TWI629467B

TWI629467B - 晶圓檢查方法及晶圓檢查裝置

Info

Publication number: TWI629467B
Application number: TW105126193A
Authority: TW
Inventors: Tatsuya OSADA; 長田達弥; Masahiko EGASHIRA; 江頭雅彦; Tomokatsu UCHINO; 內野智勝
Original assignee: Sumco Corporation; Ｓｕｍｃｏ股份有限公司
Priority date: 2015-10-06
Filing date: 2016-08-17
Publication date: 2018-07-11
Also published as: JP2017072443A; KR101885614B1; KR20170041128A; TW201719153A; JP6493136B2

Abstract

本發明提供一種可檢查晶圓表面上有無霧點的晶圓檢查方法。本發明的晶圓檢查方法，包括：第1步驟S10，使用具備環狀光纖照明11及第1受光部12的第1光學系統10，檢測出在晶圓1表面的周緣部的點狀的缺陷D；第2步驟S20，使用具備雷射光源21及第2受光部22且對缺陷D的檢出感度比第1光學系統10低的第2光學系統20，檢測出在晶圓1表面的前述周緣部的缺陷D；從第1步驟S10及第2步驟S20所各自檢測出來的缺陷D的邏輯異或中抽出霧點D1。

Description

晶圓檢查方法及晶圓檢查裝置

本發明係有關於用來檢查有無可能在晶圓表面產生的缺陷的晶圓檢查方法及晶圓檢查裝置，且特別有關於能夠檢查有無在晶圓表面的周緣部的霧點的晶圓檢查方法。

在半導體裝置的製程中為了提高良率或可靠度，形成半導體基板的晶圓表面的缺陷險查技術變得極為重要。存在於晶圓表面的缺陷有可能是凹坑、COP等的結晶缺陷、加工造成的研磨不均及刮痕等、還有附著於晶圓表面的異物(粒子)等，有相當多種。本說明書中，「晶圓表面」的記載同時指晶圓的正面側的主面及背面側的主面，單指其中一側的面的情況下會加以區別記載。

晶圓表面的缺陷中，在裝置特性、裝置製造的良率等觀點上，也存在有即使存在也不會造成問題的種類的缺陷。另一方面，也存在有做為產品不容許存在的種類的缺陷。因此，會根據既定的判斷基準來進行晶圓表面的檢查，進行良品或不良品的判斷。

過去，使用LPD(Light Point Defect；亮點缺陷)檢查裝置(雷射面檢機)，用雷射光掃描實施完成階段的鏡面研磨後的晶圓表面，進行晶圓檢查來檢查出因為存在於表面的粒子或刮痕等而產生的散射光。此外，雷射面檢機的雷射能夠量測到次微米級的微小的LPD，因此利用短波長且光點直徑小的光學系統。又，LPD檢查裝置中，為了判斷有無難以分辨的缺陷，所以也會併用以目視判斷晶圓表面的外觀檢查。外觀檢查是官能檢查，所以無法避免檢查員的判斷上的不一致，且讓檢查員的檢查純熟也需要花時間，所以需要確立客觀的檢查方法及自動檢查方法。

因此，做為晶圓檢查方法的一種，本案申請人們已經先在專利文獻1中提出一種針對晶圓表面中尤其是背面側的缺陷，不依賴外觀檢查來適當評價晶圓的方法。也就是，一種晶圓背面的評價方法，包括：分佈圖處理步驟，沿著晶圓的圓周方向連續地拍攝晶圓背面的部分影像，將拍攝的該部分影像合成以製作出晶圓背面的全體影像：以及微分處理步驟，將該全體影像做微分處理，製作出晶圓背面的微分處理影像，根據該全體影像或該微分處理影像，檢測出研磨不均、霧面、刮痕及粒子並加以評價。

使用第1(A)、1(B)圖來說明用以製作晶圓表面之上述全體影像的光學系統。第1(B)圖是為了顯示環狀光纖照明11所照射的照射光L₁及反射光(散射光)L₂，而從第1(A)圖抽出主要部位的圖。這個光學系統10具備環狀光纖照明11及第1受光部12，第1受光部12例如是由遠心透鏡13及CCD相機組成的受光部14所構成。又，環狀光纖照明11的光源由超高壓水銀燈組成。被環狀光纖照明11所照射的照射光L₁會以相對於晶圓面夾角度約20度入射晶圓1，當與存在於晶圓1表面的缺陷D碰撞時會產生散射光L₂。第1受光部12接收散射光L₂當中垂直的散射光並拍攝，量測第1光學系統10的位置資訊及亮度資訊。

藉由使用第1光學系統10掃描晶圓表面的全域，進行影像處理，能夠獲得晶圓表面的全體影像。另外，為了縮短掃描時間，一般會將複數的第1光學系統10配置在晶圓的正面及背面。第2(A)圖是利用這種第1光學系統10獲得的晶圓的單面側的全體影像的一例，第2(B)圖是利用市售的LPD檢查裝置(SP1；KLA-Tencor公司製作)量測相同晶圓的LPD分佈圖。如第2(A)圖及第2(B)圖所示，利用任一種裝置都能夠檢測出刮痕及粒子等的缺陷。另外，雷射面檢機的情況下，「模糊」及「霧化」會做為小尺寸的LPD的集合體被檢測出來，但使用第1光學系統10的話，與雷射面檢機(LPD檢查裝置)不同，能夠辨別並檢測出被稱為「模糊」或「霧化」的缺陷。然而，這些缺陷的形狀都會有特有的拓展形狀，並非點狀，因此將這些缺陷視為排除於本說明書中的「點狀」的缺陷之外。

[先前技術文獻]

專利文獻1：日本特開2010-103275號公報

像這樣，藉由使用晶圓檢查裝置，能夠不依賴目視的外觀檢查，檢查出各種的缺陷。然而，缺陷中有被稱為「霧點」的直徑5~3000μm左右的點狀的缺陷，這種霧點到目前為止不使用目視的外觀檢查的話就沒辦法檢查出來。以下，使用第3(A)~(C)圖來說明霧點及其產生機制。

霧點例如是以下的方式而形成。晶圓1研磨後，被浸泡在洗淨藥液並洗淨後，為了除去洗淨藥液而旋轉乾燥。旋轉乾燥時作用於晶圓1的離心力，會讓霧狀態的洗淨藥液成分2殘存在靠晶圓1的周緣部。成為殘渣的洗淨藥液成分2會將晶圓材料，例如矽(Si)溶出，也會吸入外部氣體的氧(O2)(第3(A)圖)。然後，當洗淨藥液成分2蒸發時，洗淨藥液成分2所附著的部分會形成圓形的凹坑(也能夠說是晶圓1被部分地蝕刻)。這個圓形的凹坑的邊緣會形成矽酸(H₂SiO₃)及矽酸鉀(K₂SiO₃)等的析出物2’，形成撞擊坑狀的霧點D1。一旦霧點D1形成，即使再進行研磨，研磨取代量在表面上幾乎均一，因此撞擊坑狀的霧點D1會持續存在於晶圓1上(第3C圖)。這種霧點的直徑如前述大約在5~3000μm左右，圓形的凹坑的邊緣(外圈山狀的環)的寬度大約0.2~30μm左右，這個邊緣的高度在0.1~30nm左右。像這樣，霧點D1的邊緣的高度比起其直徑及邊緣的寬度都極小。

霧點D1的形狀及大小如上所述，因此霧點D1所造成的散射光圖樣只有撞擊坑狀的緣部外周被檢出，撞擊坑狀的緣部的內側不會被檢出。這是因為在撞擊坑狀的緣部的內側，幾乎沒有凹凸，會形成與沒有缺陷的平坦面一樣的散射光圖樣。像這樣，霧點D1在習知的檢查裝置中，會被當作是微小的LPD集合體而被檢出。又，當霧點的凹坑的緣部寬度比較大(例如2μm以上)的情況下，會形成與小尺寸的LPD有相同的缺陷尺寸的散射光圖樣，因此很難辨別。具有霧點的晶圓在品質管理上，一般會被判斷為不良品，因此一直以來會併用目視的外觀檢查來確保晶圓沒有霧點的存在。然而，如前所述，外觀檢查中需要檢查員的判斷，所以必須確立一種客觀的檢查方法及自動檢查方法。

因此，本發明有鑑於上述問題，而以提出一種能夠檢查晶圓表面上有無霧點的晶圓檢查方法及晶圓檢查裝置為目的。

為了達成上述目的，本發明人們努力進行檢討，想到將第1光學系統10的光源換成雷射光源的光學系統，藉此來檢出晶圓表面的缺陷。因此，本發明人們嘗試這種光學的晶圓檢查，並確認到當光源為雷射光源且比第1光學系統10的檢出感度低的情況，能夠檢測被出來的點狀的缺陷不包含霧點D1，而只有粒子被檢測出來。如上述，在第1光學系統10中，被判斷為粒子的缺陷D也包含了霧點D1。因此，能夠從兩光學系統所檢測出的缺陷D的邏輯異或中僅抽出霧點D1。本發明人們以上述的見解而完成了本發明。本發明是根據上述知識及檢討而完成，其要旨構成如以下。

本發明的晶圓檢查方法，包括：第1步驟，使用具備環狀光纖照明及第1受光部的第1光學系統，檢測出在晶圓表面的周緣部的點狀的缺陷；第2步驟，使用具備雷射光源及第2受光部且對該缺陷的檢出感度比該第1光學系統低的第2光學系統，檢測出在晶圓表面的該周緣部的該缺陷；從該第1步驟及該第2步驟所各自檢測出來的缺陷的邏輯異或中抽出霧點。

在此，該第2光學系統僅僅測出在該周緣部的該缺陷為佳。

又，該第1步驟中檢測出的該缺陷是由粒子及該霧點所組成，該第2步驟中檢測出的該缺陷是由該粒子所組成為佳。

又，該雷射光源是藍色LED雷射為佳。

又，該周緣部是該晶圓的外緣的3.5mm以內的範圍為佳。

又，該第1光學系統的該缺陷的檢出感度的下限在0.5μm以下，該第2光學系統的該缺陷的檢出感度的下限在1μm以上為佳。

本發明的晶圓檢查裝置，包括：第1光學系統，具備環狀光纖照明及第1受光部；第2光學系統，具備雷射光源及第2受光部且檢出感度比該第1光學系統低；移動部，使晶圓、該第1光學系統及該第2光學系統中的至少一者移動；以及控制部，控制該第1光學系統、該第2光學系統及該移動部，其中該控制部控制該第1光學系統來檢測出在該晶圓表面的周緣部的點狀的缺陷，且控制該第2光學系統來檢測出在該晶圓表面的該周緣部的該缺陷，從該第1光學系統及該第2光學系統所各自檢測出來的缺陷的邏輯異或中抽出霧點。

根據本發明，能提供一種可檢查晶圓表面上有無霧點的晶圓檢查方法及晶圓檢查裝置。

1‧‧‧晶圓

2‧‧‧洗淨藥液成分

2’‧‧‧析出物

3‧‧‧旋轉桌

10‧‧‧第1光學系統

11‧‧‧環狀光纖照明

12‧‧‧第1受光部

13‧‧‧遠心透鏡

14‧‧‧受光部

20‧‧‧第2光學系統

21‧‧‧雷射光源

22‧‧‧第2受光部

30‧‧‧移動部

50‧‧‧控制部

100‧‧‧晶圓檢查裝置

D‧‧‧(點狀的)缺陷

D1‧‧‧霧點

D2‧‧‧粒子

L₁‧‧‧照射光

L₂‧‧‧散射光

L₃‧‧‧照射光

第1圖係說明本發明的一實施型態所使用的第1光學系統10的概要圖，(A)是顯示第1光學系統10全體的概要圖，(B)是顯示第1光學系統10產生的入射光L₁及散射光L₂的概要圖。

第2圖係習知例所檢測出的晶圓缺陷的全體影像，(A)是以第1光學系統10所獲得的晶圓缺陷的全體影像的一例，(B)是以市售的LPD檢查裝置所獲得的晶圓缺陷的全體影像的一例。

第3(A)~3(C)圖係說明霧點的產生機制的概要圖。

第4圖係顯示根據本發明一實施型態的晶圓檢查方法的流程圖。

第5圖係說明本發明一實施型態所使用的第2光學系統20的概要圖。

第6圖係根據本發明一實施型態的晶圓檢查裝置100的平面概要圖。

第7圖係顯示實施例中預先確認的霧點，(A)是AFM影像，(B)是顯示其高度的圖表。

第8圖係顯示實施例的霧點的位置的概要圖。

以下，參照圖式來說明本發明的實施型態。第4圖係根據本發明一實施型態的晶圓檢查方法的流程圖，併用第1圖已說明的第1光學系統10及將使用第5圖於後述說明的第 2光學系統20來判斷有無霧點。另外，第6圖係根據本發明一實施型態的晶圓檢查裝置100的平面概要圖，晶圓檢查裝置100具有上述第1光學系統10及第2光學系統20。

(晶圓檢查方法)

如第4及第1、5、6圖所示，根據本發明一實施型態的晶圓檢查方法包括：第1步驟S10，使用具備環狀光纖照明11及第1受光部12的第1光學系統10，檢測出在晶圓1表面的周緣部的點狀的缺陷D；第2步驟S20，使用具備雷射光源21及第2受光部22，且對缺陷D的檢出感度比第1光學系統10低的第2光學系統20，檢測出在晶圓1表面的周緣部的點狀的缺陷D；以及步驟S30，從第1步驟S10及第2步驟S20所檢測出的個別的缺陷D的邏輯異或中抽出霧點。以下，依序說明各步驟的細節。

首先，在步驟S10檢測出在晶圓1表面的周緣部的點狀的缺陷D。這個步驟能夠與檢測出晶圓表面全域的缺陷的習知技術用一樣的方式進行。也就是說，使用第1圖已說明的第1光學系統10照射在晶圓1表面的周緣部的既定位置，接收因為晶圓1的缺陷而產生的垂直散射光，量測在該既定位置的亮度資訊(以下也稱為「缺陷資訊」)。為了檢測出微小尺寸的LPD，將第1光學系統的檢出感度的下限設定在1.0μm以下為佳，在0.5μm以下更佳，在0.1μm以下又更佳。檢出感度的下限越小越好，但並沒有限定，例如能夠以0.01μm為例。做為環狀光纖照明10的光源，能夠如前述使用超高壓水銀燈等。又，環狀光纖照明10的照射領域的直徑能夠是例如5~40mm。從獲得的缺陷資訊當中，取得該位置以及以在第1光學系統10中被判斷出是習知粒子造成的散亂光的缺陷D。

在此，如前述，被第1光學系統10判斷為粒子的缺陷D也含有霧點。因此，使用第1光學系統10的第1步驟S10中，會檢測出由霧點D1及粒子D2組成的點狀的缺陷D。換言之，第1步驟S10中檢測出的點狀的缺陷D能夠說是由粒子D2及霧點D1所組成。

另外，如使用第3圖所說過的，霧點D1會形成於晶圓1表面的周緣部。因此，本步驟S10所進行的檢出可以在晶圓1的表面全域掃描第1光學系統，取得缺陷資訊，然後取得缺陷的全體資訊，也可以只有在晶圓1的周緣部取得特別有關於點狀的缺陷D的缺陷資訊。又，為了因應需要來明確地判斷缺陷的類別，也可以對缺陷資訊進行微分處理或濾過處理，抽出在晶圓周緣部的點狀的缺陷D。

又，第1光學系統10能夠設置複數組於晶圓表面的兩面來更快取得缺陷資訊。在晶圓1的表面全域掃描第1光學系統10的話，除了周緣部以外，也可以在晶圓1表面的中央部的上下都設置第1光學系統10。

接著，在步驟S20中，如第5圖所示，使用具備雷射光源21及第2受光部22的第2光學系統20，將晶圓1表面的周緣部的點狀缺陷D與該位置一併檢測出來。例如，可以將第2光學系統20固定設置在晶圓1的周緣部的上方及下方的任一方或雙方，將晶圓1載置於旋轉桌3，使晶圓1旋轉，來檢測出僅在晶圓的周緣部的缺陷D。又，與第1光學系統10同樣地，也可以在晶圓的周緣部掃描第2光學系統。

在此，第2光學系統20的點狀的缺陷D的檢出感度會使用檢測不出霧點的比第1光學系統10更低(差)感度者。在這個限制下，雖也可以使用檢出感度佳者，但在這個情況下將檢出感度的下限設定在1μm以下為佳。如果第2光學系統20的檢出感度太過良好，如以下所述，會同時檢測出霧點D1及粒子D2雙方，而變成即使與第1光學系統併用也無法只出抽霧點D1的狀況。雖未限定，但做為這種檢出感度的鐳射光的光點直徑能夠以70μm~270μm為例。又，鐳射光的波長在可見光的範圍的話，以藍色(450~495nm左右)為佳。

使用雷射光源21照射在晶圓1的周緣部的既定位置，以第2受光部22接收該照射光L₃所產生的散射光，當獲得超過既定閾值的散射光強度的情況下，就能夠判斷該缺陷是粒子D2所造成。這是因為第2光學系統20與第1光學系統10不同，使用了照射光源的波長例如是白色光(380nm~800nm)的範圍的雷射光源21，所以LPD的檢出感度在2μm以上，沒有達到能夠將來自霧點D1的散射光強度判斷是缺陷的程度的強度，但卻是能夠將來自粒子D2的散射光的強度判斷是缺陷的充分強度。做為這種雷射光源21，能夠使用藍色LED雷射。然而，是不能夠檢測出霧點D1，但只要是粒子D2就能夠檢測出來的雷射光源的話，也能夠使用金屬鹵化物燈或水銀燈等，並沒有特別限制。第2受光部22能夠使用例如CCD 相機。

像這樣，在使用第2光學系統20的第2步驟S20中所檢測出來的點狀缺陷D當中，不含有霧點D1，只會檢測出粒子D2。換言之，第2步驟S20中所檢出的點狀的缺陷D是由粒子D2所組成。另外，第2光學系統20除了點狀的缺陷D以外，也能夠檢測出尺寸大的傷痕或霧度高的模糊缺陷。

另外，第4圖的流程圖中，圖示是進行第1步驟S10後再進行第2步驟S20，但這個順序也可以交換，任一者的步驟都可以先進行。第1步驟S10與第2步驟S20之間，可以用移動部30搬運晶圓1(參照第6圖)。在此所說的移動部30可以包含前述的旋轉桌3，也可以包含第1光學系統10的掃描部。

經過第1步驟S10及第2步驟S20後，在步驟S30中，從第1步驟S10及第2步驟S20所檢出的各自的缺陷D的邏輯異或(EX-OR)中抽出霧點。如前所述，第1步驟S10所檢測出的缺陷D是霧點D1及粒子D2，第2步驟S20所檢測出的缺陷D是粒子D2，不包含霧點D1。因此，取兩者的邏輯異或中的話，就能夠只抽出霧點D1。

藉由進行以上的第1步驟S10~第3步驟S30的晶圓檢查方法，能夠檢查有無在晶圓表面的，特別是在周緣部的霧點。

另外，晶圓1是鏡面加工過的矽晶圓為佳。這是因為如前述，鏡面加工過的矽晶圓中，確認霧點不存在是很重要的。又，要用來檢查有無霧點的周緣部能夠設定在晶圓的外緣的3.5mm以內的範圍，也可以是3mm以內的範圍。如已說明過的，霧點只存在於晶圓的周緣部，具體來說是存在晶圓的外緣部的3.5mm以內的範圍，因此縮小到這個範圍做檢查的話，就能夠縮短檢查時間，限制到3.0mm的範圍的話能夠更進一步縮短時間。另外，即使只進行第1步驟S10及第2步驟S20的其中任一者，來檢測出只在晶圓1的周緣部的缺陷D，也能夠縮短檢查時間。

(晶圓檢查裝置)

如第6圖及第1、5圖概要所示，根據本發明的一實施型態的晶圓檢查裝置100具備第1光學系統10、第2光學系統20、移動部30、控制部50。第1光學系統10具有環狀光纖照明11及第1受光部12。第2光學系統20具有雷射光源21及第2受光部22，且比第1光學系統10的檢出感度低。移動部30至少移動晶圓1、第1光學系統10及第2光學系統20的任一者。控制部50控制第1光學系統10、第2光學系統20及移動部30。在此，控制部50控制第1光學系統10來檢測出在晶圓1表面的周緣部的點狀的缺陷D，且控制第2光學系統20來檢測出在晶圓1表面的周緣部的點狀的缺陷D，然後從第1光學系統10及第2光學系統20所分別檢出的缺陷D的邏輯異或中抽出霧點D1。另外，在第6圖中，第1光學系統10及第2光學系統20各顯示一組，但也可以設置在晶圓1的相對側，也可以設置複數組。為了接收缺陷D的垂直散射光，第1光學系統10及第2光學系統20相對於晶圓1垂直設置為佳。

另外，控制部50能夠藉由CPU(中央運算處理裝置)或MPU等的合適的處理器來實現，具有記憶體、硬碟等的記錄部，執行預先儲存於控制部50的使前述的晶圓檢查方法動作的程式，來控制晶圓檢查裝置100的各構件之間的資訊、指令的傳達以及各部位的動作。移動部30能夠包括掃描第1光學系統10的掃描部。該掃描部能夠以連接到第1光學系統10的第1受光部12(相機等)的臂部、以及用以驅動臂部的驅動步階馬達、伺服馬達等構成。又，移動部30也可以包含掃描第2光學系統20的相同的掃描部，也可以包含使晶圓1旋轉的旋轉桌3。又，設置第1光學系統10的單元與設置第2光學系統20的單元可以彼此獨立而劃分出來，移動部30可以具備將晶圓1搬運於兩個劃分區域的晶圓載入機。

[實施例]

以上，說明了本發明的實施型態，但這只是代表了實施型態的例子，本發明並沒有限定於這些實施型態，在發明的要旨範圍內能夠做各種變更。以下的實施例並沒有對本發明做任何限定。

為了確認利用根據本發明的一實施型態的晶圓檢查方法能夠檢測出霧點，進行以下實驗。首先，準備直徑300mm厚度775μm的修飾研磨後的矽晶圓(所謂的研磨晶圓(也稱為PW晶圓))，對晶圓的單面側預先進行目視的外觀檢查，確認這個矽晶圓有無霧點。

以AFM觀察這個霧點，如第7(A)圖所示，確認了撞擊坑狀的缺陷。將第7(A)圖的軸方向的高度顯示於第7(B)圖。霧點的直徑是150μm，邊緣的寬度是20μm，邊緣的高度是18nm。

對於存在這個霧點的矽晶圓進行根據本發明的晶圓檢查方法。第1光學系統的缺陷的檢出感度的下限是0.16μm(也就是，能夠檢測出直徑0.16μm以上的點狀的缺陷)，第2光學系統的缺陷的檢出感度的下限是5.0μm(也就是，能夠檢測出直徑5.0μm以上的點狀的缺陷)。首先，透過使用第1光學系統10的第1步驟S10，檢測出在上述單面側的晶圓周緣部的點狀的缺陷，如第8(A)圖所示檢測出了4個點狀的缺陷。另外，第8(A)圖中標示了各缺陷的種類的符號，但在這個階段還不能確認出這些缺陷是霧點D1還是粒子D2。

接著，透過使用第2光學系統20的第2步驟S20，檢測出在晶圓周緣部的點狀的缺陷D，如第8(B)圖所示檢測出了3個點狀的缺陷D。因為本步驟中檢測出的缺陷是粒子D2，所以在第8(B)圖標示D2的符號。又，在第8(A)圖及第8(B)圖中，根據晶圓的凹溝位置(未圖示)，排齊晶圓位置(結果，缺陷D的位置也會排齊)。取得兩步驟中獲得的缺陷D的邏輯異或中(第8(C)圖)，存在於第8(A)圖但不存在於第8(B)圖的位置的缺陷是霧點D1，其他的缺陷會判定為粒子D2。這個判斷結果與預先進行的外觀檢查的結果一致，確認了透過本檢查方法能夠確實檢查出有無霧點。

[產業上利用的可能性]

根據本發明，能夠提供一種晶圓檢查方法及晶圓檢查裝置，能夠檢查晶圓表面有無霧點。

Claims

一種晶圓檢查方法，包括：第1步驟，使用具備環狀光纖照明及第1受光部的第1光學系統，檢測出在晶圓表面的周緣部的點狀的缺陷；第2步驟，使用具備雷射光源及第2受光部且對該缺陷的檢出感度比該第1光學系統低的第2光學系統，檢測出在該晶圓表面的該周緣部的該缺陷；從該第1步驟及該第2步驟所各自檢測出來的缺陷的邏輯異或中抽出霧點。
如申請專利範圍第1項所述之晶圓檢查方法，其中該第2光學系統僅僅測出在該周緣部的該缺陷。
如申請專利範圍第1或2項所述之晶圓檢查方法，其中該第1步驟中檢測出的該缺陷是由粒子及該霧點所組成，該第2步驟中檢測出的該缺陷是由該粒子所組成。
如申請專利範圍第1或2項所述之晶圓檢查方法，其中該雷射光源是藍色LED雷射。
如申請專利範圍第1或2項所述之晶圓檢查方法，其中該周緣部是該晶圓的外緣的3.5mm以內的範圍。
如申請專利範圍第1或2項所述之晶圓檢查方法，該第1光學系統的該缺陷的檢出感度的下限在0.5μm以下，該第2光學系統的該缺陷的檢出感度的下限在1μm以上。
一種晶圓檢查裝置，包括：第1光學系統，具備環狀光纖照明及第1受光部；第2光學系統，具備雷射光源及第2受光部且檢出感度比該第1光學系統低；移動部，使晶圓、該第1光學系統及該第2光學系統中的至少一者移動；以及控制部，控制該第1光學系統、該第2光學系統及該移動部，其中該控制部控制該第1光學系統來檢測出在該晶圓表面的周緣部的點狀的缺陷，且控制該第2光學系統來檢測出在該晶圓表面的該周緣部的該缺陷，從該第1光學系統及該第2光學系統所各自檢測出來的缺陷的邏輯異或中抽出霧點。