TWI769205B

TWI769205B - 缺陷分析

Info

Publication number: TWI769205B
Application number: TW106144734A
Authority: TW
Inventors: 湯瑪士米勒
Original assignee: 美商Fei公司
Priority date: 2016-12-21
Filing date: 2017-12-20
Publication date: 2022-07-01
Also published as: US20180182676A1; JP7113613B2; CN108231617B; US10373881B2; JP2018152548A; CN108231617A; KR102495078B1; KR20180072565A; TW201837453A

Abstract

本發明揭示一種用於分析缺陷之系統，其包括使用一晶圓檢測工具判定一缺陷之座標；識別接近該等缺陷座標之一所關注結構；引導一聚焦離子束朝向該晶圓以曝露該所關注結構；及形成該經曝露所關注結構之一影像，其中引導該聚焦離子束以在對應於該經識別所關注結構之一位置處而非在該缺陷之該等座標處研磨。

Description

缺陷分析

本發明係關於一種分析諸如一積體電路之一樣品中之缺陷之方法。

現代積體電路包含具有小於100 nm之線寬之特徵。有效識別且分析在此等電路之製造期間產生之缺陷係一持續挑戰。光學晶圓檢測工具(諸如來自加利福尼亞州米爾皮塔斯市之KLA-Tencor Corporation之KLA-Tencor 2930寬頻電漿缺陷檢測系統)光學檢查在其上製造積體電路之晶圓。晶圓可處於不同處理階段中或可經「去層處理(deprocessed)」以移除層且曝露埋藏層。光學晶圓檢測工具照明待測試晶圓且觀察來自晶圓表面及接近次表面之光以識別缺陷。可觀察之缺陷的類型包含表面上、接近表面或表面下方某處之實體缺陷。晶圓檢測工具通常輸出可對應於缺陷之異常之一清單。清單可包含一缺陷類別及缺陷在檢測座標系統中之位置。可藉由比較實際掃描之結果與一已知良好晶圓之一掃描之結果或藉由比較檢測結果與一已知良好晶圓之一模擬檢測而識別晶圓上之缺陷。在一些工作流程中，在檢測步驟之後使用設備以在晶圓表面上執行某一種類之一標記以使得可在後續處理期間更容易地尋找缺陷。另一類型之晶圓檢測工具係一掃描電子顯微鏡(SEM)檢測工具，諸如Hermes eScan 320XP。一電子束掃描遍及晶圓之表面且使用回應於入射束自樣品發射之電子形成一影像。標註異常之座標。電子束可形成異常之一更高度放大影像。此等基於SEM之檢測工具可看見實體缺陷或電相關缺陷(稱為電壓對比(VC)缺陷)兩者。在許多情況中，VC缺陷或電性質之缺陷將係歸因於實體上在晶圓表面下方之一缺陷(例如，一次表面缺陷)。亦可自使用其他類型之晶圓檢測工具識別缺陷，諸如一光學或熱系統(如同ELITE for Semiconductors)及探針系統(諸如Hyperion)，其兩者可購自係本發明之受讓人之FEI Company (Thermo Fisher Scientific Company之部分)。探針系統藉由晶圓表面上之曝露導體之電探測而尋找缺陷。藉由來自與晶圓接觸之實體探針之電性標記(electrical signature)識別缺陷。經識別缺陷通常在晶圓之表面下方且通常有必要曝露一埋藏層以檢查缺陷。可將缺陷之座標自晶圓檢測工具傳輸至一聚焦離子束(FIB)工具且FIB研磨晶圓以曝露可用於分析之缺陷。在一些案例中，座標之傳輸可藉由協調且控制多個系統之操作之一工廠自動化系統執行。為了執行次表面評估，FIB可在晶圓中於缺陷座標處研磨一溝槽以曝露缺陷位點處之一區域之一截面。接著，可使用一SEM觀看經曝露截面之一影像。在一些情況中，自截面移除額外薄切片且形成額外SEM影像以隨著經曝露壁前進穿過樣品而提供穿透一三維體積之一系列影像。此一技術描述於(例如) Brogden之美國專利第9,218,940號「Method and Apparatus for Slice and View Sample Imaging」中，該專利讓與本申請案之申請人。 FIB工具亦可用於自晶圓製備一樣品以在一透射電子顯微鏡(TEM)上觀看，該TEM提供高於一SEM之解析度但需要充分薄以使電子穿過之一樣品。如本文中使用，「TEM」包含一非掃描TEM及一掃描透射電子顯微鏡(STEM)兩者且一「TEM影像」可包含形成於任一者中之一影像。自一晶圓提取一薄樣品(稱為一「薄片(lamella)」)之一方法描述於(例如) Brogden等人之美國專利申請公開案2016/0141147「Automated TEM Sample Preparation」中，該案讓與本申請案之受讓人。經提取樣品可係來自垂直於表面之一平面之一截面樣品或來自平行於晶圓表面之一平面之一平面視圖樣品。全部所述FIB方法之一共同特徵係FIB用於輔助缺陷之位置處之某一類型之次表面評估。晶圓檢測工具在一晶圓檢測工具座標系統中提供缺陷座標。為了在FIB工具中尋找缺陷，有必要判定缺陷在FIB工具座標系統中之位置。在晶圓檢測工具及FIB工具兩者中判定晶圓上之參考點之位置，且接著計算一座標變換系統以將如在晶圓檢測工具中判定之缺陷之座標變換為FIB工具中之座標。參考點可包含(例如)晶圓圓周中之缺口或平坦區域，以及在製程期間在晶圓上產生之標記或具體製作用於對準之標記。現代積體電路可具有按具有50 nm或甚至更小之一間距之陣列製造之電晶體。為了擷取薄至10 nm至15 nm之一薄片中之一電晶體閘極，薄片需要FIB束之精確定位來製造薄片。在許多情況中，可期望執行具有小於數奈米之位置準確度誤差之FIB研磨。使用由晶圓檢測工具產生之缺陷座標以定位聚焦離子束用於製備一檢測位點之此程序係不精確的。光學檢測系統之解析度由所使用之光之波長限制，且可能不足以製備用於觀看之截面或樣品。又，晶圓檢測工具座標系統至FIB工具座標系統之映射可係不精確的。通常言之，作為FIB處理之部分在藉由座標變換判定之缺陷位置處製備一截面或薄片。實務上，該位置通常遺漏實際缺陷且因此不會產生缺陷之一影像，從而使製程工程師喪失所需資訊。

本發明之一目的係提供一種用於分析積體電路中之缺陷之方法及裝置。在一檢測工具中識別一缺陷。判定或先前判定對應於缺陷座標之一所關注結構。諸如一FIB工具之一處理工具接著曝露該所關注結構用於分析，且分析該結構。該處理工具處理且曝露該經識別所關注結構(通常最接近該等檢測工具缺陷座標之所關注結構)而非在該缺陷之該等座標處處理樣品。前文已相當廣泛地概述本發明之特徵及技術優點使得可更佳理解下文之本發明之詳細描述。下文中將描述本發明之額外特徵及優點。熟習此項技術者應瞭解，所揭示之概念及特定實施例可容易用作用於修改或設計用於執行本發明之相同目的之其他結構之一基礎。熟習此項技術者亦應認識到，此等等效構造不脫離如隨附發明申請專利範圍中所闡述之本發明之精神及範疇。

在傳統缺陷分析中，使用一FIB以在對應於由一檢測工具報告且轉換為FIB工具座標系統之缺陷座標之一位置處切割至一晶圓中(即，研磨)。然而，由晶圓檢測工具報告且轉換為FIB工具座標系統之缺陷位置通常不夠精確來容許FIB處理曝露缺陷。申請人已認知，可在一晶圓檢測工具中觀察之一結構缺陷更可能在一結構之位置處而非結構之間發生。申請人亦認知，一顯著缺陷引起一電路元件(諸如一電晶體或一通孔)之一故障，且製程工程師或分析缺陷之其他人可藉由分析缺陷電路元件中之所關注結構而獲得更相關資訊。申請人使用來自晶圓檢測工具之缺陷座標以識別一鄰近電路或結構元件，且接著引導FIB工具處理所要電路或結構元件，而非引導FIB工具在缺陷座標處研磨。與來自晶圓檢測工具之缺陷座標(其等被轉換為FIB工具座標)相比，結構在FIB工具座標中之位置提供用以研磨之一更精確位置。檢測工具通常具有自動化分類能力，其等可藉由該能力將經偵測缺陷分級成若干類別。在一些實施例中，一製程工程師可使一FIB操作與一或多個缺陷類別相關聯以產生特定於一缺陷分類之一「所關注結構」。舉例而言，一製程工程師可判定針對一「類別3」缺陷，其將檢視在一FinFET電晶體之源極區域上居中之一薄片之一TEM影像，其中薄片之主平面垂直於鰭片。當晶圓檢測識別一類別3缺陷且提供其座標時，使用下文描述之一個方法定位最接近(或以其他方式相對於缺陷座標指定)之FinFET且將FIB工具程式化以自動產生在指定位置處具有指定定向之一薄片。缺陷之不同類別可與不同所關注結構相關聯。FIB研磨並非在由檢測工具提供之缺陷座標處而在一對應所關注結構之位置處執行。對應於一缺陷之所關注結構通常將係最接近缺陷座標之所關注結構，但並非一定如此。可指定任何所關注結構，諸如在一特定方向上移位或與缺陷座標相距一特定距離之所關注結構。多於一單一所關注結構可與一缺陷類別相關聯。舉例而言，一缺陷類別可與兩個結構相關聯，其中結構不同地定向，諸如在鰭片之平面中之一薄片及垂直於鰭片之平面之一薄片，薄片係自在缺陷座標之一指定距離內之不同電晶體提取。當晶圓檢測工具未自動對缺陷進行分類時，將相同地處理全部缺陷。在一些案例中，多個所關注結構可與一單一缺陷類別相關聯。在此情況中，FIB處理將發生於最接近所報告位置之任一所關注結構處。本文中描述之程序促進一全自動化工作流程，其中在晶圓檢測工具中自動識別缺陷且接著一FIB工具自動處理對應於經識別缺陷之一所關注結構。圖1係展示用於分析一缺陷之一程序之一流程圖。在步驟102處，在一晶圓檢測工具中檢測晶圓。晶圓檢測工具可係尋找異常或缺陷且提供缺陷座標之任何類型之系統。舉例而言，晶圓檢測工具可係一光學檢測系統(諸如來自KLA-Tencor之一KLA-Tencor 2930)、一電子束檢測工具(諸如來自台灣新竹市之Hermes Microvision之Hermes eScan 320XP)、一熱檢測系統(諸如來自係本發明之受讓人之FEI Company之ELITE for Semiconductors)或一電檢測系統(諸如一基於探針之系統)。程序不限於處理其上製造積體電路之晶圓，缺陷可在任何基板上。在選用步驟104中，對缺陷進行分類。舉例而言，缺陷分類可係基於晶粒內之缺陷之實體位置或缺陷之大小。大多數現代晶圓檢測工具將自動對所識別之缺陷進行分類。來自一晶圓檢測工具之一個類型之輸出檔案係一KLA結果檔案，亦稱為一「KLARF」檔案。圖2展示來自一晶圓檢測工具之一簡化輸出檔案表202。行204展示識別各缺陷之一序號。行206及行208分別展示各缺陷在一晶圓檢測工具座標系統中之x座標及y座標。晶圓檢測工具座標系統可係任何類型之座標系統，諸如一矩形座標系統或指定一角度及與一旋轉中心相距之一距離之一極座標系統。行210指定缺陷之分類。在步驟106中，判定對應於缺陷之「所關注結構」之一類型。可針對缺陷之不同類別預指定所關注結構之類型。若未對缺陷進行分類，則可針對全部缺陷類型使用一單一所關注結構。圖3展示一表，該表具有與不同缺陷類別相關聯之所關注結構及用以曝露所關注結構用於分析之相關聯FIB操作。通常言之，與一缺陷分類相關聯之所關注結構之類型之判定通常係在開始晶圓檢測之前完成，但可在FIB處理之前之任何時間完成。舉例而言，隨著製程工程師檢查一些所關注結構且暸解更多缺陷之原因，可改變與一缺陷分類相關聯之所關注結構之類型。在步驟108中，判定晶圓上之一特定所關注結構且將其與特定缺陷座標相關聯。可藉由晶圓檢測工具、藉由一單獨電腦、藉由一FIB工具電腦或藉由任何其他系統判定所關注特定結構。可在介於缺陷座標之判定與離子束處理之開始之間之任何時間判定所關注特定結構。一旦判定所關注特定結構，如由檢測工具判定之缺陷之位置便不再係主要關注。一旦FIB工具已判定所關注結構在FIB座標系統中之位置，全部未來FIB處理便可使用所關注結構完成。與缺陷相關聯之所關注結構通常係最接近缺陷座標之所要類型之所關注結構。存在可識別最接近缺陷座標之所關注特定結構之數個方式。雖然所關注結構通常在表面下方，但可使用表面上可見之特徵來導航且識別次表面特徵之位置。次表面特徵在一SEM影像中可見。在一些情況中，SEM入射電子可小量穿透至表面中且產生具有接近表面之區域之一些內容之一影像。一SEM影像亦可在藉由FIB曝露一次表面特徵之後，觀看該次表面特徵。參考影像可用於比較及導航。舉例而言，可在檢測之前實驗性地擷取一頂表面或次表面參考影像。可在參考影像上訓練影像辨識軟體以相對於影像上可見之結構定位所關注結構。FIB工具可導航至缺陷座標且擷取區域之一FIB或SEM影像。影像辨識軟體可比較所擷取影像中之可見特徵與來自參考影像之可見特徵以識別所關注結構相對於可見特徵之位置。替代地，可使用描述電路設計之一CAD (「電腦輔助設計」)資料庫合成地產生一參考影像。在一些情況中，CAD資料包括多邊形且需要一解譯步驟以將多邊形轉換為一影像中可辨識之實體結構。CAD資料可提供次表面特徵相對於可見特徵之位置。在又一替代例中，可使用指定電路元件之位置之CAD資料且比較該等位置與缺陷座標而判定最接近缺陷座標之所關注結構。當識別最接近所關注結構時，FIB工具可導航至如由CAD資料指示之所關注結構之位置。視情況，在FIB工具導航至如由CAD資料判定之所關注結構座標之座標之後，可擷取區域之一影像且使用該影像更精確定位所關注結構。作為一實例，圖4展示具有呈一陣列之八個FinFET 404a至404h及四個通孔406a至406d之一晶圓表面402之一示意圖。由元件符號410指示之「X」表示作為來自晶圓檢測工具之輸出且被變換為FIB工具座標系統之一類別2缺陷之座標。系統將接著諮詢表300以判定針對一類別2缺陷，所關注結構係平行於鰭片切割之一FinFET源極區域。系統判定最接近FinFET，其係FinFET 404a。在步驟110中，引導FIB工具曝露與缺陷分類相關聯之所關注結構。在步驟108中判定所關注結構在FIB座標系統中之位置。在圖4之實例中，FIB工具可自動形成穿過源極區域且具有如藉由圖3針對類別2缺陷判定之平行於鰭片之一平面之一TEM薄片。圖5展示在步驟110中形成之一TEM薄片502，其展示源極504、汲極506、閘極508及鰭片510。在一些實施例中，FIB基於一俯視影像判定開始研磨之位置。在一些實施例中，一俯視影像可提供開始所關注結構之處理之一近似位置，且接著一影像可由藉由FIB曝露之一截面形成。FIB可繼續自截面壁移除切片以使壁前進穿過基板直至曝露所關注結構，如(例如)由用實驗性地擷取或自CAD資料模擬之一先前影像進行訓練之影像辨識軟體判定。已知用於定位一晶圓上之一特徵用於FIB處理之方法。缺陷412 (圖4)係一類別4缺陷。如圖3中展示，與一類別4缺陷相關聯之所關注結構係一通孔之一截面。系統定位最接近缺陷412之座標之通孔(在圖4中，為通孔406b)。FIB工具接著定位於通孔406b處且切割一溝槽602以曝露通孔406b之一截面，如圖6A及圖6B中展示。處理層604a、604b及604c在截面中可見。在步驟112中，檢查所關注結構。圖1展示用於執行程序步驟之一個可能順序。可改變執行步驟之順序而不脫離本發明之範疇。一晶圓檢測工具通常識別大量缺陷，且使用一FIB處理各缺陷位置可係不切實際的。通常言之，選擇缺陷之一代表性樣品用於進一步研究。舉例而言，一晶圓檢測工具可檢測且識別(例如) 3000個缺陷，其中缺陷被自動分類成數個類別。該處系統可(例如)自各指定分類選擇三個缺陷來由FIB工具處理。一使用者可針對各類別預指定用於FIB處理之缺陷之數目，且接著系統可自動選擇且處理該等缺陷。圖7展示具有包含一晶圓檢測工具702、一FIB工具704、一TEM 706及一電腦710之主要組件之一系統700。組件可透過可控制組件之電腦710進行資料通信，但各組件通常亦將具有其自身的控制器。一記憶體712可儲存缺陷資訊、表(諸如圖2及圖3中展示之表)及描述經檢測之晶圓之電路之設計資訊(CAD資料)。應理解，術語「缺陷座標」係指相關系統中之缺陷座標，亦即，FIB工具座標系統或檢測工具座標系統。雖然在上文中提及「晶圓檢測工具」，但檢測工具可檢測呈任何形式之樣品且不限於呈晶圓形式之樣品。如本文中使用，一「FIB工具」包含(但不限於)具有超過引導一聚焦離子束之額外能力之一系統，諸如具有一SEM之一雙束系統或亦包含一光學顯微鏡之一系統。一FIB工具之一實例將係來自Hillsboro, Oregon之FEI Company (Thermo Fisher Scientific之一部門)之Helios Nanolab 1200。一FIB工具可使用任何類型之離子源，諸如一液態金屬離子源或一電漿離子源。本發明之一些實施例提供一種用於分析一電路缺陷之方法，其包括：使用一晶圓檢測工具判定一晶圓上之一缺陷之座標；識別接近該等缺陷座標之一所關注結構；引導一聚焦離子束朝向該晶圓以製造包含該所關注結構之一TEM薄片；及引導一電子束朝向該薄片以形成該所關注結構之一TEM影像，其中引導該聚焦離子束以在對應於該經識別所關注結構之一位置處而非在該缺陷之該等座標處研磨。本發明之一些實施例提供一種用於分析一電路缺陷之方法，其包括：使用一晶圓檢測工具判定一晶圓上之一缺陷之座標；識別接近該等缺陷座標之一所關注結構；引導一聚焦離子束朝向該晶圓以曝露該所關注結構；及形成該經曝露所關注結構之一影像，其中引導該聚焦離子束以在對應於該經識別所關注結構之一位置處而非在該缺陷之該等座標處研磨。在一些實施例中，引導該聚焦離子束朝向該晶圓以曝露該所關注結構包括引導一聚焦離子束朝向該晶圓以研磨曝露該所關注結構之一截面；且形成該經曝露所關注結構之該影像包括形成一掃描電子束影像。在一些實施例中，引導該聚焦離子束朝向該晶圓以曝露該所關注結構包括引導一聚焦離子束朝向該晶圓以形成包含該所關注結構之一薄片。在一些實施例中，形成該經曝露所關注結構之該影像包括形成一透射電子束影像。在一些實施例中，判定該晶圓檢測工具中之該缺陷座標包括判定一光學檢測系統、一熱檢測系統、一電檢測系統或一電子束檢測系統中之一缺陷座標。在一些實施例中，識別接近該等缺陷座標之該所關注結構包括識別最接近該等缺陷座標之該所關注結構。一些實施例進一步包括指定鍵入所關注結構之一類型且其中識別最接近該等缺陷座標之該所關注結構包括該指定類型之一所關注結構。在一些實施例中，識別該指定類型之該所關注結構包括識別最接近該等缺陷座標之該指定類型之該所關注結構。在一些實施例中，識別接近該等缺陷座標之該所關注結構包括使用經儲存電路設計資料來識別接近該等缺陷座標之一所關注結構。在一些實施例中，識別接近該等缺陷座標之該所關注結構包括使用一影像來識別接近該等缺陷座標之一所關注結構。在一些實施例中，識別一所關注結構係藉由一晶圓檢測工具、一離子束系統或與該晶圓檢測工具及該離子束系統資料通信之一電腦執行。本發明之一些實施例提供一種用於分析一積體電路中之缺陷之裝置，其包括：一晶圓分析工具，其經程式化以識別一晶圓上之缺陷且提供該等缺陷之座標；一雙束系統，其包含一聚焦離子束柱及一掃描電子顯微鏡柱，該雙束系統經程式化以執行一操作以曝露一所關注次表面區域；及一電腦，其經程式化以自該晶圓分析工具接收缺陷座標，判定對應於該缺陷之一所關注結構且引導該雙束系統執行一指定操作以曝露該所關注次表面區域。在一些實施例中，該晶圓分析工具對該等缺陷進行分類且該指定操作取決於該分類。在一些實施例中，該晶圓分析工具係一光學檢測工具、一熱檢測系統及電檢測系統或一電子束檢測工具。在一些實施例中，該聚焦離子束柱包括一液態金屬離子源或一電漿離子源。一些實施例提供一種用於分析一電路缺陷之方法，其包括：使用檢測一樣品之一區域之一檢測工具檢測一樣品，該區域包含多於100個結構；識別接近缺陷座標之一所關注結構；引導一聚焦束曝露該所關注結構；及形成該經曝露所關注結構之一影像，其中引導該聚焦束以在對應於該經識別所關注結構之位置處而非在該缺陷之該等座標處研磨。本文中描述之技術不限於任何特定類型之樣品、任何特定類型之檢測系統或任何特定類型之用以曝露所關注結構之處理。經檢測之樣品不限於一晶圓，可使用在其上製造多個結構之任何類型之基板。用以曝露所關注結構之材料之移除不限於聚焦離子束研磨。舉例而言，可使用一雷射來曝露所關注結構。本文中描述之技術可用於檢測相較於所關注結構之區域相對較大之一區域之任何檢測系統。舉例而言，藉由檢測系統檢測之區域可含有多於1,000,000或多於100,000,000個經製造結構，且經檢測區域可係個別結構之平均區域的超過1,000,000倍，超過10,000,000倍或超過500,000,000倍大。在下文之發明申請專利範圍中之步驟之順序係非限制性的，可改變步驟之順序而不脫離發明申請專利範圍之範疇。雖然已詳細描述本發明及其之優點，但應瞭解，在不脫離如由隨附發明申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇之情況下，在本文中可進行各種改變、替代及更改。再者，本申請案之範疇不旨在限於本說明書中描述之程序、機器、製造、物質組成、構件、方法及步驟之特定實施例。如一般技術者將自本發明之揭示內容容易瞭解，可根據本發明利用實質上執行與本文中描述之對應實施例相同之功能或實質上達成與其相同之結果的目前存在或後續發展之程序、機器、製造、物質組成、構件、方法或步驟。因此，隨附發明申請專利範圍旨在將此等程序、機器、製造、物質組成、構件、方法或步驟包含於其等之範疇內。

102‧‧‧步驟 104‧‧‧步驟 106‧‧‧步驟 108‧‧‧步驟 110‧‧‧步驟 112‧‧‧步驟 202‧‧‧簡化輸出檔案表 204‧‧‧行 206‧‧‧行 208‧‧‧行 210‧‧‧行 300‧‧‧表 402‧‧‧晶圓表面 404a至404h‧‧‧FinFET 406a至406d‧‧‧通孔 410‧‧‧類別2缺陷之座標 412‧‧‧缺陷 502‧‧‧透射電子顯微鏡(TEM)薄片 504‧‧‧源極 506‧‧‧汲極 508‧‧‧閘極 510‧‧‧鰭片 602‧‧‧溝槽 604a‧‧‧處理層 604b‧‧‧處理層 604c‧‧‧處理層 700‧‧‧系統 702‧‧‧晶圓檢測工具 704‧‧‧聚焦離子束(FIB)工具 706‧‧‧透射電子顯微鏡(TEM) 710‧‧‧電腦 712‧‧‧記憶體

為更透徹理解本發明及其優點，現參考結合隨附圖式進行之以下描述，其中：圖1係展示分析缺陷之一方法之一流程圖。圖2展示來自一晶圓檢測工具之一輸出檔案。圖3展示指定不同缺陷類型之一所關注結構之一表。圖4展示一晶圓中之結構之位置及缺陷位置。圖5展示其中曝露一FinFET之元件之一TEM薄片。圖6A及圖6B分別自一側視圖及一正視圖展示一通孔之截面。圖7示意性展示可用於實施本文中描述之技術之一系統。

102‧‧‧步驟

104‧‧‧步驟

106‧‧‧步驟

108‧‧‧步驟

110‧‧‧步驟

112‧‧‧步驟

Claims

一種用於分析一電路缺陷之方法，其包括：使用一晶圓檢測工具判定一晶圓上之一缺陷之座標；識別接近該等缺陷座標之一所關注結構；使用一聚焦離子束形成包含該所關注結構之一TEM薄片，其中自基於該經識別結構而非該缺陷之該等座標之一區域形成該TEM薄片，且其中引導該聚焦離子束以在對應於該經識別所關注結構之一位置處而非在該缺陷之該等座標處研磨；及形成該所關注結構之一TEM影像。
如請求項1之方法，其中使用該晶圓檢測工具判定該晶圓上之該缺陷之該等座標包括在一光學檢測系統、一熱檢測系統、一電檢測系統或一電子束檢測系統中判定該缺陷之該等座標。
如請求項1或請求項2之方法，其中識別接近該等缺陷座標之該所關注結構包括識別最接近該等缺陷座標之該所關注結構。
如請求項1或請求項2之方法，其進一步包括指定所關注結構之一類型且其中識別最接近該等缺陷座標之該所關注結構包括該經指定之類型之一所關注結構。
如請求項4之方法，其中識別該經指定之類型之該所關注結構包括識別最接近該等缺陷座標之該經指定之類型之該所關注結構。
如請求項1或請求項2之方法，其中識別接近該等缺陷座標之該所關注結構包括使用經儲存電路設計資料或使用一影像來識別接近該等缺陷座標之一所關注結構。
一種用於分析一電路缺陷之方法，其包括：使用一晶圓檢測工具判定一晶圓上之一缺陷之座標；識別接近該等缺陷座標之一所關注結構；引導一聚焦束朝向該晶圓以曝露該所關注結構，其中引導該聚焦束以在對應於該經識別所關注結構之一位置處而非在該缺陷之該等座標處研磨；及形成該經曝露所關注結構之一影像。
如請求項7之方法，其中：引導該聚焦束朝向該晶圓以曝露該所關注結構包括引導一聚焦離子束朝向該晶圓以研磨曝露該所關注結構之一截面；且形成該經曝露所關注結構之該影像包括形成一掃描電子束影像。
如請求項7之方法，其中引導該聚焦束朝向該晶圓以曝露該所關注結構包括引導一聚焦離子束朝向該晶圓以形成包含該所關注結構之一薄片。
如請求項7或請求項9之方法，其中判定該晶圓檢測工具中之該缺陷座標包括判定一光學檢測系統、一熱檢測系統、一電檢測系統或一電子束檢測系統中之一缺陷座標。
如請求項7或請求項9之方法，其中識別接近該等缺陷座標之該所關注結構包括識別最接近該等缺陷座標之該所關注結構。
如請求項7或請求項9之方法，其進一步包括指定所關注結構之一類型且其中識別接近該等缺陷座標之該所關注結構包括該經指定之類型之一所關注結構。
如請求項12之方法，其中識別接近該缺陷之該所關注結構包括識別接近該等缺陷座標之該經指定之類型之該所關注結構。
如請求項7或請求項9之方法，其中識別接近該等缺陷座標之該所關注結構包括使用經儲存電路設計資料來識別接近該等缺陷座標之一所關注結構。
如請求項7或請求項9之方法，其中識別接近該等缺陷座標之該所關注結構包括使用一影像來識別接近該等缺陷座標之一所關注結構。
如請求項7或請求項9之方法，其中識別該所關注結構係藉由一晶圓檢測工具、一離子束系統或與該晶圓檢測工具及該離子束系統資料通信之一電腦執行。
如請求項7或請求項9之方法，其中使用該晶圓檢測工具判定該晶圓上之該缺陷之座標包括使用檢測該樣品之一區域之一檢測工具檢測該晶圓，該區域包括多於100個結構，其等之一者係該所關注結構。
一種用於分析一積體電路中之缺陷之裝置，其包括：一晶圓分析工具，其經程式化以識別一晶圓上之缺陷且提供該等缺陷之座標；一雙束系統，其包含一聚焦離子束柱及一掃描電子顯微鏡柱，該雙束系統經程式化以執行一操作以曝露一所關注次表面區域；及一電腦，其經程式化以自該晶圓分析工具接收缺陷座標，判定對應於該缺陷之該所關注次表面區域內之一所關注結構且引導該雙束系統執行一指定操作以曝露該所關注次表面區域。
如請求項18之裝置，其中該晶圓分析工具對該等缺陷進行分類且該指定操作取決於該分類。
請求項18或請求項19之裝置，其中該晶圓分析工具係一光學檢測工具、一熱檢測系統及電檢測系統或一電子束檢測工具。
請求項18或請求項19之裝置，其中該聚焦離子束柱包括一液態金屬離子源或一電漿離子源。