TWI618180B - 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體 - Google Patents

Abstract

本發明旨在提供一種接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體，可適當調節由第1固持部所固持之第1基板，與由第2固持部所固持之第2基板之位置，適當進行基板彼此之接合處理。 其中，接合裝置41，包含：上吸盤160，於下表面固持上晶圓WU；下吸盤161，設於上吸盤160之下方，於上表面固持下晶圓WL；第1溫度調節部121，將由上吸盤160固持前之上晶圓WU調節至既定之溫度；及第2溫度調節部122，將由下吸盤161固持前之下晶圓WL調節至既定之溫度。第1溫度調節部121與第2溫度調節部122，構成溫度調節機構120。

Description

接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體

本發明，係關於將基板彼此接合之接合裝置、接合系統、接合方法，程式及電腦記憶媒體。

近年來，半導體元件之高密集化獲得進展。將高密集化之複數之半導體元件於水平面內配置，以配線連接此等半導體元件以使其產品化時，配線長增大，因此令人擔心配線之電阻增大，且配線延遲增大。

在此，有人提倡使用將半導體元件呈3維堆疊之3維密集技術。此3維密集技術中，例如使用專利文獻1所記載之接合系統，接合2片半導體晶圓（以下，稱「晶圓」。）。例如接合系統，包含： 表面改質裝置（表面活性化裝置），使晶圓之接合之表面改質； 表面親水化裝置，使因該表面改質裝置改質之晶圓之表面親水化；及 接合裝置，將因該表面親水化裝置表面親水化之晶圓彼此接合。 此接合系統中，於表面改質裝置對晶圓之表面進行電漿處理，使該表面改質，且於表面親水化裝置對晶圓之表面供給純水，使該表面親水化後，於接合裝置以凡得瓦力及氫結合（分子間力）將晶圓彼此接合。

上述接合裝置中，在使用上吸盤固持一晶圓（以下，稱「上晶圓」。），並使用設於上吸盤之下方之下吸盤，固持另一晶圓（以下，稱「下晶圓」。）之狀態下，接合該上晶圓與下晶圓。此時，為促進凡得瓦力及氫結合，有人提倡於上吸盤與下吸盤設置冷卻機構，冷卻上晶圓與下晶圓，同時接合。 【先前技術文獻】 【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2011－181633號公報

【發明所欲解決之課題】

然而，專利文獻1所記載之接合裝置中，未控制，且管理由上吸盤固持前之上晶圓，或由下吸盤固持前之下晶圓之溫度。因此，於此等上晶圓與下晶圓之溫度，有因由上吸盤與下吸盤固持前之各種外因而產生差異之虞。特別是上晶圓與下晶圓，分別個別由上吸盤與下吸盤搬運，故待命時間非一定，易於產生差異。

另一方面，已知上晶圓或下晶圓，若溫度變化，其形狀即會變化。例如，係矽晶圓時，溫度若上昇1℃，因熱膨脹，直徑即會增大數微米。

業界雖要求將晶圓彼此接合之際，以微米等級調節上晶圓與下晶圓之接合位置，但如上述，若於上晶圓與下晶圓之溫度有差異，且伴隨著溫度於尺寸等形狀有差異，即無法高精度地調節位置。因此，將晶圓彼此接合之際，有上晶圓與下晶圓偏移接合之虞。

且亦可想像例如使用專利文獻1所記載之上吸盤與下吸盤之冷卻機構，分別調節上晶圓與下晶圓之溫度。然而，此時，係在上晶圓與下晶圓分別由上吸盤與下吸盤固持後調節溫度，該溫度調節耗費既定之時間。如此，開始上晶圓與下晶圓之位置調節之時機延遲，無法迅速調節位置。

如上述，以往之晶圓彼此之接合處理有改善之餘地。

鑒於上述問題，本發明之目的在於，適當調節由第1固持部所固持之第1基板，與由第2固持部所固持之第2基板之位置，適當進行基板彼此之接合處理。 【解決課題之手段】

為達成該目的，本發明係一種接合裝置，以分子間力將基板彼此接合，其特徵在於包含： 第1固持部，於下表面固持第1基板； 第2固持部，設於該第1固持部之下方，於上表面固持第2基板；及 溫度調節機構，將由該第1固持部所固持前之第1基板，或由該第2固持部所固持前之第2基板，調節至既定之溫度。

依本發明，以溫度調節機構，進行第1基板與第2基板之溫度調節，故可抑制溫度造成的基板之形狀或尺寸之差異，可高精度地實施接合時由第1固持部所固持之第1基板，與由第2固持部所固持之第2基板之位置調節。因此，可適當進行基板彼此之接合處理。

且如此第1基板與第2基板之位置調節之精度佳，故可抑制產生接合之重合基板之鉛直方向之應變（Distortion），結果可提升產品之良率。

且本發明之溫度調節機構，在第1固持部或第2固持部之外另外設置，故即使進行第1基板或第2基板之溫度調節，對開始第1基板與第2基板之位置調節之時機無影響。因此，可提升接合處理之處理能力。

該接合裝置中，亦可更包含：位置調節機構，調節第1基板或第2基板之水平方向之方向， 該溫度調節機構，在由該位置調節機構調節水平方向之方向後，由該第1固持部或該第2固持部所固持前，分別調節第1基板或第2基板之溫度至既定之溫度。

該接合裝置中，亦可更包含：翻轉機構，使第1基板之表背面翻轉， 該溫度調節機構，在由該位置調節機構調節水平方向之方向，且由該翻轉機構翻轉表背面後，由該第1固持部所固持前，調節第1基板至既定之溫度。

該溫度調節機構，亦可包含： 第1溫度調節部，調節第1基板之溫度；及 第2溫度調節部，調節第2基板之溫度。

該第1溫度調節部，亦可包含： 固持構件，固持第1基板之外周部；及 溫度調節構件，調節由該固持構件固持之第1基板之溫度。

該接合裝置中，亦可更包含：暫置部，為將第1基板、第2基板或以第1基板與第2基板接合成之重合基板，在與外部之間送入送出，臨時載置該第1基板、第2基板或重合基板， 該溫度調節機構，堆疊而設於該暫置部。

該接合裝置中，亦可更包含：位置調節機構，調節第1基板或第2基板之水平方向之方向， 該溫度調節機構，設於該位置調節機構，且在調節該位置調節機構中水平方向之方向中，將第1基板或第2基板之溫度調節至既定之溫度。

依另一觀點之本發明，係一種接合系統，包含該接合裝置，該接合系統之特徵在於包含： 處理站，包含該接合裝置；及 送入送出站，可分別保有複數第1基板、第2基板或以第1基板與第2基板接合成之重合基板，且相對於該處理站送入送出第1基板、第2基板或重合基板； 且該處理站，包含： 表面改質裝置，使第1基板或第2基板之接合之表面改質； 表面親水化裝置，使由該表面改質裝置改質之第1基板或第2基板之表面親水化；及 搬運裝置，用來相對於該表面改質裝置、該表面親水化裝置及該接合裝置，搬運第1基板、第2基板或重合基板； 且該接合裝置中，接合於該表面親水化裝置表面經親水化之第1基板與第2基板。

且依另一觀點之本發明，係一種接合方法，以分子間力將基板彼此接合，其特徵在於包含： 第1程序，以溫度調節機構，將第1基板之溫度調節至既定之溫度； 第2程序，以該溫度調節機構，將第2基板之溫度調節至既定之溫度；及 第3程序，將於該第1程序經溫度調節之第1基板，以第1固持部之下表面固持，將於該第2程序經溫度調節之第2基板，以第2固持部之上表面固持後，對向配置並接合由該第1固持部所固持之第1基板，與由該第2固持部所固持之第2基板。

該第1程序或該第2程序，亦可分別在以位置調節機構，調節第1基板或第2基板之水平方向之方向後，該第3程序前進行。

該第1程序，亦可在以該位置調節機構，調節第1基板之水平方向之方向，且以翻轉機構，翻轉第1基板之表背面後，該第3程序前進行。

該第1程序，亦可由該溫度調節機構之第1溫度調節部進行， 該第2程序，亦可由該溫度調節機構之第2溫度調節部進行。

該第1程序或該第2程序，亦可分別在以位置調節機構，調節第1基板或第2基板之水平方向之方向中進行。

且按照依另一觀點之本發明，可提供一種電腦記憶媒體，可由電腦讀取，儲存有為以接合裝置實行該接合方法，在控制該接合裝置之控制部之電腦上動作之程式。

【發明之效果】

依本發明，可適當調節由第1固持部所固持之第1基板，與由第2固持部所固持之第2基板之位置，適當進行基板彼此之接合處理。

以下，說明關於本發明之實施形態。圖1係顯示依本實施形態之接合系統1之構成之概略之俯視圖。圖2係顯示接合系統1之內部構成之概略之側視圖。

接合系統1中，如圖3所示，接合作為例如2片基板之晶圓W_U 、W_L 。以下，將配置於上側之晶圓，稱為作為第1基板之「上晶圓W_U 」，將配置於下側之晶圓，稱為作為第2基板之「下晶圓W_L 」。且將上晶圓W_U 接合之接合面稱為「表面W_U1 」，將與該表面W_U1 相反之一側之面稱為「背面W_U2 」。同樣地，將下晶圓W_L 接合之接合面稱為「表面W_L1 」，將與該表面W_L1 相反之一側之面稱為「背面W_L2 」。又，接合系統1中，接合上晶圓W_U 與下晶圓W_L ，形成作為重合基板之重合晶圓W_T 。

本實施形態中，上晶圓W_U 係成為產品之晶圓，例如於表面W_U1 形成具有複數之電子電路等之複數之元件。且下晶圓W_L 係支持上晶圓W_U 之支持晶圓。

接合系統1，如圖1所示，具有一體連接下列者之構成： 送入送出站2，例如在與外部之間，將可分別收納複數之晶圓W_U 、W_L 、複數之重合晶圓W_T 之匣盒C_U 、C_L 、C_T 送入送出；及 處理站3，具有對晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 施行既定之處理之各種處理裝置。

送入送出站2中，設有匣盒載置台10。匣盒載置台10中，設有複數，例如4個匣盒載置板11。匣盒載置板11，沿水平方向之X方向（圖1中之上下方向）排成一列配置。於此等匣盒載置板11，在相對於接合系統1之外部送入送出匣盒C_U 、C_L 、C_T 之際，可載置匣盒C_U 、C_L 、C_T 。如此，送入送出站2，可保有複數之上晶圓W_U 、複數之下晶圓W_L 、複數之重合晶圓W_T 。又，匣盒載置板11之個數，不由本實施形態限定，可任意決定。且亦可作為異常晶圓回收用匣盒使用一匣盒。亦即，該匣盒可將因各種要因上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之接合發生異常之晶圓，與其他正常之重合晶圓W_T 分離。本實施形態中，複數之匣盒C_T 中，作為異常晶圓回收用匣盒，使用1個匣盒C_T ，作為正常之重合晶圓W_T 之收納用匣盒，使用其他匣盒C_T 。

送入送出站2中，鄰接匣盒載置台10而設有晶圓搬運部20。晶圓搬運部20中，設有可在沿X方向延伸之搬運路21上任意移動之晶圓搬運裝置22。晶圓搬運裝置22，亦可沿鉛直方向及繞著鉛直軸（θ方向）任意移動，可在各匣盒載置板11上之匣盒C_U 、C_L 、C_T ，與後述之處理站3之第3處理區塊G3之傳送裝置50、51之間，搬運晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 。

處理站3中，設有具有各種裝置之複數例如3個處理區塊G1、G2、G3。例如於處理站3之正面側（圖1之X方向負方向側），設有第1處理區塊G1，於處理站3之背面側（圖1之X方向正方向側），設有第2處理區塊G2。且於處理站3之送入送出站2側（圖1之Y方向負方向側），設有第3處理區塊G3。

例如第1處理區塊G1中，配置使晶圓W_U 、W_L 之表面W_U1 、W_L1 改質之表面改質裝置30。表面改質裝置30中，例如在減壓氛圍下，激發作為處理氣體之氧氣而使其電漿化、離子化。對表面W_U1 、W_L1 照射此氧離子，使表面W_U1 、W_L1 經電漿處理而改質。

例如第2處理區塊G2中，自送入送出站2側依此順序沿水平方向之Y方向排列配置：例如以純水使晶圓W_U 、W_L 之表面W_U1 、W_L1 親水化，並清洗該表面W_U1 、W_L1 之表面親水化裝置40、接合晶圓W_U 、W_L 之接合裝置41。

表面親水化裝置40中，例如使由旋轉吸盤固持之晶圓W_U 、W_L 旋轉，同時在該晶圓W_U 、W_L 上供給純水。如此，經供給之純水在晶圓W_U 、W_L 之表面W_U1 、W_L1 上擴散，使表面W_U1 、W_L1 親水化。又，關於接合裝置41之構成後述。

例如第3處理區塊G3中，如圖2所示，自下而上依序設有2段晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 之傳送裝置50、51。

如圖1所示，由第1處理區塊G1～第3處理區塊G3包圍之區域中，形成晶圓搬運區域60。晶圓搬運區域60中，配置例如晶圓搬運裝置61。

晶圓搬運裝置61，包含例如可沿鉛直方向、水平方向（Y方向、X方向）及繞著鉛直軸任意移動之搬運臂。晶圓搬運裝置61，可於晶圓搬運區域60內移動，相對於周圍之第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3內既定之裝置，搬運晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 。

以上接合系統1中，如圖1所示，設有控制部70。控制部70，係例如電腦，包含程式儲存部（未經圖示）。程式儲存部中，儲存控制接合系統1中晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 之處理之程式。且程式儲存部中，亦儲存控制上述各種處理裝置或搬運裝置等驅動系之動作，以實現接合系統1中後述之晶圓接合處理之程式。又，該程式，亦可由例如電腦可讀取之硬碟（HD）、軟碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）、記憶卡等電腦可讀取之記憶媒體H記錄，自該記憶媒體H安裝於控制部70。

其次，說明關於上述接合裝置41之構成。接合裝置41，如圖4所示，包含可密封內部之處理容器100。於處理容器100之晶圓搬運區域60側之側面，形成晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 之送入送出口101，於該送入送出口101設有開合閘門102。

處理容器100之內部，以內壁103，分隔為搬運區域T1與處理區域T2。上述送入送出口101，形成於搬運區域T1中處理容器100之側面。且於內壁103， 亦形成晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 之送入送出口104。又，處理區域T2之內部之氛圍維持於既定之溫度，例如25℃。

於搬運區域T1之X方向正方向側，如圖4及圖5所示，堆疊設有用來臨時載置晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 之暫置部110，與調節晶圓W_U 、W_L 之溫度之溫度調節機構120。例如形成2段暫置部110，可同時載置晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 中任2者。

溫度調節機構120，包含第1溫度調節部121與第2溫度調節部122。將此等第1溫度調節部121與第2溫度調節部122，堆疊設置在暫置部110上。又，本實施形態中，雖分別逐一設置第1溫度調節部121與第2溫度調節部122，但此等者之數量不限定於此，亦可設置2個以上。

第1溫度調節部121，包含作為將上晶圓W_U 調節為既定之溫度之溫度調節構件之第1溫度調節板123。第1溫度調節板123中，內建例如帕爾帖元件（未經圖示）等。又，第1溫度調節板123之溫度由例如控制部70控制，調節第1溫度調節板123上之上晶圓W_U 為既定之溫度。

在第1溫度調節板123上，設有複數，例如3個作為固持上晶圓W_U 之外周部之固持構件之間隙銷124。上晶圓W_U ，如後述由翻轉機構150翻轉其表背面，亦即以表面W_U1 朝下方之狀態被搬運至第1溫度調節部121。第1溫度調節部121中，以間隙銷124固持上晶圓W_U 之表面W_U1 之外周部，亦即固持表面W_U1 中未形成元件之外周部，故可迴避該元件蒙受損傷。

第2溫度調節部122，包含調節下晶圓W_L 為既定之溫度之第2溫度調節板125。第2溫度調節板125具有與上述第1溫度調節板123相同之構成，第2溫度調節板125中內建例如帕爾帖元件（未經圖示）等。且在第2溫度調節板125上，載置下晶圓W_L 之背面W_L2 全面。又，第2溫度調節板125之溫度由例如控制部70控制，調節被載置在第2溫度調節板125上之下晶圓W_L 為既定之溫度。

搬運區域T1中，設有晶圓搬運機構130。晶圓搬運機構130，包含例如可沿鉛直方向、水平方向（Y方向、X方向）及繞著鉛直軸任意移動之搬運臂。又，晶圓搬運機構130，可在搬運區域T1內，或搬運區域T1與處理區域T2之間，搬運晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 。

於搬運區域T1之X方向負方向側，設有調節晶圓W_U 、W_L 之水平方向之方向之位置調節機構140。位置調節機構140，如圖6所示，包含基台141、以銷吸盤方式固持晶圓W_U 、W_L ，且使其旋轉之固持部142、與偵測晶圓W_U 、W_L 之缺口部之位置之偵測部143。又，固持部142之銷吸盤方式，與後述之上吸盤160與下吸盤161中之銷吸盤方式相同，故省略說明。又，位置調節機構140中，使由固持部142固持之晶圓W_U 、W_L 旋轉，同時以偵測部143偵測晶圓W_U 、W_L 之缺口部之位置，藉此，調節該缺口部之位置，調節晶圓W_U 、W_L 之水平方向之方向。

且搬運區域T1中，設有使上晶圓W_U 之表背面翻轉之翻轉機構150。翻轉機構150，如圖7～圖9所示，包含固持上晶圓W_U 之固持臂151。固持臂151，沿水平方向（圖7及圖8中之Y方向）延伸。且固持臂151中，例如於4處設有固持上晶圓W_U 之固持構件152。固持構件152，如圖10所示，可相對於固持臂151沿水平方向移動。且於固持構件152之側面，形成用來固持上晶圓W_U 之外周部之缺口153。又，此等固持構件152，可包夾並固持上晶圓W_U 。

固持臂151，如圖7～圖9所示，由例如包含馬達等之第1驅動部154支持。藉由此第1驅動部154，固持臂151可繞著水平軸任意轉動。且固持臂151，可以第1驅動部154為中心任意轉動，並沿水平方向（圖7及圖8中之Y方向）任意移動。於第1驅動部154之下方，設有例如包含馬達等之第2驅動部155。藉由此第2驅動部155，第1驅動部154可順著沿鉛直方向延伸之支持柱156，沿鉛直方向移動。如此藉由第1驅動部154與第2驅動部155，由固持構件152固持之上晶圓W_U ，可繞著水平軸轉動，並可沿鉛直方向及水平方向移動。且由固持構件152固持之上晶圓W_U ，可以第1驅動部154為中心轉動，自位置調節機構140在與後述之上吸盤160之間移動。

處理區域T2中，如圖4及圖5所示，設有作為以下表面吸附固持上晶圓W_U 之第1固持部之上吸盤160，與作為以上表面載置並吸附固持下晶圓W_L 之第2固持部之下吸盤161。下吸盤161，設於上吸盤160之下方，可與上吸盤160對向配置。亦即，可對向配置由上吸盤160固持之上晶圓W_U ，與由下吸盤161固持之下晶圓W_L 。

如圖11所示，上吸盤160，由設於該上吸盤160之上方之上吸盤支持部170支持。上吸盤支持部170，設於處理容器100之頂棚面。

下吸盤161，由設於該下吸盤161之下方之下吸盤支持部180支持。且下吸盤支持部180，由設於該下吸盤支持部180之下方之支持構件181支持。

於支持構件181之下表面側，設有使下吸盤161沿水平方向（X方向）移動之下吸盤移動部182。將下吸盤移動部182，安裝於沿水平方向（X方向）延伸之一對軌條183、183。又，下吸盤移動部182，可沿軌條183任意移動。

將一對軌條183、183，配置在設於處理容器100之底面之載置台184上。可以移動機構（未經圖示），沿水平方向（Y方向）任意移動此載置台184。且可以設於載置台184之內部之移動機構（未經圖示），使下吸盤移動部182沿鉛直方向任意移動，且繞著鉛直軸旋轉。

處理容器100之內部中，設有用來調節上吸盤160與下吸盤161之水平方向位置之位置調節機構。具體而言，設有拍攝由上吸盤160固持之上晶圓W_U 之吸盤相機190、拍攝由下吸盤161固持之下晶圓W_L 之橋式相機191、及調節吸盤相機190與橋式相機191之水平方向位置之際作為共通基準之目標192。吸盤相機190自下方拍攝目標192之下表面，橋式相機191自上方拍攝目標192之上表面。又，於吸盤相機190與橋式相機191，使用例如CCD相機。

將吸盤相機190與目標192，分別設在支持構件181上。目標192，由目標台193支持。於目標192，使用可以橋式相機191及吸盤相機190影像認知之，例如在玻璃板上蒸鍍圓形金屬膜者。可以設於目標台193之驅動機構（未經圖示），使目標192沿鉛直傾斜方向移動，退避至圖11中以虛線表示之位置。

橋式相機191，配置於下吸盤161之上方。且可以移動機構（未經圖示），使橋式相機191沿水平方向（X方向）移動。

其次，說明關於接合裝置41之上吸盤160與下吸盤161之詳細構成。

於上吸盤160，如圖12及圖13所示，採用銷吸盤方式。上吸盤160，包含俯視視之至少具有小於上晶圓W_U 之直徑之本體部200。於本體部200之下表面， 設有接觸上晶圓W_U 之背面W_U2 之複數之銷201。且於本體部200之下表面，設有支持上晶圓W_U 之背面W_U2 之外周部之外壁部202。外壁部202，於複數之銷201之外側呈環狀設置。

於本體部200之下表面，形成用來在外壁部202之內側之區域203（以下，有時稱抽吸區域203。），對上晶圓W_U 抽真空之抽吸口204。抽吸口204，形成於例如抽吸區域203之外周部2處。抽吸口204，連接設於本體部200之內部之抽吸管205。且抽吸管205，經由接頭連接真空泵206。

又，將由上晶圓W_U 、本體部200及外壁部202所包圍而形成之抽吸區域203，自抽吸口204抽真空，使抽吸區域203減壓。此時，抽吸區域203之外部氛圍係大氣壓，故恰可以大氣壓將上晶圓W_U 往抽吸區域203側推減壓分，由上吸盤160吸附固持上晶圓W_U 。

此時，複數之銷201之高度均一，故可減小上吸盤160之下表面之平面度。如此可使上吸盤160之下表面平坦（減小下表面之平面度），抑制由上吸盤160固持之上晶圓W_U 之鉛直方向之應變。且上晶圓W_U 之背面W_U2 由複數之銷201支持，故解除以上吸盤160對上晶圓W_U 抽真空之際，該上晶圓W_U 易於自上吸盤160剝離。

於本體部200之中心部，形成沿厚度方向貫通該本體部200之貫通孔207。此本體部200之中心部，對應由上吸盤160吸附固持之上晶圓W_U 之中心部。又，後述之推動構件210之推動銷211插通貫通孔207。

於上吸盤160之上表面，設有推壓上晶圓W_U 之中心部之推動構件210。推動構件210，具有缸筒構造，包含推動銷211，與該推動銷211昇降之際作為導件之外筒212。推動銷211，藉由例如內建馬達之驅動部（未經圖示），可插通貫通孔207，沿鉛直方向任意昇降。又，推動構件210，在後述之晶圓W_U 、W_L 之接合時，可使上晶圓W_U 之中心部與下晶圓W_L 之中心部抵接並推壓。

於下吸盤161，如圖12及圖14所示，與上吸盤160相同，採用銷吸盤方式。下吸盤161，包含俯視視之至少具有大於下晶圓W_L 之直徑之本體部220。於本體部220之上表面，設有接觸下晶圓W_L 之背面W_L2 之複數之銷221。且於本體部220之上表面，設有支持下晶圓W_L 之背面W_L2 之外周部之外壁部222。外壁部222，於複數之銷221之外側呈環狀設置。

於本體部220之上表面，形成複數用來在外壁部222之內側之區域223（以下，有時稱抽吸區域223。），對下晶圓W_L 抽真空之抽吸口224。抽吸口224，連接設於本體部200之內部之抽吸管225。抽吸管225，設有例如2條。且抽吸管225，連接真空泵226。

又，自抽吸口224對由下晶圓W_L 、本體部220及外壁部222所包圍而形成之抽吸區域223抽真空，使抽吸區域223減壓。此時，抽吸區域223之外部之氛圍係大氣壓，故恰可以大氣壓將下晶圓W_L 往抽吸區域223側推減壓分，由下吸盤161吸附固持下晶圓W_L 。

此時，複數之銷221之高度均一，故可減小下吸盤161之上表面之平面度。且例如即使於處理容器100內存在微粒，相鄰之銷221之間隔適當，故亦可抑制於下吸盤161之上表面存在微粒。如此可使下吸盤161之上表面平坦（減小上表面之平面度），抑制由下吸盤161固持之下晶圓W_L 之鉛直方向之應變。且下晶圓W_L 之背面W_L2 由複數之銷221支持，故解除以下吸盤161對下晶圓W_L 抽真空之際，該下晶圓W_L 易於自下吸盤161剝離。

於本體部220之中心部附近，形成將該本體部220沿厚度方向貫通之貫通孔227於例如3處。又，設於下吸盤移動部182之下方之昇降銷插通貫通孔227。

於本體部220之外周部，設有防止晶圓W_U 、W_L 、重合晶圓W_T 自下吸盤161突出，或滑落之引導構件228。引導構件228，於本體部220之外周部以等間隔方式設在複數個所，例如4處。

又，接合裝置41中各部之動作，由上述控制部70控制。

其次，說明關於使用如以上構成之接合系統1進行之晶圓W_U 、W_L 之接合處理方法。圖15係顯示該晶圓接合處理之主要程序之例之流程圖。

首先，將收納複數片上晶圓W_U 之匣盒C_U 、收納複數片下晶圓W_L 之匣盒C_L 、及空的匣盒C_T ，載置於送入送出站2之既定之匣盒載置板11。其後，以晶圓搬運裝置22取出匣盒C_U 內之上晶圓W_U ，將其搬運至處理站3之第3處理區塊G3之傳送裝置50。

其次，以晶圓搬運裝置61，將上晶圓W_U 搬運至第1處理區塊G1之表面改質裝置30。表面改質裝置30中，在既定之減壓氛圍下，激發作為處理氣體之氧氣而使其電漿化、離子化。照射此氧離子至上晶圓W_U 之表面W_U1 ，對該表面W_U1 進行電漿處理。又，使上晶圓W_U 之表面W_U1 改質（圖15之程序S1）。如此表面W_U1 經改質之上晶圓W_U 之溫度，例如為35℃。

其次，以晶圓搬運裝置61，將上晶圓W_U 搬運至第2處理區塊G2之表面親水化裝置40。表面親水化裝置40中，使由旋轉吸盤固持之上晶圓W_U 旋轉，同時在該上晶圓W_U 上供給純水。如此，經供給之純水在上晶圓W_U 之表面W_U1 上擴散，羥基（矽醇基）附著在於表面改質裝置30經改質之上晶圓W_U 之表面W_U1 ，使該表面W_U1 親水化。且以該純水，清洗上晶圓W_U 之表面W_U1 （圖15之程序S2）。如此表面W_U1 經親水化且經清洗之上晶圓W_U 之溫度，例如為23℃。

其次，以晶圓搬運裝置61，將上晶圓W_U 搬運至第2處理區塊G2之接合裝置41。此搬運中，上晶圓W_U 之溫度例如為22.5℃。經由暫置部110，以晶圓搬運機構130，將送入接合裝置41之上晶圓W_U ，搬運至位置調節機構140。又，以位置調節機構140，調節上晶圓W_U 之水平方向之方向（圖15之程序S3）。如此水平方向之方向經調節之上晶圓W_U 之溫度，例如為26℃。

其後，自位置調節機構140朝翻轉機構150之固持臂151傳遞上晶圓W_U 。接著，於搬運區域T1，使固持臂151翻轉，藉此，使上晶圓W_U 之表背面翻轉（圖15之程序S4）。亦即，上晶圓W_U 之表面W_U1 朝下方。如此表背面經翻轉之上晶圓W_U 之溫度，例如為25.5℃。

其後，以翻轉機構150，將上晶圓W_U 搬運至第1溫度調節部121。第1溫度調節部121中，將上晶圓W_U 固持在間隙銷124上，以第1溫度調節板123，將其調節至既定之溫度，例如25℃（圖15之程序S5）。

其後，以翻轉機構150，將上晶圓W_U 搬運至上吸盤160之下方。又，自翻轉機構150朝上吸盤160傳遞上晶圓W_U 。上晶圓W_U 中，其背面W_U2 由上吸盤160吸附固持（圖15之程序S6）。具體而言，使真空泵206作動，自抽吸口204對抽吸區域203抽真空，上晶圓W_U 由上吸盤160吸附固持。

將如此由上吸盤160固持之上晶圓W_U ，如上述於程序S5調節至例如25℃。亦即，將上晶圓W_U ，調節至與處理區域T2之氛圍溫度相同之溫度。因此，上晶圓W_U 不因溫度變化伸縮，其形狀與尺寸不變化。

特別是上吸盤160以銷吸盤方式固持上晶圓W_U ，故上吸盤160與上晶圓W_U 之接觸面積小。此時，若不調節上晶圓W_U 之溫度，該上晶圓W_U 之形狀或尺寸即會易於變化。就此點而言，不使上晶圓W_U 之形狀與尺寸變化之程序S5之溫度調節特別有用。

對上晶圓W_U 進行上述程序S1～S6之處理之期間內，在該上晶圓W_U 之後接著進行下晶圓W_L 之處理。首先，以晶圓搬運裝置22取出匣盒C_L 內之下晶圓W_L ，將其搬運至處理站3之傳送裝置50。

其次，以晶圓搬運裝置61，將下晶圓W_L 搬運至表面改質裝置30，使下晶圓W_L 之表面W_L1 改質（圖15之程序S7）。又，程序S7中下晶圓W_L 之表面W_L1 之改質，與上述程序S1相同。

其後，以晶圓搬運裝置61，將下晶圓W_L 搬運至表面親水化裝置40，使下晶圓W_L 之表面W_L1 親水化，並清洗該表面W_L1 （圖15之程序S8）。又，程序S8中下晶圓W_L 之表面W_L1 之親水化及清洗，與上述程序S2相同。

其後，以晶圓搬運裝置61，將下晶圓W_L 搬運至接合裝置41。經由暫置部110，以晶圓搬運機構130，將送入接合裝置41之下晶圓W_L ，搬運至位置調節機構140。又，以位置調節機構140，調節下晶圓W_L 之水平方向之方向（圖15之程序S9）。如此水平方向之方向經調節之下晶圓W_L 之溫度，例如為26℃。

其後，以晶圓搬運機構130，將下晶圓W_L 搬運至第2溫度調節部122。第2溫度調節部122中，將上晶圓W_U 載置在第2溫度調節板125上，將其調節至既定之溫度，例如25℃（圖15之程序S10）。

其後，以晶圓搬運機構130，將下晶圓W_L 搬運至下吸盤161，由下吸盤161吸附固持其背面W_L2 （圖15之程序S11）。具體而言，使真空泵226作動，自抽吸口224對抽吸區域223抽真空，下晶圓W_L 由下吸盤161吸附固持。

亦如上述於程序S10，將如此由下吸盤161固持之下晶圓W_L ，調節為例如25℃，亦即調節為與處理區域T2之氛圍溫度相同之溫度。因此，下晶圓W_L 不因溫度變化伸縮，其形狀與尺寸不變化。且下吸盤161採用銷吸盤方式，故與程序S5中上晶圓W_U 之溫度調節相同，程序S10中下晶圓W_L 之溫度調節特別有用。

且將由上吸盤160固持之上晶圓W_U ，與由下吸盤161固持之下晶圓W_L ，調節為相同溫度。因此，於上晶圓W_U 與下晶圓W_L 相互間，形狀與尺寸亦不變。因此，可適當進行後述之上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之位置調節。

其次，進行由上吸盤160固持之上晶圓W_U 與由下吸盤161固持之下晶圓W_L 之水平方向之位置調節。

首先，如圖16所示，使下吸盤移動部182沿水平方向（X方向與Y方向）移動，以吸盤相機190，拍攝由上吸盤160固持之上晶圓W_U 之表面W_U1 。

其後，如圖17所示，使目標192移動至吸盤相機190之上方，以吸盤相機190，確認目標192之中心，更具體而言，目標192之金屬膜之中心。其後，如圖18所示，使橋式相機191移動至目標192之上方，以橋式相機191，確認目標192之中心。如此吸盤相機190與橋式相機191確認相同目標192之中心。又，調節該吸盤相機190與橋式相機191之水平方向位置，俾吸盤相機190與橋式相機191之水平方向位置一致。

其後，如圖19所示，使下吸盤移動部182沿水平方向（X方向與Y方向）移動，以橋式相機191，拍攝由下吸盤161固持之下晶圓W_L 之表面W_L1 。

又，調節下吸盤161之水平方向之位置，俾上吸盤160之表面W_U1 上之基準點（對準標記），與下吸盤161之表面W_L1 上之基準點（對準標記）一致。如此調節上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之水平方向之位置（圖15之程序S12）。

其後，以下吸盤移動部182，如圖20所示，使下吸盤161上昇，配置下晶圓W_L 至既定之位置。此時，配置下晶圓W_L ，俾下晶圓W_L 之表面W_L1 與上晶圓W_U 之表面W_U1 之間之間隔為既定之距離，例如80μm～200μm。如此調節上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之鉛直方向之位置（圖15之程序S13）。

其後，如圖21所示，使推動構件210之推動銷211下降，藉此，推壓上晶圓W_U 之中心部，同時使該上晶圓W_U 下降。此時，對推動銷211，施加無上晶圓W_U 之狀態下該推動銷211移動70μm之負載，例如200g。又，以推動構件210，使上晶圓W_U 之中心部與下晶圓W_L 之中心部抵接並推壓（圖15之程序S14）。此時，上吸盤160之抽吸口204形成於抽吸區域203之外周部，故以推動構件210推壓上晶圓W_U 之中心部之際，亦可以上吸盤160固持上晶圓W_U 之外周部。

如此，即在被推壓之上晶圓W_U 之中心部與下晶圓W_L 之中心部之間開始接合（圖21中之粗線部）。亦即，上晶圓W_U 之表面W_U1 與下晶圓W_L 之表面W_L1 分別於程序S1、S7被改質，故首先，於表面W_U1 、W_L1 間產生凡得瓦力（分子間力），該表面W_U1 、W_L1 彼此接合。且上晶圓W_U 之表面W_U1 與下晶圓W_L 之表面W_L1 分別於程序S2、S8經親水化，故表面W_U1 、W_L1 間之親水基氫結合（分子間力），表面W_U1 、W_L1 彼此強固地接合。

其後，如圖22所示，在以推動構件210推壓上晶圓W_U 之中心部與下晶圓W_L 之中心部之狀態下，停止真空泵206之作動，停止抽吸區域203中上晶圓W_U 之抽真空。如此，上晶圓W_U 落下至下晶圓W_L 上。此時，上晶圓W_U 之背面W_U2 由複數之銷201支持，故解除以上吸盤160對上晶圓W_U 抽真空之際，該上晶圓W_U 易於自上吸盤160剝離。又，自上晶圓W_U 之中心部朝外周部，停止上晶圓W_U 之抽真空，上晶圓W_U 依序落下在下晶圓W_L 上並抵接，依序擴大以上述表面W_U1 、W_L1 間之凡得瓦力與氫結合進行之接合。如此，如圖23所示，上晶圓W_U 之表面W_U1 與下晶圓W_L 之表面W_L1 全面抵接，上晶圓W_U 與下晶圓W_L 接合（圖15之程序S15）。

其後，如圖24所示，使推動構件210之推動銷211上昇至上吸盤160。且停止真空泵226之作動，停止抽吸區域223中下晶圓W_L 之抽真空，停止以下吸盤161吸附固持下晶圓W_L 。此時，下晶圓W_L 之背面W_L2 由複數之銷221支持，故解除以下吸盤161對下晶圓W_L 抽真空之際，該下晶圓W_L 易於自下吸盤161剝離。

將以上晶圓WU與下晶圓WL接合成之重合晶圓W_T ，以晶圓搬運裝置61搬運至傳送裝置51，其後，以送入送出站2之晶圓搬運裝置22，搬運至既定之匣盒載置板11之匣盒C_T 。如此，結束一連串晶圓W_U 、W_L 之接合處理。

依以上之實施形態，緊接在於程序S6以上吸盤160固持上晶圓W_U 前，於程序S5將上晶圓W_U 調節至與處理區域T2之氛圍溫度相同之溫度。同樣地，緊接在於程序S11以下吸盤161固持下晶圓W_L 前，於程序S10將下晶圓W_L 調節至與處理區域T2之氛圍溫度相同之溫度。因此，上晶圓W_U 與下晶圓W_L ，於其後之程序不因溫度變化伸縮，其形狀與尺寸不變化。且將上晶圓W_U 與下晶圓W_L 調節至相同溫度，故於上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之相互間，形狀與尺寸亦不變。因此，可抑制溫度造成的晶圓W_U 、W_L 之形狀或尺寸之差異，可高精度地實施程序S12中上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之位置調節。因此，可適當進行晶圓W_U 、W_L 彼此之接合處理。

且如此上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之位置調節之精度佳，故可抑制發生經接合之重合晶圓W_T 之鉛直方向之應變（Distortion），結果可提升產品之良率。且如此抑制重合晶圓W_T 之鉛直方向之應變，對例如CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）感測器之晶圓或BSI模型（Back Side Illumination）之晶圓有用。

且溫度調節機構120，在上吸盤160與下吸盤161外另外設置，故即使進行上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之溫度調節，對開始上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之位置調節之時機無影響。因此，可提升接合處理之處理能力。

且溫度調節機構120包含第1溫度調節部121與第2溫度調節部122，故可個別對上晶圓W_U 與下晶圓W_L 調節溫度。因此，即使例如上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之厚度或材質等不同，亦可適當調節此等上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之溫度。

且第1溫度調節部121中，雖在上晶圓W_U 之表面W_U1 朝下方之狀態下進行溫度調節，但以間隙銷124固持上晶圓W_U 之表面W_U1 之外周部，故可迴避形成於該表面W_U1 之元件蒙受損傷。

且溫度調節機構120堆疊而設於暫置部110，亦即在習知之專利文獻1所記載之接合裝置中之閒置空間配置溫度調節機構120。因此，即使設置溫度調節機構120，亦可維持接合裝置41之專有面積小。

且接合系統1，除接合裝置41外，亦包含使晶圓W_U 、W_L 之表面W_U1 、W_L1 改質之表面改質裝置30，及使表面W_U1 、W_L1 親水化，並清洗該表面W_U1 、W_L1 之表面親水化裝置40，故可在一系統內高效率進行晶圓W_U 、W_L 之接合。因此，可更提升晶圓接合處理之處理能力。

以上之實施形態之第1溫度調節部121，雖包含第1溫度調節板123與間隙銷124，但不由此限定，可為各種構成。例如亦可不設置第1溫度調節板123與間隙銷124，代之以在與上述上吸盤160相同之構成之吸盤，內建例如帕爾帖元件（未經圖示）等。

且以上之實施形態之接合裝置41中，溫度調節機構120雖堆疊而設於暫置部110，但不由此限定，可設置於任意處。例如亦可將溫度調節機構120設於處理區域T2內，或是亦可設於翻轉機構150或晶圓搬運機構130。

且亦可於位置調節機構140之固持部142內，設置例如具有帕爾帖元件等之溫度調節機構。此時，以位置調節機構140調節水平方向之方向中，或是調節水平方向之方向後，馬上調節上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之溫度。

以上任一情形下，皆可享受與上述實施形態相同之效果，亦即可分別適當調節上晶圓W_U 與下晶圓W_L 之溫度，適當且迅速地進行該晶圓W_U 、W_L 之接合處理。

如以上之實施形態所述，於程序S5調節之上晶圓W_U 之既定之溫度，與於程序S10調節之下晶圓W_L 之既定之溫度，宜為與處理區域T2內之氛圍溫度相同之溫度。惟，此等既定之溫度可任意設定。例如為抑制在接合之上晶圓W_U 與下晶圓W_L 間產生氣泡，有時會對上吸盤160與下吸盤161進行熱處理，而於程序S5與程序S10，亦可分別將上晶圓W_U 與下晶圓W_L 調節至與上吸盤160及下吸盤161中之熱處理溫度相同之溫度。

以上之實施形態中，雖已說明關於上晶圓W_U 係產品晶圓，下晶圓W_L 係支持晶圓之情形，但本發明，亦可適用於上晶圓W_U 與下晶圓W_L 皆係產品晶圓之情形。

以上之實施形態之接合裝置41中，下吸盤161與橋式相機191雖由同一支持構件181支持，但此等者亦可分別由不同支持構件支持。

且以上之實施形態之接合系統1中，亦可在以接合裝置41接合晶圓W_U 、W_L 後，更將接合之重合晶圓W_T 以既定之溫度加熱（退火處理）。進行對重合晶圓W_T 施加之加熱處理，藉此，可更強固地結合接合界面。

以上，雖已參照附圖，同時說明關於本發明之適當之實施形態，但本發明不由上述例限定。吾人應理解，只要是孰悉該技藝者，當然可在申請專利範圍所記載之構想之範疇內，想到各種變更例或修正例，關於此等者當然屬於本發明之技術範圍。本發明不限於此例，可為各種態樣。本發明，亦可適用於基板係晶圓以外之FPD（平板顯示器）、光罩用倍縮遮罩等其他基板之情形。

1‧‧‧接合系統
2‧‧‧送入送出站
3‧‧‧處理站
30‧‧‧表面改質裝置
40‧‧‧表面親水化裝置
41‧‧‧接合裝置
61‧‧‧晶圓搬運裝置
70‧‧‧控制部
100‧‧‧處理容器
103‧‧‧內壁
104‧‧‧送入送出口
110‧‧‧暫置部
120‧‧‧溫度調節機構
121‧‧‧第1溫度調節部
122‧‧‧第2溫度調節部
123‧‧‧第1溫度調節板
124‧‧‧間隙銷
125‧‧‧第2溫度調節板
130‧‧‧晶圓搬運機構
140‧‧‧位置調節機構
150‧‧‧翻轉機構
160‧‧‧上吸盤
161‧‧‧下吸盤
170‧‧‧上吸盤支持部
180‧‧‧下吸盤支持部
181‧‧‧支持構件
182‧‧‧下吸盤移動部
183‧‧‧軌條
184‧‧‧載置台
W_U‧‧‧上晶圓
W_L‧‧‧下晶圓
W_T‧‧‧重合晶圓
W_U1‧‧‧表面
W_U2‧‧‧背面
W_L1‧‧‧表面
W_L2‧‧‧背面
T1‧‧‧搬運區域
T2‧‧‧處理區域
S1~S15‧‧‧步驟

圖1係顯示依本實施形態之接合系統之構成之概略之俯視圖。 圖2係顯示依本實施形態之接合系統之內部構成之概略之側視圖。 圖3係顯示上晶圓與下晶圓之構成之概略之側視圖。 圖4係顯示接合裝置之構成之概略之橫剖面圖。 圖5係顯示接合裝置之構成之概略之縱剖面圖。 圖6係顯示位置調節機構之構成之概略之側視圖。 圖7係顯示翻轉機構之構成之概略之俯視圖。 圖8係顯示翻轉機構之構成之概略之側視圖。 圖9係顯示翻轉機構之構成之概略之側視圖。 圖10係顯示固持臂與固持構件之構成之概略之側視圖。 圖11係顯示接合裝置之內部構成之概略之側視圖。 圖12係顯示上吸盤與下吸盤之構成之概略之縱剖面圖。 圖13係自下方觀察上吸盤之俯視圖。 圖14係自上方觀察下吸盤之俯視圖。 圖15係顯示晶圓接合處理之主要程序之流程圖。 圖16係顯示以吸盤相機拍攝由上吸盤固持之上晶圓之表面之情形之說明圖。 圖17係顯示調節吸盤相機與橋式相機之水平方向位置之情形之說明圖。 圖18係顯示調節吸盤相機與橋式相機之水平方向位置之情形之說明圖。 圖19係顯示以橋式相機拍攝由下吸盤固持之下晶圓之表面，調節上晶圓與下晶圓之水平方向之位置之情形之說明圖。 圖20係顯示調節上晶圓與下晶圓之鉛直方向之位置之情形之說明圖。 圖21係顯示使上晶圓之中心部與下晶圓之中心部抵接並推壓之情形之說明圖。 圖22係顯示依序使上晶圓抵接下晶圓之情形之說明圖。 圖23係顯示使上晶圓之表面與下晶圓之表面抵接之情形之說明圖。 圖24係顯示接合上晶圓與下晶圓之情形之說明圖。

41‧‧‧接合裝置

100‧‧‧處理容器

103‧‧‧內壁

104‧‧‧送入送出口

110‧‧‧暫置部

120‧‧‧溫度調節機構

121‧‧‧第1溫度調節部

122‧‧‧第2溫度調節部

123‧‧‧第1溫度調節板

124‧‧‧間隙銷

125‧‧‧第2溫度調節板

160‧‧‧上吸盤

161‧‧‧下吸盤

170‧‧‧上吸盤支持部

180‧‧‧下吸盤支持部

181‧‧‧支持構件

182‧‧‧下吸盤移動部

183‧‧‧軌條

184‧‧‧載置台

W_U‧‧‧上晶圓

W_L‧‧‧下晶圓

W_U1‧‧‧表面

W_U2‧‧‧背面

W_L1‧‧‧表面

W_L2‧‧‧背面

T1‧‧‧搬運區域

T2‧‧‧處理區域

Claims (9)

1. 一種接合裝置，以分子間力將基板彼此接合，其特徵在於包含：第1固持部，於其下表面固持第1基板，該第1固持部包含複數第1銷，當該第1基板由該第1固持部加以固持時該複數第1銷與該第1基板接觸；第2固持部，設於該第1固持部之下方，於其上表面固持第2基板，該第2固持部包含複數第2銷，當該第2基板由該第2固持部加以固持時該複數第2銷與該第2基板接觸；溫度調節機構，建構成在該第1基板由該第1固持部加以固持之前將該第1基板的溫度調節至第1既定溫度，及在該第2基板由該第2固持部加以固持之前將該第2基板的溫度調節至第2既定溫度，該第2基板的溫度調節係獨立於該第1基板的溫度調節，俾以抑制該第1基板與該第2基板偏移接合的情況。
2. 如申請專利範圍第1項之接合裝置，更包含：位置調節機構，調節該第1基板或該第2基板之水平方向之方向；其中在調節該第1基板或該第2基板之水平方向之方向之後，且在該第1基板或該第2基板由該第1固持部或該第2固持部所固持之前，由該溫度調節機構將該第1基板的溫度調節至該第1既定溫度或將該第2基板的溫度調節至該第2既定溫度。
3. 一種接合裝置，以分子間力將基板彼此接合，其特徵在於包含：第1固持部，於其下表面固持第1基板； 第2固持部，設於該第1固持部之下方，於其上表面固持第2基板；及溫度調節機構，將由該第1固持部所固持前之第1基板，或由該第2固持部所固持前之第2基板，調節至既定之溫度；且該第1保持部包含：本體部；複數之銷，設於該本體部之下表面，且接觸第1基板之背面；及外壁部，於本體部200之下表面兼複數之銷201之外側呈環狀設置，且支持第1基板之背面外周部；且該第2固持部包含：其他的本體部；複數之其他的銷，設於該其他的本體部的上表面，且接觸第2基板的背面；及其他的外壁部，於該其他的本體部的上面兼該複數之其他的銷的外側呈環狀設置，且支持第2基板之背面外周部。
4. 如申請專利範圍第3項之接合裝置，其中更包含：位置調節機構，調節第1基板或第2基板之水平方向之方向，在由該位置調節機構調節水平方向之方向之後，且由該第1固持部或該第2固持部所固持之前，由該溫度調節機構將第1基板或第2基板之溫度分別調節至既定之溫度。
5. 如申請專利範圍第4項之接合裝置，其中 更包含：翻轉機構，使第1基板之表背面翻轉，在由該位置調節機構調節水平方向之方向及由該翻轉機構翻轉表背面之後，且在由該第1固持部所固持之前，由該溫度調節機構將第1基板調節至既定之溫度。
6. 如申請專利範圍第2或4項之接合裝置，其中該溫度調節機構，包含：第1溫度調節部，調節第1基板之溫度；及第2溫度調節部，調節第2基板之溫度。
7. 如申請專利範圍第6項之接合裝置，其中該第1溫度調節部，包含：固持構件，固持第1基板之外周部；及溫度調節構件，調節由該固持構件所固持之第1基板之溫度。
8. 如申請專利範圍第2或4項之接合裝置，其中更包含：暫置部，為將第1基板、第2基板或以第1基板與第2基板接合成之重合基板，在與外部之間送入送出，而臨時載置該第1基板、第2基板或重合基板，該溫度調節機構，堆疊設置於該暫置部。
9. 一種接合系統，包含如申請專利範圍第1或3項之接合裝置，該接合系統之特徵在於包含：處理站，包含該接合裝置；及送入送出站，可分別保存複數之第1基板、第2基板或以第1基板與第2基板接合成之重合基板，且相對於該處理站送入送出第1基板、第2基板或重合基板；且該處理站，包含：表面改質裝置，使第1基板或第2基板之接合之表面改質；表面親水化裝置，使由該表面改質裝置所改質之第1基板或第2基板之表面親水化；及搬運裝置，用來相對於該表面改質裝置、該表面親水化裝置及該接合裝置，搬運第1基板、第2基板或重合基板；且於該接合裝置，將由該表面親水化裝置進行過表面之親水化的第1基板與第2基板加以接合。