[go: up one dir, main page]

TWI769043B - 用於基於扼流的質量流驗證的方法、系統、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀取儲存媒體 - Google Patents

用於基於扼流的質量流驗證的方法、系統、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀取儲存媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI769043B
TWI769043B TW110129028A TW110129028A TWI769043B TW I769043 B TWI769043 B TW I769043B TW 110129028 A TW110129028 A TW 110129028A TW 110129028 A TW110129028 A TW 110129028A TW I769043 B TWI769043 B TW I769043B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flow
flow restrictor
coupled
mass flow
pressure
Prior art date
Application number
TW110129028A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202144747A (zh
Inventor
凱文M 布拉希爾
葉祉淵
賈斯汀 修
傑戴夫 拉札拉姆
馬塞爾E 約瑟夫森
愛希利M 歐卡達
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202144747A publication Critical patent/TW202144747A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI769043B publication Critical patent/TWI769043B/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F25/00Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume
    • G01F25/10Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume of flowmeters
    • G01F25/15Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume of flowmeters specially adapted for gas meters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F25/00Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume
    • G01F25/10Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume of flowmeters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/05Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
    • G01F1/34Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure
    • G01F1/36Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure the pressure or differential pressure being created by the use of flow constriction
    • G01F1/40Details of construction of the flow constriction devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/76Devices for measuring mass flow of a fluid or a fluent solid material
    • G01F1/86Indirect mass flowmeters, e.g. measuring volume flow and density, temperature or pressure
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Stored Programmes (AREA)
  • Debugging And Monitoring (AREA)

Abstract

質量流驗證系統與設備可依據扼流原理而驗證質量流控制器(MFC)的質量流速率。此等系統與設備可以包括並聯耦接的複數個不同尺寸的流量限制器。可以經由依據MFC的設定點而選擇通過流量限制器中之一者的流動路徑以驗證各種流動速率。可以經由在扼流條件下的流量限制器的上游的壓力與溫度量測而確定質量流速率。亦提供依據扼流原理驗證質量流速率的方法,以及其他態樣。

Description

用於基於扼流的質量流驗證的方法、系統、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀取儲存媒體
本申請案主張2016年6月27日所提交的標題為「METHODS, SYSTEMS, AND APPARATUS FOR MASS FLOW VERIFICATION BASED ON CHOKED FLOW」的美國非臨時專利申請案第15/194,360號的優先權(代理人卷號24152/USA),其全部內容針對所有目的藉由引用併入本文。
本揭示係關於電子裝置製造,而更特定言之,係關於基於扼流原理以驗證質量流控制器的質量流速率。
電子裝置製造系統可以包括一或更多個質量流控制器(MFC)。MFC控制用於製造電子裝置的處理化學品的質量流速率。處理化學品可以包括遞送至一或更多個處理腔室的各種氣體(例如,清潔、沉積及蝕刻氣體),在一或更多個處理腔室中可在半導體晶圓、玻璃板或類似者上製造電子電路。處理化學品的精確質量流控制可用於電子裝置製造處理的一或更多個步驟。由MFC提供的精確質量流控制可以有助於具有微觀尺寸的電子裝置的高產量生產。
為了確保處理化學品的準確遞送,可以週期性執行MFC的驗證與校準。然而,驗證及校準MFC可能涉及額外龐大且昂貴的裝備,而可能耗時且使用效率低下,可能限制於低質量流速率範圍內(例如,最高僅達3000sccm(標準立方公分/每分鐘)氮當量),可能導致顯著的處理停機時間,及/或可能不夠準確以確保處理化學品的精確質量流控制。
根據第一態樣,提供一種質量流驗證系統。質量流驗證系統包含:入口;第一壓力感測器與溫度感測器,第一壓力感測器與溫度感測器中之每一者耦接於入口的下游;複數個隔離閥,耦接於入口的下游;複數個不同尺寸的流量限制器,並聯耦接於入口的下游,複數個不同尺寸的流量限制器中之每一者係串聯耦接於複數個隔離閥中之各別者及入口;出口,串聯耦接於複數個不同尺寸的流量限制器中之每一者的下游;以及控制器,耦接至第一壓力感測器、溫度感測器及複數個隔離閥,其中控制器經配置以回應於由溫度感測器在扼流條件下量測的溫度與由第一壓力感測器在扼流條件下量測的第一壓力,而確定質量流速率。
根據第二態樣,提供一種電子裝置製造系統。電子裝置製造系統包含:質量流控制器;質量流驗證系統,具有入口與出口,入口耦接至質量流控制器;控制器;以及處理腔室,耦接至流動路徑,流動路徑耦接至質量流控制器,並經配置以經由質量流控制器接收一或更多個處理化學品。質量流驗證系統包含耦接於入口的下游的複數個隔離閥以及並聯耦接於入口的下游的複數個不同尺寸的流量限制器,複數個不同尺寸的流量限制器中之每一者係與入口、複數個隔離閥中之各別者及出口串聯耦接。控制器耦接至複數個隔離閥,並經配置以僅透過複數個隔離閥中之一者在扼流條件下接收複數個不同尺寸的流量限制器的上游的壓力量測與溫度量測。控制器亦經配置以回應於接收壓力量測與溫度量測,而確定質量流速率。
根據第三態樣,提供一種驗證質量流速率的方法。該方法包含以下步驟:在扼流條件期間造成氣體僅流經複數個不同尺寸的流量限制器中之一者;在扼流條件期間量測複數個不同尺寸的流量限制器中之該者的上游的壓力,以取得所量測的壓力值;在扼流條件期間量測複數個不同尺寸的流量限制器中之該者的上游的溫度,以取得所量測的溫度值;以及藉由將預定流量限制器係數、預定氣體校正因數及預定溫度值施加至所量測的壓力值與所量測的溫度值,而確定質量流速率。
根據本揭示的此等與其他實施例的其他態樣、特徵及優點可以從以下實施方式、所附申請專利範圍及隨附圖式中顯而易見。因此,本文的圖式與描述在本質上視為說明,而非限制。
現在將詳細參照本揭示圖示於隨附圖式中的示例性實施例。儘可能地,在整個圖式中將使用相同元件符號以指稱相同或相似部件。
可以利用質量流速率精度高達+/-1%的處理化學品生產具有微觀尺寸的電子裝置。許多質量流控制器(MFC)可能如此指定時可滿足此等新的規格,而小的百分比的MFC可能如此指定時可能無法實際滿足此等新的或其他規格。此外,即使最初精確的MFC亦可能會隨著時間的推移而經歷質量流速率的精度漂移,從而可能使其超出指定的精度。因此,可以週期性執行MFC(例如半導體製造裝備所使用者)的驗證及校準,以確保處理化學品被精確地遞送。
根據本揭示的一或更多個實施例的質量流驗證方法、系統及設備係依據扼流原理,以確定氣體質量流速率(單位可以是「sccm」(標準立方公分/每分鐘)或「slm」(標準公升/每分鐘))。根據本揭示的一或更多個實施例的基於扼流原理的質量流驗證方法、系統及設備可以減少計算質量流速率所需的變量的數量,可以導致較小的驗證裝備足跡,且可以與基於已知ROR(壓力升高速率)原理的質量流驗證方法、系統及設備具有至少相同的精度與更佳的時間效率(若不是更精確)。
ROR原理係依據理想氣體定律,以使質量流速率與已知封閉容積中的量測壓力升高速率關聯。質量流速率越高,封閉容積(應該)越大。ROR原理可能涉及利用氣體填充封閉容積及量測封閉容積內的壓力升高速率的漫長處理(在某些情況下為10小時或更長)。封閉容積可以是製造系統的處理腔室或外部容積。處理腔室或外部容積的精確容積的不確定性可能會不利地影響結果的準確性。使用ROR原理的處理可能包括量測壓力、溫度、容積及時間。
對之,非ROR扼流量測可以幾乎是瞬間,而依據扼流原理計算質量流速率可以僅涉及兩個量測(壓力與溫度)。
根據扼流原理,流經受限制路徑(例如,路徑的最窄部分)的氣體的速度最初隨著通過限制的壓力差增加而增加。當壓力差變得足夠大以在限制或扼點處將氣體流動速度提升至聲音的速度(亦即,聲速)時,就會發生扼流。換言之,在扼點上游的壓力與扼點下游的壓力之間的特定最小比例處發生扼流。在扼流期間,無論壓力差變得多大,氣體的速度都不會高於扼點處的聲音的速度。扼點可以藉由稱為流量限制器的裝置提供。流量限制器具有許多不同的尺寸(亦即孔口或通過流量限制器的流動路徑的直徑或橫截面面積)。
扼流期間通過流量限制器的質量流速率(MFR)隨著流量限制器上游的壓力而線性變化。根據本揭示的一或更多個實施例的質量流驗證可以採用以下兩個等式:
FlowSTD MFR = PCHARACTERIZATION * CFLOWRESTR     (1)
Verified MFR = PMFV * CFLOWRESTR * (TCHARACTERIZATION/TMFV) * CGAS CORRECTION   (2)
其中:
根據本揭示的一或更多個實施例,在質量流驗證系統中使用的不同尺寸的流量限制器中之每一者的特徵化期間(如下所述)係使用等式(1);
在MFC的質量流驗證期間使用等式(2)以確定質量流速率(亦即,經驗證的MFR);
溫度與壓力值為絕對單位(亦即,溫度值為Kelvin度,壓力值為Torr);
氮氣可以是用於特徵化不同尺寸的流量限制器的氣體;
PCHARACTERIZATION係為在給定流量限制器的特徵化期間的扼流條件下的利用已知質量流速率(亦即,FlowSTD MFR)流經給定流量限制器的氮的所量測上游壓力;
CFLOWRESTR(流量限制器係數)係為已知質量流速率(FlowSTD MFR)與在等式1中計算的給定流量限制器的量測壓力(PCHARACTERIZATION)之比;每一特徵化流量限制器的CFLOWRESTR的值可以儲存於控制器的記憶體中,控制器經配置以控制根據本揭示的一或更多個實施例的質量流驗證系統;CFLOWRESTR係用於等式2中,以解出經驗證的MFR;
TCHARACTERIZATION係為在給定流量限制器的特徵化期間量測的氮氣溫度;每一特徵化流量限制器的TCHARACTERIZATION的值可以儲存在控制器的記憶體中,控制器經配置以控制根據本揭示的一或更多個實施例的質量流驗證系統;
PMFV係為在質量流驗證期間在扼流條件下通過給定流量限制器的目標氣體(亦即,質量流速率係藉由所驗證的MFC控制的處理化學品)的所量測上游壓力,其中給定流量限制器應在先前已特徵化;
TMFV係在質量流驗證期間在扼流條件下通過給定流量限制器的目標氣體的所量測上游溫度;以及
CGAS CORRECTION(氣體校正因數)係為氮的分子量與目標氣體(亦即,質量流速率係藉由所驗證的MFC控制的處理化學品)的分子量的比率的平方根。此因數校正可在質量流驗證期間流動的氮氣與非氮氣之間的差異,而可以在質量流驗證期間使用的各種氣體的CGAS CORRECTION的值可以儲存在控制器的記憶體中,控制器經配置以控制根據本揭示的一或更多個實施例的質量流驗證系統。
根據本揭示的一或更多個實施例的質量流驗證方法、系統及設備可以使用並聯耦接的複數個不同尺寸的流量限制器,以引起用於電子裝置製造系統的氣體遞送設備中的MFC的質量流速率範圍的扼流。可以藉由在複數個不同尺寸的流量限制器中維持最小上游/下游壓力比,以建立扼流條件。引起扼流的最小上游/下游壓力比可為已知,或者可以針對電子裝置製造中使用的每種氣體而確定。不同尺寸的流量限制器的數量係藉由待驗證的質量流速率的範圍確定;流動速率範圍越寬,則可以包括越多不同尺寸的流量限制器。本文所述的方法、系統及設備的實施例可以擴展,以適應電子裝置製造中使用的各種質量流速率範圍。
可以經由測試方案以特徵化每一不同尺寸的流量限制器,以在扼流條件期間針對待驗證的一或更多個質量流速率量測所得到的上游壓力。此舉可以確保根據本揭示的實施例的質量流速率驗證系統中可使用的特定流量限制器的上游壓力不會使待驗證的MFC匱乏。亦即,為了適當地工作,MFC應該具有某些壓力差。若通過特定流量限制器的特定質量流速率產生的上游壓力造成跨越MFC的壓力差不足,則無法使用該流量限制器以該質量流速率驗證MFC。因此,本揭示的實施例採用並聯耦接的複數個不同尺寸的流量限制器,使得可以選擇適當的流量限制器,以提供扼流路徑,且不會使待驗證的MFC匱乏。
用於特徵化流量限制器的測試方案可以包括精密MFC,精密MFC耦接至具有串聯耦接的上游壓力感測器(例如,壓力計)、上游溫度感測器、待特徵化的流量限制器及下游壓力感測器(例如,壓力計)的流動路徑的入口。流動路徑的出口可以耦接至真空泵,以在出口處產生基底真空壓力,可以是例如5Torr(可以使用其他基底真空壓力)。一旦建立基底真空壓力,則可以將精密MFC設定為特定質量流速率(此處稱為設定點),而氮氣可以流經流動路徑。隨後可以量測上游與下游壓力,以確保最小上游/下游壓力比存在,而引起通過流量限制器的扼流,且上游壓力不會使MFC匱乏。
以下是針對所示的質量流速率範圍以100微米、400微米及800微米的流量限制器特徵化的示例性結果,每一流量限制器具有在5Torr的基底真空壓力下流經其中的氮:
100微米的流量限制器
A)質量流速率=5sccm
上游壓力=71.4Torr
下游壓力=5.0Torr
B)質量流速率=45sccm
上游壓力=621.5Torr
下游壓力=5.0Torr
400微米的流量限制器
A)質量流速率=30sccm
上游壓力=26.2Torr
下游壓力=5.0Torr
B)質量流速率=700sccm
上游壓力=600.6Torr
下游壓力=5.7Torr
800微米的流量限制器
A)質量流速率=400sccm
上游壓力=86.1Torr
下游壓力=5.2Torr
B)質量流速率=3000sccm
上游壓力=648.1Torr
下游壓力=12.7Torr
每一特徵化流量限制器的結果可以儲存於控制質量流驗證系統的控制器的記憶體中。此等結果可以允許控制器選擇適當尺寸的流量限制器,以用於在扼流條件期間驗證MFC的質量流速率,而不會使MFC匱乏。
下文將結合第1圖至第6圖更詳細地解釋示例性實施例的進一步細節,其中示例性實施例係用於說明及描述上述各種態樣以及包括驗證質量流速率的方法的其他態樣。
如現在所描述的,根據本揭示的一或更多個實施例的質量流驗證方法、系統及設備可以包括使用例如質量流驗證系統100與200的減壓(亦即,真空式)應用以及使用例如質量流驗證系統300與400的大氣(亦即,環境壓力式)應用。
第1圖圖示根據一或更多個實施例的質量流驗證系統100。質量流驗證系統100可用於低流量減壓應用中。在一些實施例中,舉例而言,低流量應用可以包括高達約2500sccm的質量流速率。
質量流控制器(MFC)99可以在質量流驗證系統100的入口102處耦接至質量流驗證系統100。在一些實施例中,MFC 99可以代表經由具有共同出口的共同歧管或頭部耦接至入口102的複數個MFC,其中如下所述的MFC 99可以代表待驗證的複數個MFC中的一個MFC(亦即,在驗證期間讓氣體流動的複數個MFC中的單獨MFC)。MFC 99可以是電子裝置製造系統的氣體遞送設備的一部分或與之耦接。MFC 99可經配置成以一或更多種指定的質量流速率(亦即,一或更多個設定點)將氣體流動至電子裝置製造系統的一或更多個處理腔室。質量流驗證系統100經配置以依據扼流原理驗證MFC 99的指定質量流速率中的一或更多者。
質量流驗證系統100可以包括複數個隔離閥103-110、溫度感測器111、複數個壓力感測器112-115、複數個不同尺寸的流量限制器116-120、氣體溫度馴化加速器121及出口122。出口122可以耦接至電子裝置製造系統的前級管線(亦即真空管線到系統真空泵),以在出口122處建立基底真空壓力。
複數個隔離閥103-110可以耦接於入口102的下游。隔離閥103與105可以是旁路流動路徑123的一部分,旁路流動路徑123耦接於入口102與出口122之間,並繞過複數個不同尺寸的流量限制器116-120。隔離閥103與105以及旁路流動路徑123可以在量測可藉由氣體遞送設備經由MFC 99提供的有害氣體之後能夠進行質量流驗證系統100的泵送及淨化。隔離閥104可以是主驗證系統閥。隔離閥103-110中之每一者可以是任何合適的電子可控制隔離閥,而能夠在藉由氣體遞送設備與質量流驗證系統100所連接的電子裝置製造系統以及藉由質量流驗證系統100內建立的扼流條件所提供的壓力範圍下阻止氣體流通。
複數個不同尺寸的流量限制器116-120並聯耦接於入口102的下游。不同尺寸的流量限制器116-120中之每一者可配置成與其他不同尺寸的流量限制器116-120不同的最大流動速率(可稱為「導通」)。舉例而言,在一些實施例中,流量限制器116可以具有最高的流動速率,而流量限制器117可以具有高的流動速率,但比流量限制器116小。流量限制器118可以具有中等的流動速率(亦即,比流量限制器116與117小),而流量限制器119可以具有低的流動速率(亦即,比流量限制器116-118中之每一者小)。而流量限制器120可以具有最低的流動速率(亦即,比流量限制器116-119中之每一者小)。在一些實施例中,舉例而言,最高的流動速率可以為約5000sccm,最低的流動速率可以為約5sccm。在一些實施例中,不同尺寸的流量限制器116-120可以是精密流量限制器。在其他實施例中,可以使用標準流量限制器。
如第1圖所示,不同尺寸的流量限制器116-120中的每一者係與入口102以及隔離閥106-110中的各別者串聯耦接。亦即,流量限制器116係與隔離閥106串聯耦接,流量限制器117係與隔離閥107串聯耦接,流量限制器118係與隔離閥108串聯耦接,流量限制器119係與隔離閥109串聯耦接,而流量限制器120係與隔離閥110串聯耦接。在所示的一些實施例中,不同尺寸的流量限制器116-120係耦接於其各別隔離閥106-110的上游。
在其他實施例中,取決於藉由質量流驗證系統100驗證的質量流速率的範圍,不同尺寸的流量限制器及其各別串聯耦接的隔離閥的數量可以大於或小於所示的數量。待驗證的質量流速率範圍越大,則串聯耦接的不同尺寸的流量限制器/隔離閥對的數量越多。
溫度感測器111與壓力感測器112及113中之每一者可耦接於入口102的下游以及不同尺寸的流量限制器116-120的上游。壓力感測器114與115可以耦接於流量限制器116的下游(亦即具有最高的流動速率的流量限制器)。溫度感測器111可以是熱電偶,而壓力感測器112-115中之每一者可以是壓力計。在一些實施例中,溫度感測器111可以包括多於一個的熱電偶,而壓力感測器112-115中之一或更多者可以包括多於一個的壓力計。在一些實施例中,壓力感測器112與115中之每一者可以是100Torr的壓力計,壓力感測器113可以是1000Torr的壓力計,而壓力感測器114可以是10Torr的壓力計。其他實施例的壓力感測器可以具有其他Torr值。此外,取決於藉由質量流驗證系統100驗證的質量流速率的範圍,一些實施例可以僅具有壓力感測器112與113中之一者以及僅具有壓力感測器114與115中之一者。
氣體溫度馴化加速器121可以耦接於溫度感測器111的上游。氣體溫度馴化加速器121可以用於確保流量限制器116-120的上游的均勻氣體溫度分佈,此可以改善質量流驗證系統100的精度。氣體溫度馴化加速器121可以是包括具有最佳量的表面積的多孔網狀材料的非活性結構,而可以導致通過其中的壓降(若有的話)可以忽略不計。
質量流驗證系統100可進一步包括控制器124。控制器124可以電(或以其他方式)耦接至隔離閥103-110、溫度感測器111及壓力感測器112-115,並控制其操作。控制器124可以是例如通用電腦,及/或可以包括能夠執行電腦可讀取指令/軟體例式的微處理器或其他合適的電腦處理器或CPU(中央處理單元)。控制器124可以包括用於儲存資料與可執行其上的電腦可讀取指令/軟體例式的記憶體。流量限制器特徵化資料可以儲存在控制器124的記憶體中。
如本文所述,控制器124可以經由使用者輸入命令與所儲存的電腦可讀取指令/軟體例式而配置,以設定MFC 99的設定點,選擇通過不同尺寸的流量限制器116-120中之一者的流動路徑,控制隔離閥103-110中之每一者的打開及關閉,經由溫度感測器111與壓力感測器112-115記錄及處理溫度與壓力量測,以及依據所記錄的溫度與壓力量測以及等式2,確定質量流速率。控制器124亦可經配置以控制質量流驗證系統100的其他態樣,包括例如輸入/輸出周邊設備、功率供應器、時脈電路及/或類似者。
在一些實施例中,控制器124可以並不包括在質量流驗證系統100中。相反地,控制器124可以是例如質量流驗證系統100所連接的電子裝置製造系統的系統控制器。經配置以操作用於驗證本文所述的質量流速率的質量流驗證系統100的資料與電腦可讀取指令/軟體例式可以儲存在非暫態電腦可讀取媒體上,例如可移除儲存碟或裝置。資料與電腦可讀取指令/軟體例式可以從非暫態電腦可讀取媒體傳輸至系統控制器,以執行質量流驗證。
可以藉由將MFC 99經由控制器124設定至期望質量流速率(亦即,期望的設定點)以供驗證,隨後經由控制器124使氣體流經最高的流動路徑(亦即,通過流量限制器116),以操作質量流驗證系統100,控制器124可以藉由關閉隔離閥105與107-110以及打開隔離閥103與104(用於流經主流動路徑101)與隔離閥106(用於流經流量限制器116),以將最高的流動路徑連接至MFC 99。控制器124可以經由下游壓力感測器114或115中之一者以記錄壓力量測(此可以取決於經由與其連接的系統真空泵在出口122處設定的基底真空壓力以及取決於壓力感測器114與115的壓力等級,而在一些實施例中,如上所述,10Torr可以是可由壓力感測器114量測的最大壓力,而1000Torr可以是可由壓力感測器113量測的最大壓力)。類似地,控制器124可以經由壓力感測器112或113以記錄壓力量測。隨後,控制器124可以確定用於引起扼流的最小上游/下游壓力比是否存在。在一些實施例中,此可能發生在上游壓力大於下游壓力的兩倍時。
因為隔離閥106-110係在不同尺寸的流量限制器116-120的下游,所以最初應該首先選擇最高的流動路徑,以量測下游壓力,以確認扼流。此外,壓力感測器114與115可以僅耦接至最高的流動路徑,因為耦接於不同尺寸的流量限制器116-120中之每一者的下游的相似的壓力感測器對可能成本高昂。
回應於確定扼流的最小上游/下游壓力比存在(亦即,確定扼流條件存在),控制器124可以依據所儲存的特徵化資料而選擇不同尺寸的流量限制器116-120中的一個適當者(藉由打開及關閉相應隔離閥103-110),以驗證MFC 99的設定點。所選擇的流量限制器係在待驗證的MFC 99的設定點處維持扼流的流量限制器,而不會讓流量限制器的所得到的上游壓力造成MFC 99匱乏(如在特徵化期間所確定)。隨後,可以經由溫度感測器111與壓力感測器112或113中之一者進行上游溫度與壓力量測。控制器124可以使用等式2確定質量流速率。可以重複此處理,以驗證MFC 99的其他質量流速率。若發現確定的質量流速率超出MFC 99的指定精度,則MFC 99可以調整(若可能)或更換。
第2圖圖示根據一或更多個實施例的另一質量流驗證系統200。質量流驗證系統200可用於高流量減壓應用中(亦即,真空式應用)。在一些實施例中,舉例而言,高流量應用可以包括高達約50slm的質量流速率,而在其他實施例中,則不應用質量流速率的上限。可替代地,質量流驗證系統200亦可用於低流量減壓應用中。
質量流控制器(MFC)99B可以在質量流驗證系統200的入口202處耦接至質量流驗證系統200。在一些實施例中,MFC 99B可以代表經由具有共同出口的共同歧管或頭部耦接至入口202的複數個MFC,其中如下所述的MFC 99B可以代表待驗證的複數個MFC中的一個MFC(亦即,在驗證期間讓氣體流動的複數個MFC中的單獨MFC)。MFC 99B可以是電子裝置製造系統的氣體遞送設備的一部分或與之耦接。MFC 99B可經配置成以一或更多種指定的質量流速率(亦即,一或更多個設定點)將氣體流動至電子裝置製造系統的一或更多個處理腔室。質量流驗證系統200經配置以依據扼流原理驗證MFC 99B的指定質量流速率中的一或更多者。
質量流驗證系統200可以包括複數個隔離閥203-210與226-230、溫度感測器211、壓力感測器212與214、複數個不同尺寸的流量限制器216-220、氣體溫度馴化加速器221及出口222。出口222可以耦接至電子裝置製造系統的前級管線(亦即真空管線到系統真空泵),以在出口222處建立基底真空壓力。
複數個隔離閥203-210與226-230可以耦接於入口202的下游。隔離閥203與205可以是旁路流動路徑223的一部分,旁路流動路徑223耦接於入口202與出口222之間,並繞過複數個不同尺寸的流量限制器216-220。隔離閥203與205以及旁路流動路徑223可以在量測可藉由氣體遞送設備經由MFC 99B提供的有害氣體之後能夠進行質量流驗證系統200的泵送及淨化。隔離閥204可以是主驗證系統閥。隔離閥203-210與226-230中之每一者可以是任何合適的電子可控制隔離閥,而能夠在藉由氣體遞送設備與質量流驗證系統200所連接的電子裝置製造系統以及藉由質量流驗證系統200內的扼流條件所提供的壓力範圍下阻止氣體流通。
複數個不同尺寸的流量限制器216-220並聯耦接於入口202的下游。不同尺寸的流量限制器216-220中之每一者經配置以允許與其他不同尺寸的流量限制器216-220不同的最大流動速率。在一些實施例中,舉例而言,流量限制器216可以具有最高的流動速率,而流量限制器217可以具有高的流動速率,但比流量限制器216小。流量限制器218可以具有中等的流動速率(亦即,比流量限制器216與217小),而流量限制器219可以具有低的流動速率(亦即,比流量限制器216-218中之每一者小)。而流量限制器220可以具有最低的流動速率(亦即,比流量限制器216-219中之每一者小)。在一些實施例中,不同尺寸的流量限制器216-220可以是精密流量限制器。在其他實施例中,可以使用標準流量限制器。
如第2圖所示,不同尺寸的流量限制器216-220中的每一者係與入口202以及隔離閥206-210中的各別者串聯耦接。亦即,流量限制器216係與隔離閥206串聯耦接,流量限制器217係與隔離閥207串聯耦接,流量限制器218係與隔離閥208串聯耦接,流量限制器219係與隔離閥209串聯耦接,而流量限制器220係與隔離閥210串聯耦接。在所示的一些實施例中,不同尺寸的流量限制器216-220係耦接於其各別隔離閥206-210的下游。
在其他實施例中,取決於藉由質量流驗證系統200驗證的質量流速率的範圍,不同尺寸的流量限制器及其各別串聯耦接的隔離閥的數量可以大於或小於所示的數量。待驗證的質量流速率範圍越大,則串聯耦接的不同尺寸的流量限制器/隔離閥對的數量越多。
溫度感測器211與壓力感測器212中之每一者可耦接於入口202的下游以及不同尺寸的流量限制器216-220的上游。壓力感測器214可以耦接於不同尺寸的流量限制器216-220的下游。如第2圖所示,次群組的複數個隔離閥226-230中之每一者具有與溫度感測器211以及壓力感測器212耦接的各別第一埠236-239(隔離閥230與隔離閥229共用第一埠239)。次群組的複數個隔離閥226-230中之每一者亦具有在不同尺寸的流量限制器216-220中之各別一者與隔離閥206-210中之各別一者之間耦接的第二埠。亦即,隔離閥226具有在流量限制器216與隔離閥206之間耦接的第二埠246,隔離閥227具有在流量限制器217與隔離閥207之間耦接的第二埠247,隔離閥228具有在流量限制器218與隔離閥208之間耦接的第二埠248,隔離閥229具有在流量限制器219與隔離閥209之間耦接的第二埠249,而隔離閥230具有在流量限制器220與隔離閥210之間耦接的第二埠250。
在一些實施例中,次群組的複數個隔離閥226-230中之每一者可以是適合的微型閥,經配置以允許溫度感測器211與壓力感測器212分別在相應隔離閥226-230打開時在不同尺寸的流量限制器216-220中之每一者的上游精確地量測溫度與壓力。
溫度感測器211可以是熱電偶,而壓力感測器212與214中之每一者可以是壓力計。在一些實施例中,溫度感測器211可以包括多於一個的熱電偶,而壓力感測器212及/或214可以包括多於一個的壓力計。在一些實施例中,壓力感測器212可以是1000Torr的壓力計,而壓力感測器214可以是10Torr的壓力計。取決於藉由質量流驗證系統200驗證的質量流速率的範圍,其他實施例可以具有其他Torr值的壓力感測器,及/或可以具有二個以上的壓力感測器。
氣體溫度馴化加速器221可以耦接於溫度感測器211的上游。氣體溫度馴化加速器221可以用於確保流量限制器216-220的上游的均勻氣體溫度分佈,此可以改善質量流驗證系統200的精度。氣體溫度馴化加速器221可以是包括具有最佳量的表面積的多孔網狀材料的非活性結構,而可以導致通過其中的壓降(若有的話)可以忽略不計。
質量流驗證系統200可進一步包括控制器224。控制器224可以電(或以其他方式)耦接至隔離閥203-210與226-230、溫度感測器211及壓力感測器212與214,並控制其操作。控制器224可以是例如通用電腦,及/或可以包括能夠執行電腦可讀取指令/軟體例式的微處理器或其他合適的電腦處理器或CPU(中央處理單元)。控制器224可以包括用於儲存資料與可執行其上的電腦可讀取指令/軟體例式的記憶體。流量限制器特徵化資料可以儲存在控制器224的記憶體中。
如本文所述,控制器224可以經由使用者輸入命令與所儲存的電腦可讀取指令/軟體例式而配置,以設定MFC 99B的設定點,選擇通過不同尺寸的流量限制器216-220中之一者的流動路徑,控制隔離閥203-210與226-230中之每一者的打開及關閉,經由溫度感測器211與壓力感測器212及214記錄及處理溫度與壓力量測,以及依據所記錄的溫度與壓力量測以及等式2,確定質量流速率。控制器224亦可經配置以控制質量流驗證系統200的其他態樣,包括例如輸入/輸出周邊設備、功率供應器、時脈電路及/或類似者。
在一些實施例中,控制器224可以並不包括在質量流驗證系統200中。相反地,控制器224可以是例如質量流驗證系統200所連接的電子裝置製造系統的系統控制器。經配置以操作用於驗證本文所述的質量流速率的質量流驗證系統200的資料與電腦可讀取指令/軟體例式可以儲存在非暫態電腦可讀取媒體上,例如可移除儲存碟或裝置。資料與電腦可讀取指令/軟體例式可以從非暫態電腦可讀取媒體傳輸至系統控制器,以執行質量流驗證。
可以藉由將MFC 99B經由控制器224設定為期望的質量流速率(亦即,期望的設定點)以供驗證,經由控制器224依據所儲存的特徵化資料選擇通過不同尺寸的流量限制器216-220中之一者的適當流動路徑(其中控制器224打開及關閉適當的隔離閥203-210與226-230),經由壓力感測器214取得下游壓力量測(以確認扼流)以及經由溫度感測器211與壓力感測器212取得上游溫度與壓力量測,以及經由控制器224使用等式2以確定質量流速率,而操作質量流驗證系統200。可以重複此處理,以驗證MFC 99B的其他質量流速率。若發現確定的質量流速率超出MFC 99B的指定精度,則MFC 99B可以調整(若可能)或更換。應注意,與質量流驗證系統100不同,在質量流驗證系統200中,因為已耦接壓力感測器214,而可以在不同尺寸的流量限制器216-220中之每一者處直接量測下游壓力,所以並非首先讓氣體流經最高的流動路徑。
第3圖圖示根據一或更多個實施例的另一質量流驗證系統300。質量流驗證系統300可用於大氣應用(亦即,非真空應用)中,或者亦可用於減壓應用中,如下文進一步描述。
質量流控制器(MFC)99C可以在質量流驗證系統300的入口302處耦接至質量流驗證系統300。在一些實施例中,MFC 99C可以代表經由具有共同出口的共同歧管或頭部耦接至入口302的複數個MFC,其中如下所述的MFC 99C可以代表待驗證的複數個MFC中的一個MFC(亦即,在驗證期間讓氣體流動的複數個MFC中的單獨MFC)。MFC 99C可以是電子裝置製造系統的氣體遞送設備的一部分或與之耦接。MFC 99C可經配置成以一或更多種指定的質量流速率(亦即,一或更多個設定點)將氣體流動至電子裝置製造系統的一或更多個處理腔室。質量流驗證系統300經配置以依據扼流原理驗證MFC 99C的指定質量流速率中的一或更多者。
質量流驗證系統300可以包括複數個隔離閥303-310、331及333、溫度感測器311、壓力感測器312與314、複數個不同尺寸的流量限制器316-320、氣體溫度馴化加速器321、出口322、死路槽325、真空泵332及輸入埠334。
輸入埠334可以耦接至CDA(乾淨且乾燥的空氣)或氮氣源。真空泵332可以是例如文氏真空產生器,並可以具有排出埠335,排出埠335可以耦接至電子裝置製造系統的減輕系統或用於接收所排除氣體的其他合適的裝置。死路槽325可以具有例如約25公升的容積。在其他實施例中,死路槽325可以具有其他容積。
複數個隔離閥303-310、331及333可以耦接於入口302的下游。隔離閥303與305可以是旁路流動路徑323的一部分,旁路流動路徑323耦接於入口302與出口322之間,並繞過複數個不同尺寸的流量限制器316-320。隔離閥304可以是主驗證系統閥。隔離閥303-310、331及333可以是任何合適的電子可控制隔離閥,其能夠阻止在真空泵332建立的壓力範圍以及質量流驗證系統300內的扼流條件下的氣體流動。
複數個不同尺寸的流量限制器316-320並聯耦接於入口302的下游。不同尺寸的流量限制器316-320中之每一者經配置以允許與其他不同尺寸的流量限制器316-320不同的最大流動速率。在一些實施例中,舉例而言,流量限制器316可以具有最高的流動速率,而流量限制器317可以具有高的流動速率,但比流量限制器316小。流量限制器318可以具有中等的流動速率(亦即,比流量限制器316與317小),而流量限制器319可以具有低的流動速率(亦即,比流量限制器316-318中之每一者小)。而流量限制器320可以具有最低的流動速率(亦即,比流量限制器316-319中之每一者小)。在一些實施例中,不同尺寸的流量限制器316-320可以是精密流量限制器。在其他實施例中,可以使用標準流量限制器。
如第3圖所示,不同尺寸的流量限制器316-320中的每一者係與入口302以及隔離閥306-310中的各別者串聯耦接。亦即,流量限制器316係與隔離閥306串聯耦接,流量限制器317係與隔離閥307串聯耦接,流量限制器318係與隔離閥308串聯耦接,流量限制器319係與隔離閥309串聯耦接,而流量限制器320係與隔離閥310串聯耦接。在所示的一些實施例中,不同尺寸的流量限制器316-320係耦接於其各別隔離閥306-310的下游。
在其他實施例中,取決於藉由質量流驗證系統300驗證的質量流速率的範圍,不同尺寸的流量限制器及其各別串聯耦接的隔離閥的數量可以大於或小於所示的數量。待驗證的質量流速率範圍越大,則串聯耦接的不同尺寸的流量限制器/隔離閥對的數量越多。
溫度感測器311與壓力感測器312中之每一者可耦接於入口302的下游以及流量限制器316-320的上游。壓力感測器314可以耦接於流量限制器316-320的下游,更特定為耦接至死路槽325。溫度感測器311可以是熱電偶,而壓力感測器312與314中之每一者可以是壓力計。在一些實施例中,溫度感測器311可以包括多於一個的熱電偶,而壓力感測器312及/或314可以包括多於一個的壓力計。在一些實施例中,壓力感測器312可以是1000Torr的壓力計,而壓力感測器314可以是10Torr的壓力計。取決於藉由質量流驗證系統300驗證的質量流速率的範圍以及由真空泵332建立的基底真空壓力,其他實施例可以具有其他Torr值的壓力感測器,及/或可以具有二個以上的壓力感測器。
氣體溫度馴化加速器321可以耦接於溫度感測器311的上游。氣體溫度馴化加速器321可以用於確保流量限制器316-320的上游的均勻氣體溫度分佈,此可以改善質量流驗證系統300的精度。氣體溫度馴化加速器321可以是包括具有最佳量的表面積的多孔網狀材料的非活性結構,而可以導致通過其中的壓降(若有的話)可以忽略不計。
如第3圖所示,死路槽325耦接至出口322,並串聯耦接於不同尺寸的流量限制器316-320中之每一者的下游。真空泵332耦接於死路槽325的下游,並在死路槽325與輸入埠334之間串聯耦接。死路槽325、真空泵332及隔離閥331與333已經包括在質量流驗證系統300中,以在可以執行質量流驗證期間在流量限制器316-320上建立扼流條件一段足夠的時間,如下文進一步描述。
質量流驗證系統300可進一步包括控制器324。控制器324可以電(或以其他方式)耦接至隔離閥303-310、331及333、溫度感測器311、壓力感測器312與314及真空泵332,並控制其操作。控制器324可以是例如通用電腦,及/或可以包括能夠執行電腦可讀取指令/軟體例式的微處理器或其他合適的電腦處理器或CPU(中央處理單元)。控制器324可以包括用於儲存資料與可執行其上的電腦可讀取指令/軟體例式的記憶體。流量限制器特徵化資料可以儲存在控制器324的記憶體中。
如本文所述,控制器324可以經由使用者輸入命令與所儲存的電腦可讀取指令/軟體例式而配置,以設定MFC 99C的設定點,選擇通過不同尺寸的流量限制器316-320中之一者的流動路徑,控制隔離閥303-310、331及333中之每一者的打開及關閉,經由真空泵332設定基底真空壓力,經由溫度感測器311與壓力感測器312及314記錄及處理溫度與壓力量測,以及依據所記錄的溫度與壓力量測以及等式2,確定質量流速率。控制器324亦可經配置以控制質量流驗證系統300的其他態樣,包括例如輸入/輸出周邊設備、功率供應器、時脈電路及/或類似者。
在一些實施例中,控制器324可以並不包括在質量流驗證系統300中。相反地,控制器324可以是例如質量流驗證系統300所連接的電子裝置製造系統的系統控制器。經配置以操作用於驗證本文所述的質量流速率的質量流驗證系統300的資料與電腦可讀取指令/軟體例式可以儲存在非暫態電腦可讀取媒體上,例如可移除儲存碟或裝置。資料與電腦可讀取指令/軟體例式可以從非暫態電腦可讀取媒體傳輸至系統控制器,以執行質量流驗證。
在質量流驗證之前,可以將MFC 99C設定為零設定點(亦即,沒有流量),可以打開隔離閥304以及306-310、331及333中之任一者,而真空泵332可操作以在死路槽325中及在出口322處建立基底真空壓力,而足以在質量流驗證期間在不同尺寸的流量限制器316-320上建立扼流條件。在一些實施例中,基底真空壓力可以在200Torr至1Torr的範圍內,一旦達到,則可以關閉隔離閥331與333。
回應於基底真空壓力的建立,可以藉由將MFC 99C經由控制器324設定為期望的質量流速率(亦即,期望的設定點)以供驗證,經由控制器324依據所儲存的特徵化資料選擇通過不同尺寸的流量限制器316-320中之一者的適當流動路徑(其中控制器324打開及關閉適當的隔離閥303-310),經由壓力感測器314量測下游壓力(以量測基底真空壓力),以及經由溫度感測器311與壓力感測器312量測上游溫度與壓力,而操作質量流驗證系統300。應注意,隨著氣體通過所選擇的流動路徑流入死路槽325,最初建立在死路槽325與出口322處的基底真空壓力可以是臨時的。因此,所選擇的流動路徑中的流量限制器上的扼流條件亦可以是臨時的,因此,應在維持扼流的時間期間進行溫度與壓力的量測。
第3A圖圖示根據本揭示的一或更多個實施例的質量流驗證系統300中的壓力對時間的曲線圖300A。壓力曲線381表示藉由下游壓力感測器314在死路槽325量測的壓力,而壓力曲線382表示藉由上游壓力感測器312量測的壓力。在氣體開始流經MFC 99C之後不久(亦即約1秒),死路槽325中的真空壓力開始穩定上升,如壓力曲線381所示。藉由上游壓力感測器312量測的壓力也上升,但是在一些實施例中,在再次上升之前保持約4.5秒的恆定,如壓力曲線382所示。在此恆定壓力扼流持續時間383期間發生扼流。因此,應在此時間期間進行上游溫度與壓力量測,在一些實施例中,此時間係在氣體開始流經MFC 99C之後的約2.0至6.5秒之間。
此外,因為壓力感測器312係耦接於不同尺寸的流量限制器316-320的上游的隔離閥306-310的上游,所以壓力感測器312所進行之壓力量測可能與不同尺寸的流量限制器316-320的直接上游(亦即,在流量限制器與其各別隔離閥之間)的彼等壓力量測不一樣。第3A圖亦包括壓力曲線384,壓力曲線384表示當各別壓力感測器係位於不同尺寸的流量限制器316-320中之每一者與隔離閥306-310之間時,在流量限制器316-320中之一者的直接上游所量測的壓力。儘管兩個壓力之間的差異可能很小(如壓力曲線382與384所示(例如,在一些實施例中為約10Torr)),但是差異可能足以不利地影響用於驗證目的之所確定的質量流速率的精確度。
因此,為了確定精確的質量流速率,由壓力感測器312所量測的壓力可以轉換成位於所選擇的流動路徑中的流量限制器的直接上游的壓力感測器所量測的壓力值。在一些實施例中,可以使用依據已知流體力學的合適的模型式計算演算法,以解釋在壓力感測器312的位置與不同尺寸的流量限制器316-320中之每一者的直接上游的位置之間的壓力差。
第3A圖中所示的資料可以依據包含以下狀況的分析:在一秒鐘內升高100slm的氫氣的MFC設定點、具有2.5mm孔口與0.7導通閥的25公升的死路槽、100Torr的初始底座真空壓力及維持在600Torr下以防止MFC匱乏的MFC的下游的壓力。
回應於量測上游溫度並轉換所量測的上游壓力,控制器324可以使用等式2確定質量流速率。可以重複此處理,以驗證MFC 99C的其他質量流速率。若發現確定的質量流速率超出MFC 99C的指定精度,則MFC 99C可以調整(若可能)或更換。
在一些實施例中,質量流驗證系統300可以不包括死路槽325,其中真空泵332可以直接耦接至出口322。在此等實施例中,真空泵332可以具有50slm或更高的連續流量,此可能足以在驗證期間維持穩定的基底真空壓力。
第4圖圖示根據一或更多個實施例的另一質量流驗證系統400。質量流驗證系統400可用於大氣應用(亦即,非真空應用)中,或者亦可用於減壓應用中。
質量流控制器(MFC)99D可以在質量流驗證系統400的入口402處耦接至質量流驗證系統400。在一些實施例中,MFC 99D可以代表經由具有共同出口的共同歧管或頭部耦接至入口402的複數個MFC,其中如下所述的MFC 99D可以代表待驗證的複數個MFC中的一個MFC(亦即,在驗證期間讓氣體流動的複數個MFC中的單獨MFC)。MFC 99D可以是電子裝置製造系統的氣體遞送設備的一部分或與之耦接。MFC 99D可經配置成以一或更多種指定的質量流速率(亦即,一或更多個設定點)將氣體流動至電子裝置製造系統的一或更多個處理腔室。質量流驗證系統400經配置以依據扼流原理驗證MFC 99D的指定質量流速率中的一或更多者。
質量流驗證系統400可以包括複數個隔離閥403-410、426-430、431及433;溫度感測器411;壓力感測器412與414;複數個不同尺寸的流量限制器416-420、氣體溫度馴化加速器421、出口422、死路槽425、真空泵432及輸入埠434。
輸入埠434可以耦接至CDA(乾淨且乾燥的空氣)或氮氣源。真空泵432可以是例如小型真空泵,並可以具有排出埠435,排出埠435可以耦接至電子裝置製造系統的減輕系統或用於接收所排除氣體的其他合適的裝置。死路槽425可以具有例如約25公升的容積。在其他實施例中,死路槽425可以具有其他容積。
複數個隔離閥403-410、426-430、431及433可以耦接於入口402的下游。隔離閥403與405可以是旁路流動路徑423的一部分,旁路流動路徑423耦接於入口402與出口422之間,並繞過複數個不同尺寸的流量限制器416-420。隔離閥404可以是主驗證系統閥。隔離閥403-410、426-430、431及433可以是任何合適的電子可控制隔離閥,其能夠阻止在真空泵432建立的壓力範圍以及質量流驗證系統400內的扼流條件下的氣體流動。
複數個不同尺寸的流量限制器416-420並聯耦接於入口402的下游。不同尺寸的流量限制器416-420中之每一者經配置以允許與其他不同尺寸的流量限制器416-420不同的最大流動速率。在一些實施例中,舉例而言,流量限制器416可以具有最高的流動速率,而流量限制器417可以具有高的流動速率,但比流量限制器416小。流量限制器418可以具有中等的流動速率(亦即,比流量限制器416與417小),而流量限制器419可以具有低的流動速率(亦即,比流量限制器416-418中之每一者小)。而流量限制器420可以具有最低的流動速率(亦即,比流量限制器416-419中之每一者小)。在一些實施例中,不同尺寸的流量限制器416-420可以是精密流量限制器。在其他實施例中,可以使用標準流量限制器。
如第4圖所示,不同尺寸的流量限制器416-420中的每一者係與入口402以及隔離閥406-410中的各別者串聯耦接。亦即,流量限制器416係與隔離閥406串聯耦接,流量限制器417係與隔離閥407串聯耦接,流量限制器418係與隔離閥408串聯耦接,流量限制器419係與隔離閥409串聯耦接,而流量限制器420係與隔離閥410串聯耦接。在所示的一些實施例中,不同尺寸的流量限制器416-420係耦接於其各別隔離閥406-410的下游。
在其他實施例中,取決於藉由質量流驗證系統400驗證的質量流速率的範圍,不同尺寸的流量限制器及其各別串聯耦接的隔離閥的數量可以大於或小於所示的數量。待驗證的質量流速率範圍越大,則串聯耦接的不同尺寸的流量限制器/隔離閥對的數量越多。
溫度感測器411與壓力感測器412中之每一者可耦接於入口402的下游以及不同尺寸的流量限制器416-420的上游。壓力感測器414可以耦接於不同尺寸的流量限制器416-420的下游,更特定為耦接至死路槽425。如第4圖所示,次群組的複數個隔離閥426-430中之每一者具有與溫度感測器411以及壓力感測器412耦接的各別第一埠436-439(隔離閥430與隔離閥429共用第一埠439)。次群組的複數個隔離閥426-430中之每一者亦具有在不同尺寸的流量限制器416-420中之各別一者與隔離閥406-410中之各別一者之間耦接的第二埠。亦即,隔離閥426具有在流量限制器416與隔離閥406之間耦接的第二埠446,隔離閥427具有在流量限制器417與隔離閥407之間耦接的第二埠447,隔離閥428具有在流量限制器418與隔離閥408之間耦接的第二埠448,隔離閥429具有在流量限制器419與隔離閥409之間耦接的第二埠449,而隔離閥430具有在流量限制器420與隔離閥410之間耦接的第二埠450。
在一些實施例中,次群組的複數個隔離閥426-430中之每一者可以是適合的微型閥,經配置以允許溫度感測器411與壓力感測器412分別在相應隔離閥426-430打開時在不同尺寸的流量限制器416-420中之每一者的直接上游精確地量測溫度與壓力。
溫度感測器411可以是熱電偶,而壓力感測器412與414中之每一者可以是壓力計。在一些實施例中,溫度感測器411可以包括多於一個的熱電偶,而壓力感測器412及/或414可以包括多於一個的壓力計。在一些實施例中,壓力感測器412可以是1000Torr的壓力計,而壓力感測器414可以是10Torr的壓力計。取決於藉由質量流驗證系統400驗證的質量流速率的範圍,其他實施例可以具有其他Torr值的壓力感測器,及/或可以具有二個以上的壓力感測器。
氣體溫度馴化加速器421可以耦接於溫度感測器411的上游。氣體溫度馴化加速器421可以用於確保流量限制器416-420的上游的均勻氣體溫度分佈,此可以改善質量流驗證系統400的精度。氣體溫度馴化加速器421可以是包括具有最佳量的表面積的多孔網狀材料的非活性結構,而可以導致通過其中的壓降(若有的話)可以忽略不計。
如第4圖所示,死路槽425耦接至出口422,並串聯耦接於不同尺寸的流量限制器416-420中之每一者的下游。真空泵432耦接於死路槽425的下游,並在死路槽425與輸入埠434之間串聯耦接。死路槽425、真空泵432及隔離閥431與433已經包括在質量流驗證系統400中,以在可以執行質量流驗證期間在流量限制器416-420上建立扼流條件一段足夠的時間,如下文進一步描述。
質量流驗證系統400可進一步包括控制器424。控制器424可以電(或以其他方式)耦接至隔離閥403-410、426-430、431及433、溫度感測器411、壓力感測器412與414及真空泵432,並控制其操作。控制器424可以是例如通用電腦,及/或可以包括能夠執行電腦可讀取指令/軟體例式的微處理器或其他合適的電腦處理器或CPU(中央處理單元)。控制器424可以包括用於儲存資料與可執行其上的電腦可讀取指令/軟體例式的記憶體。流量限制器特徵化資料可以儲存在控制器424的記憶體中。
如本文所述,控制器424可以經由使用者輸入命令與所儲存的電腦可讀取指令/軟體例式而配置,以設定MFC 99D的設定點,選擇通過不同尺寸的流量限制器416-420中之一者的流動路徑,控制隔離閥403-410、426-430、431及433中之每一者的打開及關閉,經由真空泵432設定基底真空壓力,經由溫度感測器411與壓力感測器412及414記錄及處理溫度與壓力量測,以及依據所記錄的溫度與壓力量測以及等式2,確定質量流速率。控制器424亦可經配置以控制質量流驗證系統400的其他態樣,包括例如輸入/輸出周邊設備、功率供應器、時脈電路及/或類似者。
在一些實施例中,控制器424可以並不包括在質量流驗證系統400中。相反地,控制器424可以是例如質量流驗證系統400所連接的電子裝置製造系統的系統控制器。經配置以操作用於驗證本文所述的質量流速率的質量流驗證系統400的資料與電腦可讀取指令/軟體例式可以儲存在非暫態電腦可讀取媒體上,例如可移除儲存碟或裝置。資料與電腦可讀取指令/軟體例式可以從非暫態電腦可讀取媒體傳輸至系統控制器,以執行質量流驗證。
在質量流驗證之前,可以將MFC 99D設定為零設定點(亦即,沒有流量),可以打開隔離閥404以及406-410、431及433中之任一者,而真空泵432可操作以在死路槽425中及在出口422處建立基底真空壓力,而足以在質量流驗證期間在不同尺寸的流量限制器416-420上建立扼流條件。在一些實施例中,基底真空壓力可以在200Torr至1Torr的範圍內,一旦達到,則可以關閉隔離閥431與433。
回應於基底真空壓力的建立,可以藉由將MFC 99D經由控制器424設定為期望的質量流速率(亦即,期望的設定點)以供驗證,經由控制器424依據所儲存的特徵化資料選擇通過不同尺寸的流量限制器416-420中之一者的適當流動路徑(其中控制器424打開及關閉適當的隔離閥403-410與426-430),經由壓力感測器414量測下游壓力(以量測基底真空壓力),以及經由溫度感測器411與壓力感測器412量測上游溫度與壓力,而操作質量流驗證系統400。
如同在質量流驗證系統300中,應在經由死路槽425維持扼流的時間期間進行此等量測,如第3A圖的扼流持續時間383所示,在一些實施例中,扼流持續時間383可以是在氣體開始流經MFC 99D之後的約2.0-6.5秒。此扼流持續時間可以依據包含以下狀況的分析:在一秒鐘內升高100slm的氫氣的MFC設定點、具有2.5mm孔口與0.7導通閥的25公升的死路槽、100Torr的初始底座真空壓力及維持在600Torr下以防止MFC匱乏的MFC的下游的壓力。
因為壓力感測器412已耦接,而可以在不同尺寸的流量限制器416-420的直接上游進行壓力量測,所以壓力量測不需要如質量流驗證系統300經由模型式計算演算法轉換。
回應於量測上游溫度與壓力,控制器424可以使用等式2確定質量流速率。可以重複此處理,以驗證MFC 99D的其他質量流速率。若發現確定的質量流速率超出MFC 99D的指定精度,則MFC 99D可以調整(若可能)或更換。
在一些實施例中,質量流驗證系統400可以不包括死路槽325,其中真空泵432可以直接耦接至出口422。在此等實施例中,真空泵432可以具有50slm或更高的連續流量,此可能足以在驗證期間維持穩定的基底真空壓力。
儘管質量流驗證系統300與400包括其本身用於大氣應用的真空泵,但是每一者可以用於使用其本身用於減壓應用的系統真空泵的電子裝置製造系統。在一些減壓應用中,從電子裝置製造系統的系統真空泵到質量流驗證系統出口(例如出口122或222)的連接可能不是直接的。相反地,此種連接可能涉及電子裝置製造系統內的幾個流動路徑限制及/或其他複雜性,而可能不利地影響系統真空泵提供及維持穩定及滿意的基底真空壓力以讓質量流驗證系統100或200能夠在扼流期間進行質量流驗證的能力。因此,質量流驗證系統300及/或400的死路槽與真空泵佈置可以允許彼等系統在此種減壓應用中可替代地使用,以初始且快速地實現穩定的基底真空壓力,而暫時維持扼流,以進行質量流驗證。
第5圖圖示根據一或更多個實施例的電子裝置製造系統500。電子裝置製造系統500可以包括MFC 599、質量流驗證系統560及處理腔室570。在一些實施例中,MFC 599可以代表經由共同歧管或頭部耦接至共同出口的複數個MFC,其中如下所述的MFC 599可以代表待驗證的複數個MFC中的一個MFC(亦即,在驗證期間讓氣體流動的複數個MFC中的單獨MFC)。
處理腔室570可以經由隔離閥573耦接至與質量流控制器599耦接的流動路徑572。處理腔室570可經配置以經由MFC 599接收一或更多個處理化學品,並具有減壓化學氣相沉積處理或減壓磊晶處理,或者執行於其中的一或更多種沉積、氧化、硝化、蝕刻、拋光、清潔及/或光刻處理。
質量流驗證系統560可以具有入口502與出口522。入口502可以經由隔離閥573耦接至MFC 599。質量流驗證系統560可以是質量流驗證系統100、200、300或400中之任一者。
在電子裝置製造系統500在減壓應用下操作的彼等實施例中,質量流驗證系統560可以是質量流驗證系統100、200、300或400中之任一者。質量流驗證系統560可以經由出口522及經由隔離閥575耦接至電子裝置製造系統500的系統真空泵565。系統真空泵565亦可經由隔離閥575耦接至處理腔室570。
在電子裝置製造系統500在大氣應用下操作的彼等實施例中,質量流驗證系統560可以是質量流驗證系統300或400。在此等實施例中,系統真空泵565可以從電子裝置製造系統500中排除。
電子裝置製造系統500及/或質量流驗證系統560的操作可藉由控制器(例如控制器124、224、324或424中之一者)控制。
第6圖圖示根據一或更多個實施例驗證質量流速率的方法600。在處理方塊602處,方法600可以包括以下步驟:在扼流條件期間造成氣體僅流經複數個不同尺寸的流量限制器中之一者。舉例而言,參照第2圖,控制器224可以將MFC 99B設定為特定的質量流速率,關閉隔離閥205與207-210,打開用於流經主流動路徑201的隔離閥203,以及打開隔離閥204與206,以允許氣體從MFC 99B僅流經流量限制器216。
在處理方塊604處,可以在扼流條件期間量測複數個不同尺寸的流量限制器中之該者的上游的壓力,以取得所量測的壓力值。舉例而言,再次參照第2圖,控制器224可以打開隔離閥226,且關閉隔離閥227-230,並從壓力感測器212接收所量測的壓力值。
在處理方塊606處,方法600可以包括以下步驟:在扼流條件期間量測複數個不同尺寸的流量限制器中之該者的上游的溫度,以取得所量測的溫度值。繼續第2圖的實例,控制器224可以從溫度感測器211接收所量測的溫度值。
以及在處理方塊606處,方法600可以包括以下步驟:藉由將預定流量限制器係數、預定氣體校正因數及預定溫度值施加至所量測的壓力值與所量測的溫度值,而確定質量流速率。舉例而言,控制器224可以藉由應用等式2以及儲存在控制器224的記憶體中的適當的用於流量限制器216與流經其中的特定氣體的預定流量限制器係數、預定氣體校正因數及預定溫度值並依據壓力與溫度的量測值,而確定質量流速率。
上述方法600的處理方塊可以利用不限於所示及描述的順序及次序的順序或次序而執行或實行。舉例而言,在一些實施例中,可以與處理方塊606同時或在處理方塊606之後執行處理方塊604(在此種情況下,針對處理方塊604所述而在任何溫度及/或壓力量測之前打開及關閉合適的隔離值226-230)。
在一些實施例中,非暫態電腦可讀取媒體(例如可移除儲存碟或裝置)可以包括儲存其上而能夠由處理器(例如控制器124-424)執行的電腦可讀取指令,以執行方法600的處理方塊602、604、606及608。
前面的描述僅揭示本揭示的示例性實施例。上述揭示的組件、設備、系統及方法的修改可以落入本揭示的範疇內。因此,儘管已經揭示本揭示的示例性實施例,但是應理解,其他實施例亦可以落在本揭示由所附申請專利範圍定義的範疇內。
99:MFC 99B:MFC 99C:MFC 99D:MFC 100:質量流驗證系統 101:主流動路徑 102:入口 103:隔離閥 104:隔離閥 105:隔離閥 106:隔離閥 107:隔離閥 108:隔離閥 109:隔離閥 110:隔離閥 111:溫度感測器 112:壓力感測器 113:壓力感測器 114:壓力感測器 115:壓力感測器 116:流量限制器 117:流量限制器 118:流量限制器 119:流量限制器 120:流量限制器 121:氣體溫度馴化加速器 122:出口 123:旁路流動路徑 124:控制器 200:質量流驗證系統 201:主流動路徑 202:入口 203:隔離閥 204:隔離閥 205:隔離閥 206:隔離閥 207:隔離閥 208:隔離閥 209:隔離閥 210:隔離閥 211:溫度感測器 212:壓力感測器 214:壓力感測器 216:流量限制器 217:流量限制器 218:流量限制器 219:流量限制器 220:流量限制器 221:氣體溫度馴化加速器 222:出口 223:旁路流動路徑 224:控制器 226:隔離閥 227:隔離閥 228:隔離閥 229:隔離閥 230:隔離閥 236:第一埠 237:第一埠 238:第一埠 239:第一埠 246:第二埠 247:第二埠 248:第二埠 249:第二埠 250:第二埠 300:質量流驗證系統 300A:曲線圖 302:入口 303:隔離閥 304:隔離閥 305:隔離閥 306:隔離閥 307:隔離閥 308:隔離閥 309:隔離閥 310:隔離閥 311:溫度感測器 312:壓力感測器 314:壓力感測器 316:流量限制器 317:流量限制器 318:流量限制器 319:流量限制器 320:流量限制器 321:氣體溫度馴化加速器 322:出口 323:旁路流動路徑 324:控制器 325:死路槽 331:隔離閥 332:真空泵 333:隔離閥 334:輸入埠 335:排出埠 381:壓力曲線 382:壓力曲線 383:恆定壓力扼流持續時間 384:壓力曲線 400:質量流驗證系統 402:入口 403:隔離閥 404:隔離閥 405:隔離閥 406:隔離閥 407:隔離閥 408:隔離閥 409:隔離閥 410:隔離閥 411:溫度感測器 412:壓力感測器 414:壓力感測器 416:流量限制器 417:流量限制器 418:流量限制器 419:流量限制器 420:流量限制器 421:氣體溫度馴化加速器 422:出口 423:旁路流動路徑 424:控制器 425:死路槽 426:隔離閥 427:隔離閥 428:隔離閥 429:隔離閥 430:隔離閥 431:隔離閥 432:真空泵 433:隔離閥 434:輸入埠 435:排出埠 436:第一埠 437:第一埠 438:第一埠 439:第一埠 446:第二埠 447:第二埠 448:第二埠 449:第二埠 450:第二埠 500:電子裝置製造系統 502:入口 522:出口 560:質量流驗證系統 565:系統真空泵 570:處理腔室 572:流動路徑 573:隔離閥 575:隔離閥 599:MFC 600:方法 602:處理方塊 604:處理方塊 606:處理方塊 608:處理方塊
下文描述的圖式僅用於說明之目的,並不一定按比例繪製。圖式並不意欲以任何方式限制本揭示之範疇。
第1圖圖示根據本揭示的實施例的第一質量流驗證系統。
第2圖圖示根據本揭示的實施例的第二質量流驗證系統。
第3圖圖示根據本揭示的實施例的第三質量流驗證系統。
第3A圖圖示根據本揭示的實施例在第三質量流驗證系統內的質量流驗證期間的幾個壓力的曲線圖。
第4圖圖示根據本揭示的實施例的第四質量流驗證系統。
第5圖圖示根據本揭示的實施例的電子裝置製造系統。
第6圖圖示根據本揭示的實施例的質量流驗證的方法。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
99:MFC
100:質量流驗證系統
101:主流動路徑
102:入口
103:隔離閥
104:隔離閥
105:隔離閥
106:隔離閥
107:隔離閥
108:隔離閥
109:隔離閥
110:隔離閥
111:溫度感測器
112:壓力感測器
113:壓力感測器
114:壓力感測器
115:壓力感測器
116:流量限制器
117:流量限制器
118:流量限制器
119:流量限制器
120:流量限制器
121:氣體溫度馴化加速器
122:出口
123:旁路流動路徑
124:控制器

Claims (20)

  1. 一種用於驗證一質量流速率的方法,包括以下步驟:導致一目標氣體通過一入口的一流動;控制一第一隔離閥,以使該第一隔離閥打開並且使該目標氣體通過一第一流量限制器的一扼流被建立,其中該第一流量限制器耦接在該入口的下游並且與該第一隔離閥串聯耦接;控制一第二隔離閥,以使該第二隔離閥關閉,其中該第二隔離閥與一第二流量限制器串聯耦接,其中該第二流量限制器耦接在該入口的下游並且與該第一流量限制器並聯耦接,該第二流量限制器的尺寸與該第一流量限制器的尺寸不同;控制一第三隔離閥,以使該第三隔離閥打開,其中在通過該第一流量限制器的該扼流被建立後,不發生該目標氣體通過該第三隔離閥的流動,其中該第三隔離閥具有一第一埠和一第二埠,該第三隔離閥的該第一埠耦接到一第一壓力感測器並且該第三隔離閥的該第二埠耦接在該第一隔離閥與該第一流量限制器之間;從該第一壓力感測器獲得在該第一隔離閥與該第一流量限制器之間的該目標氣體的一第一壓力值;及使用該目標氣體的該第一壓力值,來確定該目標氣體的一質量流速率。
  2. 如請求項1所述之方法,進一步包括以下步 驟:獲得在該第一流量限制器的下游的該目標氣體的一第二壓力值;及基於該第一壓力值與該第二壓力值的一比率,來確認該目標氣體通過該第一流量限制器的該流動是在一扼流條件下發生。
  3. 如請求項1所述之方法,其中控制該第一隔離閥以使該第一隔離閥打開以及控制該第二隔離閥以使該第二隔離閥關閉之步驟係響應於:接收該目標氣體通過該入口的一設定質量流速率的一指示;確定該目標氣體通過該第一流量限制器的該設定質量流速率將在一扼流條件下發生;及確定該第一壓力值不超過一閾值。
  4. 如請求項1所述之方法,其中確定該目標氣體的該質量流速率之步驟包括以下步驟:使用在該第一隔離閥與該第一流量限制器之間的該目標氣體的一溫度值。
  5. 如請求項1所述之方法,其中確定該目標氣體的該質量流速率之步驟包括以下步驟:校正在該目標氣體的一分子量與一參考氣體的一分子量之間的一差異。
  6. 如請求項1所述之方法,進一步包括以下步驟:使該目標氣體穿過一氣體溫度馴化加速器,該氣體 溫度馴化加速器耦接在該第一流量限制器的上游。
  7. 一種用於驗證一質量流速率的方法,包括以下步驟:阻止一目標氣體通過一入口的一流動;在一第一流量限制器的下游產生一基底真空壓力,其中該第一流量限制器耦接在該入口的下游;允許該目標氣體流過該入口和流過該第一流量限制器;監測在該第一流量限制器的上游的該目標氣體的壓力;基於監測到的該目標氣體的壓力,來識別該目標氣體通過該第一流量限制器的一扼流的一限制持續時間;及使用該目標氣體的一第一壓力值,來確定該目標氣體的一質量流速率,其中在該扼流的該限制持續時間期間獲得該目標氣體的該第一壓力值。
  8. 如請求項7所述之方法,其中在該第一流量限制器的下游產生該基底真空壓力之步驟包括以下步驟:使耦接到一槽的一泵進行操作,其中該槽耦接在該第一流量限制器的下游和在一出口的上游。
  9. 如請求項8所述之方法,其中在該第一流量限制器的下游產生該基底真空壓力之步驟進一步包括以下步驟:阻止該目標氣體通過該出口的一流動。
  10. 如請求項7所述之方法,其中識別該目標氣 體通過該第一流量限制器的該扼流的該限制持續時間之步驟包括以下步驟:監測在該第一流量限制器的下游的該目標氣體的壓力。
  11. 如請求項10所述之方法,其中監測在該第一流量限制器的下游的該目標氣體的壓力之步驟包括以下步驟:使用耦接到一槽的一第二壓力感測器,其中該槽耦接在該第一流量限制器的下游。
  12. 如請求項7所述之方法,其中該扼流的該限制持續時間的持續時間低於10秒。
  13. 如請求項7所述之方法,其中確定該目標氣體的該質量流速率之步驟包括以下步驟:確定在該第一流量限制器的上游的該目標氣體的一溫度值。
  14. 如請求項13所述之方法,其中確定該目標氣體的該質量流速率之步驟進一步包括以下步驟:校正在該目標氣體的一分子量與一參考氣體的一分子量之間的一差異。
  15. 如請求項7所述之方法,其中:阻止該目標氣體通過該入口的該流動之步驟包括以下步驟:關閉耦接在該入口的下游並且與該第一流量限制器串聯耦接的一第一隔離閥;及允許該目標氣體流過該入口和流過該第一流量限制器之步驟包括以下步驟:打開該第一隔離閥。
  16. 如請求項7所述之方法,進一步包括以下步驟:阻止該目標氣體通過一第二流量限制器的一流動,其中該第二流量限制器耦接在該入口的下游並且與該第一流量限制器並聯耦接,並且其中該第二流量限制器的尺寸與該第一流量限制器的尺寸不同。
  17. 如請求項16所述之方法,其中允許該目標氣體流過該第一流量限制器以及阻止該目標氣體通過該第二流量限制器的該流動之步驟係響應於:接收該目標氣體通過一質量流控制器的一出口的一流動的一設定值的一指示,其中該質量流控制器的該出口在該入口的上游。
  18. 如請求項16所述之方法,其中:允許該目標氣體流過該第一流量限制器之步驟包括以下步驟:打開與該第一流量限制器串聯耦接的一第一隔離閥;及阻止該目標氣體通過該第二流量限制器的該流動之步驟包括以下步驟:關閉與該第二流量限制器串聯耦接並且與該第一隔離閥並聯耦接的一第二隔離閥。
  19. 如請求項7所述之方法,其中該基底真空壓力不超過200Torr。
  20. 一種驗證由一質量流控制器輸出的一氣體的一設定質量流速率的方法,該方法包括以下步驟:接收該氣體通過該質量流控制器的一出口的一流動的 一設定值的一指示,阻止該氣體通過一入口的一流動,其中該入口耦接在該質量流控制器的該出口的下游;確定該氣體通過一第一流量限制器的該設定質量流速率是在一扼流條件下發生,其中該第一流量限制器耦接在該入口的下游;阻止該氣體通過一第二流量限制器的一流動,其中該第二流量限制器耦接在該入口的下游並且與該第一流量限制器並聯耦接,並且其中該第二流量限制器的尺寸與該第一流量限制器的尺寸不同;在該第一流量限制器的下游產生一基底真空壓力;允許該氣體流過該入口並且流過該第一流量限制器;監測該第一流量限制器的上游的該氣體的一第一壓力;識別該氣體通過該第一流量限制器的一扼流的一限制持續時間;及使用該氣體的一第一壓力值,來確定該氣體的一質量流速率,其中該氣體的該第一壓力值是在該扼流的該限制持續時間期間獲得的一壓力值。
TW110129028A 2016-06-27 2017-06-05 用於基於扼流的質量流驗證的方法、系統、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀取儲存媒體 TWI769043B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/194,360 US10684159B2 (en) 2016-06-27 2016-06-27 Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow
US15/194,360 2016-06-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202144747A TW202144747A (zh) 2021-12-01
TWI769043B true TWI769043B (zh) 2022-06-21

Family

ID=60677274

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110129028A TWI769043B (zh) 2016-06-27 2017-06-05 用於基於扼流的質量流驗證的方法、系統、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀取儲存媒體
TW106118465A TWI738793B (zh) 2016-06-27 2017-06-05 用於基於扼流的質量流驗證的方法、系統、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀取儲存媒體

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106118465A TWI738793B (zh) 2016-06-27 2017-06-05 用於基於扼流的質量流驗證的方法、系統、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀取儲存媒體

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10684159B2 (zh)
JP (1) JP2019520576A (zh)
KR (2) KR102469702B1 (zh)
CN (2) CN118913409A (zh)
TW (2) TWI769043B (zh)
WO (1) WO2018004856A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10684159B2 (en) * 2016-06-27 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow
US10655455B2 (en) * 2016-09-20 2020-05-19 Cameron International Corporation Fluid analysis monitoring system
US10866135B2 (en) 2018-03-26 2020-12-15 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on rate of pressure decay
US10698426B2 (en) * 2018-05-07 2020-06-30 Mks Instruments, Inc. Methods and apparatus for multiple channel mass flow and ratio control systems
US11327510B2 (en) * 2018-05-23 2022-05-10 Hitachi Metals, Ltd. Multi-chamber rate-of-change system for gas flow verification
JP7061932B2 (ja) * 2018-06-08 2022-05-02 東京エレクトロン株式会社 流量測定方法および流量測定装置
JP6978985B2 (ja) * 2018-07-09 2021-12-08 Ckd株式会社 ガス流量検定ユニット
US11236834B2 (en) 2019-03-08 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Diaphragm valves and methods of operating same
US10921827B1 (en) 2019-07-25 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Pressure regulated flow controller
US20210059803A1 (en) * 2019-08-30 2021-03-04 Euthanex Corporation Method and apparatus for anesthetizing animals related applications
JP7411479B2 (ja) * 2020-03-31 2024-01-11 東京エレクトロン株式会社 複数のチャンバ圧力センサを校正する方法
GB2618801B (en) * 2022-05-17 2025-03-05 Edwards Ltd Fluid routing for a vacuum pumping system
CN118603215B (zh) * 2024-06-11 2025-04-11 深圳蓝动精密有限公司 一种气体的质量流量测量方法、装置及质量流量控制器
CN118603214B (zh) * 2024-06-11 2025-04-25 深圳蓝动精密有限公司 一种气体的质量流量测量方法、装置及质量流量控制器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020082783A1 (en) * 2000-12-26 2002-06-27 Grosshart Paul Francis Pressure-based mass flow controller system
JP2014089205A (ja) * 2006-11-17 2014-05-15 Lam Research Corporation 実流量の妥当性確認の実施方法
TWI534576B (zh) * 2013-08-30 2016-05-21 富士金股份有限公司 Gas shunt supply device and gas shunt supply method

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5423822B2 (zh) * 1973-06-06 1979-08-16
US5627328A (en) * 1995-12-29 1997-05-06 Gas Research Institute Gas sampling system and method
JP3580645B2 (ja) * 1996-08-12 2004-10-27 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
US5744695A (en) * 1997-01-10 1998-04-28 Sony Corporation Apparatus to check calibration of mass flow controllers
US6164276A (en) * 1997-05-16 2000-12-26 Datex-Ohmeda, Inc. Accurate dose nitric oxide pulse delivery device with monitoring and alarms
US6468353B1 (en) 1997-06-04 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US6575737B1 (en) 1997-06-04 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US5951770A (en) 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
US6119710A (en) * 1999-05-26 2000-09-19 Cyber Instrument Technologies Llc Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction
AU5930900A (en) * 1999-07-12 2001-01-30 Unit Instruments, Inc. Pressure insensitive gas control system
WO2001096972A2 (en) 2000-06-14 2001-12-20 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for maintaining a pressure within an environmentally controlled chamber
DE10115750B4 (de) * 2001-03-20 2017-05-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung und/oder Diagnose eines einen Massenstrom beeinflussenden Steuersystems
US6564824B2 (en) * 2001-04-13 2003-05-20 Flowmatrix, Inc. Mass flow meter systems and methods
JP3604354B2 (ja) * 2001-06-13 2004-12-22 Smc株式会社 質量流量測定方法および質量流量制御装置
KR100914363B1 (ko) 2001-07-15 2009-08-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 시스템
JP4703912B2 (ja) * 2001-08-13 2011-06-15 Smc株式会社 流量計測機能付きマスターバルブ
JP4082901B2 (ja) * 2001-12-28 2008-04-30 忠弘 大見 圧力センサ、圧力制御装置及び圧力式流量制御装置の温度ドリフト補正装置
US6766260B2 (en) * 2002-01-04 2004-07-20 Mks Instruments, Inc. Mass flow ratio system and method
US7555928B2 (en) * 2002-12-05 2009-07-07 Avl North America Inc. Exhaust volume measurement device
GB2399641B (en) * 2003-03-18 2005-08-31 Schlumberger Holdings Method and apparatus for determining the gas flow rate of a gas-liquid mixture
US7343775B2 (en) * 2003-06-11 2008-03-18 Micro Motion, Inc. Device for continuous calibration of a gas mass flow measurement device
US6997347B2 (en) * 2003-07-02 2006-02-14 Industrial Scientific Corporation Apparatus and method for generating calibration gas
JP4204400B2 (ja) * 2003-07-03 2009-01-07 忠弘 大見 差圧式流量計及び差圧式流量制御装置
US7168297B2 (en) * 2003-10-28 2007-01-30 Environmental Systems Products Holdings Inc. System and method for testing fuel tank integrity
US20050120805A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-09 John Lane Method and apparatus for substrate temperature control
US7740024B2 (en) * 2004-02-12 2010-06-22 Entegris, Inc. System and method for flow monitoring and control
US7708859B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-04 Lam Research Corporation Gas distribution system having fast gas switching capabilities
US6945123B1 (en) * 2004-06-28 2005-09-20 The General Electric Company Gas flow sensor having redundant flow sensing capability
US7412986B2 (en) * 2004-07-09 2008-08-19 Celerity, Inc. Method and system for flow measurement and validation of a mass flow controller
TW200626879A (en) * 2004-08-13 2006-08-01 Entegris Inc System and method for calibration of a flow device
US7474968B2 (en) * 2005-03-25 2009-01-06 Mks Instruments, Inc. Critical flow based mass flow verifier
US7174263B2 (en) * 2005-03-25 2007-02-06 Mks Instruments, Inc. External volume insensitive flow verification
US7757554B2 (en) * 2005-03-25 2010-07-20 Mks Instruments, Inc. High accuracy mass flow verifier with multiple inlets
JP4648098B2 (ja) * 2005-06-06 2011-03-09 シーケーディ株式会社 流量制御機器絶対流量検定システム
US20070021935A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-25 Larson Dean J Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber
TWI342058B (en) 2005-12-20 2011-05-11 Applied Materials Inc Extended mainframe designs for semiconductor device manufacturing equipment
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US20090093774A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Baxter International Inc. Ambulatory pump with intelligent flow control
EP2197649B1 (en) 2007-10-09 2017-05-10 Anthony J. Nichol Light coupling into illuminated films
US8991785B2 (en) 2007-10-26 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for sealing a slit valve door
JP4598044B2 (ja) * 2007-10-29 2010-12-15 シーケーディ株式会社 流量検定故障診断装置、流量検定故障診断方法及び流量検定故障診断プログラム
JP5054500B2 (ja) * 2007-12-11 2012-10-24 株式会社フジキン 圧力制御式流量基準器
KR101840047B1 (ko) * 2008-01-18 2018-03-19 피포탈 시스템즈 코포레이션 가스 유동 제어기의 인 시투 시험을 위한 방법 및 장치
JP4852619B2 (ja) * 2009-02-05 2012-01-11 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
JP5346628B2 (ja) * 2009-03-11 2013-11-20 株式会社堀場エステック マスフローコントローラの検定システム、検定方法、検定用プログラム
GB0907807D0 (en) * 2009-05-06 2009-06-17 Norgren Ltd C A Differential pressure sensor and method
JP5574250B2 (ja) * 2009-08-24 2014-08-20 パーティクル・メージャーリング・システムズ・インコーポレーテッド 流量がモニタリングされる粒子センサ
KR20130096158A (ko) 2010-04-13 2013-08-29 쉬어 테크놀로지 인코포레이티드 디젤 엔진 연소 제어 방법 및 시스템
US8905074B2 (en) * 2010-10-22 2014-12-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling gas distribution using orifice ratio conductance control
US9400004B2 (en) * 2010-11-29 2016-07-26 Pivotal Systems Corporation Transient measurements of mass flow controllers
CN103502902B (zh) * 2011-05-10 2015-12-02 株式会社富士金 带有流量监测器的压力式流量控制装置、使用该装置的流体供给系统的异常检测方法及监测流量异常时的处置方法
JP5430621B2 (ja) * 2011-08-10 2014-03-05 Ckd株式会社 ガス流量検定システム及びガス流量検定ユニット
US9958302B2 (en) * 2011-08-20 2018-05-01 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US9846074B2 (en) * 2012-01-20 2017-12-19 Mks Instruments, Inc. System for and method of monitoring flow through mass flow controllers in real time
US9471066B2 (en) * 2012-01-20 2016-10-18 Mks Instruments, Inc. System for and method of providing pressure insensitive self verifying mass flow controller
US9557744B2 (en) * 2012-01-20 2017-01-31 Mks Instruments, Inc. System for and method of monitoring flow through mass flow controllers in real time
ES2845173T3 (es) * 2012-05-24 2021-07-26 Air Prod & Chem Procedimiento y aparato para regular el caudal másico de un gas
CN104350443B (zh) * 2012-05-31 2018-02-16 株式会社富士金 带有降落方式流量监测器的流量控制装置
US10031005B2 (en) 2012-09-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for self verification of pressure-based mass flow controllers
US10847391B2 (en) 2013-03-12 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Semiconductor device manufacturing platform with single and twinned processing chambers
JP2016511551A (ja) 2013-03-13 2016-04-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 銅のuv支援反応性イオンエッチング
US20140273487A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Pulsed dc plasma etching process and apparatus
US9910448B2 (en) * 2013-03-14 2018-03-06 Christopher Max Horwitz Pressure-based gas flow controller with dynamic self-calibration
CN105103283B (zh) 2013-03-15 2019-05-31 应用材料公司 用于小批量基板传送系统的温度控制系统与方法
WO2014150234A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc Processing systems, apparatus, and methods adapted to process substrates in electronic device manufacturing
WO2014150260A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations
CN117174611A (zh) 2013-08-12 2023-12-05 应用材料公司 具有工厂接口环境控制的基板处理系统、装置和方法
US9196514B2 (en) 2013-09-06 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixilated heating
ES2888099T3 (es) * 2013-09-13 2021-12-30 Air Prod & Chem Procedimiento y aparato para supervisar los recursos disponibles de un cilindro de gas
US9435025B2 (en) 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports
CN105580124B (zh) 2013-09-26 2018-05-18 应用材料公司 用于基板处理的混合平台式设备、系统以及方法
JP6573892B2 (ja) 2013-09-30 2019-09-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 移送チャンバガスパージ装置、電子デバイス処理システム、及びパージ方法。
JP5797246B2 (ja) * 2013-10-28 2015-10-21 株式会社フジキン 流量計及びそれを備えた流量制御装置
WO2015066624A1 (en) 2013-11-04 2015-05-07 Applied Materials, Inc Transfer chambers with an increased number of sides, semiconductor device manufacturing processing tools, and processing methods
FR3019300B1 (fr) * 2014-04-01 2016-03-18 Snecma Banc d'essai, destine a la caracterisation d'un ecoulement d'un fluide diphasique.
US9698041B2 (en) 2014-06-09 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Substrate temperature control apparatus including optical fiber heating, substrate temperature control systems, electronic device processing systems, and methods
KR102163083B1 (ko) 2014-07-02 2020-10-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 홈 라우팅 광섬유 가열을 포함하는 온도 제어 장치, 기판 온도 제어 시스템들, 전자 디바이스 처리 시스템들 및 처리 방법들
JP6607873B2 (ja) 2014-07-02 2019-11-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 埋め込み式ファイバーオプティクス及びエポキシ光ディフューザーを使用した基板の温度制御のための装置、システム、並びに方法
JP6512959B2 (ja) * 2015-06-19 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系、ガス供給制御方法、及びガス置換方法
TWI693494B (zh) * 2015-08-31 2020-05-11 美商Mks公司 於非臨界流條件中以壓力為基礎之流量量測的方法和系統
JP6771772B2 (ja) * 2015-09-24 2020-10-21 株式会社フジキン 圧力式流量制御装置及びその異常検知方法
US20170102719A1 (en) * 2015-10-08 2017-04-13 General Electric Company Exchangeable orifice binary valve
JP6892687B2 (ja) * 2015-12-25 2021-06-23 株式会社フジキン 流量制御装置および流量制御装置を用いる異常検知方法
US10895484B2 (en) * 2016-01-15 2021-01-19 Fujikin Incorporated Gas supply device capable of measuring flow rate, flowmeter, and flow rate measuring method
JP6073512B1 (ja) * 2016-03-10 2017-02-01 株式会社フジクラ 差圧検出素子、流量計測装置、及び、差圧検出素子の製造方法
US10684159B2 (en) * 2016-06-27 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow
JP6795832B2 (ja) * 2016-07-05 2020-12-02 株式会社フジキン 流量制御機器、流量制御機器の流量校正方法、流量測定機器および流量測定機器を用いた流量測定方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020082783A1 (en) * 2000-12-26 2002-06-27 Grosshart Paul Francis Pressure-based mass flow controller system
JP2014089205A (ja) * 2006-11-17 2014-05-15 Lam Research Corporation 実流量の妥当性確認の実施方法
TWI534576B (zh) * 2013-08-30 2016-05-21 富士金股份有限公司 Gas shunt supply device and gas shunt supply method

Also Published As

Publication number Publication date
US20170370763A1 (en) 2017-12-28
CN118913409A (zh) 2024-11-08
KR102469702B1 (ko) 2022-11-21
CN109477752A (zh) 2019-03-15
US20200166400A1 (en) 2020-05-28
TW201809610A (zh) 2018-03-16
TW202144747A (zh) 2021-12-01
WO2018004856A1 (en) 2018-01-04
JP2019520576A (ja) 2019-07-18
KR102575610B1 (ko) 2023-09-06
KR20190014120A (ko) 2019-02-11
US10684159B2 (en) 2020-06-16
TWI738793B (zh) 2021-09-11
KR20220156677A (ko) 2022-11-25
US11519773B2 (en) 2022-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI769043B (zh) 用於基於扼流的質量流驗證的方法、系統、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀取儲存媒體
JP5971636B2 (ja) ガスの流量を決定する方法、ガス・フロー・コントローラの動作を決定する方法、ガスフローコントロールシステムの一部の容量を決定する方法、及びガス搬送システム
JP4537393B2 (ja) インサイチュ式フロー検証及び較正システム及び方法
JP5512517B2 (ja) 異なる体積を提供可能な質量流量検証装置及び関連する方法
WO2012014375A1 (ja) ガス供給装置用流量制御器の校正方法及び流量計測方法
CN109416275B (zh) 流量控制设备、流量控制设备的流量校正方法、流量测定设备及使用流量测定设备的流量测定方法
TWI837862B (zh) 用於基於壓力衰減速率來進行質量流驗證的方法、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀儲存媒體
KR20170113154A (ko) 기판 처리 장치, 가스의 공급 방법, 기판 처리 방법 및 성막 방법
CN110234965B (zh) 流量测定方法以及流量测定装置
TWI848063B (zh) 流量計算系統、流量計算系統用程式、流量計算方法及流量計算裝置
JP2013532391A (ja) プロセスチャンバの圧力制御システムおよび制御方法
CN110299300B (zh) 板式pecvd设备的质量流量计的标定方法
CN117810130A (zh) 测量气体流量的方法和校准流量控制器的方法
CN221302467U (zh) 一种用于质量流量验证器的校准装置