TWI768006B - 光檢測裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之光檢測裝置具備:封裝體,其形成有使光入射之開口;光透過部,其以將開口封閉之方式配置於封裝體之內表面;法布里-珀羅干涉濾光片,其配置於封裝體內,使已透過光透過部之光透過;及光檢測器,其配置於封裝體內,檢測已透過法布里-珀羅干涉濾光片之光。光透過部係包含以下而一體地構成:帶通濾光片,其配置於封裝體內,使入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過;及透鏡部,其將入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光聚光。
Description
本發明係關於一種具備法布里-珀羅干涉濾光片之光檢測裝置。
已知有一種光檢測裝置,其具備:封裝體,其形成有使光入射之開口;光透過部,其以將開口封閉之方式設置於封裝體;法布里-珀羅干涉濾光片,其於封裝體內,使已透過光透過部之光透過;及光檢測器,其於封裝體內,檢測已透過法布里-珀羅干涉濾光片之光(例如參照專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:國際公開第15/064758號
[發明所欲解決之問題] 於如上所述之光檢測裝置中,較理想為使入射至封裝體內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過區域之光的比率增加。尤其是,於如使用通用之光源,對來自被測定物之反射光進行分析般之情形時,由於反射光之光量容易變小,故使入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過區域之光的比率增加變得重要。然而,為使入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過區域之光的光量增加,若僅增大封裝體之開口,則有雜散光(未透過法布里-珀羅干涉濾光片之光透過區域之光)會入射至光檢測器而導致S/N比(signal/noise ratio,信號雜訊比)及解析度降低之虞。 本發明之目的在於提供一種可進行高感度且高精度之檢測之光檢測裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣之光檢測裝置具備:封裝體,其形成有使光入射之開口;光透過部,其以將開口封閉之方式配置於封裝體之內表面;法布里-珀羅干涉濾光片,其配置於封裝體內,具有相互之距離為可變之第1鏡部及第2鏡部,使已透過光透過部之光透過;及光檢測器,其配置於封裝體內,檢測已透過法布里-珀羅干涉濾光片之光;且光透過部係包含以下而一體地構成:帶通濾光片,其配置於封裝體內,使入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過;及透鏡部,其將入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光聚光。 於該光檢測裝置中,以將開口封閉之方式配置於封裝體之內表面之光透過部包含帶通濾光片及透鏡部而一體地構成。藉此,將自開口入射至封裝體內之光藉由光透過部之透鏡部而聚光,並使之入射至法布里-珀羅干涉濾光片。因此,可使入射至封裝體內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過區域之光的比率增加。並且,可抑制光入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過區域之周邊區域而成為雜散光。又,自開口入射至封裝體內之光透過光透過部之帶通濾光片,並入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過區域。因此,可抑制具有不需要的波長之光入射至光檢測器。根據以上內容,根據該光檢測裝置,可進行高感度且高精度之檢測。 於本發明之一態樣之光檢測裝置中,亦可為,自光之入射方向觀察之情形時,法布里-珀羅干涉濾光片之外緣位於較開口之外緣更外側,且光透過部之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片之外緣更外側。根據該構成,可抑制因封裝體之開口處之光之入射角、封裝體之開口處之繞射等而導致光經由光透過部之側面(於光之入射方向上相互對向之光透過部之光入射面及光出射面除外之面)進入至封裝體內而成為雜散光。又,例如與光透過部之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片之外緣更內側之情形相比,光透過部之熱容量、及光透過部與封裝體之熱連接面積變大,因此,其結果,可謀求封裝體內之溫度之均勻化。謀求封裝體內之溫度之均勻化係於以下方面較為重要:抑制因溫度之變化而於法布里-珀羅干涉濾光片產生之應力之變動,精度良好地控制第1鏡部與第2鏡部之距離。 於本發明之一態樣之光檢測裝置中,亦可為,光透過部係包含光透過構件而與帶通濾光片及透鏡部一體地形成,帶通濾光片設置於光透過構件之光出射面,透鏡部作為光透過構件之一部分而形成於光透過構件之光入射面側。根據該構成,能夠以帶通濾光片與法布里-珀羅干涉濾光片之距離變小之方式,增大光透過構件之厚度。於該情形時,由於光透過構件之熱容量變大,另一方面,封裝體內之空間之體積變小,故可謀求封裝體內之溫度之更均勻化。又,可相對於光透過構件以較高之位置精度形成透鏡部。 於本發明之一態樣之光檢測裝置中,亦可為,光透過部係包含光透過構件而與帶通濾光片及透鏡部一體地形成,帶通濾光片設置於光透過構件之光出射面,透鏡部設置於帶通濾光片之光出射面。根據該構成,由於入射至帶通濾光片之光之入射角不受透鏡部之影響,故可使帶通濾光片更適當地發揮功能。 於本發明之一態樣之光檢測裝置中,亦可為,光透過部係包含光透過構件而與帶通濾光片及透鏡部一體地形成,帶通濾光片設置於光透過構件之光出射面,透鏡部設置有一對,一對透鏡部中之一者作為光透過構件之一部分而形成於光透過構件之光入射面側,一對透鏡部中之另一者設置於帶通濾光片之光出射面。根據該構成,可抑制各透鏡部之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光聚光,從而使入射至封裝體內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過區域之光的比率進一步增加。 於本發明之一態樣之光檢測裝置中,亦可為,自光之入射方向觀察之情形時,光透過構件之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片之外緣更外側。根據該構成,例如與光透過構件之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片之外緣更內側之情形相比,光透過構件之熱容量、及光透過構件與封裝體之熱連接面積變大,因此,其結果,可謀求封裝體內之溫度之均勻化。 於本發明之一態樣之光檢測裝置中,亦可為,自光之入射方向觀察之情形時,帶通濾光片之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片之外緣更外側。根據該構成,保證入射至法布里-珀羅干涉濾光片之光透過區域之光已透過帶通濾光片。 [發明之效果] 根據本發明,可提供一種可進行高感度且高精度之檢測之光檢測裝置。
以下,參照圖式,對本發明之實施形態進行詳細說明。再者,對各圖中相同或相當部分附註相同符號,並省略重複之部分。 [第1實施形態] [光檢測裝置之構成] 如圖1所示,光檢測裝置1A具備封裝體2。封裝體2係具有基座3及封蓋4之罐形封裝體。封蓋4係由側壁5及頂壁6一體地構成。頂壁6於平行於線L之方向與基座3對向。基座3及封蓋4例如由金屬構成,且相互氣密地接合。 於基座3之內表面3a,藉由例如接著劑固定有配線基板7。作為配線基板7之基板材料,例如可使用矽、陶瓷、石英、玻璃、塑膠等。於配線基板7,安裝有光檢測器8、及熱敏電阻等溫度補償用元件(省略圖示)。光檢測器8於封裝體2內配置於線L上。更具體而言,光檢測器8以其受光區域之中心線與線L一致之方式配置於封裝體2內。光檢測器8例如係使用InGaAs等之量子型感測器、使用熱電堆或輻射熱計等之熱型感測器等紅外線檢測器。於檢測紫外線、可見光、近紅外之各波長區域之光之情形時,例如可使用矽光電二極體等作為光檢測器8。再者,光檢測器8之受光區域可由1個受光部構成,或者亦可包括複數個受光部。具有包括複數個受光部之受光區域之光檢測器8例如為光電二極體陣列、CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合元件)影像感測器、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導體)影像感測器等。又,亦可將複數個光檢測器8安裝於配線基板7。於該情形時,可將複數個光檢測器8之受光部之集合視為受光區域。 於配線基板7上,藉由例如接著劑固定有複數個間隔件(支持部)9。複數個間隔件9係以隔著或包圍光檢測器8及溫度補償用元件之方式,配置於封裝體2內。作為各間隔件9之材料,例如可使用矽、陶瓷、石英、玻璃、塑膠等。於複數個間隔件9上,藉由例如接著劑固定有法布里-珀羅干涉濾光片10。法布里-珀羅干涉濾光片10於封裝體2內配置於線L上。更具體而言,法布里-珀羅干涉濾光片10以其光透過區域10a之中心線與線L一致之方式,配置於封裝體2內。間隔件9以法布里-珀羅干涉濾光片10自光檢測器8分離之狀態(即,以於法布里-珀羅干涉濾光片10與光檢測器8之間形成有空間之狀態),支持法布里-珀羅干涉濾光片10。即,法布里-珀羅干涉濾光片10與光檢測器8係以相互分離之狀態配置於封裝體2內。再者,間隔件9亦可與配線基板7一體地構成。又,法布里-珀羅干涉濾光片10亦可由1個間隔件9支持而並非由複數個間隔件9支持。又,間隔件9亦可與法布里-珀羅干涉濾光片10一體地構成。 於基座3,固定有複數個引線接腳11。更具體而言,各引線接腳11以維持與基座3之間的電氣絕緣性及氣密性之狀態,貫通基座3。於各引線接腳11,藉由金屬線12電性連接有設置於配線基板7之電極墊、光檢測器8之端子、溫度補償用元件之端子、及法布里-珀羅干涉濾光片10之端子之各者。藉此,可實現對於光檢測器8、溫度補償用元件、及法布里-珀羅干涉濾光片10之各者的電氣信號之輸入輸出等。 於封裝體2形成有開口2a。更具體而言,開口2a係以其中心線與線L一致之方式,形成於封蓋4之頂壁6。開口2a使光入射至封裝體2內。於光檢測裝置1A中,與線L平行之方向(即,與開口2a之中心線平行之方向)為光入射之方向(即,光之入射方向)。 於頂壁6之內表面6a,以將開口2a封閉之方式配置有光透過構件13。光透過構件13與頂壁6之內表面6a氣密地接合。光透過構件13至少使光檢測裝置1A之測定波長範圍之光透過。光透過構件13係包含在平行於線L之方向上相互對向之光入射面13a及光出射面13b、以及側面13c之板狀構件。光透過構件13例如由玻璃、石英、矽、鍺、塑膠等構成。 於光透過構件13之光入射面13a,設置有透鏡部16。透鏡部16將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光聚光。透鏡部16以其中心線與線L一致之方式,配置於光入射面13a中面對(對向於)開口2a之區域。透鏡部16構成為具有向光入射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光入射面之凸透鏡。透鏡部16之頂部於開口2a較頂壁6之外表面更向光入射側突出。透鏡部16例如由玻璃、石英、矽、鍺、塑膠等構成。透鏡部16之直徑及高度例如為數mm左右。透鏡部16例如係藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光入射面13a者。 於光透過構件13之光出射面13b,設置有帶通濾光片14。即,帶通濾光片14配置於封裝體2內。帶通濾光片14使入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光(即,光檢測裝置1A之測定波長範圍之光)選擇性透過。帶通濾光片14例如係由TiO2
、Ta2
O5
等高折射材料、與SiO2
、MgF2
等低折射材料之組合構成之介電多層膜。帶通濾光片14例如係藉由蒸鍍、貼附等而設置於光出射面13b者。 於光檢測裝置1A中,由光透過構件13、透鏡部16及帶通濾光片14一體地構成光透過部100。光透過部100以將開口2a封閉之方式,配置於封裝體2之內表面(於光檢測裝置1A中,為頂壁6之內表面6a)。 光透過構件13之厚度T(平行於線L之方向之厚度、光入射面13a與光出射面13b之距離)為法布里-珀羅干涉濾光片10與光透過構件13之距離D1(法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過構件13側之表面與光透過構件13之光出射面13b之距離)乘以0.1所得之值以上之值(更佳為乘以0.3所得之值以上之值)。又,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光檢測器8之距離D2(法布里-珀羅干涉濾光片10之光檢測器8側之表面與光檢測器8之法布里-珀羅干涉濾光片10側之表面之距離)乘以0.5所得之值以上之值(更佳為乘以1.0所得之值以上之值)。又,光透過構件13之厚度T為頂壁6之厚度之2倍以上之厚度(更佳為頂壁6之厚度之3倍以上之厚度)。又,自頂壁6之光入射側之表面(外側之表面)至帶通濾光片14之光出射面的距離較自帶通濾光片14之光出射面至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過構件13側之表面的距離大。再者,法布里-珀羅干涉濾光片10之光檢測器8側之表面於下述之圖4所示之例中,為形成於遮光層45上之保護層46之光檢測器8側之表面。 自平行於線L之方向觀察之情形時之各部分之位置關係及大小關係如下。如圖2所示,開口2a之中心線、光透過構件13之中心線、透鏡部16之中心線、帶通濾光片14之中心線、法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之中心線及光檢測器8之受光區域之中心線與線L一致。開口2a之外緣、透鏡部16之外緣、光透過區域10a之外緣及光檢測器8之受光區域例如為圓形狀。光透過構件13之外緣、帶通濾光片14之外緣、法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣及光檢測器8之外緣例如為矩形狀。再者,帶通濾光片14之外緣於下述之圖4所示之例中,為自平行於線L之方向觀察之情形時之基板21之外緣(基板21之側面所對應)。 開口2a之內緣位於較光透過構件13之外緣、帶通濾光片14之外緣及法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更內側,且位於較光透過區域10a之外緣、及光檢測器8之受光區域之外緣更外側。透鏡部16之外緣與開口2a之內緣一致。光透過構件13之外緣與帶通濾光片14之外緣一致,位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更外側。光透過區域10a之外緣位於較光檢測器8之受光區域之外緣更外側。再者,所謂「自特定之方向觀察之情形時,一外緣位於較另一外緣更內側」,係指「自特定之方向觀察之情形時,另一外緣包圍一外緣」、「自特定之方向觀察之情形時,另一外緣包含一外緣」。又,所謂「自特定之方向觀察之情形時,一外緣位於較另一外緣更外側」,係指「自特定之方向觀察之情形時,一外緣包圍另一外緣」、「自特定之方向觀察之情形時,一外緣包含另一外緣」。 如以上般構成之光檢測裝置1A中,光自外部經由開口2a及光透過部100(即透鏡部16、光透過構件13及帶通濾光片14)而入射至封裝體2內。當已透過光透過部100之光入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a時,使具有特定波長之光選擇性地透過。已透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光入射至光檢測器8之受光區域而由光檢測器8進行檢測。 [法布里-珀羅干涉濾光片之構成] 如圖3及圖4所示,於法布里-珀羅干涉濾光片10中,於線L上設置有使對應於第1鏡部與第2鏡部之距離之光透過的光透過區域10a。光透過區域10a例如為圓柱狀區域。於光透過區域10a,精度極佳地控制第1鏡部與第2鏡部之距離。即,光透過區域10a係法布里-珀羅干涉濾光片10中,能夠將第1鏡部與第2鏡部之距離控制成特定距離以使具有特定波長之光選擇性地透過的區域,且係具有對應於第1鏡部與第2鏡部之距離的特定波長之光能夠透過之區域。 法布里-珀羅干涉濾光片10具備矩形板狀之基板21。基板21具有於平行於線L之方向上相互對向之第1表面21a及第2表面21b。第1表面21a為光透過部100側(即,光入射側)之表面。第2表面21b為光檢測器8側(即,光出射側)之表面。於第1表面21a配置有第1層構造體30。於第2表面21b配置有第2層構造體40。 第1層構造體30係藉由在第1表面21a依次積層第1抗反射層31、第1積層體32、第1中間層33及第2積層體34而構成。於第1積層體32與第2積層體34之間,藉由框狀之第1中間層33而形成空隙(氣隙)S。基板21例如由矽、石英、玻璃等構成。於基板21由矽構成之情形時,第1抗反射層31及第1中間層33例如由氧化矽構成。第1中間層33之厚度例如為數十nm~數十μm。 第1積層體32中對應於光透過區域10a之部分作為第1鏡部35發揮功能。第1積層體32係藉由複數個多晶矽層與複數個氮化矽層逐層地交替積層而構成。構成第1鏡部35之多晶矽層及氮化矽層之各者之光學厚度較佳為中心透過波長之1/4之整數倍。再者,第1鏡部35亦可不介隔第1抗反射層31而直接配置於第1表面21a。 第2積層體34中對應於光透過區域10a之部分作為第2鏡部36發揮功能。第2鏡部36於平行於線L之方向上介隔空隙S與第1鏡部35對向。第2積層體34係藉由複數個多晶矽層與複數個氮化矽層逐層地交替積層而構成。構成第2鏡部36之多晶矽層及氮化矽層之各者之光學厚度較佳為中心透過波長之1/4之整數倍。 於第1積層體32及第2積層體34中,亦可取代氮化矽層而配置氧化矽層。又,作為構成第1積層體32及第2積層體34之各層之材料,除了上述材料以外,可使用氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、氟化鎂、氧化鋁、氟化鈣、矽、鍺、硫化鋅等。 於第2積層體34中對應於空隙S之部分,形成有自第2積層體34之與第1中間層33為相反側之表面34a到達至空隙S之複數個貫通孔34b。複數個貫通孔34b形成為對第2鏡部36之功能實質不造成影響之程度。複數個貫通孔34b用以藉由蝕刻將第1中間層33之一部分去除而形成空隙S。 於第1鏡部35,以包圍光透過區域10a之方式形成有第1電極22。於第1鏡部35,以包含光透過區域10a之方式形成有第2電極23。第1電極22及第2電極23係藉由對第1積層體32中最接近空隙S之多晶矽層摻雜雜質而低電阻化而形成。於第2鏡部36,形成有第3電極24。第3電極24於平行於線L之方向,介隔空隙S與第1電極22及第2電極23對向。第3電極24係藉由對第2積層體34中最接近空隙S之多晶矽層摻雜雜質而低電阻化而形成。再者,第2電極23之大小較佳為包含光透過區域10a之整體之大小,但亦可與光透過區域10a之大小大致相同。 於第1層構造體30,設置有一對第1端子25及一對第2端子26。一對第1端子25隔著光透過區域10a相互對向。各第1端子25配置於自第2積層體34之表面34a到達至第1積層體32之貫通孔內。各第1端子25經由配線22a與第1電極22電性連接。一對第2端子26於與一對第1端子25相互對向之方向垂直之方向上,隔著光透過區域10a相互對向。各第2端子26配置於自第2積層體34之表面34a到達至第1中間層33之內部之貫通孔內。各第2端子26經由配線23a與第2電極23電性連接,並且經由配線24a與第3電極24電性連接。 於第1積層體32中之第1中間層33側之表面32a,設置有溝槽27、28。溝槽27以包圍配線23a中之與第2端子26之連接部分之方式呈環狀延伸。溝槽27將第1電極22與配線23a電性絕緣。溝槽28沿第1電極22之內緣呈環狀延伸。溝槽28將第1電極22與第1電極22內側之區域(即,存在第2電極23之區域)電性絕緣。於第2積層體34之表面34a,設置有溝槽29。溝槽29以包圍第1端子25之方式呈環狀延伸。溝槽29將第1端子25與第3電極24電性絕緣。各溝槽27、28、29內之區域可為絕緣材料,亦可為空隙。 第2層構造體40係藉由在第2表面21b依次積層第2抗反射層41、第3積層體42、第2中間層43及第4積層體44而構成。第2抗反射層41、第3積層體42、第2中間層43及第4積層體44分別具有與第1抗反射層31、第1積層體32、第1中間層33及第2積層體34相同之構成。如此,第2層構造體40具有以基板21為基準與第1層構造體30對稱之積層構造。即,第2層構造體40係以與第1層構造體30對應之方式構成。第2層構造體40具有抑制基板21之翹曲等之功能。 於第3積層體42、第2中間層43及第4積層體44,以包含光透過區域10a之方式形成有開口40a。開口40a之中心線與線L一致。開口40a例如為圓柱狀區域,具有與光透過區域10a大致相同之直徑。開口40a於光出射側開口,開口40a之底面到達至第2抗反射層41。開口40a使已透過第1鏡部35及第2鏡部36之光通過。 於第4積層體44之光出射側之表面,形成有遮光層45。遮光層45例如由鋁等構成。於遮光層45之表面及開口40a之內表面,形成有保護層46。保護層46例如由氧化鋁構成。再者,藉由將保護層46之厚度設為1~100 nm(較佳為30 nm左右),而可忽視因保護層46引起之光學影響。 於如以上般構成之法布里-珀羅干涉濾光片10中,若經由一對第1端子25及一對第2端子26對第1電極22與第3電極24之間施加電壓,則於第1電極22與第3電極24之間產生對應於該電壓之靜電力。藉由該靜電力,將第2鏡部36朝固定於基板21之第1鏡部35側吸引,而調整第1鏡部35與第2鏡部36之距離。如此,於法布里-珀羅干涉濾光片10中,使第1鏡部35與第2鏡部36之距離可變。 透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光的波長依存於光透過區域10a中之第1鏡部35與第2鏡部36之距離。因此,藉由調整施加於第1電極22與第3電極24之間的電壓,而可適當選擇透過之光之波長。此時,第2電極23與第3電極24為同電位。因此,第2電極23作為用以將光透過區域10a中第1鏡部35及第2鏡部36保持平坦之補償電極發揮功能。 於光檢測裝置1A中,例如一面使施加至法布里-珀羅干涉濾光片10之電壓變化(即,使法布里-珀羅干涉濾光片10中第1鏡部35與第2鏡部36之距離變化),一面於光檢測器8檢測已透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光,藉此可獲得分光光譜。 再者,於法布里-珀羅干涉濾光片10中,既可將光透過區域10a(如上所述,法布里-珀羅干涉濾光片10中,能夠將第1鏡部35與第2鏡部36之距離控制成特定距離以使具有特定波長之光選擇性地透過之區域,且具有對應於第1鏡部35與第2鏡部36之距離的特定波長之光能夠透過之區域),視為自平行於線L之方向觀察之情形時對應於第1電極22內側之區域(即,作為補償電極發揮功能之第2電極23所存在之區域),或者亦可視為自平行於線L之方向觀察之情形時對應於開口40a之區域。 [作用及效果] 於光檢測裝置1A中,以將開口2a封閉之方式配置於封裝體2之內表面之光透過部100係包含帶通濾光片14及透鏡部16而一體地構成。藉此,將自開口2a入射至封裝體2內之光藉由光透過部100之透鏡部16而聚光,並使之入射至法布里-珀羅干涉濾光片10。因此,可使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率增加。並且,可抑制光入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之周邊區域而成為雜散光。又,自開口2a入射至封裝體2內之光透過光透過部100之帶通濾光片14,並入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a。因此,可抑制具有不需要之波長之光入射至光檢測器8。根據以上內容,根據光檢測裝置1A,可進行高感度且高精度之檢測。 又,於光檢測裝置1A中,自平行於線L之方向觀察之情形時,法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣位於較開口2a之外緣更外側,光透過部100之外緣(於光檢測裝置1A中,為光透過構件13之外緣及帶通濾光片14之外緣)位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更外側。藉此,可抑制因開口2a處之光之入射角、開口2a處之繞射等而導致光經由光透過部100之側面(於光檢測裝置1A中,為光透過構件13之側面13c)進入至封裝體2內而成為雜散光。又,例如與光透過部100之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更內側之情形相比,光透過部100之熱容量、及光透過部100與封裝體2之熱連接面積變大,因此,其結果,可謀求封裝體2內之溫度之均勻化。謀求封裝體2內之溫度之均勻化係於以下方面較為重要:抑制因溫度之變化而於法布里-珀羅干涉濾光片10產生之應力之變動,精度良好地控制第1鏡部35與第2鏡部36之距離。 又,於光檢測裝置1A中,自平行於線L之方向觀察之情形時,帶通濾光片14之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更外側。藉此,保證入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光已透過帶通濾光片14。 又,於光檢測裝置1A中,透鏡部16設置於光透過構件13之光入射面13a。藉此,能夠以帶通濾光片14與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離變小之方式,增大光透過構件13之厚度。於該情形時,由於光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,故可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。 又,於光檢測裝置1A中,可於將透鏡部16設置於光透過構件13之光入射面13a,並將帶通濾光片14設置於光透過構件13之光出射面13b後,以於開口2a內配置透鏡部16之方式將光透過部100安裝於頂壁6之內表面6a,因此,光透過部100之位置精度提高。另一方面,若於將光透過構件13安裝於頂壁6之內表面6a後,以於開口2a內配置透鏡部16之方式將透鏡部16安裝於光透過構件13之光入射面13a,則可更確實地抑制於組裝步驟中於透鏡部16之光入射面產生損傷。 對雜散光向光檢測器8之入射之抑制更具體地進行說明。入射至封裝體2之開口2a之一部分光可能因開口2a處之光之入射角、開口2a之側面及出射側角部(開口2a之側面與頂壁6之內表面6a交叉之角部)處之繞射等,而自光透過部100之側面出射至封裝體2內。若此種光於封裝體2內多重反射並入射至光檢測器8,則作為因雜散光引起之雜訊而出現於輸出信號中,從而導致光檢測特性之劣化。尤其,光透過構件13之側面13c與光入射面13a及光出射面13b相比成為粗糙面之情形較多,故自光透過構件13之側面13c出射至封裝體2內之光容易成為散射光而入射至光檢測器8。相對於此,於光檢測裝置1A中,法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣位於較封裝體2之開口2a之外緣更外側,光透過部100之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更外側。藉此,例如與光透過部100之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更內側之情形相比,光透過部100之側面距離法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a及光檢測器8更遠。因此,雜散光向光檢測器8之入射得以抑制,而S/N比及解析度提高。 對封裝體2內之溫度之均勻化更具體地進行說明。若封裝體2之開口2a變小,則封裝體2本身之體積變大。又,若光透過部100變大,則光透過部100之熱容量、光透過部100與封裝體2之熱連接面積變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小。藉此,發揮如下作用。首先,由金屬構成、熱導率較高且作為整體容易保持為均勻溫度(熱容易擴散至整體)之封裝體2本身之體積變大。又,由於光透過部100與封裝體2之熱連接面積較大,故熱容易自封裝體2傳遞至光透過部100,光透過部100亦保持為與封裝體2均勻之溫度。又,由於封裝體2內之空間之體積較小,故封裝體2內之空間(及配置於此處之法布里-珀羅干涉濾光片10等之構成要素)之溫度亦受保持為均勻溫度之封裝體2及光透過部100之影響而保持均勻。進而,藉由熱容量較大之光透過部100及封裝體2,而時間性之溫度變化得以抑制。藉由該等作用,封裝體2內之溫度成為熱均勻之狀態,而光檢測裝置1A之熱特性穩定化。 又,於光檢測裝置1A中,自平行於線L之方向觀察之情形時,法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之外緣位於較光檢測器8之外緣更外側,開口2a之外緣位於較光透過區域10a之外緣更外側,帶通濾光片14之外緣位於較開口2a之外緣更外側。藉此,保證經由開口2a及法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a入射至光檢測器8之光已透過帶通濾光片14。 又,於光檢測裝置1A中,自平行於線L之方向觀察之情形時,法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣位於較光檢測器8之外緣更外側。藉此,可抑制未透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光作為雜散光而入射至光檢測器8。 又,於光檢測裝置1A中,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光透過構件13之距離D1乘以0.1所得之值以上之值(更佳為乘以0.3所得之值以上之值)。藉此,光透過構件13之熱容量變大,而封裝體2內之空間之體積變小,因此可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,由於光透過構件13相對靠近法布里-珀羅干涉濾光片10,故可抑制未透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光作為雜散光而入射至光檢測器8。 又,於光檢測裝置1A中,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光檢測器8之距離D2乘以0.5所得之值以上之值(更佳為乘以1.0所得之值以上之值)。藉此,光透過構件13之熱容量變大,而封裝體2內之空間之體積變小,因此可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,光透過構件13之厚度T為頂壁6之厚度之2倍以上之厚度(更佳為頂壁6之厚度之3倍以上之厚度)。又,自頂壁6之光入射側之表面(外側之表面)至帶通濾光片14之光出射面的距離大於自帶通濾光片14之光出射面至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過構件13側之表面的距離。藉此,光透過構件13之熱容量變大,而封裝體2內之空間之體積變小,因此可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,由於光透過構件13相對靠近法布里-珀羅干涉濾光片10,故可抑制未透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光作為雜散光而入射至光檢測器8。 又,於光檢測裝置1A中,帶通濾光片14設置於光透過構件13之光出射面13b。藉此,可防止因來自外部之物理干涉而導致於帶通濾光片14產生劃痕等損傷。 又,於光檢測裝置1A中,法布里-珀羅干涉濾光片10之各端子25、26與各引線接腳11係藉由金屬線12而電性連接。如上所述,於光檢測裝置1A中,自平行於線L之方向觀察之情形時,法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣位於較封裝體2之開口2a之外緣更外側,光透過部100之外緣位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更外側。因此,即便金屬線12撓曲,亦可防止金屬線12與封裝體2之接觸。 對金屬線12與封裝體2之接觸之防止更具體地進行說明。若金屬線12與由金屬構成之封裝體2接觸,則用以控制法布里-珀羅干涉濾光片10之電氣信號亦流動至封裝體2,從而難以控制法布里-珀羅干涉濾光片10。相對於此,即便金屬線12與由絕緣性材料構成之光透過部100接觸,用以控制法布里-珀羅干涉濾光片10之電氣信號亦不會流動至光透過部100,而可進行法布里-珀羅干涉濾光片10之高精度之控制。可防止金屬線12與封裝體2之接觸之上述構成較為重要。 又,於光檢測裝置1A中,對法布里-珀羅干涉濾光片10之基板21應用矽基板,對光檢測器8應用形成有光電轉換區域之InGaAs基板,藉此發揮如下之作用及效果。具有形成有光電轉換區域之InGaAs基板之光檢測器8例如與具有短於1200 nm之波長之光、及具有長於2100 nm之波長之光相比,對於具有1200 nm以上且2100 nm以下之波長之光具有較高之感度。但,該光檢測器8與具有長於2100 nm之波長之光相比,對於具有短於1200 nm之波長之光亦具有較高之感度。此處,矽基板與具有1200 nm以上之波長之光相比,對於具有短於1200 nm之波長之光具有較高之吸收性(亦取決於矽基板之製造方法、厚度、雜質濃度,尤其對於具有短於1100 nm之波長之光具有較高之吸收性)。因此,根據上述構成,例如於應檢測具有1200 nm以上且2100 nm以下之波長之光之情形時,可使法布里-珀羅干涉濾光片10之矽基板作為帶通濾光片發揮功能,其結果,藉由與帶通濾光片14之協同效應,可確實地抑制光檢測器8檢測雜訊光(具有短於1200 nm(尤其短於1100 nm)之波長之光、及具有長於2100 nm之波長之光)。 再者,如圖5所示,透鏡部16亦可作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。根據該光檢測裝置1A,能夠以帶通濾光片14與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離變小之方式,增大光透過構件13之厚度。於該情形時,由於光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,故可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,可相對於光透過構件13以較高之位置精度形成透鏡部16。 又,如圖6(a)所示,透鏡部16例如亦可為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b(與帶通濾光片14之光入射面14a對向之面)者。於該光檢測裝置1A中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。根據該光檢測裝置1A,由於入射至帶通濾光片14之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。再者,於該情形時,由於在形成介電多層膜作為帶通濾光片14時不會受透鏡部16之影響,故於精度良好且容易地形成該介電多層膜之方面有利。 又,如圖6(b)所示,透鏡部16亦可作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光出射面13b側。於該光檢測裝置1A中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡,帶通濾光片14以覆蓋透鏡部16之光出射面之方式形成於光透過構件13之光出射面13b。於該光檢測裝置1A中,帶通濾光片14係以沿透鏡部16之光出射面之方式形成,故光沿著帶通濾光片14之厚度方向入射至帶通濾光片14。因此,根據該光檢測裝置1A,可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,可相對於光透過構件13以較高之位置精度形成透鏡部16。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。 又,如圖7(a)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1A中,一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光透過構件13之光入射面13a者。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1A,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 又,如圖7(b)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1A中,一透鏡部16係作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。另一透鏡部16係作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光出射面13b側,帶通濾光片14係以覆蓋另一透鏡部16之光出射面之方式,形成於光透過構件13之光出射面13b。根據該光檢測裝置1A,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 再者,於圖7(a)所示之光檢測裝置1A中,一透鏡部16亦可作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。又,於圖7(a)所示之光檢測裝置1A中,亦可為,另一透鏡部16作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光出射面13b側,帶通濾光片14係以覆蓋另一透鏡部16之光出射面之方式,形成於光透過構件13之光出射面13b。 [第2實施形態] 如圖8所示,光檢測裝置1B於光透過部100之構成方面與上述光檢測裝置1A不同。於光檢測裝置1B中,配置於封裝體2之內表面之光透過構件13到達至開口2a內及側壁5之內表面5a。光透過構件13之光入射面13a於開口2a與頂壁6之外表面成為大致同一面。此種光透過構件13係藉由在將開口2a設為下側之狀態下,於封蓋4之內側配置玻璃顆粒並使該玻璃顆粒熔融而形成。即,光透過構件13由熔合玻璃構成。透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光透過構件13之光入射面13a者。帶通濾光片14自光透過構件13之光出射面13b到達至封蓋4之側壁5之內表面5a之一部分。 於光檢測裝置1B中,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光透過構件13之距離D1乘以0.25所得之值以上之值(更佳為乘以0.5所得之值以上之值)。又,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光檢測器8之距離D2乘以1.0所得之值以上之值(更佳為乘以3.0所得之值以上之值)。又,光透過構件13之厚度T為頂壁6之厚度之2倍以上之厚度(更佳為頂壁6之厚度之3倍以上之厚度)。又,自頂壁6之光入射側之表面(外側之表面)至帶通濾光片14之光出射面的距離較自帶通濾光片14之光出射面至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過構件13側之表面的距離大。藉此,光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,因此可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,由於光透過構件13相對靠近法布里-珀羅干涉濾光片10,故可抑制未透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光作為雜散光而入射至光檢測器8。又,自平行於線L之方向觀察之情形時,法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣位於較開口2a之外緣更外側。又,自平行於線L之方向觀察之情形時,光透過部100之外緣(於光檢測裝置1B中,為光透過構件13之外緣及帶通濾光片14之外緣)位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更外側。 於如以上般構成之光檢測裝置1B中,以將開口2a封閉之方式設置於封裝體2之光透過部100亦包含帶通濾光片14及透鏡部16而一體地構成,故與上述光檢測裝置1A同樣地,可進行高感度且高精度之檢測。 又,於光檢測裝置1B中,光透過構件13之側面13c到達至側壁5之內表面5a。因此,可更確實地抑制因開口2a處之光之入射角、開口2a處之繞射等而導致光經由光透過構件13之側面13c進入至封裝體2內成為雜散光。進而,由於光透過構件13之熱容量、及光透過構件13與封裝體2之熱連接面積變得更大,故而其結果,可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。 又,於光檢測裝置1B中,由於光透過構件13之體積(尤其厚度T)較大,故可提高由熔合玻璃構成之光透過構件13之光入射面13a及光出射面13b之平面性。進而,即便形成時產生之氣泡殘存於由熔合玻璃構成之光透過構件13,由於光透過構件13之體積(尤其厚度T)較大,故亦可降低該氣泡之影響。 又,於光檢測裝置1B中,膜狀之帶通濾光片14係於光透過構件13之光出射面13b側,自光出射面13b上遍及沿光透過構件13之側面13c之側壁5之內表面5c上而形成。因此,可更確實地抑制雜散光之產生。此處,光透過構件13之光出射面13b之周緣部(與側壁5之內表面5c之邊界部)藉由呈圓形狀之內倒角形狀而連續地連接於側壁5之內表面5c,故於該周緣部亦可穩定地(不間斷地)形成帶通濾光片14。 再者,如圖9所示,透鏡部16亦可作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。此種光透過構件13及透鏡部16係藉由如下方式而形成:以開口2a成為下側之方式配置封蓋4,且於將用以形成透鏡部16之模具配置於開口2a之下側之狀態下,於封蓋4之內側配置玻璃顆粒,並使該玻璃顆粒熔融。根據該光檢測裝置1B,能夠以帶通濾光片14與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離變小之方式,增大光透過構件13之厚度。於該情形時,由於光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,故可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,可使零件件數減少。又,可相對於光透過構件13以較高之位置精度形成透鏡部16。 又,如圖10(a)所示,透鏡部16例如亦可為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b(與帶通濾光片14之光入射面14a對向之面)者。於該光檢測裝置1B中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。根據該光檢測裝置1B,由於入射至帶通濾光片14之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。再者,於該情形時,由於在形成介電多層膜作為帶通濾光片14時不會受透鏡部16之影響,故於精度良好且容易地形成該介電多層膜之方面有利。 又,如圖10(b)所示,透鏡部16亦可作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光出射面13b側。於該光檢測裝置1B中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡,帶通濾光片14係以覆蓋透鏡部16之光出射面之方式形成於光透過構件13之光出射面13b。於該光檢測裝置1B中,帶通濾光片14係以沿著透鏡部16之光出射面之方式形成,故光沿著帶通濾光片14之厚度方向入射至帶通濾光片14。因此,根據該光檢測裝置1B,可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,可減少零件件數。又,可相對於光透過構件13以較高之位置精度形成透鏡部16。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。 又,如圖11(a)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1B中,一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光透過構件13之光入射面13a者。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1B,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 又,如圖11(b)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1B中,一透鏡部16係作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。另一透鏡部16係作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光出射面13b側,帶通濾光片14係以覆蓋另一透鏡部16之光出射面之方式,形成於光透過構件13之光出射面13b。根據該光檢測裝置1B,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 再者,於圖11(a)所示之光檢測裝置1B中,一透鏡部16亦可作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。又,於圖11(a)所示之光檢測裝置1B中,亦可為,另一透鏡部16作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光出射面13b側,且帶通濾光片14以覆蓋另一透鏡部16之光出射面之方式,形成於光透過構件13之光出射面13b。 [第3實施形態] 如圖12所示,光檢測裝置1C於光透過部100之構成方面與上述光檢測裝置1A不同。於光檢測裝置1C中,配置於封裝體2之內表面之光透過構件13到達至開口2a內及側壁5之內表面5a。透鏡部16係作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。此種光透過構件13及透鏡部16係藉由如下方式而形成:以開口2a成為下側之方式配置封蓋4,且於將用以形成透鏡部16之模具配置於開口2a之下側之狀態下,於封蓋4之內側配置玻璃顆粒,並使該玻璃顆粒熔融。即,光透過構件13及透鏡部16由熔合玻璃構成。帶通濾光片14形成為板狀,藉由接著劑等貼附於光透過構件13之光出射面13b。板狀之帶通濾光片14例如係於由矽、玻璃等構成之光透過構件之表面形成有介電多層膜者。於由熔合玻璃構成之光透過構件13中,藉由厚度T較大而光出射面13b之平面性提高,故可於光出射面13b較佳地配置帶通濾光片14。 於光檢測裝置1C中,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光透過構件13之距離D1乘以0.3所得之值以上之值(更佳為乘以1.0所得之值以上之值)。又,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光檢測器8之距離D2乘以1.0所得之值以上之值(更佳為乘以1.5所得之值以上之值)。又,光透過構件13之厚度T為頂壁6之厚度之2倍以上之厚度(更佳為頂壁6之厚度之3倍以上之厚度)。又,自頂壁6之光入射側之表面(外側之表面)至帶通濾光片14之光出射面的距離較自帶通濾光片14之光出射面至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過構件13側之表面的距離大。藉由該等,光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,因此可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,由於光透過構件13相對靠近法布里-珀羅干涉濾光片10,故可抑制未透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光作為雜散光而入射至光檢測器8。又,自平行於線L之方向觀察之情形時,法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣位於較開口2a之外緣更外側。又,自平行於線L之方向觀察之情形時,光透過部100之外緣(於光檢測裝置1C中,為光透過構件13之外緣及帶通濾光片14之外緣)位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更外側。 於如以上般構成之光檢測裝置1C中,以將開口2a封閉之方式設置於封裝體2之光透過部100亦包含帶通濾光片14及透鏡部16而一體地構成,故與上述光檢測裝置1A同樣地,可進行高感度且高精度之檢測。 又,於光檢測裝置1C中,透鏡部16係作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。藉此,可相對於光透過構件13以較高之位置精度形成透鏡部16。 又,於光檢測裝置1C中,可準備於光透過構件之表面形成有介電多層膜之帶通濾光片14,其後,將帶通濾光片14安裝於光透過構件13之光出射面13b,因此可於帶通濾光片14精度良好且容易地形成介電多層膜。尤其是,於帶通濾光片14之光透過構件(構成帶通濾光片14之基板)由矽構成之情形時,該光透過構件本身例如作為使具有1200 nm以上之波長之光透過之帶通濾光片發揮功能,故可於帶通濾光片14中使介電多層膜較薄。 又,於光檢測裝置1C中,熱容量因板狀之帶通濾光片14而變大,且封裝體2內之空間之體積變得更小。因此,可謀求封裝體2內之溫度之進一步之均勻化。進而,由於帶通濾光片14與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離以構成板狀之帶通濾光片14之光透過構件之厚度量變小,故更確實地保證入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光已透過帶通濾光片14。 再者,如圖13所示,透鏡部16例如亦可為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光透過構件13之光入射面13a者。根據該光檢測裝置1C,能夠以帶通濾光片14與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離變小之方式,增大光透過構件13之厚度。於該情形時,由於光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,故可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。 又,如圖14(a)所示,透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。於該光檢測裝置1C中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。於帶通濾光片14之介電多層膜形成於帶通濾光片14之光入射面14a側之情形時,由於入射至該介電多層膜之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,於帶通濾光片14之介電多層膜以覆蓋透鏡部16之光出射面之方式形成於帶通濾光片14之光出射面14b側之情形時,光沿著該介電多層膜之厚度方向入射至該介電多層膜,故可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,可以晶圓製程精度良好且容易地製造設置有透鏡部16之帶通濾光片14。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。 又,如圖14(b)所示,透鏡部16例如亦可為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b(與帶通濾光片14之光入射面14a對向之面)者。於該光檢測裝置1C中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。根據該光檢測裝置1C,由於入射至帶通濾光片14之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。再者,於該情形時,由於在帶通濾光片14中形成介電多層膜時不會受透鏡部16之影響,故於精度良好且容易地形成該介電多層膜之方面有利。 又,如圖15(a)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1C中,一透鏡部16係作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1C,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 又,如圖15(b)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1C中,一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光透過構件13之光入射面13a者。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1C,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 再者,於圖15(b)所示之光檢測裝置1C中,一透鏡部16亦可作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。又,於圖15(b)所示之光檢測裝置1C中,另一透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。 [第4實施形態] 如圖16所示,光檢測裝置1D於將帶通濾光片14固定於光透過構件13之光出射面13b之接著構件15之構成方面與上述光檢測裝置1C不同。於光檢測裝置1D中,帶通濾光片14係藉由接著構件15而固定於光透過構件13之光出射面13b。即,接著構件15介隔接合於頂壁6之內表面6a之光透過構件13,而相對於頂壁6之內表面6a固定帶通濾光片14。 帶通濾光片14之形狀為四邊形板狀。更具體而言,帶通濾光片14具有在平行於線L之方向上相互對向之光入射面14a及光出射面14b、以及4個側面14c。四邊形板狀之帶通濾光片14例如為於由矽、玻璃等構成之光透過構件之表面形成有介電多層膜者。 接著構件15例如由光透過性材料(例如光透過性樹脂等)構成。接著構件15具有第1部分15a及第2部分15b。第1部分15a配置於帶通濾光片14之光入射面14a之整個區域。即,第1部分15a配置於接著構件15中相互對向之光透過構件13之光出射面13b與帶通濾光片14之光入射面14a之間。第2部分15b於自平行於線L之方向觀察之情形時,自帶通濾光片14之外緣向外側突出。第2部分15b與側壁5之內表面5a及帶通濾光片14之側面14c接觸。 如圖17所示,平行於線L之方向之第2部分15b之厚度在與各側面14c之中央部分接觸之部分成為最大,在與帶通濾光片14之各角部14d(由相鄰之側面14c形成之角部)接觸之部分成為最小。再者,於圖17中,為便於說明而僅以剖面表示出封裝體2及光透過構件13。 於光檢測裝置1D中,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光透過構件13之距離D1乘以0.3所得之值以上之值(更佳為乘以1.0所得之值以上之值)。又,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光檢測器8之距離D2乘以1.0所得之值以上之值(更佳為乘以1.5所得之值以上之值)。又,光透過構件13之厚度T為頂壁6之厚度之2倍以上之厚度(更佳為頂壁6之厚度之3倍以上之厚度)。又,自頂壁6之光入射側之表面(外側之表面)至帶通濾光片14之光出射面14b的距離較自帶通濾光片14之光出射面14b至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過構件13側之表面的距離大。又,如圖18所示,自平行於線L之方向觀察之情形時,法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣位於較開口2a之外緣更外側。又,自平行於線L之方向觀察之情形時,光透過部100之外緣(於光檢測裝置1D中,為光透過構件13之外緣及帶通濾光片14之外緣)位於較法布里-珀羅干涉濾光片10之外緣更外側。 於如以上般構成之光檢測裝置1D中,以將開口2a封閉之方式設置於封裝體2之光透過部100亦包含帶通濾光片14及透鏡部16而一體地構成,故與上述光檢測裝置1A同樣地,可進行高感度且高精度之檢測。 又,於該光檢測裝置1D中,透鏡部16係作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。藉此,可相對於光透過構件13以較高之位置精度形成透鏡部16。 又,於光檢測裝置1D中,可準備於光透過構件之表面形成有介電多層膜之帶通濾光片14,其後,將帶通濾光片14安裝於光透過構件13之光出射面13b,因此可於帶通濾光片14中精度良好且容易地形成介電多層膜。尤其是,於帶通濾光片14之光透過構件由矽構成之情形時,該光透過構件本身例如作為使具有1200 nm以上之波長之光透過之帶通濾光片發揮功能,故可於帶通濾光片14中使介電多層膜較薄。 又,於光檢測裝置1D中,封裝體2之側壁5之形狀為圓筒狀,相對於此,帶通濾光片14之形狀為四邊形板狀。藉此,和帶通濾光片14之各側面14c與側壁5之內表面5a之距離相比,帶通濾光片14之各角部14d與側壁5之內表面5a之距離變小。因此,相對於封裝體2之頂壁6之內表面6a固定之帶通濾光片14藉由其各角部14d而成為高精度地定位之狀態。又,與封裝體2之頂壁6之內表面6a熱連接之帶通濾光片14之光入射面14a之面積例如與帶通濾光片14之形狀為圓形板狀之情形相比變小,故帶通濾光片14不易受來自封裝體2之熱影響。進而,即便於製造時於接著構件15產生氣泡,該氣泡亦容易自帶通濾光片14之各側面14c與側壁5之內表面5a之間排出,其結果,可抑制接著構件15中之光之散射及繞射等。根據以上內容,根據該光檢測裝置1D,可使帶通濾光片14適當地發揮功能。 例如,於帶通濾光片14之形狀為圓形板狀之情形時,為實現帶通濾光片14之高精度之定位,若以帶通濾光片14之側面14c與側壁5之內表面5a之距離變小之方式將帶通濾光片14大徑化,則產生如下問題。即,與封裝體2之頂壁6之內表面6a熱連接之帶通濾光片14之光入射面14a之面積變大,因此帶通濾光片14容易受來自封裝體2之熱影響(因熱引起之變形等)。又,製造時於接著構件15產生氣泡之情形時,該氣泡不易排出,其結果,有導致接著構件15中之光之散射及繞射等之虞。 再者,若光透過構件13之光出射面13b中與開口2a對向之區域以向開口2a側凹陷之方式彎曲,則可避免帶通濾光片14之光入射面14a中光入射之區域與光透過構件13之光出射面13b物理接觸,從而可抑制於該區域產生損傷。 此處,對具備法布里-珀羅干涉濾光片10之光檢測裝置1D中使帶通濾光片14適當地發揮功能之重要性進行說明。於法布里-珀羅干涉濾光片10中,一般而言,滿足λ=2nd/a(n:折射率,d:第1鏡部35與第2鏡部36之間的距離,a:整數)之波長λ成為透過光透過區域10a之光的峰值波長。即便為相同之距離d,若增大整數a之值(設為高次側),則亦於短波長側出現與其對應之峰值波長。因此,於光檢測裝置1D中,除了法布里-珀羅干涉濾光片10以外,亦需要將特定波長範圍以外之光(尤其是短波長側之光)截止之帶通濾光片14。 例如,於用以針對二次光(a=2)獲得分光光譜之光檢測裝置中,尤其需要將出現於短波長側之3次以上之多次光截止。又,設想對光檢測器8使用InGaAs PIN光電二極體(單元件光電二極體)且對光源使用低價之白色光(鹵素燈等)之情形。因此,必須於光源或光檢測器8之光軸上之任一位置配置帶通濾光片。將具備帶通濾光片之光檢測裝置與不具備帶通濾光片之光檢測裝置進行比較後,確認到於具備帶通濾光片之光檢測裝置中,短波長側之高次光被截止。 根據以上內容,藉由光檢測裝置1D具備帶通濾光片14,而可作為無需法布里-珀羅干涉濾光片10之定製之完成度較高之一般製品來提供光檢測裝置1D。又,由於可使用單元件光電二極體作為光檢測器8,故可削減光檢測裝置1D之製造成本。 接下來,對封裝體2之側壁5之形狀為圓筒狀之優點進行說明。首先,於光檢測裝置1D中,由於封裝體2之側壁5之形狀為圓筒狀,故光檢測裝置1D之耐久性提高。更具體而言,由於封裝體2之側壁5之形狀為圓筒狀,故例如與封裝體2之側壁5之形狀為多角形筒狀之情形相比,封裝體2之形狀穩定性變高。 又,於光檢測裝置1D中,由於封裝體2之側壁5之形狀為圓筒狀,故例如與封裝體2之形狀為多角形筒狀之情形相比,不易產生應力集中。其原因在於,於封裝體2之形狀為多角形筒狀之情形時,有因施加於封裝體2之衝擊產生之應力容易集中於角部之傾向,相對於此,於封裝體2之側壁5之形狀為圓筒狀之情形時,應力不會因衝擊集中於一點而分散。尤其是,收容於封裝體2之法布里-珀羅干涉濾光片10不耐物理衝擊。因此,藉由將封裝體2之側壁5之形狀設為圓筒狀,而可較佳地保護法布里-珀羅干涉濾光片10使之免受外部之物理衝擊。 又,有因光檢測裝置1D製造時(接著構件15之熱硬化、金屬線12之連接、基座3之密封等)之熱歷程、及光檢測裝置1D製造後之溫度變化等而於封裝體2內產生熱應力之情形。熱應力係因構成光檢測裝置1D之構件間之熱線膨脹係數之差而產生。較理想為避免該熱應力集中並蓄積於光檢測裝置1D之內部之特定部位或特定方向。其原因在於,若熱應力集中於特定部位或特定方向,則會導致光檢測裝置1D之特性異常或破損。於光檢測裝置1D中,由於封裝體2之側壁5之形狀為圓筒狀,故產生之熱應力不會集中於一點而分散,其結果,可抑制於光檢測裝置1D產生特性異常或光檢測裝置1D破損。 又,於光檢測裝置1D中,帶通濾光片14係藉由接著構件15而固定於光透過構件13之光出射面13b,接著構件15配置於與光透過構件13之光出射面13b對向之帶通濾光片14之光入射面14a之整個區域。藉此,成為相對於頂壁6之內表面6a確實地固定有帶通濾光片14之狀態。又,即便於製造時於接著構件15中產生氣泡,該氣泡亦容易自帶通濾光片14之各側面14c與側壁5之內表面5a之間排出,故可抑制接著構件15中之光之散射及繞射等。進而,由於設置有以將開口2a封閉之方式配置於頂壁6之內表面6a之光透過構件13,故封裝體2之氣密性提高。又,由於帶通濾光片14固定於光透過構件13之光出射面13b,故更不易受來自封裝體2之熱影響。進而,可抑制因來自開口2a之物理干涉而導致於帶通濾光片14產生劃痕等損傷。 又,於光檢測裝置1D中,帶通濾光片14之各角部14d與側壁5之內表面5a未接觸而相互分離。藉此,可抑制因各角部14d與側壁5之內表面5a之接觸而引起之帶通濾光片14(尤其是各角部14d)之破損。又,帶通濾光片14不易受來自封裝體2之熱影響。進而,帶通濾光片14之各角部14d自封裝體2之R部(由光透過構件13之光出射面13b與側壁5之內表面5a形成之R部)分離,於平坦之光透過構件13之光出射面13b確實地固定帶通濾光片14。 又,於光檢測裝置1D中,接著構件15係於自平行於線L之方向觀察之情形時,自帶通濾光片14之外緣向外側突出,接著構件15中自帶通濾光片14之外緣向外側突出之部分與帶通濾光片14之側面14c接觸。藉此,成為更確實地固定有帶通濾光片14之狀態。 又,於光檢測裝置1D中,平行於線L之方向之接著構件15之第2部分15b之厚度在與各側面14c之中央部分接觸之部分成為最大,在與帶通濾光片14之各角部14d接觸之部分成為最小。藉此,可抑制例如於接著構件15之硬化時於對應於帶通濾光片14之各角部14d之部分於接著構件15產生裂縫。 但,若平行於線L之方向之第2部分15b之厚度例如藉由第2部分15b之表面呈凸曲面,而隨著自各側面14c之中央部分向各角部14d靠近而減少,則該第2部分15b之厚度亦可不於接觸於各角部14d之部分成為最小。若於接觸於各角部14d之部分,該第2部分15b之厚度非為最大,則可抑制於對應於帶通濾光片14之各角部14d之部分於接著構件15產生裂縫。 又,於光檢測裝置1D中,自平行於線L之方向觀察之情形時,開口2a之形狀為圓形狀。藉此,入射至封裝體2內之光之強度分佈均勻化。 又,於光檢測裝置1D中,帶通濾光片14之形狀為四邊形板狀。藉此,可藉由晶圓製程製造帶通濾光片14,因此帶通濾光片14之製造成本變得低價。 又,於光檢測裝置1D中,封裝體2由金屬材料形成。藉此,封裝體2之氣密性例如與由塑膠形成之封裝體2相比提高。其結果,無需用於收容於封裝體2之內部之各構成之濕度對策之處理,從而光檢測裝置1D之製造成本削減。又,封裝體2之強度例如與由塑膠形成之封裝體2相比提高。其結果,保護收容於封裝體2之內部之各構成免受來自外部之物理衝擊。進而,容易實現封裝體2之電屏蔽。再者,若封裝體2由金屬材料形成,則雖然封裝體2之熱導率變高,但如上所述,由於封裝體2之側壁5之形狀為圓筒狀,相對於此,帶通濾光片14之形狀為四邊形板狀,故帶通濾光片14不易受來自封裝體2之熱影響。 又,於光檢測裝置1D中,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光透過構件13之距離D1乘以0.3所得之值以上之值(更佳為乘以1.0所得之值以上之值)。藉此,光透過構件13之熱容量變大,而封裝體2內之空間之體積變小,因此可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,由於光透過構件13相對靠近法布里-珀羅干涉濾光片10,故可抑制未透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光作為雜散光而入射至光檢測器8。 又,於光檢測裝置1D中,光透過構件13之厚度T為法布里-珀羅干涉濾光片10與光檢測器8之距離D2乘以1.0所得之值以上之值(更佳為乘以1.5所得之值以上之值)。藉此,光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,因此可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,光透過構件13之厚度T為頂壁6之厚度之2倍以上之厚度(更佳為頂壁6之厚度之3倍以上之厚度)。又,自頂壁6之光入射側之表面(外側之表面)至帶通濾光片14之光出射面14b的距離較自帶通濾光片14之光出射面14b至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過構件13側之表面的距離大。藉此,光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,因此可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,由於光透過構件13相對靠近法布里-珀羅干涉濾光片10,故可抑制未透過法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光作為雜散光而入射至光檢測器8。 再者,如圖19所示,透鏡部16例如亦可為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光透過構件13之光入射面13a者。根據該光檢測裝置1D,能夠以帶通濾光片14與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離變小之方式,增大光透過構件13之厚度。於該情形時,由於光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,故可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。 又,如圖20(a)所示,透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。於該光檢測裝置1D中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。於帶通濾光片14之介電多層膜形成於帶通濾光片14之光入射面14a側之情形時,由於入射至該介電多層膜之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,帶通濾光片14之介電多層膜以覆蓋透鏡部16之光出射面之方式形成於帶通濾光片14之光出射面14b側之情形時,由於光沿著該介電多層膜之厚度方向入射至該介電多層膜,故可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,可以晶圓製程精度良好且容易地製造設置有透鏡部16之帶通濾光片14。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。 又,如圖20(b)所示,透鏡部16例如亦可為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b(與帶通濾光片14之光入射面14a對向之面)者。於該光檢測裝置1D中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。根據該光檢測裝置1D,由於入射至帶通濾光片14之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。再者,於該情形時,由於在帶通濾光片14中形成介電多層膜時不會受透鏡部16之影響,故於精度良好且容易地形成該介電多層膜之方面有利。 又,如圖21(a)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1D中,一透鏡部16作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1D,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 又,如圖21(b)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1D中,一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光透過構件13之光入射面13a者。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1D,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 再者,於圖21(b)所示之光檢測裝置1D中,一透鏡部16亦可作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。又,於圖21(b)所示之光檢測裝置1D中,另一透鏡部16亦可作為光透過構件14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。 [第5實施形態] 如圖22及圖23所示,光檢測裝置1E與上述光檢測裝置1D之不同之處在於,接著構件15以與帶通濾光片14之各角部(由相鄰之側面14c形成之角部)對應之方式配置。於光檢測裝置1E中,於帶通濾光片14之各角部設置有接著構件15。複數個接著構件15相互分離。於光檢測裝置1E中,與上述光檢測裝置1D同樣地,接著構件15亦介隔接合於頂壁6之內表面6a之光透過構件13而相對於頂壁6之內表面6a固定帶通濾光片14。 接著構件15之第1部分15a配置於帶通濾光片14之光入射面14a中各角區域14e(包含光入射面14a中由相鄰之側面14c形成之角部之區域)。即,各第1部分15a配置於相互對向之光透過構件13之光出射面13b與帶通濾光片14之角區域14e之間。 接著構件15之第2部分15b於帶通濾光片14之各角部,自帶通濾光片14之外緣向外側突出。各第2部分15b與側壁5之內表面5a及帶通濾光片14之側面14c接觸。進而,各第2部分15b覆蓋帶通濾光片14之光出射面14b中與角區域14e對向之區域。藉此,成為更確實地固定有帶通濾光片14之狀態。於帶通濾光片14中,角區域14e之位置最遠離開口2a,故可抑制覆蓋與角區域14e對向之區域之第2部分15b覆蓋光出射面14b中與光透過區域10a對向之區域。 如此,於光檢測裝置1E中,接著構件15未配置於帶通濾光片14之光入射面14a中除各角區域14e以外之區域,而配置於各角區域14e。再者,光透過構件13之光出射面13b有以相較於與開口2a對向之區域而包圍其之區域更凸起之方式彎曲之傾向。因此,可抑制以與帶通濾光片14之各角部對應之方式配置之接著構件15進入至與開口2a對向之區域。又,可避免帶通濾光片14之光入射面14a中光入射之區域與光透過構件13之光出射面13b物理接觸,而可抑制於該區域產生損傷。 於如以上般構成之光檢測裝置1E中,以將開口2a封閉之方式設置於封裝體2之光透過部100亦包含帶通濾光片14及透鏡部16而一體地構成,故與上述光檢測裝置1A同樣地,可進行高感度且高精度之檢測。 又,於該光檢測裝置1E中,透鏡部16係作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。藉此,可相對於光透過構件13以較高之位置精度形成透鏡部16。 又,於光檢測裝置1E中,可準備於光透過構件之表面形成有介電多層膜之帶通濾光片14,其後,將帶通濾光片14安裝於光透過構件13之光出射面13b,因此可於帶通濾光片14中精度良好且容易地形成介電多層膜。尤其是,於帶通濾光片14之光透過構件由矽構成之情形時,該光透過構件本身例如作為使具有1200 nm以上之波長之光透過之帶通濾光片發揮功能,故可於帶通濾光片14中使介電多層膜較薄。 又,根據光檢測裝置1E,與上述光檢測裝置1D同樣地,可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,於光檢測裝置1E中,與上述光檢測裝置1D同樣地,光檢測特性變高。 又,於光檢測裝置1E中,接著構件15未配置於與光透過構件13之光出射面13b對向之帶通濾光片14之光入射面14a中除角區域14e以外之區域,而配置於角區域14e。藉此,更確實地抑制接著構件15中之光之散射及繞射等。接著構件15之使用量削減,封裝體2內之釋氣之產生量變少。其結果,不易引起法布里-珀羅干涉濾光片10及光檢測器8之特性之變化及劣化等。 再者,如圖24所示,透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光透過構件13之光入射面13a者。根據該光檢測裝置1E,能夠以帶通濾光片14與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離變小之方式,增大光透過構件13之厚度。於該情形時,由於光透過構件13之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,故可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。 又,如圖25(a)所示,透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。於該光檢測裝置1E中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。於帶通濾光片14之介電多層膜形成於帶通濾光片14之光入射面14a側之情形時,由於入射至該介電多層膜之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,於帶通濾光片14之介電多層膜以覆蓋透鏡部16之光出射面之方式形成於帶通濾光片14之光出射面14b側之情形時,光沿著該介電多層膜之厚度方向入射至該介電多層膜,故可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,可以晶圓製程精度良好且容易地製造設置有透鏡部16之帶通濾光片14。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。 又,如圖25(b)所示,透鏡部16例如亦可為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b(與帶通濾光片14之光入射面14a對向之面)者。於該光檢測裝置1E中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與光透過構件13為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。根據該光檢測裝置1E,由於入射至帶通濾光片14之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。再者,於該情形時,由於在帶通濾光片14中形成介電多層膜時不會受透鏡部16之影響,故於精度良好且容易地形成該介電多層膜之方面有利。 又,如圖26(a)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1E中,一透鏡部16作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1E,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 又,如圖26(b)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1E中,一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光透過構件13之光入射面13a者。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1E,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 再者,於圖26(b)所示之光檢測裝置1E中,一透鏡部16亦可作為光透過構件13之一部分而形成於光透過構件13之光入射面13a側。又,於圖26(b)所示之光檢測裝置1E中,另一透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。 [第6實施形態] 如圖27及圖28所示,光檢測裝置1F與上述光檢測裝置1D之不同之處在於光透過部100不包含光透過構件13。於光檢測裝置1F中,帶通濾光片14係藉由接著構件15而直接固定於頂壁6之內表面6a。即,於光檢測裝置1F中,接著構件15不介隔其他構件(接合於頂壁6之內表面6a之光透過構件13等),而相對於頂壁6之內表面6a固定帶通濾光片14。 接著構件15之第1部分15a配置於與頂壁6之內表面6a對向之帶通濾光片14之光入射面14a中除面對開口2a之區域14f以外之區域。即,第1部分15a配置於相互對向之頂壁6之內表面6a與該區域(即,帶通濾光片14之光入射面14a中除區域14f以外之區域)之間。 接著構件15之第2部分15b係於自平行於線L之方向觀察之情形時,自帶通濾光片14之外緣向外側突出。第2部分15b與側壁5之內表面5a及帶通濾光片14之側面14c接觸。 透鏡部16設置於帶通濾光片14之光入射面14a。透鏡部16以其中心線與線L一致之方式,配置於光入射面14a中面對開口2a之區域14f。透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光入射面14a者。 於如以上般構成之光檢測裝置1F中,以將開口2a封閉之方式設置於封裝體2之光透過部100亦包含帶通濾光片14及透鏡部16而一體地構成,故與上述光檢測裝置1A同樣地,可進行高感度且高精度之檢測。 又,於光檢測裝置1F中,透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光入射面14a者。於該情形時,由於在帶通濾光片14中形成介電多層膜時不會受透鏡部16之影響,故於精度良好且容易地形成該介電多層膜之方面有利。 又,於光檢測裝置1F中,可於將透鏡部16設置於帶通濾光片14之光入射面14a後,以於開口2a內配置透鏡部16之方式將光透過部100安裝於頂壁6之內表面6a,因此光透過部100之位置精度提高。 又,根據光檢測裝置1F,與上述光檢測裝置1D同樣地,可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,於光檢測裝置1F中,與上述光檢測裝置1D同樣地,光檢測特性變高。 又,於光檢測裝置1F中,接著構件15配置於與頂壁6之內表面6a對向之帶通濾光片14之光入射面14a中除面對開口2a之區域14f以外之區域。藉此,成為相對於頂壁6之內表面6a確實地固定有帶通濾光片14之狀態。又,即便於製造時於接著構件15產生氣泡,該氣泡亦容易自帶通濾光片14之各側面14c與側壁5之內表面5a之間排出,不僅如此,亦容易自開口2a排出,故可抑制接著構件15中之光之散射及繞射等。 再者,如圖29所示,透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光入射面14a側。根據該光檢測裝置1F,能夠以帶通濾光片14與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離變小之方式,增大帶通濾光片14之厚度。於該情形時,由於帶通濾光片14之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,故可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,可相對於帶通濾光片14以較高之位置精度形成透鏡部16。 又,如圖30(a)所示,透鏡部16例如亦可為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b(與帶通濾光片14之光入射面14a對向之面)者。於該光檢測裝置1F中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與帶通濾光片14為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。根據該光檢測裝置1F,由於入射至帶通濾光片14之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。再者,於該情形時,由於在帶通濾光片14中形成介電多層膜時不會受透鏡部16之影響,故於精度良好且容易地形成該介電多層膜之方面有利。 又,如圖30(b)所示,透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。於該光檢測裝置1F中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與帶通濾光片14為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。於帶通濾光片14之介電多層膜形成於帶通濾光片14之光入射面14a側之情形時,由於入射至該介電多層膜之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,於帶通濾光片14之介電多層膜以覆蓋透鏡部16之光出射面之方式形成於帶通濾光片14之光出射面14b側之情形時,光沿著該介電多層膜之厚度方向入射至該介電多層膜,故可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,可相對於帶通濾光片14以較高之位置精度形成透鏡部16。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。 又,如圖31(a)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1F中,一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光入射面14a者。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1F,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 又,如圖31(b)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1F中,一透鏡部16作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光入射面14a側。另一透鏡部16作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。根據該光檢測裝置1F,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 再者,於圖31(a)所示之光檢測裝置1F中,一透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光入射面14a側。又,於圖31(a)所示之光檢測裝置1F中,另一透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。 [第7實施形態] 如圖32及圖33所示,光檢測裝置1G與上述光檢測裝置1E之不同之處在於光透過部100不包含光透過構件13。於光檢測裝置1G中,帶通濾光片14係藉由接著構件15而直接固定於頂壁6之內表面6a。即,於光檢測裝置1G中,接著構件15不介隔其他構件(接合於頂壁6之內表面6a之光透過構件13等),而相對於頂壁6之內表面6a固定帶通濾光片14。 接著構件15之第1部分15a配置於帶通濾光片14之光入射面14a中各角區域14e。即,第1部分15a配置於相互對向之頂壁6之內表面6a與帶通濾光片14之各角區域14e之間。 接著構件15之第2部分15b於帶通濾光片14之各角部,自帶通濾光片14之外緣向外側突出。各第2部分15b與側壁5之內表面5a及帶通濾光片14之側面14c接觸。進而,各第2部分15b覆蓋帶通濾光片14之光出射面14b中與角區域14e對向之區域。 透鏡部16設置於帶通濾光片14之光入射面14a。透鏡部16以其中心線與線L一致之方式,配置於光入射面14a中面對開口2a之區域14f。透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於光入射面14a者。 於如以上般構成之光檢測裝置1G中,以將開口2a封閉之方式設置於封裝體2之光透過部100亦包含帶通濾光片14及透鏡部16而一體地構成,故與上述光檢測裝置1A同樣地,可進行高感度且高精度之檢測。 又,於光檢測裝置1G中,透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光入射面14a者。於該情形時,由於在帶通濾光片14中形成介電多層膜時不會受透鏡部16之影響,故於精度良好且容易地形成該介電多層膜之方面有利。 又,於光檢測裝置1G中,可於將透鏡部16設置於帶通濾光片14之光入射面14a後,以於開口2a內配置透鏡部16之方式,將光透過部100安裝於頂壁6之內表面6a,因此光透過部100之位置精度提高。 又,根據光檢測裝置1G,與上述光檢測裝置1D同樣地,可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,於光檢測裝置1G中,與上述光檢測裝置1D同樣地,光檢測特性變高。 又,於光檢測裝置1G中,接著構件15未配置於與頂壁6之內表面6a對向之帶通濾光片14之光入射面14a中除角區域14e以外之區域,而配置於角區域14e。藉此,更確實地抑制接著構件15中之光之散射及繞射等。 再者,如圖34所示,透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光入射面14a側。根據該光檢測裝置1G,能夠以帶通濾光片14與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離變小之方式,增大帶通濾光片14之厚度。於該情形時,由於帶通濾光片14之熱容量變大,另一方面,封裝體2內之空間之體積變小,故可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。又,可相對於帶通濾光片14以較高之位置精度形成透鏡部16。 又,如圖35(a)所示,透鏡部16例如亦可為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b(與帶通濾光片14之光入射面14a對向之面)者。於該光檢測裝置1G中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與帶通濾光片14為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。根據該光檢測裝置1G,由於入射至帶通濾光片14之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。再者,於該情形時,由於在帶通濾光片14中形成介電多層膜時不會受透鏡部16之影響,故於精度良好且容易地形成該介電多層膜之方面有利。 又,如圖35(b)所示,透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。於該光檢測裝置1G中,透鏡部16構成為具有向光出射側(與帶通濾光片14為相反側)凸出之光出射面之凸透鏡。於帶通濾光片14之介電多層膜形成於帶通濾光片14之光入射面14a側之情形時,由於入射至該介電多層膜之光之入射角不受透鏡部16之影響,故可使帶通濾光片14更適當地發揮功能。又,於帶通濾光片14之介電多層膜以覆蓋透鏡部16之光出射面之方式形成於帶通濾光片14之光出射面14b側之情形時,光沿著該介電多層膜之厚度方向入射至該介電多層膜,故可使帶通濾光片14適當地發揮功能。又,可相對於帶通濾光片14以較高之位置精度形成透鏡部16。又,可防止因來自外部之物理干涉而導致於透鏡部16產生劃痕等損傷。 又,如圖36(a)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1G中,一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光入射面14a者。另一透鏡部16例如為藉由貼附、樹脂灌注等而設置於帶通濾光片14之光出射面14b者。根據該光檢測裝置1G,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 又,如圖36(b)所示,透鏡部16亦可設置一對。於該光檢測裝置1G中,一透鏡部16作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光入射面14a側。另一透鏡部16作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。根據該光檢測裝置1G,可抑制各透鏡部16之高度,並且亦可更確實地將入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光聚光,從而使入射至封裝體2內之光中入射至法布里-珀羅干涉濾光片10之光透過區域10a之光的比率進一步增加。 再者,於圖36(a)所示之光檢測裝置1G中,一透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光入射面14a側。又,於圖36(a)所示之光檢測裝置1G中,另一透鏡部16亦可作為帶通濾光片14之一部分而形成於帶通濾光片14之光出射面14b側。 [變化例] 以上,對本發明之第1~第7實施形態進行了說明,但本發明並不限定於上述各實施形態。各構成之材料及形狀不限於上述材料及形狀,可採用各種材料及形狀。例如,於上述所有例中,透鏡部16亦可構成為菲涅耳透鏡。尤其是,將透鏡部16設置於光透過部100之光出射側(法布里-珀羅干涉濾光片10側)之情形時,藉由將該透鏡部16構成為菲涅耳透鏡,而可縮小光透過部100與法布里-珀羅干涉濾光片10之距離。藉此,封裝體2內之空間之體積變小,故可謀求封裝體2內之溫度之更均勻化。 又,帶通濾光片14可設置於光透過構件13之光入射面13a,亦可設置於光透過構件13之光入射面13a及光出射面13b之兩者。又,於藉由將介電多層膜形成於基板(與光透過構件13不同之光透過構件)之表面而構成帶通濾光片14之情形(例如光檢測裝置1C、1E、1D之情形)時,介電多層膜可形成於基板之光入射面或光出射面之任一者,亦可形成於基板之光入射面及光出射面之兩者。於藉由將介電多層膜形成於基板之光入射面及光出射面之兩者而構成之帶通濾光片14中,將一介電多層膜構成為長通濾光片,將另一介電多層膜構成為短通濾光片,藉此可使期望之波長頻帶之光透過。 又,於法布里-珀羅干涉濾光片10中,第2層構造體40只要以與第1層構造體30對應之方式構成,則亦可不具有以基板21為基準與第1層構造體30對稱之積層構造。與未設置第2層構造體40之情形相比,若第2層構造體40具有可抑制基板21之翹曲等之層構造,則可認為該第2層構造體40以與第1層構造體30對應之方式構成。又,法布里-珀羅干涉濾光片10亦可不具備第2層構造體40。 又,於光檢測裝置1D~1G中,接著構件15亦可不自帶通濾光片14之外緣向外側突出。又,於光檢測裝置1D~1G中,接著構件15中自帶通濾光片14之外緣向外側突出之第2部分15b亦可不到達至側壁5之內表面5a,而自側壁5之內表面5a分離。例如,於接著構件15之材料為光透過性樹脂之情形時,就提高帶通濾光片14相對於頂壁6之內表面6a之固定強度之觀點而言,第2部分15b較佳為到達至側壁5之內表面5a。但,例如,於接著構件15之材料例如為硬度較大之樹脂之情形時,就防止因自側壁5對接著構件15作用應力而導致於接著構件15產生裂縫之觀點而言,第2部分15b較佳為不到達至側壁5之內表面5a。 又,於光檢測裝置1D、1F中,平行於線L之方向之第2部分15b之厚度亦可根據接著構件15之黏度,而於接觸於側壁5之內表面5a之部分成為最大。藉此,可抑制例如於接著構件15之硬化時,於與帶通濾光片14之各角部14d對應之部分於接著構件15產生裂縫。又,防止接著構件15迴繞至帶通濾光片14之光出射面14b上。 又,於光檢測裝置1E~1F中,由於在線L上與開口2a對向之區域未配置接著構件15,故接著構件15之材料亦可為不使光透過之材料。 又,於光檢測裝置1D~1G中,帶通濾光片14之形狀不限定於四邊形板狀,亦可為多邊形板狀。於該情形時,帶通濾光片14亦藉由各角部而成為高精度地定位之狀態,又,帶通濾光片14不易受來自封裝體2之熱影響。由此,於帶通濾光片14之形狀為多邊形板狀之情形時,亦可使帶通濾光片14適當地發揮功能。 又,根據用作光檢測器8之受光元件之種類,而有如下情形,即,帶通濾光片14不僅需要將出現於短波長側之3次光之後的多次光截止,亦需要將出現於長波長(例如a=1)側之光截止。即,於用以針對A次光(a=A)獲得分光光譜之光檢測裝置中,有需要將出現於短波長側之高次光(a>A)、及出現於長波長側之低次光(a<A)之兩者截止之情形。 又,封裝體2並不限定於如上所述之罐形封裝體,只要為如下者即可。即,封裝體2只要為具有如下各部者即可:第1壁部,其形成有開口2a;第2壁部,其隔著法布里-珀羅干涉濾光片10、帶通濾光片14及光檢測器8與第1壁部對向;及側壁部,其包圍法布里-珀羅干涉濾光片10、帶通濾光片14及光檢測器8。
1A‧‧‧光檢測裝置1B‧‧‧光檢測裝置1C‧‧‧光檢測裝置1D‧‧‧光檢測裝置1E‧‧‧光檢測裝置1F‧‧‧光檢測裝置1G‧‧‧光檢測裝置2‧‧‧封裝體2a‧‧‧開口3‧‧‧基座3a‧‧‧內表面4‧‧‧封蓋5‧‧‧側壁5a‧‧‧內表面6‧‧‧頂壁6a‧‧‧內表面7‧‧‧配線基板8‧‧‧光檢測器9‧‧‧間隔件10‧‧‧法布里-珀羅干涉濾光片10a‧‧‧光透過區域11‧‧‧引線接腳12‧‧‧金屬線13‧‧‧光透過構件13a‧‧‧光入射面13b‧‧‧光出射面13c‧‧‧側面14‧‧‧帶通濾光片14a‧‧‧光入射面14b‧‧‧光出射面14c‧‧‧側面14d‧‧‧角部14e‧‧‧角區域14f‧‧‧區域15‧‧‧接著構件15a‧‧‧第1部分15b‧‧‧第2部分16‧‧‧透鏡部21‧‧‧基板21a‧‧‧第1表面21b‧‧‧第2表面22‧‧‧第1電極22a‧‧‧配線23‧‧‧第2電極23a‧‧‧配線24‧‧‧第3電極24a‧‧‧配線25‧‧‧第1端子26‧‧‧第2端子27‧‧‧溝槽28‧‧‧溝槽29‧‧‧溝槽30‧‧‧第1層構造體31‧‧‧第1抗反射層32‧‧‧第1積層體32a‧‧‧表面33‧‧‧第1中間層34‧‧‧第2積層體34a‧‧‧表面34b‧‧‧貫通孔35‧‧‧第1鏡部36‧‧‧第2鏡部40‧‧‧第2層構造體40a‧‧‧開口41‧‧‧第2抗反射層42‧‧‧第3積層體43‧‧‧第2中間層44‧‧‧第4積層體45‧‧‧遮光層46‧‧‧保護層100‧‧‧光透過部D1‧‧‧距離D2‧‧‧距離L‧‧‧線S‧‧‧空隙T‧‧‧厚度
圖1係第1實施形態之光檢測裝置之剖視圖。 圖2係圖1所示之光檢測裝置之俯視圖。 圖3係圖1所示之法布里-珀羅干涉濾光片之立體圖。 圖4係沿圖3所示之IV-IV線之剖視圖。 圖5係圖1所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖6(a)、(b)係圖1所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖7(a)、(b)係圖1所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖8係第2實施形態之光檢測裝置之剖視圖。 圖9係圖8所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖10(a)、(b)係圖8所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖11(a)、(b)係圖8所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖12係第3實施形態之光檢測裝置之剖視圖。 圖13係圖12所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖14(a)、(b)係圖12所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖15(a)、(b)係圖12所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖16係第4實施形態之光檢測裝置之剖視圖。 圖17係圖16所示之光檢測裝置之一部分之剖視圖。 圖18係圖16所示之光檢測裝置之俯視圖。 圖19係圖16所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖20(a)、(b)係圖16所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖21(a)、(b)係圖16所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖22係第5實施形態之光檢測裝置之剖視圖。 圖23係圖22所示之光檢測裝置之俯視圖。 圖24係圖22所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖25(a)、(b)係圖22所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖26(a)、(b)係圖22所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖27係第6實施形態之光檢測裝置之剖視圖。 圖28係圖27所示之光檢測裝置之俯視圖。 圖29係圖27所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖30(a)、(b)係圖27所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖31(a)、(b)係圖27所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖32係第7實施形態之光檢測裝置之剖視圖。 圖33係圖32所示之光檢測裝置之俯視圖。 圖34係圖32所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖35(a)、(b)係圖32所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。 圖36(a)、(b)係圖32所示之光檢測裝置之變化例之剖視圖。
1A‧‧‧光檢測裝置
2‧‧‧封裝體
2a‧‧‧開口
3‧‧‧基座
3a‧‧‧內表面
4‧‧‧封蓋
5‧‧‧側壁
5a‧‧‧內表面
6‧‧‧頂壁
6a‧‧‧內表面
7‧‧‧配線基板
8‧‧‧光檢測器
9‧‧‧間隔件
10‧‧‧法布里-珀羅干涉濾光片
10a‧‧‧光透過區域
11‧‧‧引線接腳
12‧‧‧金屬線
13‧‧‧光透過構件
13a‧‧‧光入射面
13b‧‧‧光出射面
13c‧‧‧側面
14‧‧‧帶通濾光片
16‧‧‧透鏡部
100‧‧‧光透過部
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
L‧‧‧線
T‧‧‧厚度
Claims (7)
- 一種光檢測裝置,其具備: 封裝體,其形成有使光入射之開口; 光透過部,其以將上述開口封閉之方式配置於上述封裝體之內表面; 法布里-珀羅干涉濾光片,其配置於上述封裝體內,具有相互之距離為可變之第1鏡部及第2鏡部,使已透過上述光透過部之上述光透過;及 光檢測器,其配置於上述封裝體內,檢測已透過上述法布里-珀羅干涉濾光片之上述光;且 上述光透過部係包含以下而一體地構成: 帶通濾光片,其配置於上述封裝體內,使入射至上述法布里-珀羅干涉濾光片之上述光透過;及 透鏡部,其將入射至上述法布里-珀羅干涉濾光片之上述光聚光。
- 如請求項1之光檢測裝置,其中自上述光之入射方向觀察之情形時,上述法布里-珀羅干涉濾光片之外緣位於較上述開口之外緣更外側,上述光透過部之外緣位於較上述法布里-珀羅干涉濾光片之上述外緣更外側。
- 如請求項1或2之光檢測裝置,其中上述光透過部係包含光透過構件而與上述帶通濾光片及上述透鏡部一體地形成, 上述帶通濾光片設置於上述光透過構件之光出射面,且 上述透鏡部作為上述光透過構件之一部分而形成於上述光透過構件之光入射面側。
- 如請求項1或2之光檢測裝置,其中上述光透過部係包含光透過構件而與上述帶通濾光片及上述透鏡部一體地形成, 上述帶通濾光片設置於上述光透過構件之光出射面,且 上述透鏡部設置於上述帶通濾光片之光出射面。
- 如請求項1或2之光檢測裝置,其中上述光透過部係包含光透過構件而與上述帶通濾光片及上述透鏡部一體地形成, 上述帶通濾光片設置於上述光透過構件之光出射面, 上述透鏡部設置有一對, 上述一對透鏡部中之一者作為上述光透過構件之一部分而形成於上述光透過構件之光入射面側,且 上述一對透鏡部中之另一者設置於上述帶通濾光片之光出射面。
- 如請求項3至5中任一項之光檢測裝置,其中自上述光之入射方向觀察之情形時,上述光透過構件之外緣位於較上述法布里-珀羅干涉濾光片之上述外緣更外側。
- 如請求項6之光檢測裝置,其中自上述光之入射方向觀察之情形時,上述帶通濾光片之外緣位於較上述法布里-珀羅干涉濾光片之上述外緣更外側。
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| CN120359463A (zh) * | 2022-12-15 | 2025-07-22 | 浜松光子学株式会社 | 高光谱相机用透镜单元以及高光谱相机 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008128912A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出装置およびその製造方法 |
| WO2015064758A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0829542A (ja) * | 1993-09-21 | 1996-02-02 | Omron Corp | 光学装置及び受光方法 |
| US5550373A (en) * | 1994-12-30 | 1996-08-27 | Honeywell Inc. | Fabry-Perot micro filter-detector |
| US7002697B2 (en) * | 2001-08-02 | 2006-02-21 | Aegis Semiconductor, Inc. | Tunable optical instruments |
| US6985281B2 (en) * | 2001-11-28 | 2006-01-10 | Aegis Semiconductor, Inc. | Package for optical components |
| US20050258518A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-24 | Advanced Semiconductor Engineering Inc. | Image sensor package module with a leadless leadframe between chips |
| US20060016973A1 (en) * | 2004-07-21 | 2006-01-26 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Multi-chip image sensor package module |
| JP4270265B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2009-05-27 | パナソニック電工株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
| US8039816B2 (en) * | 2006-11-24 | 2011-10-18 | Olympus Corporation | Fluorescence observation apparatus |
| KR100862486B1 (ko) * | 2007-05-31 | 2008-10-08 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 패키지 |
| JP2011117884A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Hioki Ee Corp | 分光測定器 |
| EP2643667A1 (en) | 2010-11-25 | 2013-10-02 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Radiation sensor |
| GB201020024D0 (en) * | 2010-11-25 | 2011-01-12 | St Microelectronics Ltd | Radiation sensor |
| JP6251956B2 (ja) * | 2013-01-22 | 2017-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光学素子収納用パッケージ、光学フィルターデバイス、光学モジュール、および電子機器 |
| JP6390117B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2018-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 光学モジュール、及び電子機器 |
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| JP7039160B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2022-03-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
| JP6871043B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-05-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2008128912A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出装置およびその製造方法 |
| WO2015064758A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
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