TWI620005B - 佈局圖案分割方法 - Google Patents
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Abstract
一種佈局圖案分割方法,該佈局圖案分割方法包含有以下步驟:接收一佈局圖案,其包含有複數個特徵物,且該等特徵物之間分別形成有一邊對邊間距。接下來分別計算該邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距左側之該特徵物之寬度的總和以及該邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距右側之該特徵物之寬度的總和,隨後分別比對該等總和與一預定值,當任一該總和小於該預定值時,分別給予該邊對邊間距兩側之該等特徵物一第一顏色與一第二顏色。之後,分派具有該第一顏色之該等特徵物至一第一圖案,以及分派具有該第二顏色之該等特徵物至一第二圖案。
Description
本發明有關於一種佈局圖案分割方法,尤指一種用於雙重圖案化技術之佈局圖案分割方法。
隨著電子裝置尺寸的持續縮小,電子裝置上的積體電路以及用以構成積體電路的特徵圖案尺寸及其間的細微間距也隨之縮小,以滿足小尺寸電子裝置的要求。然而,特徵圖案日益縮小的間距與尺寸都增加了元件製作的難度,且受限於傳統製程技術上的限制。
舉例來說,半導體製程中的微影技術在45奈米節點時即已面臨許多挑戰,例如線邊粗糙(line-edge roughness)、曝光噪訊(shot noise)、酸擴散污染(acid diffusion blur)以及光阻崩塌(resist collapse)等問題。為此,習知技術已開發出多重圖案化(multi patterning)技術與雙重圖案化(double patterning)技術等,以克服上述問題。在雙重圖案化技術中,係將所欲形成的複數個特徵圖案分類成兩個顏色類型,並將具有相同顏色類型的特徵圖案形成在單一光罩上。而在使用這兩個光罩之後,係可於一基底的目標膜層上重新組合成包含前述複數個特徵圖案單一佈局圖案。
由此可知,如何將一給定的目標特徵圖案有效率地分離至
兩個光罩,且使單一光罩上所有的特徵都能充分遠離彼此而得以清晰成像,一直是雙重圖案化技術最大的需求之一。
因此,本發明之一目的即在於提供一種佈局圖案分割方法,可有效率地將佈局圖案的分割,並形成在不同的光罩上,使得後續的雙重圖案化製程得以進行。
根據本發明之申請專利範圍,係提供一種佈局圖案分割方法,該佈局圖案分割方法包含有以下步驟:(a)接收一佈局圖案,其包含有複數個特徵物(feature),且該等特徵物之間分別形成有一邊對邊間距(edge-to-edge space);(b)分別計算該邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距左側之該特徵物之寬度的總和以及該邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距右側之該特徵物之寬度的總和;(c)分別比對該等總和與一預定值,當任一該總和小於該預定值時,分別給予該邊對邊間距兩側之該等特徵物一第一顏色與一第二顏色;以及(d)分派具有該第一顏色之該等特徵物至一第一圖案,以及分派具有該第二顏色之該等特徵物至一第二圖案。另外,上述步驟(a)至步驟(d)係進行於一電腦裝置內。
根據本發明之申請專利範圍,另提供一種佈局圖案分割方法,該佈局圖案分割方法包含有以下步驟:(a)接收一佈局圖案,該佈局圖案包含有複數個特徵物;(b)辨識與分類該等特徵物成複數個一維(one dimension,1D)特徵物與複數個二維(two dimension,2D)特徵物,該等1D特徵物分別僅包含一第一區塊(block),且該第一區塊沿一第一方向延伸,該等2D特徵物分別包含一第一區塊與至少一第二區塊,且該第二區塊沿一第二方向延伸;(c)比對相鄰
之該等1D特徵物之間的一第一間距之寬度以及該第一間距旁至少一該1D特徵物之寬度的總和與一第一預定值,當該總和小於該第一預定值時,分別給予該第一間距兩側之該等1D特徵物一第一顏色與一第二顏色;(d)比對相鄰之該等2D特徵物之間的一第二間距之寬度與一第二預定值,當該第二間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該第二間距兩側之該等2D特徵物該第一顏色與該第二顏色;以及(e)分派具有該第一顏色之該等1D特徵物與該等2D特徵物至一第一圖案,以及分派具有該第二顏色之該等1D特徵物與該等2D特徵物至一第二圖案。另外,上述步驟(a)至步驟(e)係進行於一電腦裝置內。
根據本發明之申請專利範圍,更提供一種佈局圖案分割方法,該佈局圖案分割方法包含有以下步驟:(a)接收一佈局圖案,該佈局圖案包含有複數個特徵物;(b)辨識與分類該等特徵物成複數個1D特徵物與複數個2D特徵物,該等1D特徵物分別僅包含一第一區塊,該第一區塊沿一第一方向延伸,該等2D特徵物分別包含一第一區塊與至少一第二區塊,該第二區塊沿一第二方向延伸,且至少一該1D特徵物與至少一該2D特徵物相鄰;(c)比對相鄰之該1D特徵物與該2D特徵物之間的一間距之寬度與一第二預定值,當該間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物一第一顏色與一第二顏色;以及(d)分派具有該第一顏色之該1D特徵物與該2D特徵物至一第一圖案,以及分派具有該第二顏色之該1D特徵物與該2D特徵物至一第二圖案。另外,上述步驟(a)至步驟(d)係進行於一電腦裝置內。
根據本發明所提供之佈局圖案分割方法,係可根據不同類
型的特徵圖案採用不同的比對基準:比對相鄰特徵物之間的邊對邊間距之寬度以及邊對邊間距兩旁至少一特徵物之寬度的總和與該第一預定值,或比對相鄰特徵物之間的間距之寬度與該第二預定值。根據上述比對,係可有系統及有效率地將特徵圖案著色,隨後分派至該第一圖案或該第二圖案。更重要的是,當第一圖案或該第二圖案分別形成至不同的光罩後,任一單一光罩上所有的特徵物都能充分遠離彼此而得以清晰成像,是以本發明所提供之佈局圖案分割方法更具有能確保雙重圖案化製程結果之功效。
1‧‧‧佈局圖案分割方法
10‧‧‧接收一佈局圖案,該佈局圖案包含有複數個特徵物
12‧‧‧辨識與分類該等特徵物成複數個1D特徵物與複數個2D特徵物
13‧‧‧分別計算該等1D特徵物之間的一邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距左側之該1D特徵物之寬度的總和以及該邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距右側之該1D特徵物之寬度的總和
14a‧‧‧分別比對該等總和與一第一預定值,當任一該總和小於該第一預定值時,分別給予該邊對邊間距兩側之該等1D特徵物一第一顏色與一第二顏色
14b‧‧‧比對該等2D特徵物之間的一第二間距之寬度與一第二預定值,當該該第二間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該第二間距兩側之該等2D特徵物該第一顏色與該第二顏色
16‧‧‧分派具有該第一顏色之該等1D特徵物與該等2D特徵物至一第一圖案,以及分派具有該第二顏色之該等1D特徵物與該等2D特徵物至一第二圖案
18‧‧‧輸出該第一圖案至一第一光罩,以及輸出該第二圖案至一第二光罩
2a‧‧‧佈局圖案分割方法
2b‧‧‧佈局圖案分割方法
20‧‧‧接收一佈局圖案,該佈局圖案包含有複數個特徵物
22‧‧‧辨識與分類該等特徵物成複數個1D特徵物與複數個2D特徵物,且至少一1D特徵物與至少一2D特徵物相鄰
24a‧‧‧比對相鄰之該1D特徵物與該2D特徵物之間的一間距之寬度與一第二預定值,當該間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物一第一顏色與一第二顏色
24b‧‧‧比對該1D特徵物與該2D特徵物之間的一間距之寬度與一第二預定值,當該間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物一第一顏色與一第二顏色
24c‧‧‧比對該1D特徵物之一寬度以及該1D特徵物與該2D特徵物之間的一邊對邊間距之總和與一第一預定值,當該總和之寬度小於該第一預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物一第一顏色與一第二顏色
26‧‧‧分派具有該第一顏色的該1D特徵物與該2D特徵物至一第一圖案,以及分派具有該第一顏色的該1D特徵物與該2D特徵物至一第二圖案
28‧‧‧輸出該第一圖案至一第一光罩,以及輸出該第二圖案至一第二光罩
100、200‧‧‧佈局圖案
102‧‧‧特徵物
102a、202a‧‧‧1D特徵物
102b、202b‧‧‧2D特徵物
104、204‧‧‧第一區塊
106、206‧‧‧第二區塊
110、210‧‧‧第一顏色
120、220‧‧‧第二顏色
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
S‧‧‧邊對邊間距(第一間距)
S1、S2、S3‧‧‧邊對邊間距之寬度
S’‧‧‧第二間距
S’1‧‧‧第二間距之寬度
W‧‧‧1D特徵物之寬度
W1、W2、W3、W4、W5‧‧‧1D特徵物之寬度
第1圖為本發明所提供之佈局圖案分割方法之一第一較佳實施例之流程圖。
第2圖至第5B圖為該第一較佳實施例所提供之佈局圖案分割方法之示意圖。
第6A圖為本發明所提供之佈局圖案分割方法之一第二較佳實施例之流程圖。
第6B圖為本發明所提供之佈局圖案分割方法之一第三較佳實施例及其變化型之流程圖。
第7圖至第8圖為該第二較佳實施例與第三較佳實施例所提供之佈局圖案分割方法之示意圖。
第9圖為該第三較佳實施例之變化型所提供之佈局圖案分割方法之示意圖。
請參閱第1圖至第5B圖,第1圖係為本發明所提供之佈局圖案分割方法之一第一較佳實施例之流程圖,而第2圖至第5B
圖係為該第一較佳實施例所提供之佈局圖案分割方法之示意圖。如第1圖所示,本發明所提供之佈局圖案分割分方法1包含:步驟10:接收一佈局圖案,該佈局圖案包含有複數個特徵物
請同時參閱第2圖。如第2圖所示,本較佳實施例首先接收一佈局圖案100,而此佈局圖案100內包含複數個特徵物102。首先須注意的是,佈局圖案100可包含積體電路中將要形成於任一膜層內的電路圖案,其可以是一後段製程(back-end-of-line,BEOL)製程中的電路圖案,例如內連線層圖案,亦可以是前段製程(front-end-of-line,FEOL)製程中的電路圖案,例如主動元件圖案。此外,第2圖所示之佈局圖案100及其所包含之特徵物102的尺寸與比例係簡化以利清楚說明本實施例之內容,並非依實際產品之比例繪製。
接下來,本發明所提供之佈局圖案分割方法1係進行:步驟12:辨識與分類該等特徵物成複數個一維特徵物與複數個二維特徵物
請同時參閱第3圖。如第3圖所示,接下來,辨識與分類佈局圖案100內的各特徵物102。值得注意的是,當特徵物102被辨識出僅包含一沿一第一方向D1延伸的第一區塊(block)104時,該特徵物102係被分類成一維(one dimension,以下簡稱為1D)特徵物102a。而當特徵物102被辨識出包含一沿第一方向D1延伸的第
一區塊104與至少一沿一第二方向D2延伸的第二區塊106時,該特徵物102係被分類成二維(two dimension,以下簡稱為2D)特徵物102b。更重要的是,各2D特徵物102b的第一區塊104與第二區塊106係如第3圖所示,彼此實體接觸(physically contact)。另外,在本較佳實施例中,第一方向D1與第二方向D2彼此垂直。
接下來,本發明所提供之佈局圖案分割方法1係進行:步驟13:分別計算該等1D特徵物之間的一邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距左側之該1D特徵物之寬度的總和以及該邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距右側之該1D特徵物之寬度的總和
請參閱第4A圖與第4B圖。在完成特徵物102的分類之後,本較佳實施例係針對不同的特徵物102a、102b群組進行測量與計算。首先,本較佳實施例針對1D特徵物102a進行測量:由第4A圖可知,相鄰的1D特徵物102a彼此之間具有一第一間距S,更重要的是,此一第一間距S係由相鄰的1D特徵物102a彼此相對的邊定義出來的,因此第一間距S又可視為邊對邊間距(edge-to-edge spacing)S。而每一1D特徵物102a本身則具有一寬度W。在本較佳實施例中,係分別計算每一邊對邊間距S的寬度與該邊對邊間距S左側之1D特徵物102a之寬度W的總和,以及該邊對邊間距S的寬度與該邊對邊間距S右側之1D特徵物102a之寬度W的總和。另外請參閱第4B圖。在2D特徵物102b的群組中,本較佳實施例係測量相鄰之2D特徵物102b之間最近的一第二間距S’之寬度。熟習該項技藝之人士應知,由於2D特徵物102b係由沿第一方向D1延伸的第一區塊104與沿第二方向D2延伸的第二區塊106組合而
成,因此相鄰的2D特徵物102b之間可能具有多個間距。然而,本較佳實施例係量測相鄰的2D特徵物102b之間的間距,並取其中最小的間距定義為第二間距S’,如第4B圖所示。
接下來,本發明所提供之佈局圖案分割方法1係同時進行:步驟14a:比對該等總和與一第一預定值,當任一該總和小於該第一預定值時,分別給予該邊對邊間距兩側之該等1D特徵物一第一顏色與一第二顏色
步驟14b:比對該第二間距之寬度與一第二預定值,當該第二間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該第二間距兩側之該等2D特徵物該第一顏色與該第二顏色
請參閱第5A圖。在得到邊對邊間距S之寬度與邊對邊間距S左側之1D特徵物102a之寬度W的總和,以及該邊對邊間距S之寬度與該邊對邊間距S右側之1D特徵物102a之寬度W的總和之後,係分別將該等總和與一第一預定值P進行比對:當任一該總和小於第一預定值P時,即將此一邊對邊間距S兩側之1D特徵物102a分別給予一第一顏色110與一第二顏色120。首先須注意的是,在本較佳實施例中,第一預定值P等於一光罩上最小可成像寬度(minimum manufacturable width),但第一預定值P亦可大於最小可成像寬度,而不限於此。舉例來說,在本較佳實施例中,第一預定值P為90奈米(nanometer,以下簡稱為nm),但不限於此。當第5A圖中邊對邊間距S的寬度S1為32nm,而其兩旁的1D特徵物102a的寬度W1與W2皆為32nm時,邊對邊間距S的寬度S1與左側之
1D特徵物102a的寬度W1的總和為64nm,邊對邊間距S的寬度S1與右側之1D特徵物102a的寬度W2的總和亦為64nm。由於上述任一總和小於第一預定值P,故邊對邊間距S兩旁的1D特徵物102a即被分別給予第一顏色110與第二顏色120。在本較佳實施例的另一舉例中,第一預定值P為90nm,邊對邊間距S的寬度S2為64nm,而其兩旁的1D特徵物102a的寬度W2與W3皆為32nm,則邊對邊間距S的寬度S2與左側的1D特徵物102a的寬度W2總和為96nm,邊對邊間距S的寬度S2與右側之1D特徵物102a的寬度W3的總和亦為96nm。由於上述總和皆大於第一預定值P,故邊對邊間距S兩旁的1D特徵物102a即被分別給予相同的顏色,在本較佳實施例中,可以是第二顏色120。在本較佳實施例的又一舉例中,第一預定值P為90nm,邊對邊間距S的寬度S3為32nm,而其兩旁的1D特徵物102a的寬度W3為32nm、W4為96nm,則邊對邊間距S的寬度S3與左側的1D特徵物102a的寬度W3的總和為64nm,其小於第一預定值P,而邊對邊間距S的寬度S3與右側之1D特徵物102a的寬度W4的總和為128nm,其大於第一預定值P。由於有一總和小於第一預定值P,故邊對邊間距S兩旁的1D特徵物102a即被分別給予第一顏色110與第二顏色120。
請同時參閱第5B圖。與步驟14a同時進行的步驟14b,係在得到第二間距S’之寬度後,將第二間距S’的寬度與一第二預定值P’進行比對:當該第二間距S’的寬度小於與第二預定值P’時,即將此一第二間距S’兩側之2D特徵物102b分別給予一第一顏色110與一第二顏色120。首先須注意的是,在本較佳實施例中,第二預定值P’可以是操作者決定的任意值。舉例來說,在本較佳實施例中,當第二間距S’的寬度S’1小於第二預定值P’時,第二間距S’兩旁的
2D特徵物102b即被分別給予第一顏色110與第二顏色120,如第5B圖所示。
接下來,本發明所提供之佈局圖案分割方法1係進行:步驟16:分派具有該第一顏色之該等1D特徵物與該等2D特徵物至一第一圖案,以及分派具有該第二顏色之該等1D特徵物與該等2D特徵物至一第二圖案
步驟18:輸出該第一圖案至一第一光罩,以及輸出該第二圖案至一第二光罩
根據本發明所提供之佈局圖案分割方法,係在完成1D特徵物102a與2D特徵物102b的著色之後,即將具有第一顏色110的1D特徵物102a與具有第一顏色110的2D特徵物102b分派至一第一圖案。同理,將具有第二顏色120的1D特徵物102a與具有第二顏色120的2D特徵物102b分派至一第二圖案。另外須注意的是,上述步驟10至步驟16皆可進行於一電腦裝置內。
在完成第一圖案與第二圖案的分配之後,本發明更可將第一圖案輸出至一第一光罩上,同時將第二圖案輸出至一第二光罩上。而第一光罩與第二光罩係可用以進行雙重圖案化製程。
根據本較佳實施例所提供之佈局圖案分割方法,由於第一光罩包含的第一圖案與第二光罩包含的第二圖案係由前述佈局圖案分割方法1所得,因此第一圖案與第二圖案中沒有任何相鄰的特徵物會因為彼此之間的距離過小而無法清晰成像。換句話說,本較佳
實施例所提供之佈局圖案分割方法1不但可有效率地分割佈局圖案,更可確保雙重圖案化製程的最終結果。
請參閱第6A圖與第7圖至第8圖,第6A圖係為本發明所提供之佈局圖案分割方法之一第二較佳實施例之流程圖,而第7圖至第8圖係為該第二較佳實施例所提供之佈局圖案分割方法之示意圖。首先須注意的是,本發明所提供之佈局圖案分割方法2a係可進行於一電腦裝置中。如第6A圖所示,本發明所提供之佈局圖案分割分方法2a包含:步驟20:接收一佈局圖案,該佈局圖案包含有複數個特徵物
請同時參閱第7圖。如第7圖所示,本較佳實施例首先接收一佈局圖案200,而此佈局圖案200內包含複數個特徵物。
接下來,本發明所提供之佈局圖案分割方法2a係進行:步驟22:辨識與分類該等特徵物成複數個1D特徵物與複數個2D特徵物,且至少一1D特徵物與至少一2D特徵物相鄰
請繼續參閱第7圖。如第7圖所示,接下來,辨識與分類佈局圖案200內的各特徵物。值得注意的是,當特徵物被辨識出僅包含一沿一第一方向D1延伸的第一區塊204時,該特徵物係被分類成1D特徵物202a。而當特徵物被辨識出包含一沿第一方向D1延伸的第一區塊204與至少一沿一第二方向D2延伸的第二區塊206時,該特徵物係被分類成2D特徵物202b。更重要的是,各2D特
徵物202b的第一區塊204與第二區塊206係如第7圖所示,彼此實體接觸。另外在本較佳實施例中,第一方向D1與第二方向D2彼此垂直。值得注意的是,不論電腦裝置所接收的佈局圖案是何種佈局圖案,任一佈局圖案中,1D特徵物202a並不總是與1D特徵物202a相鄰,同理2D特徵物202b並不總是與2D特徵物202b相鄰。因此,本較佳實施例與後續實施例更特別討論當1D特徵物202a與2D特徵物202b相鄰的狀況。因此,如第7圖之虛線框所標示,在佈局圖案200中,至少一1D特徵物202a與至少一2D特徵物202b相鄰。另外須注意的是,佈局圖案202中相鄰的1D特徵物202a與相鄰的2D特徵物202b的分割方法係可循第一較佳實施例揭示者進行,故於此係不再贅述。
接下來,本發明所提供之佈局圖案分割方法2a係進行:步驟24a:比對相鄰之該1D特徵物與該2D特徵物之間的一間距之寬度與一第二預定值,當該間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物一第一顏色與一第二顏色
請繼續參閱第7圖。如前所述,在完成特徵物的分類之後,本較佳實施例係針對相鄰的1D特徵物202a與2D特徵物202b進行測量:本較佳實施例係測量相鄰之2D特徵物202b與1D特徵物202a之間最近的一第二間距S’之寬度。熟習該項技藝之人士應知,由於2D特徵物202b係由沿第一方向D1延伸的第一區塊204與沿第二方向D2延伸的第二區塊206組合而成,因此相鄰的2D特徵物202b與1D特徵物202a之間可能具有多個間距。然而,本較
佳實施例係可量測相鄰的2D特徵物202b與1D特徵物202a之間的間距,並取其中最小的間距定義為第二間距S’,如第7圖所示。
請參閱第8圖。在得到第二間距S’之寬度後,係將第二間距S’的寬度與一第二預定值P’進行比對:當該第二間距S’的寬度小於與第二預定值P’時,即將此一第二間距S’兩側之1D特徵物202a與2D特徵物202b分別給予一第一顏色210與一第二顏色220。首先須注意的是,在本較佳實施例中,第二預定值P’可以是操作者決定的任意值。舉例來說,在本較佳實施例中,當第二間距S’的寬度S’1小於第二預定值P’時,第二間距S’兩旁的2D特徵物202b與1D特徵物202a即被分別給予第一顏色210與第二顏色220,如第8圖所示。
接下來,本較佳實施例所提供的佈局圖案分割方法2a係進行:步驟26:分派具有該第一顏色的該1D特徵物與該2D特徵物至一第一圖案,以及分派具有該第一顏色的該1D特徵物與該2D特徵物至一第二圖案
步驟28:輸出該第一圖案至一第一光罩,以及輸出該第二圖案至一第二光罩
根據本發明所提供之佈局圖案分割方法2a,係在完成1D特徵物202a與2D特徵物202b的著色之後,即將具有不同顏色的1D特徵物202a與2D特徵物202b分別分派至一第一圖案與一第二圖案。另外須注意的是,上述步驟10至步驟26皆可進行於一電腦
裝置內。
在完成第一圖案與第二圖案的分配之後,本發明更可將第一圖案輸出至一第一光罩上,同時將第二圖案輸出至一第二光罩上。而第一光罩與第二光罩係可用以進行雙重圖案化製程。
接下來請參閱第6B圖,第6B圖係為本較佳實施例所提供之佈局圖案分割方法之一第三較佳實施例及其一變化型之流程圖。首先須注意的是,第三較佳實施例所提供之佈局圖案分割方法2b中,步驟20~步驟22,以及步驟26~步驟28係與第二較佳實施例所提供之佈局圖案分割方法2a相同,故於此係不再贅述,以下係詳述本第三較佳實施例與第二較佳實施例不同之處。在本較佳實施例中,係在步驟22之後進行:步驟24b:比對該1D特徵物與該2D特徵物之間的一間距之寬度與一第二預定值,當該間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物一第一顏色與一第二顏色。
步驟24c:比對該1D特徵物之一寬度以及該1D特徵物與該2D特徵物之間的一邊對邊間距之總和與一第一預定值,當該總和之寬度小於該第一預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物一第一顏色與一第二顏色。
請同時參閱第8圖。在本較佳實施例中,係可進行步驟24b,比對相鄰之1D特徵物202a與2D特徵物202b之間距S'與一第二預定值P’。如前所述,由於2D特徵物202b係由沿第一方向D1延伸的第一區塊204與沿第二方向D2延伸的第二區塊206組合
而成,因此相鄰的1D特徵物202a與2D特徵物202b之間可能一個至多個間距。然而,本較佳實施例係量測相鄰的1D特徵物202a與2D特徵物202b之間最小的間距進行比對。此外,同時進行步驟24c,比對相鄰之1D特徵物202a與2D特徵物202b中的1D特徵物202a之一寬度W5以及該1D特徵物202a與2D特徵物202b之間的一邊對邊間距S之總和與一第一預定值P。
在本較佳實施例中,當步驟24b或步驟24c中任一比對符合分割的規則時,相鄰的1D特徵物202a與2D特徵物202b即被給予不同的顏色。舉例來說,可先參考步驟24b之比對結果,當相鄰之1D特徵物202a與2D特徵物202b之間距S'1小於第二預定值P’時,則分別給予1D特徵物202a與2D特徵物202b一第一顏色210與一第二顏色220,如第8圖所示。但是當相鄰之1D特徵物202a與2D特徵物202b之間距S'大於第二預定值P’時,立即參考步驟24c的比對結果:當相鄰之1D特徵物202a與2D特徵物202b中1D特徵物202a之一寬度W5以及1D特徵物202a與2D特徵物202b之間的一邊對邊間距S之總和小於第一預定值P時,即分別給予1D特徵物202a與2D特徵物202b一第一顏色210與一第二顏色220。另外須注意的是,步驟24b與24c係同時進行,且其參考順序不限於此。
而在本較佳實施例的變化型中,步驟24b與步驟24c仍然同時進行,但是當相鄰的1D特徵物202a與2D特徵物202b同時符合步驟24b或步驟24c所提供的分割規則時,相鄰的1D特徵物202a與2D特徵物202b方能給予不同的顏色。如第9圖所示,舉例來說,根據步驟24b之比對結果,當相鄰之1D特徵物202a與2D特徵物
202b之間距S'1小於第二預定值P’時,且根據步驟24c的比對結果,當相鄰之1D特徵物202a與2D特徵物202b中1D特徵物202a之一寬度W6以及1D特徵物202a與2D特徵物202b之間的一邊對邊間距S(此亦為S1’)之總和小於第一預定值P時,方分別給予1D特徵物202a與2D特徵物202b一第一顏色210與一第二顏色220。另外須注意的是,步驟24b與24c係同時進行,且其參考順序不限於此。
根據上述第二較佳實施例以及第三較佳實施例與其變化型所提供之佈局圖案分割方法,由於第一光罩包含的第一圖案與第二光罩包含的第二圖案係由前述佈局圖案分割方法2a/2b所得,因此第一圖案與第二圖案中沒有任何相鄰的特徵物會因為彼此之間的距離過小而無法清晰成像。換句話說,本發明所提供之佈局圖案分割方法2a/2b不但可有效率地分割佈局圖案,更可確保雙重圖案化製程的最終結果。
根據本發明所提供之佈局圖案分割方法,係可根據不同類型的特徵圖案採用不同的比對基準:比對邊對邊間距之寬度以及邊對邊間距兩旁至少一特徵物之寬度的和與該第一預定值,或比對特徵物之間的間距之寬度與該第二預定值。根據上述比對,係可有系統並有效率地將特徵圖案著色,隨後分派至該第一圖案或該第二圖案。而不同類型的特徵圖案相鄰時,更可採用上述兩種比對基準其中之一或兩者皆用,以更有效率地將特徵圖案著色,隨後分派至該第一圖案或該第二圖案。另外,相同類型的特徵圖案與不同類型的特徵圖案的比對,係可同時進行或先後進行。更重要的是,當第一圖案或該第二圖案分別形成至不同的光罩後,任一單一光罩上所有
的特徵物都能充分遠離彼此而得以清晰成像,是以本發明所提供之佈局圖案分割方法更具有能確保雙重圖案化製程結果之功效。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
Claims (16)
- 一種佈局圖案分割方法,包含有以下步驟:(a)接收一佈局圖案,其包含有複數個特徵物(feature),且該等特徵物之間分別形成有一邊對邊間距(edge-to-edge space);(b)分別計算該邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距左側之該特徵物之寬度的總和以及該邊對邊間距之寬度與該邊對邊間距右側之該特徵物之寬度的總和;(c)分別比對該等總和與一預定值,當任一該總和小於該預定值時,分別給予該邊對邊間距兩側之該等特徵物一第一顏色與一第二顏色;以及(d)分派具有該第一顏色之該等特徵物至一第一圖案,具有該第二顏色之該等特徵物至一第二圖案,其中該步驟(a)至該步驟(d)係進行於一電腦裝置內。
- 如申請專利範圍第1項所述之佈局圖案分割方法,其中該預定值等於或大於一光罩上最小可成像寬度(minimum manufacturable width)。
- 如申請專利範圍第1項所述之佈局圖案分割方法,更包含一輸出該第一圖案至一第一光罩,以及輸出該第二圖案至一第二光罩之步驟。
- 一種佈局圖案分割方法,包含有以下步驟:(a)接收一佈局圖案,該佈局圖案包含有複數個特徵物;(b)辨識與分類該等特徵物成複數個一維(one dimension,1D)特徵物與複數個二維(two dimension,2D)特徵物,該等1D特徵物分 別僅包含一第一區塊(block),且該第一區塊沿一第一方向延伸,該等2D特徵物分別包含一第一區塊與至少一第二區塊,且該第二區塊沿一第二方向延伸;(c)比對相鄰之該等1D特徵物之間的一第一間距之寬度以及該第一間距旁至少一該1D特徵物之寬度的總和與一第一預定值,當該總和小於該第一預定值時,分別給予該第一間距兩側之該等1D特徵物一第一顏色與一第二顏色;(d)比對相鄰之該等2D特徵物之間的一第二間距之寬度與一第二預定值,當該第二間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該第二間距兩側之該等2D特徵物該第一顏色與該第二顏色;以及(e)分派具有該第一顏色之該等1D特徵物與該等2D特徵物至一第一圖案,以及分派具有該第二顏色之該等1D特徵物與該等2D特徵物至一第二圖案,其中該步驟(a)至該步驟(e)係進行於一電腦裝置內。
- 如申請專利範圍第4項所述之佈局圖案分割方法,其中該第一方向與該第二方向彼此垂直。
- 如申請專利範圍第4項所述之佈局圖案分割方法,其中該等2D特徵物之該第一區塊與該第二區塊彼此實體接觸(physically contact)。
- 如申請專利範圍第4項所述之佈局圖案分割方法,其中該第一預定值等於或大於一光罩上最小可成像寬度。
- 如申請專利範圍第4項所述之佈局圖案分割方法,更包含一 輸出該第一圖案至一第一光罩,以及輸出該第二圖案至一第二光罩之步驟。
- 一種佈局圖案分割方法,包含有以下步驟:(a)接收一佈局圖案,該佈局圖案包含有複數個特徵物;(b)辨識與分類該等特徵物成複數個一維(1D)特徵物與複數個二維(2D)特徵物,該等1D特徵物分別僅包含一第一區塊,該第一區塊沿一第一方向延伸,該等2D特徵物分別包含一第一區塊與至少一第二區塊,該第二區塊沿一第二方向延伸,且至少一該1D徵物與至少一該2D特徵物相鄰;(c)比對相鄰之該1D特徵物與該2D特徵物之間的一間距之寬度與一第二預定值,當該間距之寬度小於該第二預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物一第一顏色與一第二顏色;以及(d)分派具有第一顏色的該1D特徵物與該2D特徵物至一第一圖案,以及分派具有第二顏色的該1D特徵物與該2D特徵物至一第二圖案,其中該步驟(a)至該步驟(d)係進行於一電腦裝置內。
- 如申請專利範圍第9項所述之佈局圖案分割方法,其中該第一方向與該第二方向彼此垂直。
- 如申請專利範圍第9項所述之佈局圖案分割方法,其中該等2D特徵物之該第一區塊與該第二區塊彼此實體接觸。
- 如申請專利範圍第9項所述之佈局圖案分割方法,更包含一步驟,進行於比對相鄰之該1D特徵物與該2D特徵物之間的該間距 之寬度與該第二預定值的同時:當相鄰之該1D特徵物與該2D特徵物之間的該間距之寬度小於該第二預定值時,比對該1D特徵物之寬度以及相鄰之1D特徵物與2D特徵物之間的邊對邊間距之寬度的總和與一第一預定值,當該總和小於該第一預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物該第一顏色與該第二顏色。
- 如申請專利範圍第12項所述之佈局圖案分割方法,其中該第一預定值等於或大於一光罩上最小可成像寬度。
- 如申請專利範圍第9項所述之佈局圖案分割方法,更包含一步驟,進行於比對相鄰之該1D特徵物與該2D特徵物之間的該間距之寬度與該第二預定值的同時:當相鄰之該1D特徵物與該2D特徵物之間的該間距之寬度大於該第二預定值時,比對該1D特徵物之寬度與該間距之寬度的總和與一第一預定值,當該總和小於該第一預定值時,分別給予該1D特徵物與該2D特徵物該第一顏色與該第二顏色。
- 如申請專利範圍第14項所述之佈局圖案分割方法,其中該第一預定值等於或大於一光罩上最小可成像寬度。
- 如申請專利範圍第9項所述之佈局圖案分割方法,更包含一輸出該第一圖案至一第一光罩,以及輸出該第二圖案至一第二光罩之步驟。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103128354A TWI620005B (zh) | 2014-08-18 | 2014-08-18 | 佈局圖案分割方法 |
| US14/504,401 US9529254B2 (en) | 2014-08-18 | 2014-10-01 | Layout pattern decomposition method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103128354A TWI620005B (zh) | 2014-08-18 | 2014-08-18 | 佈局圖案分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201608332A TW201608332A (zh) | 2016-03-01 |
| TWI620005B true TWI620005B (zh) | 2018-04-01 |
Family
ID=55302100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103128354A TWI620005B (zh) | 2014-08-18 | 2014-08-18 | 佈局圖案分割方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9529254B2 (zh) |
| TW (1) | TWI620005B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI745351B (zh) * | 2017-02-24 | 2021-11-11 | 聯華電子股份有限公司 | 半導體佈局圖案分割方法 |
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| US8347240B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-01-01 | International Business Machines Corporation | Split-layer design for double patterning lithography |
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-
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- 2014-08-18 TW TW103128354A patent/TWI620005B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201608332A (zh) | 2016-03-01 |
| US20160048072A1 (en) | 2016-02-18 |
| US9529254B2 (en) | 2016-12-27 |
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