TWI769082B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 347
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 61
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
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- Led Device Packages (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
一種發光裝置，包括基底、驅動線路、第一絕緣層、導電圖案層、電鍍層、保護層及發光元件。驅動線路設置於基底上。第一絕緣層設置於驅動線路上，且具有重疊於驅動線路的開口。導電圖案層具有第一部，其中導電圖案層的第一部設置於第一絕緣層的實體上，且位於第一絕緣層的開口外。電鍍層具有至少一凸起結構，其中至少一凸起結構設置於導電圖案層的第一部上，且與導電圖案層的第一部電性連接。保護層設置於第一絕緣層上，且覆蓋至少一凸起結構及導電圖案層的第一部。發光元件電性連接至驅動線路。
Description
本發明是有關於一種發光裝置及其製造方法。
相較於有機發光二極體背光模組（或顯示裝置），小型發光二極體的背光模組（或顯示裝置）具有省電、高效率及高亮度等優點。小型發光二極體的背光模組（或顯示裝置）包括驅動背板及被轉置於驅動背板之接墊上的小型發光二極體。
一般而言，為增加出光效率，會在驅動背板的接墊周圍設置多個凸起物；然後，再於多個凸起物上設置共形的反射層，以形成具有表面起伏的反射結構。小型發光二極體發出的部分光束會傳向驅動背板而不易出光，但透過驅動背板的反射結構能將傳向驅動背板的部分光束反射向外，進而增加出光效率。
在上述具有反射結構之驅動背板的製程中，在形成反射層後，還會在反射層上形成絕緣材料層；然後，再圖案化絕緣材料層，以露出用以與小型發光二極體接合的接墊；最後，再使接墊上鍍。然而，在圖案化絕緣材料層以露出接墊時，由於部分的絕緣材料層設置在上下起伏的反射結構上，導致在圖案化絕緣材料層的過程中，凸起物上方的部分絕緣材料層也會被去除，而使凸起物上的部分反射層被裸露。因此，當接墊被上鍍時，被裸露出之凸起物上的部分反射層也會被異常地被上鍍，影響小型發光二極體的背光模組（或顯示裝置）的良率。
本發明提供一種發光裝置，良率能提升。
本發明提供一種發光裝置的製造方法，能提升發光裝置的良率。
本發明提供另一種發光裝置的製造方法，也能提升發光裝置的良率。
本發明的發光裝置，包括基底、驅動線路、第一絕緣層、導電圖案層、電鍍層、保護層及發光元件。驅動線路設置於基底上。第一絕緣層設置於驅動線路上，且具有重疊於驅動線路的開口。導電圖案層具有第一部，其中導電圖案層的第一部設置於第一絕緣層的實體上，且位於第一絕緣層的開口外。電鍍層具有至少一凸起結構，其中至少一凸起結構設置於導電圖案層的第一部上，且與導電圖案層的第一部電性連接。保護層設置於第一絕緣層上，且覆蓋至少一凸起結構及導電圖案層的第一部。發光元件電性連接至驅動線路。
在本發明的一實施例中，上述至少一凸起結構與導電圖案層的第一部相隔一距離。
在本發明的一實施例中，上述的至少一凸起結構包括第一部及第二部，至少一凸起結構的第一部直接連接至導電圖案層的第一部，至少一凸起結構的第二部直接連接至至少一凸起結構的第一部，至少一凸起結構之第二部的寬度大於至少一凸起結構之第一部的寬度，且至少一凸起結構的第二部與導電圖案層的第一部之間相隔上述距離。
在本發明的一實施例中，上述的至少一凸起結構具有朝遠離基底之方向凸起的凸面。
在本發明的一實施例中，上述的至少一凸起結構包括第一部及第二部，至少一凸起結構的第一部直接連接至導電圖案層的第一部，至少一凸起結構的第二部直接連接至至少一凸起結構的第一部，至少一凸起結構之第二部的寬度大於至少一凸起結構之第一部的寬度，且至少一凸起結構的第二部具有上述凸面。
在本發明的一實施例中，上述的導電圖案層更具有第二部，導電圖案層的第一部與導電圖案層的第二部分離，導電圖案層的第二部透過第一絕緣層的開口電性連接至驅動電路，且發光元件電性連接至導電圖案層的第二部。
在本發明的一實施例中，上述的發光裝置更包括第二絕緣層，設置於導電圖案層的第一部上，其中第二絕緣層具有至少一第一開口，且電鍍層之至少一凸起結構填入第二絕緣層的至少一第一開口，以電性連接至導電圖案層的第一部。
在本發明的一實施例中，上述的電鍍層更具有連接部，電鍍層的連接部與電鍍層的至少一凸起結構分離，電鍍層的連接部電性連接至導電圖案層的第二部，且發光元件電性連接至電鍍層的連接部。
在本發明的一實施例中，上述的至少一凸起結構與導電圖案層的第一部之間存在一間隙，且保護層填入所述間隙。
在本發明的一實施例中，上述的保護層的頂面與基底的距離大於至少一凸起結構的頂點與基底的距離。
本發明一實施例的發光裝置的製造方法包括下列步驟：於基底上形成驅動線路及第一絕緣層，其中驅動線路設置於基底上，第一絕緣層設置於驅動線路上且具有重疊於驅動線路的開口；於第一絕緣層上形成導電材料層，其中導電材料層透過第一絕緣層的開口電性連接至驅動電路；於導電材料層上形成第二絕緣層，其中第二絕緣層具有暴露導電材料層的至少一第一開口，且第二絕緣層的至少一第一開口位於第一絕緣層的開口外；於導電材料層及第二絕緣層上形成定義層，其中定義層具有至少一第一開口及第二開口，且定義層的至少一第一開口重疊於第二絕緣層的至少一第一開口；進行於電鍍工序，以於定義層的至少一第一開口及第二絕緣層的至少一第一開口中形成電鍍層的至少一凸起結構，且於定義層的第二開口中形成電鍍層的連接部；在形成電鍍層的至少一凸起結構及連接部之後，移除定義層；以電鍍層的至少一凸起結構、第二絕緣層及電鍍層的連接部為遮罩，圖案化導電材料層，以形成導電圖案層，其中導電圖案層具有第一部及第二部，導電圖案層的第一部設置於第一絕緣層的實體上且位於第一絕緣層的開口外，電鍍層的至少一凸起結構設置於導電圖案層的第一部上且與導電圖案層的第一部電性連接，電鍍層的連接部設置於導電圖案層的第二部上且與導電圖案層的第二部電性連接，導電圖案層的第二部透過第一絕緣層的開口電性連接至驅動電路，且導電圖案層的第一部及第二部彼此分離；形成保護層，以覆蓋至少一凸起結構、第二絕緣層及導電圖案層的第一部，其中保護層具有開口，暴露電鍍層的連接部；以及轉置發光元件於基底上，且使發光元件與電鍍層的連接部電性連接。
本發明另一實施例的發光裝置的製造方法包括下列步驟：於基底上形成驅動線路及第一絕緣層，其中驅動線路設置於基底上，第一絕緣層設置於驅動線路上且具有重疊於驅動線路的開口；於基底上形成導電圖案層，其中導電圖案層的第一部設置於第一絕緣層的實體上，且位於第一絕緣層的開口外；於導電圖案層及第一絕緣層上形成定義層，其中定義層具有暴露導電圖案層之第一部的多個第一開口；進行於電鍍工序，以於定義層的多個第一開口中形成電鍍層的多個凸起結構，其中多個凸起結構電性連接至導電圖案層的第一部；在形成電鍍層的多個凸起結構之後，移除定義層；形成保護層，以覆蓋多個凸起結構及導電圖案層的第一部，其中保護層具有一開口，重疊於第一絕緣層的開口；於保護層的開口中形成一焊接材料，其中焊接材料透過第一絕緣層的開口電性連接至驅動電路；以及轉置發光元件於基底上，且使發光元件與焊接材料電性連接。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1A至圖1H為本發明一實施例之發光裝置10的製造流程的剖面示意圖。以下配合圖1A至圖1H舉例說明本發明一實施例之發光裝置10的製造流程。
請參照圖1A，首先，於基底110上形成驅動線路DC及第一絕緣層150，其中驅動線路DC設置於基底110上，第一絕緣層150設置於驅動線路DC上且具有重疊於驅動線路DC的開口150a。舉例而言，在本實施例中，驅動線路DC包括第一金屬層120、絕緣層130及第二金屬層140，其中第一金屬層120設置於基底110上，絕緣層130設置於第一金屬層120上且具有開口130a，第二金屬層140設置於絕緣層130上且透過絕緣層130的開口130a電性連接至第一金屬層120。在本實施例中，驅動線路DC例如是被動式驅動線路。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，驅動線路DC也可以是主動式驅動線路。
請參照圖1A，接著，於第一絕緣層150上形成導電材料層160，其中導電材料層160透過第一絕緣層150的開口150a電性連接至驅動電路DC。在本實施例中，可進行一電鍍工序，以於第一絕緣層150上形成導電材料層160，而導電材料層160也可稱電鍍導電層。舉例而言，在本實施例中，導電材料層160的材料可為錫、銀、金、鎳、銅、其它材料或上述至少兩者的組合，但本發明不以此為限。
請參照圖1B，接著，於導電材料層160上形成第二絕緣層170，其中第二絕緣層170具有暴露導電材料層160的至少一第一開口170a，且第二絕緣層170的至少一第一開口170a位於第一絕緣層150的開口150a外。舉例而言，在本實施例中，第二絕緣層170的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料或上述的組合，但本發明不以此為限。
請參照圖1C，接著，於導電材料層160及第二絕緣層170上形成一定義層180，其中定義層180具有至少一第一開口180a及一第二開口180b，且定義層180的至少一第一開口180a重疊於第二絕緣層170的至少一第一開口170a。舉例而言，在本實施例中，定義層180的材料可為光阻，但本發明不以此為限。
請參照圖1D，接著，進行於一電鍍工序，以於定義層180的至少一第一開口180a及第二絕緣層170的至少一第一開口170a中形成電鍍層190的至少一凸起結構191，且於定義層180的第二開口180b中形成電鍍層190的一連接部192。電鍍層190的至少一凸起結構191與電鍍層190的連接部192分離。電鍍層190的至少一凸起結構191及連接部192電性連接至導電材料層160。在本實施例中，電鍍層190的材料以具有高反射率的導電材料為佳，例如：錫、銀、金、鎳、銅、其它材料或上述至少兩者的組合，但本發明不以此為限。
請參照圖1D及圖1E，接著，移除定義層180，以露出部分的第二絕緣層170及位於電鍍層190之凸起結構191與連接部192之間的部分導電材料層160。
請參照圖1E及圖1F，接著，以電鍍層190的至少一凸起結構191、第二絕緣層170及電鍍層190的連接部192為遮罩，圖案化導電材料層160，以形成導電圖案層162。請參照圖1F，導電圖案層162具有彼此分離的第一部162a及第二部162b。導電圖案層162的第一部162a設置於第一絕緣層150的實體152上且位於第一絕緣層150的開口150a外。電鍍層190的至少一凸起結構191設置於導電圖案層162的第一部162a上且與導電圖案層162的第一部162a電性連接。電鍍層190的連接部192設置於導電圖案層162的第二部162b上且與導電圖案層162的第二部162b電性連接。導電圖案層162的第二部162b透過第一絕緣層150的開口150a電性連接至驅動電路DC。在本實施例中，第二絕緣層170設置於導電圖案層162的第一部162a上，且電鍍層190的凸起結構191填入第二絕緣層170的第一開口170a，以電性連接至導電圖案層162的第一部162a。
請參照圖1F，在本實施例中，凸起結構191與導電圖案層162的第一部162a相隔一距離D。詳言之，在本實施例中，凸起結構191包括第一部191a及第二部191b，凸起結構191的第一部191a直接連接至導電圖案層162的第一部162a，凸起結構191的第二部191b直接連接至凸起結構191的第一部191a，凸起結構191之第二部191b的寬度W2大於凸起結構191之第一部191a的寬度W1，且凸起結構191的第二部191b與導電圖案層162的第一部162a相隔一距離D。此外，凸起結構191具有朝遠離基底110之方向z凸起的凸面191s。詳言之，凸起結構191的第二部191b具有凸面191s。
請參照圖1G，接著，形成保護層194，以覆蓋凸起結構191、第二絕緣層170及導電圖案層162的第一部162a。保護層194具有開口194a。保護層194的開口194a重疊於第一絕緣層150的開口150a。保護層194的開口194a暴露電鍍層190的連接部192。在本實施例中，保護層194之頂面194s與基底110的距離D194大於凸起結構191的頂點191p與基底110的距離D191。
請參照圖1H，接著，轉置發光元件196於基底110上，且使發光元件196與電鍍層190的連接部192電性連接。在本實施例中，發光元件196可透過電鍍層190的連接部192及導電圖案層162的第二部162b電性連接至驅動線路DC。於此，便完成本實施例的發光裝置10。在本實施例中，發光元件196的至少一部分可重疊於保護層194的開口194a，但本發明不以此為限。在本實施例中，發光裝置10可用以做為背光源。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，發光裝置10也可用以做為自發光顯示裝置。
值得一提的是，電鍍層190的凸起結構191可將發光元件196發出的光束L反射向發光裝置10外，以提升發光裝置10的出光效率。特別是，用以反射光束L的凸起結構191本身是利用電鍍工序形成，不而是由凸起物及覆蓋凸起物的反射層所組成，因此，在發光裝置10的製程中，不會發生反射層被裸露而被異常上鍍的問題，進而能提升發光裝置10的良率。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。
圖2A至圖2G為本發明另一實施例之發光裝置10A的製造流程的剖面示意圖。圖2A至圖2G的發光裝置10A及其製造流程與圖1A至圖1H的發光裝置10及其製造流程類似，兩者主要的差異在於：在圖2A至圖2G的實施例中，不須形成圖1A至圖1H之實施例的第二絕緣層170。以下配合圖2A至圖2G說明本發明第二實施例之發光裝置10A的製造流程。
請參照圖2A，首先，於基底110上形成驅動線路DC及第一絕緣層150，其中驅動線路DC設置於基底110上，第一絕緣層150設置於驅動線路DC上且具有重疊於驅動線路DC的開口150a。接著，於基底110上形成導電圖案層162，其中導電圖案層162的第一部162a設置於第一絕緣層150的實體152上，且位於第一絕緣層150的開口150a外。
請參照圖2B，接著，於導電圖案層162及第一絕緣層150上形成定義層180，其中定義層180具有暴露導電圖案層162之第一部162a的多個第一開口180a。
請參照圖2C，接著，進行於一電鍍工序，以於定義層180的多個第一開口180a中形成電鍍層190的多個凸起結構191，其中多個凸起結構191電性連接至導電圖案層162的第一部162a。凸起結構191與導電圖案層162的第一部162a相隔一距離D。詳言之，在本實施例中，凸起結構191包括第一部191a及第二部191b，凸起結構191的第一部191a直接連接至導電圖案層162的第一部162a，凸起結構191的第二部191b直接連接至凸起結構191的第一部191a，凸起結構191之第二部191b的寬度W2大於凸起結構191之第一部191a的寬度W1，且凸起結構191的第二部191b與導電圖案層162的第一部162a相隔一距離D。
請參照圖2C及圖2D，接著，移除定義層180，以露出導電圖案層162的第一部162a及重疊於第一絕緣層150之開口150a的部分驅動電路DC。在本實施例中，在移除定義層180之後，凸起結構191與導電圖案層162的第一部162a之間會存在間隙g。詳言之，在本實施例中，間隙g存在於凸起結構191的第二部191b與導電圖案層162的第一部162a之間。
請參照圖2E，接著，形成保護層194，以覆蓋多個凸起結構191及導電圖案層162的第一部162a，其中保護層194具有一開口194a，重疊於第一絕緣層150的開口150a。在本實施例中，保護層194更填入間隙g。
請參照圖2F，接著，於保護層194的開口194a中形成一焊接材料195，其中焊接材料195透過第一絕緣層150的開口150a電性連接至驅動電路DC。舉例而言，在本實施例中，焊接材料195可包括鎳金膜（包括鎳/或鎳合金與金/或金合金）、鎳鈀金膜（包括鎳/或鎳合金、鈀/或鈀合金與金/或金合金）、鎳鈀銀金膜（包括鎳/或鎳合金、鈀/或鈀合金、銀/或銀合金與金/或金合金），但本發明不以此為限。
請參照圖2G，接著，轉置發光元件196於基底110上，且使發光元件196與焊接材料195電性連接。在本實施例中，發光元件196透過焊接材料195電性連接至驅動線路DC。於此，便完成本實施例的發光裝置10A。
10、10A:發光裝置
110:基底
120:第一金屬層
130:絕緣層
130a、150a、194a:開口
140:第二金屬層
150:第一絕緣層
152:實體
160:導電材料層
162:導電圖案層
162a:第一部
162b:第二部
170:第二絕緣層
170a、180a:第一開口
180:定義層
180b:第二開口
190:電鍍層
191:凸起結構
191a:第一部
191b:第二部
191s:凸面
191p:頂點
192:連接部
194:保護層
194s:頂面
195:焊接材料
196:發光元件
D、D191、D194:距離
DC:驅動線路
g:間隙
L:光束
W1、W2:寬度
圖1A至圖1H為本發明一實施例之發光裝置10的製造流程的剖面示意圖。
圖2A至圖2G為本發明另一實施例之發光裝置10A的製造流程的剖面示意圖。
10:發光裝置
110:基底
120:第一金屬層
130:絕緣層
130a、150a、194a:開口
140:第二金屬層
150:第一絕緣層
152:實體
162:導電圖案層
162a:第一部
162b:第二部
170:第二絕緣層
170a:第一開口
190:電鍍層
191:凸起結構
191a:第一部
191b:第二部
191s:凸面
191p:頂點
192:連接部
194:保護層
194s:頂面
196:發光元件
D、D191、D194:距離
DC:驅動線路
L:光束
W1、W2:寬度
z:方向
Claims (12)
- 一種發光裝置，包括： 一基底； 一驅動線路，設置於該基底上； 一第一絕緣層，設置於該驅動線路上，且具有重疊於該驅動線路的一開口； 一導電圖案層，具有一第一部，其中該導電圖案層的該第一部設置於該第一絕緣層的一實體上，且位於該第一絕緣層的該開口外； 一電鍍層，具有至少一凸起結構，其中該至少一凸起結構設置於該導電圖案層的該第一部上，且與該導電圖案層的該第一部電性連接； 一保護層，設置於該第一絕緣層上，且覆蓋該至少一凸起結構及該導電圖案層的該第一部；以及 一發光元件，電性連接至該驅動線路。
- 如請求項1所述的發光裝置，其中該至少一凸起結構與該導電圖案層的該第一部相隔一距離。
- 如請求項2所述的發光裝置，其中該至少一凸起結構包括一第一部及一第二部，該至少一凸起結構的該第一部直接連接至該導電圖案層的該第一部，該至少一凸起結構的該第二部直接連接至該至少一凸起結構的該第一部，該至少一凸起結構之該第二部的一寬度大於該至少一凸起結構之該第一部的一寬度，且該至少一凸起結構的該第二部與該導電圖案層的該第一部之間相隔該距離。
- 如請求項1所述的發光裝置，其中該至少一凸起結構具有朝遠離該基底之一方向凸起的一凸面。
- 如請求項4所述的發光裝置，其中該至少一凸起結構包括一第一部及一第二部，該至少一凸起結構的該第一部直接連接至該導電圖案層的該第一部，該至少一凸起結構的該第二部直接連接至該至少一凸起結構的該第一部，該至少一凸起結構之該第二部的一寬度大於該至少一凸起結構之該第一部的一寬度，且該至少一凸起結構的該第二部具有該凸面。
- 如請求項1所述的發光裝置，其中該導電圖案層更具有一第二部，該導電圖案層的該第一部與該導電圖案層的該第二部分離，該導電圖案層的該第二部透過該第一絕緣層的該開口電性連接至該驅動電路，且該發光元件電性連接至該導電圖案層的該第二部。
- 如請求項6所述的發光裝置，更包括： 一第二絕緣層，設置於該導電圖案層的該第一部上，其中該第二絕緣層具有至少一第一開口，且該電鍍層之該至少一凸起結構填入該第二絕緣層的該至少一第一開口，以電性連接至該導電圖案層的該第一部。
- 如請求項6所述的發光裝置，其中該電鍍層更具有一連接部，該電鍍層的該連接部與該電鍍層的該至少一凸起結構分離，該電鍍層的該連接部電性連接至該導電圖案層的該第二部，且該發光元件電性連接至該電鍍層的該連接部。
- 如請求項1所述的發光裝置，其中該至少一凸起結構與該導電圖案層的該第一部之間存在一間隙，且該保護層填入該間隙。
- 如請求項1所述的發光裝置，其中該保護層之一頂面與該基底的一距離大於該至少一凸起結構的一頂點與該基底的一距離。
- 一種發光裝置的製造方法，包括： 於一基底上形成一驅動線路及一第一絕緣層，其中該驅動線路設置於該基底上，該第一絕緣層設置於該驅動線路上且具有重疊於該驅動線路的一開口； 於該第一絕緣層上形成一導電材料層，其中該導電材料層透過該第一絕緣層的該開口電性連接至該驅動電路； 於該導電材料層上形成一第二絕緣層，其中該第二絕緣層具有暴露該導電材料層的至少一第一開口，且該第二絕緣層的該至少一第一開口位於該第一絕緣層的該開口外； 於該導電材料層及該第二絕緣層上形成一定義層，其中該定義層具有至少一第一開口及一第二開口，且該定義層的至少一第一開口重疊於該第二絕緣層的該至少一第一開口； 進行於一電鍍工序，以於該定義層的該至少一第一開口及該第二絕緣層的該至少一第一開口中形成一電鍍層的至少一凸起結構，且於該定義層的該第二開口中形成該電鍍層的一連接部； 在形成該電鍍層的該至少一凸起結構及該連接部之後，移除該定義層； 以該電鍍層的該至少一凸起結構、該第二絕緣層及該電鍍層的該連接部為遮罩，圖案化該導電材料層，以形成一導電圖案層，其中該導電圖案層具有一第一部及一第二部，該導電圖案層的該第一部設置於該第一絕緣層的一實體上且位於該第一絕緣層的該開口外，該電鍍層的該至少一凸起結構設置於該導電圖案層的該第一部上且與該導電圖案層的該第一部電性連接，該電鍍層的該連接部設置於該導電圖案層的該第二部上且與該導電圖案層的該第二部電性連接，該導電圖案層的該第二部透過該第一絕緣層的該開口電性連接至該驅動電路，且該導電圖案層的該第一部及該第二部彼此分離； 形成一保護層，以覆蓋該至少一凸起結構、該第二絕緣層及該導電圖案層的該第一部，其中該保護層具有一開口，暴露該電鍍層的該連接部；以及 轉置一發光元件於該基底上，且使該發光元件與該電鍍層的該連接部電性連接。
- 一種發光裝置的製造方法，包括： 於一基底上形成一驅動線路及一第一絕緣層，其中該驅動線路設置於該基底上，該第一絕緣層設置於該驅動線路上且具有重疊於該驅動線路的一開口； 於該基底上形成一導電圖案層，其中該導電圖案層的一第一部設置於該第一絕緣層的一實體上，且位於該第一絕緣層的該開口外； 於該導電圖案層及該第一絕緣層上形成一定義層，其中該定義層具有暴露該導電圖案層之該第一部的多個第一開口； 進行於一電鍍工序，以於該定義層的該些第一開口中形成一電鍍層的多個凸起結構，其中該些凸起結構電性連接至該導電圖案層的該第一部； 在形成該電鍍層的該些凸起結構之後，移除該定義層； 形成一保護層，以覆蓋該些凸起結構及該導電圖案層的該第一部，其中該保護層具有一開口，重疊於該第一絕緣層的該開口； 於該保護層的該開口中形成一焊接材料，其中該焊接材料透過該第一絕緣層的該開口電性連接至該驅動電路；以及 轉置一發光元件於該基底上，且使該發光元件與該焊接材料電性連接。
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