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TWI628521B - 微影裝置、微影對準方法、資料處理系統及由該資料處理系統執行之控制軟體 - Google Patents

微影裝置、微影對準方法、資料處理系統及由該資料處理系統執行之控制軟體 Download PDF

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TWI628521B
TWI628521B TW105127588A TW105127588A TWI628521B TW I628521 B TWI628521 B TW I628521B TW 105127588 A TW105127588 A TW 105127588A TW 105127588 A TW105127588 A TW 105127588A TW I628521 B TWI628521 B TW I628521B
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賽門 吉司伯 喬瑟佛思 麥提森
伯夫 艾瑞 傑佛瑞 丹
尼特許 帕迪
派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 提那曼斯
史堤芬 密卻爾 懷特
卡傑德 希傑布蘭 艾德華 艾奇瑪
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明係關於一種微影裝置，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；及一感測器，其經組態以感測提供至由該基板台固持之該基板上之一對準標記之一位置。該感測器包含：一輻射源，其經組態以藉由一輻射光束照明該對準標記；一偵測器，其經組態以偵測已與該對準標記相互作用後的作為一離焦光學圖案之該輻射光束；及一資料處理系統。該資料處理系統經組態以接收表示該離焦光學圖案之影像資料，及處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。

Description

微影裝置、微影對準方法、資料處理系統及由該資料處理系統執行之控制軟體
本發明係關於一種具有對準感測器之微影裝置，且係關於一種微影對準方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單個基板將含有經順次地圖案化之相鄰目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在微影中，複數個圖案經投影至基板上(例如)以便使得能夠製造複雜 半導體結構。此等複數個圖案經連續投影至基板上。為了能夠以一定複雜性及小尺寸製造圖案，需要圖案之疊對之高準確度。為了縮減所謂的疊對誤差，應用包括基板之對準之複數個技術。為了對準基板，藉由對準感測器執行對準量測。對準感測器主要量測提供在基板上之較多已知參考件中之一者之位置，已知參考件(例如)包含諸如對準參考圖案之已知圖案。
在微影程序中，製造成本及其縮減可起到相關作用。因此，基板(例如，半導體)結構之設計者旨在在基板上獲得大的可用區域，以便自一個基板儘可能多地得到所得產品，藉此儘可能小地犧牲基板之表面之一部分。對準標記通常被置放成相鄰可用區域，亦即相鄰基板之表面上之(例如，半導體結構)圖案，該等圖案亦被稱作目標部分。為了能夠提供高對準準確度且增加每個基板之淨良率，可觀測到以下趨勢：在基板上之圖案中(例如，在較低層中)提供對準標記，藉此對準標記之頂部上之連續層提供(例如，半導體)結構。因此，可在對準標記之頂部上提供其他層，從而有效地使用可用的基板表面。藉此，增加基板表面之可用空間，且縮減僅出於「額外負荷」目的(諸如，提供參考對準標記)而使用之基板表面。在給定高疊對要求之情況下，可存在將大量對準標記提供在基板表面上且分佈於基板表面上方之需求。觀測到以下趨勢：待提供至基板上之層之數目趨向於增加，從而使得經順次地投影至基板上之微影圖案之數目增加。歸因於大量層可經提供至基板上之事實，此對準標記可在微影裝置之操作使用期間被提供於此對準標記之頂部上之複數個層隱藏。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；及 一感測器，其經組態以感測提供至由該基板台固持之該基板上之一對準標記之一位置，其中該感測器包含一輻射源，其經組態以藉由一輻射光束照明該對準標記，一偵測器，其經組態以偵測已與該對準標記相互作用後的作為一離焦光學圖案之該輻射光束，及一資料處理系統，其經組態以- 接收表示該離焦光學圖案之影像資料，及- 處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。
根據本發明之另一態樣，提供一種微影對準方法，其包含：提供具有一對準標記之一基板，將一輻射光束發射至該對準標記上，藉由一偵測器偵測已與該對準標記相互作用之該輻射光束，其中已與該對準標記相互作用之該輻射光束作為一離焦光學圖案投影至該偵測器上，自該偵測器接收表示該離焦光學圖案之影像資料，及處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。
根據本發明之另一態樣，提供一種資料處理系統，其包含用於自一偵測器接收一離焦光學圖案之一資料輸入，該離焦光學圖案來自已與一對準標記相互作用之一輻射光束，該資料處理系統經組態以：- 在該資料輸入處接收表示該離焦光學圖案之影像資料，及 - 處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。
根據本發明之另一態樣，提供一種由一資料處理系統執行之控制軟體，該控制軟體經組態以：- 接收表示一離焦光學圖案之影像資料，該離焦光學圖案來自已與一對準標記相互作用之一輻射光束，及- 處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。
611‧‧‧輻射源
612‧‧‧照明系統
613‧‧‧波長選擇器
623‧‧‧影像感測器
630‧‧‧輻射/光束/輻射光束/照明輻射
640‧‧‧簡單鏡面
642‧‧‧低NA透鏡
646‧‧‧輻射
650‧‧‧散射輻射
652‧‧‧參考輻射
654‧‧‧光束分光器
656‧‧‧可移動鏡面
658‧‧‧發散透鏡
660‧‧‧摺疊式鏡面
662‧‧‧影像資料
670‧‧‧鏡面
804‧‧‧輔助資料/後設資料
806‧‧‧參考波規格
810‧‧‧複雜輻射場
812‧‧‧程序
814‧‧‧合成影像
814'‧‧‧影像
820‧‧‧步驟
822‧‧‧步驟
802a‧‧‧影像資料/影像
802a'‧‧‧第二組影像
802b‧‧‧影像資料/影像
802n‧‧‧影像資料/影像
AB‧‧‧對準輻射光束
ABRP‧‧‧對準光束參考路徑
AD‧‧‧調整器
AM‧‧‧對準標記
AOD‧‧‧對準光學偵測器
ARB‧‧‧對準參考光束
ASR‧‧‧對準輻射源
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
d‧‧‧間隔
D‧‧‧劑量
DPD‧‧‧資料處理器件
F‧‧‧焦點
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MRS‧‧‧參考結構
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
OD‧‧‧光學距離
OP‧‧‧離焦光學圖案
OV‧‧‧疊對
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧處理器
PW‧‧‧第二定位器/定位系統
S‧‧‧光點
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧目標
W‧‧‧基板
WP‧‧‧波長參數/基板台定位器
WSE‧‧‧波長選擇元件
WT‧‧‧基板台
WTA‧‧‧基板台致動器
θ‧‧‧角度
現將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分，且在該等圖式中：- 圖1描繪根據其中可體現本發明之微影裝置；- 圖2描繪可應用在圖1之微影裝置中之根據本發明的對準感測器之高度示意圖；- 圖3描繪另一對準感測器之高度示意圖；- 圖4描繪又另一對準感測器之高度示意圖；- 圖5A至圖5B描繪又另一對準感測器之高度示意圖；- 圖6(包含圖6之(a)及圖6之(b))描繪又一對準感測器之高度示意圖；- 圖7描繪又另一對準感測器之高度示意圖；及- 圖8描繪說明根據圖6及圖7之對準感測器之操作之流程圖。
圖1示意性地描繪根據本發明之一個實施例之微影裝置。該裝置包 含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以根據某些參數來準確地定位該基板；以及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐圖案化器件(亦即，承載其重量)。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可視需要而被固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在 輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。此技術被稱為光學近接校正(OPC)。光學近接校正(OPC)為通常用於補償歸因於繞射或處理效應之影像誤差之光微影增強技術。對於OPC之需求主要在製作半導體器件時可見，且係歸因於對光之限制，從而在處理之後維持原始設計至矽晶圓上之經蝕刻影像中之邊緣放置完整性。此等經投影影像顯現出諸如比經設計之線寬窄或寬之線寬之不規則性，此等不規則性藉由改變用於成像之光罩上之圖案來經受補償。其他失真(諸如變圓的隅角)係由光學成像工具之解析度所致，且更難以補償。若不校正，則此類失真可顯著更改正經製造之器件之電性質。光學近接校正藉由移動邊緣或將額外多邊形添加至光罩上所書寫之圖案來校正此等誤差。此校正可由基於寬度及特徵之間的間隔之經預計算查找表(被稱為基於規則之OPC)推進或藉由使用緊密模型以動態地模擬最終圖案且藉此推進通常分解成區段之邊緣之移動以發現最佳解決方案(此被稱為基於模型之OPC)來推進。目的在於儘可能好地在矽晶圓中再生由設計者所繪製之原始佈局。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創制之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交替相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由 鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於但不必為具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參考圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離的實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適合之導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下， 舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ-外部及σ-內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在將多於一個晶粒提供於光罩MA上的情形中，光 罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2描繪可包含於圖1之微影裝置中之根據本發明之感測器(亦被稱作對準感測器)之高度示意圖。基板台WT固持其上具有對準標記AM之基板 W。對準感測器包含經組態以將對準輻射光束AB(亦被稱作輻射光束)發射至基板上之對準輻射源ASR(亦被稱作輻射源(source of radiation)或輻射源(radiation source))，及經組態以偵測已與對準標記相互作用之對準光束之對準光學偵測器AOD(亦被稱作偵測器)。對準感測器經組態以將已與對準標記AM相互作用之對準光束AB作為離焦光學圖案OP投影至對準光學偵測器AOD上。光學圖案OP可被視作朝向光學偵測器AOD散射之輻射之強度(且可能為相位)之空間分佈。對準感測器進一步包含資料處理器件(或資料處理系統)DPD，其連接至對準光學偵測器，且經組態以接收表示由對準光學偵測器偵測到之離焦光學圖案之影像資料並且處理該影像資料以自經接收影像資料判定對準資訊。該資料處理器件可自經接收影像資料計算經合成聚焦影像，且自經計算之經合成聚焦影像判定對準資訊，抑或可直接自經接收影像資料判定對準資訊。在後一狀況下，自經接收影像資料計算經合成聚焦影像之中間步驟可省去，且自經接收影像資料導出對準資訊。
應用對準感測器以導出對準標記之位置。對準標記經提供於基板(亦被稱作晶圓)上。應注意，在此文件中，術語「基板」與「晶圓」可互換地使用。對準標記可形成對準光柵或任何其他合適對準標記。所感測到之對準標記之位置可與參考位置或在晶圓處理之先前步驟中同一對準標記之位置比較，且可基於自對準感測器獲得之量測執行晶圓之對準。對準光束可為雷射光束或任何其他合適光學光束，諸如單色光束(亦即，具有實質上單個波長之輻射)、具有處於波長之範圍內之波長之光束等。已(例如)藉助於繞射、散射或任何其他合適相互作用來與對準標記相互作用之光束係由對準光學偵測器(諸如光學偵測器陣列(例如CCD或CMOS光學偵測器 陣列)或用於偵測(例如)強度或色彩之空間分佈之任何其他合適光學偵測器)在對準光學偵測器之捕捉區域內偵測到。
根據本發明之一實施例，如上文參考圖2所描述，對準感測器將光束離焦地投影至對準光學偵測器上。表述「離焦」應被理解為在一定程度上缺少聚焦使得對準圖案在由對準光學偵測器接收到之影像自身中並非清晰地可見。為了自離焦光學圖案導出可用資料，應用所謂的無透鏡成像技術。入射電磁輻射之屬性(例如，離焦光學影像之強度、相位)被偵測到且被變換成數位資料，該數位資料隨即經受操作以便自輻射獲取資訊。亦即，無透鏡成像可在軟體中仿真光學系統。由於在軟體中仿真光學系統，因此可省去出現在使用透鏡、聚焦鏡面及/或其他光學元件之光學系統中之疵點或像差。因此，原則上，無透鏡光學成像可仿真用於作用於具有任何波長之輻射之理論上理想光學件。
對準感測器可利用所謂的無透鏡光學件。應注意，表述「無透鏡光學件」可(然而並非必須)指不包含任何折射或反射光學組件(諸如透鏡、聚焦鏡面等)之光學成像系統。
在使用根據本發明之對準感測器之情況下，可涵蓋大波長範圍。舉例而言，可設想自0.1奈米至1500奈米之對準光束波長範圍。由於軟體中合成光學影像之處理並不或在較小程度上遭受波長相依像差、此等光學組件(諸如透射透鏡、聚焦鏡面、偏振器等)之缺失或部分缺失，因此可應用大波長範圍。在使用此大波長範圍之情況下，可較容易地偵測到「經隱藏」對準圖案(亦即，由微影程序中所提供之其他層覆蓋之對準圖案)，此係因為其增加其他層對於出現在大波長範圍中之至少一些波長為透明的可能性。提供於對準標記之頂部上之層可實質上在其光學透射特性上不同。舉 例而言，相較於氧化物之層，包含金屬膜之層針對特定波長可具有不同光學透射特性。在所描述之對準感測器中，可應用大波長範圍。當使用具有大波長範圍之對準光束時，對準圖案之頂部上之該(或該等)層針對特定波長展示透明性之可能性可增加。亦即，當使用大波長範圍時，發現提供充分高透射率之特定波長之機會可增加。
在使用無透鏡成像演算法之情況下，偵測器上之光學成像僅需使得可捕捉入射輻射之相關屬性，該等相關屬性使得能夠將輻射轉換成用於用數位方式仿真理論上理想之光學系統的資料。因此，圖2中之偵測器AOD表示實體域與光學域之間的介面。在自標記AM至偵測器之輻射路徑中可存在但並非必須存在一或多個光學元件。
資料處理器件DPD可由分離的資料處理器件(諸如具備合適軟體指令之微處理器)形成，或可整合至微影裝置之其他資料處理器件中。換言之，由資料處理器件執行之任務可(例如)實施為在微影裝置之現有資料處理器件上執行之任務(程序)。對準光束可為任何合適對準光束，諸如(光學)雷射光束。對準輻射源可相應地為任何合適之輻射源，諸如雷射。由於本發明之進展使得能夠遍及寬波長範圍(例如，範圍介於UV至IR)操作對準光束，因此可應用對應的對準輻射源(提供寬光譜或具有可調整的波長)。對準標記可為任何合適對準標記。舉例而言，對準標記可包含繞射對準標記。可應用任何其他合適對準標記。
已設計出多種技術，該等多種技術可應用於獲得相位資訊及/或使用無透鏡成像演算法而自由對準光學偵測器偵測到之影像計算經合成聚焦影像。下文參考圖3、圖4、圖5A及圖5B描述一些實例。應注意，儘管在彼等實例中之每一者中計算合成影像且對準資訊自合成影像導出，但可省去 計算合成影像之步驟，亦即，可使用無透鏡成像演算法直接導出對準資訊而非合成影像。
在一實施例中，如在圖3中示意性地描繪，對準輻射源ASR包含波長選擇元件WSE，該波長選擇元件WSE經組態以接收波長參數WP且回應於該波長參數WP而控制對準光束之波長範圍。資料處理器件DPD接著經組態以自波長參數及自用於每一波長參數之經接收影像資料(亦即，自依據波長參數變化之經接收影像資料)計算合成影像。由於如由對準光學偵測器接收之光學影像將展示對波長之相依性，因此此相依性可用於導出相位資訊且藉此用於計算經合成聚焦影像。舉例而言，波長之改變可轉變為如由對準光學偵測器偵測到之光學圖案之改變，此係因為改變之波長-處於未改變的光學路徑處-導致干涉光束部分之間的相互相位之改變。波長參數WP可由任何合適之參數提供，諸如以奈米為單位表示波長數值之類比或數位信號。波長選擇元件可為任何合適光學元件，諸如可控制濾光器，例如可控制(例如，可調諧)帶通光學濾光器或可控制(可調諧)窄頻光學濾光器。
在一實施例中，如在圖4中示意性地描繪，微影裝置經組態以使基板台及對準光學偵測器相對於彼此移動以便更改由基板台固持之基板W與對準光學偵測器AOD之間的光學距離OD，資料處理器件經組態以自光學距離及自每一光學距離下經接收影像資料(亦即，自依據光學距離變化之經接收影像資料)計算合成影像。因此，藉由更改光學距離，對準光學偵測器上之未經聚焦影像改變，此被用於導出相位資訊。可自如由對準光學偵測器偵測到之影像相關於光學距離之改變的改變獲得相位資訊。此技術可藉由單色光束以及藉由寬頻光束應用。藉由在垂直於基板之表面之方向 (大體上為垂直方向)上移動基板台來位移基板可由基板台致動器WTA執行，該等基板台致動器WTA可(例如)由基板台定位器WP(如圖1中所描繪)形成，以使得不需要關於位移致動器之額外硬體。替代地，或除基板台在垂直方向上之位移之外，基板台亦可在水平方向上移動以便更改光學距離。
在一實施例中，資料處理器件經組態以使用反覆重新建構演算法計算合成影像。基於初始假定，可計算初始合成影像。在使用逐步法之情況下，經計算影像可反覆朝向合成影像。使用反覆重新建構演算法之合成影像之計算如下起作用。吾人藉助於量測或藉助於先驗知識(諸如當吾人知道對準標記將具有什麼圖案時)收集圖案必須實現之一組約束。重新建構解決方案將滿足所有此等約束。因此，吾人可將此重新建構問題考慮為可行性問題，其中識別符合所有此等約束之可能的解決方案。可藉助於交替的投射演算法完成識別此可行性問題之解決方案，在此演算法中將候選解決方案逐個投射(在高維空間中正交)至每一約束上。當候選解決方案(充分)滿足所有約束時，可終止演算法。
在一實施例中，如在圖5A中示意性地描繪，對準感測器進一步包含經組態以提供對準參考光束ARB之對準光束參考路徑ABRP，該對準參考光束在對準光學偵測器AOD處與對準光束AB相互作用，資料處理器件DPD經組態以自經接收影像資料計算合成影像，經接收影像資料得自於對準光束與對準參考光束之相互作用。因此，由於對準參考光束與對準光束在對準光學偵測器處之相互作用取決於對準光束在對準光學偵測器處之相位，因此可自其導出相位資訊。可自其計算經合成地聚焦光學影像，下文提供實例。在第一實例中，參考光束沿著其傳播之參考路徑之光學長度改 變。在第二實例中，參考光束之波長改變。
在第一實例中，如在圖5A中示意性地描繪，對準光束參考路徑ABRP包含可移動參考結構MRS。對準感測器經組態以移動參考結構MRS以便更改參考光束RB之傳播路徑之光學長度。資料處理器件DPD經組態以自光學長度及自用於每一光學長度之經接收影像資料計算合成影像。由於參考光束RB之傳播路徑之光學長度之改變且因此由於入射在對準光學偵測器上之參考光束之相位的改變(在給定不同光學路徑長度之情況下，對準光學偵測器處之相位將依據光學路徑長度變化而改變)，相位資訊可自由對準光束光學偵測器偵測到之光學信號之改變導出。
在第二實例中，如在圖5B中示意性地描繪，對準輻射源ASR包含波長選擇元件WSE，該波長選擇元件WSE經組態以接收波長參數WP且回應於該波長參數WP而控制對準光束之波長範圍。資料處理器件DPD經組態以自波長參數及自每一波長參數下之經接收影像資料(亦即，自依據波長參數變化之經接收影像資料)計算合成影像。由於參考光束RB之波長之改變且因此由於入射在對準光學偵測器上之參考光束之相位的改變(在給定固定光學路徑長度之情況下，對準光學偵測器處之相位將依據波長變化而改變)，相位資訊可自由對準光束光學偵測器偵測到之光學信號之改變導出。
在一實施例中，資料處理器件經組態以使合成影像與表示對準標記之經預期影像相關並自該相關之結果導出對準資訊。經預期影像表示在已知基板上之對準標記之形狀、光學特性及大致位置之情況下將被預期之影像。可針對基板上之對準標記之各種可能位置判定相關，藉此最高相關可提供關於將最緊密對應於對準標記之位置之可能位置中之一者的資訊。此 程序可以反覆方式執行，藉此增加判定對準標記在基板上之位置之準確度。此校正亦藉由僅部分地經合成聚焦(亦即，未經完全聚焦合成)影像執行。可(例如)對該僅部分地經合成聚焦影像應用額外濾光。在經部分地(光學地)聚焦影像之狀況下，若已擷取相位，則可以數位方式重新聚焦該影像。若不能完成此操作，則相關峰值不會如此強，但仍可(以較低準確度)完成對準。應注意，替代地，可應用所謂的「匹配濾光器」演算法來代替反覆重新建構。
在一實施例中，對準感測器在自對準標記至對準光學偵測器之光學路徑中不包含聚焦光學元件(諸如透鏡或鏡面)。
下文參考圖6至圖8較詳細地描述使用計算光學件之可能實施例。
圖6示意性地展示用於執行對準量測之對準感測器。使用「無透鏡成像」或相干繞射成像(CDI)之經修改形式。亦與數位全像相關之CDI為一種經提議用於顯微法中之技術。在本發明中，CDI技術經調適以對繞射結構執行對準，例如，光柵結構之不對稱性之量測。未必完全為無透鏡的對準感測器避免需要在未來應用中滿足效能要求所需的極複雜的高NA、寬頻接物鏡及其他光學元件。
圖6之(a)之對準感測器包含輻射源611及影像感測器623。此實例中之輻射源611供應在空間上相干之輻射之光束630。源611可由一或多個窄頻(單色)雷射源形成，在此狀況下，輻射將既在空間上且亦在時間上相干。替代地，且在本實例中假定，源611可為在空間上相干且具有低時間相干性之寬頻帶源。此源可為所謂的超連續光譜源或「白光雷射」。源611可補充有照明系統612中之其他器件以遞送呈所要形式之光束630。舉例而言，在一些實施例中，源611及照明系統可包括波長選擇器613(以點線展 示)。此波長選擇器可為(例如)聲光可調諧濾光器(AOTF)。
影像感測器623可為CCD或CMOS感測器。不同照明模式可藉由提供孔徑器件、可程式化空間光調變器或空間分佈光纖而予以實施。
在自源611至目標T之照明路徑中，照明光學系統包含簡單鏡面640及低NA透鏡642。透鏡642將照明輻射光束630聚焦至基板W上之對準目標T之部位處之光點S中。定位系統(相似於(例如)微影裝置LA中之定位系統PW)將基板W及目標T帶至光束630之焦點。該光點可具有(例如)直徑在10微米至80微米範圍內(例如，20微米至50微米或約40微米)之大致圓形之相似大小及形狀。在照明輻射光束630以如所展示之斜角入射之一實施例中，光點S可為非圓形的，或可應用變形光學件以達成圓形光點。簡單起見，將由目標反射之輻射646(以零階繞射)說明為在648處拋棄。在實務實施例中，作為位置控制機構之部分，可使用經反射(零階)輻射(例如)以判定基板之聚焦位置。包含由目標T散射之輻射之所要部分的輻射650係由感測器623收集。不需要高NA接物鏡以便收集物件輻射，且輻射可自目標直接傳遞至感測器。在實務實例中，可提供簡單收集光學系統以用於至少大致準直光束(縮減發散)。(b)處之插圖示意性地展示可為簡單透鏡之此收集光學系統。儘管如此，仍去除複雜高NA接物鏡。可將照明輻射直接導向目標區域，從而使其繞過收集光學系統。此有助於避免由照明輻射在光學系統之元件內之散射引起的雜訊。
除了所收集之散射輻射650之外，亦將參考輻射652遞送至感測器623。散射輻射650及參考輻射652來源於同一源611以便彼此相干，且因此取決於其在感測器上之每一像素處之相對相位而在感測器處形成干涉圖案。在所說明實例中，藉由運用光束分光器654分裂照明輻射630之一部 分且經由可移動鏡面656、發散透鏡658及摺疊式鏡面660將其遞送至感測器而獲得參考輻射652。參考輻射650用橫越感測器623之場具有相對均勻振幅之「參考波」充斥影像感測器623。參考波在傾斜於系統之光軸之方向上以經明確界定角度行進，且因此參考波具有經明確界定振幅及相位。可被稱作物件波之散射輻射650具有未知振幅及相位。
作為分裂照明輻射之一部分以形成參考波之替代方案，所謂的「自參考」配置亦為可能的。在彼狀況下，分裂高階散射場自身之一部分且將其用作參考波。舉例而言，自參考配置可藉由運用散射場干涉散射場之剪切複本而起作用。
將如下文進一步解釋，參考波與物件波之間的干涉在感測器623上產生所得強度分佈，該強度分佈可由處理器PU使用以計算散射物件波之複雜輻射場(此處「複雜」意指振幅及相位兩者)。將表示此等經捕捉強度分佈中之一或多者之影像資料662遞送至處理器PU。波傳播演算法可接著用於計算合成影像且無需成像光學件21。
參考波不必要成斜角。然而，藉由使用斜角，吾人可橫越目標引入具有高空間頻率且可用於自單個影像獲取「判定」相位資訊之條紋圖案。參考波之角度一定不要太大，例如，小於波長除以兩倍像素陣列間距(λ/2*像素大小)。在典型設定中，舉例而言，3度至4度可為足夠的。在無此高頻條紋圖案之情況下，吾人可(例如)藉由「相位步進」獲得相位資訊。如下文所描述，一種用於相位步進之方法為吾人在使參考光束之相對相位變化時獲取多個影像。雖然可完成此操作，但其對設定之穩定性提出了相當嚴格的要求，且傾斜參考光束可因此為有利的。在其他方法中，可藉由空間調變完成相位步進，使得在所謂的「超像素」內發現不同相位步進。術 語「超像素」可理解為(例如)基於像素鄰近性或相位或振幅或強度或相關等等的像素之集合。
應判定感測器置放及其像素陣列之間距，使得像素陣列提供干涉圖案之充足取樣。作為粗略指南，像素間隔(間距)應小於(例如)λ/2d，其中λ為照明輻射630中之(最長)波長且d為自目標T至影像感測器623之間隔。在實務實例中，間隔d可為約1公分。感測器尺寸在每一方向(X及Y)上可為若干倍的d，例如，五倍或更多倍的d，十倍的d或甚至更大。就此而言，將注意，圖6及圖7之圖式在尺度上極度變形以允許光學系統之清晰描繪。實務上，感測器相比於圖式暗示可更接近目標，或在寬度上寬得多。舉例而言，感測器可具有距離d及寬度L，使得當自目標T觀看時感測器對向相對廣角度θ。角度θ可在每一維度中大於100度，例如大於135度，及例如約150度。如在插圖6之(b)中所說明，簡單準直透鏡664可用於增加至感測器之實體距離，同時仍捕捉大角度範圍之散射輻射。感測器之寬度不需要在如所展示之目標上方居中。感測器僅需要經定位以基於照明輻射之入射角、照明輻射之波長及週期性光柵之間距捕捉所要繞射階。
變化(例如)在參考波之遞送中為可能的。在所說明的實例中，可移動鏡面656可用於路徑長度補償，從而調整物件波與參考波之間的光徑差。若源611為寬頻帶源，諸如白光雷射，則運用鏡面之步進允許對大波長範圍之複雜輻射場之光譜量測。由於寬頻帶源之相干長度相對小，因此裝置可藉由在步進通過廣泛範圍的位置時捕捉影像來操作。僅彼等位置中之對應於接近零之路徑長度差之一些位置將在相干長度內。其他位置將不產生複雜場影像。應注意，在鏡面656之給定位置處，路徑長度差在感測器上之不同部位處可不同。因此，經取樣遠場中之每一點在鏡面之不同位置處 將具有最大條紋對比度。為了針對特定波長計算相位及/或振幅，將仍需要在計算中包括來自多個影像之資訊。在低相干源之狀況下，吾人將得到橫越影像之對比度變化。可藉由對測試目標之測試量測來校準對比度變化。
除了緩解針對給定大小之影像場之設計挑戰之外，複雜接物鏡之去除允許實施對於習知光學件為完全不可能的較大視場。舉例而言，代替2×2光柵陣列，可運用視場內之5×2或甚至5×4光柵成像複合目標。為了獲得明確的複雜輻射場資訊，可使可移動鏡面656之步進比照明輻射之(最長)波長小得多。在大容量製造實例(諸如半導體器件製造)中對目標的量測中，每個量測所花費的時間至關重要，但亦不僅包括影像捕捉自身所花費的時間且亦包括用於在影像捕捉之前移動及獲取每一目標的時間。一旦獲取目標，則在使移動鏡面656步進時捕捉多個影像可能不顯著增加總對準量測時間。實務上，所採取之步進之數目可因此相當大，即使經捕捉影像中之許多對後續分析貢獻極少或無貢獻。又，若獲得較大視場，則可在一個捕捉操作中量測較多個別光柵或其他目標結構。
在其他實例中，可在不移動諸如可移動鏡面656之部分之情況下實現相位步進。舉例而言，反射性或透射性空間光調變器可具備在較大「超像素」內之不同像素位置處的不同相位步進。不同相位步進可藉由將步階蝕刻至合適材料中或藉由更奇特手段予以實施。基於(例如)液晶之空間光調變器可用於調變相位。在其他實例中，代替或除了參考波之路徑長度之外，參考波之波長可變化。倘若波長及入射角為已知的，則可計算複雜輻射場。可藉由將濾光器插入在照明路徑中及/或藉由選擇不同輻射源或調諧可調諧的源來做出波長選擇。
換言之，可藉由運用恆定波長使路徑長度差變化、藉由運用恆定路徑長度差使波長變化或藉由兩個變化的組合來獲得相位資訊。視需要，可在散射之後應用波長選擇。舉例而言，可在影像感測器623前方插入波長選擇濾光器且可在捕捉之間改變波長選擇濾光器。可提供多個影像感測器623，且收集路徑係由波長選擇光束分光器分裂。可(例如)以單晶片彩色影像感測器上之RGB濾光器陣列之方式使同一影像感測器623內之不同像素對不同波長敏感。
圖7展示另一變化。大多數部分相似於圖6中所說明之部分，且使用相同參考記號。主要差異為：參考輻射652並非直接取自照明輻射630，而是由鏡面670取自由目標T反射之零階輻射646。此變化可能或可能不簡化光學佈局。此變化之益處為：散射輻射650(物件波)及參考輻射652(參考波)將遍及其各別光學路徑之較大部分經受相同影響。詳言之，目標相對於光學系統之任何振動經歷將實質上同等地影響參考波及物件波兩者。因此，將降低此等振動對經記錄複雜場之影響。此配置中之參考波將攜帶關於目標結構之一些資訊，但此資訊將僅為平均資訊，且出於量測物件波之複雜輻射場之目的，參考波仍可有效作為相位參考。
圖8說明使用圖6或圖7之裝置之整個量測程序。該程序藉由圖式中所說明之光學硬體結合處理器PU之操作予以實施。描述使用無透鏡成像演算法之實例。(i)控制硬體之操作及(ii)處理影像資料662之功能可在同一處理器中執行，或可在不同專用處理器之間劃分。甚至無需在同一裝置中或甚至無需在同一國家執行影像資料之處理。
在802a、802b、…802n處，由來自影像感測器23之處理器PU捕捉及接收一組強度分佈影像。亦接收輔助資料(後設資料)804，其界定與每一 影像相關聯之裝置之操作參數，例如，照明模式、鏡面656之位置及其類似者。可與每一影像一起接收此後設資料，或可針對一組影像提前界定及儲存該後設資料。後設資料亦可包括基板及目標結構之資訊。亦接收或先前儲存參考波規格806，其界定在參考波橫越影像感測器23變化時參考波之已知相位。只要準確地知道橫越影像感測器及/或相對於可移動鏡面之任意初始位置之相對相位步進，則不需要知道絕對相位。可提供額外校準程序以獲得此資訊，而非僅依賴於設計及計算。
自經接收影像資料802a等、後設資料804及參考波規格806，處理器PU計算複雜輻射場810。此為橫越影像感測器23之物件波(散射輻射650)之振幅及相位的表示。該表示可以每像素位置之振幅及相位值之形式表述。表述之其他等效者形式亦為可用的。根據此複雜輻射場，處理器PU在程序812中可使用波傳播演算法來計算合成影像814，就如同在由理想光學系統聚焦至影像感測器(相似於圖3之感測器23)上之情況下將被看到的。
如在圖8中示意性地說明，合成影像814可與真實影像具有相同形式。僅作為實例展示對應於複合目標中之每一個別光柵之深色及淺色矩形。合成影像可為強度之影像，類似於已知裝置中所捕捉之真實影像。然而，合成影像不一定必須為強度影像。其亦可為光柵之相位影像，或可計算強度及/或振幅及相位影像兩者。如上文已論述，若使用目標之繞射光譜之相對部分產生兩個影像，則兩個此影像可用於計算每一光柵之不對稱性。在圖8中，展示第二合成影像814'。將理解，藉由與影像814相同之程序基於第二組影像802a'等獲得第二合成影像，當目標之照明剖面或定向已旋轉180度時使用影像感測器623捕捉第二組影像802a'等。換言之，合 成影像814使用(例如)+1階繞射輻射產生，而合成影像814'使用-1階繞射輻射產生。
在步驟820處，處理器PU比較影像814及814'中之不同光柵之影像之強度以獲得每一光柵之不對稱性量測。在步驟822處，預定公式及/或校準曲線轉換複合目標內之多個光柵之經量測不對稱性以獲得所關注的參數(諸如疊對OV、焦點F或劑量D)之量測。公式來源於目標結構之知識，包括經應用偏置方案。可藉由將對一系列目標之不對稱性量測與藉由其他技術(諸如電子顯微法(SEM,TEM))對所關注的參數進行的量測比較來獲得校準曲線。
針對所有所關注的目標重複所說明的程序。應注意，該程序之計算部分可在時間及空間上與影像捕捉分離。該等計算無需即時完成，但即時完成當然將合乎需要。僅影像802a等之捕捉需要基板之存在，且因此影響微影裝置製造程序之總體生產產出量。
如上文所提及，經捕捉影像802a之數目可大於經選擇且用於計算複雜輻射場之數目。可根據要求選擇所使用之數目。原則上，運用物件波與參考波之間的不同(已知)相位步進捕捉之四個影像應足以獲得明確的振幅及相位資訊。替代地，運用照明輻射630之不同(已知)波長捕捉之四個影像將為足夠的。較大數目可用於改良量測確定性。若可使用目標結構及基板之知識約束計算，則可縮減計算所需之影像之數目。相位步進演算法為已知的，其經證實為對於雜訊較穩定。舉例而言，五步相移演算法對於移相器校準較穩定。多步演算法存在，只要相位步進相同，則不需要相位步進之知識。隨機相位步進演算法亦存在。參見(例如)James C Wyant之「Phase Shifting Interferometry.nb.pdf」Optics 513 Chapter 5,Chapter Notes,2011，其可 在_http：//fp.optics.arizona.edu/jcwyant/Optics513/ChapterNotes/Chapter05/Notes/Phase%20Shifting%20Interferometry.nb.pdf處得到。
在以上實例中，計算複雜場810及計算合成影像814之步驟經展示為依序分離的。實務上，此依序分離有可能為繼續進行之方便方式。然而，原則上，可合併計算，使得吾人藉由單個計算直接自經捕捉影像802a等繼續進行至合成影像814，而不明確地計算複雜場。申請專利範圍不應解譯為要求作為資料之獨特陣列之複雜場之明確計算。
除了計算就如同由已知暗場成像散射計之影像感測器23看到的目標之合成影像之外，該裝置可計算就如同在光瞳影像感測器中看到的繞射圖案之合成影像。不同於已知裝置，不需要將所收集輻射分裂成不同光學分支以獲得此等不同影像。
無透鏡成像演算法及對準資訊之導出可使用軟體或其他合適程式設計，諸如信號處理器之程式設計、閘陣列之程式設計等。可在任何合適資料處理器(諸如微控制器、微處理器、數位信號處理器等)上執行軟體。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用 於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (19)

  1. 一種微影裝置，其包含： 一基板台，其經建構以固持一基板；及 一感測器，其經組態以感測提供至由該基板台固持之該基板上之一對準標記之一位置， 其中該感測器包含 一輻射源，其經組態以藉由一輻射光束照明該對準標記， 一偵測器，其經組態以偵測已與該對準標記相互作用後的作為一離焦光學圖案之該輻射光束，及 一資料處理系統，其經組態以 接收表示該離焦光學圖案之影像資料，及 處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該感測器包含經組態以將已與該對準標記相互作用之該輻射光束傳播至該偵測器之一光學傳播路徑，其中該光學傳播路徑為一無透鏡光學傳播路徑。
  3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該感測器包含經組態以將已與該對準標記相互作用之該輻射光束傳播至該偵測器之一光學傳播路徑，其中該光學傳播路徑為一不聚焦光學傳播路徑。
  4. 如請求項1或2之微影裝置，其中該資料處理系統經組態以處理該影像資料以用於藉由經組態以進行以下操作來判定對準資訊： 自該經接收影像資料計算一經合成聚焦影像；及 自該經計算之經合成聚焦影像判定該對準資訊。
  5. 如請求項1或2之微影裝置，其中該輻射源包含一波長選擇元件，其經組態以接收一波長參數且回應於該波長參數而控制該輻射光束之一波長範圍，該資料處理系統經組態以自依據該波長參數變化之該經接收影像資料計算該合成影像。
  6. 如請求項1或2之微影裝置，其中該微影裝置經組態以使該基板台及該偵測器相對於彼此地移動以便更改由該基板台固持之該基板與該偵測器之間的一光學距離，該資料處理系統經組態以自依據該光學距離變化之該經接收影像資料判定該對準資訊。
  7. 如請求項1或2之微影裝置，其中該資料處理系統經組態以使用一反覆重新建構演算法判定該對準資訊。
  8. 如請求項1或2之微影裝置，其中該感測器進一步包含經組態以提供一參考光束之一輻射光束參考路徑，該參考光束在該偵測器處與該輻射光束相互作用，該資料處理系統經組態以自該經接收影像資料判定該對準資訊，該經接收影像資料得自於該輻射光束與該參考光束之該相互作用。
  9. 如請求項8之微影裝置，其中該輻射光束參考路徑包含一可移動參考結構，該感測器經組態以移動該參考結構以便更改該參考光束之一傳播路徑之一光學長度，該資料處理系統經組態以自依據該光學長度變化之該經接收影像資料判定該對準資訊。
  10. 如請求項8之微影裝置，其中該輻射源包含一波長選擇元件，其經組態以接收一波長參數且回應於該波長參數而控制該輻射光束之一波長範圍，該資料處理系統經組態以自依據該波長參數變化之該經接收影像資料判定該對準資訊。
  11. 如請求項6之微影裝置，其中該資料處理系統經組態以藉由自該經接收影像資料判定該合成影像而自該經接收影像資料判定該對準資訊，且經組態以自該合成影像判定該對準資訊。
  12. 如請求項1或2之微影裝置，其中該資料處理系統經組態以使該合成影像與表示該對準標記之一經預期影像相關及/或過濾該合成影像，且經組態以自該相關及/或過濾之一結果導出對準資訊。
  13. 如請求項1或2之微影裝置，其中該感測器在自該對準標記至該偵測器之一光學路徑中不包含一聚焦光學元件。
  14. 一種微影對準方法，其包含： 提供具有一對準標記之一基板， 將一輻射光束發射至該對準標記上， 藉由一偵測器偵測已與該對準標記相互作用之該輻射光束，其中已與該對準標記相互作用之該輻射光束作為一離焦光學圖案投影至該偵測器上， 自該偵測器接收表示該離焦光學圖案之影像資料，及 處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。
  15. 如請求項14之微影對準方法，其中已與該對準標記相互作用之該輻射光束沿著一光學傳播路徑傳播至該偵測器，其中該光學傳播路徑為一無透鏡光學傳播路徑。
  16. 如請求項14或15之微影對準方法，其中已與該對準標記相互作用之該輻射光束沿著一光學傳播路徑傳播至該偵測器，其中該光學傳播路徑為一不聚焦光學傳播路徑。
  17. 如請求項14或15之微影對準方法，其中處理該影像資料以用於判定對準資訊包含： 自該經接收影像資料計算一經合成聚焦影像；及 自該經計算之經合成聚焦影像判定該對準資訊。
  18. 一種資料處理系統，其包含用於自一偵測器接收一離焦光學圖案之一資料輸入，該離焦光學圖案來自已與一對準標記相互作用之一輻射光束，該資料處理系統經組態以： 在該資料輸入處接收表示該離焦光學圖案之影像資料，及 處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。
  19. 一種由一資料處理系統執行之控制軟體，該控制軟體經組態以： 接收表示一離焦光學圖案之影像資料，該離焦光學圖案來自已與一對準標記相互作用之一輻射光束，及 處理該影像資料以用於判定對準資訊，該處理包含將一無透鏡成像演算法應用於該離焦光學圖案。
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