TWI764068B

TWI764068B - 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式

Info

Publication number: TWI764068B
Application number: TW108145925A
Authority: TW
Inventors: 曽根新; 堀池亮太; 八田啓希
Original assignee: 日商國際電氣股份有限公司
Priority date: 2019-01-11
Filing date: 2019-12-16
Publication date: 2022-05-11
Also published as: US12359314B2; JP7170750B2; WO2020145084A1; US20210332477A1; TW202105518A; KR102652256B1; KR20210099127A; CN113169069A; CN113169069B; SG11202107574SA; US20250305125A1; JPWO2020145084A1

Abstract

本發明之課題在於抑制以含有氫及氧之氣體為要因的異物發生。

本發明之解決手段在於具有：(a)對在設為第1壓力之處理室內之基板上所形成的膜，供給含有氫及氧之氣體，藉此使膜改質的步驟；(b)在使進行(a)後之處理室內殘留之含有氫及氧之氣體維持氣體狀態的第2壓力下，對處理室內供給惰性氣體，並將處理室內進行排氣，藉此沖洗處理室內的步驟；(c)依使進行(b)後之處理室內減壓至低於第2壓力的第3壓力的方式，對處理室內進行真空抽吸的步驟。

Description

半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式

本發明係關於半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式。

作為半導體裝置之製造步驟的一步驟，有使用H₂O氣體等含有氫及氧之氣體，進行於基板上形成氧化矽膜(SiO膜)等之膜的處理(例如參照專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際專利公開第2013/146632號公報

本發明之目的在於提供可抑制以含有氫及氧之氣體為要因之異物發生的技術。

根據本發明之一態樣，提供一種技術，係進行下述步驟：(a)對在設為第1壓力之處理室內之基板上所形成的膜，供給含有氫及氧之氣體，藉此使上述膜改質的步驟； (b)在使進行(a)後之上述處理室內殘留之上述含有氫及氧之氣體維持氣體狀態的第2壓力下，對上述處理室內供給惰性氣體，並將上述處理室內進行排氣，藉此沖洗上述處理室內的步驟；(c)依使進行(b)後之上述處理室內減壓至低於上述第2壓力的第3壓力的方式，對上述處理室內進行真空抽吸的步驟。

根據本發明，可抑制以含有氫及氧之氣體為要因之異物發生。

115:晶舟升降器

121:控制器

121a:CPU

121b:RAM

121c:記憶裝置

121d:I/O埠

121e:內部匯流排

122:輸入輸出裝置

123:外部記憶裝置

200:晶圓(基板)

201:處理室

202:處理爐

203:反應管

207:加熱器

217:晶舟

217a:晶舟柱

218:隔熱板

219:密封蓋

220:O型環

231:排氣管

232a,232b,232c,232d,232e:氣體供給管

241a,241b,241c,241d,241e:MFC

243a,243b,243c,243d,243e:閥

244:APC閥

245:壓力感測器

246:真空泵

248:聚集型供給系統

249a,249b:噴嘴

250a,250b:氣體供給孔

255:旋轉軸

263:溫度感測器

267:旋轉機構

圖1係本發明一實施形態中適合使用之基板處理裝置之縱型處理爐的概略構成圖，以縱剖面圖顯示處理爐部分的圖。

圖2係本發明一實施形態中適合使用之基板處理裝置之縱型處理爐的概略構成圖，以圖1之A-A線剖面圖顯示處理爐部分的圖。

圖3係本發明一實施形態中適合使用之基板處理裝置之控制器的概略構成圖，以方塊圖顯示控制器之控制系統的圖。

圖4係表示本發明一實施形態之基板處理時序的流程圖。

圖5係表示作為原料而使用之1,1,3,3-四氯-1,3-二矽環丁烷之化學構造式的圖。

圖6係將使用本發明一實施形態之基板處理時序而形成於晶圓上之膜上的顆粒數、與使用比較例之基板處理時序而形成於晶圓上之膜上的顆粒數進行比較而加以表示的圖。

近年來，於半導體裝置(器件)之製造步驟中要求處理溫度之低溫化。隨此，不僅是於作為基板之晶圓上形成膜的成膜步驟，對於用於改善膜特性之改質步驟亦進行研究。

於實施低溫成膜或膜之改質處理時，於處理室內，對其膜有時進行供給H₂O氣體(水分)作為含有氫(H)及氧(O)之氣體的步驟。在進行供給H₂O氣體的步驟後，為了迅速去除處理室內殘留之水分，而有在H₂O氣體供給步驟後立即實施處理室內之真空抽吸(減壓排氣)的情形。此時，暫時氣化的H₂O由於在減壓狀況下發生液化或固化，而有發生水滴或冰的情形。本案發明人等發現，此水滴或冰衝撞至形成於晶圓表面或支撐晶圓之晶舟之晶舟柱等的表面的膜，而發生膜剝離等，故有物理性地發生異物的課題。

針對上述課題，本案發明人等發現，於成膜步驟中或成膜步驟後供給了H₂O氣體後，依仍然維持著H₂O氣體供給時之處理室內之設定壓力的狀態藉氮(N₂)氣置換處理室內(以下稱為同壓N₂沖洗或同壓N₂置換)，其後對處理室內進行真空抽吸及減壓，藉此可減低以H₂O氣體之相變化為起因的異物。本發明係根據本案發明人等所發現之上述見解而完成者。

<本發明之一實施形態>

以下使用圖1~圖5說明本發明之一實施形態。

(1)基板處理裝置之構成

如圖1所示，處理爐202係具有作為加熱機構(溫度調整部)之加熱器207。加熱器207為圓筒形狀，由保持板所支撐而垂直裝設。加熱器207亦具有作為藉由熱使氣體活性化(激發)之活性化機構(激發部)的機能。

於加熱器207內側，與加熱器207呈同心圓狀地配設反應管203。反應管203由例如石英(SiO₂)或碳化矽(SiC)等耐熱性材料所構成，形成為上端閉塞、下端開口的圓筒形狀。於反應管203之筒中空部形成處理室201。處理室201係構成為可收容作為基板之晶圓200。

於處理室201內，噴嘴249a、249b係設置成貫通反應管203之下部側壁。於噴嘴249a、249b分別連接氣體供給管232a、232b。

於氣體供給管232a、232b，由氣流之上游側起依序分別設置屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)241a、241b及屬於開關閥之閥243a、243b。在氣體供給管232a之較閥243a更下游側，連接氣體供給管232c。在氣體供給管232b之較閥243b更下游側，分別連接氣體供給管232d、232e。於氣體供給管232c、232d、232e，由氣流之上游側起依序分別設置MFC 241c、241d、241e及閥243c、243d、243e。

如圖2所示般，噴嘴249a、249b係在反應管203之內壁與晶圓200之間於俯視時呈圓環狀之空間中，分別設置成由反應管203之內壁下部起沿著上部、朝晶圓200之配列方向上方立起。亦即，噴嘴249a、249b係在配列有晶圓200之晶圓配列區域之側方之水平包圍晶圓配列區域之區域，沿著晶圓配列區域而分別設置。於噴嘴249a、249b之側面，分別設置供給氣體之氣體供給孔250a、250b。氣體供給孔250a、250b係分別朝反應管203之中心開口，可朝晶圓200供給氣體。氣體供給孔250a、250b係由反應管203之下部起涵括至上部而設置複數個。

由氣體供給管232a，使例如含有由矽(Si)與碳(C)所構成之環狀構造及鹵素的氣體作為原料(原料氣體)，經由MFC 241a、閥243a、噴嘴249a而朝處理室201內供給。原料係作為Si源及C源而發揮作用。作為原料，可使用例如1,1,3,3-四氯-1,3-二矽環丁烷(C₂H₄Cl₄Si₂，簡稱：TCDSCB)氣體。圖5表示TCDSCB之化學構造式。TCDSCB係含有由Si與C構成的環狀構造，並含有作為鹵素之氯(Cl)。以下，為了方便有時亦將此由Si與C構成的環狀構造簡稱為環狀構造。TCDSCB所含之環狀構造的形狀為四角形。此環狀構造係由Si與C交替鍵結而成，含有四個Si-C鍵，並含有2個Si原子與2個C原子。於此環狀構造之Si鍵結著Cl，於C鍵結著H。亦即，TCDSCB係除了Si-C鍵之外，尚分別含有Si-Cl鍵及C-H鍵。

由氣體供給管232b，將例如含氮(N)氣體作為反應體(反應氣體)，經由MFC 241b、閥243b、噴嘴249b而朝處理室201內供給。作為含N氣體，例如可使用屬於氮化劑(氮化氣體)的氮化氫系氣體。氮化氫系氣體係含有N及H，亦為僅由N及H之二元素所構成的物質，作為N源而發揮作用。作為氮化氫系氣體，例如可使用氨(NH₃)氣。

由氣體供給管232c、232d，使作為惰性氣體之氮(N₂)氣分別經由MFC 241c、241d、閥243c、243d、氣體供給管232a、232b、噴嘴249a、249b而朝處理室201內供給。N₂氣體係作為沖洗氣體、載體氣體、稀釋氣體等而發揮作用。

由氣體供給管232e，將含有H及O的氣體，經由MFC 241e、閥243e、氣體供給管232b、噴嘴249b而朝處理室201內供給。含有H及O之氣體係作為氧化劑(氧化氣體)、亦即作為O源而發揮作用。作為含有H及O之氣體，可使用例如水蒸氣(H₂O氣體)。

主要由氣體供給管232a、MFC 241a、閥243a構成原料供給系統。主要由氣體供給管232b、MFC 241b、閥243b構成氮化劑供給系統。主要由氣體供給管232e、MFC 241e、閥243e構成含有H及O之氣體供給系統。主要由氣體供給管232c、232d、MFC 241c、241d、閥243c、243d構成惰性氣體供給系統。

上述各種供給系統中，任一者或所有之供給系統亦可構成為使閥243a~243e或MFC 241a~241e等聚集而成的聚集型供給系統248。聚集型供給系統248係對氣體供給管232a~232e各者而加以連接，對氣體供給管232a~232e內之各種氣體的供給動作、亦即閥243a~243e之開關動作或MFC 241a~241e進行之流量調整動作等，係構成為由後述控制器121所控制。聚集型供給系統248係構成為一體型、或分割型之聚集單元，可對氣體供給管232a~232e等依聚集單元單位進行裝卸，並構成為可依聚集單元單位進行聚集型供給系統248之維修、交換、增設等。

於反應管203之側壁下方，連接對處理室201內之環境進行排氣的排氣管231。於排氣管231，經由檢測處理室201內壓力之作為壓力檢測器(壓力檢測部)的壓力感測器245及作為壓力控制部(排氣閥)之APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)閥244，連接作為真空排氣裝置的真空泵246。APC閥244係構成為藉由在使真空泵246作動之狀態下開關閥，而可進行處理室201內之真空排氣或真空排氣停止，進而在使真空泵246作動之狀態下，根據藉由壓力感測器245所檢測出之壓力資訊而調節閥開度，藉此而可控制(調整)處理室201內之壓力。主要由排氣管231、壓力感測器245、APC閥244構成排氣系統。亦可考慮將真空泵246含括於排氣系統中。

於反應管203下方，設有可將反應管203下端開口氣密地閉塞之作為爐口蓋體的密封蓋219。密封蓋219係例如由SUS等金屬材料所構成，形成為圓盤狀。於密封蓋219上面，設有與反應管203下端抵接之作為密封構件的O型環220。於密封蓋219下方，設置使後述晶舟217旋轉的旋轉機構267。旋轉機構267之旋轉軸255係貫通密封蓋219而連接至晶舟217。旋轉機構267係構成為藉由使晶舟217旋轉而使晶圓200旋轉。密封蓋219係構成為藉由設置於反應管203外部之作為升降機構的晶舟升降器115而於垂直方向升降。晶舟升降器115係構成為藉由使密封蓋219升降，而將晶圓200於處理室201內外進行搬入及搬出(搬送)的搬送裝置(搬送機構)。

作為基板支撐具的晶舟217係具備複數根之作為基板保持柱的晶舟柱217a構成為，藉由設於各晶舟柱217a的複數個保持溝，使複數片、例如25~200片晶圓200分別以水平姿勢、且以彼此的中心對齊之狀態，於垂直方向上整齊排列而多段地支撐，亦即，隔著間隔而配列。晶舟217係由例如石英或SiC等耐熱性材料所構成。於晶舟217之下部係由例如以石英或SiC等耐熱性材料所構成之隔熱板218依水平姿勢多段地支撐。

於反應管203內，設置有作為溫度檢測器之溫度感測器263。根據藉由溫度感測器263檢測出之溫度資訊而調整對加熱器207之通電狀況，藉此使處理室201內之溫度成為所需之溫度分布。溫度感測器263係沿著反應管203的內壁設置。

如圖3所示般，屬於控制部(控制手段)之控制器121係構成為具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)121a、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)121b、記憶裝置121c、I/O埠121d的電腦。RAM 121b、記憶裝置121c、I/O埠121d係構成為經由內部匯流排121e而可與CPU 121a進行資料交換。控制器121係連接有例如構成為觸控面板等之輸入輸出裝置122。

記憶裝置121c係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)等所構成。於記憶裝置121c內可讀取地儲存有控制基板處理裝置之動作的控制程式，或記載有後述基板處理之程序或條件等的製程配方(recipe)等。製程配方係以將後述基板處理步驟中各程序藉控制器121執行，而可獲得既定之結果之方式組合者，作為程式而發揮功能。以下，將該製程配方或控制程式等統合而亦簡稱為程式。又，製程配方亦簡稱為配方。本說明書中於使用程式一詞的情況有僅含配方單體的情況、有僅含控制程式單體的情況、或含有此二者之情況。RAM 121b係構成為使藉由CPU 121a讀出之程式或資料等暫時地保存之記憶體區域(工作區域)。

I/O埠121d係連接於上述MFC 241a~241e、閥243a~243e 、壓力感測器245、APC閥244、加熱器207、溫度感測器263、真空泵246、旋轉機構267、晶舟升降器115等。

CPU 121a係構成為自記憶裝置121c讀取控制程式並執行，且配合自輸入輸出裝置122之操作指令之輸入等而由記憶裝置121c讀取配方。CPU 121a係構成為可依照讀取之配方的內容，控制利用MFC 241a~241e之各種氣體之流量調整動作、閥243a~243e的開關動作、APC閥244之開關動作及基於壓力感測器245而利用APC閥244之壓力調整動作、真空泵246的啟動及停止、基於溫度感測器263之加熱器207的溫度調整動作、由旋轉機構267進行之晶舟217的旋轉及調節旋轉速度之動作、利用晶舟升降器115之晶舟217的升降動作等。

控制器121係可藉由將由外部記憶裝置123所儲存之上述程式安裝到電腦中而構成。外部記憶裝置123係包括例如HDD等磁碟、CD(Compact Disc，光碟)等光碟、MO(Magneto-optical，磁光碟)等磁光碟、USB(Universal Serial Bus，通用串列匯流排)記憶體等半導體記憶體。記憶裝置121c或外部記憶裝置123係構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，將該統合而亦簡稱為記錄媒體。本說明書中於使用記錄媒體一詞的情況有僅含記憶裝置121c單體的情況、僅含外部記憶裝置123單體的情況、或含有此二者之情況。尚且，對電腦之程式提供，亦可不使用外部記憶裝置123，而使用網路或專用線路等通訊手段來進行。

(2)基板處理步驟

作為使用上述基板處理裝置、半導體裝置的製造步驟之一步驟，針對於作為基板之晶圓200上形成所需膜、進行改質的基板處理時序例，主要使用圖4進行說明。以下的說明中，構成基板處理裝置之各部的動作係藉由控制器121所控制。

圖4所示基板處理時序係進行：對在設為第1壓力之處理室201內之晶圓200上所形成的膜，供給H₂O氣體作為含有H及O之氣體，藉此使膜改質的H₂O退火步驟；在使進行H₂O退火步驟後之處理室201內殘留之H₂O氣體維持氣體狀態的第2壓力下，對處理室201內供給N₂氣體作為惰性氣體，並將處理室201內進行排氣，藉此沖洗處理室201內的同壓N₂沖洗步驟；與依使進行同壓N₂沖洗步驟後之處理室201內減壓至低於第2壓力的第3壓力的方式，對處理室201內進行真空抽吸的真空抽吸步驟。

又，於進行真空抽吸步驟後，進一步施行對改質後之膜進行熱退火的N₂退火步驟。

又，對進行H₂O退火步驟前之處理室201內之晶圓200，藉由進行既定次數之循環而進行於晶圓200上形成含有由Si與C所構成之環狀構造及N之SiCN膜以作為膜的成膜步驟該循環係非同時地進行：供給TCDSCB氣體作為含有由Si與C所構成之環狀構造及作為鹵素之Cl的原料氣體的步驟1；與對晶圓200供給屬於氮化劑之NH₃氣體作為反應氣體的步驟2。有時亦將原料氣體或反應氣體等用於基板處理的氣體總稱為處理氣體。

此基板處理時序中，係在成膜步驟後所進行的H₂O退火步驟中，使SiCN膜改質為SiOCN膜或SiOC膜。為了方便，有時亦將SiOCN 膜或SiOC膜稱為SiOC(N)膜。SiOC(N)膜係成為至少含有由Si與C所構成之環狀構造及O的膜。

尚且，成膜步驟、H₂O退火步驟、同壓N₂沖洗步驟、真空抽吸步驟、N₂退火步驟之各步驟係於非電漿環境下進行。藉由於非電漿環境下進行各步驟，可精度佳地進行各步驟中所產生之反應等，可提高各步驟中進行之處理的控制性。

本說明書中，為了方便，有時將圖4所示基板處理時序如以下方式表示。以下之變形例等之說明中亦使用相同表記。

(TCDSCB→NH₃)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiOC(N)

本說明書中於使用「晶圓」一詞的情況係有意指晶圓本身的情況、或意指晶圓與其表面所形成之既定之層或膜之積層體的情況。本說明書中於使用「晶圓表面」一詞的情況係有意指晶圓本身之表面的情況、或意指晶圓上所形成之既定之層等之表面的情況。本說明書中於記載了「於晶圓上形成既定之層」的情況係有意指於晶圓本身之表面上直接形成既定之層的情況、或意指在晶圓上所形成之層等之上形成既定之層的情況。本說明書中使用「基板」一詞的情況，亦與使用「晶圓」一詞的情況具有相同意義。

(晶圓充填及晶舟裝載)

將複數片之晶圓200裝填(晶圓充填)於晶舟217。其後，如圖1所示般，支撐著複數片晶圓200的晶舟217，係藉由晶舟升降器115而被上舉並朝處理室201內搬入(晶舟裝載)。於此狀態下，密封蓋219係經由O型環220而使反應管203之下端成為密封之狀態。

(壓力調整及溫度調整)

以使處理室201內、亦即晶圓200存在之空間成為所需之壓力(真空度)之方式，藉由真空泵246而進行真空排氣(減壓排氣)。此時，處理室201內之壓力係由壓力感測器245測定，根據此測定出之壓力資訊對APC閥244進行回饋控制。又，以使處理室201內之晶圓200成為所需之處理溫度之方式，藉由加熱器207加熱。此時，以使處理室201內成為所需之溫度分布之方式，根據由溫度感測器263檢測出之溫度資訊而對朝加熱器207之通電狀態進行回饋控制。又，開始藉由旋轉機構267所進行之晶圓200之旋轉。真空泵246之作動、晶圓200之加熱及旋轉之任一者係至少在對晶圓200之處理結束為止之期間持續進行。

(成膜步驟)

其後依序實施以下步驟1及步驟2。

[步驟1]

此步驟係對處理室201內所收容之晶圓200供給TCDSCB氣體而作為原料。具體而言，打開閥243a，使TCDSCB氣體朝氣體供給管232a內流入。TCDSCB氣體係藉由MFC 241a調整流量，經由噴嘴249a而朝處理室201內供給，並自排氣管231排氣。此時，對晶圓200供給TCDSCB 氣體。此時，亦可開啟閥243c、243d，使N₂氣體朝氣體供給管232c、232d內流入。

作為本步驟中之處理條件，可例示：

處理溫度：200~400℃、較佳為250~350℃

處理壓力：133~2666Pa

TCDSCB氣體供給流量：1~2000sccm

N₂氣體供給流量(各氣體供給管)：0~10000sccm

各氣體供給時間：1~120秒、較佳為5~60秒。

尚且，本說明書中之「200~400℃」等之數值範圍的表記，係意指其範圍包括下限值及上限值。例如「200~400℃」係意指「200℃以上且400℃以下」。關於其他數值範圍亦相同。

上述處理條件、尤其溫度條件係可使TCDSCB所含之由Si與C所構成之環狀構造之至少一部分不被破壞而保持(維持)的條件。亦即，上述處理條件係使對晶圓200供給之TCDSCB氣體(複數之TCDSCB分子)所含的複數環狀構造中，至少一部分之環狀構造不被破壞而依原樣保持的條件。亦即，使對晶圓200供給之TCDSCB氣體所含之構成複數環狀構造之複數Si-C鍵中，至少一部分Si-C鍵依原樣保持的條件。如上述，本說明書中有時將由Si與C所構成之環狀構造簡稱為環狀構造。

藉由於上述條件下對晶圓200供給TCDSCB氣體，於晶圓200之最表面上，形成含有環狀構造及作為鹵素之Cl的第1層(初期層)。亦即，形成含有由Si與C所構成之環狀構造及Cl的層作為第1層。第1層中，TCDSCB氣體所含之複數環狀構造中，至少一部分之環狀構造未被破壞而依原樣被攝取。又，第1層中係有包含因構成環狀構造之複數之Si-C鍵中一部分鍵被破壞而生成的鏈狀構造的情形。又，第1層係有包含Si-Cl鍵及C-H鍵中至少一者的情形。

於晶圓200上形成第1層後，關閉閥243a，停止TCDSCB氣體朝處理室201內的供給。然後，對處理室201內進行真空排氣，自處理室201內排除殘留於處理室201內之氣體等。此時，將閥243c、243d開啟，將N₂氣體朝處理室201內供給。N₂氣體係作為沖洗氣體而發揮作用。

作為原料，除了TCDSCB氣體以外，可使用1,1,3,3-四氯-1,3-二矽環戊烷(C₃H₆Cl₄Si₂)氣體等。亦即，原料所含之由Si與C所構成之環狀構造的形狀並不限定於四角形。又，此環狀構造並不限定於使Si與C交替鍵結而成的情形。又，作為原料，亦可使用1,1,3,3-四氟-1,3-二矽環丁烷(C₂H₄F₄Si₂)氣體等。亦即，原料所含鹵素並不限於Cl，亦可為氟(F)、溴(Br)、碘(I)等。

作為惰性氣體，N₂氣體之外，例如可使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等各種稀有氣體。此點係於後述步驟2、沖洗步驟、H₂O退火步驟、同壓N₂沖洗步驟、真空抽吸步驟及N₂退火步驟中亦相同。

[步驟2]

步驟1結束後，對處理室201內之晶圓200、亦即晶圓200上所形成之第1層供給屬於氮化劑之NH₃氣體作為反應體。具體而言，將閥243b~243d之開關控制以與步驟1中閥243a、243c、243d之開關控制相同之程序進行。NH₃氣體係藉由MFC 241b調整流量，經由噴嘴249b而朝處理室201內供給，並自排氣管231排氣。此時，對晶圓200供給NH₃氣體。

本步驟中之處理條件，可例示：

處理溫度：200~400℃、較佳為250~350℃

處理壓力：133~3999Pa

NH₃氣體供給流量：100~10000sccm

氣體供給時間：1~120秒。其他處理條件係設為與步驟1中之處理條件相同。

上述處理條件、尤其溫度條件係可使於步驟1中形成於晶圓200上之第1層中所含之由Si與C所構成之環狀構造之至少一部分不被破壞而保持(維持)的條件。亦即，上述處理條件係使晶圓200上之第1層中所含的複數環狀構造中，至少一部分之環狀構造不被破壞而依原樣保持的條件。亦即，使晶圓200上之第1層中所含之構成複數環狀構造之複數Si-C鍵中，至少一部分Si-C鍵不被切斷而依原樣保持的條件。構成此環狀構造之Si-C鍵牢固，成為C不易由Si脫離的狀態。

藉由於上述條件下對晶圓200供給NH₃氣體，可使第1層之至少一部分改質(氮化)。藉此，由第1層中使Cl或H等脫離，同時可使NH₃氣體所含之N依於N鍵結了H之狀態被攝取至第1層中。亦即，可對構成第1層中所含之環狀構造的Si，使NH₃氣體所含之N依於N鍵結著H之狀態進行鍵結。依此NH狀態鍵結於Si的Si-N鍵較弱，成為N容易由Si脫離的狀態。藉由如此使第1層氮化，可使含有環狀構造及Cl之層的第1層轉換為含有環狀構造及N之層的第2層。

亦即，藉由於上述條件下對晶圓200供給NH₃氣體，可使第1層所含之環狀構造之至少一部分不被破壞而保持著、依原樣被攝取(殘留)至第2層中。亦即，可依使第1層所含之複數環狀構造中至少一部分之環狀構造依其原樣殘留的方式，使第1層之氮化成為不飽和(不飽和氮化)。藉由第1層氮化，於晶圓200上，形成屬於含有由Si與C所構成之環狀構造及N之層的碳氮化矽層(SiCN層)作為第2層。此SiCN層成為含有Si、C及N且不含O的層。又，第2層中所含之C係依保持著由Si與C所構成之環狀構造的狀態，被攝取至第2層中，第2層中所含之N係依N鍵結於H之狀態被攝取至第2層中。亦即，第2層中所含之C係因牢固之Si-C鍵，而成為不易脫離之狀態；第2層中所含之N係因脆弱之Si-N鍵，而成為容易脫離的狀態。

於晶圓200上形成第2層後，關閉閥243b，停止NH₃氣體朝處理室201內的供給。然後，依與步驟1相同的處理程序，自處理室201內排除殘留於處理室201內之氣體等。

作為氮化劑(含N氣體)，除了NH₃氣體之外，可使用二亞胺(N₂H₂)氣體、肼(N₂H₄)氣體、N₃H₈氣體、含有此等之化合物之氣體等。

[實施既定次數]

藉由將非同時、亦即未同期地交互進行步驟1及步驟2的循環進行既定次數(n次，n為1以上之整數)，可於晶圓200上形成屬於含有由Si與C所構成之環狀構造及N之膜的SiCN膜作為第1膜。上述循環較佳係重複複數次。此第1膜(SiCN膜)係含有Si、C及N且不含O之膜，但由於殘留著Cl、及具較弱鍵結的N，故成為容易發生水分之吸收、吸附的膜。

(沖洗步驟)

結束成膜步驟後，由氣體供給管232c、232d之各者將N₂氣體朝處理室201內供給，並由排氣管231排氣。藉此，沖洗處理室201內，將殘留於處理室201內之氣體或反應副產物等由處理室201內去除。

(H₂O退火步驟)

沖洗步驟結束後，依於處理室201內收容了於表面形成有第1膜之晶圓200的狀態，對設為第1壓力之處理室201內之晶圓200、亦即形成於晶圓200上之作為第1膜的SiCN膜，供給H₂O氣體作為含有H及O之氣體。具體而言，將處理室201內之設定壓力(壓力設定值)設定為第1壓力，依處理室201內之實際壓力成為第1壓力之方式，調整(改變)APC閥244之開度、亦即控制(調整)處理室201內之壓力，同時以與步驟1中閥243a、243c、243d之開關控制相同之程序進行閥243e、243c、243d的開關控制。H₂O氣體係藉由MFC 241e調整流量，經由噴嘴249b而朝處理室201內供給，並自排氣管231排氣。此時，對晶圓200供給H₂O氣體。

作為本步驟中之處理條件，可例示：

處理溫度：200~600℃、較佳為250~500℃

處理壓力(第1壓力)：1333~101325Pa、較佳為53329~101325Pa

H₂O氣體供給流量：50~10000sccm

H₂O氣體供給時間：10~360分鐘、較佳為60~360分鐘。其他處理條件係設為與步驟1中之處理條件相同。又，本步驟中之處理壓力(第1壓力)、亦即本步驟中處理室201內之壓力，較佳係高於成膜步驟中處理室201內之壓力。

上述處理條件、尤其是溫度條件及壓力條件係可於使成膜步驟中晶圓200上所形成之第1膜中所含之由Si與C所構成之環狀構造之至少一部分不被破壞而保持(維持)著之狀態下，將第1膜中所含之N置換為O的條件。於此，若處理溫度、處理度壓力過高，則第1膜中所含之環狀構造遭破壞，膜中之C容易脫離。另一方面，若處理溫度、處理壓力過低，則有使第1膜中所含之N置換為O的反應不足之情況。若為上述處理條件，則可一面抑制第1膜中所含之環狀構造的破壞，一面充分產生上述置換反應。

亦即，上述處理條件係使晶圓200上之第1膜中所含之複數環狀構造中至少一部分之環狀構造不被破壞而依原樣保持著，同時使第1膜中所含之N置換為O的條件。亦即，使構成晶圓200上之第1膜中所含之複數環狀構造的複數Si-C鍵中，至少一部分之Si-C鍵不被切斷而依原樣保持著，同時使第1膜中所含之N置換為O的條件。

亦即，於上述條件下，可使第1膜中所含之環狀構造之至少一部分不被破壞而保持著，並將第1膜中所含之N置換為O。亦即，可使第1膜中所含之複數環狀構造中至少一部分之環狀構造，依原樣殘存於膜中，同時使第1膜中所含之N置換為O。

又，如上述，H₂O退火處理前之第1膜中，於構成膜中環狀構造的Si，N依NH狀態鍵結著。此於Si上依NH狀態鍵結N的Si-N鍵脆弱，成為N容易脫離的狀態。又，構成第1膜中之環狀構造的Si-C鍵牢固，成為C不易脫離的狀態。

藉由於上述條件下對第1膜進行H₂O退火處理，使第1膜氧化，可使第1膜中所含之由Si與C所構成之環狀構造(Si-C鍵)之至少一部分保持著，同時可產生使第1膜中所含之N被置換為H₂O氣體所含之O的置換反應。此時，第1膜中所含之N或Cl係與H一起由膜中脫離。如此，藉由利用H₂O氣體而使第1膜氧化，可使含有環狀構造及N之第1膜改質為含有環狀構造及O之第2膜。第2膜成為SiOC膜或SiOCN膜、亦即SiOC(N)膜。又，如此，藉由利用H₂O氣體而使第1膜氧化，可使Cl或具較弱鍵結之N由膜中脫離，藉此可消滅膜中之吸濕點，在H₂O退火處理後第2膜曝露於大氣中時，可抑制大氣中所含水分朝第2膜中的吸收或吸附。另一方面，於H₂O退火處理時，由於第2膜中吸收水分、第2膜含有水分，故第2膜之介電常數增加。

(同壓N₂沖洗步驟)

H₂O退火步驟結束後，依於處理室201內收容了於表面形成有第2膜之晶圓200的狀態，於將殘留於處理室201內之H₂O氣體維持氣體狀態的第2壓力下，朝處理室201內供給N₂氣體，並由排氣管231排氣，沖洗處理室201內。具體而言，進行如下控制，即，將處理室201內之設定壓力(壓力設定值)設定為第2壓力，依處理室201內之實際壓力成為第2壓力之方式，調整(改變)APC閥244之開度、亦即控制(調整)處理室201內之壓力，自氣體供給管232c、232d之各者將N₂氣體朝處理室201內供給，並由排氣管231排氣。N₂氣體係藉由MFC 241c、241d調整流量，經由噴嘴249a、249b而分別朝處理室201內供給，並自排氣管231排氣。藉此，以N₂氣體沖洗處理室201內，將殘留於處理室201內之H₂O氣體置換為N₂氣體，並將殘留於處理室201內之H₂O氣體或反應副產物等由處理室201內去除。

作為本步驟中之處理條件，可例示：

處理溫度：200~600℃、較佳為250~500℃

處理壓力(第2壓力)：1333~101325Pa、較佳為53329~101325Pa、更佳為53329~79993Pa

N₂氣體供給流量：100~10000sccm

N₂氣體供給時間：10~360分鐘、較佳為60~360分鐘。本步驟中之處理溫度、處理壓力(第2壓力)較佳係設為與H₂O退火步驟中之處理溫度、處理壓力(第1壓力)實質上相同。

尤其，較佳為將本步驟中之處理壓力(第2壓力)設為與上述H₂O退火步驟中之處理壓力(第1壓力)實質上相同的壓力，藉此，可使殘留於處理室201內之氣體狀態之H₂O氣體保持氣體狀態而朝處理室201外排出，將處理室201內置換為N₂氣體。

於此，所謂將第2壓力設為與第1壓力實質上相同之壓力，意指使本步驟中之處理壓力(第2壓力)成為與H₂O退火步驟中之處理壓力(第1壓力)同樣或同等之壓力、更佳係相同之壓力。又，在將第2壓力設為此種壓力時，必須使本步驟中之處理室201內之設定壓力成為與 H₂O退火步驟中之處理室201內之設定壓力同樣或同等的壓力、更佳係相同之壓力。

具體而言，實質上相同之壓力係設為包括成為基準之壓力±5%左右的壓力。藉由將第2壓力設為與第1壓力實質上相同的壓力，如同上述，可抑制殘留於處理室201內之H₂O氣體的液化現象或固化現象。又，由於在H₂O退火處理後不需使處理室201內之壓力改變，因此可縮短該份量之處理時間，而提高產量、亦即生產性。

亦即，本步驟中之處理壓力(第2壓力)係較後述真空抽吸步驟中之處理壓力更高的處理壓力，為使殘留於處理室201內之H₂O氣體不液化或不固化的壓力。亦即，本步驟中之處理條件係可避免因殘留於處理室201內之H₂O氣體的液化或固化所造成的水滴或冰之發生的條件。

藉由於上述條件下利用N₂氣體沖洗(置換)處理室201內，於後述真空抽吸步驟所進行的減壓前，可抑制殘留於處理室201內之H₂O氣體的液化或固化，使此H₂O氣體直接依氣體狀態排出。如此，藉由使殘留於處理室201內之H₂O氣體不進行相變化而直接依氣體狀態排出，可抑制因H₂O氣體之液化或固化所造成的水滴或冰之發生，而可抑制水滴或冰對晶圓200之表面或晶舟柱217a等表面所形成之膜的衝撞。藉此，可抑制以水滴或冰對此等膜之衝撞為起因的膜剝離等的發生、以及抑制因此所造成之異物的發生。

尚且，上述處理條件、尤其溫度條件亦為使晶圓200上之第2膜中所含之複數環狀構造中至少一部分之環狀構造不被破壞而依原樣保持的條件。亦即，其亦為使構成晶圓200上之第2膜中所含之複數環狀構造的複數Si-C鍵中，至少一部分Si-C鍵不被切斷而依原樣保持的條件。

(真空抽吸步驟)

同壓N₂沖洗步驟結束後，接著依於處理室201內收容了於表面形成了第2膜之晶圓200的狀態，以使處理室201內減壓至較第2壓力更低之第3壓力的方式，對處理室201內進行真空抽吸。具體而言，依將APC閥244之開度設為全開(full open)之狀態，藉真空泵246對處理室201內進行真空抽吸(減壓排氣)。亦即，依APC閥244之開度固定、完全吸引處理室201內之狀態進行處理室201內之真空抽吸。此時，亦可由氣體供給管232c、232d之各者將N₂氣體朝處理室201內供給，並由排氣管231進行排氣。其中，此時，為了有效率地進行處理室201內之減壓，較佳係將N₂氣體之供給流量設為小於同壓N₂沖洗步驟中之N₂氣體之供給流量。

作為本步驟中之處理條件，可例示：

處理溫度：200~600℃、較佳為250~500℃

處理壓力(第3壓力)：1~100Pa、較佳為1~50Pa

N₂氣體供給流量：0~1000sccm

真空抽吸時間：10~360分鐘、較佳為60~360分鐘。本步驟中之處理溫度較佳係設為與H₂O退火步驟、同壓N₂沖洗步驟中之處理溫度實質上相同之溫度。

藉由於上述條件下對處理室201內進行真空抽吸，可將於同壓N₂沖洗步驟中未由處理室201內去除完之殘留H₂O氣體去除。於同壓N₂沖洗步驟中，可將殘留於處理室201內之H₂O氣體之大部分由處理室201內去除，但有時無法完全去除而於處理室201內殘留著殘留H₂O氣體。藉由於上述條件下實施本步驟，可將於同壓N₂沖洗步驟中未完全去除而殘留於處理室201內之殘留H₂O氣體由處理室201內去除。尚且，由於藉由同壓N₂沖洗步驟將處理室201內之殘留H₂O氣體之大部分去除，故本步驟開始時，處理室201內之H₂O氣體之存在比變得極小。因此，於本步驟中即使進行真空抽吸仍可抑制異物發生。又，本步驟中，由於將APC閥244之開度固定，可不需控制處理室201內之壓力，故可使基板處理之控制簡單化。

尚且，較佳係於同樣或同等、更佳為相同之處理溫度下進行H₂O退火步驟與同壓N₂沖洗步驟與真空抽吸步驟。亦即，較佳係依將晶圓200溫度設為同樣或同等、更佳為相同之溫度的狀態下，進行H₂O退火步驟與同壓N₂沖洗步驟與真空抽吸步驟。更佳係於同樣或同等、又更佳為相同之處理溫度下進行成膜步驟與H₂O退火步驟與同壓N₂沖洗步驟與真空抽吸步驟。亦即，較佳係依將晶圓200溫度設為同樣或同等、更佳為相同溫度的狀態進行成膜步驟與H₂O退火步驟與同壓N₂沖洗步驟與真空抽吸步驟。於此等情況下，不需要變更晶圓200溫度的步驟，因此可縮短該份量之處理時間，而提高產量、亦即生產性。

(N₂退火步驟)

真空抽吸步驟結束後，接著依於處理室201內收容了於表面形成了第2膜之晶圓200的狀態，對處理室201內之晶圓200、亦即形成於晶圓200上之第2膜，進行N₂退火處理作為熱退火處理。此時，由氣體供給管232c、232d之各者將N₂氣體朝處理室201內供給，並由排氣管231進行排氣。N₂氣體係由MFC 241c、241d調整流量，經由噴嘴249a、249b分別朝處理室201內供給，由排氣管231進行排氣。此時，對晶圓200供給N₂氣體。

作為本步驟中之處理條件，可例示：

處理溫度：300~800℃、較佳為400~700℃

處理壓力：67~101325Pa

N₂氣體供給流量：1000~5000sccm

供給時間：10~120分鐘。

上述處理條件係可使H₂O退火步驟中所形成之第2膜中所含之由Si與C所構成之環狀構造之至少一部分不被破壞而保持(維持)著，同時可使第2膜中所含水分脫離的條件。亦即，上述處理條件係使晶圓200上第2膜中所含的複數環狀構造中，至少一部分之環狀構造不被破壞而依原樣保持著，同時可使第2膜中所含之水分脫離的條件。亦即，使晶圓200上第2膜中所含之構成複數環狀構造之複數Si-C鍵中，至少一部分 Si-C鍵不被切斷而依原樣保持著，同時可使第2膜中所含水分脫離的條件。

藉由於上述條件下對第2膜進行N₂退火處理，可使第2膜中所含之由Si與C所構成之環狀構造(Si-C鍵)之至少一部分保持著，同時可使第2膜中所含之H₂O氣體脫離而去除。N₂退火步驟亦稱為水分去除步驟。

亦即，於N₂退火步驟中，使於H₂O退火步驟中物理性地被吸收至膜中的H₂O氣體脫離。藉此，可使N₂退火處理後之第2膜之介電常數降低。又，藉由H₂O退火步驟至N₂退火步驟的一連串步驟，可使N₂退火處理後之第2膜、亦即最終形成於晶圓200上之SiOC(N)膜的吸濕點消滅，在使此膜曝露於大氣中時，可抑制大氣中所含水分吸收或吸附至膜中的情形。

尚且，本實施形態中，係使成膜步驟與H₂O退火步驟與同壓N₂沖洗步驟與真空抽吸步驟與N₂退火步驟依序於同一處理室201內依原位(in-situ)連續進行。此時，形成於晶圓200上之膜不曝露於大氣中，而可連續地進行此等一連串處理。結果，可提高各步驟進行之處理的控制性，進而亦可提升產量、亦即生產性。

(後沖洗及大氣壓恢復)

結束N₂退火步驟後，由氣體供給管232c、232d之各者將N₂氣體朝處理室201內供給，並由排氣管231排氣。藉此，沖洗處理室201內，將殘留於處理室201內之氣體或反應副產物等由處理室201內去除(後沖洗)。其後，將處理室201內之環境置換為惰性氣體(惰性氣體置換)，處理室201內之壓力恢復為常壓(大氣壓恢復)。

(晶舟卸載及晶圓卸除)

其後，藉由晶舟升降器115使密封蓋219下降，使反應管203之下端開口，而且將處理完畢之晶圓200依被晶舟217支撐之狀態從反應管203之下端搬出至反應管203的外部(晶舟卸載)。處理完畢之晶圓200在被搬出至反應管203外部後，由晶舟217被取出(晶圓卸除)。

(3)本實施形態之效果

根據本實施形態，可獲得以下所示一種或複數種效果。

(a)於同壓N₂沖洗步驟中，可將殘留於處理室201內之氣體狀態之H₂O氣體直接依氣體狀態排出，由處理室201內去除。結果，可抑制形成於晶圓表面或晶舟柱等表面之膜的剝離等之發生，以及抑制因其所造成的異物之發生。

(b)於同壓N₂沖洗步驟中，由於不需要變更處理室201內之壓力，因此可縮短該份量之處理時間，而提高產量、亦即生產性。

(c)於同壓N₂沖洗步驟中，可使殘留於處理室201內之H₂O氣體之大部分去除，而使處理室201內之H₂O氣體之存在比極小。藉此，可於其後進行之真空抽吸步驟中抑制異物之發生。

(d)於真空抽吸步驟中，可一面抑制異物之發生，一面將於同壓N₂沖洗步驟中未由處理室201內完全去除之殘留H₂O氣體去除。

(e)於真空抽吸步驟中，由於不需要控制處理室201內之壓力，故可使基板處理之控制簡單化。

(f)藉由將成膜步驟與H₂O退火步驟與同壓N₂沖洗步驟與真空抽吸步驟與N₂退火步驟依序於原位連續進行，可使形成於晶圓200上之膜不致曝露於大氣中，連續地進行此等一連串處理。結果可提高各步驟所進行之處理的控制性，進而亦可提升產量、亦即生產性。

(g)藉由H₂O退火至N₂退火之一連串處理，可使最終形成於晶圓200上之膜的吸濕點消滅，在此膜曝露於大氣中時，可抑制大氣中所含水分吸收或吸附於膜中的情形。

(h)上述效果係於使用TCDSCB氣體以外之原料氣體的情況、或使用NH₃氣體以外之反應氣體的情況、或使用N₂氣體以外之惰性氣體的情況，亦可同樣獲得。

<其他實施形態>

以上具體說明了本發明之實施形態。然而，本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨之範圍內可進行各種變更。

例如，亦可如以下所示處理時序般，於上述成膜步驟中追加供給作為氧化劑之O₂氣體的步驟。亦即，上述成膜步驟中之循環亦可進一步包含供給O₂氣體之步驟。於此處理時序中，例示了與供給TCDSCB氣體之步驟及供給NH₃氣體之步驟分別非同時地進行供給O₂氣體之步驟。於此情況下，仍可獲得與圖4所示處理時序同樣的效果。尚且，此時，進而可將晶圓200上最終形成之SiOC(N)膜之組成比控制為例如富O方向。

(TCDSCB→NH₃→O₂)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiOC(N)

作為氧化劑，亦可取代O₂氣體地，使用例如一氧化二氮(N₂O)氣體、一氧化氮(NO)氣體、H₂O氣體、H₂氣體+O₂氣體。

又，例如，亦可如以下所示處理時序般，於晶圓200上形成氧氮化矽膜(SiON膜)、氧碳氮化矽膜(SiOCN膜)、氧碳化矽膜(SiOC膜)、氧化矽膜(SiO膜)等。亦即，作為原料(原料氣體)，亦可取代TCDSCB氣體地，使用不含環狀構造之原料氣體，例如六氯二矽烷(Si₂Cl₆，簡稱：HCDS)氣體般之鹵矽烷(氯矽烷)原料氣體，或1,1,2,2-四氯-1,2-二甲基二矽烷((CH₃)₂Si₂Cl₄，簡稱：TCDMDS)氣體般之烷基鹵矽烷(烷基氯矽烷)原料氣體，參二甲基胺基矽烷(Si[N(CH₃)₂]₃H，簡稱：3DMAS)氣體或雙二乙基胺基矽烷(SiH₂[N(C₂H₅)₂]₂，簡稱：BDEAS)氣體般之胺基矽烷原料氣體。又，作為原料(原料氣體)，亦可使用1,4-二矽丁烷(SiH₃CH₂CH₂SiH₃，簡稱：1,4-DSB)氣體般之含有Si-C鍵及Si-H鍵的原料氣體，或三矽基胺(N(SiH₃)₃，簡稱：TSA)氣體般之含有Si-N鍵或Si-H鍵的原料氣體。又，作為反應體(反應氣體)，亦可取代NH₃氣體，使用例如三乙基胺((C₂H₅)₃N，簡稱：TEA)氣體般之胺系氣體，或氧(O₂)氣、臭氧(O₃)氣體、經電漿激發之O₂氣體(O₂*)、O₂氣體+氫(H₂)氣般之含O氣體(氧化劑)，或丙烯(C₃H₆)氣體般之含C氣體，或三氯硼烷(BCl₃)氣體般之含B氣體。

(HCDS→NH₃)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiON (HCDS→NH₃→O₂)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiON (TCDMDS→NH₃)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiOCN (TCDMDS→NH₃→O₂)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiOCN (HCDS→TEA)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiOCN (HCDS→TEA→O₂)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiOC(N) (HCDS→C₃H₆→NH₃)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiOCN (HCDS→C₃H₆→NH₃→O₂)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiOCN (BCl₃→DSB→TSA→O₂)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiOCN (HCDS→O₂+H₂)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiO (3DMAS→O₃)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiO (BDEAS→O₂*)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>SiO

於此等處理時序中，可獲得與圖4所示處理時序相同之效果。又，供給原料或反應體時之處理程序、處理條件可設為與圖4所示處理時序相同。

又，作為原料(原料氣體)，亦可取代TCDSCB氣體地，使用不含環狀構造之原料氣體，例如四氯化鈦(TiCl₄)氣體或三甲基鋁(Al(CH₃)₃，簡稱：TMA)氣體；作為反應體(反應氣體)，亦可取代NH₃氣體地，使用例如O₂氣體、O₃氣體、H₂O氣體般之含O氣體(氧化劑)；藉由以下所示處理時序，於基板上形成氧化膜鈦(TiO膜)、氧氮化鈦膜(TiON膜)、氧化鋁膜(AlO膜)、氧氮化鋁膜(AlON膜)等。

(TiCl₄→H₂O)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>TiO (TiCl₄→NH₃)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>TiON (TiCl₄→NH₃→O₂)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>TiON (TMA→O₃)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>AlO (TMA→NH₃)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>AlON (TMA→NH₃→O₂)×n→H₂O_ANL→N₂_PRG→VAC→N₂_ANL=>AlON

於此等處理時序中，亦可獲得與圖4所示處理時序相同之效果。又，供給原料或反應體時之處理程序、處理條件可設為與圖4所示處理時序相同。

如此，本發明係除了形成含有Si等半金屬元素作為主元素的膜的情況之外，亦可適合應用於在基板上形成含有Ti或Al等金屬元素作為主元素之膜的情況。又，本發明中，作為主元素，除了Si之外，亦可適合應用於形成含有鍺(Ge)、硼(B)等半金屬元素的膜的情況。又，本發明中，作為主元素，除了Ti、Al之外，亦可適合應用於形成含有鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、釔(Y)、鑭(La)、鍶(Sr)等金屬元素的膜的情況。

基板處理所使用之配方，較佳係配合處理內容而個別準備，經由電信通路或外部記憶裝置123事先儲存於記憶裝置121c內。然後，較佳係於開始基板處理時，CPU 121a由儲存於記憶裝置121c內之複數配方中，配合基板處理內容適當選擇適合的配方。藉此，可藉由1台基板處理裝置而再現性佳地形成各種膜種類、組成比、膜質、膜厚的膜。又，可減低操作員的負擔、避免操作錯誤，並可迅速地開始處理。

上述配方並不限定於新作成的情況，例如亦可藉由將已安裝於基板處理裝置之既存配方變更而準備。於變更配方的情況，亦可將變更後之配方經由電信通路或記錄有該配方之記錄媒體，安裝至基板處理裝置。又，亦可操作既存之基板處理裝置所具備之輸入輸出裝置122，對基板處理裝置中已安裝之既存配方進行直接變更。

上述實施形態中，係針對使用一次處理複數片基板之批次式基板處理裝置而形成膜的例子進行了說明。本發明並不限定於上述實施形態，例如亦可適合應用於使用一次處理1片或數片基板之單片式基板處理裝置而形成膜的情況。又，上述實施形態中，針對使用具有熱壁型處理爐之基板處理裝置而形成膜的例子進行了說明。本發明並不限定於上述實施形態，亦可適合應用於使用具有冷壁型處理爐之基板處理裝置而形成膜的情況。

於使用此等基板處理裝置之情況，亦可依與上述實施形態或變形例同樣之處理程序、處理條件進行基板處理，可獲得與此等同樣之效果。

又，上述實施形態或變形例可適當組合使用。此時之處理程序、處理條件可設為例如與上述實施形態之處理程序、處理條件同樣。

以下說明實施例。

<實施例>

作為樣本1，使用圖1所示基板處理裝置，藉由圖4所示基板處理時序，於晶圓上形成SiOCN膜。處理條件設為上述實施形態中之處理條件範圍內的既定條件。作為樣本2，使用圖1所示基板處理裝置，藉由於圖4所示基板處理時序中之H₂O退火步驟後，未進行同壓N₂沖洗步驟、而直接進行真空抽吸步驟的基板處理時序，於晶圓上形成SiOCN膜。處理條件設為上述實施形態中之處理條件範圍內的既定條件。然後，對樣本1及樣本2各者之SiOCN膜上所附著的顆粒數進行計數。

圖6係對樣本1及樣本2各者之SiOCN膜上所附著之60nm以上之尺寸的顆粒數進行比較而加以顯示的圖。

如圖6所示，未進行同壓N₂沖洗步驟之樣本2之SiOCN膜上的顆粒數為4000個以上。另一方面，進行了同壓N₂沖洗步驟之樣本1之SiOCN膜上的顆粒數為40個以下。亦即，可確認到藉由於H₂O退火步驟後進行同壓N₂沖洗步驟、真空抽吸步驟，可急遽地減低顆粒數，可明顯抑制異物發生。

Claims

一種半導體裝置之製造方法，係具有：(a)對在設為第1壓力之處理室內之基板上所形成的膜，供給含有氫及氧之氣體，藉此使上述膜改質的步驟；(b)在使進行(a)後之上述處理室內殘留之上述含有氫及氧之氣體維持氣體狀態的第2壓力下，對上述處理室內供給惰性氣體，並將上述處理室內進行排氣，藉此沖洗上述處理室內的步驟；與(c)依使進行(b)後之上述處理室內減壓至低於上述第2壓力的第3壓力的方式，對上述處理室內進行真空抽吸的步驟；將(b)中之上述第2壓力設為與(a)中之上述第1壓力同等。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，(b)中之上述第2壓力係殘留於上述處理室內之上述含有氫及氧之氣體不液化或不固化的壓力。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，將(b)中之上述處理室內之設定壓力設為與(a)中之處理室內之設定壓力同等。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，一面控制上述處理室內之壓力一面進行(a)及(b)，且於不控制上述處理室內之壓力之情形下進行(c)。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，一面控制上述處理室內之壓力一面進行(a)及(b)，且於完全抽吸上述處理室內之狀態下進行(c)。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，一面將設於對上述處理室內進行排氣之排氣管之排氣閥的開度進行調整一面進行(a)及(b)，且於將上述排氣閥之開度設為固定之狀態之下進行(c)。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，進一步具有：(e)對進行(a)前之上述處理室內之上述基板供給處理氣體，藉此於上述基板上形成上述膜的步驟；將(a)中之上述第1壓力設為較(e)中之上述處理室內之壓力更高。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，將(a)中之上述第1壓力設為1333Pa以上且101325Pa以下。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於同等之處理溫度下進行(a)、(b)及(c)。
如請求項7半導體裝置之製造方法，其中，於同等之處理溫度下進行(e)、(a)、(b)及(c)。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，進一步具有：(d)於進行(c)後，對改質後之上述膜進行熱退火的步驟。
如請求項11之半導體裝置之製造方法，其中，於(b)及(c)中，係將因(a)而殘留於上述處理室內之上述含有氫及氧之氣體去除，於(d)中，係使因(a)而物理性地被吸收於上述膜中之上述含有氫及氧之氣體脫離。
如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，進一步具有：(e)藉由進行既定次數之循環而於上述基板上形成含有環狀構造及氮之膜作為上述膜的步驟，該循環係非同時地進行：對進行(a)前之上述處理室內之上述基板，供給含有由矽與碳所構成之上述環狀構造及鹵素的原料氣體的步驟；與對上述處理室內之上述基板供給氮化劑的步驟。
如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中，上述循環係進一步包含：與上述供給原料氣體之步驟及上述供給氮化劑之步驟的各者，非同時地進行對上述處理室內之上述基板供給氧化劑的步驟。
如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中，在上述原料氣體所含之上述環狀構造不被破壞而被保持的條件下，進行(e)、(a)、(b)、(c)及(d)。
如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中，在上述原料氣體所含之構成上述環狀構造之矽與碳之化學鍵不被切斷而被保持的條件下，進行(e)、(a)、(b)、(c)及(d)。
如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中，於上述處理室內連續進行(e)、(a)、(b)、(c)及(d)。
一種基板處理方法，係具有：(a)對在設為第1壓力之處理室內之基板上所形成的膜，供給含有氫及氧之氣體，藉此使上述膜改質的步驟；(b)在使進行(a)後之上述處理室內殘留之上述含有氫及氧之氣體維持氣體狀態的第2壓力下，對上述處理室內供給惰性氣體，並將上述處理室內進行排氣，藉此沖洗上述處理室內的步驟；與(c)依使進行(b)後之上述處理室內減壓至低於上述第2壓力的第3壓力的方式，對上述處理室內進行真空抽吸的步驟；將(b)中之上述第2壓力設為與(a)中之上述第1壓力同等。
一種基板處理裝置，其具有：處理室，係對基板進行處理；含有氫及氧之氣體供給系統，係對上述處理室內供給含有氫及氧之氣體；惰性氣體供給系統，係對上述處理室內供給惰性氣體；排氣系統，係對上述處理室內進行排氣；壓力控制部，係控制上述處理室內之壓力；與控制部，係構成為可控制上述含有氫及氧之氣體供給系統、上述惰性氣體供給系統、上述排氣系統與上述壓力控制部，而進行：(a)對在設為第1壓力之上述處理室內之基板上所形成的膜，供給上述含有氫及氧之氣體，藉此使上述膜改質的處理；(b)在使進行(a)後之上述處理室內殘留之上述含有氫及氧之氣體維持氣體狀態的第2壓力下，對上述處理室內供給惰性氣體，並將上述處理室內進行排氣，藉此沖洗上述處理室內的處理；與(c)依使進行(b)後之上述處理室內減壓至低於上述第2壓力的第3壓力的方式，對上述處理室內進行真空抽吸的處理，並將(b)中之上述第2壓力設為與(a)中之上述第1壓力同等。
一種程式，係藉由電腦而使基板處理裝置執行如下程序的程式： (a)對在設為第1壓力之上述基板處理裝置之處理室內之基板上所形成的膜，供給含有氫及氧之氣體，藉此使上述膜改質的程序；(b)在使進行(a)後之上述處理室內殘留之上述含有氫及氧之氣體維持氣體狀態的第2壓力下，對上述處理室內供給惰性氣體，並將上述處理室內進行排氣，藉此沖洗上述處理室內的程序；與(c)依使進行(b)後之上述處理室內減壓至低於上述第2壓力的第3壓力的方式，對上述處理室內進行真空抽吸的程序；將(b)中之上述第2壓力設為與(a)中之上述第1壓力同等。