TWI764190B - 離子植入系統及透鏡 - Google Patents

Abstract

本文提供用於增加靜電透鏡的操作範圍的方法。具體而 言，提供一種離子植入系統及透鏡。離子植入系統的靜電透鏡可從離子源接收離子束，靜電透鏡包括沿著離子束線的一側設置的第一多個導電束光學器件及沿著離子束線的第二側設置的第二多個導電束光學器件。離子植入系統還可包括與靜電透鏡連通的電源供應器，所述電源供應器可操作以向第一多個導電束光學器件及第二多個導電束光學器件中的至少一者供應電壓及電流，其中電壓及電流使離子束偏轉束偏轉角度，且其中離子束在靜電透鏡內被加速然後被減速。

Description

離子植入系統及透鏡

本公開大體涉及半導體處理，且更具體來說涉及高電流離子植入器。

[相關申請的交叉參考]

本申請是2019年7月15日提出申請的序列號為62/874,192的未決美國臨時專利申請的非臨時申請，所述未決美國臨時專利申請的全部內容併入本申請供參考。

離子植入系統可包括離子源及一系列束線組件。離子源可包括產生離子的腔室。離子源還可包括設置在腔室附近的電源(power source)及提取電極總成。所述束線組件可包括例如質量分析器、第一加速或減速級(acceleration or deceleration stage)、准直器及第二加速或減速級。類似於用於操縱光束的一系列光學透鏡，束線組件可對具有預期物質種類、形狀、能量和/或其他特徵的離子或離子束進行過濾、聚焦及操縱。離子束穿過束線組件，並且可被朝安裝在壓板或夾具上的基板引導。基板可通過有時被稱為多軸旋轉手臂(roplat)的設備在一個或多個維度上移動(例 如，平移、旋轉以及傾斜)。

在高電流下操作的離子植入系統通常在漂移或漂移/減速模式中操作。在這些模式中，從來源提取的離子束以固定的能量沿著束線輸送，且可能在稍後級處被減速到最終能量。然而，這種設計會對束線操作強加某些限制。例如，質量分析磁體通常被設計成輸送某一最大質量能量產品。電氣隔離及電源供應器也被限制於保持特定電壓。

因此，開發一種將允許同時具有全部傳統益處及擴展的最大能量的高電流植入器操作的方法是有益的。

在一種方法中，一種離子植入系統可包括接收離子束的靜電透鏡，所述靜電透鏡包括沿著離子束線的一側設置的第一多個導電束光學器件及沿著所述離子束線的第二側設置的第二多個導電束光學器件。所述離子植入系統還可包括與所述靜電透鏡連通(in communication with)的電源供應器，所述電源供應器能夠操作以向所述第一多個導電束光學器件及所述第二多個導電束光學器件中的至少一者供應電壓及電流，其中所述電壓及所述電流使所述離子束偏轉束偏轉角度(beam deflection angle)，且其中所述離子束在所述靜電透鏡內被加速然後被減速。

在另一種方法中，一種透鏡可包括界定腔室的腔室壁以及位於所述腔室內的第一多個電極及第二多個電極。靜電透鏡可 從離子源接收離子束，其中所述第一多個電極沿著離子束線的一側設置，其中所述第二多個電極沿著所述離子束線的第二側設置，其中向所述第一多個電極及所述第二多個電極中的至少一者供應電壓及電流，以使所述離子束偏轉束偏轉角度，且其中當所述離子束穿過所述腔室時，所述離子束被加速然後被減速。

在又一種方法中，一種離子植入系統可包括接收離子束的靜電透鏡，所述靜電透鏡包括沿著離子束線的一側設置的第一多個導電束光學器件及沿著所述離子束線的第二側設置的第二多個導電束光學器件。所述離子植入系統還可包括與所述靜電透鏡連通的電源供應器，所述電源供應器能夠操作以向所述第一多個導電束光學器件及所述第二多個導電束光學器件中的至少一者供應電壓及電流，其中所述電壓及所述電流使所述離子束偏轉束偏轉角度，且其中所述第一多個導電束光學器件及所述第二多個導電束光學器件中的所述至少一者的所述電壓及所述電流導致所述離子束在所述靜電透鏡內被加速然後被減速。

10:離子植入系統/系統

14:離子源

16:束線組件

18:離子束

24:氣體流

28:饋送源

30:流速控制器

32:電漿泛射式槍

34:質量分析器

35:晶圓

36:第一加速或減速級

37:開口/出口

38:准直器

40、40A、40B:靜電過濾器

46:製程腔室

50:靜電過濾器腔室

52:腔室殼體/腔室壁

53、57:粒子

55:前面

59:側壁

67:視線

70A、70C、70E、70G、70I、70K、70M:頂部導電束光學器件/電極

70B、70D、70F、70H、70J、70L、70N:底部導電束光學器件/電極

72:離子束線/軌跡

76:電源供應器

77:入口隧道

79:入口軸線

82:出口隧道

83:出口軸線

87:區塊特徵

X、Y、Z:軸

β:角度

ρ:束偏轉角度

所述圖式未必按比例繪製。所述圖式僅為表示形式，而並非旨在描繪本公開的具體參數。所述圖式旨在繪示本公開的示例性實施例，且因此不被視為對範圍進行限制。在所述圖式中，相同的編號表示相同的元件。

圖1是示出根據本公開實施例的離子植入系統的示意圖。

圖2是根據本公開實施例的圖1所示的離子植入系統的靜電過濾器的側剖視圖。

圖3是根據本公開實施例的靜電過濾器的側剖視圖。

圖4是根據本公開實施例的靜電過濾器的側剖視圖。

圖5是根據本公開實施例的靜電過濾器的側剖視圖。

現在將參考附圖在下文更充分地闡述根據本公開的離子植入系統、靜電過濾器或透鏡以及方法，在所述附圖中示出本公開的實施例。所述離子植入系統、靜電過濾器及方法可實施為許多不同的形式而不被視為僅限於本文所述的實施例。而是，提供這些實施例是為了使本公開內容將透徹及完整，且將向本領域中的技術人員充分傳達所述系統及方法的範圍。

鑒於通過現有技術而識別的上述缺陷，本文提供允許同時具有全部傳統益處及擴展的最大能量的高電流植入器操作以覆蓋部分中間能量植入器(medium energy implanter)操作空間的離子植入系統、靜電過濾器及方法。離子植入系統的示例性靜電透鏡可從束線組件接收離子束，所述靜電透鏡包括沿著離子束線的一側設置的第一多個導電束光學器件及沿著離子束線的第二側設置的第二多個導電束光學器件。所述離子植入系統還可包括與靜電透鏡連通的電源供應器，所述電源供應器可操作以向第一多個導電束光學器件及第二多個導電束光學器件中的至少一者供應電 壓及電流，其中電壓及電流使離子束偏轉束偏轉角度，且其中當離子束穿過靜電透鏡時，離子束被加速然後被減速。

現在參考圖1，圖中示出根據本公開的示例性系統。離子植入系統(以下被稱為「系統」)10表示製程腔室，所述製程腔室除了其他組件外還含有：用於產生離子束18的離子源14、離子植入器及一系列束線組件16。離子源14可包括用於接收氣體流24並在其中產生離子的腔室。離子源14還可包括設置在腔室附近的電源及提取電極總成。束線組件16可包括例如質量分析器34、第一加速或減速級36、准直器38及可與加速及減速級對應的靜電過濾器(electrostatic filter，EF)40。儘管未示出，但束線組件16還可包括位於靜電過濾器40下游的電漿泛射式槍(plasma flood gun，PFG)。

在示例性實施例中，束線組件16可對具有所需物質種類、形狀、能量及其他特徵的離子或離子束18進行過濾、聚焦及操縱。穿過束線組件16的離子束18可被朝安裝在製程腔室46內的壓板或夾具上的基板引導。如所理解的，基板可在一個或多個維度上移動(例如，平移、旋轉及傾斜)。

如圖所示，可存在可與離子源14的腔室一起操作的一個或多個饋送源28。在一些實施例中，從饋送源28提供的材料可包括源材料和/或其他材料。源材料可含有以離子形式引入到基板中的摻雜劑物質。同時，所述其他材料可包括稀釋劑，所述稀釋劑與源材料一起被引入到離子源14的離子源腔室中以稀釋離子源 14的腔室中的源材料的濃度。所述其他材料還可包括清潔劑(例如，刻蝕劑氣體)，所述清潔劑被引入到離子源14的腔室中並在系統10內輸送以清潔一個或多個束線組件16。

在各種實施例中，可使用不同的物質作為源材料和/或其他材料。源材料和/或其他材料的實例可包括含有硼(B)、碳(C)、氧(O)、鍺(Ge)、磷(P)、砷(As)、矽(Si)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氮(N)、氫(H)、氟(F)及氯(Cl)的原子物質或分子物質。本領域中的一般技術人員將認識到，以上所列物質是非限制性的，且也可使用其他原子物質或分子物質。根據應用而定，所述物質可用作摻雜劑或所述其他材料。具體來說，在一種應用中用作摻雜劑的一種物質在另一種應用中可用作其他材料，反之亦然。

在示例性實施例中，源材料和/或其他材料以氣態或蒸氣形式提供到離子源14的離子源腔室中。如果源材料和/或其他材料是非氣態或非蒸氣形式，則可在饋送源28附近提供蒸發器(未示出)，以將所述材料轉化成氣態或蒸氣形式。為了控制將源材料和/或其他材料提供到系統10中的量及速率，可提供流速控制器30。

靜電過濾器40可被配置成獨立地控制離子束18的偏轉、加速、減速及聚焦。在一個實施例中，靜電過濾器40是垂直靜電能量過濾器(vertical electrostatic energy filter，VEEF)。如以下將更詳細闡述，靜電過濾器40可包括以下電極配置：所述電極配置包括設置在離子束18上方的一組上部電極以及設置在離子束 18下方的一組下部電極。所述一組上部電極及所述一組下部電極可為靜止的並且具有固定位置。所述一組上部電極與所述一組下部電極之間的電勢差也可沿中央離子束軌跡變化，以在沿中央離子束軌跡的每一點反射離子束18的能量，從而獨立地控制離子束18的偏轉、加速、減速和/或聚焦。

儘管不是限制性的，但離子源14可包括電力產生器、電漿激勵器、電漿腔室及電漿本身。電漿源可為電感耦合電漿(inductively-coupled plasma，ICP)源、環形耦合電漿(toroidal coupled plasma，TCP)源、電容耦合電漿(capacitively coupled plasma，CCP)源、螺旋源(helicon source)、電子回旋共振(electron cyclotron resonance，ECR)源、間接加熱式陰極(indirectly heated cathode，IHC)源、輝光放電源、電子束產生的離子源或本領域中的技術人員已知的其他電漿源。

離子源14可產生用於處理基板的離子束18。在各種實施例中，離子束(在橫截面中)可具有目標形狀，例如本領域中已知的點束或帶狀束。在所示笛卡爾坐標系中，離子束18的傳播方向可表示為平行於Z軸，而離子束18的離子的實際軌跡可變化。為了處理基板，可通過在離子源14與晶圓之間建立電壓(電勢)差來使離子束18加速以獲得目標能量。例如，離子源14可耦合到目標電壓(VT)，例如+120kV，其中VT由電壓供應器供應，且被設計成在晶圓處理期間為離子產生目標離子能量。

更具體來說，離子源14可在+120kV電勢下被偏置，而 束線組件16(例如質量分析器34、第一加速或減速級36及准直器38)可在+60kV下被偏置。靜電過濾器40兩端的電壓電勢從+60kV降到0kV。更具體來說，在一些實施例中，在離開靜電過濾器40時增加到0kV之前，靜電過濾器40內的電壓電勢可首先從+60kV降到約-20kV。最後，在此實例中，晶圓可處於0V電勢下。如所展示的，與傳統束線操作相比，例如質量分析器34中的離子束18的能量等束輸送限制沒有改變，且系統10的不同部分兩端的所有電勢降也保持不變。此外，所有電源供應器保持不變。然而，操作空間從傳統的60kV增加到可能的120kV射束。

現在參考圖2，將更詳細地闡述根據示例性實施例的靜電過濾器40。如圖所示，靜電過濾器40包括由腔室殼體52界定的靜電過濾器腔室50。靜電過濾器40還可與一個或多個真空泵(未示出)一起操作，以調節靜電過濾器腔室50的壓力。靜電過濾器40可沿著一端以電漿泛射式槍32為邊界，電漿泛射式槍32具有開口37，以允許離子束(未示出)穿過開口37到達晶圓35。如圖所示，電漿泛射式槍32位於靜電過濾器40與晶圓35之間，且電漿泛射式槍32及晶圓35相對於離子束線72/軌跡72以角度β取向。儘管不是限制性的，但角度β可在5°到30°之間。由於在靜電過濾器腔室50內佈置多個導電束光學器件70A到70N，且由於靜電過濾器40相對於電漿泛射式槍32及晶圓35的取向，靜電過濾器40被認為是「彎曲的」或者不對稱的。

如圖所示，靜電過濾器40可包括一個或多個導電束光學 器件70A到70N，導電束光學器件70A到70N可為沿著離子束線72/軌跡72設置的多個石墨電極棒。在此實施例中，導電束光學器件70A到70N相對於離子束線72/軌跡72以不對稱配置佈置。儘管不是限制性的，但所述多個導電束光學器件70A到70N可包括一組入口電極、一組出口電極及一組或多組抑制/聚焦電極。如圖所示，每組電極對提供空間/開口以允許離子束(例如，帶狀束)從中穿過。

在示例性實施例中，導電束光學器件70A到70N包括彼此電耦合的多對導電件(conductive piece)。作為另一選擇，導電束光學器件70A到70N可為一系列一體式結構(unitary structure)，所述一系列一體式結構分別包括供離子束從中穿過的孔。在所示實施例中，每一電極對的上部部分與下部部分可具有不同的電勢(例如，位於單獨的導電件中)，以使從中穿過的離子束偏轉。儘管導電束光學器件70A到70N被繪示為七(7)對(例如，具有五(5)組抑制/聚焦電極)，但可利用不同數量的元件(或電極)。例如，導電束光學器件70A到70N的配置可利用三(3)到十(10)個電極組的範圍。

在一些實施例中，沿著離子束線72穿過電極的離子束可包含硼或其他元素。離子束的靜電聚焦可通過使用幾個薄電極(例如，抑制/聚焦電極)控制沿著離子束線72的電勢分級來實現。在所示導電束光學器件70A到70N的配置中，離子束在其朝向電漿泛射式槍32及晶圓35行進時可被加速，且偏轉約15°。

在一些實施例中，電源供應器76(例如，直流(direct current，DC)電源供應器)向靜電過濾器40供應電壓及電流。電壓/電流可被供應給導電束光學器件70A到70N，以在靜電過濾器腔室50內產生電漿。在各種實施例中，由電源供應器76提供的電壓及電流可為恒定的或變化的。在一個實施例中，導電束光學器件70A到70N保持在從0.1keV到100keV的一系列DC電勢下。導電束光學器件70A到70N可並聯(例如，單獨)或串聯電驅動，以使得導電束光學器件70A到70N中的每一者能夠均勻和/或獨立地操作。

除了將傳統植入器的操作擴展到更高的能量之外，由靜電過濾器40提供的彎曲的最終加速還具有其他益處。例如，在進入靜電過濾器40之前沿著離子束線72/軌跡72產生的粒子53不能傳播到晶圓35。如果粒子53是中性的，則粒子53將被靜電過濾器40的曲率過濾。如果粒子53帶負電，則粒子53將被靜電過濾器腔室50內的靜電場偏轉回到離子束線72/軌跡72。同時，如果粒子53帶正電，則粒子53將向下彎曲到離子束線72/軌跡72下方的那些導電束光學器件。如所展示的，帶正電的粒子53不會通過電漿泛射式槍32的開口37離開。相反，帶正電的粒子53可撞擊電漿泛射式槍32的前面55。此外，在靜電過濾器40的一個或多個導電束光學器件70A到70N處產生的帶正電的或帶負電的粒子57將不會到達晶圓35。相反，粒子57一般可撞擊腔室殼體52的內部、電漿泛射式槍32的前面55以及界定電漿泛射式槍32 的出口37的側壁59的一部分。

圖3展示靜電過濾器40中的離子束18。在此實施例中，所有的頂部導電束光學器件(例如70A、70C、70E、70G、70I、70K及70M)可被接地(0kV)，而所有的底部導電束光學器件70B、70D、70F、70H、70J、70L及70N可被供電。在各種實施例中，導電束光學器件70A可處於端電勢(terminal potential)下或被接地。儘管不是限制性的，但離子束18可為磷(P+)80kV射束，導電束光學器件70A可具有+30kV的電勢，且導電束光學器件70H、70J及70L可具有-40kV的電勢。

在一些實施例中，靜電過濾器40可不包含減速透鏡通常需要的任何抑制電極。這是可能的，因為與任何導電束光學器件70A到70N及腔室壁52相比，離子束18處於更正的電勢下。將所有的頂部導電束光學器件(例如70A、70C、70E、70G、70I、70K及70M)保持在接地電勢下能夠實現極低的靜電應力，且消除或減少小故障(glitching)。

在使用期間，當離子束18進入靜電過濾器40時，其最初可處於+60kV下。然而，在各種其他實施例中，離子束最初可在+20kV與85kV之間。在此級處，例如，當離子束穿過導電束光學器件70A到70D時，離子束18加速通過靜電過濾器40。在導電束光學器件70C到70F處，離子束18可處於約+10kV下，而在導電束光學器件70G到70J處，離子束可處於約-20kV下。當離子束18穿過導電束光學器件70K到70N時，離子束18朝電 漿泛射式槍32減速。當離子束離開靜電過濾器40時，離子束18及電漿泛射式槍32可為0kV。

在一些實施例中，如圖4的靜電過濾器40A中所展示，底部導電束光學器件70B、70D、70F及70H可被屏蔽以免視線(line of sight)67從晶圓35沉積濺射材料，從而保持底部導電束光學器件70B、70D、70F及70H更乾淨。儘管不是限制性的，但視線67可由導電束光學器件70F以及電漿泛射式槍32的區塊特徵(block feature)87來界定。這種配置將消除或至少減少可能在底部導電束光學器件70B、70D、70F及70H處產生的粒子源，且可消除或至少減少用於頂部導電束光學器件70A、70C、70E、70G的材料剝落的觸發機制。

如圖5所展示，本文闡述的靜電過濾器的彎曲的加速/減速設計還能夠在電極和/或任何被供電的表面上沒有污染的條件下實現離子植入器的高能操作。例如，靜電過濾器40B可為高彎曲角透鏡，其特徵在於入口隧道77具有延伸到由腔室壁52界定的靜電過濾器腔室50中的入口軸線79。靜電過濾器40B還可包括出口隧道82，出口隧道82連接到靜電過濾器40B且界定出口軸線83。如圖所示，入口軸線79及出口軸線83可界定束偏轉角度ρ，在一些實施例中，束偏轉角度ρ可為至少30度。

多個電極70A到70D可界定射束路徑，所述射束路徑表示例如離子束18的平均傳播方向，或者離子束18的中央射線軌跡的位置。在操作中，可對不同的電極70A到70D施加確定的一 組電壓，從而以使離子束遵循射束路徑的方式對離子束進行加速、偏轉及聚焦，所述射束路徑一般遵循入口軸線79及出口軸線82。如此，一個電極(例如電極70B)設置在離子束18的第一側上，意味著在離子束18的左側及下方。其他電極(例如至少三個電極)可設置在離子束18的第二側上，意味著在射束路徑的上方及右側。如圖5所示，在一些實施例中，在不對稱配置中，僅電極70B可設置在射束路徑的第一側上，且至少三個電極(即70A、70C及70D)設置在第二側上。然而，本文中的實施例在上下文中不受限制。

為了方便及清晰起見，例如「頂部」、「底部」、「上部」、「下部」、「垂直」、「水平」、「側向」及「縱向」等用語將在本文中用於闡述這些組件及其構成部分相對於圖中所出現的半導體製造裝置的組件的幾何形狀及取向的相對放置及取向。術語將包括特別提及的用詞、其派生詞以及類似含義的用詞。

本文所使用的以單數敘述且以用詞「一(a或an)」開頭的元件或操作被理解為也可能包括多個元件或操作。此外，參考本公開的「一個實施例」不旨在被解釋為排除也併入所述特徵的其他實施例的存在。

根據本公開的實施例，本文關於電壓(電勢)使用的用語「更正」或「正的更少」、「更大」或「更小」可指兩個不同實體的相對電壓。因此，例如，0V比-5kV「更大」或「更正」，而+10kV比0V「更大」或更正。此外，-10kV比-5kV「正的更少」。 用語「負的更少」、負或「更負」也可指相對電壓。例如，0kV可被稱為比+5kV更負，而+10kV比+5kV負的更少。

鑒於前述內容，通過本文公開的實施例，實現了至少以下優點。本發明實施例提供的第一個優點在於，通過消除過濾器電極(filter electrode)產生的帶負電的粒子衝撞基板的能力，來減少靜電過濾器對基板的直接污染。此外，由本發明實施例提供的另一個優點是消除了間接基板污染，所述間接基板污染是由從基板再濺射的材料在靜電過濾器的電極上積聚而導致的，從而對隨後從電極進行的濺射或剝落形成了額外的污染源。

儘管本文已闡述了本公開的某些實施例，然而本公開不限於此，這是因為本公開的範圍如同本領域將允許及本說明書可能載明的範圍一樣廣。因此，上述說明不應被視為限制性的。本領域中的技術人員將想到處於所附發明申請專利範圍的範圍及精神內的其他修改。

32:電漿泛射式槍

35:晶圓

37:開口/出口

40:靜電過濾器

50:靜電過濾器腔室

52:腔室殼體/腔室壁

53、57:粒子

55:前面

59:側壁

70A、70C、70E、70G、70I、70K、70M:頂部導電束光學器件/電極

70B、70D、70F、70H、70J、70L、70N:底部導電束光學器件/電極

72:離子束線/軌跡

76:電源供應器

β:角度

Claims (20)

1. 一種離子植入系統，包括：接收離子束的靜電透鏡，所述靜電透鏡包括沿著離子束線的一側設置的第一多個導電束光學器件及沿著所述離子束線的第二側設置的第二多個導電束光學器件；以及與所述靜電透鏡連通的電源供應器，所述電源供應器能夠操作以向所述第一多個導電束光學器件及所述第二多個導電束光學器件中的至少一者供應電壓及電流，其中所述電壓及所述電流使所述離子束偏轉束偏轉角度，且其中透過修改所述離子束的電壓電勢，從所述靜電透鏡的入口處的正電壓電勢至所述靜電透鏡內的負電壓電勢以及至所述靜電透鏡的出口處的零電勢，使所述離子束在所述靜電透鏡內被加速然後被減速。
2. 如請求項1所述的離子植入系統，還包括位於所述靜電透鏡與晶圓之間的電漿泛射式槍，其中所述電漿泛射式槍及所述晶圓相對於所述離子束線以一定角度取向。
3. 如請求項2所述的離子植入系統，其中所述晶圓被接地，且其中沿著所述離子束線的質量分析器及准直器處於所述正電壓電勢下。
4. 如請求項3所述的離子植入系統，其中所述正電壓電勢大於或等於所述第一多個導電束光學器件及所述第二多個導電束光學器件的電勢。
5. 如請求項1所述的離子植入系統，其中所述正電壓電勢大於圍繞所述第一多個導電束光學器件及所述第二多個導電束光學器件的腔室壁的電勢。
6. 如請求項1所述的離子植入系統，其中所述離子束以大於0kV的束電勢進入所述靜電透鏡。
7. 如請求項1所述的離子植入系統，其中所述第一多個導電束光學器件被接地。
8. 如請求項7所述的離子植入系統，其中所述電壓及所述電流僅被遞送到所述第二多個導電束光學器件。
9. 如請求項1所述的離子植入系統，其中所述第一多個導電束光學器件及所述第二多個導電束光學器件沒有任何抑制電極。
10. 如請求項1所述的離子植入系統，其中所述第一多個導電束光學器件相對於所述第二多個導電束光學器件以不對稱配置佈置。
11. 如請求項1所述的離子植入系統，還包括入口隧道，所述入口隧道具有延伸到由腔室壁界定的腔室中的入口軸線；及出口隧道，連接到所述腔室且界定出口軸線，其中所述入口軸線及所述出口軸線界定所述束偏轉角度，其之間的所述束偏轉角度為至少30度。
12. 一種透鏡，包括： 界定腔室的腔室壁；位於所述腔室內的第一多個電極及第二多個電極，所述腔室從離子源接收離子束，其中所述第一多個電極沿著離子束線的一側設置，其中所述第二多個電極沿著所述離子束線的第二側設置，其中向所述第一多個電極及所述第二多個電極中的至少一者供應電壓及電流，以使所述離子束偏轉束偏轉角度，且其中當所述離子束穿過所述腔室時，透過修改所述離子束的電壓電勢，從所述腔室的入口處的正電壓電勢至所述腔室內的負電壓電勢以及至所述腔室的出口處的零電勢，使所述離子束被加速然後被減速。
13. 如請求項12所述的透鏡，其中晶圓被接地，且其中沿著所述離子束線的質量分析器及准直器處於所述正電壓電勢下，且其中所述正電壓電勢大於或等於所述第一多個電極及所述第二多個電極的電勢。
14. 如請求項13所述的透鏡，其中所述正電壓電勢大於所述腔室壁的電勢。
15. 如請求項12所述的透鏡，其中所述離子束以20kV與85kV之間的束電勢進入所述腔室。
16. 如請求項12所述的透鏡，其中所述第一多個電極被接地。
17. 如請求項16所述的透鏡，其中所述電壓及所述電流僅被遞送到所述第二多個電極。
18. 如請求項12所述的透鏡，其中所述第一多個電極及所述第二多個電極沒有任何抑制電極，且其中所述第一多個電極相對於所述第二多個電極以不對稱配置佈置。
19. 如請求項12所述的透鏡，還包括：入口隧道，所述入口隧道具有延伸到所述腔室中的入口軸線；以及出口隧道，連接到所述腔室且界定出口軸線，其中所述入口軸線及所述出口軸線界定所述束偏轉角度，其之間的所述束偏轉角度為至少30度。
20. 一種離子植入系統，包括：接收離子束的靜電透鏡，所述靜電透鏡包括沿著離子束線的一側設置的第一多個導電束光學器件及沿著所述離子束線的第二側設置的第二多個導電束光學器件；以及與所述靜電透鏡連通的電源供應器，所述電源供應器能夠操作以向所述第一多個導電束光學器件及所述第二多個導電束光學器件中的至少一者供應電壓及電流，其中所述電壓及所述電流使所述離子束偏轉束偏轉角度，且其中透過修改所述離子束的電壓電勢，從所述靜電透鏡的入口處的正電壓電勢至所述靜電透鏡內的負電壓電勢以及至所述靜電透鏡的出口處的零電勢，使所述第一多個導電束光學器件及所述第二多個導電束光學器件中的所述至少一者的所述電壓及所述電流導致所述離子束在所述靜電透鏡內加速然後減速。

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