TWI763042B

TWI763042B - 製造電路板結構的方法

Info

Publication number: TWI763042B
Application number: TW109132129A
Authority: TW
Inventors: 李弘榮; 方上銘
Original assignee: 佳勝科技股份有限公司; 育達電子股份有限公司
Priority date: 2020-09-17
Filing date: 2020-09-17
Publication date: 2022-05-01
Also published as: KR102519230B1; CN114206015A; JP7092316B2; US20220087034A1; JP2022050295A; CN114206015B; KR20220037335A; TW202214059A

Abstract

一種製造電路板結構的方法包含以下操作。首先，提供第一基板。接著，形成第一線路結構於第一基板上，其中第一線路結構包含具有第一高度的第一線路以及具有第二高度的第二線路，且第一高度大於第二高度。再形成液晶聚合物層於第一基板上並覆蓋第一線路結構。

Description

製造電路板結構的方法

本揭露是有關於一種製造電路板結構的方法。

一般而言，通訊裝置之電路板上會配置微處理器及天線等電子元件。電子元件之間是藉由電路板的線路連接，以進行資料的傳遞。由於各電子元件間所需傳遞的資料量不同，因此，電子元件間的線路數量也會有所不同。也就是說，電路板上的佈線密度分配不平均，例如微處理器處理大多數的資料傳遞與控制動作，因此微處理器之線路區域的佈線密度需較高，以利能夠處理大量的資料；而天線之線路區域的佈線密度相對之下則較低。

隨著微處理器功能的增加以及電路板電子元件的多樣化，使得微處理器或是其他電子元件之間的線路數量增加，以利處理更多的資料，造成佈線密度提高。但是因為電路板上的線路區域面積大小固定，因此當線路密度超過一定限度時，將必須使用更多層數之電路板來完成線路佈局。然而，並非整個電路板上都需要很高的佈線密度，若是整體改用較多層數的電路板，比如六層板或八層板，則將增加製造成本且其製造過程也更為複雜。

有鑑於此，本揭露之一目的在於提出一種可解決上述問題之製造電路板結構的方法。

為了達到上述目的，本揭露之一態樣是提供一種製造電路板結構的方法，其包含以下操作。(i)首先，提供第一基板。(ii)接著，形成第一線路結構於第一基板上，其中第一線路結構包含具有第一高度的第一線路以及具有第二高度的第二線路，且第一高度大於第二高度。(iii)再形成液晶聚合物層於第一基板上並覆蓋第一線路結構。

根據本揭露一實施方式，此方法還包含形成一導電層於第一基板與第一線路結構之間。

根據本揭露一實施方式，上述導電層為一圖案化導電層或一整面導電層。

根據本揭露一實施方式，操作(ii)包含形成第一光阻覆蓋第一基板；形成第一開口和第二開口暴露部分的第一基板；使用第一導電材料填滿第一開口和第二開口；形成第二光阻覆蓋第一光阻、第一開口和第二開口；形成第三開口暴露出填滿第一開口的第一導電材料；使用第二導電材料填滿第三開口，其中第二導電材料與第一開口中的第一導電材料直接接觸；以及移除第一光阻和第二光阻，以形成第一線路和第二線路。

根據本揭露一實施方式，上述第一光阻和第二光阻各自為乾膜型光阻或液態型光阻。

根據本揭露一實施方式，第一線路結構更包含具有第三高度的第三線路，且第三高度小於第一高度且大於第二高度。

根據本揭露一實施方式，操作(ii)包含形成第一光阻覆蓋第一基板；形成第一開口、第二開口和第三開口暴露部分的第一基板；使用第一導電材料填滿第一開口、第二開口和第三開口；形成第二光阻覆蓋第一光阻、第一開口、第二開口和第三開口；形成第四開口和第五開口分別暴露出填滿第一開口的第一導電材料和填滿第二開口的該第一導電材料；使用第二導電材料填滿第四開口和第五開口，其中第二導電材料與第一開口和第二開口中的第一導電材料直接接觸；形成第三光阻覆蓋第二光阻、第四開口和第五開口；形成第六開口暴露出填滿第四開口的第二導電材料；使用第三導電材料填滿第六開口，其中第三導電材料與第四開口中的第二導電材料直接接觸；以及移除第一光阻、第二光阻和第三光阻，以形成第一線路、第二線路和第三線路。

根據本揭露一實施方式，此方法還包含以下操作。(iv)提供第二基板。(v)形成第二線路結構於第二基板上，其中第二線路結構包含具有第四高度的第四線路。(vi)將第二基板與第一基板對接，使得第四線路嵌埋於液晶聚合物層並直接接觸第二線路。

根據本揭露一實施方式，第四高度與第二高度的總和實質上等於液晶聚合物層的厚度。

根據本揭露一實施方式，操作(vi)是在液晶聚合物玻璃轉化溫度與液晶聚合物熔點之間的溫度下進行。

10:方法

110:操作

120:操作

130:操作

140:操作

150:操作

160:操作

210:第一基板

220:第一線路結構

222:第一線路

224:第二線路

226:第三線路

230:液晶聚合物層

240:導電層

410:光阻

510:開口

520:開口

530:開口

610:導電材料

710a:光阻

710b:光阻

810a:開口

810b:開口

830b:開口

910a:導電材料

910b:導電材料

1010:光阻

1110:開口

1210:導電材料

1410:第二基板

1510:第二線路結構

1512:第四線路

1514:第五線路

1710:預浸片

1720:導線

1730:凹陷

1740:導通孔

1750:導線

A:電路板結構

B:電路板結構

H1:第一高度

H2:第二高度

H3:第三高度

H4:第四高度

H5:第五高度

TK:厚度

為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示本揭露一實施方式之製造電路板結構的方法流程圖。

第2圖、第3圖、第13圖、第14圖、第15圖及第16圖繪示本揭露一實施方式之製造電路板結構的方法中各製程階段的剖面示意圖。

第4圖、第5圖、第6圖、第7A圖、第7B圖、第8A圖、第8B圖、第9A圖、第9B圖及第10圖、第11圖及第12圖繪示本揭露多個實施方式之製造線路結構中各製程階段的剖面示意圖。

第17圖繪示本揭露一比較例之傳統電路板結構某一部分的剖面示意圖。

為了使本揭露內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本揭露的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本揭露具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。

以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本揭露多個實施例的不同特徵。以下的內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。將關於特定具體實施例並參照某些圖式來描述本揭露多個實施例，但本揭露多個實施例不限於特定具體實施例以及圖式，而只受限於申請專利範圍。所描述的圖式僅為示例性，且非限制性。在圖式中，為了示例的目的，一些元件的大小可被放大，且不按比例繪示。尺寸以及相對尺寸不一定相應於用以實施的實際縮圖。

要注意的是，申請專利範圍中所使用的用語「包含」不應被理解為受限於其後所列出的手段；它不排除其他元件或操作。因此它被理解為具體說明如同所提及的所陳述特徵、整體、操作或構件的存在，但不排除一或更多個其他特徵、整體、操作或構件或其群組的存在或加入。因此，「包含裝置A以及B的裝置」的描述範圍不應限於只由構件A以及B所構成的裝置。

第1圖繪示本揭露一實施方式之製造電路板結構的方法10流程圖。第2圖至第13圖繪示本揭露一實施方式之製造電路板結構A的方法10中各製程階段的剖面示意圖。需理解的是，可在方法10之前、之中與之後，執行額外之操作，而對於方法10之額外實施例而言，操作的一些可被取代、排除或移動。方法10僅為一示範之實施例，且不打算用來限制本揭露各個實施例，除了申請專利範圍中所明確記載之外。製造電路板結構A的方法10至少包含操作110、操作120及操作130。

在操作110中，提供第一基板210，如第2圖所示。在某些實施例中，第一基板210為軟板，其包含聚醯亞胺(Polyimide，PI)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)、液晶聚合物(Liquid Crystal Polymaer，LCP)及其組合。換句話說，第一基板210具有可撓曲性。

在操作120中，形成第一線路結構220於第一基板210上，如第3圖所示。具體的說，第一線路結構220包含具有第一高度H1的第一線路222以及具有第二高度H2的第二線路224，且第一高度H1大於第二高度H2。在多個實施例中，第一線路結構220可包含銅、鋁、鐵、銀、鈀、鎳、鉻、鉬、鎢、鋅、鉻、錳、鈷、金、錫、鉛或不鏽鋼，或是以上金屬材料中的至少兩種混合而成的合金。

在多個實施例中，如第2圖所示，可以形成一導電層240於第一基板210與第一線路結構220之間。更詳細的說，導電層240可以為一圖案化導電層或一整面導電層。舉例來說，一整面導電層可包含銅箔、鋁箔、銀箔、錫箔或/和金箔。舉例來說，圖案化導電層為藉由蝕刻上述一整面導電層而形成。以下操作及實施例可包含或不包含導電層240，其僅為配合圖式來予以說明。

第4圖、第5圖、第6圖、第7A圖、第8A圖及第9A圖繪示本揭露一實施方式之製造線路結構220中各製程階段的剖面示意圖。在多個實施例中，可以藉由多次沉積導電材料來形成具有不同高度線路的第一線路結構220，詳細的製造流程如以下步驟。步驟(a)：先形成光阻410覆蓋第一基板210，如第4圖所示。舉例來說，光阻410可以為乾膜型光阻或液態型光阻。

更詳細的說，乾膜型光阻可包含聚酯壓克力樹脂(polyester acrylates)，其具有重複單元結構如下：

、聚醚壓克力樹脂(polyether acrylates)，其具有重複單元結構如下：

、聚胺酯壓克力樹脂(polyurethane acrylates)，其具有重複單元結構如下：

或環氧壓克力樹脂(epoxy acrylates)，其具有重複單元結構如下：

更詳細的說，液態型光阻可包含脂環族聚合物(Alicyclic polymers)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)，其具有重複單元結構如下：，PMMA)

、聚丙烯酸(Poly(acrylic acid))，其具有重複單元結構如下：

、聚降冰片烯(Polynorbornene)，其具有重複單元結構如下：

、聚(乙烯基萘)(Poly(vinyl naphthalene))，其具有重複單元結構如下：

、聚降冰片烯-馬來酸酐(Poly(norbornene-alt-maleic anhydride))，其具有重複單元結構如下：

、聚四氟乙烯(Poly(tetrafluoroethylene)，其具有重複單元結構如下：

、聚(甲基三氟甲基丙烯酸甲酯)(Poly(methyl trifluoromethylacrylate))，其具有重複單元結構如下：

、聚苯乙烯 (Poly(styrene))，其具有重複單元結構如下：

、或者聚(氟苯乙烯)(Poly(fluorostyrene)或Poly(hexafluoroisopropanolstyrene))，其具有重複單元結構如下：

、

或

。

此外，在某些實施例中，液態型光阻還可包含聚(4-羥基苯乙烯)(Poly(4-hydroxystyrene))、聚(丙烯酸叔丁酯)(Poly(t-butyl acrylate))、聚降冰片烯亞甲基六氟異丙醇(Poly(norbornene methylene hexafluoro isopropanol))、聚(降冰片烯六氟醇-共降冰片烯六氟醇叔丁氧羰基)(Poly(norbornene hexafluoro alcohol-co-norbornene hexafluoro alcohol tbutoxycarbonyl))、聚(降冰片烯六氟醇-降冰片烯六氟醇縮醛)(Poly(norbornene hexafluoro alcohol-co-norbornene hexafluoro alcohol acetal))、聚(1,1,2,3,3-五氟，4-三氟甲基-4-羥基1,6-庚二烯)(Poly(1,1,2,3,3-pentafluoro,4-trifluoromethyl-4-hydroxy1,6-heptadiene)，PFOP)、聚([2,2,2-三氟-1-三氟甲基-1-(4-乙烯基-苯基)乙氧基]乙酸叔丁基酯)(Poly(tert-butyl[2,2,2-trifluoro-1-trifluoromethyl-1-(4-vinyl-phenyl)ethoxy]-acetate))、聚(1-(2,2,2-三氟-1-甲氧基甲氧基-1-三氟甲基乙基)-4-乙烯基苯)(Poly(1-(2,2,2-trifluoro-1-methoxymethoxy-1-trifluoromethylethyl)-4-vinyl benzene))、聚(1-[1-(叔丁氧基甲氧基)-2,2,2-三氟-1-三氟甲基乙基]-4-乙烯基苯)(Poly(1-[1-(tert-butoxymethoxy)-2,2,2-trifluoro-1-trifluoromethylethyl]-4-vinylbenzene))、聚(1-[1-(叔丁氧基羰基)-2,2,2-三氟-1-三氟甲基乙基]-4-乙烯基苯)(Poly(1-[1-(tert-butoxycarbonyl)-2,2,2-trifluoro-1-trifluoromethylethyl]-4-vinylbenzene))或聚(2-[4-(2-羥基六氟異丙基)環己烷]丙烯酸六氟異丙基酯)(Poly(2-[4-(2-hydroxyhexafluoroisopropyl) cyclohexane]hexafluoroisopropyl acrylate))。

步驟(b)：接著，圖案化光阻410，從而形成開口510和開口520以暴露部分的第一基板210，如第5圖所示。舉例來說，圖案化光阻410可以藉由微影蝕刻製程達成。

步驟(c)：使用導電材料610填滿開口510和開口520，如第6圖所示。舉例來說，可以藉由電鍍、化學鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積等合適的製程來完成步驟(c)。再舉例來說，導電材料610可包含銅、鋁、鐵、銀、鈀、鎳、鉻、鉬、鎢、鋅、錳、鈷、金、錫、鉛或不鏽鋼，或是以上金屬材料中的至少兩種混合而成的合金。

步驟(d)：形成光阻710a覆蓋光阻410和導電材料610，如第7A圖所示。在多個實施例中，光阻710a的材料可以與光阻410的材料相同或相似。

步驟(e)：形成開口810a暴露出填滿開口510的導電材料610，如第8A圖所示。在多個實施例中，開口810a大致對準開口510。在多個實施例中，開口810a的尺寸實質上與開口510的尺寸相同。

步驟(f)：使用導電材料910a填滿開口810a，其中導電材料910a與開口510中的導電材料610直接接觸，如第9A圖所示。在多個實施例中，導電材料910a可以與導電材料610相同或相似。

步驟(g)：移除光阻410和光阻710a，以形成如第3圖所示的第一線路222和第二線路224。在多個實施例中，可以藉由合適的光阻剝除劑移除光阻410和光阻710a。

需說明的是，藉由上述製造線路結構220的方法可以生產具有細線寬的電路板結構。舉例來說，線寬可以介於15微米至50微米之間，例如，20微米、25微米、30微米、35微米或45微米。此外，上述的方法不僅可以用來形成線路，還可以用來形成導通孔，進而避免產生凹陷的問題，詳細的內容如下文所述。

請回到第3圖，在某些實施例中，第一線路結構220可以更包含具有第三高度H3的第三線路226，第三高度H3小於第一高度H1且大於第二高度H2。第4圖、第5圖、第6圖、第7B圖、第8B圖、第9B圖、第10圖、第11圖及第12圖繪示本揭露一實施方式之製造線路結構220中各製程階段的剖面示意圖。在多個實施例中，同樣可以藉由如上所述之多次沉積導電材料來形成具有介於第一高度H1與第二高度H2之間的第三高度H3的第三線路226。在此實施例中，製造流程簡述如下。先形成光阻410覆蓋第一基板210，如第4圖所示。接著，形成開口510、520和530暴露部分的第一基板210，如第5圖所示。使用導電材料610填滿開口510、520和530。形成光阻710b覆蓋光阻410及導電材料610，如第7B圖所示。形成開口810b和830b分別暴露出填滿開口510和530的導電材料610，如第8B圖所示。使用導電材料 910b填滿開口810b和830b，其中導電材料910b與開口510和530中的導電材料610直接接觸，如第9B圖所示。形成光阻1010覆蓋光阻710b和導電材料910b，如第10圖所示。形成開口1110暴露出填滿開口810b的導電材料910b，如第11圖所示。使用導電材料1210填滿開口1110，其中導電材料1210與開口810b中的導電材料910b直接接觸，如第12圖所示。最後，移除光阻410、710b和1010，以形成如第3圖所示的第一線路222、第二線路224和第三線路226。

在多個實施例中，光阻710b和1010的材料與光阻410的材料相同或相似。在多個實施例中，導電材料910b和1210與導電材料610相同或相似。

可以理解的是，雖然第3圖僅繪示3個具有不同高度的線路，但是本領域的技術人員可以依據需求設計4個、5個、6個或若干個具有不同高度或相同高度的線路。並且，可參照如上所述之製造線路的方法來形成線路數量更多的線路結構。

以下所述之熱致型液晶聚合物的熔點為熱致型液晶聚合物由固態轉變成具有流動性的液晶態時的溫度。

在操作130中，形成液晶聚合物層230於第一基板210上並覆蓋第一線路結構220，以形成如第13圖所示的電路板結構A。在多個實施例中，液晶聚合物層230可包含熱致型液晶聚合物、溶致型液晶聚合物或者同時具有熱致型以及溶致型性質的液晶聚合物。更具體的說，同時具有熱致型以及溶致型性質的液晶聚合物具有如熱致型液晶聚合物的熔點(melting point)以及如溶致型液晶聚合物之溶於某特定溶劑的可溶性。舉例來說，熱致型液晶聚合物可由供應商Kuraray購入；溶致型液晶聚合物可由供應商Azotek購入；以及同時具有熱致型以及溶致型性質的液晶聚合物可由供應商Azotek購入。

在一實施例中，若選用熱致型液晶聚合物，則可以利用諸如吹膜(film blowing)或流延(casting)等成膜方式來形成液晶聚合物層230。在一實施例中，若選用溶致型液晶聚合物，則可以利用諸如塗佈(coating)等成膜方式來形成液晶聚合物層230。在一實施例中，若選用同時具有熱致型以及溶致型性質的液晶聚合物，則可以利用諸如流延或塗佈等成膜方式來形成液晶聚合物層230。值得注意的是，由溶致型液晶聚合物所形成的液晶聚合物層230並無黏著力，因此，需額外搭配純膠(bonding sheet)以提供足夠的黏著力。

可以理解的是，液晶聚合物具有低介電常數(Dk=2.9)及低介電損耗(Df=0.001-0.002)的特質，非常適用於高頻信號傳輸，例如天線。液晶聚合物除了具備高頻信號傳輸的優異電氣特性外，同時也具備低吸濕性(吸濕率約為0.01-0.02%，只有一般PI基材的1/10)而使其具有良好的可靠性。因此，本揭露優選使用液晶聚合物作為電路板結構的介電材料。

第14圖至第15圖繪示本揭露另一實施方式之製造電路板結構B的方法10中各製程階段的剖面示意圖。請同時參閱第1圖及第14圖，在操作140中，提供第二基板1410。在某些實施例中，第二基板1410為軟板，其包含聚醯亞胺(Polyimide，PI)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)、液晶聚合物(Liquid Crystal Polymaer，LCP)及其組合。換句話說，第二基板1410具有可撓曲性。

請同時參閱第1圖及第15圖，在操作150中，形成第二線路結構1510於第二基板1410上。具體的說，第二線路結構1510包含具有第四高度H4的第四線路1512。在某些實施例中，第二線路結構1510還包含具有第五高度H5的第五線路1514。在多個實施例中，第二線路結構1510可包含銅、鋁、鐵、銀、鈀、鎳、鉻、鉬、鎢、鋅、鉻、錳、鈷、金、錫、鉛或不鏽鋼，或是以上金屬材料中的至少兩種混合而成的合金。在多個實施例中，形成第二線路結構1510的方法可以與形成第一線路結構220的方法相同或類似，在此不再贅述。

請同時參閱第1圖及第16圖，在操作160中，將第二基板1410與第一基板210對接，使得第四線路1512嵌埋於液晶聚合物層230中並直接接觸第二線路224，以形成電路板結構B。在多個實施例中，第四高度H4與第二高度H2的總和實質上等於液晶聚合物層230的厚度TK。在多個實施例中，操作160是在液晶聚合物玻璃轉化溫度與液晶聚合物熔點之間的溫度下進行。

在第二線路結構1510包含第五線路1514的實施例中，將第二基板1410與第一基板210對接後，第五線路1514嵌埋於液晶聚合物層230中並直接接觸第三線路226。在這個實施例中，第五高度H5與第三高度H3的總和實質上等於液晶聚合物層230的厚度TK。

第17圖繪示本揭露一比較例之傳統電路板結構某一部分的剖面示意圖。一般來說，傳統電路板大多使用增層法(built-up process)來建立上下層之間的電路連接。然而，傳統電路板中所使用的介電層通常為預浸片(prepreg)，且其厚度為75~300微米不等，甚至可以超過500微米。如第17圖所示，導線1720和1750分別設置在預浸片1710的相對兩表面上，且導通孔1740貫穿預浸片1710與導線1720和1750電性連接。由於預浸片的厚度較厚，因此，藉由電鍍(plating)製程所形成的導通孔1740會出現嚴重的凹陷(dimple)1730。這種情況容易在後續高溫製程中引起爆孔(out-gassing)的現象，進而影響電路板整體的可靠性。

綜上所述，相較於傳統的多層電路板，本揭露製造電路板結構的方法不但可以大幅減少電路板結構所需的層數，亦即，可降低電路板結構的整體厚度，具有輕薄效果，還可以簡化製造過程並降低製造成本。再者，利用本揭露之製造電路板結構的方法還能夠避免金屬材料在填入導通孔後所產生凹陷的問題，從而避免後續進行回焊(reflow)測試時而有爆孔(out-gassing)的危險。此外，本揭露之製造電路板結構的方法也能夠大幅降低線路的尺寸，進而最大化佈線密度。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10 : 方法 110: 操作 120: 操作 130: 操作 140: 操作 150: 操作 160: 操作

Claims

一種電路板結構的製造方法，該方法包含：(i)提供一第一基板；(ii)形成一第一線路結構於該第一基板上，其中該第一線路結構包含具有一第一高度的一第一線路以及具有一第二高度的一第二線路，且該第一高度大於該第二高度，其中形成該第一線路結構於該第一基板上的步驟，包含：形成一第一光阻覆蓋該第一基板；形成一第一開口和一第二開口暴露部分的該第一基板；使用一第一導電材料填滿該第一開口和該第二開口；形成一第二光阻覆蓋該第一光阻和該第一導電材料；形成一第三開口暴露出填滿該第一開口的該第一導電材料，其中該第三開口的一尺寸與該第一開口的一尺寸相同；使用一第二導電材料填滿該第三開口，其中該第二導電材料與該第一開口中的該第一導電材料直接接觸；移除該第一光阻和該第二光阻，以形成該第一線路和該第二線路；以及(iii)形成一液晶聚合物層於該第一基板上並覆蓋該第一線路結構。
如請求項1所述之方法，更包含形成一導電層於該第一基板與該第一線路結構之間。
如請求項2所述之方法，其中該導電層為一圖案化導電層或一整面導電層。
如請求項1所述之方法，其中該第一光阻和該第二光阻各自為一乾膜型光阻或一液態型光阻。
如請求項1所述之方法，其中該第一線路結構更包含具有一第三高度的一第三線路，該第三高度小於該第一高度且大於該第二高度。
如請求項5所述之方法，其中該操作(ii)包含：形成一第一光阻覆蓋該第一基板；形成一第一開口、一第二開口和一第三開口暴露部分的該第一基板；使用一第一導電材料填滿該第一開口、該第二開口和該第三開口；形成一第二光阻覆蓋該第一光阻和該第一導電材料；形成一第四開口和一第五開口分別暴露出填滿該第一開口的該第一導電材料和填滿該第二開口的該第一導電材料；使用一第二導電材料填滿該第四開口和該第五開口，其中該第二導電材料與該第一開口和該第二開口中的該第一導電材料直接接觸；形成一第三光阻覆蓋該第二光阻和該第二導電材料；形成一第六開口暴露出填滿該第四開口的該第二導電材料；使用一第三導電材料填滿該第六開口，其中該第三導電材料與該第四開口中的該第二導電材料直接接觸；以及移除該第一光阻、該第二光阻和該第三光阻，以形成該第一線路、該第二線路和該第三線路。
如請求項1所述之方法，更包含：(iv)提供一第二基板；(v)形成一第二線路結構於該第二基板上，其中該第二線路結構包含具有一第四高度的一第四線路；以及(vi)將該第二基板與該第一基板對接，使得該第四線路嵌埋於該液晶聚合物層並直接接觸該第二線路。
如請求項7所述之方法，其中該第四高度與該第二高度的一總和實質上等於該液晶聚合物層的一厚度。
如請求項7所述之方法，其中該操作(vi) 是在一液晶聚合物玻璃轉化溫度與一液晶聚合物熔點之間的溫度下進行。