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TWI634321B - 用於量測微影程序之參數之方法、系統、度量衡裝置及相關電腦程式產品 - Google Patents

用於量測微影程序之參數之方法、系統、度量衡裝置及相關電腦程式產品 Download PDF

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TWI634321B
TWI634321B TW106113243A TW106113243A TWI634321B TW I634321 B TWI634321 B TW I634321B TW 106113243 A TW106113243 A TW 106113243A TW 106113243 A TW106113243 A TW 106113243A TW I634321 B TWI634321 B TW I634321B
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TW
Taiwan
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measurement
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radiation
Prior art date
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TW106113243A
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TW201802453A (zh
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包伊夫 亞歷 傑福瑞 丹
卡司徒夫 巴塔哈爾亞
Original Assignee
Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Publication date
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Publication of TW201802453A publication Critical patent/TW201802453A/zh
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Abstract

一種方法，其包括：獲得使用一圖案化程序而處理之一基板上之一度量衡目標之一量測，該量測已使用量測輻射而獲得；及自該量測導出該圖案化程序之一所關注參數，其中該所關注參數係藉由一堆疊差異參數予以校正，該堆疊差異參數表示該目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異或該基板上之該度量衡目標與另一鄰近目標之間的實體組態之一非設計差異。

Description

用於量測微影程序之參數之方法、系統、度量衡裝置及相關電腦程式產品
本發明係關於用於可用於(例如)藉由微影技術進行器件製造之檢測(例如，度量衡)方法及裝置，且係關於使用微影技術來製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
在圖案化程序(亦即，涉及圖案化(諸如微影曝光或壓印)的產生器件或其他結構之程序，其通常可包括一或多個關聯處理步驟，諸如抗蝕劑之顯影、蝕刻等等)中，需要判定(例如，使用模型化圖案化程序之一或多個態樣之一或多個模型進行量測、模擬)一或多個所關注參數，諸如，結構之臨界尺寸(CD)、形成於基板中或上之順次層之間的疊對誤差等等。
需要判定用於藉由圖案化程序產生之結構之此一或多個所關注參數且使用該等參數以用於與該圖案化程序相關的設計、控制及/或監視，例如以用於程序設計、控制及/或驗證。經圖案化結構之經判定一或多個所關注參數可用於圖案化程序設計、校正及/或驗證、缺陷偵測或分類、良率估計及/或程序控制。
因此，在圖案化程序中，需要頻繁地對所產生之結構進行量測，例如，用於程序控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(器件中兩個層之對準準確度)之特殊化工具。可依據兩個層之間的未對準程度來描述疊對，例如，對為1奈米之經量測疊對之參考可描述兩個層未對準達1奈米之情形。 已開發用於微影領域中之各種形式之檢測裝置(例如，度量衡裝置)。此等器件將輻射光束導向至目標上且量測重新導向(例如，散射)輻射之一或多個屬性-例如，依據波長而變化的在單一反射角下之強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振-以獲得可供判定目標之所關注屬性之「光譜」。可藉由各種技術來執行所關注屬性之判定：例如，藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素方法之反覆途徑而進行的目標之重新建構；庫搜尋；及主成份分析。 由檢測裝置(例如，散射計)使用之目標係相對大(例如，40微米乘40微米)週期性結構(例如，光柵)，且量測光束產生小於週期性結構之光點(亦即，週期性結構填充不足)。此情形簡化目標結構之數學重建構，此係因為可將目標視為無限的。然而，為了縮減目標之大小(例如，至10微米乘10微米或更小)(例如)使得可將其定位於產品特徵當中而非定位於切割道中，已提議使週期性結構小於量測光點(亦即，週期性結構填充過度)之度量衡。通常使用暗場散射量測來量測此等目標，其中阻擋零階繞射(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中找到暗場度量衡之實例，該等專利申請公開案之全文特此以引用方式併入。美國專利申請公開案第US 2011-0027704號、第US 2011-0043791號及第US 2012-0242970號中已描述該技術之進一步開發，該等專利申請公開案中之每一者之全文併入本文中。使用繞射階之暗場偵測的以繞射為基礎之疊對使能夠對較小目標進行疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由基板上之產品結構環繞。目標可包含可在一個影像中量測之多個週期性結構。 在已知度量衡技術中，藉由在某些條件下量測目標兩次，同時使目標旋轉或改變照明模式或成像模式以分離地獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度，以獲得疊對量測結果。關於給定目標之強度不對稱性(此等繞射階強度之比較)提供目標不對稱性(亦即，目標中之不對稱性)之量測。目標中之此不對稱性可用作疊對誤差(兩個層之不當未對準)之指示符。
在疊對量測之實例中，儘管疊對量測快速且計算上極簡單(一旦經校準)，但其依賴於疊對(亦即，疊對誤差及故意偏置)係目標中之目標不對稱性之唯一原因的假定。目標中之任何其他不對稱性(諸如，上部層中之週期性結構內之特徵之結構不對稱性、由上部層中之週期性結構疊對的下部層中之週期性結構內之特徵之結構不對稱性，或此兩者)亦造成一階(或其他高階)中之強度不對稱性。可歸因於結構不對稱性且與疊對無關之此強度不對稱性擾動疊對量測，從而給出不準確疊對量測。目標之下部或底部週期性結構中之不對稱性為結構不對稱性之常見形式。該結構不對稱性可起源於(例如)在最初形成底部週期性結構之後執行的基板處理步驟，諸如，化學-機械拋光(CMP)。 已發現，除了目標中之結構不對稱性以外或替代目標中之結構不對稱性，一目標之鄰近週期性結構之間的堆疊差異或鄰近目標之間的堆疊差異可為不利地影響諸如疊對量測之量測之準確度的因素。堆疊差異可被理解為鄰近週期性結構或目標之間的實體組態之非設計差異。堆疊差異包括(但不限於)鄰近週期性結構或目標之間的厚度差、鄰近週期性結構或目標之間的折射率差、鄰近週期性結構或目標之間的材料差異、鄰近週期性結構或目標之結構之光柵週期之差異，等等。類似於結構不對稱性，可藉由諸如圖案化程序中之CMP、層沈積等等處理步驟引入堆疊差異。 因此，需要以較直接及準確方式區分單獨由疊對造成的對目標不對稱性之貢獻。亦需要分離地或結合不同量測配方識別所要目標設計。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：獲得使用一圖案化程序而處理之一基板上之一度量衡目標之一量測，該量測已使用量測輻射而獲得；及自該量測導出該圖案化程序之一所關注參數，其中該所關注參數係藉由一堆疊差異參數予以校正，該堆疊差異參數表示該目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異或該基板上之該度量衡目標與另一鄰近目標之間的實體組態之一非設計差異。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：針對一量測目標之複數個鄰近週期性結構或針對複數個鄰近量測目標獲得一堆疊差異參數之第一值及一堆疊差異參數之第二值，該堆疊差異參數之該等第一值及該堆疊差異參數之該等第二值已分別運用使用第一量測輻射及第二量測輻射進行之量測而獲得，且該堆疊差異參數表示一量測目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異或一基板上之鄰近量測目標之間的實體組態之一非設計差異；自該量測目標之該複數個鄰近週期性結構或針對該複數個鄰近量測目標獲得一目標參數之第一值及該目標參數之第二值，該目標參數之該等第一值及該目標參數之該等第二值已分別運用該第一量測輻射及該第二量測輻射而獲得，且其中該目標參數值包含獨立於實體組態之該非設計差異之一部分及歸因於實體組態之該非設計差異之一部分；判定描述堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與該目標參數之該等第一值同該目標參數之該等第二值之差之間的關係之一關係函數；及自該關係函數判定獨立於實體組態之該非設計差異的一目標參數值之一部分。 在一實施例中，提供一種自複數個候選目標選擇一目標之方法，該方法包含：獲得用於複數個候選量測輻射對及複數個候選目標之值之複數個集合，每一候選目標包含水平地鄰近於一第二週期性結構之一第一週期性結構，值之每一集合係關於該等候選目標中之一者及該等候選量測輻射對中之一者之一不同組合，針對該候選目標之多個樣本之每組值包含：在分別使用該候選量測輻射對之一第一量測輻射及一第二量測輻射的情況下該候選目標之該等鄰近週期性結構之堆疊差異參數之第一值及堆疊差異參數之第二值，該堆疊差異參數表示一目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異；在分別使用該第一量測輻射及該第二量測輻射的情況下該候選目標之目標參數之第一值及目標參數之第二值；針對每組值，判定堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與目標參數之該等第一值同目標參數之該等第二值之差之間的一相關性程度；及基於針對每組值之該經判定相關性程度而自該等候選目標中之一者選擇一所要目標。 下文中參考隨附圖式來詳細地描述另外特徵及優點以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明光學系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影光學系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，該裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離的實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱為輻射系統。 照明器IL可包括用於調整輻射光束之角度強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影光學系統PS，投影光學系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上，藉此將圖案之影像投影於目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 可使用圖案化器件對準標記M1 、M2 及基板對準標記P1 、P2 來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形下，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。 此實例中之微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站-曝光站及量測站-在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。此情形實現裝置之產出率之相當大增加。 所描繪裝置可用於多種模式中，包括(例如)步進模式或掃描模式。微影裝置之構造及操作為熟習此項技術者所熟知，且為了理解本發明之實施例無需對其進行進一步描述。 如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影系統之部分，其被稱作微影製造單元(lithographic cell/lithocell) LC或叢集。微影製造單元LC亦可包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出通口I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件受到塗佈顯影系統控制單元TCU控制，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 圖3A中展示適合用於實施例中之檢測裝置。圖3B中更詳細地說明目標T及用以照明該目標之量測輻射之繞射射線。所說明之檢測裝置屬於被稱為暗場度量衡裝置之類型。該檢測裝置可為單機器件或併入於(例如)量測站處之微影裝置LA中或微影製造單元LC中。貫穿裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此裝置中，由源11 (例如，氙氣燈)發射之輻射係由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統經由光學元件15而導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列進行配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：其(例如)將基板影像提供至偵測器上且同時地允許接取中間光瞳平面以供空間頻率濾光。因此，可藉由在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間插入合適形式之孔徑板13來進行此選擇。在所說明之實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N自僅出於描述起見而經指定為「北」之方向提供離軸輻射。在第二照明模式中，孔徑板13S係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「南」之相對方向之照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式外部之任何不必要輻射將干涉所要量測信號。 如圖3B中所展示，目標T經置放成使得基板W垂直於物鏡16之光軸O。基板W可由支撐件(圖中未繪示)支撐。與軸線O成一角度而照射於目標T上之量測輻射射線I引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈點線-1)。應記住，在運用填充過度之小目標的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。由於板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之輻射所必要)，故入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，目標之週期性結構間距及照明角度可經設計或經調整為使得進入物鏡之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖3A及圖3B中所說明之射線被展示為稍微離軸，此純粹為了使其能夠在圖解中較容易地被區分。 由基板W上之目標T繞射之至少0階及+1階係由物鏡16收集，且經返回導向通過光學元件15。返回至圖3A，藉由指定被標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當量測輻射之入射射線I來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(被標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。 光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束而在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦檢測裝置及/或正規化一階光束之強度量測。亦可出於諸如重新建構之許多量測目的來使用光瞳平面影像。 在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標T之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像係僅由-1或+1一階光束形成。由感測器19及23捕捉之影像經輸出至處理影像之處理器PU，處理器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而，若僅存在-1階及+1階中之一者，則將不形成週期性結構特徵之影像。 圖3A、圖3C及圖3D中所展示之孔徑板13及場光闌21之特定形式純粹為實例。在一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射輻射傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，亦可將2階、3階及高階光束(圖3A、圖3B、圖3C或圖3D中未繪示)用於量測中。 為了使量測輻射可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，孔徑板13N或13S可僅用以量測在一個方向(取決於設置而為X或Y)上定向之週期性結構。為了量測正交週期性結構，可能實施達90°及270°之目標旋轉。圖3C及圖3D中展示不同孔徑板。上文所提及之專利申請公開案中描述此等孔徑板之使用以及裝置之眾多其他變化及應用。 圖4描繪根據已知實務形成於基板上之(複合)目標。此實例中之目標包含四個週期性結構(例如，光柵) 32至35，該等週期性結構緊密定位在一起使得其將皆在由檢測裝置之度量衡輻射照明光束形成之量測光點31內。該四個週期性結構因此皆被同時地照明且同時地成像於感測器19及23上。在專用於疊對量測之實例中，週期性結構32至35自身為由(例如)在形成於基板W上之半導體器件之不同層中圖案化的上覆週期性結構形成之複合週期性結構。週期性結構32至35可具有經不同偏置之疊對偏移，以便促進經形成有複合週期性結構之不同部分之層之間的疊對之量測。下文將參考圖7來解釋疊對偏置之涵義。週期性結構32至35亦可在其定向方面不同(如所展示)，以便使入射輻射在X方向及Y方向上繞射。在一項實例中，週期性結構32及34為分別具有為+d、-d之偏置偏移的X方向週期性結構。週期性結構33及35為分別具有偏置偏移+d、-d之Y方向週期性結構。可在由感測器23捕捉之影像中識別此等週期性結構之分離影像。此僅為疊對目標之一個實例。目標可包含多於或少於4個週期性結構，或僅單一週期性結構。 圖5展示在使用來自圖3D之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖3之裝置中使用圖4之目標而可形成於感測器23上且由感測器23偵測的影像之實例。雖然光瞳平面影像感測器19不可解析不同個別週期性結構32至35，但影像感測器23可進行此解析。暗矩形表示感測器上之影像之場，在此場內，基板上之經照明光點31成像至對應圓形區域41中。在此圓形區域內，矩形區域42至45表示小目標週期性結構32至35之影像。若目標位於產品區域中，則在此影像場之周邊中亦可見產品特徵。影像處理器及控制系統PU使用圖案辨識來處理此等影像，以識別週期性結構32至35之分離影像42至45。以此方式，影像並非必須在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此極大地改良量測裝置整體上之產出率。 一旦已識別週期性結構之分離影像，就可(例如)藉由平均化或求和經識別區域內之選定像素強度值來量測彼等個別影像之強度。可將影像之強度及/或其他屬性彼此進行比較。可組合此等結果以量測圖案化程序之不同參數。疊對效能為此參數之重要實例。 圖6說明在使用(例如) PCT專利申請公開案第WO 2011/012624號中所描述之方法的情況下如何量測含有組件週期性結構32至35之兩個層之間的疊對誤差(亦即，不當及非故意之疊對未對準)。此量測係經由識別如藉由比較目標週期性結構之+1階與-1階暗場影像之強度(可比較其他對應高階(例如，+2階與-2階)之強度)以獲得強度不對稱性之量度而揭露的目標不對稱性來進行。在步驟S1處，經由微影裝置(諸如圖2之微影製造單元)一或多次地處理基板(例如，半導體晶圓)以產生包括週期性結構32至35之目標。在S2處，在使用圖3之檢測裝置的情況下，使用一階繞射光束中之僅一者(比如-1)來獲得週期性結構32至35之影像。在步驟S3處，不論是藉由改變照明模式或改變成像模式抑或藉由使基板W在檢測裝置之視場中旋轉180°，皆可使用另一一階繞射光束(+1)獲得週期性結構之第二影像。因此，在第二影像中捕捉+1繞射輻射。 應注意，藉由使在每一影像中包括一階繞射輻射之僅一半，此處所提及之「影像」不為習知暗場顯微法影像。目標週期性結構之個別目標特徵將不被解析。每一目標週期性結構將簡單地由具有某一強度位準之區域表示。在步驟S4中，在每一組件目標週期性結構之影像內識別所關注區(ROI)，自該所關注區將量測強度位準。 在已識別用於每一個別目標週期性結構之ROI且已量測其強度的情況下，可接著判定目標之不對稱性且因此判定疊對誤差。在步驟S5中(例如，藉由處理器PU)比較針對每一目標週期性結構32至35之+1階及-1階所獲得之強度值以識別其強度不對稱性(例如，其強度之任何差)來進行此判定。術語「差」不意欲係僅指減法。可以比率形式計算差。在步驟S6中，使用針對數個目標週期性結構之經量測強度不對稱性連同彼等目標週期性結構之任何已知經強加疊對偏置之知識，以計算在目標T附近的圖案化程序之一或多個效能參數。 在本文中所描述之應用中，將包括使用兩個或多於兩個不同量測配方之量測。極大關注之效能參數為疊對。如稍後將描述，可計算圖案化程序之其他效能參數。效能參數(例如，疊對、CD、焦點、劑量等等)可經回饋(或經前饋)以用於改良圖案化程序、改良目標及/或用以改良圖6自身之量測及計算程序。 在上文所提及之專利申請公開案中，揭示用於使用上文所提及之基本方法來改良疊對量測之品質的各種技術。此處將不進一步詳細地解釋此等技術。該等技術可結合本申請案中新近所揭示之技術而使用。 圖7展示具有不同偏置偏移之目標週期性結構(疊對週期性結構)的示意性橫截面。此等目標週期性結構可用作基板W上之目標T，如在圖3及圖4中所見。僅出於實例起見而展示在X方向上具有週期性之週期性結構。可分離地提供或作為目標結構之部分來提供具有不同偏置且具有不同定向的此等週期性結構之不同組合。 以圖7A開始，展示形成於至少兩個層(被標註為L1及L2)中之目標600。在下部或底部層L1中，第一週期性結構(下部或底部週期性結構) (例如光柵)係由基板606上之特徵602及空間604形成。在層L2中，第二週期性結構(例如，光柵)係由特徵608及空間610形成。(橫截面經繪製成使得特徵602、608 (例如，線)延伸至頁面中)。週期性結構圖案在兩個層中具有間距P的情況下重複。特徵602及608可採取線、圓點、區塊及通孔之形式。在圖7A處所展示之情形中，不存在歸因於未對準之疊對貢獻，例如不存在疊對誤差且不存在經強加偏置，使得第二結構之每一特徵608確切地處於第一結構中之特徵602上方。 在圖7B處，展示具有第一已知經強加偏置+d之相同目標，使得將第一結構之特徵608相對於第二結構之特徵向右移位達距離d。偏置距離d實務上可能為幾奈米，例如10奈米至20奈米，而間距P係(例如)在300奈米至1000奈米之範圍內，例如，500奈米或600奈米。在圖7C處，描繪具有第二已知經強加偏置-d之另一特徵，使得為608之特徵向左移位。針對每一結構之d之值無需相同。以上所提及之先前專利申請公開案中描述圖7A至圖7C處所展示的此類型之經偏置週期性結構。 圖7D示意性地展示結構不對稱性(在此狀況下為第一結構中之結構不對稱性(底部結構不對稱性))之現象。圖7A至圖7C處之週期性結構中之特徵被展示為具完美正方形邊，其實真實特徵將在邊上具有某斜率且具有某一粗糙度。然而，其意欲在剖面方面至少對稱。在圖7D處之第一結構中之特徵602及/或空間604根本不具有對稱形式，而是已藉由一或多個處理步驟而變得失真。因此，舉例而言，每一空間之底部表面已變得傾斜(底部壁傾斜)。舉例而言，特徵及空間之側壁角已變得不對稱。由於此不對稱性，一目標之總目標不對稱性將包含：獨立於結構不對稱性之疊對貢獻(亦即，歸因於第一結構與第二結構之未對準之疊對貢獻；第一結構及第二結構自身包含疊對誤差及任何已知經強加偏置)；及歸因於目標中之此結構不對稱性之結構貢獻。 當藉由圖6之方法僅使用兩個經偏置週期性結構來量測疊對時，不能區別程序誘發之結構不對稱性與歸因於未對準之疊對貢獻，且結果疊對量測(尤其關於量測不當疊對誤差)變得不可靠。目標之第一結構(底部週期性結構)中之結構不對稱性為結構不對稱性之常見形式。該結構不對稱性可起源於(例如)在最初形成第一結構之後執行的基板處理步驟，諸如，化學-機械拋光(CMP)。 在PCT專利申請公開案第WO 2013-143814號中，提議使用三個或多於三個組件週期性結構以藉由圖6之方法之經修改版本來量測疊對。圖7A至圖7C中所展示的類型之三個或多於三個週期性結構係用以獲得疊對量測，該等疊對量測在一定程度上校正諸如藉由實務圖案化程序中之底部結構不對稱性造成的該等目標週期性結構中之結構不對稱性。然而，此方法需要新目標設計(例如，不同於圖4中所說明之目標設計)，且因此將需要新圖案化器件或圖案化器件圖案。此外，目標面積較大，且因此消耗較多基板面積。另外，在此方法及其他先前方法中忽略由結構不對稱性引起之疊對貢獻之相位元件，其意謂校正並不與其可在相位元件亦經校正的情況下之準確度一樣準確。 在圖8中，曲線702說明針對在形成「理想」目標之個別週期性結構內(且特別在第一結構之個別週期性結構內)具有零偏移且不具有結構不對稱性的該目標之疊對OV與強度不對稱性A之間的關係。因此，此理想目標之目標不對稱性僅包含歸因於由已知經強加偏置及疊對誤差OVE 引起的第一結構與第二結構之未對準之疊對貢獻。此曲線圖及圖9之曲線圖係僅用以說明本發明所隱含之原理，且在每一曲線圖中，強度不對稱性A及疊對OV之單位係任意的。下文中將進一步給出實際尺寸之實例。 在圖8之「理想」情形中，曲線702指示強度不對稱性A與疊對有非線性週期性關係(例如，正弦關係)。正弦變化之週期P對應於週期性結構之週期或間距P，其當然轉換成適當尺度。正弦形式在此實例中係純粹的，但在真實情況下可包括諧波。 如上文所提及，經偏置週期性結構(其具有已知經強加疊對偏置)可用以量測疊對，而非依賴於單一量測。此偏置具有在得到該偏置所來自之圖案化器件(例如，倍縮光罩)中所定義的已知值，其用作對應於經量測強度不對稱性之疊對之基板上校準。在該圖式中，以圖形方式說明計算。在步驟S1至S5中，針對分別具有經強加偏置+d及-d之週期性結構(例如圖7B及圖7C中所展示)獲得強度不對稱性量測A+d及A-d。將此等量測擬合至正弦曲線會給出如所展示之點704及706。在已知偏置的情況下，可計算真實疊對誤差OVE 。根據目標之設計，正弦曲線之間距P係已知的。曲線702之垂直尺度開始時未為吾人所知，而是為可被稱作一階諧波比例常數K1 之未知因數。此常數K1 為對目標之強度不對稱性量測之敏感度的量度。 就方程式而言，假定疊對誤差OVE 與強度不對稱性A之間的關係如下：(1) 其中在使得目標間距P對應於角度2π弧度之尺度上表達疊對誤差OVE 。在使用具有不同已知偏置(例如，+d及-d)之光柵之兩種量測的情況下，可使用以下方程式來計算疊對誤差OVE ：(2) 圖9展示引入結構不對稱性(例如，圖7D中所說明之底部週期性結構不對稱性)之第一效應。「理想」正弦曲線702不再適用。然而，至少近似地，底部週期性結構不對稱性或其他結構不對稱性具有將強度移位項K0 及相移項添加至強度不對稱性之效應。所得曲線在該圖解中被展示為712，其中標籤K0 指示強度移位項，且標籤指示相位偏移項。強度移位項K0 及相移項係取決於目標及量測輻射之選定特性(諸如，量測輻射之波長及/或偏振(量測配方))之組合，且對程序變化敏感。以方程式項，用於步驟S6中之計算之關係變為：(3) 在存在結構不對稱性的情況下，藉由方程式(2)描述之疊對模型將提供受到強度移位項K0 及相移項影響且因此將不準確的疊對誤差值。結構不對稱性亦將在映射疊對誤差時引起使用不同量測配方進行同一目標之量測之差異，此係因為強度及相移係波長及/或偏振相依的。因此，將需要最佳化目標-量測配方組合之選擇以便獲得更準確疊對誤差量測，或移除歸因於結構不對稱性之疊對貢獻，藉此校正疊對誤差量測。因此，基板處理之稍微改變或量測配方中之改變將導致疊對變化，藉此影響疊對疊對控制迴路自動程序控制(Automatic Process Control; APC)及器件良率。 經修改步驟S6之疊對計算依賴於某些假定。首先，假定強度不對稱性表現為疊對之正弦函數，其中週期P對應於光柵間距。此等假定對目前疊對範圍有效。諧波之數目可經設計為小的，此係因為小間距-波長比率僅允許來自光柵之小數目個傳播繞射階。然而，實務上對歸因於未對準之強度不對稱性之疊對貢獻可未必真正地正弦，且可未必圍繞OV = 0完全對稱。 提議量測目標之目標不對稱性，且因此量測未忽視結構不對稱性之效應之疊對，同時允許使用當前目標設計(諸如，圖4中所說明之目標設計)。此模型化可經執行為對圖6中所說明之方法中之步驟S6的修改。所提議方法可使用真實基板量測資料準確地計算疊對誤差，且可判定目標及量測配方之最佳或所要組合。無需模擬或重新建構。 詳言之，已觀測到，針對所關注疊對範圍，歸因於結構不對稱性之疊對貢獻之強度項及相位項兩者係獨立於歸因於未對準之疊對貢獻。 圖10A展示到達包含第一結構L1及第二結構L2之目標上的入射量測輻射光束800，其係針對該第二結構不包含結構不對稱性之狀況。來自第一結構之所得+1繞射階810+ 具有強度且來自第二結構之+1繞射階820+ 具有強度。針對目標之+1繞射階之此等強度組合以產生強度I+ 1 ：(4) 其中B及C為強度縮放因數、、、OV為疊對、P為目標間距、T為目標厚度，且λ為量測輻射波長。 相似地，來自第一結構之所得-1繞射階810- 具有強度且來自第二結構之-1繞射階820- 具有強度。針對目標之-1繞射階之此等強度組合以產生強度I- 1 ：(5) 圖10B展示到達包含第一結構L1及第二結構L2之目標上的入射輻射光束800，其係針對如下狀況：其中該第一結構包含結構不對稱性(結構不對稱性傾向於在底部結構中被發現)。由於第一結構中之結構不對稱性，來自該第一結構之+1繞射階與-1繞射階不同。在此處所展示之特定實例中，來自第一結構之+1繞射階810+ 具有強度，而來自第一結構之-1繞射階810' - 具有強度，其中B'不同於B且β'不同於β。因此，在此實例中，針對目標之-1繞射階之強度組合以產生強度I- 1 (強度I+ 1 與方程式(4)相同)：(6) 當使用具有已知經強加偏置+d及-d之目標來執行疊對量測時，自方程式(4)及(6)導出之強度不對稱性可依據相位項及強度項而公式化(+及-下標表示量測輻射光束之階，且+d及-d上標表示目標偏置)：其中：,,，，且在方程式(7)及方程式(8)中之每一者中，不對稱性信號之「強度項」(影響強度移位項之項)包含方程式之最後兩項()。不對稱性信號之「相位項」(影響相移項之項)包含此等方程式之剩餘項。藉由將此等方程式應用至用於歸因於結構不對稱性之疊對貢獻OVSA 之方程式中，獲得以下方程式： (9) (假定、) 第二項為歸因於結構不對稱性之疊對貢獻OVSA 之強度項，且剩餘部分為歸因於結構不對稱性之疊對貢獻OVSA 之相位項。 倘若β ≠ 0且β' ≠ 0 (或不接近於0)，且疊對範圍小(例如，在+/-20奈米內)使得α極小且sinα ≈ α，則：(10) 再次，第二項為強度項且剩餘部分為相位項。k為常數。 為獲得方程式(10)所作出之假定對大多數狀況有效。若β ≈ 0或β'≈ 0，則堆疊敏感度將極小且量測配方將在配方最佳化期間被濾出。又，疊對範圍將不被預期超過+/-20奈米。因此，在大多數狀況下，歸因於結構不對稱性之疊對貢獻OVSA 恆定且獨立於疊對關。因而，具有及不具有歸因於結構不對稱性之疊對貢獻之疊對的標繪圖將包含在小疊對之疊對範圍內之基本上平行線。可在圖9中在OV = 0周圍看到此情形。 可依據歸因於結構不對稱性之疊對貢獻OVSA 及獨立於結構不對稱性之疊對貢獻OVNSA 來表示總疊對OV (亦即，經量測疊對)：(11) 獨立於結構不對稱性之疊對貢獻OVNSA 可包含疊對誤差OVE (層之任何非故意之未對準)及/或任何已知經強加偏置d。將歸因於結構不對稱性之疊對貢獻OVSA 分離成構成強度項及相位項會得到：(12) 如自方程式(10)可導出，歸因於結構不對稱性之疊對貢獻之構成強度項係與下部光柵中之結構不對稱性BGA成比例(其中γ為比例常數)：(13) 在假定在強度項與相位項之間存在關係G (其可被稱作程序穩固性指數)的情況下：(14) 因此，可將方程式(12)重寫為： (15) 其中。倘若關係函數橫越基板恆定，則藉由判定關係函數，有可能判定獨立於結構不對稱性之疊對。因此，此疊對量測不包括組合強度項及相位項的歸因於結構不對稱性之疊對貢獻OVSA 。恆定關係函數ξ亦指示程序穩固性指數G橫越基板亦恆定(即使在具有堆疊變化的情況下)。因此，恆定關係函數ξ指示量測配方對程序變化穩固。 可藉由使用兩個不同量測配方量測基板上之目標而找到關係函數。在此狀況下： (16) 其中下標A及B表示可歸因於分別使用量測配方A (第一量測配方)及量測配方B (第二量測配方)進行之量測之項；其中OVA 及OVB 為分別運用量測配方A及量測配方B量測之疊對。為使用量測配方A量測之疊對OVA 與使用量測配方B量測之疊對OVB 之間的差。方程式(16)進一步係基於OVNSAA = OVNSAB = OVNSA 之假定。換言之，假定獨立於結構不對稱性之疊對獨立於量測配方。僅結構不對稱性信號係取決於量測配方。 量測配方A與B可在量測輻射之波長及/或偏振方面不同。 在一項實施例中，可藉由判定使用量測配方A進行之下部光柵中之經量測結構不對稱性BGAA 、使用量測配方B進行之下部光柵中之經量測結構不對稱性BGAB 與量測配方A與B之間的疊對量測之差之間的關係來找到關係函數。下文描述當所有目標之量測展示線性/平面相關性時假定(例如，擬合)恆定關係函數之有效性。 圖11為根據例示性實施例的判定關係函數及判定圖案化程序參數(例如，疊對)之方法的流程圖。對包含數個目標之基板執行該方法。方法之步驟如下，且此後接著更詳細地描述該等步驟： 900 - 分別運用配方A及配方B來量測關於目標之BGAA 及BGAB ； 910 -分別運用配方A及配方B來量測關於目標之OVA 及OVB ； 920 -將BGAA 、BGAB 及ΔOV標繪為3D標繪圖； 930 -找到關係函數及；及 940 -找到經校正疊對。 在步驟900處，使用第一量測配方A來量測每一目標之第一結構(或其子集)中之結構不對稱性BGAA ，藉此獲得第一結構中之結構不對稱性之第一量測。又，使用第二量測配方B來量測每一目標之第一結構(或其子集)中之結構不對稱性BGAB ，藉此獲得第一結構中之結構不對稱性之第二量測。 可在連同第一結構構成目標之第二結構之曝光之前執行結構不對稱性的第一量測及第二量測。在一實施例中，可藉由單一量測獲得結構不對稱性之量測及疊對之量測。此可藉由一起量測兩個相鄰結構來達成，一個結構僅包含第一結構(在第二結構已在其上方曝光之前)且另一結構包含完整目標(包含與第二結構疊對之第一結構)。 在步驟910處，使用第一量測配方A來量測每一目標(或其子集)之疊對OVA ，藉此獲得該等目標中之目標不對稱性之第一量測。又，使用第二量測配方B來量測每一目標(或其子集)之疊對OVB ，藉此獲得該等目標中之目標不對稱性之第二量測。 在步驟920處，可建構3D標繪圖，其標繪相對於在一軸線上的第一結構中之結構不對稱性之第一量測BGAA 與在另一軸線上的第一結構中之結構不對稱性之第二量測BGAB 之ΔOV (經量測疊對OVA 與經量測疊對OVB 之差)。在一實施例中，無需製得實際標繪圖，而是可以此3D方式分析資料。 圖12展示此3D標繪圖之實例。其包含z軸上之量測配方之間的疊對差ΔOV，及分別在x軸及y軸上之第一結構中之結構不對稱性之量測BGAA 及BGAB 。如可看到，在所有目標之ΔOV與結構不對稱性量測BGAA 及BGAB 之間存在良好扁平平面相關性，該關係界定基本上扁平平面1000。此良好相關性指示關係函數及各自為一常數，且因此可被準確地判定。 在步驟930處，判定關係函數及。可使用方程式(16)或考慮在x方向及y方向兩者上之平面1000之斜率來判定關係函數及。疊對量測準確度係與ΔOV與結構不對稱性量測BGAA 及BGAB 之間的相關性有關。理論上，當相關性展示完美扁平平面時，可完全消除由結構不對稱性造成之誤差且可獲得無誤差疊對指紋。在平面並非完美扁平的情況下，可判定斜率誤差(非相關性之量度)且將斜率誤差用作疊對量測中之不確定度之量度。 在步驟940處，可藉由以下方程式找到為獨立於結構不對稱性之疊對貢獻的經校正疊對： (17) 除了目標中之結構不對稱性以外或替代目標中之結構不對稱性，一目標之鄰近週期性結構之間的堆疊差異或鄰近目標之間的堆疊差異亦可為不利地影響量測(諸如，疊對量測)之準確度之因素。堆疊差異可被理解為鄰近週期性結構或目標之間的實體組態之非設計差異。堆疊差異造成鄰近週期性結構或目標之間的量測輻射之光學屬性(例如，強度、偏振等等)之差異，其係歸因於除為鄰近週期性結構或目標所共有的疊對誤差之外、除為鄰近週期性結構或目標所共有的故意偏置之外及除為鄰近週期性結構或目標所共有的結構不對稱性之外的因素。堆疊差異包括(但不限於)：鄰近週期性結構或目標之間的厚度差(例如，一或多個層之厚度之差，使得一個週期性結構或目標高於或低於經設計為處於實質上相等位階的另一週期性結構或目標)、鄰近週期性結構或目標之間的折射率差(例如，一或多個層之折射率之差，使得用於一個週期性結構或目標之一或多個層之經組合折射率不同於用於另一週期性結構或目標之一或多個層之經組合折射率，即使該另一週期性結構或目標經設計為具有實質上相等的經組合折射率亦如此)、鄰近週期性結構或目標之間的材料之差異(例如，一或多個層之材料類型、材料均一性等等之差異，使得在用於一個週期性結構或目標之材料與用於經設計為具有實質上相同材料的另一週期性結構或目標之材料方面存在差異)、鄰近週期性結構或目標之結構之光柵週期之差異(例如，用於一個週期性結構或目標之光柵週期與用於經設計為具有實質上相同光柵週期的另一週期性結構或目標之光柵週期的差異)、鄰近週期性結構或目標之結構之深度之差(例如，歸因於一個週期性結構或目標之結構深度之蝕刻而與經設計為具有實質上相同深度的另一週期性結構或目標之結構深度之蝕刻之差異)、鄰近週期性結構或目標之特徵之寬度(CD)之差異(例如，一個週期性結構或目標之特徵之寬度與經設計為具有實質上相同特徵寬度的另一週期性結構或目標之特徵寬度之差異)等等。在一些實例中，藉由圖案化程序中之諸如CMP、層沈積、蝕刻等等之處理步驟引入堆疊差異。在一實施例中，若週期性結構或目標在彼此相隔200微米內、彼此相隔150微米內、彼此相隔100微米內、彼此相隔75微米內、彼此相隔50微米內、彼此相隔40微米內、彼此相隔30微米內、彼此相隔20微米內或彼此相隔10微米內的情況下係鄰近的。 圖13示意性地說明其中在一目標之鄰近週期性結構(例如，複合光柵)之實施例之間不存在堆疊差異之情形。為了簡單起見，在此實例中不考慮結構不對稱性。另外，在圖13至圖16之實例中，疊對被認為係量測參數。將針對使用目標之不同參數量測(諸如，CD、焦點、劑量等等)作出適當調整。 圖13A展示一目標之呈複合光柵之形式的具有偏置+d之第一週期性結構1101，及該目標之呈複合光柵之形式的具有偏置-d之鄰近第二週期性結構1106。第一入射量測輻射光束1110照明於第一週期性結構1101之第一結構1105及第二結構1103上，其中在該第一結構1105與該第二結構1103之間存在偏置+d。結果，-1繞射階信號1130及1120係分別由第一結構1105及第二結構1103繞射。由第一週期性結構1101繞射之-1繞射階信號可被理解為-1繞射階信號1130及1120之組合。結果，+1繞射階信號1150及1140係分別由第一結構1105及第二結構1103繞射。由第一週期性結構1101繞射之+1繞射階信號可被理解為+1繞射階信號1150及1140之組合。因此，由第一週期性結構1101繞射之-1繞射階信號及由第一週期性結構1101繞射之+1繞射階信號可由以下方程式集體地表達：(18) 其中C指示信號之對比度(其依據週期性結構設計、量測波長等等而變化)、、T為第一週期性結構之厚度、λ為量測輻射波長、相位項、OV為實際疊對(歸因於層之任何非故意之未對準)，且P為第一週期性結構1101之第一結構1105與第二結構1103之間距。在圖13B中，根據方程式(18)，分別以跡線1160及1170描繪由第一週期性結構1101繞射之-1繞射階信號之強度剖面及由第一週期性結構1101繞射之+1繞射階信號之強度剖面。 相似地，第二入射量測輻射光束1115照明於第二週期性結構1106之第一結構1109及第二結構1107上，其中在該第一結構1109與該第二結構1106之間存在偏置-d。結果，-1繞射階信號1135及1125係分別由第二週期性結構1106之第一結構1109及第二結構1107繞射。由第二週期性結構1106繞射之-1繞射階信號可被理解為-1繞射階信號1135及1125之組合。另外，+1繞射階信號1155及1145係分別由第一結構1109及第二結構1107繞射。由第二週期性結構1106繞射之+1繞射階信號可被理解為+1繞射階信號1155及1145之組合。因此，由第二週期性結構1106繞射之-1繞射階信號及由第二週期性結構1106繞射之+1繞射階信號可由以下方程式集體地表達：(19) 其中C指示信號之對比度、、T為第二週期性結構之厚度、λ為量測輻射波長、相位項、OV為實際疊對(歸因於層之任何非故意之未對準)，且P為第二週期性結構1106之第一結構1109與第二結構1107之間距。在圖13C中，根據方程式(19)，分別以跡線1180及1190描繪由第二週期性結構1106繞射之-1繞射階信號之強度剖面及由第二週期性結構1106繞射之+1繞射階信號之強度剖面。 現在，圖14說明其中在具有偏置+d之第一週期性結構1201與具有偏置-d之鄰近第二週期性結構1206之間存在堆疊差異之情形。在此狀況下，堆疊差異為如在圖14A中所展示及在下文所描述的厚度之差異。相似於圖13，第一入射量測輻射光束1210分別照明於第一週期性結構1201之第一結構1205及第一週期性結構1201之第二結構1203上。結果，-1繞射階信號1230及1220係分別由第一結構1205及第二結構1203繞射。因此，由第一週期性結構1201繞射之-1繞射階信號可被理解為-1繞射階信號1230及1220之組合。另外，+1繞射階信號1250及1240係分別由第一結構1205及第二結構1203繞射。因此，由第一週期性結構1201繞射之+1繞射階信號可被理解為+1繞射階信號1250及1240之組合。 相似地，第二入射量測輻射光束1215分別照明於第二週期性結構1206之第一結構1209及第二結構1207上。結果，-1繞射階信號1235及1225係分別由第一結構1209及第二結構1207繞射。因此，由第二週期性結構1206繞射之-1繞射階信號可被理解為-1繞射階信號1225及1235之組合。另外，+1繞射階信號1255及1245係分別由第一結構1209及第二結構1207繞射。因此，由第二週期性結構1206繞射之+1繞射階信號可被理解為+1繞射階信號1255及1245之組合。 作為堆疊差異之實例，第一週期性結構1201與第二週期性結構1206可具有厚度之差異，如圖14A中所展示。然而，在另一實例中，可由允許第一週期性結構1201與第二週期性結構1206之間的非設計實體組態之額外或替代差異之一或多個其他因素產生堆疊差異。舉例而言，可在第一週期性結構1201相比於第二週期性結構1206對第一量測輻射光束1210更不透明時產生堆疊差異。舉例而言，可在第一週期性結構1201與第二週期性結構1206之間存在材料之差異(例如，具有不同折射率之相同類型之材料、不同類型之材料等等)。作為另一實例，可在第一週期性結構1201相對於第二週期性結構1206之間距方面存在差異，即使其經設計為具有實質上相同的間距。堆疊差異之此等實例並非可存在堆疊差異之僅有方式，且因此不應被認為是限制性的。 返回參看方程式(18)及(19)，堆疊差異可在方程式(18)及(19)中之每一者中引入三個額外項。第一項∆IN 指示各別信號之強度之實際改變。第二項∆CN 指示各別信號之對比度之實際改變。第三項∆β指示各別信號之相位之實際改變。該三個項係取決於量測輻射光束1210及1215之波長及/或偏振。因此，在存在堆疊差異的情況下，由第一週期性結構1201繞射之-1繞射階信號及由第一週期性結構1201繞射之+1繞射階信號可由以下方程式集體地表達：(20) 在圖14B中，根據方程式(20)，分別以跡線1260及1262描繪由第一週期性結構1201繞射之-1繞射階信號之強度剖面及由第一週期性結構1201繞射之+1繞射階信號之強度剖面。 在圖14D中，根據方程式(20)，分別以跡線1270及1272描繪由第一週期性結構1201繞射之-1繞射階信號之對比度剖面及由第一週期性結構1201繞射之+1繞射階信號之對比度剖面。 在圖14F中，根據方程式(20)，分別以跡線1280及1282描繪由第一週期性結構1201繞射之-1繞射階信號之相位剖面及由第一週期性結構1201繞射之+1繞射階信號之相位剖面。 另外，在存在堆疊差異的情況下，由第二週期性結構1206繞射之-1繞射階信號及由第二週期性結構1206繞射之+1繞射階信號可由以下方程式集體地表達：(21) 在圖14C中，根據方程式(21)，分別以跡線1264及1266描繪由第二週期性結構1206繞射之-1繞射階信號之強度剖面及由第二週期性結構1206繞射之+1繞射階信號之強度剖面。因此，與圖14B相比，存在強度不平衡性，其可導致量測誤差。 在圖14E中，根據方程式(21)，分別以跡線1274及1276描繪由第二週期性結構1206繞射之-1繞射階信號之對比度剖面及由第二週期性結構1206繞射之+1繞射階信號之對比度剖面。因此，與圖14D相比，存在對比度不平衡性，其可導致量測誤差。 在圖14G中，根據方程式(21)，分別以跡線1284及1286描繪由第二週期性結構1206繞射之-1繞射階信號之相位剖面及由第二週期性結構1206繞射之+1繞射階信號之相位剖面。因此，與圖14F相比，存在相位不平衡性，其可導致量測誤差。 將第一週期性結構1201之經量測強度不對稱性∆I+ d 定義為：(22) 藉由將方程式(20)併入至方程式(22)中且在假定+∆IN 及∆CN 小的情況下，可將∆I+ d 表達為：(23A) 且可將平均強度表達為：(23B) 其中相似地，將第二週期性結構1206之經量測強度不對稱性∆I- d 定義為：(24) 藉由將方程式(21)併入至方程式(24)中且在假定+∆IN 及∆CN 小的情況下，可將∆I- d 表達為：(25A) 且可將平均強度表達為：(25B) 可藉由以下方程式計算經量測疊對OVm ：(26) 藉由將方程式(22)至(25)併入至方程式(26)中，可獲得疊對量測中之誤差∆ɛOV 如下：(27) 當β ≈ 90° (針對經良好設計目標)且疊對(OV)小(相對於偏置d)時，可將方程式(27)進一步簡化為：(28) 另外，當第一週期性結構1201及第二週期性結構1206經良好設計為具有等於或近似等於1之對比度C時，∆CN 近似等於零。因此，可將量測誤差∆ɛOV 進一步簡化為：(29) 如自方程式(27)至(29)可看到，經量測疊對OVm 以由堆疊差異產生之量測誤差∆ɛOV 不同於實際疊對OV。因此，量測之準確度(例如，對準之量測(其中目標係用於對準)、疊對之量測(其中目標係用於疊對量測)等等)可藉由校正鄰近週期性結構或目標之間的堆疊差異而顯著縮減。可在產生或量測週期性結構或目標之程序改變(例如，程序偏移)的情況下校正由堆疊差異引起之量測誤差，該等程序改變(例如)係基於良率(亦即，為了判定週期性結構或目標是否準確之經處理器件之評估)、鄰近週期性結構或目標之橫截面之評估，或複雜量測及分析性重新建構。此等方法可慢及/或有破壞性。其可僅有效地校正恆定程序誤差。另外，藉由橫截面或良率量測可並未有效地解決鄰近週期性結構或目標之堆疊差異之變化。因此，舉例而言，需要評估及校正堆疊差異之穩固解決方案。 為了特性化堆疊差異，可界定一或多個堆疊差異參數。堆疊差異參數為鄰近週期性結構或目標之非設計不對稱實體組態之量度。堆疊差異參數可用以校正使用週期性結構或目標而進行之量測。可在藉由圖案化程序產生、限定、驗證等等(例如)器件中天然地使用經校正量測。另外或替代地，堆疊差異參數(或自堆疊差異參數導出之參數，諸如經校正量測)可用於鄰近週期性結構或目標中之一或多者之(再)設計中(例如，對設計之佈局作出改變)、可用於形成鄰近週期性結構或目標中之一或多者之程序中(例如，對材料作出改變、印刷步驟或條件中之改變等等)、可用於量測條件之公式化中(例如，依據量測光束之波長、偏振、照明模式等等而對光學量測公式化作出改變)等等。在一實施例中，可根據評估鄰近週期性結構或目標之橫截面判定堆疊差異參數。 在一實施例中，可針對複合光柵之下部鄰近光柵藉由在施加上部光柵之前評估該下部鄰近光柵而判定堆疊差異參數。在一實施例中，可自根據鄰近週期性結構或目標之光學量測或根據鄰近週期性結構或目標之橫截面進行鄰近週期性結構或目標之重新建構(如以上所描述)來導出堆疊差異參數。亦即，重新建構實體尺寸、特性、材料屬性等等且判定鄰近週期性結構或目標之間的差異以獲得堆疊差異參數。 在一實施例中，可與自鄰近週期性結構或目標量測之輻射相關聯地使用堆疊差異參數，以導出(例如)諸如疊對、CD、焦點、劑量等等之所關注參數之經校正量測。在一實施例中，可將堆疊差異參數用於鄰近週期性結構或目標之光學量測之模擬中以導出(例如)諸如疊對、CD、焦點、劑量等等之所關注參數之經校正經模擬量測。馬克士威求解程序及嚴密耦合波分析(RCWA)可用以獲得堆疊差異參數之值及/或所關注參數之經校正經模擬量測。 堆疊差異參數之一實施例為週期性結構強度不平衡性(GI)，其可被定義為：(30) 其中為由第一週期性結構1201繞射之+1繞射階強度信號與由第一週期性結構1201繞射之-1繞射階強度信號之平均值。相似地，為由第二週期性結構1206繞射之+1繞射階強度信號與由第二週期性結構1206繞射之-1繞射階強度信號之平均值。在一實施例中，週期性結構強度不平衡性(GI)可為經導出版本，諸如，、等等。 藉由將方程式(20)及(21)併入至方程式(30)中，週期性結構強度不平衡性GI變為：(31) 在方程式(31)中，第一項係關於堆疊差異，且第二項係關於實際疊對OV。第二項比第一項小得多。特定言之，當配方經良好設計、β ≈ 90°且疊對(OV)小時，實際疊對OV對週期性結構強度不平衡性GI之影響變得可忽略，此係由於第二項變為零。因此，週期性結構強度不平衡性GI係由堆疊差異支配為：(32) 當與方程式(29)相比時，可看到，週期性結構強度不平衡性GI為第一週期性結構1201與第二週期性結構1206之間的堆疊差異之良好指示符且因此為良好堆疊差異參數。為了考量不可忽略的第二項，可將臨限值應用於GI以識別是否存在顯著堆疊差異。亦即，舉例而言，若GI超過臨限值，則存在堆疊差異且可使用GI；否則，若GI低於臨限值，則第一項及第二項之組合並未識別顯著堆疊差異。 因此，通常可依據堆疊差異參數SD將量測誤差∆ɛOV 表示為：(33) 其中為針對第一週期性結構1201及第二週期性結構1206之堆疊差異參數與量測誤差之間的關係函數。在一實施例中，堆疊差異參數為或包含週期性結構強度不平衡性GI (或自GI導出)。因此，可將量測誤差∆ɛOV 表示為∆ɛOV =* GI。 另外，在一實施例中，可藉由併入結構不對稱性來延伸∆ɛOV 使得：(34) 其中BGA為週期性結構1201、1206中之結構不對稱性，且為針對週期性結構1201及1206之結構不對稱性與量測誤差之間的關係函數。 在方程式(33)及(34)中，可分別基於I±1 (±d)之量測計算OVm 及SD (其中(例如) SD為週期性結構強度不平衡性GI(或自GI導出))。另外，OVm 、SD及之值皆取決於量測配方(例如，波長、偏振等等)。 在一實施例中，可藉由使用兩個不同量測配方量測鄰近週期性結構或目標來找到關係函數ξSD 。關係函數ξSD 可僅僅為恆定值。在此狀況下： (35) 其中下標A及B表示可歸因於分別使用量測配方A (第一量測配方)及量測配方B (第二量測配方)進行之量測之項。具體言之，OVm , A 及OVm , B 為分別使用量測配方A及量測配方B量測之疊對，且及為分別根據量測配方A及量測配方B之用於第一週期性結構1201及第二週期性結構1206的關係函數。及為基於分別使用量測配方A及量測配方B進行之I±1 (±d)之量測而計算的堆疊差異參數。另外，為運用量測配方A量測之疊對OVm , A 與運用量測配方B量測之疊對OVm , B 之間的差。量測配方A及B可在(例如)量測輻射之波長及/或偏振方面不同。 因此，在堆疊差異參數為或包含週期性結構強度不平衡性GI的情況下，方程式(35)變為： (36) 其中基於分別使用量測配方A及量測配方B進行之I±1 (±d)之量測因此方程式(30)來計算及。 因此，在一實施例中，可藉由判定使用量測配方A計算之堆疊差異參數SDA (例如，)、使用量測配方B計算之堆疊差異參數SDB (例如，)與量測配方A與B之間的疊對量測之差之間的關係來找到關係函數。 圖15為根據例示性實施例的判定用於堆疊不同參數之關係函數及判定圖案化程序參數(例如，疊對)之方法的流程圖。可藉由圖3中之處理器PU執行該方法。 在步驟1500處，分別使用量測配方A及量測配方B獲得在基板上之第一週期性結構1201之複數個部位處繞射的+1及-1繞射階輻射光束之強度量測及在該基板上之第二週期性結構1206之複數個部位處繞射的+1及-1繞射階輻射光束之強度量測。 在步驟1510處，基於分別運用量測配方A及量測配方B進行之強度量測I±1 (±d)而判定堆疊差異參數SDA 及SDB 以及經量測疊對OVm , A 及OVm , B 。在一實施例中，週期性結構不平衡性GI被評估為堆疊差異參數SD。在此狀況下，根據(例如)方程式(30)基於分別運用量測配方A及量測配方B進行之強度量測I±1 (±d)而判定堆疊差異參數SDA (亦即，GIA )及SDB (亦即，GIB )。 相似地，根據(例如)方程式(26)基於分別運用量測配方A及量測配方B進行之強度量測I±1 (±d)而判定經量測疊對OVm , A 及OVm , B 。 在步驟1520處，可藉由相對於一個軸線上之堆疊差異參數SDA (例如，GIA )及另一軸線上之SDB (例如，GIB )標繪ΔOV (亦即，OVm , A 與OVm , B 之間的差)來建構3D標繪圖。在一實施例中，無需製得實際標繪圖，而是可以此3D方式分析資料。 圖16展示此3D標繪圖之實例。其包含Z軸上之量測配方之間的疊對差異ΔOV，及分別在X軸及Y軸上之堆疊差異參數SDA (例如，GIA )及SDB (例如，GIB )之量測。在一實施例中，在ΔOV與SDA (例如，GIA )與SDB (例如，GIB )之間存在良好的扁平平面相關性；該關係界定基本上扁平平面1600。 在步驟1530處，判定關係函數ξSD , A 及ξSD , B 。可使用方程式(36)在資料SDA 、SDB 及ΔOV中尋找擬合或考慮在3D標繪圖中平面1600相對於SDA 之軸線及SDB 之軸線之斜率來判定關係函數ξSD , A 及ξSD , B 。疊對量測準確度係與ΔOV與堆疊差異參數SDA (例如，GIA )及SDB (例如，GIB )之間的相關性有關。理論上，當相關性展示完美扁平平面時，可完全消除由堆疊差異造成之誤差且可獲得無誤差疊對指紋。在平面並非完美扁平的情況下，可判定斜率誤差(非相關性之量度)且將斜率誤差用作疊對量測中之不確定度之量度。 在步驟1540處，可藉由以下方程式找到為獨立於堆疊差異之疊對貢獻的經校正疊對： (37) 亦揭示識別理想目標設計以及目標設計與量測配方之理想組合之方法。以此方式，舉例而言，可識別具有對應的理想量測配方A及量測配方B之理想目標設計。一旦經識別，該(該等)組合就可用於執行疊對量測中。 應注意，一或多個理想量測配方將傾向於對應於一特定目標設計，使得識別目標設計及量測配方之理想組合。因此，一特定目標設計將未必針對所有量測配方皆提供良好結果，且一或多個特定量測配方將未必針對所有目標設計皆提供良好結果。然而，亦描述獨立於量測配方之目標設計選擇最佳化之方法。 可以數個方式變化目標設計。舉例而言，可存在諸如臨界尺寸、側壁角或間距之一或多個參數之變化。可評估數個候選目標設計，每一候選目標設計展示此等參數中之一或多者之變化。 量測配方可在諸如波長及/或偏振之參數方面變化。可評估不同候選量測配方(包括量測配方對)，每一配方展示此等參數中之一或多者之變化(例如，針對一對內所包含的量測配方中之一者或兩者)。 圖17為根據例示性實施例的最佳化目標設計選擇之方法的流程圖。方法之步驟如下，且此後接著更詳細地描述該等步驟： 1700 -運用複數個候選量測配方對來量測複數個候選目標設計； 1710 -針對候選目標設計及候選量測配方對之每一組合而在3D標繪圖上標繪複數個參數及ΔOV； 1720 -識別具有良好相關性之組合； 1730 -自針對每一經識別組合之扁平平面及/或斜率不確定度識別理想組合；及 1740 -自理想組合識別理想量測配方。 在步驟1700處，設計複數個候選目標設計且量測每一候選目標設計之多個樣本。可自單一基板或數個基板量測複數個候選目標設計之此等多個樣本。可接著針對數個候選量測配方對(亦即，針對複數個不同量測配方A及/或量測配方B)獲取每一候選目標設計之每一樣本組合之量測。 在步驟1710處，針對候選目標設計及候選量測配方對之每一組合針對ΔOV以及堆疊差異參數SDA 及SDB 製得相似於圖16中所說明之標繪圖及在步驟1520處所描述的標繪圖。如下文進一步所論述，針對候選目標設計及候選量測配方對之每一組合針對ΔOV以及結構不對稱性參數BGAA 及BGAB 製得相似於圖12中所說明之標繪圖及在步驟920處所描述的標繪圖。 在步驟1720處，識別展示ΔOV與堆疊差異參數SDA 及SDB 之間的最高相關性之組合。此識別可藉由基於用於每一組合之ΔOV以及堆疊差異參數SDA 及SDB 判定相關性係數及選擇相關性係數最高的一或多個組合來達成。相關性計算可為R2相關性。可基於臨限值(例如，相關性係數高於臨限值的所有組合)或基於待選擇之預定數目個組合(例如，選擇具有最高相關性之10個或20個組合)來識別一或多個組合。若僅一個組合展示良好相關性，則可選擇此組合，而不執行下一步驟1730。然而，步驟1730之執行係理想的，此係因為此步驟可判定此一組合是否具有合適扁平平面相關性。若否，則可需要再次以一或多個不同候選目標設計及/或一或多個候選量測配方對開始。 步驟1720可視情況包含識別可看到在相關性判定方面遍及候選量測配方對之範圍勝過其他目標設計的目標設計。舉例而言，若一目標設計相比於其他目標設計展示針對較大數目個量測配方對之良好相關性或遍及候選量測配方對之範圍之較佳平均相關性，則可識別該理想目標設計。 在步驟1730處，進一步評估在步驟1720處選擇之組合。詳言之，應瞭解，高相關性係數本身並不指示理想組合。即使在ΔOV、SDA 及SDB 之間存在高相關性係數的情況下，亦可在堆疊差異參數SDA 與SDB 之間存在強相互相依性。在此狀況下，3D標繪圖將傾向於形成線，而非平面。此情形引起歸因於圍繞線軸線之旋轉自由度之大斜率不確定度(其為非相關性之量度)。因此，需要識別並未展示針對兩個配方(或針對此相互相依性最小的配方)之堆疊差異參數SDA 與SDB 之間的此相互相依性之組合。 因此，在步驟1730處，選擇展示最佳扁平平面相關性之組合。可藉由考慮展示高相關性之組合之3D標繪圖及判定該標繪圖上之點是否界定基本上扁平平面(而非線)來識別此組合。可接著選擇標繪圖較佳地界定基本上扁平平面之組合。若此選擇得到示範明確較佳扁平平面相關性之組合，則可選擇此候選量測配方組合作為理想組合。若仍存在經判定扁平平面相關性相似或處於可接受位準之數個組合，則可使用另一評估度量。此評估度量可為每一標繪圖之斜率不確定度。斜率不確定度為疊對不確定度之量度。有可能在疊對量測中使用此不確定度，作為量測配方選擇之指數。此方法可包含將3D標繪圖之平面擬合至包含信賴界限之資料點(藉此界定用於每一點之信賴範圍)。純粹作為實例，可假定每一資料點具有95%的信賴界限。此將提供斜率不確定度之量度且因此提供疊對不確定度之量度。將堆疊差異SD乘以信賴範圍將得到校正之不確定度。 視情況，可另外或替代地執行步驟1710至1730中之評估以用於識別展示ΔOV與結構不對稱性參數BGAA 及BGAB 之間的最高相關性之組合。可與對堆疊差異之評估同時地或在對堆疊差異之評估之前/在對堆疊差異之評估之後執行對結構不對稱性之此評估。理想地，執行對結構不對稱性之評估連同對堆疊差異之評估，以共同最佳地尋找堆疊差異及結構不對稱性對ΔOV有最高相關性的一或多個目標設計及量測配方組合。 步驟1730應識別在堆疊差異及/或結構不對稱性方面經最佳化以用於疊對量測的目標設計及量測配方對之組合。因此，此方法可用以最佳化用於圖15及/或圖11之方法之目標設計及量測配方對的選擇。 在選用步驟1740處，在步驟1730處所識別的量測配方對之量測配方中之一者可經選擇為用於疊對量測之理想量測配方，其中僅運用一個量測配方之量測係可能的或理想的(例如，以最大化產出率)。此理想量測配方可為對應堆疊差異及/或結構不對稱性最小的對之配方。較低堆疊差異及/或結構不對稱性將引起較小校正，因此，經量測疊對應更接近於真實疊對。理想配方將對應於理想目標設計。 在一實施例中，代替建構如本文中所描述之3維標繪圖，可建構2維標繪圖。在一實施例中，2維標繪圖將為ΔOV相對於ΔSD之標繪圖，其中ΔSD為SDA 與SDB 之間的差；及/或ΔOV相對於ΔBGA之標繪圖，其中ΔBGA為BGAA 與BGAB 之間的差。可接著自標繪圖判定ΔOV與ΔSD之間的相關性及/或ΔOV與ΔBGA之間的相關性，且若存在足夠相關性，則可判定經校正疊對。針對在ΔOV與ΔSD之間及/或在ΔOV與ΔBGA之間將存在直線相關性而言，必須為如下狀況：關係函數ξSD , A 及ξSD , B 相同(亦即，ξSD , A = ξSD , B = ξSD )且關係函數與相同(亦即，==)。在此狀況下，適用線之斜率提供關係函數ξSD = ξSD,A = ξSD,B 或==。如前所述，可接著(如已經所描述)使用(例如)方程式(37)及/或方程式(17)來計算經校正疊對。如同3D標繪圖方法一樣，可藉由識別展示(線之)最佳相關性或最小斜率不確定度之彼等標繪圖來識別所要目標設計以及目標設計及量測配方之組合之識別。 總之，以下為藉由本文中所描述之概念可能製造之特徵： 前饋堆疊差異及視情況結構不對稱性特性化以用於在線內量測中進行疊對誤差量測之校正； 可自使用兩個(或多於兩個)配方經由簡單及直接方法進行之疊對及堆疊差異及/或結構不對稱性判定獲得更準確疊對量測； 可使用兩個配方來識別在堆疊差異/結構不對稱性與經量測疊對誤差之差之間具有強線性相關性的程序穩固目標及量測配方組合；及 可自所計算堆疊差異/結構不對稱性及疊對誤差不確定度判定理想配方。 理論上，本文中所描述之方法可完全移除由堆疊差異造成及(視情況)由結構不對稱性造成之誤差。本文中所描述之方法可無需新倍縮光罩設計、無需度量衡設計改變及/或無需度量衡目標面積增加。方法亦能夠具有更廣泛應用，例如，堆疊差異及/或結構不對稱性可用於程序穩定性監視。 圖18展示說明一程序之流程圖，在該程序中度量衡目標用以監視效能，且用作用於控制度量衡、設計及/或生產程序之基礎。在步驟D1中，處理基板以產生如本文中所描述之產品特徵及一或多個度量衡目標。在步驟D2處，使用(例如)圖6之方法量測及計算圖案化程序參數(例如，疊對)值且視情況使用不對稱性及/或堆疊差異參數校正該等圖案化程序參數(例如，疊對)值。在步驟D3處，可使用經量測圖案化程序參數(例如，疊對)值(連同如可得到之其他資訊)以更新度量衡配方。經更新度量衡配方用於重新量測圖案化程序參數及/或用於量測關於隨後經處理基板之圖案化程序參數。以此方式，所計算圖案化程序參數之準確度得以改良。可視需要自動化更新程序。在步驟D4中，使用圖案化程序參數值以更新控制器件製造程序中之微影圖案化步驟及/或其他程序步驟之配方以用於重工及/或用於處理另外基板。再次可視需要使此更新自動化。 雖然上文所揭示之實施例在以繞射為基礎之疊對量測(例如，使用圖3A中所展示之裝置之第二量測分支進行的量測)方面予以描述，但原則上同一模型可用於以光瞳為基礎之疊對量測(例如，使用圖3A中所展示之裝置之第一量測分支進行的量測)。因此，應瞭解，本文中所描述之概念同樣適用於以繞射為基礎之疊對量測及以光瞳為基礎之疊對量測。 雖然本文中所描述之度量衡目標之實施例已主要在疊對量測方面予以描述，但本文中所描述之度量衡目標之實施例可用以量測一或多個額外或替代圖案化程序參數。舉例而言，度量衡目標可用以量測曝光劑量變化、量測曝光焦點/散焦、量測CD等等。另外，此處之描述亦可在適當時在具有修改的情況下應用於(例如)使用對準標記而在微影裝置中進行之基板及/或圖案化器件對準。相似地，可判定用於對準量測之適當配方。 雖然上文所描述之目標結構為出於量測之目的而特定地設計及形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可量測關於為形成於基板上之器件之功能部分的目標之屬性。許多器件具有類似於光柵的規則週期性結構。如本文中所使用之目標之術語「目標」、「光柵」或「週期性結構」無需使已針對正被執行之量測具體提供適用結構。另外，度量衡目標之間距P 接近於量測工具之光學系統之解析度極限，但可比目標部分C中藉由圖案化程序製得的典型產品特徵之尺寸大得多。實務上，可使週期性結構之特徵及/或空間包括在尺寸方面相似於產品特徵之較小結構。 與如在基板及圖案化器件上實現的目標之實體結構相關聯地，一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列及/或函數資料之電腦程式，函數資料描述目標設計、描述設計用於基板之目標之方法、描述在基板上產生目標之方法、描述量測基板上之目標之方法及/或描述分析量測以獲得關於圖案化程序之資訊之方法。可(例如)在圖3之裝置中之單元PU內及/或圖2之控制單元LACU內執行此電腦程式。亦可提供經儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體，磁碟或光碟)。在例如屬於圖3中所展示之類型的現有檢測裝置已經在生產中及/或在使用中的情況下，可藉由提供經更新電腦程式產品以致使處理器執行本文所描述之方法中的一或多者(例如，執行經修改步驟S6及在對堆疊差異及/或結構不對稱性之敏感度縮減的情況下計算疊對誤差或其他參數)來實施實施例。程式可視情況經配置以控制光學系統、基板支撐件及其類似者以執行量測關於合適複數個目標之圖案化程序之參數(例如，執行步驟S2至S5以量測關於合適複數個目標之堆疊差異及/或結構不對稱性)的方法。程式可更新微影及/或度量衡配方以用於量測另外基板程式可經配置以控制(直接或間接地)微影裝置以用於圖案化及處理另外基板。 另外，已在本文中關於以繞射為基礎之度量衡描述實施例，該以繞射為基礎之度量衡(例如)自來自繞射階之強度量測重疊週期性結構之相對位置。然而，本文中之實施例可應用於(在需要時具有適當修改)以影像為基礎之度量衡，該以影像為基礎之度量衡(例如)使用目標之高品質影像來量測自層1中之目標1至層2中之目標2之相對位置。通常此等目標為週期性結構或「盒」(盒中盒(BiB))。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：獲得使用一圖案化程序而處理之一基板上之一度量衡目標之一量測，該量測已使用量測輻射而獲得；及自該量測導出該圖案化程序之一所關注參數，其中該所關注參數係藉由一堆疊差異參數予以校正，該堆疊差異參數表示該目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異或該基板上之該度量衡目標與另一鄰近目標之間的實體組態之一非設計差異。 在一實施例中，導出該所關注參數包含使用該堆疊差異參數及一關係函數來校正該所關注參數之一經量測值。在一實施例中，導出該所關注參數進一步包含使用一結構不對稱性參數來校正該所關注參數之一經量測值。在一實施例中，該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。在一實施例中，該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。在一實施例中，其中該週期性結構強度不平衡性包含(i)之值除以(ii)之值。在一實施例中，週期性結構或目標在彼此相隔200微米內的情況下係鄰近的。在一實施例中，該度量衡目標包含鄰近週期性結構，且該堆疊差異參數表示該目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異。在一實施例中，該度量衡目標之該等鄰近週期性結構具有一不同偏置。在一實施例中，該等不同偏置具有相同絕對值但不同正負號。在一實施例中，該所關注參數包含疊對、臨界尺寸、焦點或劑量。在一實施例中，該堆疊差異係藉由化學或機械處理步驟引入。在一實施例中，該方法進一步包含：針對一量測目標之複數個鄰近週期性結構或針對複數個鄰近量測目標獲得該堆疊差異參數之第一值及該堆疊差異參數之第二值，該堆疊差異參數之該等第一值及該堆疊差異參數之該等第二值已分別運用使用第一量測輻射及第二量測進行之量測而獲得；自該量測目標之該複數個鄰近週期性結構或針對該複數個鄰近量測目標獲得一目標參數之第一值及該目標參數之第二值，該圖案化程序參數之該等第一值及該圖案化程序參數之該等第二值已分別運用該第一量測輻射及該第二量測輻射而獲得，且其中該圖案化程序參數值包含獨立於實體組態之該非設計差異之一部分及歸因於實體組態之該非設計差異之一部分；判定描述堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與該圖案化程序參數之該等第一值同該圖案化程序參數之該等第二值之差之間的關係之一關係函數；及自該關係函數判定獨立於實體組態之該非設計差異的該所關注參數之一部分。在一實施例中，該目標參數包含一量測光束強度不對稱性、疊對、臨界尺寸、焦點或劑量。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：針對一量測目標之複數個鄰近週期性結構或針對複數個鄰近量測目標獲得一堆疊差異參數之第一值及一堆疊差異參數之第二值，該堆疊差異參數之該等第一值及該堆疊差異參數之該等第二值已分別運用使用第一量測輻射及第二量測輻射進行之量測而獲得，且該堆疊差異參數表示一量測目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異或一基板上之鄰近量測目標之間的實體組態之一非設計差異；自該量測目標之該複數個鄰近週期性結構或針對該複數個鄰近量測目標獲得一目標參數之第一值及該目標參數之第二值，該目標參數之該等第一值及該目標參數之該等第二值已分別運用該第一量測輻射及該第二量測輻射而獲得，且其中該目標參數值包含獨立於實體組態之該非設計差異之一部分及歸因於實體組態之該非設計差異之一部分；判定描述堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與該目標參數之該等第一值同該目標參數之該等第二值之差之間的關係之一關係函數；及自該關係函數判定獨立於實體組態之該非設計差異的一目標參數值之一部分。 在一實施例中，該關係函數包含一常數。在一實施例中，判定該關係函數包含判定一第一關係函數及一第二關係函數，該第一關係函數描述該堆疊差異參數之該等第一值與該目標參數之該等第一值同該目標參數之該等第二值之該差之間的一實質上線性關係，且該第二關係函數描述該堆疊差異參數之該等第二值與該目標參數之該等第一值同該目標參數之該等第二值之該差之間的一實質上線性關係。在一實施例中，判定該關係函數包含製得該目標參數之該等第一值與該目標參數之該等第二值之該差相對於該堆疊差異參數之該等第一值及相對於該堆疊差異參數之該等第二值的一3維標繪圖。在一實施例中，該3維標繪圖上之資料點實質上相關以界定一基本上扁平平面，且其中一第一關係函數係由該平面相對於該堆疊差異參數之該等第一值之一軸線的一斜率描述，且一第二關係函數係由該平面相對於該堆疊差異參數之該等第二值之一軸線的一斜率描述。在一實施例中，判定該關係函數包含判定描述以下兩者之間的一實質上線性關係之一關係函數：目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差；及堆疊差異參數之該等第一值與堆疊差異參數之該等第二值之該差。在一實施例中，判定該關係函數包含製得目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差相對於堆疊差異參數之該等第一值與堆疊差異參數之該等第二值之該差的一標繪圖，該關係函數係由擬合至該標繪圖之一線之斜率描述。 在一實施例中，該方法包含判定1)堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與2)目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差之一相關性程度。在一實施例中，一相關性程度係用於判定獨立於實體組態之該非設計差異的一目標參數值之該經判定部分之準確度的一量度。在一實施例中，該方法包含用以自複數個候選目標判定一所要目標之一初始最佳化，該初始最佳化包含：針對複數個候選目標之多個樣本以及該第一量測輻射及該第二量測輻射之複數個候選量測輻射對，獲得包含堆疊差異參數之該等第一值及第二值以及目標參數之該等第一值及第二值之複數組值，每組值係關於該等候選目標中之一者及該等候選量測輻射對中之一者之一不同組合；判定針對該複數組值中之每一者之一相關性程度；及基於針對每組值之該經判定相關性程度而自該等候選目標中之一者選擇一所要目標。在一實施例中，選擇一所要目標包含：針對每一候選目標判定與彼候選目標相關、使該經判定相關性程度高於一臨限值的數組值；及選擇使具有高於一臨限值之一經判定相關性程度的該數組值最大的該候選目標作為該所要目標。在一實施例中，選擇一所要目標包含：針對每一候選目標判定針對相關於彼候選目標之每組值的該經判定相關性程度之一平均值；及選擇該經判定平均值最大之該候選目標作為該所要目標。在一實施例中，選擇一所要目標包含基於針對每組值之該經判定相關性程度選擇該等候選目標中之一者與該等候選量測輻射對中之一者之一所要組合。在一實施例中，選擇該所要組合包含選擇對應於該經判定相關性程度最高的該組值之該組合。在一實施例中，選擇該所要組合包含選擇組合之一子集，組合之該子集中之每一者對應於該經判定相關性程度高的一組值。在一實施例中，組合之該子集包含對應於該經判定相關性程度高於一臨限值的一組值之所有組合。在一實施例中，該方法包含自組合之該子集選擇對應組值在一對應標繪圖上界定一基本上扁平平面之一組合作為該所要組合，該對應標繪圖係關於目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差相對於堆疊差異參數之該等第一值及相對於堆疊差異參數之該等第二值。在一實施例中，該所要組合為該對應組值在該標繪圖上最佳地界定一基本上扁平平面的組合。在一實施例中，在存在該對應組值在一可接受程度內在該標繪圖上界定一基本上扁平平面的多於一個組合的情況下，該方法進一步包含：判定針對界定一基本上扁平平面之此等組值中之每一者的一不確定度；及選擇該對應組值具有最小經判定不確定度之組合作為該所要組合。在一實施例中，該經判定不確定度包含目標參數之該等第一值及第二值中之一不確定度。在一實施例中，將該所要組合選擇為最佳地縮減目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之間的相互相依性之組合。在一實施例中，該方法包含選擇該所要組合之該量測輻射對之該第一量測輻射或該第二量測輻射作為一所要量測輻射，此選擇係基於哪一者引起用於該堆疊差異參數之量測之最小值。在一實施例中，該目標參數為疊對，且獨立於實體組態之該非設計差異的疊對值之該部分包含歸因於一已知經強加偏置之一貢獻及歸因於一疊對誤差之一貢獻。在一實施例中，該目標參數為量測光束強度不對稱性。在一實施例中，該第一量測輻射具有不同於該第二量測輻射之選定特性的一選定特性，該量測輻射之該選定特性包含波長或偏振。在一實施例中，該方法包含：使用該第一量測輻射量測該等鄰近週期性結構或目標以獲得堆疊差異參數之該等第一值；使用該第二量測輻射量測該等鄰近週期性結構或目標以獲得堆疊差異參數之該等第二值；使用該第一量測輻射量測該等鄰近週期性結構之該目標或該複數個鄰近目標之該等目標以獲得目標參數之該等第一值；及使用該第二量測輻射量測該等鄰近週期性結構之該目標或該複數個鄰近目標之該等目標以獲得目標參數之該等第二值。在一實施例中，該量測包含：運用該量測輻射照明該等鄰近週期性結構或目標及偵測由每一週期性結構或目標散射之該量測輻射；及量測該散射量測輻射之對應高階中之強度不對稱性。在一實施例中，在上覆該等鄰近週期性結構或目標之一結構形成之前執行該等鄰近週期性結構或目標之該量測。 在一實施例中，提供一種自複數個候選目標選擇一目標之方法，該方法包含：獲得用於複數個候選量測輻射對及複數個候選目標之複數組值，每一候選目標包含水平地鄰近於一第二週期性結構之一第一週期性結構，每組值係關於該等候選目標中之一者及該等候選量測輻射對中之一者之一不同組合，針對該候選目標之多個樣本之每組值包含：在分別使用該候選量測輻射對之一第一量測輻射及一第二量測輻射的情況下該候選目標之該等鄰近週期性結構之堆疊差異參數之第一值及堆疊差異參數之第二值，該堆疊差異參數表示一目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異；在分別使用該第一量測輻射及該第二量測輻射的情況下該候選目標之目標參數之第一值及目標參數之第二值；針對每組值，判定堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與目標參數之該等第一值同目標參數之該等第二值之差之間的一相關性程度；及基於針對每組值之該經判定相關性程度而自該等候選目標中之一者選擇一所要目標。 在一實施例中，選擇一所要目標包含：針對每一候選目標判定與彼候選目標相關、使該經判定相關性程度高於一臨限值的數組值；及選擇具有高於一臨限值之一經判定相關性程度的該數組值最大的該候選目標作為該所要目標。在一實施例中，選擇一所要目標包含：針對每一候選目標判定針對相關於彼候選目標之每組值的該經判定相關性程度之一平均值；及選擇該經判定平均值最大之該候選目標作為該所要目標。在一實施例中，選擇一所要目標包含基於針對每組值之該經判定相關性程度選擇該等候選目標中之一者與該等候選量測輻射對中之一者之一所要組合。在一實施例中，選擇一所要組合包含選擇對應於該經判定相關性程度最高的該組值之該組合。在一實施例中，選擇一所要組合包含選擇組合之一子集，組合之該子集中之每一者對應於該經判定相關性程度高的一組值。在一實施例中，組合之該子集包含對應於該經判定相關性程度高於一臨限值的一組值之所有組合。在一實施例中，該方法包含自組合之該子集選擇對應組值在一對應標繪圖上界定一基本上扁平平面之一組合作為該所要組合，該對應標繪圖係關於目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差相對於堆疊差異參數之該等第一值及相對於堆疊差異參數之該等第二值。在一實施例中，該所要組合為該對應組值在該標繪圖上最佳地界定一扁平平面的組合。在一實施例中，在存在該對應組值在一可接受程度內在該標繪圖上界定一基本上扁平平面的多於一個組合的情況下，該方法進一步包含：判定針對界定一基本上扁平平面之此等組值中之每一者的一不確定度；及選擇該對應組值具有最小經判定不確定度之組合作為該所要組合。在一實施例中，該經判定不確定度包含目標參數之該等第一值及第二值中之一不確定度。在一實施例中，將該所要組合選擇為最佳地縮減目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之間的相互相依性之組合。在一實施例中，該方法包含選擇該所要組合之該量測輻射對之該第一量測輻射或該第二量測輻射作為一所要量測輻射，此選擇係基於哪一者引起用於堆疊差異參數之量測之最小值。在一實施例中，該方法包含使用該所要量測輻射對該所要組合之該所要目標執行一疊對量測。在一實施例中，該方法包含使用該所要組合之該量測輻射對對該所要組合之該所要目標執行一疊對量測。在一實施例中，該方法包含對該所要目標執行一疊對量測。在一實施例中，該目標參數為疊對，且獨立於實體組態之該非設計差異的疊對值之該部分包含歸因於一已知經強加偏置之一貢獻及歸因於一疊對誤差之一貢獻。在一實施例中，該目標參數為量測光束強度不對稱性。 在一實施例中，提供一種用於量測一微影程序之一參數之度量衡裝置，該度量衡裝置可操作以執行如本文中所描述之一方法。 在一實施例中，提供一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一處理器執行如本文中所描述之一方法。 在一實施例中，提供一種系統，其包含：一檢測裝置，其經組態以將一輻射光束提供於一基板上之兩個鄰近週期性結構或量測目標上且偵測由該等目標繞射之輻射以判定一圖案化程序之一參數；及如本文中所描述之一非瞬時性電腦程式。在一實施例中，該系統進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。 如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」意謂調整一裝置或程序(例如，微影裝置或光學微影程序步驟)，使得(例如，微影之)圖案化及/或器件製造結果及/或程序具有一或多個理想特性，諸如基板上之設計佈局之較高投影準確度、較大程序窗等等。 本發明之實施例可採取以下形式：電腦程式，其含有描述如本文中所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或多於兩個電腦程式體現機器可讀指令。該兩個或多於兩個電腦程式可儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。 可在控制系統中植入本文中所揭示之一或多個態樣。本文中所描述之任何控制系統可在一或多個電腦程式係由位於裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。控制系統可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與控制系統中之至少一者通信。舉例而言，每一控制系統可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。控制系統可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，控制系統可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。 在以下編號條項中描述根據本發明之另外實施例： 1. 一種方法，其包含： 獲得使用一圖案化程序而處理之一基板上之一度量衡目標之一量測，該量測已使用量測輻射而獲得；及 自該量測導出該圖案化程序之一所關注參數，其中該所關注參數係藉由一堆疊差異參數予以校正，該堆疊差異參數表示該目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異或該基板上之該度量衡目標與另一鄰近目標之間的實體組態之一非設計差異。 2. 如條項1之方法，其中導出該所關注參數包含使用該堆疊差異參數及一關係函數來校正該所關注參數之一經量測值。 3. 如條項1或條項2之方法，其中導出該所關注參數進一步包含使用一結構不對稱性參數來校正該所關注參數之一經量測值。 4. 如條項1至3中任一項之方法，其中該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。 5. 如條項4之方法，其中該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。 6. 如條項5之方法，其中該週期性結構強度不平衡性包含(i)之值除以(ii)之值。 7. 如條項1至6中任一項之方法，其中週期性結構或目標在彼此相隔200微米內的情況下係鄰近的。 8. 如條項1至7中任一項之方法，其中該度量衡目標包含鄰近週期性結構，且該堆疊差異參數表示該目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異。 9. 如條項8之方法，其中該度量衡目標之該等鄰近週期性結構具有一不同偏置。 10. 如條項9之方法，其中該等不同偏置具有相同絕對值但不同正負號。 11. 如條項1至10中任一項之方法，其中該所關注參數包含疊對、臨界尺寸、焦點或劑量。 12. 如條項1至11中任一項之方法，其中該堆疊差異係藉由化學或機械處理步驟引入。 13. 如條項1至12中任一項之方法，其進一步包含： 針對一量測目標之複數個鄰近週期性結構或針對複數個鄰近量測目標獲得該堆疊差異參數之第一值及該堆疊差異參數之第二值，該堆疊差異參數之該等第一值及該堆疊差異參數之該等第二值已分別運用使用第一量測輻射及第二量測進行的量測而獲得； 自該量測目標之該複數個鄰近週期性結構或針對該複數個鄰近量測目標獲得一目標參數之第一值及該目標參數之第二值，該圖案化程序參數之該等第一值及該圖案化程序參數之該等第二值已分別運用該第一量測輻射及該第二量測輻射而獲得，且其中該圖案化程序參數值包含獨立於實體組態之該非設計差異之一部分及歸因於實體組態之該非設計差異之一部分； 判定描述堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與該圖案化程序參數之該等第一值同該圖案化程序參數之該等第二值之差之間的關係之一關係函數；及 自該關係函數判定獨立於實體組態之該非設計差異的該所關注參數之一部分。 14. 如條項13之方法，其中該目標參數包含一量測光束強度不對稱性、疊對、臨界尺寸、焦點或劑量。 15. 一種方法，其包含： 針對一量測目標之複數個鄰近週期性結構或針對複數個鄰近量測目標獲得一堆疊差異參數之第一值及一堆疊差異參數之第二值，該堆疊差異參數之該等第一值及該堆疊差異參數之該等第二值已分別運用使用第一量測輻射及第二量測輻射進行之量測而獲得，且該堆疊差異參數表示一量測目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異或一基板上之鄰近量測目標之間的實體組態之一非設計差異； 自該量測目標之該複數個鄰近週期性結構或針對該複數個鄰近量測目標獲得一目標參數之第一值及該目標參數之第二值，該目標參數之該等第一值及該目標參數之該等第二值已分別運用該第一量測輻射及該第二量測輻射而獲得，且其中該目標參數值包含獨立於實體組態之該非設計差異之一部分及歸因於實體組態之該非設計差異之一部分； 判定描述堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與該目標參數之該等第一值同該目標參數之該等第二值之差之間的關係之一關係函數；及 自該關係函數判定獨立於實體組態之該非設計差異的一目標參數值之一部分。 16. 如條項15之方法，其中該關係函數包含一常數。 17. 如條項15或條項16之方法，其中判定該關係函數包含判定一第一關係函數及一第二關係函數，該第一關係函數描述該堆疊差異參數之該等第一值與該目標參數之該等第一值同該目標參數之該等第二值之該差之間的一實質上線性關係，且該第二關係函數描述該堆疊差異參數之該等第二值與該目標參數之該等第一值同該目標參數之該等第二值之該差之間的一實質上線性關係。 18. 如條項15至17中任一項之方法，其中判定該關係函數包含製得該目標參數之該等第一值與該目標參數之該等第二值之該差相對於該堆疊差異參數之該等第一值及相對於該堆疊差異參數之該等第二值的一3維標繪圖。 19. 如條項18之方法，其中該3維標繪圖上之資料點實質上相關以界定一基本上扁平平面，且其中一第一關係函數係由該平面相對於該堆疊差異參數之該等第一值之一軸線的一斜率描述，且一第二關係函數係由該平面相對於該堆疊差異參數之該等第二值之一軸線的一斜率描述。 20. 如條項15或條項16之方法，其中判定該關係函數包含判定描述以下兩者之間的一實質上線性關係之一關係函數： 目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差；及 堆疊差異參數之該等第一值與堆疊差異參數之該等第二值之該差。 21. 如條項20之方法，其中判定該關係函數包含製得目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差相對於堆疊差異參數之該等第一值與堆疊差異參數之該等第二值之該差的一標繪圖，該關係函數係由擬合至該標繪圖之一線之斜率描述。 22. 如條項15至21中任一項之方法，其包含判定1)堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與2)目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差之一相關性程度。 23. 如條項22之方法，其中一相關性程度係用於判定獨立於實體組態之該非設計差異的一目標參數值之該經判定部分之準確度的一量度。 24. 如條項22或條項23之方法，其包含用以自複數個候選目標判定一所要目標之一初始最佳化，該初始最佳化包含： 針對複數個候選目標之多個樣本以及該第一量測輻射及該第二量測輻射之複數個候選量測輻射對，獲得包含堆疊差異參數之該等第一值及第二值以及目標參數之該等第一值及第二值之複數組值，每組值係關於該等候選目標中之一者及該等候選量測輻射對中之一者之一不同組合； 判定針對該複數組值中之每一者之一相關性程度；及 基於針對每組值之該經判定相關性程度而自該等候選目標中之一者選擇一所要目標。 25. 如條項24之方法，其中選擇一所要目標包含： 針對每一候選目標判定與彼候選目標相關、使該經判定相關性程度高於一臨限值的數組值；及 選擇具有高於一臨限值之一經判定相關性程度的該數組值最大的該候選目標作為該所要目標。 26. 如條項24之方法，其中選擇一所要目標包含： 針對每一候選目標判定針對相關於彼候選目標之每組值的該經判定相關性程度之一平均值；及 選擇該經判定平均值最大之該候選目標作為該所要目標。 27. 如條項24之方法，其中選擇一所要目標包含基於針對每組值之該經判定相關性程度選擇該等候選目標中之一者與該等候選量測輻射對中之一者之一所要組合。 28. 如條項27之方法，其中選擇該所要組合包含選擇對應於該經判定相關性程度最高的該組值之該組合。 29. 如條項27之方法，其中選擇該所要組合包含選擇組合之一子集，組合之該子集中之每一者對應於該經判定相關性程度高的一組值。 30. 如條項29之方法，其中組合之該子集包含對應於該經判定相關性程度高於一臨限值的一組值之所有組合。 31. 如條項29或條項30之方法，其包含自組合之該子集選擇對應組值在一對應標繪圖上界定一基本上扁平平面的一組合作為該所要組合，該對應標繪圖係關於目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差相對於堆疊差異參數之該等第一值及相對於堆疊差異參數之該等第二值。 32. 如條項30之方法，其中該所要組合為該對應組值在該標繪圖上最佳地界定一基本上扁平平面的組合。 33. 如條項31之方法，其中在存在該對應組值在一可接受程度內在該標繪圖上界定一基本上扁平平面的多於一個組合的情況下，該方法進一步包含： 判定針對界定一基本上扁平平面之此等組值中之每一者的一不確定度；及 選擇該對應組值具有最小經判定不確定度之組合作為該所要組合。 34. 如條項33之方法，其中該經判定不確定度包含目標參數之該等第一值及第二值中之一不確定度。 35. 如條項31至34中任一項之方法，其中將該所要組合選擇為最佳地縮減目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之間的相互相依性之組合。 36. 如條項27至35中任一項之方法，其包含選擇該所要組合之該量測輻射對之該第一量測輻射或該第二量測輻射作為一所要量測輻射，此選擇係基於哪一者引起用於該堆疊差異參數之量測之最小值。 37. 如條項15至36中任一項之方法，其中該目標參數為疊對，且獨立於實體組態之該非設計差異的疊對值之該部分包含歸因於一已知經強加偏置之一貢獻及歸因於一疊對誤差之一貢獻。 38. 如條項15至36中任一項之方法，其中該目標參數為量測光束強度不對稱性。 39. 如條項15至38中任一項之方法，其中該第一量測輻射具有不同於該第二量測輻射之選定特性的一選定特性，該量測輻射之該選定特性包含波長或偏振。 40. 如條項15至39中任一項之方法，其包含： 使用該第一量測輻射量測該等鄰近週期性結構或目標以獲得堆疊差異參數之該等第一值； 使用該第二量測輻射量測該等鄰近週期性結構或目標以獲得堆疊差異參數之該等第二值； 使用該第一量測輻射量測該等鄰近週期性結構之該目標或該複數個鄰近目標之該等目標以獲得目標參數之該等第一值；及 使用該第二量測輻射量測該等鄰近週期性結構之該目標或該複數個鄰近目標之該等目標以獲得目標參數之該等第二值。 41. 如條項40之方法，其中該量測包含： 運用該量測輻射照明該等鄰近週期性結構或目標及偵測由每一週期性結構或目標散射之該量測輻射；及 量測該散射量測輻射之對應高階中之強度不對稱性。 42. 如條項39或條項40之方法，其中在上覆該等鄰近週期性結構或目標之一結構形成之前執行該等鄰近週期性結構或目標之該量測。 43. 一種自複數個候選目標選擇一目標之方法，該方法包含： 獲得用於複數個候選量測輻射對及複數個候選目標之複數組值，每一候選目標包含水平地鄰近於一第二週期性結構之一第一週期性結構，每組值係關於該等候選目標中之一者及該等候選量測輻射對中之一者之一不同組合，針對該候選目標之多個樣本之每組值包含： 在分別使用該候選量測輻射對之一第一量測輻射及一第二量測輻射的情況下該候選目標之該等鄰近週期性結構之堆疊差異參數之第一值及堆疊差異參數之第二值，該堆疊差異參數表示一目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異； 在分別使用該第一量測輻射及該第二量測輻射的情況下該候選目標之目標參數之第一值及目標參數之第二值； 針對每組值，判定堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與目標參數之該等第一值同目標參數之該等第二值之差之間的一相關性程度；及 基於針對每組值之該經判定相關性程度而自該等候選目標中之一者選擇一所要目標。 44. 如條項43之方法，其中選擇一所要目標包含： 針對每一候選目標判定與彼候選目標相關、使該經判定相關性程度高於一臨限值的數組值；及 選擇具有高於一臨限值之一經判定相關性程度的該數組值最大的該候選目標作為該所要目標。 45. 如條項43之方法，其中選擇一所要目標包含： 針對每一候選目標判定針對相關於彼候選目標之每組值的該經判定相關性程度之一平均值；及 選擇該經判定平均值最大之該候選目標作為該所要目標。 46. 如條項43之方法，其中選擇一所要目標包含基於針對每組值之該經判定相關性程度選擇該等候選目標中之一者與該等候選量測輻射對中之一者之一所要組合。 47. 如條項46之方法，其中選擇一所要組合包含選擇對應於該經判定相關性程度最高的該組值之該組合。 48. 如條項46之方法，其中選擇一所要組合包含選擇組合之一子集，組合之該子集中之每一者對應於該經判定相關性程度高的一組值。 49. 如條項48之方法，其中組合之該子集包含對應於該經判定相關性程度高於一臨限值的一組值之所有組合。 50. 如條項48或條項49之方法，其包含自組合之該子集選擇對應組值在一對應標繪圖上界定一基本上扁平平面之一組合作為該所要組合，該對應標繪圖係關於目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之該差相對於堆疊差異參數之該等第一值及相對於堆疊差異參數之該等第二值。 51. 如條項50之方法，其中該所要組合為該對應組值在該標繪圖上最佳地界定一扁平平面的組合。 52. 如條項50之方法，其中在存在該對應組值在一可接受程度內在該標繪圖上界定一基本上扁平平面的多於一個組合的情況下，該方法進一步包含： 判定針對界定一基本上扁平平面之此等組值中之每一者的一不確定度；及 選擇該對應組值具有最小經判定不確定度之組合作為該所要組合。 53. 如條項52之方法，其中該經判定不確定度包含目標參數之該等第一值及第二值中之一不確定度。 54. 如條項50至53中任一項之方法，其中將該所要組合選擇為最佳地縮減目標參數之該等第一值與目標參數之該等第二值之間的相互相依性之組合。 55. 如條項46至54中任一項之方法，其包含選擇該所要組合之該量測輻射對之該第一量測輻射或該第二量測輻射作為一所要量測輻射，此選擇係基於哪一者引起用於堆疊差異參數之量測之最小值。 56. 如條項55之方法，其包含使用該所要量測輻射對該所要組合之該所要目標執行一疊對量測。 57. 如條項46至54中任一項之方法，其包含使用該所要組合之該量測輻射對對該所要組合之該所要目標執行一疊對量測。 58. 如條項46至57中任一項之方法，其包含對該所要目標執行一疊對量測。 59. 如條項46至58中任一項之方法，其中該目標參數為疊對，且獨立於實體組態之該非設計差異的疊對值之該部分包含歸因於一已知經強加偏置之一貢獻及歸因於一疊對誤差之一貢獻。 60. 如條項46至58中任一項之方法，其中該目標參數為量測光束強度不對稱性。 61. 一種用於量測一微影程序之一參數之度量衡裝置，該度量衡裝置可操作以執行如條項1至60中任一項之方法。 62. 一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一處理器執行如條項1至60中任一項之方法。 63. 一種系統，其包含： 一檢測裝置，其經組態以將一輻射光束提供於一基板上之兩個鄰近週期性結構或量測目標上且偵測由該等目標繞射之輻射以判定一圖案化程序之一參數；及 如條項62之非暫時性電腦程式產品。 64. 如條項63之系統，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 特定實施例之前述描述揭露本發明之實施例之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。 因此，本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者來界定。
+1(N)‧‧‧+1繞射射線
-1(S)‧‧‧-1繞射射線
0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線/一階繞射光束
-1‧‧‧一階射線/繞射射線/一階繞射光束
11‧‧‧源
12‧‧‧透鏡
13‧‧‧孔徑板
13E‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13NW‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
13SE‧‧‧孔徑板
13W‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
15‧‧‧光學元件
16‧‧‧物鏡
17‧‧‧光束分裂器
18‧‧‧光學系統
19‧‧‧第一感測器/光瞳平面影像感測器
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧孔徑光闌/場光闌
22‧‧‧光學系統
23‧‧‧影像感測器
31‧‧‧量測光點/經照明光點
32‧‧‧組件週期性結構
33‧‧‧組件週期性結構
34‧‧‧組件週期性結構
35‧‧‧組件週期性結構
41‧‧‧圓形區域
42‧‧‧矩形區域/影像
43‧‧‧矩形區域/影像
44‧‧‧矩形區域/影像
45‧‧‧矩形區域/影像
600‧‧‧目標
602‧‧‧特徵
604‧‧‧空間
606‧‧‧基板
608‧‧‧特徵
610‧‧‧空間
702‧‧‧曲線
704‧‧‧點
706‧‧‧點
712‧‧‧曲線
800‧‧‧入射量測輻射光束
810+‧‧‧ +1繞射階
810-‧‧‧ -1繞射階
810'-‧‧‧ -1繞射階
820+‧‧‧ +1繞射階
820-‧‧‧ -1繞射階
900‧‧‧步驟
910‧‧‧步驟
920‧‧‧步驟
930‧‧‧步驟
940‧‧‧步驟
1000‧‧‧基本上扁平平面
1101‧‧‧第一週期性結構
1103‧‧‧第二結構
1105‧‧‧第一結構
1106‧‧‧第二週期性結構
1107‧‧‧第二結構
1109‧‧‧第一結構
1110‧‧‧第一入射量測輻射光束
1115‧‧‧第二入射量測輻射光束
1120‧‧‧-1繞射階信號
1125‧‧‧-1繞射階信號
1130‧‧‧-1繞射階信號
1135‧‧‧-1繞射階信號
1140‧‧‧+1繞射階信號
1145‧‧‧+1繞射階信號
1150‧‧‧+1繞射階信號
1155‧‧‧+1繞射階信號
1160‧‧‧跡線
1170‧‧‧跡線
1180‧‧‧跡線
1190‧‧‧跡線
1201‧‧‧第一週期性結構
1203‧‧‧第二結構
1205‧‧‧第一結構
1206‧‧‧第二週期性結構
1207‧‧‧第二結構
1209‧‧‧第一結構
1210‧‧‧第一入射量測輻射光束
1215‧‧‧第二入射量測輻射光束
1220‧‧‧-1繞射階信號
1225‧‧‧-1繞射階信號
1230‧‧‧-1繞射階信號
1235‧‧‧-1繞射階信號
1240‧‧‧+1繞射階信號
1245‧‧‧+1繞射階信號
1250‧‧‧+1繞射階信號
1255‧‧‧+1繞射階信號
1260‧‧‧跡線
1262‧‧‧跡線
1264‧‧‧跡線
1266‧‧‧跡線
1270‧‧‧跡線
1272‧‧‧跡線
1274‧‧‧跡線
1276‧‧‧跡線
1280‧‧‧跡線
1282‧‧‧跡線
1284‧‧‧跡線
1286‧‧‧跡線
1500‧‧‧步驟
1510‧‧‧步驟
1520‧‧‧步驟
1530‧‧‧步驟
1540‧‧‧步驟
1600‧‧‧平面
1700‧‧‧步驟
1710‧‧‧步驟
1720‧‧‧步驟
1730‧‧‧步驟
1740‧‧‧步驟
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
+d‧‧‧偏置偏移/經強加偏置
-d‧‧‧偏置偏移/經強加偏置
D1‧‧‧步驟
D2‧‧‧步驟
D3‧‧‧步驟
D4‧‧‧步驟
DE‧‧‧顯影器
I‧‧‧量測輻射射線/入射射線
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明光學系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出通口
I/O2‧‧‧輸入/輸出通口
L1‧‧‧層/第一結構
L2‧‧‧層/第二結構
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧圖案化器件支撐件或支撐結構
O‧‧‧光軸
P‧‧‧週期/間距
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影光學系統
PU‧‧‧處理器/影像處理器及控制系統
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器或機器人
ROI‧‧‧所關注區
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
S6‧‧‧步驟
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧度量衡目標
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參考隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，在該等圖式中： 圖1描繪微影裝置之實施例； 圖2描繪微影製造單元或叢集之實施例； 圖3A描繪經組態以使用第一對照明孔徑來量測目標之檢測裝置(例如，在此狀況下為暗場散射計)的示意圖； 圖3B示意性地描繪針對給定照明方向之目標週期性結構之繞射光譜的細節； 圖3C示意性地描繪在使用圖3A之檢測裝置以用於以繞射為基礎之疊對量測時提供另外照明模式的第二對照明孔徑； 圖3D示意性地描繪組合第一對孔徑及第二對孔徑的第三對照明孔徑； 圖4描繪基板上之多重週期性結構目標之形式及量測光點之輪廓； 圖5描繪圖3之檢測裝置中獲得的圖4之目標之影像； 圖6為展示使用圖3之檢測裝置之疊對量測方法之步驟的流程圖； 圖7A、圖7B及圖7C分別展示具有為大約零之不同疊對值之疊對週期性結構的示意性橫截面； 圖7D為歸因於處理效應之在底部週期性結構中具有結構不對稱性的疊對週期性結構之示意性橫截面； 圖8說明未經受結構不對稱性之理想目標目標中之疊對量測的原理； 圖9說明非理想目標中之疊對量測之原理，其中運用如本文中之實施例中所揭示的結構不對稱性之校正； 圖10A說明在由包含第一及第二經疊對週期性結構之目標繞射之後的繞射信號，其中在第一層中無結構不對稱性； 圖10B說明在由包含第一及第二經疊對結構之目標繞射之後的繞射信號，其中在第一層中具有結構不對稱性； 圖11為根據一實施例之方法之步驟的流程圖； 圖12示意性說明在圖11之方法之步驟期間建構之3維標繪圖的實例； 圖13A示意性地說明其中在具有偏置+d之第一目標週期性結構與具有偏置-d之第二目標週期性結構之間不存在堆疊差異之情形，及說明在由第一及第二目標週期性結構繞射之後的繞射信號； 圖13B示意性地說明由第一目標週期性結構繞射之經組合+1繞射階信號及經組合-1繞射階信號的強度變化； 圖13C示意性地說明由第二目標週期性結構繞射之經組合+1繞射階信號及經組合-1繞射階信號的強度變化； 圖14A示意性地說明其中在具有偏置+d之第一目標週期性結構與具有偏置-d之第二目標週期性結構之間存在堆疊差異之情形，及說明在由第一及第二目標週期性結構繞射之後的繞射信號； 圖14B及圖14C示意性地說明分別由第一目標週期性結構及第二目標週期性結構繞射之經組合+1繞射階信號及經組合-1繞射階信號的強度變化； 圖14D及圖14E說明分別由第一目標週期性結構及第二目標週期性結構繞射之經組合+1繞射階信號及經組合-1繞射階信號的對比度變化； 圖14F及圖14G說明分別由第一目標週期性結構及第二目標週期性結構繞射之經組合+1繞射階信號及經組合-1繞射階信號的相位變化； 圖15為根據一實施例之方法之步驟的流程圖； 圖16說明在圖15之方法之步驟期間建構之3維標繪圖的實例； 圖17為根據一實施例之方法之步驟的流程圖；及 圖18為說明一程序之流程圖，在該程序中度量衡目標用以監視效能，且用作控制度量衡、設計及/或生產程序之基礎。

Claims (26)

  1. 一種用於量測一微影程序之一參數之方法，其包含：獲得使用一圖案化程序而處理之一基板上之一度量衡(metrology)目標之一量測，該量測已使用量測輻射而獲得；及自該量測導出該圖案化程序之一所關注參數(parameter of interest)，其中該所關注參數係藉由一堆疊差異參數予以校正，該堆疊差異參數表示與由該所關注參數量測之一實體組態分離(separate)的該目標之鄰近週期性結構之間或該基板上之該度量衡目標與另一鄰近目標之間的實體組態之一非設計(un-designed)差異。
  2. 如請求項1之方法，其中導出該所關注參數包含：使用該堆疊差異參數及一關係函數來校正該所關注參數之一經量測值。
  3. 如請求項1之方法，其中導出該所關注參數進一步包含：使用一結構不對稱性參數來校正該所關注參數之一經量測值。
  4. 如請求項1之方法，其中該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。
  5. 如請求項4之方法，其中該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。
  6. 如請求項5之方法，其中該週期性結構強度不平衡性包含(i)之值除以(ii)之值。
  7. 如請求項1之方法，其中週期性結構或目標在彼此相隔200微米內的情況下係鄰近的。
  8. 如請求項1之方法，其中該度量衡目標包含鄰近週期性結構，且該堆疊差異參數表示與由該所關注參數量測之一實體組態分離的該目標之鄰近週期性結構之間的實體組態之一非設計差異。
  9. 如請求項8之方法，其中該度量衡目標之該等鄰近週期性結構具有一不同偏置(bias)。
  10. 如請求項9之方法，其中該等不同偏置具有相同絕對值但不同正負號。
  11. 如請求項1之方法，其中該所關注參數包含疊對、臨界尺寸、焦點或劑量。
  12. 如請求項1之方法，其中該堆疊差異係藉由化學或機械處理步驟引入。
  13. 如請求項1之方法，其進一步包含：針對一量測目標之複數個鄰近週期性結構或針對複數個鄰近量測目標獲得該堆疊差異參數之第一值及該堆疊差異參數之第二值，該堆疊差異參數之該等第一值及該堆疊差異參數之該等第二值已分別運用使用第一量測輻射及第二量測進行的量測而獲得；自該量測目標之該複數個鄰近週期性結構或針對該複數個鄰近量測目標獲得一目標參數之第一值及該目標參數之第二值，該圖案化程序參數之該等第一值及該圖案化程序參數之該等第二值已分別運用該第一量測輻射及該第二量測輻射而獲得，且其中該圖案化程序參數值包含獨立於實體組態之該非設計差異之一部分及歸因於實體組態之該非設計差異之一部分；判定描述堆疊差異參數之該等第一值及/或第二值與該圖案化程序參數之該等第一值同該圖案化程序參數之該等第二值之差之間的關係之一關係函數；及自該關係函數判定獨立於實體組態之該非設計差異的該所關注參數之一部分。
  14. 如請求項13之方法，其中該目標參數包含一量測光束強度不對稱性、疊對、臨界尺寸、焦點或劑量。
  15. 一種用於量測一微影程序之一參數之度量衡裝置，該度量衡裝置經組態以執行如請求項1之方法。
  16. 一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令經組態以致使一處理器至少：獲得使用一圖案化程序而處理之一基板上之一度量衡目標之一量測，該量測已使用量測輻射而獲得；及自該量測導出該圖案化程序之一所關注參數，其中該所關注參數係藉由一堆疊差異參數予以校正，該堆疊差異參數表示與由該所關注參數量測之一實體組態分離的該目標之鄰近週期性結構之間或該基板上之該度量衡目標與另一鄰近目標之間之實體組態之一非設計差異。
  17. 如請求項16之電腦程式產品，其中經組態以致使該處理器導出該所關注參數之該等指令係經進一步組態以：使用一結構不對稱性參數來校正該所關注參數之一經量測值。
  18. 如請求項16之電腦程式產品，其中該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。
  19. 如請求項18之電腦程式產品，其中該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。
  20. 如請求項19之電腦程式產品，其中該週期性結構強度不平衡性包含(i)之值除以(ii)之值。
  21. 如請求項16之電腦程式產品，其中該度量衡目標包含鄰近週期性結構，且該堆疊差異參數表示與由該所關注參數量測之一實體組態分離的該目標之鄰近週期性結構之間之實體組態之一非設計差異。
  22. 如請求項21之電腦程式產品，其中該度量衡目標之該等鄰近週期性結構具有一不同偏置。
  23. 如請求項16之電腦程式產品，其中該所關注參數包含疊對、臨界尺寸、焦點或劑量。
  24. 如請求項16之電腦程式產品，其中該堆疊差異係藉由化學或機械處理步驟引入。
  25. 一種用於量測一微影程序之一參數之系統，其包含：一檢測裝置，其經組態以將一輻射光束提供於一基板上之兩個鄰近週期性結構或量測目標上且偵測由該等目標繞射之輻射以判定一圖案化程序之一參數；及如請求項16之非暫時性電腦程式產品。
  26. 如請求項25之系統，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。
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