[go: up one dir, main page]

TWI620341B - 發光二極體晶片及用於製造發光二極體晶片之方法 - Google Patents

發光二極體晶片及用於製造發光二極體晶片之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI620341B
TWI620341B TW105137868A TW105137868A TWI620341B TW I620341 B TWI620341 B TW I620341B TW 105137868 A TW105137868 A TW 105137868A TW 105137868 A TW105137868 A TW 105137868A TW I620341 B TWI620341 B TW I620341B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
emitting diode
semiconductor layer
passivation layer
diode wafer
Prior art date
Application number
TW105137868A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201727935A (zh
Inventor
Jens Ebbecke
詹斯 艾貝克
Petrus Sundgren
派崔斯 森格蘭
Roland Zeisel
羅蘭 采澤
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
歐斯朗奧托半導體股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh, 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Publication of TW201727935A publication Critical patent/TW201727935A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI620341B publication Critical patent/TWI620341B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/034—Manufacture or treatment of coatings

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本發明提供一種發光二極體晶片，具有：一磊晶之半導體層序列(1)，其具有一在操作時產生電磁輻射的活性區(2)；以及一鈍化層(10)，其中靜止固定著電荷載體或其使半導體層序列(1)之表面狀態脫離飽和。該鈍化層(10)施加在半導體層序列(1)之側面(8)上且該鈍化層(10)至少覆蓋該活性區(2)。

Description

發光二極體晶片及用於製造發光二極體晶片之方法
本發明提供一種發光二極體晶片及用於製造發光二極體晶片之方法。
文件DE 102015120323涉及一種具有包封層的發光二極體晶片，該包封層部份地配置在一載體和一反射式層序列之間，該包封層部份地經由該反射式層序列而向內延伸至半導體層序列中。文件DE 102015120323所揭示的內容收納於此作為參考。
發光二極體晶片，特別是以InGaAlP為主者，通常由於蝕刻的側面上輻射產生用的活性區中非輻射的損耗而在較高的電流密度時具有效率最大值。這樣會在小的電流密度時限制此種發光二極體晶片的使用。
本發明的目的是提供一種發光二極體晶片，其效率最大值發生於小的電流密度時。此外，本發明的目的是提供一種用於製造此種發光二極體晶片之方法。
上述目的藉由具有專利請求項1之發光二極體晶片以及具有專利請求項10之步驟的方法來達成。
發光二極體晶片和該方法之有利的實施形式及其它形式是各附屬的請求項之主題。
依據一實施形式，發光二極體晶片具有磊晶之半導體層序列，其具有一在操作時產生電磁輻射的活性區。
特佳的是，發光二極體晶片包括一鈍化層，其中靜態地固定著電荷載體或其使該半導體層序列之表面狀態脫離飽和。
該鈍化層優先施加在半導體層序列之一側面上且在側向中優先至少覆蓋該活性區。
此外，該鈍化層亦可整面在磊晶之半導體層序列的側面上延伸。另一方式或額外地，該鈍化層亦可至少一部份配置在磊晶之半導體層序列-或發光二極體晶片之光發出面上。
本申請案之一種理念是：在半導體層序列之側面上且特別是在產生輻射用的活性區之區域中配置靜止固定的電荷載體，以便在半導體層序列之與該鈍化層相鄰的半導體材料中聚集相反電荷之電荷載體。該鈍化層中靜止固定的電荷有利地使相反地充電的品種相對於側面上的電荷載體而受到屏蔽。由於對非輻射的效應須局部地存在二種形式的電荷載體，則造成損耗之非輻射的速率(rate)在通常已蝕刻的側面上將大大地下降。發光二極體晶片之效率因此可有利地提高。
特佳的是，該鈍化層配置成與磊晶之半導體層序列的材料直接相接觸。換言之，該鈍化層與磊晶之半導體層序列特佳地具有共同的邊界面。
依據發光二極體晶片之一較佳的實施形式，靜止固定的電荷載體是電子。
特佳的是，該鈍化層中靜止固定的電荷使磊晶之半導體層序列之與該鈍化層相鄰的半導體材料中導電帶和價帶之能帶邊緣彎曲。以此形式和方式，則半導體材料之與鈍化層中靜止固定的電荷載體之電荷相反的電荷載體積聚在與該鈍化層相鄰之半導體材料中。該鈍化層中靜止固定的電荷通常有利地使相反地充電的品種相對於側面上的電荷載體而受到屏蔽。
例如，該鈍化層中靜止固定的電荷載體造成該鈍化層之區域中能帶邊緣彎曲至較小的能量，使電子積聚在半導體層序列之邊界區中。由於該鈍化層中局部增高的電子密度，則在對策上正的電荷載體(例如，電洞)將聚集在半導體層序列之相鄰的區域中。在半導體層序列和鈍化層之邊界面上能帶邊緣彎曲之區域例如具有一種介於1奈米和100奈米之間的尺寸。例如，價帶邊緣和導電帶邊緣之能帶邊緣彎曲為至少0.1電子伏特(eV)。
依據一實施形式，靜止固定的電荷載體之電荷載體密度在半導體層序列和鈍化層之間的邊界區中至少是1011cm-2。特佳的是，靜止固定的電荷載體之電荷載體密度在半導體層序列和鈍化層之間的邊界區中至少是1012cm-2。
依據一較佳的實施形式，磊晶之半導體層序列以III/V-半導體化合物材料為主。
III/V-半導體化合物材料特佳的是磷化物-半導體化合物材料。磷化物-半導體化合物材料是一種包含磷的半導體化合物材料，例如，其就像由系統InxAlyGa1-x-yP，其中0x1,0y1且x+y1，構成的材料那樣。磊晶生長之半導體層序列特別是具有此種材料之一或由此種材料之一構成。
該鈍化層較佳為具有一種介於1奈米(含)和100奈米(含)之間的厚度。特佳的是，該鈍化層形成為很薄。該鈍化層5的厚度較佳為不超過5奈米。
鈍化層中靜止固定的電荷有利地使相反地充電的品種相對於側面上的電荷載體而受到屏蔽。由於對非輻射的效應須局部地存在二種形式的電荷載體，則造成損耗之非輻射的速率在側面上將大大地下降。這樣特別會在橫向尺寸較小的發光二極體晶片中使效率提高。因此，特佳的是，發光二極體晶片具有一種不超過1毫米的邊長。
此外，在發光二極體晶片之側面相對於光發出面的比(ratio)較大時，效率的提高特別有效。發光二極體晶片之側面相對於光發出面的比較佳為至少0.01。
鈍化層較佳為具有以下材料之一或由以下材料之一形成：氧化鋁、氧化矽、磷化鋁、銦鋁磷化物。
依據發光二極體晶片之一較佳的實施形式，半導體層序列以磷化物-化合物半導體材料為主或由磷化物-化合物半導體材料形成，該鈍化層直接相接觸地施加在半導體層序列上。該鈍化層於此特佳地具有磷化鋁 及/或氧化鋁。例如，該鈍化層亦可由二個單一層形成，其中一單一層具有磷化鋁或由磷化鋁構成，另一單一層具有氧化鋁或由氧化鋁構成。特佳的是，氧化鋁層於此配置成與半導體材料直接相接觸。
此外，該鈍化層亦可具有無順序的區域，其中一區域具有磷化鋁或由磷化鋁構成，另一區域具有氧化鋁或由氧化鋁構成。特佳的是，鈍化層於此形成為很薄且只具有數個奈米的厚度。此外，本實施形式中具有氧化鋁之區域較佳為較具有磷化鋁的區域多很多。例如，鈍化層至少95%由氧化鋁構成。
在用於製造發光二極體晶片之方法中，首先製備一種具有活性區的磊晶生長之半導體層序列，此活性區適合用於產生電磁輻射。
在半導體層序列之側面上施加一鈍化層，其中電荷載體靜止固定著。該鈍化層於此至少覆蓋該半導體層序列之產生輻射的活性區。
依據本方法之一較佳的實施形式，半導體層序列之側面的一些部份藉由蝕刻，特別是乾蝕刻，而產生。這亦稱為平台(Mesa)-蝕刻。半導體層序列之側面通常首先一部份藉由蝕刻而產生，側面的其它部份最後藉由另一分離過程，例如，折斷、切鋸或雷射切割，而製成。特佳的是，半導體層序列之活性區藉由蝕刻而分離。
依據本方法之一較佳的實施形式，製備半導體層序列，其以磷化物-化合物半導體材料為主或由磷化物-化合物半導體材料構成。為了施加該鈍化層，直接相 接觸地在半導體層序列之側面上施加一種非化學計量的二氧化矽層(SiOx-層)，這優先藉由熱蒸鍍來達成。
然後，直接相接觸地在非化學計量的二氧化矽層上施加磷化鋁層(Al2O3-層)，特佳的是藉由ALD-方法來達成。
目前，CVD(化學蒸氣沉積)-方法的一種特殊形式稱為原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)方法。
在CVD-方法中，使用一容積中待塗層的表面。此容積中另外須使用至少一種原始材料，由此原始材料藉由化學反應在待塗層的表面上沉積一固定的CVD-層。通常，此容積中存在至少一第二原始材料，第一原始材料與第二原始材料發生化學反應而在該表面上形成該固定的CVD-層。因此，此種CVD-方法的特徵是在待塗層的表面上藉由至少一種化學反應而形成該CVD-層。
目前，一種CVD-方法稱為原子層沉積(ALD)方法，此方法中氣體形式的第一原始材料供應至該容積，該容積中製備待塗層的表面，使氣體形式的第一原始材料吸附在該表面上。在以第一原始材料較佳為完全覆蓋或幾乎完全覆蓋該表面之後，第一原始材料之仍以氣體形式存在或未吸附在該表面上的部份通常又由該容積去除且提供第二原始材料。設置第二原始材料使與吸附在該表面上的第一原始化合物發生化學反應而形成固定的ALD-層。
依據本方法之另一實施形式，在以磷化物-化合物半導體材料為主的半導體層序列上為了施加該鈍化層，首先直接相接觸地在半導體層序列之側面上例如磊晶地施加磷化鋁層(AlP-層)。
依據本方法之另一實施形式，使半導體層序列及其上已施加的層形成之層複合物退火。退火用的溫度較佳為介於100℃(含)和800℃(含)之間。
本發明之其它有利的實施形式和其它方式由以下結合各圖式而描述的各實施例即可得知。
1‧‧‧磊晶之半導體層序列
2‧‧‧活性區
3‧‧‧第一主面
4‧‧‧第一接觸區
5‧‧‧第二主面
6‧‧‧第二電性接觸區
7‧‧‧氧化矽層
8‧‧‧側面
9‧‧‧氧化鋁層
10‧‧‧鈍化層
11‧‧‧磷化鋁層
12‧‧‧光發出面
13‧‧‧GaAs-基板
CB‧‧‧導電帶邊緣
VB‧‧‧價帶邊緣
第1圖至第3圖係詳述製造發光二極體晶片之方法的第一實施例用之示意的剖面圖。
第4圖和第5圖係詳述製造發光二極體晶片之方法的另一實施例用之示意的剖面圖。
第6圖顯示一實施例的發光二極體晶片之示意的剖面圖。
第7圖顯示一實施例之發光二極體晶片的半導體材料和鈍化層之示意的導電帶和價帶。
第8圖顯示一種半導體樣品之示意的剖面圖，據此以實驗方式確認該鈍化層之正效果。
第9圖顯示具有第8圖之構造的樣品之光子發光強度的測量值相對於磷化鋁層之厚度x的關係。
各圖式中相同-、相同形式或作用相同的各元件分別設有相同的參考符號。各圖式和各圖式中所示的各元件之間的大小比例未必依照比例繪出。反之，為了更清楚及/或更易於理解，各別元件，特別是層厚度，可予以放大地顯示出。
在第1圖至第3圖之實施例所示的方法中，首先製備一種磊晶生長之半導體層序列1，其具有活性區2。活性區2於此適合在發光二極體晶片操作時產生電磁輻射。半導體層序列1特佳的是以磷化物-化合物半導體材料為主。
在磊晶生長的半導體層序列1之第一主面3上施加第一電性接觸區4，在半導體層序列1之與第一主面3相對向的第二主面5上施加第二電性接觸區6。例如，第一電性接觸區4是p-接觸區且第二電性接觸區6是n-接觸區。
在第2圖所示的下一步驟中，藉由熱蒸鍍直接相接觸地在半導體層序列1之側面8上沉積非化學計量的氧化矽層7(SiOx-層)。此非化學計量的二氧化矽層7於此特別是覆蓋活性區2。此外，半導體層序列1之第二主面5以及第一電性接觸區4至少一部份是以此非化學計量的氧化矽層7來覆蓋。
然後，就像第3圖所示那樣，直接相接觸地在非化學計量的氧化矽層7上施加氧化鋁層9(Al2O3-層)，優先以ALD-方法來達成。
最後，使磊晶之半導體層序列1及其上已施加之非化學計量的氧化矽層7和氧化鋁層9形成之層複合物退火，以便在半導體層序列1之邊界面上形成含有氧化鋁之層。鈍化層10內部中此種含有氧化鋁之層具有靜止固定的電荷載體，較佳為電子。
非化學計量的氧化矽層7、氧化鋁層9和鄰近之含有氧化鋁之層在本實施例中形成鈍化層10。
在第4圖和第5圖所示實施例的方法中，第一步驟中亦須製備一種具有電性接觸區4、6的磊晶之半導體層序列1，就像已依據第1圖所述者那樣。
下一步驟中，直接相接觸地在半導體層序列1之側面8上施加磷化鋁層11(AlP-層)，這例如以磊晶方式達成(第5圖)。磷化鋁層11於此特別是覆蓋活性區2且延伸至半導體層序列之第一主面3和第一接觸區4。
第5圖之層複合物亦特佳地在下一步驟中退火(未顯示)。於此，磷化鋁至少一部份轉變成氧化鋁(AlxOy)。
磷化鋁/氧化物層11在本實施例中形成鈍化層10，其在鄰接於半導體層序列1之半導體材料處具有固定的電荷載體，較佳為電子。
在第1圖至第3圖以及第4圖和第5圖所示實施例的方法中產生發光二極體晶片，其例如就像第6圖中所示者那樣。
第6圖之實施例所示的發光二極體晶片具有以磷化物-化合物半導體材料為主的磊晶生長之半導體 層序列1。半導體層序列1包括一適合產生電磁輻射的活性區2，在發光二極體晶片操作時電磁輻射由光發出面12發出。
在磊晶生長之半導體層序列1之第一主面3上施加第一電性接觸區4，在半導體層序列1之第二主面5上施加第二電性接觸區6。
在磊晶之半導體層序列1之側面8上以及在發光二極體晶片之光發出面12的一些部份上施加鈍化層10。此鈍化層10特別是在活性區2上延伸。此鈍化層10中存在著靜止固定的電荷載體。目前，所述電荷載體是電子。此外，此鈍化層10亦可使相鄰的半導體材料之表面狀態脫離飽和。
第6圖之實施例所示的半導體層序列1之側面8的一些部份藉由乾蝕刻而製成。目前該側面8的該些部份之特徵是：其傾斜於發光二極體晶片之中軸而形成。半導體層序列1之側面8的另一部份目前配置成平行於發光二極體晶片之中軸。發光二極體晶片之此部份藉由另一分離過程，例如，藉由切鋸或雷射切割，而製成。
第7圖顯示鈍化層10以及半導體層序列1之區域中導電帶邊緣CB和價帶邊緣VB之外形。鈍化層10目前包括氧化鋁層9和非化學計量的氧化矽層7。在鈍化層10之鄰接於半導體材料的邊界面之區域中，價帶邊緣VB和導電帶邊緣CB朝向較低的能量而下降，其中電子靜止固定著。在對策上，使相鄰的半導體材料之此 側上價帶邊緣VB提高，其中電洞靜止固定著。以此形式和方式，在半導體層序列1和鈍化層10之邊界面上形成一種對正電荷的屏蔽，其至少使非輻射的重組減少。
第8圖之示意圖所示的樣品具有砷化鎵基板13，其上以磊晶方式生長一種大約1微米厚的InAlP-層。在InAlP-層上又以磊晶方式生長具有活性區2之大約300奈米厚的InGaAlP-半導體層序列1，活性區2發出波長大約620奈米的輻射。
在磊晶生長之半導體層序列1上又施加一種厚度x很小之磷化鋁層11。實驗上顯示：磷化鋁層11在空氣中幾乎完全轉換成氧化鋁層(AlxOy-層)。
現在，改變磷化鋁/氧化物層11 x之厚度，且測量該樣品之光子發光度。在第8圖所示之樣品上測得之光子發光度的值IPL在第9圖中相對於該厚度x而繪出。第9圖之測量結果顯示：在厚度x大約2奈米時，光子發光度較未具備磷化鋁/氧化物層11之樣品者高出10倍。
本申請案主張德國申請案DE 10 2015 120 089.9之優先權，其已揭示的內容收納於此以作為參考。
本發明不限於依據各實施例所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各請求項中各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各請求項中或各實施例中時亦屬本發明。

Claims (9)

  1. 一種發光二極體晶片，具有：一磊晶之半導體層序列(1)，其具有一在操作時產生電磁輻射的活性區(2)，一鈍化層(10)，其中靜止固定著電荷載體，其中該鈍化層(10)施加在該半導體層序列(1)之側面(8)上，且該鈍化層(10)至少覆蓋該活性區(2)；且其中該半導體層序列(1)係以磷化物半導體化合物材料為主且該鈍化層直接相接觸地施加在該半導體層序列(1)上，該鈍化層(10)具有磷化鋁層(11)和氧化鋁層(9)。
  2. 如請求項1之發光二極體晶片，其中靜止固定的該電荷載體是電子。
  3. 如請求項1之發光二極體晶片，其中該鈍化層(10)之靜止固定的該電荷載體造成磊晶之該半導體層序列(1)之與該鈍化層(10)相鄰的半導體材料中導電帶邊緣(CB)和價帶邊緣(VB)彎曲，使與靜止固定的該電荷載體之電荷相反的電荷載體積聚在該半導體材料中。
  4. 如請求項1之發光二極體晶片，其中鈍化層(10)具有一種介於1奈米(含)和100奈米(含)之間的厚度。
  5. 如請求項1之發光二極體晶片，其中該發光二極體晶片之邊長未超過1毫米。
  6. 一種用於製造發光二極體晶片之方法，具有以下步驟：製備一磊晶生長之半導體層序列(1)，其具有適合用於產生電磁輻射的活性區(2)，在該半導體層序列(1)之側面(8)上施加一鈍化層 (10)，使電荷載體在該鈍化層(10)中靜止固定著；其中該半導體層序列(1)以磷化物-化合物半導體材料為主且進行以下步驟以施加該鈍化層(10)：直接相接觸地在該半導體層序列(1)之側面(8)上施加非化學計量的氧化矽層(7)，直接相接觸地在氧化矽層(7)上施加氧化鋁層(9)，使層複合物退火，以便在鈍化層(10)和該半導體層序列(1)之間的邊界面上形成含有氧化鋁之層。
  7. 如請求項6之方法，其中該半導體層序列(1)之該側面(8)藉由蝕刻而產生。
  8. 如請求項6或7之方法，其中該二氧化矽層藉由熱蒸鍍沉積而成且該氧化鋁層藉由ALD-方法沉積而成。
  9. 如請求項6或7之方法，其中使半導體層序列及其上已施加的層形成之層複合物進行退火。
TW105137868A 2015-11-19 2016-11-18 發光二極體晶片及用於製造發光二極體晶片之方法 TWI620341B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015120089.9A DE102015120089A1 (de) 2015-11-19 2015-11-19 Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips
DE102015120089.9 2015-11-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201727935A TW201727935A (zh) 2017-08-01
TWI620341B true TWI620341B (zh) 2018-04-01

Family

ID=57326429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105137868A TWI620341B (zh) 2015-11-19 2016-11-18 發光二極體晶片及用於製造發光二極體晶片之方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10580938B2 (zh)
JP (1) JP2018536282A (zh)
CN (1) CN108292697B (zh)
DE (2) DE102015120089A1 (zh)
TW (1) TWI620341B (zh)
WO (1) WO2017085200A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12322732B2 (en) 2017-02-09 2025-06-03 Vuereal Inc. Circuit and system integration onto a microdevice substrate
DE102017108199A1 (de) 2017-04-18 2018-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Betriebsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102017112875B4 (de) 2017-06-12 2024-10-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips
FR3077931A1 (fr) * 2018-02-14 2019-08-16 Centre National De La Recherche Scientifique Dispositif a semi-conducteur avec structure de passivation des surfaces recombinantes
KR102870852B1 (ko) 2020-06-24 2025-10-13 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
CN115939281B (zh) * 2022-12-30 2025-10-03 京东方华灿光电(浙江)有限公司 改善侧向出光的发光二极管、阵列及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200841393A (en) * 2007-04-02 2008-10-16 Miin-Jang Chen Optoelectronic device and method of fabricating the same
WO2015044529A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Lumichip Oy Assembly level encapsulation layer with multifunctional purpose, and method of producing the same

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2133928B (en) * 1982-12-04 1986-07-30 Plessey Co Plc Coatings for semiconductor devices
DE102004029412A1 (de) * 2004-02-27 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
KR101232507B1 (ko) * 2006-04-10 2013-02-12 삼성전자주식회사 표면발광소자 및 그의 제조방법
KR100867541B1 (ko) 2006-11-14 2008-11-06 삼성전기주식회사 수직형 발광 소자의 제조 방법
US7943942B2 (en) 2008-03-25 2011-05-17 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Semiconductor light-emitting device with double-sided passivation
EP2316138A1 (en) * 2008-08-19 2011-05-04 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Method for fabricating semiconductor light-emitting device with double-sided passivation
DE102009035429A1 (de) * 2009-07-31 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
TWI408834B (zh) * 2010-04-02 2013-09-11 Miin Jang Chen 基於奈米晶粒之光電元件及其製造方法
KR101782081B1 (ko) * 2010-08-30 2017-09-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN102544009B (zh) * 2010-12-08 2014-03-26 中国科学院微电子研究所 一种高迁移率cmos集成单元
TW201310667A (zh) * 2011-08-17 2013-03-01 Epistar Corp 太陽能電池
JP6035736B2 (ja) * 2011-10-26 2016-11-30 ソニー株式会社 発光素子およびその製造方法、並びに発光装置
KR101867999B1 (ko) * 2011-10-31 2018-06-18 삼성전자주식회사 Ｉｉｉ-ｖ족 물질층을 형성하는 방법, ｉｉｉ-ｖ족 물질층을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법
TWI452714B (zh) * 2012-01-20 2014-09-11 Univ Nat Taiwan 太陽能電池及其製造方法
TWI455333B (zh) * 2012-04-09 2014-10-01 Sino American Silicon Prod Inc 太陽能電池
US9570662B2 (en) * 2012-07-10 2017-02-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of encapsulating an optoelectronic device and light-emitting diode chip
US9768345B2 (en) * 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9865772B2 (en) * 2015-01-06 2018-01-09 Apple Inc. LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination
US9484492B2 (en) * 2015-01-06 2016-11-01 Apple Inc. LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination
US9601659B2 (en) * 2015-01-06 2017-03-21 Apple Inc. LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination
IL238368B (en) * 2015-04-19 2019-08-29 Semi Conductor Devices An Elbit Systems Rafael Partnership light sensor
DE102015108529A1 (de) * 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode
DE102015212477B4 (de) * 2015-07-03 2025-11-27 Pictiva Displays International Limited Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102015120323A1 (de) 2015-11-24 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip mit einer reflektierenden Schichtenfolge

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200841393A (en) * 2007-04-02 2008-10-16 Miin-Jang Chen Optoelectronic device and method of fabricating the same
WO2015044529A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Lumichip Oy Assembly level encapsulation layer with multifunctional purpose, and method of producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20180374994A1 (en) 2018-12-27
DE112016005319A5 (de) 2018-08-09
US10580938B2 (en) 2020-03-03
TW201727935A (zh) 2017-08-01
DE112016005319B4 (de) 2024-02-15
CN108292697A (zh) 2018-07-17
DE102015120089A1 (de) 2017-05-24
WO2017085200A1 (de) 2017-05-26
CN108292697B (zh) 2020-03-06
JP2018536282A (ja) 2018-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI620341B (zh) 發光二極體晶片及用於製造發光二極體晶片之方法
CN102067346B (zh) 具有钝化层的半导体发光器件及其制造方法
US20180076355A1 (en) Nitride semiconductor light emitting device
US9343626B2 (en) Semiconductor structures having active regions comprising InGaN, methods of forming such semiconductor structures, and light emitting devices formed from such semiconductor structures
TWI405354B (zh) 半導體結構及發光二極體
US9246057B2 (en) Semiconductor structures having active regions comprising InGaN, methods of forming such semiconductor structures, and light emitting devices formed from such semiconductor structures
CN101253660A (zh) 用于横向分离半导体晶片的方法以及光电子器件
JP2022537495A (ja) 光電子デバイス
WO2020239529A1 (en) Light emitting diode precursor including a passivation layer
US11107954B2 (en) Light-emitting diode chip, and method for manufacturing a light-emitting diode chip
JP2012500479A (ja) 両面不動態化を伴う半導体発光デバイスを製造するための方法
US8759815B2 (en) Nitride based semiconductor light emitting device
US20100140656A1 (en) Semiconductor Light-Emitting Device
CN107924965B (zh) 光电子半导体芯片和其制造方法
JP2007221146A (ja) 縦型発光素子及びその製造方法
JP2015082612A (ja) 窒化物発光素子および窒化物発光素子の製造方法
US8101965B2 (en) III-nitride semiconductor light emitting device having a multilayered pad
TWI505502B (zh) 發光二極體及其製造方法
KR20120135818A (ko) 발광소자 및 그의 제조방법
US11915935B2 (en) Method for producing a semiconductor component comprising performing a plasma treatment, and semiconductor component
KR100730755B1 (ko) 수직형 발광소자 제조 방법 및 그 수직형 발광소자
US20240178344A1 (en) Ultraviolet light emitting element
CN101946338A (zh) 光电半导体本体以及用于制造光电半导体本体的方法
KR102051477B1 (ko) 반도체 발광소자의 제조방법
US20100102338A1 (en) III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees