TWI762953B - 利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法 - Google Patents

Abstract

一種利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法，包括提供在一表面上具有一黏著層的一整平基板，其中整平基板為平板狀，且黏著層上配置有複數個發光二極體晶片；提供在一表面上設置有電路的一電路基板，且電路上配置有複數個導電焊墊；在發光二極體晶片與導電焊墊兩者的至少其中之一上設置焊料；將整平基板具有黏著層的表面與電路基板設置有電路的表面相對配置，使整平基板以及電路基板彼此靠近，進而使發光二極體晶片透過焊料接觸導電焊墊；熔融焊料，使發光二極體晶片焊接於導電焊墊上；以及移去整平基板，使全部的發光二極體晶片留置於電路基板上。

Description

利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法

本發明涉及一種利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法，特別是涉及一種製造具有相同平整度發光面的發光二極體晶片的面板製造方法。

發光二極體晶片通常透過多個錫球而電性連接於電路板，但是在錫球進行加熱而熔融的過程中，錫球會因為熔融而造成其厚度的不穩定性，使得放置在錫球上的發光二極體晶片會發生傾斜的狀況。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種製造發光二極體面板的方法。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法，包括提供在一表面上具有一黏著層的一整平基板，其中整平基板為平板狀，且黏著層上配置有複數個發光二極體晶片；提供在一表面上設置有電路的一電路基板，且電路上配置有複數個導電焊墊；在發光二極體晶片與導電焊墊兩者的至少其中之一上設置焊料；將整平基板具有黏著層的表面與電路基板設置有電 路的表面相對配置，使整平基板以及電路基板彼此靠近，進而使發光二極體晶片透過焊料接觸導電焊墊；熔融焊料，使發光二極體晶片焊接於導電焊墊上；以及移去整平基板，使全部的發光二極體晶片留置於電路基板上。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法，可在發光二極體晶片透過焊料接觸導電焊墊的同時熔融焊料，使得發光二極體晶片焊接於導電焊墊上，進而使得全部的發光二極體晶片的發光面相對於電路基板的頂面具有相同的平整度，並且使得發光二極體晶片的發光面能位於同一平面上。

在一實施例中，上述的整平基板可透光。

在一實施例中，上述的整平基板不透光。

在一實施例中，上述熔融焊料的熱能由一雷射光加熱器、一紅外線加熱器或一微波加熱器提供。

為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

S:發光二極體晶片承載結構

1:電路基板

100:導電焊墊

1000:頂面

2:發光群組

20:發光二極體晶片

200:導電接點

2000:發光面

b:焊料

B:導電材料

D1:承載裝置

D2:加熱裝置

D3:晶片取放裝置

F:整平基板

F1000:黏著層

P:平面

D:距離

S100~S110:步驟

圖1為本發明所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的流程圖。

圖2為本發明第一實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟S100、步驟S102與步驟S104的示意圖。

圖3為本發明第一實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟S106的示意圖。

圖4為本發明第一實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶 片的面板製造方法中對發光二極體晶片施加壓力的示意圖。

圖5為本發明第一實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟S108的示意圖。

圖6為本發明第一實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟S110的示意圖，也是本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片承載結構的示意圖。

圖7為本發明第一實施例所提供的另一種利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟示意圖。

圖8為本發明第二實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟示意圖。

圖9為本發明第二實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟示意圖。

圖10為本發明第二實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟執行前的示意圖。

圖11為本發明第二實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟執行後的示意圖。

圖12為本發明第二實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟示意圖。

圖13為本發明第二實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟示意圖。

圖14為本發明第二實施例所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法的步驟示意圖，也是本發明第二實施例所提供的發光二極體晶片承載結構的示意圖。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關「利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法」的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

請參閱圖1至圖14所示，本發明提供一種發光二極體晶片承載結構S，其包括：一電路基板1以及一發光群組2。電路基板1包括多個導電焊墊100以及分別設置在多個導電焊墊100上的多個導電材料B。另外，發光群組2包括多個發光二極體晶片20，並且每一發光二極體晶片20具有分別電性接觸相對應的兩個導電材料B的兩個導電接點200。藉此，由於多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離都相同，以使得多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相對於電路基板1的頂面1000具有相同的平整度，並且使得多個發光二極體晶片20的多個發光面2000能位於同一平面P上。

請參閱圖1至圖14所示，本發明提供一種利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法，其包括：首先，配合圖1與圖3(或者配合圖1與圖11)所示，將多個發光二極體晶片20移轉到一電路基板1上；接著，配合圖1與圖4(或者配合圖1與圖12)所示，透過一承載裝置D1帶動一整平基板F，以同時對多個發光二極體晶片20施加一壓力，使得多個發光二極體晶片20的多個 發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同；然後，配合圖1與圖5(或者配合圖1與圖13所示)，在多個發光二極體晶片20被整平基板F所施壓的同時，透過一加熱裝置D2以將多個發光二極體晶片20固定在電路基板1上；緊接著，配合圖1與圖6(或者配合圖1與圖14)所示，透過承載裝置D1移除整平基板F。

舉例來說，配合圖2與圖3所示，在將多個發光二極體晶片20移轉到電路基板1上的步驟中，面板製造方法進一步包括：首先，如圖2所示，將多個發光二極體晶片20設置在整平基板F的一黏著層F1000上；然後，如圖3所示，透過承載裝置D1移動整平基板F，以將每一發光二極體晶片20設置在電路基板1的兩個焊料b上，使得每一發光二極體晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個焊料b而分別電性連接於電路基板1的兩個導電焊墊100。

舉例來說，配合圖7與圖3所示，在將多個發光二極體晶片20移轉到電路基板1上的步驟中，面板製造方法進一步包括：首先，如圖7所示，將多個發光二極體晶片20設置在整平基板F的一黏著層F1000上，每一發光二極體晶片20承載兩個焊料b；然後，如圖3所示，透過承載裝置D1移動整平基板F，以將每一發光二極體晶片20的兩個焊料b分別設置在電路基板1的兩個導電焊墊100上，使得每一發光二極體晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個焊料b而分別電性連接於相對應的兩個導電焊墊100。

[第一實施例]

參閱圖1至圖6所示，本發明第一實施例提供一種利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法，其包括：首先，配合圖1至圖2所示，提供在一表面上具有一黏著層F1000的一整平基板F，其中整平基板F為平板狀，且黏著層F1000上配置有複數個發光二極體晶片20(步驟S100)；接著，提供在一表面上設置有電路的一電路基板1，且電路上配置有複數個導電焊 墊100(步驟S102)；然後，在發光二極體晶片20與導電焊墊100兩者的至少其中之一上設置焊料b(步驟S104)，在本實施例中以在導電焊墊100上設置焊料b為例，但本發明不以此為限；緊接著，配合圖1至圖3所示，將整平基板F具有黏著層F1000的表面與電路基板1設置有電路的表面相對配置，使整平基板F以及電路基板1彼此靠近，進而使發光二極體晶片20透過焊料b接觸導電焊墊100(步驟S106)；之後，配合圖4及圖5所示，熔融焊料b形成導電材料B，使發光二極體晶片20焊接於導電焊墊100上(步驟S108)，其中熔融焊料b的熱能由一加熱裝置D2提供，且加熱裝置D2可以是一雷射光加熱器、一紅外線加熱器或一微波加熱器；最後，配合圖6所示，移去整平基板F，使全部的發光二極體晶片20留置於電路基板1上(步驟S110)。值得注意的是，配合圖5與圖6所示，當多個導電材料B透過加熱裝置D2而硬化時，發光二極體晶片20與導電材料B之間的結合力就會大於發光二極體晶片20與黏著層F1000之間的結合力，所以整平基板F就可以透過承載裝置D1帶動而離開多個發光二極體晶片20。

更進一步來說，配合圖1至圖3所示，在將發光二極體晶片20移轉到電路基板1上的步驟中，面板製造方法進一步包括：首先，配合圖1與圖2所示，將多個發光二極體晶片20設置在整平基板F的一黏著層F1000上；然後，配合圖1至圖3所示，透過承載裝置D1移動整平基板F，以將每一發光二極體晶片20設置在電路基板1的兩個焊料b上，使得每一發光二極體晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個焊料b而分別電性連接於電路基板1的兩個導電焊墊100。

更進一步來說，配合圖1、圖3與圖7所示，在將多個發光二極體晶片20移轉到電路基板1上的步驟中，面板製造方法進一步包括：首先，配合圖1與圖7所示，將多個發光二極體晶片20設置在整平基板F的一黏著層F1000 上，每一發光二極體晶片20承載相對應的兩個焊料b；然後，配合圖1、圖3與圖7所示，透過承載裝置D1移動整平基板F，以將每一發光二極體晶片20的兩個焊料b分別設置在電路基板1的兩個導電焊墊100上，使得每一發光二極體晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個焊料b而分別電性連接於相對應的兩個導電焊墊100。

舉例來說，在其中一實施例中，發光二極體晶片20可為一無基底的微發光二極體晶片，並且無基底的微發光二極體晶片包括一P型半導體層、設置在P型半導體層上的一發光層以及設置在發光層上的一N型半導體層。另外，在另外一實施例中，發光二極體晶片20可為一次毫米發光二極體晶片，並且次毫米發光二極體晶片包括一半導體基底、設置在半導體基底上的一P型半導體層、設置在P型半導體層上的一發光層以及設置在發光層上的一N型半導體層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。

舉例來說，焊料b或者導電材料B可為錫球、錫膏或者任何的焊接用材料，並且整平基板F可以是透光或者不透光的壓板，例如塑膠壓板、玻璃壓板或者任何材質的壓板。另外，承載裝置D1可為吸嘴、夾持器或者任何可承載或者帶動整平基板F的承載裝置，並且承載裝置D1可以避開而不影響加熱裝置D2對多個導電材料B的加熱。此外，加熱裝置D2可為雷射光加熱器、紅外線加熱器、微波加熱器或者任何可對導電材料B提供熱能的加熱裝置。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。

更進一步來說，如圖6所示，本發明第一實施例提供一種發光二極體晶片承載結構S，其包括：一電路基板1以及一發光群組2。電路基板1包括多個導電焊墊100以及分別設置在多個導電焊墊100上的多個導電材料B。另外，發光群組2包括多個發光二極體晶片20，並且每一發光二極體晶片20具有 分別電性接觸相對應的兩個導電材料B的兩個導電接點200。藉此，由於多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同，以使得多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相對於電路基板1的頂面1000具有相同的平整度，並且使得多個發光二極體晶片20的多個發光面2000能位於同一平面P上。值得注意的是，配合圖3與圖4所示，當一整平基板F透過一承載裝置D1的承載而同時壓在多個發光二極體晶片20的多個發光面2000上時，多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的頂面1000的距離D都相同。

[第二實施例]

參閱圖8至圖14所示，本發明第二實施例提供一種利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法，其包括：首先，配合圖10所示，將多個發光二極體晶片20移轉到一電路基板1上，使得每一發光二極體晶片20能透過兩個焊料b而電性連接於電路基板1；接著，配合圖11與圖12所示，透過一承載裝置D1帶動一整平基板F(無黏著層)，以同時對多個發光二極體晶片20施加一壓力(如圖12中向下的箭頭所示)，使得多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同；然後，配合圖13所示，在多個發光二極體晶片20被整平基板F所施壓的同時，透過一加熱裝置D2硬化多個導電材料B，以將每一發光二極體晶片20固定在相對應的兩個導電材料B上；緊接著，配合圖13與圖14所示，透過承載裝置D1移除整平基板F。

更進一步來說，配合圖1、圖8、圖10與圖11所示，在將多個發光二極體晶片20移轉到電路基板1上的步驟中，面板製造方法進一步包括：透過一晶片取放裝置D3，以將每一發光二極體晶片20設置在電路基板1的兩個焊料b上，使得每一發光二極體晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個焊料b而分別電性連接於電路基板1的兩個導電焊墊100。

更進一步來說，配合圖1、圖9、圖10與圖11所示，在將多個發光二極體晶片20移轉到電路基板1上的步驟中，面板製造方法進一步包括：透過一晶片取放裝置D3，以將每一發光二極體晶片20所承載的兩個焊料b分別設置在電路基板1的兩個導電焊墊100上，使得每一發光二極體晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個焊料b而分別電性連接於電路基板1的兩個導電焊墊100。

舉例來說，在其中一實施例中，發光二極體晶片20可為一無基底的微發光二極體晶片，並且無基底的微發光二極體晶片包括一P型半導體層、設置在P型半導體層上的一發光層以及設置在發光層上的一N型半導體層。另外，在另外一實施例中，發光二極體晶片20可為一次毫米發光二極體晶片，並且次毫米發光二極體晶片包括一半導體基底、設置在半導體基底上的一P型半導體層、設置在P型半導體層上的一發光層以及設置在發光層上的一N型半導體層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。

舉例來說，焊料b或者導電材料B可為錫球、錫膏或者任何的焊接用材料，並且整平基板F可以是透光或者不透光的壓板，例如塑膠壓板、玻璃壓板或者任何材質的壓板。另外，承載裝置D1可為吸嘴、夾持器或者任何可承載或者帶動整平基板F的承載裝置，並且承載裝置D1可以避開而不影響加熱裝置D2對多個導電材料B的加熱。此外，加熱裝置D2可為雷射光加熱器、紅外線加熱器、微波加熱器或者任何可對導電材料B提供熱能的加熱裝置。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。

更進一步來說，如圖14所示，本發明第二實施例提供一種發光二極體晶片承載結構S，其包括：一電路基板1以及一發光群組2。電路基板1包括多個導電焊墊100以及分別設置在多個導電焊墊100上的多個導電材料B。另 外，發光群組2包括多個發光二極體晶片20，並且每一發光二極體晶片20具有分別電性接觸相對應的兩個導電材料B的兩個導電接點200。藉此，由於多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同，以使得多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相對於電路基板1的頂面1000具有相同的平整度，並且使得多個發光二極體晶片20的多個發光面2000能位於同一平面P上。值得注意的是，配合圖11與圖12所示，當一整平基板F透過一承載裝置D1的承載而同時壓在多個發光二極體晶片20的多個發光面2000上時，多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的頂面1000的距離D都相同。

[實施例的有益效果]

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片承載結構S，其能通過“電路基板1包括多個導電焊墊100以及分別設置在多個導電焊墊100上的多個導電材料B”以及“發光群組2包括多個發光二極體晶片20，每一發光二極體晶片20具有分別電性接觸相對應的兩個導電材料B的兩個導電接點200，且多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同”的技術方案，以使得多個發光二極體晶片20的多個發光面2000相對於電路基板1的頂面1000具有相同的平整度，並且使得多個發光二極體晶片20的多個發光面2000能位於同一平面P上。

本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法，可在發光二極體晶片20透過焊料b接觸導電焊墊100的同時熔融焊料b，使得發光二極體晶片20焊接於導電焊墊100上，進而使得全部的發光二極體晶片20的發光面相對於電路基板1的頂面具有相同的平整度，並且使得發光二極體晶片20的發光面能位於同一平面P上。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷 限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

1:電路基板

100:導電焊墊

20:發光二極體晶片

200:導電接點

B:導電材料

D1:承載裝置

D2:加熱裝置

F:整平基板

F1000:黏著層

Claims (4)

1. 一種利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法，包括：提供在一表面上具有一黏著層的一整平基板，其中該整平基板為平板狀，且該黏著層上配置有複數個發光二極體晶片；提供在一表面上設置有電路的一電路基板，且該電路上配置有複數個導電焊墊；在該複數個發光二極體晶片與該複數個導電焊墊兩者的至少其中之一上設置焊料；將該整平基板具有該黏著層的該表面與該電路基板設置有該電路的該表面相對配置，使該整平基板以及該電路基板彼此靠近，進而使該複數個發光二極體晶片透過該焊料接觸該複數個導電焊墊；透過該整平基板對該複數個發光二極體晶片施加一壓力；熔融該焊料，使該複數個發光二極體晶片焊接於該複數個導電焊墊上，並確認該複數個發光二極體晶片遠離該電路基板的一頂面與該表面的距離皆相同；以及移去該整平基板，使全部的該複數個發光二極體晶片留置於該電路基板上。
2. 如請求項1所述的面板製造方法，其中該整平基板可透光。
3. 如請求項1所述的面板製造方法，其中該整平基板不透光。
4. 如請求項1所述的面板製造方法，其中熔融該焊料的熱能由一雷射光加熱器、一紅外線加熱器或一微波加熱器提供。

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