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TWI750195B - 光學系統，尤其用於微影投射曝光裝置 - Google Patents

光學系統，尤其用於微影投射曝光裝置 Download PDF

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TWI750195B
TWI750195B TW106122581A TW106122581A TWI750195B TW I750195 B TWI750195 B TW I750195B TW 106122581 A TW106122581 A TW 106122581A TW 106122581 A TW106122581 A TW 106122581A TW I750195 B TWI750195 B TW I750195B
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湯馬斯 許凱塔茲
馬圖什 卡里斯基
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德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
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Abstract

本發明關於一光學系統，特別是用於微影投射曝光裝置，其具有至少一反射鏡(200)，反射鏡(200)具有一光學有效表面且針對相對於相應表面法線以至少65°的一入射角撞擊於光學有效表面上之具有一預定義操作波長的電磁輻射具有至少0.5的一反射率，其中反射鏡具有一反射層(210)以及在光學有效表面的方向上配置於此反射層(210)上的一補償層(220)，其中針對光學系統操作期間在光學系統的一光瞳平面或一場平面中所產生的一強度分佈，相較於不具補償層(220)的一類似結構，補償層(220)將最大強度值與最小強度值之間的差異降低至少20%。

Description

光學系統，尤其用於微影投射曝光裝置
[相關專利參照]本發明主張2016年7月7日申請的德國專利申請案DE 10 2016 212 373.4的優先權。此申請案的內容以引用的方式併入本文。
本發明關於光學系統，尤其用於微影投射曝光裝置。
微影技術用以產生微結構組件，例如積體電路或LCDs。微影製程在所謂投射曝光裝置中進行，其包含照明裝置及投射透鏡。由照明裝置所照明之光罩(遮罩)的影像在此情況下由投射透鏡投射至塗佈有一光感層(光阻)且配置於投射透鏡的影像平面的一基板(例如矽晶圓)上，以將光罩結構轉移至基板的光感塗層。
在設計用於EUV範圍(即波長為例如約13nm或約7nm)的投射透鏡中，由於缺乏合適的透光折射材料，因此使用反射鏡作為用於成像程序的光學組件。
除其他外，反射鏡在切線入射(grazing incidence)下的操作為已知。在切線入射下操作的這類反射鏡(其期望為主要用於有關相對較高之 可獲得的反射率，例如80%或更高)在此處及下文中係理解為表示在EUV輻射的反射期間所發生且相對於相應表面法線的反射角度至少為65°的反射鏡。有時，這類反射鏡也簡稱為GI反射鏡(「切線入射(grazing incidence)」)。
在微影投射曝光裝置的操作中所實際發生的問題特別為在場平面及/或光瞳平面中不想要的強度局部變化，其導致光學像差並因此導致投射曝光裝置的效率惡化。此不想要的強度變化的其中一原因在於在相應反射鏡上的反射率的變化，其中特別是在以切線入射操作的前述反射鏡中，變化相對較強，且其又是由在相應反射鏡的光學有效表面上的入射角的顯著變化所引起。
為克服上述問題，實際上已知以各種方式來補償該強度變化。這些方式的範例為對以實質垂直入射操作的反射鏡中的反射層系統的刻意去諧(detuning)、或藉由其他方式刻意提供橫向傳輸變化(例如藉由使用額外層)。
然而，在這些方法中實際發生的缺點一般包含光的耗損以及對製造波動的敏感度增加，也包含產生用於校正的相關反射鏡的製程的複雜度增加。此外，在所述強度變化是由GI反射鏡所引起的情況中，相應GI反射鏡的反射率的曲線(其取決於入射角)本身受到製造波動的影響，其在每一個別情況下又需要重複調整相應的校正。
關於現有技術，僅參考EP 1 282 011 B1、US 6 333 961 B1、US 6 833 223 B2、WO 2015/135726 A1、WO 2012/113591 A1、US 8 279 404 B2、US 8 605 257 B2、US 8 587 767 B2、EP 2 100 190 B1、US 8 928 972 B2及US 2013/0038929 A1。
針對上述背景，本發明的一目的為提供一光學系統，尤其用於微影投射曝光裝置，其中可以相對較不費力的方式減少不想要的強度 變化及所導致的光學系統效率的降低。
此目的由申請專利範圍獨立項第1項的特徵來實現。
一光學系統(特別是用於一微影投射曝光裝置)具有至少一反射鏡，其具有一光學有效表面(optically effective surface)且針對相對於相應的表面法線以至少65°的一入射角撞擊於光學有效表面上之具有一預定義操作波長的電磁輻射具有至少0.5的一反射率，- 其中反射鏡具有一反射層以及在光學有效表面的方向上配置於此反射層上的一補償層；- 其中針對光學系統操作期間在光學系統的一光瞳平面或一場平面中所產生的一強度分佈，相較於不具補償層的一類似結構，補償層將最大強度值與最小強度值之間的差異降低至少20%。
本發明的基本概念特別為在以切線入射(GI)操作的反射鏡的位置處的電磁輻射強度的不希望的局部變化可藉由以下事實來補償：提供額外的補償層於所討論的GI反射鏡的反射層(一般組態為單層，例如釕層)上，該補償層的功能為至少部分地補償強度分布的該變化。
根據本發明，將該補償層附加至GI反射鏡在製造技術方面係相對簡單，因為在最簡單的情況下只需施加一個額外層至組態為單層的反射層，而非像在NI反射鏡的情況下對多層系統的相對複雜的修改。此外，根據本發明的概念，可特別地利用在相應GI反射鏡的光學有效表面上的入射角的「橫向分離(lateral separation)」，以透過補償層的相應組態及特別是其橫向修改而以不同的方式影響不同的入射角，如下文中更詳細的描述。
在一方面，根據本發明之待補償的不希望的強度變化可為由GI反射鏡本身的反射層或由其在光學有效表面上的橫向方向上的反射變化所造成，使得換言之，藉由根據本發明的附加補償層，可根據所描述之強度變化「本身」的效果來補償所討論的GI反射鏡。
然而，在另一方面，待補償的強度變化也可包含由在光學 系統中的其他地方出現的一或多個干擾所造成的補償，使得在此情況下具有根據本發明的補償層的GI反射鏡係使用作為一校正元件，用以均勻化在系統其他地方出現的強度分布(例如在場平面或光瞳平面中的強度分布)。
在具體實施例中，至少一其他層(例如覆蓋層)可提供於根據本發明的補償層上。
根據一具體實施例，補償層具有選自包含鉬(Mo)、鈮(Nb)、鋯(Zr)、釔(Y)、鈰(Ce)、鑭(La)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鍶(Sr)、鈦(Ti)、鈹(Be)、硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、矽(Si)及氟(F)之群組的一或多個元素。
根據一具體實施例，補償層具有一可變厚度(varying thickness)。在這方面，本發明包含有意使用根據本發明的補償層的反射率的厚度相依性的概念，結合在所討論的GI反射鏡上發生之上述的入射角的橫向分離，以藉由補償層的層厚度的有意去諧(detuning)，及其反射率的相關修改，達成對不想要的強度分布的期望補償效果。
根據一具體實施例，反射層具有一第一材料且補償層具有一第二材料，其中在由反射層及補償層所組成的層堆疊中的第二材料相較於第一材料對相對於相應的表面法線以至少65°的一入射角撞擊於光學有效表面上之具有一預定義操作波長的電磁輻射具有一較高的反射率。
根據一具體實施例，反射層具有一第一材料且補償層具有一第二材料，其中在由反射層及補償層所組成的層堆疊中的第二材料相較於第一材料對相對於相應的表面法線以至少65°的一入射角撞擊於光學有效表面上之具有一預定義操作波長的電磁輻射具有一較低的反射率。
根據一具體實施例，反射層具有選自包含釕(Ru)、銠(Rh)及鈀(Pd)之群組的一或多個元素。
根據一具體實施例，補償層具有選自包含鉬(Mo)、鈮(Nb)、鋯(Zr)、釔(Y)、鈰(Ce)、鑭(La)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鍶(Sr)、鈦(Ti)、鈹(Be)、硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、矽(Si)及氟(F)之群組的一或多個元素。
因此，取決於特定的組態，相對於不具所討論之補償層的類似結構(例如僅具有單一反射層的反射鏡，例如釕(Ru))，根據本發明的補償層可造成相應GI反射鏡的反射率的增加或降低。包含使用造成相應GI反射鏡的反射率降低的層的方法係基於以下考量：根據本發明的目標(均勻化在光瞳平面或場平面中的強度分布)也可藉由刻意地橫向降低反射率而實現(不可否認地，犧牲了所獲得的整體反射率)。
相較於(單一)反射層將GI反射鏡的反射率增加的額外層在下文中也稱作「放大器層」，而降低反射率的層也稱作「衰減器層」。
在上述定義的意義下的放大器層可特別為由具有比反射層材料更低吸收的材料製造(仍具有可接收的折射率)。放大器層的材料可例如為鉬(Mo)、鈮(Nb)、鋯(Zr)或一或多個這些元素與第二週期的一或多個元素(例如鈹(Be)、硼(B)、碳(C)、氮(N))或矽(Si)的化合物。說明性的具體實施例可參考DE 10 2014 204 660 A1。
在上述定義的意義下的衰減器層可例如由二氧化鉬(MoO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化鈮(Nb2O5)、氧化鋯(ZrO2)或氧化鈰(CeO2)產生。其他適當的材料例如為貴重金屬或不再氧化吸收的金屬，例如鈀(Pd)、銠(Rh)、鉑(Pt)或銥(Ir)、或化合物。
在其他具體實施例中，根據本發明的補償層也可藉由放大器層與衰減器層的適當組合而組態使得所討論的反射鏡的反射率在第一橫向子區域上增加(由於放大器層的存在)且在第二橫向子區域上減少(由於衰減器層的存在)。如此，如下文中將更詳細討論，也有可能進一步增加校正潛能或增加入射角的範圍，其中將獲得根據本發明之強度變化的均勻化。
根據一具體實施例，一基板保護層形成於基板與反射層之間，並保護基板免於受到電磁輻射的破壞性作用。
根據一具體實施例，基板保護層具有選自包含鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉻(Cr)、釩(V)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、銥(Ir)、 釕(Ru)、鈀(Pd)、銠(Rh)、鍺(Ge)、鎢(Wo)、鉬(Mo)，錫(Sn)、鋅(Zn)、銦(In)及碲(Te)之群組的一或多個材料。
根據一具體實施例，降低層應力(layer stress)的一層形成於基板與反射層之間。
根據一具體實施例，基板保護層組態為降低層應力的一層。
根據一具體實施例，降低層應力的該層具有選自包含鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉻(Cr)、釩(V)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、銥(Ir)、釕(Ru)、鈀(Pd)、銠(Rh)、鍺(Ge)、鎢(Wo)、鉬(Mo)，錫(Sn)、鋅(Zn)、銦(In)及碲(Te)之群組的一或多個材料。
根據一具體實施例，前述各層(即反射層、補償層、基板保護層及/或降低層應力的層)的至少其中一層係組態為一多層系統。
根據一具體實施例，操作波長小於30nm，且其可特別是在10nm到15nm的範圍。
本發明更關於一反射鏡，特別是用於一微影投射曝光裝置，其中反射鏡具有一光學有效表面且針對相對於相應的表面法線以至少65°的一入射角撞擊於光學有效表面上之具有一預定義操作波長的電磁輻射具有至少0.5的一反射率，- 其中反射鏡具有一反射層以及在光學有效表面的方向上配置於此反射層上的一補償層；以及- 其中針對在光學有效表面上之反射鏡的反射率的局部變化，相較於不具補償層的一類似結構，補償層將最大值與最小值之間的差異降低至少20%
根據本發明的反射鏡可配置於照明裝置或投射透鏡中。
本發明更關於一微影投射曝光裝置，其包含一照明裝置及一投射透鏡，其中照明裝置在投射曝光裝置的操作期間照明位在投射透鏡的一物體平面中的一光罩，且投射透鏡將光罩上的結構成像至位在投射透 鏡的一影像平面中的一光感層，其中投射曝光裝置包含具有前述特徵的光學系統或反射鏡。
本發明的其他組態可從描述內容及申請專利範圍附屬項獲得。
在下文中，將參考所附隨的圖式，基於所述的範例具體實施例來更詳細地解釋本發明。
100:投射曝光裝置
101:電漿光源
102:集光器反射鏡
103:場琢面反射鏡
104:光瞳琢面反射鏡
105:第一望遠鏡反射鏡
106:第二望遠鏡反射鏡
107:偏折反射鏡
120:光罩台
121:光罩
150:投射透鏡
160:晶圓台
161:基板
200:反射鏡
205:基板
210:反射層
220:補償層
在圖式中：圖1顯示設計用以操作於EUV的投射曝光裝置的示意圖；圖2顯示用以解釋根據本發明例示性具體實施例之反射鏡的可能結構的示意圖；圖3到圖11顯示用以解釋根據本發明其他具體實施例的反射鏡的結構及作用模式的示意圖。
圖1顯示設計用以操作於EUV且本發明可實現於其中的一投射曝光裝置的一範例的示意圖。
根據圖1，設計用於EUV的投射曝光裝置100中的照明裝置包含場琢面反射鏡103及光瞳琢面反射鏡104。來自包含電漿光源101及集光器反射鏡102的光源單元的光被導向至場琢面反射鏡103。第一望遠鏡反射鏡105及第二望遠鏡反射鏡106配置於光瞳琢面反射鏡104下游的光路徑中。以切線入射操作的偏折反射鏡107配置於光路徑中的下游並將撞擊於其上的輻射導向至投射透鏡的物體平面中的物場上，其僅顯示於圖1。在物場的位置，反射結構承載光罩121配置於光罩台120上，該光罩在投射透鏡的協助下被成像至影像平面，於其中塗佈一光感層(光阻)的基板161係位於晶 圓台160上。
僅作為範例，以切線入射操作的偏折反射鏡107可具有如下文參考圖2所述之根據本發明的結構。投射透鏡150可具有例如在DE 10 2012 202 675 A1中所揭露的結構(此結構同樣具有以切線入射操作且可根據本發明組態的反射鏡)或其他結構。
圖2首先顯示在一具體實施例中之根據本發明的反射鏡的可能結構的純粹示意且極簡化的視圖。此反射鏡200組態用於以切線入射操作(亦即作為「GI反射鏡」)且具有在基板205(由任何合適的基板材料(例如ULE®或Zerodur®)製成)上的反射層210(在所示具體實施例中由釕(Ru)組成)。在此反射層210上有根據本發明的一補償層220，其具有可變厚度且其功能為至少部分地補償在反射鏡200上(也可能在包含反射鏡200的光學系統的其他地方)反射之電磁輻射的強度分布的不想要的變化。
此根據圖2的補償層220係作為所謂的「放大器層」，且由具有比反射層210的材料(亦即，在此範例中係與釕(Ru)相比)更低吸收的材料所製造。在說明性的具體實施例中，補償層220由鉬(Mo)組成。如將於下文作更詳細地解釋，在其他具體實施例中的補償層也可組態為所謂的「衰減器層」，相較於(單一)反射層，其降低反射鏡200的反射率。
為提供「放大器層」或「衰減器層」的作用的基本解釋，圖3顯示反射率曲線作為電磁輻射的相應入射角的函數的圖式，其顯示為針對具有放大器層(在範例中為10nm鉬(Mo))、具有衰減器層(在範例中為10nm二氧化鉬(MoO2))的反射鏡，也針對了不具放大器層或衰減器層的一類似反射鏡(即僅具有單一層的釕(Ru))。從圖3中將可看出，可藉由加入在上述定義意義下的一放大器層及/或一衰減器層而顯著地修改反射率對入射角的曲線。
參考圖4到圖11，現在將解釋各種具體實施例，其中在各個情況下由根據本發明的補償層的特定組態來設定所討論反射鏡上所需的反 射率分布，本發明的補償層具有特定組態的厚度分布的放大器層及/或衰減器層。
圖4a-4b首先顯示一說明性具體實施例，其中補償層(由圖4a的陰影表示)組態為鉬(Mo)的放大器層，且其中針對撞擊在反射鏡上的電磁輻射給定反射鏡的光學有效表面上的入射角的變化(同樣表示於圖4a中)。
在根據圖4b的此說明性具體實施例中，針對反射鏡上的每一發生的入射角或相關位置，補償層的厚度係選擇使得反射鏡的最終反射率具有所希望的(在本範例中為常數)數值。圖4c相應地顯示以鉬(Mo)放大器層所實現的反射率變化，其為入射角數值的函數，且圖4d顯示此放大器層需具有的厚度，以達成相對入射角之所希望的(在本範例中為常數)反射率分布。
以類似於圖4a-4d的具體實施例的方式，也可使用衰減器層(例如二氧化鉬(MoO2))代替放大器層(例如鉬(Mo))，以在相應反射鏡上特別地設定期望的反射率分布。特別地，反射鏡的光學有效表面上的反射率的均勻化(即恆定反射率分布的設定)在此處也是可能的，其中由於衰減器層所造成之相較於僅具有反射層(例如釕(Ru))的反射鏡的反射率降低，此均勻化發生在相對較低的層級(由反射層本身的反射率來決定)。
關於這點，圖5a-5d顯示類似圖4a-4d的圖式，以解釋此一衰減器層的組態及作用模式。如可從圖5b所看出，衰減器層的厚度再次適當地選擇為相應的入射角數值的函數，以達成所希望的(在此範例中同樣為常數)的反射率數值，其中圖5c顯示由於衰減器層所造成的反射率變化作為入射角的函數，且圖5d顯示衰減器層分別所需的厚度作為入射角的函數。
在根據圖6a-6d的另一說明性具體實施例中，放大器層及衰減器層可在同一個反射鏡上結合使用(每一個在光學有效表面的不同面積上)，如圖6a中由整個補償層的不同陰影所示意性地顯示。以原則上類似於圖4a-4d及圖5a-5d的方式，但整體有更大範圍的入射角，反射率的均勻化可 以此方式在反射鏡的光學有效表面上實現。如從圖6b可看出，衰減器層(例如二氧化鉬(MoO2))在此情況下僅位在反射鏡上具有相對高入射角的面積中，而放大器層(例如鉬(Mo))僅位在反射鏡上具有相對較低入射角的面積中。
圖6c顯示所需反射率的變化作為入射角的函數(類似於上述的圖4c及5c)，且圖6d顯示放大器層或衰減器層對於相應入射角所需的厚度。
本發明並不受限於圖4到圖6中的上述具體實施例所實現的反射率分布的均勻化，因此也可設定任何其他所需的反射率分布。為此目的，圖7a-7d以其他類似的方式顯示用以在入射角及反射鏡上的相應位置產生線性的反射率分布的說明性具體實施例，且圖8a-8d顯示針對反射率基本正弦曲線的說明性具體實施例。
雖然在上述參考圖4到圖8的具體實施例中已經假設了反射鏡的光學有效表面上的入射角變化，但本發明並不受限於此。相反地，本發明也可在沒有這種入射角變化的情況下使用，以設定想要的反射率分布，例如用以均勻化在光學系統中其他地方(例如在場平面或光瞳平面中)所出現的不想要的強度變化。
圖9a-9e顯示一說明性範例具體實施例，其中從反射鏡的光學有效表面上的固定入射角開始(如圖9a所示)，在此範例中較佳為設定線性的反射率分布，在此情況下，鉬(Mo)放大器層的厚度如圖9e所示設定。為解釋其他可能的說明性具體實施例，圖10a-10b顯示針對不同入射角之可實現的反射率變化為放大器層(同樣由鉬(Mo)產生)厚度的函數(圖10a)以及相應最小反射率變化為入射角的函數(圖10b)。
參考圖11a-11b，現在描述本發明的其他說明性具體實施例，其中(基本上以本身已知的方式)兩個反射鏡在光學光束路徑中連續地配置，使得以相對較大的入射角撞擊於這些反射鏡中的第一個上的光束在第二反射鏡上具有相對較低的入射角，反之亦然。
在光學光束路徑中「串聯設置」的兩個GI反射鏡的這種配置中，相應的反射率分布已經部分地彼此補償，就此來說，只有兩個反射率分布沒有完全地相互補償，才能產生強度變化，例如由於相應分布的現有非線性或由於光學系統中更複雜的光束分布。
現在為了消除剩餘的強度變化(其在圖11a的範例中仍是在入射角譜的兩個邊緣區域中為最強，即在接近數值70°的入射角以及在接近數值80°的入射角)，根據本發明的補償層(其具有針對期望的補償而適當選擇的材料及厚度變化)施加至兩個反射鏡的其中至少一個。圖11b顯示(類似於上述具體實施例)針對本發明的補償之作為入射角函數的所需反射率變化分布的範例，且圖11c顯示針對相應入射角的放大器層的所需厚度。
為了實際上實施本發明，最初可決定出現在特定光學系統並影響場平面及/或光瞳平面中強度分布的不均勻性並接著透過在一或多個GI反射鏡上的一或多個補償層(其具有適當的厚度梯度)來補償，其中相應補償層的厚度可以任何適當的方式在所討論的GI反射鏡上變化。
即使已基於特定具體實施例描述本發明，許多變化形式及替代具體實施例對熟此技藝者來說是顯而易見的，例如結合及/或交換個別具體實施例的特徵。因此，對熟此技藝者來說，本發明當然同時涵蓋這些變化形式及替代具體實施例，且本發明的範疇僅在所附隨之專利申請範例及其均等的含義內受到限制。
200:反射鏡
205:基板
210:反射層
220:補償層

Claims (15)

  1. 一種具有至少一反射鏡的光學系統，該反射鏡具有一光學有效表面且針對相對於相應的表面法線以至少65°的一入射角撞擊於該光學有效表面上之具有一預定義操作波長的電磁輻射具有至少0.5的一反射率，其中該反射鏡具有一反射層以及在該光學有效表面的方向上配置於此反射層上的一補償層；其中針對該光學系統操作期間在該光學系統的一光瞳平面或一場平面中所產生的一強度分佈，相較於不具該補償層的一類似結構，該補償層將最大強度值與最小強度值之間的差異降低至少20%；其中該補償層具有一可變厚度；其中除了此第一反射鏡之外該光學系統還具有至少一第二反射鏡，該第二反射鏡針對相對於相應的表面法線以至少65°的一入射角撞擊於該光學有效表面上之具有該操作波長的電磁輻射具有至少0.5的一反射率；其中，針對該系統從該第一反射鏡及該第二反射鏡產生之一反射率的局部變化，相較於不具該補償層的一類似結構，該至少一補償層將最大值與最小值之間的差異降低至少20%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光學系統，其特徵在於相較於不具該補償層的一類似結構，該補償層針對此強度分布將最大強度值與最小強度值之間的差異降低至少40%。
  3. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之光學系統，其特徵在於該反射層具有一第一材料且該補償層具有一第二材料，其中在由反射層及補償層所組成的層堆疊中的該第二材料相較於該第一材料對相對於相應 的表面法線以至少65°的一入射角撞擊於該光學有效表面上之具有一預定義操作波長的電磁輻射具有一較高的反射率。
  4. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之光學系統，其特徵在於該反射層具有一第一材料且該補償層具有一第二材料，其中在由反射層及補償層所組成的層堆疊中的該第二材料相較於該第一材料對相對於相應的表面法線以至少65°的一入射角撞擊於該光學有效表面上之具有一預定義操作波長的電磁輻射具有一較低的反射率。
  5. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之光學系統，其特徵在於該反射層具有選自包含釕(Ru)、銠(Rh)及鈀(Pd)之群組的一或多個元素。
  6. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之光學系統，其特徵在於該補償層具有選自包含鉬(Mo)、鈮(Nb)、鋯(Zr)、釔(Y)、鈰(Ce)、鑭(La)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鍶(Sr)、鈦(Ti)、鈹(Be)、硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、矽(Si)及氟(F)之群組的一或多個元素。
  7. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之光學系統，其特徵在於一基板保護層形成於該基板與該反射層之間，該基板保護層保護該基板免於受到該電磁輻射的破壞性作用。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之光學系統，其特徵在於該基板保護層具有選自包含鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉻(Cr)、釩(V)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、銥(Ir)、釕(Ru)、鈀(Pd)、銠(Rh)、鍺(Ge)、鎢(Wo)、鉬(Mo)，錫(Sn)、鋅(Zn)、銦(In)及碲(Te)之群組的一或多個材料。
  9. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之光學系統，其特徵在於降低層應力的一層形成於該基板與該反射層之間。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之光學系統，其特徵在於該基板保護層組態為降低層應力的一層。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之光學系統，其特徵在於降低層應力的該層具有選自包含鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉻(Cr)、釩(V)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、銥(Ir)、釕(Ru)、鈀(Pd)、銠(Rh)、鍺(Ge)、鎢(Wo)、鉬(Mo)，錫(Sn)、鋅(Zn)、銦(In)及碲(Te)之群組的一或多個材料。
  12. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之光學系統，其特徵在於這些層的至少其中一層係組態為一多層系統。
  13. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之光學系統，其特徵在於該補償層在一第一子區域中具有吸收低於該第一材料的一材料且在一第二子區域中具有吸收高於該第一材料的一材料。
  14. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之光學系統，其特徵在於該操作波長小於30nm。
  15. 一種微影投射曝光裝置，包含一照明裝置及一投射透鏡，其中該照明裝置在該投射曝光裝置的操作期間照明位在該投射透鏡的一物體平面中的一光罩，且該投射透鏡將該光罩上的結構成像至位在該投射透鏡的一影像平面中的一光感層，其中該投射曝光裝置具有至少一個如申請專利範圍第1項至第14項之其中一項所述的光學系統。
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