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TWI741392B - 時脈電路 - Google Patents

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TWI741392B
TWI741392B TW108137600A TW108137600A TWI741392B TW I741392 B TWI741392 B TW I741392B TW 108137600 A TW108137600 A TW 108137600A TW 108137600 A TW108137600 A TW 108137600A TW I741392 B TWI741392 B TW I741392B
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capacitor
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吳憲宏
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旺宏電子股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種產生具有可調整時脈週期的時脈訊號的電路。電路包括：電容器、第一調整電路以及第二調整電路。第一調整電路經組態以基於第一參數用第一週期調整步驟調整時脈週期，且第二調整電路經組態以基於第二參數用第二週期調整步驟調整時脈週期。第一週期調整步驟與第二週期調整步驟不同。

Description

時脈電路
本發明技術是關於時脈電路，包含形成於積體電路上且為所述積體電路上的電路提供穩定操作頻率的此類時脈電路。
優先權申請案
本申請案主張2018年10月23日申請的美國臨時專利申請案第62/749,136號的權益，所述申請案以引用的方式併入本文中。
在諸多基於積體電路的系統中，為時脈訊號提供穩定的操作頻率或時脈週期至關重要。RC(Resistor Capacitor)時脈電路可應用於各種積體電路以提供所需時脈訊號。RC時脈電路可與其他晶片上組件高度整合且通常不需要外部組件。圖1A為示出RC時脈電路100的實例的電路圖。在RC時脈電路100中，時脈微調電阻器(clock trimming resistor)Rc 104控制流動通過電晶體Mr的電流Ir。電晶體M1、電晶體M2以及電晶體Mr形成電流鏡以回應於參考電壓Vref而建立電流I1、電流I2以及電流Ir。參考電壓Vref為電晶體M1、電晶體M2以及電晶體Mr的偏壓電壓，且由此用於控制電容器C1及電容器C2的交替充電及放電的速率。 在此實例中的切換電路包含一對比較器130、140、NAND閘110、D正反器120以及兩個開關SW11、SW22。比較器130將電容器C1的節點Vcap1處的電壓與參考電壓Vref進行比較且產生訊號cmp1，隨後將所述訊號發送至NAND閘110。舉例而言，若節點Vcap1處的電壓高於參考電壓Vref，則訊號cmp1處於高位準。否則，訊號cmp1處於低位準。比較器140將電容器C2的節點Vcap2處的電壓與參考電壓Vref進行比較且產生訊號cmp2。隨後將訊號cmp2發送至NAND閘110。舉例而言，若節點Vcap2處的電壓高於參考電壓Vref，則訊號cmp2處於高位準。否則，訊號cmp2處於低位準。自D正反器120輸出的訊號SW1用於啟用或停用開關SW11。舉例而言，若訊號SW1處於高位準，則啟用(亦即，導通)開關SW11。否則，停用(亦即，不導通)開關SW11。自D正反器120輸出的訊號SW2用於啟用或停用開關SW22。舉例而言，若訊號SW2處於高位準，則啟用開關SW22。否則，停用開關SW22。
當訊號SW1處於高位準且訊號SW2處於低位準時，電容器C1藉由啟用開關SW11朝VDD(Vcap1=VDD)充電，且電容器C2藉由斷開開關SW22開始根據放電電流I2自VDD朝接地放電。在將電容器C2處的電壓Vcap2放電之前，由於電壓Vcap1及電壓Vcap2二者均高於Vref，故自比較器130、比較器140輸出的訊號cmp1及訊號cmp2二者保持為高，從而使得在D正反器120的時脈輸入端上不發生訊號轉換，且訊號SW1及訊號SW2維持其先前電壓位準。當將電容器C2上的電壓Vcap2放電成低於Vref時，訊號cmp2自高位準改變為低位準，且在D正反器120的時脈輸入端上產生上升邊緣，使得訊號SW1改變為低位準且訊號 SW2改變為高位準。因此，電容器C2藉由接通開關SW22並且斷開開關SW11來立即朝VDD(Vcap2=VDD)充電。電容器C1開始根據放電電流I1自VDD放電至Vref。以此方式，切換電路交替地對電容器C1及電容器C2在VDD與Vref之間進行充電及放電。
在圖1A的電路中，時脈速率為電壓Vref的函數，此是因為其設定電容器上的電壓擺動的範圍及放電電流的大小。
圖1B示出具有可調電阻的時脈微調電阻器Rc 104的實例。時脈微調電阻器Rc 104的電阻由微調碼(trim code)調整，以便在某一所需目標時脈週期下設定時脈電路100的時脈週期。時脈微調電阻器Rc 104包含由6位元微調碼調整的若干可調整開關。解碼器108基於6位元微調碼來產生訊號以啟用時脈微調電阻器Rc 104中的開關。時脈微調電阻器Rc 104包含串聯連接的四十一個電阻單元，每一電阻單元與開關相關聯且電阻為R。若啟用開關t0，則時脈微調電阻器Rc 104的電阻是R。若啟用開關t1，則時脈微調電阻器Rc 104的電阻是2R。若啟用開關t2，則時脈微調電阻器Rc 104的電阻是3R。若斷開所有開關，則時脈微調電阻器Rc 104的電阻是42R。時脈微調電阻器Rc 104的電阻可自R調整為42R。
若時脈微調電阻器Rc 104中的電阻器是尺寸為L/W/M=10.8u/0.3u/2的n型擴散電阻器且開關是PMOS電晶體，則PMOS電晶體必須與W/L/M=11u/0.4u/4一樣大以將開關的寄生效應減至最小。M表示並聯連接的相同半導體裝置(亦即，電阻器或電晶體)的數目。W及L分別表示半導體裝置的寬度及長度。 因此，時脈微調電阻器Rc 104(在此實例中具有42個電阻器)需要13,974平方微米的總面積。n型擴散電阻器僅佔據總面積的10%，而剩餘的90%由開關及解碼器佔據。換言之，為了僅藉由啟用開關來調整圖1B中的時脈微調電阻器Rc 104的電阻，開關及解碼器的面積損失(area penalty)是電阻器的面積損失的9倍。因此，圖1B中的時脈微調電阻器Rc 104就電阻器使用率而言未節約面積。
圖1B中的時脈微調電阻器Rc 104的另一缺點是可適用的時脈調整範圍可能因電阻器中的電阻變化而變小。舉例而言，時脈微調電阻器Rc 104可因製造製程的變化而具有+/-15%的電阻變化。圖1C示出在兩種邊角情況(corner case)下圖1A中的時脈電路100的時脈週期。RES_FAST(所有電阻單元中的典型電阻減小-15%)及RES_SLOW(所有電阻單元中的典型電阻增大+15%)分別表示製造製程的快邊角及慢邊角。調整範圍的交疊為自88.1奈秒至92.9奈秒，或為RES_FAST邊角情況的整個範圍的約17%(=4.8奈秒/27奈秒)的4.8奈秒。換言之，可適用的調整範圍因電阻變化而受限。
因此，解決上文所提到的限制中的一或多者的時脈電路技術是需要被提出的，諸如具有更寬或更精確的時脈週期調整範圍的更節約面積的時脈電路。
本文中描述了一種具有第一調整電路及第二調整電路的時脈電路，所述時脈電路可提供更精確的調整及更大的調整範圍 且此外亦提供面積減小的電路。時脈電路包括：振盪器，包含RC網路，所述RC網路產生可用作積體電路上的頻率參考的時脈輸出訊號。可使用參數將時脈輸出訊號的時脈週期調整為某一所需目標時脈週期。參數可以是所儲存的參數。參數可以是靜態參數，其中用於本說明書的目的的靜態參數在時脈訊號意欲維持恆定的或實質上恆定的週期或頻率的時間期間為恆常(unchanging)參數，且可例如在校準過程或其他操作期間進行設定，從而設定所需時脈週期。
本文中所描述的與第一調整電路及第二調整電路耦接的振盪器包括：第一電容器；第二電容器；第一節點，以操作方式耦接至所述第一電容器，所述第一節點具有的電壓為所述第一電容器上電荷的函數；第二節點，以操作方式耦接至所述第二電容器，所述第二節點具有的電壓為所述第二電容器上電荷的函數；以及切換電路，具有所述第一節點及所述第二節點的電壓作為訊號輸入，且經組態以交替地對第一電容器及第二電容器進行充電及放電且產生時脈輸出訊號。
在一些實施例中，第一調整電路包含可基於第一參數用第一電阻調整步驟(例如，較粗略電阻調整步驟)進行調整的可調電阻。第二調整電路包含可基於第二參數用第二電阻調整步驟(例如，較精細電阻調整步驟)進行調整的可調電阻。時脈輸出訊號的時脈週期取決於第一調整電路的可調電阻及第二調整電路的可調電阻。
在一些實施例中，第一調整電路與第二調整電路串聯連接。第一調整電路包括串聯連接的多個第一電阻單元、第一開關以 及第一解碼器。多個第一電阻單元中的第一電阻單元可由回應於由第一解碼器基於第一參數來產生的訊號的第一開關進行選擇。第二調整電路包括串聯連接的多個第二電阻單元、第二開關以及第二解碼器。多個第二電阻單元中的第二電阻單元可由回應於由第二解碼器基於第二參數來產生的訊號的第二開關進行選擇。多個第一電阻單元中的第一電阻單元比多個第二電阻單元中的第二電阻單元具有更高的電阻。
在一些實施例中，切換電路包括：比較器，將第一節點及第二節點的電壓與參考電壓進行比較且產生比較訊號；邏輯電路，回應於所述比較訊號而產生時脈輸出訊號；以及開關，回應於時脈輸出訊號且啟用第一電容器及第二電容器的交替充電及放電。
在一些實施例中，參考電壓取決於第一調整電路的可調電阻。在一些實施例中，參考電壓取決於第一調整電路的可調電阻及第二調整電路的可調電阻的組合。時脈週期為第一電容器及第二電容器的充電及放電的速率的函數，且為第一電容器及第二電容器上的電壓的電壓擺動的範圍的函數。在一些實施例中，充電及放電的速率及電壓擺動的範圍中的一或多者取決於參考電壓。
本文中描述了具有第一調整電路及第二調整電路的另一時脈電路。時脈電路包括：第一電容器；第二電容器；第一節點，以操作方式耦接至所述第一電容器，所述第一節點具有的電壓為所述第一電容器上電荷的函數；第二節點，以操作方式耦接至所述第二電容器，所述第二節點具有的電壓為所述第二電容器上電荷的函數；以及切換電路，具有所述第一節點及所述第二節點的電壓作為訊號輸入，且經組態以交替地對第一電容器及第二電容器進 行充電及放電且產生時脈輸出訊號。第一調整電路可具有可基於第一參數用較粗略電阻調整步驟進行調整的可調電阻。第二調整電路基於第二參數來調整第一電容器及第二電容器的充電電流及放電電流。時脈輸出訊號的時脈週期取決於第一調整電路的可調電阻及由第二調整電路調整的第一電容器及第二電容器的經調整的充電電流及放電電流。
第一調整電路包括串聯連接的多個第一電阻單元、第一開關以及第一解碼器。多個第一電阻單元中的第一電阻單元可由回應於由第一解碼器基於第一參數來產生的訊號的第一開關進行選擇。第二調整電路包括多個電流鏡單元、第二開關以及第二解碼器。多個電流鏡單元中的電流鏡單元可由回應於由第二解碼器基於第二參數來產生的訊號的第二開關進行選擇。藉由調整由電流鏡單元提供的電流的大小，可調整電容器的放電速率或充電速率，從而調整時脈週期。多個電流鏡單元中的一個電流鏡單元連接至第一電容器，且多個電流鏡單元中的另一電流鏡單元連接至第二電容器。
本文中描述了具有第一調整電路及第二調整電路的另一時脈電路。時脈電路包括：第一電容器；第二電容器；第一節點，以操作方式耦接至所述第一電容器，所述第一節點具有的電壓為所述第一電容器上電荷的函數；第二節點，以操作方式耦接至所述第二電容器，所述第二節點具有的電壓為所述第二電容器上電荷的函數；以及切換電路，具有所述第一節點及所述第二節點的電壓作為訊號輸入，且經組態以交替地對第一電容器及第二電容器進行充電及放電且產生時脈輸出訊號。第一調整電路經組態以基於 第一參數用第一週期調整步驟調整時脈週期。第二調整電路經組態以基於第二參數用第二週期調整步驟調整時脈週期，其中第二週期調整步驟與第一週期調整步驟不同。舉例而言，第二週期調整步驟可以是比第一週期調整步驟更精細的週期調整步驟。
本文中描述了具有第一調整電路、第二調整電路以及第三調整電路的另一時脈電路。第一調整電路包含可基於第一參數用第一電阻調整步驟(例如，較粗略電阻調整步驟)進行調整的可調電阻。第二調整電路包含可基於第二參數用第二電阻調整步驟(例如，較精細電阻調整步驟)進行調整的可調電阻。第三調整電路基於第三參數來調整第一電容器及第二電容器的充電電流及放電電流。時脈輸出訊號的時脈週期取決於第一調整電路的可調電阻、第二調整電路的可調電阻以及由第三調整電路進行調整的第一電容器及第二電容器的經調整的充電電流及放電電流。
在審閱接下來的圖式、實施方式以及申請專利範圍之後可以看出本文中所描述的技術的其他態樣以及優點。
100:RC時脈訊號
104、Rc:時脈微調電阻器
108:解碼器
110、310、510、810:NAND閘
120、320、520、820:D正反器
130、140、330、340、530、540、830、840:比較器
200、300、500、800、980:時脈電路
202:RC網路
206:第一週期調整電路
208:第二週期調整電路
209:第三週期調整電路
210:第一電容器
212:第二電容器
214、312、512、812:切換電路
216:第一電容器及第二電容器的節點的電壓
230:時脈輸出訊號
232:第一參數
234:第二參數
236:第三參數
304、330、502、802、R1:第一時脈微調電阻器
306、308:電流鏡單元
504、R2:第二時脈微調電阻器/第二微調電阻器
610:電阻單元
804:第二時脈微調電阻器
806、808:電流鏡單元/電流單元
960:記憶體陣列
961:列解碼器
962:字元線
963:頁緩衝器
964:位元線
965:匯流排
967、971:線
969:控制邏輯
974:電路/方塊
975:積體電路
981:非揮發性參數記憶體/參數記憶體
cmp1、cmp2、SW1、SW2、TSP:訊號
C1:電容器/第一電容器
C2:電容器/第二電容器
I1、I2、Ir:電流/放電電流
I、II:表
L:長度
M1、M2、Mr:電晶體/NMOS電晶體
R:電阻
R1:第一NMOS電晶體
R2:第二NMOS電晶體
RES_FAST、RES_SLOW:邊角情況
Rf:可調電阻/電阻
Rs:電阻
s0、s1、s2、SW11、SW22:開關
S0:可調整開關
S1:第一開關/可調整開關
S2:第二開關/可調整開關
t0、t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8、t9、t10、t11、t12、t13、t14、t15、t16、t17、t18、t19、t20、t21、t22、t23、t24、t25、t26、t27、t28、t29、t30、t31、t32、t33:開關/可調整開關
Vcap1、Vcap2:節點/電壓
Vref:參考電壓
W:寬度
圖1A、圖1B以及圖1C示出時脈電路的先前技術模型。
圖2示出具有第一調整電路及第二調整電路的時脈電路。
圖3A及圖3B示出具有第一調整電路及第二調整電路的時脈電路的第一實例的示意圖。
圖4A示出圖3A及圖3B中的時脈電路的可調電阻的表。
圖4B是示出時脈週期與圖3A及圖3B中的時脈電路的第一 調整電路及第二調整電路的可調電阻之間的關係圖。
圖5示出具有第一調整電路及第二調整電路的時脈電路的第二實例的示意圖。
圖6示出圖5中的時脈電路的第一調整電路及第二調整電路的實例。
圖7示出圖5中的時脈電路的可調電阻的表。
圖8示出具有第一調整電路、第二調整電路以及第三調整電路的時脈電路的實例的示意圖。
圖9是如本文中所描述的包含具有第一調整電路及第二調整電路的時脈電路的積體電路的方塊圖。
參看圖2至圖9提供對技術的實施例的詳細描述。
圖2是產生時脈輸出訊號230的具有第一調整電路及第二調整電路的時脈電路200的簡化圖。時脈電路200包含：RC網路202，包含第一電容器210及第二電容器212。RC網路202亦包含第一調整電路206及第二調整電路208。RC網路202亦可包含第三調整電路209。
時脈電路200更包含產生時脈輸出訊號230的切換電路214。切換電路214經組態以經由切換電路214產生的時脈輸出訊號230基於第一電容器210及第二電容器212的端子節點處的電壓216交替地對第一電容器210及第二電容器212進行充電及放電。
可藉由向第一調整電路206提供第一參數232且向第二 調整電路208提供第二參數234來在一些所需目標時脈週期下調整時脈輸出訊號的時脈週期。在具有第三調整電路209的實施例中，向第三調整電路209提供第三參數236。可使用參數來設定調整電路中的靜態電阻(亦即，調整電路的電阻在時脈電路的操作期間是靜態的)或調整RC網路202中的電流鏡比(current mirror ratio)(亦即，電流鏡比在時脈電路的操作期間是靜態的)。可將參數儲存於作為時脈電路的相同積體電路上的揮發性記憶體或非揮發性記憶體中。第一參數、第二參數以及第三參數可以是靜態參數。
第一調整電路206經組態以用第一週期調整步長調整時脈輸出訊號230的時脈週期。第一調整電路206可具有基於第一參數(例如，用以設定第一微調電阻器中的電阻的參數)的可組態電阻。
第二調整電路208經組態以用第二週期調整步長調整時脈週期。在一個實施例中，第二調整電路208可具有基於第二參數234(例如，用以設定第二微調電阻器中的電阻的參數)的可組態電阻。第一調整電路及第二調整電路的可調電阻控制第一電容器210及第二電容器212的充電及放電的速率。
在另一實施例中，第二調整電路208亦可基於第二參數234來減小第一電容器及第二電容器的充電電流及放電電流。時脈輸出訊號的時脈週期取決於第一調整電路的可調電阻及由第二調整電路調整的第一電容器及第二電容器的經調整的充電電流及放電電流。
在時脈電路200中，調整時脈輸出訊號230的時脈週期 的職責由第一調整電路206及第二調整電路208共同承擔。第一調整電路206經組態以第一週期調整步長調整時脈週期，且第二調整電路208經組態以第二週期調整步長調整時脈週期。第二週期調整步長可與第一週期調整步長不同。舉例而言，第一調整電路206可具有較粗略電阻調整步驟，且第二調整電路208可具有較精細電阻調整步驟。舉例而言，第一調整電路206可經組態以具有可在R、2R、3R、4R等中選擇的電阻。第二調整電路208可經組態以具有可在0R、0.25R、0.5R以及0.75R中選擇的電阻。可使用第二調整電路208以在第一調整電路206的兩種電阻狀態之間對時脈電路200的時脈週期進行精細調整。舉例而言，第一調整電路206可經組態以具有2R的電阻，且第二調整電路208可經組態以具有可忽略的電阻或0.25R、0.5R以及0.75R的電阻。因此，可分別使用2R、2.25R、2.75R的選定電阻來調整RC網路202的有效電阻。為達成4.5R的選定電阻，第一調整電路206可經組態以具有4R的電阻，且第二調整電路208可經組態以具有0.5R的電阻。
將調整時脈電路200的時脈輸出訊號230的時脈週期的職責劃分會產生比圖1B中的時脈微調電阻器Rc 104更小的調整電路。因此，本文中所描述的技術可提供更節約面積的時脈電路，且可在時脈電路200的時脈週期的更寬範圍中提供。
在一些實施例中，時脈電路200可包含第三調整電路209，所述第三調整電路經組態以基於第三參數236來調整時脈輸出訊號230上的時脈週期，從而在調整時脈週期時提供甚至更大的範圍或更高的精確度。
圖3A示出具有第一調整電路及第二調整電路的時脈電路300的第一實例的示意圖。時脈電路300包含第一電容器C1、第二電容器C2、作為第一調整電路的第一時脈微調電阻器304、第二調整電路以及切換電路312。作為第一調整電路的第一時脈微調電阻器304控制流動通過電晶體Mr的電流Ir。節點Vcap1具有的電壓為第一電容器C1上電荷的函數。節點Vcap2具有的電壓為第二電容器C2上電荷的函數。
參考電壓Vref是電晶體M1、電晶體M2以及電晶體Mr的偏壓電壓。使用參考電壓Vref來控制電容器C1及電容器C2的交替充電及放電。電容器C1及電容器C2可具有相同或不同的電容。
切換電路312包含一對比較器330、340、NAND閘310、D正反器320以及兩個開關SW11、SW22。比較器330將電容器C1的節點Vcap1處的電壓與參考電壓Vref進行比較並且產生訊號cmp1，據此，其隨後被發送至NAND閘310。舉例而言，若節點Vcap1處的電壓高於參考電壓Vref，則訊號cmp1處於高位準。否則，訊號cmp1處於低位準。比較器340將電容器C2的節點Vcap2處的電壓與參考電壓Vref進行比較並且產生訊號cmp2，其隨後被發送至NAND閘310。舉例而言，若節點Vcap2處的電壓高於參考電壓Vref，則訊號cmp2處於高位準。否則，訊號cmp2處於低位準。分別使用自D正反器120輸出的訊號SW1及訊號SW2來啟用或停用開關SW11及開關SW22。
圖3B示出具有可調電阻Rf的第一時脈微調電阻器304的實例。第一時脈微調電阻器304的電阻由微調碼進行調整。第 一時脈微調電阻器304包含可由4位元第一參數選擇的十五個可調整開關。第一解碼器基於4位元第一參數來產生訊號以啟用第一時脈微調電阻器304中的開關。第一時脈微調電阻器304包含串聯連接的十五個電阻單元，每一電阻單元與開關相關聯且電阻為R。若啟用開關t0，則第一時脈微調電阻器304的電阻Rf是R。若啟用開關t1，則第一時脈微調電阻器304的電阻Rf是2R。若斷開所有開關，則第一時脈微調電阻器304的電阻Rf是16R。第一時脈微調電阻器304的電阻Rf可自R調整為16R。
在一些實施例中，電阻單元可包括n型電阻器及作為開關的PMOS電晶體。舉例而言，若n型擴散電阻器具有尺寸L/W/M=10.8u/0.3u/2且作為開關的PMOS電晶體具有尺寸W/L/M=11u/0.4u/4，則第一時脈微調電阻器304需要5200平方微米的總面積。因此，第一時脈微調電阻器304遠比圖1B中的時脈微調電阻器Rc 104更小且更節約面積。
參看圖3A，時脈電路300中的第二調整電路包含兩個電流鏡單元306及電流鏡單元308。電流鏡單元調整第一電容器C1及第二電容器C2的充電電流及放電電流。電流鏡單元306並聯連接於接地與第一電容器C1的節點Vcap1之間。電流鏡單元306包含第一NMOS電晶體R1及第一開關S1。電流鏡單元308並聯連接於接地與第二電容器C2的節點Vcap2之間。電流鏡單元308包含第二NMOS電晶體R2及第二開關S2。參考電壓Vref是電流鏡單元306中的第一NMOS電晶體R1及電流鏡單元308中的NMOS電晶體R2的偏壓電壓。電流鏡單元可包含若干電子裝置，諸如NMOS電晶體、PMOS電晶體、場效應電晶體、浮置閘極電晶體 等。
電流鏡單元306及電流鏡單元308藉由回應於電流鏡CM參數而調整電流I1、電流I2與電流Ir之間的電流鏡比來調整第一電容器C1及第二電容器C2的充電電流及放電電流(見圖3A)。舉例而言，NMOS電晶體Mr的尺寸M可為6(亦即，並聯連接的六個NMOS電晶體)，NMOS電晶體M1及NMOS電晶體M2的尺寸M可為5(亦即，並聯連接的五個NMOS電晶體)，且第一NMOS電晶體R1及第二NMOS電晶體R2的尺寸M為1(亦即，一個NMOS電晶體)。電流鏡單元306及電流鏡單元308中的第一開關S1及第二開關S2回應於由解碼器基於CM參數產生的訊號TSP，所述CM參數可以是如圖式中所指示的靜態參數。若啟用訊號TSP且接通開關S1及開關S2，則電流Ir與電流I1及電流I2之間的電流鏡比為等於1(亦即，Ir/I1=Ir/I2=6/6)。因此，時脈電路300的時脈週期是藉由第一時脈微調電阻器304的電阻來判定。若不啟用訊號TSP且斷開開關S1及開關S2，則電流Ir與電流I1及電流I2之間的電流鏡比為大於1(亦即，Ir/I1=Ir/I2=6/5)。在此實例中，增大的電流鏡比導致通過電容器C1及電容器C2的放電電流I1及放電電流I2減小，從而延長電容器C1及電容器C2的放電。在一些實施例中，電流鏡單元可將電流鏡比調整為小於1，從而啟用能夠提高放電速率的開關。在圖3A的電路中，時脈週期是電壓Vcap1及電壓Vcap2的擺動範圍的函數，如由藉由參數Rf設定的參考電壓Vref及由藉由電流鏡單元設定的電流的大小設定，如由參考電壓Vref及藉由CM參數設定的經啟用電流鏡單元的數目所控制。在一些實施例中，電流鏡單元可由與參考電壓 Vref不同的偏壓電壓(諸如帶隙參考電壓)控制，所述偏壓電壓可以是可調整的或固定的以適合特定實施例。減小放電電流具有延長給定參考電壓Vref的週期的效果，且可視為等效於增大Rf，從而減小參考電壓Vref以增大Vcap1及Vcap2的擺動範圍。
圖4A示出根據一個實例的圖3A中的時脈電路300的時脈週期的變化的等效微調電阻的表I。當CM參數接通設定6：6電流鏡比的開關S1及開關S2時，時脈電路中的等效微調電阻等於第一時脈微調電阻器304的電阻Rf。若啟用開關t0，則等效微調電阻是R。若啟用開關t1，則等效微調電阻是2R。若斷開所有開關，則等效微調電阻是16R。當CM參數斷開開關S1及開關S2，設定6：5電流鏡比時，充電電流及放電電流的大小減小，且等效微調電阻增大了第一時脈微調電阻器304的電阻Rf的20%。若啟用開關t0，則等效微調電阻是1.2R。若啟用開關t1，則等效微調電阻是2.4R。若斷開所有開關t0至開關t14，且CM參數斷開開關S1及開關S2，則等效微調電阻是19.2R。
圖4B是示出在製造設定為RES_SLOW及RES_FAST的邊角情況下，時脈週期與第一調整電路及第二調整電路(舉圖3A中的時脈電路300的一個實例)的可調等效電阻之間的關係的關係圖。使用5位元參數來選擇時脈週期，其中第一位元指明開關S1及開關S2是開啟(導通或閉合)還是關閉(不導通或切斷)。使用5位元參數的後4個位元來選擇第一時脈微調電阻器304的電阻。當開關S1及開關S2開啟(0與15之間的5位元參數)時，邊角情況RES_FAST的時脈週期的可調整範圍是33奈秒(=86奈秒-53奈秒)。當開關S1及開關S2關閉(16與31之間的5位元 參數)時，邊角情況RES_FAST的時脈週期的範圍是39.2奈秒(=101.5奈秒-62.3奈秒)。此外，邊角情況RES_FAST的時脈週期的總體調整範圍是48.5奈秒(=101.5奈秒-53奈秒)。邊角情況RES_FAST與邊角情況RES_SLOW之間的調整範圍的重疊(其對應於產品的安全規定調整範圍)在約101奈秒至約75奈秒之間，或RES_FAST情況的全部範圍的51%。
在一實例實施方案中，實施圖3A及圖3B的電路的可調整有效電阻特徵所需的總面積為約5200.9平方微米。相較於圖1A及圖1B中的電路的13,974平方微米，達成高於50%的電路面積減小，同時提供實質上更大的可調整範圍。
圖5示出具有第一調整電路及第二調整電路的時脈電路500的第二實例的示意圖。時脈電路500包含：RC網路，包括第一電容器C1；第二電容器C2；第一時脈微調電阻器502，作為第一調整電路；第二時脈微調電阻器504，作為第二調整電路；以及切換電路512。作為第一調整電路的第一時脈微調電阻器502與作為第二調整電路的第二時脈微調電阻器504串聯連接。第一時脈微調電阻器502及第二時脈微調電阻器504控制流動通過電晶體Mr的電流Ir，並且建立參考電壓Vref。切換電路512包含一對比較器530、540、NAND閘510、D正反器520以及兩個開關SW11、SW22。
第一電容器C1及第二電容器C2進行充電及放電的速率取決於微調電阻。第一時脈微調電阻器502經組態以用較粗略調整步長調整時脈週期，且第二時脈微調電阻器504經組態以用較精細電阻調整步長調整時脈週期。較精細電阻調整步長小於較粗 略電阻調整步長。舉例而言，第一時脈微調電阻器可具有電阻為R的較粗略調整步長，且第二時脈微調電阻器可具有電阻為0.25R的較精細調整步長。時脈電路500中的等效微調電阻是第一時脈微調電阻器的電阻Rf與第二時脈微調電阻器的電阻Rs的組合。可使用第二時脈微調電阻器504以在第一時脈微調電阻器502的兩種電阻狀態之間對時脈電路500的時脈週期進行精細調整。舉例而言，第一時脈微調電阻器502可經組態以具有2R的電阻Rf，且第二時脈微調電阻器可經組態以具有0.25r、0.5r以及0.75r的電阻Rs或可忽略的電阻。因此，時脈電路500中的等效微調電阻可以是2R、2.25R、2.75R。為達成4.5R的時脈電路500中的等效微調電阻，第一時脈微調電阻器可經組態以具有4R的電阻Rf，且第二時脈微調電阻器R2可經組態以具有0.5R的電阻Rs。
圖6示出第一時脈微調電阻器502及第二時脈微調電阻器504的實例。第一時脈微調電阻器502的電阻Rf由4位元第一參數進行調整。第一時脈微調電阻器502包含由4位元第一參數調整的十五個可調整開關t0至可調整開關t14。第一解碼器基於4位元第一參數來產生訊號以啟用第一時脈微調電阻器502中的開關。第一時脈微調電阻器502包含串聯連接的十五個電阻單元，每一電阻單元與開關相關聯且電阻為R。若啟用開關t0，則第一時脈微調電阻器502的電阻Rf是R。若啟用開關t1，則第一時脈微調電阻器502的電阻Rf是2R。若斷開所有開關，則第一時脈微調電阻器502的電阻Rf是16R。第一時脈微調電阻器502的電阻Rf可自R調整為16R。
第二時脈微調電阻器504的電阻Rs亦由2位元第二參數 進行調整。第二時脈微調電阻器504包含由2位元第二參數調整的三個可調整開關S0至可調整開關S2。第二解碼器基於2位元第二參數來產生訊號以啟用第二時脈微調電阻器504中的開關。第二微調電阻器504包含並聯連接的三個電阻單元(例如，電阻單元610)，每一電阻單元與開關相關聯且電阻為0.25R。若啟用開關S0，則第二時脈微調電阻器504的電阻Rs是可忽略的。若啟用開關s1，則第二時脈微調電阻器504的電阻Rs是0.25R。若啟用開關s2，則第二時脈微調電阻器504的電阻Rs是0.5R。若斷開所有開關，則第二時脈微調電阻器504的電阻Rs是0.75R。
在一些實施例中，第一時脈微調電阻器502及第二時脈微調電阻器504中的電阻單元可包括n型電阻器及作為開關的PMOS電晶體。若n型擴散電阻器具有尺寸L/W/M=10.8u/0.3u/2且作為開關的PMOS電晶體具有尺寸W/L/M=11u/0.4u/4，則第一時脈微調電阻器502及第二時脈微調電阻器504需要8921平方微米的總面積，其中總面積的20%由第一解碼器及第二解碼器佔據。因此，第一時脈微調電阻器502及第二時脈微調電阻器504的組合大小遠比圖1B中的時脈微調電阻器Rc 104更小且更節約面積。
圖7示出用於圖5中的時脈電路500的可調電阻的表II。第一時脈微調電阻器可具有電阻為R的較粗略調整步長，且第二時脈微調電阻器可具有電阻為0.25R的較精細調整步長。時脈電路500中的等效微調電阻是第一時脈微調電阻器的電阻Rf與第二時脈微調電阻器的電阻Rs的組合。可使用第二時脈微調電阻器在第一時脈微調電阻器的兩種電阻狀態之間對時脈電路500的時脈週期進行精細調整。為達成R的微調電阻，接通第一時脈微調電 阻器的t0開關及第二微調電阻器的s0開關。為達成1.25R的微調電阻，接通第一時脈微調電阻器的t0開關及第二微調電阻器的s1開關。為達成1.5R的微調電阻，接通第一時脈微調電阻器的t0開關及第二微調電阻器的s2開關。為達成1.75R的微調電阻，僅接通第一時脈微調電阻器的t0開關。類似地，為達成2R的微調電阻，接通第一時脈微調電阻器的t1開關及第二微調電阻器的s0開關。為達成2.25R的微調電阻，接通第一時脈微調電阻器的t1開關及第二微調電阻器的s1開關。為達成2.5R的微調電阻，接通第一時脈微調電阻器的t1開關及第二微調電阻器的s2開關。為達成2.75R的微調電阻，僅接通第一時脈微調電阻器的t1開關。
圖8示出具有第一調整電路、第二調整電路以及第三調整電路的時脈電路800的實例的示意圖。時脈電路800的RC網路包含：第一電容器C1；第二電容器C2；第一時脈微調電阻器802，作為第一調整電路；第二時脈微調電阻器804，作為第二調整電路；以及切換電路812。作為第一調整電路的第一時脈微調電阻器802與作為第二調整電路的第二時脈微調電阻器804串聯連接。第一時脈微調電阻器802及第二時脈微調電阻器804控制流動通過電晶體Mr的電流Ir。切換電路512包含一對比較器830、840、NAND閘810、D正反器820以及兩個開關SW11、SW22。
第三調整電路包含兩個電流鏡單元806及電流鏡單元808。電流鏡單元806並聯連接至第一電容器C1。電流鏡單元806包含第一NMOS電晶體R1及第一開關S1。電流鏡單元808並聯連接至第二電容器C2。電流鏡單元808包含第二NMOS電晶體R2及第二開關S2。參考電壓Vref是電流鏡單元806中的第一 NMOS電晶體R1及電流鏡單元808中的NMOS電晶體R2的偏壓電壓。電流單元806及電流單元808藉由回應於參考電壓Vref而調整電流I1、電流I2與電流Ir之間的電流鏡比來調整第一電容器C1及第二電容器C2的充電電流及放電電流。
第一電容器C1及第二電容器C2進行充電及放電的速率取決於Vref(如由時脈電路800的電阻Rs+Rf設定)及通過電容器的經調整的放電電流(如由開關S1及開關S2的狀態設定)。第一時脈微調電阻器802經組態以用較粗略調整步長調整時脈週期，且第二時脈微調電阻器804經組態以用較精細電阻調整步長調整時脈週期。較精細電阻調整步長小於較粗略電阻調整步長。
圖9是包含具有第一調整電路及第二調整電路的時脈電路980(例如RC振盪器)的積體電路975的簡化晶片方塊圖。此實例積體電路975包含具有時脈電路980的積體電路基板上的記憶體陣列960。如上文所描述，晶片上的非揮發性參數記憶體981儲存用於調整時脈訊號的週期的參數。在其他實施例中，亦可將參數記憶體981實施為部分的陣列960。在一些實施例中，若一個複本具有失效位元且仍可利用其他複本，則可對包含第一參數及第二參數的兩個或數個複本的備份複本進行編碼並將其儲存於相同非揮發性記憶體的不同方塊。例如，參數記憶體981或相同方塊內以保護第一參數及第二參數。在一些實施例中，時脈電路具有可由控制訊號設定的停用狀態。在停用狀態下，輸出訊號不振盪，且可將內部訊號設定為零或設定為內部經調節電壓位準。相較於啟用的時脈電路，停用的時脈電路的功耗可相對較小。
在所示出的記憶體晶片中，列解碼器961耦接至多個字 元線962，且沿記憶體陣列960中的列配置。在此實例中，頁緩衝器963耦接至多個位元線964，所述多個位元線沿記憶體陣列960中的行配置，以便自記憶體陣列960讀取資料及將資料寫入至所述記憶體陣列。在匯流排965上將位址供應至頁緩衝器963及列解碼器961。頁緩衝器963經由線971及線967耦接至資料輸入電路及資料輸出電路。
其他電路974可包含於晶片上以支援任務功能，從而提供系統單晶片SOC(System-On-a-Chip)功能性等。控制邏輯969(包含例如狀態機或其他控制電路)控制經由方塊968中的一或多個電壓供應產生或提供的供電電壓(諸如讀取電壓、驗證電壓以及程式電壓)的應用。
可使用所屬技術領域中已知的專用邏輯電路來實施控制邏輯(方塊974)。在替代實施例中，控制邏輯包括可實施於相同積體電路上的通用處理器，所述通用處理器執行電腦程式以控制裝置的操作。在又其他實施例中，可利用專用邏輯電路與通用處理器的組合來實施控制邏輯。
藉由晶片上電路(包含控制邏輯、其他電路的全部或部分以及頁緩衝器中的一或多者)將時脈輸出訊號用作時脈訊號。在一些實施例中，在不需要晶片外參考時脈的情況下，時脈電路可以是RC弛豫振盪器。在其他實施例中，時脈電路980可包括鎖頻迴路、鎖相迴路或延遲鎖定迴路。
出於本說明書的目的，若至少部分地由回應於參數的電路進行判定，則可將值(諸如電壓、電阻或電流)視為是基於參數的。參數可以是所儲存的參數。參數可以是靜態參數。
儘管參考上文詳述的較佳實施例及實例揭露本發明，但應理解，此等實例意欲為說明性而非限制性意義。預期所屬技術領域具有通常知識者將容易地想到各種修改以及組合，所述修改以及組合將在本發明的精神及以下申請專利範圍的範圍內。
200:時脈電路
202:RC網路
206:第一週期調整電路
208:第二週期調整電路
209:第三週期調整電路
210:第一電容器
212:第二電容器
214:切換電路
216:第一電容器及第二電容器的節點的電壓
230:時脈輸出訊號
232:第一參數
234:第二參數
236:第三參數

Claims (10)

  1. 一種產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，包括：第一電容器及第二電容器；第一節點，以操作方式耦接至所述第一電容器，所述第一節點具有的電壓為所述第一電容器上電荷的函數；及第二節點，以操作方式耦接至所述第二電容器，所述第二節點具有的電壓為所述第二電容器上電荷的函數；切換電路，具有所述第一節點及所述第二節點的電壓作為訊號輸入，且經組態以交替地對所述第一電容器及所述第二電容器進行充電及放電且產生所述時脈輸出訊號；第一調整電路，經組態以基於第一參數用第一週期調整步驟調整所述時脈週期；以及第二調整電路，經組態以基於第二參數用第二週期調整步驟調整所述時脈週期，所述第二週期調整步驟與所述第一週期調整步驟不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，其中所述切換電路包括：比較器，將所述第一節點及所述第二節點的所述電壓與參考電壓進行比較且產生比較訊號；邏輯電路，回應於所述比較訊號而產生所述時脈輸出訊號；以及開關，回應於所述時脈輸出訊號且啟用所述第一電容器及所述第二電容器的交替充電及放電， 其中所述第一調整電路調整所述參考電壓。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，其中所述第二調整電路調整所述第一電容器及所述第二電容器的充電電流及放電電流。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，其中所述第二調整電路包括使用所述參考電壓偏壓的多個電流鏡單元，所述多個電流鏡單元中的電流鏡單元可基於第三參數進行選擇。
  5. 一種產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，包括：第一電容器及第二電容器；第一節點，以操作方式耦接至所述第一電容器，所述第一節點具有的電壓為所述第一電容器上電荷的函數；及第二節點，以操作方式耦接至所述第二電容器，所述第二節點具有的電壓為所述第二電容器上電荷的函數；切換電路，具有所述第一節點及所述第二節點的電壓作為訊號輸入，且經組態以交替地對所述第一電容器及所述第二電容器進行充電及放電且產生所述時脈輸出訊號；具有可調電阻的第一調整電路，所述第一調整電路的所述可調電阻可基於第一參數用第一電阻調整步驟進行調整；以及具有可調電阻的第二調整電路，所述第二調整電路的所述可調電阻可基於第二參數用第二電阻調整步驟進行調整，其中所述時脈輸出訊號的所述時脈週期取決於所述第一調整電路的所述可調電阻及所述第二調整電路的所述可調電阻。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，其中所述切換電路包括：比較器，將所述第一節點及所述第二節點的所述電壓與參考電壓進行比較且產生比較訊號；邏輯電路，回應於所述比較訊號而產生所述時脈輸出訊號；以及開關，回應於所述時脈輸出訊號且啟用所述第一電容器及所述第二電容器的交替充電及放電。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，其中所述參考電壓取決於所述第一調整電路的所述可調電阻及所述第二調整電路的所述可調電阻；以及所述第一電容器及所述第二電容器的充電及放電的速率取決於所述參考電壓。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，其中所述第一調整電路與所述第二調整電路串聯連接。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，其中所述第一調整電路包括串聯連接的多個第一電阻單元、第一開關以及第一解碼器，所述多個第一電阻單元中的第一電阻單元可由回應於由所述第一解碼器基於所述第一參數來產生的訊號的所述第一開關進行選擇。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的產生具有時脈週期的時脈輸出訊號的時脈電路，其中所述第二調整電路包括串聯連接的多個第二電阻單元、第二開關以及第二解碼器，所述多個第二電阻 單元中的第二電阻單元可由回應於由所述第二解碼器基於所述第二參數來產生的訊號的所述第二開關進行選擇。
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