TWI754072B

TWI754072B - 封裝體及其製造方法

Info

Publication number: TWI754072B
Application number: TW107120082A
Authority: TW
Inventors: 蔡柏豪
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2018-04-27
Filing date: 2018-06-11
Publication date: 2022-02-01
Also published as: CN110416167B; TW201946230A; US10937742B2; US10535614B2; US20190333867A1; US20200144199A1; US10276511B1; CN110416167A

Abstract

一種封裝體包括多個晶粒、擋牆結構、多個導電結構、包封體及重佈線結構。所述擋牆結構環繞至少一個所述晶粒。所述擋牆結構具有面向所述至少一個晶粒的內表面以及與所述內表面相對的外表面。所述導電結構環繞所述至少一個晶粒。所述包封體包封所述晶粒、所述擋牆結構及所述導電結構。所述包封體的至少一部分位於所述擋牆結構的所述內表面及所述外表面之間並貫穿所述擋牆結構。所述重佈線結構設置在所述包封體上且與所述晶粒及所述導電結構電性連接。

Description

封裝體及其製造方法

本發明實施例是有關於一種封裝體，且特別是有關於一種具有擋牆結構的封裝體。

由於各種電子元件(即，電晶體、二極體、電阻器、電容器等)的積體密度的持續提高，半導體行業已經歷快速增長。在很大程度上，積體密度的提高來自於最小特徵大小(minimum feature size)的重複減小，此使得更多較小的元件能夠整合到給定區域中。這些較小的電子元件也需要使用與先前的封裝相比佔用較小面積的較小的封裝。當前，積體扇出型封裝體(integrated fan-out package)因其緊湊性(compactness)而正變得日益流行。為防止電磁場干擾阻斷積體扇出封裝中晶粒的運行，可在系統內實施適當的遮蔽機制。

一種封裝體包括多個晶粒、擋牆結構、多個導電結構、包封體及重佈線結構。所述擋牆結構環繞至少一個所述晶粒。所述擋牆結構具有面向所述至少一個晶粒的內表面以及與所述內表面相對的外表面。所述導電結構環繞所述至少一個晶粒。所述包封體包封所述晶粒、所述擋牆結構及所述導電結構。所述包封體的至少一部分位於所述擋牆結構的所述內表面及所述外表面之間並貫穿所述擋牆結構。所述重佈線結構設置在所述包封體上。所述重佈線結構與所述晶粒及所述導電結構電性連接。

10:封裝體

100:擋牆結構

100a:內表面

100b:外表面

100c、T_104a、T_104b:頂表面

100d:底表面

102:框架部

104:交錯部

104a:主體部

104b:橋部

110:晶種材料層

110a:晶種層

120:前驅物粉層

120a:未燒結部分

120b:燒結部分

200:導電結構

300:第一晶粒

300a:後表面

300b:前表面

300c:主動表面

300’:第二晶粒

300”:第三晶粒

310:半導體基板

320:導電接墊

330:鈍化層

340:後鈍化層

350:導電通孔

360:保護層

400:包封材料

400a:包封體

500:重佈線結構

500a:層間介電層

500b:重佈線導電層

600:導電端子

700:晶片

702:導電接部

800:蓋體

900:導電片

900a:第一導電片

900b:第二導電片

AD:黏合層

C:載板

CH:貫穿通道

DB:剝離層

EM:發射裝置

H₁₀₀、H_104a、H_104b、H_CH:高度

L:雷射光束

R、R’:區域

T₁₀₀:厚度

d1、d2、d4:間距

d3:寬度

圖1是根據本公開的一些實施例的封裝體示意性俯視圖。

圖2A至圖2M是圖1中的封裝體的一個區域的製造流程的示意性剖面圖。

圖3A是根據本公開的一些實施例的擋牆結構的示意性透視圖。

圖3B是圖3A中的擋牆結構的交錯部的示意性放大圖。

圖4A是根據本公開的一些替代實施例的擋牆結構的示意性透視圖。

圖4B是圖4A中的擋牆結構的一個區域的示意性放大圖。

圖4C是根據本公開的一些替代實施例的擋牆結構的一個區域的示意性放大圖。

圖5是根據本公開的一些替代實施例的封裝體的一個區域的示意性剖面圖。

圖6是根據本公開的一些替代實施例的封裝體的一個區域的示意性剖面圖。

以下公開內容提供用於實施所提供主題的不同特徵的許多不同的實施例或實例。以下闡述元件及排列的具體實例以簡化本公開。當然，這些僅為實例而不旨在進行限制。例如，以下說明中將第一特徵形成在第二特徵“之上”或第二特徵“上”可包括其中第一特徵及第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且也可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵、以使得所述第一特徵與所述第二特徵可能不直接接觸的實施例。另外，本公開可在各種實例中重複使用參考標號及/或字母。這種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。

此外，為易於說明，本文中可能使用例如“在...之下(beneath)”、“在...下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空間相對性用語來闡述圖中所示的一個元件或特徵與另一(其他)元件或特徵的關係。所述空間相對性用語旨在除圖中所繪示的取向外還囊括裝置在使用或操作中的不同取向。裝置可具有其他取向(旋轉90度或其他取向)，且本文中所用的空間相對性用語可同樣相應地進行解釋。

本公開也可包括其他特徵及製程。舉例來說，可包括測試結構，以說明對三維(three-dimensional；3D)封裝或三維積體電路(three-dimensional integrated circuit；3DIC)裝置進行驗證測試。所述測試結構可例如包括在重佈線層中或在基板上形成的測試墊(test pad)，以便能夠對三維封裝或三維積體電路進行測試、對探針及/或探針卡(probe card)進行使用等。可對中間結構以及最終結構執行驗證測試。另外，可將本文中所公開的結構及方法與包括對已知良好晶粒(known good die)進行中間驗證的測試方法結合使用，以提高良率並降低成本。

圖1是根據本公開的一些實施例的封裝體10的示意性俯視圖。參照圖1，封裝體10包括第一晶粒300、第二晶粒300’、第三晶粒300”、擋牆結構100及包封體400a。包封體400a包封第一晶粒300、第二晶粒300’、第三晶粒300”及擋牆結構100。為簡單起見，圖1僅示出了第一晶粒300、第二晶粒300’、第三晶粒300”、擋牆結構100及包封體400a以呈現這些構件的相對位置，且圖中省略繪示了封裝體10中的某些構件。關於封裝體10中其他構件的描述將在後面詳細討論。在一些實施例中，封裝體10可以被稱為積體扇出型(integrated fan-out package；InFO)封裝體。然而，本公開不限於此。在一些替代實施例中，封裝體10可以是其他類型的封裝體。

在一些實施例中，第一晶粒300、第二晶粒300’及第三晶粒300”可以是執行相同功能的相同類型晶粒。在一些替代實施例中，第一晶粒300、第二晶粒300’及第三晶粒300”可以是執行不同功能的不同類型晶粒。第一晶粒300、第二晶粒300”及第三晶粒300”可以是記憶體晶粒(例如動態隨機存取記憶體(DRAM)、靜態隨機存取記憶體(SRAM)、非揮發性記憶體(NVRAM)及/或類似記憶體晶粒)、邏輯晶粒，或射頻(radio frequency；RF)晶粒。應該注意的是，儘管在圖1中繪示了三個晶粒，但此晶粒的數量僅僅是用作示例性表示。在一些替代實施例中，封裝體10中可以找到更多數量的晶粒或更少數量的晶粒。

擋牆結構100具有內表面100a及與內表面100a相對的外表面100b。如圖1所示，擋牆結構100的內表面100a面對第一晶粒300。換句話說，擋牆結構100環繞第一晶粒300。在一些實施例中，第一晶粒300可以是射頻晶粒，且環繞第一晶粒300的擋牆結構100可以提供電磁干擾(electromagnetic interference；EMI)遮蔽功能。在一些實施例中，由於擋牆結構100僅環繞三個晶粒中的一個，擋牆結構100可被稱為隔室遮蔽(compartment shielding)結構。然而，本公開不限於此。在一些替代實施例中，擋牆結構100可以環繞全部三個晶粒以形成共形遮蔽(conformal shielding)結構。下面將討論擋牆結構100的配置及形成方法。

圖2A至圖2M是圖1中的封裝體10的一個區域R的製造流程的示意性剖面圖。以下描述將聚焦於封裝體10的區域R中的製造流程。參照圖2A，提供了載板C。載板C可以是玻璃基板。然而，本公開不限於此。其他合適的材料可以做為載板C，只要該材料能夠在支撐形成於其上的構件的同時經受以下製造流程。在載板C上依次形成剝離層DB及晶種材料層110。在一些實施例中，剝離層DB形成在載板C的上表面，且位於載板C及晶種材料層110之間。在一些實施例中，剝離層DB可以是光熱轉換(light-to-heat conversion；LTHC)釋放層。晶種材料層110可以包括鈦層、銅層、鈦/銅複合物層或任何其他合適的導電材料。晶種材料層110可以通過例如濺射(sputtering)製程、物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)製程或其他類似製程所形成。在一些實施例中，晶種材料層110有助於增強剝離層DB與隨後形成於其上的構件之間的黏著性。

參照圖2B，在晶種材料層110上形成前驅物粉層(precursor powder layer)120。在一些實施例中，前驅物粉層120可以以液體形式或漿液(slurry)形式存在。舉例來說，前驅物粉層120可以包括黏合劑(binder)以及隨機分散在黏合劑內的導電粉末。在一些實施例中，黏合劑可以包括水、異丙醇、樹脂或其組合。在一些實施例中，導電粉末是一種熱熔(heat-fusible)粉末。舉例來說，導電粉可以包括銅粉、不銹鋼粉，焊料粉，金粉，鎳鐵(NiFe)粉、鎳鐵鉻(NiFeCr)粉、其合金形成的粉末或其組合。在一些實施例中，前驅物粉層120還可以包括分散劑(dispersing agent)以增強導電粉末在黏合劑內的分散。然而，本公開不限於此。在一些替代性實施例中，前驅物粉層120可以不含黏合劑而僅由導電粉末構成。

參照圖2C，提供發射裝置EM以選擇性地燒結熱熔導電粉末。在一些實施例中，可以在前驅物粉層120的某些區域提供外部能量以形成所需的圖案。舉例來說，發射裝置EM可以提供雷射光束L來燒結部分的前驅物粉層120。暴露於雷射能量的前驅物粉層120被燒結成固體塊(solid mass)，從而形成燒結部分120b。也就是說，在用雷射光束L照射時，前驅物粉層120被分成未燒結部分120a及燒結部分120b。燒結部分120b對應於期望的圖案。在形成燒結部分120b之後，圖2B及圖2C所示的步驟可被多次重複，以組成所需的圖案。舉例來說，在發射裝置EM完成掃描圖2C所示的前驅物粉層120之後，沉積另一層前驅物粉層(未繪示)到前驅物粉層120上。接著，發射裝置EM掃描新形成的前驅物粉層，以選擇性地燒結部分新形成的前驅物粉層。經過幾次重覆步驟後，燒結部分120b可以建構到如圖2D所示的高度。

參照圖2C及圖2D，在將前驅物粉層120的燒結部分120b構建到期望的形狀/高度之後，移除前驅物粉層120的未燒結部分120a。在一些實施例中，前驅物粉層120的未燒結部分120a可以通過將未燒結部分120a的導電粉末吹走而移除。然而，本公開不限於此。其他合適的剝除方法可以用來移除未燒結部分120a。

參照圖2D及圖2E，移除部分晶種材料層110以形成晶種層110a。在一些實施例中，移除未燒結部分120a下方的晶種材料層110(如圖2C所示)以形成晶種層110a。也就是說，移除未被燒結部分120b覆蓋的晶種材料層110。在一些實施例中，燒結部分120b及晶種層110a可被統稱為擋牆結構100。然而，由於晶種層110a及燒結部分120b是通過不同製程在不同階段所形成的，因此在晶種層110a及燒結部分120b之間可看到界面(如圖2E所示)。為簡單起見，後面的圖中將省略繪示界面。在一些實施例中，圖2B至圖2D所示的製程可以稱為三維印刷製程(three-dimensional printing process)。舉例來說，圖2B到圖2D所示的步驟可對應於選擇性雷射燒結(selective laser sintering；SLS)製程。也就是說，擋牆結構100通過三維印刷製程形成在載板C上。在一些實施例中，擋牆結構100的材料包括銅、不銹鋼、焊料、金、鎳鐵(NiFe)、鎳鐵鉻(NiFeCr)、其合金或其組合。由於擋牆結構100是通過三維印刷製程所形成，擋牆結構100可具有平滑的側壁輪廓。在一些實施例中，由於三維印刷製程提供的靈活性，擋牆結構100可製造成任何所需的高度。下面將結合圖3A至圖3B以及圖4A至圖4C來討論擋牆結構100的構造。

圖3A是根據本公開的一些實施例的擋牆結構100的示意性透視圖。參照圖3A，擋牆結構100可被分為框架部(framed portion)102及交錯部(staggered portion)104。交錯部104與框架部102連接以形成迴圈結構(loops structure)。在一些實施例中，擋牆結構100沿著z軸方向具有50μm至1000μm的高度H₁₀₀。另一方面，擋牆結構100沿著x軸方向具有50μm至500μm的厚度T₁₀₀。在一些實施例中，擋牆結構100的厚度T₁₀₀可以表示內表面100a及外表面100b之間的距離。如圖3A所示，框架部102具有均勻的高度及均勻的厚度。換句話說，框架部102的高度及厚度分別對應於擋牆結構100的高度H₁₀₀及厚度T₁₀₀。反之，交錯部104沒有統一的高度。下面將結合圖3B描述交錯部104的形狀及尺寸。

圖3B是圖3A中的擋牆結構10的交錯部104的示意性放大圖。參照圖3B，交錯部104包括多個主體部104a及多個橋部104b。主體部104a彼此分隔開來且由相應的橋部104b連接。在一些實施例中，主體部104a沿著x軸方向排列。換言之，主體部104a彼此相互平行。另一方面，橋部104b沿著y軸方向平行排列，以連接主體部104a。在一些實施例中，橋部104b及主體部104a可以形成夾角。夾角可以大於0°且小於180°。舉例來說，如圖3B所示，橋部104b可以垂直於主體部104a。

在一些實施例中，兩相鄰的主體部104a之間的間距介於30μm至1000μm的範圍內。舉例來說，兩相鄰的主體部104之間沿著x軸方向的間距d1可以介於30μm至1000μm的範圍內。類似地，兩相鄰的主體部104之間沿著y軸方向的間距d2也可以介於30μm至1000μm的範圍內。在一些實施例中，間距d2相當於橋部104b在y軸方向上的長度。也就是說，橋部104b的長度可以介於30μm至1000μm的範圍內。間距d1及間距d2之間的關係不特別受到限制。在一些實施例中，間距d1可大於間距d2。然而，其在本公開中不構成限制。在一些替代性實施例中，間距 d1可等於或小於間距d2。

在一些實施例中，主體部104a在z軸方向上的高度H_104a可與框架部102的高度(擋牆結構100的高度H₁₀₀)相同。也就是說，主體部104a的高度H_104a可以介於50μm至1000μm的範圍內。另一方面，橋部104b在z軸方向上的高度H_104b小於主體部104a的高度H_104a。舉例來說，橋部104b的高度H_104b可以介於30μm至970μm的範圍內。在一些實施例中，主體部104a的高度H_104a與橋部104b的高度H_104b之間的比介於1：19至33：1的範圍內。

在一些實施例中，主體部104a的頂表面T_104a與橋部104b的頂表面T_104b共面。由於主體部104a的高度H_104a大於橋部104b的高度H_104b，且主體部104a的頂表面T_104a與橋部104b的頂表面T_104b共面，故在每一橋部104b的下方會形成有空心部。每一橋部104b下方的空心部及兩相鄰橋部104b之間的空間可統稱為貫穿通道CH。在一些實施例中，貫穿通道CH穿透擋牆結構100以連通(communicate)擋牆結構100的內表面100a及外表面100b。

再次參考圖3A，雖然交錯部104被繪示為位於擋牆結構100的一側上，但本公開不限於此。在一些替代實施例中，交錯部104可以位於擋牆結構100的兩側上、三側上或所有四側上。當交錯部104位於擋牆結構100的所有四側上時，擋牆結構100由四個交錯部104構成而不具有框架部102。應該注意的是，圖3A及圖3B中所示的架構僅僅是擋牆結構100的示例性圖示，並且本公開不限於此。在一些替代實施例中，擋牆結構100可以採取其他形式來構成。下面將結合圖4A至圖4C來介紹擋牆結構100的替代性構造。

圖4A是根據本公開的一些替代實施例的擋牆結構100的示意性透視圖。圖4B是圖4A中的擋牆結構100的一個區域R’的示意性放大圖。參照圖4A和圖4B，擋牆結構100可以是具有多個貫穿通道CH的封閉式迴圈結構。在一些實施例中，每一貫穿通道CH貫穿擋牆結構100以連通擋牆結構100的內表面100a及外表面100b。在圖4A中將擋牆結構100繪示為方形迴圈，但是本公開不限於此。擋牆結構100可以是其他幾何形狀的迴圈結構，例如多邊形迴圈或圓形迴圈。在一些實施例中，擋牆結構100具有50μm至500μm的均勻厚度T₁₀₀。舉例來說，擋牆結構100在內表面100a及外表面100b之間的厚度T₁₀₀在y軸方向及x軸方向上可以是相同的。在一些實施例中，擋牆結構100在z軸方向上具有50μm至1000μm的高度H₁₀₀(最大高度)。

在一些實施例中，貫穿通道CH可以是半圓柱體形貫穿通道，如圖4A及圖4B所示。然而，本公開不限於此。在一些替代實施例中，貫穿通道CH可以是多邊柱體形貫穿通道或圓柱體形貫穿通道。在一些實施例中，每一貫穿通道CH可以在x軸方向上具有介於30μm到1000μm的寬度d3(在多邊柱體形貫穿通道的情況下)或直徑(在半圓柱體形貫穿通道或圓柱體形貫穿通道的情況下)。另一方面，每一貫穿通道CH在z軸方向上具有15μm至500μm的高度H_CH。換句話說，貫穿通道CH的高度H_CH與擋牆結構100的高度H₁₀₀之間的比介於1：67到10：1的範圍內。在一些實施例中，兩相鄰的貫穿通道CH之間的間距d4可以介於30μm至940μm的範圍內。在一些實施例中，貫穿通道CH的寬度(或直徑)d3與兩相鄰的貫穿通道CH之間的間距d4之間的關係沒有特別的限制。在一些實施例中，寬度(或直徑)d3可大於間距d4。然而，其在本公開中不構成限制。在一些替代性實施例中，寬度(或直徑)d3可等於或小於間距d4。

應該注意的是，在圖4B中，貫穿通道CH被繪示為位於擋牆結構100的底部處，使得擋牆結構100的底表面被貫穿通道CH中斷(disrupt)。然而，本公開不限於此。貫穿通道CH可以位於擋牆結構100的其他位置上。圖4C是根據本公開的一些替代實施例的擋牆結構100的區域R’的示意性放大圖。參照圖4C，圓柱體形貫穿通道CH位於擋牆結構100的中間。換句話說，貫穿通道CH與擋牆結構100的頂表面100c及底表面100d均分隔開來。圖4C中的貫穿通道CH及擋牆結構100可具有與圖4B中所示的貫穿通道CH及擋牆結構100相同的尺寸，因此在此省略其詳細描述。

再次參考圖4A，雖然貫穿通道CH被繪示為位於擋牆結構100的兩個相對的側壁上，但本公開不限於此。在一些替代實施例中，貫穿通道CH可以位於擋牆結構100的兩個相鄰的側壁上。在一些替代實施例中，貫穿通道CH可以位於擋牆結構100的一個側壁上、三個側壁上或四個側壁上。

參考圖2F，在剝離層DB上形成相鄰擋牆結構100的多個導電結構200。在一些實施例中，形成導電結構200的方法包括以下步驟。首先，在擋牆結構100上設置第一光阻層(未示出)以保護擋牆結構100。之後，在剝離層DB及第一光阻層上形成晶種材料層(未示出)。在一些實施例中，晶種材料層包括通過濺射製程形成的鈦/銅複合物層。隨後，在晶種材料層上形成具有開口的第二光阻層(未示出)。第二光阻層的開口暴露出隨後形成的導電結構200的預期位置。之後，進行電鍍製程以在被第二光阻層的開口暴露出的晶種材料層上形成金屬材料層(例如，銅層)。然後，移除第二光阻層及其下面的晶種材料層以形成導電結構200。之後，也將第一光阻層移除。前述方法僅僅是導電結構200的製造方法的示例性說明，並且本公開不限於此。在一些替代實施例中，導電結構200及擋牆結構100可以共享如圖2A所示的相同晶種材料層110。舉例來說，在形成燒結部分120b並移除未燒結部分120a之後(如圖2D所示)，導電結構200可以通過類似於上述製程的方法在去除晶種材料層110之前形成。在一些替代實施例中，導電結構200可以通過將預製的(pre-fabricated)導電結構拾取並放置在剝離層DB上而形成。在一些替代性實施例中，導電結構200可以通過相同的三維印刷製程與擋牆結構100同時形成。

如圖2D至圖2F所示，擋牆結構100在形成導電結構200之前形成。然而，本公開不限於此。在一些替代實施例中，形成導電結構200的步驟可以在形成擋牆結構100的步驟之前。在這種情況下，導電結構200及擋牆結構100可以共享圖2A所示的相同晶種材料層110。舉例來說，在形成晶種材料層110之後(如圖2A所示)，在晶種材料層110上形成具有開口的光阻層(未示出)。光阻層的開口暴露出隨後形成的導電結構200的預期位置。之後，執行電鍍製程以在被光阻層的開口暴露出的晶種材料層110上形成金屬材料層(例如，銅層)。然後，移除光阻層以獲得站立在晶種材料層110上的多個金屬圖案(未示出)。金屬圖案及位於金屬圖案下方的部分晶種材料層110可隨後構成導電結構200。隨後，在剝離層DB上方仍全面性地(blanketly)覆蓋有晶種材料層110的情況下，執行圖2B至圖2D所示的三維印刷製程。之後，移除未被燒結部分120b及金屬圖案覆蓋的晶種材料層110以形成導電結構200及擋牆結構100。

在一些實施例中，導電結構200形成為與擋牆結構100實質上具有相同的高度。然而，本公開不限於此。在一些替代實施例中，導電結構200可以比擋牆結構100更矮或更高。

參照圖2G，在剝離層DB上形成第一晶粒300。第一晶粒300被擋牆結構100及導電結構200兩者包圍。在一些實施例中，導電結構200設置在擋牆結構100的內側，使得導電結構200位於擋牆結構100及第一晶粒300之間(如圖2G所示)。然而，本公開不限於此。在一些替代性實施例中，導電結構200位於擋牆結構100的外側，使得擋牆結構100位於第一晶粒300與導電結構200之間。

在一些實施例中，第一晶粒300被拾取及放置在剝離層 DB上。第一晶粒300例如包括半導體基板310、多個導電接墊320、鈍化層330、後鈍化層340、多個導電通孔350及保護層360。在一些實施例中，導電接墊320設置在半導體基板310上。鈍化層330形成在半導體基板310上且具有局部地暴露出導電接墊320的接觸開口。半導體基板310可為矽基板，所述矽基板包括形成在所述矽基板中的主動元件(例如，電晶體等)及被動元件(例如，電阻器、電容器、電感器等)。導電接墊320可為鋁接墊、銅接墊或其他合適的金屬接墊。鈍化層330可為氧化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層、或由其他合適的介電材料所形成的介電層。此外，後鈍化層340形成在鈍化層330上。後鈍化層340覆蓋鈍化層330且具有多個接觸開口。導電接墊320被後鈍化層340的接觸開口局部地暴露出。後鈍化層340可為聚醯亞胺(polyimide；PI)層、聚苯並噁唑(polybenzooxazole；PBO)層或由其他合適的聚合物所形成的介電層。另外，導電通孔350形成在導電接墊320上。在一些實施例中，導電通孔350鍍覆在導電接墊320上。保護層360形成在後鈍化層340上以覆蓋導電通孔350。

如圖2G所示，第一晶粒300具有後表面300a以及與後表面300a相對的前表面300b。在一些實施例中，第一晶粒300的後表面300a通過黏合層AD附著(或黏附)在剝離層DB上。在一些實施例中，黏合層AD可以包括晶粒貼合膜(die attach film；DAF)。另一方面，第一晶粒300的前表面300b面朝上。如圖2G所示，第一晶粒300的頂表面(前表面300b)低於導電結構200 的頂表面及擋牆結構100的頂表面。然而，本公開不限於此。在一些替代性實施例中，第一晶粒300的頂表面可以與導電結構200的頂表面及/或擋牆結構100的頂表面實質共面。

參照圖2H，在剝離層DB上形成包封材料400以包封擋牆結構100、導電結構200及第一晶粒300。在一些實施例中，包封材料400是模製化合物、模製底部填充劑(molding underfill)、樹脂(如環氧樹脂)等。包封材料400可以通過模製製程(例如壓縮模製製程(compression molding process))形成。在一些實施例中，在載板C及剝離層DB上施用(apply)包封材料400。如上所述，由於擋牆結構100具有連通擋牆結構100的內表面100a及外表面100b的至少一個貫穿通道CH，因此包封材料400能夠通過貫穿通道CH流入擋牆結構100的內部，從而包封第一晶粒300及導電結構200。

參照圖2H及圖2I，研磨包封材料400及第一晶粒300的保護層360直到暴露出導電通孔350的頂表面為止。在對包封材料400進行研磨之後，在剝離層DB上形成包封體400a以包封第一晶粒300、擋牆結構100及導電結構200。在一些實施例中，包封體400a填滿擋牆結構100的貫穿通道CH。也就是說，包封體400a的至少一部分位於擋牆結構100的內表面100a及外表面100b之間並貫穿擋牆結構100。在一些實施例中，貫穿擋牆結構100的包封體400a的部分可以具有與擋牆結構100的貫穿通道CH相同的幾何形狀。舉例來說，如上所述，在一些實施例中，貫穿通道CH可以是半圓柱體形貫穿通道、圓柱體形貫穿通道或是多邊柱體形貫穿通道。因此，在一些實施例中，穿透擋牆結構100的包封體400a的部分可以是半圓柱體、圓柱體或多邊形柱體。在一些實施例中，穿透擋牆結構100的包封體400a的部分可以具有與貫穿通道CH相同的寬度(在多邊形柱體的情況下)、直徑(在半圓柱體或圓柱體的情況下)及/或高度。舉例來說，貫穿擋牆結構100的包封體400a的部分可在x軸方向上具有30μm至1000μm的寬度(可對應於圖4B中所示的寬度d3)或直徑且在z軸方向上具有15μm至500μm的高度(可對應於圖4B中所示的高度H_CH)。在一些實施例中，貫穿擋牆結構100的包封體400a的部分的高度(可對應於圖4B所示的高度H_CH)與擋牆結構100的高度H₁₀₀(如圖4B所示)之間的比介於1：67到10：1的範圍內。在一些實施例中，當貫穿通道CH與擋牆結構100的頂表面100c及底表面100d都分隔開時(如圖4C所示)，貫穿擋牆結構100的包封體400a的部分也與擋牆結構100的頂表面100c及底表面100d分隔開來。

擋牆結構100的貫穿通道CH為包封材料400提供通道，使得包封材料400可均勻地填充到擋牆結構100的內部，從而確保包封體400a的包封可靠度。在一些實施例中，通過機械研磨製程及/或化學機械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)製程來研磨包封材料400。在一些實施例中，在包封材料400的研磨製程期間，對保護層360進行研磨以顯露出導電通孔350。在一些實施例中，導電通孔350的一些部分、導電結構200的一些部分以及擋牆結構100的一些部分也會受到輕微的研磨。在研磨之後，第一晶粒300具有主動表面300c及與主動表面300c相對的後表面300a。導電通孔350被暴露的部分位於第一晶粒300的主動表面300c上。值得注意的是，導電結構200的頂表面、擋牆結構100的頂表面、保護層360的頂表面以及導電通孔350的頂表面與包封體400a的頂表面實質上共平面。

參照圖2J，在導電結構200的頂表面、包封體400a的頂表面、擋牆結構100的頂表面、導電通孔350的頂表面以及保護層360的頂表面上形成與第一晶粒300的導電通孔350、導電結構200及擋牆結構100電性連接的重佈線結構500。換句話說，重佈線結構500形成在第一晶粒300的主動表面300c上。在一些實施例中，重佈線結構500包括交替堆疊的多個層間介電層500a與多個重佈線導電層500b。重佈線導電層500b與晶粒300的導電通孔350電性連接。同時，重佈線導電層500b也與嵌置在包封體400a中的導電結構200以及擋牆結構100電性連接。在一些實施例中，導電通孔350的頂表面、導電結構200的頂表面以及擋牆結構100的頂表面接觸重佈線結構500的最底部的重佈線導電層500b。在一些實施例中，導電通孔350的頂表面、導電結構200的頂表面及擋牆結構100的頂表面被最底部層間介電層500a局部地覆蓋。如圖2J所示，最頂部的重佈線導電層500b包括多個接墊。在一些實施例中，上述接墊包括用於球安裝(ball mount)的多個球下金屬(under-ball metallurgy；UBM)圖案。值得注意的是，層間介電層500a及重佈線導電層500b的數目在本公開中不受限制。儘管未示出，但應該理解的是，重佈線結構500也與圖1所示的第二晶粒300’及第三晶粒300”電性連接。

參考圖2K，在形成重佈線結構500之後，在最頂部的重佈線導電層500b(UBM圖案)上放置多個導電端子600。在一些實施例中，導電端子600包括焊球。在一些實施例中，可以通過植球(ball placement)製程將導電端子600放置在UBM圖案上。

參照圖2K及圖2L，在重佈線結構500上形成導電端子600後，將包封體400a、擋牆結構100、導電結構200及黏合層AD從剝離層DB剝離，以移除載板C及剝離層DB。在一些實施例中，可通過紫外(ultraviolet；UV)雷射照射剝離層DB(例如光熱轉換釋放層)，以使載板C及剝離層DB可被剝離。此後，將此結構翻轉。

參照圖2M，在導電結構200上相對重佈線結構500處設置晶片700。在一些實施例中，晶片700通過導電接部702設置在導電結構200上。在一些實施例中，導電接部702可以包括焊球。晶片700可以包括記憶體晶片(例如DRAM、SRAM、NVRAM及/或類似記憶體晶片)或邏輯晶片。晶片700可以依次通過導電接部702、導電結構200及重佈線結構500的重佈線導電層500b電性連接到第一晶粒300。

在將晶片700設置在導電結構200上之後，形成蓋體800 以覆蓋晶片700。舉例來說，蓋體800可以設置在包封體400a上與重佈線結構500相對處。在一些實施例中，蓋體800是由導電材料製成。蓋體800可以包括與擋牆結構100相同的材料或蓋體800可以包括與擋牆結構100不同的材料。舉例來說，蓋體800的材料可以包括銅、不銹鋼、焊料、金、鎳鐵(NiFe)、鎳鐵鉻(NiFeCr)、其合金、其組合或任何其他合適的導電材料。在一些實施例中，蓋體800形成為容納晶片700。舉例來說，如圖2M所示，蓋體800可在剖面圖中呈現上下翻轉的U形。在一些實施例中，蓋體800與擋牆結構100電性連接及物理連接(physically connect)。舉例來說，擋牆結構100及蓋體800可以電性接地(electrically grounded)。由於擋牆結構100及蓋體800一起形成包圍第一晶粒300及晶片700的圍牆，因此擋牆結構100及蓋體800可共同用作第一晶粒300及晶片700的EMI遮蔽結構。同時，由於擋牆結構100及蓋體800由導電材料製成，因此擋牆結構100及蓋體800也可以適於作為散熱結構。換句話說，第一晶粒300及晶片700在操作期間產生的熱量可以通過由擋牆結構100及蓋體800所產生的路徑消散到大氣中。借助於擋牆結構100及蓋體800，封裝體10的可靠度可以被充分提高。

圖5是根據本公開的一些替代實施例的封裝體10的一個區域R的示意性剖面圖。圖5所示的結構與圖2M所示的結構相似，因此類似的元件由相同的標號表示，並且在此省略其詳細描述。參照圖5，在一些實施例中，導電結構200設置在擋牆結構 100的外側，使得擋牆結構100位於第一晶粒300及導電結構200之間。如圖5所示，蓋體800貼附到擋牆結構100、包封體400a及黏合層AD。在一些實施例中，蓋體800與擋牆結構100電性連接及物理連接。舉例來說，擋牆結構100及蓋體800可以電性接地。由於擋牆結構100及蓋體800一起形成包圍第一晶粒300的圍牆，因此擋牆結構100及蓋體800可共同用作第一晶粒300的EMI遮蔽結構。據此，封裝體10的可靠度可以充分增強。

在一些實施例中，在導電結構200上形成多個導電片(conductive patch)900。舉例來說，導電片900可以由微影及蝕刻製程形成。在一些實施例中，導電片900的材料包括鋁、鈦、銅、鎳、鎢及/或其合金。在一些實施例中，源自第一晶粒300的射頻(radio frequency；RF)訊號可以依次通過重佈線導電層500b及導電結構200傳輸至導電片900。據此，導電片900可以用作貼片天線(patch antenna)。

圖6是根據本公開的一些替代實施例的封裝體10的的一區域R的示意性剖面圖。圖6所示的結構與圖2M所示的結構相似，所以類似的元件由相同的標號表示，並且在此省略其詳細描述。參照圖6，在某一實施例中，在導電結構200、包封體400a及黏合層AD上形成多個導電片900。導電片900可以由多個第一導電片900a及多個第二導電片900b構成。第一導電片900a與導電結構200物理連接及電性連接，而第二導電片900b與導電結構200物理隔離。舉例來說，導電片900可以由微影及蝕刻製程形成。在一些實施例中，導電片900的材料包括鋁、鈦、銅、鎳、鎢及/或其合金。在一些實施例中，源自第一晶粒300的射頻(radio frequency；RF)訊號可以依次通過重佈線導電層500b及導電結構200傳輸至第一導電片900a。之後，訊號可以從第一導電片900a水平地電耦合到第二導電片900b。據此，導電片900可以用作貼片天線(patch antenna)。

在一些實施例中，擋牆結構100能夠通過重佈線導電層500b接收源自第一晶粒300的射頻訊號。據此，擋牆結構100可以充當偶極天線(dipole antenna)的電極之一。也就是說，擋牆結構100能夠與嵌入在包封體400a中的其他導電元件耦合以發射射頻訊號。

根據本發明的一些實施例，封裝體包括多個晶粒、擋牆結構、多個導電結構、包封體及重佈線結構。所述擋牆結構環繞至少一個所述晶粒。所述擋牆結構具有面向所述至少一個晶粒的內表面以及與所述內表面相對的外表面。所述導電結構環繞所述至少一個晶粒。所述包封體包封所述晶粒、所述擋牆結構及所述導電結構。所述包封體的至少一部分位於所述擋牆結構的所述內表面及所述外表面之間並貫穿所述擋牆結構。所述重佈線結構設置在所述包封體上。所述重佈線結構與所述晶粒及所述導電結構電性連接。

根據本發明的一些實施例，所述擋牆結構的材料包括銅、不銹鋼、焊料、金、鎳鐵(NiFe)、鎳鐵鉻(NiFeCr)、其合金或其組合。

根據本發明的一些實施例，所述擋牆結構具有介於50μm至1000μm的高度以及介於50μm至500μm之間的厚度。

根據本發明的一些實施例，所述至少一部分的所述包封體包括半圓柱體、圓柱體或多邊形柱體，且所述至少一部分的所述包封體的寬度或直徑介於30μm到1000μm的範圍內。

根據本發明的一些實施例，所述至少一部分的所述包封體與所述擋牆結構的頂表面及底表面間隔開來。

根據本發明的一些實施例，所述至少一部分的所述包封體與所述擋牆結構的高度之間的比介於1：67到10：1的範圍內。

根據本發明的一些實施例，所述封裝體更包括蓋體，所述蓋體在所述包封體上相對所述重佈線結構設置，且所述蓋體與所述擋牆結構連接。

根據本發明的一些實施例，所述封裝體更包括設置在所述包封體及所述導電結構上的多個導電片(conductive patch)，且所述導電片的至少一部分與所述導電結構電性連接。

根據本發明的一些實施例，封裝體包括多個晶粒、擋牆結構、多個導電結構，包封體以及重佈線結構。所述擋牆結構環繞至少一個所述晶粒。所述擋牆結構包括框架部(framed portion)及連接到所述框架部的交錯部(staggered portion)。所述交錯部包括多個主體部及多個橋部。所述主體部彼此分隔開來且由相應的橋部連接。所述橋部的高度小於所述主體部的高度。所述主體部的頂表面與所述橋部的頂表面共面。所述導電結構環繞所述至少一個晶粒。所述包封體包封所述晶粒、所述擋牆結構及所述導電結構。所述重佈線結構設置在所述包封體上。所述重佈線結構與所述晶粒及所述導電結構電性連接。

根據本發明的一些實施例，所述主體部彼此相互平行，且所述橋部垂直於所述主體部。

根據本發明的一些實施例，兩相鄰的所述主體部之間的間距介於30μm至1000μm的範圍內，且所述主體部的所述高度與所述橋部的所述高度之間的比介於1：19至33：1的範圍內。

根據本發明的一些實施例，所述封裝體更包括設置在所述包封體及所述導電結構上的多個導電片，且所述導電片的至少一部分與所述導電結構電性連接。

根據本發明的一些實施例，封裝體的製造方法至少包括以下步驟。提供載板。在所述載板上形成擋牆結構及多個導電結構。所述導電結構與所述擋牆結構相鄰。所述擋牆結構是通過三維印刷製程(three-dimensional printing process)所形成。所述擋牆結構包括穿過所述擋牆結構的至少一個貫穿通道(through channel)。在所述載板上放置晶粒。所述擋牆結構及所述導電結構環繞所述晶粒。在所述載板上施用(apply)包封材料，以使得所述包封材料流過所述貫穿通道而形成包封體。所述包封體填滿所述貫穿通道且包封所述擋牆結構、所述晶粒及所述導電結構。在所述包裝體上形成重佈線結構。所述重佈線結構與所述晶粒電性連接。

根據本發明的一些實施例，在所述載板上形成所述擋牆結構的所述步驟至少包括以下步驟。在所述載板上形成晶種材料層。在所述晶種材料層上沉積前驅物粉層(precursor powder layer)。用雷射光束燒結部分所述前驅物粉層。移除所述前驅物粉層的未燒結部分及位於所述前驅物粉層的所述未燒結部分下面的所述晶種材料層，以形成所述擋牆結構。

根據本發明的一些實施例，所述方法更包括在所述重佈線結構上形成多個導電端子。

根據本發明的一些實施例，所述方法更包括在所述包封體上相對所述重佈線結構處形成蓋體，且所述蓋體與所述擋牆結構連接。

根據本發明的一些實施例，所述方法更包括在所述包封體及所述導電結構上形成多個導電片，且所述導電片的至少一部分與所述導電結構電性連接。

以上概述了若干實施例的特徵，以使所屬領域中的技術人員可更好地理解本公開的各個方面。所屬領域中的技術人員應知，他們可容易地使用本公開作為設計或修改其他製程及結構的基礎來施行與本文中所介紹的實施例相同的目的及/或實現與本文中所介紹的實施例相同的優點。所屬領域中的技術人員還應認識到，這些等效構造並不背離本公開的精神及範圍，而且他們可在不背離本公開的精神及範圍的條件下對其作出各種改變、代替及變更。