TWI767535B - 用於在次級同步整流器中產生控制訊號和充電直流電源的方法與裝置 - Google Patents
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- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 title claims abstract description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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- H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
- H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
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- H02M3/335—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
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- H02M3/33592—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer having a synchronous rectifier circuit or a synchronous freewheeling circuit at the secondary side of an isolation transformer
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/02—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/21—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/217—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
- H02M1/0006—Arrangements for supplying an adequate voltage to the control circuit of converters
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
一個多功能開關有一個接面場效應電晶體（JFET），它輸出一個電壓用於充電和定時/感測同步整流控制器。電流從JFET提供給同步整流控制器，JFET的汲極導電耦合到次級側整流MOSFET的汲極，其中來自JFET源極的電流用於同步整流控制器的定時/感測和供電。該JFET是偏置的固定輸出，其源極到閘極電壓在JFET的開啟閾值電壓下充電。JFET從變壓器的次級側完全導電，通過次級側整流MOSFET的汲極到源極的微小電壓降進行定時/感測。在次級側整流MOSFET的汲極至源極的低電壓下，輸入電壓被施加到同步整流控制器的定時和充電輸入端，或者在穿過次級側的汲極至源極整流MOSFET的高電壓下，輸入電壓通過第一OR-ing MOSFET，被加到充電輸入端。
Description
本發明的各個方面主要涉及同步整流器，更確切地說，本發明涉及功率MOSFET中次級側同步整流器的定時和功率。
在功率轉換器中，通過變壓器次級繞組的反向電流是一個問題。為了防止這種情況發生，許多功率轉換器使用一個二極體來抵消反向電流。使用二極體來防止反向電流的一個問題是二極體有固定的電壓降，這是不可取的。因此，許多功率轉換器設計使用次級側MOSFET和同步整流器來代替二極體。MOSFET在傳導過程中充當電阻，而不是固定的電壓降，這使得它成為功率轉換器的更好選擇。同步整流器控制MOSFET在可能出現反向電流時“斷開”MOSFET。
電力轉換器中同步整流器的一個問題是它們需要一個相容的電源和一個定時訊號。對於定時訊號，當前的配置是複雜和價格昂貴的。一種電流解決方案是在初級側控制器處產生定時訊號，然後通過光隔離器、變壓器或Y類電容器將初級側的訊號耦合到次級側。其他電流解決方案在次級側產生定時訊號，但是，由於次級側的電壓可以高達250伏，所以定時電路要求非常堅固，這是相當昂貴的。同樣，對於同步整流器的供電來說，只有昂貴的解決方案可用。此外，同步整流器在沒有足夠驅動電壓的情況下無法工作；使用轉換器輸出作為電源通常是不可行的，因為它可能低於5伏。有些設計在變壓器上使用輔助繞組為同步整流器提供直流電源，但由於需要更大更複雜的變壓器，因此增加了成本和體積。其他設計使用二次交流電源為同步整流器充電，但此解決方案還要求同步整流器足夠堅固，能夠承受高壓。
正是在這一前提下，提出了本發明的各種實施例。
本發明公開了一種用於在次級同步整流器中產生控制訊號和充電直流電源裝置，包括：
一個同步整流控制器；
一個多功能開關，導電耦合到同步整流控制器上，其中多功能開關包括一個接面場效應電晶體（JFET），其源極耦合到同步整流控制器的充電輸入端和定時/控制輸入端。
其中，還包括一個次級側整流金屬氧化物場效應電晶體（MOSFET），耦合到同步整流控制器上，其中次級側整流MOSFET的閘極電極導電耦合到同步整流控制器上。
其中，還包括一個功率變壓器，其中多功能開關導電耦合到功率變壓器的次級側或次級側整流MOSFET的汲極電極上。
其中，還包括一個初級側MOSFET，其中功率變壓器的初級側導電耦合到初級側MOSFET上，並且其中初級側MOSFET和變壓器的初級側進行了配置，使得流經初級側MOSFET和功率變壓器的初級側的電流，當初級側MOSFET“斷開”時，電流流經功率變壓器的次級側。
其中，還包括一個導電耦合到JFET上的電阻器，其中JFET是一個N-通道JFET，並且其中N-通道JFET的閘極電極和電阻器的一個端子都導電耦合到同一個接地平面上，或者共同短接，與功率轉換器的接地端分開。
其中，還包括一個第一OR-ing MOSFET，導電耦合到JFET上以及同步整流控制器的充電輸入端上，其中第一OR-ing MOSFET被配置成當來自變壓器次級繞組或轉換器輸出的高壓側線路的電壓不足以對同步整流器控制器充電時“導通”。
其中，還包括一個第二OR-ing MOSFET導電耦合到同步整流控制器的充電輸入端以及變壓器的次級側的高壓側線路或功率轉換器的輸出端上，其中當來自功率變壓器次級繞組的高壓側線路或功率轉換器輸出端的電壓，不足以為同步整流控制器充電時，第二OR-ing MOSFET被配置為“導通”，第一OR-ing MOSFET被配置為“斷開”。
其中，還包括一個二極體，導電耦合到多功能開關和同步整流控制器的充電輸入端上。
其中，其中JFET導電耦合到次級側整流MOSFET的汲極電極上，其中配置JFET，當來自變壓器的次級側的電壓超過電壓極限時，配置JFET可以承載超出電壓極限以上的多餘電壓，並且如果第一OR-ing MOSFET接通的話，JFET將傳導電流。
其中，從耦合到JFET的變壓器的次級側的電壓變化和JFET的電壓輸出的變化之間存在小於1秒的延遲。
其中，電壓極限是同步整流控制器的電壓公差，或者電壓極限處於或低於100伏。
本發明還公開了一種提供次級側控制訊號和功率轉換器中的充電輸入的方法，包括：
從JFET向同步整流控制器提供電流，JFET具有導電耦合到次級側整流MOSFET的汲極，其中JFET的源極耦合到同步整流控制器的定時/感測輸入和充電輸入；
使JFET的源極到閘極電壓在JFET的導通閾值處偏置，用於充電的固定輸出，其中JFET在低電壓下通過次級側整流MOSFET的汲極至源極進行定時/感測；以及
通過JFET在次級側整流MOSFET的漏源電極上以低電壓向同步整流控制器施加輸入電壓，或者通過JFET在充電輸入端向第一MOSFET施加輸入電壓，或者在高壓下通過次級側向第一個OR-ing MOSFET施加輸入電壓整流MOSFET。
其中，同步整流控制器為整流MOSFET提供一個控制訊號，其中配置控制訊號，防止反向電流在充電工作週期內流經功率變壓器的次級側。
其中，JFET導電耦合到功率變壓器的次級側的低壓側線路，或次級整流MOSFET的汲極電極上。
其中，通過第一OR-ing MOSFET為同步整流器控制器供電的電流，並且當第二OR-ing MOSFET處的電壓處於或低於較高的電壓公差，並且處於或高於同步整流控制器的最小工作電壓時，第一OR-ing MOSFET被斷開。
其中，還包括當從功率變壓器的次級側接收到電壓等於或低於上電壓公差，且等於或高於同步整流控制器的最小工作電壓的電壓時，接通第二OR-ing MOSFET，並當第二個MOSFET處於“導通”狀態時，通過第二MOSFET向同步整流控制器和電容器提供電流。
其中，從變壓器的次級側的高壓側線路或轉換器的輸出端，接收第二OR-ing MOSFET處的電壓，並且其中第二OR-ing MOSFET導電耦合到變壓器的次級側的高壓側線路或轉換器的輸出端上。
其中，還包括從變壓器的次級側的低壓側線路接收JFET處的電流，並且其中JFET導電耦合到變壓器的次級側的低壓側線路上 。
其中，還包括從次級側整流MOSFET的汲極電極接收JFET處的電流，並且其中JFET導電耦合到次級側整流MOSFET的汲極電極上。
其中，JFET是一個N-通道JFET。
雖然為了解釋說明，以下詳細說明中含有許多典型細節，但是本領域的技術人員應理解依據以下細節做出的修改和變化都屬於本發明的範圍內。因此，以下說明的典型實施例，並不會對所要求保護的發明造成任何一般性損失，並且不對所要求保護的發明施加任何限制。
根據本發明的各個方面，用於功率轉換器的同步整流器可以通過增加一個改良型控制訊號和充電部分得到改進。如第1圖所示，改良型充電和控制訊號同步整流器裝置101包括至少一個多功能開關102和一個同步整流器控制器103。
在第1圖所示的實施例中，多功能開關通過導電耦合從匝數比為N:1的功率變壓器次級側的低壓側線路104接收電流。導電耦合可以是允許電流從一個元件流向另一個元件的任何連接。電流可以直接在兩個元件之間流動，也可以通過電流流過的其他中間元件。僅作為示例，但不作為局限，導電耦合可以是金屬跡線、導線、導電碳跡線、電阻器、火花隙或任何其他導電元件。多功能開關102向同步整流器控制器103提供定時/感測訊號和充電訊號。同步整流器控制器由充電訊號供電，並使用定時/感測訊號控制次級側整流MOSFET Q2。為了控制次級側整流MOSFET Q2，同步整流控制器103導電地耦合到MOSFET Q2的閘極電極。
在如上所述的操作過程中，主驅動器接通初級側開關MOSFET Q1，它允許電流從交流電壓源流過交流/直流整流器，在那裡它被轉換成直流電壓。電流通過初級側變壓器N:1流經MOSFET Q1到接地端106。流過變壓器N:1初級繞組的電流在變壓器中形成磁場，當MOSFET Q1“斷開”時，電流流過變壓器N:1的次級繞組。當Q1處於“導通”狀態時，通過變壓器次級繞組的電流被次級側整流MOSFET Q2阻斷，由於MOSFET Q2的斷開，導致低壓側線電壓激增到高電平。多功能開關101的作用是，確保來自次級側的低壓側線路104的電壓不會升高到同步整流器控制器103的電壓公差上限以上。多功能開關101還檢測低壓側線路104的電壓上升和下降，從而為同步整流器控制器103提供精確的定時訊號。作為示例，多功能開關102可以包括JFET（N通道），其源極耦合到同步整流器控制器103的充電輸入和定時/感測輸入。
第2圖更詳細地表示依據本發明的各個方面，多功能開關102的可能實現的簡化示意圖。在所示的示例中，多功能開關102包括接面場效應電晶體（JFET）Q3和電阻器R1。JFET Q3的閘極電極導電地耦合到接地平面202，類似地，電阻器R1的端子之一導電地耦合到接地平面。根據本發明的各個方面，多功能開關102或設備具有其自己的獨立接地平面。還可選擇，包括多功能開關102和同步整流器控制器103的裝置可以具有其自己的獨立接地平面。因此，電阻器R1與JFET Q3串聯。在工作過程中，JFET充當電壓限制器，它允許JFET源極的電壓上升到JFET Q3的閘極開啟閾值電壓Vth
。當電阻器R1上的電壓也增加時，JFET Q3的源極到閘極電極的電壓升高到接近於導通閘極閾值電壓並保持在閾值電壓，以使JFET汲極至源極攜帶來自Q2汲極端的附加電壓（如果大於閘極閾值電壓）。因此，根據本發明的各個方面，選擇JFET Q3的Vth
和電阻器R1的電阻，使得當JFET的汲極電壓高於同步整流器控制器的上限電壓公差時，JFET接通，從而承載高電壓。此外，可以選擇JFET對電壓的變化有快速的回應，因此當JFET的汲極電壓快速上升或下降時，允許同步整流控制器的精確定時。另外，當MOSFET Q1斷開，JFET的汲極電壓下降到一個低位元後，JFET Q3開始完全導通。MOSFET Q2的微小電壓降可以作為同步整流器控制器的控制訊號。因此，MOSFET Q2的汲極電壓可以通過JFET Q3，並由SSR控制器檢測到MOSFET 2的電流感測。
根據本發明的一些實施例，同步整流控制器的上電壓公差可以小於50伏，更佳選擇為40伏，仍然更優選為30伏或更低，但仍高於2至3伏。一個地板電壓可以是運行同步整流控制器所需的最小電壓。例如，地板電壓可為3.3伏、3伏、低於3伏或2伏。根據一些實施例，可以選用一個限值電壓。限值電壓可以是同步整流控制器的電壓公差上限，也可以是選擇在同步整流控制器的電壓公差上限以下的另一個工作電壓。一個高電壓可以是大於同步整流控制器的電壓公差上限的任何電壓，低電壓可以是低於同步整流控制器的電壓公差上限的任何電壓。
第3圖表示依據本發明的各個方面，具有可選的高壓側（轉換器輸出）和低壓側充電的同步整流器裝置的改良型控制訊號生成和充電部分的替代實施例。如第2圖所示，其中的二極體D1已被第一OR-ing MOSFET 301和第二OR-ing MOSFET 302所取代。第一OR-ing MOSFET 301可以導電地耦合到多功能開關102的源電極。第二OR-ing MOSFET 302可以從轉換器的輸出303接收電流。第一OR-ing MOSFET 301和第二OR-ing MOSFET 302的輸出可以導電耦合到同步整流控制器103的充電輸入和電容器C2。
在操作期間，當來自次級側的轉換器的輸出303的電壓低於同步整流控制器的電壓公差，並且高於運行同步整流控制器的地板電壓時，SSR控制器103控制第二OR-ing MOSFET 302被“導通”，第一OR-ing MOSFET 301被“關斷”。同步整流控制器可以運行，電容器C2可以通過第二OR-ing MOSFET從轉換器輸出的電流中充電。在這種情況下，來自多功能開關201的電壓用於同步整流控制器處的電壓感測。當來自次級側輸出303的電壓高於電壓公差或低於地板電壓而不可用時，第一OR-ing MOSFET 301被“導通”，第二OR-ing MOSFET 302被“斷開”。同步整流控制器隨後運行，電容器C2從通過多功能開關201和第一個OR-ing MOSFET 301的電流中充電。另外，當第一個OR-ing MOSFET處於“導通”狀態時，定時訊號由來自多功能開關的電壓提供。第二OR-ing MOSFET 302可以通過由同步整流控制器103生成的訊號來控制。
第4圖表示依據本發明的各個方面，具有改良型控制訊號的功率轉換器和充電同步整流器裝置404，該裝置具有提供轉換器輸出的次級高壓側線路401和連接到次級側整流MOSFET Q2的次級低壓側線路402。另外，如圖所示，裝置404包括多功能開關裝置403和同步整流器模組405。在所示的實施例中，根據本發明的各個方面，電阻器R1已從多功能開關102移動到同步整流器模組405。所示的多功能開關裝置403包括N溝道JFET。在所示的實施例中，多功能開關裝置403從變壓器406的次級側的低壓側線路402接收電壓。這裡，來自低壓側線路402的電壓被用作同步整流控制器410的定時和感測訊號。這意味著定時訊號通過多功能開關裝置403直接來自變壓器的次級側。如上所述，選擇多功能開關閘極閾值電壓Vth
和電阻器R1的電阻使得當JFET Q3的源極S處的電壓達到或低於同步整流控制器410的電壓公差時，JFET Q3的閘極在Vth
保持“導通”。所示裝置還導電耦合到高壓側線路401，並且可以使用從高壓側線路401接收到的電壓來通過FET或二極體302為同步整流控制器410供電，並對電容器C2充電。在操作期間，同步整流控制器410使用定時/控制訊號來控制整流MOSFET Q2。如第4圖所示，整流MOSFET Q2汲極引線VD連接到變壓器406的次級側的低壓側線路402，整流MOSFET Q2源引線VS連接到功率轉換器的次級側接地平面408。對整流MOSFET Q2的控制，確保在變壓器中建立電荷時沒有反向電流流過變壓器406的次級繞組。
第5圖表示依據本發明的各個方面，具有改良型控制訊號和充電裝置的功率轉換器的示意圖，所述充電裝置具有通過次級側整流MOSFET Q2耦合以提供轉換器輸出501的高壓側線路502。在所示的實施例中，多功能開關裝置403通過導電耦合接收到轉換器的輸出501的電壓。在該裝置中，第二OR-ing MOSFET 302通過導電耦合到變壓器406的次級側的高壓側線路502，在MOSFET Q2的源極的同一節點處，被禁用。此時，來自MOSFET Q2的汲極電壓或轉換器輸出501的輸出電壓被用作同步整流控制器410的定時和感測訊號。這意味著定時訊號通過多功能開關裝置403直接來自轉換器的輸出。此外，如上所述，多功能開關裝置403通過OR-ing MOSFET 301向同步整流控制器410供電。
另外，在具有離散整流MOSFET Q2的一些實施例中，為了執行高壓側整流，第5圖中的整流MOSFET Q2與第4圖相比要反向安裝。這確保了整流MOSFET Q2的體二極體在高壓側對電流的反向流動產生偏置。在可選實施例中，整流MOSFET Q2可與SSR控制器模組405、多功能開關裝置403或兩者集成或共同封裝到一個半導體器件封裝中。在這些實施例中，如第5圖所示的高壓側裝置可以簡單地通過以第4圖所示的封裝反向方向耦合集成封裝來實現。換言之，整流MOSFET Q2源引線VS連接到變壓器406的次級側的高壓側線路502，並且整流MOSFET Q2汲極引線VD在電流流動路徑中連接到轉換器的輸出501。
在一些實施例中，根據本發明的各個方面，該裝置還可以包括整流MOSFET Q2和電容器C2。還可選擇，該裝置可以包括分立JFET Q3、分立MOSFET 301和302、分立電阻器R1、分立同步整流控制器410、分立整流器MOSFET Q2和分立電容器C2。另外，在一些實施例中，該裝置可以具有與功率轉換器408的接地平面分離的接地平面耦合407。
儘管本發明關於某些較佳的版本已經做了詳細的敘述，但是仍可能存在其他版本。因此，本發明的範圍不應由上述說明決定，與之相反，本發明的範圍應參照所附的申請專利範圍及其全部等效內容。任何可選件（無論首選與否），都可與其他任何可選件（無論首選與否）組合。在以下申請專利範圍中，除非特別聲明，否則不定冠詞“一個”或“一種”都指下文內容中的一個或複數個專案的數量。除非用“意思是”明確指出限定功能，否則所附的申請專利範圍並不應認為是意義和功能的局限。申請專利範圍中沒有進行特定功能的精確指明的任何項目，都應理解為所述的“意義是”。
101:同步整流器裝置
102:多功能開關
103:同步整流器控制器
104:低壓側線路
106:接地端
201:多功能開關
202:接地平面
301:第一OR-ing MOSFET
302:第二OR-ing MOSFET
303:次級側輸出
401:次級高壓側線路
402:次級低壓側線路
403:多功能開關裝置
404:充電同步整流器裝置
405:同步整流器模組
406:變壓器
407:接地平面耦合
408:次級側接地平面
410:同步整流控制器
501:轉換器輸出
502:高壓側線路
第1圖表示依據本發明的一個實施例，帶有一種改良型控制訊號生成和充電的同步整流器裝置的功率轉換器的示意圖。
第2圖表示依據本發明的各個方面，裝置的改良型控制訊號生成和充電部分的簡化示意圖。
第3圖表示依據本發明的各個方面，同步整流器裝置的改良型控制訊號生成和充電部分的簡化示意圖，所述同步整流器裝置具有從轉換器輸出或常規到Q3的可選充電。
第4圖表示依據本發明的各個方面，具有改良型控制訊號的功率轉換器和在二次繞組的低壓側具有同步整流器的充電同步整流裝置的詳細示意圖，具有二次繞組充電的高壓側和低壓側以及低壓側感應控制訊號。
第5圖表示依據本發明的各個方面，具有改良型控制訊號的功率轉換器和在二次繞組的高壓側具有同步整流器的充電裝置的詳細示意圖，轉換器輸出同時作為充電源和控制訊號感測。
301:第一OR-ing MOSFET
302:第二OR-ing MOSFET
401:次級高壓側線路
402:次級低壓側線路
403:多功能開關裝置
404:充電同步整流器裝置
405:同步整流器模組
406:變壓器
407:接地平面耦合
408:次級側接地平面
410:同步整流控制器
Claims (19)
- 一種用於在次級同步整流器中產生控制訊號和充電直流電源的裝置，包括：一個同步整流控制器；一個多功能開關，導電耦合到同步整流控制器上，其中多功能開關包括一個接面場效應電晶體(JFET)，其源極耦合到同步整流控制器的充電輸入端和定時/控制輸入端；還包括一個第一OR-ing MOSFET，導電耦合到JFET上以及同步整流控制器的充電輸入端上，其中第一OR-ing MOSFET被配置成當來自變壓器次級繞組或轉換器輸出的高壓側線路的電壓不足以對同步整流器控制器充電時“導通”。
- 如請求項1所述之裝置，還包括一個次級側整流金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET)，耦合到同步整流控制器上，其中次級側整流MOSFET的閘極電極導電耦合到同步整流控制器上。
- 如請求項2所述之裝置，還包括一個功率變壓器，其中多功能開關導電耦合到功率變壓器的次級側或次級側整流MOSFET的汲極電極上。
- 如請求項3所述之裝置，還包括一個初級側MOSFET，其中功率變壓器的初級側導電耦合到初級側MOSFET上，並且其中初級側MOSFET和變壓器的初級側進行了配置，使得流經初級側MOSFET和功率變壓器的初級側的電流，當初級側MOSFET“斷開”時，電流流經功率變壓器的次級側。
- 如請求項1所述之裝置，還包括一個第二OR-ing MOSFET導電耦合到同步整流控制器的充電輸入端以及變壓器的次級側的高壓側線路或功率轉換器的輸出端上，其中當來自功率變壓器次級繞組的高壓側線路或功率轉 換器輸出端的電壓，不足以為同步整流控制器充電時，第二OR-ing MOSFET被配置為“導通”，第一OR-ing MOSFET被配置為“斷開”。
- 如請求項1所述之裝置，還包括一個二極體，導電耦合到多功能開關和同步整流控制器的充電輸入端上。
- 如請求項1所述之裝置，其中JFET導電耦合到次級側整流MOSFET的汲極電極上，其中配置JFET，當來自變壓器的次級側的電壓超過電壓極限時，配置JFET可以承載超出電壓極限以上的多餘電壓，並且如果第一OR-ing MOSFET接通的話，JFET將傳導電流。
- 如請求項2所述之裝置，其中從耦合到JFET的變壓器的次級側的電壓變化和JFET的電壓輸出的變化之間存在小於1秒的延遲。
- 如請求項7所述之裝置，其中電壓極限是同步整流控制器的電壓公差，或者電壓極限處於或低於100伏。
- 一種用於在次級同步整流器中產生控制訊號和充電直流電源的裝置，包括：一個同步整流控制器；一個多功能開關，導電耦合到同步整流控制器上，其中多功能開關包括一個接面場效應電晶體(JFET)，其源極耦合到同步整流控制器的充電輸入端和定時/控制輸入端；還包括一個導電耦合到JFET上的電阻器，其中JFET是一個N-通道JFET，並且其中N-通道JFET的閘極電極和電阻器的一個端子都導電耦合到同一個接地平面上，或者共同短接，與功率轉換器的接地端分開。
- 一種提供次級側控制訊號和功率轉換器中的充電輸入的方法，包括： 從JFET向同步整流控制器提供電流，JFET具有導電耦合到次級側整流MOSFET的汲極，其中JFET的源極耦合到同步整流控制器的定時/感測輸入和充電輸入；使JFET的源極到閘極電壓在JFET的導通閾值處偏置，用於充電的固定輸出，其中JFET在低電壓下通過次級側整流MOSFET的汲極至源極進行定時/感測；以及通過JFET在次級側整流MOSFET的漏源電極上以低電壓向同步整流控制器施加輸入電壓，或者通過JFET在充電輸入端向第一MOSFET施加輸入電壓，或者在高壓下通過次級側向第一個OR-ing MOSFET施加輸入電壓整流MOSFET。
- 如請求項11所述之方法，其中同步整流控制器為整流MOSFET提供一個控制訊號，其中配置控制訊號，防止反向電流在充電工作週期內流經功率變壓器的次級側。
- 如請求項11所述之方法，其中JFET導電耦合到功率變壓器的次級側的低壓側線路，或次級整流MOSFET的汲極電極上。
- 如請求項11所述之方法，其中通過第一OR-ing MOSFET為同步整流器控制器供電的電流，並且當第二OR-ing MOSFET處的電壓處於或低於較高的電壓公差，並且處於或高於同步整流控制器的最小工作電壓時，第一OR-ing MOSFET被斷開。
- 如請求項14所述之方法，還包括當從功率變壓器的次級側接收到電壓等於或低於上電壓公差，且等於或高於同步整流控制器的最小工作電壓的電壓時，接通第二OR-ing MOSFET，並當第二個MOSFET處於“導通”狀態時，通過第二MOSFET向同步整流控制器和電容器提供電流。
- 如請求項15所述之方法，其中從變壓器的次級側的高壓側線路或轉換器的輸出端，接收第二OR-ing MOSFET處的電壓，並且其中第二OR-ing MOSFET導電耦合到變壓器的次級側的高壓側線路或轉換器的輸出端上。
- 如請求項11所述之方法，還包括從變壓器的次級側的低壓側線路接收JFET處的電流，並且其中JFET導電耦合到變壓器的次級側的低壓側線路上。
- 如請求項11所述之方法，還包括從次級側整流MOSFET的汲極電極接收JFET處的電流，並且其中JFET導電耦合到次級側整流MOSFET的汲極電極上。
- 如請求項11所述之方法，其中JFET是一個N-通道JFET。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/777,745 | 2020-01-30 | ||
| US16/777,745 US11290021B2 (en) | 2020-01-30 | 2020-01-30 | Method and apparatus for generating control signal and charging DC supply in a secondary synchronous rectifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202130102A TW202130102A (zh) | 2021-08-01 |
| TWI767535B true TWI767535B (zh) | 2022-06-11 |
Family
ID=77025238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110102813A TWI767535B (zh) | 2020-01-30 | 2021-01-26 | 用於在次級同步整流器中產生控制訊號和充電直流電源的方法與裝置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11290021B2 (zh) |
| CN (1) | CN113206604B (zh) |
| TW (1) | TWI767535B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI787914B (zh) * | 2021-07-19 | 2022-12-21 | 通嘉科技股份有限公司 | 同步整流控制器與相關之充電方法 |
| CN114421566B (zh) * | 2022-01-20 | 2023-06-20 | 瀚昕微电子(无锡)有限公司 | 充电管理电路以及包含其的充电电路 |
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| TW202002492A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-01 | 力林科技股份有限公司 | 具低功耗及低成本的電源轉換裝置 |
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| US7688602B2 (en) | 2008-04-29 | 2010-03-30 | Infineon Technologies Austria Ag | Synchronous rectifier control circuit and method |
| EP2876798B1 (en) * | 2013-11-26 | 2019-09-18 | Nxp B.V. | Synchronous rectifier controller |
| US10153702B2 (en) | 2017-02-07 | 2018-12-11 | Infineon Technologies Austria Ag | Switched-mode power supply controller using a single pin for both input voltage sensing and control of power supply charging |
| US10277107B1 (en) * | 2017-12-27 | 2019-04-30 | Stmicroelectronics S.R.L. | Synchronous rectifier gate driver with active clamp |
| CN110855131B (zh) * | 2019-12-09 | 2021-10-15 | 成都芯源系统有限公司 | 一种同步整流器件的驱动电路 |
-
2020
- 2020-01-30 US US16/777,745 patent/US11290021B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-21 CN CN202110083612.1A patent/CN113206604B/zh active Active
- 2021-01-26 TW TW110102813A patent/TWI767535B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210242793A1 (en) | 2021-08-05 |
| CN113206604A (zh) | 2021-08-03 |
| CN113206604B (zh) | 2024-09-20 |
| US11290021B2 (en) | 2022-03-29 |
| TW202130102A (zh) | 2021-08-01 |
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