TWI758015B - 黏著片材及電子零件之處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種黏著片材，其可良好地暫時固定小型電子零件(例如，尺寸為100μm□以下之晶片)且能夠良好地剝離。

本發明之黏著片材係包含氣體產生層與配置於氣體產生層之至少單側之氣體阻隔層者，該氣體阻隔層係藉由對該黏著片材照射雷射光而變形之層，該氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(1)算出之值以下，且該氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(2)算出之值以上；35011×EXP(-0.812×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(1)

20081×EXP(-1.145×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(2)

Er為氣體阻隔層之高彈性部分之25℃下之利用奈米壓痕法所得的彈性模數(MPa)。

Description

黏著片材及電子零件之處理方法

本發明係關於一種黏著片材。

先前，於對電子零件進行加工時，存在進行如下操作之情形，即，於加工時將被加工體暫時固定於黏著片材上，於加工後將被加工體自該黏著片材剝離。作為此種操作中所使用之黏著片材，存在使用如下黏著片材之情形，該黏著片材於加工時具有特定之黏著力，於加工後黏著力可下降。作為此種黏著片材之一，提出有使黏著劑層中含有熱膨脹性微小球而構成之黏著片材(例如專利文獻1)。含有熱膨脹性微小球之黏著片材具有如下特徵：具有特定之黏著力，且藉由利用加熱使熱膨脹性微小球膨脹，而於黏著面形成凹凸，從而使接觸面積減小，因此黏著力會下降或消失。此種黏著片材具有無外應力便可容易地剝離被加工體之優點。

然而，近年來，伴隨著各種裝置之輕量化、搭載數增加之傾向，而推進電子零件之小型化，產生將小型化為與上述熱膨脹性微小球相同程度之尺寸之電子零件暫時固定之必要性。於暫時固定已進行小型化之電子零件而進行加工之情形時，因粒徑偏差而存在粒徑較大之熱膨脹性微小球之部位、不存在熱膨脹性微小球之部位等之影響變大，存在於該部位無法進行良好之剝離之情形。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2001-131507號公報

本發明係為了解決上述先前之課題而完成者，其目的在於提供一種可良好地暫時固定小型電子零件(例如，尺寸為100μm□以下之晶片)且能夠良好地剝離之黏著片材。

本發明之黏著片材係包含氣體產生層與配置於氣體產生層之至少單側之氣體阻隔層者，該氣體阻隔層係表面藉由對該黏著片材照射雷射光而變形之層，該氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(1)算出之值以下，且該氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(2)算出之值以上；35011×EXP(-0.812×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(1)

20081×EXP(-1.145×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(2)

Er為氣體阻隔層之高彈性部分之25℃下之利用奈米壓痕法所得的彈性模數(MPa)。

於一實施方式中，上述氣體產生層為可吸收紫外線之層。

於一實施方式中，上述氣體產生層含有紫外線吸收劑。

於一實施方式中，上述氣體阻隔層包含黏著劑層。

於一實施方式中，上述氣體阻隔層進而包含中間層。

於一實施方式中，上述氣體阻隔層之高彈性部分之利用奈米壓痕法所得之彈性模數為0.01MPa~10GPa。

於一實施方式中，上述氣體阻隔層之厚度為0.1μm~200μm。

於一實施方式中，藉由對上述氣體阻隔層照射雷射光而產生之上述氣體阻隔層表面之變形量以上述氣體阻隔層之垂直位移計為0.6μm以上。

於一實施方式中，上述黏著片材之穿刺強度為10mN~5000mN。

於一實施方式中，上述黏著片材之法線方向之伸長為0.1mm以上。

於一實施方式中，上述中間層含有熱塑性樹脂。

於一實施方式中，上述中間層為包含苯乙烯系彈性體之樹脂膜。

於一實施方式中，上述中間層含有硬化型樹脂。

於一實施方式中，上述硬化型樹脂為紫外線硬化型樹脂。

根據本發明之其他態樣，提供一種電子零件之處理方法。該電子零件之處理方法包括：將電子零件貼附於上述黏著片材上；及對該黏著片材照射雷射光而自該黏著片材剝離該電子零件。

於一實施方式中，上述電子零件之剝離係選擇位置地進行。

於一實施方式中，包括：於將上述電子零件貼附於上述黏著片材後且自該黏著片材剝離該電子零件前，對該電子零件進行特定處理。

於一實施方式中，上述處理為研磨加工、切割加工、黏晶、打線接合、蝕刻、蒸鍍、成型、電路形成、檢查、產品檢驗、洗淨、轉印、排列、修復或裝置表面保護。

於一實施方式中，上述電子零件之處理方法包括：自上述黏著片材剝離上述電子零件之後，將電子零件配置於其他片材。

根據本發明，可提供一種黏著片材，其係可良好地暫時固定小型電子零件(例如，尺寸為100μm□以下之晶片)者，且藉由具備利用雷射光照射可產生氣體之氣體產生層，而可使該小型電子零件良好地剝 離。

4:樣品

5A,5B:試樣保持器

6:壓縮試驗機

10:氣體產生層

20:氣體阻隔層

21:黏著劑層

22:中間層

100,200:黏著片材

圖1係本發明之一實施方式之黏著片材之概略剖視圖。

圖2係本發明之其他實施方式之黏著片材之概略剖視圖。

圖3係對穿刺強度及法線方向之伸長之測定方法進行說明之概略圖。

A.黏著片材之概要

圖1係本發明之較佳實施方式之黏著片材之概略剖視圖。黏著片材100具備氣體產生層10、及配置於氣體產生層10之至少單面之氣體阻隔層20。氣體產生層10藉由雷射光照射而產生氣體。更詳細而言，氣體產生層10係藉由利用雷射光照射使其成分氣化而產生氣體之層。作為雷射光，代表性而言使用UV(ultraviolet，紫外線)雷射光。氣體阻隔層20之表面會藉由對黏著片材(實質上為氣體產生層)照射雷射光而變形。於一實施方式中，該變形會因自氣體產生層10產生之氣體，而產生於氣體阻隔層20之與氣體產生層10相反之側。作為雷射光，代表性而言使用UV雷射光。

於一實施方式中，氣體阻隔層20包含黏著劑層21。代表性而言，黏著劑層21可配置於黏著片材100之最外側。

本發明之黏著片材可於黏著劑層貼附電子零件等被加工體而使用。本發明之黏著片材具備氣體產生層，藉由雷射光照射而於微小範圍局部地產生氣體。因該氣體之產生，而於黏著劑層產生變形，其結果，於照射過雷射光之部分表現剝離性。代表性而言，雷射光自氣體產生層之與黏著劑層相反之側照射。本發明中，由於以上述方式配置氣體阻隔層， 故而防止自氣體產生層產生之氣體之不需要之逸出，黏著劑層會藉由雷射光照射而良好地變形。根據本發明，能以如上所述之方式於微小範圍產生變形，故而於對極其微細之小型電子零件進行加工時，亦可使該小型電子零件良好地剝離。又，即便於需要剝離之小型電子零件與不需要剝離之小型電子零件相鄰地暫時固定之情形時，亦可於剝離對象之部位進行剝離，於剝離對象外之部位不進行剝離，即，可僅使需要剝離之小型電子零件剝離，亦可防止小型電子零件之不需要之脫離。又，上述黏著片材之剝離時之指向性優異，可僅於所需部位進行剝離，於防止破損且糊劑殘留較少之方面亦有利。再者，所謂剝離時之指向性係表示將小型電子零件等被黏著體自該黏著片材剝離，且對準某離開一定距離之位置射出時之位置精度之指標，若該指向性優異，則防止剝離時被黏著體向預計外之方向飛出。

所謂氣體阻隔層之變形係指於氣體阻隔層之法線方向(厚度方向)與水平方向(與厚度方向正交之方向)產生之位移。氣體阻隔層之變形例如藉由如下方式產生：藉由使用波長355nm、光束直徑約20μmΦ之UV雷射光，於0.80mW功率、40kHz頻率下進行脈衝掃描，而自氣體產生層產生氣體。關於變形後之形狀，例如對於脈衝掃描過之任意1點，於雷射光照射結束1分鐘後，根據共聚聚焦雷射顯微鏡或非接觸型干涉顯微鏡(WYKO)等之測定進行觀測。其形狀可為發泡(凸狀)、貫通孔(凹凸狀)、凹陷(凹狀)，藉由該等變形而可產生剝離性。於要沿法線方向將電子零件效率良好地剝離時，較佳為雷射光照射前後之法線方向之位移變化較大，尤其適合形成發泡形狀者。發泡(凸狀)係以未照射部之黏著片材表面為基準，將最高點定義為垂直位移Y，將半峰全幅值定義為水平位移X(直徑)。關於雷射光照射後形成孔之貫通孔(凹凸)與凹陷(凹)，將最高點 與最低點之差定義為垂直位移Y，將孔之直徑定義為水平位移X。以下，亦將藉由雷射光照射而變形之部分稱為「變形部」。氣體阻隔層之垂直位移較佳為0.6μm以上，更佳為0.7μm以上，進而較佳為1.0μm以上。若為此種範圍，則剝離性優異，剝離時之指向性優異。又，可向所需方向精度良好地剝離，其結果，可防止糊劑殘留、破損等。該垂直位移之上限例如為10μm(較佳為20μm)。氣體阻隔層之水平位移較佳為60μm以下，更佳為50μm以下，進而較佳為40μm以下。若為此種範圍，則對於較小之被黏著體，可較佳地進行僅於需要部位之剝離。又，於被黏著體以較窄間隔排列之情形時，亦可期待同樣之效果。該水平位移之下限例如為3μm(較佳為4μm)。

圖2係本發明之其他實施方式之黏著片材之概略剖視圖。黏著片材200中，氣體阻隔層20進而包含中間層22。黏著片材200依序包含黏著劑層21、中間層22及氣體產生層10。藉由設置中間層，而可容易地控制變形部形狀。又，藉由設置中間層，氣體阻隔性會提高，可獲得可更佳地形成變形部之黏著片材。中間層可為單層，亦可為複數層。

雖未圖示，但上述黏著片材可進而具備其他層。例如，亦可於氣體產生層之與氣體阻隔層為相反側之面設有基材、其他黏著劑層等。作為基材，例如使用包含任意適當之樹脂之膜。

本發明之黏著片材中，上述氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(1)算出之值以下，且上述氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(2)算出之值以上。

35011×EXP(-0.812×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(1)

20081×EXP(-1.145×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(2)

Er為氣體阻隔層之高彈性部分之利用奈米壓痕法所得之彈性模數(MPa)。

更佳為上述氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(3)算出之值以下，且上述氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(4)算出之值以上。

20023×EXP(-0.761×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(3)

18923×EXP(-1.028×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(4)

進而較佳為上述氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(5)算出之值以下，且上述氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(6)算出之值以上。

12546×EXP(-0.728×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(5)

18096×EXP(-0.949×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(6)

本說明書中，所謂「氣體阻隔層之高彈性部分」，於氣體阻隔層為單層構成之情形時(例如，包含黏著劑層單層之情形時)係指氣體阻隔層本身(於包含黏著劑層單層之情形時為黏著劑層)，於氣體阻隔層為複數層構成之情形時(例如，包含黏著劑層與中間層之情形時)係指彈性模數最高之層。於一實施方式中，於氣體阻隔層包含中間層與黏著劑層之情形時，「氣體阻隔層之高彈性部分之厚度」可相當於中間層之厚度，「氣體阻隔層之高彈性部分之25℃下之利用奈米壓痕儀法所得的彈性模數」可相當於中間層之該彈性模數。

利用奈米壓痕法所得之彈性模數係以如下方式獲得：對於藉由將金剛石製之Berkovich型(三角錐型)探針垂直地壓抵於測定對象層切出之截面而獲得之位移-負荷遲滯曲線，利用測定裝置附帶之軟體 (triboscan)進行數值處理。本說明書中，所謂彈性模數係使用奈米壓痕儀(Hysitron Inc公司製造之Triboindenter TI-950)，藉由在特定溫度(25℃)之單一壓入法，於壓入速度約500nm/sec、拔出速度約500nm/sec、壓入深度約1500nm之測定條件下測定出之彈性模數。再者，本說明書中，於未言及截面或表面而僅記作利用奈米壓痕法所得之彈性模數時，該彈性模數係指截面之利用奈米壓痕法所得之彈性模數。

本發明中，由於氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用上述式(1)算出之值以下，故而可提供氣體阻隔層充分地變形而剝離性優異之黏著片材。又，由於氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用上述式(2)算出之值以上，故而可提供防止氣體阻隔層之過量變形而難以產生破損等不良情況之黏著片材。即，本發明中，藉由以氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)之上限及下限滿足上述式(1)及(2)之方式構成，利用氣體產生而較佳地變形，亦難以產生變形部分之破裂等，於對小型電子零件進行加工時亦可使該小型電子零件良好地(即，剝離性良好地、選擇性地、防止糊劑殘留地)剝離。

本發明之黏著片材之黏著劑層相對於SUS430之黏著力較佳為0.1N/20mm以上，更佳為0.2N/20mm~50N/20mm，進而較佳為0.5N/20mm~40N/20mm，尤佳為0.7N/20mm~20N/20mm，最佳為1N/20mm~10N/20mm。若為此種範圍，則可獲得例如作為電子零件之製造中所使用之暫時固定用片材而表現出良好之黏著性之黏著片材。本說明書中，所謂黏著力係指於23℃之環境下藉由依照JIS(Japanese Industrial Standards，日本工業標準)Z 0237：2000之方法(貼合條件：2kg輥1個往返，拉伸速度：300mm/min，剝離角度180°)而測定出之黏著 力。

於一實施方式中，上述氣體產生層具有特定之黏著力。本發明之黏著片材之氣體產生層相對於SUS430之黏著力較佳為0.1N/20mm以上，更佳為0.5N/20mm~50N/20mm，進而較佳為1N/20mm~40N/20mm，尤佳為1.5N/20mm~30N/20mm，最佳為2N/20mm~20N/20mm。若為此種範圍，則可獲得例如作為電子零件之製造中所使用之暫時固定用片材而表現出良好之黏著性之黏著片材。

本發明之黏著片材之厚度較佳為2μm~200μm，更佳為3μm~150μm，進而較佳為5μm~120μm。

本發明之黏著片材之水蒸氣透過率較佳為5000g/(m²‧day)以下，更佳為4800g/(m²‧day)以下，進而較佳為4500g/(m²‧day)以下，進而較佳為4200g/(m²‧day)以下。具有此種範圍之水蒸氣透過率之黏著片材中，防止藉由雷射光照射而產生之氣體之逸出，於氣體阻隔層形成優異形狀之變形部。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。本發明之黏著片材之水蒸氣透過率越小越佳，其下限值例如為0.1g/(m²‧day)。水蒸氣透過率可於30℃、90% RH之環境下藉由依照JIS K7129B之測定法而測定。

本發明之黏著片材之穿刺強度較佳為10mN~5000mN，更佳為30mN~4000mN，進而較佳為50mN~3000mN，尤佳為100mN~2000mN。若為此種範圍，則可獲得利用氣體產生而較佳地變形，亦難以產生變形部分之破裂等之黏著片材。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。穿刺強度係如圖3所示，使用壓縮試驗機6(Kato Tech公司製造，商品名「KES-G5」)，將樣 品4(例如，黏著片材)夾於具有直徑11.28mm之圓形開口部之試樣保持器5A、5B而測定。更詳細而言，可於23℃之測定溫度下，於該圓形開口部之圓形開口部中心，將穿刺針(曲率半徑：1mm)對樣品穿刺(穿刺速度：0.1mm/s)，將於破裂點之最大負荷作為穿刺強度。再者，黏著片材之穿刺強度可為依賴於氣體阻隔層之機械特性之特性。

上述黏著片材之法線方向之伸長較佳為0.1mm以上，更佳為0.5mm以上，進而較佳為0.8mm以上。若為此種範圍，則可於阻隔層表面形成直徑較小之凸部。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。黏著片材之法線方向之伸長之上限例如為50mm。法線方向之伸長相當於上述穿刺強度之測定中於破裂點壓入穿刺針之距離，且係指面方向之樣品(例如，黏著片材)之伸長。

本發明之黏著片材之霧度值較佳為50%以下，更佳為0.1%~40%，進而較佳為0.2%~30%。若為此種範圍，則可隔著黏著片材視認被黏著體(例如，用於暫時固定電子零件之台)，從而可獲得例如為了顯示電子零件之暫時固定位置而設於固定台之標記之視認性優異的黏著片材。本發明之黏著片材可使該黏著片材所具備之各層不含不溶性之填料而構成，因此可成為如上述般霧度值較小而被黏著體視認性優異之黏著片材。此種效果為利用含有不溶性之填料(例如，熱膨脹性微小球)之黏著片材無法獲得之優異效果。

上述黏著片材之波長360nm之紫外線透過率較佳為30%以下，更佳為20%以下，進而較佳為15%以下，尤佳為10%以下，最佳為5%以下。黏著片材之波長360nm之紫外線透過率之下限例如為0%(較佳為0.05%，更佳為0.1%)。

上述黏著片材之10%重量減少溫度較佳為200℃~500℃，更佳為220℃~450℃，進而較佳為250℃~400℃，尤佳為270℃~370℃。若為此種範圍，則可獲得藉由雷射光照射而可形成更良好之變形部之黏著片材。所謂黏著片材之10%重量減少溫度係指使黏著片材升溫時之TGA分析中，相對於升溫前之重量而減少10重量%(即，黏著片材之重量相對於照射前之重量而成為90%)之時間點之溫度。

B.氣體產生層

氣體產生層可為能吸收紫外線之層。於一實施方式中，氣體產生層含有紫外線吸收劑。藉由含有紫外線吸收劑，可形成可吸收雷射光而進行氣化之氣體產生層。代表性而言，氣體產生層含有紫外線吸收劑與黏著劑A。較佳為紫外線吸收劑溶解於黏著劑A而存在。若紫外線吸收劑溶解於黏著劑A而存在，則可獲得如下黏著片材，其可於氣體阻隔層之任意部位產生變形部(例如，凹凸部)，且變形部(例如，凹凸部)之形狀之偏差較少。若使用此種黏著片材，則可於所需部位精度良好地產生變形部(例如，凹凸部)，本發明之效果變得顯著。再者，本說明書中，所謂「溶解於黏著劑而存在」之狀態係指紫外線吸收劑未以粒子之形式存在於氣體產生層中。更具體而言，上述氣體產生層中，較佳為不含利用X射線CT(computer tomography，電腦斷層掃描)之氣體產生層截面內之粒子分佈測定中粒徑為10μm以上之紫外線吸收劑。再者，氣體產生層可於黏著劑中含有不溶之成分，亦可不含有。於一實施方式中，氣體產生層中之不溶成分之有無及含量藉由氣體產生層之霧度值而評價，霧度值越小，評價為氣體產生層中之不溶成分之含量越少。較佳為氣體產生層於黏著劑中實質上不含不溶之成分。

上述氣體產生層(氣體產生層截面)之利用奈米壓痕法所得之彈性模數較佳為0.01MPa~1000MPa，更佳為0.05MPa~800MPa。若為此種範圍，則較佳地產生藉由氣體之產生所引起之氣體產生層之形狀變化，其結果，於氣體阻隔層形成優異形狀之變形部。再者，氣體產生層之彈性模數可藉由該層中所含之材料之種類、構成材料之基礎聚合物之結構、添加至該層中之添加劑之種類、量等而進行調整。

上述氣體產生層表面之利用奈米壓痕法所得之彈性模數較佳為0.01MPa~1000MPa，更佳為0.05MPa~800MPa。若為此種範圍，則較佳地產生藉由氣體之產生所引起之氣體產生層之形狀變化，其結果，於氣體阻隔層形成優異形狀之變形部。所謂利用奈米壓痕法所得之彈性模數係指跨及負載時、卸載時連續地測定將壓頭壓入至試樣(例如，黏著面)時對壓頭之負載負荷與壓入深度，並根據所得之負載負荷-壓入深度曲線而求出之彈性模數。利用奈米壓痕法所得之彈性模數係以如下方式獲得：對於藉由垂直地壓抵金剛石製之Berkovich型(三角錐型)探針而獲得之位移-負荷遲滯曲線，利用測定裝置附帶之軟體(triboscan)進行數值處理。本說明書中，所謂表面之利用奈米壓痕法所得之彈性模數係使用奈米壓痕儀(Hysitron Inc公司製造之Triboindenter TI-950)，藉由在特定溫度(25℃)之單一壓入法，於壓入速度約500nm/sec、拔出速度約500nm/sec、壓入深度約3000nm之測定條件下測定出之彈性模數。再者，氣體產生層之彈性模數可藉由該層中所含之材料之種類、構成材料之基礎聚合物之結構、添加至該層中之添加劑之種類、量等而進行調整。本發明中，將截面作為測定面藉由上述方法而測定之利用奈米壓痕法所得之彈性模數、與將表面作為測定面藉由上述方法而測定之利用奈米壓痕法所得之 彈性模數並無顯著差異，於難以進行自截面之測定之情形時可採用自表面測定之值作為自截面之測定值。

上述氣體產生層之氣化起始溫度較佳為150℃~500℃，更佳為170℃~450℃，進而較佳為190℃~420℃，尤佳為200℃~400℃。若為此種範圍，則可獲得藉由雷射光照射而可形成更良好之變形部之黏著片材。再者，本說明書中，所謂氣體產生層之氣化起始溫度係指根據使黏著片材升溫時之EGA分析(evolved gas analysis，釋出氣體分析)算出之氣體產生上升溫度。所謂氣體產生上升溫度係以達到根據EGA分析所得之EGA/MS圖譜之最大氣體產生峰值之半值的溫度而定義。氣化起始溫度越低，雷射光照射時開始產生氣體之溫度越低，於利用更小功率進行雷射光照射之情形時亦會產生充分之氣體量。於一實施方式中，氣體產生層之氣化起始溫度相當於紫外線吸收劑之氣化起始溫度。

上述氣體產生層之10%重量減少溫度較佳為150℃~500℃，更佳為170℃~450℃，進而較佳為200℃~400℃。若為此種範圍，則可獲得藉由雷射光照射而可形成更良好之變形部之黏著片材。所謂氣體產生層之10%重量減少溫度係指使黏著片材升溫時(例如，藉由雷射光照射而升溫時)之TGA分析(thermogravimetric analysis，熱重量分析)中，氣體產生層之重量相對於升溫前之重量而減少10重量%(即，氣體產生層之重量相對於升溫前之重量而成為90%)之時間點的溫度。

上述氣體產生層之厚度較佳為0.1μm~50μm，更佳為1μm~40μm，進而較佳為2μm~30μm，尤佳為5μm~20μm。若為此種範圍，則可獲得藉由雷射光照射而可形成更良好之變形部之黏著片材。

上述氣體產生層之利用奈米壓痕法所得之彈性模數 Er(gas)[單位：MPa]與厚度h(gas)[單位：μm]滿足下述式(i)。

Log(Er(gas)×10⁶)≧8.01×h(gas)^-0.116‧‧‧(i)

本發明中，藉由以滿足上述式(i)之方式構成氣體產生層，而防止因自氣體產生層產生之氣體所引起之過度變形，從而黏著片材藉由雷射光照射而良好地變形。藉由形成此種氣體產生層，而無需配置較厚之阻隔層作為防止過度變形之層便可產生微小範圍內之表面變形，且可柔軟地構成氣體阻隔層。

於一實施方式中，利用奈米壓痕法所得之彈性模數Er(gas)[單位：MPa]與厚度h(gas)[單位：μm]滿足下述式(ii)。於一實施方式中，利用奈米壓痕法所得之彈性模數Er(gas)[單位：MPa]與厚度h(gas)[單位：μm]滿足下述式(iii)。

Log(Er(gas)×10⁶)≧7.66×h(gas)^-0.092‧‧‧(ii)

Log(Er(gas)×10⁶)≧7.52×h(gas)^-0.081‧‧‧(iii)

若為此種範圍，則上述效果變得更顯著。

於一實施方式中，利用奈米壓痕法所得之彈性模數Er(gas)[單位：MPa]與厚度h(gas)[單位：μm]進而滿足下述式(iv)。

Log(Er(gas)×10⁶)≦47.675×h(gas)^-0.519‧‧‧(iv)

上述氣體產生層之波長360nm之紫外線透過率較佳為30%以下，更佳為20%以下，進而較佳為15%以下，尤佳為10%以下，最佳為5%以下。氣體產生層之波長360nm之紫外線透過率之下限例如為0%(較佳為0.05%，更佳為0.1%)。

上述氣體產生層之霧度值較佳為55%以下，更佳為0.1%~50%，進而較佳為0.5%~40%。

B-1.紫外線吸收劑

作為紫外線吸收劑，只要獲得本發明之效果，則可使用任意適當之紫外線吸收劑。作為紫外線吸收劑，例如可例舉：苯并三唑系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑、三

系紫外線吸收劑、水楊酸酯系紫外線吸收劑、氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑等。其中，較佳為三

系紫外線吸收劑或苯并三唑系紫外線吸收劑，尤佳為三

系紫外線吸收劑。尤其於使用丙烯酸系黏著劑作為黏著劑A之情形時，三

系紫外線吸收劑與該丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之相容性較高，因此可較佳地使用。三

系紫外線吸收劑更佳為包含具有羥基之化合物，尤佳為包含羥基苯基三

系化合物之紫外線吸收劑(羥基苯基三

系紫外線吸收劑)。

作為羥基苯基三

系紫外線吸收劑，例如可例舉：2-(4,6-雙(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三

-2-基)-5-羥基苯與[(C10-C16(主要是C12-C13)烷氧基)甲基]環氧乙烷之反應產物(商品名「TINUVIN 400」，BASF公司製造)、2-[4,6-雙(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三

-2-基]-5-[3-(十二烷氧基)-2-羥基丙氧基]苯酚、2-(2,4-二羥基苯基)-4,6-雙-(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三

與縮水甘油酸(2-乙基己基)酯之反應產物(商品名「TINUVIN 405」，BASF公司製造)、2,4-雙(2-羥基-4-丁氧基苯基)-6-(2,4-二丁氧基苯基)-1,3,5-三

(商品名「TINUVIN 460」，BASF公司製造)、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三

-2-基)-5-[(己基)氧基]苯酚(商品名「TINUVIN 1577」，BASF公司製造)、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三

-2-基)-5-[2-(2-乙基己醯氧基)乙氧基]苯酚(商品名「Adekastab LA-46」，ADEKA股份有限公司製造)、2-(2-羥基-4-[1-辛氧基羰基乙氧基]苯基)-4,6-雙(4-苯基苯基)-1,3,5-三

(商品名「TINUVIN 479」，BASF公司製造)、BASF公司製造之商品名 「TINUVIN 477」等。

作為苯并三唑系紫外線吸收劑(苯并三唑系化合物)，例如可例舉：2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑(商品名「TINUVIN PS」，BASF公司製造)、苯丙酸及3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羥基(C7-9側鏈及直鏈烷基)之酯化合物(商品名「TINUVIN 384-2」，BASF公司製造)、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯及3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸2-乙基己酯之混合物(商品名「TINUVIN 109」，BASF公司製造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-雙(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚(商品名「TINUVIN 900」，BASF公司製造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚(商品名「TINUVIN 928」，BASF製造)、3-(3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸甲酯/聚乙二醇300之反應產物(商品名「TINUVIN 1130」，BASF公司製造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)對甲酚(商品名「TINUVIN P」，BASF公司製造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-雙(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚(商品名「TINUVIN 234」，BASF公司製造)、2-[5-氯-2H-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-(第三丁基)苯酚(商品名「TINUVIN 326」，BASF公司製造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-二-第三戊基苯酚(商品名「TINUVIN 328」，BASF公司製造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚(商品名「TINUVIN 329」，BASF公司製造)、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚](商品名「TINUVIN 360」，BASF公司製造)、3-(3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸甲酯與聚乙二醇300之反應產物(商品名「TINUVIN 213」，BASF公司製造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-十二烷基- 4-甲基苯酚(商品名「TINUVIN 571」，BASF公司製造)、2-[2-羥基-3-(3,4,5,6-四氫鄰苯二甲醯亞胺基甲基)-5-甲基苯基]苯并三唑(商品名「Sumisorb 250」，住友化學股份有限公司製造)、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯-2H-苯并三唑(商品名「SEESORB 703」，Shipro Kasei公司製造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(3,4,5,6-四氫鄰苯二甲醯亞胺基甲基)苯酚(商品名「SEESORB 706」，Shipro Kasei公司製造)、2-(4-苯甲醯氧基-2-羥基苯基)-5-氯-2H-苯并三唑(Shipro Kasei公司製造之商品名「SEESORB 7012BA」)、2-第三丁基-6-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基苯酚(商品名「KEMISORB 73」，Chemipro Kasei公司製造)、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三辛基苯酚](商品名「Adekastab LA-31」，ADEKA股份有限公司製造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)對甲酚(商品名「Adekastab LA-32」，ADEKA股份有限公司製造)、2-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)-6-第三丁基-4-甲基苯酚(商品名「Adekastab LA-36」，ADEKA股份有限公司製造)等。

構成上述紫外線吸收劑之化合物之分子量較佳為200~1500，更佳為250~1200，進而較佳為300~1000。若為此種範圍，則可獲得藉由雷射光照射而可形成更良好之變形部之黏著片材。

上述紫外線吸收劑之最大吸收波長較佳為300nm~450nm，更佳為320nm~400nm，進而較佳為330nm~380nm。

相對於氣體產生層100重量份，上述紫外線吸收劑之含有比率較佳為1重量份~100重量份，更佳為1重量份~50重量份，進而較佳為5重量份~30重量份。若為此種範圍，則可獲得藉由雷射光照射而可形成更良好之變形部之黏著片材。

B-2.黏著劑A

作為上述氣體產生層中所含之黏著劑A，較佳地使用感壓黏著劑A。作為黏著劑A，例如可例舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、矽酮系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系黏著劑等。其中較佳為丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑，更佳為丙烯酸系黏著劑。再者，上述黏著劑可單獨使用或組合2種以上而使用。

作為上述丙烯酸系黏著劑，例如可例舉將使用(甲基)丙烯酸烷基酯之1種或2種以上作為單體成分之丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯之具體例，可例舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。其中，可較佳地使用具有碳數為4~18之直鏈狀或分枝狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯。

上述丙烯酸系聚合物亦能以凝聚力、耐熱性、交聯性等之 改質為目的，視需要含有對應於可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚之其他單體成分之單元。作為此種單體成分，例如可例舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基之單體；順丁烯二酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺系單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等(甲基)丙烯酸胺基烷基酯系單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-異丙基順丁烯二醯亞胺、N-月桂基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺等順丁烯二醯亞胺系單體；N-甲基伊康醯亞胺、N-乙基伊康醯亞胺、N-丁基伊康醯亞胺、N-辛基伊康醯亞胺、N-2-乙基己基伊康醯亞胺、N-環己基伊康醯亞胺、N-月桂基伊康醯亞胺等伊康醯亞胺系單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基丁二醯亞胺等丁二醯亞胺系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌

、乙烯基吡

、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、 乙烯基

唑、乙烯基

啉、N-乙烯基羧醯胺類、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己內醯胺等乙烯基系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基之丙烯酸系單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯、氟(甲基)丙烯酸酯、矽酮(甲基)丙烯酸酯等具有雜環、鹵素原子、矽原子等之丙烯酸酯系單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、丙烯酸聚酯、丙烯酸胺基甲酸酯等多官能單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體；乙烯醚等乙烯醚系單體等。該等單體成分可單獨使用或組合2種以上而使用。

作為上述橡膠系黏著劑，例如可例舉將如下者作為基礎聚合物之橡膠系黏著劑：天然橡膠；聚異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯(SB)橡膠、苯乙烯-異戊二烯(SI)橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)橡膠、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)橡膠、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)橡膠、苯乙烯-乙烯-丙烯嵌段共聚物(SEP)橡膠、再生橡膠、丁基橡膠、聚異丁烯、該等之改性體等合成橡膠等。

自上述氣體產生層產生之氣體較佳為烴(較佳為脂肪族烴)系氣體。可產生烴系氣體之氣體產生層例如以烴系化合物為主成分而構成。氣體產生層較佳為不含有含鹵素元素之化合物。若產生之氣體為烴系 氣體，則可防止作為被加上物之電子零件之腐蝕。此種效果藉由形成不含有含鹵素元素之化合物之氣體產生層而變得更顯著。自氣體產生層之產生離子式量較佳為10m/z~800m/z，更佳為11m/z~700m/z，進而較佳為12m/z~500m/z，尤佳為13m/z~400m/z。

上述黏著劑A可視需要含有任意適當之添加劑。作為該添加劑，例如可例舉：交聯劑、黏著賦予劑(例如，松香系黏著賦予劑、萜烯系黏著賦予劑、烴系黏著賦予劑等)、塑化劑(例如，偏苯三甲酸酯系塑化劑、均苯四甲酸酯系塑化劑)、顏料、染料、抗老化劑、導電材、抗靜電劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑、抗氧化劑等。

作為上述交聯劑，例如可例舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、以及脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、

唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。其中，較佳為異氰酸酯系交聯劑或環氧系交聯劑。

作為上述異氰酸酯系交聯劑之具體例，可例舉：伸丁基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯類；三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名「Coronate L」)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名「Coronate HL」)、六亞甲基二異氰酸酯之異 氰尿酸酯體(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名「Coronate HX」)等異氰酸酯加成物等。異氰酸酯系交聯劑之含量可根據所需之黏著力而設定為任意適當之量，相對於基礎聚合物100重量份，代表性而言為0.1重量份~20重量份，更佳為0.5重量份~10重量份。

作為上述環氧系交聯劑，例如可例舉：N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷(三菱瓦斯化學公司製造，商品名「Tetrad C」)、1,6-己二醇二縮水甘油醚(共榮社化學公司製造，商品名「Epolight 1600」)、新戊二醇二縮水甘油醚(共榮社化學公司製造，商品名「Epolight 1500NP」)、乙二醇二縮水甘油醚(共榮社化學公司製造，商品名「Epolight 40E」)、丙二醇二縮水甘油醚(共榮社化學公司製造，商品名「Epolight 70P」)、聚乙二醇二縮水甘油醚(日本油脂公司製造，商品名「EPIOL E-400」)、聚丙二醇二縮水甘油醚(日本油脂公司製造，商品名「EPIOL P-200」)、山梨醇聚縮水甘油醚(Nagase chemteX公司製造，商品名「Denacol EX-611」)、甘油聚縮水甘油醚(Nagase chemteX公司製造，商品名「Denacol EX-314」)、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚(Nagase chemteX公司製造，商品名「Denacol EX-512」)、山梨醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三(2-羥乙基)異氰尿酸三縮水甘油酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙苯酚-S-二縮水甘油醚、分子內具有2個以上之環氧基之環氧系樹脂等。環氧系交聯劑之含量可根據所需之黏著力而設定為任意適當之量，相對於基礎聚合物100重量份，代表性而言為0.01重量份~10重量份，更佳為0.03重量份~5重量份。

C.氣體阻隔層

所謂上述氣體阻隔層係指水蒸氣透過率為10000/(m²‧day)以下之層。上述氣體阻隔層之水蒸氣透過率較佳為7000g/(m²‧day)以下，更佳為5000g/(m²‧day)以下，進而較佳為4800g/(m²‧day)以下，尤佳為4500g/(m²‧day)以下，最佳為4200g/(m²‧day)以下。若為此種範圍，則可獲得形成優異形狀之變形部，可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離之黏著片材。氣體阻隔層之水蒸氣透過率越小越佳，其下限值例如為1g/(m²‧day)。

上述氣體阻隔層之穿刺強度較佳為10mN~5000mN，更佳為30mN~4000mN，進而較佳為50mN~3000mN，尤佳為100mN~2000mN。若為此種範圍，則氣體阻隔層良好地發揮作用，且較佳地產生藉由氣體之產生所引起之形狀變化，其結果，於氣體阻隔層(黏著劑層)形成優異形狀之變形部。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。

本發明中，藉由氣體阻隔層之穿刺強度為上述範圍，而形成氣體阻隔性優異之氣體阻隔層。又，較佳地產生藉由氣體之產生所引起之氣體阻隔層之形狀變化，其結果，形成優異形狀之凹部。更具體而言，藉由氣體阻隔層之穿刺強度為上述範圍，於照射雷射光而產生氣體時，該氣體阻隔層易於沿厚度方向發生形狀變化，其結果，例如可形成直徑較小之凸部。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。

上述氣體阻隔層之每單位厚度之穿刺強度較佳為2mN/μm~1200mN/μm，更佳為3mN/μm~1000mN/μm，進而較佳為5mN/μm ~700mN/μm。若為此種範圍，則氣體阻隔層發揮作用，且較佳地產生藉由氣體之產生所引起之形狀變化，其結果，於氣體阻隔層(黏著劑層)形成優異形狀之變形部。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。「氣體阻隔層之每單位厚度之穿刺強度」可利用氣體阻隔層之穿刺強度(mN)/氣體阻隔層之厚度(μm)而求出。

上述氣體阻隔層之高彈性部分之利用奈米壓痕法所得之彈性模數較佳為0.01MPa~10GPa，更佳為0.05MPa~10GPa，進而較佳為0.1MPa~10GPa，尤佳為0.5MPa~9.8GPa。若為此種範圍，則可成為機械特性優異，且氣體阻隔性優異之氣體阻隔層。又，若於上述範圍內設為高彈性，則可減薄氣體阻隔層之厚度。

上述氣體阻隔層之厚度較佳為0.1μm~200μm，更佳為0.5μm~150μm，進而較佳為1μm~100μm，尤佳為1.5μm~50μm。若為此種範圍，則可形成可較佳地變形之氣體阻隔層。

上述氣體阻隔層之波長360nm之紫外線透過率較佳為50%~100%，更佳為60%~95%。

C-1.黏著劑層

上述黏著劑層含有任意適當之黏著劑B。作為黏著劑B，可為感壓黏著劑B1，亦可為硬化型黏著劑B2。

上述黏著劑層之厚度較佳為0.1μm~200μm，更佳為0.5μm~150μm，進而較佳為1μm~100μm，尤佳為2μm~50μm。若為此種範圍，則可形成具有較佳黏著力，且作為氣體阻隔層良好地發揮作用之黏著劑層。

上述黏著劑層之水蒸氣透過率較佳為20000g/(m²‧day)以 下，更佳為10000g/(m²‧day)以下，進而較佳為7000g/(m²‧day)以下，進而較佳為5000g/(m²‧day)以下，尤佳為4800g/(m²‧day)以下，最佳為4500g/(m²‧day)以下。若為此種範圍，則黏著劑層作為氣體阻隔層良好地發揮作用，形成優異形狀之變形部。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。黏著劑層之水蒸氣透過率越小越佳，其下限值例如為100g/(m²‧day)。

上述黏著劑層之穿刺強度較佳為10mN~3000mN，更佳為30mN~2500mN，進而較佳為50mN~2000mN，尤佳為100mN~2000mN。若為此種範圍，則黏著劑層作為氣體阻隔層良好地發揮作用，且較佳地產生藉由氣體之產生所引起之形狀變化，其結果，形成優異形狀之變形部。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。

上述黏著劑層之波長360nm之紫外線透過率較佳為50%~100%，更佳為60%~95%。

C-1-1.感壓黏著劑B1

作為上述感壓黏著劑B1，例如可例舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、矽酮系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系黏著劑等。其中較佳為丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑，更佳為丙烯酸系黏著劑。作為含有感壓黏著劑之黏著劑層所含有之黏著劑B1，可使用B-2項中說明之黏著劑。

C-1-2.硬化型黏著劑B2

作為硬化型黏著劑B2，例如可例舉：熱固型黏著劑、活性能量線硬 化型黏著劑等。較佳為使用活性能量線硬化型黏著劑。藉由該活性能量線硬化型黏著劑而形成之上述黏著劑層為照射活性能量線而形成之黏著劑層，即，為於活性能量線照射後具有特定黏著力之黏著劑層。

作為構成上述活性能量線硬化型黏著劑之樹脂材料，例如可例舉：紫外線硬化系統(加藤清視著，綜合技術中心發行(1989))、光硬化技術(技術資訊協會編(2000))、日本專利特開2003-292916號公報、日本專利4151850號等中記載之樹脂材料。更具體而言，可例舉含有成為母劑之聚合物與活性能量線反應性化合物(單體或低聚物)之樹脂材料(B2-1)、含有活性能量線反應性聚合物之樹脂材料(B2-2)等。

作為上述成為母劑之聚合物，例如可例舉：天然橡膠、聚異丁烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物橡膠、再生橡膠、丁基橡膠、聚異丁烯橡膠、腈橡膠(NBR(Nitrile Butadiene Rubber，丁腈橡膠))等橡膠系聚合物；矽酮系聚合物；丙烯酸系聚合物等。該等聚合物可單獨使用或組合2種以上而使用。

作為上述活性能量線反應性化合物，例如可例舉含有複數個丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多重鍵之官能基之光反應性之單體或低聚物。其中，較佳地使用具有乙烯性不飽和官能基之化合物，更佳地使用具有乙烯性不飽和官能基之(甲基)丙烯酸系化合物。具有乙烯性不飽和官能基之化合物藉由紫外線而容易生成自由基，因此若使用該化合物，則可形成可於短時間硬化之黏著劑層。又，若使用具有乙烯性不飽和官能基之(甲基)丙烯酸系化合物，則可形成硬化後具有適度硬度之黏著劑層。作為光反應性之單體或低聚物之具體例，可例舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸 酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系化合物等含(甲基)丙烯醯基之化合物；該含(甲基)丙烯醯基之化合物之二聚物~五聚物等。該等化合物可單獨使用或組合2種以上而使用。

又，作為上述活性能量線反應性化合物，可使用環氧化丁二烯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯醯胺、乙烯基矽氧烷等單體；或由該單體構成之低聚物。含有該等化合物之樹脂材料(B2-1)可藉由紫外線、電子束等高能量線而硬化。

進而，作為上述活性能量線反應性化合物，可使用鎓鹽等有機鹽類與分子內具有複數個雜環之化合物之混合物。該混合物藉由活性能量線(例如，紫外線、電子束)之照射，有機鹽會裂解而生成離子，其成為起始種而引發雜環之開環反應，從而可形成三維網狀結構。作為上述有機鹽類，例如可例舉：錪鹽、鏻鹽、銻鹽、鋶鹽、硼酸鹽等。作為上述分子內具有複數個雜環之化合物中之雜環，可例舉：環氧乙烷、氧雜環丁烷、氧雜環戊烷、環硫乙烷、氮丙啶等。

含有上述成為母劑之聚合物與活性能量線反應性化合物之樹脂材料(B2-1)中，相對於成為母劑之聚合物100重量份，活性能量線反應性化合物之含有比率較佳為0.1重量份~500重量份，更佳為1重量份~300重量份，進而較佳為10重量份~200重量份。

作為上述活性能量線反應性聚合物，例如可例舉含有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多重鍵之活 性能量線反應性官能基之聚合物。較佳為使用具有乙烯性不飽和官能基之化合物(聚合物)，更佳為使用具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基之(甲基)丙烯酸系聚合物。作為具有活性能量線反應性官能基之聚合物之具體例，可例舉包含多官能(甲基)丙烯酸酯之聚合物等。該包含多官能(甲基)丙烯酸酯之聚合物較佳為於側鏈具有碳數為4以上之烷基酯，更佳為具有碳數為6以上之烷基酯，進而較佳為具有碳數為8以上之烷基酯，尤佳為具有碳數為8~20之烷基酯，最佳為具有碳數為8~18之烷基酯。

含有上述活性能量線反應性聚合物之樹脂材料(B2-2)亦可進而含有上述活性能量線反應性化合物(單體或低聚物)。

上述活性能量線硬化型黏著劑可藉由活性能量線之照射而硬化。本發明之黏著片材中，於使黏著劑硬化前貼附被黏著體之後，照射活性能量線而使黏著劑硬化，藉此可使該被黏著體密接。作為活性能量線，例如可例舉：γ射線、紫外線、可見光線、紅外線(熱線)、射頻波、α射線、β射線、電子束、電漿流、電離輻射、粒子束等。活性能量線之波長、照射量等條件可根據使用之樹脂材料之種類等而設定為任意適當之條件。例如，可照射10~1000mJ/cm²照射量之紫外線而使黏著劑硬化。

C-2.中間層

作為上述中間層之形態，例如可例舉樹脂層、具有黏著性之層等。

於一實施方式中，上述中間層含有熱塑性樹脂。此種中間層可為含有熱塑性樹脂之樹脂膜、含有包含熱塑性樹脂之黏著劑C之層等。於其他實施方式中，上述中間層含有硬化型樹脂(例如，紫外線硬化型樹脂、熱固型樹脂)。此種中間層可為含有硬化型樹脂之樹脂膜、含有硬化型黏著劑D之層等。

中間層之厚度較佳為0.1μm~200μm，更佳為0.5μm~100μm，進而較佳為1μm~50μm，尤佳為1μm~30μm。若為此種範圍，則可形成作為氣體阻隔層良好地發揮作用之中間層。

上述中間層之水蒸氣透過率較佳為5000g/(m²‧day)以下，更佳為4800g/(m²‧day)以下，進而較佳為4500g/(m²‧day)以下，進而較佳為4200g/(m²‧day)以下。若為此種範圍，則中間層作為氣體阻隔層良好地發揮作用，形成優異形狀之變形部。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。中間層之水蒸氣透過率越小越佳，其下限值例如為0.1g/(m²‧day)。

上述中間層之穿刺強度較佳為300mN~5000mN，更佳為500mN~4500mN，進而較佳為1000mN~4000mN。若為此種範圍，則中間層作為氣體阻隔層良好地發揮作用，且較佳地產生藉由氣體之產生所引起之形狀變化，其結果，形成優異形狀之凸部。若使用此種黏著片材，則可精度良好地使小型被黏著體(例如，電子零件)剝離。

上述中間層之波長360nm之紫外線透過率較佳為50%~100%，更佳為60%~95%。

C-2-1.作為樹脂層之中間層

作為樹脂層之中間層例如由樹脂膜形成。作為形成該樹脂膜之樹脂，例如可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、苯乙烯系彈性體(例如SEBS等)、紫外線硬化型樹脂、熱固性樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂等。於一實施方式中，上述樹脂膜包含熱塑性樹脂。

上述樹脂膜之厚度較佳為0.1μm~50μm，更佳為0.5μm~30μm’進而較佳為1μm~20μm。

C-2-2.作為具有黏著性之層之中間層

關於作為具有黏著性之層之中間層，可例舉：含有感壓黏著劑之中間層、含有硬化型黏著劑之中間層等。較佳為配置含有硬化型黏著劑C之中間層。尤其若作為黏著劑層而將含有感壓黏著劑A之黏著劑層與含有硬化型黏著劑C之中間層組合，則可獲得藉由雷射光照射而可形成更良好之變形部之黏著片材。作為硬化型黏著劑C，可使用C-1-2項中說明之黏著劑。

作為具有黏著性之層之中間層之厚度較佳為5μm~50μm，更佳為5μm~30μm。

D.黏著片材之製造方法

本發明之黏著片材可藉由任意適當之方法而製造。關於本發明之黏著片材，例如可例舉如下方法：於特定基材上直接塗佈含有黏著劑A及紫外線吸收劑之氣體產生層形成用組合物而形成氣體產生層，並於該氣體產生層上塗佈含有黏著劑B之黏著劑層形成用組合物而形成黏著劑層。於一實施方式中，於黏著片材具有中間層之情形時，在形成黏著劑層之前，將中間層形成用組合物塗佈於氣體產生層上而形成中間層，並於該中間層上塗佈黏著劑層形成用組合物而形成黏著劑層。又，亦可將各層分別形成之後進行貼合而形成黏著片材。

作為上述組合物之塗佈方法，可採用任意適當之塗佈方法。例如，可於塗佈後進行乾燥而形成各層。作為塗佈方法，例如可例舉使用多輥塗佈機、模嘴塗佈機、凹版塗佈機、敷料器等之塗佈方法。作為乾燥方法，例如可例舉：自然乾燥、加熱乾燥等。進行加熱乾燥之情形時之加熱溫度可根據成為乾燥對象之物質之特性而設定為任意適當之溫度。 又，可根據各層之形態而進行活性能量線照射(例如，紫外線照射)。

E.電子零件之加工方法

本發明之電子零件之處理方法包括：將電子零件貼附於上述黏著片材；及對該黏著片材照射雷射光，而自該黏著片材剝離電子零件。作為電子零件，例如可例舉：半導體晶片、LED(Light-emitting diode，發光二極體)晶片、MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitor，積層陶瓷電容)等。

上述電子零件之剝離可選擇位置地進行。具體而言，將複數個電子零件貼附、固定於黏著片材，能以使電子零件之一部分剝離，讓其他電子零件仍保持固定之方式進行電子零件之剝離。

於一實施方式中，本發明之電子零件之處理方法包括：於將電子零件貼附於黏著片材後且自黏著片材剝離電子零件前，對該電子零件進行特定處理。上述處理並無特別限定，例如可例舉：研磨加工、切割加工、黏晶、打線接合、蝕刻、蒸鍍、成型、電路形成、檢查、產品檢驗、洗淨、轉印、排列、修復、裝置表面保護等處理。

上述電子零件之尺寸(貼附面之面積)例如為1μm²~250000μm²。於一實施方式中，可將電子零件之尺寸(貼附面之面積)為1μm²~6400μm²之電子零件供至處理。於其他實施方式中，可將電子零件之尺寸(貼附面之面積)為1μm²~2500μm²之電子零件供至處理。

於一實施方式中，如上所述可將複數個電子零件配置於黏著片材上。電子零件之間隔例如為1μm~500μm。本發明中，於可縮小間隔地暫時固定被處理體之方面有利。

作為雷射光，例如可使用UV雷射光。雷射光之照射功率例如為1μJ~1000μJ。UV雷射光之波長例如為240nm~380nm。

於一實施方式中，上述電子零件之處理方法包括：於電子零件之剝離後，將該電子零件配置於其他片材(例如，黏著片材、基板等)。

實施例

以下，利用實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不受該等實施例限定。實施例中之評價方法如下所述。再者，下述評價中，使用剝離隔離膜後之黏著片材。又，實施例中，只要無特別明確記載，則「份」及「%」為重量基準。

(1)彈性模數

使用奈米壓痕儀(Hysitron Inc公司製造之Triboindenter TI-950)，藉由在特定溫度(25℃)之單一壓入法，於壓入速度約500nm/sec、拔出速度約500nm/sec、壓入深度約1500nm之測定條件下測定氣體阻隔層截面及氣體產生層截面(實施例10、11)之彈性模數。

(2)穿刺強度

如圖3所示，使用壓縮試驗機6(Kato Tech公司製造，商品名「KES-G5」)，將樣品4夾於具有直徑11.28mm之圓形開口部之試樣保持器5A、5B而測定。更詳細而言，於23℃之測定溫度下，於該圓形開口部之圓形開口部中心，將穿刺針(曲率半徑：1mm)對樣品穿刺(穿刺速度：0.1mm/s)，將於破裂點之最大負荷作為穿刺強度。

(3)法線方向之伸長

於上述(2)之測定中，測定於破裂點壓入穿刺針之距離，將面方向之樣品之伸長作為法線方向之伸長。

(4)表面形狀變化

於黏著片材之氣體產生層側(與黏著劑層相反之側)貼合玻璃板(松波硝子公司製造，大型載玻片S9112(標準大型白色磨邊No.2))而獲得測定樣品。自測定樣品之玻璃板側，使用波長355nm、光束直徑約20μmΦ之UV雷射光，以0.80mW功率、40kHz頻率進行脈衝掃描，而使氣體自氣體產生層產生。對於與脈衝掃描過之任意1點對應之黏著劑層表面，於雷射光照射結束1分鐘後，利用共聚聚焦雷射顯微鏡進行觀察，而測定垂直位移Y與水平位移X(直徑；半峰全幅值)。

於位移Y為8μm以上之情形時，剝離性顯著優異(表中，◎)；於位移Y為0.6μm以上且未達8μm之情形時，剝離性良好(表中，○)；於位移Y未達0.6μm之情形時，剝離性不充分(表中，×)。

(5)黏著力(氣體產生層側)

於黏著片材之黏著劑層側貼合PET#25而獲得測定樣品。對於測定樣品之氣體產生層側相對於SUS430之黏著力，藉由依照JIS Z 0237：2000之方法(貼合條件：2kg輥1個往返，拉伸速度：300mm/min，剝離角度180°)進行測定。

(6)黏著力(黏著劑層)

於黏著片材之氣體產生層側貼合PET#25而獲得測定樣品。對於測定樣品之黏著劑層側相對於SUS430之黏著力，藉由依照JIS Z 0237：2000之方法(貼合條件：2kg輥1個往返，拉伸速度：300mm/min，剝離角度180°)進行測定。

[製造例1]黏著劑a之製備

向甲苯中添加丙烯酸2-乙基己酯30重量份、丙烯酸乙酯70重量份、丙烯酸2-羥乙酯4重量份、甲基丙烯酸甲酯5重量份、及作為聚合起始劑之 過氧化苯甲醯0.2重量份後，加熱至70℃而獲得丙烯酸系共聚物(聚合物A)之甲苯溶液。

將聚合物A之甲苯溶液(聚合物A：100重量份)、異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane公司製造，商品名「Coronate L」)3重量份、及界面活性劑(花王公司製造，商品名「EXCEPARL IPP」)5重量份混合而製備黏著劑a。將黏著劑a之組成示於表1。

[製造例2]黏著劑b之製備

將順丁烯二酸改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS：苯乙烯部位/乙烯-丁烯部位(重量比)=30/70，酸值：10(mg-CH₃ONa/g)，旭化成化學公司製造，商品名「Tuftec M1913」)100重量份、環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學公司製造，商品名「TETRAD-C」)3重量份、脂肪酸酯系界面活性劑(花王公司製造，商品名「EXCEPARL IPP」，分子量：298.5，烷基之碳數：16)3重量份、及作為溶劑之甲苯混合，而獲得黏著劑b。將黏著劑b之組成示於表1。

[製造例3]黏著劑c之製備

向乙酸乙酯中添加丙烯酸2-乙基己酯95重量份、丙烯酸5重量份、及作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.15重量份後，加熱至70℃而獲得丙烯酸系共聚物(聚合物A2)之乙酸乙酯溶液。

將聚合物A2之乙酸乙酯溶液(聚合物A2：100重量份)、環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學公司製造，商品名「TETRAD-C」)1重量份、及異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane公司製造，商品名「Coronate L」)3重量份混合而製備黏著劑c。將黏著劑c之組成示於表1。

[製造例4]中間層形成用組合物a之製備

向乙酸乙酯中添加丙烯酸2-乙基己酯30重量份、丙烯酸甲酯70重量份、丙烯酸10重量份、及作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.2重量份後，加熱至70℃而獲得丙烯酸系共聚物(聚合物B)之乙酸乙酯溶液。

將聚合物B之乙酸乙酯溶液(聚合物B：100重量份)、環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學公司製造，商品名「Tetrad C」)1重量份、UV低聚物(三菱化學公司製造，商品名「紫光UV-1700B」)50重量份、及光聚合起始劑(BASF公司製造，商品名「Omnirad127」)3重量份混合而製備中間層形成用組合物a。將中間層形成用組合物a之組成示於表2。

[製造例5]中間層形成用組合物b之製備

將順丁烯二酸改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS：苯乙烯部位/乙烯-丁烯部位(重量比)=30/70，酸值：10(mg-CH₃ONa/g)，旭化成化學公司製造，商品名「Tuftec M1913」)100重量份、環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學公司製造，商品名「TETRAD-C」)3重量份、脂肪酸酯系界面活性劑(花王公司製造，商品名「EXCEPARL IPP」，分子量： 298.5，烷基之碳數：16)3重量份、及作為溶劑之甲苯混合，而獲得中間層形成用組合物b。將中間層形成用組合物b之組成示於表2。

[製造例6]氣體產生層形成用組合物a之製備

以與製造例1同樣之方式獲得聚合物A。

將聚合物A之甲苯溶液(聚合物A：100重量份)、異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane公司製造，商品名「Coronate L」)1.5重量份、及紫外線吸收劑(BASF公司製造，商品名「Tinuvin477」)20重量份混合而製備氣體產生層形成用組合物a。將氣體產生層形成用組合物a之組成示於表3。

[製造例7]氣體產生層形成用組合物b之製備

向乙酸乙酯中添加丙烯酸2-乙基己酯95重量份、丙烯酸5重量份、及作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.15重量份後，加熱至70℃而獲得丙烯酸系共聚物(聚合物C)之乙酸乙酯溶液。

將聚合物C之乙酸乙酯溶液(聚合物C：100重量份)、環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學公司製造，商品名「TETRAD-C」)0.1重量份、及紫外線 吸收劑(BASF公司製造，商品名「Tinuvin 477」)20重量份混合而製備氣體產生層形成用組合物b。將氣體產生層形成用組合物b之組成示於表3。

[製造例8]氣體產生層形成用組合物c之製備

將順丁烯二酸改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS：苯乙烯部位/乙烯-丁烯部位(重量比)=30/70，酸值：10(mg-CH₃ONa/g)，旭化成化學公司製造，商品名「Tuftec M1913」)100重量份、環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學公司製造，商品名「TETRAD-C」)3重量份、紫外線吸收劑(BASF公司製造，商品名「Tinuvin 477」)20重量份、及作為溶劑之甲苯混合，而製備氣體產生層形成用組合物c。將氣體產生層形成用組合物c之組成示於表3。

[實施例1]

將製造例1中獲得之黏著劑a以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為50μm之方式塗佈於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：75μm)，其後進行乾燥，而於該聚對苯二甲酸乙二酯膜上形成黏著劑層前驅層a。

將製造例6中獲得之氣體產生層形成用組合物a以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為15μm之方式塗佈於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗公司製造，商品名「Cerapeel」厚度：38μm)，其後進行乾燥，而於該聚對苯二甲酸乙二酯膜上形成氣體產生層前驅層a。

將上述黏著劑層前驅層a與上述氣體產生層前驅層a於輥間層壓而貼合，獲得夾於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜之間的黏著片材(黏著劑層/氣體產生層)。

將所得之黏著片材供於上述評價(1)~(6)。將結果示於表3。

[實施例2]

代替黏著劑a而使用黏著劑b，將黏著劑層之厚度設為30μm，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表3。

[實施例3]

將製造例1中獲得之黏著劑a以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為7μm之方式塗佈於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：75μm)，其後進行乾燥，而於該聚對苯二甲酸乙二酯膜上形成黏著劑層前驅層a。

將製造例4中獲得之中間層形成用組合物a以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為15μm之方式塗佈於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗公司製造，商品名「Cerapeel」厚度：38μm)，其後進行乾燥，而於該聚對苯二甲酸乙二酯膜上形成中間層前驅層a。

繼而，將上述黏著劑層前驅層a與上述中間層前驅層a於輥間層壓而貼合，自中間層前驅層側於500mJ/cm²之條件下進行UV照射，而獲得夾於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜之間的氣體阻隔層前驅層a。

將製造例6中獲得之氣體產生層形成用組合物a以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為7μm之方式塗佈於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗公司製造，商品名「Cerapeel」厚度：38μm)，其後進行乾燥，而於該聚對苯二甲酸乙二酯膜上形成氣體產生層前驅層a。

將上述氣體阻隔層前驅層a之中間層前驅層a側之帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜剝離後，將氣體阻隔層前驅層a之中間層前 驅層a與上述氣體產生層前驅層a於輥間層壓而貼合，獲得夾於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜之間的黏著片材(黏著劑層/中間層/氣體產生層)。

將所得之黏著片材供於上述評價(1)~(6)。將結果示於表3。

[實施例4]

將中間層之厚度設為7μm，除此以外，以與實施例3同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表3。

[實施例5]

代替中間層形成用組合物a而使用中間層形成用組合物b，將中間層之厚度設為30μm，除此以外，以與實施例3同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表3。

[實施例6]

將中間層之厚度設為15μm，除此以外，以與實施例5同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表3。

[實施例7]

將製造例1中獲得之黏著劑a以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為7μm之方式塗佈於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：75μm)，其後進行乾燥，而於該聚對苯二甲酸乙二酯膜上形成黏著劑層前驅層a。

將製造例6中獲得之氣體產生層形成用組合物a以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為7μm之方式塗佈於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗公司製造，商品名「Cerapeel」厚度：38μm)，其後進行乾燥，而於該聚對苯二甲酸乙二酯膜上形成氣體產生層前驅層a。

將上述黏著劑層前驅層a於輥間層壓而貼合於聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗公司製造，商品名「Lumirror#2F51N」厚度：2μm)之單側。

繼而，將氣體產生層前驅層a於輥間層壓而貼合於上述聚對苯二甲酸乙二酯膜之與黏著劑層前驅層a相反之側。

以此方式獲得夾於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜之間的黏著片材(黏著劑層/中間層/氣體產生層)。

將所得之黏著片材供於上述評價(1)~(6)。將結果示於表3。

[實施例8]

使用厚度4.5μm之PET膜，除此以外，以與實施例7同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表3。

[實施例9]

使用厚度9μm之PET膜，除此以外，以與實施例7同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表3。

[實施例10]

將氣體產生層形成用組合物b以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為20μm之方式塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗公司製造，商品名「Lumirror S10」，厚度：50μm)之一面，而形成氣體產生層。

繼而，將黏著劑c以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為10μm之方式塗佈於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗公司製造，商品名「Cerapeel」厚度：38μm)，而形成黏著劑層。

繼而，將氣體產生層與黏著劑層積層，而獲得被帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜保護之黏著片材(黏著劑層/氣體產生層/基材)。

將所得之黏著片材供於上述評價。將結果示於表4。

[實施例11]

代替氣體產生層形成用組合物b而使用氣體產生層形成用組合物c，除此以外，以與實施例10同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價。將結果示於表4。

[比較例1]

將製造例6中獲得之氣體產生層形成用組合物a以溶劑揮發(乾燥)後之厚度成為7μm之方式塗佈於帶有矽酮脫模劑處理面之聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗公司製造，商品名「Cerapeel」厚度：38μm)，其後進行乾燥，而於該聚對苯二甲酸乙二酯膜上形成僅包含氣體產生層之黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表5。

[比較例2]

將黏著劑層之厚度設為7μm，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表5。

[比較例3]

將黏著劑層之厚度設為2μm，除此以外，以與實施例2同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表5。

[比較例4]

將黏著劑層之厚度設為60μm，除此以外，以與實施例2同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表5。

[比較例5]

將中間層之厚度設為40μm，除此以外，以與實施例3同樣之方式獲 得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表5。

[比較例6]

將中間層之厚度設為2μm，除此以外，以與實施例5同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表5。

[比較例7]

將中間層之厚度設為60μm，除此以外，以與實施例5同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表5。

[比較例8]

使用厚度25μm之PET膜，除此以外，以與實施例7同樣之方式獲得黏著片材。將所得之黏著片材供於上述評價(1)至(6)。將結果示於表5。

10:氣體產生層

20:氣體阻隔層

21:黏著劑層

100:黏著片材

Claims (19)

1. 一種黏著片材，其係包含氣體產生層與配置於氣體產生層之至少單側之氣體阻隔層者，該氣體阻隔層係表面藉由對該黏著片材照射雷射光而變形之層，該氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(1)算出之值以下，且該氣體阻隔層之高彈性部分之厚度(μm)為利用下述式(2)算出之值以上；35011×EXP(-0.812×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(1) 20081×EXP(-1.145×log₁₀(Er×10⁶))‧‧‧(2)Er為氣體阻隔層之高彈性部分之25℃下之利用奈米壓痕法所得的彈性模數(MPa)；該氣體阻隔層為單層構成時，上述高彈性部分係氣體阻隔層本身；該氣體阻隔層為複數層構成時，上述高彈性部分係彈性模數最高之層。
2. 如請求項1之黏著片材，其中上述氣體產生層為可吸收紫外線之層。
3. 如請求項2之黏著片材，其中上述氣體產生層含有紫外線吸收劑。
4. 如請求項1至3中任一項之黏著片材，其中上述氣體阻隔層包含黏著劑層。
5. 如請求項4之黏著片材，其中上述氣體阻隔層進而包含中間層。
6. 如請求項1至3中任一項之黏著片材，其中上述氣體阻隔層之高彈性部分之利用奈米壓痕法所得之彈性模數為0.01MPa~10GPa。
7. 如請求項1至3中任一項之黏著片材，其中上述氣體阻隔層之厚度為0.1μm~200μm。
8. 如請求項1至3中任一項之黏著片材，其中藉由對上述氣體阻隔層照射雷射光而產生之上述氣體阻隔層表面之變形量以上述氣體阻隔層之垂直位移計為0.6μm以上。
9. 如請求項1至3中任一項之黏著片材，其中上述黏著片材之穿刺強度為10mN~5000mN，上述穿刺強度之測定，係使用壓縮試驗機，將上述黏著片材之樣品夾於具有圓形開口部之試樣保持器，於23℃之測定溫度下，於該圓形開口部之圓形開口部中心，將穿刺針(曲率半徑：1mm)對上述樣品進行穿刺(穿刺速度：0.1mm/s)，將破裂點時之最大負荷作為上述穿刺強度者。
10. 如請求項1至3中任一項之黏著片材，其中上述黏著片材之法線方向之伸長為0.1mm以上，上述法線方向之伸長之測定，係使用壓縮試驗機，將上述黏著片材之樣品夾於具有圓形開口部之試樣保持器，於23℃之測定溫度下，於該圓 形開口部之圓形開口部中心，將穿刺針(曲率半徑：1mm)對上述樣品進行穿刺(穿刺速度：0.1mm/s)，將破裂點時穿刺針壓入之距離作為上述法線方向之伸長者。
11. 如請求項5之黏著片材，其中上述中間層含有熱塑性樹脂。
12. 如請求項5之黏著片材，其中上述中間層為包含苯乙烯系彈性體之樹脂膜。
13. 如請求項5之黏著片材，其中上述中間層含有硬化型樹脂。
14. 如請求項13之黏著片材，其中上述硬化型樹脂為紫外線硬化型樹脂。
15. 一種電子零件之處理方法，其包括：將電子零件貼附於如請求項1至14中任一項之黏著片材上；及對該黏著片材照射雷射光而自該黏著片材剝離該電子零件。
16. 如請求項15之電子零件之處理方法，其中上述電子零件之剝離係選擇位置地進行。
17. 如請求項15或16之電子零件之處理方法，其包括：於將上述電子零件貼附於上述黏著片材後且自該黏著片材剝離該電 子零件前，對該電子零件進行特定處理。
18. 如請求項17之電子零件之處理方法，其中上述處理為研磨加工、切割加工、黏晶、打線接合、蝕刻、蒸鍍、成型、電路形成、檢查、洗淨、轉印、排列、修復或裝置表面保護。
19. 如請求項15或16之電子零件之處理方法，其包括：自上述黏著片材剝離上述電子零件之後，將電子零件配置於其他片材。

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