TWI766476B - 體聲波裝置 - Google Patents
體聲波裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI766476B TWI766476B TW109143843A TW109143843A TWI766476B TW I766476 B TWI766476 B TW I766476B TW 109143843 A TW109143843 A TW 109143843A TW 109143843 A TW109143843 A TW 109143843A TW I766476 B TWI766476 B TW I766476B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- electrode
- bulk acoustic
- single crystal
- layer
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 LiTaO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
一種體聲波裝置包括體聲波結構、凸塊、承載器以及封裝體。體聲波結構包括單晶壓電材料層、第一電極、第二電極與聲波反射器。第一與第二電極分別位於單晶壓電材料層的第一表面與第二表面。聲波反射器則是設置於第一電極的表面。凸塊設置於體聲波結構之下，並分別電性連接第一與第二電極。承載器則藉由凸塊分別電性連接至所述第一與第二電極，承載器與所述體聲波結構之間具有間隙。封裝體係位於承載器上並包覆上述體聲波結構，且所述封裝體填滿所述間隙。
Description
本發明是有關於一種體聲波(bulk acoustic wave，BAW)裝置，且特別是有關於一種包含具有單晶壓電材料層的體聲波結構的體聲波裝置。
體聲波結構基本包含兩個金屬電極夾著一個壓電材料層。當施加一電場時於金屬電極時，壓電材料層會因為振動而激發出聲波，且聲波會在壓電材料層裡震盪形成駐波，以減少能量損失。
由於體聲波結構的聲信號是在介質內部傳輸，故其體積可以很小，適於應用在各式可攜式電子產品，如行動通訊產品之帶通濾波器。
然而，在作為帶通濾波器的應用中，對於體聲波結構的頻率規格有相當嚴格的要求，譬如壓電材料層可能因製程的關係不易成長為單晶材料，導致體聲波濾波器的Q值(或稱品質因子)降低，進而影響產品的可靠度。
本發明的體聲波裝置包括體聲波結構、凸塊、承載器以及封裝體。體聲波結構包括單晶壓電材料層、第一電極、第二電極與聲波反射器。第一與第二電極分別位於單晶壓電材料層的第一與第二表面，且第二電極的面積大於或等於單晶壓電材料層的第二表面的面積，且單晶壓電材料層與第二電極的接觸面積等於單晶壓電材料層的第二表面的面積。聲波反射器則是設置於第一電極的表面。凸塊設置於體聲波結構之下，並分別電性連接第一與第二電極，承載器則藉由凸塊分別電性連接至所述第一與第二電極，其中所述承載器與所述無基板的體聲波結構之間具有間隙。封裝體係位於承載器上並包覆上述體聲波結構，且所述封裝體填滿所述間隙。
為讓本發明的上述特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下列舉一些實施例並配合所附圖式來進行更為詳細地說明，但所提供的實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。此外，圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。為了方便理解，下述說明中相同的元件將以相同之符號標示來說明。另外，關於文中所使用「包含」、「包括」、「具有」等等用語，均為開放性的用語；也就是指包含但不限於。而且，文中所提到的方向性用語，例如：「上」、「下」等，僅是用以參考圖式的方向。因此，使用的方向性用語是用來說明，而並非用來限制本發明。
圖1是依照本發明的第一實施例的一種體聲波結構的示意圖。
請參照圖1，第一實施例的體聲波結構100包括單晶壓電材料層102、第一電極104、第二電極106與第一聲波反射器108，其中單晶壓電材料層102的材料例如氮化鋁、LiTaO3
、LiNbO3
、石英或鑽石。在一實施例中，單晶壓電材料層102的厚度例如100nm~200nm之間。第一電極104與第二電極106分別位於單晶壓電材料層102的第一表面102a與第二表面102b，其中第一電極104與第二電極106的材料各自獨立地包括鉬(Mo)、鎢(W)、釕(Ru)、鉭(Ta)、鉑(Pt)、鈦(Ti)、金(Au)或鋁(Al)。至於第一聲波反射器108則是設置於第一電極104的表面104a。第一聲波反射器108包含交互堆疊的第一次層110a以及第二次層110b，如布拉格（Bragg）反射器，其中第一次層110a與第二次層110b分別為阻抗(Z)不同的材料。另，阻抗不同的金屬材料、介電質材料或半導體材料均可適用於第一聲波反射器108的第一次層110a與第二次層110b。在另一實施例中，不同種類的材料也可混合使用作為第一聲波反射器108的第一次層110a與第二次層110b，例如：交互堆疊的金屬材料/介電質材料、交互堆疊的金屬材料/半導體材料、交互堆疊的介電質材料/半導體材料等。如以交互堆疊的金屬材料/介電質材料為例，第一次層110a的材料例如氧化矽(SiO2
)，第二次層110b的材料例如鉬(Mo)。
請繼續參照圖1，本實施例的體聲波結構100並無基板，因此單晶壓電材料層102與第二電極106的接觸面積等於單晶壓電材料層102的第二表面102b的面積，且第二電極106的面積應大於或等於單晶壓電材料層102的第二表面102b的面積，以利線路的設計；以圖1為例，第二電極106的面積是等於單晶壓電材料層102的第二表面102b的面積，但實際上第二電極106可延伸超出單晶壓電材料層102的邊緣。
圖2是第一實施例的另一種體聲波結構的示意圖，其中使用圖1的元件符號來代表相同的構件。
在圖2中，除了單晶壓電材料層102、第一電極104、第二電極106與第一聲波反射器108，於第二電極106的表面106a還設置第二聲波反射器200。第二聲波反射器200包含交互堆疊的第一次層202a以及第二次層202b，其中第一次層202a與第二次層202b的材料選擇可參照第一聲波反射器108中的第一次層110a與第二次層110b，故不再贅述。此外，第二聲波反射器200與第一聲波反射器108交互堆疊的第一次層110a、202a以及第二次層110b、202b可以是相同或不同材料；若以簡化製程的觀點來看，較佳的是兩者材料選擇相同。
圖3是依照本發明的第二實施例的一種體聲波裝置的示意圖。
請參照圖3，第二實施例的體聲波裝置300包括體聲波結構302、凸塊(bump)304、承載器306以及封裝體308。所述體聲波結構302可為第一實施例的體聲波結構，凸塊304則設置於體聲波結構302之下，且凸塊304分別電性連接體聲波結構302內的第一電極(未繪示)與第二電極(未繪示)。雖然圖3中沒有顯示第一與第二電極，但應知第一與第二電極可經由既有技術，將線路拉到體聲波結構302的同一表面，然後可利用覆晶技術（Flip Chip）進行封裝；舉例來說可先形成接點焊墊(contact pad)310，然後在接點焊墊310上形成凸塊304，再將凸塊304正對一承載器306的接點焊墊312，並重熔凸塊304（如使用熱風回流焊），使承載器306的接點焊墊312藉由凸塊304分別電性連接至第一與第二電極。承載器306例如導線架、基板或印刷電路板。而封裝體308位於承載器306上並包覆體聲波結構302。一般而言，承載器306與體聲波結構302之間會有間隙314，因此，封裝體308未填滿間隙314；或者，如圖4所示，體聲波裝置400中的封裝體308可填滿間隙314。若是封裝體308未填滿間隙314，可用圖1或圖2的體聲波結構，且較適合使用只有單一表面有聲波反射器的圖1的體聲波結構。若是封裝體308填滿間隙314，則因為沒有進行反射的空間，所以較適合使用兩面都有聲波反射器的圖2的體聲波結構。另，在體聲波結構302上還可有鈍化層(passivation layer)316作為保護層，其材料例如氧化矽(SiO2
)或耐蝕的高分子材料(polymer)。
圖5A至圖5F是依照本發明的第三實施例的一種體聲波結構的製造流程剖面示意圖。
請先參照圖5A，第三實施例的製造方法先提供一單晶基板500，其材料例如氧化鋅、碳化矽或矽。於單晶基板500上利用如單晶磊晶的方式形成單晶壓電材料層502。由於單晶基板500本身的結構性質，能確保所成長的壓電材料也是單晶，並藉此改善後續形成的體聲波結構的Q值。上述單晶壓電材料層502具有相對的第一表面502a與第二表面502b，且第二表面502b與單晶基板500直接接觸。
請繼續參照圖5A，單晶壓電材料層502的材料例如氮化鋁、LiTaO3
、LiNbO3
、石英或鑽石。若以製程控制的觀點來看，單晶基板500與單晶壓電材料層502之間應具有較高的蝕刻選擇比，譬如單晶基板500與單晶壓電材料層502的蝕刻選擇比大於10:1，較佳是大於20:1。舉例來說，單晶基板500的材料如為氧化鋅，則單晶壓電材料層502的材料可為氮化鋁，但本發明並不限於此。
然後，請參照圖5B，於單晶壓電材料層502的第一表面502a形成第一電極504。形成第一電極504的方法例如濺鍍（sputter）或其它適合的方法。第一電極504的材料選擇可參照第一實施例中的第一電極104，故不再贅述。
之後，請參照圖5C，於第一電極504的表面504a形成第一聲波反射器506，且形成第一聲波反射器506的方式例如交替沉積第一次層508a以及第二次層508b，其中第一次層508a以及第二次層508b的材料選擇可參照第一實施例中的第一聲波反射器108中的第一次層110a與第二次層110b，故不再贅述。
接著，移除單晶基板500，得到如圖5D所示的結構。移除單晶基板500的方法例如濕式蝕刻。若以氧化鋅作為單晶基板500的材料，則可使用六氟化硫(SF6
)或檸檬酸作為蝕刻劑。而且，為保護第一聲波反射器506，還可在移除單晶基板500之前，先在第一聲波反射器506上形成鈍化層510，其材料選擇可參照第二實施例中的鈍化層316，故不再贅述。
然後，請參照圖5E，將圖5D的結構翻轉，並於單晶壓電材料層502的第二表面502b形成第二電極512，其中第二電極512的面積大於或等於單晶壓電材料層502的第二表面502b的面積，且單晶壓電材料層502與第二電極512的接觸面積等於單晶壓電材料層502的第二表面502b的面積。形成第二電極512的方法可參照第一電極504的形成方法；第二電極512的材料選擇則可參照第一實施例中的第二電極106，故不再贅述。
基本上，圖5A至圖5E即可完成單一表面有聲波反射器的體聲波結構的製作。若是需要製造雙面都有聲波反射器的體聲波結構，則可繼續進行圖5F的步驟，於第二電極512的表面512a形成第二聲波反射器514，其中形成第二聲波反射器514的方式可參照形成第一聲波反射器506的方式，且第二聲波反射器514中的第一次層516a以及第二次層516b的材料選擇可參照第一實施例中的第一聲波反射器108中的第一次層110a與第二次層110b，故不再贅述。最後，還可在第二聲波反射器514上形成另一鈍化層518，其材料可參照鈍化層510，故不再贅述。
圖6A至圖6D是依照本發明的第四實施例的一種體聲波裝置的製造流程剖面示意圖。
請先參照圖6A，形成至少一體聲波結構600，且體聲波結構600的製造方法可參照第三實施例，故不再贅述。隨後，於體聲波結構600之下可先形成接點焊墊602，然後在接點焊墊602上形成數個凸塊(bump)604，凸塊604通過接點焊墊602可分別電性連接至體聲波結構600的第一與第二電極(未繪示)。雖然圖6A沒有顯示第一與第二電極，但應知第一與第二電極可經由既有技術，將線路拉到體聲波結構600的同一表面，再於此一表面形成接點焊墊602與凸塊604。另外，形成接點焊墊602之前，在體聲波結構600的表面可先形成鈍化層606作為保護層，其材料選擇可參照第二實施例中的鈍化層316，故不再贅述。
然後，請參照圖6B，透過凸塊604將體聲波結構600覆晶接合至一承載器608，且承載器608相對凸塊604的表面具有接點焊墊610，接合後承載器608與體聲波結構600之間形成有間隙612。所述覆晶接合的方式例如先將凸塊604對準承載器608的接點焊墊610，再重熔凸塊604（如使用熱風回流焊），使承載器608接合於凸塊604，並藉由凸塊604分別電性連接至第一與第二電極。上述承載器608可參照第二實施例的承載器306，故不再贅述。
接著，請參照圖6C，為了進行封裝，可利用加熱與加壓的方式將固態的封裝體614壓往體聲波結構600以進行封裝。
之後，請參照圖6D，在封裝完成的體聲波裝置中，由於封裝體614原本就是固態的，所以並未填滿間隙612，而形成能用於聲波反射的空腔。因此，本實施例的體聲波裝置的製造方法較適合使用只有單一表面有聲波反射器的體聲波結構(如圖5E所示)。
圖7A至圖7C是依照本發明的第五實施例的一種體聲波裝置的製造流程剖面示意圖。
請先參照圖7A，形成至少一體聲波結構700，且體聲波結構700的製造方法可參照第三實施例，故不再贅述。隨後，於體聲波結構700之下形成數個接點焊墊702，然後在接點焊墊702上形成凸塊(bump)704，分別電性連接體聲波結構700的第一與第二電極(未繪示)。另外，形成接點焊墊702之前，在體聲波結構700的表面可先形成鈍化層706作為保護層，其材料選擇可參照第二實施例中的鈍化層316，故不再贅述。
然後，請參照圖7B，透過凸塊704將體聲波結構700覆晶接合至一承載器708的接點焊墊710，且承載器708與體聲波結構700之間形成有間隙712。所述覆晶接合的方式可參照第四實施例，故不再贅述。上述承載器708可參照第二實施例的承載器306，故不再贅述。
接著，請參照圖7C，可使用膠態的封裝材利用注入灌膠等方式進行封裝，以於承載器708上形成封裝體714，並使封裝體714包覆體聲波結構700。由於使用膠態的封裝材，所以封裝體714會填滿間隙712。因此，本實施例的體聲波裝置的製造方法較適合使用較適合使用雙面都有聲波反射器的體聲波結構(如圖5F所示)。
圖8是依照本發明的第六實施例的一種體聲波裝置的示意圖。
請參照圖8，第六實施例的體聲波裝置至少包括多個彼此串接的體聲波結構800a~c、凸塊(bump)802、承載器804與封裝體808。基本上，凸塊802、承載器804與封裝體808均可參照第二實施例，故不再贅述。另外，體聲波結構800a~c還可具有接點焊墊810和鈍化層812、承載器804還可具有接點焊墊814。至於體聲波結構800a~c可具有不同波段(頻率)的濾波效果，因此本實施例的體聲波裝置能進行不同波段應用。雖然圖8顯示三個體聲波結構800a~c，但本發明並不限於此，體聲波結構的數量可依需求增加或減少。
而且，利用第四實施例或第五實施例的方法，也能製造出如圖8所示的體聲波裝置。舉例來說，於圖6B或圖7B的覆晶接合步驟中，可將這些體聲波結構800a~c都接合至承載器804，並透過凸塊802分別電性連接各個體聲波結構800a、800b與800c的第一與第二電極(未繪示)。其中，各個體聲波結構800a、800b與800c的第二電極可透過承載器804內的導線設計彼此串接形成一共用電極(未繪示)，並於各個體聲波結構800a、800b與800c的第一電極施加不同電壓，以達成不同波段應用的目的。另外，圖8雖然顯示封裝體808填滿間隙806的情況，但封裝體808也可以是未填滿間隙806的情況。
綜上所述，本發明利用單晶基板，在其上形成單晶的壓電材料層，因此能有效地改善體聲波結構的Q值，且所製得的體聲波結構並無基板，所以在結構尺寸(厚度)上能符合小型化的產品發展。而且搭配具體的封裝結構，即可作為體聲波裝置(如濾波器)使用。另外，若在同一個體聲波裝置設置具有不同濾波頻率的體聲波結構，還能進行不同波段應用。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、302、600、700、800a、800b、800c:體聲波結構
102、502:單晶壓電材料層
102a、502a:第一表面
102b、502b:第二表面
104、504:第一電極
104a、106a、504a:表面
106、512:第二電極
108、506:第一聲波反射器
110a、202a、508a、516a:第一次層
110b、202b、508b、516b:第二次層
200、514:第二聲波反射器
300、400:體聲波裝置
304、604、704、802:凸塊
306、608、708、804:承載器
308、614、714、808:封裝體
310、312、602、610、702、710、810、814:接點焊墊
314、612、712、806:間隙
316、510、518、606、706、812:鈍化層
500:單晶基板
圖1是依照本發明的第一實施例的一種體聲波結構的示意圖。
圖2是第一實施例的另一種體聲波結構的示意圖。
圖3是依照本發明的第二實施例的一種體聲波裝置的示意圖。
圖4是第二實施例的另一種體聲波裝置的示意圖。
圖5A至圖5F是依照本發明的第三實施例的一種體聲波結構的製造流程剖面示意圖。
圖6A至圖6D是依照本發明的第四實施例的一種體聲波裝置的製造流程剖面示意圖。
圖7A至圖7C是依照本發明的第五實施例的一種體聲波裝置的製造流程剖面示意圖。
圖8是依照本發明的第六實施例的一種體聲波裝置的示意圖。
302:體聲波結構
304:凸塊
306:承載器
308:封裝體
310、312:接點焊墊
314:間隙
316:鈍化層
400:體聲波裝置
Claims (6)
- 一種體聲波裝置，包括：至少一個無基板的體聲波(bulk acoustic wave，BAW)結構，所述無基板的體聲波結構係由以下結構組成：單晶壓電材料層，具有相對的第一表面與第二表面；第一電極，設置於所述單晶壓電材料層的所述第一表面；第二電極，設置於所述單晶壓電材料層的所述第二表面，其中所述第二電極的面積大於或等於所述單晶壓電材料層的所述第二表面的面積，且所述單晶壓電材料層與所述第二電極的接觸面積等於所述單晶壓電材料層的所述第二表面的所述面積；第一聲波反射器，設置於所述第一電極的表面；第二聲波反射器，設置於所述第二電極的表面；第一鈍化層，位於所述第一聲波反射器的表面，其中所述第一鈍化層的材料為氧化矽；以及第二鈍化層，位於所述第二聲波反射器的表面，其中所述第二鈍化層的材料為氧化矽；多數個凸塊，設置於所述無基板的體聲波結構之下，並分別電性連接所述無基板的體聲波結構的所述第一電極與所述第二電極；承載器，藉由所述凸塊分別電性連接至所述第一電極與所述第二電極，其中所述承載器與所述無基板的體聲波結構之間具有 間隙；以及封裝體，位於所述承載器上並包覆所述無基板的體聲波結構，且所述封裝體填滿所述間隙。
- 如請求項1所述的體聲波裝置，其中所述第一鈍化層位於所述無基板的體聲波結構朝向所述承載器的表面上。
- 如請求項1所述的體聲波裝置，其中所述無基板的體聲波結構為多個彼此串接的無基板的體聲波結構。
- 如請求項1所述的體聲波裝置，其中所述第一聲波反射器與所述第二聲波反射器各自包含交互堆疊的多數個第一次層以及多數個第二次層，所述第一次層與所述第二次層分別為阻抗(Z)不同的材料。
- 如請求項1所述的體聲波裝置，其中所述單晶壓電材料層的材料包括氮化鋁、LiTaO3、LiNbO3、石英或鑽石。
- 如請求項1所述的體聲波裝置，其中所述承載器包括導線架、基板或印刷電路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109143843A TWI766476B (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 體聲波裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109143843A TWI766476B (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 體聲波裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202121838A TW202121838A (zh) | 2021-06-01 |
| TWI766476B true TWI766476B (zh) | 2022-06-01 |
Family
ID=77516738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109143843A TWI766476B (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 體聲波裝置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI766476B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI813286B (zh) * | 2022-05-12 | 2023-08-21 | 立積電子股份有限公司 | 聲波裝置及其製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040183400A1 (en) * | 2001-06-30 | 2004-09-23 | Infineon Technologies Ag | Piezoelectric resonator apparatus with acoustic reflector |
| US20050189846A1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-09-01 | Tdk Corporation | Film bulk acoustic wave resonator |
| US7414350B1 (en) * | 2006-03-03 | 2008-08-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic mirror structure for a bulk acoustic wave structure and method for fabricating same |
| CN102577115A (zh) * | 2009-10-09 | 2012-07-11 | 原子能和能源替代品委员会 | 包括表面波滤波器和体波滤波器的声波器件及其制造方法 |
| US20150318461A1 (en) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | Texas Instruments Incorporated | Bulk acoustic wave (baw) device having roughened bottom side |
| CN206163483U (zh) * | 2016-11-15 | 2017-05-10 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 包括薄膜体声波器件裸芯片在内的多芯片模组封装结构 |
-
2018
- 2018-09-05 TW TW109143843A patent/TWI766476B/zh active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040183400A1 (en) * | 2001-06-30 | 2004-09-23 | Infineon Technologies Ag | Piezoelectric resonator apparatus with acoustic reflector |
| US20050189846A1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-09-01 | Tdk Corporation | Film bulk acoustic wave resonator |
| US7414350B1 (en) * | 2006-03-03 | 2008-08-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic mirror structure for a bulk acoustic wave structure and method for fabricating same |
| CN102577115A (zh) * | 2009-10-09 | 2012-07-11 | 原子能和能源替代品委员会 | 包括表面波滤波器和体波滤波器的声波器件及其制造方法 |
| US20150318461A1 (en) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | Texas Instruments Incorporated | Bulk acoustic wave (baw) device having roughened bottom side |
| CN206163483U (zh) * | 2016-11-15 | 2017-05-10 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 包括薄膜体声波器件裸芯片在内的多芯片模组封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202121838A (zh) | 2021-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4248180B2 (ja) | 導電性ミラーを有するバルク音響波共振器 | |
| JP3677409B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP4460612B2 (ja) | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
| US20110214265A1 (en) | Piezoelectric component and manufacturing method thereof | |
| JP4377500B2 (ja) | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 | |
| US11646712B2 (en) | Bulk acoustic wave structure and bulk acoustic wave device | |
| JP6472945B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| US12278616B2 (en) | Electronic device and module including the same | |
| US7291904B2 (en) | Downsized package for electric wave device | |
| US8022594B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| KR100378919B1 (ko) | 범프 전극을 갖는 탄성 표면파 장치 및 그 장치의 제조방법 | |
| JP3722642B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| CN1578134A (zh) | 声表面波元件及其制法、声表面波设备和声表面波双工器 | |
| TWI766476B (zh) | 體聲波裝置 | |
| JP4496652B2 (ja) | 弾性表面波装置とその製造方法 | |
| JP4093021B2 (ja) | 表面実装型ｓａｗフィルタ | |
| CN110495098A (zh) | 电子部件及具备该电子部件的模块 | |
| JP2006295548A (ja) | 表面弾性波デバイス | |
| KR102715045B1 (ko) | Saw 필터 | |
| KR100905875B1 (ko) | 표면탄성파 소자 및 그 제조방법 | |
| JP3647796B2 (ja) | パッケージ基板およびそれを用いた集積回路装置、ならびに集積回路装置の製造方法 | |
| JP2022089712A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| CN120263131A (zh) | 体声波器件制备方法、装置和体声波器件 | |
| JP2022028566A (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP2003152130A (ja) | 集積回路装置 |