〔1〕～〔5〕之任一項所記載之偏光板，其中前述基材薄膜，含有塑化劑及／或軟化劑。
〔7〕如〔6〕所記載之偏光板，其中前述塑化劑及／或軟化劑係選自酯系塑化劑及脂族烴聚合物之一種以上。
〔8〕如〔1〕～〔7〕之任一項所記載之偏光板，其中於前述偏光件之一面具有保護薄膜或黏合劑。
〔9〕如〔8〕所記載之偏光板，其中前述保護薄膜，係由環烯烴樹脂、丙烯酸樹脂、聚對酞酸乙二酯樹脂或三乙酸纖維素樹脂而成。
〔10〕一種顯示裝置，其具有2片基板與位於其間的液晶層，以及 如〔1〕～〔9〕之任一項所記載之偏光板，所述偏光板配置於前述2片基板之中至少一基板的外側。
〔11〕一種顯示裝置，其具有2片基板與位於其間的發光層，以及如〔1〕～〔9〕之任一項所記載之偏光板，所述偏光板配置於前述2片基板之中一基板的外側。
〔12〕如〔10〕所記載之顯示裝置，其中於前述偏光件與前述液晶層之間設置有前述基材薄膜。
〔13〕如〔11〕所記載之顯示裝置，其中於前述偏光件與前述發光層之間設置有前述基材薄膜。
根據本發明，即便歷經延伸堆疊體之工序後亦得減小顯現於基材薄膜的相位差，故可提供即便將基材薄膜作為保護薄膜亦可使用，且即便厚度薄亦可有效率製造的偏光板，以及具備前述偏光板的顯示裝置。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受以下說明之實施型態及示例物所限定者，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等範圍的範圍，亦可任意變更並實施。
在本申請中，所謂「長條狀」之薄膜，係指相對於薄膜之幅寬，具有5倍以上之長度者，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體而言係指具有可收捲成輥狀儲存或搬運之程度的長度者。相對於薄膜之幅寬的長度之比例的上限並未特別受限，但得定為例如：100,000倍以下。
在本申請中，薄膜之面內方向的相位差Re及厚度方向的相位差Rth，係依循式Re＝（nx－ny）×d及Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d而計算出。並且薄膜的Nz係數係由［（nx－nz）／（nx－ny）］所表示之值，亦得表示為［（Rth／Re）＋0.5］。於此，nx係薄膜之面內之慢軸方向的折射率（面內的最大折射率），ny係垂直於薄膜之面內之慢軸之方向的折射率，nz係薄膜之厚度方向的折射率，d係薄膜的厚度（nm）。量測波長，除非另有註記，否則設為可見光區域的代表性波長590 nm。
〈偏光板〉
〔實施型態1：偏光板〕
〔1.偏光板的概要〕
本發明之偏光板包含偏光件及基材薄膜。偏光板係特定之堆疊體經延伸者。此種特定之堆疊體，包含偏光件材料薄膜及未延伸之基材薄膜。
在堆疊體中之偏光件材料薄膜，係將原料薄膜延伸而成之薄膜。藉由在堆疊體之延伸的操作中進一步延伸偏光件材料薄膜，偏光件材料薄膜得成為偏光件。亦即，原料薄膜經延伸成為偏光件材料薄膜，而偏光件材料薄膜進一步進行堆疊體之延伸的結果，得成為偏光件。惟偏光件材料薄膜，除了延伸亦得歷經染色等任意操作而做成偏光件。
在堆疊體中之未延伸的基材薄膜，作為堆疊體之延伸的結果，得成為偏光板中之基材薄膜。
參照圖1～4同時說明關於本發明之實施型態1的偏光板100。
圖1係繪示關於本發明之實施型態1之偏光板100的剖面示意圖。在偏光板100中，如圖1所繪示，於偏光件111之一面（圖式上側面）上堆疊有基材薄膜112。圖1中，113係接合劑層。本實施型態之偏光板100包含接合劑層113，但本發明之偏光板亦可為不包含接合劑層的結構。
本實施型態之偏光板，係將包含偏光件材料薄膜、接合劑層及未延伸之基材薄膜的堆疊體延伸後之偏光板。
首先，說明成為製造偏光板之材料的堆疊體。
〔2.堆疊體〕
圖2係繪示堆疊體10的剖面示意圖。如圖2所繪示，堆疊體10包含偏光件材料薄膜11及未延伸之基材薄膜12。在本實施型態中，堆疊體10在偏光件材料薄膜11與未延伸之基材薄膜12之間包含接合劑層13。成為本發明之偏光板之材料的堆疊體，亦可為不包含接合劑層的結構。在本申請中，為了將於製造偏光板之工序中進行延伸處理前的堆疊體，與製造偏光板之工序中進行延伸處理後的堆疊體區別，有時會將前者稱為「堆疊體」，將後者稱為「延伸堆疊體」。
〔2.1.偏光件材料薄膜〕
堆疊體所包含之偏光件材料薄膜，係作為堆疊體之延伸的結果得成為偏光件之薄膜（偏光件用薄膜）。在本發明中，偏光件材料薄膜，得定為面內方向之相位差Re1為10 nm以上，且厚度T1為40 μm以下之薄膜。
偏光件材料薄膜係將原料薄膜延伸而成之薄膜。原料薄膜之延伸，得以偏光件材料薄膜之Re1及T1呈期望之值的方式進行。
在本發明中，原料薄膜並不特別受限，得定為能達成本發明之目的者。原料薄膜得定為包含構成偏光件之材料的薄膜。原料薄膜，根據成本效益之高低，以聚乙烯醇樹脂之薄膜為佳。
在本發明中，聚乙烯醇樹脂（以下有時簡稱為PVA）不全然受限，但就取得性而言，以使用藉由將聚合乙酸乙烯酯所獲得之聚乙酸乙烯酯皂化而製造者為佳。PVA，就延伸性及所獲得之薄膜的偏光性能等優異的觀點而言，聚合度以在500～8000之範圍為佳，且皂化度以90莫耳%以上為佳。於此所謂聚合度，係遵循JIS K6726-1994之記載所量測的平均聚合度，所謂皂化度，係遵循JIS K6726-1994之記載所量測的值。聚合度之較佳範圍為1000～6000，更佳為1500～4000。皂化度之較佳範圍為95莫耳%以上，更佳為99莫耳%以上。PVA只要對本發明之效果無負面影響，亦可為乙酸乙烯酯與能共聚合之其他單體的共聚物或接枝聚合物。
在本發明中，PVA之原料薄膜的製法並不特別受限，可藉由眾所周知的方法製造，舉例而言，可採用「以將PVA溶解於溶劑之PVA溶液作為製膜原液使用，依循澆鑄製膜法、濕式製膜法（往不良溶劑中的排出）、乾濕式製膜法、凝膠製膜法（先將PVA水溶液冷卻凝膠化後，抽離去除溶劑，獲得PVA之原料薄膜的方法）及此等之組合的方法」或「將已熔融含有溶劑之PVA者作為製膜原液進行的熔融擠製製膜法」等任意方法。此等之中，澆鑄製膜法及熔融擠製製膜法就獲得透明性高且著色少之PVA的原料薄膜而言為佳，以熔融擠製製膜法為較佳。
在本發明中，PVA之原料薄膜，為了改善機械物理性質或二次加工時之工序通過性等，以相對於PVA含有甘油等多元醇等塑化劑0.01～30質量%為佳，並且為了改善操作性或薄膜外觀等，以相對於PVA含有陰離子系界面活性劑、非離子系界面活性劑等界面活性劑0.01～1質量%為佳。
PVA之原料薄膜，在不妨礙本發明之效果的範圍亦可視需求更包含抗氧化劑、紫外線吸收劑、滑劑、pH調整劑、無機微粒子、著色劑、防腐劑、滅真菌劑、上述成分以外之其他高分子化合物、水分等其他成分。PVA之原料薄膜可包含一種或二種以上此等之其他成分。
原料薄膜的厚度以50 μm以下為佳，以40 μm以下為較佳，以30 μm以下為更佳，且以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以15 μm以上為更佳。藉由原料薄膜的厚度為前述範圍之下限值以上可獲得具有充分高之偏光度的偏光板，且藉由為前述範圍之上限值以下可有效提高偏光板之對於彎曲的耐受性。
偏光件材料薄膜係藉由將原料薄膜進行延伸處理而獲得。作為延伸處理的方法，可列舉：乾式延伸及濕式延伸等。乾式延伸因相比於濕式延伸，設備及工序較為精簡，故作為偏光件材料薄膜，以藉由乾式延伸獲得者為佳。作為乾式延伸，可使用拉幅延伸、懸浮延伸、熱輥延伸等延伸方法。所謂乾式延伸，係指在高溫（例如：100℃以上）的氣體環境下延伸之延伸處理的方法。作為乾式延伸中所使用之氣體，可舉出空氣。
在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時之延伸的條件，得為了可獲得期望之偏光件材料薄膜而適當選擇。舉例而言，延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時之延伸的態樣，得定為單軸延伸、雙軸延伸等任意態樣。並且，在原料薄膜為長條狀之薄膜的情況下，延伸的方向亦可為縱向（平行於長條狀之薄膜的長邊方向之方向）、橫向（平行於長條狀之薄膜的幅寬方向之方向）及斜向（既非縱向亦非橫向之方向）之任一者。
在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時之延伸倍率X，以1.5以上為佳，以2.0以上為較佳，以2.5以上為更佳，另一方面以5.5以下為佳，以4.5以下為較佳，以3.5以下為更佳。簡言之，偏光件材料薄膜以「以1.5以上且5.5以下之延伸倍率X延伸之薄膜」為佳，以「以2.0以上且4.5以下之延伸倍率X延伸之薄膜」為較佳，以「以2.5以上且3.5以下之延伸倍率X延伸之薄膜」為更佳。若將延伸倍率X定為前述範圍之上限值以下，則可防止在延伸原料薄膜做成偏光件材料薄膜時發生斷裂。並且，若將延伸倍率X定為前述範圍之下限值以上，則可降低在將堆疊體延伸以獲得偏光板時的延伸倍率。在藉由雙軸延伸等往兩個以上之方向的延伸，進行原料薄膜之延伸的情形中，延伸倍率X係各延伸之倍率的乘積。
在對原料薄膜進行乾式延伸做成偏光件材料薄膜時之延伸溫度，以100℃以上為佳，以110℃以上為較佳，另一方面以150℃以下為佳，以140℃以下為較佳。藉由乾式延伸之溫度為前述範圍，可獲得均勻膜厚的偏光件材料薄膜。
在堆疊體中之偏光件材料薄膜的厚度T1為40 μm以下，以30 μm以下為佳，以20 μm以下為較佳，且以3 μm以上為佳，以5 μm以上為較佳。藉由偏光件材料薄膜的厚度T1為前述範圍之下限值以上，可獲得具有充分高之偏光度的偏光板，且藉由為前述範圍之上限值以下，可有效提高偏光板之對彎曲的耐受性。
偏光件材料薄膜的形狀及尺寸得適當調整成相應於期望用途者。製造效率上，偏光件材料薄膜以長條狀之薄膜為佳。
偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1，以10 nm以上為佳，以50 nm以上為較佳，且以500 nm以下為佳，以400 nm以下為較佳。藉由偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為上述範圍之下限值以上，可壓低在對堆疊體進行延伸處理做成偏光板時的延伸倍率，以將延伸處理後之基材的相位差維持在低值。藉由偏光件材料薄膜之面內方向的相位差Re1為上述範圍之上限值以下，可降低在將原料薄膜延伸做成偏光件材料薄膜時的延伸倍率，而可避免在單獨延伸原料薄膜時產生皺褶等問題。
在堆疊體中之偏光件材料薄膜的Nz係數以0.95以上為佳，以0.99以上為較佳，且以1.5以下為佳，以1.4以下為較佳。藉由Nz係數為前述範圍內，可獲得擁有充分偏光度的偏光件。
〔2.2.基材薄膜〕
在堆疊體中，使用未延伸的薄膜作為基材薄膜。在堆疊體中之未延伸的基材薄膜，作為堆疊體之延伸的結果，得成為在偏光板中的基材薄膜。因此，在本申請的說明中，堆疊體所包含之「基材薄膜」，係此種未延伸之狀態的基材薄膜；偏光板所包含之「基材薄膜」，係堆疊體之延伸的結果，經延伸之狀態的基材薄膜。
在堆疊體中之基材薄膜的厚度以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，且以50 μm以下為佳，以30 μm以下為較佳。藉由在堆疊體中之基材薄膜的厚度為前述範圍之下限值以上，可獲得良好貼合面狀的堆疊體，且藉由為前述範圍之上限值以下，可減小在將堆疊體延伸以獲得偏光板時於基材薄膜上產生的相位差。
基材薄膜係由樹脂所形成。作為形成基材薄膜的樹脂並無特別限定。基材薄膜以由選自環烯烴樹脂、非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂之至少1種而成之薄膜為佳，以由環烯烴樹脂而成之薄膜為較佳。
作為形成基材薄膜之環烯烴樹脂，包含環烯烴系聚合物，該環烯烴系聚合物以降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物為佳。此等之中作為環烯烴系聚合物，就在經延伸的情況下相位差亦難以顯現的觀點而言以降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物為佳。作為降𦯉烯系單體之開環聚合物的氫化物、降𦯉烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及／或其氫化物，可列舉：日本專利公開第H2-180976號公報、日本專利公開第H3-109418號公報、日本專利公開第H3-223328號公報、日本專利公開第H4-301415號公報、日本專利公開第H5-212828號公報、日本專利公開第H7-145213號公報等所記載之高分子化合物。
並且，作為形成基材薄膜之環烯烴樹脂，包含環烯烴系聚合物，且以環烯烴系聚合物係由將嵌段共聚物［D］之主鏈及側鏈的碳─碳不飽和鍵以及芳環之碳─碳不飽和鍵氫化之嵌段共聚物氫化物等而成者為佳，所述嵌段共聚物［D］，係由以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］作為主成分的聚合物嵌段［A］，與以源自芳族乙烯化合物之重複單元［I］及源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分的聚合物嵌段［B］或以源自鏈狀共軛二烯化合物之重複單元［II］作為主成分的聚合物嵌段［C］而成者。作為此種嵌段共聚物氫化物，可列舉：國際專利公開第2000/32646號、國際專利公開第2001/081957號、日本專利公開第2002-105151號公報、日本專利公開第2006-195242號公報、日本專利公開第2011-13378號公報、國際專利公開第2015/002020號等所記載之高分子化合物。
〔2.2.1.塑化劑及軟化劑〕
在本發明中，基材薄膜以含有塑化劑及／或軟化劑（塑化劑及軟化劑之中的任一者或兩者）為佳。藉由含有塑化劑及／或軟化劑，可減小在將堆疊體延伸以獲得偏光板時於基材薄膜產生的相位差。
作為塑化劑及軟化劑，得使用可均勻溶解乃至於分散至形成基材薄膜之樹脂者。作為塑化劑及軟化劑之具體例，可列舉：由多元醇與一元羧酸而成之酯系塑化劑（以下稱作「多元醇酯系塑化劑」。）及由多元羧酸與一元醇而成之酯系塑化劑（以下稱作「多元羧酸酯系塑化劑」。）等酯系塑化劑，以及磷酸酯系塑化劑、醣酯系塑化劑及其他聚合物軟化劑。
作為在本發明中係為較佳使用之酯系塑化劑之原料的多元醇之例，並不特別受限，但以乙二醇、甘油、三羥甲基丙烷為佳。
作為多元醇酯系塑化劑之例，可列舉：乙二醇酯系塑化劑、甘油酯系塑化劑及其他多元醇酯系塑化劑。
作為多元羧酸酯系塑化劑之例，可列舉二羧酸酯系塑化劑及其他多元羧酸酯系塑化劑。
作為磷酸酯系塑化劑之例，具體而言可列舉：磷酸三乙醯酯、磷酸三丁酯等磷酸烷酯；磷酸三環戊酯、磷酸環己酯等磷酸環烷酯；磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯等磷酸芳酯。
作為醣酯系塑化劑，具體而言可列舉以五乙酸葡萄糖酯、五丙酸葡萄糖酯、五丁酸葡萄糖酯、八乙酸蔗糖酯、八苯甲酸蔗糖酯等為佳，在此之內以八乙酸蔗糖酯為較佳。
作為聚合物軟化劑，具體而言可列舉：脂族烴系聚合物、脂環烴系聚合物、聚丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯的共聚物、甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸-2-羥基乙酯的共聚物等丙烯酸系聚合物；聚乙烯基異丁基醚、聚-N-乙烯氫吡咯酮等乙烯系聚合物；聚苯乙烯、聚-4-羥基苯乙烯等苯乙烯系聚合物；聚丁二酸丁二酯、聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚環氧乙烷、聚環氧丙烷等聚醚；聚醯胺、聚胺酯、聚脲等。
作為脂族烴系聚合物之具體例，可列舉：聚異丁烯、聚丁烯、聚-4-甲基戊烯、聚-1-辛烯、乙烯─α-烯烴共聚物等之低分子量物及其氫化物；聚異戊二烯、聚異戊二烯─丁二烯共聚物等之低分子量物及其氫化物等。就易於均勻溶解乃至於分散至環烯烴樹脂的觀點而言，脂族烴系聚合物以數量平均分子量為300～5,000為佳。
此等聚合物軟化劑可為由1種重複單元而成之均聚物，亦可為具有多個重複結構物的共聚物。並且，亦可將上述聚合物合併2種以上使用。
在本發明中，作為塑化劑及／或軟化劑，以酯系塑化劑、脂族烴系聚合物及此等之混合物為佳。
在基材薄膜中之塑化劑及／或軟化劑（以下亦稱作「塑化劑等」）的比例，相對於形成基材薄膜之樹脂100重量份，以0.2重量份以上為佳，以0.5重量份以上為較佳，以1.0重量份以上更為較佳，另一方面以40重量份以下為佳，以30重量份以下為較佳。藉由將塑化劑等之比例定為前述範圍內，即便歷經包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可將基材薄膜做成相位差之顯現性為足夠低者。
〔2.2.2.任意成分〕
基材薄膜除了樹脂及塑化劑等之外得含有任意成分。作為任意成分之例，可列舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑等穩定劑；滑劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；以及抗靜電劑。此等摻合劑可單獨使用1種，或組合2種以上使用，並在不損及本發明之目的之範圍適當選擇其摻合量。
〔3.基材薄膜的製造方法〕
基材薄膜得藉由在將包含用以形成基材薄膜之成分（樹脂及視需求添加之成分）的組成物（以下亦稱作「樹脂組成物」）透過任意成形方法成形為薄膜狀而製造。
作為將樹脂組成物成形為薄膜狀的方法之例，可舉出熔融擠製成形。熔融擠製工序得藉由「利用擠製機使樹脂組成物熔融，自安裝於該擠製機之T字模擠製成薄膜狀，並使經擠製之薄膜密合於1個以上之冷卻輥成形拉製」的方法進行。在熔融擠製成形中的成形條件，得配合使用之樹脂組成物的組成及分子量等條件而適當設定。
〔4.堆疊體的製造方法〕
其次說明本發明之堆疊體的製造方法之一例。
堆疊體的製造方法包含：將原料薄膜沿一個以上之方向延伸以獲得偏光件材料薄膜的工序（a），與在偏光件材料薄膜上設置基材薄膜以獲得堆疊體的工序（b）。
圖3係繪示在偏光件材料薄膜11之上設置基材薄膜12以製造堆疊體10的製造裝置200之一例的概略示意圖。製造裝置200具備捲出裝置201&202、延伸裝置204、貼合裝置205以及收捲裝置203。
如圖3所繪示，將自捲出裝置201捲出之原料薄膜1運送至延伸裝置204，並以延伸裝置204進行延伸處理，藉此獲得偏光件材料薄膜11（工序（a））。將如此而獲得之偏光件材料薄膜11運送至貼合裝置205，並以貼合裝置205塗布接合劑，與自捲出裝置202捲出之基材薄膜12貼合，藉此獲得堆疊體10（工序（b））。所製造之堆疊體10可由收捲裝置203收捲做成輥的形狀以供予進一步之工序。在本實施型態中，雖然在工序（b）中使用接合劑，但在本發明中係為任意成分。在工序（b）中，亦可將接合劑塗布於基材薄膜之後，與偏光件材料薄膜貼合。雖然只要在偏光件材料薄膜與基材薄膜之間塗布接合劑即可防止兩薄膜間的剝離等問題這點上為佳，但在即便不使用接合劑仍可在偏光件材料薄膜與基材薄膜之間獲得充分接合力的情況下，亦可不使用接合劑。
在工序（a）中之原料薄膜的延伸處理，以在〔2.1.偏光件材料薄膜〕之項目中已說明的條件及方法（延伸處理的方法、延伸的態樣、延伸倍率、延伸溫度）進行為佳。
在工序（b）中，作為貼合偏光件材料薄膜11與基材薄膜12之接合劑，並無特別之限制，得使用例如：丙烯酸系接合劑、胺甲酸酯系接合劑、聚酯系接合劑、聚乙烯醇系接合劑、聚烯烴系接合劑、改質聚烯烴系接合劑、聚乙烯基烷基醚系接合劑、橡膠系接合劑、氯乙烯─乙酸乙烯酯系接合劑、SEBS（苯乙烯─乙烯─丁烯─苯乙烯共聚物）系接合劑、乙烯─苯乙烯共聚物等乙烯系接合劑、乙烯─（甲基）丙烯酸甲酯共聚物、乙烯─（甲基）丙烯酸乙酯共聚物等丙烯酸酯系接合劑等。
在基材薄膜之貼附於偏光件材料薄膜的面上，亦可施以電暈處理、皂化處理、底塗處理、錨式塗布處理等易接合處理。
堆疊體10得作為用以製造本實施型態之偏光板的材料。此種情況下，堆疊體在進行過延伸處理及染色處理等處理後作為偏光板。
〔5.偏光板的製造方法〕
得藉由將堆疊體延伸，製造本發明之偏光板。在偏光板的製造中，除了堆疊體的延伸，還可進行任意工序。具體而言，得進行將偏光件材料薄膜以二色性物質染色的工序。更具體而言，偏光板的製造方法得包含：上述工序（a）及工序（b）、將經過此等而獲得之堆疊體沿一個以上之方向延伸的工序（c），以及以二色性物質將偏光件材料薄膜染色的工序（d）。工序（d）得於任意階段進行。舉例而言，工序（d）亦可與工序（c）同時進行。或者工序（d）亦可於較工序（c）之前的階段或較工序（b）之前的階段進行。
圖4係繪示藉由對堆疊體10進行延伸處理及其他任意處理以製造本實施型態之偏光板100的製造裝置300之一例的概略示意圖。製造裝置300具備捲出裝置301&307、處理裝置302～305、乾燥裝置306&309、貼合裝置308，以及收捲裝置310。
在圖4之例中，將自捲出裝置301捲出之堆疊體10運送至處理裝置302～305，進行以二色性物質染色的染色處理（工序（d））及將堆疊體延伸的延伸處理（工序（c））等處理。只要將進行過此等處理後之堆疊體以乾燥裝置306乾燥，即可獲得偏光板100。
在工序（c）中堆疊體的延伸倍率，以1.2以上為佳，以1.5以上為較佳，且以5.0以下為佳、以4.0以下為較佳。若將堆疊體的延伸倍率定為前述範圍之上限值以下，即便歷經包含延伸處理之偏光板的製造工序，仍可降低基材薄膜之相位差的顯現，防止偏光板之斷裂的發生，且若將延伸倍率定為前述範圍之下限值以上即可獲得擁有充分偏光性能的偏光板。作為使用本發明之堆疊體製造偏光板時之延伸處理的方法並不特別受限，但以濕式延伸為佳。
在工序（c）中之堆疊體的延伸溫度並無特別之限制。舉例而言，在使用聚乙烯醇系樹脂作為偏光件之材料的情況下，具體的延伸溫度以50℃以上為佳，以55℃以上為較佳，以60℃以上為尤佳，且以160℃以下為佳，以120℃以下為較佳，以110℃以下為尤佳。藉由延伸溫度為前述範圍之下限值以上可順利進行延伸，並且藉由延伸溫度為前述範圍之上限值以下可透過延伸進行有效的配向。前述延伸溫度之範圍，雖然乾式延伸及濕式延伸之任一種方法皆為佳，但以濕式延伸的情形為尤佳。
在工序（c）中之堆疊體的延伸處理，包含往至少一個方向之延伸的處理，可包含僅一個方向的延伸，亦可包含往兩個以上之方向的延伸。作為堆疊體的延伸處理，以進行單軸延伸為佳，以自由端單軸延伸為更佳，以縱向的自由端單軸延伸為尤佳。在包含僅一個方向之延伸的延伸處理中，係以其延伸的延伸倍率落於前述指定之延伸倍率的範圍的方式進行延伸。並且，在包含往兩個以上之方向之延伸的延伸處理中，係以各延伸的延伸倍率之乘積落於前述指定之延伸倍率的範圍的方式進行延伸。在包含往兩個以上之方向之延伸的延伸處理中，此等之延伸可同時進行，亦可依序進行。
作為在工序（d）中之將偏光件材料薄膜染色的二色性物質，可列舉碘、有機染料等。使用此等二色性物質的染色方法係為任意。舉例而言，亦可將偏光件材料薄膜之層體浸漬於包含二色性物質之染色溶液，藉此進行染色。並且，在使用碘作為二色性物質之情況下，就提高染色效率的觀點而言，染色溶液亦可包含碘化鉀等碘化物。
〔6.偏光板中之各層的特性〕
在偏光板中之偏光件的厚度T為20 μm以下。在本發明中，偏光件的厚度T以15 μm以下為佳，以12 μm以下為較佳，且以1 μm以上為佳，以3 μm以上為較佳。藉由偏光板中之偏光件的厚度T為上限值以下，可減小偏光板的厚度，且藉由為下限值以上，可獲得具有充分高之偏光度的偏光板。
偏光板中之偏光件包含二色性物質。作為二色性物質，可舉出作為在工序（d）中之將偏光件材料薄膜染色的二色性物質已示例之物質。
在偏光板中之基材薄膜之面內方向的相位差Re為20 nm以下。基材薄膜之面內方向的相位差Re，以15 nm以下為佳，以10 nm以下為較佳，且以0 nm以上為佳。藉由偏光板中之基材薄膜的前述面內方向之相位差Re為上述範圍內，可將基材薄膜做成即使歷經包含延伸處理之偏光板的製造工序，相位差的顯現性仍足夠低者。
在偏光板中之T及Re的值，得藉由適當設定製造條件，調整至上述為佳範圍內。
〔7.本實施型態的效果〕
根據本實施型態，由於藉由將包含「係為經預先延伸之薄膜的偏光件材料薄膜」的堆疊體延伸可獲得偏光板，故可降低在延伸該堆疊體以製造偏光板時的延伸倍率。藉此，可抑制對堆疊體進行延伸處理後之基材薄膜中之相位差的顯現，故可不剝離基材薄膜而直接作為偏光件之一面的保護薄膜使用，且可減少浪費的材料。並且，由於在本實施型態中使用經預先延伸者作為偏光件材料薄膜，故在堆疊基材薄膜做成堆疊體時，不需寬度尺寸如使用未延伸之偏光件材料薄膜時般極寬的基材薄膜，而得有效率進行偏光板的製造。綜上，根據本實施型態可提供即便將基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即便厚度薄仍可有效率製造之偏光板。
〔實施型態2：偏光板〕
參照圖5同時說明關於本發明之實施型態2的偏光板。
圖5係繪示關於本發明之實施型態2之偏光板120的剖面示意圖。在此偏光板120中，如圖5所繪示，偏光件111之一面（圖式上側面）之上堆疊有基材薄膜112，並在偏光件111之另一面側（圖式下側面）堆疊保護薄膜115。圖5中，113、114為接合劑層。用以將保護薄膜貼合於偏光件的接合劑，可使用與將基材薄膜貼合於偏光件的接合劑相同者。
關於本實施型態之偏光板120的製造方法，包含：上述工序（a）及工序（b）、將經過此等而獲得之堆疊體沿一個以上之方向延伸的工序（c），以及以二色性物質將偏光件材料薄膜染色的工序（d），再者，得在工序（c）之後包含將保護薄膜直接或透過接合劑貼合至偏光件的工序（e1）。
具體而言，如圖4所繪示，將實施型態1之偏光板100運送至貼合裝置308，並於偏光件111之未堆疊有基材薄膜112側的面塗布接合劑，與自捲出裝置307捲出之保護薄膜115貼合，藉此獲得具備保護薄膜115的偏光板120（工序（el））。所製造之偏光板120可由收捲裝置310收捲做成輥的形狀以供予進一步之工序。
本實施型態之偏光板亦與實施型態1相同，係藉由延伸包含「係為經預先延伸之薄膜之偏光件材料薄膜」的堆疊體而獲得，故具有與實施型態1相同之作用效果。
〔實施型態3：偏光板〕
參照圖6同時說明關於本發明之實施型態3的偏光板。
圖6係繪示關於本發明之實施型態3之偏光板130的剖面示意圖。在此偏光板130中，如圖6所繪示，偏光件111之一面（圖式上側面）之上堆疊基材薄膜112，並在偏光件111之另一面側（圖式下側面）堆疊有黏合劑層116。
本實施型態之偏光板的製造方法包含：上述工序（a）及工序（b）、將經過此等而獲得之堆疊體沿一個以上之方向延伸的工序（c），以及以二色性物質將偏光件材料薄膜染色的工序（d），並在工序（c）之後包含在偏光件上設置黏合劑層的工序（e2）。
作為形成黏合劑層的黏合劑，得使用市售之各種黏合劑，例如：包含丙烯酸聚合物作為係為主成分之聚合物的黏合劑。
關於實施型態3的偏光板130，舉例而言，係藉由將黏合劑層自具有市售之黏合劑層的薄膜（例如：藤森工業製「MASTACK系列」）轉印至「實施型態1之偏光板100的偏光件111之未堆疊有基材薄膜112側的面」上，形成黏合劑層而獲得。
由於本實施型態之偏光板亦與實施型態1相同，係藉由延伸包含「係為經預先延伸之薄膜之偏光件材料薄膜」的堆疊體而獲得，故具有與實施型態1相同之作用效果。
〈顯示裝置〉
本發明之偏光板得成為液晶顯示裝置及EL顯示裝置等之材料。
［液晶顯示裝置的概要］
本發明之顯示裝置具有2片基板與位於其間的液晶層，以及配置於2片基板之中至少一基板之外側的本發明之偏光板。該顯示裝置可藉由將本發明之偏光板堆疊至液晶面板而製造。
通常液晶顯示裝置依序具備光源、光源側偏光板、液晶單元及觀看側偏光板，而本發明之偏光板可使用於光源側偏光板及觀看側偏光板之任一者。
作為液晶單元之驅動方式，可列舉例如：平面切換（IPS）模式、垂直排列（VA）模式、多區域垂直排列（MVA）模式、連續焰火狀排列（CPA）模式、混合排列向列（HAN）模式、扭轉向列（TN）模式、超扭轉向列（STN）模式、光學補償雙折射（OCB）模式等。以下說明關於實施型態4及5之液晶顯示裝置。
［實施型態4：液晶顯示裝置］
參照圖7同時說明關於具備本發明之偏光板的實施型態4之顯示裝置。
圖7係繪示關於實施型態4之液晶顯示裝置400的剖面示意圖。液晶顯示裝置400，如圖7所繪示，具有2片基板410、420與位於其間的液晶層430，以及分別配置於2片基板410、420之外側的偏光板100、100。2片偏光板100係實施型態1之偏光板。如圖7所繪示，2片偏光板100分別以基材薄膜112配置於偏光件111與液晶層430之間的方式堆疊。
根據本實施型態，可提供具備「即便將基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即便厚度薄仍可有效率製造之本發明的偏光板」的顯示裝置。
［實施型態5：液晶顯示裝置］
參照圖8同時說明關於具備本發明之偏光板的實施型態5之顯示裝置。圖8係繪示關於本發明之實施型態5之液晶顯示裝置450的剖面示意圖。液晶顯示裝置450，如圖8所繪示，具有2片基板410、420與位於其間的液晶層430，以及配置於下側基板410之外側（圖式下側）的偏光板120。偏光板120係實施型態2之偏光板。
如圖8所繪示，偏光板120係以基材薄膜112配置於偏光件111與液晶層430之間的方式堆疊。
根據本實施型態，可提供具備「即便將基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即便厚度薄仍可有效率製造之本發明的偏光板」的顯示裝置。
［EL顯示裝置的概要］
本發明之顯示裝置具有2片基板與位於其間之發光層，以及配置於2片基板之中一基板之外側的偏光板。該顯示裝置可藉由將本發明之偏光板堆疊至有機EL面板或無機EL面板而製造。
通常有機EL顯示裝置自光出射側依序具備：基板、透明電極、發光層及金屬電極層，而在本發明之顯示裝置可於基板的光出射側具備本發明之偏光板。以下具體說明關於實施型態6及7之有機EL顯示裝置。
［實施型態6：有機EL顯示裝置］
參照圖9同時說明關於具備本發明之偏光板的實施型態6之顯示裝置。圖9係繪示關於本發明之實施型態6之有機EL顯示裝置500的剖面示意圖。有機EL顯示裝置500具有2片基板510、520與位於其間的發光層530，以及配置下側基板510之外側（圖式下側）的偏光板100。偏光板100係實施型態1之偏光板。
如圖9所繪示，偏光板100，係以基材薄膜112配置於偏光件111與發光層530之間的方式堆疊。
根據本實施型態，可提供具備「即便將基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即便厚度薄仍可有效率製造之本發明的偏光板」的顯示裝置。
［實施型態7：有機EL顯示裝置］
參照圖10同時說明關於具備本發明之偏光板的實施型態7之顯示裝置。圖10係繪示關於本發明之實施型態7之有機EL顯示裝置550的剖面示意圖。有機EL顯示裝置550具有2片基板510、520與位於其間的發光層530，以及配置於下側基板510之外側（圖式下側）的偏光板120。偏光板120係實施型態2之偏光板。
如圖10所繪示，偏光板120係以基材薄膜112配置於偏光件111與發光層530之間的方式堆疊。
根據本實施型態，可提供具備「即便將基材薄膜作為保護薄膜仍可使用，且即便厚度薄仍可有效率製造之本發明的偏光板」的顯示裝置。
［其他實施型態］
（1）儘管在實施型態4中，揭示將實施型態1之偏光板分別使用於光源側偏光板及觀看側偏光板者，但亦可由實施型態2或3之偏光板構成任一者之偏光板，亦可使用2片實施型態2或3之偏光板。
（2）儘管在實施型態5中，將實施型態2之偏光板使用於光源側偏光板及觀看側偏光板之其中一者，但亦可使用實施型態1或3之偏光板。
（3）儘管在實施型態6及7中揭示將實施型態1之偏光板與實施型態2之偏光板分別使用於有機EL顯示裝置之例，但不受此限。舉例而言，亦可在無機EL顯示裝置上使用本發明之偏光板，亦可使用實施型態3之偏光板。
『實施例』
以下參照實施例及比較例以進一步詳細說明本發明，但本發明並非受限於下述實施例者。以下關於成分之量比的「份」及「%」，除非另有註記否則表示重量份。
〔評價方法〕
〔重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）〕
嵌段共聚物及嵌段共聚物氫化物的分子量，係在38℃下量測作為將THF做成溶析液之GPC的標準聚苯乙烯換算值。使用TOSOH公司製，HLC8020GPC作為量測裝置。
〔氫化率〕
嵌段共聚物氫化物的氫化率係藉由1 H-NMR光譜或GPC分析算出。氫化率99%以下之區域係量測1 H-NMR光譜而算出，超過99%之區域係藉由GPC分析並自UV檢測器及RI檢測器之峰值面積的比例算出。
〔面內相位差Re與Nz係數的量測方法〕
在波長590 nm使用相位差量測裝置（Axometric公司製　產品名「Axoscan」）量測Re及Rth，並基於此等求出Nz係數。
〔厚度的量測方法〕
原料薄膜之延伸前與延伸後的厚度、基材薄膜的厚度、偏光板所包含之各層體的厚度以下述方法量測。
使用切片機切割偏光板之後，使用TEM觀察其剖面。於5處量測厚度方向之尺寸，並採用其量測值之平均作為厚度。
〔堆疊體之貼合面狀的評價〕
以目視觀察堆疊體，將無條紋或孔隙產生者定為「良」，有產生者定為「不良」。
〔延伸性的評價〕
藉由以下基準評價在將堆疊體延伸以製造偏光板之工序中的工序穩定性。 A：不發生斷裂（送料10次而斷裂0次）。 B：幾乎不發生斷裂（送料10次而斷裂1次）。 C：頻繁發生斷裂而無法偏光板化。
〔黑色偏移的評價〕
自市售之IPS液晶電視拆下液晶顯示面板，替換掉配置於觀看側之偏光板，以使基材薄膜變成位在面板側的方式貼合在實施例及比較例中製作的偏光板。並且，將無保護薄膜之偏光件單元貼合至在實施例及比較例中製作之偏光板旁，重組液晶顯示裝置。
將面板設為黑色顯示狀態（整體畫面顯示為黑色的狀態），自方位角45°、極角45°的方位目視時，判斷與無保護薄膜之偏光件的情況色調變化相同者為A，有些許色調變化者為B，變化大者為C。將偏光板之吸收軸的方向定為方位角0°，面板之垂直方向定為極角0°。
〔實施例1〕
（1-1）基材薄膜的製造
（1-1-1）聚合物X的製作
參照日本專利公開第2002-105151號公報所記載之製造例，在第1階段使苯乙烯單體25份聚合後，在第2階段使苯乙烯單體30份及異戊二烯單體25份聚合，之後在第3階段使苯乙烯單體20份聚合而獲得嵌段共聚物［D1］後，將該嵌段共聚物氫化，合成嵌段共聚物氫化物［E1］。嵌段共聚物氫化物［E1］之Mw為84,500，Mw／Mn為1.20，主鏈及芳環的氫化率為幾乎100%。
於嵌段共聚物氫化物［E1］100份中，熔融混煉作為抗氧化劑的肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯（松原產業公司製，產品名「Songnox1010」）0.1份而摻合後，做成顆粒狀，獲得成形用的聚合物X。
（1-1-2）基材薄膜A的製造
將在（1-1-1）所製造之聚合物X供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模將聚合物X擠出，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲至輥，藉此將聚合物X成形為薄膜狀。藉此，獲得由聚合物X而成之長條狀的基材薄膜A（厚度25 μm）。
（1-2）偏光件材料薄膜的製造
使用未延伸聚乙烯醇薄膜（平均聚合度約2400，皂化度99.9莫耳%，厚度20 μm，以下亦稱為「PVA20」）作為原料薄膜。
將原料薄膜使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0沿長邊方向乾式延伸，獲得偏光件材料薄膜。偏光件材料薄膜的厚度T1為12 μm，面內方向的Re為345 nm，Nz係數為1.0。
（1-3）堆疊體的製造
將水100重量份、聚乙烯醇系接合劑（日本合成化學公司製「Z-200」）3重量份及交聯劑（日本合成化學公司製「SPM-01」）0.3重量份混合，獲得接合劑組成物。對在（1-1-2）中獲得之基材薄膜A的單面施以電暈處理，在其上塗布此接合劑組成物，並貼合至偏光件材料薄膜之一面。使接合劑組成物以此狀態在70℃中加熱乾燥5分鐘。藉此，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜A（未延伸）」之層體結構的堆疊體。接合劑層的厚度為1 μm。
評價所獲得之堆疊體的貼合面狀。結果揭示於表1。
（1-4）偏光板的製造（濕式）
將在（1-3）中所獲得之堆疊體，透過導輥沿長邊方向連續運送，同時進行下述操作。
對前述堆疊體進行浸漬於包含碘及碘化鉀之染色溶液的染色處理，與將染色處理後之堆疊體延伸的第一延伸處理。隨後，對第一延伸處理後之堆疊體進行在包含硼酸及碘化鉀之65℃之酸浴中延伸的第二延伸處理。以由在第一延伸處理中之延伸倍率與在第二延伸處理中之延伸倍率的乘積所表示之總延伸倍率呈2.0的方式設定。在第一延伸處理及第二延伸處理中的延伸方向皆定為長邊方向。
將第二延伸處理後之堆疊體於乾燥機中在70℃下乾燥5分鐘。藉此，獲得具有「偏光件」／「接合劑層」／「基材薄膜A」之層體結構的偏光板。量測在偏光板中之基材薄膜的厚度及面內方向的相位差Re（基材Re），以及偏光件材料薄膜的厚度T，與延伸性及黑色偏移之評價結果一併揭示於表1。
〔實施例2〕
除了使用在以下（2-2）中所獲得之偏光件材料薄膜，代替在（1-2）中所獲得之偏光件材料薄膜以外，比照實施例1操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（2-2）偏光件材料薄膜的製造
使用未延伸聚乙烯醇薄膜（平均聚合度約2400，皂化度99.9莫耳%，厚度30 μm，以下亦稱為「PVA30」）作為原料薄膜。
將原料薄膜（PVA30）使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度130℃下以延伸倍率3.0沿長邊方向延伸，獲得偏光件材料薄膜。
〔實施例3〕
除了使用在以下（3-1）中所獲得之基材薄膜B，代替在（1-1）中所獲得之基材薄膜A以外，比照實施例1操作製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（3-1）基材薄膜B的製造
將「在（1-1-1）所製造之聚合物X」與「以相對於100重量份聚合物X為20重量份之比例添加之聚異丁烯（JX日鑛日石能源公司製『日石聚丁烯　HV-300』，數量平均分子量1,400）」的混合物，供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模將聚合物X及聚異丁烯的混合物擠出，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲至輥，藉此獲得呈薄膜狀且長條狀的基材薄膜B（厚度25 μm）。
〔實施例4〕
藉由以下方法製造偏光板，並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。
（4-1）基材薄膜C的製造
將丙烯酸樹脂（住友化學公司製，SUMIPEX HT55X）供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。自T字模將丙烯酸樹脂擠出，並以4 m／分鐘的牽引速度收捲至輥，藉此將丙烯酸樹脂成形為薄膜狀。藉此，獲得由丙烯酸樹脂而成之長條狀的基材薄膜C（厚度25 μm）。
（4-3）堆疊體的製造
除了在（1-3）中，使用在（4-1）所製造之基材薄膜C代替基材薄膜A以外，比照實施例1的（1-3）操作，獲得具有「偏光件材料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜C（未延伸）」之層體結構的堆疊體。
（4-4）偏光板的製造（乾式）
將在（4-3）所獲得之堆疊體，使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度110℃下以延伸倍率1.8沿長邊方向延伸。將已延伸之堆疊體浸漬於包含碘、碘化鉀及硼酸的染色溶液以染色並以60℃之溫風乾燥。隨後，將已染色之堆疊體使用縱向單軸延伸機，在延伸溫度90℃下以延伸倍率1.1沿長邊方向延伸而獲得偏光板。
〔比較例1〕
（C1-3）堆疊體的製造
除了在（1-3）中，使用原料薄膜（PVA20：未延伸之聚乙烯醇薄膜）代替偏光件材料薄膜以外，比照實施例1的（1-3）操作，獲得具有「原料薄膜」／「接合劑層」／「基材薄膜A（未延伸）」之層體結構的堆疊體。
（C1-4）偏光板的製造
除了使用在（C1-3）中所獲得之堆疊體代替在（1-3）中所獲得之堆疊體，以及以總延伸倍率呈6.0的方式進行延伸處理以外，比照實施例1的（1-4）操作製造偏光板。並比照實施例1進行評價，結果揭示於表1。相較於偏光件材料薄膜，基材薄膜難以伸長，且會於基材薄膜產生斷裂，而無法進行穩定的偏光板之製造。
〔比較例2〕
（C2-3）堆疊體的製造
根據以下步驟，在基材薄膜C2的表面製作聚乙烯醇（PVA）膜層，以製造堆疊體。
使用使異酞酸6 mol%共聚合之非晶質聚對酞酸乙二酯（非晶質PET，玻璃轉移溫度為75℃）的連續網狀基材薄膜（厚度200 μm）作為基材薄膜C2。作為形成PVA層的PVA水溶液，使用將聚合度1000以上、皂化度99%以上、玻璃轉移溫度80℃的PVA粉末以濃度呈4～5重量%的方式溶解於水而獲得的水溶液。
將PVA水溶液塗布於基材薄膜C2之一面上，並在50～60℃之溫度下乾燥，藉此在基材薄膜C2的表面上製作PVA層，獲得具有「PVA層」／「基材薄膜C2」之層體結構的堆疊體。在堆疊體中之PVA層的厚度記載於表1的「延伸前的厚度」之欄。
（C2-4）偏光板的製造
將在（C2-3）中所獲得之堆疊體置於配備在經設定成130℃之延伸溫度環境之烘箱的延伸裝置，並以延伸倍率呈1.8倍的方式進行自由端單軸延伸（第一延伸處理）。
對第一延伸處理後之堆疊體進行浸漬於包含碘及碘化鉀之染色溶液的染色處理。隨後，將染色處理後之堆疊體置於配備在包含硼酸及碘化鉀之經設定成65℃的硼酸水溶液之處理裝置的延伸裝置，並以延伸倍率呈3.3倍的方式對自由端單軸進行延伸處理（第二延伸處理）。延伸方向，第一延伸處理及第二延伸處理皆定為長邊方向。
將第二延伸處理後之堆疊體自硼酸水溶液取出，並將在非晶性PET基材上製作之3 μm厚的PVA層之表面上所附著的硼酸以碘化鉀水溶液清洗之後，藉由60℃之溫風的乾燥工序乾燥獲得偏光板。量測在偏光板中之基材薄膜的厚度及相位差（基材Re），以及PVA層的厚度（T），並與延伸性及黑色偏移的評價結果一併揭示於表1。
實施例及比較例的結果揭示於表1。
表1中，所謂Acryl意謂丙烯酸樹脂。
表1中，延伸方向（°）係將薄膜的幅寬方向定為0°時的角度。
表中，所謂非晶質PET意謂非晶質聚對酞酸乙二酯。
『表1』 表1
Figure 107125492-A0304-0001
由表1的結果可知，根據本發明，由於可減小歷經將堆疊體延伸的工序後之基材薄膜所顯現的相位差，故藉此得有效率製造即便將基材薄膜作為保護薄膜仍可使用且厚度薄的偏光板。
1‧‧‧原料薄膜10‧‧‧堆疊體11‧‧‧偏光件材料薄膜12‧‧‧基材薄膜13‧‧‧接合劑層100、120、130‧‧‧偏光板111‧‧‧偏光件112‧‧‧基材薄膜113、114‧‧‧接合劑層115‧‧‧保護薄膜116‧‧‧黏合劑層200‧‧‧製造裝置201、202‧‧‧捲出裝置203‧‧‧收捲裝置204‧‧‧延伸裝置205‧‧‧貼合裝置300‧‧‧製造裝置301、307‧‧‧捲出裝置302～305‧‧‧處理裝置306、309‧‧‧乾燥裝置308‧‧‧貼合裝置310‧‧‧收捲裝置400、450‧‧‧液晶顯示裝置（顯示裝置）410、420‧‧‧基板430‧‧‧液晶層500、550‧‧‧有機EL顯示裝置（顯示裝置）510、520‧‧‧基板530‧‧‧發光層
〈圖1〉圖1係繪示關於本發明之實施型態1之偏光板的剖面示意圖。
〈圖2〉圖2係繪示使用於實施型態1～3之偏光板之製造的堆疊體之一例的剖面示意圖。
〈圖3〉圖3係繪示使用於實施型態1～3之偏光板之製造的堆疊體之製造工序之一例的示意圖。
〈圖4〉圖4係繪示實施型態1～3之偏光板的製造工序之一例的示意圖。
〈圖5〉圖5係繪示關於本發明之實施型態2之偏光板的剖面示意圖。
〈圖6〉圖6係繪示關於本發明之實施型態3之偏光板的剖面示意圖。
〈圖7〉圖7係繪示關於本發明之實施型態4之顯示裝置的剖面示意圖。
〈圖8〉圖8係繪示關於本發明之實施型態5之顯示裝置的剖面示意圖。
〈圖9〉圖9係繪示關於本發明之實施型態6之顯示裝置的剖面示意圖。
〈圖10〉圖10係繪示關於本發明之實施型態7之顯示裝置的剖面示意圖。
100‧‧‧偏光板
111‧‧‧偏光件
112‧‧‧基材薄膜
113‧‧‧接合劑層

Claims (13)

  1. 一種偏光板，其係包含偏光件及基材薄膜的偏光板，其中該偏光板，係將堆疊體以1.5以上且4.0以下之延伸倍率Y延伸者，該堆疊體，包含偏光件材料薄膜及未延伸之基材薄膜，該偏光件材料薄膜，係將原料薄膜以1.5以上且5.5以下之延伸倍率X延伸而成之薄膜，該偏光件，包含二色性物質，且厚度T為20μm以下，以及該偏光板中的基材薄膜之面內方向的相位差Re為20nm以下。
  2. 如請求項1所述之偏光板，其中該堆疊體於該偏光件材料薄膜與該未延伸之基材薄膜之間更包含接合劑層。
  3. 如請求項1或2所述之偏光板，其中該基材薄膜係由選自非晶質聚酯樹脂、聚烯烴樹脂及丙烯酸樹脂之至少1種而成之薄膜層。
  4. 如請求項1或2所述之偏光板，其中該基材薄膜係由環烯烴樹脂而成之薄膜，該環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物，該環烯烴系聚合物，係由選自降
    Figure 107125492-A0305-02-0042-1
    烯系單體之開環聚合物的氫化物、降
    Figure 107125492-A0305-02-0042-4
    烯系單體與α-烯烴的加成共聚物及其氫化物之至少1種而成。
  5. 如請求項1或2所述之偏光板，其中該基材薄膜係由環烯烴樹脂而成之薄膜，該環烯烴樹脂包含環烯烴系聚合物，該環烯烴系聚合物係由將嵌段共聚物〔D〕氫化後之嵌段共聚物氫化物而成，所述嵌段共聚物〔D〕係由：以源自芳族乙烯化合物的重複單元〔I〕作為主成分之聚合物嵌段〔A〕，與以源自芳族乙烯化合物的重複單元〔I〕及源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元〔II〕作為主成分之聚合物嵌段〔B〕，或以源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元〔II〕作為主成分之聚合物嵌段〔C〕而成。
  6. 如請求項1或2所述之偏光板，其中該基材薄膜，含有塑化劑及/或軟化劑。
  7. 如請求項6所述之偏光板，其中該塑化劑及/或軟化劑係選自酯系塑化劑及脂族烴聚合物之一種以上。
  8. 如請求項1或2所述之偏光板，其中於該偏光件之一面具有保護薄膜或黏合劑層。
  9. 如請求項8所述之偏光板，其中該保護薄膜，係由環烯烴樹脂、丙烯酸樹脂、聚對酞酸乙二酯樹脂或三乙酸纖維素樹脂而成。
  10. 一種顯示裝置，其具有2片基板與位於其間的液晶層，以及 如請求項1至9之任一項所述之偏光板，所述偏光板配置於該2片基板之中至少一基板的外側。
  11. 一種顯示裝置，其具有2片基板與位於其間的發光層，以及如請求項1至9之任一項所述之偏光板，所述偏光板配置於該2片基板之中一基板的外側。
  12. 如請求項10所述之顯示裝置，其中於該偏光件與該液晶層之間設置有該基材薄膜。
  13. 如請求項11所述之顯示裝置，其中於該偏光件與該發光層之間設置有該基材薄膜。
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