TWI612681B - 太陽能電池、其模組及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種太陽能電池、其模組及其製造方法，該電池包含：一包括相對的一第一面與一第二面的基板、位於該第二面的一第一摻雜區與一第二摻雜區、一覆蓋該第一摻雜區與該第二摻雜區的鈍化層、數個間隔排列於該第二面上的阻隔層、一第一電極，以及一第二電極。任兩相鄰的阻隔層之間具有一使該第二面露出的開口。該第一電極與該第二電極位於該數個阻隔層上，並經過該開口而分別接觸該第一摻雜區及該第二摻雜區，該兩電極中的至少一個的材質包含有會燒穿該鈍化層的成份。本發明之電池結構創新、膜層品質良好，可提升光電轉換效率。

Description

太陽能電池、其模組及其製造方法

本發明是有關於一種太陽能電池、其模組及其製造方法，特別是指一種矽晶太陽能電池、其模組及其製造方法。

參閱圖1，為一種已知的背接觸式(Back Contact)太陽能電池，包含：一n型的基板91、一位於該基板91的一正面911且載子濃度大於該基板91的前表面電場層913、一位於該前表面電場層913上的抗反射層92、位於該基板91的一背面912側的至少一p型摻雜區914與至少一n型摻雜區915、一位於該背面912上的鈍化層93、至少一穿過該鈍化層93而接觸該p型摻雜區914的第一電極94，以及至少一穿過該鈍化層93而接觸該n型摻雜區915的第二電極95。該背接觸式太陽能電池的主要特色在於：該第一電極94與該第二電極95都位於該基板91之背面912側，該電池的正面911未設置電極，可避免受光面積被遮擋，因此可以提升電池正面的入光量。

其中，該鈍化層93上具有數個開孔931，可分 別供該第一電極94與該第二電極95穿過以接觸該p型摻雜區914與n型摻雜區915。而該鈍化層93在製作上，主要是先沉積形成連續完整的鈍化層93薄膜，再利用雷射蝕刻方式形成該數個開孔931，但由於該數個開孔931必須貫穿該鈍化層93的上、下表面，如此容易造成p型摻雜區914與n型摻雜區915也受到雷射影響而損傷，導致電池之光電轉換效率不佳，因此已知的電池結構與製法有待改良。

因此，本發明之目的，即在提供一種結構創新，可維持膜層品質並提升光電轉換效率的太陽能電池、其模組及其製造方法。

於是，本發明太陽能電池，包含：一包括相對的一第一面與一第二面的基板、不同導電型且位於該第二面的一第一摻雜區與一第二摻雜區、一位於該第二面上並覆蓋該第一摻雜區與該第二摻雜區的鈍化層、數個阻隔層、一第一電極，以及一第二電極。該數個阻隔層分別間隔排列於該第二面上，且任兩相鄰的阻隔層之間具有一可使該第二面露出的開口。該第一電極與該第二電極分別延伸於該數個阻隔層上並經過該開口而分別接觸該第一摻雜區及該第二摻雜區，其中該第一電極與該第二電極中的至少一個的材質包含有會燒穿該鈍化層的成份。

本發明太陽能電池模組，包含：相對設置的一第一板材與一第二板材、至少一個如上述且設置於該第一 板材與該第二板材間的太陽能電池，及一位於該第一板材與該第二板材間並接觸該太陽能電池的封裝材。

本發明太陽能電池的製造方法，包含：提供一基板，該基板包括相對的一第一面與一第二面。於該基板的第二面形成不同導電型的一第一摻雜區與一第二摻雜區。形成一位於該第二面上並覆蓋該第一摻雜區與該第二摻雜區的鈍化層。形成數個分別間隔排列於該第二面上的阻隔層。形成一第一電極與一第二電極，該第一電極與該第二電極分別延伸於該數個阻隔層上並分別接觸該第一摻雜區及該第二摻雜區，其中該第一電極與該第二電極中的至少一個的材質包含有會燒穿該鈍化層的成份。

本發明之功效：藉由該數個阻隔層作為摻雜區與電極之間的阻障，並配合該第一電極與該第二電極中的至少一個的材質能燒穿該鈍化層，使電極材料能於燒結製程燒穿該鈍化層而接觸該第一摻雜區與該第二摻雜區，達到電極與摻雜區電連接之作用。本發明可以避免以往之鈍化層進行雷射開孔製程會使摻雜區受到損傷之問題，因此本發明之電池結構創新、膜層品質良好，可提升光電轉換效率。

1‧‧‧第一板材

2‧‧‧第二板材

3‧‧‧太陽能電池

31‧‧‧基板

311‧‧‧第一面

312‧‧‧第二面

313‧‧‧半導體摻雜層

314‧‧‧抗反射層

315‧‧‧區域

316‧‧‧貫通孔

32‧‧‧第一摻雜區

33‧‧‧第二摻雜區

34‧‧‧鈍化層

341‧‧‧待燒穿層

342‧‧‧第一鈍化區

343‧‧‧第二鈍化區

35‧‧‧阻隔層

350‧‧‧開口

35‧‧‧介電層

352‧‧‧金屬層

36‧‧‧第一電極

360‧‧‧第一連接電極

37‧‧‧第二電極

370‧‧‧第二連接電極

4‧‧‧封裝材

5‧‧‧焊帶導線

61‧‧‧第一方向

62‧‧‧第二方向

71‧‧‧介電薄膜

d‧‧‧厚度

本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一種已知太陽能電池的剖視示意圖；圖2是本發明太陽能電池模組之一第一較佳實施例的 局部剖視示意圖；圖3是該第一較佳實施例的一太陽能電池的背面示意圖；圖4是沿圖3之A-A線所取的局部剖視圖，為了便於理解，將該太陽能電池的背面朝上繪製；圖5是沿圖3之B-B線所取的局部剖視圖，為了便於理解，將該太陽能電池的背面朝上繪製；圖6是本發明太陽能電池的製造方法的一第一較佳實施例的流程示意圖，圖6之剖視位置如圖3之A-A線所示；圖7是該製造方法之第一較佳實施例的另一個剖視位置的流程示意圖，圖7之各步驟與圖6之各步驟相同，但圖7之剖視位置如圖3之B-B線所示；圖8是本發明太陽能電池的一第二較佳實施例的背面示意圖；圖9是該第二較佳實施例之太陽能電池的背面局部立體圖；圖10是沿圖8之C-C線所取的局部剖視圖，為了便於理解，將該太陽能電池的背面朝上繪製；圖11是沿圖8之D-D線所取的局部剖視圖，為了便於理解，將該太陽能電池的背面朝上繪製；圖12是本發明太陽能電池的製造方法的一第二較佳實施例的流程示意圖，圖12之剖視位置如圖8之C-C線所示。

在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖2，本發明太陽能電池模組之第一較佳實施例包含：上下相對設置的一第一板材1與一第二板材2、數個陣列式排列於該第一板材1與該第二板材2間的太陽能電池3、至少一位於該第一板材1及該第二板材2間並接觸該數個太陽能電池3的封裝材4，以及數條用於串接該數個太陽能電池3的焊帶導線(ribbon)5。

該第一板材1與該第二板材2在實施上沒有特殊限制，可以使用玻璃或塑膠板材，而且位於電池受光面的一側的板材必須為可透光。該封裝材4的材質例如可透光的乙烯醋酸乙烯共聚物(EVA)，或其他可用於太陽能電池模組封裝的相關材料。

本實施例的該數個太陽能電池3的結構都相同，以下僅以其中一個為例進行說明。但在同一模組中的數個電池不以結構相同為必要。

參閱圖3、4、5，該太陽能電池3包含：一基板31、數個第一摻雜區32、數個第二摻雜區33、一鈍化層34、數個阻隔層35、數個第一電極36，以及數個第二電極37。

該基板31包括相對的一第一面311與一第二面312。本實施例之基板31為n型的半導體矽基板，該第一面311為入光面，該第二面312為背面(圖中為了方便示 意，將該電池以背面朝上的方式繪製)。在該基板31的第一面311側可設置一半導體摻雜層313，其為載子濃度大於該基板31之n型半導體，藉此形成前表面電場(Front Surface Field，簡稱FSF)，能提升載子收集率及光電轉換效率。需要說明的是，若該基板31使用p型半導體基板時，則該半導體摻雜層313為載子濃度大於該基板31的p型半導體。在該半導體摻雜層313表面還可選擇性地設置一抗反射層314，其材料例如氮化矽(SiNx)，用於提升光線入射量以及降低載子表面複合速率(Surface Recombination Velocity，簡稱SRV)。

該數個第一摻雜區32位於該基板31的第二面312，並且皆沿一第一方向61延伸，且彼此間沿一垂直該第一方向61的第二方向62間隔排列。該數個第一摻雜區32為n型半導體，且載子濃度大於該基板31。本發明實施時不須限定該數個第一摻雜區32的形狀與分布位置。

該數個第二摻雜區33位於該基板31的第二面312，並且皆沿該第一方向61延伸。該數個第二摻雜區33分別與該數個第一摻雜區32沿該第二方向62交錯間隔排列。該數個第二摻雜區33為p型半導體，其導電形式與該數個第一摻雜區32不同。本發明實施時不須限定該數個第二摻雜區33的形狀與分布位置。

該鈍化層34位於該第二面312上並覆蓋該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33，本實施例的鈍化層34主要分布於該第二面312之未被該數個阻隔層35、該 數個第一電極36與該數個第二電極37覆蓋的區域。該鈍化層34的材料可為氧化物、氮化物或上述材料的組合，並用於鈍化、修補該基板31的表面以減少表面之懸鍵(Dangling Bond)與缺陷，從而可減少載子陷阱(Trap)及降低載子的表面複合速率，以提升電池的光電轉換效率。

如圖3所示，該數個阻隔層35皆沿該第二方向62間隔排列，以及沿該第一方向61間隔排列於該第二面312上，也就是該數個阻隔層35呈二維陣列排列，任兩相鄰的阻隔層35之間具有一可使該基板31的第二面312露出的開口350。該數個阻隔層35與該鈍化層34的材質可以相同，也可以不同；每一阻隔層35可以只包含一種材質，也可以為至少兩種不同材質之層體所堆疊構成。具體而言，本實施例之每一阻隔層35包括一介電層351與一金屬層352，該介電層351位於該金屬層352與該基板31的第二面312之間，且該介電層351的材質與該鈍化層34的材質相同。而該金屬層352不包含有會燒穿(Fire Through)該介電層351之成份。另言之，該數個阻隔層35沿著平行該第一電極36與該第二電極37的延伸方向(即第一方向61)間隔排列，以及沿著垂直該第一電極36與該第二電極37延伸方向(即第二方向62)的方向間隔排列。

進一步說明，本實施例之基板31的第二面312具有數個對應於該數個開口350且未被該第一電極36與該第二電極37覆蓋的區域315，該鈍化層34的局部亦延伸於該數個區域315上。

該數個第一電極36與該數個第二電極37沿該第二方向62交錯間隔排列，並且皆沿該第一方向61延伸於該數個阻隔層35上，並經過該數個開口350而分別接觸該數個第一摻雜區32及該數個第二摻雜區33。其中該數個第一電極36與該數個第二電極37中的至少一個的材質包含有會燒穿該鈍化層34的成份。補充說明的是，圖4示意其中一第一電極36於該第一方向61上經由其中數個開口350而接觸其中一第一摻雜區32的狀態；至於第二電極37於該第一方向61經由開口350而接觸第二摻雜區33的狀態，由於與圖4類似，因此不再另外繪製示意。

在本實施例中，還藉由一第一連接電極360連接於該數個第一電極36的一端，使該數個第一電極36電連接；藉由一第二連接電極370連接於該數個第二電極37的一端，使該數個第二電極37電連接。本實施例之背電極設計方式稱為指叉式背電極，而且因為本實施例之電極全部設置於該基板31的第二面312上，該第一面311未設有可導電之電極，因此本實施例之電池為一種指叉式背接觸(Interdigitated Back Contact，簡稱IBC)太陽能電池。

本發明太陽能電池的製造方法包含以下步驟：提供該基板31。於該基板31的第二面312形成不同導電型的該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33。形成該鈍化層34、該數個阻隔層35、該數個第一電極36與該數個第二電極37。其中，形成該鈍化層34與該數個阻隔層35的步驟可同時進行，也可以分開進行，以下即透過具體 的實施例說明本第一較佳實施例之電池的製造方法。

參閱圖3、6、7，本發明太陽能電池的製造方法的第一較佳實施例包含：

步驟一：提供該基板31，於該基板31的第二面312形成不同導電型的該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33。其中，該數個第一摻雜區32可藉由在該基板31的第二面312之局部區域進行擴散製程(例如磷擴散)而形成重摻雜的n型半導體。該數個第二摻雜區33可藉由在該基板31的第二面312之局部區域進行擴散製程(例如硼擴散)而形成重摻雜的p型半導體。另外再於該基板31的第一面311製作該半導體摻雜層313與該抗反射層314。

步驟二：在該基板31的第二面312形成該鈍化層34與該數個阻隔層35。具體而言，本實施例之鈍化層34及每一阻隔層35的介電層351可利用同一步驟製作形成，例如可利用真空鍍膜方式先於該第二面312上形成一連續膜狀的介電薄膜71，該介電薄膜71覆蓋該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33，接著再於該介電薄膜71上形成數個沿該第一方向61以及沿該第二方向62皆間隔排列的金屬層352。該介電薄膜71之每一個位於該數個金屬層352與該第二面312之間，且分別對應該數個金屬層352的部位即成為本發明所述的每一阻隔層35的該介電層351，因此，每一金屬層352和位於該每一金屬層352與該第二面312之間的該介電薄膜71的該介電層351共同形成一個所述的阻隔層35，而該介電薄膜71之未對應於 該數個金屬層352的部位即成為該鈍化層34。其中，該金屬層352可以利用網版印刷、噴墨印刷或真空鍍膜等方式形成，利用網印方式形成時，其網印用的金屬漿料例如含鋁的導電漿料。

步驟三：形成該數個第一電極36與該數個第二電極37，使該數個第一電極36與該數個第二電極37可分別穿過該鈍化層34而接觸該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33。具體來說，本步驟可利用網版印刷方式於該鈍化層34與該數個阻隔層35上的預定位置披覆用於形成該數個第一電極36與該數個第二電極37的導電漿料，該導電漿料包含有會燒穿該鈍化層34的成份，導電漿料燒穿該鈍化層34的能力與漿料中的玻璃原料(glass frit)有關，該導電漿料例如含銀的導電漿料或是同時含有銀與鋁的導電漿料；接著進行高溫燒結(firing)製程，在燒結過程中，導電漿料會燒穿該鈍化層34(此時該數個阻隔層35之間的該數個開口350即完全成型)，進而可通過該鈍化層34而接觸該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33，因此當該導電漿料固化後所形成的該數個第一電極36與該數個第二電極37，即可分別接觸該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33，以完成電池之接觸電極的製作。更進一步說明，該數個阻隔層35的金屬層352較佳地不包含有會燒穿該介電層351之成份，如此可以避免金屬層352材料於燒結製程中燒穿該介電層351。其中，該數個阻隔層35的設置方式為二維陣列間隔排列的方式，也就是該數個 阻隔層35是沿著平行該第一電極36與該第二電極37的延伸方向(即第一方向61)間隔排列，以及沿著垂直該第一電極36與該第二電極37延伸方向(即第二方向62)的方向間隔排列，以避免第一電極36和該第二電極37之間產生導通之問題。

由於本發明設置該數個阻隔層35作為摻雜區與電極之間的阻障，並配合該數個第一電極36與該數個第二電極37的材質包含有會燒穿該鈍化層34的成份，因此導電漿料可於燒結製程中燒穿該鈍化層34而接觸該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33，以達到電極與摻雜區電連接之作用，而且導電漿料對於該數個阻隔層35的金屬層352沒有燒穿作用或燒穿作用非常微弱，因此該數個阻隔層35可以有效將該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33之不需要與電極接觸的部位隔開，使該數個電極以間隔的點接觸方式接觸該數個摻雜區。所以本實施例之鈍化層34不需要進行以往之鈍化層利用雷射開孔之製程，從而可以避免雷射開孔製程會使第一摻雜區32與第二摻雜區33受到損傷之問題，因此本發明之膜層品質良好，可提升光電轉換效率。而且該數個金屬層352以金屬材料製成、導電性佳，有助於提升電極導電效果，以提升光電流。該數個金屬層352的網印形狀可以依需求而變化，可為圓點、直線狀、斷線狀或任意形狀，只要能達到阻隔功能，並使電極與摻雜層之間能形成所需的接觸效果即可。

參閱圖8~11，本發明太陽能電池之第二較佳實 施例，與該第一較佳實施例大致相同，不同的地方在於該太陽能電池3的鈍化層34與該數個阻隔層35的設計。

本實施例的每一阻隔層35沿該第二方向62延伸，任兩相鄰的阻隔層35之間具有數個沿該第二方向62間隔排列的開口350。較佳地，每一阻隔層35的厚度d為1μm~100μm，藉此可在一定的厚度內達到最佳化的阻隔導電漿料燒穿之效果。本實施例的鈍化層34與該數個阻隔層35的材料相同，該鈍化層34具有數個分別位於該數個阻隔層35之間且位於該數個開口350的一側的第一鈍化區342，以及一位於該基板31的第二面312上之除了該數個第一鈍化區342、該數個阻隔層35、該數個第一電極36與該數個第二電極37以外的區域的第二鈍化區343，本實施例的第二鈍化區343大致沿著該基板31的周緣延伸且圍繞該數個阻隔層35、該數個第一電極36與該數個第二電極37。該第二鈍化區343的厚度大於該數個第一鈍化區342的厚度。較佳地，該鈍化層34的厚度較佳地為10nm~1μm，最佳為70nm~200nm，藉此可在一定的厚度內達到最佳化的鈍化該基板31表面、提升光電轉換效率之效果。 本發明所述之鈍化層34的厚度主要是指該鈍化層34之非位於該數個阻隔層35之間的區域的厚度，在本實施例即相當於第二鈍化區343的厚度。但另一方面，本發明該數個第一鈍化區342的厚度也可以與該第二鈍化區343的厚度相同，此時該鈍化層34的厚度限定可以指任一部位的厚度。

參閱圖9、10、11、12，本發明太陽能電池的製造方法之第二較佳實施例，與該第一較佳實施例大致相同，不同之處主要在於形成該鈍化層34與該數個阻隔層35的步驟。本實施例於形成該鈍化層34與該阻隔層35時，先於該基板31的第二面312上形成一連續膜狀的介電薄膜71(圖12)，再將該介電薄膜71的局部部位移除，使該介電薄膜71之局部厚度變薄，進而形成數個待燒穿層341，而該數個待燒穿層341之間的部位則分別成為該數個阻隔層35，且本步驟中該數個阻隔層35的厚度大於該數個待燒穿層341的厚度。該介電薄膜71之除了該數個阻隔層35以外的區域即成為該鈍化層34。較佳地，每一待燒穿層341的厚度為1nm~70nm。

上述將該介電薄膜71的局部部位移除以形成該數個待燒穿層341的步驟中，該移除方式可以利用雷射蝕刻、蝕刻膠(Etching Paste)蝕刻、光微影蝕刻或機械蝕刻等方式。由於該蝕刻移除過程僅使該介電薄膜71形成局部凹陷，而非形成貫穿的孔洞，因此蝕刻深度不深，不會影響到該基板31的第二面312，也不會對該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33造成損傷。

接著形成該數個第一電極36與該數個第二電極37，本步驟與該第一較佳實施例的電極製作步驟相同，可利用網版印刷方式配合燒結製程而形成電極。主要是，利用網印方式將電極漿料披覆在該數個阻隔層35與該數個待燒穿層341上，在燒結過程中，該導電漿料會燒穿該鈍化 層34的該數個待燒穿層341，進而使最後固化形成的該數個第一電極36與該數個第二電極37，可分別接觸該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33。

由於本實施例的阻隔層35的厚度較厚而可避免被該導電漿料燒穿，進而達到阻隔目的。該數個待燒穿層341的厚度較薄，可讓導電漿料完全燒穿而使電極接觸摻雜區。而且本實施例蝕刻該介電薄膜71以形成該數個待燒穿層341的步驟中，不會造成該數個第一摻雜區32與該數個第二摻雜區33損傷，使摻雜區維持良好的品質，可提升光電轉換效率。

需要說明的是，在前述形成該鈍化層34與該數個阻隔層35的步驟中，若只對該介電薄膜71之預定形成該數個待燒穿層341的位置進行蝕刻，則蝕刻後所形成的該數個阻隔層35的厚度，約等於該鈍化層34之除了該數個待燒穿層341以外的區域的厚度，但在形成該數個第一電極36與該數個第二電極37之後，由於電極之導電漿料也會燒蝕該數個阻隔層35之局部，使阻隔層35厚度變薄，因此在最後製出的電池成品，阻隔層35的厚度就會小於該鈍化層34厚度。但另一方面，也可以對該鈍化層34之除了該數個待燒穿層341以外的所有區域也進行蝕刻，使該數個阻隔層35的厚度大於該鈍化層34的厚度。還有其他種情況為，形成電極前之阻隔層35厚度大於該鈍化層34厚度，但在形成電極後之阻隔層35厚度小於該鈍化層34厚度；或是無論在形成電極之前或之後，阻隔層35厚 度雖有變薄，但都大於該鈍化層34厚度；或是無論在形成電極之前或之後，阻隔層35厚度都小於該鈍化層34厚度。因此，在實施上可藉由對該介電薄膜71之適當部位進行適當蝕刻，使最後形成的電池結構中的該數個阻隔層35的厚度可以大於該鈍化層34的厚度，但也可以小於或等於該鈍化層34之厚度。而該鈍化層34本身之各個區域之間的厚度，可以相同也可以不同。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

3‧‧‧太陽能電池

31‧‧‧基板

311‧‧‧第一面

312‧‧‧第二面

313‧‧‧半導體摻雜層

314‧‧‧抗反射層

32‧‧‧第一摻雜區

35‧‧‧阻隔層

350‧‧‧開口

351‧‧‧介電層

352‧‧‧金屬層

36‧‧‧第一電極

61‧‧‧第一方向

Claims (5)

1. 一種太陽能電池的製造方法，包含：提供一基板，該基板包括相對的一第一面與一第二面；於該基板的第二面形成不同導電型的一第一摻雜區與一第二摻雜區；形成一位於該第二面上並覆蓋該第一摻雜區與該第二摻雜區的鈍化層；形成數個分別間隔排列於該第二面上的阻隔層；形成一第一電極與一第二電極，該第一電極與該第二電極分別延伸於該數個阻隔層上並分別接觸該第一摻雜區及該第二摻雜區，其中該第一電極與該第二電極中的至少一個的材質包含有會燒穿該鈍化層的成份。
2. 如請求項1所述的太陽能電池的製造方法，其中，該數個阻隔層與該鈍化層的材質相同。
3. 如請求項1所述的太陽能電池的製造方法，其中，形成該鈍化層與該阻隔層時，先於該第二面上形成一連續膜狀的介電薄膜，再將該介電薄膜的局部部位移除，以形成數個間隔排列的待燒穿層，該數個阻隔層分別位於該數個待燒穿層之間，且該數個阻隔層的厚度大於該數個待燒穿層的厚度，該介電薄膜之除了該數個阻隔層以外的區域即為該鈍化層；形成該第一電極與 該第二電極時，將一導電漿料披覆在該數個阻隔層與該數個待燒穿層上，並經過燒結製程使該導電漿料燒穿該數個待燒穿層，該導電漿料固化後即形成該第一電極與該第二電極。
4. 如請求項1所述的太陽能電池的製造方法，其中，該數個阻隔層沿著該第一電極延伸方向間隔排列，以及沿著垂直該第一電極延伸方向的方向間隔排列。
5. 如請求項4所述的太陽能電池的製造方法，其中，形成該鈍化層與該阻隔層時，是先於該第二面上形成一連續膜狀的介電薄膜，接著再於該介電薄膜上形成數個分別間隔排列的金屬層，其中每一金屬層和位於該每一金屬層與該第二面之間的該介電薄膜之一介電層共同形成一個所述的阻隔層，而該介電薄膜之未對應於該數個金屬層的部位即成為該鈍化層；形成該第一電極與該第二電極時，將一導電漿料披覆在該數個阻隔層與該鈍化層上，並經過燒結製程使該導電漿料燒穿該鈍化層，該導電漿料固化後即形成該第一電極與該第二電極。