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TWI753796B - 按鍵模組 - Google Patents

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TWI753796B
TWI753796B TW110109105A TW110109105A TWI753796B TW I753796 B TWI753796 B TW I753796B TW 110109105 A TW110109105 A TW 110109105A TW 110109105 A TW110109105 A TW 110109105A TW I753796 B TWI753796 B TW I753796B
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TW
Taiwan
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pivot
bottom plate
base plate
hole
plate body
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TW110109105A
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TW202238642A (zh
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翁欣進
林志坪
徐仕祐
陳志豐
Original Assignee
群光電子股份有限公司
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Publication date
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Priority to US17/668,385 priority patent/US11640883B2/en
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Abstract

一種按鍵模組,包括一底板、一電路薄膜組件、一鍵帽及一連接結構。底板包括一底板本體及凸出於底板本體的一底板樞接部。電路薄膜組件設置於底板上,且包括多個膜層及由這些膜層的至少一者所形成的一承托部,其中承托部位於底板樞接部旁。鍵帽設置於底板及電路薄膜組件上方且包括一鍵帽樞接部。連接結構設置於底板與鍵帽之間,且包括一第一樞軸及一第二樞軸。第一樞軸樞設於底板樞接部,第二樞軸樞設於鍵帽樞接部,且位於底板樞接部旁的承托部承托第一樞軸,而使第一樞軸持續接觸底板樞接部。

Description

按鍵模組
本發明是有關於一種按鍵模組,且特別是有關於一種具有較低發生噪音的機率且較不易搖晃的按鍵模組。
目前,按鍵模組的剪刀腳結構的樞軸與底板的樞接部之間可能因為公差而存在間隙,而較易搖晃。此外,當按壓鍵帽時,剪刀腳結構的樞軸可能會撞擊到底板的樞接部而發出噪音。
本發明提供一種按鍵模組,其具有較低發生噪音的機率且較不易搖晃。
本發明的一種按鍵模組,包括一底板、一電路薄膜組件、一鍵帽及一連接結構。底板包括一底板本體及凸出於底板本體的一底板樞接部。電路薄膜組件設置於底板上,且包括多個膜層及由這些膜層的至少一者所形成的一承托部,其中承托部位於底板樞接部旁。鍵帽設置於底板及電路薄膜組件上方且包括一鍵帽樞接部。連接結構設置於底板與鍵帽之間,且包括一第一樞軸及一第二樞軸。第一樞軸樞設於底板樞接部,第二樞軸樞設於鍵帽樞接部,且位於底板樞接部旁的承托部承托第一樞軸,而使第一樞軸持續接觸底板樞接部。
在本發明的一實施例中,一空間形成於承托部在遠離鍵帽的一側,承托第一樞軸的承托部適於朝向空間變形。
在本發明的一實施例中,上述的這些膜層包括依序堆疊的三個膜層,三膜層中位於中間的一者具有位在底板樞接部旁的一孔洞,空間由孔洞所形成,承托部形成於這些膜層在最遠離底板本體的一者。
在本發明的一實施例中,上述的這些膜層中較靠近底板本體的至少一者具有位在底板樞接部旁的至少一孔洞,空間由位於承托部與底板本體之間的至少一孔洞所形成。
在本發明的一實施例中,上述的這些膜層中較靠近底板本體的至少一者的數量為多個,至少一孔洞為上下連通的多個孔洞,空間由位於承托部與底板本體之間的這些孔洞所形成,承托部形成於這些膜層在最遠離底板本體的一者。
在本發明的一實施例中,上述的這些膜層中較靠近底板本體的至少一者的數量為一個,至少一孔洞為一孔洞,空間由位於承托部與底板本體之間的孔洞所形成,承托部形成於這些膜層在遠離底板本體的多者。
在本發明的一實施例中,上述的這些膜層包括依序堆疊的三個膜層,三膜層在最靠近底板本體的一者具有位在底板樞接部旁的一下孔洞,三膜層在最遠離底板本體的一者具有位在底板樞接部旁的一上孔洞,空間由位於承托部與底板本體之間的下孔洞所形成,承托部形成於三膜層中位於中間的一者。
在本發明的一實施例中,上述的底板本體包括位於底板樞接部旁的一底板孔洞,空間由底板孔洞所形成,承托部覆蓋底板孔洞。
在本發明的一實施例中,上述的這些膜層在位於底板樞接部旁的部位共同形成承托部。
在本發明的一實施例中,上述的承托部的相鄰兩邊懸空。
在本發明的一實施例中,上述的鍵帽包括一鍵帽樞接部,連接結構包括一第二樞軸,樞設於鍵帽樞接部。
基於上述,相較於習知的按鍵模組的連接結構的樞軸與底板的樞接部之間存在間隙,而使鍵帽被按壓時發出噪音。本發明的按鍵模組的電路薄膜組件的這些膜層的至少一者會延伸至底板樞接部旁,而形成用來承托第一樞軸的承托部。承托部可將第一樞軸往上托而持續接觸底板樞接部。如此,第一樞軸與底板樞接部之間便可不具間隙,進而降低鍵帽被按壓時發出噪音的機率,且使第一樞軸可穩定地樞設於底板樞接部,而不易搖晃。
圖1是依照本發明的一實施例的一種按鍵模組的俯視示意圖。圖2是圖1的按鍵模組沿著A-A線段的剖面示意圖。圖3是隱藏圖1的鍵帽的立體示意圖。要說明的是,圖1中的A-A線段通過連接結構與底板本體之間的樞軸與底板樞接部,而使圖2能夠顯示出對應的剖面。
請參閱圖1至圖3,本實施例的按鍵模組100可應用於鍵盤,但按鍵模組100所應用的產品種類不以此為限制。如圖2所示,按鍵模組100包括一底板110、一電路薄膜組件120、一鍵帽130及一連接結構140。
底板110包括一底板本體112及凸出於底板本體112的底板樞接部116。電路薄膜組件120設置於底板110上,且包括依序堆疊的多個膜層121、122、123。在本實施例中,電路薄膜組件120的膜層121、122、123之間可設有線路(未繪示),膜層121、122、123的材質例如是PET,但膜層121、122、123的數量與材質並不以此為限制。在其他實施例中,膜層的數量也可以是單層或複數層。
此外,如圖3所示,電路薄膜組件120還包括由這些膜層121、122、123的至少一者所形成的承托部128、129。在本實施例中,承托部128、129位於底板樞接部116旁。
圖4是圖1的按鍵模組沿著圖3的B-B線段的剖面示意圖。要說明的是,圖3中的B-B線段通過承托部128、129,而使圖4能夠顯示出對應的剖面。請參閱圖4,在本實施例中,承托部128、129是由最上層的膜層121所形成。
鍵帽130設置於底板110及電路薄膜組件120上方,且鍵帽130包括鍵帽樞接部132。在一實施例中,一彈性體(未繪示)可設置於鍵帽130與電路薄膜組件120之間,用以提供鍵帽130被下壓之後的上升的恢復力。彈性體例如是橡膠材質的穹頂,但彈性體的材質與形狀不以此為限制。
連接結構140例如是以一內剪145與一外剪146所組成的剪刀腳結構,連接結構140設置於底板110與鍵帽130之間。請回到圖3,連接結構140的外剪146包括一第一樞軸141及一第二樞軸143。連接結構140的內剪145包括一第一樞軸142及一第二樞軸144。第一樞軸141、142樞設於底板樞接部116,且第二樞軸143、144樞設於鍵帽樞接部132(圖2)。
在習知的按鍵中,連接結構的樞軸通常會直接接觸底板的樞接部與底板本體,由於習知的按鍵的連接結構的樞軸與底板的樞接部具有公差,連接結構的樞軸與底板的樞接部之間存在間隙,鍵帽被按壓時,連接結構的樞軸會撞擊底板的樞接部或是底板本體而發出噪音。
在本實施例中,為了避免第一樞軸141、142與底板樞接部116之間產生間隙,由圖3可見,在本實施例中,按鍵模組100將電路薄膜組件120的膜層121延伸至底板樞接部116旁,並位於第一樞軸141、142下,而作為可承托第一樞軸141、142的承托部129、128。
由圖2可見,由於此膜層121在遠離底板樞接部116的部位的頂面會高於第一樞軸141、142的底端,利用此膜層121在底板樞接部116旁的部位作為承托第一樞軸141、142的承托部128、129(標示於圖3),承托部128、129會被此膜層121在遠離底板樞接部116的部位上提,而使第一樞軸142被承托部128、129上托。因此,第一樞軸141、142能持續完全地接觸底板樞接部116。
如此,第一樞軸141、142與底板樞接部116之間便可不具間隙,使第一樞軸141、142可穩定地樞設於底板樞接部116,而不易搖晃。此外,在鍵帽130按壓的過程中,第一樞軸141、142不會撞擊到底板樞接部116,也不會接觸到底板本體112,進而降低鍵帽130被按壓時發出噪音的機率。
如圖4所示,在本實施例中,承托部128、129形成於最遠離底板本體112的膜層121,且承托部128、129懸空。一空間S形成於承托部128、129遠離鍵帽130的一側(下側)。由於用來作為承托部128、129的膜層121的頂面原本會高於第一樞軸142的底端,當承托部128、129承托第一樞軸142時,可撓的承托部128、129會略微變形。位於承托部128、129下方的此空間S便可作為提供承托部128、129變形的空間。
具體地說,在本實施例中,位於中央的膜層122具有位在底板樞接部116旁的孔洞124。位於承托部128、129與膜層123之間的孔洞124作為能夠供承托部128、129進入的此空間S。當然,承托部128、129與空間S的形式不以此為限制。
圖5是隱藏圖3的連接結構的局部立體示意圖。請參閱圖5,在本實施例中,承托部128與承托部129的形式略為不同,承托部129的相鄰兩邊129a、129b懸空,另外相鄰的兩邊129c、129d則是延伸自最上層的膜層。相較於承托部128是相對的兩邊懸空,本實施例中,承托部129在相鄰兩邊129a、129b懸空的設計可使承托部129在不破壞本身結構的前提下可具有更大的撓曲量。
當然,在其他實施例中,按鍵模組也可以僅有相對的兩邊懸空的承托部128,或是僅有相鄰兩邊129a、129b懸空的承托部129,按鍵模組的形式不以此為限制。
下面介紹具有其他形式的承托部的按鍵模組,與前一實施例相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,不再多加贅述,僅說明主要差異之處。
圖6至圖9是依照本發明的其他實施例的多種按鍵模組的局部剖面示意圖。請先參閱圖6,圖6與圖2中的放大圖的主要差異在於,在本實施例中,最靠近底板本體112的膜層123還具有位在底板樞接部116旁的孔洞125,膜層122的孔洞124、膜層123的孔洞125下上連通。能夠供承托部128進入的空間S’是由位於承托部128與底板本體112之間的兩孔洞124、125共同形成。這樣的設計,可提供更大的空間S’以供承托部128撓曲。
同樣地,由於最上層的膜層121原先的頂面會高於第一樞軸142的底端,利用膜層121作為承托第一樞軸142的承托部128a,可使第一樞軸142被上托,而能持續接觸底板樞接部116,且位於承托部128下方的空間S’可作為提供承托部128變形的空間。如此,第一樞軸142與底板樞接部116之間便可完全地接觸而不具間隙,第一樞軸142也不會接觸到底板本體112,進而降低按鍵使用時發出噪音的機率,且使第一樞軸142可穩定地樞設於底板樞接部116,而使鍵帽130(圖2)不易搖晃。
請參閱圖7,圖7與圖2中的放大圖的主要差異在於,在本實施例中,承托部128a形成於遠離底板本體112的膜層121、122,且靠近底板本體112的膜層123具有孔洞125,空間S1由位於承托部128a與底板本體112之間的孔洞125所形成。
同樣地,由於最上層的膜層121原先的頂面會高於第一樞軸142的底端,利用上方兩膜層121、122作為承托第一樞軸142的承托部128a,可使第一樞軸142被上托,而能持續接觸底板樞接部116,且位於承托部128a下方的空間S1可作為提供承托部128a變形的空間。如此,第一樞軸142與底板樞接部116之間便可不具間隙,第一樞軸142也不會接觸到底板本體112,進而降低按鍵使用時發出噪音的機率,且使第一樞軸142可穩定地樞設於底板樞接部116,而使鍵帽130(圖2)不易搖晃。
請參閱圖8,圖8與圖2中的放大圖的主要差異在於,在在本實施例中,最靠近底板本體112的膜層123具有位在底板樞接部116旁的一孔洞125(下孔洞),最遠離底板本體112的膜層121具有位在底板樞接部116旁的一上孔洞127。承托部128b形成於位在中間的膜層122,且空間S1由位於承托部128b與底板本體112之間的孔洞125(下孔洞)所形成。
同樣地,由於中層的膜層122原先的頂面會高於第一樞軸142的底端,利用中層的膜層122作為承托第一樞軸142的承托部128b,可使第一樞軸142被上托,而能持續接觸底板樞接部116,且位於承托部128b下方的空間S1可作為提供承托部128b變形的空間。如此,第一樞軸142與底板樞接部116之間便可不具間隙,第一樞軸142也不會接觸到底板本體112,進而降低按鍵被按壓時發出噪音的機率,且使第一樞軸142可穩定地樞設於底板樞接部116,而使鍵帽130(圖2)不易搖晃。
請參閱圖9,圖9與圖4中的放大圖的主要差異在於,在圖4中,承托部128是由膜層121所形成,空間S是由膜層122的孔洞124所形成,承托部128下方的底板本體112未有孔洞。
在本實施例中,如圖9所示,這些膜層121、122、123位於底板樞接部116旁的部位共同形成承托部128c。底板本體112包括位於底板樞接部116旁的一底板孔洞114,承托部128c覆蓋底板孔洞114。空間S2由底板孔洞114所形成,也就是說,底板孔洞114提供了承托部128c變形的空間。因此,如圖9所示,這些膜層121、122、123所形成的承托部128c承托第一樞軸142時可略微往底板孔洞114變形。
同樣地,由於這些膜層121、122、123中膜層121原先的頂面會高於第一樞軸142的底端,利用這些膜層121、122、123作為承托第一樞軸142的承托部128c,可使第一樞軸142被上托,而能持續接觸底板樞接部116,且位於承托部128c下方的空間S2可作為提供承托部128c變形的空間。如此,第一樞軸142與底板樞接部116之間便可不具間隙,第一樞軸142也不會接觸到底板本體112,進而降低按鍵使用時發出噪音的機率,且使第一樞軸142可穩定地樞設於底板樞接部116,而使鍵帽130(圖2)不易搖晃。
綜上所述,相較於習知的按鍵模組的連接結構的樞軸與底板的樞接部之間存在間隙,而使鍵帽被按壓時發出噪音。本發明的按鍵模組的電路薄膜組件的這些膜層的至少一者會延伸至底板樞接部旁,而形成用來承托第一樞軸的承托部。承托部可將第一樞軸往上托而持續接觸底板樞接部。如此,第一樞軸與底板樞接部之間便可不具間隙,進而降低鍵帽被按壓時發出噪音的機率,且使第一樞軸可穩定地樞設於底板樞接部,而不易搖晃。
S、S’、S1、S2:空間 100:按鍵模組 110:底板 112:底板本體 114:底板孔洞 116:底板樞接部 120:電路薄膜組件 121、122、123:膜層 124、125:孔洞 127:上孔洞 128、128a、128b、128c、129:承托部 129a、129b、129c、129d:邊 130:鍵帽 132:鍵帽樞接部 140:連接結構 141、142:第一樞軸 143、144:第二樞軸 145:內剪 146:外剪
圖1是依照本發明的一實施例的一種按鍵模組的俯視示意圖。 圖2是圖1的按鍵模組沿著A-A線段的剖面示意圖。 圖3是隱藏圖1的鍵帽的立體示意圖。 圖4是圖1的按鍵模組沿著圖3的B-B線段的剖面示意圖。 圖5是隱藏圖3的連接結構的局部立體示意圖。 圖6至圖9是依照本發明的其他實施例的多種按鍵模組的局部剖面示意圖。
S:空間
100:按鍵模組
110:底板
112:底板本體
116:底板樞接部
120:電路薄膜組件
121、122、123:膜層
124:孔洞
128:承托部
130:鍵帽
132:鍵帽樞接部
140:連接結構
141、142:第一樞軸
143、144:第二樞軸
145:內剪
146:外剪

Claims (10)

  1. 一種按鍵模組,包括: 一底板,包括一底板本體及凸出於該底板本體的一底板樞接部; 一電路薄膜組件,設置於該底板上,且包括多個膜層及由該些膜層的至少一者所形成的一承托部,其中該承托部位於該底板樞接部旁; 一鍵帽,設置於該底板及該電路薄膜組件上方,該鍵帽包括一鍵帽樞接部;以及 一連接結構,設置於該底板與該鍵帽之間,且包括一第一樞軸及一第二樞軸,其中該第一樞軸樞設於該底板樞接部,該第二樞軸樞設於該鍵帽樞接部,且位於該底板樞接部旁的該承托部承托該第一樞軸,而使該第一樞軸持續接觸該底板樞接部。
  2. 如請求項1所述的按鍵模組,其中一空間形成於該承托部在遠離該鍵帽的一側,承托該第一樞軸的該承托部適於朝向該空間變形。
  3. 如請求項2所述的按鍵模組,其中該些膜層包括依序堆疊的三個膜層,該三膜層中位於中間的一者具有位在該底板樞接部旁的一孔洞,該空間由該孔洞所形成,該承托部形成於該些膜層在最遠離該底板本體的一者。
  4. 如請求項2所述的按鍵模組,其中該些膜層中較靠近該底板本體的至少一者具有位在該底板樞接部旁的至少一孔洞,該空間由位於該承托部與該底板本體之間的該至少一孔洞所形成。
  5. 如請求項4所述的按鍵模組,其中該些膜層中較靠近該底板本體的該至少一者的數量為多個,該至少一孔洞為上下連通的多個孔洞,該空間由位於該承托部與該底板本體之間的該些孔洞所形成,該承托部形成於該些膜層在最遠離該底板本體的一者。
  6. 如請求項4所述的按鍵模組,其中該些膜層中較靠近該底板本體的至少一者的數量為一個,該至少一孔洞為一孔洞,該空間由位於該承托部與該底板本體之間的該孔洞所形成,該承托部形成於該些膜層在遠離該底板本體的多者。
  7. 如請求項2所述的按鍵模組,其中該些膜層包括依序堆疊的三個膜層,該三膜層在最靠近該底板本體的一者具有位在該底板樞接部旁的一下孔洞,該三膜層在最遠離該底板本體的一者具有位在該底板樞接部旁的一上孔洞,該空間由位於該承托部與該底板本體之間的該下孔洞所形成,該承托部形成於該三膜層中位於中間的一者。
  8. 如請求項2所述的按鍵模組,其中該底板本體包括位於該底板樞接部旁的一底板孔洞,該空間由該底板孔洞所形成,該承托部覆蓋該底板孔洞。
  9. 如請求項8所述的按鍵模組,其中該些膜層在位於該底板樞接部旁的部位共同形成該承托部。
  10. 如請求項1所述的按鍵模組,其中該承托部的相鄰兩邊懸空。
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