TWI741091B - 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明之課題係提供一種基板處理裝置，可以在液體處理之執行當中，檢測出要施行液體處理之區域的相關資訊。 課題之解決手段係提供一種基板處理裝置10，其具備：旋轉固持部21，固持晶圓W並加以旋轉；液體供給部22，對旋轉固持部21所固持之晶圓W之周緣部We供給處理液；感測器23，檢測周緣部We中的溫度分佈；以及控制裝置4，根據溫度分佈，執行周緣部We當中附著有處理液之區域、與未附著處理液之區域間的境界部B1、B2之檢測。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體

本案係有關於基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體。

於專利文獻1，揭露一種處液體處理裝置，用以藉由供給處理液而去除基板之周緣部的膜層。此液體處理裝置，構成為拍攝進行過液體處理後之周緣部的狀態，並根據此攝影結果，求取膜層之去除寬度，再移動處理液之供給位置，以調整膜層的去除寬度。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013－168429號公報

[發明所欲解決的問題] 若藉由專利文獻1之構成，在完成至少對一片基板所進行之液體處理後，必須使用該基板以量測去除寬度。為此，在去除寬度之量測結果超出容許範圍等等的情況下，就有可能無法有效地活用該用於量測去除寬度之基板。有鑑於此，本案之目的在於提供一種基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體，其可以在液體處理之執行當中，檢測出要施行液體處理之區域的相關資訊。 [解決問題之技術手段]

作為本案之一個面向的基板處理裝置，具備：旋轉固持部，固持基板並加以旋轉；液體供給部，對旋轉固持部所固持之基板之周緣部供給處理液；感測器，檢測周緣部中的溫度分佈；以及控制裝置，根據溫度分佈，執行周緣部當中附著有處理液之區域、與未附著處理液之區域間的境界部之檢測。 [發明之效果]

若藉由本案發明，可以在液體處理之執行當中，檢測出要施行液體處理之區域的相關資訊。

以下將參照圖式，對實施態樣進行詳細說明。於說明中，對於相同要件或具有相同功能之要件，將標註相同之符號，並省略重覆說明。

圖1係本實施態樣之基板處理系統之概略構成的繪示圖。於下文中，為了使位置關係明確，而定出彼此正交之X軸、Y軸及Z軸，並以Z軸正方向作為鉛直朝上的方向。如圖1所示，基板處理系統1包含搬入搬出站2及處理站3。搬入搬出站2與處理站3係鄰接設置。

搬入搬出站2包含載體載置部11及搬送部12。在載體載置部11載置複數之載體C，該複數之載體C以水平狀態容納複數片基板；於本實施態樣中，該基板係半導體晶圓（以下稱作「晶圓W」）。

搬送部12鄰接載體載置部11而設置，於其內部具備基板搬送裝置13及傳遞部14。基板搬送裝置13具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置13能向水平方向及鉛直方向移動，並能以鉛直軸為中心旋轉；使用晶圓固持機構，在載體C與傳遞部14之間搬送晶圓W。

處理站3係鄰接搬送部12而設置。處理站3包含搬送部15及複數之處理單元16。複數之處理單元16，係於搬送部15的兩側並列而設置。

於搬送部15的內部，具備基板搬送裝置17。基板搬送裝置17具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置17能向水平方向及鉛直方向移動，並能以鉛直軸為中心旋轉；使用晶圓固持機構，在傳遞部14與處理單元16之間搬送晶圓W。

處理單元16，對於基板搬送裝置17所搬來之晶圓W，進行既定的基板處理。

又，基板處理系統1包含控制裝置4。控制裝置4例如為電腦，其包含控制部18及記錄部19。在記錄部19儲存有用以控制在基板處理系統1中所執行之各種處理的程式。控制部18，藉由讀取並執行儲存於記錄部19的程式，以控制基板處理系統1的動作。

又，該程式亦可係儲存於可由電腦讀取的記錄媒體，而自該記錄媒體安裝至控制裝置4之記錄部19。作為可由電腦讀取的記錄媒體，例如有硬碟（HD）、軟性磁碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）及記憶卡等。

如上述構成之基板處理系統1中，首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13，從載置於載體載置部11之載體C，將晶圓W取出，並將取出之晶圓W載置於傳遞部14。載置於傳遞部14之晶圓W，係藉由處理站3之基板搬送裝置17，從傳遞部14取出，並向處理單元16搬入。

向處理單元16搬入之晶圓W，在利用處理單元16處理後，藉由基板搬送裝置17從處理單元16搬出，並載置於傳遞部14。然後，載置於傳遞部14之處理完畢的晶圓W，藉由基板搬送裝置13，返回載體載置部11之載體C。

[基板處理裝置] 接著，例示基板處理系統1所含有之基板處理裝置10的構成。基板處理裝置10，係以表面形成有膜F之晶圓W作為處理對象，而針對位於膜F中之晶圓W的周緣部We（周緣之週邊部分）的部分，進行去除處理。就膜F之具體例而言，可舉例如含有SiN（氮化矽）的保護膜等等。

圖2係繪示基板處理裝置10之概略構成的示意圖。圖3係圖2中之處理單元16的俯視圖。如圖2及圖3所示，基板處理裝置10具備處理單元16、以及控制該處理單元16的控制裝置4。處理單元16具有：旋轉固持部21、液體供給部22、感測器23、調溫部24、以及位置調節部25。

旋轉固持部21係固持晶圓W並使之旋轉。旋轉固持部21，例如具有固持部41以及旋轉驅動部42。固持部41對於使膜F朝上而水平配置之晶圓W的中心部，加以支撐，並藉由例如真空吸附等等而固持該晶圓W。旋轉驅動部42，例如係以電動馬達等等作為動力源的致動器，繞著鉛直之軸線（於下文中，稱為「中心軸線CL1」。）而使固持部41及晶圓W旋轉。於下文中，將固持部41所固持之晶圓W的上側那一面稱為「表面」，並將下側那一面稱為「背面」。

液體供給部22，對於旋轉驅動部42所固持之晶圓W的周緣部We，供給處理液。例如液體供給部22具有：噴嘴單元43、化學液體供給源44、以及沖洗液體供給源45。

噴嘴單元43，具有化學液噴嘴51以及沖洗液噴嘴52。化學液噴嘴51，係朝向下方（包括斜下方）釋出用以溶解膜F的處理液（以下稱為「化學液」。）。作為化學液的具體例，可舉例如鹼性化學液及酸性化學液等等。作為鹼性化學液之具體例，可舉氨水、過氧化氫及純水的混合溶液（SC－1液）。作為酸性化學液之具體例，可舉氫氟酸及純水的混合溶液（HF液）等等。沖洗液噴嘴52，係朝向下方（包括斜下方）釋出用以沖走化學液、以及膜F之溶解成分的處理液（以下稱為「沖洗液」。）。作為沖洗液之具體例，可舉純水（DIW）等等。

化學液體供給源44，係對化學液噴嘴51供給化學液。化學液體供給源44例如含有：容納化學液的液槽、以及從該液槽對化學液噴嘴51加壓供給化學液的泵。沖洗液體供給源45，係對沖洗液噴嘴52供給沖洗液。沖洗液體供給源45，例如含有容納沖洗液的液槽、以及從該液槽對沖洗液噴嘴52加壓供給沖洗液的泵。

又，液體供給部22，亦可構成為能夠從化學液噴嘴51供給複數種化學液。例如液體供給部22，亦可構成為具有複數之化學液體供給源44，並藉由閥等等來切換對化學液噴嘴51供給化學液之化學液體供給源44。

感測器23，係檢測晶圓W之周緣部We的溫度分佈。例如感測器23，係檢測晶圓W的表面中，在周緣側之一區域（以下稱為「檢測對象區域A」。）內的溫度分佈。感測器23，含有例如配置在檢測對象區域A之上方的紅外線攝影機，藉由使得從檢測對象區域A內所產生的紅外線在攝影部成像，以檢測出檢測對象區域A內的溫度分佈。

感測器23，只要能使周緣部We當中，附著有處理液的區域及未附著的區域雙方，都包含在檢測對象區域A內，則無論如何配置皆可。作為一例，感測器23係設置成在處理液到達晶圓W之位置TP的附近，檢測出位於晶圓W旋轉方向上的檢測對象區域A之溫度分佈。所謂位置TP的附近，係意指在繞中心軸線CL1的角度上，以位置TP為基準，±45°的範圍（圖3中之範圍R）內。所謂在位置TP附近之晶圓W旋轉方向，係意指在晶圓W中位於位置TP附近的部分，伴隨晶圓W之旋轉而移動之方向。例如，於圖3中，若晶圓W係繞著逆時針（圖示箭頭的方向）旋轉的情況下，則位置TP所移動之方向，係朝向圖示下方。

調溫部24，係使附著於晶圓W前的處理液、與晶圓W之間的溫差，加以擴大。例如調溫部24，包含加熱晶圓W的加熱部46。加熱部46，包含本體部53與氣體源54。本體部53，設置成環狀以包圍固持部41，並與晶圓W的背面相向。本體部53，內建有例如電熱線等等的加熱器61，並朝向晶圓W背面釋出加熱器61加熱過的N₂ 等等之惰性氣體。氣體源54，係對本體部53供給惰性氣體。氣體源54將惰性氣體加以供給的位置，係設定為藉由該供給而加熱之區域會包含處理液的附著區域，並且比該附著區域還要大。

有時會隨著化學液噴嘴51所供給之處理液的種類，而有由於加熱，使得膜F之去除速率提高的情形。在這樣的情況下，藉由加熱晶圓W之加熱部46，除了能擴大上述溫差，還可以促進液體處理（以處理液去除膜F的處理）。

又，調溫部24只要能擴大上述溫差，則無論如何構成皆可。例如調溫部24，亦可包含冷卻晶圓W冷卻部。若冷卻晶圓W，會使去除速率降低；但例如在晶圓W上更進一步地積層有種類不同於膜F的膜層時，則會提高該膜層與所要去除之膜F之間的膜層去除之鑑別性。

再者，調溫部24，亦可係構成為加熱或冷卻處理液，而非晶圓W。在調溫部24係加熱處理液的情況下，與加熱晶圓W之情況相同，除了能擴大上述溫差，還可以促進液體處理（以處理液去除膜F的處理）。然而，亦有可能因為加熱而導致處理液產生氣泡。在需要避免因為加熱而造成氣泡產生的情況下，有效的作法是構成為如上述般加熱晶圓W，並在與晶圓W接觸後才使處理液之溫度上昇。

位置調節部25，係在與中心軸線CL1交叉（例如正交）的方向D1上，調節處理液到達晶圓W的位置TP。例如位置調節部25，構成為以電動馬達等等作為動力源，而沿著方向D1使噴嘴單元43移動。又，位置調節部25亦可構成為沿著方向D1而使晶圓W移動。

控制處理單元16的控制裝置4，係構成為根據上述溫度分佈，以執行周緣部We當中附著有處理液之區域、與未附著之區域間的境界部之檢測。控制裝置4亦可構成為檢測出境界部後，根據境界部的位置，而在對晶圓W供給處理液之期間，更進一步地執行位置調節部25之控制，以調節處理液到達晶圓W的位置TP。

作為用以控制處理單元16之功能的結構（以下稱為「功能模組」。），控制裝置4例如具有：搬入搬出控制部31、旋轉控制部32、液體供給控制部33、供給位置控制部34及境界部檢測部35。這些功能模組，係透過控制裝置4之控制部18及記錄部19的協同動作而構成。

搬入搬出控制部31，控制基板搬送裝置17，以對處理單元16進行晶圓W之搬入・搬出；並控制旋轉固持部21，以切換固持部41對晶圓W之固持及鬆開。旋轉控制部32，控制旋轉固持部21，以藉由旋轉驅動部42來旋轉晶圓W。液體供給控制部33，控制液體供給部22，而從化學液噴嘴51或沖洗液噴嘴52對晶圓W之周緣部We供給處理液。供給位置控制部34，控制位置調節部25，以調節處理液到達晶圓W的位置TP。境界部檢測部35則根據上述溫度分佈，而檢測周緣部We當中，附著有處理液之區域、與未附著之區域間的境界部。

[基板處理方法] 以下，作為基板處理方法之一例，以處理單元16所執行之基板處理程序為例，加以說明。上述基板處理程序，係依循控制裝置4所執行之控制程序而自動執行。

圖4及圖5係繪示基板處理程序的流程圖。圖6係繪示對晶圓W供給化學液之狀態的示意圖。圖7係繪示對晶圓W供給沖洗液之狀態的示意圖。

如圖4所示，控制裝置4首先執行步驟S01。於步驟S01，搬入搬出控制部31控制基板搬送裝置17，而將晶圓W搬入處理單元16內，並控制旋轉固持部21，而使固持部41固持該晶圓W。更具體而言，搬入搬出控制部31係控制基板搬送裝置17，而在膜F朝上之水平狀態下，將晶圓W搬入處理單元16內，並使晶圓W之中心部配置在固持部41上。之後，搬入搬出控制部31控制固持部41，以固持晶圓W之中心部。

固持部41所固持之晶圓W，會受到加熱部46加熱。亦即，將晶圓W搬入處理單元16內並以固持部41固持，就相當於使附著於晶圓W前的處理液、與晶圓W間之溫差擴大之一例。

接著，控制裝置4執行步驟S02。於步驟S02，旋轉控制部32控制旋轉固持部21，而以旋轉驅動部42開始晶圓W之旋轉。

接著，控制裝置4執行步驟S03。於步驟S03，供給位置控制部34控制位置調節部25，使噴嘴單元43移動，而使化學液噴嘴51配置於晶圓W之周緣部We上（參照圖6（a））。

接著，控制裝置4執行步驟S04。於步驟S04，液體供給控制部33控制液體供給部22，而開始從化學液噴嘴51釋出化學液。藉此，化學液就會供給至旋轉中的晶圓W之周緣部W（參照圖6（b））。

接著，控制裝置4執行步驟S05。於步驟S05，控制感測器23，以使境界部檢測部35檢測晶圓W之周緣部We的溫度分佈，而取得該檢測結果。感測器23係在化學液到達晶圓W的位置TP之附近，檢測位於晶圓W之旋轉方向上的檢測對象區域A之溫度分佈。

接著，控制裝置4執行步驟S06。於步驟S06，境界部檢測部35根據在步驟S05所檢測出的溫度分佈，以檢測出在周緣部We當中附著有化學液之區域、與未附著之區域間的境界部B1（參照圖6（b））。例如，境界部檢測部35在檢測對象區域A內，將溫度高於既定之臨界值的區域、與溫度低於該臨界值的區域間的境界部，檢測出以作為上述境界部B1。上述臨界值，可依據事前的實驗或模擬而適當地設定。

接著，控制裝置4控制位置調節部25，以根據境界部B1的位置，來調節化學液到達晶圓W的位置TP。例如控制裝置4，首先執行步驟S07。於步驟S07，位置控制部34會確認檢測對象區域A內的境界部B1之位置，是否在容許範圍內。容許範圍係：在得以充分去除膜F的條件下最靠近晶圓W之周緣側的位置、與得以保留後續製程中所需之膜F的條件下最靠近晶圓W之中心側的位置，兩位置之間的範圍。

於步驟S07，若判定境界部B1之位置在容許範圍外，則控制裝置4執行步驟S08。於步驟S08，供給位置控制部34確認境界部B1之位置相對於容許範圍，是否靠近晶圓W的中心。

於步驟S08，若判定境界部B1之位置，相對於容許範圍，係靠近晶圓W的中心，則控制裝置4執行步驟S09。於步驟S09，供給位置控制部34控制位置調節部25，而使化學液噴嘴51朝向晶圓W之周緣側移動。

於步驟S08，若判定境界部B1之位置，相對於容許範圍，並非靠近晶圓W的中心（即判定係靠近晶圓W的周緣之情形），則控制裝置4執行步驟S10。於步驟S10，供給位置控制部34，控制位置調節部25，而使化學液噴嘴51朝向晶圓W之中心側移動。

執行步驟S09或步驟S10後，控制裝置4使處理回到步驟S05。之後，重複境界部B1之檢測、以及化學液噴嘴51之位置調節，直到境界部B1的位置達到容許範圍內為止。

於步驟S07，若判定境界部B1之位置在容許範圍內，則控制裝置4執行步驟S11。於步驟S11，液體供給控制部33等待既定期間之經過。既定期間，係藉由事前之條件設置而預先設定。

接著，控制裝置4執行步驟S12、S13。於步驟S12，液體供給控制部33控制液體供給部22，以停止從化學液噴嘴51釋出化學液。於步驟S13，供給位置控制部34控制位置調節部25，而使化學液噴嘴51退避至比晶圓W之周緣更為外側處。又，控制裝置4亦可在步驟S12之前，就先執行步驟S13。

接著，如圖5所示，控制裝置4執行步驟S14。於步驟S14，供給位置控制部34控制位置調節部25，使噴嘴單元43移動，而使沖洗液噴嘴52配置於晶圓W之周緣部We上方（參照圖7（a））。

接著，控制裝置4執行步驟S15。於步驟S15，液體供給控制部33控制液體供給部22，而開始從沖洗液噴嘴52釋出沖洗液。藉此，沖洗液就會供給至旋轉中的晶圓W之周緣部We（參照圖7（b））。

接著，控制裝置4執行步驟S16、S17。於步驟S16，境界部檢測部35與步驟S05相同地取得在周緣部We的溫度分佈。於步驟S17，境界部檢測部35與步驟S06相同地檢測出周緣部We當中附著有沖洗液之區域、與未附著之區域間的境界部B2（參照圖7（b））。

接著，控制裝置4控制位置調節部25，以根據境界部B2之位置，調節沖洗液到達晶圓W的位置TP。此程序，包含步驟S18、S19、S20、S21，該等步驟相同於步驟S07、S08、S09、S10。又，步驟S18中之境界部B1的位置容許範圍，亦可與步驟S07中之容許範圍不同。例如，隨著沖洗液的不同，為了徹底沖淨處理液，亦可使步驟S18中之容許範圍，設定得比步驟S07中之容許範圍更為靠近晶圓W的中心。

於步驟S18，若判定境界部B2之位置在容許範圍內，則控制裝置4執行步驟S22。於步驟S22，液體供給控制部33等待既定期間之經過。既定期間，係藉由事前之條件設置而預先設定。

接著，控制裝置4執行步驟S23、S24。於步驟S23，液體供給控制部33控制液體供給部22，以停止從沖洗液噴嘴52釋出沖洗液。於步驟S24，供給位置控制部34控制位置調節部25，而使沖洗液噴嘴52退避至比晶圓W之周緣更為外側處。又，控制裝置4亦可在步驟S23之前，就先執行步驟S24。

接著，控制裝置4執行步驟S25。於步驟S25，旋轉控制部32控制旋轉固持部21，以停止旋轉驅動部42所進行之晶圓W的旋轉。透過到此為止的程序，而將膜F當中，位於晶圓W之周緣部We的部分去除（參照圖7（c））。

接著，控制裝置4執行步驟S26。於步驟S26，搬入搬出控制部31控制旋轉固持部21，以解除固持部41對晶圓W之固持；並控制基板搬送裝置17，以從處理單元16內搬出晶圓W。至此，即完成處理單元16所進行之基板處理程序。

又，於上述中所示之例，雖係在對周緣部We供給一種化學液後，再供給沖洗液的程序，但並不限定於此。控制裝置4亦可控制處理單元16，在依序對周緣部We供給複數種化學液後，再供給沖洗液。

[本實施態樣之效果] 如以上說明，基板處理裝置10具備：固持晶圓W並使之旋轉的旋轉固持部21、對於旋轉固持部21所固持之晶圓W之周緣部We供給處理液的液體供給部22、檢測周緣部We中之溫度分佈的感測器23、以及控制裝置4；該控制裝置4構成為根據溫度分佈，而執行周緣部We當中附著有處理液之區域、與未附著之區域間的境界部B1、B2之檢測。

於基板處理裝置10，由於對於附著有處理液之區域會施行液體處理（去除膜F的處理），所以藉由檢測出境界部B1、B2，而可以求取出將施加液體處理之區域（以下稱為「處理對象區域」。）與其他區域間的境界部。然而，因為在可視光的影像上，附著有處理液之區域、與未附著之區域間的對比很弱，所以有可能無法明確地檢測出境界部B1、B2。相對於此，若是藉由溫度分佈，則附著有處理液之區域、與未附著之區域間的差異會明確化。

圖8係繪示在晶圓之周緣部的溫度經時變化的曲線圖。圖8中之實線的數據，代表周緣部We當中，未附著處理液之區域的溫度（以下稱為「第一溫度」。）之變遷；虛線的數據，代表周緣部We當中，附著有處理液之區域的溫度（以下稱為「第二溫度」。）之變遷。

又，圖8繪示的是依序對周緣部We供給二種化學液後再供給沖洗液之情況下的數據。在晶圓W配置在固持部41上的時刻t0以後，第一溫度及第二溫度會隨著加熱部46之加熱，而雙雙上昇。當第一種化學液到達周緣部We的時刻t1以後，第一溫度會繼續上昇；相對於此，第二溫度會下降，兩者的差異就會擴大。待停止供給第一種化學液後，第二溫度雖然會上昇，但是等到第二種化學液到達周緣部We的時刻t2以後，又會再度下降。待停止供給第二種化學液後，第二溫度仍會上昇，但是等到沖洗液到達周緣部We之時刻t3以後，又會再度下降。

由此曲線圖可知，若藉由溫度分佈，則可使得附著有處理液之區域、與未附著之區域間的差異明確化，所以能以高度可靠度檢測出境界部B1、B2。因此，可以在液體處理之執行當中，檢測出要施行液體處理之區域的相關資訊。

藉此，而可以在液體處理之執行中調節上述位置TP（處理液到達晶圓W的位置），以抑制處理完畢之區域（去除了膜F的區域）之寬度超出容許範圍之晶圓W的發生。再者，並不限定於即時調整位置TP，亦可先行記錄檢測資訊，再反映在之後的處理。例如，亦可使用未形成膜F的擋片（dummy）晶圓W，以調節位置TP。

基板處理裝置10，亦可更進一步地具備調溫部24，而使附著於晶圓W前的處理液、與晶圓W間之溫差擴大。在此情況下，附著有處理液之區域、與未附著之區域間的差異會更為明確化，因此能以更高的可靠度檢測出境界部B1、B2。

調溫部24，亦可包含加熱部46，以加熱晶圓W。在此情況下，調溫部24亦可用於以加熱促進液體處理。

感測器23，亦可設置成在處理液到達晶圓W的位置附近，檢測位在晶圓W旋轉之方向上的檢測對象區域A的溫度分佈。在此情況下，待處理液到達晶圓W之周緣部We之一處後，就會馬上檢測出包含該處之區域的溫度分佈。藉此，會使附著有處理液之區域、與未附著之區域間的差異更為明確化，因此能以更高的可靠度檢測出境界部B1、B2。

基板處理裝置10，亦可構成為更進一步地具備位置調節部25，以調節處理液到達晶圓W的位置；而控制裝置4檢測出境界部B1、B2後，根據境界部B1、B2之位置，而在對晶圓W供給處理液之期間，更進一步地執行位置調節部25之控制，以調節處理液到達晶圓W的位置TP。在此情況下，可以藉由在液體處理之執行當中調節要施行液體處理之區域，以抑制處理完畢之區域（去除了膜F的區域）的寬度超出容許範圍之晶圓W之發生。

以上針對實施態樣進行了說明，但本發明並不限定於上述實施態樣，亦可在不脫離其要旨的範圍內進行種種變更。例如，處理對象之基板並不限定於半導體晶圓，例如亦可為玻璃基板、光罩基板、FPD（Flat Panel Display；平面顯示器）等等。

1‧‧‧基板處理系統2‧‧‧搬入搬出站3‧‧‧處理站4‧‧‧控制裝置10‧‧‧基板處理裝置11‧‧‧載體載置部12‧‧‧搬送部13‧‧‧基板搬送裝置14‧‧‧傳遞部15‧‧‧搬送部16‧‧‧處理單元17‧‧‧基板搬送裝置18‧‧‧控制部19‧‧‧記錄部21‧‧‧旋轉固持部22‧‧‧液體供給部23‧‧‧感測器24‧‧‧調溫部25‧‧‧位置調節部31‧‧‧搬入搬出控制部32‧‧‧旋轉控制部33‧‧‧液體供給控制部34‧‧‧供給位置控制部35‧‧‧境界部檢測部41‧‧‧固持部42‧‧‧旋轉驅動部43‧‧‧噴嘴單元44‧‧‧化學液體供給源45‧‧‧沖洗液體供給源46‧‧‧加熱部51‧‧‧化學液噴嘴52‧‧‧沖洗液噴嘴53‧‧‧本體部54‧‧‧氣體源61‧‧‧加熱器A‧‧‧檢測對象區域B1‧‧‧境界部B2‧‧‧境界部C‧‧‧載體CL1‧‧‧中心軸線D1‧‧‧方向F‧‧‧膜R‧‧‧範圍TP‧‧‧位置t0～t3‧‧‧時刻W‧‧‧晶圓We‧‧‧周緣部S01～S26‧‧‧步驟

【圖1】本實施態樣之基板處理系統之概略構成的繪示圖。 【圖2】繪示基板處理裝置之概略構成的示意圖。 【圖3】圖2中之處理單元的俯視圖。 【圖4】繪示基板處理程序的流程圖。 【圖5】繪示基板處理程序的流程圖。 【圖6】（a）、（b）繪示對晶圓W供給化學液之狀態的示意圖。 【圖7】（a）～（c）繪示對晶圓W供給沖洗液之狀態的示意圖。 【圖8】繪示在晶圓之周緣部的溫度經時變化的曲線圖。

4‧‧‧控制裝置

10‧‧‧基板處理裝置

16‧‧‧處理單元

21‧‧‧旋轉固持部

22‧‧‧液體供給部

23‧‧‧感測器

24‧‧‧調溫部

25‧‧‧位置調節部

31‧‧‧搬入搬出控制部

32‧‧‧旋轉控制部

33‧‧‧液體供給控制部

34‧‧‧供給位置控制部

35‧‧‧境界部檢測部

41‧‧‧固持部

42‧‧‧旋轉驅動部

43‧‧‧噴嘴單元

44‧‧‧化學液體供給源

45‧‧‧沖洗液體供給源

46‧‧‧加熱部

51‧‧‧化學液噴嘴

52‧‧‧沖洗液噴嘴

53‧‧‧本體部

54‧‧‧氣體源

61‧‧‧加熱器

CL1‧‧‧中心軸線

F‧‧‧膜

W‧‧‧晶圓

We‧‧‧周緣部

Claims (11)

1. 一種基板處理裝置，包括： 旋轉固持部，固持基板並加以旋轉； 液體供給部，對該旋轉固持部所固持之該基板之周緣部供給處理液； 感測器，檢測該周緣部中的溫度分佈；以及 控制裝置，根據該溫度分佈，執行該周緣部當中附著有該處理液之區域、與未附著該處理液之區域間的境界部之檢測。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更包括： 調溫部，將附著於該基板前的該處理液、與該基板之間的溫差，加以擴大。
3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，該調溫部，包括加熱該基板之加熱部。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，該感測器，設置成在該處理液到達該基板的位置之附近，檢測位於該基板之旋轉方向上的區域之溫度分佈。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，更包括： 位置調節部，調節該處理液到達該基板之位置； 該控制裝置， 更執行該位置調節部之控制，於檢測出該境界部後，根據該境界部之位置，而調節：在對該基板供給處理液之期間，該處理液到達該基板之位置。
6. 一種基板處理方法，包括以下步驟： 固持基板並加以旋轉的步驟； 對旋轉中之該基板之周緣部供給處理液的步驟； 檢測該周緣部中的溫度分佈的步驟；以及 根據該溫度分佈，執行該周緣部當中附著有該處理液之區域、與未附著該處理液之區域間的境界部之檢測的步驟。
7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，更包括以下步驟： 將附著於該基板前的該處理液、與該基板之間的溫差加以擴大的步驟。
8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，使附著於該基板前的該處理液、與該基板之間的溫差加以擴大的步驟，包括加熱該基板的步驟。
9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理方法，其中，檢測該周緣部中的溫度分佈的步驟，包含：在該處理液到達該基板的位置之附近，檢測位於該基板之旋轉方向上的區域之溫度分佈。
10. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理方法，其中，更包括以下步驟： 於檢測出該境界部後，根據該境界部之位置，而調節：在對該基板供給處理液之期間，該處理液到達該基板之位置。
11. 一種電腦可讀取之記錄媒體，記錄有用以使裝置執行如申請專利範圍第6至10項中任一項之基板處理方法的程式。

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