TWI763858B

TWI763858B - 碳化硼硬遮罩的乾式剝除

Info

Publication number: TWI763858B
Application number: TW107118593A
Authority: TW
Inventors: 帕拉米特曼納; 江施施; 亞伯希吉特巴蘇馬禮克; 寇迪斯勒施基斯
Original assignee: 美商應用材料股份有限公司
Priority date: 2017-06-02
Filing date: 2018-05-31
Publication date: 2022-05-11
Also published as: CN110678973B; CN110678973A; JP2020522882A; TW201903837A; WO2018222771A1; US10529585B2; JP7190450B2; US20180350621A1; KR102574914B1; KR20200004399A

Abstract

本案的實施例一般涉及用於乾式剝除沉積在半導體基板上的碳化硼層的方法。在一個實施方案中，該方法包括將具有碳化硼層的基板裝載到壓力容器中，將基板暴露於包含氧化劑的處理氣體，該氧化劑的壓力在約500托和60巴之間，將壓力容器加熱到大於處理氣體的冷凝點的溫度，並從壓力容器中除去處理氣體和碳化硼層之間的反應的一種或多種產物。

Description

碳化硼硬遮罩的乾式剝除

本案的實施例一般係關於積體電路的製造，並且特定地係關於乾式剝除在半導體基板上的碳化硼層的方法。

形成諸如記憶體元件，邏輯元件，微處理器等的半導體元件涉及形成硬遮罩。硬遮罩經形成而作為待蝕刻的底層基板上的覆蓋層。在使用光阻層作為圖案來蝕刻硬遮罩之前，在硬遮罩上形成光阻的圖案化層。在圖案化硬遮罩之後，剝除光致抗蝕劑層，使得硬遮罩保持用於蝕刻下面的基板的唯一圖案。雖然硬遮罩是在下面的基板上形成的單獨的層，會經蝕刻，然後被從基板上移除，但是其對蝕刻處理的經改良的抵抗性以及其降低的成本會使得硬遮罩成為理想的。眾所周知，硼摻雜的碳和碳化硼的膜由於優異的圖案化性能而產生高質量的硬遮罩。

然而，在蝕刻之後難以從下面的基板移除或剝除碳化硼層，因為使用常規氧電漿不能將碳化硼層灰化。可以使用氟或氯（與氧氣一起）乾燥剝除碳化硼層; 然而，氟和氯對通常在半導體基板上發現的諸如氧化矽、氮化矽和氮氧化矽的介電材料具有腐蝕性。若使用濕蝕刻溶液，也會損壞通常在半導體基板上發現的暴露的金屬表面或嵌入的金屬。

因此，需要一種從半導體基板乾式剝除碳化硼層的改良的方法。

在本案的另一實施方案中，該方法包括將具有碳化硼層的一第一基板的一或更多個基板裝載到壓力容器中，將第一基板暴露於包含氧化劑的處理氣體，該氧化劑的壓力在約500托和60巴之間，將壓力容器加熱到大於處理氣體的冷凝點的溫度，並從壓力容器中除去處理氣體和碳化硼層之間的反應的一種或多種產物。

在另一個實施方案中，該方法包括將具有碳化硼層沉積在其上的至少一第一基板的一或更多個基板裝載到壓力容器中，將第一基板暴露於包含蒸汽的處理氣體，該蒸汽的壓力在約500托和60巴之間，將壓力容器加熱到大於處理氣體的冷凝點的溫度，並從壓力容器中除去處理氣體和碳化硼層之間的反應的一種或多種產物。

本案的實施例一般涉及用於乾式剝除沉積在半導體基板上的碳化硼層的方法。使用氧化劑（例如但不限於高壓蒸汽）將碳化硼層氧化成三氧化硼。然後三氧化硼與過量蒸汽反應產生氣態產物，例如硼酸和偏硼酸。將半導體基板上的固體碳化硼層轉化為氣態產物及隨後除去氣態產物的步驟提供了乾式剝除碳化硼層的有效方式。批量處理室（例如但不限於圖1中所示的和本文中所描述的壓力容器100）用於執行在複數個基板上乾式剝除碳化硼層的方法。本文描述的方法可以同樣地應用於設置在單個基板室中的單個基板，例如圖3中所示的示例性單個基板處理室300，或其他合適的單個基板處理室。

圖1是用於乾式剝除碳化硼層的批量處理壓力容器100的簡化前橫截面圖。壓力容器100具有主體110 ，主體110具有外表面112和包圍處理區域115的內表面113。在諸如圖1中的一些實施例中，主體110具有環形橫截面，但是在其他實施例中，主體110的橫截面可以是矩形或任何閉合形狀。主體110的外表面112可以由耐腐蝕鋼（CRS）製成，例如但不限於不銹鋼。主體110的內表面113可以從表現出高的耐腐蝕性的鎳基鋼合金製成，如但不限於HASTELLOY®。

壓力容器100具有門120，門120配置成將處理區域115密封地封閉在主體110內，使得當門120打開時可以進出處理區域115。密封件122用於將門120密封到主體110，以密封處理區域115以進行處理。密封件122可以由聚合物製成，例如但不限於全氟彈性體。冷卻通道124設置在門120上，與密封件122相鄰，以便在處理過程中將密封件122保持在密封件122的最大安全操作溫度以下。冷卻劑（例如但不限於惰性的，介電質的和/或高效能傳熱的流體）可在冷卻通道124內循環，以將密封件122保持在約攝氏250度至約攝氏275度之間的溫度，而處理區域115中的溫度約為800攝氏度。冷卻通道124內的冷卻劑的流動由控制器180藉由從溫度感測器116或流量感測器（未示出）接收的反饋來控制。

壓力容器100具有穿過主體110的端口117。端口117具有穿過其中的管118，管118連接到加熱器119。管118的一端連接到處理區域115。管118的另一端分叉成入口導管157和出口導管161。入口導管157經由隔離閥155流體地連接到氣體面板150。入口導管157連接到加熱器158。出口導管161經由隔離閥165流體連接到冷凝器160。出口導管161耦接到加熱器162。加熱器119、158和162配置成分別在高於處理氣體的冷凝點的溫度下保持流過管118，入口管157和出口管161的處理氣體。加熱器119、158和162由電源145供電。

氣體面板150配置成將包括處於壓力下的氧化劑的處理氣體提供到入口導管157中，以通過管118傳輸到處理區域115中。被引入處理區域115的處理氣體的壓力由連接到主體110的壓力感測器114監測。冷凝器160流體地耦接到冷卻流體並且配置成在通過管118而從處理區域115加以移除之後將流過出口管161的氣態產物加以冷凝。冷凝器 160將氣態產物從氣相轉換到液相。泵170流體地連接到該冷凝器160且自冷凝器160泵出液化產物。氣體面板150、冷凝器160和泵170的操作由控制器180控制。

隔離閥155和165配置成僅允許一種流體一次流過管118而進入處理區域115。當隔離閥155打開時，隔離閥165關閉，使得流過入口導管157的處理氣體進入處理區域115，防止處理氣體流入冷凝器160。在另一方面，當隔離閥165被打開時，隔離閥155被關閉，使得氣態產物從處理區域115移除，並流過出口管161，從而防止氣體產物流動進入氣體面板150。

一個或多個加熱器140設置在主體110上並且配置為加熱壓力容器100內的處理區域115。在一些實施例中，加熱器140設置在主體110的外表面112上，如圖1所示，但在其他實施例中，加熱器140可設置在主體110的內表面113上。加熱器140中的每一個可以是電阻線圈、燈、陶瓷加熱器、石墨基碳纖維複合材料（CFC）加熱器，不銹鋼加熱器或鋁加熱器等。加熱器140由電源145供電。透過從溫度感測器116接收的反饋，控制器180控制加熱器140的供電。溫度感測器116耦合到主體110並監控處理區域115的溫度。

耦合到致動器（未示出）的盒130移入和移出處理區域115。盒130具有頂表面132、底表面134和壁136。盒130的壁136具有複數個基板儲存槽138。每個基板儲存槽138沿著盒130的壁136均勻地間隔開。每個基板儲存槽138配置成在其中保持基板135。盒130可具有多達五十個基板儲存槽138，用於保持基板135。盒130提供有效的載體，用於將複數個基板135轉移到壓力容器100中和從壓力容器100中轉出，以及用於處理處理區域115中的複數個基板135。

控制器180控制壓力容器100的操作。控制器180控制氣體面板150、冷凝器160、泵170、隔離閥155和165以及電源145的操作。控制器180還通信地連接到溫度感測器116、壓力感測器114和冷卻通道124。控制器180包括中央處理單元（CPU）182、記憶體184和支援電路186。接著，CPU182可以是任何形式的、可以在工業環境中使用的通用電腦處理器。記憶體184可以是隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟碟或硬碟驅動器，或其他形式的數位儲存器。支援電路186通常耦合到CPU 182，並且可以包括快取、時脈電路、輸入/輸出系統、電源等。

壓力容器100提供方便的腔室以執行從複數個基板135乾式剝除碳化硼層的方法。加熱器140通電以預熱壓力容器100。同時，加熱器119、158和162通電以分別預熱管118、入口導管157和出口導管161。

然後將複數個基板135裝載在盒130上。圖2A展示在半導體基板200上方的蝕刻層210上的圖案化碳化硼層220的簡化橫截面圖。當基板135裝載在盒130上時，每個基板135被觀察為圖2A中的半導體基板200。打開壓力容器100的門120以將盒130移動到處理區域115中。然後將門120密封地封閉以封閉腔室，以從盒130上的基板135的頂部剝除碳化硼層。一旦門120關閉，密封件122確保沒有來自處理區域115的壓力洩漏。

由氣體面板150將處理氣體提供到壓力容器100內的處理區域115中。隔離閥155由控制器180打開，以允許處理氣體流過入口導管157和管118而進入處理區域115。處理氣體以約500 sccm至約2000 sccm的流速引入約1分鐘至約2小時的時間。此時隔離閥165保持關閉。處理氣體是流入處理區域115的氧化劑。在一些實施方案中，處理氣體是蒸汽，其可以是在約500托和約60巴之間的壓力下的乾蒸汽或過熱蒸汽。然而，在其他實施方案中，可以使用其他氧化劑，例如但不限於臭氧、氧氣、過氧化氫或氨。在一個實施方案中，處理氣體是包含約5％蒸汽至100％氧化劑的混合物，例如約10％氧化劑至約80％氧化劑。在一個實例中，處理氣體是約5％蒸汽至100％蒸汽的混合物。當氣體面板150釋放出足夠的處理氣體時，控制器180關閉隔離閥155。由氣體面板150釋放的處理氣體的量是超過與沉積在複數個基板135上的碳化硼完全反應所需的處理氣體的量的量。例如，由氣體面板150釋放的蒸汽量可以是沉積在基板上的碳化硼量的至少十倍。

在處理基板135期間，處理區域115以及入口管157、出口管161和管118保持在一定溫度和壓力下，使得處理氣體保持氣相。基於處理氣體的組成選擇該壓力和溫度。處理區域115以及入口管157、出口管161和管118的溫度保持在大於施加壓力下處理氣體的冷凝點的溫度。例如，當使用10巴和60巴之間的壓力下的蒸汽進行處理時，處理區域115以及入口導管157、出口導管161和管118的溫度升高到介於大約攝氏300～700度之間的溫度。這確保了蒸汽不會冷凝成水（其對於層220下方的蝕刻層210和基板200是有害的）。

處理氣體流過基板135，使得碳化硼層與處理氣體反應以形成氣態產物。例如，碳化硼與蒸汽反應生成三氧化二硼（B₂ O₃ ），氫氣（H₂ ），一氧化碳（CO）和二氧化碳（CO₂ ），如反應（i）和（ii）所示： 2BC+5H₂ O→B₂ O₃ +2CO+5H₂ ................（i） 2BC+7 H₂ O→B₂ O₃ +2CO₂ +7H₂ ................（ii）然後三氧化硼（B₂ O₃ ）與過量蒸汽反應生成硼酸（H₃ BO 3）和偏硼酸（HBO₂ ），如反應（iii）和（iv）所示： B₂ O₃ +H₂ O→2HBO₂ ...........................（ⅲ） B₂ O₃ +3H₂ O→2H₃ BO₃ ........................（ⅳ）硼酸和偏硼酸是揮發性產物。硼酸和偏硼酸與氫氣，一氧化碳和二氧化碳混合，形成碳化硼和蒸汽之間反應產物的氣態混合物。

當觀察到碳化硼層已從基板135完全剝除時，處理完成。然後打開隔離閥165以使來自處理區域115的氣態產物混合物通過管118和出口導管161流入冷凝器160。產物的氣態混合物在冷凝器160中冷凝成液相。然後經由泵170除去液化的產物混合物。當完全除去液化的產物混合物時，隔離閥165關閉。然後關閉加熱器140、119、158和162。然後打開壓力容器100的門120以從處理區域115移除盒130。圖2B是在移除碳化硼層之後在半導體基板200上方的蝕刻層210的簡化截面圖。當在移除碳化硼層之後從盒130卸載基板135時，每個基板135被觀察作為圖2B中的半導體基板200。基板135僅具有圖案化的蝕刻層210。

圖3是用於乾式剝除碳化硼層的單個基板處理室300的簡化前橫截面圖。單個基板處理室300具有主體310，主體310具有外表面312和包圍內部容積315的內表面313。在諸如圖3中的一些實施例中，主體310具有環形橫截面，但是在其他實施例中，主體310的橫截面可以是矩形或任何封閉形狀。主體310的外表面312可以由耐腐蝕鋼（CRS）製成，例如但不限於不銹鋼。一個或多個隔熱罩325設置在主體310的內表面313上，以防止熱量從單個基板處理室300損失到外部環境中。主體310以及隔熱罩325 的內表面313可以從表現出高的耐腐蝕性的鎳基鋼合金製成，諸如但不限於HASTELLOY®，INCONEL®和MONEL®。

基板支撐件330設置在內部容積315內。基板支撐件330具有桿334和由桿334保持的基板支撐構件332。桿334通過穿過腔室主體310而形成的通道322。連接到致動器338的桿339通過穿過腔室主體310而形成的第二通道323。桿339耦接到板335，板335具有容納基板支撐件330的桿334的孔336。提升銷337連接到基板支撐構件332。致動器338致動桿339，使得板335向上或向下移動以與提升銷337連接和斷開。隨著升降銷337升高或降低，基板支撐構件332在單個基板處理室300的內部容積315內升高或降低。基板支撐構件332具有嵌入其中心的電阻加熱元件331。電源333被配置為對電阻加熱元件331供電。電源333以及致動器338的操作由控制器380控制。

單個基板處理腔室300在主體310上具有開口311，基板320可以通過該開口311裝載到設置在內部容積315中的基板支撐件330和從基板支撐件330卸載。開口311在主體310上形成通道321。狹縫閥328配置成可密封地封閉通道321，使得僅當狹縫閥328打開時才能進出開口311和內部容積315。密封件327用於將狹縫閥328密封到主體310，以密封內部容積315以進行處理。密封件327可以由聚合物製成，例如含氟聚合物，例如但不限於全氟彈性體和聚四氟乙烯（PTFE）。密封件327還可包括彈簧構件，用於偏置密封件以改善密封效能。冷卻通道324設置在鄰近密封件327的通道321上，以便在處理期間將密封件327保持在密封件327的最大安全操作溫度以下。來自冷卻流體源326的冷卻劑（例如但不限於惰性的，介電質的和高效能傳熱的流體）可在冷卻通道304內循環。來自冷卻流體源326的冷卻劑的流動由控制器380藉由從溫度感測器316或流量感測器（未示出）接收的反饋來控制。圍繞通道321形成環形熱扼流圈329，以在狹縫閥328打開時防止熱量從內部容積315流通過開口311。

單基板處理室300具有穿過主體310的端口317，端口317流體地連接到連接氣體面板350，冷凝器360和端口317的流體迴路390。流體迴路390具有氣體導管392、源導管357、入口隔離閥355、排氣導管363和出口隔離閥365。多個加熱器 396、358、352、354、364、366與流體迴路390的不同部分連接。多個溫度感測器351、353、319、367和369也放置在流體迴路390的不同部分處以進行溫度量測並將資訊發送到控制器380。控制器380使用溫度量測資訊來控制加熱器352、354、358、396、364和366的操作，使得流體迴路390的溫度保持在高於設置在流體迴路390和內部容積315中的處理流體的冷凝點的溫度。

氣體面板350和壓力感測器314在性質與功能上基本上類似於圖1的氣體面板150和壓力感測器114。冷凝器 360在性質與功能上基本上類似於圖1的冷凝器160。泵370在性質與功能上基本上類似於圖1的泵170。一個或多個加熱器340設置在主體310上並且配置成加熱單個基板處理室300內的內部容積315。加熱器340在性質上和功能上基本上類似於批量處理壓力容器100中使用的加熱器140。

控制器380控制單個基板處理室300的操作。控制器 380控制氣體面板350、冷凝器360、泵370、入口隔離閥355、出口隔離閥365和電源333、345的操作。控制器380還通信地連接到溫度感測器316、壓力感測器314、致動器338、冷卻流體源326和溫度讀取裝置356和362。控制器380在性質和功能上與在批處理壓力容器100中使用的控制器180基本相似。

圖4是根據本案的一個實施例的用於乾式剝除沉積在半導體基板上的碳化硼層的方法的框圖。方法400藉由將基板裝載到壓力容器中而在框410處開始。基板上沉積有碳化硼層。在一些實施方案中，可將複數個基板放置在盒上並裝入壓力容器中。在進一步的實施方案中，將單個基板加載到壓力容器中，該壓力容器配置成一次處理一個基板。

在方框420處，將基板或複數個基板暴露於處理氣體，該處理氣體包括在壓力容器內壓力在約500托和約60巴之間的氧化劑。在其他實施方案中，將基板或複數個基板暴露於包含氧化劑的處理氣體，該氧化劑在壓力容器內的壓力大於約0 巴，例如約1巴至約60巴。在一些實施方案中，處理氣體是選自包含臭氧、氧氣、水蒸汽、重水、過氧化物、含氫氧化物的化合物、氧同位素（14、15、16、17、18等）和氫同位素（1、2、3）或其一些組合的群組的氧化劑，其中處理氣體是約10%氧化劑至約80%氧化劑的混合物。過氧化物可以是氣相的過氧化氫。在一些實施方案中，氧化劑包含氫氧根離子，例如但不限於水蒸汽或蒸汽形式的重水。在一些實施方案中，氧化劑的量超過與沉積在(一個或多個)基板上的碳化硼的量完全反應所需的氧化劑的量。在其他實施方案中，處理氣體可以是在約500托和約60巴之間的壓力下的蒸汽，其中蒸汽佔混合物的約5%至混合物的100%。蒸汽可以是乾蒸汽或過熱蒸汽。蒸汽量可以是沉積在基板上的碳化硼量的至少十倍。

在框430處，將壓力容器加熱至大於處理氣體的冷凝點的溫度。提高溫度使得碳化硼層能夠與處理氣體反應。在一些實施方案中，當蒸汽被用作壓力容器中的處理氣體時，壓力容器的溫度保持在約攝氏300度至約攝氏700度之間。在彼等實施方案中，碳化硼層與蒸汽反應以產生氣體產物混合物，包括三氧化二硼、二氧化碳、一氧化碳、氫氣、硼酸和偏硼酸。

在框440處，從處理室移除處理氣體和碳化硼層之間的反應產物。在使用蒸汽的實施方案中，將包括三氧化二硼、二氧化碳、一氧化碳、氫氣、硼酸和偏硼酸的氣態產物混合物泵出壓力容器。因此，基板上的碳化硼層被乾式剝除，在半導體基板上留下理想的蝕刻層。

本文所述的用於乾式剝除碳化硼層的方法有利地使得能夠從半導體基板乾式剝除碳化硼層。不需要濕式蝕刻溶液。此外，當使用壓力下的蒸汽時，該過程的溫度範圍在約攝氏300度和約攝氏700度之間確保碳化硼的氧化速率夠低以首先將碳化硼轉化為三氧化二硼的黏性層而又夠高到足以將三氧化二硼的黏性層轉化為揮發性氣體（如硼酸和偏硼酸），而隨後可以將其除去。若該過程的溫度低於攝氏300度或該過程的壓力小於500托，則碳化硼初始氧化成三氧化硼和隨後氧化三氧化硼到硼酸和偏硼酸之間會失去平衡，使得該層無法完全剝除。

本文所述的方法藉由處理複數個基板同時移除碳化硼層來提高基板的產量。此外，由於碳化硼不能經由能夠除去其它層的常規氧電漿來清洗，因此該方法保留了碳化硼作為硬遮罩材料的可行性。由於具有高蝕刻選擇性、高硬度和高碳化硼透明度，碳化硼是硬遮罩材料的最佳選擇。因此，本文描述的方法有助於進一步開發碳化硼層以圖案化下一代記憶體元件、邏輯元件、微處理器等。另外，儘管本文描述的方法涉及碳化硼層，但是其他類型的碳化硼層可以從揭露中受益。

雖然前述內容針對本案的特定實施例，但是應該理解，該等實施例僅僅是對本發明的原理和應用的說明。因此，應當理解，在不脫離由所附申請專利範圍限定的本發明的精神和範圍的情況下，可以對說明性實施例進行多種修改以得到其他實施例。

100‧‧‧壓力容器110‧‧‧主體112‧‧‧外表面113‧‧‧內表面114‧‧‧壓力感測器115‧‧‧處理區域116‧‧‧溫度感測器117‧‧‧端口118‧‧‧管119‧‧‧加熱器120‧‧‧門122‧‧‧密封件124‧‧‧冷卻通道130‧‧‧盒132‧‧‧頂表面134‧‧‧底表面135‧‧‧基板136‧‧‧壁138‧‧‧基板儲存槽140‧‧‧加熱器145‧‧‧電源150‧‧‧氣體面板155‧‧‧隔離閥157‧‧‧入口導管158‧‧‧加熱器160‧‧‧冷凝器161‧‧‧出口管道162‧‧‧加熱器165‧‧‧隔離閥170‧‧‧泵180‧‧‧控制器182‧‧‧cpu184‧‧‧記憶體186‧‧‧支援電路200‧‧‧半導體基板210‧‧‧蝕刻層220‧‧‧圖案化碳化硼層300‧‧‧單個基板處理室310‧‧‧主體311‧‧‧開口312‧‧‧外表面313‧‧‧內表面314‧‧‧壓力感測器315‧‧‧內部容積316‧‧‧溫度感測器317‧‧‧端口319‧‧‧溫度感測器320‧‧‧基板321‧‧‧通道322‧‧‧通道323‧‧‧第二通道324‧‧‧冷卻通道325‧‧‧隔熱罩326‧‧‧冷卻流體源327‧‧‧密封件328‧‧‧狹縫閥329‧‧‧環形熱扼流圈330‧‧‧基板支撐件331‧‧‧電阻加熱元件332‧‧‧基板支撐構件333‧‧‧電源334‧‧‧桿335‧‧‧板336‧‧‧孔337‧‧‧提升銷338‧‧‧致動器339‧‧‧桿340‧‧‧加熱器345‧‧‧電源350‧‧‧氣體面板351‧‧‧溫度感測器352‧‧‧加熱器353‧‧‧溫度感測器354‧‧‧加熱器355‧‧‧氣體面板356‧‧‧溫度讀取裝置357‧‧‧源導管358‧‧‧加熱器360‧‧‧冷凝器362‧‧‧溫度讀取裝置363‧‧‧排氣導管365‧‧‧出口隔離閥367‧‧‧溫度感測器370‧‧‧泵380‧‧‧控制器390‧‧‧流體迴路392‧‧‧氣體導管396‧‧‧加熱器400‧‧‧方法410‧‧‧框420‧‧‧框430‧‧‧框440‧‧‧框

因此，欲詳細地理解本案的上述特徵，可以透過參考實施例而獲得上文簡要概述的本案的更具體的描述，其中一些實施例在附圖中示出。然而，應注意，附圖僅示出了示例性實施例，因此不應視為限制其範圍，因為本案可允許其他同等有效的實施例。

圖1是壓力容器的簡化前橫截面圖，該壓力容器用於從裝載在盒上的複數個基板上乾式剝除碳化硼層。

圖2A是在半導體基板上方的蝕刻層上的圖案化碳化硼層的簡化橫截面圖。

圖2B是在移除碳化硼層之後在半導體基板上方的蝕刻層的簡化截面圖。

圖3是用於乾式剝除碳化硼層的單個基板處理室的簡化前橫截面圖。

圖4是用於以乾式剝除沉積在半導體基板上的碳化硼層的方法的框圖。

為了便於理解，在可能的情況下，使用相同的附圖標記來表示附圖中共有的相同元件。可以預期，一個實施例的元件和特徵可以有利地併入其他實施例中而無需進一步敘述。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

400‧‧‧方法

410‧‧‧框

420‧‧‧框

430‧‧‧框

440‧‧‧框

Claims

一種剝除沉積在一基板上之一碳化硼層之方法，該方法包括以下步驟：將該基板裝載到一壓力容器的一處理區域中，該基板上沉積有該碳化硼層；將該基板暴露於一處理氣體，該處理氣體包括處於約500托和約60巴之間的一壓力下之一氧化劑，其中該處理氣體不包括電漿；將該壓力容器的該處理區域加熱到大於該處理氣體的一冷凝點之一溫度；和從該壓力容器除去該處理氣體和該碳化硼層之間的一反應之一種或多種產物。
如請求項1所述之方法，其中將該基板暴露於該處理氣體的步驟包括以下步驟：在約10巴至約60巴的一壓力下將該基板暴露於蒸汽。
如請求項2所述之方法，其中該基板暴露於一蒸汽量，該蒸汽量是沉積在該基板上之一碳化硼量之至少十倍。
如請求項1所述之方法，其中該氧化劑選自由以下各者組成之一群組：臭氧、氧氣、水蒸汽、重水、氨、過氧化物、含氫氧化物的化合物、氧同位素和氫同位素。
如請求項4所述之方法，其中該氧化劑是過氧化氫。
如請求項1所述之方法，其中該基板暴露於一氧化劑量，該氧化劑量超過與沉積在該基板上之一碳化硼量完全反應所需之一氧化劑量。
如請求項1所述之方法，其中將該壓力容器的該處理區域加熱至約攝氏300度至約攝氏700度之間的一溫度。
如請求項1所述之方法，其中該處理氣體包括約5%的乾蒸汽至約100%的乾蒸汽。
如請求項1所述之方法，其中該反應的一種或多種產物包括：三氧化二硼、二氧化碳、一氧化碳、氫、硼酸和偏硼酸。
一種剝除沉積在複數個基板上之一碳化硼層之方法，該方法包括以下步驟：將該複數個基板同時裝載到一壓力容器的一處理區域中，各該複數個基板上沉積有該碳化硼層；將該複數個基板暴露於一處理氣體，該處理氣體包括處於約500托和約60巴之間的一壓力下之一氧化劑；將該壓力容器的該處理區域加熱到大於該處理氣體的一冷凝點之一溫度；和從該壓力容器除去該處理氣體和該碳化硼層之間的一反應之一種或多種產物。
如請求項10所述之方法，其中將該複數個基板暴露於該處理氣體的步驟包括以下步驟：在約10巴至約60巴的一壓力下將該複數個基底暴露於蒸汽。
如請求項11所述之方法，其中該複數個基板暴露於一蒸汽量，該蒸汽量是沉積在該複數個基板上之一碳化硼量之至少十倍。
如請求項10所述之方法，其中該氧化劑選自由以下各者組成之一群組：臭氧、氧氣、水蒸汽、重水、氨、過氧化物、含氫氧化物的化合物、氧同位素和氫同位素。
如請求項13所述之方法，其中該氧化劑是過氧化氫。
如請求項10所述之方法，其中該複數個基板暴露於一氧化劑量，該氧化劑量超過與沉積在該複數個基板上之一碳化硼量完全反應所需之一氧化劑量。
如請求項10所述之方法，其中將該壓力容器的該處理區域加熱至約攝氏300度至約攝氏700度之間的一溫度。
如請求項10所述之方法，其中該處理氣體包括約5%的乾蒸汽至約100%的乾蒸汽。
如請求項10所述之方法，其中該反應的一種或多種產物包括：三氧化二硼、二氧化碳、一氧化碳、氫、硼酸和偏硼酸。
一種剝除沉積在複數個基板上之一碳化硼層之方法，該方法包括以下步驟：將該複數個基板同時裝載到一壓力容器的一處理區域中，各該複數個基板上沉積有該碳化硼層；將該複數個基板暴露於一處理氣體，該處理氣體包括處於約10巴和約60巴之間的一壓力下之蒸汽；將該壓力容器的該處理區域加熱到大於該處理氣體的一冷凝點之一溫度；和從該壓力容器的該處理區域除去該處理氣體和該碳化硼層之間的一反應之一種或多種產物。
如請求項19所述之方法，其中該處理氣體包括約5%的過熱蒸汽(superheated steam)至約100%的過熱蒸汽。