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TWI618235B - 量子點影像感測器 - Google Patents

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TWI618235B
TWI618235B TW105117760A TW105117760A TWI618235B TW I618235 B TWI618235 B TW I618235B TW 105117760 A TW105117760 A TW 105117760A TW 105117760 A TW105117760 A TW 105117760A TW I618235 B TWI618235 B TW I618235B
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TW105117760A
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TW201725712A (zh
Inventor
Dajiang Yang
大江 楊
Gang Chen
剛 陳
Duli Mao
杜立 毛
Dyson H. Tai
戴森Ｈ 戴
Original Assignee
Omnivision Technologies, Inc.
豪威科技股份有限公司
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Publication date
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Publication of TW201725712A publication Critical patent/TW201725712A/zh
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Abstract

本發明揭示一種光電偵測器，其包含安置在一半導體材料中之一第一摻雜區域及安置在該半導體材料中之一第二摻雜區域。該第二摻雜區域電耦合至該第一摻雜區域，且該第二摻雜區域具有與該第一摻雜區域相反之一多數電荷載子類型。該光電偵測器亦包含安置在該半導體材料中之一溝渠中之一量子點層，且該量子點層電耦合至該第二摻雜區域。一轉移閘經安置以允許電荷自該第二摻雜區域轉移至一浮動擴散部。

Description

量子點影像感測器
本發明大體上係關於影像感測器，且特定言之(但非排他性地)係關於量子點影像感測器。
一量子點係足夠小以展現出量子機械效應之一半導體納米晶體。具體言之，一量子點之激子在所有三個空間尺寸中皆受到侷限。一量子點之電子特性與其大小及形狀緊密相關。一量子點中之帶隙一如在所有半導體中，其判定所吸收/發射之光之頻率範圍一與其大小成反比。因此，當量子點之大小增加時，經發射光之色彩自藍色變為紅色。換言之，量子點愈大，所發射之光之頻率就愈低。此大小相依帶結構允許量子點之激發及發射量變曲線高度可控。因為一量子點之大小在其形成時已被判定，所以可精確地調諧導電性質。此外，量子點可透過促進低成本批量製備之有機方法/前驅體而容易地合成。
量子點由於其等高的消光係數及可調諧帶隙而對於光學應用尤為重要。由於零維度，量子點具有比較高維度結構更明顯之一狀態密度。因此，其等具有優越的傳送及光學性質，且正被研究以供在二極體鐳射、放大器及生物感測器中使用。此外，一些量子點可將一單個光子轉換為多個電洞電子對，從而使其等成為太陽能電池應用中之一有吸引力的替代半導體候選者。
100‧‧‧背側照明量子點影像感測器/前側照明量子點影像感測器/量子點影像感測器
101‧‧‧半導體材料
103‧‧‧第一摻雜區域
105‧‧‧第二摻雜區域
107‧‧‧量子點層
109‧‧‧轉移閘
111‧‧‧浮動擴散部
113‧‧‧覆蓋層
115‧‧‧電隔離結構
119‧‧‧微透鏡層
121‧‧‧彩色濾光器層
131‧‧‧前側
133‧‧‧背側
200‧‧‧成像系統
205‧‧‧像素陣列
211‧‧‧讀出電路
215‧‧‧功能邏輯
221‧‧‧控制電路
300‧‧‧程序
301‧‧‧半導體材料
303‧‧‧第一摻雜區域
305‧‧‧第二摻雜區域
307‧‧‧量子點層
309‧‧‧轉移閘
311‧‧‧浮動擴散部
313‧‧‧覆蓋層
315‧‧‧電隔離結構
319‧‧‧微透鏡層/微透鏡
321‧‧‧彩色濾光器層
C1至Cx‧‧‧行
hv‧‧‧入射光
P1至Pn‧‧‧像素
R1至Ry‧‧‧列
TX‧‧‧轉移閘
參考以下圖式描述本發明之非限制且非詳盡實例，其中除非另有規定，否則貫穿各種視圖，相同元件符號係指相同部件。
圖1A係根據本發明之教示之一背側照明量子點影像感測器之一項實例之一橫截面圖。
圖1B係根據本發明之教示之一前側照明量子點影像感測器之一項實例之一橫截面圖。
圖1C係根據本發明之教示之處於操作中的圖1A之例示性背側照明量子點影像感測器之一橫截面圖。
圖2係根據本發明之教示之圖解說明一成像系統之一項實例之一方塊圖。
圖3A至3E展示了根據本發明之教示之用於形成一量子點影像感測器之一例示性程序。
貫穿圖式之若干視圖，對應參考符號指示對應組件。熟習此項技術者將明白，圖中之元件係為了簡單及清楚起見而圖解說明且不一定按比例繪製。例如，圖中之一些元件之尺寸可相對於其他元件有所放大以幫助改良對本發明之各種實施例之理解。此外，在一商業上可行的實施例中有用或必需之常見但眾所周知之元件通常沒有被描繪，以便促進對本發明之此等各種實施例之一較不受阻礙之觀察。
本文中描述了用於一量子點影像感測器之一設備及方法之實例。在以下描述中，闡述數種特定細節以提供對實例之一透徹理解。然而，熟習此項技術者將認識到，本文中描述之技術可在無特定細節中之一或多者之情況下或利用其他方法、組件、材料等來實踐。在其他例項中，沒有詳細展示或描述眾所周知的結構、材料或操作以免使某些態樣模糊。
貫穿本說明書對「一項實例」或「一項實施例」之引用意指結 合實例描述之一特定特徵、結構或特性包含在本發明之至少一項實例中。因此，在貫穿本說明書之各種地方中出現之短語「在一項實例中」或「在一項實施例中」不一定全部係指相同實例。此外，特定特徵、結構或特性可以任何合適方式組合在一或多個實例中。
貫穿本說明書，使用若干技術術語。此等術語應理解為其等在所屬技術中之普通含義，除非本文中另外具體定義或其等使用之內容脈絡將另外明確表明。應注意，元件名稱及符號透過本文檔可互換使用(例如，Si對矽)；然而，這兩者皆具有相同含義。
圖1A係一背側照明量子點影像感測器100之一項實例之一橫截面圖。在所描繪之實例中，背側照明量子點影像感測器100包含第一摻雜區域103、第二摻雜區域105、量子點層107、轉移閘109及浮動擴散部111。第二摻雜區域105電耦合至第一摻雜區域103，且第二摻雜區域105具有與第一摻雜區域103相反之多數電荷載子類型。第一摻雜區域103及第二摻雜區域105兩者皆被安置在半導體材料101中。量子點層107被安置在半導體材料101中之一溝渠中，且量子點層107電耦合至第二摻雜區域105。在所描繪之實例中，第二摻雜區域105被安置在第一摻雜區域103與量子點層107之間。然而，在未描繪之另一實例中，量子點層107可電耦合至第一摻雜區域103及第二摻雜區域105兩者。
在一項實例中，覆蓋層113被安置在量子點層107上方且覆蓋層113封裝含有量子點層107之溝渠。覆蓋層113在量子點層107上方提供一均勻表面以允許沈積裝置架構之後續層。此外，覆蓋層113可防止非所需污染物及電荷捕獲分子(諸如大氣O2)進入量子點層107。在所描繪之實例中，覆蓋層113被安置在量子點層107與微透鏡層119之間。此外，一彩色濾光器層121被安置在微透鏡層119與覆蓋層113之間。在所描繪之實例中，微透鏡層119將光引導至量子點層107中，且彩色濾光器層121將一所要波長之光選擇性地傳遞至量子點層107。
在所描繪之實例中，值得注意的是，電隔離結構115(至少部分地)包圍背側照明量子點影像感測器100之組件，該等組件包含第一摻雜區域103、第二摻雜區域105及量子點層107。電隔離結構115可防止影像電荷在量子點影像感測器100中之各種電活性組件之間洩漏。在一項實例中，電隔離結構115包含重摻雜半導體井。然而，在另一實例中，電隔離結構115可包含一金屬、金屬氧化物、半導體或類似物。此外，此等材料或其他材料中之任一者可被安置於在半導體材料101中蝕刻之一溝渠中以隔離量子點影像感測器100之電組件。
圖1B係一前側照明量子點影像感測器100之一項實例之一橫截面圖。在所描繪之實例中，前側照明量子點影像感測器100含有來自圖1A之背側照明量子點影像感測器100之所有元件。然而，在前側照明量子點影像感測器100中，光係透過光電偵測器一之前側131被吸收在量子點層107中。此外，諸如轉移閘109及浮動擴散部111之主動電路元件被安置在半導體材料101之前側131上。
圖1C係處於操作中的圖1A之例示性背側照明量子點影像感測器100之一橫截面圖。圖1C之右側部分圖解說明當量子點影像感測器100接收光時的影像感測器帶結構。在所描繪之實例中，第一摻雜區域103及第二摻雜區域105形成安置在半導體材料101中之一p-n接面。量子點層107被安置在半導體材料101中之一溝渠中，且量子點層107電耦合至p-n接面以形成一光電二極體。複數個此等光電二極體被安置在半導體材料101中且個別光電二極體彼此電隔離。在一項實例中，電隔離結構115經安置以減小該複數個光電二極體中之個別光電二極體之間之電流。
在所描繪之實例中，量子點層107經安置以透過量子點影像感測器100之背側133接收光，且影像電荷被累積在複數個光電二極體中。光係經由微透鏡層119引導至複數個光電二極體中。進入光電二極體 之光導致在量子點層107中形成電洞電子對。影像電荷累積係藉由使用p-n接面(例如，第一摻雜區域103及第二摻雜區域105)分離量子點層107中之電洞電子對而達成。影像電荷係自複數個光電二極體轉移至複數個浮動擴散部111。轉移閘109經定位以將影像電荷自複數個光電二極體轉移至複數個浮動擴散部111。藉由施加一電壓於轉移閘109，複數個光電二極體與複數個浮動擴散部111之間之電位障壁降低，從而允許影像電荷流至複數個浮動擴散部111。
在一項實例中，一些境況中之量子點可展現出多重激子產生。換言之，由一量子點吸收之一個別光子可產生一個以上電洞電子對。光誘導電荷累積中之此增加可大幅改良低光敏感度且增強影像感測器之量子效率。
使用量子點作為一光子吸收層之另一潛在優點係使用合成方法以精確地控制所吸收之光之波長。因為量子點中之狀態密度與量子點之大小直接相關，所以帶隙與量子點之大小成比例。量子點愈大，帶隙就愈小，量子點愈小，帶隙就愈大。因此，可基於量子點之大小及經選取以形成量子點之材料來調諧量子點之光敏感度。量子點層107可由半導體元件、金屬元件或合金(包含：Si、Ge、SiGe、LnP、LnAs、CdS、PbS、PbSe、CdTe、InP、InAs或類似物)製成。然而，在一項實例中，量子點層107包含一金屬硫族化合物錯合物。在一項實例中，經金屬硫族化合物錯合物處理之量子點可具有比習用量子點系統高多達8個數量級之一導電率。在一些實例中，量子點之表面上剩餘之有機配體已被移除且用一金屬硫族化合物錯合物取代以增加量子點層107中之個別量子點之間之電荷轉移以及增加量子點層107與第二摻雜區域105之間之電荷轉移。
在圖解說明背側照明量子點影像感測器100之帶圖之圖1C之部分中，展示了裝置架構之各種件之相對能級。重要的是應注意，該圖係 僅僅逼近實際系統之一草圖圖解說明。在所描繪之實例中，量子點層107(例如，PbSe QD)具有高於第二摻雜區域105(例如，NPPD n-Si)之一能量傳導，此允許(經由入射光hv)產生在量子點層107中之自由電子流至第二摻雜區域105中。第二摻雜區域105及第一摻雜區域103形成一釘紮光電二極體。因此，第二摻雜區域105可儲存自由電子直至施加一電壓於轉移閘109(例如，TX)為止，從而降低第二摻雜區域105與浮動擴散部111之間之電位障壁且允許電子自第二摻雜區域105流至浮動擴散部111。
圖2係圖解說明包含一量子點影像感測器100之一成像系統之一項實例之一方塊圖。成像系統200包含像素陣列205、控制電路221、讀出電路211及功能邏輯215。在一項實例中，像素陣列205係光電二極體或影像感測器像素(例如，像素P1、P2......、Pn)之一個二維(2D)陣列。如所圖解說明，光電二極體被佈置為列(例如，列R1至Ry)及行(例如，行C1至Cx)以獲取一人、地點、物體等之影像資料，該影像資料接著可用來呈現該人、地點、物體等之一個2D影像。
在一項實例中，在像素陣列205中之每一影像感測器光電二極體/像素已獲取其影像資料或影像電荷之後，影像資料由讀出電路211讀出且接著被傳送至功能邏輯215。讀出電路211可經耦合以自像素陣列205中之複數個光電二極體讀出影像資料。在各種實例中，讀出電路211可包含放大電路、類比轉數位轉換(ADC)電路或其他。功能邏輯215可僅僅儲存影像資料或甚至藉由施加後影像效應(例如，剪切、旋轉、移除紅眼、調整亮度、調整對比度或其他)更改影像資料。在一項實例中，讀出電路211可沿讀出行線(所圖解說明)一次讀出一列影像資料或可使用多種其他技術(未圖解說明)(諸如一串列讀出或同時對所有像素之一全並行讀出)來讀出影像資料。
在一項實例中，控制電路221耦合至像素陣列205以控制像素陣 列205中之複數個光電二極體之操作。控制電路221可經組態以控制像素陣列205之操作。例如，控制電路221可產生用於控制影像獲取之一快門信號。在一項實例中，快門信號係同時啟用像素陣列205內之所有像素以在一單個獲取窗期間同時擷取其等各別影像資料之一全域快門信號。在另一實例中，快門信號係一滾動式快門信號，使得每一像素列、每一像素行或每一像素群組在連續獲取窗期間順序地啟用。在另一實例中，影像獲取與諸如一閃光燈之照明效應同步。
在一項實例中，成像系統200可包含在一數位相機、行動電話、膝上型電腦或類似物中。此外，成像系統200可耦合至其他硬體件(諸如一處理器、記憶體元件、輸出(USB埠、無線傳輸器、HDMI埠等)、照明/閃光設備、電輸入(鍵盤、觸摸顯示器、追蹤墊、滑鼠、麥克風等)及/或顯示器)。其他硬體件可將指令遞送至成像系統200、自成像系統200提取影像資料或操控由成像系統200供應之影像資料。
圖3A至3E展示了用於形成一量子點影像感測器(例如，背側照明量子點影像感測器100)之一例示性程序300。圖3A至3E中之一些或所有圖出現在程序300中之次序不應被視為限制性的。而是，獲益于本發明之熟習此項技術者將瞭解，一些程序可以未圖解說明之多種次序或甚至並行地執行。
圖3A圖解說明在半導體材料301中形成一p-n接面(例如，第一摻雜區域303及第二摻雜區域305)及輔助電路。在所描繪之實例中，輔助電路包含轉移閘309、浮動擴散部311及電隔離結構315。應注意，在所描繪之實例中，轉移閘309被部分安置在第二摻雜區域305、浮動擴散部311及電隔離結構315上方。此組態在p-n接面與浮動擴散部311之間提供一足夠大電位障壁，且防止影像電荷在施加一電壓於轉移閘309之前洩漏至浮動擴散部311中。雖然在所描繪之實例中，轉移閘309不會在第一摻雜區域303上方延伸，但是在未描繪之其他實例中， 轉移閘309可在第一摻雜區域303上方延伸。
圖3B圖解說明在半導體材料301中蝕刻一溝渠。在所描繪之實例中，溝渠自半導體材料301與p-n接面相對之表面延伸至p-n接面，其中該溝渠接觸第二摻雜區域305。在一項實例中，溝渠可延伸穿過半導體材料301使得其與第二摻雜區域305及第一摻雜區域303兩者接觸。在一項實例中，溝渠可具有大致上垂直之側壁；然而，在另一實例中，溝渠可具有成某個角度之側壁。溝渠可取決於所要溝渠幾何形狀及其他處理條件及限制而經由一濕式或乾式蝕刻程序來蝕刻。
圖3C圖解說明在溝渠中沈積量子點層307。在所描繪之實例中，量子點層307完全填充溝渠且與p-n接面-具體係第二摻雜區域305接觸。然而，在另一實例中，量子點層307可與第二摻雜區域305及第一摻雜區域303兩者接觸。在所描繪之實例中，量子點層307之橫向界限與p-n接面(例如，第一摻雜區域303及第二摻雜區域305)之橫向界限共同延伸。然而，在一不同實例中，量子點層307之橫向界限可遠大於p-n接面之橫向界限以進一步改良影像感測器裝置中之光吸收。進一步言之，第二摻雜區域305可部分延伸在轉移閘309下方，且量子點層307可不(甚至部分)安置在轉移閘309下方。在一項實例中，半導體材料301及電隔離結構315將浮動擴散部311與量子點層307、第二摻雜區域305及第一摻雜區域303分離。然而，在未描繪之另一實例中，量子點層307、第二摻雜區域305及第一摻雜區域303之橫向界限與由電隔離結構315界定之一內部區共同延伸，使得僅僅電隔離結構315將浮動擴散部311與p-n接面分離。在所描繪之實例中，第二摻雜區域305被安置在量子點層307與第一摻雜區域303之間；然而，在一替代實例中，第二摻雜區域305可不安置在量子點層307與第一摻雜區域303之間。在一些實例中，第一摻雜區域303及第二摻雜區域305兩者皆可以任何幾何佈置安置使得第一摻雜區域303及第二摻雜區域305電耦合至 量子點層307且經安置以輸出電荷至浮動擴散部311。在一項實例中，第一摻雜區域303係p型，第二摻雜區域305係n型，且量子點層307係n型。然而，在一替代實例中，可顛倒此等多數電荷載子類型。
量子點層307可取決於所使用之量子點之類型而經由數種技術沈積。在一項實例中，量子點層307係經由諸如旋塗、刮塗、噴墨印刷或類似物之一溶液處理技術來沈積。在沈積量子點層307之後，可經由溶液清洗、化學機械拋光等自半導體材料301移除殘餘量子點。
圖3D圖解說明沈積一覆蓋層313以封裝量子點層307。在所描繪之實例中，覆蓋層313係由一光學透明且電惰性材料(諸如氧化矽、氮化矽或類似物)製成。覆蓋層313可用來提供一均勻表面以用於製造裝置架構之其他層且亦可用來防止污染物/電荷捕獲到達量子點層307。應注意，裝置架構之其他層/件可包含在覆蓋層313中，此乃因所描繪之實例僅僅用來圖解說明本發明之一項實施例。
圖3E圖解說明形成光學堆疊。在所描繪之實例中，光學堆疊包含彩色濾光器層321及微透鏡層319。值得注意的是，在許多實例中，無需彩色濾光器層。此係因為量子點層307將憑藉於所使用之量子點之大小選擇適當波長之光。然而，在一項實例中，量子點層307可包含一廣泛範圍之量子點大小，使得彩色濾光器層321有必要在不同波長之光之間進行區分。在一項實例中，彩色濾光器層321包含紅色、綠色及藍色濾光器，該等濾光器可被佈置為一拜耳圖案、EXR圖案、X-trans圖案或類似物。然而，在一不同或相同實例中，彩色濾光器層321可包含紅外光濾光器、紫外光濾光器或隔離EM光譜之不可見部分之其他光濾光器。在一項實例中，微透鏡319可由圖案化在彩色濾光器層321之表面上之一光敏聚合物製成。一旦光敏聚合物之矩形塊圖案化在彩色濾光器層121或覆蓋層313之表面上，該等塊便可被熔化(或回流)以形成微透鏡之圓頂狀結構特性。
本發明之所圖解說明實例之以上描述(包含發明摘要中所描述之內容)不旨在詳盡性的或將本發明限於所揭示之精確形式。雖然本發明之特定實例在本文中係處於闡釋性目的而描述，但是如熟習此項技術者將認識到，各種修改在本發明之範疇內係可行的。
鑑於以上詳述可對本發明作出此等修改。隨附申請專利範圍中使用之術語不應被解釋為將本發明限於說明書中揭示之特定實例。而是，本發明之範疇係完全藉由隨附申請專利範圍判定，該申請專利範圍係根據所建立之請求項解釋原則來解釋。
100‧‧‧背側照明量子點影像感測器/前側照明量子點影像感測器/量子點影像感測器
101‧‧‧半導體材料
103‧‧‧第一摻雜區域
105‧‧‧第二摻雜區域
107‧‧‧量子點層
109‧‧‧轉移閘
111‧‧‧浮動擴散部
113‧‧‧覆蓋層
115‧‧‧電隔離結構
119‧‧‧微透鏡層
121‧‧‧彩色濾光器層
131‧‧‧前側
133‧‧‧背側

Claims (21)

  1. 一種光電偵測器，其包括：一第一摻雜區域，其安置在一半導體材料中；一第二摻雜區域，其安置在該半導體材料中，其中該第二摻雜區域電耦合至該第一摻雜區域，且其中該第二摻雜區域係與該第一摻雜區域相反之一多數電荷載子類型；一量子點層，其安置在該半導體材料中之一溝渠中以回應於入射光而產生影像電荷，其中該量子點層電耦合以轉移該影像電荷至該第二摻雜區域；及一轉移閘及一浮動擴散部，其中該浮動擴散部安置在該半導體材料中且該轉移閘經定位以自該第二摻雜區域轉移該影像電荷至該浮動擴散部。
  2. 如請求項1之光電偵測器，其中該第二摻雜區域安置在該第一摻雜區域與該量子點層之間。
  3. 如請求項1之光電偵測器，其進一步包括一覆蓋層，其中該覆蓋層封裝含有該量子點層之該溝渠。
  4. 如請求項1之光電偵測器，其中光係透過該光電偵測器之一背側被吸收在該量子點層中。
  5. 如請求項1之光電偵測器，其中光係透過該光電偵測器之一前側被吸收在該量子點層中。
  6. 如請求項1之光電偵測器，其進一步包括該半導體材料中之電隔離結構，其中該等電隔離結構至少部分包圍該光電偵測器。
  7. 如請求項1之光電偵測器，其中該量子點層中之個別量子點包含一化合物以展現(exhibit)出多重激子產生。
  8. 如請求項7之光電偵測器，其中該量子點層電耦合以針對藉由該 量子點層接收之光之個別光子轉移一個以上電荷載子至該第二摻雜區域。
  9. 如請求項2之光電偵測器，其中該第二摻雜區域及該第一摻雜區域形成耦合至並包含該量子點層之一釘紮(pinned)光電二極體。
  10. 如請求項1之光電偵測器，其中該量子點層具有一第一傳導帶能量，且該第二摻雜區域具有一第二傳導帶能量，其中該第一傳導帶能量較該第二傳導帶能量大以使該影像電荷自該量子點層流動至該第二摻雜區域。
  11. 如請求項1之光電偵測器，其中該量子點層係接觸於並電耦合至該第一摻雜區域及該第二摻雜區域。
  12. 一種影像感測器，其包括：複數個光電二極體，其等包含：一p-n接面，其安置在一半導體材料中；及一量子點層，其安置在該半導體材料中之一溝渠中，其中該量子點層電耦合至該p-n接面以轉移影像電荷至該p-n接面，且其中該量子點層經安置以接收光並回應於該光產生該影像電荷；電隔離結構，其安置在該半導體材料中以減小該複數個光電二極體中之個別光電二極體之間之電流；一轉移閘及一浮動擴散部，其中該轉移閘電耦合至該p-n接面以該影像電荷自該p-n接面轉移至該浮動擴散部。
  13. 如請求項12之影像感測器，其中該量子點層中之個別量子點包含一金屬硫族化合物。
  14. 如請求項12之影像感測器，其進一步包括一覆蓋層，其中該覆蓋層經安置以覆蓋該半導體材料中之該溝渠，且其中該覆蓋層封裝該量子點層。
  15. 如請求項14之影像感測器，其進一步包括一微透鏡層，其中該覆蓋層安置在該量子點層與該微透鏡層之間，且其中該微透鏡層將光引導至該量子點層中。
  16. 如請求項12之影像感測器，其中該等電隔離結構包含形成在該半導體材料中之摻雜井。
  17. 一種影像感測器操作之方法，該方法包括：將影像電荷累積在複數個光電二極體中，其中該複數個光電二極體中之個別光電二極體彼此電隔離，且其中該複數個光電二極體包含：一p-n接面，其安置在一半導體材料中；及一量子點層，其安置在該半導體材料中之一溝渠中以回應於吸收光而產生影像電荷，其中該量子點層電耦合至該p-n接面；使用該p-n接面來分離形成在該量子點層中之電洞電子對以自該量子點層提取該影像電荷；及回應於施加至一轉移閘之一閘端子之一轉移信號以將該影像電荷自個別該等光電二極體中之該p-n接面轉移至複數個浮動擴散部其中該轉移閘安置於該複數個光電二極體與該複數個浮動擴散部之間。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包括透過一微透鏡層將光引導至該複數個光電二極體中，其中該微透鏡層經定位以將光聚焦在該複數個光電二極體上。
  19. 如請求項18之方法，其進一步包括用安置在該微透鏡層與該複數個光電二極體之間之一彩色濾光器層來將光濾光。
  20. 如請求項18之方法，其進一步包括將光濾光，其中該量子點層基於該量子點層中之個別量子點之大小將光濾光。
  21. 如請求項17之方法，其進一步包括經由讀出電路自該影像感測器讀出該影像電荷。
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