TWI755467B

TWI755467B - 研磨用組合物

Info

Publication number: TWI755467B
Application number: TW106146202A
Authority: TW
Inventors: 松田修平; 杉田規章; 松下隆幸
Original assignee: 日商霓塔杜邦股份有限公司
Priority date: 2016-12-28
Filing date: 2017-12-28
Publication date: 2022-02-21
Also published as: KR102825101B1; KR20190098142A; CN110036086A; JPWO2018124230A1; TW201829717A; WO2018124230A1; JP7077236B2; CN110036086B; KR20250030536A

Abstract

本發明提供一種維持研磨速度及表面平滑性，並且獲得良好之晶圓形狀之研磨用組合物。本發明之研磨用組合物包含研磨粒、鹼性化合物、及兩種以上之水溶性高分子，研磨粒與兩種以上之水溶性高分子各者之重量%濃度比為研磨粒：水溶性高分子＝1：0.0001～1：0.0010，兩種以上之水溶性高分子中之一種為一分子中之羥基或內醯胺結構之數量未達10的水溶性高分子，兩種以上之水溶性高分子中之另一種為一分子中之羥基或內醯胺結構之數量為10以上的水溶性高分子。

Description

研磨用組合物

本發明係關於一種研磨用組合物。

藉由CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)進行之矽晶圓之研磨藉由進行3階段或4階段之多階段研磨，而實現高精度之平滑化、平坦化。近年來，伴隨著對晶圓之表面品質之要求變嚴格，於二次研磨中亦要求獲得更高水準之平滑性、平坦性。已知藉由在研磨用組合物中添加水溶性高分子，可降低晶圓之表面粗糙度(例如參照日本專利第5505987號公報)。

若於研磨用組合物中添加水溶性高分子，則雖可降低表面粗糙度，但存在研磨速度降低之問題。又，不僅對於研磨速度或表面粗糙度，對於晶圓形狀亦要求更加嚴格之控制。本發明之目的在於提供一種維持研磨速度及表面平滑性，並且獲得良好之晶圓形狀之研磨用組合物。本發明之一實施形態之研磨用組合物包含研磨粒、鹼性化合物、及兩種以上之水溶性高分子，研磨粒與兩種以上之水溶性高分子各者之重量%濃度比為研磨粒：水溶性高分子＝1：0.0001～1：0.0010，上述兩種以上之水溶性高分子中之一種為一分子中之羥基或內醯胺結構之數量未達10的水溶性高分子，上述兩種以上之水溶性高分子中之另一種為一分子中之羥基或內醯胺結構之數量為10以上的水溶性高分子。本發明之一實施形態之研磨用組合物亦可為：兩種以上之水溶性高分子中之一種為包含下述通式(1)所示之具有2個氮之伸烷基二胺結構，且於該伸烷基二胺結構之2個氮上鍵結有至少1個嵌段型聚醚的二胺化合物，並且該嵌段型聚醚係氧伸乙基與氧伸丙基鍵結而成。 [化1]

(式中，n表示1以上之整數) 本發明之一實施形態之研磨用組合物亦可為：兩種以上之水溶性高分子中之另一種為羥乙基纖維素。本發明之一實施形態之研磨用組合物較佳為：兩種以上之水溶性高分子中之一種為上述二胺化合物，兩種以上之水溶性高分子中之另一種為羥乙基纖維素。根據本發明，維持研磨速度及表面平滑性，並且獲得良好之晶圓形狀。

本發明者等人為了解決上述問題而進行了各種研究。其結果為獲得了以下見解。為了控制研磨後之晶圓之形狀，有效的是使研磨用組合物中適量含有兩種以上之水溶性高分子。兩種以上之水溶性高分子視與晶圓之親和性之不同，而分別作用於晶圓之相對內側之區域與相對外側之區域。進而，藉由適當控制兩種以上之水溶性高分子各者與研磨粒之濃度比，可不使研磨速度降低而以更高水準控制晶圓之形狀。本發明係基於該等見解而完成。以下，對本發明之一實施形態之研磨用組合物進行詳細敍述。本發明之一實施形態之研磨用組合物包含研磨粒、鹼性化合物、及兩種以上之水溶性高分子。本實施形態之研磨用組合物可較佳地用於矽晶圓之二次研磨。研磨粒可使用該領域中常用者。研磨粒例如為膠體二氧化矽、發煙二氧化矽、膠體氧化鋁、發煙氧化鋁、氧化鈰、碳化矽、氮化矽等。該等中，可較佳地使用膠體二氧化矽。研磨粒之含量並無特別限定，例如為研磨用組合物總體之0.1～15重量%。關於研磨粒之含量，就使研磨速度變大之觀點而言以多為佳，就減少研磨損傷或異物殘留之觀點而言以少為佳。研磨粒之含量之下限較佳為0.5重量%，進而較佳為1重量%。研磨粒之含量之上限較佳為12重量%，進而較佳為10重量%。鹼性化合物對晶圓之表面進行蝕刻而進行化學研磨。鹼性化合物例如為胺化合物、無機鹼性化合物等。胺化合物例如為一級胺、二級胺、三級胺、四級銨及其鹽、雜環式胺等。具體而言可列舉：氨、氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨(TEAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)、甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、己胺、環己胺、乙二胺、六亞甲基二胺、二伸乙基三胺(DETA)、三伸乙基四胺、四伸乙基五胺、五伸乙基六胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、無水哌𠯤、哌𠯤六水合物、1-(2-胺基乙基)哌𠯤、N-甲基哌𠯤、哌𠯤鹽酸鹽、碳酸胍等。無機鹼性化合物例如可列舉：鹼金屬之氫氧化物、鹼金屬之碳酸鹽、鹼金屬之碳酸氫鹽、鹼土金屬之氫氧化物、鹼土金屬之碳酸鹽、鹼土金屬之碳酸氫鹽等。無機鹼性化合物具體而言為氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉、碳酸氫鉀、碳酸鉀(K₂ CO₃ )、碳酸氫鈉、碳酸鈉等。鹼性化合物可較佳地使用上述列舉之物質群中之鹼金屬之氫氧化物、鹼金屬之碳酸鹽、鹼土金屬之氫氧化物、鹼土金屬之碳酸鹽、四級銨、或四級銨之鹽。如上所述，本實施形態之研磨用組合物可較佳地用於矽晶圓之二次研磨。對於精加工研磨(最終研磨)用之研磨用組合物而言，純度之要求非常高，因此鹼金屬等之含量受到限制，相對於此，二次研磨用之研磨用組合物與精加工研磨用之研磨用組合物相比而要求研磨速率。因此，二次研磨用之研磨用組合物較佳為使用化學研磨作用較強之鹼性化合物。上述鹼性化合物可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。鹼性化合物之合計含量並無特別限定，例如為研磨用組合物總體之0.1～5重量%。鹼性化合物之含量之下限較佳為0.5重量%。鹼性化合物之含量之上限較佳為3重量%。本實施形態之研磨用組合物包含兩種以上之水溶性高分子。水溶性高分子吸附於晶圓之表面，將晶圓之表面改質。藉此，可提昇研磨之均勻性，降低表面粗糙度。水溶性高分子例如可列舉：羥乙基纖維素(HEC)、羥丙基纖維素、羧甲基纖維素、乙酸纖維素、甲基纖維素等纖維素類；聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯啶酮(PVP)等乙烯聚合物；配醣體(糖苷)、聚乙二醇、聚丙二醇、聚甘油、泊洛沙胺、泊洛沙姆、聚氧伸烷基烷基醚、聚氧伸烷基脂肪酸酯、聚氧伸烷基烷基胺、甲基葡萄糖苷之環氧烷衍生物(下文敍述)、多元醇環氧烷加成物、多元醇脂肪酸酯等。研磨時，該等兩種以上之水溶性高分子視與晶圓之親和性之不同而分別作用於晶圓之相對內側之區域與相對外側之區域。藉此，可以更高水準控制晶圓之形狀。於本實施形態之研磨用組合物中，兩種以上之水溶性高分子各者與研磨粒之重量%濃度比為研磨粒：水溶性高分子＝1：0.0001～1：0.0010。若水溶性高分子變得較研磨粒：水溶性高分子＝1：0.0001少，則無法充分獲得該水溶性高分子之作用，無法充分獲得藉由含有兩種以上之水溶性高分子所得之效果。其結果為，無法獲得目標晶圓形狀。另一方面，若水溶性高分子變得較研磨粒：水溶性高分子＝1：0.0010多，則研磨速度降低。又，無法充分獲得藉由含有兩種以上之水溶性高分子所得之效果，仍然無法獲得目標晶圓形狀。兩種以上之水溶性高分子各者與研磨粒之重量%濃度比之上限較佳為以水溶性高分子/研磨粒計為0.0009，進而較佳為以水溶性高分子/研磨粒計為0.0007。水溶性高分子中之一種較佳為包含下述通式(1)所示之具有2個氮之伸烷基二胺結構，且於該伸烷基二胺結構之2個氮上鍵結有至少1個嵌段型聚醚的二胺化合物，並且該嵌段型聚醚係氧伸乙基與氧伸丙基鍵結而成(以下稱為「鍵結有嵌段型聚醚之二胺化合物」)。 [化1]

(式中，n表示1以上之整數) 嵌段型聚醚可使用選自下述通式(2)～(5)所示之醚基中之至少一種。 -[(EO)_a -(PO)_b ]_x -H ・・・(2) -[(PO)_b -(EO)_a ]_x -H ・・・(3) -(EO)_a -[(PO)_b -(EO)_a ]_x -H ・・・(4) -(PO)_b -[(EO)_a -(PO)_b ]_x -H ・・・(5) 式中，EO表示氧伸乙基，PO表示氧伸丙基，a、b、x為1以上之整數。較佳為氧伸乙基之數量a為1～500，氧伸丙基之數量b為1～200。較佳為氧伸乙基與氧伸丙基之質量比為EO：PO＝10：90～80：20。作為鍵結有嵌段型聚醚之二胺化合物之具體例，可列舉N,N,N',N'-四-聚氧伸乙基-聚氧伸丙基-乙二胺(泊洛沙胺)。水溶性高分子中之一種較佳為HEC。作為研磨用組合物所含有之兩種以上之水溶性高分子，自不對晶圓表面賦予濡濕性之水溶性高分子中選擇一種以上，且自對晶圓表面賦予濡濕性之水溶性高分子中選擇一種以上。不對晶圓表面賦予濡濕性之水溶性高分子係指一分子中之羥基或內醯胺結構之數量未達10(於存在羥基及內醯胺結構兩者之情形時，其合計未達10)的水溶性高分子。作為不對晶圓表面賦予濡濕性之水溶性高分子，例如可除了上述泊洛沙胺以外，可列舉：泊洛沙姆、聚氧伸烷基烷基醚、聚氧伸烷基脂肪酸酯、聚氧伸烷基烷基胺、及下述通式(6)所示之甲基葡萄糖苷之環氧烷衍生物、多元醇環氧烷加成物、多元醇脂肪酸酯、聚乙二醇、聚丙二醇等。 [化2]

(式中，AO表示環氧烷，又，a～d表示整數) 具體而言，聚氧伸烷基烷基醚為聚氧伸乙基月桂醚、聚氧伸乙基鯨蠟醚、聚氧伸乙基硬脂醚等。具體而言，聚氧伸烷基脂肪酸酯為聚氧伸乙基單月桂酸酯、聚氧伸乙基單硬脂酸酯等。具體而言，聚氧伸烷基烷基胺為聚氧伸乙基月桂基胺、聚氧伸乙基油基胺等。甲基葡萄糖苷之環氧烷衍生物例如為聚氧伸乙基甲基葡萄糖苷、聚氧伸丙基甲基葡萄糖苷等。具體而言，多元醇環氧烷加成物可列舉甘油、季戊四醇、乙二醇等之環氧烷加成物等。對晶圓表面賦予濡濕性之水溶性高分子係指一分子中之羥基或內醯胺結構之數量為10以上(於存在羥基及內醯胺結構兩者之情形時，其合計為10以上)的水溶性高分子。對晶圓表面賦予濡濕性之水溶性高分子例如可列舉：羥乙基纖維素(HEC)、羥丙基纖維素、羧甲基纖維素、乙酸纖維素、甲基纖維素等纖維素類；聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯啶酮(PVP)等；乙烯聚合物、配醣體(糖苷)、聚甘油等。研磨用組合物所含有之兩種以上之水溶性高分子較佳為自由泊洛沙胺、泊洛沙姆、聚氧伸乙基甲基葡萄糖苷、聚氧伸丙基、甲基葡萄糖苷所組成之群中選擇一種，且自由HEC、PVA、PVP、聚甘油所組成之群中選擇另一種。研磨用組合物所含有之兩種以上之水溶性高分子進而較佳為將一種設為泊洛沙胺，另一種設為HEC。本實施形態之研磨用組合物亦可除上述外還包含螯合劑。螯合劑例如為胺基羧酸系螯合劑，有機磺酸螯合劑等。作為胺基羧酸系螯合劑，具體而言可列舉：乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸鈉、氮基三乙酸、氮基三乙酸鈉、氮基三乙酸銨、羥乙基乙二胺三乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸鈉、二伸乙基三胺五乙酸(DTPA)、二伸乙基三胺五乙酸鈉、三伸乙基四胺六乙酸、三伸乙基四胺六乙酸鈉等。作為有機膦酸系螯合劑，具體而言可列舉：2-胺基乙基膦酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)、乙烷-1,1,-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦酸、乙烷-1-羥基-1,1-二膦酸、乙烷-1-羥基-1,1,2-三膦酸、乙烷-1,2-二羧基-1,2-二膦酸、甲烷羥基膦酸、2-膦酸基丁烷-1,2-二羧酸、1-膦酸基丁烷-2,3,4-三羧酸、α-甲基膦酸基琥珀酸等。本實施形態之研磨用組合物亦可進而包含pH值調整劑。本實施形態之研磨用組合物之pH值較佳為8.0～12.0。本實施形態之研磨用組合物除上述以外，還可任意調配研磨用組合物之領域中通常知悉之添加劑。本實施形態之研磨用組合物係藉由將研磨粒、鹼性化合物、兩種以上之水溶性高分子及其他調配材料適當混合並加水而製作。或者，本實施形態之研磨用組合物係藉由將研磨粒、鹼性化合物、兩種以上之水溶性高分子及其他調配材料依序混合至水中而製作。作為混合該等成分之方法，可使用均質機、超音波等研磨用組合物之技術領域中常用之方法。以上說明之研磨用組合物係以成為適當濃度之方式以水稀釋後，用於矽晶圓之研磨。 [實施例] 以下，藉由實施例對本發明更具體地進行說明。本發明不限定於該等實施例。 [研磨例1] 製作表1所示之實施例1～4、及表2所示之比較例1～4之研磨用組合物。 [表1]

[表2]

實施例1之研磨用組合物含有粒徑70 nm之膠體二氧化矽作為研磨粒，含有DTPA作為螯合劑，含有KOH及K₂ CO₃ 作為鹼性化合物，且含有泊洛沙胺及HEC作為水溶性高分子。研磨用組合物之剩餘部分為水。研磨粒、DTPA、KOH、K₂ CO₃ 、泊洛沙胺、及HEC之含量係分別設為3重量%、0.01重量%、0.3重量%、1重量%、0.0004重量%、及0.0004重量%。研磨粒與泊洛沙胺之重量%濃度比、及研磨粒與HEC之重量%濃度比均為1：0.0001。實施例2～4之研磨用組合物係以實施例1之研磨用組合物為基準，改變泊洛沙胺及HEC之含量，且將研磨粒與各水溶性高分子之重量%濃度比設為1：0.0003、1：0.0007、1：0.001而成者。比較例1之研磨用組合物係以實施例1之研磨用組合物為基準，未添加水溶性高分子者。比較例2之研磨用組合物係以實施例1之研磨用組合物為基準，改變泊洛沙胺及HEC之含量，且將研磨粒與各水溶性高分子之重量%濃度比設為1：0.0013而成者。比較例3之研磨用組合物係以實施例4之研磨用組合物為基準，未添加HEC者。比較例4之研磨用組合物係以實施例4之研磨用組合物為基準，未添加泊洛沙胺者。使用該等實施例及比較例之研磨用組合物，進行直徑300 mm之P型矽晶圓(100)面之研磨。研磨裝置係使用岡本工作機械製作所股份有限公司製作之SPP800S。研磨墊係使用麂皮之研磨墊。將研磨用組合物稀釋至10倍，以0.6 L/分鐘之供給速度進行供給。壓盤之轉速設為43 rpm，研磨頭之轉速設為40 rpm，研磨負荷設為0.012 MPa，進行4分鐘之研磨。研磨結束後，使用非接觸表面粗糙度測定機(WycoNT9300，Veeco公司製造)，測定矽晶圓之表面粗糙度Ra。晶圓形狀之評價係使用以下將說明之「差量GBIR」而進行。圖1係用以對差量GBIR進行說明之圖。首先，測定研磨前之矽晶圓之厚度(距背面基準平面之距離)之分佈P1。同樣地，測定研磨後之矽晶圓之厚度之分佈P2。取研磨前之分佈P1與研磨後之分佈P2之差量，求出「藉由研磨而去除之厚度(磨削量)」之分佈ΔP。將除特定邊緣區域以外之區域中之磨削量之分佈ΔP的最大值ΔP_max 與最小值ΔP_min 之差定義為「差量GBIR」。使用差量GBIR對晶圓形狀進行評價，由此與使用通常之GBIR之情形相比，可緩和由研磨前之矽晶圓之不均及意外因素所造成之影響，更準確地進行研磨步驟本身之評價。研磨前後之矽晶圓之厚度之分佈係使用晶圓用平坦度檢查裝置(Nonometro 300TT-A，黑田精工股份有限公司製造)測定。又，將磨削量之平均厚度除以研磨時間，作為研磨速率。將研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR示於上述表1及表2中。表1及表2之研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR之數量值為將比較例1(不含水溶性高分子之研磨用組合物)之值設為100時之相對值。於本評價中，將研磨速率成為90以上，表面粗糙度Ra成為110以下，差量GBIR成為70以下視為目標。如表1所示，於實施例1～5中，研磨速率係維持於與比較例1同等，表面粗糙度Ra及差量GBIR大幅度地改善。若將實施例1～4進行比較，則獲得大致相同之品質，但水溶性高分子相對於研磨粒之濃度比較小之實施例1及2之情況下可見差量GBIR變小之傾向。如表2所示，比較例2雖然與比較例1相比表面粗糙度Ra改善，但研磨速率下降。又，差量GBIR未改善。可認為其原因在於水溶性高分子相對於研磨粒之濃度比過高。比較例3、4雖然與比較例1相比而研磨速率變大，但差量GBIR之改善不充分。可認為其原因在於該等研磨用組合物僅含有一種水溶性高分子。 [研磨例2] 繼而，製作表3所示之比較例5～10之研磨用組合物。 [表3]

比較例5之研磨用組合物係與比較例1同樣地以實施例1之研磨用組合物為基準，未添加水溶性高分子者。比較例6～8之研磨用組合物係以比較例4之研磨用組合物為基準，改變HEC之含量，且將研磨粒與HEC之重量%濃度比設為1：0.0013、1：0027、1：0.005而成者。比較例9之研磨用組合物係以比較例3之研磨用組合物為基準，改變泊洛沙胺之含量，且將研磨粒與泊洛沙胺之重量%濃度比設為1：0.0013而成者。比較例10之研磨用組合物係將研磨粒與泊洛沙胺之重量%濃度比、及研磨粒與HEC之重量%濃度比均設為1：0.0013而成者。使用該等研磨用組合物，於與研磨例1類似之條件下進行研磨。然後，與研磨例1同樣地求出研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR。將結果示於上述表3中。表3之研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR之數量值係將比較例5(不含水溶性高分子之研磨用組合物)之值設為100時之相對值。比較例6與比較例5相比，差量GBIR之改善不充分。比較例7及8雖然差量GBIR改善，但研磨速率大幅度地降低。比較例9與比較例5相比差量GBIR惡化。如此，於水溶性高分子為一種之情形時，即便調整含量，亦無法獲得平衡良好地滿足研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR此3個指標之條件。圖2～圖5分別為藉由比較例5(無水溶性高分子)、比較例9(僅泊洛沙胺)、比較例6(僅HEC)、及比較例10(併用泊洛沙胺與HEC)之研磨用組合物進行了研磨的矽晶圓之磨削量之分佈。根據圖2與圖3之比較可知，泊洛沙胺不使晶圓中心之磨削量變化，且使晶圓最外周之磨削量變小。根據圖2與圖4之比較可知，HEC使晶圓中心之磨削量變小，且使晶圓最外周之磨削量變大。如圖5所示，藉由併用泊洛沙胺與HEC，晶圓中心至外周附近之磨削量之變化變少，可於晶圓之中心與距中心100 mm之位置之間使磨削量基本一定。 [研磨例3] 繼而，製作表4所示之實施例5～8、表5所示之實施例10、11、比較例11～13之研磨用組合物。 [表4]

[表5]

實施例5～7之研磨用組合物係以實施例2之研磨用組合物為基準，將HEC替換為其他水溶性高分子而成者。具體而言，實施例5～7之研磨用組合物係將HEC分別替換為PVA、PVP、及聚甘油而成者。實施例8～10之研磨用組合物係以實施例2之研磨用組合物為基準，將泊洛沙胺替換為其他水溶性高分子而成者。具體而言，實施例8～10之研磨用組合物係將泊洛沙胺分別替換為泊洛沙姆、聚氧伸乙基甲基葡萄糖苷、及聚氧伸丙基甲基葡萄糖苷而成者。比較例11之研磨用組合物係與比較例1同樣地以實施例1之研磨用組合物為基準，未添加水溶性高分子者。比較例12之研磨用組合物係以比較例4之研磨用組合物為基準，改變HEC之含量，且將研磨粒與HEC之重量%濃度比設為1：0.002而成者。比較例13之研磨用組合物係以比較例3之研磨用組合物為基準，改變泊洛沙胺之含量，且將研磨粒與泊洛沙胺之重量%濃度比設為1：0.002而成者。使用該等研磨用組合物，於與研磨例1類似之條件下進行研磨。然後，與研磨例1同樣地求出研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR。將結果示於上述表4及表5中。表4及表5之研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR之數量值為將比較例11(不含水溶性高分子之研磨用組合物)之值設為100時之相對值。於實施例5～10中，研磨速率及表面粗糙度Ra與比較例11為同等或同等以上，差量GBIR大幅度地改善。尤其，實施例5(水溶性高分子為泊洛沙胺與PVA)、實施例7(水溶性高分子為泊洛沙胺與聚甘油)中，研磨速率亦顯著提昇。比較例12、13係差量GBIR之改善不充分。可認為其原因在於該等研磨用組合物僅含有一種水溶性高分子。根據以上之結果確認到，藉由使研磨用組合物中適量含有兩種以上之水溶性高分子，可以高水準控制研磨後之晶圓之形狀。以上，對本發明之實施形態進行了說明。上述實施形態僅為用以實施本發明之例示。因此，本發明並不限定於上述實施形態，可於不脫離其主旨之範圍內將上述實施形態適當變化後實施。

P1、P2、ΔP‧‧‧分佈ΔP_max‧‧‧最大值ΔP_min‧‧‧最小值

圖1係用以對差量GBIR進行說明之圖。圖2係以不含水溶性高分子之研磨用組合物進行研磨時之研磨量(磨削量)之分佈。圖3係以含有泊洛沙胺之研磨用組合物進行研磨時之研磨量(磨削量)之分佈。圖4係以含有HEC(Hydroxyethyl Cellulose，羥乙基纖維素)之研磨用組合物進行研磨時之研磨量(磨削量)之分佈。圖5係以含有泊洛沙胺及HEC之研磨用組合物進行研磨時之研磨量(磨削量)之分佈。

Claims

一種研磨用組合物，其包含：研磨粒、鹼性化合物、及兩種以上之水溶性高分子，且上述兩種以上之水溶性高分子各者與上述研磨粒之重量%濃度比為研磨粒：水溶性高分子=1：0.0001~1：0.0010，上述兩種以上之水溶性高分子中之一種為一分子中之羥基或內醯胺結構之數量未達10的水溶性高分子，上述兩種以上之水溶性高分子中之另一種為一分子中之羥基或內醯胺結構之數量為10以上的水溶性高分子。
如請求項1之研磨用組合物，其中上述兩種以上水溶性高分子中之一種為包含下述通式(1)所示之具有2個氮之伸烷基二胺結構，且於該伸烷基二胺結構之2個氮上鍵結有至少1個嵌段型聚醚的二胺化合物，並且該嵌段型聚醚係氧伸乙基與氧伸丙基鍵結而成，
(式中，n表示1以上之整數)。
如請求項1之研磨用組合物，其中上述兩種以上之水溶性高分子中之另一種為羥乙基纖維素。
如請求項1之研磨用組合物，其中上述兩種以上之水溶性高分子中之一種為包含下述通式(1)所示之具有2個氮之伸烷基二胺結構，且於該伸烷基二胺結構之2個氮上鍵結有至少1個嵌段型聚醚的二胺化合物，並且該嵌段型聚醚係氧伸乙基與氧伸丙基鍵結而成，上述兩種以上之水溶性高分子中之另一種為羥乙基纖維素，
(式中，n表示1以上之整數)。