TWI752149B - 具有標記之玻璃基板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係一種玻璃基板，其係於表面具有標記者，且上述標記係識別碼、對準標記、或其等之一部分，上述標記係由複數個點所構成，各點係由複數個雷射照射痕所構成，各雷射照射痕於上述表面之開口部之直徑為5 μm～15 μm的範圍，深度為1 μm～10 μm之範圍。

Description

具有標記之玻璃基板及其製造方法

本發明係關於一種具有標記之玻璃基板及其製造方法。

近年來，於半導體元件等之製造技術中，為了容易地識別、管理半導體晶圓，而於半導體晶圓之表面形成識別碼等標記。又，作為該標記之形成方法，已知照射雷射之技術。 再者，最近，作為代替Si之下一代之半導體元件，SiC受到關注，因此，於SiC晶圓中，亦揭示有對表面照射雷射而形成標記(例如專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2012-183549號公報

[發明所欲解決之問題] 近年來，研究了於半導體製造製程中，將玻璃基板用於支持半導體晶圓或玻璃基板等之如晶圓及支持基板之構件。玻璃基板具有剛性，相對容易對平滑之表面進行加工。因此，於將玻璃基板用於此種構件之情形時，能夠提高積層體之剛性，提高位置精度。 但是，若於半導體製造製程中使用玻璃基板，則產生與Si晶圓及SiC晶圓等同樣地，亦對玻璃基板賦予如識別碼之標記之必要性。 然而，通常玻璃為透明，因此，與如Si或SiC等不透明、半透明之材料相比，存在標記之視認性相對較差之傾向。又，於藉由先前之如對SiC晶圓之雷射標記之方法於玻璃基板之表面形成標記的情形時，由於材料固有之吸收特性之不同，故而於先前之方法中，無法形成足夠之凹部，存在標記之視認性變差之可能性。另一方面，若欲提高雷射之輸出以提高標記之視認性，則此次於玻璃基板產生龜裂之可能性變高。 本發明係鑒於此種背景而完成者，且於本發明中，目的在於提供一種具有視認性較佳之標記且刻意地抑制龜裂之玻璃基板。又，於本發明中，目的在於提供一種此種玻璃基板之製造方法。 [解決問題之技術手段] 於本發明中，提供一種玻璃基板，其係於表面具有標記者，且 上述標記係識別碼、對準標記、或其等之一部分， 上述標記係由複數個點所構成， 各點係由複數個雷射照射痕所構成， 各雷射照射痕於上述表面之開口部之直徑為5 μm～15 μm的範圍，深度為1 μm～10 μm之範圍。 又，於本發明中，提供一種製造方法，其係製造表面具有標記之玻璃基板之方法，且 具有對玻璃板之表面照射雷射而於上述表面形成複數個雷射照射痕之步驟， 上述雷射具有500 nm～570 nm之範圍之波長， 上述複數個雷射照射痕構成點，且上述點之集合形成標記， 上述標記係識別碼、對準標記、或其等之一部分， 各雷射照射痕於上述表面之開口部之直徑為5 μm～15 μm的範圍，深度為1 μm～10 μm之範圍。 [發明之效果] 於本發明中，能夠提供一種視認性較佳之標記且刻意地抑制龜裂之玻璃基板。又，於本發明中，能夠提供此種玻璃基板之製造方法。

以下，參照圖式，對本發明之一實施形態進行說明。 於圖1中，模式性地示出本發明之一實施形態之玻璃基板(以下，稱為「第1玻璃基板」)之立體圖。 如圖1所示，第1玻璃基板110具有相互對向之第1表面112及第2表面114。再者，第1玻璃基板110具有大致圓形之形狀。但是，其僅為一例，第1玻璃基板110之形狀並無特別限制。例如，第1玻璃基板110之形狀亦可為大致圓形狀或大致矩形狀(包括大致正方形狀)等。又，第1玻璃基板110亦可具有凹槽、參考面、及切角等。第1玻璃基板110之尺寸並無特別限定，於大致圓形狀之情形時，可列舉直徑(

)100 mm～450 mm。於大致矩形狀之情形時，第1基板110之尺寸可列舉100 mm×100 mm～2 m×2 m。 於第1玻璃基板110中，於第1表面112形成有標記130。 此處，於本案中，為了使具有標記130之玻璃基板(例如第1玻璃基板110)之區別變得明確，而將於第1表面112形成標記130之前之玻璃特別稱為「玻璃板」。按照該記載，藉由在玻璃板之第1表面形成標記，而獲得於上述第1表面具有標記130之第1玻璃基板。 標記130亦可為包含例如數字、文字及圖形中之至少一個之識別碼。又，數字、文字及圖形之各者可為一個，亦可為複數個。此種識別碼例如可用於第1玻璃基板110之識別及/或管理。 或者，標記130例如亦可為對準標記。此種對準標記可用於第1玻璃基板110之操作、切割、倒角及貼合等加工時之位置或方向對準等。 再者，之後，將構成標記130之一個數字、文字及圖形特別稱為「標記元件」。 於圖2中，模式性地示出標記130之一例。 如圖2所示，於該例中，標記130係以由12個標記元件132呈直線狀排列成一行而構成之識別碼之形式示出。 但是，標記130並不限於此種態樣。例如，標記130亦可為由各個標記元件132呈非直線狀排列而構成。又，標記130亦可為由各個標記元件132呈直線狀或非直線狀排列2行以上而構成。 標記130之整體尺寸並無特別限制，例如於圖2所示之標記元件132之直線狀排列之情形時，橫向之長度L₁ 為16.43±0.025 mm之範圍，縱向之長度L₂ 為1.624±0.025 mm。再者，於以標記元件132之非直線狀排列構成標記130之情形時，標記130之橫向之長度L₁ 及縱向之長度L₂ 分別規定為假定包含標記130之最小矩形時之該最小矩形之第1邊之長度及第2邊的長度。 構成標記130之各標記元件132係由複數個點所構成。換言之，由複數個點形成一個標記元件132。以下，參照圖3，對該點進行說明。 於圖3中，係將構成標記130之一個標記元件132放大而表示之模式圖。於該例中，標記元件132被視認為數字之「3」。 由圖3可知，標記元件132係藉由合計17個點140之組合而形成。再者，關於數字之「3」以外之標記元件132，亦可藉由縱橫排列複數個點140而形成。 此種點140能夠藉由照射雷射而形成於玻璃板之表面。雷射可使用脈衝雷射，亦可使用連續波雷射。於使用連續波雷射之情形時，較佳為間歇性地使其振盪(脈衝性振盪)。 於圖4中，示出構成標記元件132之一個點140之模式性之放大圖。 如圖4所示，點140係藉由將複數個雷射照射痕150組合而形成。 此處，所謂「雷射照射痕(150)」，係指對玻璃板照射雷射時，於玻璃板之表面產生之凹部。 於圖4之例中，點140構成為具有內側環152及外側環154之大致雙重環。又，內側環152及外側環154係分別藉由將複數個雷射照射痕150排列成圓形而構成。 再者，於所示之例中，於內側環152及外側環154之各者中，相鄰之雷射照射痕150彼此係以相互接觸之方式配置。 然而，構成點140之雷射照射痕150之配置態樣並不限於此。例如，於圖4所示之「雙重環狀」排列中，內側環152或外側環154內之相鄰之雷射照射痕150彼此可為相互非接觸，亦可為一部分重疊。或者亦可為，一部分之相鄰之雷射照射痕150彼此相互非接觸，另一部分之相鄰之雷射照射痕150彼此相互重疊，而另外之雷射照射痕150彼此相互接觸。又，於在點140中，有複數個相鄰之雷射照射痕150彼此相互非接觸之情形時，非接觸之間隔可相同，亦可不同。除此以外亦可具有各種態樣。 再者，點140亦可以雷射照射痕150之大致雙重環狀排列以外之排列而構成。 於圖5～圖9中，模式性地示出點之另一態樣。 於圖5之例中，點140係藉由將複數個雷射照射痕150排列成圓形之螺旋狀(螺旋狀)而形成。於該例中亦為，相鄰之雷射照射痕150彼此可相互接觸，亦可一部分重疊，或者亦可為非接觸。 於圖6之例中，點140係將複數個雷射照射痕150排列成方形之螺旋狀而構成。於圖7之例中，點140係將複數個雷射照射痕150排列成記號(Masu symbol)狀而構成。於圖8之例中，點140係由複數個雷射照射痕150排列成方形框狀而構成。又，於圖9之例中，點140係由複數個雷射照射痕150排列成雙重方形狀而構成。點之態樣並無特別限定，亦可為圓形或方形以外之多邊形狀。又，點亦可為如內部佈滿雷射照射痕般之態樣。 再者，一個點140之尺寸例如可為50 μm×50 μm之範圍，亦可為100 μm×100 μm之範圍，亦可為200 μm×200 μm之範圍。一個點140之尺寸亦可為X軸方向之尺寸與Y軸方向之尺寸不同。 又，構成標記元件132之複數個點140之尺寸可各自互不相同，亦可為相同之值。 於圖10中，模式性地示出於圖4或圖5所示之點140中，相互相鄰之1組雷射照射痕之剖面。於圖10中，示出相互相鄰之第1雷射照射痕150A及第2雷射照射痕150B。 如圖10所示，第1雷射照射痕150A具有形成於第1表面112之第1開口160A及深度d₁ 。關於第1開口160A，自第1表面112之上觀察時為大致圓形，且具有直徑

₁ 。又，第2雷射照射痕150B具有形成於第1表面112之第2開口160B及深度d₂ 。關於第2開口160B，自第1表面112之上觀察時為大致圓形，且具有直徑

₂ 。 再者，直徑

₁ 與直徑

₂ 可互不相同，亦可為相同之值。同樣地，深度d₁ 與深度d₂ 可互不相同，亦可為相同之值。 第1雷射照射痕150A之第1開口160A之中心與第2雷射照射痕150B之第2開口160B之中心之間的距離、即雷射照射痕150之間距P例如可為3 μm～20 μm之範圍，亦可為5 μm～15 μm之範圍。但是，於一個點140中，間距P未必要固定，亦可根據位置而發生變化。 此處，於第1雷射照射痕150A中，第1開口160A之直徑

₁ 為5 μm～15 μm之範圍，深度d₁ 為1 μm～10 μm之範圍。同樣地，於第2雷射照射痕150B中，第2開口160B之直徑

₂ 為5 μm～15 μm之範圍，深度d₂ 為1 μm～10 μm之範圍。 再者，雖於圖中未示出，但圖4及圖5所示以外之雷射照射痕150亦具有與第1及第2雷射照射痕150A、150B大致相同之剖面形態。 因此，更一般而言，第1玻璃基板110具有如下特徵：於例如如圖4或圖5所示之點140中，各雷射照射痕150之第1表面112中之開口160之直徑

為5 μm～15 μm之範圍，深度d為1 μm～10 μm之範圍。 雷射照射痕150之開口160之直徑

較佳為6 μm～12 μm之範圍，更佳為9 μm～11 μm之範圍。 又，雷射照射痕150之深度d較佳為2 μm～10 μm之範圍，更佳為5 μm～11 μm。 於第1表面112形成尺寸包含於此種範圍內之雷射照射痕150之情形時，能夠刻意地抑制於雷射照射痕150之附近產生龜裂之危險性。 又，於以此種尺寸形成雷射照射痕150之情形時，點140之視認性提高，其結果為，能夠獲得具有良好之視認性之標記130。 根據此種效果，於本發明之一實施形態中，能夠提供一種於刻意地抑制龜裂之產生之狀態下將具有良好之視認性之標記配置於第1表面的玻璃基板。 具有此種特徵之第1玻璃基板110例如可應用於半導體元件製造用構件(例如支持基板)、及影像感測器用覆蓋玻璃等。 第1玻璃基板110例如可應用於在穿戴設備、例如帶有投影機之眼鏡、眼鏡型或風鏡型顯示器、虛擬實境擴增實境顯示裝置、虛擬圖像顯示裝置等中使用之玻璃(亦稱為穿戴設備用導光玻璃)等。此外，第1玻璃基板110可應用於小型且攝像視角較廣之攝像玻璃透鏡(亦稱為透鏡用玻璃)等中，以用於車載用攝影機、機器人用視覺感測器等之用途。 (本發明之一實施形態之玻璃基板之製造方法) 其次，參照圖11，對本發明之一實施形態之玻璃基板之製造方法的一例進行說明。 於圖11中，模式性地示出本發明之一實施形態之玻璃基板之製造方法(以下，稱為「第1製造方法」)的流程。 如圖11所示，第1製造方法具有： (i)步驟(步驟S110)，其係準備玻璃板；及 (ii)步驟(步驟S120)，其係對上述玻璃板之表面照射雷射而於上述表面形成複數個雷射照射痕。 以下，對各步驟進行說明。 (步驟S110) 首先，準備玻璃板。玻璃板具有第1表面。 玻璃板之種類並無特別限制。玻璃板例如亦可為石英玻璃或強化玻璃(亦包括化學強化玻璃)。又，本說明書中之玻璃板(玻璃基板)不限於採取玻璃構造者，亦可為名稱一般被稱為玻璃者。例如亦可為藍寶石玻璃。 (步驟S120) 其次，對玻璃板之第1表面照射雷射。 再者，亦可於該雷射照射步驟之前於玻璃板之第1表面設置吸收層。 於玻璃板之第1表面相對平滑之情形時，例如第1表面之算術平均粗糙度Ra未達約0.5 μm之情形時，較佳為設置吸收層。 原因在於：於此種具有「平滑之」第1表面之玻璃板中，存在不充分吸收來自下一步驟S120中所照射之脈衝雷射之能量之傾向。藉由在玻璃板之第1表面設置吸收層，能夠效率良好地吸收脈衝雷射之能量。 吸收層之材料並無特別限制。吸收層例如可由無機材料形成，亦可由有機材料形成。例如作為有機材料，可列舉包含合成樹脂墨水及碳黑等之顏料。作為無機材料，可列舉鋁等金屬材料。 吸收層係藉由例如噴塗法或噴墨法等設置於玻璃基板之第1表面。 但是，吸收層之設置為任意。吸收層只要於雷射照射步驟後適當去除即可。吸收層例如可藉由擦除洗淨(使用海綿及刷之物理性洗淨)、熱處理(退火)、及研磨或使用藥品之溶解而去除。 其次，對玻璃板之第1表面(於具有吸收層之情形時為吸收層)照射雷射。 雷射之照射條件係以如下之方式選定： 於所獲得之雷射照射痕中， ・第1表面中之開口之直徑

成為5 μm～15 μm之範圍， ・深度d成為1 μm～10 μm之範圍。 如上所述，第1表面中之雷射照射痕之開口之直徑

較佳為6 μm～12 μm的範圍。又，雷射照射痕之深度d較佳為2 μm～10 μm之範圍。 為了有效率地形成此種雷射照射痕，雷射較佳為具有600 nm以下之波長，更佳為具有500 nm～570 nm之波長範圍。例如亦可使用波長為532 nm(綠色)之YAG(yttrium aluminum garnet，釔鋁石榴石)雷射(二次諧波)。 再者，雷射照射痕未必要藉由脈衝雷射之1次照射而形成。即，亦可藉由對同一位置複數次照射脈衝雷射而形成一個雷射照射痕。於使用連續波雷射之情形時，不限定於利用間歇性之振盪中之1次照射所進行之形成。亦可對同一複數次照射連續波雷射而形成一個雷射照射痕。 藉由使用此種方法，於第1表面以特定之配置形成複數個雷射照射痕，而構成點。又，藉由將複數個點組合，能夠構成標記元件，進而藉由將複數個標記元件組合，能夠獲得如識別碼或對準標記之標記。 於此種第1製造方法中，照射脈衝雷射時，能夠刻意地抑制於雷射照射痕及附近產生龜裂之危險性。又，於第1製造方法中，由雷射照射痕所構成之點之視認性提高，其結果為，能夠獲得具有良好之視認性之標記。 再者，於玻璃基板形成標記之時點並無特別限定。例如(1)於步驟S110中準備之玻璃板亦可為自玻璃素板切割成所期望之形狀，經過倒角、研削、研磨、洗淨等步驟而成者，且對獲得所期望之品質之玻璃板如步驟S120般形成標記。(2)於步驟S110中準備之玻璃板亦可為切割成所期望之形狀者，且於在步驟S120中形成標記後，進行倒角等各種步驟。(3)步驟S120亦可於倒角、研削、研磨、洗淨等步驟之中途進行。又，亦可不具有切割成所期望之形狀之步驟，而準備最初便具有所期望之形狀之玻璃板。若如(1)之例般，於經過倒角、研削、研磨及洗淨等步驟之後形成標記，則標記之品質不會劣化(因對形成有標記之主表面進行研削或研磨而導致視認性變差等)，故而較佳。進而，於(1)之例之情形時，若於通常之氣體氛圍中實施至步驟S120之前之步驟，於無塵室實施步驟S120之標記形成，則可保持玻璃基板之品質(表面狀態等)，故而較佳。 [實施例] 其次，對實施例進行說明。再者，於以下之說明中，例1～例4係實施例，例5～例6係比較例。 (例1) 藉由以下之方法製造具有標記之玻璃基板。 首先，準備直徑300 mm×厚度0.7 mm之大致圓形狀之無鹼玻璃製之玻璃板(EN-A1：旭硝子股份有限公司製造)。 被雷射照射表面(第1表面)之表面粗糙度(Ra)為約0.45 nm。 其次，於玻璃板之第1表面之形成有標記之位置設置吸收層。吸收層為油性丙烯酸清漆(H62-8808 65)，且藉由噴霧塗佈設置於玻璃板。 其次，對玻璃板之第1表面之吸收層照射脈衝雷射而形成雷射照射痕。又，藉由複數個雷射照射痕之組合而構成點。 於脈衝雷射之照射中，使用刻印裝置(ML9500A：AMADA MIYACHI股份有限公司製)，雷射設為波長532 nm之YGA雷射(二次諧波)。雷射輸出之電流值設為13.0 A。雷射照射痕係藉由對第1表面之同一位置照射4次脈衝雷射而形成。以下，將該同一位置之雷射照射次數稱為「重複次數」。雷射照射痕之間距P係以11 μm為目標。 於圖12中，示出藉由雷射照射痕之組合而獲得之點之一例。該點係以雷射照射痕之雙重環排列而構成。 內側環之尺寸(自一個雷射照射痕之大致中心位置至位於通過內側環之中心點而對向之位置之雷射照射痕之大致中心位置的尺寸)為約42.8 μm，外側環之尺寸(自一個雷射照射痕之大致中心位置至位於通過外側環之中心點而對向之位置之雷射照射痕之大致中心位置的尺寸)為約97.9 μm。 再者，內側環之尺寸係0時、2時及4時之方向上之3點之平均值。同樣地，外側環之尺寸係0時、2時及4時之方向上之3點之平均值。 一個點之縱橫尺寸為約100 μm×約100 μm。 藉由此種方法反覆進行雷射照射，而形成由12個標記元件所構成之標記(參照圖2)。 於所獲得之標記中，橫向之長度L₁ 為約16.4 mm，縱向之長度L₂ 為約1.62 mm。 藉由以上之方法製造具有標記之玻璃基板。 (評價) 對所獲得之玻璃基板實施以下之評價。 (雷射照射痕之測定) 於所獲得之玻璃基板中，對各雷射照射痕之開口之直徑

及深度d進行測定。 雷射照射痕之開口之直徑係以如下之方式進行測定。 利用顯微鏡或雷射顯微鏡觀察雷射照射痕，於圖像上測定雷射照射痕之直徑。再者，於相互最接近之雷射照射痕彼此重疊之情形時，於非重疊部分測定直徑。 測定之結果為，開口之直徑之最小值

_min 為8 μm，最大值

_max 為12 μm。 另一方面，於雷射照射痕之深度之測定中，使用雷射顯微鏡裝置(VK9510：Keyence公司製造)。於該裝置中，可自玻璃基板之表面側起，非破壞式地對雷射照射痕之深度進行測定。 對構成標記之所有雷射照射痕之深度d進行測定，自所獲得之結果求出最大之深度d_max 。 (龜裂之測定) 於所獲得之玻璃基板中，對在第1表面之各標記元件之附近產生之龜裂之數量(總數)進行評價。評價係藉由使用10倍透鏡顯微鏡之目視下之觀察而進行。 (標記之視認性評價) 目視觀察形成於玻璃基板之第1表面之標記。其結果為，將能夠視認出所有標記元件之情形判定為○，將連一部分標記元件亦無法視認之情形判定為×。 (例2～例6) 藉由與例1相同之方法製造具有標記之玻璃基板。 但是，於該等例2～例6中，使脈衝雷射之照射條件(電流值及重複次數)相對於例1之情形發生變化。 使用所獲得之玻璃基板，實施與例1之情形相同之評價。 將各例中之雷射之照射條件及評價結果歸總示於以下之表1。 [表1] 如表1所示，可知於例1～例6之玻璃基板中，標記之視認性均為良好。然而，於例5～例6中，觀測到於標記部分產生龜裂。與此相對，可知於例1～例4中，未產生龜裂。 本案係主張基於在2017年2月15日提出申請之日本專利申請2017-026464號之優先權者，且藉由參照將該日本申請案之全部內容引用於本案中。

110‧‧‧玻璃基板112‧‧‧第1表面114‧‧‧第2表面130‧‧‧標記132‧‧‧標記元件140‧‧‧點150‧‧‧雷射照射痕150A‧‧‧雷射照射痕150B‧‧‧雷射照射痕152‧‧‧內側環154‧‧‧外側環160A‧‧‧開口160B‧‧‧開口d₁‧‧‧ 深度d₂‧‧‧深度L₁‧‧‧橫向之長度L₂‧‧‧ 縱向之長度P‧‧‧間距S110、S120‧‧‧步驟

₁‧‧‧直徑

₂‧‧‧直徑

圖1係模式性地表示本發明之一實施形態之玻璃基板之立體圖的圖。 圖2係模式性地表示形成於本發明之一實施形態之玻璃基板之標記之一例的圖。 圖3係將構成標記之一個標記元件(數字之「3」)放大而表示之模式圖。 圖4係構成標記元件之一個點之模式性之放大圖。 圖5係模式性地表示構成標記元件之點之另一態樣之放大圖。 圖6係模式性地表示構成標記元件之點之又一態樣之放大圖。 圖7係模式性地表示構成標記元件之點之又一態樣之放大圖。 圖8係模式性地表示構成標記元件之點之又一態樣之放大圖。 圖9係模式性地表示構成標記元件之點之又一態樣之放大圖。 圖10係模式性地表示相鄰之2個雷射照射痕之剖面之圖。 圖11係模式性地表示本發明之一實施形態之玻璃基板之製造方法之流程之一例的圖。 圖12係表示於例1中，藉由複數個雷射照射痕之排列而獲得之一個點之照片。

140‧‧‧點

150‧‧‧雷射照射痕

152‧‧‧內側環

154‧‧‧外側環

Claims (12)

1. 一種玻璃基板，其係於表面具有標記者，且上述標記係識別碼、對準標記、或其等之一部分，上述標記係由複數個點所構成，各點係由複數個雷射照射痕所構成，各雷射照射痕於上述表面之開口部之直徑為5μm~15μm的範圍，深度為1μm~10μm之範圍。
2. 如請求項1之玻璃基板，其中於上述點之至少一個中，相鄰之雷射照射痕之組之至少一個之中心間距離為5μm~15μm之範圍。
3. 如請求項1或2之玻璃基板，其中於上述點之至少一個中，相鄰之雷射照射痕之組之至少一個相互接觸或重疊。
4. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述點之至少一個係將上述複數個雷射照射痕配置成雙重環狀或螺旋狀而構成。
5. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述表面之表面粗糙度Ra未達0.5μm。
6. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述表面之表面粗糙度Ra為0.5μm以上。
7. 一種製造方法，其係製造表面具有標記之玻璃基板之方法，且具有對玻璃板之表面照射雷射而於上述表面形成複數個雷射照射痕之步驟，上述雷射具有500nm~570nm之範圍之波長，上述複數個雷射照射痕構成點，且上述點之集合形成標記，上述標記係識別碼、對準標記、或其等之一部分，各雷射照射痕於上述表面之開口部之直徑為5μm~15μm的範圍，深度為1μm~10μm之範圍。
8. 如請求項7之製造方法，其中上述雷射係波長532nm之YAG雷射。
9. 如請求項7或8之製造方法，其中於在上述表面形成複數個雷射照射痕之步驟之前，進而具有如下步驟：於上述玻璃板之上述表面設置吸收層。
10. 如請求項7或8之製造方法，其中上述點之至少一個係以於相鄰之雷射照射痕之組的至少一個中，中心間距離成為5μm~15μm之範圍之方式構成。
11. 如請求項7或8之製造方法，其中上述點之至少一個係以於相鄰之雷射照射痕之組的至少一個中，上述相鄰之雷射照射痕相互接觸或重疊之方 式構成。
12. 如請求項7或8之製造方法，其中於上述點之至少一個中，上述複數個雷射照射痕係以配置成雙重環狀或螺旋狀之方式形成。

Images