[go: up one dir, main page]

TWI766510B - 半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環 - Google Patents

半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環 Download PDF

Info

Publication number
TWI766510B
TWI766510B TW109146436A TW109146436A TWI766510B TW I766510 B TWI766510 B TW I766510B TW 109146436 A TW109146436 A TW 109146436A TW 109146436 A TW109146436 A TW 109146436A TW I766510 B TWI766510 B TW I766510B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coupling ring
edge
edge coupling
ring
self
Prior art date
Application number
TW109146436A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202125697A (zh
Inventor
浩泉 嚴
羅伯特 葛芬 歐尼爾
拉斐爾 凱薩斯
瓊 麥可卻斯尼
艾立克斯 派特森
Original Assignee
美商蘭姆研究公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US14/598,943 external-priority patent/US11605546B2/en
Application filed by 美商蘭姆研究公司 filed Critical 美商蘭姆研究公司
Publication of TW202125697A publication Critical patent/TW202125697A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI766510B publication Critical patent/TWI766510B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H10P72/7606—
    • H10P72/7612—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/023—Means for mechanically adjusting components not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H10P72/0421—
    • H10P72/7611—
    • H10P72/7624—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching
    • H01J2237/3344—Problems associated with etching isotropy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Shaping Metal By Deep-Drawing, Or The Like (AREA)

Abstract

基板處理系統包含處理腔室及設置於處理腔室中的基座。邊緣耦合環係鄰近該基座的徑向外邊緣而設置。第一致動器係配置成選擇性地將邊緣耦合環移至相對基座的上升位置，以提供邊緣耦合環與基座之間的空隙，從而容許自動機器手臂從處理腔室移除邊緣耦合環。

Description

半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環
本揭露內容相關於基板處理系統，且更特別地相關於基板處理系統之邊緣耦合環。 [相關申請案之交互參考]
本揭露內容為2015年1月22日申請之美國專利申請案第14/598,943號之部分連續案。以上參照之申請案的整體揭露內容係併入於此，以供參考。
此處提供的背景描述係針對概括性地呈現該揭露內容之脈絡的目的。目前所列名之發明人的工作成果（就本先前技術部分中所描述之範圍而言）、以及可能未以其他方式視為申請時之先前技術的描述內容之實施態樣並非明示、或暗示地被認為是相對本揭露內容的先前技術。
基板處理系統可用以執行如半導體晶圓之基板的蝕刻及/或其他處理。可將基板設置於基板處理系統之處理腔室中的基座上。舉例而言，在電漿加強化學氣相沉積（PECVD）製程中的蝕刻期間，將包含一或更多前驅物的氣體混合物導入處理腔室中，並且觸發電漿以蝕刻基板。
邊緣耦合環已用以調整基板之徑向外邊緣附近的蝕刻速率及/或電漿蝕刻輪廓。邊緣耦合環係典型地位於基板之徑向外邊緣周圍的基座上。基板之徑向外邊緣處的製程條件可藉由改變以下者而加以修正：邊緣耦合環的位置、邊緣耦合環之內邊緣的形狀或輪廓、邊緣耦合環相對基板之上表面的高度、邊緣耦合環的材料等。
更換邊緣耦合環需要打開處理腔室，而這是不期望的。換句話說，無法在不打開處理腔室的情況下改變邊緣耦合環的邊緣耦接效果。當邊緣耦合環在蝕刻期間被電漿侵蝕時，邊緣耦接效果發生改變。校正邊緣耦合環的侵蝕需要打開處理腔室，以替換該邊緣耦合環。
現在參考圖1-2，基板處理系統可包含基座20及邊緣耦合環30。邊緣耦合環30可包含單一部件、或者二或更多的部件。在圖1-2中之範例中，邊緣耦合環30包含設置於基板33之徑向外邊緣附近的第一環形部32。第二環形部34係在徑向上自第一環形部起向內位於基板33的下方。第三環形部36係設置於第一環形部32的下方。在使用期間，將電漿42引向基板33，以蝕刻基板33之曝露的部分。邊緣耦合環30係設置成有助於使電漿塑形，從而對基板33進行均勻的蝕刻。
在圖2中，邊緣耦合環30已使用之後，如48處所標示，邊緣耦合環30之徑向內部的上表面可能呈現侵蝕。結果，如44處可見，電漿42可能傾向於以比基板33之徑向內部之蝕刻更快的速率蝕刻基板33的徑向外邊緣。
基板處理系統包含處理腔室及設置於處理腔室中的基座。邊緣耦合環係鄰近該基座的徑向外邊緣而設置。第一致動器係配置成選擇性地將邊緣耦合環移至相對基座的上升位置，以提供邊緣耦合環與基座之間的空隙，從而容許自動機器手臂從處理腔室移除邊緣耦合環。
在其他特徵中，抬升環係設置於邊緣耦合環之至少一部分的下方。第一致動器使抬升環偏置，且抬升環使邊緣耦合環偏置。支柱係設置於第一致動器與抬升環之間。自動機器手臂係配置成當邊緣耦合環與抬升環在上升位置中時，從處理腔室移除邊緣耦合環。固持器係連接至自動機器手臂。固持器包含與邊緣耦合環上之自置中特徵部相配合的自置中特徵部。邊緣耦合環包含與抬升環上之自置中特徵部相配合的自置中特徵部。
在其他特徵中，底部邊緣耦合環係設置於邊緣耦合環及抬升環之至少一部分的下方。該底部邊緣耦合環包含與抬升環上之自置中特徵部相配合的自置中特徵部。
在其他特徵中，抬升環包含在徑向上向外延伸的凸部。該凸部包含形成於該凸部之朝向底部之表面上的溝槽。當該邊緣耦合環被抬起時，該支柱使溝槽偏置。
在其他特徵中，自動機器手臂在無需使處理腔室開放於大氣壓力的情形下從處理腔室移除邊緣耦合環。第二致動器係配置成相對抬升環移動邊緣耦合環，以改變該邊緣耦合環的邊緣耦接輪廓。中間邊緣耦合環係設置於邊緣耦合環之至少一部分與抬升環之間。中間邊緣耦合環在第二致動器相對抬升環移動邊緣耦合環時保持靜止。
在其他特徵中，控制器係配置成因應邊緣耦合環之面向電漿表面的侵蝕而使用第二致動器移動邊緣耦合環。控制器係配置成在邊緣耦合環曝露於預定數目的蝕刻循環之後，使用第二致動器自動地移動邊緣耦合環。控制器係配置成在邊緣耦合環曝露於預定時間段的蝕刻之後，使用第二致動器自動地移動邊緣耦合環。
在其他特徵中，感測器係配置成與控制器相連通，且配置成偵測邊緣耦合環的侵蝕。自動機器手臂係配置成與控制器相連通，且配置成調整感測器的位置。控制器係配置成使用第二致動器將邊緣耦合環移至第一位置，從而使用第一邊緣耦接效果進行基板的第一處理，然後使用第二致動器將邊緣耦合環移至第二位置，從而使用不同於第一邊緣耦接效果的第二邊緣耦接效果進行基板的第二處理。
在基板處理系統中維護邊緣耦合環的方法包含：在處理腔室中鄰近基座的徑向外邊緣而設置邊緣耦合環；使用第一致動器以選擇性地將邊緣耦合環移至相對基座的上升位置；並且當邊緣耦合環在上升位置中時，使用自動機器手臂替換邊緣耦合環。
在其他特徵中，方法包含在邊緣耦合環之至少一部分的下方設置抬升環。致動器使該抬升環偏置，且該抬升環使該邊緣耦合環偏置。方法包含在第一制動器與抬升環之間設置支柱。方法包含將固持器附接至自動機器手臂。固持器包含與邊緣耦合環上之自置中特徵部相配合的自置中特徵部。方法包含在邊緣耦合環上使用使用自置中特徵部，以配合抬升環上的自置中特徵部。
在其他特徵中，方法包含在邊緣耦合環之至少一部分及抬升環的下方設置底部邊緣耦合環。方法包含在底部邊緣耦合環上使用自置中特徵部，以配合抬升環上的自置中特徵部。抬升環包含在徑向上向外延伸的凸部。該凸部包含形成於該凸部之朝向底部之表面上的溝槽。當該邊緣耦合環被抬起時，該支柱使該溝槽偏置。
在其他特徵中，方法包含使用第二致動器相對抬升環移動邊緣耦合環，以改變邊緣耦合環的邊緣耦接輪廓。方法包含在邊緣耦合環之至少一部分與抬升環之間設置中間邊緣耦合環，其中中間邊緣耦合環在第二致動器相對抬升環移動邊緣耦合環時保持靜止。
在其他特徵中，方法包含因應邊緣耦合環之面向電漿表面的侵蝕，使用第二致動器移動邊緣耦合環。方法包含在邊緣耦合環曝露於預定數目的蝕刻循環之後，自動地移動邊緣耦合環。方法包含在邊緣耦合環曝露於預定時間段的蝕刻之後，自動地移動邊緣耦合環。
在其他特徵中，方法包含使用感測器偵測邊緣耦合環的侵蝕。方法包含使用第二致動器將邊緣耦合環移至第一位置，從而使用第一邊緣耦接效果進行基板的第一處理，並且然後使用第二致動器將邊緣耦合環移至第二位置，從而使用不同於第一邊緣耦接效果的第二邊緣耦接效果進行基板的第二處理。
本揭露內容的進一步應用領域將由實施方式、申請專利範圍、及圖式而變得明白。實施方式及具體範例僅意在說明之目的，而並非意圖限制本揭露內容的範疇。
本揭露內容容許邊緣耦合環的一或更多部件在基板處理系統中相對基板或基座而垂直地及/或水平地移動。該移動在不打開處理腔室的情形下於蝕刻或其他基板處理期間改變電漿相對基板的邊緣耦接效果。
現在參考圖3-5，基板處理系統包含基座20及邊緣耦合環60。邊緣耦合環60可由單一部件組成，或者可使用二或更多部件。在圖3-5的範例中，邊緣耦合環60包含設置於基板33之徑向外側的第一環形部72。第二環形部74係在徑向上自第一環形部72起向內位於基板33的下方。第三環形部76係設置於第一環形部72的下方。
如以下將進一步描述，致動器80可設置於各種位置中，從而相對基板33移動邊緣耦合環60的一或更多部件。僅舉例而言，在圖3中，致動器80係設置於邊緣耦合環60之第一環形部72與邊緣耦合環60之第三環形部76之間。在一些範例中，致動器80可包含壓電致動器、步進馬達、氣壓驅動機、或其他適合的致動器。在一些範例中，使用一、二、三、或四、或更多的致動器。在一些範例中，複數致動器係均勻地設置於邊緣耦合環60的周圍。(複數)致動器80可設置在處理腔室的內側或外側。
在使用期間，將電漿82引向基板33，以蝕刻基板33之曝露的部分。邊緣耦合環60係設置成有助於使電漿電場塑形，從而對基板33進行均勻的蝕刻。如圖4中84及86處可見，邊緣耦合環60之一或更多部件可能被電漿82侵蝕。侵蝕的結果即在基板33之徑向外邊緣的附近可能發生基板33之不均勻蝕刻。通常，將會需要停止該製程，打開處理腔室，以及替換邊緣耦合環。
在圖5中，致動器80係用以移動邊緣耦合環60之一或更多部件，以改變邊緣耦合環60之一或更多部件的位置。舉例而言，致動器80可用以移動邊緣耦合環60之第一環形部72。在此範例中，致動器80使邊緣耦合環60之第一環形部72在向上的、或垂直的方向上移動，使得邊緣耦合環60之第一環形部72的邊緣86係相對高於基板33之徑向外邊緣。結果，基板33之徑向外邊緣附近的蝕刻均勻性得以改善。
現在參考圖6， 如可察知，致動器可設置於一或更多其他位置中，且可在其他方向上移動，例如水平方向、對角方向等。可執行邊緣耦合環之部件的水平移動，以相對基板而使邊緣耦接效果置中。在圖6中，致動器110係設置於邊緣耦合環60的徑向外側。此外，致動器110在垂直(或，上/下)方向上、以及水平(或，側邊至側邊)方向上移動。當基板的蝕刻顯示邊緣耦合環相對基板水平偏移時，可使用水平方向的再定位。水平偏移可在不打開處理腔室的情形下加以校正。同樣，邊緣耦合環的傾斜可藉由制動一些致動器而執行，該一些致動器係不同於用以校正或產生側邊至側邊不對稱的其他制動器。
不同於使致動器110位於邊緣耦合環的環形部件之間，致動器110亦可附接至114處之徑向外壁或其他結構。或者，致動器110可從下方標示於116處之壁或其他結構支撐。
現在參考圖7-8，顯示邊緣耦合環150及壓電致動器154的另一範例。在此範例中，壓電致動器154移動邊緣耦合環150。壓電致動器154係安裝於邊緣耦合環150的第一環形部72與第三環形部76中。在圖8中，壓電致動器154移動邊緣耦合環150的第一環形部72，以調整第一環形部72之邊緣156的位置。
現在參考圖9，顯示使用RF電漿用以執行蝕刻之基板處理腔室500的範例。基板處理腔室500包含處理腔室500，其包覆基板處理腔室500的其他元件、且容納RF電漿。基板處理腔室500包含上電極504及基座506，該基座506包含下電極507。邊緣耦合環503係受基座506支撐，且係設置於基板508的周圍。可使用一或更多致動器505以移動邊緣耦合環503。在操作期間，基板508係設置於上電極504與下電極507之間的基座506上。
僅舉例而言，上電極504可包含導入並分佈製程氣體的噴淋頭509。噴淋頭509可包含桿部，該桿部包含連接至處理腔室之頂部表面的末端。基部通常係圓柱形的，且在與處理腔室頂部表面相隔開的位置處，自桿部的相反末端在徑向上向外延伸。噴淋頭之基部的基板朝向表面或面板包含複數洞，製程氣體或沖洗氣體流過該複數洞。或者，上電極504可包含傳導板，且製程氣體可以另一方式而導入。下電極507可設置於非傳導性基座中。或者，基座506可包含靜電卡盤，該靜電卡盤包含充當下電極507的傳導性板件。
RF產生系統510產生、並輸出RF電壓至上電極504與下電極507中的一者。上電極504與下電極507中的另一者可為DC接地的、AC接地的、或浮接的。僅舉例而言，RF產生系統510可包含RF電壓產生器511，其產生藉由匹配及分佈網路512而饋送至上電極504或下電極507的RF電壓。在其他範例中，電漿可感應式地、或遠端地產生。
氣體傳送系統530包含一或多個氣體源532-1、532-2、…、及532-N（統稱為氣體源532），其中N係大於0的整數。氣體源供應一或更多前驅物及其混合物。氣體源亦可供應沖洗氣體。亦可使用汽化的前驅物。氣體源532係藉由閥件534-1、534-2、…、及534-N（統稱為閥件534）及質流控制器536-1、536-2、…、及536-N（統稱為質流控制器536）而連接至歧管540。歧管540的輸出係饋送至處理腔室502。僅舉例而言，歧管540的輸出係饋送至噴淋頭509。
加熱器542可連接至設置於基座506中的加熱器線圈（未顯示）。加熱器542可用以控制基座506和基板508的溫度。閥件550和泵552可用以從處理室502抽空反應物。控制器560可用以控制基板處理腔室500的元件。控制器560亦可用以控制致動器505，以調整邊緣耦合環503之一或更多部件的位置。
自動機器570及感測器572可用以量測邊緣耦合環的侵蝕。在一些範例中，感測器572可包含深度計。自動機器570可移動與邊緣耦合環相接觸的深度計以量測侵蝕。或者，雷射干涉儀(具有或不具自動機器手臂570)可用以在無直接接觸的情況下量測侵蝕。若雷射干涉儀可與邊緣耦合環呈直視線定位，則可省略自動機器570。
另一自動機器手臂573可用以在基座506上傳送及移除基板。另外，如以下將結合圖15-23進一步描述，自動機器手臂573可用以將未使用的邊緣耦合環傳送至抬升環上，以及在充分磨損之後，用以替換已使用的邊緣耦合環。儘管針對基板及邊緣耦合環可使用同一自動機器手臂573，但亦可使用專用的自動機器手臂。
現在參考圖10，顯示操作致動器以移動邊緣耦合環之方法600的範例。在步驟610，邊緣耦合環的至少一部分係定位於相對基板的第一位置中。在步驟614，操作基板處理系統。該操作可包含基板的蝕刻、或其他處理。在步驟618，控制程式判定是否已進行預訂時間段的蝕刻、或預訂數目的蝕刻循環。如步驟618所判定，若未執行預訂的時間段或循環數目，則控制程式返回至步驟614。
當達到預定的時間段或循環數目時，控制程式在步驟624判定：最大預訂蝕刻時間段是否達到、最大數目的蝕刻循環是否已進行、及/或致動器是否已進行最大的移動。
若步驟624係「否」(false)，則控制程式利用制動器移動邊緣耦合環的至少一部分。邊緣耦合環的移動可在不打開處理腔室的情況下自動地、手動地、或以其組合方式地執行。若步驟624係「是」(true)，則控制程式發送訊息或以其他方式指示應該維護/替換該邊緣耦合環。
現在參考圖11，顯示操作致動器以移動邊緣耦合環之方法700的範例。在步驟710，邊緣耦合環的至少一部分係定位於相對基板的第一位置中。在步驟714，操作基板處理系統。該操作可包含基板的蝕刻、或其他處理。在步驟718，控制程式利用如深度計或雷射干涉儀的感測器以判定邊緣耦合環是否已發生預定量的侵蝕。若步驟718係否定的，則控制程式返回至步驟714。
當已發生預定量的侵蝕時，控制程式在步驟724判定是否已發生最大量的侵蝕。如步驟724係否定的，則控制程式利用致動器移動邊緣耦合環的至少一部分。邊緣耦合環的移動可在不打開處理腔室的情況下自動地、手動地、或以其組合方式地執行。若步驟724係肯定的，則控制程式發送訊息或以其他方式指示應該維護/替換該邊緣耦合環。
除上述內容外，是否需要移動邊緣耦合環的判定可基於基板受處理後之蝕刻圖案的檢查。致動器可用以在不打開腔室的情形下調整邊緣耦合環的邊緣耦接輪廓。
現在參考圖12，處理腔室800包含設置於基座20上的邊緣耦合環60。邊緣耦合環60包含一或更多部件，該一或更多部件係可藉由設置於處理腔室800外側的一或更多致動器804而移動的。在此範例中，第一環形部72係可移動的。致動器804可藉由機械連結810而連接至邊緣耦合環60的第一環形部72。舉例而言，機械連結810可包含桿狀構件。機械連結810可穿過處理腔室800之壁814中的洞811。可使用如「O」型環的密封件812。機械連結810可穿過如邊緣耦合環60之第三環形部76的一或更多結構中的洞815。
現在參考圖13A及13B，顯示邊緣耦合環830之側邊至側邊的傾斜。側邊至側邊的傾斜可用以校正側邊至側邊的未對準情形。在圖13A中，基板之相反側上，邊緣耦合環830之部件830-1及830-2係設置於第一設置位置840中。一般而言，部件830-1及830-2可與邊緣耦合環830之部件832-1及832-2對準。致動器836-1及836-2係分別地設置於部件830-1與832-1之間、及830-2與832-2之間。
在圖13B中，致動器836-1及836-2移動邊緣耦合環830的各個部件，使得邊緣耦合環830移至與圖13A中所顯示之第一設置位置840不同的第二設置位置850。如可察知，處理之後可檢查基板，且相對基板的傾斜可在不打開處理腔室的情形下視需要調整。
現在參考圖14，顯示在基板的處理期間移動邊緣耦合環的方法900。換句話說，在同一處理腔室中單一基板上可執行不同的處理。在繼續進行至後續基板之前，邊緣耦合環的邊緣耦接效果可在同一處理腔室中於基板上所執行之複數處理之間進行調整。在步驟910，使基板定位於基座上，且視需要調整邊緣耦合環的位置。在步驟914，執行基板的處理。如步驟918處所判定，若基板的處理已完成，則在步驟922自基座移除基板。在步驟924，控制程式判定是否需要處理另一基板。如步驟924係「是」，則該方法返回至步驟910。否則，該方法終止。
若步驟918係「是」，且基板需要額外的處理，則該方法在步驟930判定邊緣耦合環是否需要調整。若步驟930係「否」，則該方法返回至步驟914。若步驟930係「是」，則在步驟934使用一或更多致動器移動邊緣耦合環的至少一部分，然後該方法返回至步驟914。如可察知，邊緣耦合環可在同一處理腔室中同一基板的處理之間調整。
現在參考圖15，邊緣耦合環1014及抬升環1018係設置於基座1010上表面的鄰近及周邊。如以上描述，邊緣耦合環1014包含在蝕刻期間鄰近基板而設置的徑向內邊緣。抬升環1018係設置於邊緣耦合環1014之至少一部分的下方。當使用自動機器手臂移除邊緣耦合環1014時，抬升環1018係用以使邊緣耦合環1014上升於基座1010的表面之上。可在無需使處理腔室開放至大氣壓力的情形下移除邊緣耦合環1014。在一些範例中，可選地，抬升環1018在圓周方向上隔開的末端1020之間可包含開放部1019，從而如以下將描述，為自動機器手臂移除邊緣耦合環1014提供間隙。
現在參考圖16-17，更詳細顯示邊緣耦合環1014及抬升環1018的範例。在圖16中顯示的範例中，基座可包含大致標示於1021處的靜電卡盤(ESC，electrostatic chuck)。ESC 1021可包含一或更多堆疊板件，例如ESC板1022、1024、1030、及1032。ESC板1030可對應於中間ESC板，且ESC板1032可對應於ESC基部板。在一些範例中，O型環1026可設置於ESC板1024與1030之間。儘管顯示具體的基座1010，但可使用其他類型的基座。
底部邊緣耦合環1034可設置於邊緣耦合環1014及抬升環1018的下方。底部邊緣耦合環1034可設置鄰近於ESC板1024、1030、及1032、及O型環1026且位於其徑向外側。
在一些範例中，邊緣耦合環1014可包含一或更多自置中特徵部1040、1044、及1046。僅舉例而言，自置中特徵部1040及1044可為三角形的、凹形的自置中特徵部，然而可使用其他形狀。自置中特徵部1046可為斜表面。抬升環1018可包含一或更多自置中特徵部1048、1050、及1051。僅舉例而言，自置中特徵部1048、及1050可為三角形的、凹形的自置中特徵部，然而可使用其他形狀。自置中特徵部1051可為具有與自置中特徵部1046互補之形狀的斜表面。抬升環1018上的自置中特徵部1048可與邊緣耦合環1014上的自置中特徵部1044相配合。抬升環1018上的自置中特徵部1050可與底部邊緣耦合環1034上的自置中特徵部1052相配合。
抬升環1018更包含在徑向上向外延伸的凸部1054。溝槽1056可設置於凸部1054之朝向底部之表面1057上。溝槽1056係配置成被支柱1060的末端偏置，該支柱1060係連接至致動器1064，並且係藉由致動器1064而在垂直方向上選擇性地移動。致動器1064可由控制器控制。如可察知，儘管顯示單一的溝槽、支柱、及致動器，但額外的溝槽、支柱、及致動器可呈圓周地以隔開的關係設置在抬升環1018的周圍，從而使抬升環1018在向上方向上偏置。
在圖17中，邊緣耦合環1014係顯示藉由抬升環1018使用(複數)支柱1060及(複數)致動器1064而在向上方向上升起。可藉由自動機器手臂從處理腔室移除邊緣耦合環1014。更尤其，自動機器手臂1102係藉由固持器1104而連接至邊緣耦合環1014。固持器1104可包含與邊緣耦合環1014上之自置中特徵部1040相配合的自置中特徵部1110。如可察知，自動機器手臂1102及固持器1104可使邊緣耦合環向上偏置，以清空抬升環1018上的自置中特徵部1048。然後，自動機器手臂1102、固持器1104、及邊緣耦合環1014可被移出處理腔室。自動機器手臂1102、固持器1104、及新的邊緣耦合環可返回、並且定位於抬升環1018上。然後，使抬升環1018降低。可使用相反的操作來將新的邊緣耦合環1014傳送至抬升環1018上。
或者，相對於向上抬升自動機器手臂1102及固持器1104以使邊緣耦合環1014抬離抬升環1018，自動機器手臂1102及固持器1104可定位於已升起之邊緣耦合環1014的下方，並與之相接觸。然後，使抬升環1018降低，且邊緣耦合環1014停留於自動機器手臂1102及固持器1104上。自動機器手臂1102、固持器1104、及邊緣耦合環1014可從處理腔室移除。可使用相反的操作以將新的邊緣耦合環1014傳送至抬升環1018上。
現在參考圖18-20，顯示可移動邊緣耦合環1238及抬升環1018。在圖18中，一或更多支柱1210係藉由一或更多致動器1214透過分別位於ESC基部板1032、底部邊緣耦合環1034、及抬升環1018中的孔1220、1224、及1228而上下移動。在此範例中，中間邊緣耦合環1240或間隔件係設置於可移動邊緣耦合環1238及抬升環1018之間。中間邊緣耦合環1240可包含自置中特徵部1244及1246。對應的自置中特徵部1248可設置於可移動邊緣耦合環1238上。自置中特徵部1248與中間邊緣耦合環1240上之自置中特徵部1246相配合。
如以上詳細描述，在使用期間可移動邊緣耦合環1238之向上朝向表面可能發生侵蝕。因此，這可能改變電漿的輪廓。使用支柱1210及致動器1214可使可移動邊緣耦合環1238在向上方向上選擇性地移動，以改變電漿的輪廓。在圖19中，圖18之可移動邊緣耦合環1238係顯示於上升位置中。中間邊緣耦合環1240可保持靜止。最終，可移動邊緣耦合環1238可被移動一或更多次，並且隨後可更換邊緣耦合環1238及中間邊緣耦合環1240。
在圖20中，將致動器1214返回至降低狀態，且使致動器1064移至上升狀態。邊緣耦合環1238及中間邊緣耦合環1240係藉由抬升環1018而抬升，且藉由自動機器手臂1102及固持器1104可移除可移動邊緣耦合環1238。
如可察知，致動器可設置於處理腔室中、或處理腔室外側。在一些範例中，邊緣耦合環可經由卡匣、裝載室、轉移腔室、及類似者而被供應至腔室。或者，邊緣耦合環可被儲存於處理腔室的外側，但在基板處理工具內側。
現在參考圖21-22，在一些實施例中可省略抬升環。邊緣耦合環1310係設置於底部邊緣耦合環1034及基座的徑向外邊緣上。邊緣耦合環1310可包含一或更多自置中特徵部1316及1320。邊緣耦合環1310可更包含用以承接支柱1210之頂部表面的溝槽1324，該支柱1210係藉由致動器1214而偏置。自置中特徵部1320可抵向底部邊緣耦合環1034之相對應的自置中特徵部1326而設置。在一些範例中，自置中特徵部1320及1326係斜表面。
在圖22中，致動器1214及支柱1210使邊緣耦合環1310向上偏置，從而移除邊緣耦合環1310、或在發生侵蝕後調整電漿輪廓。可使自動機器手臂1102及固持器1104移入邊緣耦合環1310下方的位置。連接至自動機器手臂1102之固持器1104上的自置中特徵部1110可接合自置中特徵部1316。自動機器手臂1102在向上方向上移動以提供溝槽1324與支柱1210之間的空隙，或者藉由致動器1214使支柱1210向下移動以針對溝槽1324提供空隙。
現在參考圖23，顯示在不使處理腔室開放至大氣壓力的情形下更換邊緣耦合環的方法1400。在步驟1404，方法判定邊緣耦合環是否位於抬升環上。若步驟1404係否定的，該方法在步驟1408使用自動機器手臂將邊緣耦合環移入抬升環上的位置中。邊緣耦合環係在處理腔室中位於抬升環上之後，製程運行於步驟1410。在步驟1412，該方法使用上述準則的任何者判定邊緣耦合環是否磨損。若步驟1412係否定的，該方法返回至步驟1410，然後該製程可重新運行。若在步驟1412判定邊緣耦合環磨損，則在步驟1416更換邊緣耦合環，然後該方法於步驟1410繼續進行。
現在參考圖24，方法1500視需要調整可移動邊緣耦合環的位置，以補償侵蝕，且方法1500在可移動邊緣耦合環被判定為磨損時選擇性地更換可移動邊緣耦合環。在步驟1502，該方法判定可移動邊緣耦合環是否位於抬升環上。若步驟1502係否定的，則在步驟1504使邊緣耦合環移入抬升環上的位置中，且該方法於步驟1502繼續進行。
若步驟1502係肯定的，則該方法在步驟1506判定可移動邊緣耦合環的位置是否需要調整。若步驟1506係肯定的，則該方法使用致動器調整可移動邊緣耦合環的位置，然後該方法返回至步驟1506。當步驟1506係否定的，該方法在步驟1506運行製程。在步驟1512，該方法判定可移動邊緣耦合環是否磨損。若否定，則該方法返回至步驟1510。
若步驟1512係肯定的，則該方法在步驟1520判定可移動邊緣耦合環是否處於最高位置(或，完全調整位置)中。若步驟1520係否定的，則該方法在步驟1524使用致動器1214調整可移動邊緣耦合環的位置，然後該方法返回至步驟1510。若步驟1520係肯定的，則該方法使用致動器1064、抬升環1018、及自動機器手臂1102更換可移動邊緣耦合環。
現在參考圖25，顯示在不使處理腔室開放至大氣壓力的情形下更換邊緣耦合環的方法1600。在步驟1610，抬升環及邊緣耦合環係使用致動器而被向上偏置。在步驟1620，使自動機器及固持器移於邊緣耦合環的下方。在步驟1624，使自動機器手臂向上移動，以清空邊緣耦合環的自置中特徵部，或者使抬升環向下移動。在步驟1628，使具有邊緣耦合環的自動機器手臂移出處理腔室。在步驟1632，使邊緣耦合環從自動機器手臂分離。在步驟1636，自動機器手臂拿取替換邊緣耦合環。在步驟1638，邊緣耦合環係定位於抬升環上，且使用一或更多自置中特徵部而對準。在步驟1642，使自動機器手臂降低，以提供自置中特徵部足夠的空隙，然後從腔室移除自動機器手臂。在步驟1646，使抬升環及邊緣耦合環降低至位置中。
前述描述內容本質上僅係說明性的，且絕不意圖限制本揭露內容、其應用、或使用。本揭露內容之廣義教示可以各種形式實施。因此，儘管本揭露內容包含特定的範例，但本揭露內容的真正範疇不應該被如此所限制，因為其他修正將在圖式、說明書、及隨後之申請專利範圍的學習上而變得明顯。如此處所使用，詞組「A、B、及C之至少一者」應被解釋成意指使用非排除性邏輯「或」的邏輯(A或B或C)，且不應被解釋成意指「A之至少一者、B之至少一者、及C之至少一者」。應該理解的是，方法內一或更多的步驟可在不改變本揭露內容之原理的情況下以不同的順序(或同時地)加以執行。
在一些實施例中，系統控制器係系統的一部分，該系統可為以上描述範例的一部分。如此系統可包含半導體處理設備，該半導體處理設備包含（複數）處理工具、（複數）腔室、（複數）處理平台、及/或特定的處理元件（晶圓基座、氣體流動系統等）。該等系統可與電子設備整合，以在半導體晶圓或基板的處理之前、期間、以及之後，控制該等系統的運作。該電子設備可稱為「控制器」，其可控制系統或複數系統的各種元件或子部件。取決於處理條件及/或系統類型，系統控制器可程式設計成控制此處所揭露製程的任何者，包含處理氣體的傳送、溫度設定（例如，加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻（RF ）產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體傳送設定、位置和操作設定、晶圓轉移（進出與特定系統相連接或相接合之工具及其他轉移工具、及/或裝載室）。
廣泛地講，控制器可定義為具有用以接收指令、發佈指令、控制操作、啟動清洗操作、啟動終點量測以及類似者之各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。積體電路可包含：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器（DSP，digital signal processors）、定義為特殊用途積體電路（ASIC，application specific integrated circuits ）的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令（例如，軟體）的微控制器。程式指令可為以各種單獨設定（或程式檔案）之形式而傳達至控制器或系統的指令，該單獨設定（或程式檔案）為實行特定的製程（在半導體晶圓上，或針對半導體晶圓）定義操作參數。在一些實施例中，操作參數可為由製程工程師為了在一或更多以下者的製造期間實現一或更多處理步驟而定義之配方的一部分：疊層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、以及/或者晶圓的晶粒。
在一些實施例中，控制器可為電腦的一部分，或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、以其他網路的方式接至系統、或其組合的方式而接至系統。舉例而言，控制器可在能容許遠端存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部、或部分中。電腦可使系統能夠遠端存取，以監控製造操作的目前進度、檢查過去製造操作的歷史、自複數的製造操作而檢查其趨勢或效能度量，以改變目前處理的參數、設定目前處理之後的處理步驟、或開始新的處理。在一些範例中，遠端電腦（例如，伺服器）可通過網路而提供製程配方至系統，該網路可包含局域網路或網際網路。遠端電腦可包含使得可以進入參數及/或設定、或對參數及/或設定進行程式設計的使用者介面，然後該參數及/或設定自遠端電腦而傳達至系統。在一些範例中，控制器以資料的形式接收指令，該指令為即將於一或更多操作期間進行執行之處理步驟的每一者而指定參數。應該理解，參數可特定地針對待執行之製程的類型、以及控制器與之接合或加以控制之工具的類型。因此如上所述，控制器可為分散式，例如藉由包含以網路的方式接在一起、且朝向共同之目的（例如，此處所描述之處理、及控制）而運作的一或更多的分離的控制器。用於如此目的之分散式控制器的範例將是腔室上與位於遠端的一或更多積體電路（例如，在作業平臺位準處、或作為遠端電腦的一部分）進行通訊的一或更多積體電路，兩者相結合以控制腔室上之製程。
例示性系統可包含但不限於以下者：電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉淋洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清洗腔室或模組、斜角緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積沉積（PVD，physical vapor deposition）腔室或模組、化學氣相沉積（CVD ，chemical vapor deposition ）腔室或模組、原子層沉積（ALD ，atomic layer deposition ）腔室或模組、原子層蝕刻（ALE ，atomic layer etch）腔室或模組、離子植入腔室或模組、徑跡腔室（track chamber）或模組、以及可在半導體晶圓的製造和加工中相關聯的、或使用的任何其他半導體處理系統。
如以上所提及，取決於待藉由工具而執行之（複數）製程步驟，控制器可與半導體加工工廠中之一或更多的以下者進行通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、叢集工具（cluster tools）、其他工具介面、鄰近的工具、相鄰的工具、遍及工廠而分布的工具、主電腦、另一控制器、或材料輸送中使用之工具，該材料輸送中使用之工具將晶圓容器帶至工具位置及/或裝載埠，或自工具位置及/或裝載埠帶來晶圓容器上午 10:30 2021/5/26。
20:基座 30:邊緣耦合環 32:第一環形部 33:基板 34:第二環形部 36:第三環形部 42:電漿 44:電漿 48:邊緣 60:邊緣耦合環 72:第一環形部 74:第二環形部 76:第三環形部 80:致動器 82:電漿 84:電漿 86:邊緣 110:致動器 114:徑向外壁 116:壁 150:邊緣耦合環 154:壓電致動器 156:邊緣 500:基板處理腔室 502:處理腔室 503:邊緣耦合環 504:上電極 505:致動器 506:基座 507:下電極 508:基板 509:噴淋頭 510:RF產生系統 512:匹配及分佈網路 530:氣體傳送系統 532-1:氣體源 532-2:氣體源 532-N:氣體源 534:閥件 534-1:閥件 534-N:閥件 536:質流控制器 536-1:質流控制器 536-N:質流控制器 540:歧管 542:加熱器 550:閥件 552:泵 560:控制器 570:自動機器 572:感測器 573:自動機器手臂 600:方法 610:步驟 614:步驟 618:步驟 624:步驟 628:步驟 700:步驟 710:步驟 714:步驟 718:步驟 724:步驟 728:步驟 800:處理腔室 804:致動器 810:機械連結 811:洞 812:密封件 814:壁 815:洞 830:邊緣耦合環 830-1:邊緣耦合環部件 830-2:邊緣耦合環部件 832-1:邊緣耦合環部件 832-2:邊緣耦合環部件 836-1:致動器 836-2:致動器 840:第一設置位置 850:第二設置位置 900:方法 910:步驟 914:步驟 918:步驟 922:步驟 924:步驟 930:步驟 934:步驟 1010:基座 1014:邊緣耦合環 1018:抬升環 1019:開放部 1020:末端 1021:靜電卡(ESC) 1022:ESC板 1024:ESC板 1026:O型環 1030:ESC板 1032:ESC板 1034:底部邊緣耦合環 1040:自置中特徵部 1044:自置中特徵部 1046:自置中特徵部 1048:自置中特徵部 1050:自置中特徵部 1051:自置中特徵部 1052:自置中特徵部 1054:凸部 1056:溝槽 1057:朝向底部之表面 1060:支柱 1064:致動器 1102:自動機器手臂 1104:固持器 1110:自置中特徵部 1210:支柱 1214:致動器 1220:孔 1224:孔 1228:孔 1238:邊緣耦合環 1240:中間邊緣耦合環 1244:自置中特徵部 1246:自置中特徵部 1248:自置中特徵部 1310:邊緣耦合環 1316:自置中特徵部 1320:自置中特徵部 1324:溝槽 1326:自置中特徵部 1400:方法 1404:步驟 1408:步驟 1412:步驟 1416:步驟 1500:方法 1502:步驟 1504:步驟 1506:步驟 1508:步驟 1510:步驟 1512:步驟 1520:步驟 1524:步驟 1528:步驟 1600:方法 1610:步驟 1620:步驟 1624:步驟 1628:步驟 1632:步驟 1636:步驟 1638:步驟 1642:步驟 1646:步驟
本揭露內容將自實施方式與隨附圖式而得到更完全地理解，其中：
圖1為根據先前技術，基座及邊緣耦合環的側面橫剖面圖；
圖2為根據先前技術，已發生邊緣耦合環侵蝕後之基座及邊緣耦合環的側面橫剖面圖；
圖3為根據本揭露內容，基座、邊緣耦合環、及致動器之範例的側面橫剖面圖；
圖4為已發生邊緣耦合環侵蝕後，圖3之基座、邊緣耦合環、及致動器的側面橫剖面圖；
圖5為已發生邊緣耦合環侵蝕且移動致動器後，圖3之基座、邊緣耦合環、及致動器的側面橫剖面圖；
圖6為根據本揭露內容，基座、邊緣耦合環、及位於另一位置中之致動器之另一範例的側面橫剖面圖；
圖7為根據本揭露內容，基座、邊緣耦合環、及壓電致動器之另一範例的側面橫剖面圖；
圖8為已發生侵蝕且移動壓電致動器後，圖7之基座、邊緣耦合環、及壓電致動器的側面橫剖面圖；
圖9為根據本揭露內容，包含基座、邊緣耦合環、及致動器之基板處理腔室之範例的功能方塊圖；
圖10為根據本揭露內容，說明操作致動器以移動邊緣耦合環之方法範例之步驟的流程圖；
圖11為根據本揭露內容，說明操作致動器以移動邊緣耦合環之另一方法範例之步驟的流程圖；
圖12為根據本揭露內容，處理腔室之範例的功能方塊圖，該處理腔室包含可藉由設置於處理腔室外側之致動器而移動的邊緣耦合環；
圖13A及13B根據本揭露內容，說明邊緣耦合環之側邊至側邊傾斜的範例；
圖14說明在基板的處理期間，移動邊緣耦合環之方法的範例；
圖15為包含邊緣耦合環及抬升環之基座範例的俯視圖；
圖16為邊緣耦合環及抬升環之範例的側面橫剖面圖；
圖17為被抬升環抬起之邊緣耦合環之範例的側面橫剖面圖，然後該邊緣耦合環係藉由自動機器手臂而移除；
圖18為可移動邊緣耦合環及抬升環之範例的側面橫剖面圖；
圖19為處於上升位置之圖18之可移動邊緣耦合環的側面橫剖面圖；
圖20為被抬升環抬起之圖18之邊緣耦合環的側面橫剖面圖，然後該邊緣耦合環係藉由自動機器手臂而移除；
圖21為可移動邊緣耦合環之範例的側面橫剖面圖；
圖22為被致動器抬起之圖21之邊緣耦合環的側面橫剖面圖，然後該邊緣耦合環係藉由自動機器手臂而移除；
圖23為不打開處理腔室情形下替換邊緣耦合環之方法的範例；
圖24為在不打開處理腔室的情形下起因於侵蝕而移動邊緣耦合環，及替換邊緣耦合環之方法的範例；
圖25為在不打開處理腔室的情形下起因於侵蝕而升起邊緣耦合環、及替換邊緣耦合環之方法的範例；
在圖式中，可重複使用參考數字，以識別相似、及/或相同的元件。
20:基座
33:基板
60:邊緣耦合環
72:第一環形部
74:第二環形部
76:第三環形部
84:電漿
800:處理腔室
804:致動器
810:機械連結
811:洞
812:密封件
814:壁
815:洞

Claims (11)

  1. 一種邊緣環，其係配置成在基板處理系統的處理腔室中藉由一或更多升降銷相對於基座上升及降低，該邊緣環包含：一上表面；一環形內直徑；一環形外直徑；一下表面；及一自置中特徵部，位於該邊緣環之上，其中該自置中特徵部係一斜表面，其中位於該邊緣環之上的該自置中特徵部係配置成相對於該基座使該邊緣環自置中，且其中該斜表面係在該邊緣環的該下表面之上且在該邊緣環的該環形內直徑處。
  2. 如請求項1之邊緣環，更包含位在該邊緣環之上的至少一第二自置中特徵部，該至少一第二自置中特徵部係與該邊緣環的該環形外直徑鄰近的一第二斜表面。
  3. 如請求項1之邊緣環，更包含位在該邊緣環之上的至少一第二自置中特徵部，其中該至少一第二自置中特徵部係設置在該邊緣環的該下表面之中。
  4. 如請求項3之邊緣環，其中，該至少一第二自置中特徵部的至少一內表面具有一線性斜率。
  5. 如請求項3之邊緣環，其中，該至少一第二自置中特徵部的至少二個內表面具有一線性斜率。
  6. 如請求項3之邊緣環，其中，該至少一第二自置中特徵部在至少一橫剖面圖中為三角形的。
  7. 如請求項1之邊緣環，其中，該邊緣環的該下表面係設置以承接該一或更多升降銷。
  8. 如請求項1之邊緣環，其中該環形內直徑包含一凸部。
  9. 一種基座，包含請求項1的邊緣環。
  10. 如請求項9之基座，其中該邊緣環的該環形內直徑係與該基座的一上板件重疊。
  11. 一種基板處理系統，包含請求項9之基座，且更包含一致動器，配置成將該一或更多升降銷上升及降低而使該邊緣環上升及降低。
TW109146436A 2015-01-16 2016-01-15 半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環 TWI766510B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/598,943 2015-01-16
US14/598,943 US11605546B2 (en) 2015-01-16 2015-01-16 Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US14/705,430 US10658222B2 (en) 2015-01-16 2015-05-06 Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US14/705,430 2015-05-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202125697A TW202125697A (zh) 2021-07-01
TWI766510B true TWI766510B (zh) 2022-06-01

Family

ID=56408377

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107134225A TWI717638B (zh) 2015-01-16 2016-01-15 半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環
TW109146436A TWI766510B (zh) 2015-01-16 2016-01-15 半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環
TW105101160A TWI704645B (zh) 2015-01-16 2016-01-15 半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107134225A TWI717638B (zh) 2015-01-16 2016-01-15 半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105101160A TWI704645B (zh) 2015-01-16 2016-01-15 半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10658222B2 (zh)
JP (3) JP6783521B2 (zh)
KR (5) KR102537053B1 (zh)
CN (2) CN110010432A (zh)
SG (3) SG10201600319VA (zh)
TW (3) TWI717638B (zh)

Families Citing this family (383)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
EP2923376A4 (en) * 2012-11-21 2016-06-22 Ev Group Inc ADJUSTMENT DEVICE FOR ADJUSTING AND ASSEMBLING A WATER
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
EP3080590B1 (en) * 2013-12-12 2020-08-12 G.M.S. Global Mobile Solutions Ltd. Home testing device
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US11605546B2 (en) 2015-01-16 2023-03-14 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US20160289827A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Lam Research Corporation Plasma processing systems and structures having sloped confinement rings
US10017857B2 (en) 2015-05-02 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10957561B2 (en) 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
JP6888007B2 (ja) * 2016-01-26 2021-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハエッジリングの持ち上げに関する解決
WO2017131927A1 (en) * 2016-01-26 2017-08-03 Applied Materials, Inc. Wafer edge ring lifting solution
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US11011353B2 (en) 2016-03-29 2021-05-18 Lam Research Corporation Systems and methods for performing edge ring characterization
US10312121B2 (en) 2016-03-29 2019-06-04 Lam Research Corporation Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410832B2 (en) * 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6812224B2 (ja) 2016-12-08 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9947517B1 (en) 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10910195B2 (en) * 2017-01-05 2021-02-02 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
CN108345178B (zh) * 2017-01-25 2020-11-13 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种硅片边缘保护装置
US10553404B2 (en) * 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11404249B2 (en) 2017-03-22 2022-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
WO2018187679A1 (en) * 2017-04-07 2018-10-11 Applied Materials, Inc. Plasma density control on substrate edge
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP7096271B2 (ja) * 2017-05-31 2022-07-05 ラム リサーチ コーポレーション 調整可能／交換可能なエッジ結合リングのための検出システム
US10504738B2 (en) * 2017-05-31 2019-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Focus ring for plasma etcher
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
CN113707530B (zh) * 2017-07-24 2024-07-30 朗姆研究公司 可移动的边缘环设计
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
JP6966286B2 (ja) 2017-10-11 2021-11-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、フォーカスリングの昇降制御方法およびフォーカスリングの昇降制御プログラム
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
SG11201907515WA (en) * 2017-11-21 2019-09-27 Lam Res Corp Bottom and middle edge rings
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
KR20240045363A (ko) * 2017-12-15 2024-04-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 챔버에서 사용하기 위한 링 구조체들 및 시스템들
US11043400B2 (en) * 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7055054B2 (ja) 2018-04-11 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ制御方法、及びプラズマ制御プログラム
JP6995008B2 (ja) * 2018-04-27 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
JP7122864B2 (ja) * 2018-05-14 2022-08-22 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び基板処理装置
KR102242812B1 (ko) * 2018-05-17 2021-04-22 세메스 주식회사 반송 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10790123B2 (en) 2018-05-28 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
KR102433436B1 (ko) 2018-07-04 2022-08-17 삼성전자주식회사 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템에서의 에지 링 정렬 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 원반형 비젼 센서
CN109065479B (zh) * 2018-07-27 2020-06-16 上海华力集成电路制造有限公司 硅刻蚀机及其操作方法
US11488848B2 (en) * 2018-07-31 2022-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated semiconductor die vessel processing workstations
US11798789B2 (en) 2018-08-13 2023-10-24 Lam Research Corporation Replaceable and/or collapsible edge ring assemblies for plasma sheath tuning incorporating edge ring positioning and centering features
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11404296B2 (en) * 2018-09-04 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring placement of a substrate on a heater pedestal
US10794681B2 (en) 2018-09-04 2020-10-06 Applied Materials, Inc. Long range capacitive gap measurement in a wafer form sensor system
US10847393B2 (en) 2018-09-04 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring process kit centering
US11342210B2 (en) 2018-09-04 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring wafer movement and placement using vibration data
US11521872B2 (en) * 2018-09-04 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring erosion and calibrating position for a moving process kit
JP7115942B2 (ja) * 2018-09-06 2022-08-09 東京エレクトロン株式会社 載置台、基板処理装置、エッジリング及びエッジリングの搬送方法
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
JP7105666B2 (ja) * 2018-09-26 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
JP7076351B2 (ja) 2018-10-03 2022-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及びリング部材の厚さ測定方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
JP7129307B2 (ja) 2018-10-10 2022-09-01 東京エレクトロン株式会社 基板支持アセンブリ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
KR102256214B1 (ko) * 2018-10-18 2021-05-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102134391B1 (ko) * 2018-10-18 2020-07-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
JP2020087969A (ja) 2018-11-15 2020-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及びリング部材の形状測定方法
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11512393B2 (en) * 2018-11-29 2022-11-29 Lam Research Corporation Dynamic sheath control with edge ring lift
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
JP7134104B2 (ja) * 2019-01-09 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP2020115499A (ja) 2019-01-17 2020-07-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及びリング部材の位置ずれ測定方法
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11393663B2 (en) * 2019-02-25 2022-07-19 Tokyo Electron Limited Methods and systems for focus ring thickness determinations and feedback control
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102702089B1 (ko) * 2019-03-22 2024-09-03 삼성전자주식회사 에지 링을 갖는 기판 처리 장치
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11279032B2 (en) 2019-04-11 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Apparatus, systems, and methods for improved joint coordinate teaching accuracy of robots
US11018046B2 (en) 2019-04-12 2021-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus including edge ring
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
US11101115B2 (en) 2019-04-19 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Ring removal from processing chamber
US12009236B2 (en) * 2019-04-22 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
TWM593655U (zh) * 2019-05-10 2020-04-11 美商蘭姆研究公司 半導體製程模組的中環
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US10964584B2 (en) 2019-05-20 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Process kit ring adaptor
US12165905B2 (en) 2019-05-20 2024-12-10 Applied Materials, Inc. Process kit enclosure system
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
US11913777B2 (en) * 2019-06-11 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Detector for process kit ring wear
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
US11626305B2 (en) 2019-06-25 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Sensor-based correction of robot-held object
KR102689653B1 (ko) 2019-06-26 2024-07-31 삼성전자주식회사 센서 모듈 및 이를 구비하는 식각 장치
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
KR20210008310A (ko) 2019-07-10 2021-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 조립체 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US11211269B2 (en) 2019-07-19 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Multi-object capable loadlock system
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
JP7580186B2 (ja) * 2019-07-26 2024-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
JP7597788B2 (ja) * 2019-08-05 2024-12-10 ラム リサーチ コーポレーション 基板処理システムのためのエッジリングシステム
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
TWM602283U (zh) * 2019-08-05 2020-10-01 美商蘭姆研究公司 基板處理系統用之具有升降銷溝槽的邊緣環
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
CN114223054A (zh) * 2019-08-14 2022-03-22 朗姆研究公司 衬底处理系统的可移动边缘环
KR20210021266A (ko) 2019-08-14 2021-02-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 웨이퍼를 처리하는 장치 및 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
TWI838570B (zh) 2019-08-23 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
JP2021040011A (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11443923B2 (en) * 2019-09-25 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus for fabricating a semiconductor structure and method of fabricating a semiconductor structure
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
JP7465733B2 (ja) * 2019-09-26 2024-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板支持器及びプラズマ処理装置
TWI905899B (zh) * 2019-09-26 2025-11-21 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置、基板支持器及環構造
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102747645B1 (ko) * 2019-10-10 2024-12-27 삼성전자주식회사 정전 척 및 상기 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
JP7412124B2 (ja) * 2019-10-18 2024-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及びエッジリングを交換する方法
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11370114B2 (en) 2019-12-09 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Autoteach enclosure system
JP7263225B2 (ja) * 2019-12-12 2023-04-24 東京エレクトロン株式会社 搬送するシステム及び方法
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
JP7192756B2 (ja) * 2019-12-19 2022-12-20 株式会社Sumco 気相成長装置及び気相成長方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
KR20250165690A (ko) * 2020-01-23 2025-11-26 램 리써치 코포레이션 자동화된 회전 사전 정렬을 사용한 에지 링 이송
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
WO2021173498A1 (en) * 2020-02-24 2021-09-02 Lam Research Corporation Semiconductor processing chamber with dual-lift mechanism for edge ring elevation management
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
TWI871434B (zh) * 2020-03-03 2025-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理系統及邊緣環的更換方法
TWI871435B (zh) * 2020-03-03 2025-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板支持台及電漿處理系統
JP7550603B2 (ja) * 2020-03-03 2024-09-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
JP2021150424A (ja) * 2020-03-18 2021-09-27 キオクシア株式会社 エッジリング及びプラズマ処理装置
US11551916B2 (en) * 2020-03-20 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Sheath and temperature control of a process kit in a substrate processing chamber
US12027397B2 (en) 2020-03-23 2024-07-02 Applied Materials, Inc Enclosure system shelf including alignment features
US12444579B2 (en) 2020-03-23 2025-10-14 Lam Research Corporation Mid-ring erosion compensation in substrate processing systems
US12486120B2 (en) 2020-03-23 2025-12-02 Applied Materials, Inc. Substrate processing system carrier
WO2021202136A1 (en) * 2020-04-02 2021-10-07 Lam Research Corporation Cooled edge ring with integrated seals
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
EP3905311A1 (de) * 2020-04-27 2021-11-03 Siltronic AG Verfahren und vorrichtung zum abscheiden einer epitaktischen schicht auf einer substratscheibe aus halbleitermaterial
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
USD954769S1 (en) 2020-06-02 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Enclosure system shelf
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
USD980176S1 (en) 2020-06-02 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Substrate processing system carrier
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
JP7703376B2 (ja) 2020-06-24 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー シリコンを備える層を形成するための方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
US11749543B2 (en) * 2020-07-06 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Chamber matching and calibration
JP7455012B2 (ja) 2020-07-07 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11380575B2 (en) 2020-07-27 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Film thickness uniformity improvement using edge ring and bias electrode geometry
USD1034491S1 (en) 2020-07-27 2024-07-09 Applied Materials, Inc. Edge ring
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
TWI900627B (zh) 2020-08-11 2025-10-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積碳化鋁鈦膜結構於基板上之方法、閘極電極、及半導體沉積設備
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
KR102855073B1 (ko) 2020-08-26 2025-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
US11623321B2 (en) 2020-10-14 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Polishing head retaining ring tilting moment control
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TWI905293B (zh) 2020-10-19 2025-11-21 日商東京威力科創股份有限公司 載置台及基板處理裝置
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
CN112397366B (zh) * 2020-11-05 2023-07-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置及半导体反应腔室
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
JP7530807B2 (ja) * 2020-11-13 2024-08-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理システム及びエッジリングの位置合わせ方法
CN116250072A (zh) * 2020-11-19 2023-06-09 应用材料公司 用于基板极端边缘保护的环
CN114530361B (zh) * 2020-11-23 2024-08-06 中微半导体设备(上海)股份有限公司 下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
JP7534048B2 (ja) * 2021-01-20 2024-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法
WO2022163582A1 (ja) * 2021-01-29 2022-08-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102642683B1 (ko) * 2021-02-09 2024-03-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 반송 방법
CN113097038B (zh) * 2021-02-25 2022-07-15 长江存储科技有限责任公司 刻蚀装置
US12159795B2 (en) 2021-03-08 2024-12-03 Applied Materials, Inc. Enclosure system having walls comprising sidewalls and radio-frequency identifier holder coupled to rear wall
US12360510B2 (en) 2021-04-20 2025-07-15 Lam Research Corporation Large spot spectral sensing to control spatial setpoints
CN115249605A (zh) * 2021-04-27 2022-10-28 中微半导体设备(上海)股份有限公司 聚焦环对准测量装置、系统、方法及等离子体处理装置
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
US11721569B2 (en) 2021-06-18 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining a position of a ring within a process kit
KR102593139B1 (ko) * 2021-07-28 2023-10-25 세메스 주식회사 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230066418A1 (en) * 2021-08-30 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Focus ring for a plasma-based semiconductor processing tool
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102767880B1 (ko) 2021-11-02 2025-02-17 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102427214B1 (ko) * 2021-11-12 2022-08-01 비씨엔씨 주식회사 결합 및 분해가 가능한 반도체용 포커스 링 조립체
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
US20250308859A1 (en) * 2022-05-17 2025-10-02 Lam Research Corporation Edge ring system and corresponding middle, edge, moving, static and bottom rings
JP7715467B2 (ja) * 2022-05-26 2025-07-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びリング部材の位置合わせ方法
WO2024030307A1 (en) * 2022-08-03 2024-02-08 Lam Research Corporation System and method to maintain constant clamping pressure during chamber rebooting and power failure instances
KR102760147B1 (ko) 2022-11-09 2025-02-03 세메스 주식회사 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
US12528207B2 (en) 2022-12-12 2026-01-20 Applied Materials, Inc. Carrier with rotation prevention feature
US20240266179A1 (en) * 2023-02-03 2024-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plasma etch system including tunable plasma sheath
KR20240161340A (ko) * 2023-05-04 2024-11-12 삼성전자주식회사 포커스 링 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201001588A (en) * 2008-02-15 2010-01-01 Applied Materials Inc Millisecond annealing (DSA) edge protection
US20100216313A1 (en) * 2007-10-12 2010-08-26 Panasonic Corproation Plasma processing apparatus

Family Cites Families (462)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3534753A (en) 1968-03-18 1970-10-20 Veriflo Corp Ratio controller for gases
DE2831856B2 (de) 1978-07-20 1981-07-02 Drägerwerk AG, 2400 Lübeck Anordnung zum elektrisch gesteuerten Dosieren und Mischen von Gasen
NL8004005A (nl) 1980-07-11 1982-02-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4431477A (en) 1983-07-05 1984-02-14 Matheson Gas Products, Inc. Plasma etching with nitrous oxide and fluoro compound gas mixture
US4793897A (en) 1987-03-20 1988-12-27 Applied Materials, Inc. Selective thin film etch process
US5190823A (en) 1989-07-31 1993-03-02 General Electric Company Method for improving adhesion of synthetic diamond coatings to substrates
EP0424299A3 (en) 1989-10-20 1991-08-28 International Business Machines Corporation Selective silicon nitride plasma etching
US5304248A (en) 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
US5220515A (en) 1991-04-22 1993-06-15 Applied Materials, Inc. Flow verification for process gas in a wafer processing system apparatus and method
US6165311A (en) 1991-06-27 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6024826A (en) 1996-05-13 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US5376214A (en) 1992-09-22 1994-12-27 Nissan Motor Co., Ltd. Etching device
US5346578A (en) 1992-11-04 1994-09-13 Novellus Systems, Inc. Induction plasma source
US5413145A (en) 1993-04-19 1995-05-09 Texaco Inc. Low-pressure-drop critical flow venturi
US5329965A (en) 1993-07-30 1994-07-19 The Perkin-Elmer Corporation Hybrid valving system for varying fluid flow rate
JP2638443B2 (ja) 1993-08-31 1997-08-06 日本電気株式会社 ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
US5520969A (en) 1994-02-04 1996-05-28 Applied Materials, Inc. Method for in-situ liquid flow rate estimation and verification
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
US6003185A (en) 1994-07-15 1999-12-21 Ontrak Systems, Inc. Hesitation free roller
US5762714A (en) 1994-10-18 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Plasma guard for chamber equipped with electrostatic chuck
US5605179A (en) 1995-03-17 1997-02-25 Insync Systems, Inc. Integrated gas panel
US5886863A (en) 1995-05-09 1999-03-23 Kyocera Corporation Wafer support member
US5683517A (en) 1995-06-07 1997-11-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with programmable reactant gas distribution
US5702530A (en) 1995-06-23 1997-12-30 Applied Materials, Inc. Distributed microwave plasma reactor for semiconductor processing
US6050283A (en) 1995-07-07 2000-04-18 Air Liquide America Corporation System and method for on-site mixing of ultra-high-purity chemicals for semiconductor processing
TW283250B (en) 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
US5907221A (en) 1995-08-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops
JP2713276B2 (ja) * 1995-12-07 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
US6075606A (en) 1996-02-16 2000-06-13 Doan; Trung T. Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates
US5662143A (en) 1996-05-16 1997-09-02 Gasonics International Modular gas box system
US5952060A (en) 1996-06-14 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Use of carbon-based films in extending the lifetime of substrate processing system components
US5879128A (en) 1996-07-24 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Lift pin and support pin apparatus for a processing chamber
US5744695A (en) 1997-01-10 1998-04-28 Sony Corporation Apparatus to check calibration of mass flow controllers
JP3247079B2 (ja) 1997-02-06 2002-01-15 松下電器産業株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US6210593B1 (en) 1997-02-06 2001-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Etching method and etching apparatus
US6062256A (en) 1997-02-11 2000-05-16 Engineering Measurements Company Micro mass flow control apparatus and method
US6376386B1 (en) 1997-02-25 2002-04-23 Fujitsu Limited Method of etching silicon nitride by a mixture of CH2 F2, CH3F or CHF3 and an inert gas
DE19718501A1 (de) 1997-05-02 1998-11-05 Fhp Motors Gmbh Haltevorrichtung für eine Statorwicklung eines Elektromotors
JP2001525997A (ja) * 1997-05-20 2001-12-11 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6388226B1 (en) 1997-06-26 2002-05-14 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US6042687A (en) 1997-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing
JP3586075B2 (ja) 1997-08-15 2004-11-10 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
US6186092B1 (en) * 1997-08-19 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for aligning and controlling edge deposition on a substrate
US6074959A (en) 1997-09-19 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Method manifesting a wide process window and using hexafluoropropane or other hydrofluoropropanes to selectively etch oxide
US20030011619A1 (en) 1997-10-08 2003-01-16 Robert S. Jacobs Synchronization and blending of plural images into a seamless combined image
JP2001522142A (ja) 1997-11-03 2001-11-13 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 改良された低質量ウェハ支持システム
US6106625A (en) 1997-12-02 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride
EP1042787B1 (de) 1997-12-23 2005-03-02 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Haltevorrichtung
US6060400A (en) 1998-03-26 2000-05-09 The Research Foundation Of State University Of New York Highly selective chemical dry etching of silicon nitride over silicon and silicon dioxide
US6048403A (en) 1998-04-01 2000-04-11 Applied Materials, Inc. Multi-ledge substrate support for a thermal processing chamber
US6294466B1 (en) 1998-05-01 2001-09-25 Applied Materials, Inc. HDP-CVD apparatus and process for depositing titanium films for semiconductor devices
US6217937B1 (en) 1998-07-15 2001-04-17 Cornell Research Foundation, Inc. High throughput OMVPE apparatus
JP3830670B2 (ja) 1998-09-03 2006-10-04 三菱電機株式会社 半導体製造装置
JP3076791B2 (ja) 1998-10-19 2000-08-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
US6231716B1 (en) 1998-11-09 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber with rapid wafer exchange
US6022809A (en) 1998-12-03 2000-02-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite shadow ring for an etch chamber and method of using
US6579805B1 (en) 1999-01-05 2003-06-17 Ronal Systems Corp. In situ chemical generator and method
JP2000232149A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Toshiba Corp 半導体ウエハ収納容器の載置位置決め機構
US7150994B2 (en) 1999-03-03 2006-12-19 Symyx Technologies, Inc. Parallel flow process optimization reactor
US6797189B2 (en) 1999-03-25 2004-09-28 Hoiman (Raymond) Hung Enhancement of silicon oxide etch rate and nitride selectivity using hexafluorobutadiene or other heavy perfluorocarbon
WO2000063756A1 (en) 1999-04-16 2000-10-26 Fujikin Incorporated Parallel bypass type fluid feeding device, and method and device for controlling fluid variable type pressure system flow rate used for the device
US6210482B1 (en) 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
US6709547B1 (en) 1999-06-30 2004-03-23 Lam Research Corporation Moveable barrier for multiple etch processes
JP2001023955A (ja) 1999-07-07 2001-01-26 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置
US6508911B1 (en) 1999-08-16 2003-01-21 Applied Materials Inc. Diamond coated parts in a plasma reactor
EP1214459B1 (en) 1999-08-17 2009-01-07 Tokyo Electron Limited Pulsed plasma processing method and apparatus
US6206976B1 (en) 1999-08-27 2001-03-27 Lucent Technologies Inc. Deposition apparatus and related method with controllable edge exclusion
JP4394778B2 (ja) 1999-09-22 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR100315088B1 (ko) 1999-09-29 2001-11-24 윤종용 포커스 링을 갖는 반도체 웨이퍼 제조 장치
JP4592849B2 (ja) 1999-10-29 2010-12-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
US6589352B1 (en) * 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
US6348558B1 (en) 1999-12-10 2002-02-19 Shearwater Corporation Hydrolytically degradable polymers and hydrogels made therefrom
JP4416892B2 (ja) * 2000-01-04 2010-02-17 株式会社アルバック マスク及び真空処理装置
US6605352B1 (en) 2000-01-06 2003-08-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Corrosion and erosion resistant thin film diamond coating and applications therefor
JP2001230239A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
US6451703B1 (en) * 2000-03-10 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Magnetically enhanced plasma etch process using a heavy fluorocarbon etching gas
US6645302B2 (en) 2000-04-26 2003-11-11 Showa Denko Kabushiki Kaisha Vapor phase deposition system
JP2001313329A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Applied Materials Inc 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
JP4422295B2 (ja) * 2000-05-17 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
JP2002009139A (ja) 2000-06-20 2002-01-11 Nikon Corp 静電チャック
TW506234B (en) 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
US20040026149A1 (en) 2000-09-19 2004-02-12 Wilkinson Donald Raymond Occupant restraint
JP2002110570A (ja) 2000-10-04 2002-04-12 Asm Japan Kk 半導体製造装置用ガスラインシステム
US6492774B1 (en) 2000-10-04 2002-12-10 Lam Research Corporation Wafer area pressure control for plasma confinement
US6333272B1 (en) 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
JP3388228B2 (ja) * 2000-12-07 2003-03-17 株式会社半導体先端テクノロジーズ プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法
US6805952B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US6537429B2 (en) 2000-12-29 2003-03-25 Lam Research Corporation Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof
JP4433614B2 (ja) 2001-01-17 2010-03-17 ソニー株式会社 エッチング装置
JP4477784B2 (ja) 2001-02-02 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置機構
EP1233333A1 (en) 2001-02-19 2002-08-21 Hewlett-Packard Company Process for executing a downloadable service receiving restrictive access rights to al least one profile file
KR20020071398A (ko) 2001-03-06 2002-09-12 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 제조에서 건식 식각 장치
US6962879B2 (en) 2001-03-30 2005-11-08 Lam Research Corporation Method of plasma etching silicon nitride
DE10216703A1 (de) 2001-04-20 2002-11-28 Festo Corp Hauppauge Stapelbare Ventilverteileranordnung
KR20040019293A (ko) 2001-05-24 2004-03-05 셀레리티 그룹 아이엔씨 소정 비율의 프로세스 유체를 제공하는 방법 및 장치
US20020189947A1 (en) 2001-06-13 2002-12-19 Eksigent Technologies Llp Electroosmotic flow controller
US6703235B2 (en) 2001-06-25 2004-03-09 Board Of Regents, The University Of Texas System Complex multicellular assemblies ex vivo
US6949704B2 (en) 2001-06-27 2005-09-27 Yamaha Corporation Apparatus for delivering music performance information via communication network and apparatus for receiving and reproducing delivered music performance information
US20030003696A1 (en) 2001-06-29 2003-01-02 Avgerinos Gelatos Method and apparatus for tuning a plurality of processing chambers
JP2003032001A (ja) 2001-07-13 2003-01-31 Murata Mfg Co Ltd 複合高周波スイッチ、高周波モジュール及び通信機
US20030070620A1 (en) 2001-10-15 2003-04-17 Cooperberg David J. Tunable multi-zone gas injection system
AU2002366921A1 (en) 2001-12-13 2003-07-09 Tokyo Electron Limited Ring mechanism, and plasma processing device using the ring mechanism
EP1324033B1 (de) 2001-12-21 2006-09-20 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Verfahren zur Bereitstellung von Volumenströmen von Fluiden
US6766260B2 (en) 2002-01-04 2004-07-20 Mks Instruments, Inc. Mass flow ratio system and method
KR20030065126A (ko) 2002-01-31 2003-08-06 (주) 엠큐브테크놀로지 자기장을 이용한 기기의 자극코일 냉각시스템
US6744212B2 (en) 2002-02-14 2004-06-01 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power density conditions
JP2003282680A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Seiko Epson Corp 基板リフター、クランプリング及び基板処理装置
JP4323764B2 (ja) * 2002-07-16 2009-09-02 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US6868302B2 (en) * 2002-03-25 2005-03-15 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thermal processing apparatus
US7041200B2 (en) 2002-04-19 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Reducing particle generation during sputter deposition
US6814813B2 (en) 2002-04-24 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US20030213560A1 (en) 2002-05-16 2003-11-20 Yaxin Wang Tandem wafer processing system and process
US20040040664A1 (en) 2002-06-03 2004-03-04 Yang Jang Gyoo Cathode pedestal for a plasma etch reactor
JP3856730B2 (ja) 2002-06-03 2006-12-13 東京エレクトロン株式会社 流量制御装置を備えたガス供給設備からのチャンバーへのガス分流供給方法。
US6900877B2 (en) 2002-06-12 2005-05-31 Asm American, Inc. Semiconductor wafer position shift measurement and correction
US6913652B2 (en) 2002-06-17 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Gas flow division in a wafer processing system having multiple chambers
US7552015B2 (en) 2002-06-24 2009-06-23 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for displaying mass flow controller pressure
US7136767B2 (en) 2002-06-24 2006-11-14 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for calibration of mass flow controller
US6810308B2 (en) 2002-06-24 2004-10-26 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for mass flow controller with network access to diagnostics
US6841943B2 (en) 2002-06-27 2005-01-11 Lam Research Corp. Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies
US7903742B2 (en) 2002-07-15 2011-03-08 Thomson Licensing Adaptive weighting of reference pictures in video decoding
US6843882B2 (en) 2002-07-15 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Gas flow control in a wafer processing system having multiple chambers for performing same process
US6938505B2 (en) 2002-08-13 2005-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chamber wafer detection
US6896765B2 (en) * 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
US6895983B2 (en) 2002-09-26 2005-05-24 The Chemithon Corporation Method and apparatus for dividing the flow of a gas stream
US6722642B1 (en) 2002-11-06 2004-04-20 Tokyo Electron Limited High pressure compatible vacuum chuck for semiconductor wafer including lift mechanism
JP4502590B2 (ja) 2002-11-15 2010-07-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体製造装置
US7311784B2 (en) 2002-11-26 2007-12-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing device
KR20040050080A (ko) 2002-12-09 2004-06-16 주식회사 하이닉스반도체 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치
US20040112540A1 (en) 2002-12-13 2004-06-17 Lam Research Corporation Uniform etch system
US7169231B2 (en) 2002-12-13 2007-01-30 Lam Research Corporation Gas distribution system with tuning gas
US6997202B2 (en) 2002-12-17 2006-02-14 Advanced Technology Materials, Inc. Gas storage and dispensing system for variable conductance dispensing of gas at constant flow rate
US6898558B2 (en) 2002-12-31 2005-05-24 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring a material processing system
US20040163601A1 (en) 2003-02-26 2004-08-26 Masanori Kadotani Plasma processing apparatus
US20040168719A1 (en) 2003-02-28 2004-09-02 Masahiro Nambu System for dividing gas flow
US6907904B2 (en) 2003-03-03 2005-06-21 Redwood Microsystems, Inc. Fluid delivery system and mounting panel therefor
JP4286025B2 (ja) 2003-03-03 2009-06-24 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 石英治具の再生方法、再生使用方法および半導体装置の製造方法
JP2004296553A (ja) 2003-03-25 2004-10-21 Ngk Insulators Ltd 半導体製造装置用部材
WO2004097919A1 (ja) 2003-05-02 2004-11-11 Tokyo Electron Limited 処理ガス導入機構およびプラズマ処理装置
CN100350569C (zh) 2003-05-02 2007-11-21 东京毅力科创株式会社 处理气体导入机构和等离子体处理装置
JP2005045210A (ja) 2003-05-12 2005-02-17 Agere Systems Inc マス・フロー制御の方法、フローの検証および較正
JP4500510B2 (ja) 2003-06-05 2010-07-14 東京エレクトロン株式会社 エッチング量検出方法，エッチング方法，およびエッチング装置
CN100454200C (zh) 2003-06-09 2009-01-21 喜开理株式会社 相对压力控制系统和相对流量控制系统
JP4195837B2 (ja) 2003-06-20 2008-12-17 東京エレクトロン株式会社 ガス分流供給装置及びガス分流供給方法
US6955072B2 (en) 2003-06-25 2005-10-18 Mks Instruments, Inc. System and method for in-situ flow verification and calibration
US7064812B2 (en) 2003-08-19 2006-06-20 Tokyo Electron Limited Method of using a sensor gas to determine erosion level of consumable system components
KR100578129B1 (ko) 2003-09-19 2006-05-10 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장치
US7137400B2 (en) 2003-09-30 2006-11-21 Agere Systems Inc. Bypass loop gas flow calibration
JP4399227B2 (ja) 2003-10-06 2010-01-13 株式会社フジキン チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ
US6869348B1 (en) 2003-10-07 2005-03-22 Strasbaugh Retaining ring for wafer carriers
US7129171B2 (en) 2003-10-14 2006-10-31 Lam Research Corporation Selective oxygen-free etching process for barrier materials
US7128806B2 (en) 2003-10-21 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Mask etch processing apparatus
KR20050038898A (ko) 2003-10-23 2005-04-29 삼성전자주식회사 반도체 기판의 건식 식각 장치
US20050155625A1 (en) 2004-01-20 2005-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chamber cleaning method
US7095179B2 (en) 2004-02-22 2006-08-22 Zond, Inc. Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities
US7247348B2 (en) 2004-02-25 2007-07-24 Honeywell International, Inc. Method for manufacturing a erosion preventative diamond-like coating for a turbine engine compressor blade
US7072743B2 (en) 2004-03-09 2006-07-04 Mks Instruments, Inc. Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method
JP2005288853A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Brother Ind Ltd インクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッド
UA87842C2 (uk) 2004-04-29 2009-08-25 Везувіус Крусібл Компані Кристалізатор для кристалізації кремнію та спосіб його виготовлення
US20070066038A1 (en) 2004-04-30 2007-03-22 Lam Research Corporation Fast gas switching plasma processing apparatus
US7708859B2 (en) 2004-04-30 2010-05-04 Lam Research Corporation Gas distribution system having fast gas switching capabilities
JP4407384B2 (ja) 2004-05-28 2010-02-03 株式会社Ｓｕｍｃｏ Ｓｏｉ基板の製造方法
US7412986B2 (en) 2004-07-09 2008-08-19 Celerity, Inc. Method and system for flow measurement and validation of a mass flow controller
US7138067B2 (en) * 2004-09-27 2006-11-21 Lam Research Corporation Methods and apparatus for tuning a set of plasma processing steps
US7338907B2 (en) 2004-10-04 2008-03-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Selective etching processes of silicon nitride and indium oxide thin films for FeRAM device applications
WO2006041169A1 (ja) * 2004-10-15 2006-04-20 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20060124169A1 (en) 2004-12-09 2006-06-15 Tokyo Electron Limited Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method
JP2006173223A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Toshiba Corp プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法
JP4006004B2 (ja) 2004-12-28 2007-11-14 株式会社東芝 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
KR20070114349A (ko) 2004-12-30 2007-12-03 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 광 공진기를 갖는 전자 장치
JP4707421B2 (ja) * 2005-03-14 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置，処理装置の消耗部品管理方法，処理システム，処理システムの消耗部品管理方法
US7376520B2 (en) 2005-03-16 2008-05-20 Lam Research Corporation System and method for gas flow verification
US7621290B2 (en) 2005-04-21 2009-11-24 Mks Instruments, Inc. Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control
US7288482B2 (en) 2005-05-04 2007-10-30 International Business Machines Corporation Silicon nitride etching methods
JP2006344701A (ja) 2005-06-08 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd エッチング装置およびエッチング方法
KR100621778B1 (ko) 2005-06-17 2006-09-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US20070021935A1 (en) 2005-07-12 2007-01-25 Larson Dean J Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber
US7431788B2 (en) 2005-07-19 2008-10-07 Lam Research Corporation Method of protecting a bond layer in a substrate support adapted for use in a plasma processing system
US7322629B2 (en) 2005-07-26 2008-01-29 Intier Automotive Inc. Locking hinge for a door structure
US7291560B2 (en) 2005-08-01 2007-11-06 Infineon Technologies Ag Method of production pitch fractionizations in semiconductor technology
US7344596B2 (en) 2005-08-25 2008-03-18 Crystal Systems, Inc. System and method for crystal growing
US8088248B2 (en) 2006-01-11 2012-01-03 Lam Research Corporation Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system
JP4895167B2 (ja) 2006-01-31 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置，基板処理装置，ガス供給方法
US20070187363A1 (en) 2006-02-13 2007-08-16 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4909609B2 (ja) 2006-03-01 2012-04-04 株式会社東芝 加工形状シミュレーション方法、半導体装置の製造方法及び加工形状シミュレーションシステム
US20070204914A1 (en) 2006-03-01 2007-09-06 Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. Fluid mixing system
US7578258B2 (en) 2006-03-03 2009-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for selective pre-coating of a plasma processing chamber
US20070208427A1 (en) 2006-03-06 2007-09-06 Davidson Marc G Prosthesis for joint replacement
JP4788920B2 (ja) 2006-03-20 2011-10-05 日立金属株式会社 質量流量制御装置、その検定方法及び半導体製造装置
US20070224709A1 (en) * 2006-03-23 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and apparatus, control program and storage medium
US7674337B2 (en) 2006-04-07 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Gas manifolds for use during epitaxial film formation
US8997791B2 (en) 2006-04-14 2015-04-07 Mks Instruments, Inc. Multiple-channel flow ratio controller
US8475625B2 (en) 2006-05-03 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
US8440049B2 (en) 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
US20070283884A1 (en) 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
JP2007332022A (ja) 2006-06-13 2007-12-27 Young Sang Cho 多結晶シリコンインゴット製造装置
US7777152B2 (en) 2006-06-13 2010-08-17 Applied Materials, Inc. High AC current high RF power AC-RF decoupling filter for plasma reactor heated electrostatic chuck
JP4814706B2 (ja) 2006-06-27 2011-11-16 株式会社フジキン 流量比可変型流体供給装置
JP4806598B2 (ja) 2006-07-18 2011-11-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
KR101352365B1 (ko) 2006-08-09 2014-01-16 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
US8196609B2 (en) 2006-08-23 2012-06-12 Horiba Stec, Co., Ltd. Integrated gas panel apparatus
KR20080023569A (ko) 2006-09-11 2008-03-14 주식회사 하이닉스반도체 식각프로파일 변형을 방지하는 플라즈마식각장치
US7757541B1 (en) 2006-09-13 2010-07-20 Pivotal Systems Corporation Techniques for calibration of gas flows
KR100803858B1 (ko) 2006-09-21 2008-02-14 현대자동차주식회사 헬리컬기어 가공용 고정장치
US7309646B1 (en) 2006-10-10 2007-12-18 Lam Research Corporation De-fluoridation process
US7875824B2 (en) 2006-10-16 2011-01-25 Lam Research Corporation Quartz guard ring centering features
WO2008052168A2 (en) 2006-10-26 2008-05-02 Symyx Technologies, Inc. High pressure parallel fixed bed reactor and method
US7964818B2 (en) 2006-10-30 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask etching
US9405298B2 (en) 2006-11-20 2016-08-02 Applied Materials, Inc. System and method to divide fluid flow in a predetermined ratio
US7758698B2 (en) 2006-11-28 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber
US20080121177A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber
KR101444964B1 (ko) 2006-12-05 2014-09-26 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유량제어장치의 검정방법
JP4642115B2 (ja) 2006-12-12 2011-03-02 株式会社堀場エステック 流量比率制御装置
SE530902C2 (sv) 2006-12-19 2008-10-14 Alfa Laval Corp Ab Sektionerad flödesanordning och förfarande för att reglera temperaturen i denna
KR100783062B1 (ko) 2006-12-27 2007-12-07 세메스 주식회사 기판 지지 장치, 플라즈마 식각 장치 및 플라즈마 식각방법
TW200832901A (en) 2007-01-18 2008-08-01 Asustek Comp Inc Filter circuit for reducing EMI of differential signal
US7968469B2 (en) 2007-01-30 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity
US8074677B2 (en) 2007-02-26 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7846497B2 (en) 2007-02-26 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7775236B2 (en) 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7988813B2 (en) 2007-03-12 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Dynamic control of process chemistry for improved within-substrate process uniformity
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2008251681A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Hitachi High-Technologies Corp ウエハステージ
JP2008300387A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Speedfam Co Ltd 局所ドライエッチング装置のエッチングガス流制御装置及び方法
US8062487B2 (en) 2007-06-25 2011-11-22 United Microelectronics Corp. Wafer supporting device of a sputtering apparatus
US8563619B2 (en) 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
US8440157B2 (en) 2007-07-20 2013-05-14 Amg Idealcast Solar Corporation Methods and apparatuses for manufacturing cast silicon from seed crystals
US8202393B2 (en) 2007-08-29 2012-06-19 Lam Research Corporation Alternate gas delivery and evacuation system for plasma processing apparatuses
JP2009060011A (ja) 2007-09-03 2009-03-19 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法
US7832354B2 (en) 2007-09-05 2010-11-16 Applied Materials, Inc. Cathode liner with wafer edge gas injection in a plasma reactor chamber
US8440259B2 (en) 2007-09-05 2013-05-14 Intermolecular, Inc. Vapor based combinatorial processing
US7824146B2 (en) * 2007-09-07 2010-11-02 Advanced Technology Development Facility Automated systems and methods for adapting semiconductor fabrication tools to process wafers of different diameters
JP5459895B2 (ja) 2007-10-15 2014-04-02 Ｃｋｄ株式会社 ガス分流供給ユニット
KR20110130535A (ko) 2007-10-31 2011-12-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 시스템 및 플라즈마 처리 방법
JP2009123795A (ja) 2007-11-13 2009-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US8191397B2 (en) 2007-12-12 2012-06-05 Air Liquide Electronics U.S. Lp Methods for checking and calibrating concentration sensors in a semiconductor processing chamber
US8137463B2 (en) 2007-12-19 2012-03-20 Applied Materials, Inc. Dual zone gas injection nozzle
US8999106B2 (en) 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber
JP5336513B2 (ja) 2007-12-27 2013-11-06 ラム リサーチ コーポレーション 動的アラインメント・ビーム校正のためのシステムおよび方法
US8037894B1 (en) 2007-12-27 2011-10-18 Intermolecular, Inc. Maintaining flow rate of a fluid
JP4585035B2 (ja) 2007-12-27 2010-11-24 株式会社堀場エステック 流量比率制御装置
WO2009091935A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Pivotal Systems Corporation Method and apparatus for in situ testing of gas flow controllers
JP2009188173A (ja) 2008-02-06 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
SG188140A1 (en) 2008-02-08 2013-03-28 Lam Res Corp Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal
WO2009107777A1 (ja) 2008-02-27 2009-09-03 株式会社 東芝 動画像符号化／復号装置
US8969151B2 (en) 2008-02-29 2015-03-03 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrated circuit system employing resistance altering techniques
US8110068B2 (en) 2008-03-20 2012-02-07 Novellus Systems, Inc. Gas flow distribution receptacles, plasma generator systems, and methods for performing plasma stripping processes
CN101978479A (zh) 2008-03-21 2011-02-16 应用材料公司 基材蚀刻系统与制程的方法及设备
CN101552182B (zh) 2008-03-31 2010-11-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种用于半导体制造工艺中的边缘环机构
US9062379B2 (en) 2008-04-16 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
US20090260982A1 (en) 2008-04-16 2009-10-22 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
US8185242B2 (en) 2008-05-07 2012-05-22 Lam Research Corporation Dynamic alignment of wafers using compensation values obtained through a series of wafer movements
RU2011101453A (ru) 2008-06-16 2012-07-27 ДжиТи СОЛАР ИНКОРПОРЕЙТЕД (US) Системы и способы выращивания монокристаллических кремниевых слитков путем направленного отверждения
JP2010034416A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5564043B2 (ja) 2008-08-13 2014-07-30 シエル・インターナシヨネイル・リサーチ・マーチヤツピイ・ベー・ウイ 複数のガス流間のガス流量を制御する方法
US8287650B2 (en) * 2008-09-10 2012-10-16 Applied Materials, Inc. Low sloped edge ring for plasma processing chamber
US8089046B2 (en) 2008-09-19 2012-01-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for calibrating mass flow controllers
KR101592061B1 (ko) 2008-10-31 2016-02-04 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버의 하부 전극 어셈블리
US20100122655A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Tiner Robin L Ball supported shadow frame
KR101644495B1 (ko) 2008-11-25 2016-08-01 쿄세라 코포레이션 웨이퍼 가열 장치, 정전 척, 및 웨이퍼 가열 장치의 제조 방법
US8809196B2 (en) 2009-01-14 2014-08-19 Tokyo Electron Limited Method of etching a thin film using pressure modulation
JP5216632B2 (ja) 2009-03-03 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 流体制御装置
US8291935B1 (en) 2009-04-07 2012-10-23 Novellus Systems, Inc. Flexible gas mixing manifold
JP5071437B2 (ja) * 2009-05-18 2012-11-14 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法
JP2011047930A (ja) 2009-07-31 2011-03-10 Tdk Corp 磁気抵抗効果素子およびセンサ
JP5650935B2 (ja) * 2009-08-07 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
US8409995B2 (en) * 2009-08-07 2013-04-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method
CN102473634B (zh) 2009-08-20 2015-02-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN102550130A (zh) 2009-08-31 2012-07-04 朗姆研究公司 用于执行等离子体约束的多外围环装置
KR101854922B1 (ko) 2009-08-31 2018-05-04 램 리써치 코포레이션 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들
KR20120098751A (ko) 2009-10-26 2012-09-05 솔베이 플루오르 게엠베하 Ｔｆｔ 매트릭스 제조를 위한 식각 공정
US8270141B2 (en) 2009-11-20 2012-09-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced arcing
DE202010015933U1 (de) 2009-12-01 2011-03-31 Lam Research Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Fremont Eine Randringanordnung für Plasmaätzkammern
US20120244715A1 (en) 2009-12-02 2012-09-27 Xactix, Inc. High-selectivity etching system and method
US9127361B2 (en) 2009-12-07 2015-09-08 Mks Instruments, Inc. Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool
JP5650548B2 (ja) 2009-12-25 2015-01-07 株式会社堀場エステック マスフローコントローラシステム
US9324572B2 (en) 2010-03-04 2016-04-26 Tokyo Electron Limited Plasma etching method, method for producing semiconductor device, and plasma etching device
JP2011210853A (ja) 2010-03-29 2011-10-20 Tokyo Electron Ltd 消耗量測定方法
US20110265951A1 (en) 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
US20110265883A1 (en) 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for reducing flow splitting errors using orifice ratio conductance control
JP5584517B2 (ja) 2010-05-12 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
US8826855B2 (en) 2010-06-30 2014-09-09 Lam Research Corporation C-shaped confinement ring for a plasma processing chamber
US8485128B2 (en) 2010-06-30 2013-07-16 Lam Research Corporation Movable ground ring for a plasma processing chamber
BR112013002632B1 (pt) 2010-08-02 2020-01-21 Basell Polyolefine Gmbh processo e aparelho para misturar e dividir correntes de fluido
US9793126B2 (en) 2010-08-04 2017-10-17 Lam Research Corporation Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor
US8869742B2 (en) 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
US8742666B2 (en) 2010-08-06 2014-06-03 Lam Research Corporation Radio frequency (RF) power filters and plasma processing systems including RF power filters
JP2012049376A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8846437B2 (en) 2010-10-01 2014-09-30 Applied Materials, Inc. High efficiency thin film transistor device with gallium arsenide layer
US8633423B2 (en) 2010-10-14 2014-01-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate temperature in a process chamber
US8905074B2 (en) 2010-10-22 2014-12-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling gas distribution using orifice ratio conductance control
EP2649218B1 (en) 2010-12-08 2017-08-23 Evatec AG Apparatus and method for depositing a layer onto a substrate
US20120149213A1 (en) 2010-12-09 2012-06-14 Lakshminarayana Nittala Bottom up fill in high aspect ratio trenches
JP5855921B2 (ja) 2010-12-17 2016-02-09 株式会社堀場エステック ガス濃度調整装置
US9303319B2 (en) 2010-12-17 2016-04-05 Veeco Instruments Inc. Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves
DE102010054875B4 (de) 2010-12-17 2012-10-31 Eagleburgmann Germany Gmbh & Co. Kg Reibungsarmer Gleitring mit kostengünstiger Diamantbeschichtung
US9790594B2 (en) 2010-12-28 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Combination CVD/ALD method, source and pulse profile modification
US8470127B2 (en) 2011-01-06 2013-06-25 Lam Research Corporation Cam-locked showerhead electrode and assembly
JP5719599B2 (ja) * 2011-01-07 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
WO2012125365A2 (en) 2011-03-15 2012-09-20 Gtat Corporation Automated vision system for a crystal growth apparatus
US20120237682A1 (en) * 2011-03-18 2012-09-20 Applied Materials, Inc. In-situ mask alignment for deposition tools
WO2012134512A1 (en) 2011-03-28 2012-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the selective deposition of epitaxial germanium stressor alloys
WO2012133585A1 (ja) 2011-03-29 2012-10-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP6003011B2 (ja) * 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2012222235A (ja) * 2011-04-12 2012-11-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US9059678B2 (en) 2011-04-28 2015-06-16 Lam Research Corporation TCCT match circuit for plasma etch chambers
US20120280429A1 (en) 2011-05-02 2012-11-08 Gt Solar, Inc. Apparatus and method for producing a multicrystalline material having large grain sizes
US8746284B2 (en) 2011-05-11 2014-06-10 Intermolecular, Inc. Apparatus and method for multiple symmetrical divisional gas distribution
CN105977126B (zh) 2011-05-31 2018-12-07 应用材料公司 用于等离子体蚀刻腔室的孔部件
KR101909439B1 (ko) 2011-06-06 2018-10-18 지티에이티 코포레이션 결정성장장치용 히이터 어셈블리
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
CN103620734B (zh) 2011-06-30 2017-02-15 应用材料公司 用于快速气体交换、快速气体切换以及可编程的气体输送的方法与装置
JP5377587B2 (ja) 2011-07-06 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5739261B2 (ja) 2011-07-28 2015-06-24 株式会社堀場エステック ガス供給システム
US8728239B2 (en) 2011-07-29 2014-05-20 Asm America, Inc. Methods and apparatus for a gas panel with constant gas flow
JP5948026B2 (ja) 2011-08-17 2016-07-06 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び処理方法
US20130045605A1 (en) 2011-08-18 2013-02-21 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-nitrogen-containing films
US8849466B2 (en) 2011-10-04 2014-09-30 Mks Instruments, Inc. Method of and apparatus for multiple channel flow ratio controller system
US20130104996A1 (en) 2011-10-26 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Method for balancing gas flow supplying multiple cvd reactors
US8933628B2 (en) 2011-10-28 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with phase control
JP5932599B2 (ja) 2011-10-31 2016-06-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法
US8671733B2 (en) 2011-12-13 2014-03-18 Intermolecular, Inc. Calibration procedure considering gas solubility
US8988848B2 (en) 2011-12-15 2015-03-24 Applied Materials, Inc. Extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
JP5973731B2 (ja) 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
WO2013108750A1 (ja) 2012-01-17 2013-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及びプラズマ処理装置
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
EP2817616B1 (en) 2012-02-22 2017-05-10 Agilent Technologies, Inc. Mass flow controllers and methods for auto-zeroing flow sensor without shutting off a mass flow controller
JP5881467B2 (ja) 2012-02-29 2016-03-09 株式会社フジキン ガス分流供給装置及びこれを用いたガス分流供給方法
US9301383B2 (en) 2012-03-30 2016-03-29 Tokyo Electron Limited Low electron temperature, edge-density enhanced, surface wave plasma (SWP) processing method and apparatus
US20130255784A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Applied Materials, Inc. Gas delivery systems and methods of use thereof
US9682398B2 (en) 2012-03-30 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing system having susceptorless substrate support with enhanced substrate heating control
US9376752B2 (en) * 2012-04-06 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Edge ring for a deposition chamber
WO2013162842A1 (en) 2012-04-25 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Wafer edge measurement and control
US9948214B2 (en) 2012-04-26 2018-04-17 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability
KR101390422B1 (ko) 2012-05-07 2014-04-29 주식회사 제우스 Ｌｃｄ 글라스 기판용 오븐챔버의 리프트 핀 유닛
KR101974420B1 (ko) * 2012-06-08 2019-05-02 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
KR101974422B1 (ko) 2012-06-27 2019-05-02 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US9184030B2 (en) 2012-07-19 2015-11-10 Lam Research Corporation Edge exclusion control with adjustable plasma exclusion zone ring
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US8865602B2 (en) 2012-09-28 2014-10-21 Applied Materials, Inc. Edge ring lip
KR102207992B1 (ko) 2012-10-23 2021-01-26 램 리써치 코포레이션 서브-포화된 원자층 증착 및 등각막 증착
JP5616416B2 (ja) 2012-11-02 2014-10-29 株式会社フジキン 集積型ガス供給装置
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US20140144471A1 (en) 2012-11-28 2014-05-29 Intermolecular, Inc. Contamination Control, Rinsing, and Purging Methods to Extend the Life of Components within Combinatorial Processing Systems
US9090972B2 (en) 2012-12-31 2015-07-28 Lam Research Corporation Gas supply systems for substrate processing chambers and methods therefor
US9997381B2 (en) * 2013-02-18 2018-06-12 Lam Research Corporation Hybrid edge ring for plasma wafer processing
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
JP6473131B2 (ja) * 2013-03-12 2019-02-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 方位角方向及び半径方向分布制御を備えたマルチゾーンガス注入アセンブリ
US9337002B2 (en) 2013-03-12 2016-05-10 Lam Research Corporation Corrosion resistant aluminum coating on plasma chamber components
US20140273460A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Passive control for through silicon via tilt in icp chamber
US9472443B2 (en) 2013-03-14 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Selectively groundable cover ring for substrate process chambers
US9224583B2 (en) 2013-03-15 2015-12-29 Lam Research Corporation System and method for heating plasma exposed surfaces
US9425077B2 (en) 2013-03-15 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
WO2014145360A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Nanonex Corporation Imprint lithography system and method for manufacturing
KR20140132542A (ko) 2013-05-08 2014-11-18 주식회사 미코 세라믹 히터 및 이의 제조 방법
US20160099162A1 (en) 2013-06-26 2016-04-07 Applied Materials, Inc. Single ring design for high yield, substrate extreme edge defect reduction in icp plasma processing chamber
FR3008266B1 (fr) 2013-07-03 2015-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede et systeme d'acces multiple avec multiplexage frequentiel de requetes d'autorisation d'envoi de donnees
US20150010381A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 United Microelectronics Corp. Wafer processing chamber and method for transferring wafer in the same
US9147581B2 (en) 2013-07-11 2015-09-29 Lam Research Corporation Dual chamber plasma etcher with ion accelerator
CN107516626B (zh) 2013-07-19 2021-03-26 朗姆研究公司 用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法
US20150020848A1 (en) 2013-07-19 2015-01-22 Lam Research Corporation Systems and Methods for In-Situ Wafer Edge and Backside Plasma Cleaning
US9816506B2 (en) 2013-07-31 2017-11-14 Trane International Inc. Intermediate oil separator for improved performance in a scroll compressor
US9123661B2 (en) 2013-08-07 2015-09-01 Lam Research Corporation Silicon containing confinement ring for plasma processing apparatus and method of forming thereof
JP6193679B2 (ja) 2013-08-30 2017-09-06 株式会社フジキン ガス分流供給装置及びガス分流供給方法
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US10937634B2 (en) 2013-10-04 2021-03-02 Lam Research Corporation Tunable upper plasma-exclusion-zone ring for a bevel etcher
CN103730318B (zh) 2013-11-15 2016-04-06 中微半导体设备(上海)有限公司 一种晶圆边缘保护环及减少晶圆边缘颗粒的方法
US10804081B2 (en) 2013-12-20 2020-10-13 Lam Research Corporation Edge ring dimensioned to extend lifetime of elastomer seal in a plasma processing chamber
WO2015099892A1 (en) 2013-12-23 2015-07-02 Applied Materials, Inc. Extreme edge and skew control in icp plasma reactor
US20150184287A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Intermolecular, Inc. Systems and Methods for Parallel Combinatorial Vapor Deposition Processing
CN104752141B (zh) 2013-12-31 2017-02-08 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理装置及其运行方法
CN104851832B (zh) 2014-02-18 2018-01-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种固定装置、反应腔室及等离子体加工设备
JP6218650B2 (ja) 2014-03-11 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9580360B2 (en) 2014-04-07 2017-02-28 Lam Research Corporation Monolithic ceramic component of gas delivery system and method of making and use thereof
JP6204869B2 (ja) 2014-04-09 2017-09-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20150340209A1 (en) 2014-05-20 2015-11-26 Micron Technology, Inc. Focus ring replacement method for a plasma reactor, and associated systems and methods
US9026244B1 (en) 2014-05-22 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Presence sensing and position correction for wafer on a carrier ring
US9034771B1 (en) 2014-05-23 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Cooling pedestal for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9318343B2 (en) 2014-06-11 2016-04-19 Tokyo Electron Limited Method to improve etch selectivity during silicon nitride spacer etch
JP6442296B2 (ja) 2014-06-24 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
CN105336561B (zh) 2014-07-18 2017-07-21 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体刻蚀装置
JP5767373B2 (ja) 2014-07-29 2015-08-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにこれを実施するためのプログラムを記憶する記憶媒体
KR20160015510A (ko) 2014-07-30 2016-02-15 삼성전자주식회사 정전척 어셈블리, 이를 구비하는 반도체 제조장치, 및 이를 이용한 플라즈마 처리방법
JP2016046451A (ja) 2014-08-26 2016-04-04 株式会社アルバック 基板処理装置及び基板処理方法
CN107148661B (zh) 2014-10-17 2019-10-18 朗姆研究公司 包括用于可调气流控制的气体分流器的气体供应输送装置
US10242848B2 (en) 2014-12-12 2019-03-26 Lam Research Corporation Carrier ring structure and chamber systems including the same
US20160181116A1 (en) 2014-12-18 2016-06-23 Lam Research Corporation Selective nitride etch
US9865437B2 (en) 2014-12-30 2018-01-09 Applied Materials, Inc. High conductance process kit
CN107112265B (zh) 2015-01-09 2020-12-04 应用材料公司 基板传送机构
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US11605546B2 (en) 2015-01-16 2023-03-14 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US20170263478A1 (en) 2015-01-16 2017-09-14 Lam Research Corporation Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring
TW201634738A (zh) 2015-01-22 2016-10-01 應用材料股份有限公司 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器
US9911620B2 (en) 2015-02-23 2018-03-06 Lam Research Corporation Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride
US9966270B2 (en) 2015-03-31 2018-05-08 Lam Research Corporation Gas reaction trajectory control through tunable plasma dissociation for wafer by-product distribution and etch feature profile uniformity
US10957561B2 (en) 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10153136B2 (en) 2015-08-04 2018-12-11 Lam Research Corporation Hollow RF feed with coaxial DC power feed
US9499289B1 (en) 2015-08-14 2016-11-22 Extreme Packaging Machinery, Inc. Film edge sealing device
KR101805552B1 (ko) 2015-08-31 2017-12-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10879041B2 (en) 2015-09-04 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of achieving high input impedance without using ferrite materials for RF filter applications in plasma chambers
US9837286B2 (en) 2015-09-04 2017-12-05 Lam Research Corporation Systems and methods for selectively etching tungsten in a downstream reactor
JP6541565B2 (ja) 2015-09-25 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10044338B2 (en) 2015-10-15 2018-08-07 Lam Research Corporation Mutually induced filters
US20170115657A1 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
JP6888007B2 (ja) 2016-01-26 2021-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハエッジリングの持ち上げに関する解決
WO2017131927A1 (en) 2016-01-26 2017-08-03 Applied Materials, Inc. Wafer edge ring lifting solution
US9640409B1 (en) 2016-02-02 2017-05-02 Lam Research Corporation Self-limited planarization of hardmask
DE102016202071A1 (de) 2016-02-11 2017-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Elektrischer Leiter für eine elektrische Maschine mit erhöhtem Leistungsgewicht und elektrische Komponente für die elektrische Maschine
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
CN107093569B (zh) 2016-02-18 2019-07-05 北京北方华创微电子装备有限公司 一种晶片定位装置及反应腔室
JP7098273B2 (ja) 2016-03-04 2022-07-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ユニバーサルプロセスキット
JP6896754B2 (ja) 2016-03-05 2021-06-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 物理的気相堆積プロセスにおけるイオン分画を制御するための方法および装置
US20170278679A1 (en) 2016-03-24 2017-09-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling process within wafer uniformity
US10312121B2 (en) 2016-03-29 2019-06-04 Lam Research Corporation Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems
US11011353B2 (en) 2016-03-29 2021-05-18 Lam Research Corporation Systems and methods for performing edge ring characterization
WO2017196540A1 (en) 2016-05-13 2017-11-16 Applied Materials, Inc. Sensor based auto-calibration wafer
DE102016212780A1 (de) 2016-07-13 2018-01-18 Siltronic Ag Vorrichtung zur Handhabung einer Halbleiterscheibe in einem Epitaxie-Reaktor und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht
JP6635888B2 (ja) 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
US10096471B2 (en) 2016-08-04 2018-10-09 Lam Research Corporation Partial net shape and partial near net shape silicon carbide chemical vapor deposition
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US10921251B2 (en) 2016-08-22 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Chamber component part wear indicator and a system for detecting part wear
US10262887B2 (en) 2016-10-20 2019-04-16 Lam Research Corporation Pin lifter assembly with small gap
US10541168B2 (en) 2016-11-14 2020-01-21 Lam Research Corporation Edge ring centering method using ring dynamic alignment data
US10510516B2 (en) 2016-11-29 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Moving focus ring for plasma etcher
JP6812224B2 (ja) 2016-12-08 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台
US10910195B2 (en) 2017-01-05 2021-02-02 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US11404249B2 (en) 2017-03-22 2022-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US10504738B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Focus ring for plasma etcher
KR101927936B1 (ko) 2017-06-09 2018-12-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN113707530B (zh) 2017-07-24 2024-07-30 朗姆研究公司 可移动的边缘环设计
SG11201907515WA (en) 2017-11-21 2019-09-27 Lam Res Corp Bottom and middle edge rings
US11387134B2 (en) 2018-01-19 2022-07-12 Applied Materials, Inc. Process kit for a substrate support
US10591934B2 (en) 2018-03-09 2020-03-17 Lam Research Corporation Mass flow controller for substrate processing
US10790123B2 (en) 2018-05-28 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US11093605B2 (en) 2018-06-28 2021-08-17 Cisco Technology, Inc. Monitoring real-time processor instruction stream execution
US10760944B2 (en) 2018-08-07 2020-09-01 Lam Research Corporation Hybrid flow metrology for improved chamber matching
US11798789B2 (en) 2018-08-13 2023-10-24 Lam Research Corporation Replaceable and/or collapsible edge ring assemblies for plasma sheath tuning incorporating edge ring positioning and centering features
JP7115942B2 (ja) 2018-09-06 2022-08-09 東京エレクトロン株式会社 載置台、基板処理装置、エッジリング及びエッジリングの搬送方法
KR102904924B1 (ko) 2019-03-06 2025-12-26 램 리써치 코포레이션 기판 프로세싱 시스템을 위한 조정가능한 에지 링의 두께를 측정하기 위한 측정 시스템
TWM593655U (zh) 2019-05-10 2020-04-11 美商蘭姆研究公司 半導體製程模組的中環
US12142466B2 (en) 2019-06-06 2024-11-12 Lam Research Corporation Automated transfer of edge ring requiring rotational alignment
TWM602283U (zh) 2019-08-05 2020-10-01 美商蘭姆研究公司 基板處理系統用之具有升降銷溝槽的邊緣環
CN114223054A (zh) 2019-08-14 2022-03-22 朗姆研究公司 衬底处理系统的可移动边缘环
US11823937B2 (en) 2019-08-19 2023-11-21 Applied Materials, Inc. Calibration of an aligner station of a processing system
JP2021040011A (ja) 2019-09-02 2021-03-11 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置
US11443923B2 (en) 2019-09-25 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus for fabricating a semiconductor structure and method of fabricating a semiconductor structure
KR102747645B1 (ko) 2019-10-10 2024-12-27 삼성전자주식회사 정전 척 및 상기 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치
JP7715721B2 (ja) 2020-02-19 2025-07-30 ラム リサーチ コーポレーション 半導体処理チャンバの構成要素を調整する方法
US11759954B2 (en) 2020-03-17 2023-09-19 Applied Materials, Inc. Calibration of an electronics processing system
US12444579B2 (en) 2020-03-23 2025-10-14 Lam Research Corporation Mid-ring erosion compensation in substrate processing systems
KR20230079226A (ko) 2020-10-05 2023-06-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 시스템들을 위한 이동 가능한 (moveable) 에지 링들

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100216313A1 (en) * 2007-10-12 2010-08-26 Panasonic Corproation Plasma processing apparatus
TW201001588A (en) * 2008-02-15 2010-01-01 Applied Materials Inc Millisecond annealing (DSA) edge protection

Also Published As

Publication number Publication date
US20240355667A1 (en) 2024-10-24
US10658222B2 (en) 2020-05-19
CN105810609B (zh) 2021-06-25
SG10201600319VA (en) 2016-08-30
KR102537053B1 (ko) 2023-05-25
JP2021073705A (ja) 2021-05-13
KR20260002335A (ko) 2026-01-06
JP2019024109A (ja) 2019-02-14
US20190013232A1 (en) 2019-01-10
JP6783521B2 (ja) 2020-11-11
CN110010432A (zh) 2019-07-12
US20210183687A1 (en) 2021-06-17
US12027410B2 (en) 2024-07-02
TWI717638B (zh) 2021-02-01
TW202125697A (zh) 2021-07-01
CN105810609A (zh) 2016-07-27
KR20230144988A (ko) 2023-10-17
SG10201808035YA (en) 2018-10-30
JP6863941B2 (ja) 2021-04-21
KR20160088820A (ko) 2016-07-26
TW201639074A (zh) 2016-11-01
KR20210080300A (ko) 2021-06-30
US20160211166A1 (en) 2016-07-21
TW201901850A (zh) 2019-01-01
SG10201906516XA (en) 2019-08-27
TWI704645B (zh) 2020-09-11
JP2016146472A (ja) 2016-08-12
KR20180110653A (ko) 2018-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI766510B (zh) 半導體晶圓處理期間之邊緣程序控制用的可移動邊緣耦合環
US11605546B2 (en) Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
JP7530874B2 (ja) 可動エッジリング設計
JP6976686B2 (ja) エッジリング特性評価を実行するためのシステムおよび方法
KR20180020876A (ko) 이동 가능한 에지 링 및 가스 주입 조정을 사용하여 웨이퍼 상 cd 균일성의 제어
KR102910385B1 (ko) 베벨 에칭기 (bevel etcher) 를 위한 하부 플라즈마 배제 존 링
CN114207772B (zh) 用于衬底处理系统的边缘环系统