TWI749944B - 高量子點分散性組成物、光學膜及背光模組 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種高量子點分散性組成物、光學膜及背光模組。本發明的高量子點分散性組成物包括:1至5 wt%的光起始劑、3至20 wt%的散射粒子、15至50 wt%的硫醇類化合物、5至30 wt%的單官能基壓克力單體、20至40 wt%的多官能基壓克力單體、1至5 wt%的有機矽接枝低聚物以及500至1500ppm的抑制劑。此高量子點分散性組成物具有優異的量子點分散性,適用於製備量子點膠層、光學膜及背光模組。
Description
本發明涉及一種高量子點分散性組成物、光學膜及背光模組,特別是涉及一種可應用於背光模組、LED封裝的高量子點分散性組成物。
近年來,隨著顯示技術的不斷進步,人們對顯示器的品質要求也越來越高。量子點(Quantum Dots)由於其特有的量子限域效應引起了研究者的廣泛關注。相較於傳統的有機發光材料,量子點的發光效能具有半峰寬窄、顆粒小、無散射損失和光譜隨尺寸可調控和光化學性能穩定等優勢。此外,量子點的光學、電學和傳輸性能可以通過合成過程得以調整,這些優點使得量子點具有十分重要的作用。近年來,具有量子點的高分子複合材料已使用於背光及顯示器等領域。
然而,量子點的發光效率極易受氧氣、水氣等影響。此外,量子點膠層的製備方式也須考量到量子點分散性,以及聚合效果的問題。故,如何通過量子點膜層配方的設計改良,以達到較佳的阻絕水氣和氧氣以及量子點分散性,來克服上述的缺陷,已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本發明所要解決的技術問題在於,針對現有技術的不足提供一種僅由高量子點分散性組成物,以及由此高量子點分散性組成物所製備的光學膜及背光模組。
為了解決上述的技術問題,本發明所採用的其中一技術方案是提供一種高量子點分散性組成物,其是用於製備一量子點膠層;更詳細來說,所述高量子點分散性組成物包括:1至5 wt%的光起始劑、3至20 wt%的散射粒子、15至50 wt%的硫醇類化合物、5至30 wt%的單官能基壓克力單體、20至40 wt%的多官能基壓克力單體、1至5 wt%的有機矽接枝低聚物以及500至1500ppm的抑制劑。
於本發明的一具體實施例中,進一步包括複數個通過一表面改質材料改質的量子點分散於所述高量子點分散性組成物,其中,所述表面改質的材料具有以下官能基選自於R
3P、R
3PO、 RNH
2、RCOOH、RSH 以及RPO
3H
2所組成的群組,其中,R是直鏈或支鏈的長鏈烷基、芳基、芳基烷基或烷芳基。
於本發明的一具體實施例中,所述硫醇類化合物選自於由2, 2'-(乙二氧基)二乙硫醇、2, 2'-硫二乙硫醇、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、聚乙二醇二硫醇、季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、乙二醇雙巰基乙酸酯以及2-巰基丙酸乙酯所組成的群組。
於本發明的一具體實施例中,所述單官能基壓克力單體是選自由甲基丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸硬脂酯、甲基丙烯酸月桂酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸異冰片酯、丙烯酸十三烷基酯、烷氧基化壬基酚丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇(600)二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯以及乙氧基化(10)雙酚A二甲基丙烯酸酯所組成的群組。
於本發明的一具體實施例中,所述多官能基壓克力單體是選自三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、乙氧基化(20)三羥甲基丙烷三丙烯酸酯以及季戊四醇三丙烯酸酯所組成的群組。
於本發明的一具體實施例中,,所述有機矽接枝低聚物是選自於由矽氧烷丙烯酸酯以及矽氧烷環氧樹脂所組成的群組。
於本發明的一具體實施例中,所述抑制劑是選自由鄰苯三酚(PYR)、對苯二酚、鄰苯二酚、碘化鉀-碘混合物、受阻酚系抗氧化劑(Hindered phenol antioxidants)、鋁或鐵試劑鹽(N-亞硝基苯基羥胺鹽)( N-nitrosophenyl hydroxylamine ammonium salt, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine aluminum salt )、3-丙烯基苯酚、三芳基膦和亞磷酸鹽(triaryl phosphines and phosphites)、膦酸(phosphonic acid)、烯基酚和試劑鹽的組合物(combination of an alkenyl-phenol and cupferronate salt)所組成的群組。
為了解決上述的技術問題,本發明所採用的另外一技術方案是提供一種光學膜,其包括:一量子點膠層以及一第一屏蔽層,量子點膠層包括一第一表面以及相對於所述第一表面的一第二表面,第一屏蔽層包括一化學處理表面,且所述第一屏蔽層是以所述化學處理表面設置於所述量子點膠層的所述第一表面。所述量子點膠層包含一高量子點分散性組成物以及分散於所述高量子點分散性組成物的複數個量子點,且所述高量子點分散性組成物包括:1至5 wt%的光起始劑、3至20 wt%的散射粒子、15至50 wt%的硫醇類化合物、5至30 wt%的單官能基壓克力單體、20至40 wt%的多官能基壓克力單體、1至5 wt%的有機矽接枝低聚物以及500至1500ppm的抑制劑。
於本發明的一具體實施例中,光學膜的製造方法進一步包括:一第二屏蔽層,其包括一化學處理表面,且所述第二屏蔽層是以所述化學處理表面設置於所述量子點膠層的所述第二表面。
為了解決上述的技術問題,本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種背光模組,其包括:一導光單元、至少一發光單元以及一光學膜;其中,所述光學膜對應於所述入光側,並位於所述導光單元與至少一所述發光單元之間,所述光學膜包括一量子點膠層以及一第一屏蔽層,所述量子點膠層包含一高量子點分散性組成物以及分散於所述高量子點分散性組成物的複數個量子點,所述高量子點分散性組成物包括:1至5 wt%的光起始劑、3至20 wt%的散射粒子、15至50 wt%的硫醇類化合物、5至30 wt%的單官能基壓克力單體、20至40 wt%的多官能基壓克力單體、1至5 wt%的有機矽接枝低聚物以及500至1500ppm的抑制劑。
於本發明的一具體實施例中,所述光學膜還包括一第二屏蔽層,設置於所述量子點膠層的所述第二表面上。
本發明的其中一有益效果在於,本發明所提供的高量子點分散性組成物、光學膜及背光模組,其能通過“一量子點膠層,其包含一高量子點分散性組成物以及分散於所述高量子點分散性組成物的複數個量子點”以及“所述高量子點分散性組成物包括:1至5 wt%的光起始劑、3至20 wt%的散射粒子、15至50 wt%的硫醇類化合物、5至30 wt%的單官能基壓克力單體、20至40 wt%的多官能基壓克力單體、1至5 wt%的有機矽接枝低聚物以及500至1500ppm的抑制劑”的技術方案,可提供較佳的量子點分散性,可適用於不同類型的光學膜及背光模組。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式,然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明,並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“高量子點分散性組成物、光學膜及背光模組”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外,本發明的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
本發明的一實施例提供一種高量子點分散性組成物,其包括:1至5 wt%的光起始劑、3至20 wt%的散射粒子、15至50 wt%的硫醇類化合物、5至30 wt%的單官能基壓克力單體、20至40 wt%的多官能基壓克力單體、1至5 wt%的有機矽接枝低聚物以及500至1500ppm的抑制劑。
進一步地,高量子點分散性組成物進一步可包括複數個經表面改質的量子點(Quantum Dots,QDs)分散於此分散性組成物中,量子點包括紅色量子點、綠色量子點、藍色量子點及其混合。舉例而言,可以是紅色量子點與綠色量子點的混合。這些量子點之間具有不同或相同的粒徑。另外,每一量子點包含核心與外殼,外殼包覆核心。
在一具體實施例中,量子點的核心/外殼的材料可包含硒化鎘 (CdSe)/ 硫化鋅 (ZnS)、磷化銦(InP)/硫化鋅(ZnS)、硒化鉛(PbSe)/硫化鉛(PbS)、硒化鎘(CdSe)/硫化鎘(CdS)、碲化鎘(CdTe)/硫化鎘(CdS)或碲化鎘(CdTe)/硫化鋅(ZnS),然而,上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
更詳細來說,表面改質的材料可以是包括以下官能基R
3P、R
3PO、 RNH
2、RCOOH、RSH 以及RPO
3H
2,,其中,R是直鏈或支鏈的長鏈烷基、芳基、芳基烷基或烷芳基。舉例來說,表面改質的材料可以是三級膦類化合物如:三辛基膦、三苯基膦、第三丁基膦等;氧化膦如:三辛基氧化膦、氧化三苯膦;烷基膦酸、烷基胺類如:十六烷基胺、辛胺等;芳基胺類、吡啶類、長鏈脂肪酸類、噻吩類等。
更進一步地,量子點的核心與外殼皆可為二六族(Group II-VI)、二五族(Group II-V)、三六族(Group III-VI)、三五族(Group III-V)、四六族(Group IV-VI)、二四六族(Group II-IV-VI)或二四五族(Group II-IV-V)複合材料,其中用語「族」指代元素週期表的族。
其中核心的材質可為硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅 (ZnTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化汞 (HgS)、硒化汞(HgSe)、HgTe(碲化汞)、氮化鋁(AlN)、磷化鋁(AlP)、砷化鋁(AlAs)、銻化鋁(AlSb)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、硒化鎵 (GaSe)、氮化銦(InN)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、銻化銦(InSb)、氮化鉈(TlN)、磷化鉈(TlP)、砷化鉈(TlAs)、銻化鉈(TlSb)、硫化鉛(PbS)、硒化鉛(PbSe)、碲化鉛(PbTe)或上述之任意組合。
而外殼的材質可為氧化鋅 (ZnO)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅 (ZnTe)、氧化鎘 (CdO)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氧化鎂 (MgO)、硫化鎂 (MgS)、硒化鎂(MgSe)、 碲化鎂(MgTe)、氧化汞 (HgO)、硫化汞 (HgS)、硒化汞 (HgSe)、 碲化汞(HgTe)、氮化鋁 (AlN)、磷化鋁 (AlP)、砷化鋁(AlAs)、銻化鋁(AlSb)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、氮化銦(InN)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、銻化銦(InSb)、氮化鉈(TlN)、磷化鉈(TlP)、砷化鉈(TlAs)、銻化鉈(TlSb)、硫化鉛(PbS)、硒化鉛(PbSe)、碲化鉛(PbTe)或上述之任意組合。
參閱圖1所示,本發明第一實施例進一步針對量子點膠層的組成配比說明,量子點膠層包含高量子點分散性組成物以及分散於高量子點分散性組成物的複數個量子點,詳細來說,量子點膠層包括0.1至5wt%的量子點無機材料,以量子點膠層的總重為100重量百分比,高量子點分散性組成物包括:1至5 wt%的光起始劑、3至20 wt%的散射粒子、15至50 wt%的硫醇類化合物、5至30 wt%的單官能基壓克力單體、20至40 wt%的多官能基壓克力單體、1至5 wt%的有機矽接枝低聚物以及500至1500ppm的抑制劑。須特別注意的是,以量子點膠層的總重為100重量百分比,光起始劑、散射粒子、硫醇類化合物、單官能基壓克力單體、多官能基壓克力單體以及有機矽接枝低聚物混合總重為100重量百分比,最後再加入500至1500ppm的抑制劑。
光起始劑可以選自於由1-羥基環己基苯基酮、苯甲酰異丙醇、三溴甲基苯碸及二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦所構成的群組,該散射粒子為0.5至20μm且經表面處理的壓克力或二氧化矽或聚苯乙烯微珠。然而,若光起始劑的含量低於1wt%則難以固化,含量超過5wt%則會影響膠才整體性質的揮發性。
散射粒子為0.5至10μm且經表面處理的微珠,微珠材料可以是壓克力、二氧化矽、二氧化鍺、二氧化鈦、二氧化鋯、三氧化二鋁或聚苯乙烯。散射粒子的折射率約為1.39至1.45。散射粒子提供較佳的量子點發出的光產生散射,使量子點膠層所產生的光更加均勻,若散射粒子含量低於3wt%則霧度不足,超過20wt%則過多,導致整體材料樹脂含量不足,影響分散性並增加加工困難度。
具體來說,硫醇類化合物是選自於由2, 2'-(乙二氧基)二乙硫醇、2, 2'-硫二乙硫醇、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、聚乙二醇二硫醇、季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、乙二醇雙巰基乙酸酯以及2-巰基丙酸乙酯所組成的群組。硫醇類化合物是包含巰基官能團(-SH)的非芳香化合物,提供了與量子點具有較佳結合性的官能基,使得量子點具有較佳的分散性,硫醇類化合物的含量相較於現有技術的配比較高,使得聚合度較高,而含量若低於20wt%則不具備效果,含量超過50wt%則造成膠材過軟、容易彎折。
單官能基壓克力單體是選自由甲基丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸硬脂酯、甲基丙烯酸月桂酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸異冰片酯、丙烯酸十三烷基酯、烷氧基化壬基酚丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇(600)二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯以及乙氧基化(10)雙酚A二甲基丙烯酸酯所組成的群組。單官能基壓克力單體過少對量子點的分散性不佳,而過多則導致聚合效率低下,且耐候性不佳。
多官能基壓克力單體是選自三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、乙氧基化(20)三羥甲基丙烷三丙烯酸酯以及季戊四醇三丙烯酸酯所組成的群組。多官能基壓克力單體可加速具合,並提高接枝密度與水氧阻隔效果,然而,若添加過量則容易造成膠材過脆,容易破損。
有機矽接枝低聚物的分子量約為4000至30000,通過較大分子量的基團,提供量子點保護效果,更具體來說,有機矽接枝低聚物是選自由矽氧烷丙烯酸酯以及矽氧烷環氧樹脂所組成的群組,有機矽接枝低聚物可增加聚合物的耐候性,更可提高聚合物的機械強度。詳細來說,一般現有技術的光學膜若省略屏蔽層,不僅會降地耐水氧的效果,也會造成機械強度不足的缺陷。1至5wt%的有機矽接枝低聚物可提高量子點膠層的機械強度,若超過該含量則會影響分散性、加工性,且提高成本。
抑制劑是選自由 鄰苯三酚(PYR)、對苯二酚、鄰苯二酚、碘化鉀-碘混合物、受阻酚系抗氧化劑(Hindered phenol antioxidants)、鋁或鐵試劑鹽(N-亞硝基苯基羥胺鹽)( N-nitrosophenyl hydroxylamine ammonium salt, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine aluminum salt)、3-丙烯基苯酚、三芳基膦和亞磷酸鹽(triaryl phosphines and phosphites)、膦酸(phosphonic acid)、烯基酚和試劑鹽的組合物(combination of an alkenyl-phenol and cupferronate salt)所組成的群組。抑制劑可有效減緩反應速率,避免成分中的配方相互影響,舉例來說,硫醇類化合物與多官能基壓克力單體易於室溫下產生自反應,在製備的時候加入抑制劑提供較佳的加工性,也具有較穩定的保存性。然而,若添加量低於500ppm無法達到抑制效果,超過1500ppm時,則會影響光固化效率。
參閱圖1A至1B,其為本發明的光學膜M的第一實施態樣,如圖1A所示,本發明的光學膜M包括:量子點膠層10以及設置於量子點膠層10上的第一屏蔽層20。更詳細來說,量子點膠層10包含高量子點分散性組成物101以及分散於高量子點分散性組成物的複數個經改質的量子點102。進一步來說,量子點膠層10具有第一表面10A以及第二表面10B,第一屏蔽層20包括一化學處理表面201,並以化學處理表面201設置於量子點膠層的第一表面10A,且量子點膠層10的第二表面10B是裸露並未被覆蓋。
參閱圖1B,本發明的光學膜進一步包括一第一霧面處理層30,其設置於第一屏蔽層20上,使第一屏蔽層20夾置於量子點膠層10以及第一霧面處理層30之間。
參閱圖2A至2B,其為本發明的光學膜的第二實施態樣,如圖2A所示,本發明的光學膜M包括:量子點膠層10、第一屏蔽層20以及第二屏蔽層40,量子點膠層10具有第一表面10A以及第二表面10B,第一屏蔽層20包括一化學處理表面201,並以化學處理表面201設置於量子點膠層10的第一表面10A,第二屏蔽層40包括一化學處理表面401,並以化學處理表面401設置於量子點膠層10的第二表面10B,也就是說,量子點膠層10的兩個表面:第一表面10A以及10B皆被屏蔽層覆蓋。
進一步地,如圖2B所示,本發明的光學膜M還包括第一霧面處理層30以及第二霧面處理層50。第一霧面處理層30設置於第一屏蔽層20上,使第一屏蔽層20夾置於量子點膠層10以及第一霧面處理層30之間。第二霧面處理層50設置於第二屏蔽層40上,使第二屏蔽層40夾置於量子點膠層10以及第二霧面處理層50之間。
詳細來說,量子點膠層10的厚度約為30至50μm,第一屏蔽層20、第二屏蔽層40的厚度約為20至30μm,第一霧面處理層30、第二霧面處理層50的厚度約為3至5μm。
參閱圖3所示,本發明還提供一種背光模組S,其包括:導光單元30、至少一發光單元40以及光學膜M,導光單元30具有一入光側30A,至少一發光單元40位於相對於入光側30A,且包括複數個發光元件,光學膜M相對於入光側30A,光學膜M位於導光單元30與至少一發光單元40之間,詳細來說,導光單元30具有相對的入光側30A以及出光側30B,光學膜M設置於入光側30A,更具體來說光學光單元M為本發明前述的光學膜。然而,上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
另一方面,本發明光學膜的製造方法包括:先將複數個經改質的量子點分散於單官能基壓克力單體,再依序先加入抑制劑,再加入硫醇類化合物,再加入多官能基壓克力單體混合,最後加入光起始劑、散射粒子以及有機矽接枝低聚物。
除了前述步驟之外,本發明的光學膜的製造方法還包括:進行一裁切程序,以將光學膜裁切成至少一個所需的大小;以及,進行一收捲程序,以將剩餘的光學膜收捲成卷,以便使用或收納。
[實施例]
如表1所示,實施例1至3以及比較例1是依據以下配方以及比例製備為量子點膠膜,並進一步經過測試其分散性。詳細來說,以下配比是以量子點膠層的總重為100重量百分比,光起始劑、散射粒子、硫醇類化合物、單官能基壓克力單體、多官能基壓克力單體以及有機矽接枝低聚物混合總重為100重量百分比,另外再計抑制劑。
具體來說,詳細步驟是先將複數個量子點分散於單官能基壓克力單體,形成一量子點-單官能基壓克力溶液,依序再於量子點-單官能基壓克力溶液中加入抑制劑,均勻混合後加入硫醇類化合物,再加入多官能基壓克力單體混合,最後加入光起始劑、散射粒子以及有機矽接枝低聚物,均勻混合。
表1
| 配比 | 實施例1 | 實施例2 | 實施例3 | 比較例1 |
| 光起始劑 | 3 wt% | 3 wt% | 3 wt% | 3 wt% |
| 散射粒子 | 7 wt% | 4 wt% | 3 wt% | 7 wt% |
| 硫醇類化合物 | 15wt% | 20 wt% | 25 wt% | 0 wt% |
| 單官能基壓克力單體 | 30 wt% | 25 wt% | 16wt% | 30 wt% |
| 多官能基壓克力單體 | 20 wt% | 20wt% | 20 wt% | 40 wt% |
| 有機矽接枝低聚物 | 5 wt% | 3 wt% | 3 wt% | 5 wt% |
| 抑制劑 | 1000 ppm | 1000 ppm | 1000 ppm | 0 |
| 量子點分散性 | 20 % | 25% | 30 % | 15 % |
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於,本發明所提供的高量子點分散性組成物、光學膜及背光模組,其能通過“一量子點膠層,其包含一高量子點分散性組成物以及分散於所述高量子點分散性組成物的複數個量子點”以及“所述高量子點分散性組成物包括:1至5 wt%的光起始劑、3至20 wt%的散射粒子、15至50 wt%的硫醇類化合物、5至30 wt%的單官能基壓克力單體、20至40 wt%的多官能基壓克力單體;1至5 wt%的有機矽接枝低聚物、以及500至1500ppm的抑制劑”的技術方案,以提供至少20%的量子點分散性,可適用於不同類型的光學膜及背光模組。
更進一步來說,通過使用單官能基壓克力單體可初步稀釋量子點,而依據本案特定的添加順序,可有效提高本案製程效率。另外,硫醇類化合物提供了巰基官能團(-SH)的非芳香化合物,與量子點具有較佳結合性,使得量子點具有較佳的分散性,硫醇類化合物的含量相較於現有技術的配比較高,使得聚合度較高。
更具體來說,本發明的高量子點分散性組成物適用於特定表面改質材料改質的量子點,較佳的表面改質的材料具有以下官能基選自於R3P、R3PO、 RNH2、RCOOH、RSH 以及RPO3H2所組成的群組,其中,R是直鏈或支鏈的長鏈烷基、芳基、芳基烷基或烷芳基。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例,並非因此侷限本發明的申請專利範圍,所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本發明的申請專利範圍內。
M:光學膜
S:背光模組
10:量子點膠層
10A:第一表面
10B:第二表面
101:高量子點分散性組成物
102:量子點
201:化學處理表面
20:第一屏蔽層
30:導光單元
30A:入光側
30B:出光側
40:發光單元
401:發光元件
50:第二霧面處理層
圖1A為本發明第一實施態樣的一光學膜的剖面示意圖。
圖1B為本發明第一實施態樣的另一光學膜的剖面示意圖。
圖2A為本發明第二實施態樣的一光學膜的剖面示意圖。
圖2B為本發明第二實施態樣的另一光學膜的剖面示意圖。
圖3為本發明一實施例的背光模組的剖面示意圖。
M:光學膜
10:量子點膠層
10A:第一表面
10B:第二表面
101:高量子點分散性組成物
102:量子點
201:化學處理表面
20:第一屏蔽層
Claims (11)
- 一種高量子點分散性組成物,其包括:1至5wt%的光起始劑;3至20wt%的散射粒子;15至50wt%的硫醇類化合物;5至30wt%的單官能基壓克力單體;20至40wt%的多官能基壓克力單體;1至5wt%的有機矽接枝低聚物;以及500至1500ppm的抑制劑;其中,所述高量子點分散性組成物能在一量子點膠層中提供至少20wt%的量子點分散性。
- 如請求項1所述的高量子點分散性組成物,進一步包括複數個通過一表面改質材料改質的量子點分散於所述高量子點分散性組成物,其中,所述表面改質的材料具有以下官能基選自於R3P、R3PO、RNH2、RCOOH、RSH以及RPO3H2所組成的群組,其中,R是直鏈或支鏈的長鏈烷基、芳基、芳基烷基或烷芳基。
- 如請求項1所述的高量子點分散性組成物,其中,所述硫醇類化合物是一級硫醇類化合物或二級硫醇類化合物,且是選自於由2,2'-(乙二氧基)二乙硫醇、2,2'-硫二乙硫醇、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、聚乙二醇二硫醇、季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、乙二醇雙巰基乙酸酯以及2-巰基丙酸乙酯所組成的群組。
- 如請求項1所述的高量子點分散性組成物,其中,所述單官能基壓克力單體是選自由甲基丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸硬脂酯、甲基丙烯酸月桂酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸異冰片酯、丙烯酸十三烷基酯、烷氧基化壬基酚丙烯酸酯、四乙二 醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇(600)二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯以及乙氧基化(10)雙酚A二甲基丙烯酸酯所組成的群組;且所述多官能基壓克力單體是選自三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、乙氧基化(20)三羥甲基丙烷三丙烯酸酯以及季戊四醇三丙烯酸酯所組成的群組。
- 如請求項1所述的高量子點分散性組成物,其中,所述多官能基壓克力單體是選自三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、乙氧基化(20)三羥甲基丙烷三丙烯酸酯以及季戊四醇三丙烯酸酯所組成的群組。
- 如請求項1所述的高量子點分散性組成物,其中,所述有機矽接枝低聚物是選自於由矽氧烷丙烯酸酯以及矽氧烷環氧樹脂所組成的群組。
- 如請求項1所述的高量子點分散性組成物,其中,所述抑制劑是選自由鄰苯三酚(PYR)、對苯二酚、鄰苯二酚、鉀碘化物-碘混合物,受阻酚、鋁銅鐵酸銨(N-亞硝基苯基羥胺)鹽、3-丙烯基苯酚、三芳基膦以及烯基酚和銅鐵酸鹽的組合苯酚和銅鐵酸鹽以及所組成的群組。
- 一種光學膜,包括:一量子點膠層,其包括一第一表面以及相對於所述第一表面的一第二表面;一第一屏蔽層,其包括一化學處理表面,且所述第一屏蔽層是以所述化學處理表面設置於所述量子點膠層的所述第一表面;其中,所述量子點膠層包含一高量子點分散性組成物以及分散於所述高量子點分散性組成物的複數個量子點,且所述高量子點分散性組成物包括: 1至5wt%的光起始劑;3至20wt%的散射粒子;15至50wt%的硫醇類化合物;5至30wt%的單官能基壓克力單體;20至40wt%的多官能基壓克力單體;1至5wt%的有機矽接枝低聚物;以及500至1500ppm的抑制劑;其中,所述高量子點分散性組成物能在所述量子點膠層中,提供複數個所述量子點具有至少20wt%的量子點分散性。
- 如請求項8所述的光學膜,還包括:一第二屏蔽層,其包括一化學處理表面,且所述第二屏蔽層是以所述化學處理表面設置於所述量子點膠層的所述第二表面。
- 一種背光模組,其包括:一導光單元,其具有一入光側;至少一發光單元,其對應於所述入光側;以及一光學單元,其對應於所述入光側,並位於所述導光單元與至少一所述發光單元之間,所述光學單元包括:一量子點膠層,其包括一第一表面以及一第二表面;以及一第一屏蔽層,其設置於所述量子點膠層的第一表面上;其中,所述量子點膠層包含一高量子點分散性組成物以及分散於所述高量子點分散性組成物的多個量子點,且所述高量子點分散性組成物包括:1至5wt%的光起始劑;3至20wt%的散射粒子;15至50wt%的硫醇類化合物;5至30wt%的單官能基壓克力單體; 20至40wt%的多官能基壓克力單體;1至5wt%的有機矽接枝低聚物;以及500至1500ppm的抑制劑;其中,所述高量子點分散性組成物能在所述量子點膠層中提供多個所述量子點具有至少20wt%的量子點分散性。
- 如請求項10所述的背光模組,還包括:一第二屏蔽層,設置於所述量子點膠層的所述第二表面上。
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