TWI741799B

TWI741799B - 發光裝置

Info

Publication number: TWI741799B
Application number: TW109132453A
Authority: TW
Inventors: 邢陳震崙; 洪雅鈺; 郭怡婷
Original assignee: 葳天科技股份有限公司
Priority date: 2020-09-18
Filing date: 2020-09-18
Publication date: 2021-10-01
Also published as: TW202213819A

Abstract

一種發光裝置，包括發光二極體模組以及螢光模組。發光二極體模組包括第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體的其中至少二者，且第一發光二極體的波長介於440奈米至450奈米之間，第二發光二極體的波長介於450奈米至460奈米之間，第三發光二極體的波長介於465奈米至475奈米之間。螢光模組包括波長峰值介於515奈米以及545奈米之間的綠螢光粉，以及波長峰值大於630奈米該的紅螢光粉。

Description

發光裝置

本發明係有關一種發光裝置，尤指一種輸出光譜具溫度穩定特性的發光裝置。

發光二極體(light-emitting diode,LED)為一種半導體元件，主要透過半導體化合物將電能轉換為光能以達到發光效果，因其具有壽命長、穩定性高及耗電量小等優點，所以目前已被廣泛地應用於照明。隨著發光二極體的快速發展以及多樣的應用方式，為了達到更多顏色光的產出，可以考慮如三色合一的紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)，或四色合一的紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、白色(W)，或紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、Alpha色彩空間(A)等各種玲瑯滿目的組合方式，而當多數個發光二極體需要改變光束的出射角度時，一般會使用二次光學透鏡，尤其以全反射(total internal reflection,TIR)透鏡較為常見。以現有技術而言，多數發光二極體皆使用以單一區間波段晶片激發螢光粉之方式來生成需要之色溫、演色性或光譜。在目前習知既有的封裝條件下，為了提升在日常照明所使用之白光的演色性(color rendering index,CRI)，以及評估光源對於人體之藍光危害時，一般主流方向會採用增加受紅光激發的紅螢光粉的添加量來微調整體的輸出光譜。然而，由於產生模擬日照效果(例如AM 1.0、AM 1.5等)或全光譜效果所使用的發光二極體在點亮過程中會產生許多熱能，因此大量使用紅螢光粉的狀況下，波長峰值很容易受到溫度影響，而導致整體輸出光譜的飄移，導致無法在長時間使用下維持穩定的頻譜狀態。

為此，如何設計出一種發光裝置，特別是解決現有技術之前述技術問題，乃為本案發明人所研究的重要課題。

本發明之一目的在於提供一種發光裝置，解決現有技術在長時間產生模擬日照效果或全光譜效果時，無法維持穩定頻譜狀態的技術問題，達到輸出具有溫度穩定之頻譜狀態之目的。

為了達到前述目的，本發明所提出的發光裝置包括發光二極體模組以及螢光模組。其中，發光二極體模組包括第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體的其中至少二者，第一發光二極體的波長介於440奈米至450奈米之間，第二發光二極體的波長介於450奈米至460奈米之間，第三發光二極體的波長介於465奈米至475奈米之間。螢光模組配置於發光二極體模組之上，且罩設於第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體之外。其中，螢光模組包括綠螢光粉以及紅螢光粉，綠螢光粉的波長峰值(peak emission wavelength)介於515奈米以及545奈米之間，紅螢光粉的波長峰值大於630奈米。其中，當綠螢光粉具有120至140重量份時，紅螢光粉具有10至30重量份。

進一步而言，第一發光二極體的波長介於445奈米至450奈米之間，第二發光二極體的波長介於452.5奈米至460奈米之間，第三發光二極體的波長介於465奈米至470奈米之間。

進一步而言，綠螢光粉包括一第一螢光粉以及一第二螢光粉，第一螢光粉的波長峰值介於515奈米至530奈米，第二螢光粉的波長峰值介於525奈米至540奈米之間。

進一步而言，當第一螢光粉具有90至110重量份時，第二螢光粉具有20至40重量份。

進一步而言，紅螢光粉包括一第三螢光粉，第三螢光粉的波長峰值介於640奈米至660奈米之間。

進一步而言，第一發光二極體的數量佔第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體之總數量的30%以上。

進一步而言，第二發光二極體的數量佔第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體之總數量的20%以上。

進一步而言，第三發光二極體的數量佔第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體之總數量的20%以上。

在使用本發明所述之發光裝置時，所使用之第一發光二極體、第二發光二極體以及第三發光二極體的其中至少二者與綠螢光粉以及紅螢光粉的搭配可產生符合全光譜規格之光譜。且由於當綠螢光粉具有120至140重量份時，紅螢光粉僅具有10至30重量份，本發明可以在一般使用之2700K至4000K的黑體輻射光譜應用範圍內，產生具有溫度穩定的光譜，在室溫攝氏25度至熱態時的攝氏85度並不會使得整體所產生的光譜峰值產生嚴重偏移。

為此，可有效解決現有技術在長時間產生模擬日照效果或全光譜效果時，無法維持穩定頻譜狀態的技術問題，達到輸出具有溫度穩定之頻譜狀態之目的。

為了能更進一步瞭解本發明為達成預定目的所採取之技術、手段及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，相信本發明特徵與特點，當可由此得一深入且具體之瞭解，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

10:發光二極體模組

11:第一發光二極體

12:第二發光二極體

13:第三發光二極體

20:螢光模組

30:基板

40:圍牆膠

A:剖面線

L11、L12:電極端

L21、L22:電極端

L31、L32:電極端

R25:光譜曲線

R85:光譜曲線

圖1為本發明發光裝置的俯視示意圖；圖2為本發明發光裝置的剖面示意圖；圖3為不同色溫的黑體輻射曲線示意圖；以及圖4為本發明發光裝置在不同溫度下的頻譜示意圖。

茲有關本發明之技術內容及詳細說明，配合圖式說明如下。

請參閱圖1至圖2所示。其中，圖1為本發明發光裝置的俯視示意圖。圖2為本發明發光裝置的剖面示意圖。

本發明之實施例中，所述發光裝置包括發光二極體模組10以及螢光模組20。其中，發光二極體模組10包括第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13的其中至少二者。第一發光二極體11的波長可介於440奈米至450奈米之間。第二發光二極體12的波長可介於450奈米至460奈米之間，第三發光二極體13的波長可介於465奈米至475奈米之間。進一步地，其中，第一發光二極體11的波長可介於445奈米至450奈米之間。第二發光二極體12的波長可介於452.5奈米至460奈米之間。第三發光二極體13的波長可介於465奈米至470奈米之間。

在本發明之所述實施例中，第一發光二極體11的數量佔第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13之總數量的30%以上。第二發光二極體12的數量佔第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13之總數量的20%以上。第三發光二極體13的數量佔第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13之總數量的20%以上。在本發明之所述實施例中，若第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13的總數量為12pcs，則第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13之間的比例可以是1：1：1、4：5：3或5：4：3。如圖1所示，所述發光二極體模組10具有三個分別包括12件(pcs)的發光二極體燈串，第一燈串可包括電極端L11以及電極端L12，第二燈串可包括電極端L21以及電極端L22，第三燈串可包括電極端L31以及電極端L32。然而本發明不受所述之限制。

進一步而言，本發明之所述實施例的第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13可以是採用裸晶直接貼覆於基板30上的晶片直接封裝(chip on board,COB)方式進行加工。與標準產品相比，晶片直接封裝(COB)是LED市場相對較新的產品且提供更多的優點。COB基本上是製造商將多個LED晶片(通常有九個或更多個)直接黏合至基板，形成單一模組。由於COB中使用的個別LED為晶片形態而非傳統的封裝形態，因此晶片能以減少空間的方式進行安裝，並且徹底發揮LED晶片的潛力。COB封裝在通電後，其外觀較類似一塊發光板而不是多個獨立發光體(多個SMD LED緊密安裝時的情形)。

螢光模組20配置於發光二極體模組10之上，且罩設於第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13之外。其中，螢光模組20包括綠螢光粉以及紅螢光粉，綠螢光粉的波長峰值可介於515奈米以及545奈米之間，紅螢光粉的波長峰值大於630奈米。並且，當綠螢光粉具有120至140重量份時，紅螢光粉具有10至30重量份。進一步而言，綠螢光粉包括第一螢光粉以及第二螢光粉，第一螢光粉的波長峰值可介於515奈米至530奈米，第二螢光粉的波長峰值可介於525奈米至540奈米之間。在本發明之所示實施例中，紅螢光粉僅包括第三螢光粉，第三螢光粉的波長峰值介於640奈米至660奈米之間。並且，當第一螢光粉具有90至110重量份時，第二螢光粉可具有20至40重量份，第三螢光粉可具有10至30重量份。

如圖2所示，為圖1沿剖面線A所示之剖面。在本發明之所述實施例中，螢光模組20可更包括有光學透明膠體(例如環氧樹脂epoxy resin)，可使第一螢光粉、第二螢光粉以及第三螢光粉均勻地散佈於光學透明膠體中而形成封裝材料，且覆設於發光二極體模組10之上，用以隔絕第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13 與外界環境。在本發明之所述實施例中，在基板30上更包括有圍牆膠40，用以圈繞螢光模組20，而使光學透明膠體、第一螢光粉、第二螢光粉以及第三螢光粉固定於發光二極體模組10之上。然而本發明不受所述之限制。

請參閱圖3至圖4所示。其中，圖3為不同色溫的黑體輻射曲線示意圖。圖4為本發明發光裝置在不同溫度下的頻譜示意圖。所述黑體輻射是指處於熱力學平衡態的黑體發出的電磁輻射，黑體輻射的電磁波譜只取決於黑體的溫度。另一方面，所謂黑體輻射其實就是光和物質達到平衡所表現出的現象。物質達到平衡，所以可以用一個溫度來描述物質的狀態。。如圖4所示，以色溫4000K之黑體輻射為例，在使用本發明所述之發光裝置時，所使用之第一發光二極體11、第二發光二極體12以及第三發光二極體13的其中至少二者與綠螢光粉以及紅螢光粉的搭配可產生符合全光譜規格之光譜。且由於當綠螢光粉具有120至140重量份時，紅螢光粉僅具有10至30重量份，因此本發明可以在一般使用之2700K至4000K的黑體輻射光譜應用範圍內，產生具有溫度穩定的光譜。

如圖4所示，以預設產生色溫4000K之黑體輻射的規格的產品，在室溫攝氏25度(如圖4的光譜曲線R25)加熱至熱態攝氏85度(如圖4的光譜曲線R85)所產生之光譜曲線並沒有使得整體所產生的光譜峰值產生嚴重偏移。例如在波長450奈米(nm)至500奈米(nm)之間的光譜峰值，以及鄰近650奈米(nm)附近的光譜峰值，並沒有因為溫度差異而產生嚴重偏移。雖然圖4僅顯示符合色溫4000K之黑體輻射的態樣，然而依據本發明所實際測得的結果，本發明之所述實施例在色溫3000K之黑體輻射以及色溫2700K之黑體輻射時，亦符合在室溫攝氏25度加熱至熱態攝氏85度所產生的光譜曲線並沒有使得整體所產生的光譜峰值產生嚴重偏移的技術功效。

以上所述，僅為本發明較佳具體實施例之詳細說明與圖式，惟本發明之特徵並不侷限於此，並非用以限制本發明，本發明之所有範圍應以下述之申請專利範圍為準，凡合於本發明申請專利範圍之精神與其類似變化之實施例，皆應包括於本發明之範疇中，任何熟悉該項技藝者在本發明之領域內，可輕易思及之變化或修飾皆可涵蓋在以下本發明之專利範圍。

本說明書所附圖式繪示之結構、比例、大小、元件數量等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技術之人士瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。