TWI638451B - 畫素陣列基板 - Google Patents
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Abstract
一種畫素陣列基板，包括第一畫素單元、相鄰於第一畫素單元的第二畫素單元、與第一畫素單元之第一薄膜電晶體及第二畫素單元之第二薄膜電晶體的至少一者電性連接的掃描線、以及與第一畫素單元之第一薄膜電晶體及第二畫素單元之第二薄膜電晶體的至少一者電性連接且與掃描線交錯的資料線。第一畫素單元的第一彩色濾光圖案與第二畫素單元的第二彩色濾光圖案在資料線上部分重疊，以形成第一彩色濾光圖案與第二彩色濾光圖案的堆疊區。資料線具有寬部以及窄部。在資料線之窄部上的堆疊區的寬度大於在資料線之寬部上的堆疊區的寬度。
Description
本發明是有關於一種陣列基板，且特別是有關於一種畫素陣列基板。
顯示面板包括第一基板、設置於第一基板上的主動元件層、設置於第一基板對向的第二基板以及設置於第一基板與第二基板之間的顯示介質。一般而言，若顯示介質為非自發光材料（例如：液晶），顯示面板還包括設置於第二基板上的彩色濾光層，以使顯示面板能顯示彩色畫面。於顯示面板的製程中，具有主動元件層的第一基板與具有彩色濾光層的第二基板會對組，當兩者的組立精度不佳時，顯示品質會下降。有鑑於此，彩色濾光層可直接製作在具有畫素層的第一基板上，而形成彩色濾光片在陣列上（color filter on array；COA）的結構，以改善上述問題。
然而，主動元件層在不同區域上的元件密度不同，因此當彩色濾光層的多個彩色濾光圖案形成於元件密度低的區域時，相鄰兩彩色濾光圖案之間易形成下陷區。當具有下陷區之彩色濾光層與顯示介質及第二基板組立成顯示面板時，顯示面板易出現因下陷區所造成的氣泡，造成顯示面板的不良。
本發明提供一種畫素陣列基板，包括所述畫素陣列基板之顯示面板出現氣泡的機率低。
本發明的畫素陣列基板，包括第一畫素單元、第二畫素單元、掃描線以及資料線。第一畫素單元包括第一薄膜電晶體、與第一薄膜電晶體電性連接的第一畫素電極以及與第一畫素電極重疊設置的第一彩色濾光圖案。第二畫素單元與第一畫素單元相鄰。第二畫素單元包括第二薄膜電晶體、與第二薄膜電晶體電性連接的第二畫素電極以及與第二畫素電極重疊設置的第二彩色濾光圖案。掃描線與第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體的至少一者電性連接。資料線與掃描線交錯設置且與第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體的至少一者電性連接。第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體分別位於資料線的相對兩側。第一彩色濾光圖案與第二彩色濾光圖案在資料線上部分重疊，以形成第一彩色濾光圖案與第二彩色濾光圖案的堆疊區。資料線具有寬部及窄部，在窄部上之堆疊區的寬度大於在寬部上之堆疊區的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的第一彩色濾光圖案在資料線的寬部上具有直線邊緣，而第一彩色濾光圖案在資料線的窄部上具有彎曲邊緣。
在本發明的一實施例中，上述的資料線的窄部與掃描線交錯，而資料線的窄部包括第一子部及第二子部。第一子部與掃描線重疊。第二子部未與掃描線重疊且連接於資料線的寬部與第一子部之間。在第二子部上的堆疊區的寬度大於在第一子部上的堆疊區的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的第一彩色濾光圖案與第二彩色濾光圖案的堆疊區包括位於資料線的窄部上的第一子區以及位於資料線的寬部上的第二子區。堆疊區之第一子區的寬度大於堆疊區之第二子區的寬度。掃描線具有缺口。在垂直投影方向上，至少部分的第一子區位於掃描線的缺口內。
在本發明的一實施例中，上述的掃描線具有缺口，第一彩色濾光圖案具有第一凸部，第一凸部朝向與資料線之延伸方向交叉的第一方向凸起，並且於垂直投影方向上，部分的第一彩色濾光圖案的第一凸部位於掃描線的缺口內。
在本發明的一實施例中，上述的第一彩色濾光圖案具有第一凸部，第一凸部朝向掃描線之延伸方向凸起。資料線的窄部包括第一子部與第二子部。第一子部與掃描線重疊。第二子部未與掃描線重疊，且連接於資料線的寬部與第一子部之間。部分之第二子部的寬度由寬部向窄部的第一子部縮減，而第一凸部位於第一子部以及部分的第二子部上。
在本發明的一實施例中，上述的第一彩色濾光圖案具有至少一第一凸部，而至少一第一凸部與第二彩色濾光圖案重疊，以形成在窄部上的堆疊區。
在本發明的一實施例中，上述的第一彩色濾光圖案具有多個第一凸部。多個第一凸部分別位於掃描線之相對兩側。多個第一凸部相連接以定義第一彩色濾光圖案的一凹口，凹口與掃描線及資料線的窄部重疊。
在本發明的一實施例中，上述的第一彩色濾光圖案及第二彩色濾光圖案分別具有第一凸部及第二凸部。第一凸部朝向與資料線之延伸方向交叉的第一方向凸起，第二凸部朝與第一方向相反的第二方向凸起，第一凸部與第二凸部部分重疊，以形成在窄部上的堆疊區。
在本發明的一實施例中，上述的第一畫素電極包括分別位於掃描線的相對兩側的多個第一子畫素電極，第二畫素電極包括分別位於掃描線的相對兩側的多個第二子畫素電極。
基於上述，本發明一實施例之畫素陣列基板包括相鄰的第一畫素單元及第二畫素單元、掃描線及資料線。第一畫素單元的第一薄膜電晶體及第二畫素單元的第二薄膜電晶體分別位於資料線的相對兩側。第一畫素單元的第一彩色濾光圖案與第二畫素單元的第二彩色濾光圖案在資料線上部分重疊，以形成第一彩色濾光圖案與第二彩色濾光圖案的堆疊區。特別是，資料線具有寬部以及窄部，而在窄部上之堆疊區的寬度大於在寬部上之堆疊區的寬度。藉此，能降低畫素陣列基板與對向基板組成之顯示面板出現氣泡的機率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。圖2為圖1之畫素陣列基板的局部R1的放大示意圖。圖3為根據圖2的剖線A-A’所繪之畫素陣列基板的剖面示意圖。圖4為根據圖2的剖線B-B’所繪之畫素陣列基板的剖面示意圖。
請參照圖1、圖2、圖3及圖4，畫素陣列基板1000包括基底1（繪於圖3及圖4）以及設置於基底1上的多個第一畫素單元100、多個第二畫素單元200、多條掃描線SL與多條資料線DL。資料線DL與掃描線SL交錯設置。圖1繪出一個第一畫素單元100、一個第二畫素單元200、一條掃描線SL及兩條資料線DL1、DL2為示例，本領域具有通常知識者根據圖式及下述說明應能實現所需的畫素陣列基板1000。
請參照圖1，資料線DL1、DL2的延伸方向y與掃描線SL的延伸方向x交錯。舉例而言，在本實施例中，資料線DL1、DL2的延伸方向y與掃描線SL的延伸方向-x大致上可垂直，但本發明不以此為限。在本實施例中，基底1可以是透光基板，其材質例如：玻璃、石英、有機聚合物或其它可適用的材料。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，基底1也可以是不透光/反射基板，其材質例如：導電材料、晶圓、陶瓷或其它可適用的材料。
第一畫素單元100包括第一薄膜電晶體T1、第一畫素電極110及第一彩色濾光圖案120。在本實施例中，第一薄膜電晶體T1包括閘極G1、半導體圖案SE1、源極S1與汲極D1。絕緣層130（標示於圖3及圖4）設置於閘極G1與半導體圖案SE1之間。在本實施例中，第一畫素單元100還可選擇性包括薄膜電晶體T3、T4。類似地，薄膜電晶體T3包括閘極G3、半導體圖案SE3、源極S3與汲極D3，絕緣層130（標示於圖3及圖4）設置於閘極G3與半導體圖案SE3之間，源極S3及汲極D3分別與半導體圖案SE3的不同兩區電性連接；薄膜電晶體T4包括閘極G4、半導體圖案SE4、源極S4與汲極D4，絕緣層130（標示於圖3及圖4）設置於閘極G4與半導體圖案SE4之間，源極S4及汲極D4分別與半導體圖案SE4的不同兩區電性連接。在本實施例中，第一薄膜電晶體T1的半導體圖案SE1與薄膜電晶體T3的半導體圖案SE3可直接連接，薄膜電晶體T4的半導體圖案SE4與半導體圖案SE1、SE3可分離，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第一畫素電極110可以選擇性地包括分別位於掃描線SL的相對兩側的多個第一子畫素電極112、114。在本實施例中，畫素陣列基板1000還可選擇性包括共用線CL，第一畫素單元100還可選擇性包括電極140。共用線CL位於掃描線SL的一側。電極140與共用線CL在垂直投影方向z上重疊，以構成分享電容Cst-1。
在本實施例中，第一薄膜電晶體T1的閘極G1、薄膜電晶體T3的閘極G3及薄膜電晶體T4的閘極G4與掃描線SL電性連接；第一薄膜電晶體T1的源極S1與資料線DL1電性連接，第一薄膜電晶體T1的汲極D1與第一子畫素電極112電性連接；薄膜電晶體T3的源極S3與第一薄膜電晶體T1的源極S1電性連接；薄膜電晶體T3的汲極D3與分享電容Cst-1的電極140電性連接；薄膜電晶體T4的源極S4與分享電容Cst-1的電極140電性連接。在本實施例中，第一畫素單元100還包括訊號線TL1，訊號線TL1與第一畫素電極110在垂直投影方向z上重疊，而薄膜電晶體T4的汲極D4與訊號線TL1電性連接。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，薄膜電晶體T4的汲極D4可選擇性的透過絕緣層130（繪於圖3）的開口與共用線CL電性連接。
利用上段所述的佈局，當資料訊號輸入至資料線DL1、掃描訊號輸入至掃描線SL以使第一薄膜電晶體T1、薄膜電晶體T3及薄膜電晶體T4開啟時，第一子畫素電極112與第一子畫素電極114可具有不同的電位，以使第一子畫素電極112及第一子畫素電極114所在的二區域呈現不同的亮度，進而改善色偏（color washout）問題。
需說明的是，上述第一畫素單元100的結構僅是用以舉例說明本發明而非用以限制本發明，根據其它實施例，第一畫素單元100也可以是其它適當結構。
第一彩色濾光圖案120與第一畫素電極110重疊設置。舉例而言，在本實施例中，第一彩色濾光圖案120可與第一子畫素電極112及第一子畫素電極114重疊。在本實施例中，第一彩色濾光圖案120可具有多個貫孔122、124，第一子畫素電極112及第一子畫素電極114可分別透過貫孔122、124分別與第一薄膜電晶體T1的汲極D1及薄膜電晶體T3的汲極D3電性連接。然而，本發明不限於此，根據其它實施例，第一彩色濾光圖案120也可呈其它適當樣態。
第二畫素單元200與第一畫素單元100相鄰。在本實施例中，第二畫素單元200的結構與第一畫素單元100的結構可以選擇性地相同，但本發明不以此為限。以下舉例說明本發明一實施例之第二畫素單元200的結構。
第二畫素單元200包括第二薄膜電晶體T2、第二畫素電極210及第二彩色濾光圖案220。在本實施例中，第二薄膜電晶體T2包括閘極G2、半導體圖案SE2、源極S2與汲極D2。絕緣層130（標示於圖3及圖4）設置於閘極G2與半導體圖案SE2之間。在本實施例中，第二畫素單元200還可選擇性包括薄膜電晶體T5、T6。類似地，薄膜電晶體T5包括閘極G5、半導體圖案SE5、源極S5與汲極D5，絕緣層130（標示於圖3及圖4）設置於閘極G5與半導體圖案SE5之間，源極S5及汲極D5分別與半導體圖案SE5的不同兩區電性連接；薄膜電晶體T6包括閘極G6、半導體圖案SE6、源極S6與汲極D6，絕緣層130（標示於圖3及圖4）設置於閘極G6與半導體圖案SE6之間，源極S6及汲極D6分別與半導體圖案SE6的不同兩區電性連接。在本實施例中，第二薄膜電晶體T2的半導體圖案SE2與薄膜電晶體T5的半導體圖案SE5可直接連接，薄膜電晶體T6的半導體圖案SE6與半導體圖案SE2、SE5可分離，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第二畫素電極210可以選擇性地包括分別位於掃描線SL的相對兩側的多個第二子畫素電極212、214。在本實施例中，第二畫素單元200還可選擇性包括電極240。電極240與共用線CL在方向z上重疊，以構成分享電容Cst-2。
在本實施例中，第二薄膜電晶體T2的閘極G2、薄膜電晶體T5的閘極G5及薄膜電晶體T6的閘極G6與掃描線SL與電性連接；第二薄膜電晶體T2的源極S2與資料線DL2電性連接，第二薄膜電晶體T2的汲極D2與第二子畫素電極212電性連接；薄膜電晶體T5的源極S5與第二薄膜電晶體T2的源極S2電性連接；薄膜電晶體T5的汲極D5與分享電容Cst-2的電極240電性連接；薄膜電晶體T6的源極S6與分享電容Cst-2的電極240電性連接。在本實施例中，第二畫素單元200還包括訊號線TL2，訊號線TL2與第二畫素電極210在垂直投影方向z上重疊，而薄膜電晶體T6的汲極D6與訊號線TL2電性連接。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，薄膜電晶體T6的汲極D6可選擇性的透過絕緣層130（繪於圖3）的開口與共用線CL電性連接。
類似地，利用上段所述的佈局，當資料訊號輸入至資料線DL2、掃描訊號輸入至掃描線SL以使第二薄膜電晶體T2、薄膜電晶體T5及薄膜電晶體T6開啟時，第二子畫素電極212與第二子畫素電極214可具有不同的電位，以使第二子畫素電極212及第二子畫素電極214所在的二區域呈現不同的亮度，進而改善色偏問題。
需說明的是，上述第二畫素單元200的結構僅是用以舉例說明本發明而非用以限制本發明，根據其它實施例，第二畫素單元200也可以是其它適當結構。
第二彩色濾光圖案220與第二畫素電極210重疊設置。舉例而言，在本實施例中，第二彩色濾光圖案220可與第二子畫素電極212及第二子畫素電極214重疊。在本實施例中，第二彩色濾光圖案220可選擇性地具有多個貫孔222、224，第二子畫素電極212及第二子畫素電極214可分別透過貫孔222、224分別與第二薄膜電晶體T2的汲極D2及薄膜電晶體T5的汲極D5電性連接。然而，本發明不限於此，根據其它實施例，第二彩色濾光圖案220也可呈其它適當樣態。
在本實施例中，閘極G1、G2、G3、G4、G5、G6、掃描線SL及共用線CL可屬於第一導電層，資料線DL1、DL2、源極S1、S2、S3、S4、S5、S6、汲極D1、D2、D3、D4、D5、D6以及電極140、240可屬於第二導電層，但本發明不以此為限。所述第一導電層及所述第二導電層一般是金屬材料，但本發明不限於此，根據其他實施例，第一導電層及第二導電層也可以是其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。在本實施例中，第一子畫素電極112、第一子畫素電極114、第二子畫素電極212及第二子畫素電極214可屬於同一第三導電層，但本發明不以此為限。在本實施例中，所述第三導電層例如是透明導電層。透明導電層的材質可以是金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。然而，本發明不限於此，根據其它實施例，所述第三導電層也可以是反射導電層、或反射導電層與透明導電層的組合。
請參照圖1、圖2、圖3及圖4，第一薄膜電晶體T1及第二薄膜電晶體T2分別位於資料線DL的相對兩側。第一彩色濾光圖案120與第二彩色濾光圖案220在資料線DL上部分重疊，以形成第一彩色濾光圖案120與第二彩色濾光圖案220的堆疊區10。資料線DL具有寬部262以及窄部264。在窄部264上之堆疊區10的寬度W2大於在寬部262上之堆疊區10的寬度W1。更進一步地說，在本實施例中，資料線DL的窄部264與掃描線SL交錯，而資料線DL的窄部264包括第一子部264a及第二子部264b。第一子部264a與掃描線SL重疊，第二子部264b未與掃描線SL重疊且連接於資料線DL的寬部262與第一子部264a之間。在第二子部264b上的堆疊區10的寬度W2大於在第一子部264a上的堆疊區10的寬度W3。在本實施例中，寬度W1實質上等於寬度W3，但本發明不以此為限。另外，在本實施例中，部分之第二子部264b的寬度K可由資料線DL2的寬部262向第一子部264a縮減，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第一彩色濾光圖案120在資料線DL的寬部262上具有直線邊緣120s1，而第一彩色濾光圖案120在資料線DL的窄部264上具有彎曲邊緣120s2。更進一步地說，在本實施例中，第二彩色濾光圖案220在資料線DL的寬部262上也具有直線邊緣220s1，而第二彩色濾光圖案210在資料線DL的窄部264上也具有彎曲邊緣220s2。第一彩色濾光圖案120的直線邊緣120s1與第二彩色濾光圖案220的直線邊緣220s1在方向x上的距離L1可等於在資料線DL2之寬部262上之堆疊區10的寬度W1。第一彩色濾光圖案120的彎曲邊緣120s2與第二彩色濾光圖案220的彎曲邊緣210b在方向x上的最大距離L2可等於在資料線DL之窄部264上之堆疊區10的寬度W2。
第一彩色濾光圖案120與第二彩色濾光圖案220的堆疊區10包括第一子區12以及第二子區14。第一子區12位於資料線DL的窄部264上。第二子區14位於資料線DL的寬部262上。堆疊區10之第一子區12的寬度W2大於堆疊區10之第二子區14的寬度W1。在本實施例中，掃描線SL具有缺口U，而在垂直投影方向z上，至少部分的第一子區12位於掃描線SL的缺口U內。
在本實施例中，第一彩色濾光圖案120具有第一凸部126，第一凸部126朝向與資料線DL之延伸方向y交叉的方向-x凸起，並且於垂直投影方向z上，部分的第一彩色濾光圖案120的第一凸部126位於掃描線SL的缺口U內。更進一步地說，在本實施例中，第一彩色濾光圖案120的第一凸部126可位於資料線DL之窄部264的第一子部264a與以及部分的第二子部264b上。在本實施例中，第二彩色濾光圖案220具有第二凸部226，第二凸部226朝與方向-x相反的方向x凸起，第一彩色濾光圖案120的第一凸部126與第二彩色濾光圖案220的第二凸部226部分重疊，以形成在資料線DL之窄部264上且具有寬度W2的部分堆疊區10 。
簡言之，第一彩色濾光圖案120與第二彩色濾光圖案220的至少一者具有向相鄰之畫素單元延伸的至少一凸部（或者稱，修補部）。所述凸部能填補資料線DL之窄部264與部分第一導電層（例如：掃描線SL）之間的間隙g較寬處，而所述凸部與另一彩色濾光圖案重疊處會形成寬度W2較寬的堆疊區10。在形成彩色濾光圖案的過程中，第一彩色濾光圖案120與第二彩色濾光圖案220的至少一者的至少一凸部能填補資料線DL之窄部264與第一導電層之間的間隙g較寬處，因此在第一彩色濾光圖案120與第二彩色濾光圖案220的交接處不易形成下陷處。藉此，畫素陣列基板1000與對向基板組成的顯示面板便不易出現氣泡問題。
圖5為本發明另一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。圖6為圖5之畫素陣列基板的局部R2的放大示意圖。圖7為根據圖6的剖線C-C’所繪之畫素陣列基板的剖面示意圖。圖8為根據圖6的剖線D-D’所繪之畫素陣列基板的剖面示意圖。
請參照圖5、圖6、圖7及圖8，畫素陣列基板1000A與前述之畫素陣列基板1000類似，因此相同或相對應的元件以相同或相對應的標號表示。以下僅說明畫素陣列基板1000A與畫素陣列基板1000的差異，兩者相同或相對應處請參照前述說明。
請參照圖5、圖6、圖7及圖8，第一彩色濾光圖案120A與第二彩色濾光圖案220A在資料線DL1上部分重疊，以形成第一彩色濾光圖案120A與第二彩色濾光圖案220A的堆疊區10。資料線DL1具有寬部262以及窄部264。在窄部264上之堆疊區10的寬度W2大於在寬部262上之堆疊區10的寬度W1。第一彩色濾光圖案120A具有至少一第一凸部126A，而至少一第一凸部126A與第二彩色濾光圖案220A重疊，以形成在窄部264上的堆疊區10。
與畫素陣列基板1000不同的是，在本實施例中，第一彩色濾光圖案120A可具有分別位於掃描線SL之相對兩側的多個第一凸部126A，多個第一凸部126A相連接以定義第一彩色濾光圖案120A的凹口128，凹口128與掃描線SL及資料線DL1的窄部264重疊。此外，在本實施例中，第二彩色濾光圖案220A之在資料線DL1之寬部262及窄部264上的邊緣220c可選擇性地皆為直線邊緣，但本發明不以此為限。畫素陣列基板1000A具有與畫素陣列基板1000類似的功效及優點，於此便不再重述。
綜上所述，本發明一實施例之畫素陣列基板包括相鄰的第一畫素單元及第二畫素單元、掃描線及資料線。第一畫素單元的第一薄膜電晶體及第二畫素單元的第二薄膜電晶體分別位於資料線的相對兩側。第一畫素單元的第一彩色濾光圖案與第二畫素單元的第二彩色濾光圖案在資料線上部分重疊，以形成第一彩色濾光圖案與第二彩色濾光圖案的堆疊區。特別是，資料線具有寬部以及窄部，而在窄部上之堆疊區的寬度大於在寬部上之堆疊區的寬度。藉此，畫素陣列基板與對向基板組成的顯示面板便不易出現氣泡問題。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧基底
10‧‧‧堆疊區
12‧‧‧第一子區
14‧‧‧第二子區
100‧‧‧第一畫素單元
110‧‧‧第一畫素電極
112、114‧‧‧第一子畫素電極
120、120A‧‧‧第一彩色濾光圖案
120s1、220s1‧‧‧直線邊緣
120s2、220s2‧‧‧彎曲邊緣
122、124、222、224‧‧‧貫孔
126、126A‧‧‧第一凸部
128‧‧‧凹口
130‧‧‧絕緣層
140、240‧‧‧電極
200‧‧‧第二畫素單元
210‧‧‧第二畫素電極
212、214‧‧‧第二子畫素電極
220、220A‧‧‧第二彩色濾光圖案
220c‧‧‧邊緣
226‧‧‧第二凸部
262‧‧‧寬部
264‧‧‧窄部
264a‧‧‧第一子部
264b‧‧‧第二子部
1000、1000A‧‧‧畫素陣列基板
A-A’、 B-B’、 C-C’、 D-D’‧‧‧ 剖線
CL‧‧‧共用線
Cst-1、Cst-2‧‧‧分享電容
DL、DL1、DL2‧‧‧資料線
D1～D6‧‧‧源極
G1～G6‧‧‧閘極
g‧‧‧間隙
L1、L2‧‧‧距離
R1、R2‧‧‧局部
SL‧‧‧掃描線
S1～S6‧‧‧源極
SE1～SE6‧‧‧半導體圖案
T1～T6‧‧‧薄膜電晶體
TL1、TL2‧‧‧訊號線
U‧‧‧缺口
W1、W2、W3、K‧‧‧寬度
x、-x、y、z‧‧‧方向
10‧‧‧堆疊區
12‧‧‧第一子區
14‧‧‧第二子區
100‧‧‧第一畫素單元
110‧‧‧第一畫素電極
112、114‧‧‧第一子畫素電極
120、120A‧‧‧第一彩色濾光圖案
120s1、220s1‧‧‧直線邊緣
120s2、220s2‧‧‧彎曲邊緣
122、124、222、224‧‧‧貫孔
126、126A‧‧‧第一凸部
128‧‧‧凹口
130‧‧‧絕緣層
140、240‧‧‧電極
200‧‧‧第二畫素單元
210‧‧‧第二畫素電極
212、214‧‧‧第二子畫素電極
220、220A‧‧‧第二彩色濾光圖案
220c‧‧‧邊緣
226‧‧‧第二凸部
262‧‧‧寬部
264‧‧‧窄部
264a‧‧‧第一子部
264b‧‧‧第二子部
1000、1000A‧‧‧畫素陣列基板
A-A’、 B-B’、 C-C’、 D-D’‧‧‧ 剖線
CL‧‧‧共用線
Cst-1、Cst-2‧‧‧分享電容
DL、DL1、DL2‧‧‧資料線
D1～D6‧‧‧源極
G1～G6‧‧‧閘極
g‧‧‧間隙
L1、L2‧‧‧距離
R1、R2‧‧‧局部
SL‧‧‧掃描線
S1～S6‧‧‧源極
SE1～SE6‧‧‧半導體圖案
T1～T6‧‧‧薄膜電晶體
TL1、TL2‧‧‧訊號線
U‧‧‧缺口
W1、W2、W3、K‧‧‧寬度
x、-x、y、z‧‧‧方向
圖1為本發明一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。 圖2為圖1之畫素陣列基板的局部R1的放大示意圖。 圖3為根據圖2的剖線A-A’所繪之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖4為根據圖2的剖線B-B’所繪之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖5為本發明另一實施例之畫素陣列基板的上視示意圖。 圖6為圖5之畫素陣列基板的局部R2的放大示意圖。 圖7為根據圖6的剖線C-C’所繪之畫素陣列基板的剖面示意圖。 圖8為根據圖6的剖線D-D’所繪之畫素陣列基板的剖面示意圖。
Claims (11)
- 一種畫素陣列基板，包括： 一第一畫素單元，包括： 一第一薄膜電晶體； 一第一畫素電極，與該第一薄膜電晶體電性連接；以及 一第一彩色濾光圖案，與該第一畫素電極重疊設置； 一第二畫素單元，與該第一畫素單元相鄰且包括： 一第二薄膜電晶體； 一第二畫素電極，與該第二薄膜電晶體電性連接；以及 一第二彩色濾光圖案，與該第二畫素電極重疊設置； 一掃描線，與該第一薄膜電晶體及該第二薄膜電晶體的至少一者電性連接；以及 一資料線，與該掃描線交錯設置且與該第一薄膜電晶體及該第二薄膜電晶體的至少一者電性連接，其中該第一薄膜電晶體及該第二薄膜電晶體分別位於該資料線的相對兩側； 該第一彩色濾光圖案與該第二彩色濾光圖案在該資料線上部分重疊，以形成該第一彩色濾光圖案與該第二彩色濾光圖案的一堆疊區；該資料線具有一寬部以及一窄部，在該窄部上之該堆疊區的寬度大於在該寬部上之該堆疊區的寬度。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板，其中該第一彩色濾光圖案在該資料線的該寬部上具有一直線邊緣，而該第一彩色濾光圖案在該資料線的該窄部上具有一彎曲邊緣。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板，其中該資料線的該窄部與該掃描線交錯，而該資料線的該窄部包括： 一第一子部，與該掃描線重疊；以及 一第二子部，未與該掃描線重疊且連接於該資料線的該寬部與該第一子部之間，其中在該第二子部上的該堆疊區的寬度大於在該第一子部上的該堆疊區的寬度。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板，其中該第一彩色濾光圖案與該第二彩色濾光圖案的該堆疊區包括： 一第一子區，位於該資料線的該窄部上。
- 如申請專利範圍第4項所述的畫素陣列基板，其中該第一彩色濾光圖案與該第二彩色濾光圖案的該堆疊區還包括： 一第二子區，位於該資料線的該寬部上，其中該堆疊區之該第一子區的寬度大於該堆疊區之該第二子區的寬度；該掃描線具有一缺口；而在一垂直投影方向上，至少部分的該第一子區位於該掃描線的該缺口內。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板，其中該掃描線具有一缺口，該第一彩色濾光圖案具有一第一凸部，該第一凸部朝向與該資料線之延伸方向交叉的一第一方向凸起，並且於一垂直投影方向上，部分的該第一彩色濾光圖案的該第一凸部位於該掃描線的該缺口內。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板，其中該第一彩色濾光圖案具有一第一凸部，該第一凸部朝向該掃描線之延伸方向凸起，該資料線的該窄部包括： 一第一子部，與該掃描線重疊；以及 一第二子部，未與該掃描線重疊且連接於該資料線的該寬部與該第一子部之間，其中部分之該第二子部的寬度由該寬部向該窄部的該第一子部縮減，而該第一凸部位於該第一子部以及該部分的該第二子部上。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板，其中該第一彩色濾光圖案具有至少一第一凸部，而該至少一第一凸部與該第二彩色濾光圖案重疊，以形成在該窄部上的該堆疊區。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板，其中該第一彩色濾光圖案具有多個第一凸部，分別位於該掃描線之相對兩側，該些第一凸部相連接以定義該第一彩色濾光圖案的一凹口，該凹口與該掃描線及該資料線的該窄部重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板，其中該第一彩色濾光圖案及該第二彩色濾光圖案分別具有一第一凸部及一第二凸部，該第一凸部朝向與該資料線之延伸方向交叉的一第一方向凸起，該第二凸部朝向與該第一方向相反的一第二方向凸起，該第一凸部與該第二凸部部分重疊，以形成在該窄部上的該堆疊區。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板，其中該第一畫素電極包括分別位於該掃描線的相對兩側的多個第一子畫素電極，該第二畫素電極包括分別位於該掃描線的相對兩側的多個第二子畫素電極。
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