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TWI762262B - 在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構及其方法 - Google Patents

在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構及其方法 Download PDF

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TWI762262B
TWI762262B TW110111538A TW110111538A TWI762262B TW I762262 B TWI762262 B TW I762262B TW 110111538 A TW110111538 A TW 110111538A TW 110111538 A TW110111538 A TW 110111538A TW I762262 B TWI762262 B TW I762262B
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何政恩
張舜誠
俞鈞洲
李承宇
黃建彰
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元智大學
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Abstract

一種在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構及其方法，導線透過化學蝕刻製程於基板上形成，導線與基板接觸處藉由水池效應於導線左右兩側分別形成側蝕區域，導線與基板之間於側蝕區域形成側蝕角，而裸露於側蝕區域的基板長度為側蝕長度，透過控制側蝕角的角度進而控制側蝕長度使導線在指定的傳導頻率以降低導線的介入損耗，藉此可以達成控制側蝕角進而控制側蝕長度以降低導線的介入損耗的技術功效。

Description

在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構及其方法
一種導線結構及其方法，尤其是指一種控制側蝕角的角度進而控制側蝕長度以降低訊號傳導時導線的介入損耗的導線結構及其方法。
透過化學蝕刻製程將導線形成於基板為眾所熟知的技術，然而經化學蝕刻於基板上的導線在實際檢測過程中會發現存在訊號傳導時導線的介入損耗變動情況，導線在訊號傳導時介入損耗上升將會導致訊號衰減的情況。
改變導線的結構將會造成訊號傳導時介入損耗的改變進而影響到訊號傳導的效能，因此，本發明將探討導線產生水池效應時因導線結構改變而造成訊號傳導時介入損耗變動的因素，由於導線在化學蝕刻製程中的水池效應會產生側蝕區域，故而本發明將對導線側蝕區域所形成的側蝕角以及側蝕長度進行介入損耗變動的研究與探討。
綜上所述，為了因應未來通訊元件高頻/高速訊號傳輸之需求，先前技術中長期以來一直存在導線訊號傳導時訊號較高的介入損耗變動將成為高頻/高速訊號傳輸之阻礙，在過去並未披露高頻/高速訊號優化技術，因此有必要提出改進的技術手段，來解決此一問題。
有鑒於先前技術存在導線訊號傳導時訊號較高的介入損耗的問題，本發明遂揭露一種在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構及其方法，其中：
本發明所揭露的在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構，其包含：基板、導線、側蝕角以及側蝕長度。
導線透過化學蝕刻製程於基板上形成，並於導線與基板接觸處藉由水池效應於導線左右兩側分別形成側蝕區域，導線與基板於側蝕區域形成側蝕角，而裸露於側蝕區域的基板長度為側蝕長度，透過控制側蝕角的角度進而控制側蝕長度使導線在指定的訊號傳導的傳導頻率以降低導線的介入損耗。
本發明所揭露的針對導線結構在訊號傳導時降低介入損耗的方法，其包含下列步驟：
首先，透過化學蝕刻製程於基板上形成導線，並於導線與基板接觸處藉由水池效應於導線左右兩側分別形成側蝕區域；接著，導線與基板於側蝕區域形成的夾角為側蝕角，而裸露於側蝕區域的基板長度為側蝕長度；最後，透過控制側蝕角的角度進而控制側蝕長度使導線在指定的訊號傳導的傳導頻率以降低導線的介入損耗。
本發明所揭露的結構及其方法如上，與先前技術之間的差異在於導線透過化學蝕刻製程於基板上形成，導線與基板接觸處藉由水池效應於導線左右兩側分別形成側蝕區域，導線與基板於側蝕區域形成側蝕角，而裸露於側蝕區域的基板長度為側蝕長度，透過控制側蝕角的角度進而控制側蝕長度使導線在指定的傳導頻率以降低導線的介入損耗，亦即藉由控制側蝕情形即可控制導線與基板的接觸長度，藉由減少導線與基板的接觸長度以減少訊號在導線結構傳導時的介入損耗，以大幅增進高頻/高速訊號傳輸的功效。
透過上述的技術手段，本發明可以達成藉由控制側蝕角進而控制側蝕長度以降低導線的介入損耗的技術功效。
以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發明的實施方式，藉此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題並達成技術功效的實現過程能充分理解並據以實施。
透過化學蝕刻製程將導線形成於基板為眾所熟知的技術，透過化學蝕刻製程於基板上形成導線，並於導線與基板接觸處藉由水池效應於導線左右兩側分別形成側蝕區域，導線與基板於側蝕區域形成側蝕角，而裸露於側蝕區域的基板長度為側蝕長度，值得注意的是，導線的材質選自金、銀、銅、鐵、鈷、鎳、鈀、鉑、鈦、鉭、錫以及鉛的組合，導線的表面均方根粗糙度（root mean square deviation，Rq）範圍介於0 μm至5 μm，基板的介電常數介於1至50，導線在訊號傳導時的傳導頻率範圍介於0.1 GHz至300 GHz，側蝕角的角度範圍介於5度至90度之間，基板包含玻璃基板、石英基板、半導體基板、塑膠基板以及高速低損耗基板，在此僅為舉例說明之，並不以此侷限本發明的應用範疇。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第一模擬實驗，並請參考「第1A圖」所示，「第1A圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第一模擬實驗平面結構圖。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第一模擬實驗，其包含：基板10以及導線20，導線20透過化學蝕刻製程於基板10上形成，在第一模擬實驗中，導線20與基板10接觸處於左右二個側面21未產生水池效應。
請參考「第1B圖」所示，「第1B圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第一模擬實驗數據圖。
在第一模擬實驗中，是使用ANSYS-HFSS三維高頻電磁場模擬分析軟體進行第一模擬實驗的模擬，第一模擬實驗所使用的相關數據分別為：導線20材質為銅箔，基板10的介電常數為3.57，導線的表面均方根粗糙度範圍為0 μm至5 μm，導線20與基板10接觸的原始長度 L固定為“153μm”，進行形成於基板10上導線20的訊號傳導模擬，訊號傳導時的傳導頻率範圍介於0.1 GHz至100 GHz。
第一模擬實驗數據41如「第1B圖」所示，「第1B圖」即為第一模擬實驗導線結構的介入損耗對傳導頻率關係圖，在訊號傳導時的傳導頻率為“6 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗（Insertion loss）為“29.64 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“25 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“89.76 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“50 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“154.37 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“75 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“213.83 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“100 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“270.58 dB/m”。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第二模擬實驗，並請參考「第2A圖」所示，「第2A圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第二模擬實驗平面結構圖。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第二模擬實驗，其包含：基板10、導線20、側蝕角θ以及側蝕長度 l，導線20透過化學蝕刻製程於基板10上形成，在第二模擬實驗中，導線20與基板10接觸處於左右二個側面21透過水池效應以形成側蝕區域30，導線20與基板10於側蝕區域30形成側蝕角θ。
請參考「第2B圖」所示，「第2B圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第二模擬實驗數據圖。
在第二模擬實驗中，是使用ANSYS-HFSS三維高頻電磁場模擬分析軟體進行第二模擬實驗的模擬，第二模擬實驗所使用的相關數據分別為：導線20材質為銅箔，基板10的介電常數為3.57，導線的表面均方根粗糙度範圍為0 μm至5 μm，側蝕角θ為60度，導線20與基板10接觸的原始長度 L固定為“153μm”、側蝕高度 h固定為“4μm”以及側蝕長度 l為“2.3μm”，值得注意的是，側蝕高度 h以及側蝕長度 l在圖示中為了能明確的示意，故以較為誇飾的繪製方式進行示意，進行形成於基板10上導線20的訊號傳導模擬，訊號傳導時的傳導頻率範圍介於0.1 GHz至100 GHz。
第二模擬實驗數據42如「第2B圖」所示，「第2B圖」即為第二模擬實驗導線結構的介入損耗對傳導頻率關係圖，在訊號傳導時的傳導頻率為“6 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“28.48 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“25 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“83.56 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“50 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“142.28 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“75 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“196.47 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“100 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“248.44 dB/m”。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第三模擬實驗，並請參考「第3A圖」所示，「第3A圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第三模擬實驗平面結構圖。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第三模擬實驗，其包含：基板10、導線20、側蝕角θ以及側蝕長度 l，導線20透過化學蝕刻製程於基板10上形成，在第三模擬實驗中，導線20與基板10接觸處於左右二個側面21透過水池效應以形成側蝕區域30，導線20與基板10於側蝕區域30形成側蝕角θ。
請參考「第3B圖」所示，「第3B圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第三模擬實驗數據圖。
在第三模擬實驗中，是使用ANSYS-HFSS三維高頻電磁場模擬分析軟體進行第三模擬實驗的模擬，第三模擬實驗所使用的相關數據分別為：導線20材質為銅箔，基板10的介電常數為3.57，導線的表面均方根粗糙度範圍為0 μm至5 μm，側蝕角θ為45度，導線20與基板10接觸的原始長度 L固定為“153μm”、側蝕高度 h固定為“4μm”以及側蝕長度 l為“4 μm”，值得注意的是，側蝕高度 h以及側蝕長度 l在圖示中為了能明確的示意，故以較為誇飾的繪製方式進行示意，進行形成於基板10上導線20的訊號傳導模擬，訊號傳導時的傳導頻率範圍介於0.1 GHz至100 GHz。
第三模擬實驗數據43如「第3B圖」所示，「第3B圖」即為第三模擬實驗導線結構的介入損耗對傳導頻率關係圖，在訊號傳導時的傳導頻率為“6 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“27.56 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“25 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“80.71 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“50 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“137.59 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“75 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“190.23 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“100 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“240.80 dB/m”。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第四模擬實驗，並請參考「第4A圖」所示，「第4A圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第四模擬實驗平面結構圖。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第四模擬實驗，其包含：基板10、導線20、側蝕角θ以及側蝕長度 l，導線20透過化學蝕刻製程於基板10上形成，在第四模擬實驗中，導線20與基板10接觸處於左右二個側面21透過水池效應以形成側蝕區域30，導線20與基板10於側蝕區域30形成側蝕角θ。
請參考「第4B圖」所示，「第4B圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第四模擬實驗數據圖。
在第四模擬實驗中，是使用ANSYS-HFSS三維高頻電磁場模擬分析軟體進行第四模擬實驗的模擬，第四模擬實驗所使用的相關數據分別為：導線20材質為銅箔，基板10的介電常數為3.57，導線的表面均方根粗糙度範圍為0 μm至5 μm，側蝕角θ為30度，導線20與基板10接觸的原始長度 L固定為“153μm”、側蝕高度 h固定為“4 μm”以及側蝕長度 l為“6.9 μm”，值得注意的是，側蝕高度 h以及側蝕長度 l在圖示中為了能明確的示意，故以較為誇飾的繪製方式進行示意，進行形成於基板10上導線20的訊號傳導模擬，訊號傳導時的傳導頻率範圍介於0.1 GHz至100 GHz。
第四模擬實驗數據44如「第4B圖」所示，「第4B圖」即為第四模擬實驗導線結構的介入損耗對傳導頻率關係圖，在訊號傳導時的傳導頻率為“6 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“26.19 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“25 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“76.75 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“50 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“131.19 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“75 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“181.74 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“100 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“230.42 dB/m”。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第五模擬實驗，並請參考「第5A圖」所示，「第5A圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第五模擬實驗平面結構圖。
本發明所揭露在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第五模擬實驗，其包含：基板10、導線20、側蝕角θ以及側蝕長度 l，導線20透過化學蝕刻製程於基板10上形成，在第五模擬實驗中，導線20與基板10接觸處於左右二個側面21透過水池效應以形成側蝕區域30，導線20與基板10於側蝕區域30形成側蝕角θ。
請參考「第5B圖」所示，「第5B圖」繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第五模擬實驗數據圖。
在第五模擬實驗中，是使用ANSYS-HFSS三維高頻電磁場模擬分析軟體進行第五模擬實驗的模擬，第五模擬實驗所使用的相關數據分別為：導線20材質為銅箔，基板10的介電常數為3.57，導線的表面均方根粗糙度範圍為0 μm至5 μm，側蝕角θ為15度，導線20與基板10接觸的原始長度 L固定為“153μm”、側蝕高度 h固定為“4μm”以及側蝕長度 l為“14.9μm”，值得注意的是，側蝕高度 h以及側蝕長度 l在圖示中為了能明確的示意，故以較為誇飾的繪製方式進行示意，進行形成於基板10上導線20的訊號傳導模擬，訊號傳導時的傳導頻率範圍介於0.1 GHz至100 GHz。
第五模擬實驗數據45如「第5B圖」所示，「第5B圖」即為第五模擬實驗導線結構的介入損耗對傳導頻率關係圖，在訊號傳導時的傳導頻率為“6 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“23.95 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“25 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“70.27 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“50 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“120.61 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“75 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“167.45 dB/m”，在訊號傳導時的傳導頻率為“100 GHz”時，導線20在訊號傳導時的介入損耗為“212.41 dB/m”。
由第一模擬實驗數據至第五模擬實驗數據來分析，在導線20與基板10接觸處於左右二個側面21未產生水池效應時，可以得到導線20在訊號傳導時的介入損耗為最高，當導線20與基板10接觸處於左右二個側面21透過水池效應以形成側蝕角θ以及側蝕長度 l時，訊號傳導時的介入損耗的數值皆會低於導線20與基板10接觸處於左右二個側面21未產生水池效應時的情況，即可以得知導線20與基板10接觸處於左右二個側面21透過水池效應所形成的側蝕角θ以及側蝕長度 l將有助於降低導線20在訊號傳導時的介入損耗，換句話說，導線20與基板10相互接觸的接觸長度越短亦將有助於降低導線20在訊號傳導時的介入損耗，藉此即可得知透過控制側蝕角θ進而控制側蝕長度 l即可對導線的介入損耗進行降低。
本發明藉由控制側蝕情形即可控制導線20與基板10的接觸長度，藉由減少導線20與基板10的接觸長度以降低基板10對高頻/高速訊號傳輸的影響，故可減少訊號在導線結構傳導時的介入損耗，以大幅增進高頻/高速訊號傳輸的功效。
接著，請參考「第6圖」所示，「第6圖」繪示為本發明針對導線結構在訊號傳導時降低介入損耗方法的方法流程圖。
首先，透過化學蝕刻製程於基板上形成導線，並於導線與基板接觸處藉由水池效應於導線左右兩側分別形成側蝕區域（步驟101）；接著，導線與基板於側蝕區域形成的夾角為側蝕角，而裸露於側蝕區域的基板長度為側蝕長度（步驟102）；最後，透過控制側蝕角的角度進而控制側蝕長度使導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率以降低導線的介入損耗（步驟103）。
綜上所述，可知本發明與先前技術之間的差異在於透過化學蝕刻製程於基板上形成，導線與基板接觸處藉由水池效應於導線左右兩側分別形成側蝕區域，導線與基板於側蝕區域形成側蝕角，而裸露於側蝕區域的基板長度為側蝕長度，透過控制側蝕角進而控制側蝕長度使導線在指定的傳導頻率以降低導線的介入損耗，亦即藉由控制側蝕情形即可控制導線與基板的接觸長度，藉由減少導線與基板的接觸長度以減少訊號在導線結構傳導時的介入損耗，以大幅增進高頻/高速訊號傳輸的功效。
藉由此一技術手段可以來解決先前技術所存在導線訊號傳導時訊號的介入損耗變動的問題，進而達成藉由控制側蝕角進而控制側蝕長度以降低導線的介入損耗的技術功效。
雖然本發明所揭露的實施方式如上，惟所述的內容並非用以直接限定本發明的專利保護範圍。任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明所揭露的精神和範圍的前提下，可以在實施的形式上及細節上作些許的更動。本發明的專利保護範圍，仍須以所附的申請專利範圍所界定者為準。
10:基板 20:導線 21:側面 30:側蝕區域 41:第一模擬實驗數據 42:第二模擬實驗數據 43:第三模擬實驗數據 44:第四模擬實驗數據 45:第五模擬實驗數據 L:原始長度 l:側蝕長度 h:側蝕高度 θ:側蝕角 步驟101:透過化學蝕刻製程於基板上形成導線，並於導線與基板接觸處藉由水池效應於導線左右兩側分別形成側蝕區域 步驟102:導線與基板於側蝕區域形成的夾角為側蝕角，而裸露於側蝕區域的基板長度為側蝕長度 步驟103:透過控制側蝕角的角度進而控制側蝕長度使導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率以降低導線的介入損耗
第1A圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第一模擬實驗平面結構圖。 第1B圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第一模擬實驗數據圖。 第2A圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第二模擬實驗平面結構圖。 第2B圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第二模擬實驗數據圖。 第3A圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第三模擬實驗平面結構圖。 第3B圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第三模擬實驗數據圖。 第4A圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第四模擬實驗平面結構圖。 第4B圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第四模擬實驗數據圖。 第5A圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第五模擬實驗平面結構圖。 第5B圖繪示為本發明在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構的第五模擬實驗數據圖。 第6圖繪示為本發明針對導線結構在訊號傳導時降低介入損耗方法的方法流程圖。
10:基板
20:導線
21:側面
30:側蝕區域
L:原始長度
l:側蝕長度
h:側蝕高度
θ:側蝕角

Claims (10)

  1. 一種在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構，其包含： 一基板； 一導線，透過一化學蝕刻製程於所述基板上形成，並於所述導線與所述基板接觸處藉由水池效應於所述導線左右兩側分別形成一側蝕區域； 一側蝕角，所述導線與所述基板於所述側蝕區域形成的夾角；及 一側蝕長度，裸露於所述側蝕區域的基板長度； 其中，透過控制所述側蝕角的角度進而控制所述側蝕長度使所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率以降低所述導線的介入損耗。
  2. 如請求項1所述的在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構，其中所述導線的材質選自金、銀、銅、鐵、鈷、鎳、鈀、鉑、鈦、鉭、錫以及鉛的組合。
  3. 如請求項1所述的在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構，其中所述導線的表面均方根粗糙度（root mean square deviation，Rq）範圍為0 μm至5 μm，以及所述基板的介電常數介於1至50。
  4. 如請求項1所述的在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構，其中所述訊號傳導時的傳導頻率範圍介於0.1 GHz至300 GHz，以及所述側蝕角的角度範圍介於5度至90度之間。
  5. 如請求項1所述的在訊號傳導時降低介入損耗的導線結構，其中所述基板包含玻璃基板、石英基板、半導體基板、塑膠基板以及高速低損耗基板。
  6. 一種針對導線結構在訊號傳導時降低介入損耗的方法，其包含下列步驟： 透過一化學蝕刻製程於一基板上形成一導線，並於所述導線與所述基板接觸處藉由水池效應於所述導線左右兩側分別形成一側蝕區域； 所述導線與所述基板於所述側蝕區域形成的夾角為一側蝕角，而裸露於所述側蝕區域的一基板長度為一側蝕長度；及 透過控制所述側蝕角的角度進而控制所述側蝕長度使所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率以降低所述導線的介入損耗。
  7. 如請求項6所述的針對導線結構在訊號傳導時降低介入損耗的方法，其中透過控制所述側蝕角的角度為60度進而控制所述側蝕長度為2.3μm，所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率為75 GHz以降低所述導線的介入損耗為196.47 dB/m以及所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率為100 GHz以降低所述導線的介入損耗為248.44 dB/m。
  8. 如請求項6所述的針對導線結構在訊號傳導時降低介入損耗的方法，其中透過控制所述側蝕角的角度為45度進而控制所述側蝕長度為4 μm，所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率為75 GHz以降低所述導線的介入損耗為190.23 dB/m以及所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率為100 GHz以降低所述導線的介入損耗為240.80 dB/m。
  9. 如請求項6所述的針對導線結構在訊號傳導時降低介入損耗的方法，其中透過控制所述側蝕角的角度為30度進而控制所述側蝕長度為6.9 μm，所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率為75GHz以降低所述導線的介入損耗為181.74 dB/m以及所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率為100GHz以降低所述導線的介入損耗為230.42 dB/m。
  10. 如請求項6所述的針對導線結構在訊號傳導時降低介入損耗的方法，其中透過控制所述側蝕角的角度為15度進而控制所述側蝕長度為14.9  μm，所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率為75GHz以降低所述導線的介入損耗為167.45 dB/m以及所述導線在指定的訊號傳導時的傳導頻率為100GHz以降低所述導線的介入損耗為212.41 dB/m。
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