[go: up one dir, main page]

TWI741175B - 基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI741175B
TWI741175B TW107113795A TW107113795A TWI741175B TW I741175 B TWI741175 B TW I741175B TW 107113795 A TW107113795 A TW 107113795A TW 107113795 A TW107113795 A TW 107113795A TW I741175 B TWI741175 B TW I741175B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
command signal
time
delay time
transition
period
Prior art date
Application number
TW107113795A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201907761A (zh
Inventor
西脇和浩
Original Assignee
荷蘭商Asm Ip控股公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Asm Ip控股公司 filed Critical 荷蘭商Asm Ip控股公司
Publication of TW201907761A publication Critical patent/TW201907761A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI741175B publication Critical patent/TWI741175B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32146Amplitude modulation, includes pulsing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32981Gas analysis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/3299Feedback systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

基板處理裝置的實例包括信號傳送器,輸出命令信號;以及RF產生器,接收命令信號,與命令信號的第一轉變同步開始輸出行進波功率,測量延遲時間,延遲時間是在命令信號的第一轉變後直到行進波功率的接收側達到預定施加功率狀態為止的時段,以及當在命令信號的第二轉變後經過延遲時間時,停止輸出行進波功率。

Description

基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法
說明的實例係關於基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法。
美國專利第8790743號,揭示在反應器內以施加RF功率脈衝處理基板的方法。這方法包括在反應器內以脈衝施加RF功率來處理基板、監視來自反應器指示RF功率的不規則脈衝的資料,包括來自配備在反應器內的光感應器的資料,此方法還包括計算監視資料中RF功率的不規則脈衝數量、決定是否可接受RF功率的不規則脈衝數量、以及如果決定RF功率的不規則脈衝數量是不可接受的,則啟動預定的順序。
在此說明的一些實例可以探討上述問題。在此說明的一些實例可以提供基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法,其能夠準確地在命令信號一指令信號所指定的期間供給電能給負載。
一些實例中,基板處理裝置包括信號傳送器,輸出命令信號;以及RF產生器,接收命令信號,與命令信號的上升同步開始輸出行進波功率,測量在命令信號上升後直到行進波功率的接收側達到預定施加功率狀態為止的時間期間之延遲時間,以及當在命令信號下降後經過延遲時間時,停止輸出行進波功率。
一些實例中,提供可電腦讀取的儲存媒體,將程式編碼,上述程式使電腦執行接收命令信號並與命令信號的上升同步開始輸出行進波,測量在命令信號上升後直到在行進波功率的接收側達到預定的施加功率狀態為止的時間期間之延遲時間,以及當在命令信號下降後經過延遲時間時,停止輸出行進波功率。
一些實例中,基板處理方法包括接收矩形波的命令信號,與命令信號的上升同步開始輸出行進波功率,測量在命令信號上升後直到在行進波功率的接收側達到預定施加功率狀態為止的時間期間之延遲時間,以及當在命令信號下降後經過延遲時間時,停止輸出行進波功率。
RF產生器從信號傳送器接收命令信號,輸出高頻功率並利用高頻功率處理基板。此RF產生器輸出高頻功率的時間期間由製作法所設定和管理的命令信號指定的時間期間來決定。RF產生器最好輸出與信號傳送器輸出的命令信號完全同步的高頻功率。換句話說,最好在命令信號指定的期間準確供給預定的電能給負載。不過,在RF產生器接收到命令信號後直到供給預定電能給負載為止,產生延遲時間。如此的時間延遲可能引起不能在命令信號指定的期間準確供給電能給負載的問題。
根據本發明實施例的基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法,將參考附圖說明。將指定相同的參考數字給相同或對應的元件,可以省略重複的說明。
第1圖係基板處理裝置10的方塊圖。基板處理裝置10具有輸出命令信號的信號傳送器12。命令信號關於,例如,用以根據例如製作法來命令供給電能給負載的期間之信號。命令信號可以是矩形波。
基板處理裝置10具有與信號傳送器12通訊的RF產生器14。RF產生器14接收從信號傳送器12輸出的命令信號,並輸出與命令信號同步的行進波功率。信號在信號傳送器12與RF產生器14之間經由數位輸入/輸出或類比輸入/輸出來進行交換。
匹配電路16連接至RF產生器14。反應器20的上電極20a連接至匹配電路16。反應器20係設計來供給高頻功率給上電極20a,在上電極20a和下電極20b之間供應氣體,並產生電漿以處理下電極20b上的基板。一些實例中,高頻功率是具有最小360kHz到最大60MHz頻率的電力。可以同步施加具有360-500kHz頻率的高頻功率以及具有12.06-60MHz頻率的高頻功率至上電極20a。在基板上處理的實例包括膜形成、蝕刻、膜的改製。
第2圖係說明高頻功率的波形等的波形圖。來自系統12的RF-on係從信號傳送器12傳送到RF產生器14的命令信號。Fwd功率係從RF產生器14輸出的行進波的功率。Ref功率係返回至RF產生器14的反射波的功率。實際的RF-on是以矩形波表示RF產生器14輸出高頻功率的期間。
在時間t1,命令信號從信號傳送器12輸出到RF產生器14,使來自系統12的RF-on的波形開始第一轉變,從第一狀態改變到第二狀態(例如上升)。雖然描述這第一轉換為上升,而在其他實例中,轉換可能從第一狀態下降到第二狀態(例如,從第一邏輯狀態到第二邏輯狀態)。RF產生器14與命令信號的第一轉換同步開始輸出行進波功率。於是,當命令信號在時間t1輸出時,RF產生器14輸出高頻功率,產生行進波功率。不過,因為初始行進波功率小,達到預定功率位準前要花一些時間。即,直到行進波穩定前需要一定的期間。
在時間t2,將行進波功率穩定。行進波功率從時間t1到時間t2的期間繼續改變(例如,上升),然後穩定在定值。產生行進波功率後直到穩定的延遲是主要延遲。第2圖中,行進波功率變成穩定所需要的時間由△t1表示。△t1是從命令信號的第一轉變開始直到行進波功率達到預定參考值為止的時間期間。△t1稱作”延遲時間”。
RF產生器14測量延遲時間△t1。即,RF產生器14測量檢測到命令信號的第一轉變的時間t1後直到行進波功率達到預定參考值的時間t2的時間期間。例如,RF產生器14可能具有功率感應器,可以使用此功率感應器測量行進波功率並藉此確認時間t2。
因為在時間t1到時間t2的期間沒達到電路匹配,產生相當大的反射波功率。時間t2到t3是將達到參考值的行進波功率穩定的供應給匹配電路16的期間。在此期間幾乎沒有反射波功率產生,並供給預定的電能給上電極20a。因此,在上電極20a和下電極20b之間形成充分的電漿,並在基板上執行處理。時間t2到t3的期間,例如是650msec(毫秒)。
當到達時間t3時,發生命令信號從第二狀態到第一狀態的第二轉變(例如下降)。雖然描述第二轉變為下降,而其他實例中,第二轉變可能是從第二狀態到第一狀態(例如,從一邏輯狀態到另一邏輯狀態)的上升。由於從時間t1到時間t3的期間例如為700 msec,設計命令信號在700msec的期間供給電能給負載。不過,因為行進波功率在延遲時間△t1的期間內沒達到參考值,650msec以上直到時間t3的期間係供給充分的電能給負載的期間。如此的期間可能不足以實現製作法中定義的處理。
因此,一些實例中,RF產生器14沒在命令信號的第二轉變後立刻停止輸出行進波功率,而只有當在命令信號的第二轉變後經過延遲時間△t1時,停止輸出行進波功率。即,RF產生器14延長以計算的延遲時間△t1來命令信號並輸出行進波功率。從時間t3到時間t4的期間,雖然於此期間中命令信號的第二轉變發生,但RF產生器14還是繼續輸出行進波功率。從時間t3到時間t4的期間等於延遲時間△t1。藉此,可以在700msec中供應充分的電能給負載,藉此達成命令信號的要求。
因此,藉由測量命令的第一轉變後不能供給充分電能的期間的延遲時間△t1,以及藉由在命令信號的第二轉變後以延遲時間△t1延長行進波功率的輸出,可以在信號指定的期間準確供給電能給負載命令。
當傳送一命令信號給RF產生器14時,如上述地延長行進波功率的輸出時間期間,以及當傳送下一命令信號給RF產生器14時,執行相同的處理。因為延遲時間根據RF產生器14的操作情況而變動,每次一傳送命令信號給RF產生器最好測量延遲時間,並使用最近的延遲時間。不過,當可以決定在某一時間期間延遲時間一般維持固定時,測量的延遲時間也可能用於下一命令信號。
當假設命令信號是矩形波時,第2圖所示的命令信號,以固定周期重複供應。當延遲時間△t1增加,RF產生器14在對應第一命令信號的行進波功率輸出結束前可能接收第二命令信號。為了避免如此的情況,在一些實例中,可能對延遲時間△t1設定上限。
使用上限的行進波功率的輸出將參考第3圖中的流程圖來說明。首先,步驟S1中,RF產生器14同於於命令信號的第一轉變(例如上升)來接收一命令信號並開始輸出行進波功率。這步驟稱作”輸出開始步驟”。
其次,處理進行到步驟S2。步驟S2中,測量延遲時間。如上述,延遲時間△t1是在命令信號的第一轉變後直到行進波功率達到預定參考值為止的時間期間。測量延遲時間△t1的步驟稱作”測量步驟”。
其次,處理進行到步驟S3。在步驟S3中判斷在RF產生器14中測量的延遲時間△t1是否大於上限。在一些實例中,可以將上限的資料預先儲存在RF產生器14的記憶體內。此上限是比從某一命令信號的第二轉變到下一命令信號的第一轉變為止的期間還短的期間。比較延遲時間△t1與預定的上限的步驟稱作”比較步驟”。
當延遲時間△t1大於上限,處理進行到步驟S4。在在比較步驟中判斷延遲時間△t1大於上限的情況下,當在命令信號的第二轉變後經過上限時,RF產生器14停止輸出行進波功率。停止輸出行進波功率的步驟稱作”停止步驟”。利用上限,可以同於下一命令信號的第一轉變同步而開始輸出行進波功率。
另一方面,在比較步驟中判斷延遲時間△t1小於上限的情況下,處理進行到步驟S5。步驟S5中,當在命令信號的第二轉變後經過延遲時間△t1時,RF產生器14停止輸出行進波功率。這使於命令信號特定的期間內準確供應電能成為可能。注意可以省略步驟S4和S5,例如,當不需要上限時。
在此,將說明用以實施RF產生器14的功能的結構。RF產生器14經由接收器接收命令信號。行進波功率由發射器輸出。延遲時間的測量和使用係以處理電路實現。即,RF產生器14具有處理電路,用以接收一命令信號,與命令信號的第一轉變同步而開始輸出行進波功率,測量延遲信號,比較延遲時間與預定上限,以及當在命令信號的第二轉變後經過延遲時間或上限時停止輸出行進波功率。處理電路可能是專用硬體或執行儲存在記憶體內的程式的CPU(也稱”中央處理單元、”處理裝置”’、”計算裝置”、”微處理器”、”微電腦”、”處理器”或”DSP”)。
第4圖係當處理電路14b是專用硬體時RF產生器14的方塊圖。RF產生器14具有接收器14a、處理電路14b以及發射器14c。處理電路14b相當於單一電路、混合電路、程式化處理器、平行程式化處理器、ASIC、FPGA或這些單元的結合。RF產生器14的每一功能可以以各處理電路14來b實施,或各功能可以以處理電路14b來集合實施。
第5圖係當處理電路是CPU時的RF產生器14方塊圖。在此情況下,上述系列的處理由程式控制。即,第3圖的流程是自動執行。當處理器14d是,如第5圖所示的CPU,RF產生器14的各功能由軟體、韌體或軟體和韌體的結合來實施。將軟體或韌體寫入作為程式並儲存在可電腦讀取的記憶體14e內。簡而言之,這程式使電腦同步於命令信號的第一轉變而執行開始輸出行進波功率、測量在命令信號的第一轉換後開始直到行進波功率達到預定參考值為止的時間期間之延遲時間、以及當在命令信號的第二轉換後經過延遲時間時停止輸出行進波功率。
記憶體14e可以相當於非揮發性或揮發性半導體記憶體,例如RAM、ROM,快閃記憶體,EPROM、EEPROM或磁碟、軟碟、光碟(optical disk)、光碟(compact disk)、微型磁碟(mini-disk)、DVD等。處理器14d藉由讀取和執行記憶體14e內儲存的程式實施上述各個功能。處理器14d可以儲存測量的延遲時間。處理器14d,是CPU,其讀取記憶體14e內儲存的延遲時間並以對應延遲時間的量延長行進波功率的輸出期間。記憶體內儲存的延遲時間可用於複數個命令信號,或每次接收命令信號可以計算延遲時間。
當然,可以以專用的硬體實施部分的RF產生器14,以軟體或韌體實施另一部分。
根據第一實施例的基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法可以在不失去其特徵的範圍內做修改。例如,不需要以上述計算方法計算延遲時間△t1。第一實施例中,延遲時間△t1的結束時間假設為行進波功率達到預定參考值的時間點。不過,可以歸納延遲時間為”在命令信號的第一轉變後直到在行進波功率接收側實現施加預定功率狀態為止的時間期間”。即,延遲時間是從命令信號的第一轉變開始的期間,其中預定的電能應供給給負載但實際上沒供給。因此,延遲時間△t1的結束時間不受限於行進波功率達到預定參考值的時間點,但可以定義為在行進波功率接收側實現施加預定功率狀態的時間點。其他延遲時間設定方法將在此更進一步說明。
為了增加命令信號和實際控制間一致性水平而需要之各種基板處理裝置,可以發展在此說明的技術。參考第1-5圖說明的技術和元件可以應用至根據在此說明的其他實施例的基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法。注意,因為根據其他實施例的基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法可以包括參考第1-5圖說明的實施例的基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法的共同點,將集中說明不同於已說明之處。
第6圖係根據一些實施說明基板處理裝置的操作之波形圖。第6圖的實例中,假設從命令信號的第一轉變後直到到達RF產生器14的反射波功率下降至預定參考值以下為止之時間期間為延遲時間。即,第6圖中從時間t1到t3的期間假設為延遲時間△t2。時間t3係反射波功率下降至預定參考值以下的時間。
當阻抗匹配完成時,反射波功率理論上變成0。不過,即使當完成達成阻抗匹配時,也可能檢測到幾瓦的反射波功率。因此,取代0W,最好設定夠低的值,例如,大約2W作為參考值。可以使用RF產生器14中備置的功率感應器監視反射波功率,並假設在命令信號的第一轉變後直到反射波功率下降至2W以下為止的時間期間為延遲時間。當在命令信號的第二轉變後經過延遲時間△t2時,RF產生器14停止輸出行進波功率。
以此方式,可以在命令信號指定的期間準確供給電能給負載,並增加製作法中說明的處理和實際控制之間的一致性水平。
第7圖係根據一些實例說明基板處理裝置的結構方塊圖。此基板處理裝置具有經由匹配電路16接收行進波功率並產生電漿的反應器20。反應器20具有觀看埠20c,允許觀察其內部。在反應器20外部提供感應器30。感應器30經由觀看埠20c接收在反應器內以電漿產生的電漿光。感應器30將接收的光轉換為類比電壓。因此,感應器30可以將反應器20內的電漿光轉換為電信號。供應此電信號給RF產生器14。
第8圖係根據一些實例說明基板處理裝置的操作波形圖。底部的波形代表電漿發射強度。在時間t3,反射波功率大體上下降到0且供應足夠的電能給反應器20的上電極20a。在時間t3,電漿發射強度超過預定光輸出位準。因此,從感應器30供應超過預定位準的電信號給RF產生器14。RF產生器14測量在命令信號的第一轉變後直到此電信號的大小達到預定參考值為止的時間期間作為延遲時間。第8圖顯示延遲時間△t3。
藉由測量電漿發射強度超過預定光輸出位準的時間點作為延遲時間的結束時間,可以使命令信號指定的期間與實際電能供應期間一致。可以有利於反應在決定延遲時間中的電漿狀態。已經使用電漿發射強度作為電漿狀態的實例,但例如,在決定延遲時間的結束時間中可以反應電漿放電。
根據附加實例的基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法可以提供增加測量延遲時間的準確度。第9圖係反射波功率的波形的部分放大圖。當根據反射波功率決定延遲時間的結束時間時,必須檢測到達RF產生器14的反射波功率下降至預定參考值以下的時機,參考第6圖說明。這時機變成延遲時間的結束時間。不過,當反射波功率變動時,反射波功率下降至參考值以下的檢測時機的準確性惡化。
因此,一些實例使用定義在預定期間內參考值的上限及下限的視窗。第9圖中,以虛線顯示視窗40、41及42。設計視窗40為決定時間t1到ta的時間期間反射波功率是否維持在P1與P2之間。P1與P2,例如-2W與2W。設計視窗41為決定時間tb到tc的時間期間反射波功率是否維持在P1與P2之間。設計視窗42為決定時間td到te的時間期間反射波功率是否維持在P1與P2之間。與視窗40相同的視窗在視窗40和41之間無間隙並排排列,與視窗40相同的視窗也在視窗41和42之間無間隙並排排列。第9圖只圖示代表這些視窗的3個視窗40、41及42。一視窗例如有幾毫秒(msec)的時間寬度。
以視窗40對延遲時間的結束時間的檢測在時間t1開始,時間t1是命令信號的第一轉變發生的時間。因為反射波功率的波形存在於視窗40之外,判斷時間t1到ta的期間不符合延遲時間的結束時間。對繼續的視窗包括視窗41也將相繼做判斷。
在關於視窗42的判斷中,時間td到te的期間反射波功率的波形維持在P1與P2之間。當時間到達時間te,RF產生器14判斷反射波功率在預定期間下降至參考值之下,並指定其為預定期間的開始時間之時間td作為延遲時間的結束時間。在此實例中,測量從命令信號的第一轉變發生的時間t1到時間td的期間以作為延遲時間。
因此,一些實例中,指定視窗的開始點為延遲時間的結束時間之前,在對應視窗寬度的期間,反射波功率穩定降至參考值以下,可以藉此準確測量延遲時間。這使一些實例可以避免錯誤檢測反射波功率的短暫活動狀態。注意如此的處理可以由RF產生器14實行。
如此利用視窗檢測延遲時間的結束時間的方法也可以用於測量其他在此說明的實例的延遲時間。參考第1-5圖說明的實例中,當行進波功率超過參考值於預定期間時,RF產生器14可以指定預定期間的開始時間作為延遲時間的結束時間。參考第6圖說明的實例,當電信號的大小超過參考值於預定期間時,RF產生器14可以指定預定期間的開始時間作為延遲時間的結束時間。也可以使用結合在此說明的各實施例的基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法的技術特徵。
根據在此說明的實例,測量不能供給充分的電能給負載的期間之延遲時間,並以對應命令信號的第二轉變後的延遲時間的量延長行進波的功率輸出。這使一些實例中,於命令信號指定的期間可以準確供給電能給負載。
根據上述教導許多修正和變化是可能的。因此理解在申請專利範圍附屬項的範圍內除了特別說明之外還可以實行變更。
10‧‧‧基板處理裝置12‧‧‧信號傳送器14‧‧‧RF產生器14a‧‧‧接收器14b‧‧‧處理電路14c‧‧‧發射器14d‧‧‧處理器14e‧‧‧記憶體16‧‧‧匹配電路20‧‧‧反應器20a‧‧‧上電極20b‧‧‧下電極20c‧‧‧觀看埠30‧‧‧感應器DIO‧‧‧數位輸入/輸出AIO‧‧‧類比輸入/輸出FWD‧‧‧從RF產生器14輸出的行進波功率REF‧‧‧返回至RF產生器14的反射波功率t1…t3‧‧‧時間△t1…△t3‧‧‧延遲時間
[第1圖]係根據在此說明的一些實例的基板處理裝置的方塊圖; [第2圖]係說明高頻功率的波形等的波形圖; [第3圖]係基板處理流程的流程圖; [第4圖]係顯示RF產生器的實例結構; [第5圖]係顯示RF產生器的另一實例結構; [第6圖]係根據第二實施例圖示基板處理裝置的操作波形圖; [第7圖]係根據在此說明的一些實例圖示基板處理裝置的結構方塊圖; [第8圖]係根據在此說明的一些實例圖示基板處理裝置的操作波形圖;以及 [第9圖]係根據在此說明的一些實例顯示測量延遲時間的方法。
10‧‧‧基板處理裝置
12‧‧‧信號傳送器
14‧‧‧RF產生器
16‧‧‧匹配電路
20‧‧‧反應器
20a‧‧‧上電極
20b‧‧‧下電極
DIO‧‧‧數位輸入/輸出
AIO‧‧‧類比輸入/輸出
FWD‧‧‧從RF產生器14輸出的行進波功率
REF‧‧‧返回至RF產生器14的反射波功率

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置,包括:一信號傳送器,配置為輸出一命令信號;以及一RF產生器,配置為接收上述命令信號,與上述命令信號的一第一轉變同步開始輸出一行進波功率,測量在上述命令信號的上述第一轉變後直到在上述行進波功率的一接收側達到一預定施加功率狀態為止的時間期間之一延遲時間,以及更配置為當在上述命令信號的一第二轉變後經過上述延遲時間時停止輸出上述行進波功率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置,其中,上述延遲時間是在上述命令信號的上述第一轉變後直到上述行進波功率達到一預定參考值為止之一時間期間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的基板處理裝置,其中,當上述行進波功率超過上述預定參考值於一預定期間時,上述RF產生器配置為指定上述預定期間的一開始時間作為上述延遲時間的一結束時間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置,其中,上述延遲時間是在上述命令信號的上述第一轉變後直到上述RF產生器的一反射波功率降到一預定參考值以下為止之一時間期間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置,其中,當上述反射波功率下降至上述預定參考值以下於一預定期間,上述RF產生器配置為指定上述預定期間的一開始時間作為上述延遲時間的一結束時間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置,更包括:一反應器,配置為經由一匹配電路接收上述行進波功率並產生一電漿;以 及一感應器,配置為轉換上述電漿的光為一電信號;其中,上述延遲時間是在上述命令信號的上述第一轉變後直到上述電信號的一大小達到一預定參考值為止之一時間期間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板處理裝置,其中,當上述電信號的上述大小超過上述預定參考值於一預定期間,上述RF產生器配置為指定上述預定期間的一開始時間作為上述延遲時間的一結束時間。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述的基板處理裝置,其中,上述命令信號是一矩形波;上述RF產生器配置為當測量的上述延遲時間比一上限短且當在上述命令信號的一第二轉變後經過上述延遲時間時停止輸出上述行進波功率;以及上述RF產生器更配置為當測量的上述延遲時間超過上述上限且當在上述命令信號的上述第二轉變後經過上述上限時停止輸出上述行進波功率;其中,上述上限是比從某一命令信號的第二轉變到下一命令信號的第一轉變為止的期間還短的期間。
  9. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述的基板處理裝置,其中,上述RF產生器包括:一儲存媒體,配置為儲存上述延遲時間;以及一CPU,配置為讀取上述儲存媒體內儲存的上述延遲時間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的基板處理裝置,其中,上述RF產生器配置為使用儲存在上述儲存媒體內的上述延遲時間於複數的上述命令信號。
  11. 如申請專利範圍第2至7項中任一項所述的基板處理裝置, 其中,上述RF產生器配置為每次接收到上述命令信號時計算上述延遲時間。
  12. 一種可電腦讀取的儲存媒體,記錄一程式,當執行上述程式時,配置為使一電腦:接收一命令信號並與上述命令信號的一第一轉變同步開始輸出一行進波功率;測量一延遲時間,其係在上述命令信號的上述第一轉變後直到在上述行進波功率的一接收側達到一預定施加功率狀態為止的一時間期間;以及當在上述命令信號的一第二轉變後經過上述延遲時間時,停止輸出上述行進波功率。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的儲存媒體,其中,上述延遲時間是在上述命令信號的上述第一轉變後直到上述行進波功率達到一預定參考值為止之一時間期間。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的儲存媒體,其中,上述延遲時間是在上述命令信號的上述第一轉變後直到一反射波功率下降到一預定參考值以下為止之一時間期間。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的儲存媒體,其中,上述延遲時間是在上述命令信號的上述第一轉變後直到一電信號的大小達到一預定參考值為止之一時間期間,該電信號係藉由轉換接收上述行進波功率的一反應器產生的電漿光而得到的。
  16. 一種基板處理方法,包括:接收一矩形波的一命令信號,並與上述命令信號的一第一轉換同步開始輸出一行進波功率; 測量一延遲時間,其係在上述命令信號的上述第一轉變後直到在上述行進波功率的一接收側達到一預定施加功率狀態為止的一時間期間;以及當在上述命令信號的一第二轉變後經過上述延遲時間時,停止輸出上述行進波功率。
TW107113795A 2017-07-07 2018-04-24 基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法 TWI741175B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/644,535 US11094505B2 (en) 2017-07-07 2017-07-07 Substrate processing apparatus, storage medium and substrate processing method
US15/644,535 2017-07-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201907761A TW201907761A (zh) 2019-02-16
TWI741175B true TWI741175B (zh) 2021-10-01

Family

ID=64903400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107113795A TWI741175B (zh) 2017-07-07 2018-04-24 基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11094505B2 (zh)
KR (1) KR102694717B1 (zh)
CN (1) CN109216146B (zh)
TW (1) TWI741175B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210093758A (ko) * 2020-01-17 2021-07-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 적산값을 모니터링하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12206441B2 (en) 2022-03-31 2025-01-21 Dell Products L.P. Detection and cancellation of unwanted signals in a wireless communication radio unit
US12224782B2 (en) * 2022-04-14 2025-02-11 Dell Products L.P. Detection, cancellation, and evaluation of signals in a wireless communication radio unit

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6700092B2 (en) * 2001-04-06 2004-03-02 Eni Technology, Inc. Pulsing intelligent RF modulation controller
TW201112887A (en) * 2009-03-05 2011-04-01 Applied Materials Inc Inductively coupled plasma reactor having RF phase control and methods of use thereof
US8790743B1 (en) * 2013-03-04 2014-07-29 Asm Ip Holding B.V. Method for controlling cyclic plasma-assisted process
US9070537B2 (en) * 2012-06-18 2015-06-30 Kyosan Electric Mfg. Co., Ltd. High-frequency power supply device and reflected wave power control method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321601A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Toshiba Corp プラズマ処理終了点判定方法及びその装置
US20020123237A1 (en) * 2001-03-05 2002-09-05 Tue Nguyen Plasma pulse semiconductor processing system and method
US9355824B2 (en) * 2006-12-12 2016-05-31 Evatec Ag Arc suppression and pulsing in high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS)
JP5502879B2 (ja) * 2009-09-29 2014-05-28 株式会社東芝 基板処理装置
KR102133057B1 (ko) * 2012-06-22 2020-07-10 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 시스템에서의 제어를 위한 방법 및 장치
JP5822795B2 (ja) * 2012-07-17 2015-11-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR20160077557A (ko) * 2014-12-23 2016-07-04 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN108141949B (zh) * 2015-10-12 2019-11-12 通快激光与系统工程有限公司 高频激励脉冲产生等离子或激光脉冲方法设备和控制单元

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6700092B2 (en) * 2001-04-06 2004-03-02 Eni Technology, Inc. Pulsing intelligent RF modulation controller
TW201112887A (en) * 2009-03-05 2011-04-01 Applied Materials Inc Inductively coupled plasma reactor having RF phase control and methods of use thereof
TWI558273B (zh) * 2009-03-05 2016-11-11 應用材料股份有限公司 具有射頻相位控制之感應耦合電漿反應器及其使用方法
US9070537B2 (en) * 2012-06-18 2015-06-30 Kyosan Electric Mfg. Co., Ltd. High-frequency power supply device and reflected wave power control method
US8790743B1 (en) * 2013-03-04 2014-07-29 Asm Ip Holding B.V. Method for controlling cyclic plasma-assisted process

Also Published As

Publication number Publication date
US20190013181A1 (en) 2019-01-10
CN109216146A (zh) 2019-01-15
KR102694717B1 (ko) 2024-08-12
CN109216146B (zh) 2022-10-25
TW201907761A (zh) 2019-02-16
US11094505B2 (en) 2021-08-17
KR20190005799A (ko) 2019-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI593320B (zh) 用以同步電漿處理系統中之射頻脈衝的方法及設備
TWI593321B (zh) 利用基於阻抗之電力及頻率調整的電漿處理系統
TWI741175B (zh) 基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法
CN104969666B (zh) Rf脉冲发生与rf计量、处理和控制的同步
JP5850581B2 (ja) プラズマ未着火状態判別装置およびプラズマ未着火判別方法
JP2013171840A (ja) 多周波数rfパルス出力のための、周波数改善インピーダンス依存電力制御
JP2014146593A (ja) プラズマインピーダンスに関連するパラメータのチューニング
JP2015045553A (ja) スイッチング電源を備える二次電池の充放電装置
JP2017179425A (ja) 異常検知システム及び制御ボード
US9257900B2 (en) Signal peak detector and detection method, and control IC and method for a PFC converter
KR102122782B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 상기 플라즈마 처리 장치의 임피던스 매칭 방법
JP2021150379A (ja) 検出方法及びプラズマ処理装置
US20140043868A1 (en) Switching power supply system and control circuit of the switching power supply system
KR101790888B1 (ko) 초음파를 이용한 거리 측정 방법 및 이를 이용한 거리 측정 장치
JP7776821B2 (ja) パルス出力モニタ装置
JP2015210135A (ja) 電力計測装置
CN113884916B (zh) 电量判断模块及其电量校正的方法
CN113131586A (zh) 除颤仪高精度能量放电控制方法
CN106931472B (zh) 功率的获取方法和半导体微波炉
TW201926896A (zh) 用以檢測風扇晶片的時脈頻率偏移的系統及方法
KR20250135113A (ko) Rf 전원으로부터 결함 펄스를 검출
JPH04242180A (ja) 集積回路のac特性測定装置
JPH04283687A (ja) 信号応答遅れ時間測定装置及び信号応答遅れ時間測定方法
JPH0352279A (ja) ガスレーザ発振器