TWI755563B - 多刀切割刀片及工件的加工方法 - Google Patents

Abstract

[課題]在分割成個個晶片的同時，在晶片側面上附加傾斜或梯狀。[解決手段]分割封裝基板並將半導體封裝件加工為期望形狀的多刀切割刀片（40），其具備：多片切割刀片（44），將封裝基板分割為個個半導體封裝件；以及，間隔件（43），設置在相鄰的兩片切割刀片之間；且構成為切割刀片與間隔件具有一起旋轉的軸心。間隔件的外表面形成為半導體封裝件的轉移形成且被磨粒層所覆蓋，以多片切割刀片切入基板的同時，以間隔件的外表面研削封裝基板的上表面。

Description

多刀切割刀片及工件的加工方法

本發明係關於多刀切割刀片及工件的加工方法。

在元件製造步驟中，藉由以切割刀片沿著切割道切斷晶圓或半導體封裝件基板等各種基板，形成個個元件晶片。作為此種加工方法，已知的有階梯式切割（Step cut），其使用2種刀片對基板階段式地切入使深度增加。在階梯式切割中，以寬幅平直型刀片或V型刀片沿著基板的切割道形成第1階的淺槽，再以窄幅平直型刀片深切入淺槽的底面以完全切斷基板（例如，參閱專利文獻1）。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2015-018965號公報

[發明所欲解決的課題] 可是，根據基板的種類，具有在分割後的晶片上附加傾斜或梯狀等各種形狀的需求。雖然藉由採用專利文獻1所記載的階梯式切割，能夠在晶片上附加各種形狀，但是必須使用2種刀片階段式地切割基板，會有增加作業工作量且作業時間變長的問題。

因此，本發明之目的在於，提供一種多刀切割刀片以及使用該多刀切割刀片的工件加工方法，該多刀切割刀片能夠在分割為個個晶片的同時，在晶片側面上附加傾斜或梯狀。

[解決課題的技術手段] 根據本發明的一個面向，提供一種多刀切割刀片，將工件分割並加工成期望形狀，其具備：軸體，被旋轉驅動；多片切割刀片，將安裝在該軸體上的工件分割為個個晶片；以及間隔件，在相鄰兩片切割刀片之間，安裝在前述軸體上；其中，從該切割刀片之間露出的該間隔件外表面形成為在該晶片的外周形成期望形狀的轉移形狀，且被磨粒層所覆蓋。

若根據此構成，因為在多刀切割刀片設有多片切割刀片，所以工件被以多片切割刀片沿著多條分割預定線同時切入而單體化。此外，因為在兩片切割刀片之間的間隔件之外表面以磨粒層所覆蓋，所以工件被以間隔件之外表面研削而使間隔件之外表面形狀被轉移至晶片的外表面。如此一來，因為工件被沿著分割預定線分割，並且在分割的同時被附加各種形狀至晶片的外表面上，所以能夠降低作業工作量並且大幅縮短作業時間。

根據本發明的其他面向，提供一種加工方法，使用如請求項1所載多刀切割刀片，將在正面形成有交叉的多條分割預定線之工件沿著該分割預定線分割，並將分割後的晶片加工為期望形狀，其具備：保持步驟，以保持治具或保持膠帶保持該工件的背面；以及分割步驟，在實施該保持步驟之後，以該多刀切割刀片的該切割刀片沿著該分割預定線切入至該保持膠帶的半途為止或該保持治具內為止，將工件分割為個個晶片；其中，在該分割步驟中，分割為個個晶片時，藉由該間隔件外表面的該磨粒層在各晶片上表面及/或側面形成期望的形狀。

較佳為，其中，該工件是以樹脂層將配線基材上的半導體零件密封之封裝基板；該晶片是分割封裝基板而成的半導體封裝件；該多刀切割刀片的該間隔件在連接該切割刀片的端部上形成有傾斜面或階梯部；以及在該分割步驟中，藉由該間隔件外表面的該傾斜面或該階梯部，以使各半導體封裝件下表面側大於上表面側的方式在封裝件側面形成傾斜或梯狀。較佳為，該加工方法進一步具備：屏蔽層形成步驟，在多個該半導體封裝件的該上表面及傾斜面上形成屏蔽層。

[發明功效] 若根據本發明，藉由以磨粒層覆蓋多片切割刀片之間的間隔件之外表面，能夠在分割為個個晶片的同時，將各種形狀附加至晶片的外表面。

以下，參閱附圖，並說明關於本實施方式的加工方法。另外，在以下的說明中，雖以封裝基板作為基板例示說明，但基板的種類並不限定於封裝基板。圖1為本實施方式之半導體封裝件的剖面示意圖。圖2為顯示比較例之半導體封裝件之製造方法的剖面示意圖。另外，以下的實施方式僅為一例示，各步驟之間亦可以具備其他步驟，也可以適當地更換步驟的順序。

如圖1所示，半導體封裝件10係所有需要阻隔所謂電磁干擾（Electro-Magnetic Interference，EMI）的封裝之半導體裝置，構成為藉由外表面的屏蔽層16抑制朝向周圍的電磁雜訊的洩漏。在屏蔽16的內側，安裝於配線基板（中介層基板）11的上表面之半導體晶片（半導體零件）12係以樹脂層（密封劑）13密封，凸塊14配設於配線基板11的下表面。於配線基板11上，形成有包含連接至半導體晶片12的電極或接地線（Ground line）17之各種配線。

半導體晶片12係將半導體晶圓單體化為半導體基板上的每個元件，且貼裝至配線基板11的預定位置。又，在封裝件側面（晶片側面）23上形成從封裝件上表面（晶片上表面）22向下方往外側擴大的傾斜面25，藉由濺鍍法等從上方在該傾斜面25上形成屏蔽層16。與一般的半導體封裝件垂直的封裝件側面不同，因為封裝件側面23的傾斜面25與屏蔽層16的形成方向傾斜地交叉，所以屏蔽層16變成容易形成於傾斜面25。

可是通常係如圖2A的比較例所示，藉由使用前端為V字形狀的切割刀片（以下，稱作V形刀片）111將封裝基板15完全切斷，而使半導體封裝件的封裝件側面傾斜，其中該封裝基板15係藉由樹脂層13將配線基板11上的半導體晶片12密封。然而，因為配線基板11係包含有各種配線（金屬），切割配線基板11時V型刀片111耗損嚴重，V型刀片111的前端V字形狀容易崩裂。因此，對封裝基板15的切入深度產生誤差，且V型刀片111的壽命會縮短。

此外，如圖2B的比較例所示，可以想到使用V型刀片111與通常的切割刀片（以下稱作平直型刀片）112以階梯式切割來分割封裝基板15的構成。亦即，以V型刀片111半切斷樹脂層13以附加傾斜，接著以平直型刀片112完全切斷配線基板11以分割為個個半導體封裝件10。藉此，能夠抑制以V型刀片111切入配線基板11，減少V型刀片111的前端之V字型狀的耗損。然而，必須以2階段地切割，作業工作量及作業時間會增加且生產率會惡化。

於是，在本實施方式中，使用多片切割刀片44及附有磨粒的間隔件43所組成的多刀切割刀片40（參閱圖3）加工封裝基板15（參閱圖6A）。藉由以間隔件43外表面的傾斜面46切入封裝基板15而附加傾斜，並藉由以多片切割刀片44沿分割預定線切入封裝基板15，將封裝基板15分割為個個半導體封裝件10。因此，能夠一邊在封裝件側面23（參閱圖6A）附加傾斜一邊分割封裝基板15，而減少作業工作量及作業時間且提升生產率。

以下，參閱圖3及圖4，並說明關於本實施方式的多刀切割刀片。圖3為本實施方式之多刀切割刀片的分解立體圖。圖4為本實施方式之多刀切割刀片的剖面示意圖。

如圖3及圖4所示，多刀切割刀片40係多個（本實施方式中為3片）間隔件43與一對切割刀片44交替地差入至連接主軸（未圖示）的軸41，分別固定而組裝在軸41上。多個間隔件43形成為筒狀，各間隔件43的外表面以磨粒層45覆蓋。又，各間隔件43的外表面形成為使半導體封裝件10的外周形成為期望形狀的轉移形狀。在本實施方式中，在作為轉移形狀的各間隔件43的與切割刀片44連接的端部上形成傾斜面46，間隔件直徑隨著接近切割刀片44增大。

兩端的間隔件43係在鄰接切割刀片44之一側的端部上形成有傾斜面46，中央的間隔件43係在鄰接切割刀片44之兩側的端部上形成有傾斜面46。中央的間隔件43係使一對的切割刀片44分離，以使一對的切割刀片44分別定位於分割預定線上。一對的切割刀片44係以黏合劑將金剛石磨粒等固化而形成為薄圓環形狀。雖未限定切割刀片44的種類，較佳為使用樹脂結合劑切割刀片、金屬切割刀片、電鑄切割刀片等金屬切割用的平直型切割刀片。

在從間隔件43突出的軸41之前端部分形成有公螺纹42，藉由將固定螺帽48栓緊在該公螺纹42上，多個間隔件43及一對切割刀片44相對於軸41被固定。此時，間隔件43之傾斜的端部作用為安裝用的凸緣，切割刀片44藉由間隔件43的端部從兩側被夾持而固定。如此一來，構成為多個間隔件43以及一對切割刀片44具有相同旋轉軸心。此外，因為多刀切割刀片40是能夠分解的，所以成為能夠更換部分的間隔件43及切割刀片44。

接著，參閱圖5及圖6，說明關於使用多刀切割刀片的半導體封裝件製造方法。另外，圖5A為顯示貼裝步驟，圖5B為顯示基板製作步驟，圖5C為顯示保持步驟之各別一例的剖面示意圖。另外，圖6A為顯示分割步驟，圖6B及圖6C為顯示屏蔽層形成步驟之各別一例的剖面示意圖。

如圖5A所示，首先實施貼裝步驟。在貼裝步驟中，配線基板11被以交叉的分割預定線劃分成格子狀，多個半導體晶片12被貼裝在所劃分的多個區域中。在配線基板11內形成有接地線17等配線，在配線基板11的下表面配設有凸塊14。在此情況下，引線19的一端連接至半導體晶片12之上表面的電極，引線19的另一端連接至配線基板11之正面的電極18。另外，並不限定於引線接合，也可以實施將半導體晶片12之下表面的電極直接連接至配線基板11之正面的電極的覆晶接合。

如圖5B所示，在實施貼裝步驟之後，實施基板製作步驟。在基板製作步驟中，密封劑24被供給至貼裝有多個半導體晶片12的配線基板11的正面側上，以密封劑24將各半導體晶片12密封而製作成封裝基板15（參照圖5C）。在此情況下，安裝有半導體晶片12的配線板11之下表面被保持在保持治具上（未圖示），且配置有模板31以覆蓋配線基板11。注入口32在模板31的上壁中開口，密封劑24的供給噴嘴33定位於注入口32的上方。

然後，密封劑24被從供給噴嘴33通過注入口32供給至配線基板11的上表面，以密封半導體晶片12。在此狀態下，藉由加熱或乾燥使密封劑24硬化，以製作在配線基板11的上表面形成有樹脂層13（參閱圖5C）的封裝基板15。再者，使用具有硬化性者作為密封劑24，例如，能夠從環氧樹脂、矽氧樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、丙烯酸氨基甲酸酯樹脂、或聚醯亞胺樹脂等中選擇。此外，密封劑24未限定為液態，也能夠使用粉末狀的樹脂。以此種方式，一次地密封配線基板11上的多個半導體晶片12。另外，預先準備有封裝基板15的情況下，也可以省略貼裝步驟及基板製作步驟。

如圖5C所示，在實施基板製作步驟之後，實施保持步驟。在保持步驟中，黏貼保持膠帶35以堵住環形框架（未圖示）的中央，藉由該保持膠帶35保持封裝基板15的背面。在此情況下，封裝基板15的凸塊14擠入保持膠帶35的黏著層中，封裝基板15透過保持膠帶35被良好地支撐在環形框架上。另外，在保持步驟中，可以使用頂視為圓形的環狀框架，也可以使用頂視為四邊形的環形框架。

如圖6A所示，在實施保持步驟之後，實施分割步驟。在分割步驟中，對應於半導體封裝件10之外表面形狀的多刀切割刀片40安裝在主軸上。多刀切割刀片40上，設有對應於分割預定線的一對切割刀片44，一對切割刀片44的基端側是由一對間隔件43傾斜的端部夾住。間隔件43的外表面上電鍍有金剛石等磨粒，並形成有磨粒層45以覆蓋間隔件43的外表面。藉由該間隔件43的外表面，形成為研削封裝基板15之樹脂層13的研削面。

如此一來，多刀切割刀片40的刀片部分，係以切割刀片44及間隔件43傾斜之端部所構成，以從基端向突出方向寬度變窄的方式傾斜，並且從突出方向的半途到前端為止形成為固定寬度。亦即，刀片部分的側面的基端側成為傾斜面46，刀片部分的側面的前端側成為垂直面47。此外，切割刀片44自間隔件43的外表面之突出量，係設定為以切割刀片44切入至保持膠帶35的半途為止時，藉由切割刀片44單體化之半導體封裝件10以間隔件43的外表面薄化至預定厚度的大小。

當封裝基板15的配線基板11側透過保持膠帶35被保持於卡盤台（未圖示）時，多刀切割刀片40的切割刀片44被對位在封裝基板15的分割預定線上，且在封裝基板15的外側下降至保持膠帶35厚度方向半途的深度為止。然後，藉由相對多刀切割刀片40在水平方向上加工進給封裝基板15，以多刀切割刀片40的切割刀片44沿分割預定線切入保持膠帶35的半途為止，並將封裝基板15分割為個個半導體封裝件10。

此時，藉由切割刀片44分割封裝基板15，且藉由間隔件43的磨粒層45研削封裝基板15的樹脂層13。因此，封裝基板15被單體化為個個半導體封裝件10，且各個半導體封裝件10被薄化至預定厚度。此外，因為間隔件43的端部成為傾斜面46，以使半導體封裝件10下表面側比上表面側要大的方式，在封裝件側面23上附加傾斜。如此一來，在不實施階梯式切割下，一邊在封裝件側面23附加傾斜，一邊分割封裝基板15。

如圖6B所示，在實施分割步驟之後，實施屏蔽層形成步驟。在屏蔽層形成步驟中，從樹脂層13的上方以導電性材料在封裝件上表面（樹脂層上表面）22及封裝件側面23上形成屏蔽層16。在此情況下，各個半導體封裝件10透過保持膠帶35被保持在保持治具（未圖示）上。然後，在預定的形成條件下，從上方藉由濺鍍法等對半導體封裝件10形成導電性材料膜，而在封裝件上表面22及封裝件側面23上以期望厚度形成屏蔽層16。

此時，封裝件側面23的傾斜面25從封裝件上表面22向下方往外側擴大，傾斜面25對屏蔽層16的形成方向（垂直方向）傾斜地交叉。因此，在半導體封裝件10上形成屏蔽層16之時，不只在封裝件上表面22也在封裝件側面23的傾斜面25上，形成厚度能夠發揮足夠的屏蔽效果之屏蔽層16。另外，因為在封裝件側面23的垂直面26或封裝件間的槽底27上形成屏蔽層16，所以在半導體封裝件10的拾取時會有在半導體封裝件10的下部於屏蔽層16產生毛邊的情況。

在此情況下，藉由調整封裝件間的長寬比（縱橫比），能夠抑制半導體封裝件10的毛邊產生。如圖6C所示，當自封裝件側面23的傾斜面25之下端切入保持膠帶35的槽底27為止的深度為Ymm，自封裝件側面23的垂直面26之相對間隔為Xmm時，封裝件間的長寬比係以Y/X表示。封裝件側面23的垂直面26之下側或封裝件間的槽底27係易受長寬比的影響，且伴隨封裝件間的長寬比增加形成薄的屏蔽層16。

因此，除了屏蔽層16的成膜條件，藉由設定多刀切割刀片40的切割刀片44（參閱圖6A）寬度尺寸及突出量以達到所期望的長寬比，減少封裝件間的槽底27之屏蔽層16的厚度。藉此，在難以受長寬比影響的封裝件側面23的傾斜面25上形成適當厚度的屏蔽層16，並在容易受長寬比影響的垂直面26之下側或槽底27上形成薄的屏蔽層16。因此，在半導體封裝件10的上側藉由屏蔽層16抑制電磁雜訊的洩漏，且在半導體封裝件10的下側使屏蔽層16變薄而抑制毛邊的產生。

此外，配線基板11的接地線17是在封裝件側面23的傾斜面25之下側露出於外部。因為在傾斜面25的下側以適當的厚度形成屏蔽層16，且屏蔽層16連接至接地線17，所以使在半導體封裝件10產生的電磁雜訊通過接地線17逃出至半導體封裝件10外。再者，雖然屏蔽層16在封裝件側面23的垂直面26之下側變薄，但藉由配線基板11的眾多配線（未圖示）電磁雜訊被切斷。因此，全面地防止朝向半導體封裝件10周圍的電子零件之電磁雜訊的洩漏。此外，配線基板11的接地線17可以是連接至屏蔽層16，也可以是在封裝件側面23的垂直面26連接至屏蔽層16。

另外，屏蔽層16為藉由銅、鈦、鎳、金等其中之一以上的金屬所成膜的厚度在數um以上的多層膜，藉由例如濺鍍法、離子鍍層法、噴塗法、CVD（化學氣相沈積法，Chemical vapor deposition）、噴墨法、網版印刷法而形成。屏蔽層16也可以藉由在真空大氣下將具有上述多層膜的金屬薄膜接著至封裝件上表面22及封裝件側面23的真空貼合來形成。以此方法，製造出以屏蔽層16覆蓋封裝件上表面22及封裝件側面23的半導體封裝件10。

接著，說明關於半導封裝件之側面的傾斜角度及屏蔽層的關係。圖7為顯示設置於測試體之屏蔽層的厚度的剖面圖。圖8為顯示測試體之側面的傾斜角與屏蔽層的厚度之關係的圖。

如圖7所示，預備有改變側面52的傾斜角度θ的多個測試體50，並在180℃、8×10^－4 Pa之條件下藉由離子鍍層法形成了屏蔽層。側面52的傾斜角度θ為90°、82°、68°、60°及45°。此外，分為形成在上表面51的上部屏蔽層53及形成在側面52的側部屏蔽層54，基於掃描型電子顯微鏡的觀察圖像測量上部屏蔽層53及側部屏蔽層54的厚度t1及t2。上部屏蔽層53及側部屏蔽層54的厚度t1及t2係以方程式（1）所示階梯覆蓋（step coverage）計算出的值，且該值與傾斜角度θ的關係整理於圖8中。 （1）step coverage = (t2/t1) x 100

結果，隨著傾斜角度θ從90°變小，階梯覆蓋的值逐漸增大，當傾斜角度θ為45°時階梯覆蓋的值成為100%。具體而言，當設定傾斜角度θ成為45°時，上部屏蔽層53的厚度t1與側部屏蔽層54的厚度t2一致，並且確認了在測試體50的上表面51及側面52上厚度均一的屏蔽層。此外，根據發明者的實驗，階梯覆蓋的值低於50%的話，側部屏蔽層54的成膜需要時間，且製程成本增加，所以範圍較佳為階梯覆蓋的值為50%以上。因此，半導體封件的側面之傾斜角度θ較佳為45°以上或82°以下。

如上所述，根據本實施方式的多刀切割刀片40，因為多刀切割刀片40上設有多片切割刀片44，封裝件基板15被以多片切割刀片44沿著多條分割預定線同時切入而單體化。此外，因為多個間隔件43之外表面被磨粒層45所覆蓋，封裝基板15被以間隔件43的外表面研削，封裝基板15被薄化且在封裝件側面23上附加傾斜。如此一來，因為封裝基板15被沿著分割預定線分割，並且在分割的同時被附加傾斜至封裝件側面23上，所以能夠降低作業工作量並且大幅縮短作業時間。

另外，在本實施方式中，雖構成為在分割步驟中附加傾斜至封裝件側面上，但並不限定在此構成。例如，如圖9A的變形例所示，在分割步驟中也可以構成為附加梯狀至封裝件側面68上。在此情況下，作為多刀切割刀片61的間隔件63，使用在連接至切割刀片64的端部上形成的階梯部66。藉此，多刀切割刀片61的刀片部分，從基端向突出方向形成為固定寬度，且從突出方向的中途到前端為止形成為窄幅的固定寬度。藉由此多刀切割刀片61的間隔件63外表面之階梯部66，以使半導體封裝件67下表面側比上表面側要大的方式，在封裝件側面68上附加梯狀。

此外，如圖9B的變形例所示，在分割步驟中也可以構成為附加彎曲的梯狀至封裝件側面78上。在此情況下，作為多刀切割刀片71的間隔件73，使用在連接至切割刀片74的端部上形成的彎曲的階梯部76。藉此，多刀切割刀片71的刀片部分，被形成為以從基端向突出方向寬度變窄的方式彎曲，且從突出方向的中途到前端為止形成為窄幅的固定寬度。藉由此多刀切割刀片71的間隔件73外表面之階梯部76，以使半導體封裝件77下表面側比上表面側要大的方式，在封裝件側面78上附加梯狀。如此作為封裝件側面的梯狀，只要是相對半導體封裝件的上表面產生高低差的形狀即可。

再來，如圖9C的變形例所示，在分割步驟中，也可以構成為附加梯狀至封裝有厚度相異的多個半導體晶片87a、87b的SIP（System in Package，系統級封裝）之封裝件上表面上。在此情況下，作為多刀切割刀片81的間隔件83，使用形成為大直徑部分84及小直徑部分85所組成的圓筒狀。大直徑部分84係較小直徑部分85只突出半導體晶片87a、87b的厚度差。以該間隔件83的大直徑部分84深深地削去薄型半導體晶片87a上的樹脂層13，並以間隔件83的小直徑部分85淺淺地削去半導體晶片87b上的樹脂層13。因為大直徑部分84只有較小直徑部分85突出半導體晶片87a、87b的厚度差，所以從各半導體晶片87a、87b的晶片上表面88a、88b到封裝件上表面89a、89b為止的厚度是一致的。藉此，能夠使厚度不同的多個半導體晶片87a、87b的散熱效果接近均一。如上所述，在分割步驟中，並不限定為在封裝件側面上附加傾斜的構成，在分割為個個半導體封裝件之際，也可以為在封裝件上表面及/或封裝件側面上形成期望形狀的構成。

此外，在本實施方式中，雖為藉由整形磨石分割封裝基板並實施研削之構成，但並不限定在此構成。如圖10的變形例所示，也可以藉由多刀切割刀片91的切割刀片94及間隔件93的傾斜面96只實施封裝基板15的分割。在此情況下，只在間隔件93的端部之傾斜面96形成磨粒層97，以藉由一對切割刀片94切入保持膠帶35的半途時，間隔件93的端部以外從封裝基板15上分離的方式，設定一對間隔件93的直徑。

此外，在本實施方式中，雖例示為在配線基板上安裝一個半導體晶片的半導體封裝件，但並不限定於此構成。也可以製造在配線基板上安裝多個半導體晶片的半導體封裝件。例如，如圖11的變形例所示，在配線基板102上安裝多個（例如3個）半導體晶片103a～103c，也可以製造將半導體晶片103a～103c屏蔽在一起的半導體封裝件101。另外，半導體晶片103a～103c可以具有相同功能，也可以具有不同功能。

此外，在本實施方式中，雖說明了關於製造半導體晶片透過引線而引線接合於配線基的電極之半導體封裝件，但並不限定於此構成。如圖12的變形例所示，半導體封裝件106也可以是半導體晶片107直接連接至配線基板108的電極之覆晶接合。

此外，在本實施方式中，雖說明了關於適用於封裝基板加工的構成，但並不限定於此構成。如圖13A及圖13B的變形例所示，也可以將本實施方式的加工方法適用於晶圓加工，以在晶圓109、110分割後的晶片側面上附加傾斜或梯狀。例如，在分割光學元件晶圓製造LED晶片時，藉由在晶片側面設置傾斜或梯狀，能夠使光提取效率提升。

此外，在本實施方式中，雖然多刀切割刀片以一對切割刀片與3個間隔件所構成，但不限定於此構成。多刀切割刀片可以構成為多片切割刀片以及設置在2片切割刀片間的間隔件具有相同旋轉軸心。因此，多刀切割刀片也可以具有3片以上的切割刀片。

此外，在本實施方式中，雖然構成為藉由間隔件夾住切割刀片，但不限定於此構成。至少間隔件設置於相鄰切割刀片之間即可，且從切割刀片之間露出的間隔件之外表面至少形成為在晶片的外周上形成期望形狀的轉移形狀即可。

此外，在本實施方式中，雖為藉由基板的背面被保持膠帶保持以實施各工序之構成，但並不限定在此構成。例如，也可以在基板的背面以保持治具保持的狀態下實施各步驟。再者，保持治具能夠保持基板即可，也可以利用例如卡盤台或基材（substrate）所構成。

此外，半導體封裝件不限定為用於行動電話的行動通訊設備的構成，也可以用於攝影機等其他電子設備。

此外，封裝基板可以為所謂的FOWLP（Fan Out Wafer Level Package，扇出型晶圓級封裝）基板，也可以為將厚度相異的多個晶片安裝於重佈層上的構成。因此，配線基材並不限定為PCB基板等配線基板，也可以為FOWLP的重佈層。

又，作為工件，根據加工的種類，也可以使用例如半導體元件晶圓、光學元件晶圓、封裝基板、半導體基板、無機材料基板、氧化物晶圓、未燒結陶瓷基板、壓電基板等各種工件。也可以使用元件形成後的矽晶圓或化合物半導體晶圓作為半導體元件晶圓。也可以使用元件形成後的藍寶石晶圓或碳化矽晶圓作為光學元件晶圓。此外，可以使用CSP（Chip size package，晶片級封裝）基板作為封裝基板，也可以使用矽或砷化鎵等作為半導體基板，也可以使用藍寶石、陶瓷、玻璃等作為無機材料基板。再來，也可以使用元件形成後或元件形成前的鉭酸鋰（Lithium tantalate）、鈮酸鋰（Lithium niobate）作為氧化物晶圓。

又，已說明本實施方式及變形例，但作為本發明的其他實施方式，也可以將上述各實施方式及變形例的全體或部分組合。

又，本發明的實施方式不限於上述各實施方式及變形例，在未脫離本發明的技術思想精神範圍，亦可作各種變更、置換、變形。另外，根據技術的進步或衍生的其他技術，若可以其他做法實現本發明之技術思想，亦可以用該方法實施。因此，專利請求範圍係涵蓋所有本發明的技術思想的範圍可能包含的實施方式。

此外，在本實施方式中，雖以說明了將本發明適用於半導體封裝件及晶圓等加工方法之構成，亦能夠適用於分割為個個晶片的其他加工對象的加工方法。

如以上的說明，本發明係具有，在分割為個個晶片的同時能夠在晶片側面上附加傾斜或梯狀的效果，特別是，對於用於行動通訊設備的多刀切割刀片及加工方法有效。

10‧‧‧半導體封裝件（晶片）11‧‧‧配線基板（配線基材）12‧‧‧半導體晶片（半導體零件）15‧‧‧封裝基板（工件）16‧‧‧屏蔽層25‧‧‧傾斜面35‧‧‧保持膠帶40‧‧‧多刀切割刀片43‧‧‧間隔件44‧‧‧切割刀片45‧‧‧磨粒層66‧‧‧階梯部108、109‧‧‧晶圓（工件）

圖1為本實施方式之半導體封裝件的剖面示意圖。 圖2為顯示比較例之半導體封裝件的製造方法的剖面示意圖。 圖3為本實施方式之多刀切割刀片的分解立體圖。 圖4為本實施方式之多刀切割刀片的剖面示意圖。 圖5為顯示本實施方式之半導體封裝件的製造方法的剖面示意圖。 圖6為顯示本實施方式之半導體封裝件的製造方法的剖面示意圖。 圖7為顯示設置於測試體之屏蔽層的厚度的剖面圖。 圖8為顯示測試體之側面的傾斜角與屏蔽層的厚度之關係的圖。 圖9為顯示分割步驟之變形例的剖面示意圖。 圖10為顯示分割步驟之其他變形例的剖面示意圖。 圖11為顯示半導體封裝件之變形例的剖面示意圖。 圖12為顯示半導體封裝件之其他變形例的剖面示意圖。 圖13為顯示基板之變形例的剖面圖。

40‧‧‧多刀切割刀片

41‧‧‧軸

42‧‧‧公螺纹

43‧‧‧間隔件

44‧‧‧切割刀片

46‧‧‧傾斜面

48‧‧‧固定螺帽

Claims (3)

1. 一種多刀切割刀片，將工件分割並加工成期望形狀，其具備： 軸體，被旋轉驅動； 多片切割刀片，將安裝在該軸體上的工件分割為個個晶片；以及 間隔件，在相鄰兩片切割刀片之間，安裝在前述軸體上； 其中，從該切割刀片之間露出的該間隔件之外表面形成為在該晶片的外周形成期望形狀的轉移形狀，且被磨粒層所覆蓋。
2. 一種加工方法，使用如申請專利範圍第1項所載多刀切割刀片，將在正面形成有交叉的多條分割預定線之工件沿著該分割預定線分割，並將分割後的晶片加工為期望形狀，其具備： 保持步驟，以保持治具或保持膠帶保持該工件的背面；以及 分割步驟，在實施該保持步驟之後，以該多刀切割刀片的該切割刀片沿著該分割預定線切入至該保持膠帶之中或該保持治具內為止，將工件分割為個個晶片； 其中，在該分割步驟中，分割為個個晶片時，藉由該間隔件外表面的該磨粒層在各晶片上表面及/或側面形成期望的形狀。
3. 如申請專利範圍第2項所述之加工方法，其中， 該工件是以樹脂層將配線基材上的半導體零件密封之封裝基板； 該晶片是分割封裝基板而成的半導體封裝件； 該多刀切割刀片的該間隔件在連接該切割刀片的端部上形成有傾斜面或階梯部； 在該分割步驟中，藉由該間隔件外表面的該傾斜面或該階梯部，以使各半導體封裝件下表面側大於上表面側的方式在封裝件側面形成傾斜或梯狀； 該加工方法進一步具備：屏蔽層形成步驟，在多個該半導體封裝件的該上表面及傾斜面上形成屏蔽層。

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