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TWI757189B - 電感裝置 - Google Patents

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TWI757189B
TWI757189B TW110118540A TW110118540A TWI757189B TW I757189 B TWI757189 B TW I757189B TW 110118540 A TW110118540 A TW 110118540A TW 110118540 A TW110118540 A TW 110118540A TW I757189 B TWI757189 B TW I757189B
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Abstract

一種電感裝置，其包括第一走線、第二走線及電容。第一走線包括第一子走線及第二子走線。第一子走線與第二子走線於電感裝置的第一側共同繞成複數個第一線圈，並於電感裝置的第二側共同繞成複數個第二線圈，第一子走線與第二子走線耦接於第一節點。第二走線包括第三子走線及第四子走線。第三子走線與第四子走線於電感裝置的第一側共同繞成複數個第三線圈，並於電感裝置的第二側共同繞成複數個第四線圈，第三子走線與第四子走線耦接於第二節點。電容耦接於第一節點及第二節點之間。

Description

電感裝置
本案係有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種電感裝置。
射頻(Radio frequency, RF)裝置於運作時會產生兩倍頻諧波(harmonic)、三倍頻諧波…等等，上述諧波會對其餘電路產生不良影響。例如2.4GHz電路的兩倍頻諧波會產生5GHz訊號進而影響5GHz之電路。
一般解決上述諧波對電路產生影響的方式，是在電路外部設置濾波器以濾除上述諧波。然而，設置於電路外部的濾波器會影響到電路本身的性能和產生額外的費用。
本案內容之一技術態樣係關於一種電感裝置，其包括第一走線、第二走線及電容。第一走線包括第一子走線及第二子走線。第一子走線與第二子走線於電感裝置的第一側共同繞成複數個第一線圈，並於電感裝置的第二側共同繞成複數個第二線圈，第一子走線與第二子走線耦接於第一節點。第二走線包括第三子走線及第四子走線。第三子走線與第四子走線於電感裝置的第一側共同繞成複數個第三線圈，並於電感裝置的第二側共同繞成複數個第四線圈，第三子走線與第四子走線耦接於第二節點。電容耦接於第一節點及第二節點之間。
因此，根據本案之技術內容，本案實施例所示之電感裝置中的電容可形成一個低頻濾除的功能，以使於電感裝置感應的低頻訊號幾乎無法通過而高頻訊號能幾乎直接通過。低頻訊號舉例而言，如2.4GHz主要操作頻率，藉由電感裝置之曲折的電感架構(folded inductor) 因電流方向相反對主要操作頻率的感應訊號進行相消，所以曲折的電感架構並不會影響主電感操作頻率的特性以及感應2.4GHz的訊號，而若中央電感架構有高頻訊號，例如2倍諧波5GHz，則因高頻訊號電容為導通之故，使得高頻訊號由曲折的電感架構通過電容而形成一個繞圍一圈的感應電感，進而在本案主張之電感架構感應出相對應2.4GHz十倍以上的5GHz諧波訊號。
使用者再把此5GHz訊號於電路中應用，例如放大訊號之後再把操作頻率的5GHz諧波進行相消，另其應用放大電路可為熟知電路設計者最佳化調整而定。如此，即可降低對5GHz之電路所產生的不良影響。再者，由於本案將濾波器設置於電感裝置內，因此，不需於電感裝置外部設置濾波器，從而避免外部濾波器影響到電路本身的性能或是增加額外的費用。
另外，藉由本案之電感裝置的配置，可改善2倍諧波達20dB。再者，由於本案之電感裝置的第一線圈至第四線圈之設計，使得本案的結構更加對稱。
第1圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置1000的示意圖。如圖所示，電感裝置1000包括第一走線1100、第二走線1200及電容C。再者，第一走線1100包括第一子走線1110及第二子走線1120。第一子走線1110與第二子走線1120於圖中下端耦接於第一節點N1。此外，第一子走線1110與第二子走線1120於電感裝置1000的第一側(如下側)共同繞成複數個第一線圈1400，並於電感裝置的第二側(如上側)共同繞成複數個第二線圈1500。
另外，第二走線1200包括第三子走線1210及第四子走線1220。第三子走線1210與第四子走線1220於圖中下端耦接於第二節點N2。此外，第三子走線1210與第四子走線1220於電感裝置1000的第一側(如下側)共同繞成複數個第三線圈1600，並於電感裝置1000的第二側(如上側)共同繞成複數個第四線圈1700。再者，電容C耦接於第一節點N1及第二節點N2之間。
在一實施例中，第一子走線1110及第二子走線1120皆包括第一端及第二端。如圖所示，第一子走線1110之第二端(如下端)與第二子走線1120之第二端(如下端)耦接於第一節點N1。舉例而言，第一子走線1110之第一端位於圖中上側，第一子走線1110往圖中左側繞，接著，第一子走線1110沿著左側向下繞，再者，於繞到圖中左下側後，再向圖中下側之節點N1處繞，第一子走線1110之第二端最終耦接於節點N1。於節點N1處，第二子走線1120之第二端與節點N1耦接，第二子走線1120往圖中左側繞，接著，第二子走線1120沿著左側向上繞，再者，於繞到圖中左上側後，再向圖中上側之連接件1300處繞，繞到位於上側的第二子走線1120之第一端。由上述結構配置可知，第一子走線1110及第二子走線1120形成曲折的電感架構(folded inductor)。
此外，第三子走線1210及第四子走線1220皆包括第一端及第二端。如圖所示，第三子走線1210之第二端(如下端)與第四子走線1220之第二端(如下端)耦接於第二節點N2。舉例而言，第三子走線1210之第一端位於圖中上側，第三子走線1210往圖中右側繞，接著，第三子走線1210沿著右側向下繞，再者，於繞到圖中右下側後，再向圖中下側之節點N2處繞，第三子走線1210之第二端最終耦接於節點N2。於節點N2處，第四子走線1220之第二端與節點N2耦接，第四子走線1220往圖中右側繞，接著，第四子走線1220沿著右側向上繞，再者，於繞到圖中右上側後，再向圖中上側之連接件1300處繞，繞到位於上側的第四子走線1220之第一端。同樣地，由上述結構配置可知，第三子走線1210及第四子走線1220形成曲折的電感架構。在一實施例中，第三子走線1210之第一端透過連接件1300耦接於第一子走線1110之第一端。
第2圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第1圖所示之電感裝置1000的部分結構示意圖。如圖所示，第2圖係繪示電感裝置1000的第一線圈1400。為使第2圖之第一線圈1400的結構易於理解，請參閱第3A圖及第3B圖，第3A圖及第3B圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第2圖所示之電感裝置的第一線圈1400之結構示意圖。
請一併參閱第3A圖及第3B圖，第一線圈1400包含第一子線圈1410及第二子線圈1420。第一子線圈1410位第一層，且第二子線圈1420位於第二層。請參閱第2圖，第二子線圈1420堆疊於第一子線圈1410上。
請一併參閱第3A圖及第3B圖，第一線圈1400更包含第三子線圈1430及第四子線圈1440。第三子線圈1430位第一層，且第四子線圈1440位於第二層。請參閱第2圖，第四子線圈1440堆疊於第三子線圈1430上。
在一實施例中，第一子線圈1410位於第一線圈1400的外圈，且第二子線圈1420位於第一線圈1400的外圈。第一子線圈1410耦接於第二子線圈1420。舉例而言，第一子線圈1410與第二子線圈1420耦接於A點。
在一實施例中，第三子線圈1430位於第一線圈1400的內圈，且第四子線圈1440位於第一線圈1400的內圈。第三子線圈1430耦接於第四子線圈1440。舉例而言，第三子線圈1430與第四子線圈1440耦接於B點。
請參閱第3A圖，第二子線圈1420與第四子線圈1440位於同一層，且第四子線圈1440配置於第二子線圈1420之內。請參閱第3B圖，第一子線圈1410與第三子線圈1430位於同一層，且第三子線圈1430配置於第一子線圈1410之內。
需說明的是，第二線圈1500的配置方式類似於第一線圈1400。請參閱第1圖，第二線圈1500包含第五子線圈1510及第六子線圈1520。第五子線圈1510位第一層，且第六子線圈1520位於第二層。第六子線圈1520堆疊於第五子線圈1510上。
此外，第二線圈1500包含第七子線圈1530及第八子線圈1540。第七子線圈1530位第一層，且第八子線圈1540位於第二層。第八子線圈1540堆疊於第七子線圈1530上。
在一實施例中，第五子線圈1510位於第二線圈1500的外圈，且第六子線圈1520位於第二線圈1500的外圈。第五子線圈1510耦接於第六子線圈1520。舉例而言，第五子線圈1510與第六子線圈1520耦接於C點。
在一實施例中，第七子線圈1530位於第二線圈1500的內圈，且第八子線圈1540位於第二線圈1500的內圈。第七子線圈1530耦接於第八子線圈1540。舉例而言，第七子線圈1530與第八子線圈1540耦接於D點。
在一實施例中，第五子線圈1510與第七子線圈1530位於同一層，且第七子線圈1530配置於第五子線圈1510之內。此外，第六子線圈1520與第八子線圈1540位於同一層，且第八子線圈1540配置於第六子線圈1520之內。
需說明的是，第三線圈1600的配置方式類似於第一線圈1400。請參閱第1圖，第三線圈1600包含第九子線圈1610及第十子線圈1620。第九子線圈1610位第一層，且第十子線圈1620位於第二層。第十子線圈1620堆疊於第九子線圈1610上。
此外，第三線圈1600包含第十一子線圈1630及第十二子線圈1640。第十一子線圈1630位第一層，且第十二子線圈1640位於第二層。第十二子線圈1640堆疊於第十一子線圈1630上。
在一實施例中，第九子線圈1610位於第三線圈1600的外圈，且第十子線圈1620位於第三線圈1600的外圈。第九子線圈1610耦接於第十子線圈1620。舉例而言，第九子線圈1610與第十子線圈1620耦接於E點。
在一實施例中，第十一子線圈1630位於第三線圈1600的內圈，且第十二子線圈1640位於第三線圈1600的內圈。第十一子線圈1630耦接於第十二子線圈1640。舉例而言，第十一子線圈1630與第十二子線圈1640耦接於F點。
在一實施例中，第九子線圈1610與第十一子線圈1630位於同一層，且第十一子線圈1630配置於第九子線圈1610之內。此外，第十子線圈1620與第十二子線圈1640位於同一層，且第十二子線圈1640配置於第十子線圈1620之內。
需說明的是，第四線圈1700的配置方式類似於第一線圈1400。請參閱第1圖，第四線圈1700包含第十三子線圈1710及第十四子線圈1720。第十三子線圈1710位於第一層，且第十四子線圈1720位於第二層。第十四子線圈1720堆疊於第十三子線圈1710上。
此外，第四線圈1700更包含第十五子線圈1730及第十六子線圈1740。第十五子線圈1730位第一層，且第十六子線圈1740位於第二層。第十六子線圈1740堆疊於第十五子線圈1730上。
在一實施例中，第十三子線圈1710位於第四線圈1700的外圈，且第十四子線圈1720位於第四線圈1700的外圈。第十三子線圈1710耦接於第十四子線圈1720。舉例而言，第十三子線圈1710與第十四子線圈1720耦接於G點。
在一實施例中，第十五子線圈1730位於第四線圈1700的內圈，且第十六子線圈1740位於第四線圈1700的內圈。第十五子線圈1730耦接於第十六子線圈1740。舉例而言，第十五子線圈1730與第十六子線圈1740耦接於H點。
在一實施例中，第十三子線圈1710與第十五子線圈1730位於同一層，且第十五子線圈1730配置於第十三子線圈1710之內。此外，第十四子線圈1720與第十六子線圈1740位於同一層，且第十六子線圈1740配置於第十四子線圈1720之內。
在一實施例中，電感裝置1000之中央結構的形狀可為8邊形，而第一線圈1400至第四線圈1700可配置於8邊形中央結構的左上、左下、右上及右下角落。然本案不以第1圖所示之結構為限，在其餘實施例中，電感裝置1000之形狀亦可為其餘合適之形狀，端視實際需求而定。在另一實施例中，上述第一層可為金屬層，例如Metal 7。此外，上述第二層可為線路重佈層(Redistribution Layer, RDL)。需說明的是，本案不以第1圖、第2圖、第3A圖及第3B圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第4圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置1000A的示意圖。需說明的是，第4圖之電感裝置1000A與第1圖之電感裝置1000的差異在於第一線圈1400A至第四線圈1700A的配置方式，詳細說明如後。
第5圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第4圖所示之電感裝置1000A的部分結構示意圖。如圖所示，第5圖係繪示電感裝置1000A的第一線圈1400A。為使第5圖之第一線圈1400A的結構易於理解，請參閱第6A圖及第6B圖，第6A圖及第6B圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第5圖所示之電感裝置的第一線圈1400A之結構示意圖。
請一併參閱第6A圖及第6B圖，第一線圈1400A包含第一子線圈1410A及第二子線圈1420A。第一子線圈1410A位第一層，且第二子線圈1420A位於第二層。請參閱第5圖，第二子線圈1420A堆疊於第一子線圈1410A上。
請一併參閱第6A圖及第6B圖，第一線圈1400A更包含第三子線圈1430A及第四子線圈1440A。第三子線圈1430A位第一層，且第四子線圈1440A位於第二層。請參閱第5圖，第四子線圈1440A堆疊於第三子線圈1430A上。
在一實施例中，第一子線圈1410A位於第一線圈1400的外圈，且第二子線圈1420A位於第一線圈1400的內圈。第一子線圈1410A耦接於第二子線圈1420A。舉例而言，第一子線圈1410A與第二子線圈1420A耦接於A點。
在一實施例中，第三子線圈1430A位於第一線圈1400A的內圈，且第四子線圈1440A位於第一線圈1400A的外圈。第三子線圈1430A耦接於第四子線圈1440A。舉例而言，第三子線圈1430A與第四子線圈1440A耦接於B點。
請參閱第6A圖，第二子線圈1420A與第四子線圈1440A位於同一層，且第二子線圈1420A配置於第四子線圈1440A之內。請參閱第6B圖，第一子線圈1410A與第三子線圈1430A位於同一層，且第三子線圈1430A配置於第一子線圈1410A之內。基於本案的上述結構配置，當位於外圈的第一子線圈1410A繞道A點時，會連接到位於內圈的第二子線圈1420A，本案透過此種內外圈交錯耦接方式(switching design)，以使本案的結構更加對稱。
需說明的是，第二線圈1500A的配置方式類似於第一線圈1400A。請參閱第4圖，第二線圈1500A包含第五子線圈1510A及第六子線圈1520A。第五子線圈1510A位第一層，且第六子線圈1520A位於第二層。第六子線圈1520A堆疊於第五子線圈1510A上。
此外，第二線圈1500A包含第七子線圈1530A及第八子線圈1540A。第七子線圈1530A位第一層，且第八子線圈1540A位於第二層。第八子線圈1540A堆疊於第七子線圈1530A上。
在一實施例中，第五子線圈1510A位於第二線圈1500A的外圈，且第六子線圈1520A位於第二線圈1500A的外圈。第五子線圈1510A耦接於第六子線圈1520A。舉例而言，第五子線圈1510A與第六子線圈1520A耦接於C點。
在一實施例中，第七子線圈1530A位於第二線圈1500A的內圈，且第八子線圈1540A位於第二線圈1500A的內圈。第七子線圈1530A耦接於第八子線圈1540A。舉例而言，第七子線圈1530A與第八子線圈1540A耦接於D點。
在一實施例中，第五子線圈1510A與第七子線圈1530A位於同一層，且第七子線圈1530A配置於第五子線圈1510A之內。此外，第六子線圈1520A與第八子線圈1540A位於同一層，且第六子線圈1520A配置於第八子線圈1540A之內。
需說明的是，第三線圈1600A的配置方式類似於第一線圈1400A。請參閱第4圖，第三線圈1600A包含第九子線圈1610A及第十子線圈1620A。第九子線圈1610A位第一層，且第十子線圈1620A位於第二層。第十子線圈1620A堆疊於第九子線圈1610A上。
此外，第三線圈1600A包含第十一子線圈1630A及第十二子線圈1640A。第十一子線圈1630A位第一層，且第十二子線圈1640A位於第二層。第十二子線圈1640A堆疊於第十一子線圈1630A上。
在一實施例中，第九子線圈1610A位於第三線圈1600A的外圈，且第十子線圈1620A位於第三線圈1600A的內圈。第九子線圈1610A耦接於第十子線圈1620A。舉例而言，第九子線圈1610A與第十子線圈1620A耦接於E點。
在一實施例中，第十一子線圈1630A位於第三線圈1600A的內圈，且第十二子線圈1640A位於第三線圈1600A的外圈。第十一子線圈1630A耦接於第十二子線圈1640A。舉例而言，第十一子線圈1630A與第十二子線圈1640A耦接於F點。
在一實施例中，第九子線圈1610A與第十一子線圈1630A位於同一層，且第十一子線圈1630A配置於第九子線圈1610A之內。此外，第十子線圈1620A與第十二子線圈1640A位於同一層，且第十子線圈1620A配置於第十二子線圈1640A之內。基於本案的上述結構配置，當位於外圈的第九子線圈1610A繞道E點時，會連接到位於內圈的第十子線圈1620A，本案透過此種內外圈交錯耦接方式(switching design)，以使本案的結構更加對稱。第六子線圈1520A與第八子線圈1540A亦採用此種
需說明的是，第四線圈1700A的配置方式類似於第一線圈1400A。請參閱第4圖，第四線圈1700A包含第十三子線圈1710A及第十四子線圈1720A。第十三子線圈1710A位於第一層，且第十四子線圈1720A位於第二層。第十四子線圈1720A堆疊於第十三子線圈1710A上。
此外，第四線圈1700A更包含第十五子線圈1730A及第十六子線圈1740A。第十五子線圈1730A位於第一層，且第十六子線圈1740A位於第二層。第十六子線圈1740A堆疊於第十五子線圈1730A上。
在一實施例中，第十三子線圈1710A位於第四線圈1700A的外圈，且第十四子線圈1720A位於第四線圈1700A的外圈。第十三子線圈1710A耦接於第十四子線圈1720A。舉例而言，第十三子線圈1710A與第十四子線圈1720A耦接於G點。
在一實施例中，第十五子線圈1730A位於第四線圈1700A的內圈，且第十六子線圈1740A位於第四線圈1700A的內圈。第十五子線圈1730A耦接於第十六子線圈1740A。舉例而言，第十五子線圈1730A與第十六子線圈1740A耦接於H點。
在一實施例中，第十三子線圈1710A與第十五子線圈1730A位於同一層，且第十五子線圈1730A配置於第十三子線圈1710A之內。此外，第十四子線圈1720A與第十六子線圈1740A位於同一層，且第十四子線圈1720A配置於第十六子線圈1740A之內。
需說明的是，本案不以第4圖、第5圖、第6A圖及第6B圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
由上述本案實施方式可知，應用本案具有下列優點。本案實施例所示之電感裝置可感應中央電感的高頻訊號，例如二階諧波，於額外的電路放大後，以相消原先電路二階諧波的不良影響。舉例而言，藉由電感裝置之電容主要使用於讓高頻通過和阻擋低頻的功效，如此，即可讓同一個電感裝置相對於高低頻有二種不同的訊號感應方式。再者，由於本案將濾波器設置於積體電路(integrated circuit,IC)內，因此，不需於電感裝置外部設置濾波器，從而避免外部濾波器影響到電路本身的性能以及其額外的費用。
另外，藉由本案之電感裝置的配置，可改善2倍諧波達20dB。再者，由於本案之電感裝置的第一線圈至第四線圈之設計，使得本案的結構更加對稱。
1000、1000A:電感裝置 1100、1100A:第一走線 1110、1120、1110A、1120A:子走線 1200、1200A:第二走線 1210、1220、1210A、1220A:子走線 1300、1300A:連接件 1400、1400A:第一線圈 1410~1440、1410A~1440A:子線圈 1500、1500A:第二線圈 1510~1540、1510A~1540A:子線圈 1600、1600A:第三線圈 1610~1640、1610A~1640A:子線圈 1700、1700A:第四線圈 1710~1740、1710A~1740A:子線圈 A~H:連接點 C1:電容 N1:第一節點 N2:第二節點
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的示意圖。 第2圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第1圖所示之電感裝置的部分結構示意圖。 第3A圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第2圖所示之電感裝置的第一線圈結構示意圖。 第3B圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第2圖所示之電感裝置的第一線圈結構示意圖。 第4圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的示意圖。 第5圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第4圖所示之電感裝置的部分結構示意圖。 第6A圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第5圖所示之電感裝置的第一線圈結構示意圖。 第6B圖係依照本揭露一實施例繪示一種如第5圖所示之電感裝置的第一線圈結構示意圖。
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1000:電感裝置
1100:第一走線
1110、1120:子走線
1200:第二走線
1210、1220:子走線
1300:連接件
1400:第一線圈
1410~1440:子線圈
1500:第二線圈
1510~1540:子線圈
1600:第三線圈
1610~1640:子線圈
1700:第四線圈
1710~1740:子線圈
A~H:連接點
C1:電容
N1:第一節點
N2:第二節點

Claims (10)

  1. 一種電感裝置，包括： 一第一走線，包括： 一第一子走線；以及 一第二子走線，其中該第一子走線與該第二子走線於該電感裝置的一第一側共同繞成複數個第一線圈，並於該電感裝置的一第二側共同繞成複數個第二線圈，其中該第一子走線與該第二子走線耦接於一第一節點； 一第二走線，包括： 一第三子走線；以及 一第四子走線，其中該第三子走線與該第四子走線於該電感裝置的該第一側共同繞成複數個第三線圈，並於該電感裝置的該第二側共同繞成複數個第四線圈，其中該第三子走線與該第四子走線耦接於一第二節點；以及 一電容，耦接於該第一節點及該第二節點之間。
  2. 如請求項1所述之電感裝置，其中該第一子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端； 其中該第二子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端，與該第一子走線之該第二端耦接於該第一節點； 其中該第三子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端； 其中該第四子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端，與該第三子走線之該第二端耦接於該第二節點； 其中該電感裝置更包括： 一連接件，耦接該第一子走線之該第一端與該第三子走線之該第一端。
  3. 如請求項1所述之電感裝置，其中該些第一線圈包含： 一第一子線圈，位於一第一層； 一第二子線圈，位於一第二層，並堆疊於該第一子線圈上； 一第三子線圈，位於該第一層；以及 一第四子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第三子線圈上； 其中該第一子線圈位於該些第一線圈的外圈，且該第二子線圈位於該些第一線圈的外圈，其中該第一子線圈耦接於該第二子線圈，其中該第三子線圈位於該些第一線圈的內圈，且該第四子線圈位於該些第一線圈的內圈，其中該第三子線圈耦接於該第四子線圈。
  4. 如請求項1所述之電感裝置，其中該些第一線圈包含： 一第一子線圈，位於一第一層； 一第二子線圈，位於一第二層，並堆疊於該第一子線圈上； 一第三子線圈，位於該第一層；以及 一第四子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第三子線圈上； 其中該第一子線圈位於該些第一線圈的外圈，且該第二子線圈位於該些第一線圈的內圈，其中該第一子線圈耦接於該第二子線圈，其中該第三子線圈位於該些第一線圈的內圈，且該第四子線圈位於該些第一線圈的外圈，其中該第三子線圈耦接於該第四子線圈。
  5. 如請求項3所述之電感裝置，其中該些第二線圈包含： 一第五子線圈，位於該第一層； 一第六子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第五子線圈上； 一第七子線圈，位於該第一層；以及 一第八子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第七子線圈上； 其中該第五子線圈位於該些第二線圈的外圈，且該第六子線圈位於該些第二線圈的外圈，其中該第五子線圈耦接於該第六子線圈，其中該第七子線圈位於該些第二線圈的內圈，且該第八子線圈位於該些第二線圈的內圈，其中該第七子線圈耦接於該第八子線圈。
  6. 如請求項4所述之電感裝置，其中該些第二線圈包含： 一第五子線圈，位於該第一層； 一第六子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第五子線圈上； 一第七子線圈，位於該第一層；以及 一第八子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第七子線圈上； 其中該第五子線圈位於該些第二線圈的外圈，且該第六子線圈位於該些第二線圈的外圈，其中該第五子線圈耦接於該第六子線圈，其中該第七子線圈位於該些第二線圈的內圈，且該第八子線圈位於該些第二線圈的內圈，其中該第七子線圈耦接於該第八子線圈。
  7. 如請求項5所述之電感裝置，其中該些第三線圈包含： 一第九子線圈，位於該第一層； 一第十子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第九子線圈上； 一第十一子線圈，位於該第一層；以及 一第十二子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第十一子線圈上； 其中該第九子線圈位於該些第三線圈的外圈，且該第十子線圈位於該些第三線圈的外圈，其中該第九子線圈耦接於該第十子線圈，其中該第十一子線圈位於該些第三線圈的內圈，且該第十二子線圈位於該些第三線圈的內圈，其中該第十一子線圈耦接於該第十二子線圈。
  8. 如請求項6所述之電感裝置，其中該些第三線圈包含： 一第九子線圈，位於該第一層； 一第十子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第九子線圈上； 一第十一子線圈，位於該第一層；以及 一第十二子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第十一子線圈上； 其中該第九子線圈位於該些第三線圈的外圈，且該第十子線圈位於該些第三線圈的內圈，其中該第九子線圈耦接於該第十子線圈，其中該第十一子線圈位於該些第三線圈的內圈，且該第十二子線圈位於該些第三線圈的外圈，其中該第十一子線圈耦接於該第十二子線圈。
  9. 如請求項7所述之電感裝置，其中該些第四線圈包含： 一第十三子線圈，位於該第一層；以及 一第十四子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第十三子線圈上； 一第十五子線圈，位於該第一層；以及 一第十六子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第十五子線圈上； 其中該第十三子線圈位於該些第四線圈的外圈，且該第十四子線圈位於該些第四線圈的外圈，其中該第十三子線圈耦接於該第十四子線圈，其中該第十五子線圈位於該些第四線圈的內圈，且該第十六子線圈位於該些第四線圈的內圈，其中該第十五子線圈耦接於該第十六子線圈。
  10. 如請求項8所述之電感裝置，其中該些第四線圈包含： 一第十三子線圈，位於該第一層；以及 一第十四子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第十三子線圈上； 一第十五子線圈，位於該第一層；以及 一第十六子線圈，位於該第二層，並堆疊於該第十五子線圈上； 其中該第十三子線圈位於該些第四線圈的外圈，且該第十四子線圈位於該些第四線圈的外圈，其中該第十三子線圈耦接於該第十四子線圈，其中該第十五子線圈位於該些第四線圈的內圈，且該第十六子線圈位於該些第四線圈的內圈，其中該第十五子線圈耦接於該第十六子線圈。
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